TW535454B - Electro-optical device - Google Patents

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Jun Koyama
Shunpei Yamazaki
Kazutaka Inukai
Mai Osada
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Semiconductor Energy Lab
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Description

535454 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（1 ) 發明背景 1 ·發明領域 本發明係關於藉由準備一 E L元件在一基底上而形成 之E L (電致照明）顯示器（電光學裝置）。更特別而言 ，本發明係關於使用一半導體元件之EL顯示器（使用半 導體薄膜之元件）。再者，本發明係關於一電子裝置，其 中使用E L顯示器在顯示部份。 2 .相關技藝之說明 在一基底上形成T F T之技術近年來已廣泛的進步， 且對主動矩陣型顯示裝置之應用發展亦顯著進步。特別的 ，使用多晶矽膜之丁 F T具有比使用習知非晶矽膜較高的 電場效應移動率，因此此T F T可進行較高速操作。結果 ，可藉由和.圖素形成在相同基底上之驅動電路而執行習知 以在基底外之驅動電路所執行之圖素控制。 此型之主動矩陣顯示裝置可藉由準備各種電路和元件 在相同基底上而獲得許多優點，如降低製造成本，降低顯 示裝置之尺寸，增加良率，和高產量等。 再者，在具有EL元件當成自我發光裝置之主動矩陣 型E L顯示器之硏發上亦蓬勃發展。此E L顯示器視爲有 機EL顯示器（OELD)或有機發光二極體（OLED )。 和液晶顯示裝置不同的是，EL顯示器是自我發光型 二極體。E L元件以E L層夾在一對電極間而構成。但是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)~ _ -4- (請先閱讀背面之注意事項再填頁： 裝 · 線- 535454 A7 B7 五、發明說明（2 ) ,EL層一般具有疊層構造。典型的，可使用由柯達公司 之T a n g等人所提出之”正電洞傳送層/照明層/電子傳 送層”之疊層構造。此構造具有非常高的發光效率，且此構 造可採用在幾乎所有現今硏發之E L顯示器中。 此外，此構造亦可爲在圖素電極上，正電洞注入層/ 正電洞傳送層/照明層/電子傳送層，或正電洞注入層/ 正電洞傳送層/照明層/電子傳送層/電子注入層依序疊 層。可摻雜磷螢光染料至照明層中。 在此說明書中，所有提供在電極對間之層一般皆視爲 EL層。結果，正電洞注入層，正電洞傳送層，照明層， 電子傳送層，和電子注入層皆包括在E L層中。 而後，預定電壓從電極對應用至具有上述構造之E L 層，因此，在照明層中產生載子之再結合，且發光。附帶 的，在本說明書中，EL元件發光之事實乃是其受到驅動 。再者，在本說明書中，陽極，以EL層形成之發光元件 ，和陰極皆視爲E L元件。 在E L顯示器之實際應用上之問題爲導因於E L層受 到破壞之E L元件之短壽命之問題。關於影響E L層壽命 長度之因素方面，如驅動EL顯示器之裝置之構造，構成 EL層之有機EL材料之特性，電極之材料，和在製造方 法中之條件等。 而後，除了上述因素外，近年來，視爲影響EL層壽 命之因素爲驅動E L顯示器之方法。 習知的，爲了從EL元件發光，一般使用應用直流電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -5 - 535454 A7 B7 五、發明說明（3 ) 流至夾住E L元件之陽極和陰極兩電極之方法。此習知數 位型式劃時灰階顯示器將參考圖1 6說明。於此，說明以 η位元數位驅動系統提供2 n灰階全彩顯示之例。 圖1 5爲E L顯示圖素部份之構造。閘極訊號輸入至 之閘極訊號線（G 1至G η )連接至安裝在每一圖素中之 開關TFT1 50 1之閘電極。再者，安裝在每一圖素中 之開關TFT 1 5 0 1之源極區域或汲極區域之一連接至 源極訊號線（其亦視爲資料訊號線）（S 1至S η )，而 另一則分別連接至安裝在每一圖素中之E L驅動 TFT 1 5 0 4之閘電極和安裝在每一圖素中之電容 1 5 0 8° 安裝在每一圖素中之E L驅動TFT 1 5 0 4之源極 區域或汲極區域之一連接至電源供應線（V1至Vn)， 而另一則連接至E L元件1 5 0 6。電源供應線（V 1至 V η )之電位視爲電源之電位。電源供應線（V 1至V η )連接至安裝在每一圖素中之電容1 5 0 8。數位資料訊 號視爲數位視頻訊號。 E L元件1 5 0 6包含一陽極和一陰極，且E L層提 供在陽極和陰極間。在陽極連接至E L驅動 TFT1504之源極區域和汲極區域之例中，亦即，在 陽極爲圖素電極之例中，陰極爲相反電極且保持在固定電 位。相反的，在陰極連接至EL驅動TFT1 5 04之源 極區域和汲極區域之例中，亦即，在陰極爲圖素電極之例 中，陽極爲相反電極且保持在固定電位。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
訂
經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 f 合 作 社 印 製 -6 - 535454 A7 B7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 再者，在本說明書中，相反電極之電位視爲固定電位 °亦即，提供固定電位至相反電極之電源視爲固定電源。 所需的是，陽極之電位高於應用至陰極之電位。因此，固 定電位依照相反電極爲陽極或陰極之事實而改變。例如， 在相反電極爲陽極之例中，所需的是，固定電位設定成高 於電源電位。相反的，在相反電極爲陰極之例中，所需的 是，固定電位設定成高於電源電位。 介於相反電極之固定電位和圖素電極之電源電位間之 電位差異爲EL驅動電壓，和此EL驅動電壓應用至EL 層。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 圖1 6爲在習知E L顯示器中以一直流電流驅動之數 位型式之時間圖。首先，一框週期分成η個副框週期（ SF1至SF η)。在圖素部份中之所有圖素顯示一影像 之週期視爲一框週期（F)。在一正常EL顯示器中，提 供一框週期，其中震盪頻率爲60Hz或更大，亦即，提 供每一秒6 0或更多之框週期，因此，在一秒中顯示6 0 或更多影像。當在一秒中顯示之影像數目變成6 0或更少 時，影像之閃爍變成相當明顯。一框週期進一步分成多數 週期之週期視爲副框週期。以灰階位準數目之增加，一框 週期之分割數目亦增加，且驅動電路需以高頻驅動。 一副框週期分成位址週期（Ta )和維持週期（Ts )。位址週期乃是在一副框週期時需用以輸入資料至所有 圖素之時間，和維持週期（其亦視爲一發光週期）乃是 E L元件發光之週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 535454 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) 在η個副框（SF 1至SFn)中之位址週期之長度 相同。在副框週期SF 1至SFn中之維持週期（Ts ) 分別設定爲T s 1至T s η。 維持週期之長度設定爲使Ts 1 : Ts 2 : Ts 3 ·· …：T s ( η - 1 ) : 丁 s ( η ) = 2 0 : 2 — 1 : 2 — 2 : …：2 _ ( η _ 2 ) : 2 — ( η — 1 )。但是，副框週期S F 1至 S F η允許呈現之級數可爲任一級數。以此維持週期之結 合，可在2η灰階位準外提供所須的灰階顯示。 首先，在位址週期中，電源線（VI至Vn)可以穩 定電位保持在相同高度。在此說明書中，在數位驅動位址 週期中之電源電位視爲一關閉電源電位。値得注意的是， 電源電位之高度必須爲在E L元件1 5 0 6不發光之範疇 內以穩定之電位在相同的高度上。此時之E L驅動電壓視 爲關閉E L驅動電壓。所需的是在OF F時之E L驅動電 壓爲0V，但是此電壓亦可爲不使EL元件1 5 0 6發光 之級數。 而後，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 1 ,因此，具有 閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關T F T 1 5 0 1皆啓 動。 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關 T F T 1 5 0 1皆啓動之狀態下，數位資料訊號依序輸入 至源極訊號線（S 1至S η )。數位資料訊號具有” 0 ”或1 1 ”之資訊，且” 0 ”或” 1 ”之數位資料訊號視爲具有高電壓 或低電壓之訊號。而後，輸入至源極訊號線之數位資料訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填？^頁) -δ· -線- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -8- 535454 A7 B7 五、發明說明（6 ) 號（S 1至S η )經由在啓動狀態之開關T F T 1 5 0 1 輸入至EL驅動TFT1504之閘電極。再者，數位資 料訊號輸入至欲保持之電容1 5 0 8。 其次，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 2 ,和具有閘電 極連接至閘極訊號線G 2之開關T F Τ 1 5 0 1皆啓動。 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 2之開關 TFT 1 5 0 1皆啓動之狀態下，數位資料訊號依序輸入 至源極訊號線（S1至S η)。輸入至源極訊號線之數位 資料訊號（S 1至Sn)經由開關TFT1 50 1輸入至 EL驅動TFT1504之閘電極。再者，數位資料訊號 輸入至欲保持之電容1508。 重複上述之操作，且數位資料訊號輸入至所有圖素。 數位資料訊號輸入至所有圖素之週期爲一位址週期。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 當完成一位址週期時，維持週期同時開始。當維持週 期開始時，電源線（V 1至V η )之電位從關閉電源電位 改變至啓動電源電位。在此說明書中，在數位驅動之例中 ，在維持週期中之電源電位視爲啓動電源電位。啓動電源 電位和固定電位間之電位差異必須爲使E L元件發光。此 電位差異視爲啓動E L驅動電位。關閉電源電位和啓動電 源電位一般視爲電源電位。再者，啓動E L驅動電壓和關 閉E L驅動電壓一般視爲E L驅動電壓。 在維持週期中，開關T F Τ 1 5 0 1關閉。而後，保 持在電容1 5 0 8中之數位資料訊號輸入至E L驅動 TFT1504之閘電極。 本ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 535454
五、發明說明（7 ) 在數位資料之資 TFT1504關閉 極保持在關閉電源位 數位資料訊號之圖素 另一方面，在數 TFT 1 504 啓動 極變成啓動電源位準 位資料訊號之圖素中 所有開關T F T 丁 E L元件在T s η週期中，一預 A7 B7 訊爲”0 ”之例中，E L驅動 。因此，EL元件1506之圖素電 準。結果，安裝在應用具有”0”資訊之 中之EL元件1506不發光。 位資料之資訊爲”1”之例中，EL驅動 ，因此，EL元件1506之圖素電 。結果，安裝在應用具有”1”資訊之數 之EL元件1506發光。 1 5 0 1關閉之週期爲維持週期。 1至T s η之任何週期中發光。在 定E L元件允許發光（一預定圖素發 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 1 im 頁 Τ 預定圖素允許在Τ 而後，在剩餘 光） 其次，再度呈現位址週期。在數位資料訊號輸入至所 有圖素後，出現維持週期。此時，出現任一維持週期 1至Ts (η-1)。當Ts (η-l)出現時，一 η — 1 )週期中發光。 2個副框中重複相似的操作，且維 持週期 Ts (n — 2) , Ts (η — 3) , 個 一個出現，和預定圖素允許在副框中發光。 當出現第η個副框週期時，一框週期完成。此時，藉 由總和圖素在一框週期中發光之維持週期，亦即，剛好在 具有資訊” 1之數位資料訊號應用至圖素之位址週期後之維 持週期之長度，可決定圖素之灰階位準。 例如，在η = 8之例中，當在所有維持週期中發光之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -10- 535454 A7 B7 五、發明說明（8 ) 圖素之照度設定爲100 %時，則在τ s 1和Ts 2中 發光之圖素之例中，表示之照度爲7 5 %。而當選擇 (請先閱讀背面之注意事項再填3頁)
Ts3, Ts5,和Ts8之例中，則呈現之照度爲16 %。 以此方式，習知E L顯示器以直流電流驅動，和應用 至E L層之E L驅動電壓始終具有相同極性。 但是，如在"TSUTSUI· T , Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 VOL.37 , No. 11B , p. L1406-L1408， 1 998”所揭示，藉由 在每一週期應用具有與E L元件相反極性之E L驅動電壓 ，可改善EL元件之受破壞之電流-電壓特性。 但是，對於利用藉由在每一週期應用具有與E L元件 相反極性之E L驅動電壓以改善E L元件之受破壞之電流 -電壓特性之事實以驅動EL顯示器之方法，和對於使用 此驅動方法之E L顯示器，則迄今尙未提出具體方案。 --線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 因此，爲了延長EL元件之壽命，預期能有一方案在 藉由在每一週期應用具有與E L元件相反極性之E L驅動 電壓而驅動E L顯示器以提供一顯示之方法（以下在此說 明書中稱爲交流電流驅動），和使用此驅動方法之E L顯 示器之製造。特別的，預期能有以交流電流驅動而提供一 顯示之主動矩陣型E L顯示器之製造。 發明槪要 本發明在EL顯示器之驅動中，保持安裝在EL元件 中之第一電極在固定電位和保持第二電極在電源線之電位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 -11 - 535454 A7 ____ B7 五、發明說明（9 ) (電源電位）。而後，對於每一具體週期，固定電壓固定 ，和電源電位之高度改變，因此，EL驅動電壓之極性， 其爲介於固定電位和電源電位間之差異，變成相反。例如 ，當固定電位設爲VT,和電源電位設爲VD時，則在一確 定週期中EL驅動電壓設爲Vt — Vd = AV,而當固定電 位設爲Vt，和電源電位設爲Vd’時，則EL驅動電壓設爲 V τ 一 V d * = 一 AV 〇 在以數位型式驅動電路之劃時灰階顯示中，EL驅動 電壓之極性對於每一框週期可改變爲相反，而EL驅動電 壓之極性對於每一副框週期亦可改變成相反。 在類比型式驅動電路之例中，對於每一框週期，EL 驅動電壓改變爲相反極性。 於此，因爲在藉由應用具有確定極性之EL驅動電壓 而使EL元件發光之例中，EL元件爲二極體，因此，在 應用具有相反極性之EL驅動電壓時，EL元件不發光。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 以此構造，具有相反極性之EL驅動電壓對每一確定 週期應用至E L元件。結果，可改善對E L元件之電流-電壓特性之破壞，因此，相較於習知驅動方法，可延長 E L元件之壽命。 再者，如上所述，在每一框週期顯示影像之例中，對 於觀看者之眼睛而言，閃爍之產生如同一閃光° 結果，在本發明中，較佳的是，E L顯示器以交流電 流驅動，其頻率爲在直流電流驅動中對於觀看者眼睛不產 生閃爍之頻率之兩倍或更高。換言之，在一秒中提供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 535454 A7 _ B7 五、發明說明（1〇 ) 1 2 〇或更多的框週期，和顯示6 0或更多的影像。在上 述構造中，可防止由交流電流產生之閃爍。 再者，本發明之交流電流驅動不只可應用至主動矩陣 型EL顯示裝置，且亦可應用至被動型EL顯示裝置。 以下說明本發明之構造。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該圖素包括多數EL元件，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數EL元件包含第一電極和第二電極： 該第一電極保持在一固定電位；和 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一框週期 反向之方式改變。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該圖素包括多數EL元件，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位；和 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一副框週 期反向之方式改變。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填3頁) I本 ••線. 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -13- 535454 A7 B7 五、發明說明（11 ) 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TF丁以控 制多數EL元件之發光，多數開關TFT以控制多數EL 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 %之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位；和 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一框週期 反向之方式改變。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TFT以控 制多數E L元件之發光，多數開關T F 丁以控制多數E L 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位；和 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一副框週 期反向之方式改變。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- A7 元件，其特徵在於： 供一種電光學裝置，包含多數圖 元件，其特徵在於： 制該多數E L元件在包括在一框 發光之副框週期之長度總和而提 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535454 ------ - 五、發明說明（12 )
素，該圖素包括多數EL 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位； 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一框週期 反向之方式改變，和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓。 依照本發明，於此提 素，該圖素包括多數EL 該電光學裝置藉由控 週期中之多數副框週期外 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位； 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一副框週 期反向之方式改變，和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TFT以控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填 寫 頁 -15 535454 A7 B7 五、發明說明（彳3 ) 制多數E L元件之發光，多數開關T F 丁以控制多數E L 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數EL元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位； 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一框週期 反向之方式改變，和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TFT以控 制多數E L元件之發光，多數開關T F T以控制多數E L 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位； 該第二電極之電位以多數EL驅動電壓，其爲介於應 用至第一和第二電極間之電位差異，之極性對每一副框週 期反向之方式改變，和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填9頁) 訂： •線· 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 -16- 535454 A7 B7 五、發明說明（14 ) 該第二電極之電壓。 該E L驅動丁 FT和該開關TFT包含η通道型 TFT或ρ通道型TFT。 該多數E L元件之發光以輸入至開關T F T之數位資 料訊號而控制。 該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TFT以控 制多數EL元件之發光，多數開關TFT以控制多數EL 、 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由輸入一類比視頻訊號至該開關 T F T之源極區域而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一電極保持在一固定電位；和 該第二電極藉由參考每一框週期應用至第一電極之電 壓而保持在具有相反極性之電壓。 依照本發明，於此提供一種電光學裝置，包含多數圖 素，該裝置包括多數EL元件，多數EL驅動TFT以控 制多數EL元件之發光，多數開關TFT以控制多數EL 驅動TFT之驅動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由輸入一類比視頻訊號至該開關 T F T之源極區域而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極·， 該第一電極保持在一固定電位； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填
經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 -17- 535454 A7 B7 五、發明說明（15 ) 該第二電極藉由參考每一框週期應用至第一電極之電 壓而保持在具有相反極性之電壓；和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓。 該E L驅動TFT和該開關TFT包含η通道型 TFT或ρ通道型TFT。 該一框週期爲1/1 2 0秒或更小。 該多數E L元件具有之E L層包含一低分子有機材料 或聚合物有機材料。 該低分子有機材料包括A 1 q3 ( 8 -羥基喹啉鋁）和 丁 P D (三苯胺衍生物）。 該聚合物有機材料包括PPV (聚對位苯撐乙烯撐） ，PVK，或聚碳酸鹽。 於此提供一電腦，其特徵在於使用上述電光學裝置。 於此提供一視頻相機，其特徵在於使用上述電光學裝 置。 於此提供一DVD播放器，其特徵在於使用上述電光 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 學裝置。 圖式簡單說明 在圖中： 圖1爲依照本發明之E L顯示器之構造圖； 圖2 A和2 B爲依照本發明之圖素部份之電路圖； 圖3爲依照本發明之以交流電流之數位型式驅動之時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 535454
五、發明說明（π ) 間圖； 圖4爲依照本發明之以交流電流之類比型式驅動之時 間圖； 圖5爲依照本發明之以交流電流之數位型式驅動之時 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 間圖； 圖 頂視圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 圖 部份之 圖 部份之 圖 部份之 圖 6 A和6 B爲依照本發明之E L顯示器之電路圖和
7爲依 8 A至 9 A至 1 0 A 1 1 A 1 2爲 1 3 A 1 4 A 1 5爲 1 6爲 1 7 A 電路圖 1 8 A 電路圖 1 9 A 電路圖 2 0 A 照本發明之E L顯示器之截面構造圖； 8 E爲E L顯示器之製造方法圖； 9 D爲E L顯示器之製造方法圖； 至1 0 D爲E L顯示器之製造方法圖； 至11C爲EL顯示器之製造方法圖； E L模組之外觀圖； 和1 3 B爲E L模組之外觀圖； 至1 4 E爲電器用品之具體例圖； E L顯示器之圖素部份之電路圖； 以交流電流驅動之習知技藝之時間圖； 和1 7 B爲依照本發明之E L顯示器之圖素 $ 和1 8 B爲依照本發明之E L顯示器之圖素 > 和1 9 B爲依照本發明之E L顯示器之圖素 和2 Ο B爲依照本發明之E L顯示器之圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填 -19- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17 ) 部份之電路圖；和 圖21爲依照本發明之EL顯示器之截面構造圖 主要元件對照表 15 0 1 開關 T F T 1504 EL驅動TFT 1508 電容 1 5 0 6 E L元件 10 1 圖素部份 1 0 2 源極訊號側驅動電路 103 閘極訊號側驅動電路 102a 移位暫存器 102b 閂鎖 102c 閂鎖 114 劃時灰階資料訊號產生電路 10 4 圖素 10 5 開關T F T 1 0 6 閘極訊號線 107 源極訊號線 113 電容 108 EL驅動TFT 111 電源供應線 110 E L元件 6 0 3 圖素 (請先閱讀背面之注意事項再填？^頁) #本 線- , 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（18 ) 6 0 4 圖 素 6 0 5 、6 2 5 開 關 T F T 6 0 6 、6 1 6 閘 極 訊號 線 6 0 7 、6 2 7 資 料訊號 線 6 1 3 、6 3 3 電 容 6 0 8 、6 2 8 E L 驅動 TFT 6 1 1 共 同 電源供 應 線 6 1 0 、6 3 0 E L 元件 6 1 2 、6 2 2 固 定 電源 1 1 基底 1 2 絕緣 膜 2 0 1 開 關 TFT 2 0 2 E L 驅動T F T 1 3 源極 域 1 4 汲極 域 1 5 a 、1 5 d L D D區 域 1 6 隔離 區 域 1 7 a 、1 7 b 通 道 形成 區域 1 8 閘絕 緣 膜 1 9 a 、1 9 b 閘 電 極 2 0 第一 中 間層絕 緣 膜 2 1 源極 訊 號線 2 2 汲極 接 線 2 6 源極 1^ 域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -21 · 535454 A7 B7 五、發明說明（19 ) 27 汲極區域 2 9 通道形成區域 3 0 閘電極 31 源極訊號線 32 汲極接線
204 η通道型TFT 35 源極區域 36 汲極區域 3 7 L D D區域 38 再道形成區域 3 9 閘電極 205 p通道型TFT 40 源極區域 4 1 汲極.區域 42 通道形成區域 4 3 閘電極 4 4.4 5 源極接線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 46 汲極接線 47 第一被動膜 4 8 第二中間層絕緣膜 4 9 圖素電極 5 0 第三中間絕緣膜 5 1 E L 層 5 2 陰極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製
五、發明說明 (20 ) 5 3 保 護電 極 5 4 第 二被 動 膜 8 1 1 基底 8 1 2 絕緣 膜 8 2 0 1 開 關 Τ F T 8 2 0 2 E L 驅 動 T F 丁 8 1 3 源極 區 域 8 1 4 汲極 區 域 8 1 5 a 〜8 1 5 d L D D 區域 8 1 6 隔離 區 域 8 6 3 η 8 6 4 通 道 形成 域 8 1 8 閘絕 緣 膜 8 1 9 a 、8 1 9 b 閘 電 極 8 2 9 第一 中 間 層 絕 緣 膜 8 2 1 源極 訊 號 線 8 2 2 汲極 接 線 8 2 0 2 電 流 控制 T F T 8 2 6 源極 域 8 2 7 •汲極 域 8 0 5 通道 形 成 1E 域 8 3 0 閘電 極 8 3 1 源極 訊 號 線 8 3 2 汲極 接 線 8 2 0 4 η 通 道 型 T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -23- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（21 ) 835 源極區域 836 汲極區域 837 LDD區域 826 通道形成區域 8 3 9 閘電極 8205 p通道型TFT 840 源極區域 8 1 汲極區域 861 通道形成區域 817a、 817b、 829838、 842 光罩 844、 845 源極訊號線 8 4 6 汲 極 接 線 8 4 7 第 一 被 動 膜 8 4 8 第 二 中 間 層絕 緣 膜 8 4 9 圖 素 電 極 8 5 0 第 二 絕 緣 膜 8 5 1 E L 層 8 5 2 陰 極 8 2 0 6 E L 元 件 8 5 3 保 護 電 極 8 5 4 第 二 被 動 膜 5 0 1 基 底 5 0 2 非 晶 矽 膜 5 0 3 a 、 5 0 3 b 開 □ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線· -24- A7 535454 _B7 五、發明說明（22 ) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 5 0 4 保 護 膜 5 0 6 a 5 0 6 b 加 鎮區 域 5 0 7 多 晶 矽 膜 5 0 8 a 5 0 8 b 加 磷區 域 5 0 9 晶 矽 膜 5 1 4 閘 絕 緣 膜 5 1 0 一 5 1 3 主 動 層 5 1 9 a 5 1 9 b 阻止光 罩 5 2 0 5 2 1 η 型 雜 質區 域 5 2 2 — 5 2 5 閘 電 極 5 2 7 一 5 3 3 雜 質 區 域 5 3 4 a — 5 3 4 d 阻止光 罩 5 3 5 一 5 4 1 雜 質 區 域 5 4 3 阻· 止 光 罩 5 4 4 、 5 4 5 雜 質 域 5 4 6 第 一 中 間 層 絕 緣 膜 5 4 7 — 5 5 0 源 極 接 線 5 5 1 一 5 5 3 汲 極 接 線 5 5 4 第 —» 被 動 膜 5 5 5 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 5 5 6 保 護 電 極 5 5 7 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 5 5 8 陰 極 5 5 9 E L 層 (請先閱讀背面之注意事項再填？^頁) •線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25 - 535454 A7 B7 五、發明說明（23 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 6 0 圖素 電 極 5 6 1 第二 被 動 膜 3 2 0 1 玻 璃 基 底 3 2 0 2 圖 素 部份 3 2 0 3 閘 極 訊 號 側 驅 動 電 路 3 2 0 4 源 極 訊 號 側 驅 動 電 路 3 2 0 5 開 關 T F T 3 2 0 6 閘 極 訊 號 線 3 2 0 7 源 極 訊 號 線 3 2 0 8 E L 驅 動 T F T 3 2 0 9 電 源 供 應 線 3 2 1 6 電 容 3 2 1 1 E L 元 件 3 2 1 2 F P C 3 2 1 3、 3 2 1 4 連 接 接 線 3 2 1 5 輸 出 接 線 3 3 0 4 殼 材料 3 3 0 2 圖 素 材料 3 3 0 5 黏 劑 3 3 0 6 間 隙 3 3 0 7 保 護 電 極 3 3 1 0 輸 入 和 輸 出 接 線 3 3 0 9 連 接 接 線 3 3 1 1 導 電 膏 材料 (請先閱讀背面之注意事項再填 I I 頁) 訂· •線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •26- A7 535454 _B7 五、發明說明（24 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 0 0 圖 素 1 0 0 1 開 關 T F Τ 1 0 0 2 閘 極 訊 號 線 1 0 0 3 資 料 訊 號 線 1 0 0 4 E L 驅 動 Τ F Τ 1 0 0 5 電 源 供 應 線 1 0 0 6 E L 元件 1 0 0 7 固 定 電 源 1 1 0 1 開 關 T F 丁 1 1 0 0 圖 素 1 1 0 2 閘 極 訊 號 線 1 1 0 3 資 料 訊 號 線 1 1 0 4 E L 驅 動 Τ F Τ 1 1 0 5 電 源 供 應 線 1 1 0 6 E L 元 件 1 1 0 7 固 定 電 源 1 2 0 0 、1 2 1 0 圖 素 1 2 0 1 、1 2 1 1 開 關 Τ FT 1 2 0 2 閘 極 訊 Μ 線 1 2 0 3 類 比 視 頻 訊 號 1 2 2 0 電 源 供 應 線 1 2 0 4 、1 2 1 4 Ε L 驅 動T F T 1 2 0 5 、1 2 1 5 Ε L 元 件 1 2 0 6 、1 2 1 6 固 定 電 源 (請先閱讀背面之注意事項再填？^頁) 鎿· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- 535454 A7 B7 五、發明說明（25 ) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 1 3 0 0、 1 3 1 0 圖 素 1 3 0 1、 1 3 1 1 開 關 Τ F Τ 1 3 0 2、 1 3 1 2 閘 極 訊 號 線 1 3 0 3 資 料訊 號 線 1 3 0 4、 1 3 1 4 Ε L 驅 動 TFT 1 3 2 0 電 源 供 應 線 1 3 0 5、 1 3 1 5 Ε L 元 件 1 3 0 6、 1 3 1 6 固 定 電 源 2 0 0 1 主 體 2 0 0 2 殼 2 0 0 3 E L 顯 示 裝 置 2 0 0 4 鍵 盤 2 1 0 1 主 體 2 1 0 2 E L 題 示 裝 置 2 1 0 3 聲 音 輸 入 部 份 2 1 0 4 操 作 開 關 2 1 0 5 電 池 2 1 0 6 影 像 接 收部份 2 3 0 1 主 體 2 3 0 2 訊 號 線 2 3 0 3 頭 固 定 帶 2 3 0 4 顯 示 監 視 器 2 3 0 5 光 學 系 統 2 3 0 6 E L 顯 示 器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- 535454 A7 B7 五、發明說明（26 ) 2 4 0 1 主 體 2 4 0 2 記 錄 媒 體 2 4 0 3 操 作 開 關 2 0 0 4 E L 頚 示裝置 2 4 0 5 E L 顯 示板 2 5 0 1 主 體 2 5 0 2 相 機 2 5 0 3 影 像 接 收部份 2 5 0 4 操 作 開 關 2 5 0 5 E L 顯 示器 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
較佳實施例之詳細說明 以下使用提供數位驅動型式 器之例說明本發明之構造。圖1 之例。 圖1之EL顯示器具有一以 1 0 1在一基底上，一源極訊號 圖素部份1 0 1之周邊，和一閘 。在此實施例中，EL顯示器分 路和閘極訊號側驅動電路。但是 側驅動電路可爲兩個。再者，閘 兩個。 源極訊號側驅動電路1 0 2 10 2a, 一 問鎖（A) 102 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 劃時灰階顯示之E L顯示 爲依照本發明之電路構造 T F T形成之圖素部份 側驅動電路1 0 2安排在 極訊號側驅動電路1 〇 3 別具有源極訊號側驅動電 ，在本發明中，源極訊號 極訊號側驅動電路亦可爲 基本上包括一移位暫存器 b ,和一閂鎖（B ) 線 29- 535454 A7 B7 五、發明說明（27 ) 1 0 2 C。再者，一時鐘訊號（CK)和一啓始脈衝（ SP)輸入至移位暫存器l〇2a。數位資料訊號輸入至 閂鎖（A ) 1 〇 2 b。閂鎖訊號輸入至閂鎖（B ) 1 〇 2 c ° 再者，雖然未顯示，閘極訊號側驅動電路1 0 3具有 一移位暫存器和一緩衝器。一多工器可提供在緩衝器之輸 出側。 輸入至圖素部份101之數位資料訊號形成在劃時灰 階資料訊號產生電路1 1 4上。在此電路中，包含類比訊 號和數位資料訊號之視頻訊號（包括影像資訊之訊號）轉 換成數位資料訊號以提供劃時灰階顯示，且同時，爲一電 路以產生一需用於提供劃時灰階顯示之時間脈衝。 典型的，劃時灰階資料訊號產生電路114包括一機 構以分割一框週期爲多數對應於η位元（η爲等於或大於 2之整數）之灰階之副框週期，一機構以在多數副框週期 中選擇位址週期和維持週期，和一機構以設定維持週期之 長度爲丁81:丁82:丁83:...:丁8(11—1): 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 T s ( η ) = 2 〇 ·· 2 — 1 : 2 _ 2 ··…·· 2 — ( η 一 2 ): 2 - ( η - 1 ) 〇 此時，依照本發明，劃時灰階資料訊號產生電路 1 1 4亦可提供在E L顯示器之外側部份上。在此一例中 ，依照本發明，此電路之構成乃是所形成之數位資料訊號 輸入至EL顯示器。在此例中，依照本發明，具有EL顯 示器當成顯示器之電子裝置（E L顯示裝置）包括本發明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- A7 B7 P35454 五、發明說明（28 ) 之E L顯示器和當成分離部份之劃時灰階資料訊號產生電 路。 再者，劃時灰階資料訊號產生電路1 1 4亦可封裝在 依照本發明之EL顯示器中，以IC晶片等之型式。在此 例中，電路之構成爲形成在I C晶片上之數位資料訊號輸 入至依照本發明之EL顯示器。在此例中，具有EL顯示 器當成在本發明中之顯示器之電子裝置包括封裝包括有劃 時灰階資料訊號產生電路當成一元件之IC晶片之EL顯 示器。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 再者，最後，劃時灰階資料訊號產生電路114亦可 以T F T形成，且和圖素部份1 〇 1 ,源極訊號側驅動電 路1 0 2，和閘極訊號側驅動電路1 0 3形成在相同基底 上。在此例中，當包括影像資訊之視頻訊號輸入至E L顯 示器時，視.頻訊號皆可在基底上處理。在此例中，劃時灰 階資料訊號產生電路亦可以T F T形成，其中多晶矽膜當 成主動層。再者，在此例中，具有EL顯示器當成顯示器 之電子裝置爲劃時灰階資料訊號產生電路安裝在E L顯示 器本身中，藉以使電子裝置縮小化。 在圖素部份1 0 1上，多數圖素1 0 4以矩陣狀態安 排。圖2A爲圖素104之擴大圖。在圖2A中，參考數 字1 0 5表示一開關TFT。開關TFT1 0 5之閘電極 連接至聞極訊號線1 0 6以輸入閘極訊號。開關 丁 F T 1 0 5之源極區域和汲極區域乃構成使源極區域或 汲極區域之一連接至源極訊號線1 〇 7以輸入數位資料訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 535454 A7 B7 五、發明說明（29 ) 號，而另 T F 丁 1 此外 之一連接 。電源線 在非選擇 E L驅動 E L 和陰極間 之源極區 陰極爲相 T F T 1 圖素電極 電源 電位始終 亦可 和汲極區 ，可控制 以防止E 於電阻可 充分大之 電阻之電 所流動之 至5 Ο Μ 一則連接至一電容1 0 8之閘電極和每一 ，E L驅 至電源線 1 1 1連 模式（關 T F Τ 1 元件1 1 之E L層 域和汲極 反電極。 1 0之源 ，而陽極 線1 1 1 保持在一 提供一電 域之一和 從E L驅 L驅動丁 爲展現比 電阻之元 阻値爲將 汲極電流 Ω之範圍 動 T F Τ 1 1 1 1 ,而 接至電容1 閉狀態）時 0 8之閘極 0包含一陽 。在陽極連 區域之一之 相反的，在 極區域和汲 爲相反電極 連接至電源 固定電位。 阻在E L驅 E L元件1 動T F Τ至 F 丁 1 〇 8 E L驅動Τ 件，因此， T F Τ之汲 而獲得之値 (較佳的爲 1 3，其爲E L驅動 圖素所分別具有者。 0 8之源極區域和汲極區域 另一連接至E L元件1 1 0 13。當開關TFT105 ，電容1 1 3提供以保持 電壓。 極和一陰極，和提供在陽極 接至EL驅動TFT110 例中，陽極爲圖素電極，而 陰極連接至E L驅動 極區域之一之例中，陰極爲 〇 電位。在此實施例中，電源 動丁 FT 10 8之源極區域 1 0間。藉由提供此一電阻 E L元件之電流供應量，藉 之特性之不一致之影響。由 F T之啓動電阻之電阻値更 其構造並無任何限制。啓動 極電壓除以當T F T啓動時 。電阻之電阻値可選自1 k Ω 10kQ至10ΜΩ，且最佳 請 先 閱 讀 背 Sj 之 注
I : 再Iim 頁I 訂 ▲ 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32- 535454 A7 B7 五、發明說明（30 ) 爲50kQ至1ΜΩ)。使用具有高電阻値之半導體層當成 電阻有利於電阻之形成，因此，使用此種半導體層是較佳 的。 其次，參考圖2 B和3說明以本發明之交流電流之驅 動。於此，所說明之例爲以η位元數位驅動型式提供2 11灰 階全彩劃時灰階顯示。 圖2 Β爲在依照本發明之E L顯示器中之圖素部份之 * 構造。閘極訊號線（G 1至G η )連接至安裝在每一圖素 中之開關T F 丁之閘電極。安裝在每一圖素中之開關 T F Τ之源極區域或汲極區域之一連接至源極訊號線（ S1至Sn),而另一連接至EL驅動TFT之閘電極和 電容。再者，EL驅動TFT之源極區域或汲極區域之一 連接至電源線（VI至Vn),而另一連接至安裝在每一 圖素中之E L元件。電源線（V 1至V η )亦連接至安裝 在每一圖素中之電容。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3爲圖2Α所示之EL顯示器之時間圖。首先，一 框週期（F)分成η個副框週期（SF1至SFn)。在 圖素部份中之所有圖素顯示一影像之週期視爲一框週期。 在依照本發明之EL顯示器中，較佳的是，在一秒中提供 1 2 0或更多的框週期，因此，最後在一秒內顯示6 0或 更多的影像。 當在一秒中顯示之影像數目變成1 2 0或更少時，影 像之閃爍相當明顯。 一框週期進一步分成多數週期之週期視爲副框週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） •33- 535454 A7 B7 五、發明說明（31 ) 以灰階位準數目之增加，一框週期之分割數目亦增加，且 驅動電路需以高頻驅動。 一副框週期分成位址週期（Ta )和維持週期（T s )。位址週期乃是需用以輸入資料至所有圖素之時間，和 維持週期（其亦視爲一發光週期）乃是提供顯示之週期。 在η個副框（SF 1至SFn)中之位址週期（
Ta 1至Ta η)之長度相同。在副框週期SF 1至 SFn中之維持週期（Ts )分別設定爲T s 1至Ts η ο 維持週期之長度設定爲使Ts 1 : Ts 2 : Ts 3 : .···· T s ( η - 1 ) ·· 丁 s ( η ) = 2 0 : 2 一 1 : 2 — 2 ··…： 2 — (n-2) : 2-(η-1)。但是，副框週期 SF1 至 SFn 允許呈現之級數可爲任一級數。以此維持週期之結合，可 在2 11灰階位準外提供所須的灰階顯示。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 首先，在位址週期中，相反電極與電源電位保持在相 同高度之固定電位上。在此說明書中，在數位驅動位址週 期中之固定電位視爲一關閉固定電位。値得注意的是，關 閉固定電位之高度必須爲在E L元件不發光之範疇內之電 源電位在相同的高度上。此時之E L驅動電壓視爲關閉 EL驅動電壓。所需的是關閉EL驅動電壓爲0V,但是 此電壓亦可爲不使E L元件發光之級數。 而後，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 1，因此，具有 閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關T F T皆啓動。 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34- 535454 A7 B7 五、發明說明（32 ) TFT皆啓動之狀態下，數位資料訊號同時輸入至所有源 極訊號線（S 1至S η )。數位資料訊號具有” 0 ”或” 1 ”之 資訊，且” 0 ”或” 1 ”之數位資料訊號視爲具有高電壓或低電 壓之訊號。而後，輸入至源極訊號線之數位資料訊號（ S1至Sη)經由在啓動狀態之開關TFΤ輸入至EL驅 動TFT之閘電極。再者，數位資料訊號輸入電容且於此 受到保持。 其次，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 2 ,和具有閘電 極連接至閘極訊號線G 2之開關T F T皆啓動。而後，在 具有閘電極連接至閘極訊號線G 2之開關T F T皆啓動之 狀態下，數位資料訊號同時輸入至所有源極訊號線（S 1 至Sn)。輸入至源極訊號線之數位資料訊號（S1至 S η )經由開關丁 F T輸入至E L驅動T F 丁之閘電極。 再者，數位資料訊號輸入至電容且受到保持。 重複上述之操作，且數位資料訊號輸入至所有圖素。 數位資料訊號輸入至所有圖素之週期爲一位址週期。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 當完成一位址週期時，維持週期同時開始。當維持週 期開始時，相反電極之電位從關閉固定電位改變至啓動固 定電位。在此說明書中，在數位驅動之例中，在維持週期 中之固定電位視爲啓動固定電位。啓動固定電位和電源電 位間之電位差異必須爲使E L元件發光之程度。此電位差 異視爲啓動E L驅動電位。 而後，開關TFT啓動，且保持在電容中之數位資料 訊號輸入至E L驅動T F T之閘電極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -35 - 535454 A7 B7 五、發明說明（33 ) 在實施例之型式中，在數位資料之資訊爲” 0 ”之例中， EL驅動TFT關閉。因此，EL元件之圖素電極保持在 關閉固定位準。結果，安裝在應用具有” 0 ”資訊之數位資料 訊號之圖素中之E L元件不發光。 另一方面，在數位資料之資訊爲”1”之例中，EL驅動 TFT啓動，因此，電源電位提供至EL元件之圖素電極 。結果，安裝在應用具有”1”資訊之數位資料訊號之圖素中 之E L元件發光。 所有開關T F T在關閉狀態之週期爲維持週期。 EL元件在Ts1至Tsn之任何週期中發光。於此 ，假設在Tsη週期中，一預定圖素發光。 其次，再度呈現位址週期，且在資料訊號輸入至所有 圖素後，出現維持週期。此時，出現任一維持週期Ts1 至Ts (n — 1)。當Ts (η — 1)出現時，一預定圖 素允許發光。 而後，在剩餘η - 2個副框中重複相似的操作，且維 持週期 Ts (η — 2)，Ts (η — 3) , ...Tsl — 個 一個出現，和預定圖素允許在對應副框中發光。 當出現第η個副框週期時，一框週期完成。此時，總 和圖素在一框週期中發光之維持週期，亦即，剛好在具有 資訊” 1之數位資料訊號應用至圖素之位址週期後之維持週 期之長度，可決定圖素之灰階位準。例如，在η=8之例 中，當在所有維持週期中發光之圖素之照度設定爲1 0 0 %時，則在Ts 1和Ts 2中發光之圖素之例中，表示之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀背面之注意事項再填 裝*1 I 頁) 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36· 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（34 ) 照度爲75 %。而當選擇Ts3，Ts5，和Ts8之 例中，則呈現之照度爲1 6 %。 當一框週期完成時，在固定電位上之高度改變，因此 ，在電源電壓和啓動固定電壓間之差異之啓動EL電壓之 極性在次一框週期變成互相相反。而後，以和先前框週期 相同的方式，進行操作。但是，在框週期中之啓動EL驅 動電壓具有和在先前框週期中之啓動E L驅動電壓相反的 極性，因此，所有的EL元件不發光。在本說明書中， E L元件顯示影像之框週期視爲顯示框週期。此外，相反 的，所有E L元件不發光且影像不顯示之框週期視爲非顯 示框週期。 當完成非顯示框週期時，開始次一顯示框週期。而後 ，啓動EL驅動電壓改變成與在非顯示框週期中之啓動 E L驅動電.壓相反極性之電壓。 以此方式，影像藉由交替重複顯示框週期和非顯示框 週期而顯示。本發明具有上述之構造，因此，具有相反極 性之E L驅動電壓乃在每一確定週期應用至安裝在E L元 件之E L層。因此，可改善對E L元件之電流一電壓特性 之破壞，而結果是，相較於習知驅動方法，可延長EL元 件之壽命。 再者，如上所述，在影像以交流電流驅動在每一框週 期中顯示之例中，對觀看者之眼睛而言會產生閃爍。 因此，依照本發明，E L顯示器以交流電流驅動，其 頻率爲在直流電流驅動中對於觀看者眼睛不產生閃爍之頻 (請先閲讀背面之注意事項再填 ^•丨. iR頁： 訂- --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -37- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 535454 Α7 Β7 五、發明說明（35 ) 率之兩倍或更高。換言之，在一秒中提供1 2 0或更多的 框週期，和顯示60或更多的影像。在上述構造中，可防 止由交流電流驅動而造成之閃爍° 在此實施例所示之E L顯示器之驅動方法中，電源電 位保持在固定位準，和在位址週期和在維持週期中改變相 反電位，而結果是，可改變E L驅動電壓之大小，和控制 EL元件之發光。但是，本發明並不限於此構造。本發明 之EL顯示器亦可爲相反電位始終保持在一固定位準，和 圖素電極之電位改變。換言之，和上述實施例相反的是， 相反電極之電位始終保持在一相同位準，和在位址週期和 在維持週期中改變電源電位，藉以改變E L驅動電壓之大 小，因此可控制E L元件之發光。 再者，在此實施例中，由於相反電極之電位和電源電 位在位址週期中保持在相同的位準，E L元件不發光。但 是，本發明並不限於此種構造。藉由始終提供介於相反電 極和電源電位間之電位差異至使E L元件發光之程度，在 位址週期中亦可提供和顯示週期相同方式之顯示。但是， 在此例中，由於整個副框週期變成EL元件發光之週期， 副框週期之長度設定爲SF1:SF2:SF3:…： S F ( η - 1 ) : S F ( η ) = 2 0 · 2 ' 1 ： 2 ' 2 ：： 2 — ( 11 — 2 ) : 2 - ( η _ 1 )。以此構造，相較於不允許在位址 週期發光之驅動方法而言，可獲得具有高照度之影像。 其次說明以交流電流在類比型式中，依照本發明，如 圖1至2 Β所示之E L顯示器之驅動方法。圖4爲相關的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填9頁) 障· -·線· -38- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（36 ) 時間圖。 以交流電流在類比型式中驅動之E L顯示器之圖素部 份之構造和以交流電流在數位型式中驅動之E L顯示器之 構造相同，和閘極訊號線（G 1至G η )連接至安裝在每 一圖素中之開關T F Τ之閘電極。安裝在每一圖素中之開 關T F Τ之源極區域和汲極區域之一連接至源極訊號線（ S1至Sn),而另一則連接至EL驅動TFT之閘電極 和電容。E L驅動T F T之源極區域和汲極區域之一連接 至電源供應線（VI至Vn),而另一則連接至安裝在每 一圖素中之E L元件。電源線（V 1至Vn )亦連接至安 裝在每一圖素中之電容。 圖4爲以交流電流在類比型式中驅動E L顯示器之時 間圖。選擇一閘極訊號線之週期視爲一線週期。再者，直 到完成所有閘極訊號線之週期爲一框週期。在此實施例之 例中，因爲有η個閘極訊號線，因此，η個線週期提供在 ——框週期中。 以本發明之E L顯示器，較佳的是，在一秒中提供 1 2 0或更多的框週期，因此，在一秒內顯示6 0或更多 的影像。當在一秒中顯示之影像數目變成6 0或更少時， 影像之閃爍相當明顯。 以灰階位準數目之增加，一框週期之線週期數目亦增 加，且驅動電路需以高頻驅動。 首先，電源電壓線（v 1至V η )保持在關閉電源電 位。在以交流電流驅動之類比型式之例中，關閉電源電位 (請先閱讀背面之注意事項再填 辦—— 頁) 訂· --祷- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -39- 535454 A7 A7 B7 五、發明說明（37 ) 之高度與在E L元件不發光之範疇內之固定電位有相同的 高度。此時之E L驅動電壓視爲關閉E L驅動電壓。理想 的是，所需的關閉EL驅動電壓爲〇V，但是此電壓亦可 爲不使E L元件1 5 0 6發光之級數。 在第一線週期（L 1 )中，一類比視頻訊號依序輸入 至源極訊號線（S1至Sn)。在第一線週期（L1)中 ，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 1。結果，因爲開關 T F T在啓動狀態，輸入至源極訊號線S 1之類比視頻訊 號乃經由開關TFT (1, 1)輸入至EL驅動TFT ( 1，1 )之閘電極。 而後，電源線VI之電位從關閉電源電位改變至飽和 電源電位。在此說明書中，飽和電源電位視爲與固定電位 間具有足以使E L元件在類比驅動中發光之程度之差異電 位之電位。.. 在E L驅動T F T通道形成區域中流動之電流量根據 輸入至閘電極之類比視頻訊號之大小而控制。在類比驅動 之例中，類比視頻訊號輸入至E L驅動T F T之閘電極。 當源極區域或汲極區域之一保持在飽和電源電位時，另一 電位設定在啓動電源電位。此時之E L驅動電壓視爲啓動 E L驅動電壓。 根據應用至EL驅動TFT (1，1)之閘電極之類 比視頻訊號，大小受控制之啓動E L驅動電壓乃應用至 E L元件。 其次，以相同方式，類比視頻訊號輸入至源極訊號線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填？^頁) 障· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -40- 535454 A7 B7 五、發明說明（38 )
S2，和開關TFT啓動。結果，輸入至源極訊號線S2 之類比視頻訊號乃經由開關T F T ( 2 , 1 )輸入至E L 驅動T F T ( 2 , 1 )之閘電極。 因此，EL驅動TFT (2, 1)啓動。而後，電源 線V 2之電位從關閉電源電位改變至飽和電源電位。結果 根據應用至E L驅動T F T ( 2，1 )之閘電極之類比視 頻訊號，大小受控制之啓動EL驅動電壓乃應用至EL元 件。 當重複上述操作，且完成類比視頻訊號輸入至源極訊 號線（S1至Sn)時，可完成第一線週期（L1)。而 後，開始第二線週期（L 2 ),因此，閘極訊號輸入至閘 極訊號線G 2。而後，以和第一線週期（L 1 )相同的方 式，類比視頻訊號依序輸入至源極訊號線（S 1至S η ) σ 類比視頻訊號線輸入至源極訊號線S 1。由於開關 T F T ( 1，2 )啓動，輸入至源極訊號線s 1之類比視 頻訊號乃經由開關TFT (1, 2)輸入至EL驅動 T F T ( 1 , 2 )之閘電極。 因此，EL驅動TFT (1, 2)啓動。而後，電源 線V 1之電位從關閉電源電位改變至飽和電源電位。因此 ，根據應用至EL驅動TFT(1, 2)之閘電極之類比 視頻訊號，大小受控制之啓動E L驅動電壓乃應用至E L 元件。 當重複上述操作，且完成類比視頻訊號輸入至源極訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填5^頁) 訂-· 線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -41 - 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（39 ) 號線（S1至Sn)時，可完成第二線週 後，開始第三線週期（L 3 )，因此，閘 極訊號線G 3。而後，閘極訊號依序輸入 G1至Gn)，以完成一框週期。 當完成此框週期時，在次一框週期中 壓，以改變啓動電源電位。而後，啓動E 爲具有相反極性之電壓。而後，以和先前 式，進行上述之操作。但是，在此框週期 動電壓具有和在先前框週期中之啓動E L 極性。結果，具有和在先前框週期中之啓 相反的極性之啓動E L驅動電壓乃應用至 而結果是E L元件不發光。在此說明書中 影像之框週期視爲一顯示框週期，而相反 發光且影像不顯示之框週期視爲非顯示框 當完成非顯示框週期時，下一步驟開 期。而後，E L驅動電壓改變成與在非顯 E L驅動電壓相反極性之電壓。 以此方式，影像藉由交替重複顯示框 週期而顯示。本發明具有上述之構造，因 性之啓動E L驅動電壓乃在每一確定週期 。因此，可改善對E L元件之電流-電壓 結果是，相較於習知驅動方法，可延長£ 再者，在此實施例中，所說明的是顯 掃瞄驅動之例，但是，本發明之裝置亦可 期（L 2 )。而 極訊號輸入至閘 至閘極訊號線（ 改變飽 L驅動 框週期 中之啓 驅動電 動E L 所有E ,E L 的，E 週期。 和電源電 電壓改變 相同的方 動E L驅 壓相反的 驅動電壓 L元件， 元件顯示 L元件不 始次一顯示框週 示框週期中之 週期和非顯示框 此，具有相反極 應用至E L元件 特性之破壞，而 L元件之壽命。 示裝置以非交錯 以交錯掃瞄驅動 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42- 535454 A7 B7 五、發明說明（4〇 ) 〔實施例〕 以下說明本發明之實施例。 〔第一實施例〕 在第一實施例中，說明在以交流電流驅動之數位型式 提供之劃時灰階顯示器之例中，啓動EL驅動電壓對每一 副框週期改變至相反極性之例。於此說明之例爲2 n灰階全 彩劃時灰階顯示器以η位元數位裝置方法提供之例。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在第一實施例中之E L顯示器之圖素部份之構造和圖 2 Β所示之構造相同。閘極訊號線（G 1至Gn )連接至 安裝在每一圖素中之開關T F T之閘電極。安裝在每一圖 素中之開關T F T之源極區域或汲極區域之一連接至源極 訊號線（S1至Sn)，而另一連接至EL驅動TFT之 閘電極和電容。再者，EL驅動TFT之源極區域或汲極 區域之一連接至電源線（VI至Vn)，而另一連接至安 裝在每一圖素中之EL元件。電源線（VI至Vn)亦連 接至安裝在每一圖素中之電容。 圖5爲第一實施例中之驅動方法之時間圖。首先，一 框週期分成η個副框週期（SF1至SFn)。在圖素部 份中之所有圖素顯示一影像之週期視爲一框週期。 一框週期分成多數週期視爲副框週期。以灰階位準數 目之增加，一框週期之分割數目亦增加，且驅動電路需以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -43- A7 535454 _____B7___ 五、發明說明（41 ) 高頻驅動。 一副框週期分成位址週期（Ta )和維持週期（T s )。位址週期乃是在一副框週期中需用以輸入資料至所有 圖素之時間，和維持週期（其亦視爲一發光週期）乃是允 許E L元件發光之週期。 在η個副框週期中之位址週期（丁 a 1至Ta η)之 長度相同。在副框週期SF 1至SFn中之維持週期（ Ts)分別設定爲丁 si至Tsn。 維持週期之長度設定爲使T s 1 : T s 2 : . T s 3 ·· 請 先 閱 讀 背 Sj 之 注 項
·.· ·· T (η — 1 :Τ η 2 0 : 2 2 ) 訂 2 — ( 11 - 1 5。但是，副框週期S F 1至 S F η允許呈現之級數可爲任一級數。以此維持週期之結 合，可在2 η灰階位準外提供所須的灰階顯示。 首先，相反電極保持在固定電位。而後，閘極訊號輸 入至閘極訊號線G 1 ,因此，具有閘電極連接至閘極訊號 線G 1之所有開關T F Τ皆啓動。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關 TFT皆啓動之狀態下，數位資料訊號同時輸入至所有源 極訊號線（S1至Sn)。而後，輸入至源極訊號線之數 位資料訊號（S 1至S η )經由在啓動狀態之開關T F T 輸入至EL驅動TFT之閘電極。再者，數位資料訊號亦 輸入至電容且於此受到保持。 重複上述之操作，且數位資料訊號輸入至所有圖素。 數位資料訊號輸入至所有圖素之週期爲一位址週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44- 535454 A7 B7 五、發明說明（42 ) 當完成一位址週期時，維持週期同時開始。當維持週 期開始時，相反電極之電位從關閉固定電位改變至啓動固 定電位。而後，開關TFT啓動，且保持在電容中之數位 資料訊號輸入至E L驅動TFT之閘電極。 在第一實施例中，介於啓動固定電位和電源電位間之 差異之啓動E L驅動電壓之極性藉由改變啓動固定電位之 高度而對於每一副框週期互相相反。結果，藉由對每一副 框週期設定啓動EL驅動電壓之極性爲相反，EL顯示可 重複顯示和非顯示。提供有顯示之副框週期視爲顯示副框 週期，而不提供顯示之副框週期視爲非顯示副框週期。 例如，在第一框週期，假設第一副框週期爲顯示週期 ，第二副框週期爲非顯示週期，和第三副框週期再度變成 顯示週期。而後，當出現所有副框週期，且完成第一框週 期時，開始第二框週期。在第二框週期中之第一副框週期 中，由於和應用至在第一框週期中之第一副框週期中之 E L元件之E L驅動電壓相反型性之E L驅動電壓乃應用 至EL元件之EL層，非顯示週期開始。而後，次一第二 副框週期變成一顯示週期，和每一副框週期交替的提供顯 示週期和非顯示週期。 在此說明書中，在藉由設定EL驅動電壓之極性爲相 反而改變顯示和非顯示時，提供有顯示之週期視爲顯示週 期。相反的，未提供有顯示之週期則視爲非顯示週期。結 果，在此說明書中，顯示框週期和顯示副框週期皆視爲顯 示週期。再者，相反的，非顯示框週期和非顯示副框週期 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 訂’ •線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -45 - 535454 A7 B7 五、發明說明（43 ) 皆視爲非顯示週期。 在第一實施例中，在數位資料之資訊爲”0”之例中， EL驅動TFT關閉。因此，EL元件之圖素電極保持在 關閉固定電位。結果，安裝在應用具有” 0 ”資訊之數位資料 訊號之圖素中之EL元件不發光。 另一方面，在數位資料之資訊爲”1”之例中，EL驅動 TFT啓動，因此，電源電位提供至EL元件之圖素電極 。結果，安裝在應用具有”1”資訊之數位資料訊號之圖素中 之E L元件發光。 所有開關T F T在關閉狀態之週期爲維持週期。 E L元件在T s 1至T s η之任何週期中允許發光。 於此，假設在Tsη週期中，一預定圖素發光。 其次，再度呈現位址週期，且在數位資料訊號輸入至 所有圖素後.，.出現維持週期。此時，任一週期T s 1至 Ts (η—1)變成維持週期。在Ts (η—1)週期時 ，一預定圖素允許發光。 而後，在剩餘η - 2個副框中重複相似的操作，且維 持週期 Ts (n-2) , Ts (η — 3) , ...Tsl — 個 一個出現，和預定圖素允許在對應副框中發光。 以此方式，在相關於每一副框具有相反極性之E L驅 動電壓在以交流電流驅動時應用至在劃時灰階顯示器之 E L元件之例中，一灰階顯示提供在兩框週期中。此時， 藉由總和圖素在兩相鄰框週期中發光之維持週期之長度， 亦即，剛好在具有資訊” 1之數位資料訊號應用至圖素之位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意ί項再填 裝i I JR頁) --綠. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -46 - 535454 A7 五、發明說明（44 址週期後之維 如，在η = 8 照度設定爲1 圖素之例中， 丁 s 5，和 Τ 本發明具 驅動電壓乃在 E L層。因此 壞，而結果是 Β7 持週期之長度，可決定圖素之灰階位準。例 之例中，當在所有維持週期中發光之圖素之 00 %時，則在Ts1和Ts2中發光之 表示之照度爲75 %。而當選擇Ts 3, s 8之例中，則呈現之照度爲1 6 %。 有上述之構造，因此，具有相反電壓之EL 每一副框週期應用至安裝在E L元件中之 ，可改善對EL元件之電流-電壓特性之破 ，相較於習知驅動方法，可延長EL元件之 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
壽命 ，相較於以交 此可獲得難以 在第一實施例中，對於在實施例中所示之每一框週期 流電流驅動之數位型式EL顯示器而言，於 發生閃爍之效果。 〔第二實施例〕 在第二實施例中，顯示一例，其與圖2 A所示之依照 本發明之E L顯示器之圖素部份不同。 圖6 A爲依照第二實施例之E L顯示器之圖素部份之 擴大圖之例之電路圖。在圖素部份中，多數圖素安排成矩 陣狀態。圖素603和604互相相鄰。在圖6A中，參 考數字605和625表示開關TFT。開關 TFT6 0 5和6 2 5之閘電極連接至閘極訊號輸入處之 閘極訊號線6 0 6。開關T F T 6 0 5和6 2 5之源極區 域和汲極區域之一連接至數位資料訊號輸入處之資料訊號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂 線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 47· 535454 A7 B7 五、發明說明（45 ) 線（亦稱爲源極訊號線）607和627，而另一分別連 接至EL驅動TFT之閘電極和電容6 1 3和6 3 3。 而後，EL驅動TFT608和628之源極區域連 接至共同電源線611,而汲極區域連接至分別安裝在 EL元件6 10和6 3 0中之圖素電極。以此方式，在第 二實施例中，兩相鄰圖素共用電源線。 E L元件6 1 0和6 3 0包含一陽極（在第二實施例 中爲一圖素電極），一陰極（在第二實施例中爲一相反電 極），和分別提供在陽極和陰極間之EL層。在第二實施 例中，EL驅動TFT608和628之汲極區域連接至 陽極，而陰極則連接至固定電源612和622，且保持 在固定電位上。但是，本發明並不限於此種構造。EL驅 動TFT6 0 8和6 2 8之汲極區域亦可連接至陰極。 一電阻可提供在E L驅動T F T 6 0 8和6 2 8之汲 極區域和分別安裝在E L元件6 1 0和6 3 0中之陽極（ 圖素電極）間。藉由提供此電阻，可控制從E L驅動 TFT供應至EL元件之電流量，因此，可防止對EL驅 動丁 F T之不一致之影響。此電阻可爲展現比E L驅動 TFT6 0 8和6 2 8之啓動電阻更充分大電阻値之元件 ，因此，對構造上並無任何限制。啓動電阻爲將TFT之 汲極電壓除以此時流動之汲極電流而獲得之値。關於電阻 之電阻値方面，電阻値可選自1 kD至5 0ΜΩ之範圍（較 佳的爲l〇kn至10ΜΩ,且最佳爲50kD至1ΜΩ) 。當使用具有高電阻値之半導體層當成電阻時，其型成較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再美 装·！ 頁一 tj·- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -48- 535454 A7 B7 五、發明說明U6 ) 佳且較爲容易。 再者，當開關TFT605和625設定在非選擇狀 態（關閉狀態）時，電容6 1 3和6 3 3提供以保持E L 驅動TFT6 0 8和6 2 8之閘極電壓。安裝在電容 6 1 3和6 3 3中之兩電極之一連接至開關TFT6 0 5 和6 2 5之汲極區域，而另一電極則連接至電源線6 1 1 。於此，不一定要提供電容613和633。 圖6 B爲圖6 A所示之電路之構造圖。在以電源線 6 0 7和6 2 7 ,閘極訊號線6 0 6和6 1 6 ,和電源線 6 1 1包圍之區域中，提供有圖素603和604。分別 安裝在圖素6 0 3和6 0 4中之EL驅動TFT6 0 8和 6 2 8之源極區域兩者連接至電源線6 1 1。在此實施例 中，雨相鄰圖素共用電源線。結果，相較於圖2A所示之 構造，在整體圖素部份中之接線比例較小。當相關於整個 圖素部份之接線比例較小時，接線可提供在E L層發光之 方向，因此可抑制由接線對光之遮蔽。 第二實施例所示之構造可自由的結合第一實施例。 〔第三實施例〕 其次，參考圖7，其示意的顯示本發明之EL顯示裝 置之截面構造。 在圖7中，參考數字11爲一基底，和12爲一絕緣 膜（以下當成一基膜）。關於基底11方面，可以透光基 底製成，如玻璃基底，石英基底，玻璃陶瓷基底，或結晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填3頁) 訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -49- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（47 ) 玻璃基底。但是，其必須是能在製造過程中抵抗最高處理 溫度者。 基膜12在使用具有可移動離子之基底或具有導電性 之基底上特別有效，但是，其不一定要設置在石英基底上 。包含矽之絕緣膜可使用當成基膜1 2。在本說明書中， 含矽之絕緣膜表示一絕緣膜，其中氧或氮以一定比例添加 至矽中（S i ΟχΝΥ : X和Y爲整數），如氧化矽膜，氮 化矽膜，或氮氧化矽膜。 參考數字201爲一開關TFT,和202爲EL驅 動TFT。開關TFT以η通道型T F 丁形成，和E L驅 動TFT以ρ通道型TFT形成。當E L照明方向向著基 底之下表面（下表面未提供TFT或EL層），上述構造 是較佳的。但是，在本發明中，無需限制於此種構造。開 關丁 F T和E L驅動TFT亦可使用ρ通道型TF 丁或η 通道型T F Τ以用於兩者或其一。 開關TFT2 0 1具有：一主動層包含一源極區域 1 3，一汲極區域1 4，L D D (輕摻雜汲極）區域 15a至15d，一絕緣區域16，和通道形成區域 1 7 a和1 7 b ; —閘絕緣膜1 8 ;閘電極1 9 a和 1 9 b，第一中間層絕緣膜2 0，源極接線2 1 ，和汲極 接線2 2。第一中間層絕緣膜2 0或閘絕緣膜1 8可共同 至所有在基底上之TFT,或亦可依照電路或元件而改變 〇 在圖7所示之開關T F T 2 0 1中，閘電極1 9 a和 (請先閱讀背面之注意事項再填 於--- «頁) 訂·· •線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 五、發明說明（48) 19b電連接，換言之，建立所謂的雙閘極構造。當然， 不只可使用雙閘極構造，亦可使用所謂的多閘極構造，如 Ξ閘極構造等。多閘極構造表示一構造，其包括一主動層 ft有雨或多通道形成區域串聯連接。 多閘極構造可極有效的降低關閉電流値，且如果開關 T F T之關閉電流充分降低，則可降低需用於連接至驅動 TFT202之閘電極之電容之最小電容量。亦即，由於 電容之處理面積降低，多閘極構造亦可有效的使EL元件 之照明面積變寬。 此外，在開關TFT201中，LDD區域15a至 1 5 d設置以不重疊閘電極1 9 a和1 9 b，而閘極絕緣 膜1 8位於其間。此種構造可極有效的降低關閉電流。再 者，LDD區域1 5 a - 1 5 d之長度（寬）可爲從 0 · 5 至 3 ·5μιη，典型的爲 2 · 0 至 2 · 5μιη。 所需的是在通道形成區域和L D D區域間形成一偏置 區域（一區域由如同通道形成區域相同的組成之半導體層 形成，且閘極電壓未施加於此），以降低關閉電流。在使 用具有兩或多個閘電極之多閘極構造中，形成在通道形成 區域間之絕緣區域1 6 (添加和源極區域或汲極區域相同 雜質元素以相同濃度之區域）可有效的降低關閉電流。 E L驅動TFT2 0 2以一主動層製成，包括：一源 極區域26，一汲極區域27，和一通道形成區域29， 一閘絕緣膜1 8，一閘電極3 0，第一中間層絕緣膜2 0 ，一源極接線3 1，和汲極接線3 2。在此實施例中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填 ^•! 〔II頁： 訂· 鎿· •51 - 535454 Δ7 Α7 Β7 五、發明說明（49 ) EL驅動丁 FT202爲P通道TFT。 開關TFT20 1之汲極區域1 4連接至EL驅動 TFT202之閘電極30。具體而言，EL驅動 TFT2 0 2之閘電極3 0經由汲極接線2 2 (亦稱爲連 接接線）（未顯示）而電連接至開關丁 FT2 0 1之汲極 區域1 4。再者，在此實施例中，閘電極3 0爲單閘極構 造，但是亦可爲多閘極構造。再者，E L驅動 T F T 2 〇 2之源極接線3 1連接至電流饋線。 E L驅動TFT2 0 2爲一元件，以控制供應至EL 元件之電流量，且藉此可流動相當大的電流。因此，其通 道寬度（W)需要設計成大於開關TFT之通道寬度。亦 需設計通道以使具有一長的通道長度（L)，因此過多的 電流不會流入EL驅動TFT202。一般而言，每一圖 素之所需値從0 · 5至2 m A (較佳的，從1至1 . 5 m A ) 〇 爲了抑制對TFT之破壞，可使E L驅動TFT之主 動層（特別是通道形成區域）之膜厚度較厚（5 0 -100nm，最好爲60-8〇nm)。另〜方面，從降 低在開關TFT2 01中之關閉電流之觀點而言，最好使 主動層（特別是通道形成區域）之膜厚度變薄（2 0 5〇nm，且最好爲 25 — 4〇nm)。 上述說明形成在圖素中之T F 丁之構造。在此形成中 ,亦同時形成驅動電路。圖7顯示形成驅動電路之基本_ 元之CMOS電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填頁) -ird· •線· 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 -52· 535454 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 _ B7____五、發明說明（SO ) 在圖7中，用以降低量注入熱載子而未降低操作速度 之T F T構造使用當成CMO S電路之η通道型 TFT204。於此，驅動電路代表源極訊號側驅動電路 和閘極訊號側驅動電路。當然，亦可形成其它邏輯電路（ 如移位暫存器，A / D轉換器，訊號分割電路等）。 CMO S電路之η通道TFT2 0 4之主動層包括一 源極區域35，一汲極區域36，一 LDD區域37，和 一通道形成區域3 8。L D D區域3 7經由閘絕緣膜1 8 而重疊閘電極3 9。 只在汲極側形成LDD區域3 7乃是考量不降低操作 速度。再者，在η通道TFT2 0 4中，不必關心關閉電 流値，而是應注意操作速度。因此，最好是L D D區域 3 7完全的重疊閘電極上，以儘可能降低電阻成份。換言 之1，最好能消除所有的偏置。 在CMOS電路中之ρ通道TFT 205中，幾乎不 會受到熱載子注入之破壞，因此，無需特別提供LDD區 域。因此，主動層包括一源極區域40，一汲極區域41 ，和一通道形成區域4 2。一閘極絕緣膜1 8和閘電極 4 3形成在其上。當然，亦可如同η通道TFT 2 0 4提 供LDD區域，以消除熱載子。 η通道TFT2 0 4和P通道TFT2 0 5覆蓋以第 一中間層絕緣膜20，且形成源極接線44和45。η通 道TFT 2 0 4和ρ通道TFT2 0 5經由一汲極接線 4 6而電連接在一起。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 -53- (請先閱讀背面之注 ^1 1 ·_1 ϋ I · ·1 ·1 意事項再填JR頁) t«T· i絲· 535454 A7 B7 五、發明說明（51 ) (請先閱讀背面之注意事項再填 參考數字4 7表示第一被動膜，和其膜厚度可爲1 0 nm至Ιμιη (最好爲介於2〇〇至500nm)。含矽之 絕緣膜（特別的，氮氧化矽膜或氮化矽膜）可使用當成被 動膜材料。被動膜4 7扮演保護所製造之T F 丁免於受到 鹼性金屬和水之侵犯。最終設置在T F T上方之E L層包 括鹼性金屬，如鈉等。換言之，第一被動膜4 7作用當成 保護層以使鹼性金屬不會穿透入T F T側。 訂·- •線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考數字4 8表示第二中間層絕緣膜，其作用當成一 平坦膜以平坦由T F T所形成之步階。關於第二中間層絕 緣膜4 8方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯胺，聚醯亞胺 ，丙烯酸，或BCB(苯並環丁烷）。這些有機樹脂膜具 有之優點爲其可形成平坦表面且具有小的介電常數。由於 E L層非常易受到粗糙度之影響，所需的是可藉由第二中 間層絕緣膜吸收所有由T F T造成之步階。再者，從降低 形成在閘極接線或資料接線和E L元件之陰極間之寄生電 容之觀點而言，所需的是使形成具有低介電常數之材料較 厚。因此，較佳的，膜厚度爲0 · 5至5μιη (最好爲 1 · 5 至 2 · 5 μ m )。 參考數字49爲一圖素電極（EL元件之陽極），其 以透明導電膜製成。在第二中間層絕緣膜4 8和第一被動 膜4 7中形成一接觸孔（開口）後，電極經由此開口連接 至E L驅動TFT 2 0 2之汲極接線。當圖素電極4 9和 汲極區域27安排成不直接連接時，如圖2A和2B所示 ,可防止EL層之鹼性金屬經由圖素電極進入主動層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -54· 535454 A7 B7 五、發明說明（52 ) 在圖素電極4 9上形成厚度爲〇 · 3 — Ιμηι之第三中 間層絕緣膜5 0。膜5 0以氧化矽膜，氮氧化矽膜或一有 機樹脂膜製成。藉由在圖素電極4 9上以蝕刻在第三中間 層絕緣膜5 0中形成一開口，開口之緣以鈾刻而漸尖。漸 尖之角度從10至60° (最好爲從30至50°)。 EL層5 1形成在第三中間層絕緣膜50上。EL層 5 1爲單層構造或疊層構造。但是，當其爲疊層構造時， 先 閱 讀 背 Sj 之 注 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 可獲得高的發 電洞傳送層/ 圖素電極上。 子傳送層或正 傳送層/電子 式之已知構造 中。 例如，下 機E L材料： 4，5 3 9， 4，7 6 9， 4，9 5 0， 5，0 4 7， 5，0 6 1， 5，2 9 4， ;8-241 光效率。一般而言，一正電洞注入層/一正 一發光層/一電子傳送層以所述順 但是，亦可形成如電洞傳送層/發 電洞注入層/正電洞傳送層/發光 注入層之構造。在本發明中，可使 ，或亦可執行螢光有色染料之摻雜 序形成在 光層/電 層/電子 用任何型 入E L層 述之美國專利案所揭示之材料可使用當成有 USP4，356，429; 5 0 7 ； 4 2 9 2:4 9 5 0 ； 5 6 8 7 ； 5 6 1 7 ； 5 7 2 0，4 3 2 ; 8 8 5，2 1 1 ; 0 5 9，8 6 1 ; 0 5 9，8 6 2 ; 1 5 1，6 2 9 ; 869，和日本專利第10〜18 048; 8 - 78159。 9 5 2 5 E L顯示裝置主要具有四種彩色顯示方法，亦即：形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 項 再 填
I -55- 535454 A7 ____ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（S3 ) 成對應於R，G，B之三種型式 出白光之E L元件與濾色器（彩 據發出藍或藍綠色光之E L元件 變層，CCM)之結合之方法； (相對電極）和其中對應於R， 其上之方法。 圖2A和2B之構造爲使用 型式E L元件之方法之例。雖然 構造之圖素形成以對應於紅，綠 色顯示。 本發明可實際使用而無關於 方法皆可使用在本發明中。但是 比E L慢，而會留下殘餘光問題 此種螢光體之方法。此外，亦不 降之濾色器。 E L元件之陰極5 2設置在 5 2方面，可使用含低工作係數 ，鋰（L i )，或鈣（C a )。 MgAg製成之電極（以Mg和 :1之比例混合之材料）。此外 電極，L iAl電極，和Li F 其次，E L元件2 0 6以圖 EL層5 1，和陰極52形成。 所需的是，對於每一圖素’ E L元件之方法；根據發 色層）之結合之方法；根 和螢光材料（螢光顏色改 和使用透明電極當成陰極 G，B之EL元件重疊在 形成對應於RGB之三種 圖7只顯示一圖素，相同 ，和藍色，藉以產生一彩 照明方法，且上述之四種 ，由於螢光體之響應速度 ，因此，最好使用不使用 要使用會引起照明亮度下 EL層51上。關於陰極 材料之材料如鎂（Mg ) 較佳的，可使用以 Ag 以 Mg:Ag = 10 ，亦可使用MgAgAl A 1電極。 素電極（陽極）4 9， 個別的形成包含E L層 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •56- 五、發明說明（54 ) 5 1和陰極5 2之疊層體。但是，E L層5 1相對於水非 常微弱，且無法依賴一般光石印技術形成。因此，所需的 是，以蒸氣相方法，如真空沉積法，濺鍍法，或電漿 C VD法，藉由使用如金屬光罩等實質光罩材料而選擇性 形成。 關於選擇性形成E L層之方法方面，亦可使用噴墨法 ，旋轉塗覆，或網版印刷法。但是，這些方法在現行技藝 中無法連續形成陰極，因此，除了噴墨法外，上述之方法 皆可使用。 參考數字5 3爲一保護電極，其保護陰極5 2免於外 側水之侵害且同時連接至每一圖素之陰極5 2。關於此保 護電極53方面，最好使用包括鋁（A1)，銅（Cu) ，或銀（Ag )之低電阻材料。從保護電極5 3可預期降 低E L層之熱之冷卻效果。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 參考數字5 4表示第二被動膜，和其膜厚度可設定爲 從10 nm至1 μπι (最好介於200至500 n m )。形成第二被動膜54之目的主要爲保護EL層5 1免 於水分子之滲入。且亦可有效的提供冷卻效果。但是，如 上所述，如果E L層之抗熱相當微弱，且因此，需儘可能 在低溫下形成（最好在室溫至1 2 之溫度範圍內）。 因此，所需之膜形成方法可爲電漿CVD法，濺鍍法，真 空蒸鏟法，離子濺鍍法，或溶液塗覆法（旋轉塗覆法）等 〇 無庸贅言的是，圖7所示之所有TFT皆具有多晶矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ' -57- 535454 A7 B7 五、發明說明（55 ) 膜使用在本發明中當成主動層。 因此’本發明並不限於圖7之E L顯示裝置之構造， 其只是一較佳實施例而已。 於此可自由的結合和操作此實施例之構造和第一實施 例和第二實施例。 〔第四實施例〕 在此實施例中，參考圖2 1，其示意顯示使用與圖7 不同之另一例之依照本發明之E L顯示裝置之截面構造。 在此實施例中說明可使用當成底閘極型丁 F T之薄膜電晶 體之T F 丁之例。 在圖21中，參考數字811爲一基底，和812爲 一絕緣膜（以下當成一基膜）。關於基底8 1 1方面，可 以透光基底製成，如玻璃基底，石英基底，玻璃陶瓷基底 ，或結晶玻璃基底。但是，其必須是能在製造過程中抵抗 最高處理溫度者。 基膜812在使用具有可移動離子之基底或具有導電 性之基底上特別有效，但是，其不一定要設置在石英基底 上。包含矽之絕緣膜可使用當成基膜8 1 2。在本說明書 中，含矽之絕緣膜表示一絕緣膜，其中氧或氮以一定比例 添加至矽中（S iOxNY: X和Y爲整數），如氧化矽膜 ，氮化矽膜，或氮氧化矽膜。 參考數字8201爲一開關TFT,和8202爲 EL驅動TFT。開關TFT以η通道型TFT形成，和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) 訂： i綠* 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 -58- 535454 A? B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（56 ) E L驅動TFT以p通道型TF 丁形成。當E L照明方向 向著基底之下表面（下表面未提供TFT或EL層），上 述構造是較佳的。但是，在本發明中，無需限制於此種構 造。開關TFT和E L驅動TFT亦可使用p通道型 TFT或η通道型TFT以用於兩者或其一。 開關TFT8 2 0 1具有：一主動層包含一源極區域 813，一汲極區域814，LDD (輕摻雜汲極）區域 815a至815d，一絕'緣區域816，和通道形成區 域86 3, 864 鬧絕緣膜8 1 8 ;聞電極8 1 9 a 和8 1 9 b，第一中間層絕緣膜8 2 0，源極接線8 2 1 ，和汲極接線8 2 2。第一中間層絕緣膜8 2 0或閘絕緣 膜8 1 8可共同至所有在基底上之TFT,或亦可依照電 路或元件而改變。 在圖2 1所示之開關T F T 8 2 0 1中，閘電極 8 1 9 a和8 1 9b電連接，換言之，建立所謂的雙閘極 構造。當然，不只可使用雙閘極構造’亦可使用所謂的多 閘極構造，如三閘極構造等。多閘極構造表示一構造，其 包括一主動層具有兩或多通道形成區域串聯連接。 多閘極構造可極有效的降低關閉電流値，且如果開關 T F T之關閉電流充分降低，則可降低需用於連接至驅動 TFT8202之閘電極之電容之最小電容量。亦即，由 於電容之處理面積降低，多閘極構造亦可有效的使£：乙元 件之照明面積變寬。 此外，在開關TFT 8201中，LDD區域815 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） (請先閱讀背面之注意事項再填 ^•! 訂· ··線· -59- 535454 A7 B7 五、發明說明（57 ) (請先閱讀背面之注意事項再填 a至8 1 5 d設置以不重疊閘電極8 1 9 a和8 1 9b， 而閘極絕緣膜8 1 8位於其間。此種構造可極有效的降低 關閉電流。再者，LDD區域8 1 5 a — 8 1 5 d之長度 (寬）可爲從0 · 5至3 · 5μηι，典型的爲2 · 0至 2 . 5 μ m 〇 所需的是在通道形成區域和L D D區域間形成一偏置 區域（一區域由如同通道形成區域相同的組成之半導體層 形成，且閘極電壓未施加於此），以降低關閉電流。在使 用具有兩或多個閘電極之多閘極構造中，形成在通道形成 區域間之絕緣區域8 1 6 (添加和源極區域或汲極區域相 同雜質元素以相同濃度之區域）可有效的降低關閉電流。 訂· •線- 電流控制T F T 8 2 0 2以一主動層製成，包括：一 源極區域8 2 6，一汲極區域8 2 7，和一通道形成區域 8 0 5，一閘絕緣膜8 1 8，一閘電極8 3 0，第一中間 層絕緣膜8 2 0，一源極接線8 3 1，和汲極接線8 3 2 。在此實施例中，EL驅動TFT8202爲P通道 丁 F T 〇 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 開關TFT8 2 0 1之汲極區域8 1 4連接至EL驅 動TFT8202之閘電極830。具體而言，EL驅動 TFT8202之閘電極830經由汲極接線822 (亦 稱爲連接接線）而電連接至開關TFT8 2 0 1之汲極區 域814。再者，在此實施例中，閘電極830爲單閘極 構造，但是亦可爲多閘極構造。再者，EL驅動 TFT8 2 0 2之源極接線8 3 1連接至電流饋線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -60- 535454 A7 B7 (5 0 - 1 Ο Ο η 五、發明說明（58 ) E L驅動T F T 8 2 0 2爲一元件，以控制供應至 E L元件之電流量，且藉此可流動相當大的電流。因此， 其通道寬度（W)需要設計成大於開關TFT之通道寬度 。亦需設計通道以使具有一長的通道長度（L)，因此過 多的電流不會流入E L驅動T F T 8 2 0 2。一般而言， 每一圖素之所需値從0·5至2mA(較佳的，從1至 1.5mA) 〇 爲了抑制對TFT之破壞，可使EL驅動TFT 8 2 0 2之主動層（特別是通道形成區域）之膜厚度較厚 最好爲60—8〇nm)。另一方 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填
面，從降低在開關T F T 言，最好使主動層（特別 (20
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上述說.明形成在圖素 ，亦同時形成驅動電路。 單元之CMOS電路。 在圖2 1中，用以降 度之T F T構造使用當成 8204。於此，驅動電 極訊號側驅動電路。當然 位暫存器，A/D轉換器 η通道型TFT82 835,一汲極區域83 通道形成區域862。L 之關閉電流之觀點而 區域）之膜厚度變薄 且最好爲25—4〇nm)。 之構造。在此形成中 形成驅動電路之基本 8 2 0 1 中 是通道形成 中之T F 丁 圖2 1顯示 低量注入熱 C Μ〇S電 路代表源極 ，亦可形成 ，訊號分割 0 4之主動 6，一 L D D D區域8 載子而未降低操作速 路之η通道型TFT 訊號側驅動電路和閘 其它邏輯電路（如移 電路等）。 層包括一源極區域 D區域837，和一 3 7經由閘絕緣膜 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 · 535454 A7 — B7 五、發明說明（59 ) 818而重疊閘電極839。 ---I---— — — — —— ^ · I I (請先閱讀背面之注意事項再填 頁) 只在汲極區域側8 3 6形成LDD區域8 3 7乃是考 量不降低操作速度。再者，在η通道TFT8 2 0 4中’ 不必關心關閉電流値，而是應注意操作速度。因此’最好 是LDD區域8 3 7完全的重疊閘電極上，以儘可能降低 電阻成份。換言之，最好能消除所有的偏置。 在CMOS電路中之ρ通道TFT8205中，幾乎 不會受到熱載子注入之破壞，因此，無需特別提供LDD 區域。因此，主動層包括一源極區域840，一汲極區域 8 4 1，和一通道形成區域8 6 1。一閘極絕緣膜8 1 8 和閘電極8 4 3形成在其上。當然，亦可如同η通道 TFT8 2 0 4提供LDD區域，以消除熱載子。 數字817a, 817b, 829, 838,和 8 4 2爲光罩以形成通道形成區域8 6 1 , 8 6 2， --線· 8 6 3, 864，和 805。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 η通道TFT8 2 0 4和P通道TFT8 2 0 5分別 具有源極接線8 4 4和8 4 5，而第一中間層絕緣膜 820夾於其間。η通道TFT 8204和ρ通道TFT 8 2 0 5經由一汲極接線8 4 6而電連接在一起。 參考數字8 4 7表示第一被動膜，和其膜厚度可爲 10nm至ίμιη (最好爲介於200至500nm)。含 矽之絕緣膜（特別的，氮氧化矽膜或氮化矽膜）可使用當 成被動膜材料。被動膜8 4 7扮演保護所製造之T F T免 於受到鹼性金屬和水之侵犯。最終設置在T F T上方之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -62- 535454 A7 B7 五、發明說明（6〇 ) E 1層包括鹼性金屬，如鈉等。換言之，第一被動膜 8 4 7作用當成保護層以使鹼性金屬不會穿透入T F 丁側 〇 參考數字8 4 8表示第二中間層絕緣膜，其作用當成 一平坦膜以平坦由T F T所形成之步階。關於第二中間層 絕緣膜4 8方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯胺，聚醯亞 胺’丙烯酸，或BCB (苯並環丁烷）。這些有機樹脂膜 具有之優點爲其可形成平坦表面且具有小的介電常數。由 於E L層非常易受到粗糙度之影響，所需的是可藉由第二 中間層絕緣膜吸收所有由T F T造成之步階。再者，從降 低形成在閘極接線或資料接線和E L元件之陰極間之寄生 電容之觀點而言，所需的是使形成具有低介電常數之材料 較厚。因此，較佳的，膜厚度爲0 · 5至5μπι (最好爲 1 · 5 至 2 · 5 μ m )。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 參考數字8 4 9爲一圖素電極（E L元件之陽極）， 其以透明導電膜製成。在第二中間層絕緣膜8 4 8和第一 被動膜8 4 7中形成一接觸孔（開口）後，電極經由此開 口連接至EL驅動TFT8202之汲極接線832。當 圖素電極8 4 9和汲極區域8 2 7安排成不直接連接時， 如圖2 1所示，可防止E L層之鹼性金屬經由圖素電極進 入主動層。 在圖素電極8 4 9上形成厚度爲0 · 3 — Ιμιη之第三 中間層絕緣膜8 5 0。膜8 5 0以氧化矽膜，氮氧化矽膜 或一有機樹脂膜製成。藉由在圖素電極8 4 9上以蝕刻在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' -63- 535454 A7 B7 五、發明說明（61 ) 第三中間層絕緣膜8 5 0中形成一開口，開口之緣以蝕刻 而漸尖。漸尖之角度從1 0至6 0。（最好爲從3 0至5 0 °) 〇 E L層8 5 1形成在第三中間層絕緣膜8 5 0上。 EL層851爲單層構造或疊層構造。但是，當其爲疊層 構造時，可獲得高的發光效率。一般而言，一正電洞注入 層/一正電洞傳送層/一發光層/一電子傳送層以所述順 序形成在圖素電極上。但是，亦可形成如電洞傳送層/發 光層/電子傳送層或正電洞注入層/正電洞傳送層/發光 層/電子傳送層/電子注入層之構造。在本發明中，可使 用任何型式之已知構造，或亦可執行螢光有色染料之摻雜 入E L層中。 圖21之構造爲使用形成對應於RGB之三種型式 E L元件之.方法之例。雖然圖2 1只顯示一圖素，相同構 造之圖素形成以對應於紅，綠，和藍色，藉以產生一彩色 顯示。本發明可實際使用而無關於照明方法。 EL元件之陰極8 5 2設置在E L層8 5 1上。關於 陰極8 5 2方面，可使用含低工作係數材料之材料如鎂（ Mg)，鋰（Li)，或鈣（Ca)。較佳的，可使用以 MgAg製成之電極（以Mg和Ag以Mg : Ag=l〇 :1之比例混合之材料）。此外，亦可使用MgAgAl 電極，L iAl電極，和L i FA 1電極。 其次，EL元件8206以圖素電極（陽極）849 ，EL層851,和陰極852形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) 訂！ --線. 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -64- 535454 A7 B7 五、發明說明（62 ) 所需的是，對於每一圖素，個別的形成包含E L層 85 1和陰極852之叠層體。但是，EL層85 1相對 於水非常微弱，且無法依賴一般光石印技術形成。因此， 所需的是，以蒸氣相方法，如真空沉積法，濺鍍法，或電 漿CVD法，藉由使用如金屬光罩等實質光罩材料而選擇 性形成。 關於選擇性形成E L層之方法方面，亦可使用噴墨法 ，旋轉塗覆，或網版印刷法。但是，這些方法在現行技藝 中無法連續形成陰極，因此，除了噴墨法外，上述之方法 皆可使用。 參考數字8 5 3爲一保護電極，其保護陰極8 5 2免 於外側水之侵害且同時連接至每一圖素之陰極8 5 2。關 於此保護電極8 5 3方面，最好使用包括鋁（A 1 )，銅 (C u )，或銀（A g )之低電阻材料。從保護電極 8 5 3可預期降低E L層之熱之冷卻效果。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 參考數字8 5 4表示第二被動膜，和其膜厚度可設定 爲從10 nm至1 μιη (最好介於200至500 rim)。形成第二被動膜8 5 4之目的主要爲保護EL層 8 5 1免於水分子之滲入。且亦可有效的提供冷卻效果。 但是，如上所述，如果E L層之抗熱相當微弱，且因此， 需儘可能在低溫下形成（最好在室溫至1 2 0 °C之溫度範 圍內）。因此，所需之膜形成方法可爲電漿CVD法’濺 鍍法，真空蒸鍍法，離子濺鍍法，或溶液塗覆法（旋轉塗 覆法）等。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -65- 535454 A7 B7 五、發明說明（63 ) 無庸贅言的是，圖21所示之所有TFT皆具有多晶 砂膜使用在本發明中當成主動層。 因此，本發明並不限於圖2 1之E L顯示裝置之構造 ’其只是一較佳實施例而已。 於此可自由的結合和操作此實施例之構造和第一實施 例和第二實施例。 〔第五實施例〕 在本發明之此實施例中，說明同時製造一圖素部份之 T F T和環繞圖素部份之驅動電路部份之方法。於此，爲 了簡化說明，圖中相關於驅動電路以基本單元之CM〇S 電路表示。 首先，參考圖8A，準備一基底501 ，其中一底膜 (未顯示）形成在其表面上。在此實施例中，厚度爲 2 0 0 nm之氮氧化矽膜和厚度爲1 〇 〇 nm乏另一氮氧 化矽膜疊層當成底膜在一結晶玻璃上。於此，最好使接觸 結晶玻璃基底之膜之氮濃度保持1 〇至2 5 %重量百分 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 比。當然，亦可直接形成元件在石英基底上而未形成底膜 〇 而後，以已知之膜形成法形成4 5 n m厚之非晶砂 膜5 0 2在基底5 0 1上。於此無需限制於非晶矽膜，只 要是含非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）皆可。 此外，亦可使用含非晶構造之化合半導體膜，如非晶矽鍺 膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -66 · 535454
五、發明說明（64 ) 關於由此至圖8 C之步驟方面，可引用本申請人所揭 $之曰本專利第1 〇 一 247 7 3 5號案之內容。此專利 $揭示使用如鎳等元素當成觸媒之半導體膜之結晶方法之 技術。 首先，形成具有開口 503a，503b之保護膜 504。在此實施例中，使用厚度爲150nm之氧化矽 膜。含鎳（N i )之層5 0 5藉由旋轉塗覆法形成在保護 膜5 〇 4上。關於含鎳層之形成方面，可參考上述之專利 其次參考圖8 B，在惰性氣體中，在5 7 0°C下進行 熱處理1 4小時以使非晶矽膜5 0 2結晶。此時，結晶幾 乎平行於基底從接觸鎳之區域506a，506b (以下 稱添加鎳區域）進行。結果，可形成結晶構造之多晶矽膜 5 0 7，其中桿晶體聚集且形成線。 其次，如圖8 C所示，屬於第VA族之元素（如磷） 添加至添加鎳區域506 a，506b ’而以保護膜 504當成一光罩。因此形成區域508a ’ 508b ( 以下稱爲添加磷區域），其中磷以高濃度添加。 而後，如圖8 C所示，在惰性氣體中，6 0 0 °C下進 行熱處理1 2小時。由於此熱處理，在多晶矽膜5 0 7中 之鎳移除，且最後幾乎所有鎳皆由添加磷區域5 0 8 a， 5 0 8 b所捕捉，如箭頭所示。此即視爲由於因磷引起之 金屬元素（在此例中爲鎳）之聚集效果所造成之現象。 由於此步驟，以S IMS (二次離子質量頻譜儀）量 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 請 先 閱 讀 背 面 i 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製
-67- 535454 A7 B7 五、發明說明（65 ) (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 測，殘餘在多晶矽膜5 0 9中之鎳濃度降低至至少2 X 1 017原子/cm3。雖然鎳是半導體之壽命殺手，但是 ，在降低至此位準下，其不再會對T F 丁特性造成負面影 響。此外，此濃度幾乎爲以現有的S I M S分析之量測下 限。因此，實際上，於此之濃度可能更低（2 X 1 0 1 7原 子/ c m 3或更低）。 因此，於此獲得之多晶矽膜5 0 9，其使用觸媒結晶 ，且其中觸媒之濃度降低至不會阻礙T F T操作之位準。 而後，使用多晶矽膜5 0 9之主動層5 1 0至5 1 3只以 定圖樣形成。此時，藉由使用上述多晶矽膜，可形成一標 示，以在後續定圖樣中對準光罩（圖8D)。 而後，參考圖8E，在氧氣中，在950 °C下熱處理 一小時以執行熱氧化步驟後，以電漿C V D法形成厚度爲 5 0 n m之氮氧化砂膜。氧化氣體可爲氧氣或添加有鹵素 之氧氣。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在此熱氧化步驟中，氧化在介於主動層和氮氧化矽膜 間之介面中進行，藉此，厚度爲1 5 nm之多晶矽膜氧 化，以形成厚度爲約3 0 n m之氧化矽膜。亦即，於此 形成厚度爲80 nm之閘極絕緣膜514，其中厚度 30 nm之氧化矽膜和厚度50 nm之氮氧化矽膜互 相疊層在一起。再者，以熱氧化處理而形成3 0 nm厚之 主動層510至513。 參考圖9A，形成一阻止光罩5 1 5，且一雜質元素 (以下稱爲P型雜質元素）經由閘極絕緣膜5 1 4添加以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -68- 535454 A7 B7 五、發明說明（66 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 授予P型至主動層5 1 1至5 1 3。關於P型雜質元素方 面，可使用屬於I I I A族之元素，如硼或鍺。此步驟（ 稱爲通道摻雜步驟）乃用以控制T F T之臨界電壓。 在此實施例中，以電漿激勵離子摻雜法，而未質量分 離硼化氫（B2H6)，以添加硼。亦可使用執行質量分離 之離子植入法。經由此步驟，可形成含有硼之濃度爲1 X 1 015至1 X 1 018原子/cm3 (典型爲5x 1 016至 5 X 1 0 17原子/c m3)之雜質區域5 1 6至5 1 8。 參考圖9B，形成阻止光罩519a和519b，且 一雜質元素（以下稱爲η型雜質元素）經由閘極絕緣膜 5 1 4添加以授予η型。關於η型雜質元素方面，可使用 屬於VA族之元素，如磷或砷。在此實施例中，以電漿激 勵離子摻雜法，而未質量分離磷化氫（Ρ Η 3 )，以添加濃 度爲lx 1 0.1 8原子/ c m 3.之磷。亦可使用執行質量分 離之離子植入法。 經由此步驟，摻雜劑量調整以形成η型雜質區域 5 2 0至5 2 1含有η型雜質元素之濃度爲2 X 1 016至 5Χ1019 原子/cm3 (典型爲 5Χ1017 至 5Χ 1018 原子/ cm3)。 參考圖9 C，所添加之η型雜質元素和ρ型雜質元素 受到活化。雖然於此無需限制活化機構’由於此裝置提供 有閘極絕緣膜5 1 4，所需的是使用電熱爐執行爐退火。 再者，在圖9 Α之步驟中，在主動層和閘極絕緣膜間之介 面可能會在變成通道形成區域之部份受到破壞。因此’需 請 先 閱 讀 背 之 注 意 項 再 填 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 69 535454 A7 B7 五、發明說明（67 ) 要儘可能在高溫下執行熱處理。 由於此實施例使用具有高熱電阻之結晶玻璃。因此， 活化步驟根據在8 0 〇 °C下之爐退火執行一小時。熱氧化 可在氧化氣體中執行，或熱處理可在惰性氣體中執行。 此步驟澄淸了 η型雜質區域520，52 1之緣，亦 即，介於η型雜質區域520，521和環繞η型雜質區 域520，521之一區域（由步驟9Α形成之ρ型雜質 區域）間之邊界（接面），其中未添加η型雜質元素。亦 即，L D D區域和通道形成區域可在T F Τ完成時形成一 非常好的接面部份。 其次，形成保持厚度爲200至400 nm之導電 膜，且定圖樣形成閘電極5 2 2至5 2 5。TFT之通道 長度以閘電極5 2 2至5 2 5之寬度決定。 閘電極可以單層導電膜形成。但是，依需要，閘電極 亦可以兩層或三層疊層膜形成。關於閘電極之材料方面， 可使用已知之導電膜。具體而言，可使用選自具有導電率 之鈦（Ti)，鉬（Ta)，鉬（Mo)，鎢（W)，鉻 (C r )和矽（S i )之元素製成之膜；或上述元素之氮 化物膜（典型的，氮化钽膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）； 或上述元素之結合之合金膜（典型的，Mo - W合金或 Mo - T a合金）·，或上述元素之矽化物膜（典型的，矽 化鎢膜或矽化鉅膜）。這些膜當然亦可使用單層膜或疊層 膜型式。 在此實施例中使用5 0 nm厚之氮化鎢（WN)膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 · 頁 訂 ▲ 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 -70- 535454 A7 ---- B7 五、發明說明（68 ) 和3 5 0 nm厚之鎢膜之疊層膜。可以濺鍍方法形成此 膜。再者，如果如X e或N e之惰性氣體添加至濺鍍氣體 中時，可防止因爲應力之膜剝離。 此時形成閘電極5 2 3和5 2 5經由閘絕緣膜5 1 4 重疊在部份之η型雜質區域5 2 0和5 2 1上。重疊部份 於後變成重疊閘電極之L D D區域。依照截面圖所示，閘 電極5 2 4 a和5 2 4 b互相分離，但是實際上電連接在 -起。 其次參考圖1 0 A，η型雜質元素（在此實施例中使 用磷）使用閘電極5 2 2至5 2 5當成光罩自我調整的添 加。此時，對所形成之雜質區域5 2 7至5 3 3添加磷以 η型雜質區域5 2 0和5 2 1之濃度之1/2至1/1 0 (典型爲1/3至1/4)。具體而言，磷濃度最好爲1 Χ1016 至 5Χ1018 原子/ cm3 (典型爲 3xl〇17 和 3xl018 原子/cm3)。 而後，參考圖10B，形成阻止光罩534a至 5 3 4 d以覆蓋閘電極，和添加η型雜質元素（在此實施 例中使用磷）以形成含有高濃度磷之雜質區域5 3 5至 5 4 Γ。在此例中，使用磷化氫（Ρ Η 3 )之離子摻雜法應 用於此，且執行調整，以使此區域之磷濃度爲1 X 1 〇 2 13 至lxlO21原子/cm3 (典型爲2xl02°和5Χ 1〇2Q原子/ cm3)。 以上述步驟形成η通道T F T之源極區域或汲極區域 ，但是，開關T F Τ留下形成在圖1 0 Α之步驟中之一部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^-----r---訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535454 A7 五、發明說明（69 ) 份η型雜質區域。所留下之區域相當於開關丁 F 丁之 L D D區域。 閱 讀 背 面 之 注 其次，如圖1 0 C所示，移去阻止光罩5 3 4 a至 534d，和形成一新的阻止光罩543。而後，添加p 型雜質元素（在此實施例中使用硼），和形成含有高濃度 硼之雜質區域5 44和545。於此使用硼化氫（B2H6 )之離子摻雜添加硼，而添加硼之濃度爲3 X 1 02()至3 χ1021 原子/cm3 (典型爲 5xl02〇 和 lxlO21 原子/ c m 3 )。 在雜質區域5 4 4和5 4 5中，磷已以濃度爲1 X 1 02(}至1 X 1 〇21原子/ cm3添加。但是，硼亦可以 至少三倍於磷濃度添加。因此，已事先形成之η型雜質區 域已完全改變爲ρ型，且作用當成ρ型雜質區域。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 其次參考圖10D，在移除阻止光罩5 4 3後，形成 第一中間層絕緣膜5 4 6。關於第一中間層絕緣膜5 4 6 方面，可使用以結合之單層或疊層型式之含矽絕緣膜。此 膜具有之厚度從400 nm至1 · 5μιη。在此實施例中 ，此膜具有一疊層結構包括8 0 0 nm厚之氧化矽膜疊 層在2 0 0 nm厚之氮氧化矽膜上。 而後，以各種濃度添加之η型和ρ型雜質元素受到活 化。較佳的活化機構爲爐退火。在此實施例中，在氮氣下 在5 5 0 °C下熱處理4小時。 而後，在含3至100 %氫氣之大氣中，在300 至4 5 0 °C上作用熱處理1至1 2小時，以作用氫化。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -72 535454 A7
五、發明說明（70 ) 步驟乃爲以熱激勵之氫氣終止半導體膜之未配對結合鍵。 關於氫化之另一機構方面，可執行電漿氫化（使用以電漿 激勵之氫氣）。 在形成第一中間層絕緣膜5 4 6時可執行氫化處理。 亦即，在氮氧化矽膜形成厚度爲2 0 0 nm時，可作用 上述氫化處理，且而後，形成氧化矽膜保持8 0 0 nm 厚。 其次參考圖1 1 A，在第一中間層絕緣膜5 4 6中形 成接觸孔，以形成源極接線5 4 7至5 5 0和汲極接線 5 5 1至5 5 3。在此實施例中，電極乃以具有1 0 0 nm鈦膜，300 nm含鈦鋁膜，和150 nm鈦膜 連續以依照濺鍍法形成之三層構造之疊層膜形成。當然亦 可使用其它導電膜。 其次形成厚度爲50至500 nm(典型的爲介於 200和300 nm間）之第一被動膜554。在此實 施例中，使用3 0 0 nm厚之氮氧化矽膜當成第一被動 膜5 54。此亦可以氮化矽膜取代之。 於此，在氮氧化矽膜形成前，如果使用含如H2或 NH3等之氣體進行電漿處理是相當有效的。以此先前處理 激勵之氫乃供應至第一中間層絕緣膜5 4 6，和藉由執行 熱處理可改善第一被動膜5 5 4之品質。同時，添加至第 一中間層絕緣膜5 4 6之氫擴散至下側，因此主動層可有 效的氫化。 ’ 其次參考圖1 1 B，形成以有機樹脂製成之第二中間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 · a— n I *1 a— · 1 · emmm ϋ i 1_1 .1 1 1 -線 ------------------------ -73- 535454 A7 B7 五、發明說明（71 ) (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 層絕緣膜5 5 5。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺， 丙烯酸纖維，或BCB (苯並環丁烷）。特別的，由於第 二中間層絕緣膜5 5 5必須平坦由T F T形成之步階，且 因此，最好使用具有優良平坦性之丙烯酸膜。在此實施例 中，形成之丙烯酸膜具有之膜厚度爲2 . 5μιη。 其次，在第二中間層絕緣膜5 5 5和在第一被動膜 5 5 4中形成一接觸孔以到達汲極接線5 5 3，而後形成 一保護電極556。關於保護電極556方面，可使用大 部份以鋁構成之導電膜。保護電極5 5 6可依照真空沉積 法形成。 其次，形成厚度爲5 0 0 nm之含矽絕緣膜（在此 實施例中爲氧化矽膜），且在對應於圖素電極之位置上形 成一開口，和形成第三中間層絕緣膜5 5 7。當形成開口 時，可以濕蝕刻法輕易的形成一漸尖側壁。當開口不夠緩 和的傾斜時，由位準差異引起對E L層之破壞會造成一嚴 重問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，形成E L元件之陰極之圖素電極（Mg A g電 極）558。此MgAg電極558使用真空沉積法形成 膜厚度爲180至300 nm(典型爲200至250 n m ) 〇 其次，以真空沉積法形成EL層559，其未曝露至 空氣中。EL層之膜厚度爲80 — 200nm (典型爲 100 — 120nm),且圖素電極（陽極）560爲 110 n m 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -74- 535454 A7 B7 五、發明說明（72 ) 在此步驟中，E L層和圖素電極（陽極）連續形成以 用於對應紅色之圖素，綠色之圖素，和藍色之圖素。但是 ’由於E L層相對於溶液之承受性相當差，因此必須分離 形成每一顏色之圖素，而未依賴光石印技術。因此，藉由 使用金屬光罩，除了所欲之圖素外，其它區域皆受到密封 ’和選擇性形成所需圖素之EL層和圖素電極（陽極）。 亦即，一光罩首先設定以密封除了用於紅色之圖素外 之所有圖素，且藉由使用此光罩，紅色光之E L層和圖素 電極（陽極）選擇性形成。其次，一光罩設定以密封除了 用於綠色之圖素外之所有圖素，且藉由使用此光罩，綠色 光之E L層和圖素電極（陽極）選擇性形成。其次，一光 罩設定以密封除了用於藍色之圖素外之所有圖素，且藉由 使用此光罩，藍色光之E L層和圖素電極（陽極）選擇性 形成。雖然上述使用不同的光罩，於此當然亦可重複使用 相同光罩。所需的是進行處理，而未破壞真空狀態，直到 E L層和圖素電極（陽極）形成在所有圖素上。 可使用已知之材料當成E L層5 5 9。在考量驅動電 壓下，其可爲一有機材料。例如，EL層可具有四層構造 包括正電洞注入層，正電洞傳送層，發光層，和電子注入 層。再者，關於圖素電極（陰極）560之EL元件方面 ，可形成一銦錫氧化膜（I TO)。於此可使用一透明導 電膜，其中2 — 2 0%之氧化鋅（Ζ η 0)混入氧化銦中 ，或可使用其它已知之材料。 最後，形成厚度爲3 0 0 nm之以氮化矽膜製成之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 再 填
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •75· 535454 A7 B7 五、發明說明（73 第二被 因 實際上 (疊層 殼構件 塡以惰 部以改 在 刷電路 路拉出 中，可 此 例。 動膜5 此可完 ，在完 膜，紫 封裝（ 性氣體 善E L 以如封 F P C 之端至 完全的 實施例 6 1° 成如圖1 成至圖1 外線硬化 密封）此 。或是， 層之可靠 裝處理進 )，以連 外部訊號 準備於市 之構造可 1 C所示之構造 1 C後，所需的 樹脂膜等）或以 裝置。在此例中 之E L顯示裝置。 是以高氣密保護膜 如陶瓷密封容器之 ，殼構件之內部充 一易濕材料（如氧化鋇）設置在內 度（壽命）。 行氣密後，接附 接形成在基底上 端，以獲得最終 場之E L顯示裝 自由的結合第一 一連接器（彈性印 之元件或連接從電 產品。在此說明書 置視爲E L模組。 實施例和第二實施 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 〔第六實施例〕 於此參考圖1 2之立體圖說明此範例之E L顯示裝置 之構成。 形成在玻璃基底3 2 0 1上之依照第六實施例之E L 顯示裝置包含一圖素部份3 2 0 2，閘極訊號側驅動電路 3203，和源極訊號側驅動電路3204。圖素部份 3202之開關TFT3205爲η通道型TFT，且設 置在連接至閘極訊號側驅動電路3 2 0 3之閘極訊號線 3 2 0 6和連接至源極訊號側驅動電路3 2 0 4之源極訊 號線3 2 0 7之交叉處。再者，開關TFT3 2 0 5之汲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -76- 535454 A7 B7 五、發明說明（74 ) 極區域連接至E L驅動TFT 3 2 0 8之閘極。 再者，EL驅動TFT3208之源極區域連接至電 流饋線3 2 0 9，提供連接至E L驅動TFT 3 2 0 8之 一電容3216和電源線3209。在第六實施例中，電 源電位應用至電源線3 2 0 9。此外，E L元件3 2 1 1 之相反電極（在第六實施例中爲陰極）乃保持在此固定電 位（在第六實施例中爲0V) 而後，當成外部輸入和輸出端之FPC3212上提 供有輸入和輸出接線（連接接線）3 2 1 3，3 2 1 4， 以傳送訊號至驅動電路，和一輸入和輸出接線3 2 1 5連 接至電源線3 2 0 9。 再者，以下參考圖13A和13B說明包括有殻材料 之依照第六實施例之E L模組。依需要，將引用圖1 2中 使用之參考數字。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 在基底320 1上形成圖素部份3202，資料訊號 側驅動電路3 2 0 3，和閘極訊號側驅動電路3 2 0 4。 來自相關驅動電路之各種接線經由輸入和輸出接線 3213至3215而到達FPC3212，且連接至外 部裝置。 在此例中，殻材料3 3 0 4形成以包圍至少圖素部份 3202，且較佳的亦包圍驅動電路3203和3204 和圖素部份3202。殼材料3304爲具有凹陷部份之 形狀，其中內部尺寸大於E L元件之外部尺寸，或具有一 片狀，且以黏劑3 3 0 5固定在玻璃基底3 2 0 1上，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 -77- 535454 A7 B7 五、發明說明（75 ) 形成和玻璃基底3 2 0 1接合之氣密空間。在此例中， E L元件完全密封於上述氣密空間中，且完全與外部氣體 隔離。亦可提供多數殻材料3 3 0 4。 再者，殻材料3 3 0 4之材料品質最好爲如玻璃聚合 物之絕緣材料。下述爲殼構件之例：非晶玻璃（如硼矽 玻璃或石英）：結晶玻璃；陶瓷玻璃；有機樹脂（如丙烯 酸樹脂，苯乙烯樹脂，聚碳酸鹽樹脂，和環氧樹脂），和 矽酮樹脂等。此外，亦可使用陶瓷。再者，如果黏劑 3 3 0 5爲絕緣材料時，可使用如不鏽鋼合金之金屬材料 〇 再者，可使用如環氧樹脂或丙烯酸樹脂當成黏劑 3 3 0 5之材料。此外，亦可使用熱硬化樹脂或光硬化樹 脂當成黏劑。但是，於此儘可能必須使用氧或水無法穿透 之材料。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 此外，最好以惰性氣體（如氬，氨，氖或氮）充塡介 於殼材料和玻璃基底3 2 0 1間之間隙3 3 0 6。在氣體 上並無限制，且亦可使用惰性液體（如液態氟化碳，典型 爲全氟鏈烷）。關於惰性液體方面，可使用如日本專利第 8 - 7 8 5 1 9號案所使用之材料。 在間隙3 3 0 6中提供乾燥劑亦是非常有效的。此乾 燥劑如日本專利第9 一 1 4 8 0 6 6號案所揭示之材料。 典型的，可使用氧化鋇。 再者，如圖1 3 B所示，圖素部份上提供有多數圖素 ，每一圖素具有一獨立的E L元件，和所有圖素皆具有保 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -78- 535454 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（76 ) 護電極3 3 0 7當成一共同電極。在第六實施例中，最好 連續形成E L層，陰極（MgAg電極）和保護電極，而 未曝露至大氣中。雖然E L層和陰極使用相同光罩材料形 成，只有保護電極可以其它光罩材料形成。 於此’ E L層和陰極可只提供在圖素部份上，且不需 要將其提供在驅動電路上。當然，毫無問題的可將其提供 在驅動電路上，但是，在考量E L層包含鹼性金屬之事實 ，最好還是不要將其提供在驅動電路上。 保護電極3 3 0 7經由以和在以參考數字3 3 0 8所 示之區域上之圖素電極相同材料製成之連接線3 3 0 9而 連接至輸入輸出接線3 3 1 0。輸入輸出接線3 3 1 0爲 一電源線以應用一電源電位至保護電極3 3 0 7，且經由 一導電膏材料3 3 1 1連接至FPC 3 2 1 2。 第六實·施例所示之構造可自由的結合第一實施例而發 揮效果。 〔第七實施例〕， 在第七實施例中，說明依照本發明之EL顯示器之圖 素構造。 在依照本發明之EL顯示器之圖素部份上，多數圖素 安排成矩陣型態。圖1 7A爲圖素之電路圖例。在圖素 1000中，一開關TFT1001提供在圖17A中。 在本發明中，關於開關TFT1001方面，可使用η通 道型TFT或ρ通道型TFT。在圖17Α中，使用η通 (請先閱讀背面之注意事項再填 良· IIΙΪ 訂· -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •79- 535454 A7 B7 五、發明說明（77 ) 道型TFT當成開關丁 FT1 〇〇1。開關TFT 1 0 0 1之閘電極連接至閘極訊號線1 〇 〇 2，以輸入一 閘極訊號。開關TFT 1 〇 〇 1之源極區域或汲極區域連 接至資料訊號線（亦稱爲源極訊號線）1 〇 〇 3 ,以輸入 類比或數位視頻訊號，而另一連接至EL驅動TFT 1 0 0 4之閘電極。 E L驅動TF T 1 〇 〇 4之源極區域或汲極區域連接 至電源線1 0 0 5，而另一連接至E L元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 EL元件1 006包含一陽極，一陰極，和提供在陽 極和陰極間之EL層。依照本g明，在陽極爲圖素電極和 陰極爲相反電極之例中，EL驅動TFT1〇〇4之源極 區域或汲極區域連接至E L元件1 〇 〇 6之陽極。相反的 ，在陽極爲相反電極和陰極爲圖素電極之例中，EL驅動 T F T1 〇 ·〇 4之源極區域或汲極區域連接至E L元件 1006之陰極。關於EL驅動TFT1004方面，可 使用η通道型TFT或p通道型TFT。但是，在EL元 件1 0 0 6之陽極爲圖素電極和陰極爲相反電極之例中， EL驅動TFT1 004最好爲p通道型TFT。再者， 相反的，在E L元件1 0 〇 6之陽極爲相反電極和陰極爲 圖素電極之例中，EL驅動TFT1〇〇4最好爲η通道 型丁FT。在圖17Α中，使用ρ通道型TFT當成EL 驅動TFT1004。EL元件1006之陰極連接至固 定電源1 0 0 7。
再者，一LDD區域可提供在EL驅動TFT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -80· 535454 A7 B7 五、發明說明（78 ) 1004之主動層中，和可形成一區域（Lov區域）， 其中L D D區域和閘電極經由閘極絕緣膜互相重疊。在 E L驅動TFT 1 〇 〇 4特別爲η通道型TFT之例中， L〇v區域形成在主動層之汲極區域側上，而結果是，可 增加啓動電流，和可進一步形成介於E L驅動T F T 1 0 0 4之閘電極和L 〇 v區域間之電容。
再者，在開關TFT1〇〇1設定在非選擇狀態（關 閉狀態）之例中，可提供電容以保持E L驅動T F T 1 0 0 4之閘極電壓。在提供電容之例中，電容連接在不 連接至源極訊號線之開關TFT 1 0 0 1之源極區域或汲 極區域側和電源線1 0 0 5間。在圖1 7 A所示之電路圖 中，電源線1 0 0 5安排與源極訊號線1 0 0 3平行。 爲了使用E L驅動TFT之L 〇 v區域當成一電容以 保持EL驅動TFT1004之閘極電壓，在圖素尺寸爲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 β m X 2 2 // m ,閘極絕緣膜之厚望爲8 0 0 A和閘極 絕緣膜之相關介電常數爲4 . 1之例中，需要約1 9 . 8 iF之電容値。結果，關於Lov區域之面積（LDD區 域和閘電極經由閘極絕緣膜互相重疊之面積），約需要 6 6 β m 2 〇 在圖1 8 A中，開關T F T 1 0 0 1 a和開關T F T 1 00 1 b串聯連接。除了開關TFT1 0 0 1 a和開關 TFT1 00 lb外，此構造皆和圖17 A所不之構造相 同。藉由將開關T F T形成多閘極構造（一構造包括一主 動層具有兩或多個串聯連接之通道形成區域），可降低關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ' -81 - 535454 A7 B7 五、發明說明（79 ) 閉電流。在圖1 8 A中，採用雙閘極構造。但是，第七實 施例並不限於雙閘極構造，其亦可使用任何多閘極構造。 此外，雖然未顯示，在E L驅動T F 丁形成多閘極構 造之例中，可抑制由熱對EL驅動TFT之破壞。 其次，圖1 7 B顯示依照本發明之電路圖之另一例。 在圖17B中，開關TFT1101提供在圖素1100 中。在本發明中，關於開關TFT1101方面，可使用 η通道型TFT或p通道型TFT。在圖17B中，使用 η通道型TFT當成開關TFT1 101。開關TFT 1 1 0 1之閘電極連接至閘極訊號線1 1 0 2 ,以輸入一 閘極訊號。開關TFT 1 1 0 1之源極區域或汲極區域連 接至數位資料訊號線（亦稱爲源極訊號線）1 1 0 3 ,以 輸入類比或數位視頻訊號，而另一連接至E L驅動T F T 1 1 0 4之閘電極。 而後，E L驅動TFT 1 1 〇 4之源極區域或汲極區 域連接至電源線1 1 0 5 ,而另一連接至E L元件 110 6° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 EL元件1 106包含一陽極，一陰極，和提供在正 層和負層間之EL層。依照本發明，在陽極爲圖素電極和 陰極爲相反電極之例中，EL驅動TFT1104之源極 區域或汲極區域連接至E L元件1 1 〇 6之陽極。相反的 ，在陽極爲相反電極和陰極爲圖素電極之例中，EL驅動 TFT1 104之源極區域或汲極區域連接至EL元件 1106之陰極。關於EL驅動TFT1104方面，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -82- 535454 A7 B7 五、發明說明（80 ) 使用η通道型TFT或p通道型丁FT。但是，在EL元 件1 1 0 6之陽極爲圖素電極和陰極爲相反電極之例中， EL驅動TFT1 1 〇4最好爲P通道型TFT。再者， 相反的，在E L元件1 1 〇 6之陽極爲相反電極和陰極爲 圖素電極之例中，EL驅動TFT1104最好爲η通道 型TFT。在圖17Β中，使用ρ通道型TFT當成EL 驅動TFT 1 1 04。EL元件1 1 06之陰極連接至固 定電源1 1 0 7。 再者，一LDD區域可提供在EL驅動TFT 1104之主動層中，因此可形成一區域（Lov區域） ，其中L D D區域和閘電極經由閘極絕緣膜互相重疊。在 EL驅動TFT11〇4特別爲η通道型TFT之例中， 藉由形成L 〇 v區域在主動層之汲極區域側上，可增加啓 動電流。再者，可在介於E L驅動T F 丁 1 1 0 4之閘電 極和L 〇 v區域間形成電容。 再者，在開關T F T 1 1 0 1設定在非選擇狀態（關 閉狀態）之例中，可提供電容以保持E L驅動T F T 1 1 0 4之閘極電壓。在提供電容之例中，電容連接在不 連接至源極訊號線之開關T F T 1 1 0 1之源極區域或汲 極區域側和電源線1 1 0 5間。在圖1 7 B所示之電路圖 中，電源線1 1 0 5安排與閘極訊號線1 1 〇 2平行。 在圖1 7B所示之電路圖中，開關TFT1 1 0 1或 EL驅動TFT 1 104皆可形成多閘極構造。圖18B 顯示一圖素之電路圖，其中圖17B所示之圖素之開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 -83 - (請先閱讀背面之注意事項再填頁) · --線- 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 535454 A7 B7 五、發明說明（81 ) T F T 1 1 〇 1形成多閘極構造。 開關TFT1 10 1 a和開關TFT1 10 lb串聯 連接。除了開關TFT1 1 0 1 a和開關TFT 1 1 0 1 b外，此構造皆和圖1 7B所示之構造相同。藉 由將開關T F T形成多閘極構造，可降低關閉電流。在圖 18A中，採用雙閘極構造。但是，此實施例並不限於雙 閘極構造，其亦可使用任何多閘極構造° 此外，雖然未顯示，在E L驅動T F T形成多閘極構 造之例中，可抑制由熱對EL驅動TFT之破壞。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 圖1 9 A爲依照本發明之圖素之電路圖之另一例。在 圖19A中，圖素1200和圖素1210互相相鄰的提 供。在圖1 9A中，參考數字1 20 1和1 2 1 1表示開 關TFT。在本發明中，關於開關TFT1 201和 1211方面，可使用η通道型TFT或p通道型TFT 。在圖19A中，使用η通道型TFT當成開關丁FT 1 2 0 1 和 1 2 1 1。開關 T F T 1 2 0 1 和 1 2 1 1 之 閘電極連接至閘極訊號線1 2 0 1，以輸入一閘極訊號。 開關TFT之源極區域或汲極區域連接至資料訊號線（亦 稱爲源極訊號線），以輸入類比1 2 0 3或數位視頻訊號 1204,而另一連接至EL驅動TFT1204或 1 2 1 4之閘電極。 EL驅動TFT1204和1214之源極區域或汲 極區域連接至電源線1 2 2 0，而另一連接至E L元件 1 20 5或1 2 1 5。以此方式，在第七實施例中，兩相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公" -84- 535454 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（82 ) 鄰圖素共用一電源線1 220。結果，相較於圖1 7A至 1 8 B之構造，可減少電源線之數目。當相關於整體圖素 部份之接線較小時，可抑制在接線提供在E L層發光方向 之例中由接線所遮蔽之光。 EL元件1 205和1 2 1 5包含一陽極，一陰極， 和提供在陽極和陰極間之E L層。依照本發明，在陽極爲 圖素電極和陰極爲相反電極之例中，EL驅動TFT 1 2 0 4和1 2 1 4之源極區域或汲極區域連接至E L元 件1 2 0 5和1 2 1 5之陽極。相反的，在陽極爲相反電 極和陰極爲圖素電極之例中，EL驅動TFT1204和 1 2 1 4之源極區域或汲極區域連接至E L元件1 2 0 5 和1 2 1 5之陰極。關於EL驅動TFT1 204和 1 2 1 4方面，可使用η通道型TFT或p通道型TFT 。但是，在EL元件1205和1215之陽極爲圖素電 極和陰極爲相反電極之例中，EL驅動TFT1204和 1 2 1 4最好爲p通道型TFT。再者，相反的，在EL 元件1 2 0 5和1 2 1 5之陽極爲相反電極和陰極爲圖素 電極之例中，EL驅動丁FT1204和1214最好爲 η通道型TFT。在圖19A中，使用p通道型TFT當 成EL驅動TFT1204和1214。EL元件 1 20 5和1 2 1 5之陰極連接至固定電源1 206和 12 16° 再者，一LDD區域可提供在EL驅動TFT 1 2 0 4和1 2 14之主動層中，和可形成一區域（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ϋ i-i 1_1 ϋ · 1 1· ·1 ϋ n ϋ I H ϋ ϋ «I 1 1 )δ4β ϋ 1 i_i ·1 ϋ · 線丨«- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -85- 535454 A7 B7 五、發明說明（83 ) L 〇 v區域），其中L D D區域和閘電極經由閘極絕緣膜 互相重疊。在61_驅動丁？丁1 2 04特別爲11通道型 TFT之例中，藉由形成Lov區域在主動層之汲極區域 側上，可增加啓動電流，和可進一步在介於E L驅動 TFT 1 2 0 4之閘電極和L 〇 v區域間形成電容。 再者，在開關T F 丁 1 2 0 1和1 2 1 1設定在非選 擇狀態（關閉狀態）之例中，可提供電容以保持E L驅動 TFT 1 2 0 4和1 2 1 4之閘極電壓。在提供電容之例 中，電容連接在不連接至源極訊號線之開關TFT 1 2 0 1和1 2 1 1之源極區域或汲極區域側和電源線 1 2 2 0 間。 在圖1 9 A所不之電路圖中，開關TFT 1 2 0 1和 1 2 1 1或EL驅動TFT1 2 04和1 2 1 4皆可形成 多閘極構造。.圖2 0 A顯示一圖素之電路圖，其中開關 TFT1201和1211形成圖19A所示之圖素之多 閘極構造。 開關TFT1 20 1 a和開關TFT1 20 1 b串聯 連接。再者，開關T F T 1 2 1 1 a和開關T F T 1 2 1 1 b串聯連接的提供。除了開關TFT1 2 0 1 a 和開關TFT1201b,和開關TFT1211a和 1 2 1 1 b外，此構造皆和圖1 9 A所示之構造相同。藉 由將開關T F T形成多閘極構造，可降低關閉電流。在圖 20A中，採用雙閘極構造。但是，第七實施例並不限於 雙閘極構造，其亦可使用任何多閘極構造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 再 填 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -86 - 535454 A7 B7 五、發明說明（84 ) 此外，雖然未顯示，在E L驅動T F T形成多閘極構 造之例中，可抑制由熱對EL驅動TFT之破壞。 圖1 9 B爲依照本發明之圖素之電路圖之另一例。在 圖19B中，圖素1300和圖素1310互相相鄰的提 供。在圖19B中，參考數字1301和1311表示開 關TFT。在本發明中，關於開關TFT1 301和 1 3 1 1方面，可使用η通道型TFT或p通道型TFT 。在圖19B中，使用η通道型TF丁當成開關TFT 1301 和 1311。開關 TFT1301 和 1311 之 閘電極連接至閘極訊號線1 3 0 2和1 3 1 2 ,以分別輸 入一閘極訊號。開關T F T 1 3 0 1和1 3 1 1之源極區 域或汲極區域連接至資料訊號線1 3 0 3 (亦稱爲源極訊 號線），以輸入類比或數位視頻訊號，而另一連接至 E L驅動丁 F T 1 3 0 4或1 3 1 4之閘電極。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 EL驅動TFT1 3 0 4和1 3 1 4之源極區域或汲 極區域連接至電源線1 3 2 0 ,而另一連接至E L元件 1 305或1 3 1 5。以此方式，在第七實施例中，兩相 鄰圖素共用一電源線1320。結果，相較於圖17A至 1 8 B之構造，可減少電源線之數目。當相關於整體圖素 部份之接線比例較小時，可抑制在接線提供在E L層發光 方向之例中由接線所遮蔽之光。而後，在圖2 0 B所示之 電路圖中，電源線1 3 2 0平行於閘極訊號線1 3 0 2和 0 3 12° EL元件1305和1315包含一陽極，一陰極， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -87- 535454 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（85 ) 和提供在陽極和陰極間之E L層。依照本發明，在陽極爲 圖素電極和陰極爲相反電極之例中，EL驅動 TFT 1 3 0 4和1 3 1 4之源極區域或汲極區域連接至 EL元件1 3 0 5和1 3 1 5之陽極。相反的，在陽極爲 相反電極和陰極爲圖素電極之例中，EL驅動TFT 1 3 0 4和1 3 1 4之源極區域或汲極區域連接至E L元 件1305和1315之陰極。關於EL驅動TFT 1304和1314方面，可使用η通道型TFT或p通 道型TFT。但是，在EL元件1 305和1 3 1 5之陽 極爲圖素電極和陰極爲相反電極之例中，EL驅動TFT 1304和1314最好爲p通道型TFT。再者，相反 的，在EL元件1305和1315之陽極爲相反電極和 陰極爲圖素電極之例中，EL驅動TFT1304和 1314最奸爲η通道型TFT。在圖19B中，使用p 通道型TFT當成EL驅動TFT1 3 04和1 3 1 4, 因此，EL元件1305和1315之陰極連接至固定電 源 1 3 0 6 和 1 3 1 6。 再者，一LDD區域可提供在EL驅動TFT 1304和1314之主動層中，因此可形成一區域（ L 〇 v區域），其中L D D區域和閘電極經由閘極絕緣膜 互相重疊。在EL驅動TFT1304和1314特別爲 η通道型TFT之例中，藉由形成Lov區域在主動層之 汲極區域側上，可增加啓動電流，和可進一步在介於E L 驅動T F T 1 3 0 4和1 3 1 4之閘電極和L ο v區域間 {請先閱讀背面之注意事項再填 I本Ϊ · 線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -88· A7 535454 ____B7__ 五、發明說明（86 ) 形成電容。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，在開關TFT1 30 1和1 3 1 1設定在非選 擇狀態（關閉狀態）之例中，可提供電容以保持E L驅動 T F T 1 3 0 4和1 3 1 4之閘極電壓。在提供電容之例 中，電容連接在連接至源極訊號線之源極區域或汲極區域 側和電源線1 3 2 0間。 在圖19B所示之電路圖中，開關TFT1301和 1 3 1 1或EL驅動TFT1 304和1 3 1 4皆可形成 多閘極構造。圖20B顯示一圖素之電路圖，其中開關 TFT1 30 1和1 3 1 1形成圖1 9B所示之圖素之多 閘極構造。 開關TFT 1 30 1 a和開關TFT 1 30 lb串聯 連接。再者，開關T F T 1 3 1 1 a和開關T F T 1 3 1 l b串聯連接的提供。除了開關Τ F Τ 1 3 0 1 a 和開關T F 丁 1 3 0 1 b ,和開關T F T 1 3 1 1 a和 1 3 1 1 b外，此構造皆和圖1 9 B所示之構造相同。藉 由將開關T F T形成多閘極構造，可降低關閉電流。在圖 2 0 B中，採用雙閘極構造。但是，第七實施例並不限於 雙閘極構造，其亦可使用任何多閘極構造° 此外，雖然未顯示，在EL驅動TFT形成多閘極構 造之例中，可抑制由熱對EL驅動TFT之破壞。 在第七實施例中，一電阻可提供在EL驅動TFT之 汲極區域和E L元件（圖素電極）間。藉由提供此電阻， 可控制從E L驅動T F T供應至E L元件之電流量，因此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -89- A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 535454 五、發明說明（87 ) ，可防止對EL驅動TFT之不一致之影響。此電阻可爲 展現比E L驅動T F T之啓動電阻更充分大電阻値之元件 ，因此，對構造上並無任何限制。啓動電阻爲將TFT之 汲極電壓除以T F T啓動時流動之汲極電流而獲得之値。 關於電阻之電阻値方面，電阻値可選自1 kD至5 ΟΜΩ之 範圍（較佳的爲lOkD至10ΜΩ,且最佳爲5 0 1ίΩ至 1ΜΩ)。當使用具有高電阻値之半導體層當成電阻時， 其型成較佳且較爲容易。 第七實施例所示之構造可自由結合第一，三，四，五 ，或六實施例而實際實施。 〔第八實施例〕 本發明之操作不限於有機EL材料，而亦可使用無機 E L材料。由於現今之無機E L材料具有非常高的驅動電 壓，所使用之TFT必須具有可抵抗此驅動電壓之抗壓特 性。 如果未來發展出具有較低驅動電壓之無機E L材料， 其亦可使用於本發明。 此實施例所示之構造可自由結合第一至第七實施例之 任一實施例而實際實施。 〔第九實施例〕 在本實施例中，使用當成EL層之有機e^材料可爲 低分子有機材料或聚合物（高分子）有機材料。關於低分
-90- 535454 A7 B7 五、發明說明（88 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 子有機材料方面，該低分子有機材料包括A 1 Q3 (8 -羥 基啫啉銘）和T P D (三苯胺衍生物）。關於聚合物有機 材料方面，其可爲δ配合聚合物材料。該聚合物有機材料包 括PPV (聚對位苯撐乙烯撐），或PVK。 聚合物（高分子）有機材料可以簡單的薄膜形成方法 ，如旋轉塗覆法（其亦稱爲溶液應用法），散佈法，印刷 法，噴墨法等。相較於低分子有機材料，聚合物有機材料 具有較高的耐熱性。 再者，在安裝在依照本發明之EL顯示器中之ELS 件之EL層具有電子傳送層和正電洞傳送層之例中，電子 傳送層和電洞傳送層可由例如以非晶矽或非晶S i 1 — X C X 等製成之非晶半導體之無機材料形成。 在此非晶半導體中，呈現大量的陷捕位準，且同時， 此非晶半導體在非晶半導體接觸其它層之介面上形成大量 的介面位準。結果，EL元件可以低電壓發光，且同時， 可嘗試提供更高的照明。 此外，一摻雜劑（雜質）添加至有機E L層，和可改 變有機EL層之發光顏色。此摻雜劑包括DCM1,尼羅 紅，lubren,香豆素 6，T P B 和 quinaquelidon。 第九實施例所示之構造可自由結合第一至第七實施例 之任一實施例而實際實施。 〔第十實施例〕 以下參考圖1至2 B說明依照本發明之E L顯示器之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 再 填 頁 訂 線 -91 - 535454 A7 B7 五、發明說明（89 ) 另一驅動方法。於此說明之例爲2 11灰階全彩顯示器以η位 元數位驅動方法提供之例。於此，其時間圖和實施例中所 示之例相同。以下參考圖3。 在圖素部份10 1上，多數圖素10 4以矩陣狀態安 排。圖2Α爲圖素1〇4之擴大圖。在圖2Α中，參考數 字1 0 5表示一開關TFT。開關丁 FT之閘電極連接至 閘極訊號線1 〇 6以輸入閘極訊號。開關T F T 1 0 5之 源極區域和汲極區域之一連接至源極訊號線1 0 7以輸入 數位資料訊號，而另一則連接至EL驅動TFT108之 閘電極和分別安裝在每一圖素中之電容1 1 3。 此外，EL驅動TFT 10 8之源極區域和汲極區域 之一連接至電源線1 1 1，而另一連接至EL元件1 1 0 。電源線1 1 1連接至電容1 1 3。當開關TFT 1 05 在非選擇模式（關閉狀態）時，電容1 1 3提供以保持 EL驅動TFT1 0 8之閘極電壓。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填Hi頁) EL元件11〇包含一陽極和一陰極，和提供在陽極 和陰極間之EL層。在陽極連接至EL驅動TFT1 10 之源極區域和汲極區域之一之例中，陽極爲圖素電極，而 陰極爲保持在固定電位之相反電極。相反的，在陰極連接 至E L驅動T F T 1 1 0之源極區域和汲極區域之一之例 中，陰極爲圖素電極，而陽極爲保持在固定電位之相反電 極。 電源線1 1 1保持在一固定電位。 亦可提供一電阻在EL驅動TFT 1 0 8之源極區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -92 - 535454 A7 B7 五、發明說明（90 ) 和汲極區域之一和E L元件1 1 〇間。藉由提供此一電阻 ，可控制從E L驅動T F T至E L元件之電流供應量，藉 以防止E L驅動TF T之特性之不一致之影響。由於電阻 可爲展現比E L驅動TFT 1 〇 8之啓動電阻之電阻値更 充分大之電阻之元件，因此，其構造並無任何限制。啓動 電阻之電阻値爲將T F T之汲極電壓除以當T F T啓動時 所流動之汲極電流而獲得之値。電阻之電阻値可選自1 k Ω 至5 0ΜΩ之範圍（較佳的爲1 〇 ΙςΩ至1 〇ΜΩ,且最佳 爲5 0 kQ至1ΜΩ)。當使用具有高電阻値之半導體層當 成電阻時，此種形成是較輕易且是較佳的。 圖2 B爲在依照本發明之EL顯示器中之圖素部份之 構造。閘極訊號線（G 1至Gn )連接至安裝在每一圖素 中之開關T F T之閘電極。安裝在每一圖素中之開關 T F T之源極區域或汲極區域之一連接至源極訊號線（ S1至Sn),而另一連接至EL驅動TFT之閘電極和 電容。再者，EL驅動TFT之源極區域或汲極區域之一 連接至電源線（VI至Vn),而另一連接至安裝在每一 圖素中之E L元件。電源線（V 1至V η )亦連接至安裝 在每一圖素中之電谷。 圖3爲圖2Α所示之EL顯示器之時間圖。首先，一 框週期（F)分成η個副框週期（SF1至SFn)。在 圖素部份中之所有圖素顯示一影像之週期視爲一框週期。 在依照本發明之E L顯示器中，較佳的是，在一秒中提供 1 2 0或更多的框週期，因此，最後在一秒內顯示6 0或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） <請先閱讀背面之注意事項再填^^頁) 訂· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •93- 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（91 ) 更多的影像。 當在一秒中顯示之影像數目變成1 2 0或更少時，影 像之閃爍相當明顯。 一框週期進一步分成多數週期之週期視爲副框週期。 以灰階位準數目之增加，一框週期之分割數目亦增加，且 驅動電路需以高頻驅動。 一副框週期分成位址週期（Ta )和維持週期（Ts )。位址週期乃是需用以輸入資料至所有圖素之時間，和 維持週期（其亦視爲一發光週期）乃是提供在一副框週期 中之顯示之週期。 在η個副框（SF 1至SFn)中之位址週期（
Ta 1至Ta η)之長度相同。在副框週期SF1至 SFn中之維持週期（Ts)分別設定爲Ts 1至Ts n 〇 維持週期之長度設定爲使Ts 1 : Ts 2 : Ts 3 : ...：T s (η— 1) ： T s (η)=20: 2_1: 2— 2: …：2 — ( 11 — 2 ) : 2 — ( 11 — 1 )。但是，副框週期S F 1至 S F η允許呈現之級數可爲任一級數。以此維持週期之結 合，可在2 11灰階位準外提供所須的灰階顯示。 首先，在位址週期中，電源線（VI至Vn)保持在 與固定電位具有相同高度之電源電位。在此說明書中，在 數位驅動位址週期中之電源電位視爲一關閉電源電位。値 得注意的是，關閉電源電位之高度必須爲在E L元件不發 光之範疇內之電源電位在相同的高度上。此時之E L驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I I I I 一"1« — — — — — — I— I — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — •94- 535454 Α7 _ Β7 五、發明說明（92 ) 電壓視爲關閉E L驅動電壓。所需的是關閉E L驅動電壓 爲0V,但是此電壓亦可爲不使EL元件發光之位準.。 而後，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 1，因此，具有 閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關丁 F T皆啓動。 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關 T F T皆啓動之狀態下，數位資料訊號同時輸入至所有源 極訊號線（S 1至S η )。數位資料訊號具有” 〇 ”或，，1 ”之 資訊，且” 0 ”或” 1 ”之數位資料訊號視爲具有高電壓或低電 壓之訊號。而後，輸入至源極訊號線之數位資料訊號（ S 1至S η )經由在啓動狀態之開關T F Τ輸入至E L驅 動T F Τ之閘電極。再者，數位資料訊號輸入電容且於此 受到保持。 其次，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 2 ,和具有閘電 極連接至閘極訊號線G 2之開關T F Τ皆啓動。而後，在 具有閘電極連接至閘極訊號線G 2之開關T F Τ皆啓動之 狀態下，數位資料訊號依序輸入至所有源極訊號線（S 1 至S η )。輸入至源極訊號線之數位資料訊號（S 1至 Sn)經由開關丁FT輸入至EL驅動TFT之閘電極。 再者，數位資料訊號輸入至電容且受到保持。 重複上述之操作，且數位資料訊號輸入至所有圖素。 數位資料訊號輸入至所有圖素之週期爲一位址週期。 當完成一位址週期時，維持週期同時開始。當維持週 期開始時，電源線（V 1至V η )之電位從關閉電源電位 改變至啓動電源電位。在此說明書中，在數位驅動之例中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再 '衣___ 本頁) 訂---------综 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -QR . 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（93 ) ，在維持週期中之電源電位視爲啓動固定電位。啓動固定 電位和電源電位間之電位差異必須爲使E L元件發光之程 度。此電位差異視爲啓動E L驅動電位。 而後，開關TFT關閉，且保持在電容中之數位資料 訊號輸入至E L驅動T F T之閘電極。 在第十實施例中，在數位資料之資訊爲”0”之例中， EL驅動TFT關閉。因此，EL元件之圖素電極保持在 關閉電源位準。結果，安裝在應用具有” 0 ”資訊之數位資料 訊號之圖素中之E L元件不發光。 另一方面，在數位資料之資訊爲”1”之例中，EL驅動 TFT啓動，因此，電源電位提供至EL元件之圖素電極 。結果，安裝在應用具有” 1 ”資訊之數位資料訊號之圖素中 之E L元件發光。 所有開關T F T在關閉狀態之週期爲維持週期。 E L元件允許發光（圖素點亮）之週期爲在T s 1至 Tsη之任何週期。於此，假設在Tsη週期中，一預定 圖素發光。 其次，再度呈現位址週期，且在資料訊號輸入至所有 圖素後，出現維持週期。此時，出現之任一週期Ts 1至 Ts (η—1)變成維持週期。在Ts (η—1)週期中 ，一預定圖素允許發光。 而後，在剩餘η — 2個副框中重複相似的操作，且維 持週期 Ts (n — 2)，Ts (η — 3) , ...Tsl — 個 一個出現，和預定圖素允許在對應副框中發光。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) .. i線. -96- 535454 A7 _______ B7 五、發明說明（94 ) (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) 當出現第η個副框週期時，一框週期完成。此時，總 和圖素在一框週期中發光之維持週期，亦即，剛好在具有 資訊” 1之數位資料訊號應用至圖素之位址週期後之維持週 期之長度，可決定圖素之灰階位準。例如，在η = 8之例 中，當在所有維持週期中發光之圖素之照度設定爲1〇〇 %時，則在丁 s 1和T s 2中發光之圖素之例中，表示之 照度爲75 %。而當選擇Ts3,Ts5,和Ts8之 例中，則呈現之照度爲1 6 %。 --線· 當一框週期完成時，在啓動電源電位上之高度改變， 因此，啓動EL驅動電壓之極性相反，其在固定電位和啓 動電源電位間之差異在次一框週期變成互相相反。而後， 以和先前框週期相同的方式，進行操作。但是，在框週期 中之啓動E L驅動電壓具有和在先前框週期中之啓動E L 驅動電壓棺反的極性，因此，所有的E L元件不發光。在 本說明書中，E L元件顯示影像之框週期視爲顯示框週期 。此外，相反的，所有EL元件不發光且影像不顯示之框 週期視爲非顯示框週期。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 當完成非顯示框週期時，開始次一顯示框週期。而後 ，啓動EL驅動電壓改變成與在非顯示框週期中之啓動E L驅動電壓相反極性之電壓。 以此方式，影像藉由交替重複顯示框週期和非顯示框 週期而顯示。本發明具有上述之構造，因此，具有相反極 性之E L驅動電壓乃在每一確定週期應用至安裝在E乙元 件之EL層。因此，可改善對EL元件之電流一電壓特性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -97- 535454 A7 B7 五、發明說明（95 ) 之破壞 件之尋 再 期中顯 因 頻率爲 率之兩 框週期 止由交 第 而實際 ，而結 命。 者，如 示之例 此，依 在直流 倍或更 ，和顯 流電流 十實施 實施。 果是，相較於習知驅動方法，可延長EL元 上所述，在影像以交流電流驅動在每一框週 中，對觀看者之眼睛而言會產生閃爍。 照本發明，EL顯示器以交流電流驅動，其 電流驅動中對於觀看者眼睛不產生閃爍之頻 高。換言之，在一秒中提供1 2 0或更多的 示6 0或更多的影像。在上述構造中，可防 驅動而造成之閃爍。 例所示之構造可自由結合第二至第九實施例 清 先 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 〔第十一實施例〕 在以交流電流驅動之數位型式提供之劃時灰階顯示器 之例中，啓動E L驅動電壓對每一副框週期改變至相反極 性。在第十一實施例中，說明與第一實施例不同之例。於 此說明之例爲2 n灰階全彩劃時灰階顯示器以η位元數位驅 動方法提供之例。 在第十一實施例中之E L顯示器之圖素部份之構造和 圖2 Β所示之構造相同。閘極訊號線（G 1至G η )連接 至安裝在每一圖素中之開關T F Τ之閘電極。安裝在每一 圖素中之開關T F Τ之源極區域或汲極區域之一連接至源 極訊號線（S1至Sn),而另一連接至EL驅動TFT 之閘電極和電容。再者，E L驅動T F T之源極區域或汲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -98 - 535454 A7 B7 五、發明說明（96 ) (請先閱讀背面之注意事項再填|^頁) 極區域之一連接至電源線（VI至Vn),而另一連接至 安裝在每一圖素中之EL元件。電源線（V 1至Vn)亦 連接至安裝在每一圖素中之電容。 圖5爲第十一實施例中之驅動方法之時間圖。首先， 一框週期分成η個副框週期（SF1至SFn)。在圖素 部份中之所有圖素顯示一影像之週期視爲一框週期。 一副框週期分成位址週期（Ta )和維持週期（Ts )。位址週期乃是在一副框週期中需用以輸入資料至所有 圖素之時間，和維持週期（其亦視爲一發光週期）乃是 E L元件在一副框週期中發光之週期。 在η個副框週期（SF 1至SFn)中之位址週期（ Ta 1至Ta η)之長度相同。在副框週期SF 1至 SFn中之維持週期（Ts)分別設定爲Ts 1至Tsn 〇 •線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 維持週期之長度設定爲使Tsl: Ts2: Ts3 :…：Ts(n-l): Ts(n) = 2G: 2·1: 2·2:…：2·(η·2): 2·<η·"。但是，副框週期 S F 1 至S F η允許呈現之級數可爲任一級數。以此維持週期之 結合，可在2 11灰階位準外提供所須的灰階顯示。 首先，電源線（V 1至Vn )保持在關閉電源電位。 而後，閘極訊號輸入至閘極訊號線G 1 ,因此，具有閘電 極連接至閘極訊號線G 1之所有開關T F T皆啓動。 而後，在具有閘電極連接至閘極訊號線G 1之開關 T F T皆啓動之狀態下，數位資料訊號依序輸入至所有源 極訊號線（S1至Sn)。而後，輸入至源極訊號線之數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -99- 535454 A7 B7 五、發明說明（97 ) 位資料訊號（S 1至S η )經由在啓動狀態之開關T F T 輸入至E L驅動T F Τ之閘電極。再者，數位資料訊號亦 輸入至電容且於此受到保持。 重複上述之操作，且數位資料訊號輸入至所有圖素。 數位資料訊號輸入至所有圖素之週期爲一位址週期。 當完成一位址週期時，維持週期同時開始。當維持週 期開始時，電源線（V 1至vn )之電位從關閉電源電位 改變至啓動電源電位。而後，開關TFT關閉，且保持在 電容中之數位資料訊號輸入至E L驅動T F T之閘電極。 在第十一實施例中，介於啓動電源電位和固定電位間 之差異之啓動E L驅動電壓之極性藉由改變啓動固定電位 之高度而對於每一副框週期互相相反。結果，藉由對每一 副框週期設定啓動E L驅動電壓之極性爲相反，E L顯示 可重複顯示和非顯示。提供有顯示之副框週期視爲顯示副 框週期，而不提供顯示之副框週期視爲非顯示副框週期。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 例如，在第一框週期，假設第一副框週期爲顯示週期 ，第二副框週期爲非顯示週期，和第三副框週期再度變成 顯示週期。而後，當出現所有副框週期，且完成第一框週 期時，開始第二框週期。在第二框週期中之第一副框週期 中，由於和應用至在第一框週期中之第一副框週期中之 E L元件之E L驅動電壓相反型性之E L驅動電壓乃應用 至E L元件之E L層，非顯示週期開始。而後，次一第二 副框週期變成一顯示週期，和每一副框週期交替的提供顯 示週期和非顯示週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -100- 535454 A7 B7 五、發明說明（98 ) 在此說明書中，在藉由設定EL驅動電壓之極性爲相 反而改變顯示和非顯示時，提供有顯示之週期視爲顯示週 期。相反的，未提供有顯示之週期則視爲非顯示週期。結 果，在此說明書中，顯示框週期和顯示副框週期皆視爲顯 示週期。再者，相反的，非顯示框週期和非顯示副框週期 皆視爲非顯示週期。 在第十一實施例中，在數位資料之資訊爲” 〇 ”之例中， EL驅動TFT關閉。因此，EL元件之圖素電極保持在 關閉電源電位。結果，安裝在應用具有”〇”資訊之數位資料 訊號之圖素中之E L元件不發光。 另一方面，在數位資料之資訊爲”1”之例中，EL驅動 TFT啓動，因此，電源電位提供至EL元件之圖素電極 。結果，安裝在應用具有”1”資訊之數位資料訊號之圖素中 之E L元件發光。 所有開關T F T在關閉狀態之週期爲維持週期。 E L元件在T s 1至T s η之任何週期中允許發光。 於此，假設在Ts η週期中，一預定圖素發光。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 其次，再度呈現位址週期，且在數位資料訊號輸入至 所有圖素後，出現維持週期。此時，任一週期T s 1至 Ts (η—1)變成維持週期。在Ts (η—1)週期時 ，一預定圖素允許發光。 而後，在剩餘η - 2個副框中重複相似的操作，且維 持週期 Ts (η — 2)，Ts (η-3),…Tsl —個 一個出現，和預定圖素允許在對應副框中發光。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -101 - 535454 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（99 ) 以此方式，在相關於每一副框具有相反極性之E L驅 動電壓在以交流電流驅動時應甩至在劃時灰階顯示器之 EL元件之例中，一灰階顯示提供在兩框週期中。此時， 藉由總和圖素在兩相鄰框週期中發光之維持週期之長度， .亦即，剛好在具有資訊” 1之數位資料訊號應用至圖素之位 址週期後之維持週期之長度，可決定圖素之灰階位準。例 如，在η=8之例中，當在所有維持週期中發光之圖素之 照度設定爲1 00 %時，則在Ts 1和Ts 2中發光之 圖素之例中，表示之照度爲75 %。而當選擇Ts 3, T s 5，和T s 8之例中，則呈現之照度爲1 6 %。 本發明具有上述之構造，因此，具有相反電壓之EL 驅動電壓乃在每一副框週期應用至安裝在E L元件中之 E L層。因此，可改善對E L元件之電流一電壓特性之破 壞，而結果是，相較於習知驅動方法，可延長EL元件之 壽命° 在第十一實施例中，對於在實施例中所示之每一框週 期，相較於以交流電流驅動之數位型式E L顯示器而言， 於此可獲得難以發生閃爍之效果。 第十一實施例所示之構造可自由結合第二至第九實施 例而實際實施。 〔第十二實施例〕 藉由實施本發明而製造之E L顯示裝置（E L模組） 相較於液晶顯示裝置，可自我發光且在明亮度上更具優良 (請先閱讀背面之注意事項再填 襄·！ 訂· --線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -102- 五、發明說明（100) 可見度。因此，本發明之 顯示器之顯示單元（安裝 示器之範例可包括個人電 廣告顯示器之監視器等。
除了上述E L顯示器 包括有此顯示單元當成一 電子設備之例包括： 相機；頭戴型顯示器；車 訊終端機（如手提電腦， 記錄媒體之影像播放裝置 且可提供顯示這些影像之 或 DVD))。圖 14A 裝置可使用當成直接觀看型.E L 有EL模組之顯示器）。EL顯 腦之顯示器，T V接收顯示器， 外，本發明之裝置亦可使用當成 零件之各種電子設備之顯示器。 E L顯示器；視頻攝影機；數位 輛導航系統；個人電腦；手提資 行動電話，或電子書）；安裝有 (特別是，可執行記錄媒體播放 顯示器之裝置，如CD，LD， 至1 4 E爲這些電子設備之範例 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖14A爲一個人電腦，且包含一主體2001 ，一 殻2002，一 EL顯示部份2003，和一鍵盤 2004。本發明之EL顯示部份2003可使用於個人 電腦之顯示部份。 圖1 4B爲一視頻攝影機，且包含一主體2 1 0 1， 一 EL顯示裝置2102，一聲音輸入部份2 103，操 作開關2 1 0 4，一電池2 1 0 5，和一影像接收部份 2 1 06。本發明可使用當成EL顯示裝置2 1 0 2。 圖14C爲一頭戴型EL顯示器之一部份（右側）， 且包含一主體2301，一訊號纜線2302，一頭固定 帶2303，一顯示監視器2304，一光學系統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -103· 535454 A7 B7 五、發明說明（101 ) 2305，和一 EL顯示器2306。本發明之EL顯示 器2 3 0 6可使用當成E L顯示裝置之顯示部份。 (請先閱讀背面之注意事項再填3頁) 圖1 4 D爲一安裝有記錄媒體之圖像再生裝置（具體 而言，一DVD再生裝置），且包含一主體2401 ，一 記錄媒體（如CD，LD，或DVD) 2402，一操作 開關2403，一 EL顯示裝置（a) 2404，和一 EL顯示裝置（b) 2405。EL顯示裝置（a)主要 使用於顯示圖像資料，和EL顯示裝置（b)主要使用於 顯示文字資料。本發明可使用在E L顯示裝置（a )和 EL顯示裝置（b)。關於安裝有記錄媒體之圖像再生裝 置方面’具體的範例如應用本發明之CD再生裝置和遊戲 設備。 --線. 圖1 4 E爲一手提（行動）電腦，且包含一主體 2 5 0 1，一相機2 5 0 2，一圖像接收部份2 5 0 3， 操作開關2504，和一 EL顯示器2505。本發明之 E L顯示器2 5 0 5可使用於行動電腦之顯示部份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，如果未來E L材料可展現高照度時，本發明亦 可使用在前面型或背面型投影器中。 如上所述，本發明之可應用範圍極廣，且本發明可應 用至所有領域之電子設備。再者，此賓施例之電子設備亦 可藉由使用範例1至11之構成之任意結合而達成。 上述之構造使具有相反極性之E L驅動電壓可在每一 確定週期應用至EL元件。因此，可改善對EL元件之電 流-電壓特性之破壞，而結果是，相較於習知驅動方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -104- A7 535454 _— _B7__ 五、發明說明（102) 可延長E L元件之壽命。 再者，如上所述，在影像以交流電流驅動在每一框週 期中顯示之例中，對觀看者之眼睛而言會產生閃爍。 因此，依照本發明，EL顯示器以交流電流驅動，其 頻率爲在直流電流驅動中對於觀看者眼睛不產生閃爍之頻 率之兩倍或更高。換言之，在一秒中提供1 2 0或更多的 框週期，和顯示60或更多的影像。在上述構造中，可防 止由交流電流驅動而造成之閃爍。 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本買) - ! · ·ϋ _1 ϋ Mmmmm ϋ i-i ϋ I ϋ ϋ «ϋ ϋ ϋ ϋ H ϋ 1 11 ϋ 1 I n 1· law «ϋ n n I I i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •105-

Claims (1)

  1. 535454 第891199¾號專利 中文申請專利範圍j D8 觸案 民國91年3月呈
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 種電光學裝置，包含多數圖素，該圖素包括多 數E L元件，其特徵在於·· 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極；和 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異，和該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 2. —種電光學裝置，包含多數圖素，該圖素包括多 數E L元件，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示； 該多數EL元件包含第一電極和第二電極；和 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變， ·. 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 3. —種電光學裝置，包含多數圖素、該.裝置包括多 數E L元件，多數E L驅動T F T以控制多數E L元件之 發光，多數開關T F T以控制多數E L驅動T F T之驅動 ，其特徵在於： · 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 本^尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210/297公釐） ~Γ ： '~
    — (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .4 535454 A8 B8 C8 D8 •申請專利範圍 — ^ 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極；和· 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異，和該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 4· 一種電光學裝置，包含多數圖素，該裝置包括多 數E L元件，多數E L驅動T F T以控制多數E L元件之 發光，多數開關T F T以控制多數E L驅動T F T之驅動 ，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示.； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極；和 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 5·—種電光學裝置，包含多數圖素，該圖素包括多 數E L元件，其特徵在於： _ 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極·； 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 夤II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2- 535454 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一框週期反向之方式改變；和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 6. —種電光學裝置，包含多數圖素，該圖素包括多 數E L元件，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在包括在一框 週期中之多數副框週期外發光之副框週期之長度總和而提 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一子框週期反向之方式改變；和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 _ . 7. —種電光學裝置，包含多數圖素，該裝置包括多 數E L元件，多數E L驅動T F T以控制多數E L元件之 發光，多數開關T F T以控制多數E L驅動T F T之驅動 ，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元件在一框週期發 光之時間週期而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； — (請先聞讀背面之注意事項再填寫本買) 、11, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -3- 535454 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變；和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 8. —種電光學裝置，包含多數圖素，該裝置包括多 多數E L元件之 動T F T之驅動 件在包括在一框 之長度總和而提 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數E L元件，多數E L驅動T F 丁以控制 發光，多數開關T F T以控制多數E L驅 ，其特徵在於： 該電光學裝置藉由控制該多數E L元 週期中之多數副框週期外發光之副框週期 供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 5亥弟一*和弟—電極之電ίιι以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變；和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異。 . .9.一種電光學裝置，包含多數圖素，該裝置包括多 數E L元件，多數E L驅動T F 丁以控制多數E L元件之 發光，多數開關T F T以控制多數E L驅動丁 Τ T之驅動 ，其特徵在於： 4- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 535454 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 — _ D8_— '申請專利範圍 該電光學裝置提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極；和· 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 ^框週期反向之方式改變， 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異，和該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 1 0·—種電光學裝置，包含多數圖素，該裝置包括 多數E L元件，多數E L驅動T F T以控制多數E L元件 之發光，多數開關T F T以控制多數E L驅動T F T之驅 動，其特徵在於： 該電光學裝置藉由輸入一類比視頻訊號至該開關 T F T之源極區域而提供一灰階顯示； 該多數E L元件包含第一電極和第二電極； 該第一和第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對每 一框週期反向之方式改變；和 多數圖素之相鄰圖素共用一電源供應線以供應應用至 該第二電極之電壓， ’.. 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極之 電位差異，和該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小° 1 1 ·如申請專利範圍第3，.4，或7至1 〇項之電 光學裝置，其中該E L驅動丁 F Τ和該開關T F Τ包3 11 通道型TFT或ρ通道型TFT。 1 2 .如申請專利範圍第3、4或7至1 0項^電光 學裝置，其中該多數E L元件之發光以輸入至_關T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -5- --------------、訂------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 535454 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___D8 __ 、申請專利範圍 之數位資料訊號而控制。 1 3 ·如申請專利範圍第2、4至8 ’或1 0項之電光 學裝置，其中該一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小.。 1 4 ·如申請專利範圍第9或1 0項之電光學裝置， 其中安裝在該多數E L元件中之E L層包含一低分子有機 材料選自以A 1 Q 3 ( 8 -羥基喹啉鋁）和T P D (三苯 胺衍生物）所組成之群。 1 5 ·如申請專利範圍第9或1 0項之電光學裝置， 其中安裝在該多數E L元件中之E L層包含一聚合物有機 材料選自以P P V (聚對位苯撐乙烯撐），P V K，和聚 碳酸鹽所組成之群。 1 6 .如申請專利範圍第1至1 0項中任一項之電光 學裝置，其中該電光學裝置爲選自以視頻相機，數位相機 ，頭戴式顯示器，車輛導航系統，個人電腦，和D V D播 放器之群之一。 1 7 . —種數位相機，包含： 多數圖素，包括多數E L元件在一基底上，每一 E L 元件包含第一電極，第二電極，和一有機E L材料介於第 一和第二電極間， 其中一灰階顯示乃藉由控制多數E L元件在包括在一 框週期中之多數子框週期外發光之子框週期之長度總和而 提供， 其中第一或第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對 每一子框週期反向之方式改變，和 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 6- ——— .1 i I I —i i I - I»—------ 丁 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) .讀_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535454 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極間 之電位差異。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之數位相機，其中一 框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之數位相機，其中該 有機E L材料包含一低分子有機材料選自以a 1 q 3 ( 8 -羥基d奎啉鋁）和τ P D (三苯胺衍生物）所組成之群。 2 〇 .如申請專利範圍第1 7項之數位相機，其中該 有機E L材料包含一聚合物有機材料選自以p p v (聚對 位苯撐乙烯撐），P V K，和聚碳酸鹽所組成之群。 2 1 · —種車輛導航系統，包含·· 多數圖素，包括多數E L元件在一基底上，每一 e L 元件包含第一電極，第二電極，和一有機E L材料介於第 一和第二電極間， 其中一灰階顯示乃藉由控制多數E L元件在包括在一 框週期中之多數子框週期外發光之子框週期之長度總和而 提供， 其中第一或第一電.極之電位以E L驅動電壓之極性雙寸 每一子框週期反向之方式改變，和 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極間 之電位差異。 2 2 ·如申§靑專利範圍弟2 1項之車輛導航系統，t 中一框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 - 2 3 .如申請專利範圍第2 1項之車輛導航系統，其： 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 771 : --— I-------------IT------Aw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 535454 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 中該有機E L材料包含一低分子有機材料選自以a 1 Q 3 (8 -羥基_啉鋁）·和T P D (三苯胺衍生物）所組成之 群。 2 4 .如 中該有機E L 聚對位苯撐乙 申請專利範圍第2 1項之車輛導航系統，其 材料包含一聚合物有機材料選自以p p v ( 烯撐）’ p. v κ，和聚碳酸鹽所組成之群。 種個人電腦，包含： 多數圖素，包括多數E L元件在一基底上，每一 E L 元件包含第 電極，第二電極，和一有機E L材料介於第 和第二電極間， 中一灰階顯不乃藉由控制多數E L元件在包括在一 中之多數子框週期外發光之子框週期之長度總和而 其 框週期 提供， 其 每一子 其 之電位 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 框週期 2 有機E -羥基 2 有機E 中第一 框週期 中該E 差異。 6 ·如 爲1 / 7 .如 L材料 嗤啉鋁 8 ·如 L材料 或第二電極之電位以E L驅動電壓之極性對 反向之方式改變，和 L驅動電壓爲介於應用至第 和 電極間 申請專利範圍第2 5項之個人電腦，其中一 1 2 0秒或更小。 申請專利範圍第2 5.項之個人電腦，其中該 包含一低分子有機材料選自以A 1 q 3 ( 8 )和T P D (二本胺衍生物）所組成之群。 申請專利範圍第2 5項之個人電腦，其中該 包含一聚合物有機材料選自以p P V (聚對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535454 A8 Βδ C8 D8 ^、申請專利範圍 位苯撐乙烯撐），P V K，和聚碳酸鹽所組成之群。 2 9 · —種行動電話，包含： 多數圖素，包括多數E L元件在一基底上，每一 e L 元件包含第一電極，第二電極，和一有機E L材料介於第 一和第二電極間， 其中一灰階顯示乃藉由控制多數E L元件在包括在一 框週期中之多數子框週期外發光之子框週期之長度總和而 提供， 其中弟一'或弟—'電極之電位以E L驅動電壓之極性對 每一子框週期反向之方式改變，和 其中該E L驅動電壓爲介於應用至第一和第二電極間 之電位差異。 3 〇 ·如申請專利範圍第2 9項之行動電話，其中一 框週期爲1 / 1 2 0秒或更小。 3 1 ·如申請專利範圍第2 9項之行動電話，其中該 有機E L材料包含一低分子有機材料選自以a丨Q 3 ( 8 -羥基喹啉鋁）和T P D (三苯胺衍生物）所組成之群。 3 2 ·如申請專利範圍第2 9項之行動電話，其中該 有機E L材料包含一聚合物有機材料選自以p p v (聚對 位苯撐乙燦撐）’ P V K ’和聚碳酸鹽所組成之群。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------0^------1T----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299244A (zh) * 2021-05-24 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 电压控制模组、驱动模组、驱动方法和显示装置

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW591584B (en) * 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
JP2002215065A (ja) 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4869497B2 (ja) * 2001-05-30 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100745414B1 (ko) * 2001-07-02 2007-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기발광소자 구동회로
KR20030015784A (ko) * 2001-08-17 2003-02-25 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 표시소자의 구동장치 및 방법
KR20030015782A (ko) * 2001-08-17 2003-02-25 엘지전자 주식회사 평판 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법
EP1424674B1 (en) 2001-09-07 2017-08-02 Joled Inc. El display panel, its driving method, and el display apparatus
US11302253B2 (en) 2001-09-07 2022-04-12 Joled Inc. El display apparatus
TW563088B (en) 2001-09-17 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
JP3917494B2 (ja) * 2001-09-17 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の駆動方法
JP2006338042A (ja) * 2001-09-21 2006-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法
SG120075A1 (en) * 2001-09-21 2006-03-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP3810725B2 (ja) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
TW577179B (en) 2001-10-09 2004-02-21 Semiconductor Energy Lab Switching element, display device, light emitting device using the switching element, and semiconductor device
JP4202012B2 (ja) 2001-11-09 2008-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電流記憶回路
JP2003150108A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス基板及びそれを用いた電流制御型発光素子の駆動方法
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP4024557B2 (ja) 2002-02-28 2007-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
US7042162B2 (en) 2002-02-28 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6809481B2 (en) 2002-02-28 2004-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electric device using the same
US7023141B2 (en) 2002-03-01 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and drive method thereof
JP4046267B2 (ja) 2002-03-26 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7170478B2 (en) 2002-03-26 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving light-emitting device
US7218298B2 (en) * 2002-04-03 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003303683A (ja) 2002-04-09 2003-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP4146421B2 (ja) 2002-04-26 2008-09-10 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の駆動方法
KR100638304B1 (ko) 2002-04-26 2006-10-26 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 패널의 드라이버 회로
CN100536347C (zh) * 2002-04-26 2009-09-02 东芝松下显示技术有限公司 电流驱动型显示装置的驱动用半导体电路组及显示装置
JP3861743B2 (ja) * 2002-05-01 2006-12-20 ソニー株式会社 電界発光素子の駆動方法
US6771021B2 (en) 2002-05-28 2004-08-03 Eastman Kodak Company Lighting apparatus with flexible OLED area illumination light source and fixture
US6819036B2 (en) 2002-05-28 2004-11-16 Eastman Kodak Company OLED lighting apparatus
US9153168B2 (en) 2002-07-09 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor
US7352133B2 (en) 2002-08-05 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6776496B2 (en) 2002-08-19 2004-08-17 Eastman Kodak Company Area illumination lighting apparatus having OLED planar light source
JP4252297B2 (ja) 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US7385223B2 (en) * 2003-04-24 2008-06-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display with thin film transistor
JP4649332B2 (ja) * 2003-05-07 2011-03-09 東芝モバイルディスプレイ株式会社 電流出力型半導体回路、および表示装置
KR100832613B1 (ko) * 2003-05-07 2008-05-27 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 장치
US7256758B2 (en) * 2003-06-02 2007-08-14 Au Optronics Corporation Apparatus and method of AC driving OLED
JP4572510B2 (ja) * 2003-06-17 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP4641710B2 (ja) 2003-06-18 2011-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8937580B2 (en) * 2003-08-08 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of light emitting device and light emitting device
KR100686343B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP5345286B2 (ja) * 2003-12-15 2013-11-20 ジェノア・カラー・テクノロジーズ・リミテッド 多原色液晶表示装置および表示方法
US7495722B2 (en) 2003-12-15 2009-02-24 Genoa Color Technologies Ltd. Multi-color liquid crystal display
US7595775B2 (en) * 2003-12-19 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device with reverse biasing circuit
US7215306B2 (en) * 2003-12-22 2007-05-08 Wintek Corporation Driving apparatus for an active matrix organic light emitting display
US20050276292A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Karl Schrodinger Circuit arrangement for operating a laser diode
KR101080353B1 (ko) * 2004-07-02 2011-11-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100573156B1 (ko) * 2004-08-06 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 초기화 스위칭 수단 및 전원공급용 수단을 서로 공유하는발광픽셀을 구비하는 유기 전계 발광표시장치
US7592975B2 (en) * 2004-08-27 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
TWI648719B (zh) 2004-09-16 2019-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 具有圖素的顯示裝置和電子裝置
JP2006164708A (ja) 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器および発光装置
JP4483725B2 (ja) * 2005-07-04 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その駆動回路および電子機器
US7510110B2 (en) * 2005-09-08 2009-03-31 Rockwell Automation Technologies, Inc. RFID architecture in an industrial controller environment
US7450975B2 (en) * 2005-09-28 2008-11-11 Motorola, Inc. System and method for improving battery life of a mobile station
KR100985860B1 (ko) 2005-11-08 2010-10-08 삼성전자주식회사 발광장치 및 그 제어방법
KR100916866B1 (ko) * 2005-12-01 2009-09-09 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 Ｅｌ 표시 장치와 ｅｌ 표시 장치의 구동 방법
TWI449009B (zh) 2005-12-02 2014-08-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和使用該顯示裝置的電子裝置
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR100965022B1 (ko) * 2006-02-20 2010-06-21 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 Ｅｌ 표시 장치 및 ｅｌ 표시 장치의 구동 방법
KR101006381B1 (ko) * 2006-02-22 2011-01-10 삼성전자주식회사 발광장치 및 그 제어방법
KR101350622B1 (ko) * 2006-12-29 2014-01-13 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 화소, 그를 포함한 전계 발광 패널, 그 전계발광 패널을 구동하는 구동 장치 및 방법
KR100846707B1 (ko) * 2007-02-27 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 전자 영상 기기
KR100882908B1 (ko) * 2007-06-21 2009-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치의 구동 방법
KR100926591B1 (ko) 2007-07-23 2009-11-11 재단법인서울대학교산학협력재단 유기 전계 발광 표시 장치
JP4816686B2 (ja) 2008-06-06 2011-11-16 ソニー株式会社 走査駆動回路
JP5218176B2 (ja) * 2009-03-13 2013-06-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法
CN103943664B (zh) * 2009-05-13 2017-07-28 群创光电股份有限公司 影像显示系统
ES2879279T3 (es) * 2009-09-29 2021-11-22 Bae Systems Plc Visualización de color
JP2011137864A (ja) 2009-12-25 2011-07-14 Casio Computer Co Ltd ポリマーネットワーク液晶駆動装置及び駆動方法、並びにポリマーネットワーク液晶パネル
KR101754799B1 (ko) * 2010-03-26 2017-07-07 삼성전자주식회사 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동방법
JP5443588B2 (ja) * 2010-06-22 2014-03-19 パナソニック株式会社 発光表示装置及びその製造方法
KR20130104563A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102087146B1 (ko) 2013-12-31 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동방법
US9184744B2 (en) * 2014-03-14 2015-11-10 Infineon Technologies Ag Gate signal generation with adaptive signal profiles
KR102298336B1 (ko) * 2014-06-20 2021-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN104464618B (zh) * 2014-11-04 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled驱动装置及驱动方法
CN108932925A (zh) * 2017-05-23 2018-12-04 Tcl集团股份有限公司 一种基于正弦波的qled驱动方法
JP2019191236A (ja) * 2018-04-19 2019-10-31 シャープ株式会社 表示装置
KR102646218B1 (ko) 2018-11-02 2024-03-08 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN109755279B (zh) * 2019-01-09 2020-11-17 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
TWI748640B (zh) * 2019-09-25 2021-12-01 瑞鼎科技股份有限公司 顯示面板驅動方法
KR20210106053A (ko) * 2020-02-19 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220104412A (ko) * 2021-01-18 2022-07-26 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4523189A (en) * 1981-05-25 1985-06-11 Fujitsu Limited El display device
JPS58108229A (ja) 1981-12-21 1983-06-28 Hitachi Ltd ポリイミド系樹脂膜の選択エツチング方法
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPH0634151B2 (ja) * 1985-06-10 1994-05-02 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JPH0748137B2 (ja) 1987-07-07 1995-05-24 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法
JPH0748138B2 (ja) 1987-07-27 1995-05-24 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方式
DE69020036T2 (de) 1989-04-04 1996-02-15 Sharp Kk Ansteuerschaltung für ein Matrixanzeigegerät mit Flüssigkristallen.
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH0766246B2 (ja) * 1989-12-15 1995-07-19 富士ゼロックス株式会社 Ｅｌ駆動回路
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5194570A (en) * 1990-11-05 1993-03-16 Rutgers, The State University Of New Jersey Poly(N-substituted iminocarbonate)
US5061617A (en) 1990-12-07 1991-10-29 Eastman Kodak Company Process for the preparation of high chloride tabular grain emulsions
JP2873632B2 (ja) 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2844957B2 (ja) * 1991-04-30 1999-01-13 富士ゼロックス株式会社 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法
JP2844958B2 (ja) * 1991-04-30 1999-01-13 富士ゼロックス株式会社 薄膜ｅｌ発光装置の駆動方法
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5302966A (en) 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
JP3120200B2 (ja) * 1992-10-12 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 光弁装置、立体画像表示装置および画像プロジェクタ
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JP3312083B2 (ja) * 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3275991B2 (ja) 1994-07-27 2002-04-22 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
US5714968A (en) * 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
JP2639355B2 (ja) 1994-09-01 1997-08-13 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3254335B2 (ja) 1994-09-08 2002-02-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法および有機ｅｌ素子
EP0781075B1 (en) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Method for sealing organic el element and organic el element
US5552678A (en) 1994-09-23 1996-09-03 Eastman Kodak Company AC drive scheme for organic led
US5747928A (en) * 1994-10-07 1998-05-05 Iowa State University Research Foundation, Inc. Flexible panel display having thin film transistors driving polymer light-emitting diodes
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
EP0717445B1 (en) 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
US5745340A (en) * 1994-12-19 1998-04-28 Landau; Jennifer Separable display of computer generated information
CN1163671A (zh) * 1995-05-19 1997-10-29 菲利浦电子有限公司 显示器件
US6121943A (en) 1995-07-04 2000-09-19 Denso Corporation Electroluminescent display with constant current control circuits in scan electrode circuit
US5847516A (en) 1995-07-04 1998-12-08 Nippondenso Co., Ltd. Electroluminescent display driver device
JP2914234B2 (ja) * 1995-08-11 1999-06-28 株式会社デンソー Ｅｌ表示装置
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
JP3892068B2 (ja) * 1995-10-20 2007-03-14 株式会社日立製作所 画像表示装置
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
JP3229819B2 (ja) 1996-07-26 2001-11-19 スタンレー電気株式会社 Ｅｌ素子の駆動方法
EP1465257A1 (en) * 1996-09-26 2004-10-06 Seiko Epson Corporation Display apparatus
JP3281848B2 (ja) * 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3463971B2 (ja) 1996-12-26 2003-11-05 出光興産株式会社 有機アクティブｅｌ発光装置
JPH10232649A (ja) 1997-02-21 1998-09-02 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JPH10214060A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JP4114216B2 (ja) * 1997-05-29 2008-07-09 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
JP3973723B2 (ja) 1997-02-12 2007-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW578130B (en) * 1997-02-17 2004-03-01 Seiko Epson Corp Display unit
JP3952511B2 (ja) * 1997-02-17 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
TW379360B (en) 1997-03-03 2000-01-11 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP3032801B2 (ja) 1997-03-03 2000-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6229506B1 (en) 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JPH10312173A (ja) 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JPH10333601A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP0974952B1 (en) * 1998-02-09 2007-02-28 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method for driving the same, liquid crystal device and method for driving the same, circuit for driving electro-optical device, and electronic device
GB9803441D0 (en) 1998-02-18 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US6541918B1 (en) 1998-03-12 2003-04-01 Seiko Epson Corporation Active-matrix emitting apparatus and fabrication method therefor
JPH11272235A (ja) 1998-03-26 1999-10-08 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路
JPH11296131A (ja) 1998-04-13 1999-10-29 Fuji Electric Co Ltd マトリクス表示ディスプレイの階調表示方法及びこの方法を用いた表示装置
JP2000228284A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
JP3686769B2 (ja) 1999-01-29 2005-08-24 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子駆動装置と駆動方法
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP2000268957A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP3259774B2 (ja) 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
TW483287B (en) 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
TW540251B (en) 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
JP2001109405A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001109432A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
JP2001117534A (ja) 1999-10-21 2001-04-27 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
TW591584B (en) * 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
JP3594856B2 (ja) 1999-11-12 2004-12-02 パイオニア株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW493152B (en) 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
US6636191B2 (en) 2000-02-22 2003-10-21 Eastman Kodak Company Emissive display with improved persistence
US6528950B2 (en) 2000-04-06 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method
US6847341B2 (en) 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
US6611108B2 (en) 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW531901B (en) 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW461002B (en) 2000-06-05 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Testing apparatus and testing method for organic light emitting diode array
JP3736399B2 (ja) 2000-09-20 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置
TW530427B (en) 2000-10-10 2003-05-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
US6909111B2 (en) 2000-12-28 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
US7061451B2 (en) 2001-02-21 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd, Light emitting device and electronic device
JPWO2002075709A1 (ja) 2001-03-21 2004-07-08 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路
US6661180B2 (en) 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
JP3788916B2 (ja) 2001-03-30 2006-06-21 株式会社日立製作所 発光型表示装置
JP4869497B2 (ja) 2001-05-30 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2002358031A (ja) 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP4071036B2 (ja) 2001-11-26 2008-04-02 クミアイ化学工業株式会社 バシルスｓｐ．Ｄ７４７菌株およびそれを用いた植物病害防除剤および害虫防除剤
JP4024557B2 (ja) 2002-02-28 2007-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP3908084B2 (ja) 2002-04-26 2007-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
EP1544842B1 (en) 2003-12-18 2018-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4701871B2 (ja) * 2005-06-28 2011-06-15 日産自動車株式会社 エンジンの制御装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299244A (zh) * 2021-05-24 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 电压控制模组、驱动模组、驱动方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1516094A (zh) 2004-07-28
US20140253811A1 (en) 2014-09-11
EP1094436A3 (en) 2002-07-10
KR20020032483A (ko) 2002-05-03
JP2012215884A (ja) 2012-11-08
KR100810458B1 (ko) 2008-03-07
JP2011128630A (ja) 2011-06-30
CN100423059C (zh) 2008-10-01
JP2016191921A (ja) 2016-11-10
KR100700300B1 (ko) 2007-03-29
JP5764604B2 (ja) 2015-08-19
KR20050059013A (ko) 2005-06-17
US7403179B2 (en) 2008-07-22
JP2014197204A (ja) 2014-10-16
US6872973B1 (en) 2005-03-29
CN1294375A (zh) 2001-05-09
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