TW527409B - Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices - Google Patents

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Bakul P Patel
Wai Mun Lee
Douglas Holmes
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Description

527409 五、^明説明—(…卜 發明背景 發明範疇 本發明係關於半水剝離與清除組合物，其對於從半導體 基板上剝離光阻材料與清除有機與無機化合物，包括事2 蝕刻與事後灰化殘留物，特別有用。本發明對作爲梦氧化 物腐蝕劑也有用。本文中所使用的「半水」—詞係指水與 有機溶液的混合。本發明亦包含使用此一组合物來^離基 板上的光阻材料、清除有機與無機化合物，以及蚀刻梦氧 物的方/έ·更特別是’本發明描述關於用其作半水剝 離、清除與蚀刻組合物與過程。此一溶液含有氣化物化合 物、亞颯或颯溶液、水，且可能含有其他溶劑、腐蝕抑制 劑、螯合劑' 共溶劑、驗式胺化合物、界面活性劑、酸與 驗0 相關技藝説明 在半導體工業中，包含化學作用的氟化物與原始矽晶圓 (:未經離子植入或元件建構的晶圓）已經使用很多年。通 常氟化物化學（通常是稀釋的氫氟酸）在稱冑Γ RCA (公司 名）清洗」的次序中，是用作最後加工步驟。基板往往在 則—個加工步驟中受到污染，而帶有單層數量的金屬、與 二或有機冷染物或表面殘留物(顆粒）。這些冷染物已經證 只對簡單檢測元件結構之電的完整性，具有明顯的影響， 而且這些結構需要有效地清除而不損害其完整性。此^清 除方法可能包括技術文獻中所討論的技術，例如，測 年固態4件與材料研討會，帛484顧頁，或是了庫一梅 L · 4 - 本紙張尺^^ 標準(CNs)规格(2ΐ〇χ 297^57 527409 A7 B7 五、發明説明（2 ) (Kujime)等，1996年半純水與化學會議，ρρ· 245-256，以 及 P.辛格（Singer)，半導體世界（Semi. International)，第 88 頁，1995年10月。 敎導以低酸鹼値溶液來清除原始晶圓之方法的專利，包 括美國專利 5,560,857 與 5,645,737 ; 5,181,985 ; 5,603,849 ; 5,705,089。 使用氟化物化學（通常是氫氟酸（HF))作爲RCA洗滌法 最後步驟，將使碎晶圓表面變成抗水的疏水狀態（表面覆 蓋矽-氫（Si-H)族）。在此一步驟期間，一定比例的晶圓表 面被溶解（移除）了。如C.拉佛（Rafols)等，於1997年電解 化學期刊（J. Electroanalytic Chem.)， 433 ，第 77-83 頁中所 報告的，除非細心地監控條件（時間、溫度、溶液組成 份），否則可能損壞基板。多數組合物結合水與有機溶 劑。在這些溶液中水的濃度是很重要的。如1998年8月 5-7曰，史丹福大學NSF/SRC機械研究中心，於環境良性 半導體製造（Environmentally Benign Semiconductor Manufacturing)中所報告的，在氫氟酸（HF) /水中，碎石氧 化物具有21埃/分的蝕刻率（攝氏25度時），但是在異丁 醇中速率降至2.14埃/分，而在丙酮（非質子溶劑）中甚至 更低，其速率只有0.12埃/分。 對一半導體元件而言，在系列前端（Front End of Line， FE〇L)洗條過程後，晶圓繼續典型之系列後端（Back End of Lme，BEOL)製造過程，其中這些元件可能是動態隨機存取 記憶體（DRAMs)、靜態隨機存取記憶體（SRAMs)、邏輯、 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐） 527409 A7 B7 五、發明説明（4 ) 4,744,834中所敘述之2-吡咯酮與四甲基銨氫氧化物。然 而，此等消除組合物，只有在洗滌來自包含一單層金屬， 而金屬結構含有鋁-矽（Al-Si)或鋁-矽·銅（A1_Sl_Cu)過程之 簡單微型電路製造的接觸開口與金屬線蝕刻的「側壁聚合 物」，且「側壁聚合物」殘留物只含有一含鋁有機金屬化 合物情況下’被證明是成功的。 如果不將基板上的蚀刻殘留物移除，殘留物可能干擾涉 及基板的後續過程。隨著工業進步至次微米製程技術，有 效率地從基板上移除蝕刻殘留物與光阻材料的需求變得更 加迫切。對洗滌落液的要求，即在移除由各種類型金屬電 漿蝕刻結果所產生之所有類型的殘留物，諸如鋁、鋁/矽/ 銅、鈦、鈦氮化物、鈦/鎢、鎢、矽氧化物、多晶矽結晶 等等的同時，不侵蚀下面的金屬，顯示在處理範圍裡，需 要更有效的化學。極差的洗滌效果導致低的元件良率、低 的元件可靠度，以及低的元件性能。 而且，如果沒有移除或以一些方式抵銷這些殘留物的組 成邵分’則殘留物將吸收濕氣並形成酸類而侵蝕金屬結 構。此一結果之酸類會侵蝕配線材料，帶來如增加電阻與 電線斷開等不利的效果。這些問題經常發生，特別是在一 般使用铭與铭合金作爲配線材料時。與產生酸的材料相接 觸的基板，如果未控制的話，可能破壞金屬結構。隨著钱 刻工作的完成，需要從保護面上移除事後蝕刻抗蝕光罩以 允許完成工作。 理想的情況是研製一種改良的洗滌成分來從鍍膜的無機 527409 A7 B7 五、發明説明（5 ) 基板上移除有機聚合物質，而不侵蚀、溶解或減弱金屬的 電路，或者是化學地改變晶圓基板。 側壁殘留物已經用有機酸溶劑或有機鹼溶劑來移除。酸 式溶劑通常含有酚化合物或氯代溶劑與/或芳香碳化氫與/ 或烷基苯硫酸。這些定式通常需要在溫度高達或超過攝氏 100度下使用。這些化學一般需要以異丙醇清洗。 此外，用來移除光阻塗佈的剝離組合物，以及用來移除 事後蝕刻殘留物的洗滌組合物，大部分高度易燃性，一般 對人類與環境是危險的，而且其包含呈現不宜程度之毒性 的反應性溶劑混合。再者，這些組合物不只是有毒，而既 然它們可能必須以有害廢棄物處理，它們的處理也是昴貴 的。此外，這些組合物通常具有嚴格限制的浸洗期限，而 且大部分是不可回收或再利用的。 一般夾層介電質接觸孔周圍的光阻材料，四乙基矽酸鹽 (TEOS)與硼磷矽酸鹽玻璃（BPSG)，由於較佳之階躍式覆蓋 率的同形度，一般使用於極大規模集成（ULSI)結構中，且 通常以氫氟酸（HF)溶液來移除。侵蚀介電質材料對氫氟酸 (HF)來説並非是不尋常的。此一侵蝕是不良的（參見C.李 (Lee)與李（Lee)， 5 ，固態電子，4 ，第 921-923 頁（1997 年））。因此，存在一對環境更友善之剝離與清除定式的需 求。 稀薄氫氟酸溶液在特定情況下可以移除貫穿孔（via)側壁 聚合物，如P.艾理蘭（Ireland)於薄的固體膜（Thin Solid Him)，304，第1_12頁（1997年）中所敎導的，藉由侵蝕介 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（6 ) 電質側壁，從而改變元件的尺寸，並可能改變介電常數。 如頒予A.密勒（Muller)之美國專利第3,592,773號所敎導 的，早先含有氫氟酸（HF)、硝酸、水與羥胺的化學有足夠 的侵蝕性以蝕刻矽晶。最近的消息，如K ·尤諾（Ueno)等， 於1997年電化學學會會刊，144册，（7)，「以稀釋的氫氟 酸溶液清除CHF3電漿蝕刻二氧化矽/氮化矽/銅（Si〇2/SiN/Cu) 貫穿孔(via)結構」中所敎導的，亦指出稀釋的氫氟酸（HF) 溶液對清除新的CFX独刻殘留物可能是無效的。既然跡象 顯示氫氟酸（HF)溶液會侵蝕下面的二矽化鈦（TiSi2)層，已 經很難用氫氟酸（HF)溶液來清除二矽化鈦（TiSi2)上開口的 接觸孔了。如M. R.巴卡拉語夫（Baklanov)等，於1998年電 化學學會會議，97-35，第602-609頁中所敎導的，在狹小 的親水性接觸孔中用大量的化學傳送也是困難的。 最近，少部分情況已經使用氟化物鹼基化學來移除事後 蝕刻殘留物。很多這些組合物含有氟化物成分，尤其是氟 化氫。此外，如美國專利5,129,955 、美國專利5,563,119 或美國專利5,571，447中所揭示的，這些組合物可能含有 強烈的腐蝕性化學（膽素衍生物、四烷基氫氧化銨、氫氧 化銨），或者是可能使用二相溶劑系統（美國專利 5,603,849 )，其含有氫氟酸與水之相的同時，尚含有非極 性有機溶劑（酮類、醚類、烷類或烯類）之另一相。其他的 程式包括羥胺與氟化銨（美國專利5,709,756 ，頒予瓦德 (Ward))。其他的實例包括，如已發表之歐洲專利0662705 所揭示的季銨鹽與氟化物鹼基組合物，如美國專利 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（7 ) 5,630,904所揭示之有機羧基銨鹽或羧化胺與氟化物鹼基組 合物。 其他用來请除晶圓上之金屬與金屬氧化物殘留物的方 法，包括噴射水汽到電漿灰化反應室，緊接著引進含氣體 氟（氫氟酸）（美國專利5，181，985 )，或是含氫氟酸、氟化銨 與水的液體，其酸驗値介於1.5到少於7之間。
一些化學也已經包括螯合劑以輔助自晶圓表面上移除離 子與陰離子污染物（PCT US98/02794)，但是螯合劑，其中 包括棒樣酸、五倍子酸與鄰苯二驗等，對覆蓋於铭金屬線 上的铭氧化物是具侵蚀性。歐門（Ohman)與史約博（Sjoberg) 的研究顯示，螯合物離子強烈的化合能力可以增加鋁氧化 物的溶解度，因而使金屬暴露於進一步的腐蚀中，酸驗値 爲5至6時，是原來的166至468倍（參見歐門（Ohman)等， 化學學會期刊，道耳頓（Dalton)翻譯，（ 1983年），第2513 頁）。 其他抗蝕移除化學，如美國專利第5,792,274中的那 些，已包括氟化氫結合水溶性有機溶劑與水的鹽類，其具 有酸鹼値5至8。可是未提及使用比氟化銨提供更大安定 性的氫氟化銨（或氟氫化銨），或是共溶劑或鹼式胺化合物 與二甲基亞减（DMSO)之增效混合物，，以及與氟結合的 化合物。 2000年4月11曰頒予密斯拉（Misra)等之美國專利第 6,048,406號，標題「蝕刻二氧化矽之良性的方法」，其敎 導使用一種二氟化氫銨（(NH4)HF2)的水溶液作爲氫氟酸的 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（8 ) 另一選擇，因其對濕式蝕刻矽氧化物更具良性。可是，卻 沒有敎導一種能夠移除光阻材料或蚀刻殘留物之程式的使 用。而且，也沒有敎導添加共溶劑或鹼式胺化合物的增效 混合物。 1999年3月23曰頒予拉斯密森（Rasmussen)等之美國專利 第5,885,477號，標題「保護金屬的二氧化矽蝕刻過 程」，其敎導使用氟化銨與氫氟酸之含鹽水溶液來蝕刻矽 氧化物，同時減少腐蝕。可是，卻沒有敎導二氟化氫銨、 共溶劑或驗式胺化合物的使用。 1985年4月2曰頒予巴列特（Bartlett)等之美國專利第 4,508,591號，標題「與二氧化矽合成劑匹配之聚甲異丁烯 酸」，其敎導使用氟化銨與檸檬酸來蝕刻二氧化矽。可 是，如拉斯密森（Rasmussen)等，未敎導二氟化氫铵、共溶 劑或鹼式胺化合物的使用。也沒有敎導使用此一移除蝕刻 殘留物或光阻材料的程式。 因此，存在一個需求，即開發改良的二氧化矽蝕刻劑， 以及一般基板上光阻材料與對各種不必要的材料之事後蝕 刻殘留物的消除劑。特別是在積體電路的製造領域，應了 解改良移除性能而不侵害基板的要求是持續在增加的。這 意味著在製造過程中，適合較不尖端之積體電路基板的組 合物，對含有更先進的積體電路基板，可能無法產生令人 滿意的結果。這些組合物應也是經濟的、對環境良性的， 而且是容易使用的。 本發明敎導此一新與改良的剝離與清除組合物，以及其 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 527409
合物及其使用。 皆可溶，而且加 使用過程。本發明亦包括矽氧化物蝕刻組 此一組合物是水成的、對有機與無機物質 工時使用可以剝離與清除各種基板。
發明概I 本發明之新奇的剝離、清除與㈣组合物，呈現單獨成 分，或這些成分混合其他成分的使用皆無法達到之增強的 能力。 :發明提供蚀刻殘留物清除之組合物，其目的爲：有效 地伙基板上清除事後蝕刻殘留物、抑制金屬離子之再沈 積，而且抗腐蝕的。 本發明的進一步目的在提供有效的光阻材料剝離組合 物。 另一個目的在提供有效的矽氧化物蝕刻組合物。 經由本文所揭示之組合物與過程的使用，而達到這些與 相關的目的。 根據本發明供光阻材料剝離之用的組合物，其中含有約 0.01重量百分比至之1〇重量百分比的一種或更多種氟化 物化合物、有效數量達95重量百分比的一種或更多種亞 石風或颯溶劑，以及至少約20重量百分比的水。此外，此 一組合物可選擇地含有鹼式胺類、共溶劑、腐蝕抑制劑、 螯合劑、界面活性劑、酸與驗。較佳之具體實施例含有氟 化氫銨、二甲基亞颯（DMSO)與水。 根據本發明供事後蝕刻殘留物清除之用的組合物，其中 含有約0.01重量百分比至之10重量百分比的一種或更多 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（10 ) 種氟化物化合物、有效數量從約10重量百分比至之95重 量百分比的亞颯或颯溶劑，以及至少約20重量百分比的 水。較佳之具體實施例含有氟化氫銨、二甲基亞颯（DMSO) 與水。 此外，此一組合物可選擇地含有驗式胺類、共溶劑、腐 独抑制劑、螯合劑、界面活性劑、酸與驗。 另一用來清除與剝離之較佳組合物，含有氟化氫銨、二 甲基亞颯（DMSO)、水，以及共溶劑，其中共溶劑選自由 醋酸、甲酸鹽、甲基乳酸鹽、醋酸鹽、乙烯乙二醇雙乙酸 鹽、乙基乳酸鹽、丙烯乙二醇、丙烯碳酸鹽、N -甲基咯 烷酮、甲基乙氧基乙醇與聚乙二醇單乙醇胺等組成之族。 另一用來清除與剝離之較佳組合物，含有氟化氫銨、二 甲基亞颯（DMSO)、水，以及酸式胺，其中酸式胺選自由 羥胺、聯氨、2-氨基-2-乙氧基-乙醇、單乙醇胺、二乙基 羥胺、膽素、四甲基銨甲酸鹽、單異丙醇胺、二乙醇胺與 三乙醇胺等組成之族。 假如根據本發明之該組合物被用作金屬與氧化物的蝕 刻，則需提高氟化物化合物的含量。舉例來説，作爲矽晶 蚀刻劑，其以含有約20%至40%的氟化銨水溶液較佳。 根據本發明之光阻材料剝離過程，包括在一溫度下，以 含有一種或更多種氟化物化合物、水與亞减溶劑的組合物 來接觸基板，並於充足的時間内，剝離光阻材料。 根據本發明之從基板上清除殘留物的過程，包括在一溫 度下，以含有一種或更多種氟化物化合物、水與亞减溶劑 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 _______B7 五、發明説明（11 ) 的組合物來接觸基板，並於充足的時間内，洗綠基板。 根據本發明之金屬或氧化物蝕刻過程，包括在一溫度 下，以含有一種或更多種氟化物化合物、水與亞砜或颯溶 劑的組合物來接觸金屬或氧化物，並於充足的時間内，姓 刻金屬或氧化物。 圖式說i 圖1疋 張使用含共溶劑之程式有效地清除之貫穿孔 (via)的掃描式電子顯微鏡（SEM)影像。 圖2顯示膽素在氟化物化合物之蝕刻速率中的效應。 圖3顯示腐蝕速率v與二氟化氫（HIV)蝕刻速率的反比 關係。 圖4Α、4Β與4C分別顯示用氫氟酸、氟氫化銨與氟化 銨清除的結果。 圖5Α、5Β與5C分別顯示使用不同的添加化合物，丙 晞乙一醇、乙基丙酮與2-氨基-2-乙氧基乙醇時的洗滌結 果。 圖6Α與6Β顯示使用酯類共溶劑洗滌貫穿孔（vias)的結 果。 圖7顯示用1:1·5:1比例之二甲基亞砜/乙基月桂酸鹽/水 的結果。 登明詳細説明 電子元件的製造，在其製造過程中，通常包含於特別的 時間，使用光阻材料移除劑、蚀刻殘留物移除劑與矽氧化 物蝕刻劑。爲了這些目的，已經相當程度地使用含氟化物 的％式。可是，一些含化合物的氟化物程式，如氟化銨， -14- I紙張尺巾國Β家標準(CNS) Α4規格(21GX 297公釐) —-- 527409
由於氨氣從液相蒸發，其給出不合理的碎氧化物蚀刻率。 田氨氣仗/谷液中揮發出去時，二氟化氫（HF2)與氟化氫（hf) 活性種類的濃度增加^更強烈地侵蚀二氧切。此外， ^經發現使用氟化物化合物，如氟化銨與氟氫酸，的水成 私式，以及，谷劑，如二甲基亞颯，除非將額外的化合物添 加到私式中’否則操法提供充分的抗蚀與殘留物移除，而 其下面的金屬卻無明顯的腐蝕。 本發明揭示新奇的程式，提供合理的石夕氧化物姓刻速 率，並有效地移除光阻材料與蝕刻殘留物，同時抑制其下 面金屬的腐ϋ。在-具體實施例中，本發明應用使用氣氯 化銨的水成氟化物程式，此爲更安定的氟化物化合物，且 不會導致氟化銨與氫氟酸所經驗、關於不合理的矽氧化物 餘刻速率或過度的腐银之相同問題。 在另一具體實施例中，本發明應用含亞砜與颯以及共溶 劑的水成氟化物程式，其中共溶劑包含酯類，如甲酸鹽、 醋酸鹽、丁基鹽、甲基乳酸鹽與乙基乳酸鹽，乙二醇，如 丙烯乙二醇，乳胺，如Ν-甲基咯烷酮等等，可促進氟化 物程式的清除效率。 在另一具體實施例中，本發明應用含亞颯與砜以及驗式 銨化合物的水成氟化物程式，其中鹼式銨化合物如2_氣基 1乙氧基-乙醇、單乙醇胺、單異丙醇胺等等，其可繁助 清除效率並抑制腐蚀。 這些具體實施例可以獨立結合一起使用。 本發明之組合物的第一種成分是包含化合物的氣化物， -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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k 527409 A7 B7 五、發明説明（13 ) 其可單獨或與至少一個其他的含化合物之氟化物一起使 用。含化合物的氟化物或化合物的混合根據情況選擇，且 約0.01重量百分比至約10重量百分比的範圍較適當。 適當的氟化物化合物是氟化銨、氟氫化銨與氟化氫。較 佳之氟化物化合物是氟化銨與氟氫化銨。最佳之氟化物化 合物爲氟氫化銨。爲了移除殘留物與光阻材料，希望氟化 物化合物以約0.01重量百分比至約10重量百分比的數量 存在。通常，組合物中氟化物化合物的濃度愈低，使用的 溫度需要愈高。 本發明之矽氧化物蚀刻組合物亦包含一種或更多種化合 物，但以約7重量百分比至約10重量百分比的數量存在 較佳。 第二種成分包括亞颯溶劑與颯溶劑或其混合，其中對應 於下列： 〇 R-j -S R2 〇 其中Ri與R2是Η、OH或燒族，至少一個是;t充族。 適當的亞颯溶劑包括下列及其混合：二甲基亞颯 (DMSO)、二丙基亞颯、二乙基亞颯、甲基乙基亞石風、二 苯基亞颯、甲基苯亞颯、1，Γ-亞颯等等。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 裝 玎
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其中Rs-Rio可各自爲11 適當的颯溶劑包括下列及其 等等。亞峨m職溶其二·-甲基鐵、二乙心 月或其混合以根據情況選擇，卫έ 10重量百分比至約95重量百分比的範圍較適當。擇且务 -較佳之具體實施例具有溶劑對水比例約6〇:4〇， 其取決於特殊的應用， 雖… 更阿或更低也疋適當的。 60:40的溶劑對水比例中，未觀察到過度㈣，而且^ 的乂 4物都被移除了。明顯較高的溶劑對水 的過度蝕刻。 守文側璧 如前所述，水成程式使用_包含化合物的氟化物，其若 非氟氫化銨與亞颯溶劑，將不提供充分的洗滌而不引起明 顯的腐蚀。所以，在那兒不使用氟氫化銨，但是添加_種 或更多種共溶劑或鹼式胺化合物，以最佳化程式的效率， 同時減少腐蝕。適當的共溶劑包括下列及其混合：队烷 基乳胺，如Ν-烷基-2-咯烷酮，酯類化合物如醋酸鹽、甲 酸鹽、甲基乳酸鹽、乙基醋酸鹽、乙基乳酸鹽，乙二醇， 如丙烯乙二醇、乙烯乙二醇、聚乙烯乙二醇單月桂酸鹽， 以及其他適當的共溶劑，諸如丙烯碳酸鹽、甲氧基乙氧基 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
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線 527409 A7 B7 五、發明説明（15 ) 乙醇等等。 適當的鹼式銨化合物包括下列及其混合：羥胺、聯氨、 2-氨基-2-乙氧基-乙醇（DGA)、單乙醇胺（MEA)、二乙基羥 胺、膽素、四甲基銨甲基鹽（TMAF)、單異丙醇胺（MIPA)、 二乙醇胺（DEA)、三乙醇胺（TEA)等等。 已經發現氫氟化銨，或氟氫化銨的使用，所提供改良的 安定性超過其他氟化物化合物，而且因爲直接產生二氟化 氫（HF2)，其提供一明顯較高的蚀刻速率。逐漸地，二氟 化氫（hf2)也是對金屬有較差腐蚀性的種類。因此，已經 發現與其他氟化物化合物比較，氫氟化銨的使用將減少金 屬的腐独。 除了以上列舉的化合物外，組合物尚含有水。通常使用 高純度的去離子水。 組合物可能選擇性地含有熟諳此藝之士已知道的其他溶 劑，包括胺化物與多元醇。 此一組合物可能選擇性地包含腐蚀抑制劑。適當的腐姓 抑制劑含有無機硝酸鹽，如铵、钾、鋼與#σ亞硝酸鹽、亞 硝酸鋁與亞硝酸鋅。 此一組合物可能選擇性地包含螯合劑。敛述適當的螯合 劑，一般指定1997年9月30日頒予李（Lee)之美國專利 5,672,577 ，其以引用的方式併入本文中。添加螯合劑進一 步改善作爲蝕刻殘留物或光阻材料消除劑之程式的效率。 此一組合物可能選擇性地包含界面活性劑。適當的界面 活性劑包括聚（乙烯乙醇）、聚（二甲亞胺），以及任何分類 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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527409 A7 ~~ ---— —__B7 五、發明説明- ~— 成陰離子、陽離子、非離子、兩性的與矽酮鹽化的界面活 性劑組合物。較佳之界面活性劑是聚（乙烯乙醇）、聚（二 甲亞胺）。 — 二具to 5施例要求酸與/或鹼的添加以調節酸鹼値至 —可接受的値。適於本發明中使用的酸類是有機或無機 的。泛些酸類包括硝酸、硫酸、磷酸、鹽酸（可是鹽酸對 =屬具腐蝕性）以及有機酸、甲酸、醋酸、丙酸、^酪 酸異丁酸、苯甲酸、抗壞血酸、葡萄糖酸、韻果酸、丙 一酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、擰檬酸與五倍子酸。 適合用來調節洗滌溶液酸鹼値的腐蝕性的成分可由任何 -般鹼組成，亦即鈉、鉀、氫氧化鎂等等。主要的問題是 這些驗類將移動離子引進最終程式。移動離子可能破壞現 •7半導組工業中製造的電腦晶片。其他驗類可以使用氯氧 化銨或其衍生物，包括三甲基_2_羥乙基氫氧化銨（膽素 等等。 使用本發明之洗滌組合物洗滌基板的方法，包含於充分 的時間與溫度，用本發明之洗I组合物接觸其上具有殘^ 物，特別是有機金屬或金屬氧化物殘留物的基板，來移除 殘留物。可選擇性地使用技藝中習知之授拌、擾動、循 環、聲處理或其他技術。基板通常沒入洗滌組合物中。時 間與溫度係由將自基板上移除之特殊材料所決定。通常， 此-溫度是在約周圍的或室溫到約攝& 1〇〇度的範圍，而 以攝氏55度較佳，而接觸時間是從丨到6〇分鐘，以％% 分鐘較佳。通常’使用組合物後將會清洗基板。較佳之清 -19- 527409 A7 B7 五、發明説明（17 ) 洗溶液是異丙醇或去離子（DI)水。 本發明的組合物對從金屬與貫穿孔（via)特徵上移除殘留 物特別有用，但對移除光阻材料也是有用的。熟諳此藝之 士很容易決定本組合物作爲光阻材料剝離劑的應用。同樣 地，本發明之組合物對金屬或氧化物蚀刻也有用。因此熟 諳此藝之士也是很容易決定此一應用與條件。 如上所述，除了使用氫氟化銨的好處外，已發現將鹼式 銨化合物，如2-氨基-2-乙氧基-乙醇等等，添加到含有氟 化物化合物與有機亞颯與/或颯溶劑的水成程式中，可藉 由形成季銨鹽，有效地中和氫氟酸（HF)，舉例來説，根據 下列反應： rnh2+h2〇 ；rnh3++oit HF+0H'->F'+H20 rnh2+hf+rnhw 既然F_離子不會侵蝕二氧化矽，此一程式是較不具侵蝕 性的，且減少不必要的姓刻。 也已發現添加共溶劑，如乙基乳酸鹽等等，到含有氣化 物化合物與.有機亞颯與/或颯溶劑的水成程式中，以改善 此一程式移除蝕刻殘留物與光阻材料的能力。乙基乳酸鹽 的在移除蚀刻殘留物上的效果是由於疏水性/親水性平 衡、濕度能力的修改與/或混合物極性的改變。如乙基乳 酸鹽等等共溶劑的添加，藉由氟化物類、溶劑化物與溶 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（18 ) 解，提供活性化學侵蝕。 實例1.洗滌組合物之族包括氟化銨、水與亞颯或颯溶劑 的成分，以金屬晶圓檢測。具有氮化鈇/銘銅/氮化鈥/鈥/ 氧化物的堆疊，以含氯的離子蚀刻，在一購得之蚀刻室 中。生成之含殘留物的金屬晶圓被切割成小的樣品塊片， 接著樣品塊片浸入表1之化學溶液中，在室溫下洗滌5分 鐘。取出樣品塊片，以去離子水清洗，並以N2氣流乾 燥。用日立電器4500 FE-SEM執行掃瞄式電子顯微（SEM) 照相，以評估清除與腐独效果。金屬堆疊上之殘留物移除 與腐蝕效應以視覺比較來評定，且皆排列於1至10的等 級。表1中的程式係以重量百分比顯示。 表1 時間 結果 程式 40%NH4F DI水 DMSO ACN HDA (分） 清除 腐蚀 A* 0.75 20 75 0 0 5 10 10 B 1 35 0 64 0 5 10 8 C 1 35 0 0 64 5 8 10 結果：
清除行數：1-貧乏，10-完成 腐蝕：1-嚴重侵蝕，10·無腐蝕 *程式A亦含有4.25%的DMP HDA :經胺 這些結果顯示含二甲基亞颯（DMSO)程式，以稍微侵蚀 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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線 反應溫度：室溫 DI水：去離子水 DMSO :二甲基亞颯 ACN :甲基氰 527409 A7 B7 五、發明説明（19 ) 鋁的形式，給出最佳洗滌性能與最小程度的腐蝕的結合。 在基礎上，二甲基亞颯（DMSO)被選來進一步研究以提供 一加強的程式。 實例3.製備4.26重量百分比的乙基乳酸鹽、28.4重量 百分比的二甲基亞颯（DMSO)、28.4重量百分比的水與0.4 重量百分比的氫氟化銨的混合，以從基板上清除蝕刻殘留 物。圖1顯示蚀刻殘留物的有效移除。 實例4.氫氟化銨或氟氫化銨由氟化銨與氫氟酸取代。如 圖4A-4C所見，最佳結果是使用氫氟化銨，其有效地移除 I虫刻殘留物而不過度蚀刻待洗〉條的貫穿孔（via)。 實例5.從事不同的功能組的本質洗滌性能研究。用丙烯 乙二醇作爲的氫氧根來源、乙基丙酮作爲羰基的來源，而 2-氨基-2-乙氧基-乙醇（DGA)則爲氮的來源。圖5A-5C顯 示之掃瞄式電子顯微鏡（SEM)影像指出氫氧根族可能幫助 下面殘留物的移除，而羰基可幫助渠溝側壁殘留物的清 除。混合這些成分，發現洗滌上兩個有益的效果（乙醇與 丙酮）在混合中被保存下來。這個新發現引起酯類之殘留 物與光阻材料移除能力的研究，構成在羧酸/乙二醇與酮 類極化能力方面的媒介功能組。第一種檢測的酯類化合物 是曱基醋酸鹽，而且給出有益的結果。使用酯類的益處， 由檢測乙烯乙二醇雙乙酸鹽與乙基乳酸鹽，如圖6A與 6B ，做了進一步的確認。由於其在水溶液中較高的溶解 度，乙基乳酸鹽是較佳的酯類與較佳的共溶劑。 不同的溶液以不同的二甲基亞颯/酯類/去離子水 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) (DMSO/ESTER/DIW)比例製成，且發現在乙基乳酸鹽的情 況中，如圖7之掃瞄式電子顯微鏡（SEM)影像的結果可 見，較佳之比例爲1/1.5/1。 基於實例1的結果，測試各種不同濃度之二甲基亞颯 (DMSO)的程式，以決定在有水情況下，結合氟化銨的有 效範圍。結果顯示爲了清除蚀刻抗蝕劑，濃度從約10重 量百分比至約95重量百分比的二甲基亞颯（DMSO)有效 的，而此一程式的效果係由添加驗式有機胺或共溶劑來加 強。下表顯示所發現的程式，比只單獨含有二甲基亞颯 (DMSO)的程式更有效，且具多種用途。 表2 程式 DMSO 共溶劑 水 氟化物 鹼式有機胺 螯合劑 應用潛力領域 1 65.5 30.6 AF=1.4 DGA=2.5 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 2 69 29.5 AHF=1.5 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 3 69 27.4 AHF=1.5 膽素（45% 水)=2.1 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 4 69 26 AHF=1.5 膽素（45% 水)-3.5 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 5 69 24.6 AHF=1.5 膽素（45% 水 >=4.9 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（21 ) 6 69 21.8 AHF=1.5 膽素（45% 水)=7.7 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 7 69 23.1 20%aq AHF=7.4 MEA=0.5 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 8 69 22.8 20%aq AHF=7.4 MEA=0.8 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 9 69 22.5 20%aq AHF=7.4 MEA=1.1 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 10 69 22 20%aq AHF=7.4 MEA=1.60 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 11 69 30 HF=0.5 MEA=0.5 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 12 69 29.7 HF=0.5 MEA=0.8 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 13 69 29.4 HF=0.5 MEA=1.1 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 14 69 28.7 HF=0.5 MEA=1.8 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 15 69 29.7 HF=0.5 DGA=0.84 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 16 69 29.1 HF=0.5 DGA=1.36 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 17 69 28.3 HF=0.5 DGA=2.20 安定蚀刻劑；殘留物消 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（22 ) 除劑；光阻材料消除劑 18 69 27.4 HF=0.5 DGA=2.15 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 19 69 29.3 AF=0.6 ； AHF=1.1 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 20 69 29.1 AF=1.2 ； AHF=0.75 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 21 69 28.8 AF=1.8 ； AHF=0.37 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 22 69 25.1 AHF(20% 水） =5.9 膽素（45% 水)=〇 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 23 69 23 AHF(20%7jc) =5.9 膽素（45% 水)=2.1 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 24 69 21.6 AHF(20% 水） =5.9 膽素（45% 水 >=3.5 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 25 69 20.2 AHF(20% 水） =5.9 膽素（45% 水>=4.9 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 26 69 17.4 AHF(20%7jc) =5.9 膽素（45% 水 >=7.7 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 27 69 25.5 AHF(20% 水） =5.5 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 28 69 27.3 AHF(20% 水） 安定蚀刻劑；殘留物消 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（23 ) =3.7 除劑；光阻材料消除劑 29 69 27.7 AHF(20% 水） =2.3 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 30 10 82.6 AHF(20% 水） =7.4 安定蚀刻劑；殘留物 消除劑 31 30 62.6 AHF(200/〇 水） =7.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 32 50 42.6 AHF(20% 水） =7.4 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 33 70 22.6 AHF(20%7jc) =7.4 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 34 90 2.6 AHF(20%7jc) =7.4 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 35 69 28.5 HF(40%aq) =0.65 膽素=1.9 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 36 69 27.7 HF(40%aq) =0.65 膽素=2.7 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 37 69 26.9 HF(40%aq) =0.65 膽素=3.5 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 38 69 29.6 HF(40%aq) =0.65 DGA=0.74 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 39 69 29.4 HF(40%aq) DGA=1.0 安定蚀刻劑；殘留物消 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（24 ) =0.65 除劑；光阻材料消除劑 40 69 29 HF(40%aq) =0.65 DGA=1.4 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 41 69 25.3 AHF(20%aq) =5.7 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 42 69 28.2 AHF(20%aq) =2.85 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 43 69 30.4 AHF(20%aq) =0.57 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 44 85 12.2 AHF(20%aq) =2.85 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 45 50 AHF=3.705 DGA=50 安定蚀刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 46 50 AHF=1.8525 DGA=50 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 47 69 29.5 AHF(20%aq) =1.4 MEA=0.15 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 48 69 27.9 AHF(20%aq) =2.80 MEA=0.30 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 49 69 29.4 AHF(20%aq) =1.4 MEA=0.21 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 50 69 27.8 AHF(20%aq) MEA=0.42 安定蚀刻劑；殘留物消 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 527409 A7 B7 五、發明説明（25 ) =2.80 料消除劑 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 51 69 29.3 AHF(20%aq) =1.4 MEA=0.30 52 69 27.6 AHF(20%aq) =2.80 MEA=0.60 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 53 67.3 28.7 AF=1.3 DGA=0.1 五倍子酸 =1.6 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消哈南丨 54 68.3 醋酸 =0.9 29,5 AF=1.3 ----· 4 ττΓλ wl 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 55 68 醋酸 =0.6 29.2 AF=2.2 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 56 67.9 醋酸 =0.6 29.1 AHF=2.2 DGA=0.1 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 57 49.1 NMP=19.6 29.6 AHF=1.3 MEA=0.3 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劑 58 19.6 NMP=49.1 29.5 AHF=1.3 MEA=0.3 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消洽濟丨 59 58.3 乙基醋酸 鹽=16.6 25 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物消 除劑；光阻材料消除劍 60 53.8 乙基醋酸 鹽=15.3 ; PG-7.7 23 AHF=0.4 安定触刻劑；殘留物 消除劑 61 49.7 乙基醋酸 21 AHF=0.4 安定蚀刻劑；殘留物 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（26 ) 鹽=28.4 消除劑 62 46.6 乙基醋酸 鹽=26.6 ; PG=6.6 20 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 63 44.9 乙基醋酸 鹽=25.8 ; )0=6.4 ; 乙基丙酮 =3 19.3 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 64 45.5 乙基醋酸 鹽=26 ; PG=8.6 19.5 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 65 28.4 曱基-s-乳 酸鹽=42.6 28.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 66 28.4 乙基-s- IL 酸鹽=42.6 28.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 67 24.9 乙辦Γ乙— 醇雙乙酸 鹽=37.3 37.3 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 68 24.9 聚乙烯乙 二醇單月 桂酸鹽 =37.3 37.3 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 裝 訂
線 -29-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 527409 A7 B7 五、發明説明（27 ) 69 33.1 乙烯乙二 醇雙乙酸 鹽=49.7 16.5 AHF=0.4 安定蝕刻劑； 消除劑 殘留物 70 28.4 乙烯乙二 28.4 AHF=0.4 安定蚀刻劑； 殘留物 醇雙乙酸 消除劑 鹽=42.6 71 24.9 乙烯乙二 37.3 AHF=0.4 安定蝕刻劑； 殘留物 醇雙乙酸 消除劑 鹽=37.30 72 16.5 乙晞乙二 16.5 AHF=0.4 安定蝕刻劑； :殘留物 醇雙乙酸 消除劑 鹽=56.8 73 14.2 乙晞乙二 28.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑； ;殘留物 醇雙乙酸 消除劑 鹽=52 74 12.5 乙烯乙二 37.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑； ;殘留物 醇雙乙酸 消除劑 鹽=49.7 75 33.1 乙基-s-萼L 16.5 AHF=0.4 安定蝕刻劑 ;殘留物 酸鹽=49.7 消除劑 76 28.4 乙基-s-乳 28.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑 ;殘留物 酸鹽=42.6 消除劑 Ί1 24.9 乙基-S-乳 37.3 AHF=0.4 安定蝕刻劑 ;殘留物 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（28 ) 酸鹽=37.3 消除劑 78 16.5 乙基-s-乳 酸鹽=56.8 16.5 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 79 14.2 乙基-s-乳 酸鹽=52 28.4 AHF=0.4 安定蚀刻劑；殘留物 消除劑 80 12.5 乙基_s-乳 酸鹽=49.7 37.4 AHF=0.4 安定蝕刻劑；殘留物 消除劑 81 18 NMP=49 29.3 AF(40%)=0.75 DGA=3 殘留物消除劑 82 25 NMP=20 ；PC=25 29.3 AF(40%)=0.75 殘留物消除劑 83 25 PC=45 29.3 AF(40%)=0.75 殘留物消除劑 84 25 NMP=45 29.3 AF(40%)=0.75 殘留物消除劑 85 40 NMP=30 29.3 AF(40%>=0.75 殘留物消除劑 86 57.25 29.3 AF(40%)=3.5 DGA=10 殘留物消除劑 87 62.25 29.3 AF(40%)=3.5 DGA=5 殘留物消除劑 88 64.25 29.3 AF(40%)=3.5 DGA=3 殘留物消除劑 89 64.75 29.3 AF(40%)=3.5 DGA=2.5 殘留物消除劑 90 30 NMP=36.5 ；PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 MEPA=0.5 殘留物消除劑 91 30 NMP=34.5 ；PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 DGA=2.5 殘留物消除劑 92 30 NMP=36.9 ；PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 MEA=0.1 殘留物消除劑 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（29 ) 93 30 NMP=55.5 ；PG=2.9 10 HF(50%H).l MEA-1 DCH=0.5 殘留物消除劑 94 32 NMP=52.5 ;PG=2.9 10 HF(50%)=0.1 MEA=2 DCH=0.5 殘留物消除劑 95 33.5 NMP=30 ;PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 DGA=3.5 殘留物消除劑 96 34.5 NMP=55.5 ；PG=2.9 5 HF(50%)=0A DGA=2 殘留物消除劑 97 35 NMP=30 ；PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 DGA=2 殘留物消除劑 98 35 NMP=50 ；PG=2.9 10 HF(50%)=0.1 DGA=2 殘留物消除劑 99 35 NMP=56.9 ；PG=2.9 5 HF(50%>=0.1 MEA=0.1 殘留物消除劑 100 35.5 NMP=30 ；PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 MEPA=1.5 殘留物消除劑 101 36 NMP=30 ;PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 MIPA=1 殘留物消除劑 102 36 NMP=30 ;PG=2.9 30 HF(50%)=0.1 MEA=1 殘留物消除劑 103 36.5 NMP=30 ;P02.9 30 HF(50%)=0.1 MEA=0.5 - 殘留物消除劑 104 36.9 NMP=30 30 HF(50%H).l MLPA=0.1 殘留物消除劑 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（30 ) ;PG=2.9 -----1 105 36.9 NMP==30 ;PG-2.9 30 HF(50%)=〇.l MEA=0.1 殘留物消除劑 106 37 NMP=49.9 ;PG=2.9 10 HF(50%)=〇.l MEA=0.1 ----—. 殘留物消除劑 107 37 NMP=49.5 ;PG=2.9 10 HF(50%)=〇.l MEA=0.5 ------- 殘留物消除劑 108 37 NMP-54.5 ;PG=2.9 5 HF(50%>=〇.l MEA=0.5 ~~*------ 殘留物消除劑 109 37 NMP=49 ;PG=2.9 10 HF(50%)=〇.l MEA=0.5 DCH=0.5 殘留物消除劑 110 37 NMP=48 ；PG=2.9 10 HF(50%)=0.1 MEA=1.5 DCH=0.5 殘留物消除劑 111 53.75 PG=15 27.3 AF(40%)=2.5 HDA㊣=1.5 殘留物消除劍 112 68 28.5 AF(40%>=2.5 DEHA=1 殘留物消除劑 113 68.5 28.5 AF(40%>=2.5 DEHA=0.5 殘留物消除劑 114 68.9 28,5 AF(40%)=2.5 DEHA=0.1 殘留物消隆劑 115 71.8 28 HF(50%)=0.1 TBPH=0.1 殘留物消隆劑 DCH=二乙酯基聯氨 AHF=氫氟化銨（氟氫化銨） AF=氟化銨 MEA=單乙醇胺 TBPH=四丁基氫氧化鳞 TMAF=四甲基銨甲酸鹽 DGA=二甘醇胺 NMP=N_甲基洛燒酮 -33- 527409 A7 B7 五、發明説明（31 ) PG=丙烯乙二醇 PC=丙烯碳酸鹽 HDA®=羥胺 DEHA=二乙基經胺 MIPA=單異丙醇胺 一較佳具體實施例包括：65.5%二甲基亞颯（DMSO)、 3.5%氟化銨（40%水成）、28.5%去離子（DI)水，以及2.5% 二甘醇胺（DGA)。（性能：清除=10，腐蝕=10)。 另一較佳具體實施例包括：25%二甲基亞颯（DMSO)、 0.75%氟化銨（40%水成）、29.25%去離子（DI)水，以及45% N-甲基洛燒酮（NMP)。（性能：清除=10，腐蚀=10 )。 另一較佳具體實施例包括：40%二甲基亞颯（DMSO)、 0.75%氟化銨（40%水成）、29.25%去離子（DI)水，以及30% N-甲基咯烷酮（NMP)。（性能：清除=10，腐蝕=10)。 另一較佳具體實施例包括：18%二甲基亞颯（DMSO)、 0.75% 氟化銨（40% 水成）、29.25% 去離子（DI)水、49.5% N-甲基咯烷酮（NMP)，以及3%二甘醇胺（DGA)。（性能：清 除=9.8，腐蚀=10)。 同樣地，以日常的實驗，熟諳此藝之士可輕易地決定對 特殊光阻材料剝離、事後蝕刻殘留物洗滌，或金屬或氧化 物蚀刻應用，本發明各成份的有效數量。 熟諳此藝之士將會從前述的實例中了解，依據製程中固 有變化的條件，可以，而且希望去修改與變化前述溶液。 以上具體實施例以實例方式給出。敎導的實例並不限制本 發明。 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 527409 A7 B7 五、發明説明（32 ) 本專利説明書中所提及的所有發表與專利申請案，假如 各個單獨的發表或專利申請案，特定且單獨地指出以參考 方式併入，則以相同的限度，採引用的方式併入本文中。 本發明現已全部敘述，對原即熟諳此藝之士來説，對其 做很多改變與修改而不脱離延伸申請專利範圍的精神與範 圍’將是顯而易見的。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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Claims (1)

  1. -S- -r2 1. 一種用來從基板上剥離光阻材料、以及清除蝕刻殘留 物的組合物，其中含有0.01重量百分比至之10重量 百分比的一種或更多種氟化合物、15重量百分比至之 50重量百分比的水，以及從重量百分比至之95重 f百分比的化合物，其若非對應於下列之有機亞减： 〇 Ri 〇 其中心與R2是Η、OH或烷基，至少Ri與R2其中一個 是烷基，就是對應於下列的颯溶劑，
    〇 、〇 其中Rs-Rio可各自為Η或烷基，以及從0.1重量百分 比至15重量百分比的鹼式胺化合物。 2·根據申請專利範園第1項之組合物’其中該氟化合物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)
    527409 A B c D 申請專利範圍 疋氟化銨，而該有機亞楓是二甲亞鐵。 3·根據申請專利範圍第2項之組合物，其中該鹼式胺化 合物選自以羥胺、聯胺、2_胺基_2_乙氧基-乙醇、單乙 醇胺、一乙基護胺、膽素、四甲铵甲酸鹽、單異丙醇 胺、二乙醇胺與三乙醇胺等組成之群組。 4·根據申請專利範圍第1項之組合物，其中合計溶劑/胺 類對水的比例是從1.5:1至2.5:1。 5·根據申請專利範圍第2項之組合物，其中該組合物包 括3·5重量百分比之氟化銨的40%水溶液、65.5重量 百分比的二甲亞颯、28.5重量百分比的水，以及2.5 重I百分比的2_胺基-2-乙氧基-乙醇。 6· —種用來蝕刻金屬或氧化物的組合物，其包含有7 5 重量百分比至10重量百分比的一種或更多種氟化合 物、15重量百分比至50重量百分比的水，以及10重量 百分比至95重量百分比的有機亞颯或颯溶劑。 7.根據申請專利範圍第1項之組合物，其中該組合物含 有3.5重量百分比之氟化銨、65.5重量百分比的二甲 亞砜、28.5重量百分比的水，以及2.5重量百分比的 2·胺基-2-乙氧基-乙醇。 8·根據申請專利範園第3項之組合物，其中該鹼式胺化 合物是膽素。 9·根據申請專利範圍第1項之組合物，其更進一步包括 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 527409 圍範利專 請中 ABCD 攻合劑，其係選自以五倍子酸、鄰苯二酚、四丁基 氳氧化銹與二乙酯聯胺組成之群。 10.根據申請專利範圍第i項之組合物，其更進一步包括 —共落劑，其選自以醋酸、乙酸甲酯、甲基乳酸鹽、 乙酸乙酯、雙乙酸乙二酯、乳酸乙酯、丙二醇、丙二 醇碳酸醋、N-甲基吡咯啶酮、甲氧基乙氧基乙醇與單 月桂酸聚乙二酯等組成之群組。 U· 一種從基板上移除光阻材料塗佈的方法，其係使用如 申請專利範圍第1項之組合物。 12. —種從基板上移除姓刻殘留物的方法，其係使用如申 請專利範圍第1項之組合物。 13· —種蝕刻矽氧化物的方法，其係使用如申請專利範圍 第1項之組合物。 14· 一種用來從基板上剥離光阻材料、以及清除蝕刻殘留 物的組合物，其係含有0.01重量百分比至10重量百分 比的一種或更多種氟化合物、15重量百分比至50重量 百分比的水，以及從10重量百分比至95重量百分比的 化合物，其若非對應於下列之有機亞砜： Ο Ri-S--R2 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 527409 A8 B8 C8 D8
    申請專利範圍 其中心與&是Η、OH或烷基，至少心與κ其中一個 是基’就是對應於下列的颯溶劑：
    其中R3_R10可各自為Η或烷基，以及一共溶劑。 15·根據申請專利範圍第14項之組合物，其中共溶劑以 0.1重量百分比至60重量百分比的數量存在。 組成之群組。 16·根據申請專利範圍第15項之組合物，其中共溶劑選自 以醋酸、乙酸甲酯、甲基乳酸鹽、乙酸乙酯、雙乙酸 乙二酯、乳酸乙酯、丙二醇、丙二醇碳酸酯、队甲基 批洛相、甲氧基乙氧基乙醇與單月桂酸聚乙二醋等 17·,據申請專利範園第16項之組合物，其中該氟化合物 疋氟化氫銨，而有機亞颯是二甲亞砜。 18.,據申請專利範圍第16項之組合物，其中該氟化合物 是氟化銨’而有機亞礙是二甲亞礙。
    527409 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19.根據申請專利範圍第14項之組合物，更進一步包括一 螯合劑，其選自以五倍子酸、鄰苯二酚、四丁基氫氧 化鱗與二乙酯聯胺組成之族。 20· —種從基板上移除光阻材料塗佈的方法，其係使用如 申請專利範圍第14項之組合物。 21· —種從基板上移除蝕刻殘留物的方法，其係使用如申 請專利範圍第14項之組合物。 22. —種蝕刻矽氧化物的方法，其係使用如申請專利範圍 第14項之組合物。 23· —種用來從基板上剥離光阻材料、以及清除蝕刻殘留 物的組合物，其中含有0.01重量百分比至1〇重量百分 比的氟化氫銨、15重量百分比至5〇重量百分比的水， 以及從10重量百分比至95重量百分比的化合物，其若 非對應於下列之有機亞砜： 〇 R1 "S·-~R2 〇 其中Ri與R2是Η、OH或烷基，至少Ri與r2其中一個 是燒基’就是對應於下列的諷溶劑： -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 527409 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8
    其中Rs-Rio可各自為Η或烷基。 24·根據申請專利範圍第23項之組合物，其中有機亞颯是 一甲亞/5風。 25.根據申請專利範圍第24項之組合物，其中組合物更進 一步包括共溶劑，其選自以醋酸、乙酸甲酯、甲基乳 酸鹽、乙酸乙酯、雙乙酸乙二酯、乳酸乙酯、丙二 醇、丙二醇碳酸酯、Ν_甲基吡咯啶酮、甲氧基乙氧基 乙醇與單月桂酸聚乙二酯等組成之群組。 26·根據申請專利範園第24項之組合物，其中組合物更進 一步包括驗式胺化合物，其選自以羥胺、聯胺、孓胺 基-2-乙氧基-乙醇、單乙醇胺、二乙基羥胺、膽素、 四甲銨甲酸鹽、單異丙醇胺、二乙醇胺與三乙醇胺等 組成之群。 27·根據申請專利範圍第24項之組合物，其更進一步包括 一螯合劑’其選自由五倍子酸、鄰苯二紛、四丁基氫 氧化鳞與二乙酯聯胺組成之群。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) A B c D 527409 々、申請專利範圍 28. 根據申請專利範圍第24項之組合物，其中組合物更進 一步包括30至60重量百分比的乳酸乙酯。 29. —種從基板上移除光阻材料塗佈的方法，其係使用如 申請專利範圍第23項之組合物。 30. —種從基板上移除蚀刻殘留物的方法，其係使用如申 請專利範圍第23項之組合物。 31. —種蝕刻矽氧化物的方法，其係使用如申請專利範圍 第23項之組合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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