TW522374B - Electro-optical device and driving method of the same - Google Patents

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522374 A7 B7 五、發明説明（，） 發明背景 1. 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於電光裝置的驅動電路和使用該驅動電路 的電光裝置，並特別關於包含絕緣體上形成的薄膜電晶體 的主動矩陣型電光裝置的驅動電路和使用該驅動電路的主 動矩陣型電光裝置。具體來說，本發明係把數位影像訊號 用作影像源並把諸如有機電致發光（EL )元件的自發光元 件用作圖素邰分的主動矩陣型電光裝置的驅動電路和使用 該驅動電路的主動矩陣型電光裝置。 2. 相關技藝之說明 EL元件包括：包含了在其中獲得電致發光（電致發光 :施以電場時引起的發光）的有機化合物的層（以下稱作 E L·層）、陽極和陰極。有機化合物中的發光包括單一激發 態返回至接地狀態時的光發射（螢光）和三重激發態返回 至接地狀態時的光發射（磷光），而且本發明可應用於使 用任意一種光發射的電光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附帶而S ’在本說明書中，在陽極和陰極之間提供的 任何層都被定義爲EL層。具體來說，EL層包括光發射層、 電洞注入層、電子注入層、電洞傳送層、電子傳送層等。 EL元件基本上具有陽極/光發射層/陰極連續層疊的結構，除 此結構以外，EL元件也可具有陽極/電洞注入層/光發射層/ 陰極或陽極/電洞注入層/光發射層/電子傳送層/陰極連續層 疊的結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 522374 A7 B7 五、發明説明（2) 另外，在本說明書中，由陽極、EL層和陰極形成的元 件稱作EL元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 近年來，在絕緣體上尤其是在玻璃基底上形成半導體 薄膜的電光裝置，特別是使用薄膜電晶體（以下稱作TFT ) 的主動矩陣型電光裝置已經相當普及。使用TFT的主動矩陣 型電光裝置包括以矩陣形式排列的幾十萬至幾百萬個TFT， 並藉由控制每個圖素的電荷顯示影像。 另外，除了構成圖素的圖素TFT之外，一種關於利用 TFT而在圖素部分的周圍部分同時形成驅動電路的多晶矽 TFT的技術當作一種新技術已經得到了發展，並且大大促進 了裝置小型化和電功率耗損的降低，因此，該電光裝置已 成爲應用領域爲在近年來顯著增加的行動設備的顯示部分 之不可或缺的裝置。 除此之外，作爲取代LCD (液晶顯示）的平板顯示器， 使用諸如有機EL的自發光材料的電光裝置已經引起了注意 ，並且已展開積極的硏究。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3是數位系統的電光裝置實例的示意圖。圖素部分 1 3 07置於中心。在該圖素部分中，除了源極訊號線和閘極 訊號線之外，還配置了用於提供EL元件電流的電源線1 306 。用於控制源極訊號線的源極訊號線驅動電路1301置於圖 素部分的上邊·。源極訊號線驅動電路1 30 1包括移位暫存器 電路1 303、第一閂鎖電路1 304、第二閂鎖電路1 305等。用於 控制閘極訊號線的閘極訊號線驅'動電路1 302置於圖素部分 的兩側。需要指出，在圖1 3中，儘管閘極訊號線驅動電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 522374 A7 B7 五、發明説明（3) Π02置於圖素部分的兩側，但它們也可置於一側。但是， 從驅動效率和驅動可靠性的角度來看，最好還是置於兩側 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 源極訊號線驅動電路1 3 01具有如圖14所示的結構，它 包括移位暫存器電路（：SR ) 1401、第一閂鎖電路（LAT1 ) 1402、第二閂鎖電路（LAT2 ) 1403等。需要指出，儘管在 圖1 4中未示出，但根據需要也可配置緩衝電路、位準移位 電路等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖13和14以簡要說明其操作。首先，時鐘訊號（s_ CLK，S-CLKb)和啓始脈衝（S-SP)輸入移位暫存器電路 Π03 (:在圖14中被表示爲SR)，並且順序輸出取樣脈衝。 之後，取樣脈衝輸入到第一閂鎖電路1 3 〇4 (在圖丨4中表示 爲L A T 1 )，且輸入到同一個第一閂鎖電路1 3 04的數位影像 訊號（數位資料）被分別保存。這個週期稱爲點資料取樣 週期。在此，D1是最高有效位元（MSB)且D3是最低有效 位元（LSB )。在第一閂鎖電路1 304中，當完成一個水平週 期中的一位元數位影像訊號保存時，保存在第一閂鎖電路 1 304中的數位影像訊號在回掃週期中根據閂鎖訊號（閂鎖 脈衝）的輸入而同時一齊傳送到第二閂鎖電路丨3 〇 5 (在圖 1 4中表示爲LAT2 )。數位影像訊號從第一閂鎖電路傳送到 第二閂鎖電路的週期被稱爲線資料閂鎖週期。 另一方面，在閘極訊號線側的驅動電路13〇2中，閘極 側時鐘訊號（G-CLK)和閘極側啓始脈衝（G_SP)輸入移位 暫存器中（未示出）。根據輸入訊號，移位暫存器經緩衝 本紙張尺度適财顚家標準（CNS ) A视格（21()>< 297公慶）~~ -- -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A7 B7 五、發明説明（4 ) 器等（未不出）按順序輸出作爲閘極訊號線選擇脈衝輸出 的脈衝，且按順序選擇閘極訊號線。 傳送到源極訊號線側驅動電路1301的第二閂鎖電路1305 的資料寫入藉由閘極訊號線選擇脈衝所選的行的圖素中。 以下說明圖素部分1 307的驅動。圖19A和19B表示圖13 的圖素部分1 3 0 7的一部分。圖1 9 A表示3 X 3個圖素的矩陣。 由虛線框1 9 0 0圍繞的部分是一個圖素，圖1 9 B是其放大圖。 在圖19B中，參考數字1901表示在訊號寫入圖素時作用當成 開關元件之TFT (以下稱作開關TFT )。任意極性的N-通道 型和P-通道型都可用於開關TFT1901。參考數字1902表示當 成用以控制到EL元件1 903的電流的元件（電流控制元件） 的TFT (以下稱作EL驅動TFT )。在使用P-通道型於EL驅動 TFT1 902的情況下，它被置於EL元件1 903的陽極1 909和電源 線1907之間。作爲另一種構成方法，亦可使用N-通道型於 EL驅動TFT190 2，而且它也可置於EL元件1 903的陰極1910和 陰極1 908之間。但是，由於對於TFT之操作而言，接地源是 較佳的，並且由於EL元件1 903的製造限制，所以使用P-通 道型於EL驅動TFT 1 902的系統是通用的，且經常被採用EL驅 動TFT 1 902置於EL元件1 903的陽極1 909和電源線1 907之間。 參考數字1904表示儲存電容器，用於保存從源極訊號線1906 輸入的訊號（電壓）。儘管圖19B中的儲存電容器1 9 04的一 端連接電源線1907，但也存在使用專用線路的情況。開關 TFT 1 90 1的閘極連接閘極訊號線1 905，且其源區連接源極訊 號線1 9 0 6。 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ ' _ — ΙΓ----裝------訂------0^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 522374 A7 B7_ 五、發明説明（5 ) 下面參考圖19A和19B說明主動矩陣型電光裝置的電路 操作。首先，當閘極訊號線1 9 0 5被選擇時，電壓被加到開 關TFT 1901的閘極，並且開關TFT1901具有了導電狀態。接 著，源極訊號線1 906的訊號（電壓）被儲存在儲存電容器 1904中。由於儲存電容器1904的電壓變爲EL驅動TFT1902的 閘極和源極之間的電壓Vcs，所以與儲存電容器1904的電壓 相對應的電流流過EL驅動TFT 1 902和EL元件1 903。結果，EL 元件1 9 0 3發光。 EL元件19 03的亮度，即流經EL元件1903的電流量，可 由EL驅動TFT1 902的電壓Vcs控制。電壓Vcs是儲存電容器 1 904的電壓，並且是輸入到源極訊號線1 906的訊號（電壓） 。也就是說，藉由控制輸入到源極訊號線1906的訊號（：電 壓），EL元件1 903的亮度受到控制。最後，閘極訊號線 1 905變爲非選擇狀態，開關TFT1901的閘極被關閉，並且開 關TFT1901變爲具有開路狀態。此時，儲存在儲存電容器 1 904中的電荷被保存。因而EL驅動TFT 1 902的電壓Vu按原 樣保存，並且對應於電壓Ve;s的電流繼續流經EL驅動 TFT 1902而到達EL元件1 903。 EL元件的驅動可參考：SID99 Digest : P372 : “由多晶 矽TFT驅動的光發射聚合物顯示的當前狀況和未來”；ASIA DISPLAY98 ： P217 ： “由利用積體驅動器的低溫多晶矽薄 膜電晶體驅動的高解析度光發射聚合物顯示”；和Euro Display99 Late News ： P27 ： “具有低溫多晶矽 TFT 的 3.8 Green 〇LED” 等。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）~ " -8- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •項再填办 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 以下說明EL元件的灰度顯示系統。類比灰度系統的缺 點是易受EL驅動TFT的電流特性波動的影響。也就是說，當 EL驅動TFT的電流特性不同時，即使施以相同的閘極電壓， 流經EL驅動TFT和EL元件的電流値都會變化。結果，ELS 件的亮度，即灰度被改變。 因而，爲了減小EL驅動TFT的特性波動的影響而設計了 一種稱爲數位灰度系統的系統。這種系統是以兩種狀態控 制灰度的系統，其一狀態（幾乎沒有電流流過）是EL驅動T FT的閘極電壓絕對値丨V(：lS丨不大於發光啓始電壓，另一狀 態（接近最大値的電流流過）是其大於亮度飽和電壓。在 這種情況下，當EL驅動TFT的閘極電壓絕對値丨Vcs丨充分 大於亮度飽和電壓時，即使EL驅動TFT的電流特性波動，電 流値也接近Imax。因而可使EL驅動TFT的波動的影響變得非 常小。如上所述，由於灰度是以ON狀態（由於最大電流流 過而明売）和◦ F F狀態（.由於沒有電流流過而灰日首）迫兩種 狀態進行控制，所以此系統稱爲數位灰度系統。 但是，在數位灰度系統的情況下，如果不進行任何變 化，則只能顯示兩種灰度。因此提出幾種結合另一個系統 實現多個灰度的技術。 時間灰度系統是用於實現多灰度的系統之一。時間灰 度系統是這樣的一種系統，即EL元件發光的時間被控制並 且灰度藉由發光時間的長度來實現。也就是說，一框週期 被分成多個子框週期，並且發光子框的數目和長度被控制 以能夠表達灰度。 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐]~ ' ' -9- — 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 522374 A7 B7 五、發明説明（7 ) 現在參考圖20A至20D。圖20A至20D簡要表示一種使用 時間灰度系統的電路的驅動分時。在本例中，框頻被設置 爲60Hz，並且3-位元灰度藉由VGA ( 640x480圖素）標準的 電光裝置中的時間灰度系統獲得。圖14中的電路被用作源 極訊號線驅動電路。 通常，影像以每秒鐘六十次掃描到電光裝置的螢幕上 。藉由這種方式，影像可以相對於人眼沒有閃爍（閃動） 地顯示。一個影像掃描到螢幕上的週期被稱爲一框週期。 如圖2 0 A所不，一框被分爲其數目等於灰度位元數的子 框週期。在此，由於使用3位元，所以一框週期被分爲三個 子框週期。一個子框週期進一步分爲位址週期（Ta )和維 持（顯示）週期（Ts)(圖20B)。在SFi中的維持週期被 稱作Ts!。同樣，在SF2和SF3的情況下，維持週期被稱作Ts2 和Ts3。由於位址週期是一框影像訊號被寫入圖素中的週期 ，所以任何子框週期中的長度都彼此相等（圖20C )。在此 ，維持週期具有2的乘羃，如Tsi : Ts2 : Ts3二22 : : 2° = 4 : 2 在位址週期中，從第一行開始按順序選擇閘極訊號線 ，並且將數位影像資料寫入圖素中。由於在圖20C中所示的 是VGA ( 640x480圖素）標準，所以數位影像訊號寫入480行 中。在此，一行的處理週期表示爲一個水平週期。 另外，在一個水平週期中，取樣脈衝根據時鐘脈衝C S-CLK，S-CLKb )和啓始脈衝（SP)而從移位暫存器（SR )中按順序輸出，並且處理數位影像訊號。此週期稱作點 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· .曹_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 522374 A7
資料取樣週期。在VGA標準的電光裝置中，一行有640個圖 素’針對640個圖素而對數位影像訊號進行處理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 在處理一行（640個圖素）的數位訊號之後，閂鎖脈衝 在回掃週期被輸入，並且保存在第一閂鎖電路（L A τ丨中 的·數位訊號立即傳送到第二閂鎖電路（LAT2 )，而後，一 行的數位影像訊號同時寫入相應的圖素中。 關於灰度顯示的方法方面，在從Ts:j〖的維持（顯 示）週期中，EL元件被控制具.有發光狀態或不發光狀態， 從而使亮度由一框週期中的總發光時間的長度來控制。在 本例中，由於發光時間的23 = 8個長度可藉由發光維持（顯示 )週期的組合來確定，所以可顯示8個灰度。與此類似，藉 由使用發光時間的長度可執行灰度顯示。 在灰度數目進一步增加的情況下，只需增加一框週期 的劃分數目。在一框週期被分成η個子框週期的情況下，維 持（顯示）週期的長度之比變爲Tsi : Ts2 : ......Ts〔 η ):
Tsn = 2 ί： n'i} ： 2 ( n-2J ：……21 : 2。，並且可表示 2n個灰度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一般主動矩陣型電光裝置中，爲了平滑地顯示移動 影像，如圖20A所示，螢幕顯示的更新以每秒約60次來執行 。也就是說，必須針對每框提供數位影像訊號，並且每次 都執行寫入圖素的處理。即使影像是靜止影像，但由於必 須針對每框繼續提供相同的訊號，所以驅動電路必須連續 執行相同數位影像訊號的重復處理。 儘管有一種方法是靜止影像的數位影像訊號一次寫入 外部記憶電路中，且而後針對每框而把數位影像訊號從外 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）〜 -11 - 522374
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 部記憶電路提供給電光裝置，但無論如何都是沒有什麽變 化的，因爲外部記憶電路和驅動電路必須繼續操作。 尤其是在行動設備中，非常希望降低電功率耗損。另 外，在行動設備中，儘管其大部分用在靜止影像模式中’ 低由於驅動電路即使在上述靜止影像顯示時依然繼續操作 ，因此這就成爲降低電功率耗損的障礙。 發明槪要 鑒於以上的問題，本發明的一個目的就是藉由使用一 種新電路而在靜止影像顯示時降低驅動電路的電功率耗損 〇 爲了實現該目的，本發明使用下面的裝置。 多個記憶電路被安排在一個圖素中，並且數位影像訊 號儲存在每個圖素中。在靜止影像的情況下，在執行一次 寫入之後，由於寫入圖素的資訊相同，所以即使不輸入每 框的訊號，藉由讀出儲存在記憶電路中的訊號也可連續顯 示靜止影像。也就是說，當顯示靜止影像時，在執行至少 一框訊號的處理操作之後，可停止源極訊號線驅動電路， 並因此可顯著地降低電功率耗損。 以下說明本發明的電光裝置的結構。 根據本發明的第一觀點，一種具有多個圖素的電光裝 置的特徵在於多個圖素中的每個圖素都具有多個記憶電路 0 根據本發明的第二觀點，一種具有多個圖素的電光裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — IL------ΦΊ------1T------Φ C请先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) -12- 522374 Α7 Β7 五、發明説明（10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 置的特徵在於多個圖素中的每個圖素包括n X m個記憶電 路，用於儲存ηι框（m是一個自然數；K m )的11 -位兀（11疋 一個自然數，2^η )數位影像訊號。 根據本發明的第三觀點，一種具有多個圖素的電光裝 置的特徵在於： 多個圖素中的每個圖素都包括一個源極訊號線、η ( 11 是一個自然數，2<η )個寫閘極訊號線、η個讀閘極訊號線 、η個寫電晶體、η個讀電晶體、用於儲存m框（m是一個自 然數；1 )的η-位元數位影像訊號的η X m個記憶電路、 η個寫記憶電路選擇部分、η個讀記憶電路選擇部分、一個 電源線、一個EL驅動電晶體和一個EL元件； η個寫電晶體的每個閘極電連接至η個寫閘極訊號線的 任意不同之一，源區和汲區之一電連接至源極訊號線’另 一個則電連接至η個寫記憶電路選擇部分的任一不同訊號輸 入部分； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 η個寫記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號輸 出部分，m個訊號輸出部分分別電連接至不同的m個記憶電 路的訊號輸入部分； η個讀記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號輸 入部分，m個訊號輸入部分分別電連接於不同的m個記憶電 路的訊號輸出部分；
η個讀電晶體的每個閘極都電連接至η個讀閘極訊號線 的任意不同之一，源區和汲區之一電連接至η個讀記憶電路 選擇部分的任一不同訊號輸出部分，另一個則電連接至E L 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 Α7 Β7 五、發明説明（n) 驅動電晶體的閘極，EL驅動電晶體的源區和汲區之一電連 接至電源線，另一個則電連接至EL元件的一個電極。 根據本發明的第四觀點，一種具有多個圖素的電光裝 置的特徵在於： 多個圖素中的每個圖素都包括η個（η是一個自然數， 2 < η )源極訊號線、一個寫閘極訊號線、η個讀閘極訊號線 、η個寫電晶體、η個讀電晶體、用於儲存m框（m是一個自 然數；1 < m )的η -位兀數位影像訊號的η X m個記憶電路、 η個寫記憶電路選擇部分、η個讀記憶電路選擇部分、一個 電源線、一個EL驅動電晶體和一個EL元件； η個寫電晶體的每個閘極都電連接至寫閘極訊號線，源 區和汲區之一電連接至η個源極訊號線的任意不同之一，另 一個則電連接至η個寫記憶電路選擇部分的任一不同訊號輸 入部分； η個寫記億電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號輸 出部分，m個訊號輸出部分分別電連接至不同的m個記憶電 路的訊號輸入部分； η個讀記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號輸 入部分，m個訊號輸入部分分別電連接至不同的m個記憶電 路的訊號輸出部分； η個讀電晶體的每個閘極都電連接至η個讀閘極訊號線 的任意不同之一，源區和汲區之一電連接至η個讀記憶電路 選擇部分的任一不同訊號輸出部分，另一個則電連接至E L 驅動電晶體的閘極，EL驅動電晶體的源區和汲區之一電連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐)~ 11-Γ —--------,-I、玎------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -14- 522374 Α7 Β7 五、發明説明（12) 接至電源線，且另一個電連接至EL元件的一個電極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的第五觀點，在本發明的第三或第四觀點 中，該電光裝置的特徵在於： 每個寫記憶電路選擇部分選擇m個記憶電路之任一，且 電,連接至寫電晶體的源區和汲區之一以把數位影像訊號寫 入記憶電路中；並且 每個讀記憶電路選擇部分選擇在其中儲存數位影像訊 號的記憶電路之任一，且電連接至讀電晶體的源區和汲區 之一以讀出儲存的數位影像。 根據本發明的第六觀點，在本發明的第三觀點中，該 電光裝置的特徵在於進一步包含： 移位暫存器，用於根據時鐘訊號和啓始脈衝按順序輸 出取樣脈衝； 第一閃鎖電路，用於根據取樣脈衝儲存η -位元（η是一 個自然數，2U)數位影像訊號； 第二閂鎖電路，保存在第一閂鎖電路中的η-位元數位 影像訊號被傳送到該第二閂鎖電路；和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位元訊號選擇開關，用於針對每個位元按順序選擇傳 送到第一閃鎖電路的η -位兀數位影像訊號並用於將它們輸 出到源極訊號線。 根據本發明的第七觀點，在本發明的第四觀點中，該 電光裝置的特徵在於進一步包含： 移位暫存器，用於根據時鐘訊號和啓始脈衝按順序輸 出取樣脈衝； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15- 522374 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13) 第一閂鎖電路，用於根據取樣脈衝儲存n-位元（η是一 個自然數，2<η )數位影像訊號的1 -位元數位影像訊號；和 第二問鎖電路’保存在第一閃鎖電路中的1 -位元數位 影像訊號被傳送到該第二閂鎖電路並且第二閂鎖電路把1 _ 位兀數位影像訊號輸出至源極訊號線。 根據本發明的第八觀點，在本發明的第四觀點中，該 電光裝置的特徵在於進一步包含： 移位暫存器，用於根據時鐘訊號和啓始脈衝按順序輸 出取樣脈衝；以及 第一閂鎖電路，用於根據取樣脈衝儲存η-位元（η是一 個自然數，2Q )數位影像訊號的1 -位元數位影像訊號並用 於把1 -位元數位影像訊號輸出到源極訊號線。 根據本發明的第九觀點，在本發明的第一至第八觀點 之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路是靜態 隨機存取記憶體（SRAM)。 根據本發明的第十觀點，在本發明的第一至第八觀點 之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路是鐵電 隨機存取記憶體（F e R A Μ )。 根據本發明的第十一觀點，在本發明的第一至第八觀 點之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路是動 態隨機存取記憶體（DRAM)。 根據本發明的第十二觀點，在本發明的第一至第十一 觀點之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路形 成在玻璃基底上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
♦ 項再填A 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 522374 Α7 Β7 五、發明説明（以 根據本發明的第十三觀點，在本發明的第一至第十一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 觀點之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路形 成在塑膠基底上。 根據本發明的第十四觀點，在本發明的第一至第^—— 觀點之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路形 成在不銹鋼基底上。 根據本發明的第十五觀點，在本發明的第一至第十一 觀點之任一觀點中，該電光裝置的特徵在於該記憶電路形 成在單晶片上。 根據本發明的第十六觀點，一種用於使用n-位元（η是 一個自然數’ 2Sn )數位影像訊號執行影像顯示的電光裝置 的驅動方法的特徵在於： 該電光裝置包括源極訊號線驅動電路、閘極訊號線驅 動電路和多個圖素； 在源極訊號線驅動電路中，取樣脈衝從移位暫存器輸 出並被輸入到閂鎖電路； 在閂鎖電路中，數位影像訊號根據取樣脈衝來保存； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 保存的數位影像訊號被傳送到源極訊號線； 在閘極訊號線驅動電路中，閘極訊號線選擇脈衝被輸 出且閘極訊號線被選擇；並且 在多個圖素中的每個圖素中，從源極訊號線輸入的η-位元數位影像訊號到記憶電路的寫入，和儲存在記憶電路 中的η-位元數位影像訊號的讀出在閘極訊號線被選擇的行 上執行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -17- 522374 Α7 Β7 五、發明説明（15) 根據本發明的第十七觀點，一種用於使用η-位元（η是 一個自然數，2<η )數位影像訊號執行影像顯示的電光裝置 的驅動方法的特徵在於： 該電光裝置包括源極訊號線驅動電路、閘極訊號線驅 重力電路和多個圖素； 在源極訊號線驅動電路中，取樣脈衝從移位暫存器輸 出並被輸入到閃鎖電路中； 在閂鎖電路中，根據取樣脈衝保存數位影像訊號； 保存的數位影像訊號被傳送到源極訊號線中； 閘極訊號線驅動電路輸出閘極訊號線選擇脈衝並從第 一行開始按順序選擇閘極訊號線，並且 在多個圖素中的每個圖素中，η -位元數位影像訊號的 寫入從第一行開始按順序執行。 根據本發明的第十八觀點，一種用於使用η-位元（η是 一個自然數，2U)數位影像訊號執行影像顯示的電光裝置 的驅動方法的特徵在於： 該電光裝置包括源極訊號線驅動電路、閘極訊號線驅 動電路和多個圖素； 在源極訊號線驅動電路中，取樣脈衝從移位暫存器輸 出並被輸入到閂鎖電路， 在閂鎖電路中，數位影像訊號根據取樣脈衝來保存； 保存的數位影像訊號被傳送到源極訊號線； 閘極訊號線驅動電路輸出閘極訊號線選擇脈衝以確定 閘極訊號線的任意行並將其選擇，並且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ♦ 項再填， 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 - 522374 A7 __ _B7_ 五、發明説明（16) 在多個圖素中的每個圖素中，η-位元數位影像訊號的 寫入在閘極訊號線被選擇的任意行執行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的第十九觀點，在本發明的第十六至第十 八觀點之任一觀點中，該驅動方法的特徵在於，在靜止影 像的顯示週期中，儲存在記憶電路中的η-位元數位影像訊 號被重復讀出以執行靜止影像的顯示，並且停止源極訊號 線驅動電路。 另外應當指出，在本說明書中所指的電致發光（EL ) 顯示板（裝置）也稱爲發光裝置或光發射二極體。 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1是本發明的圖素的電路圖，在其內部包括了多個記 憶電路； 圖2是表示用於藉由使用本發明的圖素執行顯示的源極 訊號線驅動電路的電路結構實例圖； 圖3 Α至3 C是表示用於藉由使用本發明的圖素執行顯示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的時間圖； 圖4A至4B是本發明的圖素的詳細電路圖，在其內部包 括了多個記憶電路； 圖5是表示沒有第二閂鎖電路的源極訊號線驅動電路的 電路結構貫例圖； 圖6是應用於本發明的圖素的詳細電路圖，它由圖5的 源極訊號線驅動電路驅動； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A7 B7 五、發明説明（17) 圖7A至7C是表示用於藉由使用圖5和6所示的電路執行 顯示的時間圖； 圖8是在動態記憶體用於記憶電路的情況下的本發明的 圖素的詳細電路圖； 圖9是表示具有在不同於圖l〇A至12B所示電光裝置的方 向上發射光的E L元件結構的電光裝置的部分圖； 圖10A至10C是表示包括本發明的圖素的電光裝置的製 造過程的實例圖； 圖1 1A至1 1C是表示包括本發明的圖素的電光裝置的製 造過程的實例圖； 圖12A和12B是表示包括本發明的圖素的電光裝置的製 造過程的實例圖； 圖1 3是表示習知電光裝置的整個電路結構的圖； 圖14是表示習知電光裝置的源極訊號線驅動電路的電 路結構實例圖； 圖15 A至15F是表示可應用包括本發明圖素的顯示設備 的電子設備的實例圖； 圖16A至16D是表示可應用包括本發明圖素的顯示設備 的電子設備的實例圖； 圖1 7是表示沒有第二閂鎖電路的源極訊號線驅動電路 的電路結構實例圖； 圖18A至18C是表示用於藉由使用圖17所示電路執行顯 示的時間圖； 圖19A和19B是習知電光裝置的圖素部分的放大匯； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I---^------^裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20- 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ΐδ) 圖2 Ο Α至2 0 D是表不電光裝置中的時間灰度系統的時間 圖；和 圖2 1是表示由圖5的源極訊號線驅動電路驅動的圖素的 電路圖。 元件對照表 1301 源極訊號線驅動電路 1 3 0 2 閘極訊號線驅動電路 1 3 0 3 移位暫存器電路 1 3 0 4 第一閂鎖電路 1 3 0 5 第二閂鎖電路 丄3 0 6 電流供應線 1 3 0 7 圖素部份 14 0 1 移位暫存器電路 1 4 0 2 第一閂鎖電路. 1 4 0 3 第二閂鎖電路
19 0 1 開關丁 F T
1 9 0 2 E L 驅動 T F T 1 9 0 3 E L元件 1904 儲存電容 1 9 0 5 閘極訊號線 1 9 0 6 源極訊號線 1 9 0 7 電流供應線 1908 陰極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I — ^------^-裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 522374 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（19) 1 9 〇 9 陽 極 1 9 1 〇 陰 極 9 〇 1 移位 s 存 an 益 電 路 9 〇 2 第 一 閂 鎖 電 路 2 0 3 第 一 閂 鎖 電 路 2 〇 4 位 元 訊 號 々巳巳 进 擇 開關 9 〇 5 圖 素 2 1 0 訊 號 1 2 3 E L 元 件 1 9 Lj 1 儲 存 電 容 1 0 1 源 極 訊 號 線 1 0 2 - 1 0 4 寫閘極訊號線 10 5^107 讀閘極訊號線10 8-110 寫 TFT1 1 1 — 1 1 3 讀丁 F T 114 第一寫記憶電路選擇部份 115 第一讀記憶電路選擇部份 116 第二寫記憶電路選擇部份 117 第二讀記憶電路選擇部份 1 1 8 第三寫記憶電路選擇部份 119 第三讀記憶電路選擇部份 120 電流供應線122 EL驅動TFT4〇1，4〇3，405，4〇7，4〇9，411 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 522374 A7 B7 五、發明説明（2〇) 寫選擇 4〇2，4〇4，4〇 讀選擇 3，4 1 4 記憶 〇 記憶電 1 寫選擇 2 讀選擇 1 移位暫 2 閂鎖電 3 圖素 0 訊號 3 ELS 1 儲存電1-2103 4 寫閘極 5 - 2 1 0 7 8-2110 4 1 4 5 4 5 4 5 5〇 5 0 5〇 5 1 TFT6，4 0 8，4 TFT 電路選擇訊號線 路 TFT TFT 存器電路 路 0 ， 4 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 X 1 2 2 0 〇 〇 〇 1 4 7 8 2 11 第一 第一 第二 第二 第三 第三 件 路 源極訊號線 訊號線 讀閘極訊號線 寫T F T 讀T F T 寫記憶電路選擇部份 讀記憶電路選擇部份 寫記憶電路選擇部份 讀記憶電路選擇部份 寫記憶電路選擇部份 讀記憶電路選擇部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 522374 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21) 2 12 0 2 12 2 6 0 1 6 0 2 6 0 3 6 0 4 6 0 5 - 6 0 7 6 0 8 - 6 1 0 6 11-613 6 1 4，6 1 6 6 1 5 ，6 1 7 6 2 6 6 2 8 6 2 9 6 3 0 7 0 1 7 0 2 7 0 3 7 0 4 7 10 0 0 2 2 7 電流供應線 E L驅動T F T 源極訊號線 源極訊號線 源極訊號線 寫聞極訊號線 讀閘極訊號線 寫T F T 讀T F T 6 1 8，6 2 0，6 寫選擇T F T 6 1 9，6 2 1，6 讀選擇T F T 記憶電路選擇訊號線 電流供應線. 儲存電容 E L驅動T F T E L元件 移位暫存器電路 閂鎖電路 艮fl II β S各 圖素 訊號 底膜 2 2 2 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -24- 522374 A7 B7 五、發明説明（22) 5 0 0 1 5 0 0 3 -5 0 0 7 5 0 0 8 5 0 0 9 5 0 10 5 0 11-5 0 17- 基底 006 島形半導體膜 閘極絕緣膜 第一導電膜 光罩 5 0 16 5 0 2 5 第一形狀導電層 第一雜質區域 第二形狀導電層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 2 6 - 5 0 5 0 3 2 - -5 〇 3 6 第三雜質區域 5 0 3 7 - -5 〇 4 2 第三形狀導電層 5 0 4 3 - -5 0 4 8 第四雜質區域 5 2 0 0 5 0 5 5 5 0 5 6 5 0 5 7 5 0 6 3 5 0 6 5 5 0 6 6 5 0 6 7 5 0 6 8 4 5 0 1 4 5 0 2 4 5 0 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 阻止光罩 第一中間層絕緣膜 第二中間層絕緣膜 0 6 2 ，5〇6 4 接線 圖素電極 第三中間層絕緣膜 E L層 陰極 鈍化膜 基底
開關T F T E L驅動T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 522374 A7 五、發明説明（23) 4 5 0 4 5 4 2 4 5 14 4 5 15 4 5 17 4 5 16 4 5 19 4 5 2 3 4 5 10 4 5 2 4 8 0 1 - 8 0 3 2 6 0 1 2 6 0 2 2 6 0 3 2 6 0 4 9 6 0 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 9 〇6 4 5 B7 汲極接線 閘電極 汲極接線 第一中間層絕緣膜 第一中間層絕緣膜 圖素電極 有機樹脂膜 E L層 陽極 E L元件 鈍化膜 更新T F T 主體 聲音輸出部份 聲音輸入部份 顯示部份 操作開關 天線 主體 顯示部份 聲音輸入部份 操作開關 電池 影像接收部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▲ -項再填、 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 522374 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（24) 2 6 2 1 2 6 2 2 2 6 2 3 2 6 2 4 2.625 2 6 3 1 2 6 3 2 2 6 3 3 2 6 4 1 2 6 4 2 2 6 4 3 2 6 4 4 2 6 5 1 2 6 5 2 2 6 5 3 2 6 5 4 2 6 5 5 2 7 0 1 2 7 0 2 2 7 0 3 2 7 0 4 2 7 11 2 7 12 2 7 13 主體 相機部份 影像接收部份 操作開關 顯示部份 主體 顯示部份 臂部份 主體 揚聲器 顯示部份 接收裝置 主體 顯示裝置 記憶媒體 操作開關 天線 主體 影像輸入部份 顯示裝置 鍵盤 主體 顯示部份 揚聲器部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 _____B7 五、發明説明（25) 記錄媒體 操作開關 主體 顯不部份 接目件 操作開關 顯示部份 帶部份。 較佳實施例之詳細說明 以下說明執行本發明之模式。圖2表示在使用包括多個 記憶電路的圖素的電光裝置中的一些圖素和源極訊號線驅 動電路的結構。此電路對應於3 -位元數位灰度訊號，且包 括移位暫存器電路201、第一閂鎖電路202、第二閂鎖電路 203、位元訊號選擇開關204和圖素205。參考數字210表示從 閘極訊號線驅動電路提供或直接由外部而來的訊號，並將 在隨後結合圖素的說明而說明。 圖1詳細顯示圖2所示圖素205的電路結構。此圖素對應 於3-位元數位灰度，且包括EL元件（EL) 123、儲存電容器 (Cs ) 121、記憶電路（A1至A3和B1至B3 )等。參考數字 101表示源極訊號線；102至104表示寫閘極訊號線；105至 107表示讀閘極訊號線；108-110表示寫TFT; 111至113表示 讀TFT; 114表示第一寫記憶電路選擇部分；115表示第一讀 記憶電路選擇部分；1 1 6表示第二寫記憶電路選擇部分； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -28- 522374 A7 B7 五、發明説明（2θ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 7表示第二讀記憶電路選擇部分；11 8表示第三寫記憶電 路選擇部分；119表示第三讀記憶電路選擇部分；120表示 電源線；且122表示EL驅動TFT。 包含在圖1所示圖素中的每個記憶電路（A1至A3和BIS B3)可儲存1-位元數位影像訊號，在此，記憶電路A1至A3 爲一組，且記憶電路B1至B3爲一組，每組儲存一個3-位元 數位影像訊號。也就是說，圖1所示圖素可儲存兩框的3-位 元數位影像訊號。 圖3是圖1所示的本發明顯示設備的時間圖。該顯示設 備用於3-位元數位灰度和VGA。參考圖1至3而說明一種驅動 方法。另外，圖1到3中的參考數字依原樣使用（圖號被省 略）。 參考圖2和圖3A和3B。在圖3A中，各個框週期由α、/3 、r、和表示並說明。首先說明框週期α的電路操作。 類似於習知數位系統的驅動電路的情況，時鐘訊號（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S - C L Κ，S _ C L K b、）和啓始脈衝（S _ S Ρ )被輸入移位暫存器電 路20 1中，並且取樣脈衝被按順序輸出。隨後，取樣脈衝被 輸入到第一閂鎖電路202 ( LAT1 )中，它們分別保存被輸入 到相同的第一閂鎖電路202中的數位影像訊號（數位資料） 。在本說明書中，此週期表示爲點資料取樣週期。一個水 平週期的點資料取樣週期是由圖3A中的1至480表示的每個 週期。數位影像訊號有3位元，D 1是MSB (最高有效位元） ，且D 3是L S B (.最低有效位元）。在第一閂鎖電路2 〇 2中， g W成一個水平週期的數位影像訊號的保存時，在回掃週 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " ~ --- -29- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A7 _ B7 五、發明説明（27) 期中’根據閂鎖訊號（閂鎖脈衝）的輸入，保存在第一閂 鎖電路202中的數位影像訊號被同時一起傳送到第二閂鎖電 路 203 ( LAT2 )。 而後’根據從移位暫存器201輸出的取樣脈衝，再度執 行下一個水平週期的數位影像訊號的保存操作。 另一方面，傳送到第二閂鎖電路203的數位影像訊號被 寫入配置於圖素中的記憶電路中。如圖3B所示，下一行的 點資料取樣週期被分爲I、II和III，且保存在第二閂鎖電路 中的數位影像訊號被輸出到源極訊號線。此時，它們由位 元訊號選擇開關204有選擇地連接以使每個位元的訊號能夠 連續輸出到源極訊號線。 在週期I中，脈衝輸入到寫閘極訊號線102中，寫 TFT 108導通，記憶電路選擇部分114選擇記憶電路A1，且數 位影像訊號被寫入記憶電路A1中。之後，在週期II中，脈衝 輸入到寫閘極訊號線103中，寫TFT109導通，記憶電路選擇 部分11 6選擇記憶電路A2，且數位影像訊號寫入記憶電路A2 中。最後，在週期III中，脈衝輸入到寫閘極訊號線104中， 寫TFT 110導通，記憶電路選擇部分11 8選擇記憶電路A3，且 數位影像訊號寫入記憶電路A 3中。 於此，可完成一個水平週期的數位影像訊號的處理。 圖3 B的週期是由圖3 A中的標記*表示的週期。上述操作執行 至最後一級，這樣，一框的數位影像訊號就儲存到記憶電 路A中。 在本發明的電光裝置中，3-位元數位灰度由一種時間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — II-----0^------I1T-----------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -30- 522374 A7 B7 五、發明説明（2a) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 灰度系統表示。該時間灰度系統不同於亮度由施加到圖素 的電壓來控制的普通系統，且是這樣的一種系統’即只有 兩種電壓施加給圖素，使用ON和OFF兩種狀態，且灰度是 藉由使用發光時間的差異來獲得的.。在該時間灰度系統中 ，.當提供η-位元灰度表示時，顯示週期被分爲η個週期，各 個週期的長度之比爲2的乘羃，如：2n」：2η·2 :……：2°， 且發光時間的長度差根據哪個週期具有ON狀態的圖素而産 生，從而使灰度得以表示。 此外，即使顯示週期的長度以不是2的乘羃之比來分割 且執行灰度顯示，亦可進行該顯示。 以上述說明爲基礎而說明框週期έ中的操作。當在最後 一級寫入記憶電路的操作結束時，執行第一框的顯示。圖 3C是用於解釋3-位元時間灰度系統的圖。現在，每個位元 的數位影像訊號被儲存到記憶電路A 1至A3中。參考字元Ts 1 表示第一位元資料的顯示週期；Ts2表示第二位元資料的顯 示週期；且Ts3表示第三位元資料的顯示週期。各顯示週期 的長度是 Tsl : Ts2 : Ts3 = 4 : 2 : 1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，由於使用三個位元，所以可獲得0到7的八級亮 度。在Tsl到Ts3的任一週期中不執行顯示的情況下，亮度 爲0，在使用所有週期執行顯示時，亮度爲7。例如，在希 望顯示亮度5的情況下，則只能在顯示週期Tsl和Ts3接通圖 素的狀態下執行顯示。 下述特別參考附圖而作說明。在顯示週期T s 1中，脈衝 輸入到讀閘極訊號線1 05，讀TFT 111導通，記憶電路選擇部 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公酱) -31 - 522374 A7 B7 五、發明説明（29) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 分1 15選擇記億電路A1，並且EL元件根據儲存在記憶電路A1 中的數位影像訊號而發光。隨後，在顯示週期Ts2中，脈衝 被輸入到讀閘極訊號線106，讀TFT112導通，記憶電路選擇 部分11 7選擇記憶電路A2，且EL元件根據儲存在記憶電路A2 中的數位影像訊號而發光。最後，在顯示週期T s 3中，脈衝 輸入到讀閘極訊號線1 07，讀TFT 11 3導通，記憶電路選擇部 分119選擇記憶電路A3，且EL元件根據儲存在記憶電路A3中 的數位影像訊號而發光。 以上述方式執行一框週期的顯示。另一方面，在驅動 電路側，下一框週期的數位影像訊號的處理在同時執行。 其過程與上述過程一直到把數位影像訊號傳送到第二閂鎖 電路爲止均相同。在隨後對記憶電路的寫週期中，使用的 記憶電路不同於在前面的框週期中儲存數位影像訊號的記 憶電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在週期I中，脈衝輸入到寫閘極訊號線1 02中，寫 TFT108導通，記憶電路選擇部分114選擇記憶電路B1，且數 位影像訊號被寫入記憶電路B 1中。之後，在週期Π中，脈衝 輸入到寫閘極訊號線1 0 3中’寫T F T 1 0 9導通，記憶電路選擇 部分1 1 6選擇記憶電路B2，且數位影像訊號被寫入記憶電路 B2中。最後，在週期III中，脈衝被輸入到寫閘極訊號線104 中，寫TFT110導通，記憶電路選擇部分118選擇記憶電路B3 ，且數位影像訊號被寫入記憶電路B 3中。 而後，在框週期r中，第二框的顯示根據儲存在記憶 電路B 1至B3中的數位影像訊號執行。同時，下一框週期的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ -32- 522374 A7 B7 五、發明説明（3(ί 數位影像訊號的處理開始。數位影像訊號再次儲存到在其 中已完成第一框顯示的記憶電路A 1至A3中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而後，儲存在記憶電路A1至A3中的數位影像訊號的顯 示在框週期5中執行，同時，下一框週期的數位影像訊號 的處理開始。數位影像訊號被再次儲存到在其中已完成第 二框顯示的記憶電路B 1至B3中。 重復上述操作且連續執行影像的顯示。於此，在顯示 靜止影像的情況下，在數位影像訊號藉由第一操作一次儲 存到記憶電路A 1至A3中之後，儲存在記憶電路A 1至A3中的 數位影像訊號只在各框週期中重復讀出。相應地，在顯示 靜止影像的週期中，可停止源極訊號線驅動電路的驅動。 應當指出，解碼電路可被用作源極訊號線驅動電路和/ 或閘極訊號線驅動電路。利用這種方式，可選擇任意行或 列，從而可使數位影像訊號寫入任意的圖素中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，數位影像訊號對記憶電路的寫入或數位影像訊 號從記憶電路的讀出以一個閘極訊號線爲單位來執行。也 就是說，也可採取這樣一種顯示方法，即源極訊號線驅動 電路僅僅短時間操作，且只有一部分螢幕被重寫。 另外，在用於執行本發明的模式中，儘管一個圖素包 括記憶電路A1至A3和B1至B3，且具有儲存兩框的3-位元數 位影像訊號的功能，但本發明並不限於此數目。也就是說 ，爲了儲存m框的η-位元數位影像訊號，一個圖素必須得包 括η X m個記憶電路。 利用以上方法，數位影像訊號可使用安裝在圖素中的 本紙張尺度適用中國國家標擎（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -33 - 522374 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 記憶電路儲存，而且當顯示靜止影像時，儲存在記憶電路 中的數位影像訊號可在各個框週期中重復使用，並且不必 驅動源極訊號線驅動電路就可以連續顯示靜止影像。因此 ，本發明可顯著地促進電光裝置的電功率耗損降低。 另外，就源極訊號線驅動電路而言，由於基於位元數 而增加的閂鎖電路等的排列問題，所以並不是必須在絕緣 體上整合形成電路，而是可在外部構建其一部分或全部。 另外，在以執行本發明的模式說明的電光裝置的源極 訊號線驅働電路中，儘管排列了對應於位元數的閂鎖電路 ，但也可僅僅排列一位元的閂鎖電路並使其操作。在這種 情況下，從高位元至低位元的數位影像訊號要按順序輸入 閂鎖電路中。 以下說明本發明的實施例。 [實施例1] 在本實施例中，以執行本發明的模式所說明的電路中 的記憶電路選擇部分使用電晶體而特別構成，並說明其操 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作。 . 圖4 A顯示類似於圖1所示圖素的例子，且記憶電路選擇 部分1 14至11 9實際上以電路構成。在圖中，相關於各個部 分的數字而言，與圖1中相同的部分提供與圖1相同的數字 。寫選擇 TFT401、403、405、407、409和 411，和讀選擇 TFT402、404、40 6、408、4 1 0和 4 1 2提供在記憶電路 A 1 至 A3 和B1至B3中，且由記憶電路選擇訊號線413和4 14控制。 本纸張尺度適^中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）~' -34- 522374 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4 B表不記憶電路的例子。由虛線框4 5 0表示的部分是 記憶電路（在圖4A中是由A1至A3和B1至B3表示的部分）。 參考數字451表示寫選擇TFT;且452表示讀選擇TFT。在此 處示出的記憶電路中，儘管使用的.是由連接成回路的兩個 反相器製成的靜態記憶體（靜態RAM : SRAM )，但記憶電 路並不限於此結構。在此，在SRAM用於記憶電路的情況下 ，圖素也可具有不包括儲存電容器（C s ) 1 2 1的結構。 在本實施例中，在執行本發明的模式下，圖4A所示電 路的驅動可根據圖3 A至3 C所示的時間圖來執行。電路操作 以及記憶電路選擇部分的實際驅動方法將參考圖3A至3C和 圖4 A說明。另外，圖3A至3C和圖4A中的對應號碼按原樣使 用（圖號省略）。 參考圖3A和3B。在圖3A中，各個框週期由α、/3、r 和5表示，並將說明如下。首先說明框週期α中的電路操 作。 由於從移位暫存器至第二閂鎖電路的驅動方法與在執 行本發明的模式中所示的方法相同，所以此方法遵循該方 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 法。 首先，脈衝被輸入記憶電路選擇訊號線413中，寫選擇 TFT401、405和409導通，且獲得使能對記憶電路Α1至A3的 寫入的狀態。在週期I中，脈衝被輸入寫閘極訊號線102中， TFT108導通，且數位影像訊號被寫入記憶電路人丨中。而後 ，在週期II中，脈衝被輸入寫閘極訊號線103中，寫TFT 109 導通，且數位影像訊號被寫入記憶電路A2中。最後，在週 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 一 ~ ~ -35- 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（y 期III中，脈衝被輸入寫閘極訊號線104中，寫TFT110導通， 且數位影像訊號被寫入記憶電路A3中。 這樣完成一個水平週期的數位影像訊號的處理。圖3 B 的週期是由圖3 A中的標記*表示的週期。上面的操作被執行 至最後一級，以使一框的數位影像訊號寫入記憶電路A 1至 A3中。 而後，說明框週期/3中的操作。當在最後一級對記憶 電路的寫入結束時，執行第一框的顯示。圖3C是用於解釋 3-位元時間灰度系統的圖。現在，各個位元的數位影像訊 號儲存在記憶電路A1至A3中。參考字元Tsl表示第一位元資 料的顯不週期；梦考字兀T s 2表不第二位兀資料的顯示週期 ;參考字元Ts3表示第三位元資料的顯示週期。各顯示週期 的長度是 Tsl : Ts2 : Ts3 = 4 : 2 : 1。 但是，即使顯示週期的長度被分成不是2的乘方的週期 來執行灰度顯示，亦可進行顯示。 在此，由於使用三個位元，所以可獲得0到7的八級亮 度。在Tsl到Ts3的任一週期中不執行顯示的情況下，亮度 爲0，並且當使用所有週期執行顯示時，亮度爲7。例如， 在希望顯示亮度5的情況下，則須在圖素在顯示週期Ts 1和 Ts3中具有ON狀態的狀態下執行顯示。 參考附圖以更詳細說明。在對記憶電路的寫操作結束 之後，當其前進至顯示週期時，已輸入到記憶電路選擇訊 號線4 1 3的脈衝結束，同時，一個脈衝輸入記憶電路選擇訊 號線 414，寫 TFT401、405和 409截止，讀 TFT402、40 6和 410 本紙張尺度適财關家標舉（CNS ) Α4ϋΐΟΧ297公釐) ' 批衣IT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -36- 522374 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 導通，並且出現能夠從記憶電路幻至八3讀出的狀態。在顯 示週期Tsl中，脈衝被輸入到讀閘極訊號線ι〇5中，讀 TFT111導通’ EL元件123根據儲存在記憶電路A1中的數位影 像γΛ 5虎發光。而後’在顯不週期T s 2中，脈衝被輸入到讀閘 極訊號線106中，讀TFT112導通，EL元件123根據儲存在記 憶電路A2中的數位影像訊號發光。最後，在顯示週期Ts3中 ’脈衝被輸入到讀閘極訊號線107中，讀TFT1 13導通，EL元 件123根據儲存在記憶電路A3中的數位影像訊號發光。 以上述方式執行一框週期的顯示。另一方面，在驅動 電路側’下一框週期的數位影像訊號的處理同時執行。直 到至第二閂鎖電路傳送數位影像訊號爲止的過程均與上述 過程相同。在隨後對記憶電路的寫週期中.，使用的是記憶 電路B 1至B 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 需要指出，在訊號寫入記憶電路A1至A3的週期中，儘 管相對於記憶電路A1至A3的寫TFT401、405和409導通，但 同時，從記憶電路^至63的讀丁？了404、408和412也導通。 類似地，當從記憶電路A1至A3的讀TFT402、406和410導通 時，同時，相對於記憶電路B1至B3的寫TFT403、407和411 也導通，且在交互記憶電路中，在一個特定框週期中寫和 讀交替進行。 在週期I中，脈衝被輸入到寫閘極訊號線102中，寫TFT 108導通，且數位影像訊號被寫入記憶電路B1中。而後，在 週期Π中，脈衝被輸入到寫閘極訊號線103中，寫TFT109導 通，並且數位影像訊號被寫入記憶電路B2中。最後，在週 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -37 _ 522374 A7 B7 五、發明説明（Μ 期111中’脈衝被輸入到寫閘極訊號線1 〇 4中，寫τ F τ 1 1 0導通 ’並且數位影像訊號被寫入記憶電路Β3中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而後，在框週期r中，第二框的顯示根據儲存在記憶 電路B 1至B3中的數位影像訊號來執行。同時，下一框週期 的數位影像訊號的處理開始。數位影像訊號被再次儲存到 在其中已完成第一框顯不的記憶電路A 1至A 3中。 而後，儲存在記憶電路A 1至A3中的數位影像訊號的顯 示在框週期5中執行，同時，.下一框週期的數位影像訊號 的處理開始。數位影像訊號被再次儲存到在其中已完成第 二框的顯示的記憶電路B 1至B3中。 重復上述過程，且執行影像顯示。順便說明，在顯示 靜止影像的情況下，在完成某一框的數位影像訊號對記憶 電路的寫入之後，源極訊號線驅動電路停止，儲存在相同 記憶電路中的每框訊號被讀出，且執行顯示。藉由與此類 似的方法，在靜止影像顯不期間的電功率耗損可顯著降低 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施例2] 在本實施例，說明以點序列執行圖素部分之記憶電路 的寫入之例，因此可省去源極訊號線驅動電路的第二閂鎖 電路。 圖5表示在使用包括多個記憶電路的圖素的電光裝置中 的一些圖素和源極訊號線驅動電路的結構。此電路對應於 3-位元數位灰度訊號，且包括移位暫存器5〇1、閂鎖電路502 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董1 " -38- 522374 A7 B7 五、發明説明（3έ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和圖素503。參考數字5 1 0表示從閘極訊號線驅動電路提供 或直接來源於外部的訊號，並將在隨後結合圖素的說明而 對其進行說明。 圖2 1顯示圖5所示圖素503的電路結構的詳圖。與實施 例1類似，此圖素對應於3-位元數位灰度，且包括多個記憶 電路（Α1至A3和Β1至Β3)、並包括EL元件（EL) 2123、儲 存電容器（Cs ) 2121等。參考數字21 01至2103表示源極訊號 線；2104表示寫閘極訊號線；.2105至2107表示讀閘極訊號線 ;2108-2110 表示寫 TFT; 2111 至 2113 表示讀 FTF; 2114 表示 第一寫記憶電路選擇部分；2 11 5表示第一讀記憶電路選擇 部分；21 16表示第二寫記憶電路選擇部分；2117表示第二讀 記憶電路選擇部分；2118表示第三寫記憶電路選擇部分；2 11 9表示第三讀記憶電路選擇部分；21 20表示電源線；且 2122表示EL驅動TFT。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6表示類似於實施例1而構建之寫記憶電路選擇部分 2114、21 16和21 18及讀記憶電路選擇部分2115、21 17和21 19 的結構。參考數字6 0 1表示第一位元（M S B )訊號的源極訊 號線：602表示第二位元訊號的源極訊號線；603表示第三 位元（LSB )訊號的源極訊號線；604表示寫閘極訊號線； 605至607表示讀閘極訊號線；608至610表示寫TFT;且611至 613表示讀TFT。記憶電路選擇部分藉由使用寫選擇TFT614 、616、618、620、6 22和 624及讀選擇 TFT615、617、619、 621、623和625等來構建。參考數字626和627表示記憶電路 選擇訊號線。電源線628、儲存電容器（Cs ) 629、EL驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 - 522374 A7 B7 五、發明説明（3) T F T 6 3 0和E L兀件6 3 1可與實施例1中的相關部分相同。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7A至7C是有關本實施例所示電路的驅動的時間圖。 爹考圖6和圖7八至7(1!而說明。 與實施例1類似，從移位暫存器電路50 1到閂鎖電路（ L A Τ 1 ) 5 0 2的操作以類似於執行本發明的方式執行。如圖7 B 所示，當在第一級的閂鎖操作結束時，對圖素的記憶電路 的寫入立即開始。脈衝被輸入寫閘極訊號線604中，寫 TFT608至610導通，另外，脈衝被輸入到記憶電路選擇訊號 線626，寫選擇TFT6 14、61 8和622導通，並且出現能夠寫入 記憶電路A1至A3的狀態。儲存在閂鎖電路502中的各個位元 的數位影像訊號藉由三個源極訊號線601至603同時寫入。 當保存在閂鎖電路中的數位影像訊號在第一級被儲存 到記憶電路中時，在下一級，數位影像訊號根據取樣脈衝 而保存到閂鎖電路中。利用這種方式，對記憶電路的寫入 可按順序執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上之操作是在一個水平週期中（由圖7 A的* *表示的 週期）執行的，並且以預定的次數重復，該次數等於閘極 訊號線的數目，而且，在框週期α中，一框數位影像訊號 寫入記憶電路的操作結束時，處理過程前進到由框週期会表 示的第一框的顯示週期。已輸入寫閘極訊號線6〇4的脈衝停 止’另外’已輸入記憶電路選擇訊號線626的脈衝停止，且 替代的’脈衝被輸入到記憶電路選擇訊號線627中，讀出選 ί半T F Τ 6 1 5、6 1 9和6 2 3導通’且出現症夠從記憶電路A 1至A 3 讀出的狀態。 本紙張尺度適用中國國家標皁（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -40- 522374 A7 B7 五、發明説明（3έ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而後，如圖7C所示，藉由在用於執行本發明之實施例1 等的模式中說明的時間灰度系統，在顯示週期Ts 1中’脈衝 被輸入讀閘極迅號線6 0 5中’讀T F T 6 11導通’且藉由羯入記 憶電路A 1的數位影像訊號執行顯示。而後’在顯示週期Ts2 中，脈衝被輸入讀閘極訊號線606中，讀TFT612導通，且藉 由寫入記憶電路A 2的數位影像訊號執行顯示。類似地，在 顯示週期Ts3中，脈衝被輸入讀閘極訊號線607中，讀 TFT6 1 3導通，且藉由寫入記憶電路A3的數位影像訊號執行 顯示。 在此完成了第一框的顯不週期。在框週期中’下一 框中的數位影像訊號的處理同時執行。類似於前面的處理 過程執行，直到數位影像訊號保存在閂鎖電路502中爲止。 在隨後的對記憶電路的寫週期中，使用記憶電路B1至B3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 順便說明，在訊號寫入記憶電路A 1至A3的週期中，儘 管相對於記憶電路A1至A3的寫TFT614、618和622導通，但 從記憶電路B1至B3的讀TFT617、621和625也同時導通。類 似地，當從記憶電路A1至A3的讀TFT61 5、619和623導通時 ，相對於記憶電路B1至B3的寫TFT616、620和624也同時導 通，且在交互記憶電路中，在一個特定框週期中，寫和讀 交替進行。 對記憶電路B 1至B 3的寫操作和讀操作與對記憶電路A 1 至A3的相應操作相同。當對記憶電路B1至B3的寫入結束時 ，框週期r開始，且第二框的顯示週期開始。另外，在這 個框週期中，下一框數位影像訊號的處理被執行。類似於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210 X297公釐） " -41- 522374 A7 B7 五、發明説明（3$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前面的處理過程被執行，直到把數位影像訊號保存在閂鎖 電路502中爲止。在隨後對記憶電路的寫週期中，再次使用 記憶電路A 1至A 3。 而後，儲存在記憶電路A1至A3中的數位影像訊號的顯 示在框週期5中執行，同時，下一框週期的數位影像訊號 的處理開始。數位影像訊號被再次儲存在已完成第二框顯 示的記憶電路B1至B3中。 上述處理過程被重復以使影像得以顯示。順便說明， 在執行靜止影像顯示的情況下，當完成某一框數位影像訊 號寫入記憶電路的操作時，源極訊號線驅動電路停止，寫 入相同記憶電路的訊號在每框中被讀出，且顯示得以執行 。藉由與此類似的方法，在靜止影像顯示期間的電功率耗 損可顯著降低。另外，當與實施例1中說明的電路相比較時 ，閂鎖電路的數目可減半，這樣就可藉由減少電路排列的 空間而使整個裝置小型化。 [實施例3 ] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，說明電光裝置的一個例子，該電光裝 置使用如實施例2所述省略第二閂鎖電路的電光裝置的電路 結構，且使用一種藉由線性循序驅動而在圖素中執行寫入 記憶電路的操作的方法。 圖17表示在本實施例中說明的電光裝置的源極訊號線 驅動電路的電路結構實例。此電路對應於3-位元數位灰度 訊號，且包括移位暫存器電路1701、閂鎖電路1 702、開關電 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42 - 522374 A7 B7___ 五、發明説明（40 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 路1 703和圖素1704。參考數字17 10表示從閘極訊號線驅動電 路提供或直接源自外部的訊號。由於圖素的電路結構可與 實施例2所示旳電路結構相同，因此將按原樣參考圖6 ° 圖1 8Α至1 8C是有關本實施例中該電路的驅動的時間圖 。參考圖6、圖17和圖18A至18C而說明。 取樣脈衝從移位暫存器1 70 1輸出且數位影像訊號根據 取樣脈衝儲存在閂鎖電路1 702中的操作與實施例1和2中的 情況相同。在本實施例中，由於開關電路1 703提供在閂鎖 電路1 702和圖素1704中的記憶電路之間，所以即使完成數位 影像訊號在閂鎖電路中的保存，寫入記憶電路的操作也不 會立即開始。開關電路1703保持關閉，直到點資料取樣週 期完成爲止，且閂鎖電路繼續保持數位影像訊號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖1 8B所示，當完成一個水平週期的數位影像訊號的 保持時，閂鎖訊號（閂鎖脈衝）在隨後的回掃週期中被輸 入，開關電路1703—次斷開，並且儲存在閂鎖電路1 702中的 數位影像訊號同時一起寫入圖素1 704中的記憶電路中。由 於與此時的寫操作有關的圖素1 704中的操作以及與下一框 週期中的顯示的重讀操作有關的圖素1 704中的操作可與實 施例2中的情況相同，所以在此省去其說明。 藉由上述的方法，即使在省去了閂鎖電路的源極訊號 線驅動電路中，也能容易地執行線性循序寫入。 [實施例4] 在實施例4中提供用於同時製造本發明的電光顯示的圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ϋ( 21〇χ297公釐） ------- -43- 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4) 素部分的T F T和在其周圍提供的驅動電路部分（源極訊號線 驅動電路、閘極訊號線驅動電路和圖素選擇訊號線驅動電 路）之方法。但爲了簡化說明’圖中示出的是作爲驅動電 路的基本電路的CMOS電路。 首先，如圖1 〇 A所示’由諸如氧化政膜、氮化砂膜或氮 氧化砂膜的絕緣膜構成的底膜5002形成在諸如Corning公司 的型號爲#7059的玻璃或# 1 737的玻璃的硼矽酸鋇玻璃或硼矽 酸鋁玻璃的玻璃構成的基底5〇〇1上。例如，利用電漿CVD法 ，以SiH4、NH3和N20製造的氮氧化矽膜5002a形成的厚度是 1 ◦至200nm (最好爲50至l〇〇nm )，並且類似地以SiH4和Ν:〇 製造的氫化氮氧化矽膜5002b形成的厚度爲50至200nm (最 好爲100至15Onm )，從而形成疊層。在實施例4中，儘管底 膜5002所示爲兩層結構，但該膜可由前述絕緣膜的單層膜 形成或者是不止兩層的疊層結構。 島形半導體膜5003至5006由藉由在具有非晶結構的半導 體膜上使用鐳射結晶法或者使用已知的熱結晶法製造的結 晶半導體膜形成。島形半導體膜5003至5006的厚度設置爲25 到80nm (最好在30到60nm之間）。這裏對結晶半導體膜的 材料沒有限制，但最好由砂或砂鍺（S i G e )合金形成薄膜 〇 雷射器如脈衝振蕩型或連續發射型的準分子雷射器， YAG雷射器或YV〇4雷射器，被用於以鐳射結晶法製造結晶 半導體膜。一種把從鐳射振蕩器發射的鐳射藉由光學系統 會聚爲線形並在隨後把光輻照到半導體膜的方法可在使用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I-------0·^------1T------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -44- 522374 A7 B7_ 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這些類型的雷射器時採用。結晶條件可由操作者適當地選 擇，但在使用準分子雷射器時，脈衝振蕩頻率被設置爲 3 0Hz，鐳射能量密度設置爲100至400mJ/cm2 (通常在200至 300 mJ/cm2之間）。另外，在使用YAG雷射器時則利用二次 諧波，脈衝振蕩頻率被設置爲卜1 0kHz，鐳射能量密度可設 置爲300-600mJ/cm2 (通常在350至500 mJ/cm2之間）。聚焦 爲寬度是100至1000 // m，如400 // m的線形的鐳射則輻照在 基底的整個表面上。這在線性雷射器的情況下以80-98%的 重疊率執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，閘極絕緣膜5007覆蓋著島形半導體層5003至5006 而形成。閘極絕緣膜5007以電漿CVD法或濺射法而由厚度爲 40到150nm的含矽絕緣膜形成。在實施例4中形成120nm厚的 氮氧化矽膜。當然，閘極絕緣膜5007並不限於這種氮氧化 矽膜，在單層或疊層結構中也可使用其他含矽絕緣膜。例 如，當使用氧化矽膜時，它可利用TEOS (原矽酸四乙酯） 和⑴的混合物以電漿CVD法形成，反應壓力是4〇Pa，基底溫 度設置爲300到400()C，且藉由0.5至0.8W/cm2的電功率密度高 頻（1 3 · 5 6MHz )放電。如此製造以作爲閘極絕緣膜的氧化 矽膜的優良特性可藉由隨後在400到500°C執行熱退火而獲得 〇 第一導電膜5008和第二導電膜5009則在閘極絕緣膜5007 上形成以形成閘極。在實施例4中，第一導電膜5008藉由厚 度爲50至l〇〇nm的Ta形成，且第二導電膜5〇〇9藉由厚度爲 1 00至300nm的W形成。 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇>< 297公釐) ' -45- 522374 A7 B7 五、發明説明（d (请先閱讀背面之注意事項存填寫本貢)
Ta膜藉由濺射形成，且Ta靶的濺射藉由使用Αι*來執行 。如果在濺射期間把適當量的Xe或Kr加入Ar中，則Ta膜的 內應力將會減輕，並可防止薄膜剝落。α相Ta膜的電阻率 約爲20 // Ω cm，且Ta膜可用於閘極.，但/3相Ta膜的電阻率 約爲1 8 0 // Ω c m，因此該T a膜不適於閘極。爲了形成^相T a 膜，擁有接近該相Ta的晶體結構的氮化鉬膜所形成的厚度 爲10-50nm以作爲Ta基底，這樣則可容易地獲得a相Ta膜。 W膜藉由以W作爲靶濺射而形成。W膜也可藉由熱CVD 法利用六氟化鎢（WF6 )來形成。無論如何，都必須使薄膜 具有低阻抗以將其用作閘極，並且最好把W膜的電阻率設置 爲20 // Ω cm或更小。藉由加大W膜的結晶可減小電阻率，但 對於在W膜中具有許多雜質元素如氧的情況來說，結晶化受 到禁止，且薄膜變爲高阻抗。因而在濺射中使用純度 99.9999 %的W靶。另外，藉由在形成W膜的同時充分注意在 薄膜形成時不引入源自氣相內部的雜質，則可以實現9至20 # Ω c m的電阻率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 需要指出，儘管在實施例4中第一導電膜5008和第二導 電膜5009分別由Ta和W形成，但導電膜並不限於這些。無論 是第一導電膜5008還是第二導電膜5009都可以由包含Ta、W 、Ti、Mo、A1和Cu的族中所選的元素形成，或者由這些元 素之一作爲其主要組成部分的合金材料或化合物材料來形 成。另外，也可使用攙雜諸如磷的雜質元素的半導體膜， 通常爲多晶砂膜。除了實施例4中的組合以外的最佳組合的 例子包括：第一導電膜5008由氮化鉅（TaN)形成且第二導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' - -46- 522374 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電膜5009由W形成；第一導電膜5008由氮化鉅（TaN)形成 且第二導電膜5009由A1形成；以及第一導電膜5008由氮化鉅 (TaN)形成且第二導電膜5009由Cu形成。 接著，掩膜5010由抗蝕膜形成，且爲了形成電極和接 線而執行第一鈾刻處理。在實施例4中使用ICP (電感耦合 電漿）鈾刻法。CF4和Ch的混合氣體被用作鈾刻氣體，而且 藉由在IPa的條件下把500 W RF的電功率（13.56MHz )應 用到線圏形電極而産生電漿。1 〇〇 W RF的電功率（1 3.5 6 MHz )也應用到基底側（試片級），從而有效地施加負自偏 壓。當混合CF4和Ch時，W膜和Ta膜均以相同的順序蝕刻。 藉由使用適當的抗蝕掩膜的形狀，在上面的蝕刻條件 下’第一導電層和第二導電層的邊緣部分根據應用於基底 側的偏壓效應而製成錐形。錐形部分的角度是15_45。。爲了 在執行鈾刻時在閘極絕緣膜上沒有任何殘餘物，鈾刻時間 可增加約10-20%。氮氧化矽膜相對於w膜的選擇性是2-4 ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通ffi爲3 )’因而錯由适種過触刻過程可餓刻約2 0 - 5 0 n m的 氮氧化矽膜的外曝露表面。第一形狀的導電層50 11-5016 ( 第一導電層5011&-50163和第二導電層50111)-5016匕）因而藉 由第一蝕刻過程而由第一導電層和第二導電層形成。於此 ，未被第一形狀的導電層50 1 1 - 50 1 6覆蓋的閘極絕緣膜5007 的區域藉由鈾刻可削薄約20-50nm (圖10A )。 隨後’執行第一摻雜處理以添加授予n型導電性的雜質 元素。·摻雜處理可利用離子摻雜法或離子注入法執行。離 子摻雜法的條件是1χ1〇13_5χ1014原子/cm2的劑量，且加速電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -47 - 522374 A7 B7 五、發明説明（d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 壓爲60- 100keV。屬於第15族的元素，一般是磷（p)或砷（ A s )被用作授予η -型導電性的雜質元素，但在這裏使用磷 。在這種情況下，導電層50 1 1 -50 1 5變爲授予η型導電性的雜 質元素的掩膜，且第一雜質區50 1 7-5025以自對準方式形成 。濃度範圍在1χ1〇2°-1χ1〇21原子/cm3的授予η型導電性的雜質 元素被添加到第一雜質區50 1 7-5025 (圖10B )。 接著，如圖1 0C所示，執行第二鈾刻過程，而不必去除 由抗蝕膜形成的掩膜。CF4、Cl2和〇2混合氣體被用作蝕刻氣 體，且W膜被有選擇地鈾刻。在此，第二種形狀的導電層 50 26-503 1 (第一導電層 5026a- 503 la和第二導電層 5026b-503 1 b)藉由第二鈾刻過程形成。未被第二種形狀的導電層 5 0 26-5031覆蓋的閘極絕緣膜5007的區域藉由鈾刻要削薄約 2 0 - 5 0 n m ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用CF4和Cl2混合氣體的W膜或Ta膜的鈾刻反應可藉由 反應産物所産生的原子團或離子形式和氣壓來推斷。當W和 Ta的氟化物和氯化物的氣壓彼此相比較時，W的氟化物的 WF〇的氣壓極高，而其他WCh、TaF5和TaCh幾乎具有相等的 氣壓。因此，在CF4和Ch的混合氣體中，W膜和Ta膜均被蝕 刻。但是，當向這種混合氣體中加入適當量的〇2時，CF4和 〇2彼此反應形成CO和F，且産生大量的F原子團或F離子。結 果，具有高氟化物氣壓的W膜的蝕刻速率增加。另一方面， 就Ta而言，即使F增加，鈾刻速率的增加也相對較小。另外 ，由於Ta與W相比易於氧化，所以Ta表面會被添加的〇2氧化 。由於Ta的氧化物不與氟化物或氯化物反應’所以Ta膜的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -48- 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4έ 蝕刻速率進一步降低。因此可使W膜和Ta膜的蝕刻速率不同 並且可使W膜的蝕刻速率高於Ta膜的蝕刻速率。 隨後，如圖11 A所示，執行第二摻雜處理。在這種情況 下’其劑量要小於第一摻雜處理的劑量並且在高加速電壓 的條件下摻雜授予η-型導電性的雜質元素。例如，該處理 可在加速電壓設置爲70- 1 20keV且劑量爲lxlO13原子/cm2的情 況下執行，以使新雜質區在形成圖10B所示島形半導體層的 第一雜質區的內部形成。執行摻雜處理使得第二種形狀的 導電層5026-503 1被用作雜質元素的掩膜且雜質元素還被添 加到第一導電層5026a- 503 1 a之下的區域。利用這種方式形 成第三雜質區5032-5036。添加到第三雜質區的磷（P)濃度 根據第一導電層5026a- 503 la的錐形部分的厚度而具有平緩 的濃度梯度。需要指出，在與第一導電層5026a- 503 1 a的錐 形部分重疊的半導體層中，雜質元素的濃度從第一導電層 5026a-503 1 a的錐形部分的端部到內部略微下降，但幾乎保 持相同的濃度。 如Η 1 1 B所不’執f丁弟二_虫刻處理。它利用c H F 6触刻氣 體以反應離子鈾刻法（RIE法）來執行。第一導電層5〇26&-5 0 3 1 a的錐形部分被部分蝕刻，且第一導電層與半導體層重 疊的區域藉由第三蝕刻處理減少。第三形狀的導電層5〇37_ 5〇42(第一導電層5 037&-50423和第二導電層5 03713-5 042匕） 形成。在此，未被第三形狀的導電層5037-5042覆蓋的閘極 絕緣膜5007藉由鈾刻變薄約20-50nm。 藉由第三鈾刻處理，在第三雜質區5 032 -5 036中，與第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11-1-----0^------1T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -49- 522374 A7 _ B7 五、發明説明（4) 一導電層5037a-5042a重疊的第三雜質區5032a-5036a和第一 雜質區與第三雜質區之間的第二雜質區5032b- 503 6b形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隨後，如圖11 C所示，導電性類型與第一導電性類型相 反的第四雜質區5043-5048在島形半導體層5004中形成以用 於形成 P-通道TFT。第二導電層503 8b被用作雜質元素的掩 膜，並且以自對準方式形成雜質區。在此，形成η-通道TFT 的島形半導體層5003、5005和5006及接線部分5042的整個表 面以抗蝕掩膜5200覆蓋。磷以不同的濃度分別加入雜質區 5043- 5048中。這些區域藉由使用乙硼烷（B2H6)以離子摻 雜法形成並且在任一區域中的雜質濃度爲2x1 02°-2x1 021原子/ cm" ° 藉由到此爲止的步驟，雜質區在相應的島形半導體層 中形成。與島形半導體層重疊的第三種形狀的導電層5037-504 1作用當成閘極。導電層5042作用當成島形源極訊號線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在移除抗鈾掩膜5200之後，執行活化加在相關島形半 導體層中的雜質元素的步驟，以控制導電性類型。此步驟 使用爐內退火爐以熱退火法來執行。另外，也可應用鐳射 退火法或快速熱退火法（RTA法）。熱退火法在氧氣濃度爲 1 ppm或更少最好爲〇. 1 ppm或更小的氮氣中且在400-700通 常爲500-600°C下執行。在實施例4中，熱處理是在500°C下 執行4個小時。但是，在用於第三導電層5037-5042的接線材 料不耐熱的情況下，最好在形成中間層絕緣膜（含矽以作 爲其主要成份）之後再執行活化以保護接線等。 另外，在300-450°C下的1-12個小時的熱處理在含氫3- 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' " -50 - 522374 A7 B7 五、發明説明（ 100%的氣體中進行，並且執行氫化島形半導體層的步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此步驟是藉由熱活化氫而終止半導體層中的懸垂鍵的步驟 。電漿氫化（使用藉由電槳活化的氫）可作爲另一種氫化 方式來執行。 接著，如圖12Α所示，厚度爲1 00-200nm的第一中間層 絕緣膜5055由氮氧化矽膜構成。在其上形成由有機絕緣材 料製成的第二中間層絕緣膜505 6。接觸孔則相對於第一中 間層絕緣膜50 5 5、第二中間層絕緣膜5056而形成，且閘極絕 緣膜5007、相關接線（包括連接接線和訊號線）5057-5062 和5064藉由定圖樣形成，隨後，與連接接線5062接觸的圖素 電極5 0 6 3藉由定圖樣形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，由有機樹脂製成的薄膜被用於第二中間層絕緣 膜5056。可使用之有機樹脂，如聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯 酸、BCB (苯並環丁烯）。特別是，由於第二中間層絕緣膜 505 6具有一定的整平意義，因此在整平時希望使用丙烯酸 。在實施例4中，丙烯酸膜形成的厚度要使TFT形成的步階 部分可被充分地整平。其厚度最好製成1-5// m (最好爲2-4 ta m ) 〇 在形成接觸孔時，使用乾蝕刻或濕鈾刻，並且可分別 形成接觸到η型雜質區5017、5018、502 1和5023- 5025或p型 雜質區5043-5048的接觸孔、接觸到接線5042的接觸孔、接 觸到電源線（.未不出）的接觸扎和接觸到閘極（未不出） 的接觸孔。 另外，藉由濺射連續形成lOOnm厚Ti膜、含Τι的300nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -51 - 522374 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（d 厚鋁膜和150nm厚Τι膜的三層結構的疊層膜藉由定圖樣形成 所希望的形狀，由此産生的疊層膜被用作接線（包括連接 接線和訊號線）5057-5062和5064。當然也可使用其他導電 膜。 而且，在實施例4中，MgAg膜形成的厚度是110nm，並 且執fj疋圖樣以形成圖素電極5 0 6 3。圖素電極5 0 6 3的排列可 以接觸和重疊連接接線5062以便能進行接觸。這個圖素電 極5063對應於EL元件的陽極（.圖12A)。 接著，如圖1 2B所示，含矽的絕緣膜（在實施例4中是 氧化矽膜）形成的厚度爲500nm，開口部分在對應於圖素電 極5063的位置形成，隨後形成當成觸排的第三中間層絕緣 膜5 065。在形成開口部分時，錐形的側壁可藉由使用濕蝕 刻容易地形成。如果開口部分的側壁足夠平，則由於步階 部分引起的EL層的損害會成爲一個大問題。 藉由使用真空蒸鍍法，不曝露於大氣中，EL層5066和 陰極（透明電極）5067可連續相鄰形成。需要指出，EL層 5 066的膜厚可設置爲80-20011111 (—般在100至2001111之間）， 且陰極5067的厚度可由ITO膜形成。 EL層5066和陰極相對於對應紅色的圖素、對應綠色的 圖素和對應監色的圖素而依次形成。但是，E L層不耐溶液 ，因此E L層和陰極必須相對於每種彩色不使用光微顯影技 術形成。最好使用金屬掩膜覆蓋所希望的圖素之外的區域 ’並且只在必要的位置有選擇地形成EL層和陰極。 換言之，首先使掩膜覆蓋除了對應於紅色的圖素之外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----1---------0^------1T------0, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -52- 522374 A7 B7 五、發明説明（5() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的所有圖素，並使用該掩膜有選擇地形成用於發射紅光的 EL層。接著，使掩膜覆蓋除了對應於綠色的圖素之外的所 有圖素，並使用該掩膜有選擇地形成用於發射綠光的EL層 。類似地，使掩膜覆蓋除了對應於藍色的圖素之外的所有 圖素，並使用該掩膜有選擇地形成用於發射藍光的EL層。 需要指出，在此說明所有不同掩膜的使用，但也可再使用 相同的掩膜。 於此使用的是形成對應於彩色RGB的三種EL元件的方 法，但也可以使用一種組合白色光發射EL元件和彩色濾波 器的方法；一種組合藍色或藍-綠色光發射EL元件和螢光體 (螢光色轉換層：CCM )的方法；一種使用透明電極作爲 陰極（相對電極）且將其與每個EL元件對應彩色RGB之一 的EL元件重疊的方法等。 一種已知的材料可用作EL層5066。考慮到驅動電壓， 最好使用有機材料作爲該已知材料。例如，由電洞注入層 、電洞傳送層、光發射層和電子注入層構成的四層結構可 被用作EL層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接者’陰極5 0 6 7耢由在具有闊極與同一*闊極訊號線連 接的開關TFT的圖素上（同一行的圖素）使用金屬掩膜而形 成。需要指出’在實施例4中，儘管M g A g被用作陰極5 0 6 7， 但本發明並不限於此。其他已知材料也可用於陰極5067。 最後，由氮化矽膜製成的鈍化膜5068形成的厚度爲300 nm。鈍化膜5068的形成能夠使EL層5066免受濕氣等的影響 ，並可進一步增強EL元件的可靠性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X297公釐） -53- 522374 A7 B7 五、發明説明（5》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隨後。具有12B所示結構的EL顯示板得以完成。需要指 出’在實施例4的EL顯示的製造過程中，源極訊號線由用於 形成閘極的材料Ta和W形成，閘極訊號線由用於形成接線的 材料A1形成，但也可使用不同的材料。 藉由上述步驟形成的主動矩陣型電光裝置中的TFT具有 上閘極結構，但本實施例可容易地應用到下閘極結構的TFT 和其他結構的TFT。 另外，在本實施例中使用的是玻璃基底，但本發明並 不限於此。諸如塑膠基底、不銹鋼基底和單晶片的非玻璃 基底都可付諸實施。 順便說明，藉由不僅在圖素部分中而且在驅動電路部 分中提供具有最適當結構的TFT，實施例4中的EL顯示板呈 現出非常高的可靠性並使操作特性得以提高。另外，還可 在結晶過程中加入金屬催化劑如Νι來提高結晶度。因而可 以把源極訊號線驅動電路的驅動頻率設置爲l〇Mhz或更高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，具有盡可能不降低操作速率而減少熱載流子注 入的結構的T F T被用作形成驅動電路部分的C Μ 0 S電路的N -通道TFT。需要指出，這裏所指的驅動電路包括諸如移位暫 存器、緩衝器、位準移位器、行循序驅動中的閂鎖器和點 循序驅動中的傳輸閘電路。 在實施例4中，η-通道TFT的主動層包括源區、汲區、 與閘極重疊且閘極絕緣膜夾在其間的LDD (輕摻雜汲極）區 (Lov區）、不與閘極重疊且閘極絕緣膜夾在其間的LDD ( Loff區）和通道形成區。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54- 522374 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，不必特別擔心由於使用CMOS電路的p-通道TFT 的熱載流子注入而引起的性能降低，因此也不必專門形成 LDD區。當然，作爲防止熱載流子的措施，也可形成與η-通 道TFT類似的LDD區。 另外，當使用電流在通道形成區中的兩個方向上流動 的CMOS時，換句話說就是使用源區和汲區互換角色的 CMOS時，I^DD區最好在形成CMOS電路且夾著通道形成區的 η-通道TFT的通道形成區的兩邊形成。諸如在點循序驅動中 使用的傳輸閘電路這樣的電路可作爲這樣的例子。另外， 當使用在其中必須抑制關閉電流値的CMOS電路時，形成 CMOS電路的η-通道TFT最好具有Lov區。諸如在點循序驅動 中使用的傳輸閘電路這樣的電路可作爲這樣的例子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 需要指出，在實際中，在完成圖12B的狀態之後，最好 使用具有良好氣密性且幾乎不起泡的保護膜（如疊層膜或 紫外硬化樹脂膜），或使用透明密封材料進行封裝（密封 )以不曝露於大氣中。此時，藉由在密封材料的內部加惰 性氣體並且藉由在密封材料中加乾燥劑（如氧化鋇）可增 加EL元件的可靠性。 另外，在藉由封裝處理提高了氣密性之後，連接器（ 軟性印刷電路：FPC )被固定以連接從具有外部訊號端的基 底上形成的電·路或元件所引出的端點。隨後則完成了最終 的産品。産品準備裝運的這種狀態在整個這個說明書中視 爲電光裝置。 而且，根據實施例4所示的過程，可減少製造電光裝置 本紙張尺度適用中國國家標隼（€奶）八4規格（21〇><297公慶)------ - 55- 522374 A7 B7 五、發明説明（5$ 所需的光掩膜數。由此可縮短處理過程’並且降低製造成 本且提高産量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [實施例5] 在此，圖9表示根據本發明的電光裝置的圖素部分的詳 細截面結構。 在圖9中，在基底450 1上提供的開關TFT4502藉由使用 根據實施例5的π-通道TFT形成。在這個實施例中，儘管使 用雙閘極結構，但由於在結構和製造過程上沒有大的差別 ，所以也就省去對其之說明。但是，兩個TFT實際上彼此依 次連接的結構是藉由採用雙閘極結構而獲得的，且具有降 低關閉電流値的優點。需要指出，儘管在本實施例中採用 的是雙閘極結構，但也可採用單閘極結構，或採用三閘極 結構或具有更多閘極的多閘極結構。另外，它也可藉由使 用P-通道TFT來形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，EL驅動TFT4503藉由使用η -通道TFT形成。開關 TFT4502的汲極接線4504藉由一個接線（圖中未示出）電連 接至EL驅動TFT45 03的閘極4506。 在電光裝置的驅動電壓較高（1 0V或更高）的情況下， 驅動電路TFT，尤其是η-通道TFT非常可能因熱載流子等而 引起性能下降。因此，採用下面的這種結構是非常有效的 ，在該結構中，LDD區C GOLD (閘極重疊輕摻雜）區）在 η -通道TFT的汲極側或在源極和汲極側提供以藉由閘極絕緣 膜與閘極重疊。在驅動電壓較低（10V或更小）的情況下， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ' -56- 522374 A7 B7 五、發明説明（5] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不用擔心因熱載流子而引起的性能降低’因而也就不必提 供GOLD區。但是，相對於圖素部分中的開關TFT4502來說 ，採用下面的這種結構是非常有效的’即L D D區在η -通道 TFT的汲極側或在源極和汲極側提供以利用閘極絕緣膜而不 與閘極重疊，以減小關閉電流。此時，對於EL驅動TFT4503 而言，不必提供LDD區，但是，當LDD區在開關TFT4502中 形成時，專屬掩膜必須覆蓋具有阻止物的EL驅動TFT4503的 部分。因而，在實施例5中，形成的EL驅動TFT4503的結構 與開關TFT450 2的結構相同，從而減少了掩膜數。 在本實施例中，儘管EL驅動TFT4503所示爲單閘極結構 ，但也可採用依次彼此連接多個TFT的多閘極結構。另外， 也可採用以下的這種結構，即多個TFT彼此並聯以基本上把 通道形成區分爲多個部分，從而高效率地進行熱輻射。這 種結構作爲一種防止因熱而引起性能降低的防範措施是有 效的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，包含EL驅動TFT4503之閘極4506之接線（圖中未 顯示）經一由絕緣膜而部份重疊EL驅動TFT4503的汲極接線 ，和在此區域中形成儲存電容器。儲存電容器的作用是儲 存施加到EL驅動TFT4503 的閘極 4506的電壓。 第一中間層絕緣膜45 14提供在開關TFT4502和EL驅動 TFT4503上，且由樹脂絕緣膜製成的第二中間層絕緣膜4515 形成在其上。
參考數字45 17表示由具有高反射性的導電膜構成的圖 素電極（EL元件的陰極）。該圖素電極形成以與EL驅動TFT 本紙張尺度適用中國國家標準·（ CNS ) A4規格（210X297公釐） -57- 522374 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 45 03的汲區部分重疊且電連接該汲區。作爲圖素電極4517， 最好使用低電阻的導電膜，如鋁合金薄膜、銅合金薄膜或 銀合金薄膜或是它們的疊層膜。當然，也可採用使用其他 導電膜的疊層結構。 隨後，有機樹脂膜45 1 6在圖素電極45 1 7上形成且面對圖 素電極4 5 1 7的部分利用定圖樣形成E L層4 5 1 9。在此，儘管 在圖中未示出，但可形成對應於每種彩色R (紅色）、G ( 綠色）和B (藍色）的光發射層。可使用7Γ -共軛聚合物材 料於光發射層的有機EL材料。該聚合物材料的典型例子包 括聚對苯撐亞乙烯（PPV ) ( polyparaphenylene vinylene ) 、聚乙燒晴哇（PVK) (polyvinyl carbazole)和聚荀。 另外，藉由在第二中間層絕緣膜45 1 5和有機樹脂膜45 1 6 之間再加一層絕緣膜，可在形成電致發光層的區域之下形 成TFT的排列。因此，當驅動TFT的佔有面積增加時，也可 配置大的電致發光層。 儘管存在各種類型的作爲PPV型的有機EL材料，但也可 使用 Euro Display，Proceeding，1999，ρ·33-37 的 H.Shenk， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Η . Becker，〇 Gelsen，E.Kluge, W.Kreuder，和 Η· Spreitzer 的 “用於光發射二極體的聚合物””中或日本專利申請已公 開No_ HeilO-92576中公開的材料。 作爲一種專門的光發射層，氰基聚苯撐亞乙烯（ c y a η ο ρ ο 1 y p h e n y 1 e n e v i n y 1 e n e )適用於發射紅光的光發射層 ，聚苯撐盟乙烯（polyphenylenevinylene)適用於發射綠光的 光發射層，且聚苯撐亞乙烯或聚烷基苯撐（ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21〇χ 297公釐) ~ -58- 522374 A7 B7 五、發明説明（y PGlyalkylphenylene)適用於發射藍光的光發射層。膜厚適於 在 30 -1 5〇nm之間（最好爲 40 - lOOnm )。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然，上面的例子是可用於光發射層的有機EL材料的 例子，本發明並不是必須受限於此。EL層（在其中執行光 發射及其載流子運動的層）可藉由自由地組合光發射層、 電荷傳送層和電荷注入層來形成。 例如，儘管本實施例顯示聚合物材料用於光發射層的 例子，但也可以使用低分子有機EL材料。還可以使用諸如 碳化矽的無機材料作爲電荷傳送層或電荷注入層。關於有 機E L材料或無機材料方面，亦可使用熟知的材料。 在陽極45 23形成的時候，EL元件45 10得以完成。順便 說明，EL元件45 10在此表示由圖素電極（陰極）45 17、光 發射層4519、陽極4523和儲存電容器（未示出）形成的儲存 電容器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，還在陽極4523上提供鈍化膜4524。關於 鈍化膜4524方面，可使用氮化矽膜或氮氧化矽膜。其目的 是把EL元件與外界隔開，並且具有防止因有機EL材料的氧 化而引起的性能降低以及抑制從有機EL材料排氣的雙重意 義。這樣做可以提高電光裝置的可靠性。 如上所述’貫施例5中描述的電光裝置包括具有相當低 的關閉電流値的開關TFT和抗熱載流子注入的EL驅動TFT。 因而可獲得具有高可靠性的電光裝置並且可進行優良的影 像顯示。 在具有實施例5之結構的EL元件的情況下，在光發射層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -59- 522374 A7 B7 五、發明説明（5i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 45 1 9中産生的光可輻射到由箭頭所指示的在其上形成TFT的 基底的反方向上。因此’如果增加構建圖素部分的元件數 目，則應用該電光裝置於本發明是有效的，這是因爲不必 擔心孔徑率的降低。 [實施例6] 儘管在實施例1-3中說明的本發明電光裝置的圖素部分 藉由使用靜態隨機記憶體（靜態RAM : SRAM )作爲記憶電 路來構建，但記憶電路並不只限於SRAM。也可採用動態隨 機記憶體（動態RAM : DRAM )等作爲可適用於本發明的電 光裝置的圖素部分的記憶電路。在本實施例中，將說明藉 由使用這種記憶電路構建電路的例子。 圖8顯示DRAM被用於在圖素中排列的記憶電路A1-A3和 B卜B3的例子。其基本結構與實施例1所示的電路相同。至 於用於記憶電路A1-A3和B1-B3的DRAM而言，可使用通用結 構的DR AM。在本實施例中，使用並顯示的是由反相器和電 容構成的簡單結構的DRAM。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 源極訊號線驅動電路的操作與實施例1中的情況相同。 在此，與SRAM不同，在DRAM的情況下，由於每個特定週 期都需要重新寫入記憶電路（此操作在以下被稱作更新） ，所以包括了更新TFT80 1 - 803。該更新以這樣的方式執行 ，即在顯示靜止影像的週期中（儲存在記憶電路中的數位 影像訊號被重復讀出且顯示被執行的週期）的某個時間分 別導通更新TFT801 -803，並且圖素部分中的電荷被反饋至 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 60- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A7 _ B7 五、發明説明（5$ 記憶電路側。 另外，儘管並未特別顯示，但作爲另一種類型的記憶 電路，本發明的電光裝置的圖素部分可藉由使用鐵電記憶 體（鐵電RAM : FeRAM)構建。FeRAM是具有等於SRAM或 DRAM的寫速度的非揮發性記憶體，並且藉由使用其低寫入 電壓的特徵等可進一步降低本發明的電光裝置的電功率耗 損。另外，圖素部分也可藉由快速記憶體等構建。 [實施例7] 藉由本發明的驅動電路製成的主動矩陣半導體顯示設 備具有各種用途。在本實施例中，將提出關於結合由本發 明的驅動電路製成的顯示設備的電子裝置的說明。 下面提出這些顯示設備的例子：攜帶型資訊終端（如 電子書、移動電腦和攜帶型電話）' 視頻相機、數位相機 、個人電腦和電視。它們的例子在圖1 5和1 6中顯示。 圖15A是攜帶型電話，它由主體260 1、音頻輸出部分 2602、音頻輸入部分2603、顯示部分2604、操作開關2605和 天線2606構成。本發明可應用於顯示部分2604。 圖15B是視頻相機，它由主體2611、顯示部分2612、音 頻輸入部分26 13、操作開關2614、電池26 15和影像接收部分 26 16構成。本發明可應用於顯示部分2612。 圖15C是移動電腦或攜帶型資訊終端，它由主體2621、 攝像部分2622、影像接收部分2623、操作開關2624和顯示部 分26 25構成。本發明可應用於顯示部分2625。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） I 裝 訂 .— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - 61 - 522374 A7 B7 五、發明説明（5$ 圖15D是頭戴式顯示器，它由主體263 1、顯示部分2632 和臂部分2633構成，本發明可應用於顯示部分2632。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖15E是電視，它由主體2641、揚聲器2642、顯示部分 2643、接收裝置2644和放大設備2645構成。本發明可應用於 顯示部分2643。 圖15F是攜帶型電子書，它由主體2651、顯示裝置2652 、儲存媒體2653、操作開關2654和天線2655構成。該電子書 用於顯示儲存在迷你盤（MD )或DVD (數位多用盤）中的 資料，或顯示利用天線接收的資料。本發明可應用於顯示 部分265 2。 圖16A是個人電腦，它由主體2701、影像輸入部分2702 、顯示設備27 03和鍵盤2704構成。本發明可應用於在主動矩 陣基底上配備的顯示部分2703。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 6 B是採用記錄程式的記錄媒體的播放器，它由主體 2 7 1 1、顯示部分2 7 1 2、揚聲器部分2 7 1 3、記錄媒體2 7 1 4和操 作開關2 7 1 5構成。需要指出，此播放器使用D V D (數位多用 盤）、CD等作爲記錄媒體欣賞音樂和電影、玩遊戲並連接 網際網路。本發明可應用於顯示部分26 1 2。 圖16C是數位相機，它包括主體272 1、顯示部分2722、 接目件2723、操作開關2724和影像接收部分（圖中未示出） 。本發明可應用於顯示部分2722。 圖16D是單眼頭戴式顯示器，它包括顯示部分273 1和帶 部分2732。本發明可應用於顯示部分273 1。 如上所述，根據本發明，數位影像訊號藉由使用在每 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS Γα4規格（210X297公釐） -- -62- 522374 A7 B7 五、發明説明（6d 個圖素內部排列的多個記憶電路進行儲存，這樣’在顯示 靜止影像時，儲存在記憶電路中的數位影像訊號可在每一 框週期中重復使用，並且在連續執行靜止影像顯示時，可 停止源極訊號線驅動電路。因此，本發明可以大大降低整 個電光裝置的電功率耗損。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -63-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A8 Βδ C8 D8 _ 六、申請專利範圍 1 _ 一種具有多個圖素的發光裝置，該多個圖素中的每 個圖素均包括多個記憶電路。 2. —種具有多個圖素的發光裝置，該多個圖素中的每 個圖素均包括η X m個記憶電路，用於儲存m框（m是一個 自然數；1 < m )的η -位兀（η是一個自然數，2 ^ η )數位影像 訊號。 3. —種具有多個圖素的發光裝置，該多個圖素中的每 個圖素包括： 一個源極訊號線、η ( η是一個自然數，2^η )個寫_極 訊號線、η個讀閘極訊號線、η個寫電晶體、η個讀電晶體、 用於儲存m框（m是一個自然數；l^m )的η-位元數位影像 訊號的η X m個記憶電路、η個寫記憶電路選擇部分、η個 讀記憶電路選擇部分、一個電源線、一個E L驅動電晶體和 一個EL元件，其中： 該η個寫電晶體的每個閘極電連接至該η個寫閘極訊號 線的任意不同之一^ ’源區和汲區之一^電連接至該源極$ 5虎 線，另一個則電連接至該η個寫記憶電路選擇部分的任一不 同訊號輸入部分； 該η個寫記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號 輸出部分，該m個訊號輸出部分分別電連接至該不同的m個 _己憶電路的訊號fe入部分^ 該η個讀記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號 輸入部分，該m個訊號輸入部分分別電連接於該不同的m個 記憶電路的訊號輸出部分；以及 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------·1------訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -61 - 522374 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該η個讀電晶體的每個閘極都電連接至該11個讀閘極訊 號線的任意不同之一’源區和汲區之一電連接至該11個讀記 憶電路選擇部分的任一不同訊號輸出部分，另一個則電連 接至該EL驅動電晶體的閘極，該队驅動電晶體的源區和汲 區之一電連接至該電源線，另一個則電連接至該EL元件的 一個電極。 4. 一種具有多個圖素的發光裝置，該多個圖素中的每 個圖素包括： η個（η是一個自然數，2<n )源極訊號線、一個寫_極 訊號線、η個讀閘極訊號線、n個寫電晶體、n個讀電晶體、 用於儲存nl框（m是一個自然數；K m )的η -位兀數位影像 訊號的η X m個記憶電路、η個寫記憶電路選擇邰分、η個 讀記憶電路選擇部分、一個電源線、一個驅動電晶體和 一個EL元件，其中： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該η個寫電晶體的每個閘極都電連接至該寫閘極訊號線 ，源區和汲區之一電連接至該η個源極訊號線的任意不同之 一，另一個則電連接至該η個寫記憶電路選擇部分的任一不 同訊號輸入部分； 該η個寫記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號 輸出部分，該m個訊號輸出部分分別電連接至該不同的以個 記憶電路的訊號輸入部分； 該η個讀記憶電路選擇部分中的每一個都包括m個訊號 輸入部分，該m個訊號輸入部分分別電連接至該不同的m個 記憶電路的訊號輸出部分； ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62- 522374 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該η個讀電晶體的每個閘極都電連接至該η個讀閘極訊 號線的任意不同之一，源區和汲區之一電連接至該η個讀記 憶電路選擇部分的任一不同訊號輸出部分，另一個則電連 接至EL驅動電晶體的閘極，該EL驅動電晶體的源區和汲區 之一電連接至該電源線，且另一個電連接至該E L元件的一 個電極。 5 .如申請專利範圍第3或4項之發光裝置，其中： 每個寫記憶電路選擇部分選擇m個記憶電路之任一個， 且電連接至寫電晶體的源區和汲區之一以把數位影像訊號 寫入記憶電路中；並且 每個讀記憶電路選擇部分選擇在其中儲存了數位影像 訊號的記憶電路之任一個，且電連接至該讀電晶體的源區 和汲區之一以讀出該儲存的數位影像。 6 .如申請專利範圍第3項之發光裝置，進一步包含： 移位暫存器，用於根據時鐘訊號和啓始脈衝按順序輸 出取樣脈衝； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一閂鎖電路，用於根據取樣脈衝儲存該η-位元（η是 一個自然數，2η )數位影像訊號； 第二閂鎖電路，保存在該第一閂鎖電路中的η-位元數 位影像訊號被傳送到第二閂鎖電路；和 位元訊號選擇開關，用於針對每個位元按順序選擇傳 送到第二閂鎖電路的η-位元數位影像訊號並用於將該η-位元 數位影像訊號輸出到源極訊號線。 7 .如申請專利範圍第4項之發光裝置，進一步包含： 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -63- 522374 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 移位暫存器，用於根據時鐘訊號和啓始脈衝按順序輸 出取樣脈衝；和 第一閂鎖電路，用於根據取樣脈衝儲存該η-位元（η是 一個自然數，2<ιι )數位影像訊號的1 -位元數位影像訊號並 用於把1 -位元數位影像訊號輸出到源極訊號線。 8 .如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其中 該記憶電路是靜態隨機存取記憶體（SRAM )。 9 .如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其中 該記憶電路是鐵電隨機存取記憶體（FeRAM )。 ' 10 ·如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其 中該記憶電路是動態隨機存取記憶體（DRAM )。 1 1 ·如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其 中該記憶電路是形成在從包含玻璃基底、塑膠基底、不銹 鋼基底和單晶片所組成之群之一上。 1 2 .如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其 中該發光裝置是電致發光顯示裝置。 1 3 ·如申請專利範圍第1至4項任一項之發光裝置，其 中該發光裝置被結合在從包含視頻相機、個人電腦、攜帶 型電話、頭戴顯示器、數位相機和攜帶型電子書所組成之 群之一。 1 4 .—種用於使用n -位元（η是一個自然數，2 ^ η )數位 影像訊號顯示影像的發光裝置之驅動方法，該發光裝置包 括一源極訊號線驅動電路 '一閘極訊號線驅動電路和多個 圖素， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4· ( 210χ297公董^ 一 "' 一 -64- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A8 B8 C8 ___ __D8 六、申明專利範圍 該方法包括： 在該源極訊號線驅動電路中，從移位暫存器電路輸出 取樣脈衝並把該取樣脈衝輸入到閂鎖電路中； 在該閂鎖電路中’根據該取樣脈衝保存該數位影像訊 號； 把該數位影像訊號傳送到源極訊號線； 從該閘極訊號線驅動電路輸出閘極訊號線選擇脈衝並 選擇一閘極訊號線； 在該閘極訊號線被選的一行把從該源極訊號線輸入_的 η -位元數位影像訊號寫入記憶電路中；及 讀出在該多個圖素的每個圖素中的記憶電路中儲存的 η -位元數位影像訊號。 15 . —種用於使用η-位元（η是一個自然數，2<η )數位 影像訊號顯示影像的發光裝置之驅動方法，該發光裝置包 括一源極訊號線驅動電路、一閘極訊號線驅動電路和多個 圖素， 該方法包括： 在該源極訊號線驅動電路中，從移位暫存器電路輸出 取樣脈衝並把該取樣脈衝輸入到閂鎖電路中； 在該閂鎖電路中，根據該取樣脈衝保存該數位影像訊 號； 把該數位影像訊號傳送到源極訊號線； 從該閘極訊號線驅動電路輸出閘極訊號線選擇脈衝， 並從第一行開始按順序選擇該閘極訊號線；且 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ►裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -65- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522374 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 從該第一行開始按順序把η-位元數位影像訊號寫入多 個圖素的每個圖素中。 1 6 . —種用於使用η -位元（η是一個自然數，2 < η )數位 影像訊號顯示影像的發光裝置之驅動方法，該發光裝置包 括一源極訊號線驅動電路、一閘極訊號線驅動電路和多個 圖素， 該方法包括： 在該源極訊號線驅動電路中，從移位暫存器電路輸出 取樣脈衝並把該取樣脈衝輸入到閂鎖電路中； ' 在該閂鎖電路中，根據該取樣脈衝保存該數位影像訊 號； 把該數位影像訊號傳送到源極訊號線； 從該閘極訊號線驅動電路輸出閘極訊號線選擇脈衝， 並選擇任意一個閘極訊號線；而且 在該閘極訊號線被選的任意一行把該η-位元數位影像 訊號寫入該多個圖素中的每個圖素中。 17 ·如申請專利範圍第14項之發光裝置之驅動方法， 其中在靜止影像的顯示週期中，儲存在該記憶電路中的該 η-位元數位影像訊號被重復讀出以顯示該靜止影像，並且 停止該源極訊號線驅動電路。 1 8 .如申請專利範圍第14至1 6項任一項之發光裝置之 驅動方法，其中該發光裝置是電致發光顯示裝置。 1 9 ·如申請專利範圍第14至1 6項任一項之發光裝置之 驅動方法，其中該發光裝置被結合在從包含視頻相機、個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΐ〇χ297公釐） ：---：------·1------訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -66- 522374 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍人電腦、攜帶型電話、頭戴顯示器、數位相機和攜帶型電 子書所組成之群之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -67 -
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522374B (en) 2000-08-08 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and driving method of the same
US6992652B2 (en) * 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
US6987496B2 (en) * 2000-08-18 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
US7180496B2 (en) * 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
TW518552B (en) * 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
JP4954400B2 (ja) * 2000-08-18 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4954399B2 (ja) * 2000-08-18 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TW514854B (en) * 2000-08-23 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab Portable information apparatus and method of driving the same
JP3428593B2 (ja) * 2000-09-05 2003-07-22 株式会社東芝 表示装置及びその駆動方法
US7184014B2 (en) * 2000-10-05 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8339339B2 (en) * 2000-12-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving the same, and electronic device
US6747623B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP4785300B2 (ja) * 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
TWI273539B (en) * 2001-11-29 2007-02-11 Semiconductor Energy Lab Display device and display system using the same
JP3913534B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びこれを用いた表示システム
KR20030083123A (ko) * 2002-04-19 2003-10-30 삼성전자주식회사 평판 표시 장치 및 그 구동 방법
JP4493931B2 (ja) * 2002-05-13 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI272556B (en) 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4067878B2 (ja) * 2002-06-06 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電気器具
JP4206805B2 (ja) * 2002-06-28 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法
US6982727B2 (en) * 2002-07-23 2006-01-03 Broadcom Corporation System and method for providing graphics using graphical engine
US7696952B2 (en) * 2002-08-09 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Display device and method of driving the same
KR100459135B1 (ko) * 2002-08-17 2004-12-03 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 구동방법
EP1554712A4 (en) * 2002-10-21 2009-11-11 Semiconductor Energy Lab DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
KR100476368B1 (ko) * 2002-11-05 2005-03-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법
US6888657B2 (en) * 2003-01-28 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multiple-bit storage element for binary optical display element
JP4884655B2 (ja) * 2003-05-16 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI367466B (en) * 2003-05-16 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Display device, method for driving the same, and electronic device using the same
JP2005275315A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、その駆動方法及びそれを用いた電子機器
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
WO2007013646A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1777691A3 (en) * 2005-10-21 2010-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
JP5044117B2 (ja) * 2005-12-14 2012-10-10 関西電力株式会社 炭化珪素バイポーラ型半導体装置
EP1806724A3 (en) * 2006-01-07 2009-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device
KR101404582B1 (ko) * 2006-01-20 2014-06-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치의 구동방법
JP2008076624A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
US7782313B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-24 Via Technologies, Inc. Reducing power during idle state
US20080117190A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Chien-Ru Chen Method and driver for driving a display
CN101627416B (zh) * 2007-05-25 2012-02-22 夏普株式会社 显示装置
CN101527167B (zh) * 2008-02-01 2012-08-15 索尼株式会社 显示装置
TW201009420A (en) * 2008-08-18 2010-03-01 Au Optronics Corp Color sequential liquid crystal display and pixel circuit thereof
CN102379121A (zh) * 2009-04-01 2012-03-14 惠普开发有限公司 屏幕捕获
US8907881B2 (en) * 2010-04-09 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
US8830278B2 (en) * 2010-04-09 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
CN102834861B (zh) 2010-04-09 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
DE102010019667B4 (de) * 2010-04-28 2014-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schaltungsanordnung für in einer zweidimensionalen Matrix angeordnete organische Leuchtdioden
KR101956216B1 (ko) 2010-08-05 2019-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR20120129335A (ko) 2011-05-19 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법
KR101813192B1 (ko) * 2011-05-31 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법
JP2011215635A (ja) * 2011-07-11 2011-10-27 Sony Corp 画像表示装置、電子機器、携帯機器及び画像表示方法
JP2013050682A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Sony Corp 駆動回路、表示装置、および表示装置の駆動方法
JP5849538B2 (ja) * 2011-08-31 2016-01-27 ソニー株式会社 駆動回路、表示装置、および表示装置の駆動方法
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102178068B1 (ko) 2012-11-06 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6320679B2 (ja) * 2013-03-22 2018-05-09 セイコーエプソン株式会社 表示装置のラッチ回路、表示装置及び電子機器
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
JP6424350B2 (ja) * 2014-03-07 2018-11-21 イー インク コーポレイション 電気泳動装置、及び電子機器
KR102510567B1 (ko) * 2016-07-21 2023-03-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그 구동방법
JP6846272B2 (ja) * 2017-04-19 2021-03-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019039949A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6944334B2 (ja) * 2017-10-16 2021-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111279408B (zh) 2017-11-09 2022-10-28 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备
JP6614228B2 (ja) * 2017-11-29 2019-12-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP6555332B2 (ja) * 2017-12-19 2019-08-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP6951237B2 (ja) * 2017-12-25 2021-10-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6604374B2 (ja) * 2017-12-26 2019-11-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP7015193B2 (ja) * 2018-03-15 2022-02-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10867548B2 (en) * 2018-05-08 2020-12-15 Apple Inc. Systems and methods for memory circuitry in an electronic display
US10909926B2 (en) 2018-05-08 2021-02-02 Apple Inc. Pixel circuitry and operation for memory-containing electronic display
US11049448B2 (en) 2018-05-08 2021-06-29 Apple Inc. Memory-in-pixel architecture
JP2021523407A (ja) * 2018-05-08 2021-09-02 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 画素内メモリディスプレイ
CN111754933A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 云谷（固安）科技有限公司 一种像素数字驱动电路、显示装置以及驱动方法
US11282434B1 (en) * 2020-12-29 2022-03-22 Solomon Systech (China) Limited Driving method for active matrix display
CN119811274B (zh) * 2025-01-27 2025-10-03 亿信科技发展有限公司 像素驱动电路及显示面板

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3176454D1 (en) 1980-02-22 1987-10-22 Toshiba Kk Liquid crystal display device
JPH06102530B2 (ja) 1985-04-23 1994-12-14 三菱油化株式会社 黒鉛質成形体の製造方法
US4630355A (en) 1985-03-08 1986-12-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same
US4773738A (en) 1986-08-27 1988-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Optical modulation device using ferroelectric liquid crystal and AC and DC driving voltages
JP2852042B2 (ja) 1987-10-05 1999-01-27 株式会社日立製作所 表示装置
US5125045A (en) 1987-11-20 1992-06-23 Hitachi, Ltd. Image processing system
US4996523A (en) * 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5339090A (en) 1989-06-23 1994-08-16 Northern Telecom Limited Spatial light modulators
JP2797216B2 (ja) 1990-04-28 1998-09-17 本田技研工業株式会社 車両の変速装置
JP3143497B2 (ja) 1990-08-22 2001-03-07 キヤノン株式会社 液晶装置
US6097357A (en) 1990-11-28 2000-08-01 Fujitsu Limited Full color surface discharge type plasma display device
US5225823A (en) 1990-12-04 1993-07-06 Harris Corporation Field sequential liquid crystal display with memory integrated within the liquid crystal panel
US5424752A (en) 1990-12-10 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving an electro-optical device
EP0499979A3 (en) 1991-02-16 1993-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US5280280A (en) * 1991-05-24 1994-01-18 Robert Hotto DC integrating display driver employing pixel status memories
JP2782020B2 (ja) 1991-05-28 1998-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置およびその作製方法
US5608549A (en) 1991-06-11 1997-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method for processing a color image
JPH0667620A (ja) 1991-07-27 1994-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 画像表示装置
JP2775040B2 (ja) 1991-10-29 1998-07-09 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5900856A (en) * 1992-03-05 1999-05-04 Seiko Epson Corporation Matrix display apparatus, matrix display control apparatus, and matrix display drive apparatus
JPH06102530A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Sharp Corp 液晶表示装置
US5471225A (en) 1993-04-28 1995-11-28 Dell Usa, L.P. Liquid crystal display with integrated frame buffer
US5416043A (en) 1993-07-12 1995-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Minimum charge FET fabricated on an ultrathin silicon on sapphire wafer
JPH0792935A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Sharp Corp 画像表示装置
TW356546B (en) 1993-08-10 1999-04-21 Sharp Kk An image display apparatus and a method for driving the same
US5798746A (en) 1993-12-27 1998-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US5844538A (en) 1993-12-28 1998-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix-type image display apparatus controlling writing of display data with respect to picture elements
JPH07199149A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sharp Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP3626514B2 (ja) 1994-01-21 2005-03-09 株式会社ルネサステクノロジ 画像処理回路
US5642129A (en) 1994-03-23 1997-06-24 Kopin Corporation Color sequential display panels
JP3672586B2 (ja) 1994-03-24 2005-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 補正システムおよびその動作方法
JPH08101609A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JPH08101669A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置駆動回路
US5771031A (en) 1994-10-26 1998-06-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Flat-panel display device and driving method of the same
JP3428192B2 (ja) 1994-12-27 2003-07-22 富士通株式会社 ウインドウ表示処理装置
JPH08194205A (ja) 1995-01-18 1996-07-30 Toshiba Corp アクティブマトリックス型表示装置
JP3630489B2 (ja) 1995-02-16 2005-03-16 株式会社東芝 液晶表示装置
US6549657B2 (en) 1995-04-06 2003-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and method
US5959598A (en) 1995-07-20 1999-09-28 The Regents Of The University Of Colorado Pixel buffer circuits for implementing improved methods of displaying grey-scale or color images
JP3518086B2 (ja) * 1995-09-07 2004-04-12 ソニー株式会社 映像信号処理装置
JP3526992B2 (ja) 1995-11-06 2004-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 マトリクス型表示装置
JP3485229B2 (ja) * 1995-11-30 2004-01-13 株式会社東芝 表示装置
US5945972A (en) * 1995-11-30 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US5631741A (en) * 1995-12-29 1997-05-20 Intel Corporation Electronic carbon paper
AU2317597A (en) 1996-02-27 1997-09-16 Penn State Research Foundation, The Method and system for the reduction of off-state current in field-effect transistors
US6100879A (en) * 1996-08-27 2000-08-08 Silicon Image, Inc. System and method for controlling an active matrix display
US5754156A (en) * 1996-09-19 1998-05-19 Vivid Semiconductor, Inc. LCD driver IC with pixel inversion operation
JPH10104663A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
US6545654B2 (en) 1996-10-31 2003-04-08 Kopin Corporation Microdisplay for portable communication systems
US6175922B1 (en) * 1996-12-04 2001-01-16 Esign, Inc. Electronic transaction systems and methods therefor
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
JPH10232649A (ja) 1997-02-21 1998-09-02 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JPH10214060A (ja) 1997-01-28 1998-08-11 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JPH10228012A (ja) * 1997-02-13 1998-08-25 Nec Niigata Ltd Ｌｃｄ表示装置
TW379360B (en) 1997-03-03 2000-01-11 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP3032801B2 (ja) 1997-03-03 2000-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10253941A (ja) 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd マトリクス型画像表示装置
US6380917B2 (en) 1997-04-18 2002-04-30 Seiko Epson Corporation Driving circuit of electro-optical device, driving method for electro-optical device, and electro-optical device and electronic equipment employing the electro-optical device
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JPH10312173A (ja) 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
JP3292093B2 (ja) * 1997-06-10 2002-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4131340B2 (ja) 1997-07-11 2008-08-13 ソニー株式会社 制御装置、制御方法、および受信装置
JP3335560B2 (ja) * 1997-08-01 2002-10-21 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
JPH1164814A (ja) 1997-08-20 1999-03-05 Fujitsu General Ltd 多機能液晶プロジェクタ
JPH1173158A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
JP4046811B2 (ja) * 1997-08-29 2008-02-13 ソニー株式会社 液晶表示装置
JPH11167373A (ja) * 1997-10-01 1999-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置およびその駆動方法
JP3533074B2 (ja) * 1997-10-20 2004-05-31 日本電気株式会社 Ｖｒａｍ機能内蔵のｌｅｄパネル
KR100396160B1 (ko) * 1997-11-01 2003-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정패널의데이타구동회로
US6686623B2 (en) * 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
JP3279238B2 (ja) 1997-12-01 2002-04-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6332152B1 (en) 1997-12-02 2001-12-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Arithmetic unit and data processing unit
US6115019A (en) 1998-02-25 2000-09-05 Agilent Technologies Register pixel for liquid crystal displays
JPH11282006A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Sony Corp 液晶表示装置
US6246386B1 (en) 1998-06-18 2001-06-12 Agilent Technologies, Inc. Integrated micro-display system
FR2780803B1 (fr) * 1998-07-03 2002-10-31 Thomson Csf Commande d'un ecran a cathodes a faible affinite electronique
JP3161599B2 (ja) * 1998-07-10 2001-04-25 日本電気株式会社 移動電話システム
JP3865942B2 (ja) 1998-07-17 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 アクティブマトリクス素子、及びアクティブマトリクス素子を用いた発光素子、光変調素子、光検出素子、露光素子、表示装置
DE69934201T2 (de) 1998-08-04 2007-09-20 Seiko Epson Corp. Elektrooptische einheit und elektronische einheit
WO2000016153A1 (en) 1998-09-10 2000-03-23 Seiko Epson Corporation Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel
JP2000200838A (ja) 1998-10-30 2000-07-18 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP3403097B2 (ja) 1998-11-24 2003-05-06 株式会社東芝 Ｄ／ａ変換回路および液晶表示装置
JP2000183187A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Sony Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US6266178B1 (en) 1998-12-28 2001-07-24 Texas Instruments Incorporated Guardring DRAM cell
US6738054B1 (en) 1999-02-08 2004-05-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for image display
US6670938B1 (en) 1999-02-16 2003-12-30 Canon Kabushiki Kaisha Electronic circuit and liquid crystal display apparatus including same
US6259846B1 (en) 1999-02-23 2001-07-10 Sarnoff Corporation Light-emitting fiber, as for a display
JP2000259124A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000276108A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd アクティブ型ｅｌ表示装置
US20020118029A1 (en) 1999-05-14 2002-08-29 Rikihito Yamasaka Probe card and contactor
KR100563826B1 (ko) 1999-08-21 2006-04-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 데이타구동회로
US6441829B1 (en) 1999-09-30 2002-08-27 Agilent Technologies, Inc. Pixel driver that generates, in response to a digital input value, a pixel drive signal having a duty cycle that determines the apparent brightness of the pixel
TW484117B (en) 1999-11-08 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW573165B (en) 1999-12-24 2004-01-21 Sanyo Electric Co Display device
US7129918B2 (en) 2000-03-10 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving electronic device
JP3587125B2 (ja) * 2000-04-19 2004-11-10 日本電気株式会社 光プリンタヘッド及びそれに用いる駆動方法
JP3835113B2 (ja) 2000-04-26 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネルのデータ線駆動回路、その制御方法、電気光学装置、および電子機器
TW522374B (en) 2000-08-08 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and driving method of the same
US6992652B2 (en) * 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
US6987496B2 (en) 2000-08-18 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
TW518552B (en) 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
US7180496B2 (en) 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP4896317B2 (ja) * 2000-08-23 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
TW514854B (en) 2000-08-23 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab Portable information apparatus and method of driving the same
KR100823047B1 (ko) 2000-10-02 2008-04-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 자기발광 장치 및 그 구동 방법
US7184014B2 (en) 2000-10-05 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8339339B2 (en) 2000-12-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving the same, and electronic device
US6747623B2 (en) 2001-02-09 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
TWI273539B (en) 2001-11-29 2007-02-11 Semiconductor Energy Lab Display device and display system using the same
JP3913534B2 (ja) 2001-11-30 2007-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びこれを用いた表示システム
JP4099578B2 (ja) 2002-12-09 2008-06-11 ソニー株式会社 半導体装置及び画像データ処理装置
JP4350627B2 (ja) 2004-09-27 2009-10-21 ソフトバンクモバイル株式会社 ストリーミングデータ受信再生端末

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