JPH06102530A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06102530A JPH06102530A JP24971592A JP24971592A JPH06102530A JP H06102530 A JPH06102530 A JP H06102530A JP 24971592 A JP24971592 A JP 24971592A JP 24971592 A JP24971592 A JP 24971592A JP H06102530 A JPH06102530 A JP H06102530A
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- Japan
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- liquid crystal
- display device
- crystal display
- transistor
- image signal
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0857—Static memory circuit, e.g. flip-flop
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置の絵素部分に、スタティックメ
モリ回路を設けることにより、液晶表示装置の省力化を
はかる。 【構成】 本発明のスタティックメモリ回路動作を図１
により説明する。ゲートライン４に電圧パルスが加えら
れ、トランジスタ２２はオン状態になると、ソースライ
ン３より画像信号が液晶１８とトランジスタ２１−１の
ゲートに充電される。画像信号がオン電圧とすると、液
晶１８には電界が加わり配向性が変化するとともに、ト
ランジスタ２１−１はオン状態、２１−２はオフ状態と
なる。ゲートライン４の電圧がオフ電圧になると、トラ
ンジスタ２２はオフ状態になるが、液晶１８はトランジ
スタ２０−２を通して充電されるのでその配向性は変化
しない。このような動作により、同一の静止同画面は表
示され続けるように画像信号を液晶セルに供給できる。
モリ回路を設けることにより、液晶表示装置の省力化を
はかる。 【構成】 本発明のスタティックメモリ回路動作を図１
により説明する。ゲートライン４に電圧パルスが加えら
れ、トランジスタ２２はオン状態になると、ソースライ
ン３より画像信号が液晶１８とトランジスタ２１−１の
ゲートに充電される。画像信号がオン電圧とすると、液
晶１８には電界が加わり配向性が変化するとともに、ト
ランジスタ２１−１はオン状態、２１−２はオフ状態と
なる。ゲートライン４の電圧がオフ電圧になると、トラ
ンジスタ２２はオフ状態になるが、液晶１８はトランジ
スタ２０−２を通して充電されるのでその配向性は変化
しない。このような動作により、同一の静止同画面は表
示され続けるように画像信号を液晶セルに供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関するも
ので、特に、省電力を必要とする機器に適している。例
えば、バッテリー駆動型タイプのノートワープロ、ノー
トパソコンに適用できる。
ので、特に、省電力を必要とする機器に適している。例
えば、バッテリー駆動型タイプのノートワープロ、ノー
トパソコンに適用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の絵素部分の回路図
を図６に示す。この図６は液晶表示装置の１絵素部分を
抜き出して示したものである。該図に示すように、絵素
部分のトランジスタ２２には、ゲートライン４からゲー
ト端子に電圧パルスが加わり１／（３０×走査線数）秒
または１／（６０×走査線数）秒の間オン状態になる動
作を１／３０秒または１／６０秒周期で繰り返してい
る。そして、トランジスタ２２がオン状態にある間に、
ソースライン３より画像信号が液晶１８に書き込まれる
ことにより、画像が表示されている。
を図６に示す。この図６は液晶表示装置の１絵素部分を
抜き出して示したものである。該図に示すように、絵素
部分のトランジスタ２２には、ゲートライン４からゲー
ト端子に電圧パルスが加わり１／（３０×走査線数）秒
または１／（６０×走査線数）秒の間オン状態になる動
作を１／３０秒または１／６０秒周期で繰り返してい
る。そして、トランジスタ２２がオン状態にある間に、
ソースライン３より画像信号が液晶１８に書き込まれる
ことにより、画像が表示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路構成では、トランジスタ２２のオフ状態時のリーク
電流により液晶１８に充電された電気量が減衰してい
く。そこで、前記減衰を防止するため、１／３０秒また
は１／６０秒の周期で液晶１８への充電を繰り返してい
る。したがって、機器のユーザーが単に同じ画面を眺め
ている場合でも、３０Ｈｚもしくは６０Ｈｚのフレーム
周波数で画面の描画を繰り返さなければならない。よっ
て、ビデオ信号ジェネレータのディスプレイコントロー
ラを常に動作させておく必要があり、これら電子回路で
常に電力が消費され、バッテリー駆動型の機器では、継
続使用時間が短くなる問題があった。
回路構成では、トランジスタ２２のオフ状態時のリーク
電流により液晶１８に充電された電気量が減衰してい
く。そこで、前記減衰を防止するため、１／３０秒また
は１／６０秒の周期で液晶１８への充電を繰り返してい
る。したがって、機器のユーザーが単に同じ画面を眺め
ている場合でも、３０Ｈｚもしくは６０Ｈｚのフレーム
周波数で画面の描画を繰り返さなければならない。よっ
て、ビデオ信号ジェネレータのディスプレイコントロー
ラを常に動作させておく必要があり、これら電子回路で
常に電力が消費され、バッテリー駆動型の機器では、継
続使用時間が短くなる問題があった。
【０００４】そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされ
たものであり、液晶表示装置において、液晶表示装置外
部のコントローラの動作を停止しても、静止同画面は表
示され続けるように画像信号を、液晶セルに供給できる
電子回路を提供することを目的とするものである。
たものであり、液晶表示装置において、液晶表示装置外
部のコントローラの動作を停止しても、静止同画面は表
示され続けるように画像信号を、液晶セルに供給できる
電子回路を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、第
１の信号、例えば走査信号が供給される複数のゲートラ
インと、第２の信号、例えばサンプリングされた画素信
号が供給される複数のソースラインと、前記ゲートライ
ンとソースラインに接続される薄膜トランジスタと、該
薄膜トランジスタからの各絵素部分への入力画像信号が
記憶されるスタティックメモリ回路と、入力画像信号に
基づいてそれぞれ表示駆動される液晶セルとを有し、か
つスタティックメモリ回路に記憶されている信号電圧が
上記絵素部分の液晶セルに常に加えられることを特徴と
する。 この構成により、同一の静止画面を表示し続け
る場合は、ディスプレイコントローラの動作をストップ
し、外部から表示装置に画像信号を入力することなく、
スタティックメモリ回路に記憶された信号電圧を用いて
画面を表示し続ける。
１の信号、例えば走査信号が供給される複数のゲートラ
インと、第２の信号、例えばサンプリングされた画素信
号が供給される複数のソースラインと、前記ゲートライ
ンとソースラインに接続される薄膜トランジスタと、該
薄膜トランジスタからの各絵素部分への入力画像信号が
記憶されるスタティックメモリ回路と、入力画像信号に
基づいてそれぞれ表示駆動される液晶セルとを有し、か
つスタティックメモリ回路に記憶されている信号電圧が
上記絵素部分の液晶セルに常に加えられることを特徴と
する。 この構成により、同一の静止画面を表示し続け
る場合は、ディスプレイコントローラの動作をストップ
し、外部から表示装置に画像信号を入力することなく、
スタティックメモリ回路に記憶された信号電圧を用いて
画面を表示し続ける。
【０００６】また、前記スタティックメモリ回路は多結
晶シリコン薄膜トランジスタにより構成されている。
晶シリコン薄膜トランジスタにより構成されている。
【０００７】さらに、この回路構成を情報処理機器に応
用して、ユーザー及びシステムから前記液晶表示装置へ
の新しい入力画像信号がないときは、液晶表示装置外部
のコントローラの動作を停止し、薄膜トランジスタから
各絵素部分への入力画像信号が記憶されるスタティック
メモリ回路を用いて表示画面を維持し続ける。
用して、ユーザー及びシステムから前記液晶表示装置へ
の新しい入力画像信号がないときは、液晶表示装置外部
のコントローラの動作を停止し、薄膜トランジスタから
各絵素部分への入力画像信号が記憶されるスタティック
メモリ回路を用いて表示画面を維持し続ける。
【０００８】
＜実施例１＞本発明の第１の実施例の回路図を図１に示
す。ここで、スタティックメモリ（以下、ＳＲＡＭと略
す）を構成するトランジスタ２１−１、２１−２、２２
はエンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタで
あり、トランジスタ２０−１、２０−２はデプリーショ
ンタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタである。トランジス
タ２２のゲート端子は液晶表示装置のゲートライン４
に、ドレイン端子は液晶表示装置のソースライン３に、
ソース端子はトランジスタ２０−１、２０−２、２１−
１、２１−２で構成されているスタティックメモリ回路
へ接続されている。配線１はスタティックメモリ回路の
電源ラインで、液晶１８へ充電される電圧値になってい
る。
す。ここで、スタティックメモリ（以下、ＳＲＡＭと略
す）を構成するトランジスタ２１−１、２１−２、２２
はエンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタで
あり、トランジスタ２０−１、２０−２はデプリーショ
ンタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタである。トランジス
タ２２のゲート端子は液晶表示装置のゲートライン４
に、ドレイン端子は液晶表示装置のソースライン３に、
ソース端子はトランジスタ２０−１、２０−２、２１−
１、２１−２で構成されているスタティックメモリ回路
へ接続されている。配線１はスタティックメモリ回路の
電源ラインで、液晶１８へ充電される電圧値になってい
る。
【０００９】ソースライン３から入力された信号電圧は
液晶１８に設けられた電極１９−１に加えられ、液晶１
８には電極１９−１と対向電極１９−２の間の電位差に
よって決まる電界が加わる。
液晶１８に設けられた電極１９−１に加えられ、液晶１
８には電極１９−１と対向電極１９−２の間の電位差に
よって決まる電界が加わる。
【００１０】図２は本実施例の絵素部分のパターンであ
る。まずガラス基板上に高融点金属薄膜を用いて電源ラ
イン１とアースライン２を形成する。高融点金属にはタ
ングステンを用いた。つぎにＳｉＯ2 絶縁膜を５０００
Å作製し、その上に、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
２０−１、２０−２、２１−１、２１−２、２２を作製
する。トランジスタ２０−１、２０−２のドレイン端子
はコンタクトホール１４を介して電源ライン１と接続さ
れており、２１−１、２１−２のソース端子はコンタク
トホール１６を介してアースライン２と接続されてい
る。トランジスタ２０−１のゲート端子９と２１−２ゲ
ート端子７はゲートポリシリコンの配線により接続され
ている。
る。まずガラス基板上に高融点金属薄膜を用いて電源ラ
イン１とアースライン２を形成する。高融点金属にはタ
ングステンを用いた。つぎにＳｉＯ2 絶縁膜を５０００
Å作製し、その上に、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
２０−１、２０−２、２１−１、２１−２、２２を作製
する。トランジスタ２０−１、２０−２のドレイン端子
はコンタクトホール１４を介して電源ライン１と接続さ
れており、２１−１、２１−２のソース端子はコンタク
トホール１６を介してアースライン２と接続されてい
る。トランジスタ２０−１のゲート端子９と２１−２ゲ
ート端子７はゲートポリシリコンの配線により接続され
ている。
【００１１】トランジスタ作製後、ＳｉＯ2 絶縁膜を５
０００Å形成した上にシリコンを１％含んだアルミ配線
でゲートライン４、トランジスタ２０−１のゲート端子
９とソース端子を接続するライン１１を作製する。ゲー
トライン４はコンタクトホール１３を介して、トランジ
スタ２２のゲート端子５に接続している。アルミ配線１
１はコンタクトホール２３、２５を介してそれぞれゲー
ト端子９とソースに接続している。アルミ配線を作製
後、ＳｉＯ2 を２０００Å形成し、その上にＩＴＯ電極
８を作製する。１５００Åの厚さのＩＴＯ薄膜の作製は
スパッタリング法を用いた。
０００Å形成した上にシリコンを１％含んだアルミ配線
でゲートライン４、トランジスタ２０−１のゲート端子
９とソース端子を接続するライン１１を作製する。ゲー
トライン４はコンタクトホール１３を介して、トランジ
スタ２２のゲート端子５に接続している。アルミ配線１
１はコンタクトホール２３、２５を介してそれぞれゲー
ト端子９とソースに接続している。アルミ配線を作製
後、ＳｉＯ2 を２０００Å形成し、その上にＩＴＯ電極
８を作製する。１５００Åの厚さのＩＴＯ薄膜の作製は
スパッタリング法を用いた。
【００１２】つぎにＳｉＯ2 絶縁膜を３０００Å形成
し、その上にシリコンを１％含んだアルミ配線でソース
ライン３とアルミ配線１７を作製する。ソースライン３
はコンタクトホール１５を介してトランジスタ２２のド
レイン端子に接続している。アルミ配線１７はコンタク
トホール２４を介してトランジスタ２０−２のゲート端
子と、コンタクトホール２７を介してトランジスタ２０
−２のソース端子と、コンタクトホール２６を介してト
ランジスタ２１−１のゲート端子１０と、コンタクトホ
ール２８を介してＩＴＯ電極８と接続している。上記構
造を作製の後、保護膜として窒化シリコン薄膜を５００
０Å作製する。
し、その上にシリコンを１％含んだアルミ配線でソース
ライン３とアルミ配線１７を作製する。ソースライン３
はコンタクトホール１５を介してトランジスタ２２のド
レイン端子に接続している。アルミ配線１７はコンタク
トホール２４を介してトランジスタ２０−２のゲート端
子と、コンタクトホール２７を介してトランジスタ２０
−２のソース端子と、コンタクトホール２６を介してト
ランジスタ２１−１のゲート端子１０と、コンタクトホ
ール２８を介してＩＴＯ電極８と接続している。上記構
造を作製の後、保護膜として窒化シリコン薄膜を５００
０Å作製する。
【００１３】本実施例の回路動作を説明する。１／（３
０×走査線数）または１／（６０×走査線数）秒の間、
ゲートライン４に電圧パルスが加えられ、トランジスタ
２２はオン状態になる。その間に、ソースライン３より
画像信号が液晶１８とトランジスタ２１−１のゲートに
充電される。いま画像信号がオン電圧（ハイ）とすると
液晶１８には電界が加わり配向性が変化するとともに、
トランジスタ２１−１はオン状態、２１−２はオフ状態
となる。ゲートライン４の電圧がオフ電圧（ロー）にな
るとトランジスタ２２はオフ状態になるが、液晶１８は
トランジスタ２０−２を通して充電されるのでその配向
性は変化しない。トランジスタ２２がオン状態の時にソ
ースライン３からオフ電圧（ロー）が入力されたとき
は、液晶１８には電界が加わらず、トランジスタ２１−
１はオフ状態、２１−２はオン状態になる。トランジス
タ２２がオフ状態になった後も、液晶１８はオン状態の
トランジスタ２１−２を通じて放電するので電界が加わ
らないままである。
０×走査線数）または１／（６０×走査線数）秒の間、
ゲートライン４に電圧パルスが加えられ、トランジスタ
２２はオン状態になる。その間に、ソースライン３より
画像信号が液晶１８とトランジスタ２１−１のゲートに
充電される。いま画像信号がオン電圧（ハイ）とすると
液晶１８には電界が加わり配向性が変化するとともに、
トランジスタ２１−１はオン状態、２１−２はオフ状態
となる。ゲートライン４の電圧がオフ電圧（ロー）にな
るとトランジスタ２２はオフ状態になるが、液晶１８は
トランジスタ２０−２を通して充電されるのでその配向
性は変化しない。トランジスタ２２がオン状態の時にソ
ースライン３からオフ電圧（ロー）が入力されたとき
は、液晶１８には電界が加わらず、トランジスタ２１−
１はオフ状態、２１−２はオン状態になる。トランジス
タ２２がオフ状態になった後も、液晶１８はオン状態の
トランジスタ２１−２を通じて放電するので電界が加わ
らないままである。
【００１４】＜実施例２＞本発明の第２の実施例の回路
図を図３に示す。第１の実施例でＳＲＡＭを構成してい
たデプリーションタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタとエ
ンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタとの組
み合わせを、エンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラ
ンジスタとエンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトラン
ジスタとの組み合わせに変えている事以外は、第１の実
施例と全く同様である。ここでトランジスタ２０−３、
２０−４はエンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラン
ジスタ、２１−１、２１−２、２２はエンハンスメント
タイプのｎ型ＭＯＳトランジスタで、回路動作は実施例
１と同様である。
図を図３に示す。第１の実施例でＳＲＡＭを構成してい
たデプリーションタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタとエ
ンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトランジスタとの組
み合わせを、エンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラ
ンジスタとエンハンスメントタイプのｎ型ＭＯＳトラン
ジスタとの組み合わせに変えている事以外は、第１の実
施例と全く同様である。ここでトランジスタ２０−３、
２０−４はエンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラン
ジスタ、２１−１、２１−２、２２はエンハンスメント
タイプのｎ型ＭＯＳトランジスタで、回路動作は実施例
１と同様である。
【００１５】＜実施例３＞本発明の第３の実施例の回路
図を図４に示す。ここでは、本発明を単純マトリックス
型液晶表示装置に適用している。ここで、２９が信号
線、３０は水平走査線を示し、トランジスタ２０−３、
２０−４はエンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラン
ジスタ、２１−１、２１−２はエンハンスメントタイプ
のｎ型ＭＯＳトランジスタである。信号線２９から、オ
ン電圧（ハイ）が入力されると実施例１と同様にメモリ
回路が動作し、液晶１８にはオン状態が維持され、オフ
電圧（ロー）が入力されると、オフ状態が維持される。
図を図４に示す。ここでは、本発明を単純マトリックス
型液晶表示装置に適用している。ここで、２９が信号
線、３０は水平走査線を示し、トランジスタ２０−３、
２０−４はエンハンスメントタイプのｐ型ＭＯＳトラン
ジスタ、２１−１、２１−２はエンハンスメントタイプ
のｎ型ＭＯＳトランジスタである。信号線２９から、オ
ン電圧（ハイ）が入力されると実施例１と同様にメモリ
回路が動作し、液晶１８にはオン状態が維持され、オフ
電圧（ロー）が入力されると、オフ状態が維持される。
【００１６】図５には、上記の液晶表示装置を用いた情
報処理機器のシステム構成を示す。ユーザー３１からの
要求信号はインターフェース３２（例えば、マウス、ペ
ン、キーボード等）を通して、システムのＣＰＵ３３へ
送られる。一連の処理がＣＰＵ３３とメモリ３４の間等
で行われ、液晶表示装置に結果を表示する必要がある場
合、画像データとコントローラへの信号をディスプレイ
コントローラ３５へ送る。コントローラはそれらデータ
をもとにして液晶表示装置３６へ信号を送る。本システ
ムではユーザー３１から一定時間（任意に設定可能）入
力がない場合、コントローラ３５へ動作停止信号が送ら
れコントローラ３５動作を停止し、電力を消費しないよ
うにする。液晶表示装置３６はその間、本発明のメモリ
機能を用いてそれまでの画面を表示し続ける。ユーザー
からの入力があれば再びコントローラの動作が始まり描
画が行われることになる。
報処理機器のシステム構成を示す。ユーザー３１からの
要求信号はインターフェース３２（例えば、マウス、ペ
ン、キーボード等）を通して、システムのＣＰＵ３３へ
送られる。一連の処理がＣＰＵ３３とメモリ３４の間等
で行われ、液晶表示装置に結果を表示する必要がある場
合、画像データとコントローラへの信号をディスプレイ
コントローラ３５へ送る。コントローラはそれらデータ
をもとにして液晶表示装置３６へ信号を送る。本システ
ムではユーザー３１から一定時間（任意に設定可能）入
力がない場合、コントローラ３５へ動作停止信号が送ら
れコントローラ３５動作を停止し、電力を消費しないよ
うにする。液晶表示装置３６はその間、本発明のメモリ
機能を用いてそれまでの画面を表示し続ける。ユーザー
からの入力があれば再びコントローラの動作が始まり描
画が行われることになる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置を有する
バッテリー駆動型機器の省電力化が図れ、バッテリーに
よる長時間の継続使用が可能となる。
バッテリー駆動型機器の省電力化が図れ、バッテリーに
よる長時間の継続使用が可能となる。
【図１】本発明の液晶表示装置の絵素部分の実施例１の
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の絵素部分の実施例１の
パターンである。
パターンである。
【図３】本発明の液晶表示装置の絵素部分の実施例２の
回路図である。
回路図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の絵素部分の実施例３の
回路図である。
回路図である。
【図５】本発明の液晶表示装置を用いたシステム構成図
である。
である。
【図６】従来例の液晶表示装置の絵素部分の回路図であ
る。
る。
１ 電源ライン ２ アースライン ３ ソースライン ４ ゲートライン ５、７、９、１０ ゲート端子 ８ ＩＴＯ電極 １２、１３、１４、１５、１６ コンタクトホール １１、１７ アルミ配線 １８ 液晶 １９ 電極 ２０−１、２０−２ デプリーションタイプのｎ型ＭＯ
Ｓトランジスタ ２０−３、２０−４ エンハンスメントタイプのｐ型Ｍ
ＯＳトランジスタ ２１−１、２１−２、２２ エンハンスメントタイプの
ｎ型ＭＯＳトランジスタ ２３、２４、２５、２６、２７、２８ コンタクトホー
ル ２９ 信号線 ３０ 水平走査線 ３１ ユーザー ３２ インターフェース ３３ ＣＰＵ ３４ メモリー ３５ ディスプレイコントローラー ３６ 液晶表示装置
Ｓトランジスタ ２０−３、２０−４ エンハンスメントタイプのｐ型Ｍ
ＯＳトランジスタ ２１−１、２１−２、２２ エンハンスメントタイプの
ｎ型ＭＯＳトランジスタ ２３、２４、２５、２６、２７、２８ コンタクトホー
ル ２９ 信号線 ３０ 水平走査線 ３１ ユーザー ３２ インターフェース ３３ ＣＰＵ ３４ メモリー ３５ ディスプレイコントローラー ３６ 液晶表示装置
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の信号が供給される複数のゲートラ
インと、第２の信号が供給される複数のソースライン
と、前記ゲートラインとソースラインに接続される薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタからの絵素部分へ
の入力画像信号が記憶されるスタティックメモリ回路
と、入力画像信号に基づいてそれぞれ表示駆動される液
晶セルとを有し、かつスタティックメモリ回路に記憶さ
れている信号電圧が上記絵素部分の液晶セルに常に加え
られていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスタティックメモリ回路
が、多結晶シリコン薄膜トランジスタにより構成されて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 ユーザー及びシステムから請求項１記載
の液晶表示装置への新しい入力画像信号がないときは、
液晶表示装置外部のコントローラの動作を停止し、薄膜
トランジスタからの絵素部分への入力画像信号が記憶さ
れるスタティックメモリ回路を用いて表示画面を維持し
続けることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971592A JPH06102530A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971592A JPH06102530A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102530A true JPH06102530A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24971592A Pending JPH06102530A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102530A (ja) |
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