JP2002258273A - 液晶表示パネル - Google Patents

液晶表示パネル

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JP2002258273A
JP2002258273A JP2001055524A JP2001055524A JP2002258273A JP 2002258273 A JP2002258273 A JP 2002258273A JP 2001055524 A JP2001055524 A JP 2001055524A JP 2001055524 A JP2001055524 A JP 2001055524A JP 2002258273 A JP2002258273 A JP 2002258273A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】反射光および透過光を併用する表示方式におい
て遮光性のＳＲＡＭ配線等による光利用効率の低下を防
止する。 【解決手段】液晶表示パネルは光透過性のアレイ基板Ａ
Ｒおよび対向基板ＣＴと、基板ＡＲ，ＣＴ間に挟持され
液晶分子配列が基板ＡＲ，ＣＴから制御される液晶層Ｌ
Ｑとを備える。特に、アレイ基板ＡＲは液晶層ＬＱに電
界を印加する透明画素電極１および液晶層ＬＱに向かっ
てアレイ基板ＡＲの裏側から入射する光を透過する間隙
ＧＰを有する遮光性配線部ＳＬを含み、遮光性配線部Ｓ
Ｌは間隙ＧＰに重ならないように配置され対向基板ＣＴ
側から液晶層ＬＱを介して入射する光を反射する反射板
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像を表示するた
めに透過光および反射光を併用する液晶表示パネルに関
し、例えば各画素が表示データを保持するスタティック
ＲＡＭを持つ液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話やポケットベル（登録商標）の
ような携帯端末は、従来において数字や文字などの単純
なキャラクタ画像を表示できる程度の表示パネルしか持
たなかった。この用途の表示パネルは一般に小型軽量で
薄く低消費電力である必要があるが、近年の情報技術
（Information Technology）の飛躍的な発展に伴い、高
精細なカラーグラフィック画像も表示できることが表示
パネルに要求されている。
【０００３】この要求を満足する表示パネルとしては、
反射型アクティブマトリクス液晶表示パネルが有力視さ
れ、一部の携帯端末で実用化もされている。この液晶表
示パネルは外光を反射して光学変調することにより画像
を表示し、内部光源を必要としない構成である。この構
成は、内部光源からの光を透過させるために生じる制約
を受けずに画素構造の高精細化を実現できるが、画像の
見やすさが日中の屋外に比べて夜間の暗闇で著しく低下
してしまうという欠点を有する。この欠点は、例えば透
明な面光源を表示面側に配置したフロントライト方式を
採用することにより画素構造の変更を必要とせずに改善
できる。この場合、面光源は外光の照度を補う補助的な
内部光源として使用される。しかしながら、このフロン
トライト方式は面光源光を全画素に均等に照射するため
に透明樹脂の精密なパターニングを必要とすることから
コスト高であり、この透明樹脂を透過した反射光による
表示画像の品質に関して、輝度の低下、像のにじみ、奥
行感の増大のような課題を伴う。
【０００４】また、特開平１１−３１６３８２号公報は
画像を表示するために透過光および反射光を併用する液
晶表示パネルを開示する。この表示パネルでは、図８に
示すように、各画素が外光を反射する反射領域ＲＡおよ
びバックライトＢＬからの光を透過する透過領域ＴＡを
有する。反射領域は金属材料の画素電極ＲＥにより得ら
れ、透過領域はこの画素電極ＲＥの中央に欠落部として
配置される開口内に形成されるＩＴＯの透明画素電極Ｔ
Ｅにより得られる。日中の屋内のような明るい照明環境
の場合、画像は画素電極ＲＥで反射された反射光を用い
て表示される。他方、夜間の暗闇のような暗い照明環境
の場合、画像は画素電極で反射された反射光に加えて透
明画素電極ＴＥを透過した透過光を用いて表示される。
ここで、バックライトＢＬは外光の照度を補う補助的な
内部光源となるが、表示パネルはバックライトＢＬから
の光を透過させるために構造的な制約を受け易い。
【０００５】従来、携帯端末用液晶表示パネルの低消費
電力化を促進するＳＲＡＭ（StaticRandom Access Memo
ry）技術が知られる。このＳＲＡＭ技術では、各画素が
駆動回路からポリシリコン薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor）を介して供給される表示データを保持す
るＳＲＡＭを構成する配線構造を持つ。例えば静止画像
を表示する場合には、表示データの更新が必要とされな
い。このため、ＳＲＡＭが駆動回路からの表示データを
保持した後に駆動回路の出力動作を停止させて電力消費
の低減を図ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図９はこのＳＲＡＭ技
術が図８に示す液晶表示パネルに適用された例を示す。
この場合、ＳＲＡＭ配線は近年実用化されたポリシリコ
ンＴＦＴプロセスにより信号線ＸＬ、走査線ＹＬ、およ
び画素用薄膜トランジスタＳＷの配線と一緒に形成さ
れ、これら配線と同様に不透明な金属材料で構成され
る。ＳＲＡＭ配線の占有率は画素面積に対して高いこと
から、透明画素電極ＴＥを透過する透過光を遮り、透過
光の有効透過面積を透明画素電極ＴＥの面積に対して著
しく低下させる。このため、所望の輝度を得るためにバ
ックライトＢＬの輝度を高める必要が生じ、これが液晶
表示パネルの電力消費を逆に増大させる結果となる。こ
の問題は反射光および透過光を併用する液晶表示パネル
にＳＲＡＭ技術を適用することを困難にしている。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題に鑑み、反射
光および透過光を併用する表示方式において遮光性のＳ
ＲＡＭ配線等による光利用効率の低下を防止できる液晶
表示パネルを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光透過
性の第１および第２電極基板と、これら第１および第２
電極基板間に挟持され液晶分子配列が第１および第２電
極基板から制御される液晶層とを備え、第１電極基板は
この液晶層に電界を印加する電極、液晶層に向かって第
１電極基板の裏側から入射する光を透過する間隙を有す
る遮光性配線部、および遮光性配線部の間隙に重ならな
いように配置され第２電極基板側から液晶層を介して入
射する光を反射する反射板を含む液晶表示パネルが提供
される。
【０００９】この液晶表示パネルでは、反射板が遮光性
配線部の間隙に重ならないように配置され、第２基板側
から液晶層を介して入射する光を反射する。この場合、
遮光性配線部の間隙が何処にあっても、この間隙の透過
光が反射板によって遮られることがない。すなわち、透
過光の有効透過面積が遮光性配線部の配置に依存しない
ため、光利用効率の低下が防止される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
る液晶表示パネルについて添付図面を参照して説明す
る。この液晶表示パネルは透過光および反射光を併用し
て画像を表示するように構成される。
【００１１】図１はこの液晶表示パネルの部分的な断面
構造を示す。図１に示すように、この液晶表示パネルは
光透過性の第１電極基板であるアレイ基板ＡＲ、光透過
性の第２電極基板である対向基板ＣＴ、これら基板ＡＲ
およびＣＴ間に液晶組成物のセルとして挟持され液晶分
子配列がこれら基板ＡＲおよびＣＴから制御される液晶
層ＬＱ、およびアレイ基板ＡＲの裏側に補助的な内部光
源として配置されるバックライトＢＬを備える。
【００１２】アレイ基板ＡＲは透明絶縁基板Ｇ１、マト
リクス状に配置される各々電界を液晶層ＬＱに印加する
複数の透明画素電極１、これら透明画素電極１の行に沿
って配置される複数の走査線２、これら透明画素電極１
の列に沿って配置される複数の信号線３、各々対応走査
線２および対応信号線３の交差位置近傍に画素用スイッ
チング素子として配置される複数の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）４、各々対応薄膜トランジスタ４および対応
画素電極１間に接続されるスタティックＲＡＭを構成す
る複数のＳＲＡＭ配線層５、複数の画素電極１を覆う配
向膜Ａ１、透明絶縁基板Ｇ１に貼り付けられる1/4位相
差板ＲＴ１、および1/4位相差板ＲＴ１に貼り付けられ
る直線偏光板ＰＬ１を含む。他方、対向基板ＣＴは透明
絶縁基板Ｇ２、複数の画素電極１の列に対向するストラ
イプ状のカラーフィルタＦＬ、各画素電極１の周囲領域
から漏れる光を遮る遮光層ＢＭ、これらカラーフィルタ
ＦＬおよび遮光層ＢＭを覆って複数の画素電極１に対向
する透明対向電極１１、この透明対向電極１１を覆う配
向膜Ａ２、裏面側で透明絶縁基板Ｇ２を覆って光を拡散
する光拡散層１２、この光拡散層１２に貼り付けられる
1/4位相差板ＲＴ２、および1/4位相差板ＲＴ２に貼り付
けられる直線偏光板ＰＬ１を含む。
【００１３】この液晶表示パネルでは、各薄膜トランジ
スタ４が対応走査線２から供給される走査パルスに応答
して導通し、対応信号線３上の表示データを対応スタテ
ィックＲＡＭに供給する。このスタティックＲＡＭはこ
の表示データを保持しこの表示データに対応する画素電
位を対応画素電極１に印加する。この画素電極１に対応
する液晶層ＬＱの画素領域では、液晶分子配列が画素電
位と対向電極１１の電位との電位差に依存した電界によ
り制御され、画素領域の透過率がこの液晶分子配列に基
づいて設定される。
【００１４】アレイ基板ＡＲにおいて、薄膜トランジス
タ４は例えば多結晶シリコン、アモルファスシリコン、
または単結晶シリコンを用いて形成される。ＳＲＡＭ配
線層５は走査線２および信号線３のような薄膜トランジ
スタ用制御配線層Ｗと共に遮光性配線部ＳＬを構成し、
画素電極１は遮光性配線部ＳＬよりも液晶層ＬＱ側に配
置される。制御配線層ＷおよびＳＲＡＭ配線層５相互の
間隙は液晶層ＬＱに向かってアレイ基板ＡＬの裏側から
入射する光を透過する遮光性配線部ＳＬの間隙ＧＰを構
成する。また、ＳＲＡＭ配線層５および制御配線層Ｗの
表面は遮光性配線部ＳＬの間隙ＧＰに重ならないように
配置され対向基板ＣＴ側から液晶層ＬＱを介して入射す
る光を反射する反射板を構成する。ＳＲＡＭ配線層５お
よび制御配線層Ｗは例えばアルミニウムである同一の金
属材料で構成され、これにより反射板が入射光を４０％
以上の割合で反射する反射特性を持つ。走査線２および
信号線３はＳＲＡＭ配線層５の一部と一緒に透明絶縁基
板Ｇ１上に形成され、層間絶縁膜６により覆われる。薄
膜トランジスタ４はＳＲＡＭ配線層５の他部と一緒にこ
の層間絶縁膜６上に形成され、有機絶縁膜７により覆わ
れる。画素電極１はこの有機絶縁膜７上に形成されるＩ
ＴＯの導電層である。
【００１５】ここで、上述の液晶表示パネルの表示動作
を説明する。この液晶表示パネルは電圧が画素電極１お
よび対向電極１１から液晶層ＬＱに印加されない状態で
明表示となり、電圧が画素電極１および対向電極１１か
ら液晶層ＬＱに印加された状態で暗表示となる。
【００１６】外光を用いた明表示の場合、外光が対向基
板ＣＴ側の直線偏光板ＰＬ２および1/4位相差板ＲＴ２
を通過して円偏光で液晶層ＬＱに入射すると、この入射
光がこの液晶層ＬＱから直線偏光で出射し遮光性配線部
ＳＬである反射板で反射される。液晶層ＬＱの厚さはち
ょうど1/4位相差板ＲＴ２と同等の効果を生じる厚さに
設定されている。このため、反射光は1/4位相差板ＲＴ
２で直線偏光板ＰＬ２の偏光軸に平行な直線偏光となる
円偏光で液晶層ＬＱから出射するため、1/4位相差板Ｒ
Ｔ２の通過後に直線偏光板ＰＬ２を通過する。これに対
し外光を用いた暗表示の場合、外光が直線偏光板ＰＬ２
および1/4位相差板ＲＴ２を通過して円偏光で液晶層Ｌ
Ｑに入射すると、この入射光の位相が液晶層ＬＱで変化
せずに遮光性配線部ＳＬである反射板で反射される。こ
の反射光は1/4位相差板ＲＴ２で直線偏光板ＰＬ２の偏
光軸に直交する直線偏光となる円偏光で液晶層ＬＱから
出射するため、1/4位相差板ＲＴ２の通過後に直線偏光
板ＰＬ２で遮られる。
【００１７】また、バックライト光を用いた明表示の場
合、バックライト光が直線偏光板ＰＬ１および1/4位相
差板ＲＴ１を通過して円偏光で遮光性配線部ＳＬに入射
すると、この入射光が遮光性配線部ＳＬの間隙ＧＰを透
過光として通過して液晶層ＬＱから直線偏光で出射す
る。この透過光は1/4位相差板ＲＴ２で円偏光となり、
直線偏光板ＰＬ２を通過する。これに対しバックライト
光を用いた暗表示の場合、バックライト光が直線偏光板
ＰＬ１および1/4位相差板ＲＴ１を通過して円偏光で遮
光性配線部ＳＬに入射すると、この入射光が遮光性配線
部ＳＬの間隙ＧＰを透過光として通過して位相変化せず
に液晶層ＬＱから出射する。この透過光は1/4位相差板
ＲＴ２で直線偏光板ＰＬ２の偏光軸に直交する直線偏光
となるため、直線偏光板ＰＬ２で遮られる。
【００１８】上述のように第１実施形態の液晶表示パネ
ルでは、アレイ基板ＡＲが薄膜トランジスタ４および画
素電極１間に接続されるスタティックＲＡＭを構成する
ＳＲＡＭ配線層５を有する。スタティックＲＡＭは信号
線２から薄膜トランジスタ４を介して供給される表示デ
ータを継続的に保持できるため、静止画像の表示におい
て電力消費の大幅な低減を図ることができる。また、こ
のＳＲＡＭ配線層５は制御配線層Ｗと共に遮光性配線部
ＳＬを構成し、液晶層ＬＱに向かってアレイ基板ＡＲの
裏側から入射する光を透過する間隙ＧＰを有する。特
に、この遮光性配線部ＳＬは対向基板ＣＴ側から液晶層
ＬＱを介して入射する光を反射する反射板を構成するた
め、遮光性配線部ＳＬの間隙ＧＰが何処にあっても、こ
の反射板が隙間ＧＰに重なることがない。すなわち、透
過光の有効透過面積が遮光性配線部ＳＬの配置に依存し
ないため、光利用効率の低下が防止される。具体的に
は、図９に示す液晶表示パネルの約３倍の透過率が得ら
れた。また、ＳＲＡＭ配線層５および制御配線層Ｗの金
属材料は同一であるため、ＳＲＡＭ配線層５の一部を走
査線２および信号線３と一緒に透明絶縁基板Ｇ１上に形
成し、ＳＲＡＭ配線層５の他部を薄膜トランジスタ４と
一緒に層間絶縁膜６上に形成することができる。さら
に、反射光の視野角依存性が対向基板ＣＴ側に形成され
る光拡散層１２により緩和される。この構成は、反射板
に起伏を持たせることが遮光性配線部ＳＬの配線パター
ンまたは金属材料特性から困難な状況にも対処できる。
【００１９】図２は本発明の第２実施形態に係る液晶表
示パネルの部分的な断面構造を示す。この液晶表示パネ
ルは以下に説明する構成を除いて第１実施形態に係る液
晶表示パネルと同様に構成される。図２では、図１と同
様な部分を同一参照符号で表し、その説明を省略する。
【００２０】この液晶表示パネルは、層間絶縁膜６上に
形成されたＳＲＡＭ配線層５に積層される反射材層８を
さらに有する。反射材層８は例えば銀を主成分とした高
反射金属で構成される。反射材層８、制御配線層Ｗ、お
よび透明絶縁基板Ｇ１上のＳＲＡＭ配線層５は入射光を
８０％以上の割合で反射する反射特性を持つ反射板を協
力して構成する。この結果、図１に示す液晶表示パネル
を基準にして反射光による表示画像の明るさを５０％以
上改善することができた。ここで、高反射金属は銀を主
成分にすることに限定されず、例えば安価なアルミニウ
ムを主成分とすることに置き換えられてもよい。
【００２１】図３は本発明の第３実施形態に係る液晶表
示パネルの部分的な断面構造を示す。この液晶表示パネ
ルは以下に説明する構成を除いて第１実施形態に係る液
晶表示パネルと同様に構成される。図３では、図１と同
様な部分を同一参照符号で表し、その説明を省略する。
【００２２】この液晶表示パネルは、層間絶縁膜６およ
び有機絶縁膜７上にそれぞれ形成されたＳＲＡＭ配線層
５に積層される反射材層９をさらに有する。この反射材
層９は例えばモリブデンとタングステンの合金を主成分
とした高融点金属で構成され、制御配線層Ｗと協力して
反射板を構成する。反射材層９は図２に示す反射材層８
のように反射光による表示画像の明るさを改善するので
はなく、ＳＲＡＭ配線層５の金属材料に対して反射板の
信頼性を改善するために用いられる。ここで、高融点金
属はモリブデンとタングステンの合金を主成分とするこ
とに限定されず、例えばモリブデン単体、タングステン
単体を主成分とすることに置き換えられてもよい。
【００２３】図４は本発明の第４実施形態に係る液晶表
示パネルの部分的な断面構造を示す。この液晶表示パネ
ルは以下に説明する構成を除いて第１実施形態に係る液
晶表示パネルと同様に構成される。図４では、図１と同
様な部分を同一参照符号で表し、その説明を省略する。
【００２４】この液晶表示パネルは、ＩＴＯの透明画素
電極１上に形成された２層構造の反射材層１０をさらに
有する。すなわち、反射材層１０は画素電極１に接合す
る下部金属層１０Ａ、および下部金属層１０Ａに接合す
る上部金属層１０Ｂにより構成される。下部金属層１０
Ａは例えばモリブデンの高融点金属で構成され、上部金
属層１０Ｂは例えばアルミニウムを主成分とした高反射
金属で構成される。反射材層１０は主にＳＲＡＭ配線層
５に重なるようにして配置され、反射材層１０の総面積
をＳＲＡＭ配線層５の総面積の６０％以上に設定する。
【００２５】上述の構成では、反射材層１０が透明画素
電極１よりも液晶層ＬＱ側に配置されるため、上部金属
層１０Ｂで反射された光の減衰を緩和する。また、下部
金属層１０Ａのモリブデンが画素電極１のＩＴＯおよび
上部金属層１０Ｂのアルミニウム間の接合性を向上す
る。従って、透明画素電極１の電極材料に対して反射板
の信頼性を維持して反射光による表示画像の明るさをさ
らに改善することができる。図２に示す液晶表示パネル
を基準にすると、明るさが３０％程度改善された。ま
た、反射材層１０は例えば島状または帯状のパターンで
透明画素電極上に形成される。ここで、バックライトＢ
Ｌからの光を透過する隙間ＧＰに重ならないようにする
ことは必要であるが、ＳＲＡＭ配線層５の周辺構造によ
る制約をほとんど受けないため、図２および図３に示す
実施形態の反射材層８，９よりもパターンの自由度が高
く、このパターンを光学的に最適化する設計が容易にな
る。
【００２６】尚、反射材層１０は透明画素電極１上にお
いて上述の２層構造を持つことが好ましいが、例えばア
ルミニウムを主成分とした高反射金属の単層構造であっ
ても構わない。さらに、液晶表示パネルは有機絶縁膜７
上に上部金属層１０Ｂ、下部金属層１０Ａ、上部金属層
１０Ｂ、透明画素電極１を順次積層することにより透明
画素電極１を反射材層１０および液晶層ＬＱ間に配置し
た構造であっても構わない。
【００２７】図５は本発明の第５実施形態に係る液晶表
示パネルの部分的な断面構造を示す。この液晶表示パネ
ルは以下に説明する構成を除いて第４実施形態に係る液
晶表示パネルと同様に構成される。図５では、図４と同
様な部分を同一参照符号で表し、その説明を省略する。
【００２８】この液晶表示パネルは、図５に示すように
アレイ基板ＡＲ側に配置されるストライプ状のカラーフ
ィルタＦＬ’を有する。この液晶パネルでは、図４に示
すカラーフィルタＦＬが対向基板ＣＴから削除され、図
４に示す有機絶縁膜７がこのカラーフィルタＦＬ’に置
き換えられる。このため、有機絶縁膜７の形成工程がア
レイ基板ＡＲの製造において不要となる。また、カラー
フィルタＦＬ’は図４に示すカラーフィルタＦＬと同様
にストライプ状であり、各列の画素電極１はこのカラー
フィルタＦＬ’上に直接形成される。このため、カラー
フィルタＦＬ’と画素電極１との位置合せマージンを低
減できる。従って、図１に示す実施形態よりも低コスト
で高精細な液晶表示パネルを得ることが可能となる。
【００２９】図６は本発明の第６実施形態に係る液晶表
示パネルの部分的な断面構造を示す。この液晶表示パネ
ルは以下に説明する構成を除いて第４実施形態に係る液
晶表示パネルと同様に構成される。図６では、図４と同
様な部分を同一参照符号で表し、その説明を省略する。
【００３０】この液晶表示パネルは、図６に示すように
対向基板ＣＴ側に配置されるカラーフィルタＦＬに加え
て、アレイ基板ＡＲに形成されるストライプ状のカラー
フィルタＦＬ’を有する。このカラーフィルタＦＬ’は
図５に示す第５実施形態と同様の構造である。
【００３１】一般に、色純度はカラーフィルタの厚さを
増大することにより増大し、明るさはカラーフィルタの
厚さを増大することにより低下する。すなわち、色純度
と明るさとはトレードオフの関係にある。図１から図４
に示す液晶表示パネルでは、単一のカラーフィルタＦＬ
が対向基板ＣＴ側に配置される。この構成で画像を表示
する場合、外光はこのカラーフィルタＦＬを通過して反
射板に入射し、反射光として再びカラーフィルタＦＬを
通過して出射する。これに対して、バックライト光は遮
光性配線部ＳＬの間隙ＧＰに入射し、透過光としてカラ
ーフィルタＦＬを通過して出射する。すなわち、反射画
像はカラーフィルタＦＬを２回通過した反射光により表
示され、透過画像はカラーフィルタＦＬを１回通過した
透過光により表示される。このため、反射画像の明るさ
および色純度を最適化すると、透過画像の色品位が色純
度の不足により低下するという問題を生じる。しかし、
図６に示すように、カラーフィルタＦＬが対向基板ＣＴ
側に配置され、カラーフィルタＦＬ’がアレイ基板ＡＲ
側に配置される場合には、反射画像がカラーフィルタＦ
Ｌを２回通過した反射光により表示され、透過画像はカ
ラーフィルタＦＬ’およびカラーフィルタＦＬをそれぞ
れ１回ずつ合計２回通過した透過光により表示される。
ここで、カラーフィルタＦＬ’およびカラーフィルタＦ
Ｌの分光特性は、反射画像および透過画像の色純度と明
るさのバランスを考慮して最適化することが可能であ
る。このため、反射画像の色純度を維持しながら、第３
から第５実施形態を基準にして５０％程度透過画像の色
純度を改善できた。
【００３２】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。例えば図１に示す透明画素電極１は図７に示すよう
にＳＲＡＭ配線層５の間隙に重ならないように配置され
る金属材料の反射画素電極１に変更してもよい。この場
合、反射画素電極１は対向基板ＣＴ側から液晶層ＬＱを
介して入射する光を反射する反射板を構成する一方で液
晶層ＬＱに電界を印加する。このような構成でも、アレ
イ基板ＡＲの裏側から入射しＳＲＡＭ配線層５の間隙を
透過する光の有効透過面積を最適化できる。また、図７
に示す反射画素電極１が光を散乱させる起伏を持つよう
に構成されるため、図１に示す拡散層１２を対向基板Ｃ
Ｔ側において省略できる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射光お
よび透過光を併用する表示方式において遮光性のＳＲＡ
Ｍ配線等による光利用効率の低下を防止できるを提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図６】本発明の第６実施形態に係る液晶表示パネルの
部分的な断面図である。
【図７】図１に示す画素電極１の変形例を示す断面図で
ある。
【図８】透過光および反射光を併用する従来の液晶表示
パネルの部分的な断面図である。
【図９】図８に示す液晶表示パネルにＳＲＡＭ技術を適
用した例を示す断面図である。
【符号の説明】
ＡＲ…アレイ基板 ＣＴ…対向基板 ＬＱ…液晶層 ＳＬ…遮光性配線部 ＧＰ…間隙 ＢＬ…バックライト Ｗ…制御配線層 ＦＬ，ＦＬ’…カラーフィルタ １…透明画素電極 ５…ＳＲＡＭ配線層 ８，９，１０…反射材層 １２…光拡散層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Y FA34Y FA41Z FB08 GA02 GA03 GA13 LA12 LA16 5C094 AA07 BA01 BA43 DA13 EA04 EA05 EB02 EB04 EB05 ED11

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光透過性の第１および第２電極基板と、
    前記第１および第２電極基板間に挟持され液晶分子配列
    が前記第１および第２電極基板から制御される液晶層と
    を備え、前記第１電極基板は前記液晶層に電界を印加す
    る電極、前記液晶層に向かって前記第１電極基板の裏側
    から入射する光を透過する間隙を有する遮光性配線部、
    および前記遮光性配線部の間隙に重ならないように配置
    され前記第２電極基板側から前記液晶層を介して入射す
    る光を反射する反射板を含むことを特徴とする液晶表示
    パネル。
  2. 【請求項２】 前記第１電極基板はさらに前記電極のス
    イッチング素子として形成される薄膜トランジスタ含
    み、前記電極は前記遮光性配線部よりも液晶層側に配置
    される透明電極であり、前記遮光性配線部は前記薄膜ト
    ランジスタおよび前記透明電極間に接続されるスタティ
    ックＲＡＭを構成するＳＲＡＭ配線層を有する請求項１
    に記載の液晶表示パネル。
  3. 【請求項３】 前記反射板は前記ＳＲＡＭ配線層、前記
    ＳＲＡＭ配線層上に形成される反射材層、および前記透
    明電極上に形成される反射材層の少なくとも一つを含む
    ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
  4. 【請求項４】 前記反射材層の総面積は前記ＳＲＡＭ配
    線層の総面積の６０％以上に設定されることを特徴とす
    る請求項２に記載の液晶表示パネル。
  5. 【請求項５】 前記遮光性配線部はさらに前記薄膜トラ
    ンジスタ用の制御配線層を有し、前記ＳＲＡＭ配線層の
    少なくとも一部は前記制御配線層と同一金属材料で構成
    されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネ
    ル。
  6. 【請求項６】 前記反射材層は高反射金属、高融点金
    属、および高反射金属と高融点金属との組み合わせのい
    ずれかであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表
    示パネル。
  7. 【請求項７】 前記高反射金属はアルミニウムおよび銀
    のいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項６に
    記載の液晶表示パネル。
  8. 【請求項８】 前記高融点金属はモリブデン、タングス
    テン、およびモリブデンとタングステンとの合金のいず
    れかを主成分とすることを特徴とする請求項６に記載の
    液晶表示パネル。
  9. 【請求項９】 前記反射板は入射光を４０％以上の割合
    で反射する反射特性を持つことを特徴とする請求項１に
    記載の液晶表示パネル。
  10. 【請求項１０】 前記反射板は入射光を８０％以上の割
    合で反射する反射特性を持つことを特徴とする請求項１
    に記載の液晶表示パネル。
  11. 【請求項１１】 前記第２電極基板は光を拡散する光拡
    散層を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
    パネル。
  12. 【請求項１２】 前記反射板は光を散乱させる起伏を持
    つことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
  13. 【請求項１３】 前記第１および第２電極基板の少なく
    とも一方はさらにカラーフィルタを含むことを特徴とす
    る請求項１に記載の液晶表示パネル。
  14. 【請求項１４】 前記第１電極基板はさらに前記遮光性
    配線部を覆い前記透明電極の下地となるカラーフィルタ
    を含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネ
    ル。
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