JP2004325838A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】反射電極を他の層とは別に設ける必要のない表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、ガラス基板１上の反射領域６０ａに対応する領域に形成され、反射膜としての機能を有するソース電極７と、ソース電極７上に形成された平坦化膜９と、平坦化膜９上に形成された透明電極１０とを備えている。
【選択図】図１
【解決手段】この表示装置は、ガラス基板１上の反射領域６０ａに対応する領域に形成され、反射膜としての機能を有するソース電極７と、ソース電極７上に形成された平坦化膜９と、平坦化膜９上に形成された透明電極１０とを備えている。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、特に、反射領域を有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表示装置として、液晶の光学的性質の変化を利用して表示を行う液晶表示装置が知られている。上記した液晶表示装置としては、液晶層に入射した光を一方方向にのみ通過させる透過型液晶表示装置、液晶層に入射した光を反射させる反射型液晶表示装置、および、透過型と反射型との２つの機能を有する半透過型液晶表示装置などがある。そして、従来では、上記した半透過型液晶表示装置において、反射領域に対応する領域に、凸状の絶縁膜を設けることにより、透過領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）と、反射領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）とを等しくした構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１６は、従来の凸状の絶縁膜（平坦化膜）を有する半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１７は、図１６に示した従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。図１６および図１７を参照して、まず、従来の半透過型液晶表示装置では、１画素内に、反射領域１６０ａと透過領域１６０ｂとの２つの領域を有している。そして、反射領域１６０ａには、反射電極１１０が形成されているとともに、透過領域１６０ｂには、反射領域１６０ａと異なり反射電極１１０が形成されていない。これにより、反射領域１６０ａでは、図１７の矢印Ａ方向の光を反射電極１１０により反射させることにより画像が表示される。その一方、透過領域１６０ｂでは、図１７の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。以下、従来の半透過型液晶表示装置の構造について詳細に説明する。
【０００４】
従来の半透過型液晶表示装置では、図１７に示すように、上面にバッファ層１０１ａを含むガラス基板１０１上の反射領域１６０ａに対応する領域に、非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層１０２が形成されている。この能動層１０２には、チャネル領域１０２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域１０２ｂおよびドレイン領域１０２ｃが形成されている。また、能動層１０２のチャネル領域１０２ａ上には、ゲート絶縁膜１０３を介して、ゲート電極１０４が形成されている。そして、ソース領域１０２ｂと、ドレイン領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０３と、ゲート電極１０４とによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が構成されている。また、反射領域１６０ａに対応するゲート絶縁膜１０３上の所定領域には、補助容量電極１０５が形成されている。そして、能動層１０２の補助容量領域１０２ｄと、ゲート絶縁膜１０３と、補助容量電極１０５とによって、補助容量が構成されている。また、図１６に示すように、ゲート電極１０４は、ゲート線１０４ａに接続されているとともに、補助容量電極１０５は、補助容量線１０５ａに接続されている。
【０００５】
そして、図１７に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂを有する層間絶縁膜１０６が形成されている。層間絶縁膜１０６のコンタクトホール１０６ａを介して、ソース領域１０２ｂに電気的に接続するように、ソース電極１０７が形成されている。また、層間絶縁膜１０６のコンタクトホール１０６ｂを介して、ドレイン領域１０２ｃに電気的に接続するように、ドレイン電極１０８が形成されている。また、ドレイン電極１０８は、図１６に示すように、ドレイン線１０８ａに接続されている。そして、層間絶縁膜１０６上には、ビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜１０９が形成されている。この平坦化膜１０９は、断面形状が凸状になるように形成されている。また、平坦化膜１０９のビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂの側面は、所定の角度傾斜している。
【０００６】
そして、平坦化膜１０９の開口部１０９ｂは、図１６に示すように、透過領域１６０ｂを囲むように、平面的に見て四角形状に形成されている。また、ビアホール１０９ａは、ソース電極１０７に対応する領域に形成されている。また、図１６に示すように、補助容量電極１０５に接続する補助容量線１０５ａは、各行の画素で共通して使用されている。
【０００７】
また、図１７に示すように、平坦化膜１０９上の反射領域１６０ａに対応する領域には、ビアホール１０９ａを介してソース電極１０７に電気的に接続するとともに、平坦化膜１０９の上面上および平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの側面上に沿って延びるように、反射電極１１０が形成されている。また、反射電極１１０の透過領域１６０ｂに対応する領域には、開口部１１０ａが形成されている。反射電極１１０上および平坦化膜１０９も反射電極１１０も形成されていない開口部１１０ａに位置する層間絶縁膜１０６上に、透明電極１１１が形成されている。この透明電極１１１と反射電極１１０とによって、画素電極が構成されている。
【０００８】
また、ガラス基板１０１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１２が設けられている。ガラス基板１１２上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１１３が形成されている。また、ガラス基板１１２上の画素間に対応する領域には、画素間の光の漏れを防止するためのブラックマトリックス膜１１４が形成されている。そして、カラーフィルタ１１３およびブラックマトリックス膜１１４の上面上には、透明電極１１５が形成されている。また、透明電極１１１および１１５の上面上には、それぞれ、配向膜（図示せず）が形成されている。そして、ガラス基板１０１側の配向膜とガラス基板１１２側の配向膜との間には、液晶層１１６が充填されている。
【０００９】
図１８〜図２２は、従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１６〜図２２を参照して、従来の半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００１０】
まず、図１８に示すように、上面にバッファ層１０１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、チャネル領域１０２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、能動層１０２を形成する。次に、能動層１０２を覆うように、ゲート絶縁膜１０３を形成する。この後、全面に形成されたＭｏ層をパターニングすることによって、ゲート電極１０４を含むゲート線１０４ａ（図１６参照）と、補助容量電極１０５を含む補助容量線１０５ａとを形成する。
【００１１】
この後、ゲート電極１０４をマスクとして、不純物イオンを能動層１０２に注入することによって、チャネル領域１０２ａを挟むように、一対のソース／ドレイン領域１０２ｂおよび１０２ｃを形成する。
【００１２】
次に、図１９に示すように、基板全面を覆うように、層間絶縁膜１０６を形成する。この後、層間絶縁膜１０６のソース領域１０２ｂおよびドレイン領域１０２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂを形成する。
【００１３】
次に、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜１０６上に沿って延びるように、金属層（図示せず）を形成する。そして、この金属層をパターニングすることにより、図２０に示されるような、ソース電極１０７と、ドレイン電極１０８とが形成される。この際、ドレイン電極１０８と同一層からなるドレイン線１０８ａ（図１６参照）も同時に形成される。なお、ソース電極１０７は、コンタクトホール１０６ａを介して、ソース領域１０２ｂに電気的に接続するように形成され、ドレイン電極１０８は、コンタクトホール１０６ｂを介して、ドレイン領域１０２ｃに電気的に接続するように形成される。
【００１４】
次に、基板全面を覆うように、アクリル樹脂からなる平坦化膜１０９を形成した後、平坦化膜１０９の所定部分に、ビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂを形成する。続いて、全面を覆うように、ＡｌＮｄ膜（図示せず）を形成した後、ＡｌＮｄ膜の所定領域を除去する。これにより、図２１に示すように、ビアホール１０９ａを介してソース電極１０７に電気的に接続するとともに、平坦化膜１０９の上面上および平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの側面上に沿って延びるように、ＡｌＮｄ膜からなる反射電極１１０を形成する。また、この反射電極１１０は、透過領域１６０ｂに対応する領域に開口部１１０ａを有するように形成する。このようにして、反射電極１１０が形成された反射領域１６０ａと、平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの反射電極１１０が形成されていない透過領域１６０ｂとが形成される。
【００１５】
次に、図２２に示すように、反射電極１１０上および開口部１１０ａに位置する層間絶縁膜１０６上に、透明電極１１１を形成する。この後、透明電極１１１を含む全面上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００１６】
最後に、図１７に示したように、ガラス基板１０１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１２上に、カラーフィルタ１１３を形成するとともに、ガラス基板１１２上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１１４を形成する。次に、カラーフィルタ１１３およびブラックマトリックス膜１１４の上面上に、透明電極１１５、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１０１側の配向膜とガラス基板１１２側の配向膜との間に、液晶層１１６を充填することによって、従来の半透過型液晶表示装置が形成される。
【００１７】
【特許文献１】
特開２００２−９８９５１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域１６０ａで光を反射するための反射電極１１０を他の層とは別に設ける必要があるため、反射電極１１０を構成する層の堆積工程およびその層をパターニングする工程が別に必要であった。その結果、製造プロセスが複雑化するという問題点があった。
【００１８】
この発明の１つの目的は、反射電極を他の層とは別に設ける必要のない製造プロセスを簡略化することが可能な反射領域を有する表示装置を提供することである。
【００１９】
この発明のもう１つの目的は、製造プロセスを簡略化することが可能な反射領域を有する表示装置の製造方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による表示装置は、反射領域を有する表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に形成され、反射膜としての機能を有する反射材料層と、反射材料層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された透明電極とを備え、反射材料層は、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同一の層から形成されている。
【００２１】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、反射膜としての機能を有する反射材料層を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同一の層から形成することによって、反射膜を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同時に形成することができるので、反射膜を別途形成する必要がない。その結果、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２２】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射材料層は、反射膜としての機能と、反射膜としての機能とは異なる所定の機能との両方の機能を有する。このように構成すれば、容易に、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層を反射膜として利用することができる。
【００２３】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極とをさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、ソース／ドレイン電極を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ソース／ドレイン電極を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２４】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、補助容量電極を有する補助容量をさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、補助容量電極の補助容量線を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、補助容量線を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２５】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタをさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、ゲート電極を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ゲート電極を構成する層をパターニングする際に、ゲート電極と同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２６】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成されたブラックマトリックス膜をさらに備え、反射材料層は、ブラックマトリックス膜を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ブラックマトリックス膜を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２７】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射領域に加えて、反射材料層が形成されていない透過領域をさらに備える。このように構成すれば、反射領域と透過領域とを備えた半透過型の表示装置において、反射電極を別途形成する必要がないので、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２８】
この発明の第２の局面による表示装置の製造方法は、反射領域を有する表示装置の製造方法であって、基板上に、反射膜としての機能とは異なる所定の機能も有する反射材料層を形成する工程と、反射材料層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程と、反射材料層上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に透明電極を形成する工程とを備えている。
【００２９】
この第２の局面による表示装置の製造方法では、反射膜としての機能とは異なる所定の機能も有する反射材料層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングすることによって、反射膜を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同時に形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３０】
上記第２の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程をさらに備え、反射材料層を形成する工程は、一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極層を形成する工程を含み、反射材料層をパターニングする工程は、ソース／ドレイン電極層のうち、少なくとも一方の電極層を、ソース／ドレイン領域および反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む。このように構成すれば、ソース／ドレイン電極を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３１】
上記第２の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、補助容量電極を有する補助容量を形成する工程をさらに備え、反射材料層を形成する工程は、補助容量電極の補助容量線を構成する層を形成する工程を含み、反射材料層をパターニングする工程は、補助容量線を構成する層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む。このように構成すれば、補助容量線を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の５０−５０線に沿った断面図である。図１および図２を参照して、この第１実施形態による半透過型液晶表示装置は、１画素内に、反射領域６０ａと透過領域６０ｂとの２つの領域を有している。
【００３４】
第１実施形態の詳細な構造としては、図２に示すように、上面にＳｉＮｘおよびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の反射領域６０ａに対応する領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２が形成されている。なお、ガラス基板１は、本発明の「基板」の一例である。そして、能動層２には、チャネル領域２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成されている。また、能動層２のチャネル領域２ａ上には、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜、または、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の積層膜からなるゲート絶縁膜３を介して、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層からなるゲート電極４が形成されている。そして、ソース領域２ｂと、ドレイン領域２ｃと、ゲート絶縁膜３と、ゲート電極４とによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、図１に示すように、ゲート電極４は、ゲート電極４と同一層からなるゲート線４ａに接続されている。
【００３５】
また、図２に示すように、反射領域６０ａに対応するゲート絶縁膜３上の所定領域には、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層からなる補助容量電極５が形成されている。そして、能動層２の補助容量領域２ｄと、ゲート絶縁膜３と、補助容量電極５とによって、補助容量が構成されている。また、図１に示すように、補助容量電極５は、補助容量電極５と同一層からなる補助容量線５ａに接続されている。なお、補助容量線５ａは、各行の画素で共通して使用されている。
【００３６】
そして、図２に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜とＳｉＮＸ膜との積層膜からなる層間絶縁膜６が形成されている。この層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜３のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃ上には、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂが形成されている。コンタクトホール６ａを介して、ソース領域２ｂに電気的に接続するように、ソース電極７が形成されている。このソース電極７は、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する。
【００３７】
ここで、この第１実施形態では、ソース電極７が、図１および図２に示すように、反射領域６０ａに対応する領域に形成されている。これにより、ソース電極７が反射膜としても機能する。その結果、反射領域６０ａでは、図２の矢印Ａ方向の光をソース電極７により反射させることによって画像が表示される。その一方、透過領域６０ｂでは、図２の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。なお、ソース電極７は、本発明の「反射材料層」および「ソース／ドレイン電極」の一例である。
【００３８】
また、コンタクトホール６ｂを介して、ドレイン領域２ｃに電気的に接続するように、ドレイン電極８が形成されている。このドレイン電極８は、ソース電極７と同様、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する。また、ドレイン電極８は、図１に示すように、ドレイン線８ａに接続されている。
【００３９】
また、図２に示すように、層間絶縁膜６上には、ビアホール９ａを有するとともに、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜９が形成されている。なお、この平坦化膜９は、本発明の「絶縁膜」の一例である。また、平坦化膜９上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極１０が形成されている。この透明電極１０は、ビアホール９ａを介して、ソース電極７に接続するように形成されている。この透明電極１０によって、画素電極が構成されている。
【００４０】
また、ガラス基板１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１が設けられている。ガラス基板１１上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１２が形成されている。また、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域には、画素間の光の漏れを防止するためのブラックマトリックス膜１３が形成されている。そして、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯからなる透明電極１４が形成されている。
【００４１】
また、透明電極１０および１４の上面上には、それぞれ、配向膜（図示せず）が形成されている。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間には、液晶層１５が充填されている。
【００４２】
第１実施形態では、上記のように、ソース電極７を反射領域６０ａに対応する領域に形成することにより、通常のソース電極７およびドレイン電極８を形成する工程で、反射膜として機能するソース電極７およびドレイン電極８を形成することができるので、反射電極（反射膜）を別途形成する必要がない。これにより、製造プロセスを簡略化することができる。
【００４３】
図３〜図９は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図９を参照して、第１実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００４４】
まず、図３に示すように、上面にＳｉＮｘおよびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２を形成する。次に、能動層２を覆うように、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜３を形成する。この後、全面に、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層４０を形成する。Ｍｏ層４０上の所定領域にレジスト膜１６を形成する。レジスト膜１６をマスクとして、Ｍｏ層４０をドライエッチングすることによりパターニングすることによって、図４に示すように、ゲート電極４を含むゲート線４ａ（図１参照）と、補助容量電極５を含む補助容量線５ａとを形成する。この後、レジスト膜１６を除去する。
【００４５】
この後、ゲート電極４をマスクとして、不純物を能動層２にイオン注入することによって、チャネル領域２ａを挟むように、所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成される。
【００４６】
次に、図５に示すように、全面を覆うように、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜とＳｉＮＸ膜との積層膜からなる層間絶縁膜６を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術とウェットエッチング技術とを用いて、層間絶縁膜６のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂを形成する。
【００４７】
次に、図６に示すように、コンタクトホール６ａおよび６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜６上に沿って延びるように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する金属層５０を形成する。そして、金属層５０上の所定領域にレジスト膜１７を形成する。
【００４８】
ここで、この第１実施形態では、ソース電極７が形成される領域に対応する部分のレジスト膜１７を、反射領域６０ａに対応する領域に形成する。そして、このレジスト膜１７をマスクとして、金属層をウェットエッチングすることによりパターニングする。これにより、図７に示されるような、反射領域６０ａに対応する領域（図１参照）に位置するソース電極７と、ドレイン電極８とが形成される。この際、ドレイン電極８と同一層からなるドレイン線８ａ（図１参照）も同時に形成される。なお、ソース電極７は、コンタクトホール６ａを介して、ソース領域２ｂに電気的に接続するように形成され、ドレイン電極８は、コンタクトホール６ｂを介して、ドレイン領域２ｃに電気的に接続するように形成される。この後、レジスト膜１７を除去する。
【００４９】
次に、図８に示すように、全面を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜９を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いて、平坦化膜９の所定部分に、ビアホール９ａを形成する。
【００５０】
次に、全面を覆うように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ膜（図示せず）を形成した後、ＩＺＯ膜の所定領域を除去する。これにより、図９に示すように、ビアホール９ａを介してソース電極７に電気的に接続するとともに、平坦化膜９の上面上に沿って延びるように、透明電極１０を形成する。この後、透明電極１０上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００５１】
最後に、図２に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１上に、カラーフィルタ１２を形成するとともに、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１３を形成する。次に、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上に、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ膜からなる透明電極１４、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間に、液晶層１５を充填することによって、第１実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。
【００５２】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１１は、図１０に示した第２施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の６０−６０線に沿った断面図である。図１０および図１１を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を、反射膜として機能させる例について説明する。第２実施形態の補助容量電極（補助容量線）、ゲート線およびソース電極以外の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５３】
すなわち、この第２実施形態では、図１０および図１１に示すように、Ｍｏからなる補助容量電極２５および補助容量線２５ａが、反射領域７０ａに対応する領域に形成されている。また、図１０に示すように、ゲート線２４ａが、反射領域７０ａに対応する領域に形成されている。これにより、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａが反射膜としても機能する。その結果、反射領域７０ａでは、図１１の矢印Ａ方向の光を、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａにより反射させることによって画像が表示される。その一方、透過領域７０ｂでは、図１１の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。なお、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａは、本発明の「反射材料層」の一例である。
【００５４】
第２実施形態では、上記のように、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを反射領域７０ａに対応する領域に形成することにより、通常の補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを形成する工程で、反射膜として機能する補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを同時に形成することができるので、反射電極（反射膜）を別途形成する必要がない。これにより、製造プロセスを簡略化することができる。
【００５５】
図１２〜図１５は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１０〜図１５を参照して、第２実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。なお、第１実施形態と同様のプロセスについては説明を簡略化する。
【００５６】
まず、図１２に示すように、上面にＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２を形成する。次に、能動層２を覆うように、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜、または、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の積層膜からなるゲート絶縁膜３を形成する。この後、全面に、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層４０を形成する。Ｍｏ層４０上の所定領域にレジスト膜２８を形成する。
【００５７】
ここで、この第２実施形態では、補助容量電極２５を含む補助容量線２５ａが形成される領域に対応する部分のレジスト膜２８を、反射領域７０ａに対応する領域に形成する。そして、このレジスト膜２８をマスクとして、Ｍｏ層４０をドライエッチングすることによりパターニングする。これにより、図１３に示されるような、反射領域７０ａに対応する領域に、補助容量電極２５を含む補助容量線２５ａと、ゲート線２４ａ（図１参照）とが形成される。また、Ｍｏ層４０のパターニングにより、同時に、ゲート電極４を含むゲート線４ａ（図１参照）も形成される。この後、レジスト膜２８を除去する。
【００５８】
この後、ゲート電極４をマスクとして、不純物イオンを能動層２に注入することによって、チャネル領域２ａを挟むように、所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成される。
【００５９】
次に、図１４に示すように、基板全面を覆うように、層間絶縁膜６を形成した後、層間絶縁膜６のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂを形成する。この後、コンタクトホール６ａおよび６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜６上に沿って延びる金属層（図示せず）を形成する。そして、その金属層をウェットエッチングすることによりパターニングする。これにより、ソース電極２７と、ドレイン電極８とが形成される。なお、第２実施形態のソース電極２７は、上記第１実施形態のソース電極７（図２参照）とは異なり、反射領域７０ａに対応する領域には形成されていない。
【００６０】
次に、図１５に示すように、基板全面を覆うように、平坦化膜９を形成した後、平坦化膜９の所定部分に、ビアホール９ａを形成する。この後、基板全面を覆うように、ＩＺＯ膜（図示せず）を形成した後、ＩＺＯ膜の所定領域を除去する。これにより、ビアホール９ａを介してソース電極２７に電気的に接続するとともに、平坦化膜９の上面上に沿って延びるように、透明電極１０を形成する。この後、透明電極１０上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００６１】
最後に、図１１に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１上に、カラーフィルタ１２を形成するとともに、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１３を形成する。次に、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上に、ＩＺＯ膜からなる透明電極１４、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間に、液晶層１５を充填することによって、第２実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。
【００６２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６３】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、反射領域と透過領域との両方を有する半透過型液晶表示装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、反射領域のみを有する反射型液晶表示装置にも適用可能である。
【００６４】
また、上記第１および第２実施形態では、ソース電極、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を反射膜として機能させるようにしたが、本発明はこれに限らず、たとえば、ソース電極と同じ層であって、ソース電極、ドレイン電極およびドレイン線のいずれとも接続しない電気的に浮遊状態にある反射膜を、ソース電極などをパターニングにより形成する際に、同時に形成することもできる。
【００６５】
また、上記第１および第２実施形態では、ソース電極、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を反射膜として機能させるようにしたが、本発明はこれに限らず、他の所定の機能を有する金属層を反射膜としても機能させるようにしてもよい。たとえば、ドレイン線や、薄膜トランジスタが設けられた側のガラス基板の直上、または、ガラス基板とバッファ層との間に形成されたブラックマトリックス膜（オンチップブラックマトリックス膜）を、反射膜として機能させるようにしてもよい。このようにしても、ドレイン線またはオンチップブラックマトリックス膜を形成する工程で、反射膜としても機能するドレイン線またはブラックマトリックス膜を形成することができるので、反射電極（反射膜）を形成する工程を新たに追加する必要がない。その結果、製造プロセスを簡略化することができる。
【００６６】
また、上記第１および第２実施形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、アクティブマトリクス型の液晶表示装置以外の液晶表示装置にも適用可能である。たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置以外の液晶表示装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示装置やセグメント型の液晶表示装置などがある。また、液晶表示装置以外の表示装置にも適用可能である。
【００６７】
また、上記第１および第２実施形態では、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層を備えたガラス基板を用いるようにしたが、本発明はこれに限らず、石英およびプラスチックなどからなる透明基板を用いるようにしてもよい。また、バッファ層を備えていないガラス基板を用いてもよい。
【００６８】
また、上記第１および第２実施形態では、ＩＺＯからなる透明電極を用いるようにしたが、本発明はこれに限らず、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電体（いわゆる半透明体も含む）からなる透明電極を用いるようにしてもよい。
【００６９】
また、上記第１および第２実施形態では、ゲート電極をＭｏ層により形成するとともに、ソース電極およびドレイン電極を、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層との３層により形成したが、本発明はこれに限らず、ゲート電極をＭｏ層以外のＣｒ層などの高融点金属層により形成してもよい。また、ソース電極およびドレイン電極を、下層から上層に向かって、Ｔｉ層とＡｌ層とＴｉ層との３層により形成してもよいし、Ｔｉ−Ｗ層とＡｌ層とＴｉ−Ｗ層との３層により形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の５０−５０線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１１】図１０に示した第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の６０−６０線に沿った断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１７】図１６に示した従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図１８】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１９】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２０】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２１】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２２】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板（基板）
２ｂ ソース領域
２ｃ ドレイン領域
４ ゲート電極
４ａ ゲート線
５ 補助容量電極
５ａ 補助容量線
７ ソース電極（反射材料膜、ソース／ドレイン電極）
８ ドレイン電極
９ 平坦化膜（絶縁膜）
１０ 透明電極
２４ａ ゲート線（反射材料膜）
２５ 補助容量電極（反射材料膜）
２５ａ 補助容量線（反射材料膜）
６０ａ、７０ａ 反射領域
６０ｂ、７０ｂ 透過領域
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、特に、反射領域を有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表示装置として、液晶の光学的性質の変化を利用して表示を行う液晶表示装置が知られている。上記した液晶表示装置としては、液晶層に入射した光を一方方向にのみ通過させる透過型液晶表示装置、液晶層に入射した光を反射させる反射型液晶表示装置、および、透過型と反射型との２つの機能を有する半透過型液晶表示装置などがある。そして、従来では、上記した半透過型液晶表示装置において、反射領域に対応する領域に、凸状の絶縁膜を設けることにより、透過領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）と、反射領域に入射した光が液晶層を通過する距離（光路長）とを等しくした構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１６は、従来の凸状の絶縁膜（平坦化膜）を有する半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１７は、図１６に示した従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。図１６および図１７を参照して、まず、従来の半透過型液晶表示装置では、１画素内に、反射領域１６０ａと透過領域１６０ｂとの２つの領域を有している。そして、反射領域１６０ａには、反射電極１１０が形成されているとともに、透過領域１６０ｂには、反射領域１６０ａと異なり反射電極１１０が形成されていない。これにより、反射領域１６０ａでは、図１７の矢印Ａ方向の光を反射電極１１０により反射させることにより画像が表示される。その一方、透過領域１６０ｂでは、図１７の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。以下、従来の半透過型液晶表示装置の構造について詳細に説明する。
【０００４】
従来の半透過型液晶表示装置では、図１７に示すように、上面にバッファ層１０１ａを含むガラス基板１０１上の反射領域１６０ａに対応する領域に、非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層１０２が形成されている。この能動層１０２には、チャネル領域１０２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域１０２ｂおよびドレイン領域１０２ｃが形成されている。また、能動層１０２のチャネル領域１０２ａ上には、ゲート絶縁膜１０３を介して、ゲート電極１０４が形成されている。そして、ソース領域１０２ｂと、ドレイン領域１０２ｃと、ゲート絶縁膜１０３と、ゲート電極１０４とによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が構成されている。また、反射領域１６０ａに対応するゲート絶縁膜１０３上の所定領域には、補助容量電極１０５が形成されている。そして、能動層１０２の補助容量領域１０２ｄと、ゲート絶縁膜１０３と、補助容量電極１０５とによって、補助容量が構成されている。また、図１６に示すように、ゲート電極１０４は、ゲート線１０４ａに接続されているとともに、補助容量電極１０５は、補助容量線１０５ａに接続されている。
【０００５】
そして、図１７に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂを有する層間絶縁膜１０６が形成されている。層間絶縁膜１０６のコンタクトホール１０６ａを介して、ソース領域１０２ｂに電気的に接続するように、ソース電極１０７が形成されている。また、層間絶縁膜１０６のコンタクトホール１０６ｂを介して、ドレイン領域１０２ｃに電気的に接続するように、ドレイン電極１０８が形成されている。また、ドレイン電極１０８は、図１６に示すように、ドレイン線１０８ａに接続されている。そして、層間絶縁膜１０６上には、ビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜１０９が形成されている。この平坦化膜１０９は、断面形状が凸状になるように形成されている。また、平坦化膜１０９のビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂの側面は、所定の角度傾斜している。
【０００６】
そして、平坦化膜１０９の開口部１０９ｂは、図１６に示すように、透過領域１６０ｂを囲むように、平面的に見て四角形状に形成されている。また、ビアホール１０９ａは、ソース電極１０７に対応する領域に形成されている。また、図１６に示すように、補助容量電極１０５に接続する補助容量線１０５ａは、各行の画素で共通して使用されている。
【０００７】
また、図１７に示すように、平坦化膜１０９上の反射領域１６０ａに対応する領域には、ビアホール１０９ａを介してソース電極１０７に電気的に接続するとともに、平坦化膜１０９の上面上および平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの側面上に沿って延びるように、反射電極１１０が形成されている。また、反射電極１１０の透過領域１６０ｂに対応する領域には、開口部１１０ａが形成されている。反射電極１１０上および平坦化膜１０９も反射電極１１０も形成されていない開口部１１０ａに位置する層間絶縁膜１０６上に、透明電極１１１が形成されている。この透明電極１１１と反射電極１１０とによって、画素電極が構成されている。
【０００８】
また、ガラス基板１０１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１２が設けられている。ガラス基板１１２上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１１３が形成されている。また、ガラス基板１１２上の画素間に対応する領域には、画素間の光の漏れを防止するためのブラックマトリックス膜１１４が形成されている。そして、カラーフィルタ１１３およびブラックマトリックス膜１１４の上面上には、透明電極１１５が形成されている。また、透明電極１１１および１１５の上面上には、それぞれ、配向膜（図示せず）が形成されている。そして、ガラス基板１０１側の配向膜とガラス基板１１２側の配向膜との間には、液晶層１１６が充填されている。
【０００９】
図１８〜図２２は、従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１６〜図２２を参照して、従来の半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００１０】
まず、図１８に示すように、上面にバッファ層１０１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、チャネル領域１０２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、能動層１０２を形成する。次に、能動層１０２を覆うように、ゲート絶縁膜１０３を形成する。この後、全面に形成されたＭｏ層をパターニングすることによって、ゲート電極１０４を含むゲート線１０４ａ（図１６参照）と、補助容量電極１０５を含む補助容量線１０５ａとを形成する。
【００１１】
この後、ゲート電極１０４をマスクとして、不純物イオンを能動層１０２に注入することによって、チャネル領域１０２ａを挟むように、一対のソース／ドレイン領域１０２ｂおよび１０２ｃを形成する。
【００１２】
次に、図１９に示すように、基板全面を覆うように、層間絶縁膜１０６を形成する。この後、層間絶縁膜１０６のソース領域１０２ｂおよびドレイン領域１０２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂを形成する。
【００１３】
次に、コンタクトホール１０６ａおよび１０６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜１０６上に沿って延びるように、金属層（図示せず）を形成する。そして、この金属層をパターニングすることにより、図２０に示されるような、ソース電極１０７と、ドレイン電極１０８とが形成される。この際、ドレイン電極１０８と同一層からなるドレイン線１０８ａ（図１６参照）も同時に形成される。なお、ソース電極１０７は、コンタクトホール１０６ａを介して、ソース領域１０２ｂに電気的に接続するように形成され、ドレイン電極１０８は、コンタクトホール１０６ｂを介して、ドレイン領域１０２ｃに電気的に接続するように形成される。
【００１４】
次に、基板全面を覆うように、アクリル樹脂からなる平坦化膜１０９を形成した後、平坦化膜１０９の所定部分に、ビアホール１０９ａおよび開口部１０９ｂを形成する。続いて、全面を覆うように、ＡｌＮｄ膜（図示せず）を形成した後、ＡｌＮｄ膜の所定領域を除去する。これにより、図２１に示すように、ビアホール１０９ａを介してソース電極１０７に電気的に接続するとともに、平坦化膜１０９の上面上および平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの側面上に沿って延びるように、ＡｌＮｄ膜からなる反射電極１１０を形成する。また、この反射電極１１０は、透過領域１６０ｂに対応する領域に開口部１１０ａを有するように形成する。このようにして、反射電極１１０が形成された反射領域１６０ａと、平坦化膜１０９の開口部１０９ｂの反射電極１１０が形成されていない透過領域１６０ｂとが形成される。
【００１５】
次に、図２２に示すように、反射電極１１０上および開口部１１０ａに位置する層間絶縁膜１０６上に、透明電極１１１を形成する。この後、透明電極１１１を含む全面上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００１６】
最後に、図１７に示したように、ガラス基板１０１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１２上に、カラーフィルタ１１３を形成するとともに、ガラス基板１１２上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１１４を形成する。次に、カラーフィルタ１１３およびブラックマトリックス膜１１４の上面上に、透明電極１１５、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１０１側の配向膜とガラス基板１１２側の配向膜との間に、液晶層１１６を充填することによって、従来の半透過型液晶表示装置が形成される。
【００１７】
【特許文献１】
特開２００２−９８９５１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域１６０ａで光を反射するための反射電極１１０を他の層とは別に設ける必要があるため、反射電極１１０を構成する層の堆積工程およびその層をパターニングする工程が別に必要であった。その結果、製造プロセスが複雑化するという問題点があった。
【００１８】
この発明の１つの目的は、反射電極を他の層とは別に設ける必要のない製造プロセスを簡略化することが可能な反射領域を有する表示装置を提供することである。
【００１９】
この発明のもう１つの目的は、製造プロセスを簡略化することが可能な反射領域を有する表示装置の製造方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による表示装置は、反射領域を有する表示装置であって、基板上の反射領域に対応する領域に形成され、反射膜としての機能を有する反射材料層と、反射材料層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された透明電極とを備え、反射材料層は、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同一の層から形成されている。
【００２１】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、反射膜としての機能を有する反射材料層を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同一の層から形成することによって、反射膜を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同時に形成することができるので、反射膜を別途形成する必要がない。その結果、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２２】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射材料層は、反射膜としての機能と、反射膜としての機能とは異なる所定の機能との両方の機能を有する。このように構成すれば、容易に、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層を反射膜として利用することができる。
【００２３】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極とをさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、ソース／ドレイン電極を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ソース／ドレイン電極を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２４】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、補助容量電極を有する補助容量をさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、補助容量電極の補助容量線を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、補助容量線を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２５】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタをさらに備え、反射膜として機能する反射材料層は、ゲート電極を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ゲート電極を構成する層をパターニングする際に、ゲート電極と同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２６】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に形成されたブラックマトリックス膜をさらに備え、反射材料層は、ブラックマトリックス膜を構成する層と同一の層から形成されている。このように構成すれば、ブラックマトリックス膜を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２７】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射領域に加えて、反射材料層が形成されていない透過領域をさらに備える。このように構成すれば、反射領域と透過領域とを備えた半透過型の表示装置において、反射電極を別途形成する必要がないので、製造プロセスを簡略化することができる。
【００２８】
この発明の第２の局面による表示装置の製造方法は、反射領域を有する表示装置の製造方法であって、基板上に、反射膜としての機能とは異なる所定の機能も有する反射材料層を形成する工程と、反射材料層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程と、反射材料層上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に透明電極を形成する工程とを備えている。
【００２９】
この第２の局面による表示装置の製造方法では、反射膜としての機能とは異なる所定の機能も有する反射材料層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングすることによって、反射膜を、反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同時に形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３０】
上記第２の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、絶縁膜と基板との間に、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程をさらに備え、反射材料層を形成する工程は、一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極層を形成する工程を含み、反射材料層をパターニングする工程は、ソース／ドレイン電極層のうち、少なくとも一方の電極層を、ソース／ドレイン領域および反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む。このように構成すれば、ソース／ドレイン電極を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３１】
上記第２の局面による表示装置の製造方法において、好ましくは、補助容量電極を有する補助容量を形成する工程をさらに備え、反射材料層を形成する工程は、補助容量電極の補助容量線を構成する層を形成する工程を含み、反射材料層をパターニングする工程は、補助容量線を構成する層を、反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む。このように構成すれば、補助容量線を構成する層を形成する際に、同時に反射膜を形成することができるので、反射膜を別途形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の５０−５０線に沿った断面図である。図１および図２を参照して、この第１実施形態による半透過型液晶表示装置は、１画素内に、反射領域６０ａと透過領域６０ｂとの２つの領域を有している。
【００３４】
第１実施形態の詳細な構造としては、図２に示すように、上面にＳｉＮｘおよびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の反射領域６０ａに対応する領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２が形成されている。なお、ガラス基板１は、本発明の「基板」の一例である。そして、能動層２には、チャネル領域２ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成されている。また、能動層２のチャネル領域２ａ上には、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜、または、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の積層膜からなるゲート絶縁膜３を介して、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層からなるゲート電極４が形成されている。そして、ソース領域２ｂと、ドレイン領域２ｃと、ゲート絶縁膜３と、ゲート電極４とによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されている。また、図１に示すように、ゲート電極４は、ゲート電極４と同一層からなるゲート線４ａに接続されている。
【００３５】
また、図２に示すように、反射領域６０ａに対応するゲート絶縁膜３上の所定領域には、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層からなる補助容量電極５が形成されている。そして、能動層２の補助容量領域２ｄと、ゲート絶縁膜３と、補助容量電極５とによって、補助容量が構成されている。また、図１に示すように、補助容量電極５は、補助容量電極５と同一層からなる補助容量線５ａに接続されている。なお、補助容量線５ａは、各行の画素で共通して使用されている。
【００３６】
そして、図２に示すように、薄膜トランジスタおよび補助容量を覆うように、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜とＳｉＮＸ膜との積層膜からなる層間絶縁膜６が形成されている。この層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜３のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃ上には、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂが形成されている。コンタクトホール６ａを介して、ソース領域２ｂに電気的に接続するように、ソース電極７が形成されている。このソース電極７は、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する。
【００３７】
ここで、この第１実施形態では、ソース電極７が、図１および図２に示すように、反射領域６０ａに対応する領域に形成されている。これにより、ソース電極７が反射膜としても機能する。その結果、反射領域６０ａでは、図２の矢印Ａ方向の光をソース電極７により反射させることによって画像が表示される。その一方、透過領域６０ｂでは、図２の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。なお、ソース電極７は、本発明の「反射材料層」および「ソース／ドレイン電極」の一例である。
【００３８】
また、コンタクトホール６ｂを介して、ドレイン領域２ｃに電気的に接続するように、ドレイン電極８が形成されている。このドレイン電極８は、ソース電極７と同様、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する。また、ドレイン電極８は、図１に示すように、ドレイン線８ａに接続されている。
【００３９】
また、図２に示すように、層間絶縁膜６上には、ビアホール９ａを有するとともに、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜９が形成されている。なお、この平坦化膜９は、本発明の「絶縁膜」の一例である。また、平坦化膜９上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極１０が形成されている。この透明電極１０は、ビアホール９ａを介して、ソース電極７に接続するように形成されている。この透明電極１０によって、画素電極が構成されている。
【００４０】
また、ガラス基板１と対向する位置には、ガラス基板（対向基板）１１が設けられている。ガラス基板１１上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色を呈するカラーフィルタ１２が形成されている。また、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域には、画素間の光の漏れを防止するためのブラックマトリックス膜１３が形成されている。そして、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上には、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯからなる透明電極１４が形成されている。
【００４１】
また、透明電極１０および１４の上面上には、それぞれ、配向膜（図示せず）が形成されている。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間には、液晶層１５が充填されている。
【００４２】
第１実施形態では、上記のように、ソース電極７を反射領域６０ａに対応する領域に形成することにより、通常のソース電極７およびドレイン電極８を形成する工程で、反射膜として機能するソース電極７およびドレイン電極８を形成することができるので、反射電極（反射膜）を別途形成する必要がない。これにより、製造プロセスを簡略化することができる。
【００４３】
図３〜図９は、本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図９を参照して、第１実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００４４】
まず、図３に示すように、上面にＳｉＮｘおよびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２を形成する。次に、能動層２を覆うように、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜３を形成する。この後、全面に、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層４０を形成する。Ｍｏ層４０上の所定領域にレジスト膜１６を形成する。レジスト膜１６をマスクとして、Ｍｏ層４０をドライエッチングすることによりパターニングすることによって、図４に示すように、ゲート電極４を含むゲート線４ａ（図１参照）と、補助容量電極５を含む補助容量線５ａとを形成する。この後、レジスト膜１６を除去する。
【００４５】
この後、ゲート電極４をマスクとして、不純物を能動層２にイオン注入することによって、チャネル領域２ａを挟むように、所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成される。
【００４６】
次に、図５に示すように、全面を覆うように、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜とＳｉＮＸ膜との積層膜からなる層間絶縁膜６を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術とウェットエッチング技術とを用いて、層間絶縁膜６のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂを形成する。
【００４７】
次に、図６に示すように、コンタクトホール６ａおよび６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜６上に沿って延びるように、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層とからなるとともに、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの厚みを有する金属層５０を形成する。そして、金属層５０上の所定領域にレジスト膜１７を形成する。
【００４８】
ここで、この第１実施形態では、ソース電極７が形成される領域に対応する部分のレジスト膜１７を、反射領域６０ａに対応する領域に形成する。そして、このレジスト膜１７をマスクとして、金属層をウェットエッチングすることによりパターニングする。これにより、図７に示されるような、反射領域６０ａに対応する領域（図１参照）に位置するソース電極７と、ドレイン電極８とが形成される。この際、ドレイン電極８と同一層からなるドレイン線８ａ（図１参照）も同時に形成される。なお、ソース電極７は、コンタクトホール６ａを介して、ソース領域２ｂに電気的に接続するように形成され、ドレイン電極８は、コンタクトホール６ｂを介して、ドレイン領域２ｃに電気的に接続するように形成される。この後、レジスト膜１７を除去する。
【００４９】
次に、図８に示すように、全面を覆うように、約２μｍ〜約３μｍの厚みを有するアクリル樹脂からなる平坦化膜９を形成する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いて、平坦化膜９の所定部分に、ビアホール９ａを形成する。
【００５０】
次に、全面を覆うように、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ膜（図示せず）を形成した後、ＩＺＯ膜の所定領域を除去する。これにより、図９に示すように、ビアホール９ａを介してソース電極７に電気的に接続するとともに、平坦化膜９の上面上に沿って延びるように、透明電極１０を形成する。この後、透明電極１０上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００５１】
最後に、図２に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１上に、カラーフィルタ１２を形成するとともに、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１３を形成する。次に、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上に、約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するＩＺＯ膜からなる透明電極１４、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間に、液晶層１５を充填することによって、第１実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。
【００５２】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。図１１は、図１０に示した第２施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の６０−６０線に沿った断面図である。図１０および図１１を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を、反射膜として機能させる例について説明する。第２実施形態の補助容量電極（補助容量線）、ゲート線およびソース電極以外の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５３】
すなわち、この第２実施形態では、図１０および図１１に示すように、Ｍｏからなる補助容量電極２５および補助容量線２５ａが、反射領域７０ａに対応する領域に形成されている。また、図１０に示すように、ゲート線２４ａが、反射領域７０ａに対応する領域に形成されている。これにより、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａが反射膜としても機能する。その結果、反射領域７０ａでは、図１１の矢印Ａ方向の光を、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａにより反射させることによって画像が表示される。その一方、透過領域７０ｂでは、図１１の矢印Ｂ方向の光を透過させることにより画像が表示される。なお、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａは、本発明の「反射材料層」の一例である。
【００５４】
第２実施形態では、上記のように、補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを反射領域７０ａに対応する領域に形成することにより、通常の補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを形成する工程で、反射膜として機能する補助容量電極２５、補助容量線２５ａおよびゲート線２４ａを同時に形成することができるので、反射電極（反射膜）を別途形成する必要がない。これにより、製造プロセスを簡略化することができる。
【００５５】
図１２〜図１５は、本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１０〜図１５を参照して、第２実施形態による半透過型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。なお、第１実施形態と同様のプロセスについては説明を簡略化する。
【００５６】
まず、図１２に示すように、上面にＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜の積層膜からなるバッファ層１ａを含むガラス基板１上の所定領域に、約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚みを有する非単結晶シリコンまたは非晶質シリコンからなる能動層２を形成する。次に、能動層２を覆うように、約８０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚みを有するとともに、ＳｉＯ２膜、または、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の積層膜からなるゲート絶縁膜３を形成する。この後、全面に、約２００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚みを有するＭｏ層４０を形成する。Ｍｏ層４０上の所定領域にレジスト膜２８を形成する。
【００５７】
ここで、この第２実施形態では、補助容量電極２５を含む補助容量線２５ａが形成される領域に対応する部分のレジスト膜２８を、反射領域７０ａに対応する領域に形成する。そして、このレジスト膜２８をマスクとして、Ｍｏ層４０をドライエッチングすることによりパターニングする。これにより、図１３に示されるような、反射領域７０ａに対応する領域に、補助容量電極２５を含む補助容量線２５ａと、ゲート線２４ａ（図１参照）とが形成される。また、Ｍｏ層４０のパターニングにより、同時に、ゲート電極４を含むゲート線４ａ（図１参照）も形成される。この後、レジスト膜２８を除去する。
【００５８】
この後、ゲート電極４をマスクとして、不純物イオンを能動層２に注入することによって、チャネル領域２ａを挟むように、所定の間隔を隔てて、ソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃが形成される。
【００５９】
次に、図１４に示すように、基板全面を覆うように、層間絶縁膜６を形成した後、層間絶縁膜６のソース領域２ｂおよびドレイン領域２ｃに対応する領域に、それぞれ、コンタクトホール６ａおよび６ｂを形成する。この後、コンタクトホール６ａおよび６ｂ内を埋め込むとともに、層間絶縁膜６上に沿って延びる金属層（図示せず）を形成する。そして、その金属層をウェットエッチングすることによりパターニングする。これにより、ソース電極２７と、ドレイン電極８とが形成される。なお、第２実施形態のソース電極２７は、上記第１実施形態のソース電極７（図２参照）とは異なり、反射領域７０ａに対応する領域には形成されていない。
【００６０】
次に、図１５に示すように、基板全面を覆うように、平坦化膜９を形成した後、平坦化膜９の所定部分に、ビアホール９ａを形成する。この後、基板全面を覆うように、ＩＺＯ膜（図示せず）を形成した後、ＩＺＯ膜の所定領域を除去する。これにより、ビアホール９ａを介してソース電極２７に電気的に接続するとともに、平坦化膜９の上面上に沿って延びるように、透明電極１０を形成する。この後、透明電極１０上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００６１】
最後に、図１１に示したように、ガラス基板１と対向するように設けられたガラス基板（対向基板）１１上に、カラーフィルタ１２を形成するとともに、ガラス基板１１上の画素間に対応する領域に、ブラックマトリックス膜１３を形成する。次に、カラーフィルタ１２およびブラックマトリックス膜１３の上面上に、ＩＺＯ膜からなる透明電極１４、および、配向膜（図示せず）を順次形成する。そして、ガラス基板１側の配向膜とガラス基板１１側の配向膜との間に、液晶層１５を充填することによって、第２実施形態による半透過型液晶表示装置が形成される。
【００６２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６３】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、反射領域と透過領域との両方を有する半透過型液晶表示装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、反射領域のみを有する反射型液晶表示装置にも適用可能である。
【００６４】
また、上記第１および第２実施形態では、ソース電極、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を反射膜として機能させるようにしたが、本発明はこれに限らず、たとえば、ソース電極と同じ層であって、ソース電極、ドレイン電極およびドレイン線のいずれとも接続しない電気的に浮遊状態にある反射膜を、ソース電極などをパターニングにより形成する際に、同時に形成することもできる。
【００６５】
また、上記第１および第２実施形態では、ソース電極、補助容量電極（補助容量線）およびゲート線を反射膜として機能させるようにしたが、本発明はこれに限らず、他の所定の機能を有する金属層を反射膜としても機能させるようにしてもよい。たとえば、ドレイン線や、薄膜トランジスタが設けられた側のガラス基板の直上、または、ガラス基板とバッファ層との間に形成されたブラックマトリックス膜（オンチップブラックマトリックス膜）を、反射膜として機能させるようにしてもよい。このようにしても、ドレイン線またはオンチップブラックマトリックス膜を形成する工程で、反射膜としても機能するドレイン線またはブラックマトリックス膜を形成することができるので、反射電極（反射膜）を形成する工程を新たに追加する必要がない。その結果、製造プロセスを簡略化することができる。
【００６６】
また、上記第１および第２実施形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、アクティブマトリクス型の液晶表示装置以外の液晶表示装置にも適用可能である。たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置以外の液晶表示装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示装置やセグメント型の液晶表示装置などがある。また、液晶表示装置以外の表示装置にも適用可能である。
【００６７】
また、上記第１および第２実施形態では、ＳｉＮＸ膜およびＳｉＯ２膜からなるバッファ層を備えたガラス基板を用いるようにしたが、本発明はこれに限らず、石英およびプラスチックなどからなる透明基板を用いるようにしてもよい。また、バッファ層を備えていないガラス基板を用いてもよい。
【００６８】
また、上記第１および第２実施形態では、ＩＺＯからなる透明電極を用いるようにしたが、本発明はこれに限らず、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電体（いわゆる半透明体も含む）からなる透明電極を用いるようにしてもよい。
【００６９】
また、上記第１および第２実施形態では、ゲート電極をＭｏ層により形成するとともに、ソース電極およびドレイン電極を、下層から上層に向かって、Ｍｏ層とＡｌ層とＭｏ層との３層により形成したが、本発明はこれに限らず、ゲート電極をＭｏ層以外のＣｒ層などの高融点金属層により形成してもよい。また、ソース電極およびドレイン電極を、下層から上層に向かって、Ｔｉ層とＡｌ層とＴｉ層との３層により形成してもよいし、Ｔｉ−Ｗ層とＡｌ層とＴｉ−Ｗ層との３層により形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の５０−５０線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１１】図１０に示した第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の６０−６０線に沿った断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態による半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の構造を示した平面図である。
【図１７】図１６に示した従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図１８】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１９】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２０】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２１】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図２２】従来の半透過型液晶表示装置（表示装置）の製造プロセスを説明するための断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板（基板）
２ｂ ソース領域
２ｃ ドレイン領域
４ ゲート電極
４ａ ゲート線
５ 補助容量電極
５ａ 補助容量線
７ ソース電極（反射材料膜、ソース／ドレイン電極）
８ ドレイン電極
９ 平坦化膜（絶縁膜）
１０ 透明電極
２４ａ ゲート線（反射材料膜）
２５ 補助容量電極（反射材料膜）
２５ａ 補助容量線（反射材料膜）
６０ａ、７０ａ 反射領域
６０ｂ、７０ｂ 透過領域
Claims (10)
- 反射領域を有する表示装置であって、
基板上の前記反射領域に対応する領域に形成され、反射膜としての機能を有する反射材料層と、
前記反射材料層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された透明電極とを備え、
前記反射材料層は、前記反射膜としての機能とは異なる所定の機能を有する層と同一の層から形成されている、表示装置。 - 前記反射材料層は、前記反射膜としての機能と、前記反射膜としての機能とは異なる所定の機能との両方の機能を有する、請求項１に記載の表示装置。
- 前記絶縁膜と前記基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極とをさらに備え、
前記反射膜として機能する反射材料層は、前記ソース／ドレイン電極を構成する層と同一の層から形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。 - 補助容量電極を有する補助容量をさらに備え、
前記反射膜として機能する反射材料層は、前記補助容量電極の補助容量線を構成する層と同一の層から形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。 - 前記絶縁膜と前記基板との間に形成され、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタをさらに備え、
前記反射膜として機能する反射材料層は、前記ゲート電極を構成する層と同一の層から形成されている、請求項１または４に記載の表示装置。 - 前記絶縁膜と前記基板との間に形成されたブラックマトリックス膜をさらに備え、
前記反射材料層は、前記ブラックマトリックス膜を構成する層と同一の層から形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。 - 前記反射領域に加えて、前記反射材料層が形成されていない透過領域をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
- 反射領域を有する表示装置の製造方法であって、
基板上に、反射膜としての機能とは異なる所定の機能も有する反射材料層を形成する工程と、
前記反射材料層を、前記反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程と、
前記反射材料層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に透明電極を形成する工程とを備えた、表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜と前記基板との間に、一対のソース／ドレイン領域およびゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程をさらに備え、
前記反射材料層を形成する工程は、
前記一対のソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極層を形成する工程を含み、
前記反射材料層をパターニングする工程は、
前記ソース／ドレイン電極層のうち、少なくとも一方の電極層を、前記ソース／ドレイン領域および前記反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む、請求項８に記載の表示装置の製造方法。 - 補助容量電極を有する補助容量を形成する工程をさらに備え、
前記反射材料層を形成する工程は、
前記補助容量電極の補助容量線を構成する層を形成する工程を含み、
前記反射材料層をパターニングする工程は、
前記補助容量線を構成する層を、前記反射領域に対応する領域に形成されるようにパターニングする工程を含む、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
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