CN1292295C - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其制造方法，其中，该显示装置具有：形成在与玻璃基板(1)上的反射区域(60a)相对应的区域，且具有作为反射膜的功能的源极(7)；形成于源极(7)上方的平坦化膜(9)；以及形成于平坦化膜(9)上方的透明电极(10)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其是涉及具有反射区域的显示装置。
背景技术
现在，在半透过型液晶显示装置方面已提案出一种由在与反射区域相对应的区域中设置凸状绝缘膜，以使入射至透过区域的光通过液晶层的距离(光程长度)与入射至反射区域的光通过液晶层的距离(光程长度)相等的构造(参照例如专利文献1)。
图11表示现有的具有凸状绝缘膜(平坦化膜)的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造俯视图。图12为图11所示的现有的半透过型液晶显示装置中(显示装置)沿着150-150线的剖视图。在现有的半透过型液晶显示装置中，于1个像素(pixel)内具有2个区域即反射区域160a与透过区域160b。而且，于反射区域160a中形成有反射电极110，在透过区域160b中，与反射区域160a不同并不形成反射电极110。由此，在反射区域160a中由反射电极110而使图12的箭头A方向的光反射以此显示图像。另一方面，在透过区域160b中，则通过使图12的箭头B方向的光通过以此显示图像。以下详加说明现有半透过型液晶显示装置的构造。
在与上面含有缓冲层(buffer)101a的玻璃基板101上的反射区域160a相对应的区域中形成有主动层(active layer)102。于该主动层102中相隔设定间隔地形成有源极区域102b及漏极区域102c以便包夹沟道区域(channel region)102a。而且，在主动层102的沟道区域102a上通过栅极绝缘膜103而形成有栅极104。接着，由源极区域102b、漏极区域102c、栅极绝缘膜103及栅极104而构成薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。此外，在与反射区域160a相对应的栅极绝缘膜103上的设定区域中形成有辅助电容电极105。然后由主动层102的辅助电容区域102d、栅极绝缘膜103与辅助电容电极105而构成辅助电容。如图11所示，栅极104及栅极线104a相连接，同时，辅助电容电极105与辅助电容线105a相连接。
接着，如图12所示，以包覆薄膜晶体管及辅助电容的方式形成具有接触孔106a及106b的层间绝缘膜106。通过层间绝缘膜106的接触孔106a而以与源极区域102b以电连接的方式形成有源极107。而且，通过层间绝缘膜106的接触孔106b而以与漏极区域102c以电连接的方式形成有漏极108。而且，如图11所示，漏极108与漏极线108a相连接。而在层间绝缘膜106上形成有具有通孔(via hole)109a及开口部109b的由丙烯酸酯树脂(acrylic resin)所构成的平坦化膜109。该平坦化膜109形成剖面为凸状。此外，平坦化膜109的通孔109a及开口部109b的侧面以设定角度倾斜。
而且，如图12所示，在与平坦化膜109上的反射区域160a相对应的区域中形成有反射电极110，该反射电极110通过通孔109a而与源极107电连接，同时沿着平坦化膜109的上面及平坦化膜109的开口部109b的侧面延伸。此外，在与反射电极110的透过区域160b相对应的区域中形成有开口部110a。在反射电极110上以及既未形成有平坦化膜109也未形成有反射电极110且位于开口部110a的层间绝缘膜106上形成有透明电极111。由该透明电极111与反射电极110而构成像素电极。
而且，在与玻璃基板101相对向的位置上设有玻璃基板(对向基板)112。在玻璃基板112上形成有可呈现红(R)、绿(G)及蓝(B)等各色的滤色片(color filter)113。而且，在与玻璃基板112的像素间相对应的区域中形成有所构成防止像素间的光的泄漏的黑色矩阵薄膜(Black Matrix Film)114。然后，在滤色片113及黑色矩阵薄膜114上面形成有透明电极115。而且，在透明电极111及115的上面分别形成有定向膜(ori entation film)(未图示)。然后，在玻璃基板101侧的定向膜与玻璃基板112侧的定向膜之间充填液晶层116。
图13至图15所构成说明现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的断面图。
首先，如图13所示，在与上面含有缓冲层101a的玻璃基板1上的设定区域中相隔设定间隔地形成主动层102包夹沟道区域102a。接着，以包覆主动层102的方式形成栅极绝缘膜103。其后，对形成于全面的钼(Mo)层进行图案化(patterning)，由此形成含有栅极104的栅极线104a(参照图13)与含有辅助电容电极105的辅助电容线105a。其后，以栅极104为光罩(mask)而将杂质离子植入主动层102，由此以包夹沟道区域102a的方式来形成一对源极/漏极区域102b及102c。
接着，以包覆基板全面的方式而形成层间绝缘膜106。其后，在与层间绝缘膜106的源极区域102b及漏极区域102c相对应的区域分别形成接触孔106a及106b。
接着，以嵌入接触孔106a及106b内并沿着层间绝缘膜106延伸的方式形成金属层(未图示)。然后，对该金属层进行图案化，由此形成源极107与漏极108。此时，也同时形成与漏极108同一层所构成的漏极线108a(参照图11)。其中，源极107通过接触孔106a而与源极区域102b电连接地形成，而漏极108通过接触孔106b而与漏极区域102c电连接形成。
接着，在以包覆基板全面的方式形成由丙烯酸酯树脂(acrylicresin)构成的平坦化膜109之后，在平坦化膜109的设定部分形成通孔109a及开口部109b。接着，在以包覆全面的方式形成铝钕(AlNd)膜(未图示)之后，去除AlNd膜的设定区域。由此方式，如图14所示，以通过通孔109a而与源极107以电连接并沿着平坦化膜109的上面及平坦化膜109的开口部109b的侧面延伸的方式，形成由AlNd膜所构成的反射电极110。此外，该反射电极110形成为在对应于透过区域160b的区域中具有开口部110a。由此方式构成形成有反射电极110的反射区域160a以及未形成有平坦化膜109的开口部109b的反射电极110的透过区域160b。
接着，如图15所示，在反射电极110上以及位于开口部110a的层间绝缘膜106上形成透明电极111。其后，于含有透明电极111的全面上形成定向膜(未图示)。
最后，如图12所示，在设置成与玻璃基板101相对向的玻璃基板(对向基板)112上形成滤色片113，同时，在与玻璃基板112上的像素间相对应的区域形成黑色矩阵薄膜114。接着，在滤色片113及黑色矩阵薄膜114的上面依序形成透明电极115及定向膜(未图标)。然后，由此由在玻璃基板101侧的定向膜与玻璃基板112侧的定向膜之间充填液晶层116的方式，而形成现有的半透过型液晶显示装置。
[专利文献1]日本特开2002-98951号公报
然而，于上述现有的半透过型液晶显示装置中，由于需要将反射区域160a中所构成反射光的反射电极110另外与其它层分开设置，因此，需要分别将所构成构成反射电极110的层的堆积工序及对该层进行图案化的工序分别进行。其结果将形成工序复杂化的问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种显示装置，本发明第一方面的显示装置为一种具有反射区域的显示装置，具有：形成在与基板上的反射区域相对应的区域中且有作为反射膜的功能的反射材料层；形成于反射材料层上的绝缘膜；以及形成于绝缘膜上的透明电极，形成于前述绝缘膜与前述基板之间具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线；以及形成前述栅极电极及辅助电容的辅助电容电极，而且在由前述栅极线与前述漏极线所划分出来的像素中，前述源极电极顺着栅极线的延伸方向延伸；
前述源极电极具有未与前述辅助电容电极重迭的部分；作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述源极/漏极电极的层相同的层所形成。
在该第一方面的显示装置中，由于可与不同于作为反射膜的功能的设定功能的层同时形成反射膜，因此并不需要另外形成反射膜。是故，可简化工序。
本发明第二方面的显示装置为一种具有反射区域的显示装置，具有：形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；形成于前述反射材料层上的绝缘膜；形成于前述绝缘膜上的透明电极；具有辅助电容电极的辅助电容；形成于前述绝缘膜与前述基板之间具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；以及连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线；而且作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述辅助电容电极的辅助电容线的层相同的层所形成；前述辅助电容线是顺着前述栅极线延伸且在朝向前述漏极线的方向具有突出部。
本发明第三方面的显示装置为一种具有反射区域的显示装置，具有：形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；形成于前述反射材料层上的绝缘膜；形成于前述绝缘膜上的透明电极；具有辅助电容电极的辅助电容；形成于前述绝缘膜与前述基板之间，且具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；以及连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线，而且作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述栅极的层相同的层所形成；前述栅极线具有突出部。
本发明第四方面的显示装置为一种具有反射区域的显示装置，具有：形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；形成于前述反射材料层上的绝缘膜；形成于前述绝缘膜上的透明电极；以及形成于前述绝缘膜与前述基板之间的黑色矩阵薄膜，而且前述反射材料层由与构成前述黑色矩阵薄膜的层相同的层所形成。
本发明的第五方面的显示装置的制造方法为一种具有反射区域的显示装置的制造方法，具有：在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的设定功能的反射材料层的工序；以在与反射区域相对应的区域中形成的方式而对反射材料层进行图案化的工序；于反射材料层上形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上形成透明电极的工序；以及于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序，形成前述薄膜晶体管的工序包括：形成连接至前述栅极电极的栅极线的工序，形成前述反射材料层的工序包括：形成与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极层的工序，而对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以形成在与前述源极区域及前述反射区域相对应的区域中的方式，对前述源极电极层进行图案化，且使前述源极电极顺着前述栅极线所延伸的方向延伸形成的工序。
在该第五方面的显示装置的制造方法中，由于可与具有不同于作为反射膜的功能的设定功能的层同时形成反射膜，因此与另外形成反射膜的情形相较之下，可简化工序。
本发明的第六方面的显示装置的制造方法为一种具有反射区域的显示装置的制造方法，具有：在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的预定功能的反射材料层的工序；以在与前述反射区域相对应的区域中形成的方式而对前述反射材料层进行图案化的工序；于前述反射材料层上形成绝缘膜的工序；在前述绝缘膜上形成透明电极的工序；于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序；以及形成具有辅助电容电极的辅助电容的工序，形成前述反射材料层的工序包括：形成前述辅助电容电极的辅助电容线的工序，而对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以形成在与前述反射区域相对应的区域的方式，对构成前述辅助电容线的层进行图案化，且使前述辅助电容线具有与前述反射区域相对应的突出部的工序。
本发明的第七方面的显示装置的制造方法为一种具有反射区域的显示装置的制造方法，具有：在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的预定功能的反射材料层的工序；以在与前述反射区域相对应的区域中形成的方式而对前述反射材料层进行图案化的工序；于前述反射材料层上形成绝缘膜的工序；在前述绝缘膜上形成透明电极的工序；于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序；以及形成具有辅助电容电极的辅助电容的工序，形成前述薄膜晶体管的工序包括：形成连接至前述栅极电极的栅极线的工序，形成前述反射材料层的工序包括：形成前述辅助电容电极的辅助电容线以及构成前述栅极电极的层的工序，对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以使前述栅极线和前述辅助电容线具有与前述反射区域相对应的突出部的方式进行图案化的工序。
附图说明
图1表示本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造俯视图。
图2为图1所示的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)中沿着50-50线的剖视图。
图3所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图4所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图5所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图6所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图7所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图8表示本发明的第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造的俯视图。
图9为图8所示的第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)中沿着60-60线的剖视图。
图10所构成说明本发明的第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图11表示现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造的俯视图。
图12沿为图11所示的现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)中150-150线的剖视图。
图13所构成说明现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图14所构成说明现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
图15所构成说明现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。
符号说明：1、玻璃基板；2b源极区域；2c漏极区域；4栅极；4a、栅极线；5辅助电容电极；5a辅助电容线；7源极(反射材料膜、源极/漏极)；8漏极；9平坦化膜(绝缘膜)；10透明电极；24a栅极线(反射材料膜)；25辅助电容电极(反射材料膜)；25a辅助电容线(反射材料膜)；60a、70a反射区域；60a、70b透过区域。
具体实施方式
以下参照图面说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)
图1表示本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造的俯视图。图2为沿图1所示的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)中50-50线的剖视图。参照图1及图2，该第一实施方式的半透过型液晶显示装置于1个像素内具有2个区域，即反射区域60a与透过区域60b。
关于第一实施方式的详细构造，如图2所示，在与上面含有缓冲层101a的玻璃基板101上的反射区域160a相对应的区域中形成有主动层2，其中，缓冲层101a由SiNx(氮化硅)及SiO2(氧化硅)膜的积层膜所构成，而主动层2由具有30nm～50nm的厚度且由非单晶硅或非晶硅所构成。其中，玻璃基板1为本发明的“基板”的一例。而在主动层2中相隔设定间隔地形成有源极区域2b及漏极区域2c以便包夹沟道区域2a。而且，在主动层2的沟道区域2a上通过具有80nm～150nm的厚度且由SiO2膜所构成或由SiO2膜及SiN(氮化硅)膜的积层膜所构成的栅极绝缘膜103而形成具有200nm～250nm的厚度且由Mo层所构成的栅极4。接着，由此由源极区域2b、漏极区域2c、栅极绝缘膜3及栅极4而构成薄膜晶体管。此外，如图1所示，栅极4连接于由及栅极4同一层所构成的栅极线4a。
如图2所示，在栅极绝缘膜3上的与反射区域60a相对应的设定区域中，形成有具有200nm～250nm的厚度且由Mo层所构成的辅助电容电极5。然后由主动层2的辅助电容区域2d、栅极绝缘膜3与辅助电容电极5而构成辅助电容。如图1所示，辅助电容电极5连接至由与辅助电容电极5同一层所构成的辅助电容线5a。其中，辅助电容线5a由各列(row)的像素共同使用。
接着，如图2所示，以包覆薄膜晶体管及辅助电容的方式，形成具有500nm～700nm的厚度且由SiO2膜及SiNx膜的积层膜所构成的栅极绝缘膜6。在该层间绝缘膜6及栅极绝缘膜3的源极区域2b及漏极区域2c上分别形成有接触孔6a及6b。以通过接触孔6a而与源极区域2b以电连接的方式形成源极7。该源极7由下层向上层地由Mo层与Al层与Mo层所构成，且具有400nm～800nm的厚度。
在此，在本第一实施方式中，如图1及图2所示，将源极7形成在与反射区域60a相对应的区域中。由此，源极7也可作为反射膜而发挥功能。其结果使得在反射区域60a中由源极7来使图2的箭头A方向的光反射，以此显示图像。另一方面，在透过区域60b中使图2的箭头B方向的光通过，以此显示图像。其中，源极7为本发明的“反射材料层”及“源极/漏极”的一例。
此外，以通过接触孔6b而与漏极区域2c电连接地形成漏极8。该漏极8与源极7相同地，由下层往上层地由Mo层与Al层与Mo层所构成，且具有400nm～800nm的厚度。而且，如图1所示，漏极8与漏极线8a相连接。
如图2所示，在层间绝缘膜6上形成有具有通孔9a且具有2μm～3μm的厚度的由丙烯酸酯树脂所构成的平坦化膜9。其中，该平坦化膜9本发明的“绝缘膜”的一例。而且，在平坦化膜9上形成有具有100nm～150nm的厚度且由IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)所构成的透明电极10。该透明电极10通过通孔9a而与源极7相连接地形成。由此由该透明电极10而构成像素电极。
而且，在与玻璃基板1相对向的位置上与现有的显示装置相同地形成有玻璃基板(对向基板)11、滤色片12以及黑色矩阵薄膜13。然后，在滤色片12以及黑色矩阵薄膜13的上面形成有具有100nm～150nm的厚度且由IZO所构成的透明电极14。
此外在透明电极10及14的上面分别成有定向膜(未图示)，且于上述定向膜之间充填液晶层15。
如上所述，在第一实施方式中，由于可利用在与反射区域60a相对应的区域中形成源极7，由此形成一般的源极7及漏极8的制造过程，来形成作为反射膜而发挥功能的源极7及漏极8，因此不需要另外形成反射电极(反射膜)。由此方式可简化制造过程。
图3至图7所构成说明本发明的第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的工序剖视图。接着，参照图1至图7说明第一实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的工序。
首先，如图3所示，于上面含有缓冲层1a的玻璃基板1上的设定区域中形成主动层2。接着，以包覆主动层2的方式形成栅极绝缘膜3。其后，全面形成Mo层40。在Mo层40上的设定区域形成光阻膜16。以光阻膜16为光罩，以干蚀刻(dry etching)而对Mo层40进行图案化，由此形成含有栅极4的栅极线4a(参照图1)与含有辅助电容电极5的辅助电容线5a后，再将光阻膜16去除。
其后，以栅极4为光罩而对主动层2植入离子，由此形成源极区域2b及漏极区域2c。
接着，如图4所示，以包覆全面的方式形成层间绝缘膜6。其后，在与层间绝缘膜6的源极区域2b及漏极区域2c相对应的区域分别形成接触孔6a及6b。接着，以嵌入接触孔6a及6b内并沿着层间绝缘膜6上延伸的方式形成金属层50。然后，在金属层50的设定区域上形成光阻膜17。
在此，在本第一实施方式中将与形成源极7的区域相对应的部分的光阻膜17形成在与反射区域60a相对应的区域中。然后，由此以该光阻膜17为光罩而对金属层进行湿蚀刻(wet etching)由此进行图案化。由此形成如图5所示的位在与反射区域60a相对应的区域(参照图1)的源极7与漏极8。此时，也同时形成由与漏极8同一层所构成的漏极线8a(参照图1)。其中，源极7通过接触孔6a而与源极区域2b以电连接的方式形成，而漏极8通过接触孔6a而与漏极区域2c以电连接的方式形成。其后，将光阻膜17去除。
接着，如图6所示，以包覆全面的方式形成平坦化膜9之后，于平坦化膜9的设定部分形成通孔9a。
接着，以包覆全面地形成IZO膜(未图示)之后，将IZO膜的设定区域去除。由此方式，如图7所示，通过接触孔9a而与源极7电连接且沿着平坦化膜9的上面延伸的方式形成透明电极10。其后，于透明电极10上形成定向膜(未图示)。
最后，于玻璃基板(对向基板)11上形成滤色片12以及黑色矩阵薄膜13，且在滤色片12以及黑色矩阵薄膜13的上面依序形成透明电极14以及定向膜(未图示)。然后，于上述两个定向膜之间充填液晶层15，以由此形成图2所示的第一实施方式的半透过型液晶显示装置。
(第二实施方式)
图8表示本发明的第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造的俯视图。图9为沿着图8所示的第二实施方式的半透过型液晶显示装置中(显示装置)60-60线的剖视图。参照图8及图9，本第二实施方式不同于上述第一实施方式，说明使辅助电容电极(辅助电容线)及栅极线作为反射膜而发挥功能的例子。第二实施方式的辅助电容电极(辅助电容线)、栅极线及源极以外的构造与上述第一
实施方式相同。
即，将由Mo所构成的辅助电容电极25及辅助电容线25a形成在与反射区域70a相对应的区域中。而且，如图8所示，将栅极线24a形成在与反射区域70a相对应的区域中。由此方式，辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a也可作为反射膜而发挥功能。其结果可在反射区域70a中，由辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a而使图9的箭头A方向的光反射，以此显示图像。另一方面，在透过区域70b中则使图9的箭头B方向的光通过，以此显示图像。其中，辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a本发明的“反射材料层”的一例。
在第二实施方式中，由于可利用在与反射区域70a相对应的区域中形成辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a，以由此形成一般的辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a的工序，来同时形成作为反射膜而发挥功能的辅助电容电极25、辅助电容线25a及栅极线24a，因此不需要另外形成反射电极(反射膜)。由此方式可简化工序。
图10至图12所构成说明本发明的第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的剖视图。接着，说明第二实施方式的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程。其中，关于与第一实施方式相同的工序则简略说明的。
首先，如图10所示，于上面含有缓冲层1a的玻璃基板1上的设定区域中形成主动层2。接着，以包覆主动层2的方式形成栅极绝缘膜3。其后，全面形成Mo层40。在Mo层40上的设定区域形成光阻膜28。在此，在第二实施方式中，在与反射区域70a相对应的区域中，形成对应于形成有含有辅助电容电极25的辅助电容线25a的区域的部分的光阻膜28。然后，以该光阻膜28为光罩，由干蚀刻而对Mo层40进行图案化。由此如图10所示，在与反射区域70a相对应的区域中形成含有辅助电容电极25的辅助电容线25a及栅极线24a(参照图1)。而且，由此由Mo层40的图案化，也同时形成含有栅极4的栅极线4a(参照图1)。其后，将光阻膜28去除。
其后的工序与第一实施方式相同。其中，第二实施方式的源极27不同于第一实施方式的源极7(参照图2)，其并未形成在与反射区域70a相对应的区域中。
其中，上述所揭示的实施方式仅为例示性质，不应由此以限制本发明。本发明的范围由权利要求的范围揭示，且包括与权利要求范围等同的精神与范围内的所有变更，而非上述实施方式中所作的说明。
例如，在上述第一及第二实施方式中，虽对于将本发明适用于具有反射区域与透过区域二者的半透过型液晶显示装置的例加以说明，但，本发明并非局限于此，也可适用于只具有反射区域的反射型液晶显示装置。
此外，不限于上述第一及第二实施方式，例如，可由图案化而形成源极等时，同时形成与源极为相同的层且不与源极、漏极及漏极线的任何一者相连接的呈电性浮游状态的反射膜。
此外，不限于上述第一及第二实施方式，也可使具有其它设定功能的金属层作为反射膜而发挥功能。例如，也可将形成于设有漏极线或薄膜晶体管的一侧的玻璃基板正上方或是形成于玻璃基板与缓冲层之间的黑色矩阵薄膜(on chip black matrix film，芯片黑色矩阵薄膜)作为反射膜而发挥功能。即使由此方式，由于可在形成漏极线或芯片黑色矩阵薄膜的工序中，形成作为反射膜而发挥功能的漏极线或黑色矩阵薄膜，因此不需要重新追加进行形成反射电极(反射膜)的工序。其结果可简化工序。
再者，不限于上述第一及第二实施方式，以主动矩阵型液晶显示装置(Active Matrix LCD)之外的液晶显示装置而言，也可适用于被动矩阵型液晶显示装置(Passive Matrix LCD)或分节型液晶显示装置(Segment LCD)等的显示装置。
此外，不限于上述第一及第二实施方式，也可使用不具有由石英及塑料所构成的透明基板或缓冲层的玻璃基板。
而且，也可使用由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等透明导电体(也包含所谓的半透明体)所构成的透明电极。
此外，不限于上述第一及第二实施方式，也可由此由Mo层以外的Cr(铬)层等高融点金属层来形成栅极。而且，可从下层往上层地由Ti(钛)层与Al(铝)层与Ti(钛)层等三层来形成源极及漏极，也可从下层往上层地由Ti-W(钛-钨)层与Al(铝)层与Ti-W(钛-钨)层等三层来形成源极及漏极。

Claims (9)

1.一种具有反射区域的显示装置，其特征在于，具有：
形成于与基板上的前述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；
形成于前述反射材料层上的绝缘膜；
形成于前述绝缘膜上的透明电极；
形成于前述绝缘膜与前述基板之间具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；
与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；
连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线；以及
形成前述栅极电极及辅助电容的辅助电容电极，而且
在由前述栅极线与前述漏极线所划分出来的像素中，前述源极电极顺着栅极线的延伸方向延伸；
前述源极电极具有未与前述辅助电容电极重迭的部分；
作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述源极/漏极电极的层相同的层所形成。
2.一种具有反射区域的显示装置，其特征在于，具有：
形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；
形成于前述反射材料层上的绝缘膜；
形成于前述绝缘膜上的透明电极；
具有辅助电容电极的辅助电容；
形成于前述绝缘膜与前述基板之间具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；
与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；以及
连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线；而且
作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述辅助电容电极的辅助电容线的层相同的层所形成；
前述辅助电容线是顺着前述栅极线延伸且在朝向前述漏极线的方向具有突出部。
3.一种具有反射区域的显示装置，其特征在于，具有：
形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；
形成于前述反射材料层上的绝缘膜；
形成于前述绝缘膜上的透明电极；
具有辅助电容电极的辅助电容；
形成于前述绝缘膜与前述基板之间，且具有一对源极/漏极区域及栅极的薄膜晶体管；
与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极；以及
连接至前述栅极电极的栅极线和连接至前述漏极电极的漏极线，而且
作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述栅极的层相同的层所形成；
前述栅极线具有突出部。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，作为前述反射膜而发挥功能的反射材料层由与构成前述辅助电容电极的辅助电容线的层以及构成前述栅极电极的层相同的层所形成；前述辅助电容线与前述栅极线都具有突出部。
5.一种具有反射区域的显示装置，其特征在于，具有：
形成在与基板上的上述反射区域相对应的区域中，且具有作为反射膜的功能的反射材料层；
形成于前述反射材料层上的绝缘膜；
形成于前述绝缘膜上的透明电极；以及
形成于前述绝缘膜与前述基板之间的黑色矩阵薄膜，而且
前述反射材料层由与构成前述黑色矩阵薄膜的层相同的层所形成。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的显示装置，其特征在于，除了前述反射区域之外，还包括未形成前述反射材料层的透过区域。
7.一种具有反射区域的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的预定功能的反射材料层的工序；
以在与前述反射区域相对应的区域中形成的方式而对前述反射材料层进行图案化的工序；
于前述反射材料层上形成绝缘膜的工序；
在前述绝缘膜上形成透明电极的工序；以及
于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序，
形成前述薄膜晶体管的工序包括：形成连接至前述栅极电极的栅极线的工序，
形成前述反射材料层的工序包括：形成与前述一对源极/漏极区域相连接的源极/漏极电极层的工序，
而对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以形成在与前述源极区域及前述反射区域相对应的区域中的方式，对前述源极电极层进行图案化，且使前述源极电极顺着前述栅极线所延伸的方向延伸形成的工序。
8.一种具有反射区域的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的预定功能的反射材料层的工序；
以在与前述反射区域相对应的区域中形成的方式而对前述反射材料层进行图案化的工序；
于前述反射材料层上形成绝缘膜的工序；
在前述绝缘膜上形成透明电极的工序；
于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序；以及
形成具有辅助电容电极的辅助电容的工序，
形成前述反射材料层的工序包括：形成前述辅助电容电极的辅助电容线的工序，
而对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以形成在与前述反射区域相对应的区域的方式，对构成前述辅助电容线的层进行图案化，且使前述辅助电容线具有与前述反射区域相对应的突出部的工序。
9.一种具有反射区域的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在基板上形成具有不同于作为反射膜的功能的预定功能的反射材料层的工序；
以在与前述反射区域相对应的区域中形成的方式而对前述反射材料层进行图案化的工序；
于前述反射材料层上形成绝缘膜的工序；
在前述绝缘膜上形成透明电极的工序；
于前述绝缘膜与前述基板之间，形成具有一对源极/漏极区域及栅极电极的薄膜晶体管的工序；以及
形成具有辅助电容电极的辅助电容的工序，
形成前述薄膜晶体管的工序包括：形成连接至前述栅极电极的栅极线的工序，
形成前述反射材料层的工序包括：形成前述辅助电容电极的辅助电容线以及构成前述栅极电极的层的工序，
对前述反射材料层进行图案化的工序包括：以使前述栅极线和前述辅助电容线具有与前述反射区域相对应的突出部的方式进行图案化的工序。
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