CN1242298C - 透射反射式液晶显示装置及其制作方法 - Google Patents

透射反射式液晶显示装置及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1242298C
CN1242298C CNB031565697A CN03156569A CN1242298C CN 1242298 C CN1242298 C CN 1242298C CN B031565697 A CNB031565697 A CN B031565697A CN 03156569 A CN03156569 A CN 03156569A CN 1242298 C CN1242298 C CN 1242298C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pixel region
insulation course
gate line
reflector segment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB031565697A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1514291A (zh
Inventor
张相民
崔秀石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1514291A publication Critical patent/CN1514291A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1242298C publication Critical patent/CN1242298C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

用于透射反射式液晶显示装置的阵列基板包括:设在基板上的栅极线;与栅极线交叉形成象素区的数据线,所述象素区带有透射区段和反射区段;平行于栅极线并与所述栅极线相隔一定距离的公共线;与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极;从漏极上延出并与公共线重叠的电容器电极;覆盖公共线和薄膜晶体管并与反射区段相对应的反射层;和与漏极相连并设置在象素区内的透明电极。

Description

透射反射式液晶显示装置及其制作方法
本申请要求2002年12月31日申请的第2002-88495号韩国专利申请的权益,相对于本申请涉及的所有目的,在本申请中将上述申请的全部内容以引用的形式加以结合。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置,更确切地说,涉及选择性使用反射和透射模式的透射反射式液晶显示装置及其制作方法。
背景技术
通常,透射反射式液晶显示(LCD)装置是同时作为透射型LCD装置和反射型LCD装置进行工作。由于透射反射式LCD装置既可以利用来自背光源的光又可以利用外部自然光或人造光,所以透射反射式LCD装置可在更多的环境条件下使用并且透射反射式LCD装置的能耗较低。
图1是现有技术中透射反射式液晶显示装置所用阵列基板的示意性剖面图。在基板50上形成栅极线52和数据线62。栅极线52和数据线62彼此交叉形成象素区“P”。在栅极线52和数据线62的交叉处设置包含栅极54、有源层56以及源极和漏极58和60的薄膜晶体管(TFT)“T”。象素区“P”包含反射区段“C”和透射区段“D”。反射电极64和透明电极66分别对应于反射区段“C”和透射区段“D”。岛形金属图形63与栅极线52的一部分相重叠并与反射电极64或透明电极66相接触。金属图形63和栅极线52的重叠部分构成存储电容器“CST”。
图2和图3是现有技术中第一和第二实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图。图2和图3取自图1中的线“II-II”处。第一和第二基板50和80相互面对并彼此相隔一定距离。第一和第二基板50和80包括多个象素区“P”。在第一基板50的内表面上形成彼此交叉的栅极线(未示出)和数据线62。在第二基板80的内表面上形成红、绿和蓝(未示出)分滤色片84a和84b,并且在分滤色片84a和84b之间设置黑色矩阵82。在分滤色片84a和84b以及黑色矩阵82上形成透明公共电极86。象素区“P”包含反射区段“C”和透射区段“D”。通常,在第一基板50的内表面上形成与反射区段“C”对应的反射电极64和与透射区段“D”对应的透明电极66。可以在透明电极66的上方或下方形成具有透射孔“H”的反射电极64。
在透射反射式LCD装置中,降低反射区段“C”和透射区段“D”之间的色差是非常重要的。在图2中,由于反射区段“C”内的光路(当光穿过液晶层时光传输的距离)与透射区段“D”内的光路不同,所以,反射和透射区段“C”和“D”中的偏振特性也彼此不同。在透射区段“D”中,光穿过厚度为“d”的液晶层90。而在反射区段“C”中,光穿过液晶层90后,被反射电极64反射,然后再次穿过液晶层90。因此,反射区段“C”中的光路是透射区段“D”中光路长度的两倍。所以光在反射区段“C”和透射区段“D”中具有不同的偏振特性,由此便出现了色纯度差。
为了解决这一问题,如图3所示,在透射区段“D”内的绝缘层63上设置开口部分61,使得反射区段“C”中的光路与透射区段“D”中的光路相等。当反射区段“C”中的液晶层90的厚度为“d”时,透射区段“D”中的液晶层90的厚度为“2d”,即,液晶层90具有双重盒间隙。
然而,即使是因为具有双重盒间隙而使反射区段“C”的光效率与透射区段“D”的光效率相同,也不能获得均匀的色纯度。反射区段“C”中的分滤色片“R”与透射区段“D”中的分滤色片厚度相同。在反射区段“C”中,光穿过分滤色片“R”两次,而在透射区段“D”中光只穿过分滤色片“R”一次。因此,即使是透射模式的光源比反射模式的光源亮,从反射区段“C”发出的光仍然比从透射区段“D”发出的光具有更高的色纯度。为了解决这一问题,而建议采用在与反射区段对应的分滤色片上设置孔的方法。
图4是表示按照现有技术中第三实施例所述透射反射式液晶显示装置所用分滤色片的示意性平面图。分滤色片84对应于反射和透射区段“C”和“D”。对应于反射区段“C”的分滤色片84设有用有机材料(未示出)填充的孔88。由于孔88可使反射区段“C”中的光透射,所以孔88降低了在整个分滤色片84上对光的吸收。
图5A-5C是表示按照现有技术中第三实施例所述用于制作透射反射式液晶显示装置中分滤色片的方法的示意性剖面图。图5A-5C取自图4中的线“V-V”处。
在图5A中,通过在基板80上涂敷有色树脂形成分滤色片84。在图5B中,通过在与反射区段“C”对应的分滤色片84上形成图形而制成孔88。在图5C中,通过沉积透明有机材料在分滤色片84上形成涂层(overcoat)90。在涂层90上形成透明公共电极92。
然而,在上述结构中,穿过孔88的光波长滤波效果不好,因此降低了整个分滤色片84的色纯度。而且,由于孔88的直径因有色树脂的特性而大于约10μm,所以使穿过孔88和分滤色片84之间的光的平均效果降低。
为了解决这一问题,提出了通过在反射区段内的分滤色片下方形成透明缓冲层来降低反射和透射区段之间色差的方法。在该方法中,由于透射区段内分滤色片的厚度是反射区段中的两倍,所以可降低反射和透射区段之间的色差。
图6是按照现有技术中第四实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图。图6取自图1中的线“II-II”处。具有象素区“P”的第一和第二基板50和80彼此相对且相互隔开一定距离,而且在两基板之间设有液晶层90。在第二基板80的内表面上形成黑色矩阵82以及红、绿分滤色片84a和84b。在红、绿分滤色片84a和84b上形成公共电极86。尽管在图6中未示出,但是在公共电极86和分滤色片84a及84b之间形成平整(planarization)层。
象素区“P”包括反射区段“C”和透射区段“D”。反射电极64和透明电极66分别对应于反射区段“C”和透射区段“D”。通常,在透明电极66的下方形成带有孔“H”的反射电极64。由于反射电极64下方的绝缘层63具有与孔“H”对应的开口部分,所以当液晶层90在反射区段“C”内的厚度为“d”时,液晶层90在透射区段“D”中的厚度为“2d”,即,液晶层90在透射区段“D”内的厚度基本上是在反射区段“C”内厚度的两倍。
在第二基板80和分滤色片84a及84b之间形成与反射区段“C”对应的缓冲层83。使有色树脂流动形成分滤色片84a和84b。因此,分滤色片84a和84b在透射区段“D”内的厚度是“2t”,而分滤色片84a和84b在反射区段“C”内的厚度是“t”。
然而,由于是在反射区段上形成缓冲层,使制作缓冲层的工序较复杂,并且产量较低。特别是,当按照图1设置反射和透射区段时,反射电极将沿着平行于数据线的方向延长。因此,从左和右两边观看,反射效率均降低。
发明内容
因此,本发明在于提供一种液晶显示装置,其基本上克服了因已有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供了一种将反射区段设置在象素区一侧的透射反射式液晶显示装置。
本发明的另一个优点是提供了一种带有缓冲层的透射反射式液晶显示装置,所述缓冲层与反射区段相对应并且结构简单。
本发明的另一个优点是提供了一种提高了光效率、色差均匀和提高了产量的透射反射式液晶显示装置。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出,其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构,可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的,作为概括性的和广义的描述,本发明所述用于透射反射式液晶显示装置的阵列基板包括:设在基板上的栅极线;与栅极线交叉形成象素区的数据线,所述象素区带有透射区段和反射区段,并且透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻;平行于栅极线并与所述栅极线相隔一定距离的公共线;与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极;从漏极上延出并与公共线重叠的电容器电极;覆盖公共线和薄膜晶体管并与反射区段相对应的反射层;和与漏极相连并设置在象素区内的透明电极。
按照本发明的另一方面,所述透射反射式液晶显示装置中阵列基板的制作方法包括:在具有象素区的基板上形成栅极线、栅极和公共线,其中所述象素区包含透射区段和反射区段,透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻,而且所述栅极与栅极线相连,公共线与栅极线平行;在栅极线、栅极和公共线上形成第一绝缘层;在栅极上方的第一绝缘层上形成有源层;在有源层上形成源极和漏极,在第一绝缘层上形成数据线和电容器电极,其中源极和漏极彼此相隔一定距离,电容器电极从漏极上延出并与公共线重叠,数据线与栅极线交叉并与源极相连,栅极、有源层和源极以及漏极构成薄膜晶体管;在源极、漏极、数据线和电容器电极上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成反射层,所述反射层覆盖公共线和薄膜晶体管;在反射层上形成第三绝缘层;和在象素区内的第三绝缘层上形成透明电极,所述透明电极与漏极相连。
按照本发明的另一方面,所述透射反射式液晶显示装置包括:彼此面对并相互隔开一定距离的第一和第二基板;设在第一基板内表面上的栅极线;与栅极线交叉从而形成象素区的数据线,所述象素区包含透射区段和反射区段,并且透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻;与栅极线平行并与其相隔一定距离的公共线;与栅极线及数据线相连的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极;从漏极上延出并与公共线重叠的电容器电极;覆盖公共线和薄膜晶体管并与反射区段相对应的反射层;与漏极相连并设置在象素区内的透明电极;设在第二基板内表面上的黑色矩阵;设在黑色矩阵上的缓冲层,所述缓冲层是透明的并且与反射区段相对应;设在象素区内缓冲层上的滤色片层,所述滤色片层在透射区段具有第一厚度,而在反射区段具有第二厚度,第一厚度是第二厚度的两倍;设在滤色片层上的公共电极;和设在透明电极和公共电极之间的液晶层。
按照本发明的另一方面,所述透射反射式液晶显示装置的制作方法包括:在具有象素区的第一基板上形成栅极线、栅极和公共线,其中所述象素区包含透射区段和反射区段,透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻,并且所述栅极与栅极线相连,公共线与栅极线平行;在栅极线、栅极和公共线上形成第一绝缘层;在栅极上方的第一绝缘层上形成有源层;在半导体层上形成源极和漏极,在第一绝缘层上形成数据线和电容器电极,源极和漏极彼此相隔一定距离,电容器电极从漏极上延出并与公共线重叠,数据线与栅极线交叉并与源极相连,栅极、有源层以及源极和漏极构成薄膜晶体管;在源极和漏极以及数据线和电容器电极上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成反射层,所述反射层覆盖公共线和薄膜晶体管;在反射层上形成第三绝缘层;在象素区内的第三绝缘层上形成透明电极,所述透明电极与漏极相连;在具有象素区的第二基板上形成黑色矩阵,其中所述象素区包含透射区段和反射区段;在黑色矩阵上形成缓冲层,所述缓冲层是透明的并与反射区段相对应;在象素区内的缓冲层上形成滤色片层,所述滤色片层在透射区段具有第一厚度,在反射区段具有第二厚度,所述第一厚度是第二厚度的两倍;在滤色片层上形成公共电极;将第一和第二基板粘附到一起使透明电极面向公共电极;和在透明电极和公共电极之间形成液晶层。
很显然,上面的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的,其意在对本发明的权利要求作进一步解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明,其与说明书相结合并构成说明书的一部分,所述附图表示本发明实施例并与说明书一起解释本发明原理。
附图中:
图1是现有技术中用于透射反射式液晶显示装置中的阵列基板的示意性剖面图;
图2是按照现有技术中第一实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图;
图3是按照现有技术中第二实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图;
图4是表示按照现有技术中第三实施例所述透射反射式液晶显示装置用分滤色片的示意性平面图;
图5A-5C是表示按照现有技术中第三实施例所述透射反射式液晶显示装置用分滤色片制作方法的示意性剖面图;
图6是按照现有技术中第四实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图;
图7是按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用阵列基板的示意性平面图;
图8是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板的一个象素区的示意性平面图;
图9是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板的示意性平面图;
图10A-10F以及图11A-11F是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用阵列基板制作方法的示意性剖面图;
图12A-12C是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板制作方法的示意性剖面图;
图13是按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图;
图14是按照本发明中另一个实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施例,所述实施例的实例示于附图中。在所有附图中将尽可能地用相同的参考标记表示相同或相似的部件。
图7是按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用阵列基板的示意性平面图。在第一基板100上形成栅极线104和数据线122。栅极线104和数据线122彼此交叉从而形成包含反射区段“C”和透射区段“D”的象素区“P”。在靠近栅极线104和数据线122的交叉点处形成包含栅极102、有源层112和源极及漏极116和118的薄膜晶体管(TFT)“T”。栅极102与栅极线104相连而源极116与数据线122相连。有源层112形成在栅极102的上方,而源极和漏极116和118彼此相隔一定距离。反射区段“C”设置在象素区“P”中靠近栅极线104的一侧上,而且该区段中包含TFT“T”。透射区段“D”位于象素区“P”中除反射区段“C”之外的另一部分上。
对应于反射区段“C”形成的公共线106与栅极线104相隔一定距离并与之平行。从漏极118延出的电容器电极120与公共线106的延出部分108重叠从而构成存储电容器“CST”。在象素区“P”内形成对应于反射区段“C”的反射层126和对应于透射区段“D”的透明电极132。透明电极132与漏极118相连。反射层126的上表面不平整从而增加了反射区段“C”的亮度和视角。
由栅极线104和数据线122确定的象素区“P”具有第一到第四侧区“p1”-“p4”。第一和第二侧区“p1””和“p2”靠近栅极线104,而第三和第四侧区“p3”和“p4”靠近数据线122。形成反射层126的反射区段“C”位于第二侧区“p2”附近。因此,将反射区段“C”和透射区段“D”设置在象素区“P”的上部和下部。由于反射区段“C”和透射区段“D”的布局简单,所以可以在第二基板上形成具有简单形状且适合双滤色片层的缓冲层。
图8是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板的一个象素区的示意性平面图。第二基板200包括具有反射区段“C”和透射区段“D”的象素区“P”。在第二基板200上形成对应于数据线122(参见图7)的黑色矩阵202。在反射区段“C”内形成缓冲层204。在缓冲层204和基板200上形成覆盖象素区“P”的滤色片层206。
图9是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板的示意性平面图。第二基板200包括多个具有反射区段“C”和透射区段“D”的象素区“P”。在相邻象素区“P”的边界上沿数据线122(参见图7)的方向形成黑色矩阵202。反射区段“C”设置在象素区“P”的底部并向相邻的象素区“P”延伸。结果,反射区段“C”在整个第二基板200上与黑色矩阵202交叉。由于是在反射区段“C”上形成缓冲层204,所以缓冲层204也延伸向相邻的象素区“P”。因此,缓冲层204的结构简单且易于制作。此外,还可容易地制作具有双倍厚度的滤色片层206(参见图8)。
图10A-10F以及图11A-11F是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用阵列基板制作方法的示意性剖面图。图10A-10F取自图7中的线“X-X”而图11A-11F取自图7中的线“XI-XI”。
在图10A和图11A中,在具有象素区“P”的第一基板100上形成栅极102和栅极线104(参见图7),所述象素区“P”包含反射区段“C”和透射区段“D”。栅极102和栅极线104(参见图7)可以用具有低电阻的铝(Al)、钨(W)、铬(Cr)和钼(Mo)中的一种制成以降低阻容(RC)延迟。然而,因为纯金属是化学敏感的而且会在后续的高温处理中产生凸起(hillock)等线路缺陷,所以可以用铝合金例如铝-钕(AlNd)合金制作栅极102和栅极线104(参见图7)或者构成诸如铝/铬(Al/Cr)和铝/钕(Al/Nd)的双层结构。栅极102从栅极线104上延出(参见图7)。同时,在第一基板100上形成公共线106。公共线106与栅极线104平行而且与之相隔一定距离(参见图7)。公共线106包括与反射区段“C”对应的延出部分108。延出部分108在通过后面的工序制作的存储电容器上起第一电极的作用。
在图10B和图11B中,通过在栅极102上沉积诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料以及诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂等有机绝缘材料中的一种材料而形成第一绝缘层110(栅极绝缘层)。在栅极102上方的第一绝缘层110上形成本征非晶硅(a-Si:H)的有源层112和掺杂质非晶硅(n+或者p+a-Si:H)的欧姆接触层114。
在图10C和图11C中,在欧姆接触层114上形成源极116和漏极118。同时,在第一绝缘层110上形成数据线122和电容器电极120。数据线122与源极116相连而电容器电极120从漏极118上延出。电容器电极120与公共线106的延出部分108重叠从而构成中间夹有第一绝缘层110的存储电容器“CST”。通过在源极116和漏极118上沉积无机绝缘材料,例如,氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等之一,而形成第二绝缘层124(钝化层)。
在图10D和图11D中,通过在第二绝缘层124上沉积树脂等有机材料并使其形成一定图形而形成多个突起“M1”。多个突起“M1”具有通过光刻工艺和固化工艺形成的凸形。接着,通过沉积树脂等有机材料而在多个突起“M1”上形成第三绝缘层“M2”。由于多个突起“M1”的缘故,使得第三绝缘层“M2”的上表面不平整。
在图10E和图11E中,通过在第三绝缘层“M2”上沉积具有高反射率的银(Ag)、铝(Al)和例如铝-钕(AlNd)合金的铝(Al)合金中的一种并使其形成一定图形而形成与反射区段“C”对应的反射层126。反射层126具有用于暴露第三绝缘层“M2”的孔“H1”。
在图10F和图11F中,通过在反射层126上沉积诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料以及诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂等有机绝缘材料中的一种而形成第四绝缘层128。接着,在第四绝缘层128上对应于孔“H1”的部分形成用于暴露从漏极118延出的电容器电极120的图形。第四绝缘层128具有与透射区段“D”对应的开口部分131从而形成具有双重盒间隙的台阶。在第四绝缘层128上通过沉积氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等透明导电材料并使其形成图形而形成对应于象素区“P”的透明电极132(象素电极)。透明电极132通过电容电极120与漏极118相连。
图12A-12C是表示按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置用滤色片基板制作方法的示意性剖面图。图12A-12C取自图8中的线“XII-XII”处。在具有象素区“P”的第二基板200上通过沉积铬(Cr)等不透明金属材料并使其形成一定图形而构成与数据线120对应的黑色矩阵202(参见图7),其中所述象素区“P”包含反射区段“C”和透射区段“D”。黑色矩阵202可以构成铬/氧化铬(Cr/CrOx)形式的双层结构。
在图12B中,在黑色矩阵202上通过沉积有机绝缘材料并使其形成一定图形而构成透明缓冲层204。缓冲层204对应于反射区段“C”。
在图12C中,通过在缓冲层204上涂敷有色树脂而形成对应于象素区“P”的滤色片层206。由于存在缓冲层204,所以滤色片层206在反射区段“C”具有第一厚度“t”而在透射区段“D”具有第二厚度“2t”。滤色片层206的第二厚度“2t”基本上是滤色片层206第一厚度“t”的两倍。尽管图12C中未示出,但是在滤色片层206上形成公共电极。
将图10A-11F的阵列基板和图12A-12C的滤色片基板粘附到一起便形成了透射反射式液晶显示装置。
图13是按照本发明中一个实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图。第一和第二基板100和200相互面对且彼此相隔一定距离。在第一基板100的内表面上形成栅极线(未示出)和数据线122。栅极线和数据线122相互交叉形成包含反射区段“C”和透射区段“D”的象素区“P”。在栅极线和数据线122的交叉处设置包含栅极102、有源层112、源极和漏极116和118的薄膜晶体管(TFT)“T”,所述晶体管与栅极线及数据线122相连。对应于反射区段“C”的公共线106与栅极线彼此隔开一定距离并且与其平行。从漏极118上延伸的电容器电极120与公共线106的延出部分108重叠从而构成中间夹有第一绝缘层110(栅极绝缘层)的存储电容器“CST”。
反射层126对应于反射区段“C”而透明电极132(象素电极)对应于透射区段“D”。透明电极132通过电容器电极120与漏极118相连。反射层126和透明电极132之间的第二绝缘层128具有用于形成双重盒间隙的开口部分131。
在第二基板200的内表面上形成对应于数据线122的黑色矩阵202。在黑色矩阵202和基板200上形成对应于反射区段的缓冲层204。在缓冲层204上形成对应于象素区“P”的滤色片层206。在滤色片层206上形成公共电极208。在透明电极132和公共电极208之间形成液晶层190。液晶层190在反射区段“C”上具有第三厚度“d”而在透射区段“D”上具有第四厚度“2d”。液晶层190的第四厚度“2d”基本上是液晶层190第三厚度“d”的两倍。
在图13中,将通常称之为存储器的存储电容器“CST”设置在公共线106附近而将TFT“T”设置在存储电容器“CST”的旁边。因此,将存储电容器“CST”和TFT“T”设置成对应于反射区段“C”。由于反射区段“C”设在象素区“P”的底部而透射区段“D”设在象素区“P”的另一部分上,所以反射区段具有简单的形状。因此,对应于反射区段“C”的缓冲层204也可以具有简单形状,从而使得缓冲层204易于制作。这种简单形状的缓冲层204提高了滤色片层206的可控性。因此,能容易地将滤色片层206的第一和第二厚度控制在1∶2的比例。此外,还能容易地将反射层126中对应于反射区段“C”的那部分制成不平整状。因此,提高了透射反射式LCD装置的亮度和视角。
由于第二绝缘层128具有与透射区段“D”对应的开口部分131,所以能容易地将液晶层190的第三和第四厚度控制到1∶2的比例。因此,透射反射式LCD装置在反射模式和透射模式下都具有均匀的偏振特性。所以,能在反射区段和透射区段获得均匀的色彩和高亮度。此外,由于缓冲层204的形状简单,所以能提高产量。
把具有开口部分131的第二绝缘层128制成具有双重盒间隙。然而,第二绝缘层128太厚的话会导致制作工艺复杂和高成本。为了解决这一问题,在本发明的另一个实施例中取消了开口部分,而是将滤色片层制成具有双重盒间隙的台阶。
图14是按照本发明中另一个实施例所述透射反射式液晶显示装置的示意性剖面图。第一和第二基板100和200相互面对且彼此相隔一定距离。在第一基板100的内表面上形成栅极线(未示出)和数据线122。栅极线和数据线122相互交叉形成包含反射区段“C”和透射区段“D”的象素区“P”。在栅极线和数据线122的交叉处设置包含栅极102、有源层112、源极和漏极116和118的薄膜晶体管(TFT)“T”,所述晶体管与栅极线及数据线122相连。对应于反射区段“C”的公共线106与栅极线彼此隔开一定距离并且与之平行。从漏极118上延出的电容器电极120与公共线106的延出部分108重叠从而构成中间夹有第一绝缘层110(栅极绝缘层)的存储电容器“CST”。
反射层126对应于反射区段“C”而透明电极132(象素电极)对应于透射区段“D”。透明电极132通过电容器电极120与漏极118相连。反射层126和透明电极132之间的第二绝缘层128没有开口部分和双重盒间隙的台阶。
在第二基板200的内表面上形成对应于数据线122的黑色矩阵202。在黑色矩阵202和基板200上形成对应于反射区段的缓冲层204。在缓冲层204上形成对应于象素区“P”的滤色片层206。缓冲层204具有在滤色片层206中形成台阶的特定厚度“k”。例如,缓冲层204的厚度“k”可以在约2.5μm-约4.0μm的范围内从而构成约2.0μm-约2.5μm范围内的滤色片层206的台阶。在滤色片层206上形成公共电极208。在透明电极132和公共电极208之间形成液晶层190。因此,在没有外加双重盒间隙工序的情况下,液晶层190在反射区段“C”上具有第三厚度“d”而在透射区段“D”上具有第四厚度“2d”。液晶层190的第四厚度“2d”基本上是液晶层190第三厚度“d”的两倍。
由于透射反射式液晶显示装置具有双重盒间隙和双重滤色片层,从而使得在反射区段和透射区段内液晶层的厚度比为1∶2,滤色片层的厚度比也为1∶2,所以能在反射区段和透射区段内获得更加均匀的偏振特性和更加均匀的色纯度。因此,能够得到具有高亮度和高显示质量的透射反射式LCD装置。
对于熟悉本领域的技术人员来说,很显然,在不脱离本发明构思或范围的情况下,可以对本发明做出各种改进和变型。因此,本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。

Claims (28)

1.一种用于透射反射式液晶显示装置的阵列基板,包括:
设在基板上的栅极线;
平行于栅极线并与所述栅极线相隔一定距离的公共线;
与栅极线交叉从而形成象素区的数据线,所述象素区包含透射区段和反射区段,其中反射区段包含一处于公共线和栅极线之间的区域,并且透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻;
与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管,所述晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极;
从漏极上延出并与公共线重叠的电容器电极;
覆盖公共线和薄膜晶体管并与反射区段相对应的反射层;和
与漏极相连并设置在象素区内的透明电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,反射层与栅极线相邻。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,反射层为矩形。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,透明电极与电容器电极相接触。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,反射层不平整。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,反射层包含银、铝和铝-钕之一。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,透明电极包含氧化铟锡和氧化铟锌之一。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括在对应于透射区段的区域上设有开口的绝缘层。
9.一种用于透射反射式液晶显示装置中的阵列基板的制作方法,包括:
在具有象素区的基板上形成栅极线、栅极和公共线,其中所述象素区包含透射区段和反射区段,透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻,而且所述栅极与栅极线相连,公共线与栅极线平行;
在栅极线、栅极和公共线上形成第一绝缘层;
在栅极上方的第一绝缘层上形成有源层;
在有源层上形成源极和漏极,在第一绝缘层上形成数据线和电容器电极,其中源极和漏极彼此相隔一定距离,电容器电极从漏极上延出并与公共线重叠,数据线与栅极线交叉并与源极相连,栅极、有源层和源极以及漏极构成薄膜晶体管;
在源极、漏极、数据线和电容器电极上形成第二绝缘层;
在第二绝缘层上形成反射层,所述反射层覆盖公共线和薄膜晶体管;
在反射层上形成第三绝缘层;和
在象素区内的第三绝缘层上形成透明电极,所述透明电极与漏极相连。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,反射层不平整。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在象素区内的第二绝缘层上形成多个突起,所述多个突起包含有机材料;和
在多个突起上形成第四绝缘层,所述第四绝缘层包含有机绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括形成贯穿第二到第四绝缘层的开口部分,所述开口部分对应于透射区段。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,反射层为矩形。
14.一种透射反射式液晶显示装置,包括:
彼此隔开一定距离的第一和第二基板;
设在第一基板内表面上的栅极线;
与栅极线平行并与其相隔一定距离的公共线;
与栅极线交叉从而形成象素区的数据线,所述象素区包含透射区段和反射区段,其中反射区段包含一处于公共线和栅极线之间的区域,并且透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻;
与栅极线及数据线相连的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极;
从漏极上延出并与公共线重叠的电容器电极;
覆盖公共线和薄膜晶体管并与反射区段相对应的反射层;
与漏极相连并设置在象素区内的透明电极;
设在第二基板内表面上的黑色矩阵;
设在黑色矩阵上的缓冲层,所述缓冲层是透明的并且与反射区段相对应;
设在象素区内缓冲层上的滤色片层,所述滤色片层在透射区段具有第一厚度,在反射区段具有第二厚度,而且第一厚度是第二厚度的两倍;
设在滤色片层上的公共电极;和
设在透明电极和公共电极之间的液晶层。
15.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,缓冲层延伸到相邻象素区的反射区段。
16.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,所述液晶层在透射区段具有第三厚度,在反射区段具有第四厚度,其中第三厚度基本上是第四厚度的两倍。
17.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,反射层与栅极线相邻。
18.根据权利要求17所述的装置,其特征在于,反射层为矩形。
19.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,透明电极与电容器电极接触。
20.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,反射层不平整。
21.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,反射层包含银、铝和铝-钕之一。
22.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,透明电极包含氧化铟锡和氧化铟锌之一。
23.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,进一步包括绝缘层,该绝缘层在对应于透射区段的区域上设有开口部分。
24.一种透射反射式液晶显示装置的制作方法,包括:
在具有象素区的第一基板上形成栅极线、栅极和公共线,其中所述象素区包含透射区段和反射区段,透射区段和反射区段只沿着象素区的长度方向彼此相邻,并且所述栅极与栅极线相连,公共线与栅极线平行;
在栅极线、栅极和公共线上形成第一绝缘层;
在栅极上方的第一绝缘层上形成有源层;
在半导体层上形成源极和漏极,在第一绝缘层上形成数据线和电容器电极,源极和漏极彼此相隔一定距离,电容器电极从漏极上延出并与公共线重叠,数据线与栅极线交叉并与源极相连,栅极、有源层以及源极和漏极构成薄膜晶体管;
在源极和漏极以及数据线和电容器电极上形成第二绝缘层;
在第二绝缘层上形成反射层,所述反射层覆盖公共线和薄膜晶体管;
在反射层上形成第三绝缘层;
在象素区内的第三绝缘层上形成透明电极,所述透明电极与漏极相连;
在具有象素区的第二基板上形成黑色矩阵,其中所述象素区包含透射区段和反射区段;
在黑色矩阵条上形成缓冲层,所述缓冲层是透明的并与反射区段相对应;
在象素区内的缓冲层上形成滤色片层,所述滤色片层在透射区段具有第一厚度,在反射区段具有第二厚度,而且所述第一厚度是第二厚度的两倍;
在滤色片层上形成公共电极;
将第一和第二基板粘附到一起使透明电极面向公共电极;和
在透明电极和公共电极之间形成液晶层。
25.根据权利要求24所述的方法,其特征在于,反射层不平整。
26.根据权利要求25所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在象素区内的第二绝缘层上形成多个突起,所述多个突起含有有机材料;和
在多个突起上形成第四绝缘层,所述第四绝缘层含有有机绝缘材料。
27.根据权利要求26所述的方法,其特征在于,进一步包括形成贯穿第二到第四绝缘层的开口部分,所述开口部分对应于透射区段。
28.根据权利要求24所述的方法,其特征在于,反射层为矩形。
CNB031565697A 2002-12-31 2003-09-09 透射反射式液晶显示装置及其制作方法 Expired - Lifetime CN1242298C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0088495 2002-12-31
KR1020020088495 2002-12-31
KR1020020088495A KR100936954B1 (ko) 2002-12-31 2002-12-31 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1514291A CN1514291A (zh) 2004-07-21
CN1242298C true CN1242298C (zh) 2006-02-15

Family

ID=36592696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031565697A Expired - Lifetime CN1242298C (zh) 2002-12-31 2003-09-09 透射反射式液晶显示装置及其制作方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6927820B2 (zh)
JP (1) JP3857266B2 (zh)
KR (1) KR100936954B1 (zh)
CN (1) CN1242298C (zh)
TW (1) TWI234033B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100456098C (zh) * 2006-10-20 2009-01-28 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833883B2 (en) * 2001-02-13 2004-12-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate for reflective and transflective liquid crystal display devices and manufacturing method for the same
US6897925B2 (en) * 2002-07-31 2005-05-24 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
TWI294981B (zh) * 2002-09-12 2008-03-21 Au Optronics Corp
KR100491258B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100524621B1 (ko) * 2003-05-23 2005-10-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100938887B1 (ko) * 2003-06-30 2010-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2005062802A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Advanced Display Inc 薄膜トランジスタアレイ基板の製法
JP4241265B2 (ja) * 2003-08-25 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2006091059A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4904677B2 (ja) * 2004-09-21 2012-03-28 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
JP4550551B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TW200617545A (en) * 2004-11-26 2006-06-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
KR20060069080A (ko) 2004-12-17 2006-06-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US7292295B2 (en) * 2005-01-03 2007-11-06 Wintek Corporation Micro-reflective liquid crystal display
JP4083752B2 (ja) * 2005-01-31 2008-04-30 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
TWI255363B (en) * 2005-02-04 2006-05-21 Quanta Display Inc Liquid crystal display
JP4082418B2 (ja) * 2005-03-04 2008-04-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
US20060221267A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Cynthia Bell Projection display using dedicated color pixels
KR101102425B1 (ko) * 2005-04-01 2012-01-05 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그제조방법
JP4799926B2 (ja) * 2005-06-28 2011-10-26 三菱電機株式会社 半透過型tftアレイ基板、および半透過型液晶表示装置
KR100742376B1 (ko) * 2005-09-30 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 패드부 및 그 제조 방법
KR101197051B1 (ko) * 2005-10-05 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4663485B2 (ja) * 2005-11-04 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法、半透過型液晶表示装置
KR101219046B1 (ko) 2005-11-17 2013-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP2007183629A (ja) * 2005-12-29 2007-07-19 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示基板及びその製造方法
KR101174164B1 (ko) * 2005-12-29 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
KR101244772B1 (ko) * 2005-12-30 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd 3族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
CN100389342C (zh) * 2006-02-16 2008-05-21 友达光电股份有限公司 显示器面板及其中的像素单元
US20070262312A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Au Optronics Corp. Thin film transistor array substrate structures and fabrication method thereof
KR101274922B1 (ko) * 2006-06-26 2013-06-14 엘지디스플레이 주식회사 액정패널용 멀티 어레이 기판
CN100414421C (zh) * 2006-08-28 2008-08-27 友达光电股份有限公司 半穿透半反射液晶显示面板
CN101852954B (zh) * 2009-04-03 2012-03-07 胜华科技股份有限公司 半穿反液晶显示面板及其下基板的制造方法
TWI402567B (zh) * 2009-07-14 2013-07-21 Wintek Corp 半穿透半反射液晶顯示器
US20120033146A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Chimei Innolux Corporation Liquid crystal display device and electronic device using the same
TWI446077B (zh) * 2011-08-17 2014-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 邊緣場切換式液晶顯示器之像素結構
TWI492389B (zh) * 2012-07-13 2015-07-11 Au Optronics Corp 畫素結構及畫素結構的製作方法
KR102021506B1 (ko) * 2013-03-15 2019-11-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP7314782B2 (ja) * 2019-11-28 2023-07-26 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP7392507B2 (ja) * 2020-02-18 2023-12-06 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
WO2022134029A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置
JP2022158302A (ja) * 2021-04-01 2022-10-17 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69220643T2 (de) 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
US6195140B1 (en) 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP3335130B2 (ja) 1998-01-26 2002-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3462103B2 (ja) 1998-12-10 2003-11-05 三菱電機株式会社 アンテナ装置
JP4196505B2 (ja) * 1999-12-13 2008-12-17 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法とカラーフィルタ
KR100700635B1 (ko) * 2000-10-27 2007-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시장치용 컬러필터 및 그의 제조방법
KR100408345B1 (ko) * 2001-05-22 2003-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
KR100483358B1 (ko) * 2001-09-07 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100456098C (zh) * 2006-10-20 2009-01-28 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3857266B2 (ja) 2006-12-13
US6927820B2 (en) 2005-08-09
CN1514291A (zh) 2004-07-21
TW200411259A (en) 2004-07-01
KR20040062167A (ko) 2004-07-07
TWI234033B (en) 2005-06-11
US20040124414A1 (en) 2004-07-01
KR100936954B1 (ko) 2010-01-14
JP2004212952A (ja) 2004-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1242298C (zh) 透射反射式液晶显示装置及其制作方法
CN1280668C (zh) 透反式液晶显示装置及其制作方法
US9989813B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN1794078A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR102012854B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
CN1276300C (zh) 透反液晶显示装置及其制造方法
CN100416364C (zh) 面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
KR101219821B1 (ko) Ffs 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US20050018114A1 (en) Transflective liquid crystal display and method of fabricating the same
CN1324382C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1782842A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1794077A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN102902113B (zh) 液晶显示装置
CN102902118A (zh) 面内转换模式液晶显示器件及其制造方法
CN1841169A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1680860A (zh) 液晶显示器及用于该液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板
CN1230709C (zh) 反射液晶显示装置及其制造方法
CN1310074C (zh) 液晶显示器
CN1782843A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1869798A (zh) 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板的制造方法
CN1888963A (zh) 透射反射型液晶显示器件及其制造方法
KR101005355B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
CN101067706A (zh) 半穿透半反射式液晶显示面板及其像素结构
CN1252516C (zh) 液晶显示装置
CN1540417A (zh) 显示装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG. PHILIP LCD CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: LG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Seoul

Patentee before: LG.Philips LCD Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060215