CN1841169A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器件包括：彼此分开并相对的第一和第二基板；在第一基板的内表面上并彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线；在栅线和数据线的交叉处附近的薄膜晶体管；位于像素区中并包括多个狭缝的像素电极；栅线上方的岛状图案；在第二基板的内表面上的黑矩阵，其中所述黑矩阵对应于栅线；在黑矩阵上的滤色片层；在滤色片层上的公共电极；在对应于像素电极的公共电极上的多个拱；以及在对应于黑矩阵的公共电极上的衬垫料。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2005年3月31日在韩国递交的申请号为P2005-0027063的申请的权益，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件，特别是涉及一种液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
驱动液晶显示(LCD)器件从而利用液晶材料的光学各向异性和极化特性。更具体的，液晶分子由于其细长状而具有确定的排列并且被设置为具有初始预倾角。排列方向可以通过施加电场来控制。因此，施加的电场的变化影响液晶分子的排列。由于液晶分子的光学各向异性，入射光的折射取决于液晶分子的排列方向。因而，通过适当地控制施加的电场，可以产生具有期望亮度的图像。
图1A示出了现有技术LCD器件的示例性透视图，以及图1B示出了图1A中薄膜晶体管T的放大图。如图1A和图1B所示，LCD器件51包括彼此分开设置的第一基板22和第二基板5，以及夹在第一基板22和第二基板5之间的液晶层11(未示出)。在与第一基板22相对的第二基板5的内表面上形成黑矩阵6、滤色片层7、以及公共电极9。滤色片层7包括每个都设置在黑矩阵6的开口中的红、绿和蓝滤色片7a、7b和7c。公共电极9是透明的并覆盖黑矩阵6以及滤色片7a、7b和7c。
多个像素区P限定在与第二基板5相对的第一基板22的内表面上。多条栅线12和多条数据线24彼此交叉以限定多个像素区P。薄膜晶体管T形成在与栅线12和数据线24彼此交叉处邻近的位置。薄膜晶体管T包括栅极30、有源层32、源极34、以及漏极36。有源层32与栅极32重叠，并且源极34和漏极36彼此分开并位于有源层32上。像素电极17形成在各像素区P中并连接到各像素区P中薄膜晶体管T的漏极36。像素电极17包括具有高透光率的透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。各像素的薄膜晶体管T和像素电极17以矩阵型设置。脉冲信号通过栅线12提供到栅极30，并且数据信号通过数据线24提供到源极34。
包括黑矩阵6、滤色片层7和公共电极9的第二基板5通常被称为滤色片基板。包括栅线12、数据线24、薄膜晶体管T和像素电极17的第一基板22通常被称为阵列基板。
在上述现有技术LCD器件中，已经研究不同的方法来获得宽视角和高亮度。多畴法、相位补偿法、共平面开关(IPS)模式、垂直定向(VA)模式等已被研发作为获得宽视角的方法。在多畴法中，像素被分割为几个区域，其中各液晶分子被不同地排列从而各像素具有总平均特性。在相位补偿法中，通常被称为延迟膜的相差膜用于根据视角减小相差的改变。在IPS模式中，液晶分子在基本上平行于对应于与LCD器件基板平行产生的电场的平面中移动。在VA模式中，当不施加电压时，具有负介电各向异性的液晶分子关于基板垂直地排列。
在上述方法中，VA模式的额外优点是与广泛用在传统LCD器件中的扭曲向列(TN)模式相比具有快响应时间。当LCD器件的透光率从100％变化到50％时，与TN模式的50ms相比，VA模式的响应时间为约30ms。通常，在VA模式中，使用垂直定向材料、具有负介电各向异性的液晶材料以及负延迟膜。因而，VA模式具有宽视角并具有高对比度。
图2示出了根据现有技术的VA模式LCD器件的像素区的截面图。如图2所示，像素电极17形成在第一基板22的内表面上，并且黑矩阵6、滤色片层7和公共电极9随后形成在与第一基板22相隔并相对的第二基板5的内表面上。液晶层11夹在第一和第二基板22和5之间。液晶层11具有负介电各向异性，并且液晶层11的液晶分子可以垂直排列在第一和第二基板22和5之间。
当电压施加到像素电极17和公共电极9时，在像素电极17和公共电极9之间产生基本上垂直于基板5和22的电场E，并且液晶层11的液晶分子重新排列以与电场E的方向垂直。此时，像素电极17被部分构图并具有狭缝S(或孔)，并且电场E由于狭缝S而扭曲。因而，在一个像素区中形成多畴。此外，在公共电极9上像素电极17的狭缝S之间的中间部分形成拱(rib)，并且像素区可以被对称地分割从而在像素电极17的上和下部分具有镜像图案或相同图案。同时，衬垫料SP进一步形成在公共电极9上以保持第一和第二基板22和5之间的盒间隙。
图3A至图3D示出了现有技术VA模式LCD的滤色片基板的制造方法的截面图。如图3A所示，通过涂敷黑树脂并随后通过第一掩模工序对黑树脂构图，或者通过沉积铬(Cr)或氧化铬(CrOx)并随后通过第一掩模工序对铬层之一构图来在透明基板5上形成黑矩阵6。黑矩阵6可以根据阵列基板(未示出)的结构而具有不同形状。然而，黑矩阵典型地具有格状。
如图3B所示，滤色片层7形成在包括黑矩阵6的基板5上。滤色片层7包括红、绿和蓝滤色片。滤色片层7可以通过各种方法之一形成。颜料分配法广泛用于形成滤色片层7。在颜料分配法中，可以将颜料树脂涂敷于透明基板5的表面并随后通过掩模工序对颜料树脂构图来形成各滤色片。因此，可以通过三轮掩模工序来形成具有三种颜色的滤色片层7，例如第二、第三和第四掩模工序。
如图3C所示，在包括滤色片层7的基板5的表面形成公共电极9。随后，通过涂敷树脂并随后通过第五掩模工序对树脂构图来在公共电极9上形成拱R。如图3D所示，通过涂敷聚合树脂并随后通过第六掩模工序对聚合树脂构图来在基板5上形成具有柱状的衬垫料SP。衬垫料SP对应于黑矩阵6。通过使用六轮掩模工序制造包括衬垫料SP和拱R的VA模式LCD器件的滤色片基板。因而，与用四轮掩模工序制造的现有技术TN模式LCD器件的滤色片基板相比，这种现有技术VA模式LCD器件的滤色片基板具有用于拱和衬垫料的两轮额外的掩模工序。因此，VA模式LCD的制造时间长且成本高，并因而生产率较低。
为了提高生产率，已经提出了一种同时形成拱和衬垫料的工序。图4A至图4C示出了另一现有技术VA模式LCD器件的另一滤色片基板的制造方法的截面图。如图4A所示，通过涂敷黑树脂并随后通过第一掩模工序对黑树脂构图来在限定有像素区P的透明基板50上形成黑矩阵52。
如图4B所示，滤色片层形成在包括黑矩阵52的基板50上。滤色片层包括红54a、绿54b和蓝(未示出)滤色片。红、绿和蓝滤色片可以通过第二、第三和第四掩模工序分别形成。该掩模工序产生彼此重叠的滤色片。例如，顺序形成红和绿滤色片54a和54b从而其都与黑矩阵50重叠并且绿滤色片54b与红滤色片54a重叠。随后的蓝滤色片(未示出)会与黑矩阵50以及红和绿滤色片54a和54b重叠。因此，黑矩阵52、红滤色片54a和绿滤色片54b的组合厚度比像素区域P中的各滤色片的厚度要厚。
如图4C所示，公共电极56形成在包括滤色片层的基板50的表面。通过涂敷树脂并随后通过第五掩模工序对其构图来在公共电极56上形成第一拱R1和第二拱R2。第一拱R1设置在绿滤色片54b、红滤色片54a、以及黑矩阵52顺序重叠的位置上，并且第二拱R2设置在各像素区P中。第一拱R1以及重叠的滤色片54a和54b用作衬垫料，并且第二拱R2用于在一个像素区中形成多畴。第一拱R1以及重叠的滤色片54a和54b的总厚度H可以为约4μm。因此，可以通过五轮掩模工序来制造滤色片基板，其少于如图3A至图3D所示的滤色片基板的六轮掩模制造工序。然而，五轮掩模滤色片基板中的公共电极56可能由于通过在黑矩阵上重叠滤色片产生的阶梯覆盖(或差)而断开。
发明内容
因此，本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法，能够基本上克服因现有技术的局限和缺点带来的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种具有宽视角的液晶显示器件。
本发明的另一个目的是提供一种具有简化工序的液晶显示器件的制造方法。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们对于本领域普通技术人员在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种液晶显示器件包括：彼此分开并相对的第一和第二基板；在第一基板的内表面上并彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线；在栅线和数据线的交叉处附近的薄膜晶体管；位于像素区中并包括多个狭缝的像素电极；栅线上方的岛状图案；在第二基板的内表面上的黑矩阵，其中所述黑矩阵对应于栅线；在黑矩阵上的滤色片层；在滤色片层上的公共电极；在对应于像素电极的公共电极上的多个拱；以及在对应于黑矩阵的公共电极上的衬垫料。
在另一个方面，一种液晶显示器件的阵列基板的制造方法包括：在基板上形成栅线；形成与栅线交叉的数据线以限定像素区；在栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；在栅线上方形成岛状图案；在岛状图案上形成钝化层；以及在像素区中形成像素电极，其中所述像素电极具有多个狭缝。
在又一个方面，一种液晶显示器件的滤色片基板的制造方法包括：在包括像素区的基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；在黑矩阵上形成滤色片层；在滤色片层上形成公共电极；在公共电极上形成感光层；通过掩模将感光层曝光，其中所述掩模包括透射部分和遮蔽部分；通过显影所述曝光后的感光层形成第一图案和第二图案，其中第一图案对应于像素区，第二图案对应于黑矩阵，并且第二图案比第一图案宽；以及通过对第一图案和第二图案进行热处理形成拱和衬垫料。
在再一个方面，一种液晶显示器件的滤色片基板的制造方法包括：在包括像素区的基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；在黑矩阵上形成滤色片层；在滤色片层上形成公共电极；在公共电极上形成感光层；通过掩模将感光层曝光，其中所述掩模包括透射部分、遮蔽部分、以及半透射部分；通过显影所述曝光后的感光层形成第一图案和第二图案，其中第一图案对应于像素区，并且第二图案对应于黑矩阵；以及通过对第一图案和第二图案进行热处理形成拱和衬垫料。
在另一个方面，一种液晶显示器件的制造方法包括：在基板上形成栅线；在第一基板上形成数据线，其中数据线与栅线交叉以限定像素区；在栅线和数据线的交叉处附近形成薄膜晶体管；在栅线上方形成岛状图案；在像素区中形成像素电极，其中所述像素电极具有多个狭缝；在第二基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；在黑矩阵上形成滤色片层；在滤色片层上形成公共电极；在像素区中的公共电极上形成拱；在对应于黑矩阵的公共电极上形成衬垫料；以及粘接第一和第二基板从而使衬垫料对应于岛状图案。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分，示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1A示出了现有技术LCD器件的示例性透视图；
图1B示出了图1A中薄膜晶体管T的放大图；
图2示出了根据现有技术的VA模式LCD器件的像素区的截面图；
图3A至图3D示出了现有技术VA模式LCD的滤色片基板的制造方法的截面图；
图4A至图4C示出了另一现有技术VA模式LCD器件的另一滤色片基板的制造方法的截面图；
图5示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的像素区的示意图；
图6示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的像素区的截面图；
图7A至图7D示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的阵列基板的制造方法的截面图；
图8A至图8F示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的滤色片基板的制造方法的截面图；以及
图9A至图9C示出了根据本发明另一实施方式的VA模式LCD器件的滤色片基板的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在具体描述本发明的优选实施方式，它们的实施例示于附图中。
图5示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的像素区的示意图。如图5所示，栅线102沿第一方向形成，并且数据线114沿与第一方向交叉的第二方向形成。栅线102和数据线114彼此交叉以限定像素区P。
在栅线102和数据线114的各交叉处附近形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括连接到栅线102的栅极104、设置在栅极104上的有源层108、连接到数据线114的源极116、以及在有源层108上与源极116相隔的漏极118。薄膜晶体管T还包括在有源层108和源极116之间以及在有源层108和漏极118之间的欧姆接触层(未示出)。
像素电极126形成在像素区P中并连接到漏极118。像素电极126包括多个狭缝S。图5所示的上下关系中像素区P的上区域的狭缝S形成为从左侧到右侧倾斜下降，并且在图5所示的上下关系中像素区P的下区域的狭缝S形成为从左侧到右侧倾斜上升。因而，像素区P中狭缝S基本上使像素电极的部分形成为“V形”，该V形关于栅线102向左旋转一个直角。
拱210和衬垫料212形成在与包括薄膜晶体管T和像素电极126的基板相隔的滤色片基板(未示出)上。拱210和衬垫料212同时形成。形成拱210以对应于相邻狭缝S之间的像素的部分，并且形成衬垫料212以对应于栅线102。另外，在栅线102上对应于各衬垫料212形成具有岛状的半导体图案112和金属图案120以形成高台阶。
图6示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的像素区的截面图，并且对应于图5的线VI-VI。
如图6所示，像素区P限定在第一基板100上，并且薄膜晶体管T形成在第一基板100上的像素区P的一侧。栅线102形成在第一基板100上，并且数据线(未示出)形成在第一基板100上方。数据线与栅线102交叉以限定像素区P。具有岛状的半导体图案112和金属图案120顺序形成在栅线102上方。钝化层122覆盖薄膜晶体管T、半导体图案112和金属图案120。像素电极126形成在钝化层122上的像素区P中并连接到薄膜晶体管T。像素电极126包括多个狭缝S。
第二基板200与第一基板100相隔并相对。黑矩阵202形成在第二基板200的内表面上并对应于相邻像素区P之间的边界部分。黑矩阵202也覆盖薄膜晶体管T。滤色片层204形成在包括黑矩阵202的第二基板200上。滤色片层204包括顺序排列的红、绿和蓝滤色片，并且各滤色片对应于像素区P。滤色片层204覆盖黑矩阵202。公共电极206形成在滤色片层204上。公共电极206由透明导电材料形成。
拱210形成在像素区P中的公共电极206上。各拱210对应于相邻狭缝S之间的公共电极206的部分。衬垫料212形成在对应于半导体图案112和金属图案120的公共电极206上。因而，衬垫料212接触金属图案120上的钝化层122。
钝化层122由于金属图案120和半导体图案112而具有阶梯。滤色片层204由于黑矩阵202也具有阶梯。滤色片层204的阶梯高度H1可以在约0.7μm至约0.9μm的范围内。衬垫料212可以具有在约1.9μm至约2.1μm的范围内的高度H2。钝化层122的阶梯高度H3可以在约0.6μm至约0.8μm的范围内。
滤色片层204的阶梯高度H1、衬垫料212的高度H2、以及钝化层122的阶梯高度H3的和基本上等于第一和第二基板100和200之间的盒间隙。以下将参照图7A至图7D说明根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的制造方法。
图7A至图7D示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的阵列基板的制造方法，并且截面图对应于与图5的VI-VI相似的线。如图7A所示，通过沉积一种或多种金属材料并随后对所述一种或多种金属材料构图在基板100上形成栅线102和栅极104。一种或多种金属材料可以包括铝(Al)和例如AlNd的铝合金、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。栅极104可以是栅线102的一部分或者可以从栅线102延伸。
随后，通过沉积选自包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的组的一种或多种无机绝缘材料来在包括栅线102和栅极104的基板100的表面形成栅绝缘层106。然后，通过顺序沉积本征非晶硅(a-Si:H)和例如n+或p+a-Si:H的掺杂有杂质的非晶硅并随后对其构图来在栅极104上的栅绝缘层106上形成有源层108和欧姆接触层110。同时，在栅线102上方栅绝缘层106上形成具有岛状的半导体图案112。可以通过将杂质掺杂到非晶硅层来形成欧姆接触层110。
如图7B所示，通过在包括有源层108和欧姆接触层110的基板100的表面沉积从上述金属材料组选择的一种或多种金属材料，并随后对该一种或多种金属材料构图来在欧姆接触层110上形成源极116和漏极118。同时，形成数据线(未示出)和金属图案120。数据线连接到源极116，并且金属图案120设置在半导体图案112上。然后，去除暴露在源极和漏极116和118之间的部分欧姆接触层110，从而暴露有源层108。栅极104、有源层108、欧姆接触层110、以及源极和漏极116和118构成薄膜晶体管。
如图7C所示，通过沉积选自包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的组的一种或多种无机绝缘材料来在包括源极116和漏极118以及金属图案120的基板100的表面形成钝化层122。可以通过涂敷选自包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的组的一种或多种有机绝缘材料来形成钝化层122。钝化层122由于金属图案120和半导体图案112而具有阶梯。钝化层122的阶梯的高度H3在约0.6μm至约0.8μm的范围内。然后，对钝化层122构图以形成暴露部分漏极116的漏接触孔124。
如图7D所示，通过沉积选择包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的组的透明导电材料并随后对透明导电材料构图来在钝化层122上形成像素电极126。像素电极126通过漏接触孔124连接到漏极118。像素电极126具有多个狭缝S。狭缝S从栅线102分离并具有对称图案。如上所述，像素区P中的狭缝S基本上使像素电极的部分形成为“V形”，该V形关于栅线102向左旋转一个直角，并且因而在一个像素区中形成多畴。在本发明实施方式的阵列基板中，像素电极126具有狭缝S，并且栅线102上的钝化层122由于金属图案120和半导体图案112的组合厚度而具有阶梯。
图8A至图8F示出了根据本发明实施方式的VA模式LCD器件的滤色片基板的制造方法，并且截面图对应于与图5的VI-VI相似的线。如图8A所示，通过第一掩模工序涂敷黑树脂并对黑树脂构图来在限定有像素区P的透明基板200上形成黑矩阵202。黑矩阵202对应于相邻像素区P的边界部分。黑矩阵202也覆盖薄膜晶体管。黑矩阵202的厚度在约1.3μm至约1.4μm的范围内。
如图8B所示，滤色片层204形成在包括黑矩阵202的基板200上。滤色片层204包括红、绿和蓝的三种滤色片。通过掩模工序将包括彩色颜料的颜料树脂涂敷在基板200的表面上并随后对颜料树脂构图来形成各滤色片。因而，为了形成红、绿和蓝滤色片，进行三轮掩模工序，即第二、第三和第四掩模工序。在此，滤色片层204可以具有条纹结构，其中相同颜色的滤色片沿平行于数据线的方向形成在相邻的像素区中。
如图8C所示，通过沉积选自包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的组的透明导电材料来在包括滤色片层204的基板200的表面形成公共电极206。然后，如图8D至图8F所示，通过第五掩模工序形成拱和衬垫料。更具体的，如图8D所示，通过涂敷感光树脂来在包括公共电极206的基板200的表面形成感光层208。包括透射部分F1和遮蔽部分F2的掩模M设置在感光层208的上方。遮蔽部分F2具有对应于像素区P的第一部分和对应于黑矩阵202的第二部分。第一部分具有第一宽度W1，并且第二部分具有比第一宽度W1宽的第二宽度W2。例如，第一宽度W1可以在约10μm至约11μm的范围内，并且第二宽度W2可以在约20μm至约30μm的范围内。然后，通过掩模M将感光层208曝光并随后显影感光层208。
如图8E所示，第一图案210和第二图案212形成在公共电极206上。第二图案212具有比第一图案210宽的宽度。如图5所示，第一图案210形成在像素区P中并设在相邻的狭缝S之间。因此，第一图案210对应于像素电极的“V形”。如图5所示，第二图案212形成在黑矩阵202上并对应于栅线102。
对包括第一图案210和第二图案212的基板200进行热处理。所以，第一图案210和第二图案212收缩，并且第一图案210和第二图案212的高度减少。第一图案210比第二图案212收缩得厉害。当图案具有约10μm至约11μm的宽度时，在热处理过程后图案的高度在约1.3μm至约1.5μm之间，并且当图案具有约20μm至约30μm的宽度时，在热处理过程后图案的高度在约2.0μm至约2.2μm之间。因此，通过利用根据宽度的不同收缩比，使用相同工序形成具有不同高度的图案。第一图案210用作将像素区P分为多畴的拱，并且第二图案212用作保持两个基板之间的盒间隙的衬垫料。
在本发明的实施方式中，因为通过相同的工序形成拱和衬垫料，可以通过五轮掩模工序形成滤色片基板。图7A至图7D中所制造的阵列基板和图8A至图8F所制造的滤色片基板附有夹在其间的液晶材料，从而进一步制造LCD器件。
图9A至图9C示出了根据本发明另一实施方式的VA模式LCD器件的滤色片基板的制造方法，并且截面图对应于与图5的VI-VI相似的线。如图9A所示，黑矩阵302、滤色片层304、以及公共电极306顺序形成在限定有像素区P的基板300上。可以通过与图8A至图8C所示的实施方式相同的工序来形成黑矩阵302、滤色片层304、以及公共电极306。
然后，通过在包括公共电极306的基板300的表面涂敷感光树脂来在公共电极306上形成感光层308。包括透射部分F1、遮蔽部分F2和半透射部分F3的掩模M设置在感光层308的上方。遮蔽部分F2对应于黑矩阵302。半透射部分F3对应于像素区P并包括多个部分。半透射部分F3的各部分具有第一宽度W1，并且遮蔽部分F2具有等于第一宽度W1的第二宽度W2。半透射部分F3可以包括多个狭缝或者可以包括半透明层。狭缝降低了光的强度，并且半透明层降低了照射强度。因此，对应于半透射部分F3的感光层308被部分曝光。随后，通过掩模M将感光层308曝光并随后感光层308被显影。
如图9B所示，第一图案310和第二图案312形成在公共电极306上。第一图案310对应于半透射部分F3，并且第二图案312对应于遮蔽部分F2。因而，第二部分312高于第一图案310。第二图案312可以具有与图9A的感光层308相同的厚度。第一图案310形成在像素区P中并设置在图5所示相邻狭缝S之间。因此，第一图案310对应于像素电极的“V形”。第二图案312形成在黑矩阵302上方并对应于图5的栅线102。
对包括第一图案310和第二图案312的基板300进行热处理。所以，第一图案310和第二图案312收缩，从而第一图案310和第二图案312的高度减少。在这种情况下，第一图案310和第二图案312以相同比例收缩。如图9C所示，用作拱的第一图案310形成在像素区P中，并且高于第一图案310的第二图案312用作衬垫料并形成在黑矩阵302上。
在本发明的实施方式中，拱和衬垫料同时形成在公共电极上，并因而简化了制造工序。另外，因为在对应于衬垫料的公共电极下方不需要额外的阶梯，避免了公共电极断开，并且可以制造高质量的LCD器件。此外，通过在液晶排列中形成具有对称特性的多畴，可以制造具有宽视角的LCD器件。
很明显，本领域技术人员可在不背离本发明精神或范围的基础上对本发明的垂直定向模式液晶显示器件以及制造液晶显示器件的方法做出修改和变化。因此，本发明意欲覆盖落入本发明权利要求及其等效范围内的各种修改和变化。

Claims (30)

1、一种液晶显示器件，包括：
彼此分开并相对的第一和第二基板；
在所述第一基板的内表面上并彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线；
在所述栅线和数据线的交叉处附近的薄膜晶体管；
在所述像素区中并包括多个狭缝的像素电极；
位于所述栅线上方的岛状图案；
在所述第二基板的内表面上的黑矩阵，其中所述黑矩阵对应于所述栅线；
在所述黑矩阵上的滤色片层；
在所述滤色片层上的公共电极；
在对应于所述像素电极的公共电极上的多个拱；以及
在对应于所述黑矩阵的公共电极上的衬垫料。
2、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述各拱设置在像素电极的相邻狭缝之间。
3、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多个狭缝将像素电极的部分形成为“V形”，该V形相对于栅线旋转一个直角。
4、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，岛状图案包括半导体图案上的金属图案。
5、根据权利要求4所述的器件，其特征在于，还包括覆盖所述薄膜晶体管、半导体图案以及金属图案的钝化层，其中钝化层由于所述半导体图案和金属图案而具有第一阶梯，滤色片层由于所述黑矩阵而具有第二阶梯，并且第一阶梯、衬垫料、以及第二阶梯的高度之和基本上等于所述第一和第二基板之间的盒间隙。
6、根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯的高度在约0.6μm至约0.8μm范围内，所述衬垫料的高度在约1.9μm至约2.1μm范围内，并且所述第二阶梯的高度在约0.8μm至约0.9μm范围内。
7、根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多个拱的高度在约1.3μm至约1.5μm范围内。
8、一种液晶显示器件的阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成栅线；
形成与栅线交叉的数据线以限定像素区；
在栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；
在栅线上方形成岛状图案；
在岛状图案上形成钝化层；以及
在像素区中形成像素电极，其中所述像素电极具有多个狭缝。
9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。
10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述岛状图案包括金属图案和半导体图案，其中通过与用于形成源极和漏极相同的工序形成金属图案，并且通过与用于形成有源层相同的工序形成半导体图案。
11、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述钝化层由于岛状图案而具有阶梯，并且所述阶梯的高度在约0.6μm至约0.8μm范围内。
12、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个狭缝将像素电极的部分形成为“V形”，该V形相对于所述栅线旋转一个直角。
13、一种液晶显示器件的滤色片基板的制造方法，包括：
在包括像素区的基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；
在黑矩阵上形成滤色片层；
在滤色片层上形成公共电极；
在公共电极上形成感光层；
通过掩模将感光层曝光，其中所述掩模包括透射部分和遮蔽部分；
通过显影所述曝光后的感光层形成第一图案和第二图案，其中第一图案对应于像素区，第二图案对应于黑矩阵，并且第二图案比第一图案宽；以及
通过对第一图案和第二图案进行热处理形成拱和衬垫料。
14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，遮蔽部分包括各具有对应于像素区的第一宽度的第一部分以及具有对应于黑矩阵的第二宽度的第二部分，其中第二宽度比第一宽度宽。
15、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述拱对应于具有“V形”的像素电极的部分。
16、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，滤色片层由于黑矩阵而具有阶梯，其中所述阶梯的高度在约0.8μm至约0.9μm范围内。
17、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述衬垫料的高度在约1.9μm至约2.1μm范围内。
18、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成黑矩阵的步骤包括涂敷黑树脂并随后对其构图。
19、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述滤色片层包括红、绿和蓝滤色片，其中各滤色片对应于像素区，并且在其间有衬垫料的相邻像素区中的滤色片彼此颜色相同。
20、一种液晶显示器件的滤色片基板的制造方法，包括：
在包括像素区的基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；
在黑矩阵上形成滤色片层；
在滤色片层上形成公共电极；
在公共电极上形成感光层；
通过掩模将感光层曝光，其中所述掩模包括透射部分、遮蔽部分、以及半透射部分；
通过显影所述曝光后的感光层形成第一图案和第二图案，其中第一图案对应于像素区，并且第二图案对应于黑矩阵；以及
通过对第一图案和第二图案进行热处理形成拱和衬垫料。
21、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，各第一图案宽度与第二图案宽度相同。
22、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，半透射部分对应于像素区，并且遮蔽部分对应于黑矩阵。
23、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，半透射部分包括多个部分，并且半透射部分的各部分宽度与遮蔽部分相同。
24、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
在基板上形成栅线；
在第一基板上形成数据线，其中数据线与栅线交叉以限定像素区；
在栅线和数据线的交叉处附近形成薄膜晶体管；
在栅线上方形成岛状图案；
在像素区中形成像素电极，其中所述像素电极具有多个狭缝；
在第二基板上形成黑矩阵，其中黑矩阵对应于相邻像素区之间的边界部分；
在黑矩阵上形成滤色片层；
在滤色片层上形成公共电极；
在像素区中的公共电极上形成拱；
在对应于黑矩阵的公共电极上形成衬垫料；以及
粘接第一和第二基板从而使衬垫料对应于岛状图案。
25、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，各拱设置在相邻狭逢之间。
26、根据权利要求25所述的方法，其特征在于，多个狭缝将像素电极的部分形成为“V形”，该V形相对于栅线旋转一个直角。
27、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，岛状图案包括金属图案和半导体图案。
28、根据权利要求27所述的方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述薄膜晶体管、半导体图案以及金属图案的钝化层，其中钝化层由于半导体图案和金属图案而具有第一阶梯，滤色片层由于黑矩阵而具有第二阶梯，并且第一阶梯、衬垫料、以及第二阶梯的高度之和等于第一和第二基板之间的盒间隙。
29、根据权利要求28所述的方法，其特征在于，第一阶梯的高度在约0.6μm至约0.8μm范围内，衬垫料的高度在约1.9μm至约2.1μm范围内，并且第二阶梯的高度在约0.8μm至约0.9μm范围内。
30、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，拱的高度在约1.3μm至约1.5μm范围内。
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