TW419797B - Substrate used for carrying semiconductor device, the fabrication method and the semiconductor apparatus - Google Patents

Substrate used for carrying semiconductor device, the fabrication method and the semiconductor apparatus Download PDF

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TW419797B
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wiring
semiconductor element
mounting
recessed portion
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TW87106686A
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Naoki Fukutomi
Yoshiaki Wakashima
Akinari Kida
Susumu Naoyuki
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Hitachi Chemical Co Ltd
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f 419797 A7 B7 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印氧 五、發明説明（1〉 (技術領域） 本發明有關於搭載半導體元件之半導體元件用基板以 及其製造方法，以及實裝半，導體元件之具備半導體元件搭 載用基板之半導體裝置。 (發明之背景） 最近之半導體裝置係由於積體度之增大，高頻化，以 此希望爲多梢且小型之封裝。因此使用以往之引線架之周 邊端子乃端子數之一增加就會使封裝大型化，對大型化之 對策雖可採端子節距之縮小，惟0 . 4mm以下就有困難 之狀況。 對於端子數之增加之對應策而有將端子配置成面狀之 面陣列型之封裝，此面陣列（Area Array )封裝時，即須 要由晶片端子將配線引至外部端子電極用之配線基板。如 果將外部端子電極設於配線基板下面|即晶片之搭載面將 分爲設於配線之上面或設於配線之下面之兩種情形。如果 在配線基板上面搭載晶片時，即必要設有連給配線基板上 面與下面之層間連結。如果在配線基板下面搭載晶片時即 不需要此種連接。惟將晶片搭載於配線基板下面時*爲了 吸收晶片之厚度以及密封所必要,之厚度需要有凹部。 此凹部稱謂空腔（Carity)，當空腔存在於下面時稱 謂下空腔（Cavity-down)構造，爲了製作此構造通常採取 對基板之削面加工，或控空基板後接著底板來製作。此構 造時，由於配線面爲同一平面上，因此欲改變晶片連接部 (錆先Μ讀背面之注意事項再填耗本瓦) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公嫠） Λ -4 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 丨 419797 A7 B7五、發明説明（2 ) 與外部電極之高度時，需要多層構造之配線，依此方法即 可形成滿足晶片收容部與晶片連接部與外部電極部之立體 位置關係之配線構造。 面陣列型半導體封裝之一種有，在其連接端子上使用 焊錫球之B G A ( Ball Grid Array )。此BGA乃與以往 之使用引線架之半導體裝匱相比較時，其價格昂貴而被要 求設法減低其價格，價格高之理由爲，其半導體元件搭載 用基板之構造或製程係與引線架方式複雜乃其主要原因* 因此開發出構'造及製程之單純之半導體元件搭載用基板之 要求很殷切。 使用於面陣列型半導體封裝之配線基板乃通常稱之謂 「插入式選擇指」（inter poser)，插入式選擇指大別爲 膜片形狀及硬板形狀。配線層數即一層或二層或三層以上 ，一般而言配線層數少者之製造成本低· 最能期望低成本者乃一層之配線構造，配線之存在於 插入式選擇指之至少兩面時*可以將半導體晶片搭載部及 外部端子分爲表•背面，惟一層之配線構造之插入式選擇 指時由於半導體晶片搭載部與外部端子將成爲同一面，因 此此種一層之配線構造時，須在配線面側設置爲收容半導 體晶片用之至少晶片之厚度程度之凹部|因此其製造法乃 成爲硏究之課題。 稱謂 T A B ( Tape Automated Bonding )或丁 C P ( Tape Carrier Package)之插入式選擇指及封裝技術時，即 控空插入式選擇指之中央部而設置半導體晶片。又硬板形 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS >A4規格（210X297公釐) ~ { ^M讀背面之注意事項再填寫本頁w 經濟部中央標準局負工消費合作社印笨 ί 419797 Α7 _Β7_____五、發明説明（3 ) 狀時也是控空插入式選擇指之中央部而製作半導體晶片收 容部而接著金屬板爲其底板，或將插入式選擇指之中央部 予以削面加工來形成凹部。此種方法時配線在平面部沒有 存在於凹部β (發明之槪要） 本發明乃考慮上述之點所開發，其目的乃提供一種可 能小型化，高可靠性，低廉，使其設計及製造方法之標準 化容易化之搭載半導體元件之半導體元件搭載用基板及其 製造方法，以及在半導體元件搭載用基板實裝半導體元件 之半導體裝置。 爲了達成上述目的，本發明乃在於具備凹部之半導體 元件搭載用基板，或在該凹部搭載半導體元件之後，藉由 密封樹脂而予以密封之半導體裝置中，其特徵爲： 上述半導體元件搭載用基板乃備有沿著該基板表面及 上述凹部之基板壁面所配置之配線，上述配線乃由：連接 於設置於上述凹部所開口側之該基板表面之外部連接端子 之外部連接端子部，及與上述搭載之半導體元件連接之內 連接端子部，及上述外部連接端子部與上述內連接端子部 間之配線部，而構成，上述配線係埋入於上述基板表面及 上述凹部之基板壁面，上述內連接端子部乃據位於上述凹 部內之位置者。 例如上述凹部之基板壁面係具備有延伸於該凹部之底 面方向之預先規定之傾斜角度範圍內之坡度。 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本筲) 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -6- 經濟部中央標準局頁工消费合作社印繁 ί 4i9797 Α7 _Β7_五、發明説明（4 ) 而上述凹部基板壁面之傾斜角度爲5〜4 0度之範圍 內。更合宜爲1 0〜4 0度之範圔。又上述凹部之基板壁 面之傾斜構造之高度G與其水平距離之比L/G爲1·5 <L/G<10之範圍內*更合宜爲2<L/G<10， 最合宜爲3<L/G<10之範圍內· 上述凹部乃例如藉由凸形之沖壓成形所構成。又上述 凹部乃複數級階地形成之構成亦可· 又上述凹部上，設置將該凹部再施予削面加工所形成 之爲收容半導體元件用之半導體元件收容部之搆成亦可以 〇 此時上述經削面加工而成之半導體元件收容部之深度 乃，較欲搭載之半導體元件之厚度大者爲宜。 又上述之半導體元件搭載用基板及半導體裝置中。 該基板表面部之上述外部連接端子部與上述凹部內之 上述內連接端子部之級階高度差爲〇·〇5mm以上爲宜 〇 該搭載於上述凹部之半導體元件之端子與上述內連接 端子部乃以引線連接地予以連接。 或將半導體元件之端子以背面饋送方式地直接連接於 上述內連接端子部爲宜。 又上述配線係設置於上述凹部之除了角部之壁面領域 〇 又上述凹部乃形成於該基板之主平面之略中心位置1 於上述凹部內，對於該半導體元件搭載用基板之厚度 (谇先閱讀背面之注意事項再填寫本 -訂 -^ 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐} ! 419797 經濟部中央標準扃負工消费合作社印家 A7 __B7 _五、發明説明（5 ) 方向之略中央地搭載半導體元件者。 在上述凹部內，對於該基板之厚度方向由中央以該基 板之厚度之3 0%偏倚以內地搭載半導體元件之構成亦可 〇 又將上述凹部乃於底面領域備有可以收容之複數之元 件之寬度，同時形成有對上述複數之元件之配線，而在該 凹部搭載複數之半導體元件及受動元件而構成亦可。 又上述配線乃利用全部由金臑所構成之可能抽拉加工 之配線構成體所形成者* 上述可能抽拉加工之配線構成體係至少含有備有構成 上述配線之第1之金靥層，及擔任該載置層之機能之第2 之金屬層之多層構造者爲宜。 又上述凹部之深度乃較所搭載之半導體元件之厚度小 I 而將上述凹部之底面，對於該半導體元件搭載用基板 之厚度方向，由中央實施該搭載之該半導體元件之厚度之 0.5乃至2.5倍之範圍內之深度地施予削面加工亦可 以。 上述凹部之深度乃較欲搭載之半導體元件之厚度爲小 ，且對該凹部施予削面加工，該至少露出之削面加工之底 面爲由不織布所成之預含浸樹脂之叠層予以硬化而成之樹 脂層之構成亦可。 此時在形成上述凹部之樹脂層之背面接著厚度 I 0 . 0 3 5mm以上之金屬板*令上述凹部之深度小於欲 {請先Μ讀背面之注項$填苑本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4说格（2丨OX”7公釐） -8 - 419797 經濟部中央標率局負工消费合作社印製 A7 B7_五、發明説明（6 ) 搭載之半導體元件之厚度，且對於該凹部之底面施予削面 加工使上述金屬板露出·或在形成上述凹部之樹脂層之背 面接著厚度0 _ 2mm以上之金屬板’使上述凹部之深度 小於所搭載之半導體之元件之厚度爲小’且上述土屬板之 削面深度能達0 . 0 5mm以上地對於該凹部之底面實施 削面加工。 又樹脂層之削面乃在到達於上述金屬板之前使之終了 亦可。 再者，爲了達成上述目的之本發明乃 在半導體元件搭載用基板之製造方法中，將且有，至 少含有第1之金靥層及擔任該載置層之機能之第2金屬層 之多層構造。將全部由金屬所構成之可能抽拉加工之配線 構成體，壓接於樹脂基板予以接著，同時在該樹脂基板上 *形成備有預先規定之傾斜角度範圍內之坡度之壁面之凹 部，而藉留存上述第1之金屬層去除其他之金屬層，以資 沿著該基板表面到上述凹部之基板壁面地配置形成， 由：連接於設置於上述凹部所開口側之該基板表面之 外部連接端子之外部連接端子部•及與上述搭載之半導體 元件連接之內部連接端子部，及上述外部連接端子部與上 述內連接部端子間之配線部而構成，埋入於上述基板表面 及上述凹部之基板壁面之配線，爲其特徵* 本案中上述可能抽拉加工之配線構成體之破斷延伸率 爲2 %以上爲宜》 又上述構成可能抽拉加工之配線構成體之上述載置層 ---------,------訂------呤--1 ... ' *·-{請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁)_ 本纸張尺度適用中囷國家樣準（CNS )以規格（210X2们公釐） -9 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印聚 419797 A7 B7五、發明説明（7 ) 之厚度乃在於0 . OlOmm〜0 . 050mm之範圍爲 宜。 又上述凹部之基板壁面之傾斜角範圍爲5度以上4 0 度以下， 而上述凹部之深度乃其所收容之半導體元件之至少 3 0 %以上爲宜。 又形成上述凹部之後，在上述凹部之底面施予削面加 工，在上述削面加工之後，去除上述其他之金屬層之構成 亦可以。在有其他之金屬層之狀態下，施予削面加工時即 可以精度良好的實施削面加工。 又爲了達成上述目的，本發明乃於備有搭載半導體元 件用之凹部及配線之半導體元件搭載用基板之製造方法中 ，使上述凹部之深度小於所搭載之半導體元件之厚度，且 在該凹部之底面施予削面加工者，在上述削面加工時，切 斷對於上述搭載之半導體元件之配線之一部份，而使該配 線之端部到著於以削面加工所形成之凹部之邊緣部爲其特 徵由而凹部之邊緣部之加工精度會提高。 依本發明時可形成可以收容半導體元件之凹部，同時 可形成對應於半導體元件之連接之微細配線，合乎於面陣 列型半導體封裝，利用此技術之半導體封裝件乃適合於 C S P ( Chip Scale Package ) · F B G A ( Fine Pitch Ball Grid Array ) * B G A ( Ball Grid Array ) · L G A (Land Grid Array )等。
(請先《讀背面之注意事項再填爲本頁W 本紙張尺度適用中國囷家標準{ CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -10- 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 」4 ί9了9 7 Α7 _ Β7五、發明説明（8 ) (實施發明之最良形態） 參照圖1〜圖4說明適用本發明之半導體裝置之實施 形態。又本發明並不侷限於下述之形態。 依本發明之半導體裝置乃如各圖所示，具備有，半導 體元件（半導體晶片）1 |及備有用於搭載半導體晶片1 用之凹部或貫穿孔部之絕緣基板7，及電氣的連接於f形 成於絕緣基板7之表面之半導體晶片•同時在實裝時實施 與外部之連接之外部電極5，以及密封了收容半導體晶片 1之凹部或貧穿孔部之密封樹脂4· 本實施形態之半導體裝置上，再設有電氣的連接半導 體晶片1及外部電極5之配線2 ·此配線2乃由：連接有 爲與半導體晶片1連接用之引線3之內連接端子部，及連 接於外部電極5之外部端子連接部，及由該內連接端子部 與外部連接端子部之間之配線部所構成，上述內連接端子 部與上述外部連接端子部之間設有級階高低差。 本例中•連接引線3與外部電極5之間之配線2乃採 用從配置外部電極5之基板表層部到上述凹部壁面或底面 之表層部地連續的埋入之方式。又半導體晶片1·引線3 ，引線3與配線2之連接部（內連接端子部），及配線2 之主要部份或全部之部份均據位於上述凹部內，而由密封 樹脂4而予以密封。 又圖1〜圖4中，標號6乃設於絕緣基板7之表面之 表面層，標號8係設於絕緣基板7之背面側之金屬板。 上述半導體裝置及半導體元件搭載用基板乃具有至少 _----------------訂------^ ί (請先《讀背面之注意事項再填寫本w ) 本紙張尺度逍用中國國家梂隼（CNS ) Α4说格（210X29?公釐） -11 - 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 f 419797 , A7 B7_五、發明説明（9 ) 包含有第1之金屬層，及做爲該載置層之機能之第2金展 層之多層構造。將全部由金屬所構成之可能抽拉加工之配 線構成體接著於樹脂基板，同時在該樹脂基板上形成，備 有預先規定之傾斜角度範圍內之坡度之壁面之上述凹部’ 留存上述之第1金屬層而去除其他之金屬層，由而沿著該 基板表面至上述凹部之基板壁面地配置形成，埋入於上述 基板表面及上述凹部之基板壁面之，由：連接於設置於上 述凹部所開口側之該基板表面之外部連接端子之外部連接 端子部*及與上述搭載之半導體元件連接之內連接端子部 ，以及上述外部連接端子部與上述內連接端子部之間之配 線部所構成之配線，而製造。 將上述可能抽拉加工之配線構成體壓接，接著於樹脂 基板，留存第1之金靥層而去除其他金屬層時•第1之金 屬層之配線之不接觸於其他之金屬層之3面乃被埋入於樹 脂基板，接觸於配線之其他之金靥層之1面乃以樹脂基板 之同一面地會露出，本發明中，配線之埋入乃代表下述之 意義。 上述可能抽拉加工之配線構成體中，該第1之金屬層 之配線之接觸於其他之金屬層之配線面（a )之寬度乃與 配線面（a )之相反面之配線面（b )之寬度相比較時會 變大。本發明中寬度大之配線（a )之面露出，以此面可 供端子之用，因此可以使每單位面積之配線密度增大，可 能達高密度化。 關於可能抽拉加工之配線構成體乃以，至少包含做爲 <請先W讀背面之注意事項再填寫本萸) 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) A4洗格（210X297公嫠） -12- 419797 A7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印装 B7_五、發明説明（10 ) 配線之機能之第1金靥層及做爲其載置層之機能之第2金 屬層之多層構造之方式，或由：一片之金屬箔之一面介著 規定之抗蝕劑花樣施予半蝕刻而形成配線而做爲配線之機 能之第1金屬層，以及做爲其載置層之機能之第2金屬層 所成之構造亦可以》 將上述可能抽拉加工之配線構成體壓接於樹脂基板而 予以接著，留存第1之金屬層而去除其他之金屬層時留存 其他之金屬層之一部份，例如內連接端子部，外部連接端 子部之處所等情形亦可以。 上述凹部乃以對應於它之凸形之壓製成形者，將它本 身或該凹部再加以削面加工以資形成供半導體晶片1之收 容部之半導體元件收容部。又凹部即以設置複數之級階方 式亦可。 又對上述凹部或將該凹部予以削面加工而形成之半導 體元件元件收容部之深度乃使之大於所搭載之半導體晶片 1之厚度爲宜β 又對於上述凹部施予削面加工時，即施予該削面加工 之後才去除其他之金靥層（載置層）之構成亦可以。 又本實施形態中，設置配線2之傾斜部之傾斜角度乃 定於在下面詳述之該裝置用基板之製造方法之對應於製造 條件地予以設置之預先規定之角度範圍內。 更具體的說，上述凹部壁面之傾斜角度定爲5〜4 0 度以下，又更合宜爲5〜2 5度，又最合宜爲5〜1 8度 ，此傾斜角度乃不但是對應於使用於壓製加工之沖壓模加 (婧先閲讀背面之注意事項再填寫本黃> 訂 Λ 本紙張尺度速用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13 - 經濟部中央標窣局貝工消费合作社印装 1 419797 A7 _ B7_五、發明説明（11 ) 工之模突起部之形狀，也對應於形成於配線2所使用之可 能抽拉加工之配線構成體（轉印用金屬箔）之物性及凹s/ 壓製成型之製造條件等所決定•傾斜角度乃代表最大傾斜 角度》 又使用傾斜部之高度G及水平距離L來表示時（參照 圖1 )即，關於本實施形態之半導體裝置之傾斜部份即 1.5<L/G<10。 更合宜爲2<L/G<10，最合宜爲3<L/G< 10。 又上述級階之深度乃以應收容之半導體晶片1之厚度 之3 0 %爲宜。 半導體晶片1之厚度一般係〇 . 2乃至0 . 5mm所 以級階深度至少須要0.06乃至0.15mm* 級階之深度乃由電極5之高度也不同，如圖1〜圖4 所示以焊錫球做爲外部電極5時，由焊錫球之大小而餘裕 度將不同，例如焊錫球之直徑爲0 . 7mm程度時，實施 低的引線連接，將密封樹脂4之高度抑制於0.2mm程 度即可充分保持封裝與母基板之間隔*惟焊錫球之直徑爲 0 . 4mm以下時，即不設凹部而保持封裝（殻體）與母 基板之間隔會很困難* 又不使用焊錫球之LGA ( Land Grid Array )時須在 凹部內設置引線連接部。 在半導體晶片1之絕緣基板7上，如設正方形長方形 之級階高度差時，其角隅部最容易破斷》又雖不至於破斷 t讀先閲讀背面之注$項再填寫本買) —衣. 订 本紙張尺度適用中國國家糅準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐} · 14 - A7 B7 經濟部中央橾率局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（12 ) 也受很大的變形，因此在於角隅部設配線時會引起長期時 可靠性會有問題之可能，所以在該處不設配線爲宜，如果 需在角隅部設配線，角隅部上設R即可以》 又在絕緣基板7之凹部，對於該基板之厚度方向能位 於中央部地搭載半導體晶片1»因此可以當在發生溫度循 環時之該半導體裝置之蹺變抑制於最小· 另一方面將半導體元件由中央部偏倚地搭載時*乃與 基板之剛性與密封樹脂之硬化收縮量有關係，在基板厚度 之3 0 %之偏倚之情形下》仍然可確保可靠性。 又半導體晶片1之收容部乃，在藉壓製加工之凹部形 成再加上例如圖1或圖4所示，對於凹部內再施予削面加 工而可製作種種規格之半導體元件搭載用基板，削面加工 乃在印刷配線基板上一般性的實施者，因此藉端銑刀而機 械的實施•加工尺寸即XY Z方向均能精密地控制。 本實施形態時，削面加工深度需要維持於收容晶片之 厚度之0.5倍至2.5倍之範圍內。這是受引線接觸之 容易性之關係。在於高度低之低環引線連接時，晶片側連 接位置與基板側連接位置之高度乃變化少者爲宜。 削面加工面之狀態會影響至半導體晶片1之接著及密 封樹脂4之接觸。以布狀之連續玻璃纖維來形成搭載半導 體晶片1用之絕緣基板7時，在削面加工面而玻璃纖維及 樹脂有剝離之情形|在此情形時，對於削面加工面之密封 樹脂或模連接樹脂之濡順性不佳，接著力弱。不織布時即 其玻璃纖維乃短纖維，其削面加工面平滑，所以對於削面 « 背. 面' 之 注
I 訂 \ 本纸張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4現格（210X 297公釐} - 15- 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7_五、發明説明（13 ) 加工面之密封樹脂或模連接樹脂之濡順性良好’接著力強 〇 關於製造方法之詳狀將於下面再說明。 再者，亦可以在絕緣基板7之中心部形成收容半導體 元件不充分厚度之凹部及配線，再對於該凹部施予削面加 工於削面加工時切斷配線2之一部份，使配線2之端部能 到達於藉由削面加工所形成之凹部之.構成亦可。 又如圖3所示，在絕緣基板7之中心部形成可收容複 數之元件之凹部及配線2，在該凹部搭載複數之半導體元 件或受動元件等之構成亦可以。配線2乃使用於凹部內之 半導體晶片間之配線及凹部與凹部外之配線* 再者，如在凹部之壓製形成時，將金屬板設置於背面 側時即同時成一體地形成具有散熱層等之機能之可能之金 屬部。 又如圖4所示，在安裝於絕緣基板7之背面之金屬板 8實施削面加工，在削面加工之凹部之底面露出金屬層之 構成亦可以。在爲了露出金屬層之削面加工上採用端銑刀 時須對金屬面銑進，所以須要加厚金屬板8，使用薄的金 屬層時，實質上採用端銑刀加工時板厚精度之補正很困難 |惟單獨使用或併用雷射加工，電漿加工*樹脂蝕刻加工 而可製作。又對於須削面加工之部份予以挖空加工*接著 別的基板或金屬板來形成亦可以》 下面參照圖5〜圖8說明本實施形態之半導體裝置之 製造方法。 (请先聞讀背面之注意事項再填寫本肓) 本纸張尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐）--J6- 經濟部中央樣準扃負工消费合作杜印製 A7 B7五、發明説明（Η ) 說明第1之例 依本例之製造方法中’首先爲形成包含配線2之配線 用之轉印用金靥箔而使用例如圖5或圖6所示，在厚度 3 5 pm之銅箔（載置層）1 〇上’以電鍍形成〇 · 5 Aim之錬層1 1，又再形成之銅范12之二層構造 箔。此銅箔乃日本電解（株）所製。- 又本發明中轉印用金靥箔乃只要全部以金屬所構成不 含一些樹脂等:即可上述構造以外者亦無妨。即轉印用金屬 箔至少具有載置層（本例中銅箔10)，及配線層（本例 中銅層1 2 )即足，載置層與配線層爲由同種之金廇所構 成時，即於層間設置由不同種之金靥所成之遮屏層（本例 中鎳合金11)，又載置層乃在後過種中以蝕刻來去除。 載置層亦可留存一部份應用做端子之用。 又轉印用金屬箔乃須具有於製程溫度領域（壓製溫度 150 °C〜250 °C)中，2%以上之破斷延伸率（破斷 延伸率乃100%以下爲宜）* 轉印用金屬箔乃規定其載置層之厚度以0 . 0 1 〇 mm〜〇 . 050mm之範圍*如果比它薄，即處理上困 難。比它厚即很難順從於壓製模之形狀。載置層乃在轉印 過程之壓製之直前，將沒有形成配線之面施予前面蝕刻， 使之做成較薄者》 本例中，將供配線構件之厚度5 //m之銅層1 2，藉 由通常之光致抗蝕劑法形成抗蝕劑圖樣，而施予蝕刻，蝕 ^ ---------^------iT---------------- (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中8國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐> 17 · 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 '419797 A7 __B7___五、發明説明（15 ) 刻液需具有可蝕刻銅，不蝕刻鎳之選擇性’在印刷基板業 適用之鹸性蝕刻液即很合宜，厚度3 5 之載置層1 0 以抗蝕劑來防止其受蝕刻。 以圖7所示之構成，溫度180t壓力2·5kg/ cm2，二小時加熱加壓備有圖樣之銅箔1 0〜1 2 >圖7 中，在沖壓上模1 3與沖壓下模1 7之間，由上依序配置 了複數之鋁箔1 8，三層構造之具有.圖樣之銅箔（銅箔 10，鎳合金11，銅配線12)，複數之玻瑀布含浸叠 層體1 4，不織布含浸叠層體1 5 *玻璃布含浸叠層體 1 4，以及用做金屬板之銅箔1 6之構成》 沖壓上模1 3之突起部1 3 a乃其斷面呈台形形狀， 其高度0 . 1 5mm *其側面坡度角度爲45度。在模與 銅箔1 6之間夾三張厚度2 5 之鋁箔1 8做爲緩衝層 ，而施予壓製加工，含浸疊層體乃使用玻璃布等含浸了耐 熱環氧樹脂之日立化成工業（株）製者》 本例中厚度0 . 1mm之玻璃布含澄叠層體14 —共 用八張，又使用玻璃纖維之厚度0.2mm之不織布含浸 疊層體1 5 —張，此不織布含浸叠層體係插入於玻璃布含 浸叠層體之6張與7張之間*以此條件所製作之玻璃環境 基板乃供切取多數個單元之用，多數地形成有同一配線及 凹部，將它以前述之鹼性蝕刻劑而全面地蝕刻去除載置銅 箔1 0，接著以鎳選擇蝕刻液而蝕刻去除鎳層1 1。 由以上之條件而在於，於厚度1.〇mm之板上備有 0 . 1 5mm之凹部，在包含凹部之表面層連續地形成配 本紙張又度逍用中圉國家樣準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）~. 18- 先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部中央標準局貝工消费合作社印«. ! 419797 a? _ B7_五、發明説明（16 > 線，對此基板再以端銑刀裝置而，從凹部而調整深度起見 ，再銑製到0 · 5 5mm深度，加工成可裝置半導體晶片 。以通常之方法設置焊錫抗蝕劑層，在端子部電鍍鎳1 5 //m，金 0 . 厚度。 於是在該凹部接著厚度0.28mm之半導體晶片1 ，以引線連接來連接。以液狀樹脂4來密封半導體晶片1 與引線連接部（引線3及配線2之內.連接端子部），裝置 焊錫球5之後切斷分離成個片形成半導體裝置。 以上述之製造方法可獲得例如圖1所示之構造，依本 構造時可製造近乎晶片尺寸之比較小之封裝件，可製作晶 片尺寸之封裝件（CSP)。 說明第2之例 在本例之製造方法中，亦準備，厚度3 5 之銅箔 (載置箔）上，以電鍍形成05#m之鎳層•又形成5 之銅層之三層構造箔，此銅層乃日本電解（株）製。 對於上述厚度5 jt/m之銅層，藉由通常之光致抗蝕劑 法形成抗蝕劑圖樣而施予蝕刻*蝕刻劑液乃須具有對鎳不 蝕刻對銅蝕刻之選擇性，在印刷基板業常用之鹼性蝕刻劑 乃很適宜，厚度3 5 之載置箔以抗蝕劑來保護使之不 會被蝕刻。 以圖8所示之構成，將由銅箔1 0，鎳合金1 1及銅 層1 2所構成之具有圖樣之銅箔，以溫度1 8 0°C，壓力 2 5 k g / c m 2加熱加壓2小時。 本纸張尺度速用中國困家樣準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐)~~- 19- nf ^^1 m ^—t I ^^^1 i 1··^*J - . (诗先聞讀背面之注項再填寫本頁) 419 了 97 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 五、發明説明（17 ) 圖8表示，在沖壓上模1 3與沖壓下模i 7之間配置 了銘箱1 8 ’三層構造之具有圖樣之銅箔（銅箔1 〇 ’鎳 合金11’銅層12)，玻璃布含浸叠層體14,具有多 數之挖空部之含浸叠層體1 9，複數之玻璃布含浸疊層體 14 ’以及做爲金屬板之銅箔16上構成。 沖壓上模1 3之突起部之高度爲0 . 5mm，該側面 之坡度之傾斜角度乃以3 0度來製作.，模與銅箔之間夾入 厚度2 5 /zm之鋁箔一張做爲緩衝層而予以壓製。 含浸叠層體乃使用在玻璃布含浸了耐熱環氧樹脂之日 立化成工業（株）製者。 製作挖空相當於上述壓製上模13之突起部之部份之 含浸疊層體，而將相當於突起部之高度之份用做層構成* 本例之突起部高度0 . 5mm時，使用厚度0 . 1mm之 挖空之含浸叠層體五張，沒有挖空之含浸叠層體五張。 以上述之條件所製作之玻璃環氧基板乃供採取多個單 元之用，多數地形成同一配線及凹部，將它以前述之鹸性 餓刻劑而對搭載銅箔1 0施予蝕刻全面的予以去除。接著 以鎳選擇蝕刻液而蝕刻去除鎳層1 1 · 由上述形成厚度lmm之板備有深度0.5mm之凹 部，而可在包含凹部之表面層連續的形成配線•以通常之 方法設置焊錫抗蝕劑層’而在端子部電鍍了鎳5 //m，金 0 . 5 仁 m « 將半導體晶片1接著於該凹部’而以引線連接來連接 ，以液狀樹脂4來密封晶片及引線連接部’裝置焊錫球5 ---------*米------"*------Λ {讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS)A4规格（210x297公釐）-20- 4 丨 9797 A7 B7五、發明説明（18) 之後切斷基板*使之成爲個片之半導體裝置。 依本例之製造方法即可獲得例如圖2或圖3所示，在 基板之背面再安裝了金屬板之構造，依本例之構造即由於 傾斜部之傾斜角度小，因此傾斜部變長，而封裝尺寸會變 大，惟不需要削面過程由而可能低成本化，又如圖3所示 ，具有收容之複數之晶片，該晶片間之配線也同時可能形 成之效果· 說明第3之例' 在本例之製造方法中，準備在厚度3 5 jum之銅箔（ 載置箔）上以電鍍形成0 . 5jum之鎳層，又形成5em 之銅層之三層構造箔，此銅箔乃曰本電解（株）製者。 對於上述厚度5 之銅層，藉由通常之光致抗蝕劑 法形成抗蝕劑圖樣而施予蝕刻，蝕刻劑液乃須具有對鎳不 蝕刻對銅蝕刻之選擇性蝕刻，在印刷基板業常用之鹼性蝕 刻劑乃很適宜，厚度3 5 jt/m之載置箔即以抗蝕劑來保護 使之不會被蝕刻。 以圖9所示之構成，將此具有圖樣之銅箔，在溫度 180°C，壓力25kg/cm2加熱加壓二小時。 圖9所示，在於沖壓上模1 3與沖壓下模1 7之間， 由上方依序配置鋁箔1 8，三層構造之具有圖樣之銅箔（ 銅箔10，鎳合金11，銅層12)，複數之玻璃布含浸 疊積體1 4，1 9及做爲金屬板之銅板1 6 /之構成。 模之突起部之高度爲0 . 2 0mm，側面之坡度之傾 本纸張尺度適用中SS家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）-21 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 __B7__五、發明説明（19 ) 斜角度即以3 0度來製作，在模與銅箔之間夾入厚度 2 5 2之鋁箔1 8—張做爲緩衝層而施予壓製加工· 含浸叠層體即在玻璃布中含浸耐熱環氧樹脂之日立化 成工業（株）製者，使用厚度〇 . 1mm之含浸叠層體六 張，在第二張及第三張之含浸叠層體1 9挖空加工相當於 模突起部。又在基板之背面側配置了厚度0 . 4 Omm之 施予接著粗糙化處理之銅板而施予壓.製加工，壓製加工後 之總厚度即1.0mm。 依上述條件所製作之玻璃環氧基板乃做成可切成多數 個單元，多數地形成同一配線及凹部，將它以前述之鹼性 蝕刻劑來蝕刻載置銅箔而全面地予以去除。接著以鎳選擇 蝕刻液來蝕刻鎳層而去除鎳層。 依上述而得於形成在厚度1.0mm之板上，具有深 度0 . 2 0mm之凹部，而含有凹部之表面層連續的形成 配線。又以端銑刀裝置將此基板銑製到0.65mm深度 ，加工成可以裝置半導體晶片狀，以通常之方法設置焊錫 抗蝕劑層，而在端子部電鍍鎳5 //m，金0 . 5 jwm之厚 度。 在該凹部接著半導體晶片而以引線連接來做連接，以 液狀樹脂4來密封晶片及引線連接部，裝置焊錫球5之後 ，切斷分離成個片做成半導體裝置。 依本例之製造方法即可獲得例如圖4所示之構造，依 本構造時，即以一括壓製加工而可能做散熱板之組合’可 以提供可達成低成本’高可靠性’低廉’很容易使設計及 HI ^^^1 ^ur ^^^1 HI m In ^^^1 n^i 1^1 ^^^1 -. ^ . (诗先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺A逍用中®國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐）-22 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印«. A7 B7___五、發明説明（2〇 ) 製造方法之標準化之搭載半導體元件之半導體元件搭載用 基板及其製造方法，以及在半導體元件搭載用基板上實裝 了半導體元件之半導體裝置。 下面參照圖10〜圖16說明依本發明之半導體裝置 ，基板及製造方法之其他實施形態" 本實施形態之半導體裝置即在配線基板之一部份設置 凹部，而在此凹部裝置半導體晶片而成之半導體裝置’在 配線基板之包含凹部之配線基板表層部埋入有連續之配線 導體》 更具體的說明之，即，在具有高度不同之二個以上之 表層部之配線基板中，例如如圖1 0所示，在第1之表層 設置，與外部連接端子5連接之外部連接端子部，在第2 之表層部設匱與半導體晶片1連接之內連接端子部，第1 之表層部與第2表層部間有0.05mm以上之級階高度 差，在第1之表層部及第2之表層部及其中間部之表層埋 入了連續之配線導體而形成配線2之配線基板。 此配線基板乃由在銅等之金靥箔設置配線導體，而在 該金屣箔接著樹脂層之時同時地形成凹部之製造法而可實 現· 又實現它之方法有，疊合設有配線導體之金屬箔及含 浸樹脂之複數之玻璃布而予以壓縮，形成凹部之配線基板 之製造方法中，預先去除對應於凹部之玻璃布之一部份之 後予以壓縮而可製造。 又本實施形態之其他之態樣乃，在備有凹部之配線基 ---------.农-- -, -\ _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐）· 23 - i 419797 經濟部中夬標準局負工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明（21〉 板中，如圖1 1所示，在引線連接部及晶片接著部之二級 階地形成凹部之配線基板及其製造方法’在此形成二級階 之凹部之方法中第1級階乃使用備有凸部之沖壓模而壓縮 含浸（樹脂）叠層體而形成凹部，而第二級階即以削面加 工而可形成。 * 在一張之配線基板設置多數之凹部，而在各凹部裝置 晶片，以密封樹脂’裝置焊錫球後，.施予切斷分離由而可 以製造半導體裝置。 圖1 0〜1 3即本實施形態之典型的半導體裝置之剖 面圖- 標號1爲半導體晶片，2爲配線，3爲引線，4爲密 封用樹脂，5爲外部端子電極，6爲表面絕緣層* 7爲絕 緣基板，8爲金屬板，9爲絕緣板。 如圖1 1所示，凹部之一部份乃貫穿孔亦可以，此半 導體裝置乃如圖1 2，1 3所示，背面即得於金屬板8 ’ 絕緣板9來支撐。 以圖1 4說明依本實施形態之半導體裝置之製造方法 之一例。 準備在厚度3 5 之銅箔（搭載箔曰本電解（株） 製）10上，以電鍍形成0 _ 5jum之鎳層11，又形成 5 jum之三層構造箔。以通常之光致抗蝕劑法形成抗蝕劑 圖樣施予蝕刻形成配線導體1 2。 蝕刻液乃須要具有不能蝕刻鎳而可蝕刻銅之選擇性， 在印刷基板業界廣用之鹸性蝕刻液即很合宣’厚度3 5 ---------.衣------訂------ΛΊ -- .Λ - / {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國园家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐）-24 - 經濟部中央標隼局工消費合作杜印製 4 1 9 7 q 7 ' A7 _ B7_五、發明説明（22 ) 之載置箔即以抗蝕劑保護使之不會被蝕刻。 以圖1 4所示之構成，對於此具有圖樣（配線導體 1 2 )之銅箔在溫度1 8 0°C壓力2 5 k g/cm2加熱加 壓二小時。 模1 3之突起部爲0 . 1 5mm，突起部之坡度即以 9 0度來製作. 在模1 3，1 7與銅箔1 0，1.6之間插入厚度50 之鐵氟龍片（杜邦製）（不圖示）而加以壓製。含浸 叠層體（不控空）1 4即使用對玻璃布含浸耐熱環氧樹脂 之曰立化成（株）製* 以此條件所製作之玻璃環氧基板乃採用可切取多數個 單元之方式，多數地形成有同一配線及凹部*以上述之鹸 性蝕刻液而對載匱箔施以蝕刻全面地予以去除。 接著以鎳選擇蝕刻液而對鎳層施予蝕刻去除。 以上述之條件在厚度1mm之基板備有0 . 1 5mm 之凹部，而在包含凹部之表面層連續地形成配線。對於此 基板又以銑刀裝置而銑製0.5mm之深度，加工成可裝 置半導體晶片1狀後，切斷成個片，將半導體晶片接著於 凹部，以引線連接方式連接，以液狀樹脂密封半導體晶片 1及引線連接部製成半導體裝置。 參照圖15說明依本實施形態之製造方法之其他例。 將如上述圖1 4之例同樣之具有圖樣之銅箔1 〇 ·使 用圖15所示之構造，以溫度180乞·壓力25kg/ cm2加熱加壓二小時。本例中模13之突起部爲0.5 ‘ ---------衣-- (婧先W1*背面之注意事項再填寫本頁) -訂 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS } A4规《格（210X297公釐）-25- 鲤濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 4^9797 a? __Β7__五、發明説明（23 ) mm，突起部之坡度爲4 5度來製作。 在模13，17與銅箔10，16之間插入厚度50 //m之鐵氟龍片（杜邦製）做爲緩衝層而施予壓製· 含浸（樹脂）叠層體1 4即使用在玻璃布含浸耐熱環 氧樹脂之日立化成（株）製。製作了挖空相當於模突起部 之部份之含浸叠層體15，而將相當於突起部之高度份做 爲層構成。 如本例，突起部高度0 · 5mm時即使用厚度0 . 1 m m之挖空含浸叠層體1 5五張，及沒有挖空之含浸叠層 體1 4五張。 依此條件所製作之玻璃環氧樹脂基板係供切取多數個 單元者，形成有多數之同一配線及凹部。將它以前述之鹸 性蝕刻液全面地去除載置銅箔*接著以鎳選擇蝕刻液而蝕 刻去除鎳層 以上述條件在厚度lmm之基板工具有0 . 5 mm深 之凹部之包含該凹部之表面層連續的形成配線，於凹部接 著半導體晶片1 ，以引線連接方式連接，以液狀樹脂密封 半導體晶片1及引線連接部，裝置焊錫球5之後，切斷基 板做成個片之半導體裝置。 參照圖16說明依本實施形態之製造方法之其他例子 〇 將上述圖1 4之例之同樣之具有圖樣之銅箔1 0，以 圖1 6所示之構成，以溫度1 80°C，壓力25kg/ c in 2加熱加壓二小時。 ---------农-- (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 26 - A7 B7 419797 五、發明说明（24 ) 模13之突起部爲0·5mm，突起部之坡度爲45 度來製作。 n ^^1 ί i^v ^^1 HI I m ^^^1 ., ·-,- , (讀先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 模13，17與銅箔10，16之間插入厚度50 //m之鐵氟龍片（杜邦製）（不圖示）而施予壓製，含浸 疊層體乃使用，在玻璃布含浸耐熱環氧樹脂之曰立化成（ 株）製。 對於厚度0 · 5mm之玻璃環氧.基板1 8 >挖空相當 於模突起部之部份。此時將厚度0 · 1 mm之不挖空之含 浸疊層體1 4置於一張玻璃環氧基板1 8 -與具有圖樣之 銅箔1 0之間，在玻璃環氧基板1 8 /之下部即使用三張 含浸叠層體1 4。 依此種條件所製作之玻璃環氧基板係採用可切成多數 之個片單元，多數的形成同一配線及凹部》將它以上述之 鹼性蝕刻液而對載置銅箔施予蝕刻而全面地予以去除。接 著以鎳選擇蝕刻液來去除鎳層。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 以上述之條件，在厚度lmm之板，備有0.5mm 之深度，包含凹部之表面層連續地形成了配線，在其凹部 接著半導體晶片1，以引線連接方式連接，以液狀樹脂來 密封半導體晶片1及引線連接部，裝置焊錫球之後，切斷 基板製作爲個片之半導體裝置。 依以上之本實施形態時，即得以簡單的構造且以簡單 的製程，以低成本即可製造半導體裝置。 下面參照圖1 7〜圖2 0說明依本發明之半導體裝置 ，基板及製造方法之其他之實施形態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 * 419797 A/ ________B7_五、發明説明（25〉 依本實施形態之半導體裝置乃，如圖1 7所示*具備 有：半導體晶片1，及具備用於搭載半導體晶圓1用之半 導體元件收容部之絕緣基板7，及電氣的連接於形成於絕 緣基板7之表面之半導體晶片1，同時實裝時與外部連接 之外部電極5，以密封收容半導體晶片1之半導體收容部 之密封樹脂4，再具備在於半導體晶片1連接用之引線3 與外部電極5之間*設置級階高度差用於連接該級階高 度差間之沿著傾斜部所配置之配線2。又圖7之標號6乃 表示形成於絕緣基板7之表面之表面絕緣層。 本實施形態之半導體裝置乃例如以下述之圖2 0之製 造方法所製造之具有凹部之半導體元件搭載用基板上，再 對於該凹面之底面施予削面加工來形成用於搭載半導體晶 片1之半導體元件收容部。 又基板之凹部之壁面傾斜角度即使之較4 5度緩和之 角度《此傾斜角度乃由用於沖壓成型之模之突起部之傾斜 角度，用於轉印之銅箔（載置層）1 0之剛性，沖壓壓力 之平衡等所決定者。 本實施形態之半導體裝置並不侷限於圖1 7之例》例 如如圖1 8所示，不在凹部壁面而是在於凹部之底面設置 配線2同時在其下方夾著絕緣層而設置了接地層18 0 1 之多層構造亦可以，又具備連接接地層1 8 0 1與外部電 極5之層間連接部1 8 0 2之構成亦可以。 本實施形態中之接地層1 8 0 1之形成方法及層間連 接之方法並不特別限定•例如將做爲接地層1 8 0 1之銅 本紙i尺度適用中圃國家搮準（CNS > A4规格（210X297公釐)~~.98 - ---------..衣------訂-------t,Y- - * ·-. . <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 419797 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（26 ) 箔或銅圖樣，與形成之配線基板對向’而在其間夾入含浸 樹脂疊層體等之絕緣接著片’再疊層含浸樹脂疊層體施予 壓製形成多層構造之基板。 參照圖1 9，圖2 0說明依本實施形態之半導體元件 搭載用基板之製造方法之例子· 本實施形態之製造方法中與上述二個實施形態之製造 方法其基本的構成乃同樣。下面即主要對於不同部份加以 說明，對於同樣部份即省略其說明* 又在本例之製造方法中乃與上述實施形態一樣，該形 成配線2用之轉印用金饜箔而使用由厚度2 5 之銅箔 (載置層）1 0，及成爲配線層之銅層1 2 *以及載置層 1〇與銅層12之間之遮屏層11所構成之三層構造箔， 又在圖中將11，12之二層合併表示。 本例中即如圖1 9所示將此具有圖樣之銅箔1 0〜 12，以溫度190 °C之熱盤1901及頂板1902而 挾持，以壓力3 0 k g/cm2加熱加壓•在此例中沖壓上 模1 3與沖壓下模之間，由圖之上方依序配匱了一張鋁箔 1 8，三層構造之具有圖樣之銅箔1 0〜1 2，複數張之 含浸樹脂疊層體1905，1906以及厚度之 銅箱1 6。 沖壓上模1 3之突起部之剖面乃呈台形形狀，其側面 之坡度角度係3 0度》含浸樹脂疊層體1 9 0 6之對應於 沖壓上模1 3之部份乃被開窗，配置於由上面之第2序張 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格·（ 210X297公漦）-29 - 419797 經濟部中央標準局貝工消费合作社印— A7 B7_五、發明説明（27 ) 又本實施形態之製造方法並不侷限於圖19之例子， 例如如圖2 0之構成亦可以。 即以溫度1 9 OeC之熱盤1 9 0 1及頂板1 9 0 2來 挾持具有圖樣之銅箔1 ◦〜12，以壓力2〇kg/cm 來加熱加壓。本例中即在突起部側面之坡度角度爲4 5度 之沖壓上模1 3與沖壓下模1 7之間，由上面依序配置三 張包括鋁箔18,厚度35；im之銅.箔1 0之三層構造箔 10〜12，一張之開窗之含浸樹脂叠層體1906，複 數張之含浸樹脂疊層體1 9 0 5以及厚度5 之銅箔 16° 依上述圖2 0之製造方法時可製造如圖1 7所示之備 有緩和之傾斜角度之壁面之凹部之半導體裝置。 本發明之半導體元件搭載用基板乃，於具備有圖2 1 (a)，圖22(b)所示之凹部之半導體元件搭載用基 板中，備有沿著該基板表面及上述凹部之基板壁面所配置 之配線，上述配線乃由：連接於配置於上述凹部所開口側 之該基板表面之外部連接端子之外部連接端子部，及與上 述搭載之半導體元件連接之內連接端子部，及上述外部連 接端子部與上述內連接端子部間之配線部而構成，上述配 線乃埋入於上述基板表面及上述凹部之基板壁面，上述內 連接端子部乃據位於上述凹部內之位置者。‘ 在圖21 (a) *圖22 (a)中，標號7爲絕緣基 板，2爲埋入於基板表面及上述凹部之基板壁面所彤成之 配線。在圖2 1 ( a )之半導體元件搭載用基板上在凹部 {讀先《讀背面之注意事項再4寫本育) i衣. 訂 本纸張尺度適用中國固家標率{ CNS } A4規格（210X297公釐）-30- 經濟部中央操準局肩工消費合作社印装 419797 A7 _B7_五、發明説明（28 ) 之中央部形成有貫穿孔. 在圖21 (b)揭示使用此基板之半導體裝置，在圖 2 1 (b)中，標號1即接著於基板之狀態地搭載之半導 體元件，4係密封樹脂，5係外部連接端子。在基板凹部 形成有配線之內連接端子部，以樹脂來密封•此基板即以 前述之方法而可製造。 圖2 2 ( a )之半導體元件搭載用基板上凹部乃形成 於兩端之構造，以可切成多數個個體之單元來製造基板， 由凹部來切斷來製造出個體單元，在圖22 (b)掲示使 用此基板之半導體裝置，圖22(b)中，標號1乃以接 著於基板之狀態而搭載之半導體元件，4係密封樹脂，5 係外部連接端子在基板兩端之凹部形成有配線之內連接端 子部，而以樹脂密封。 依本發明半導體元件搭載用基板得於可切成多數個體 單元地，即以一括壓製製作多數個也。 圖2 3表示製造可切成多數個個體單元之半導體元件 搭載用基板之過程之壓製構成之剖面圖。標號1 3乃形成 多數之凹模13 a之沖壓上模，17乃沖壓下模，10乃 形成多數組之配線之銅箔，14乃含浸樹脂叠層體。 以圖2 3之壓製構成而在上模•下模之間加熱加壓即 由縱橫均等配置之多數之凸模1 3 a而可一括形成多數之 凹部，同時配線1 2乃由基板表面之外部連接端子部而介 經凹部之壁面而連續地埋入形成於凹部內之內連接端子部 。此時基板表面之外部連接端子部乃*由於有形成相鄰接 ---------,衣------訂------Λ 1 -.· - . ... (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家揉準（CNS > Α4規格（210X297公釐）· 31 ·
419T9T 娌濟部中央楯隼局兵工消费合作社印裂 A7 B7_五、發明説明（29 ) 之凹部所以均等地受張力。而將壓製前之平面之位置保持 於高精度（尺寸之高安定性）* 即由本發明之半導體元件搭載基板之可切成•多數個個 體單元之設計而不會發生外部連接端子部之位置之偏倚地 可實施凹部形成，又爲了最外側之基板’在上模1 3之緣 外周設置暫設凸模1 3 b (暫置突起部）而不但可防止最 外側基板之外部連接端子部之位置之偏倚，也可防止含浸 樹脂叠層體之樹脂之流出。又切成多數之個體單元係以7 X 7以上爲宜》 如上所述本發明乃由：包括準備備有縱横均等配置之 多數之突起部之沖壓上模，與上述突起部對準（定位）位 置之規定之配線，及由載置金屬箔所成之配線構體，含浸 樹脂疊層體，沖壓下模之壓製構成之製程，而以沖壓上模 沖壓下模之間實施壓製加工，由而在被壓製之含浸樹脂叠 層體而成之基板上一括形成多數之凹部，同時將上述規定 之配線埋入於上述基板表面及上述之凹部之基板壁面之製 程，去除上述載置金屬箔之製程，搭載半導體元件之製程 ，以樹脂密封凹部之製程，形成外部連接端子之製程，以 及將它切斷分離爲個體單元之製程而可製造半導體裝置也 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明之半導體封裝之剖面構成之一例 之剖面圖。 本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS > A4规格（210X297公釐）· 32 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 I 419797 A7 B7五、發明説明（3〇 ) 第2圖係表示本發明之半導體封裝之剖面構成之他例 之剖面圖。 第3圖係表示搭載複數之半導體元件之本發明之半導 體封裝之剖面構造例之剖面圖" 第4圖係表示使之具備高散熱機能之本發明之半導體 封裝之剖面構造例之剖面圖。 第5圖係表示全部由金屬所成之抽拉可能之配線構成 體之剖面構造例之剖面圖。 第6圖係表示全部由金屬所成之抽拉可能之配線構成 體之其他剖面構造例之剖面圖。 第7圖係表示壓製成型時之材料構成，將不織布含浸 樹脂疊層體用於構成中之例子之說明圖。 第8圖係表示壓製成型時之材料構成，使用將含浸樹 脂疊層體挖空之構成時之構成之說明圖* 第9圖係表示爲了高散熱構造用之壓製成型時之材料 構成，將金屬板使用於背面之例子* 第10圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 〇 第11圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 〇 第12圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 第13圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 —^ϋ ml ^^^1 ί. n^i -' · (請先《讀背面之注意i項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A45SJ4· ( 210X297公釐）· 33 - .41 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（31 ) 第1 4圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之他例之剖面圖· 第1 5圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之他例之剖面圖。 第1 6圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之他例之剖面圖。 第1 7圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 第1 8圖係表示本發明之半導體裝置之他例之剖面圖 〇 第1 9圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之他例之剖面圖° 第2 0圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之他例之剖面圖。 第2 1 ( a )圖係表示本發明之半導體元件搭載用基 板之他例之剖面圖。 第21(b)圖係表示本發明之半導體裝置之他例之 剖面圖· 第2 2 ( a )圖係表示本發明之半導體元件搭載用基 板之他例之剖面圖。 第2 2 ( b )圖係表示本發明之半導體裝置之他例之 剖面圖· 第2 3圖係表示本發明之半導體裝置之製造法（壓製 成型）之剖面圖。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁 訂· 本紙張尺度適用中困困家標丰（CNS > A4規格（2丨0X297公藿）-34-

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局更工消费合作社印製 AS B8 C8 ____ D8六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置，主要係在半導體元件搭載用基 板上形成凹部，而在該凹部搭載半導镫元件之後，以密封 用樹脂而予以密封之半導體裝置中，其特徵爲 上述半導體元件搭載用基板乃備有沿著該基板面面及 上述凹部之基板壁面所配置之配線， 上述配線乃由：連接於設置於上述凹部所開口側之該 基板表面之外部連接端子之外部連接端子部，及與上述搭 載之半導體元件連接之內連接端子部，及上述外部連接端 子部與上述內連接端子部之間之配線部，而構成， 上述配線係埋入於上述基板表面及上述凹部之基板壁 面， 上述內連接端子部乃據位於上述凹部內之位置者。 2 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 上述凹部之基板壁面係備有延伸於該凹部之底面方向 之預先規定之傾斜角度範圍內之坡度者。 3 .如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置，其中 上述凹部之基板壁面之傾斜角度在5〜4 0度之範圍 者。 4 .如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置•其中 上述凹部之基板壁面之傾斜構造之高度G與其水平距 離之比L/G乃在1.5CL/GC10之範圍內者。 5 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 上述凹部係由凸型之沖壓成形所構成者。 6 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 請 先： « ， 讀. 背― 面· 之 項 再 填 頁 订 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS >A4规格（210x297公釐）-35- A19T97 A8B8C8DB 經濟部中央揉牟局負工消費合作社印裝 六、申請專利範園 上述凹部乃被複數階級狀地形成者* 7 .如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置，其中 在上述凹部上設有將該凹部再予以削面加工所形成之 收容半導體元件用之半導體元件收容部者· 8 .如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置，其中 上述削面加工而成之半導體元件收容部之深度乃大於 欲搭載之半導體元件之厚度者。 9 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置•其中 據位於該基板表面位置之上述外部連接端子部與上述 凹部內之上述內連接端子部之級階差爲0.5mm以上。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 將搭載於上述凹部之半導體元件之端子與上述內連接 端子部乃以引線連接地予以連接者。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 將半導體元件之端子以背面饋送方式地直接連接於上 述內連接端子部者。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 上述配線係設置於上述凹部之除了角部之壁面領域者 〇 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置*其 中 本纸SUUt逋用t國»家椹準（CNS)A4规格（210x297公釐）"""-36- ,--J—----k.ί <請先《讀背面之注意事項*填寫本頁) 訂 419了97 A8 BS C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印* 夂、申請專利範園 上述凹部乃形成於該基板之主平面之略中心位置， 於上述凹部內，對於該半導體元件搭載用基板之厚度 方向之略中央地搭載半導髖元件者。 1 4 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 在上述凹部內，對於該基板之厚度方向由中央以該基 板之厚度3 0%偏倚以內地搭載半導體元件者。 1 5 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 上述凹部乃於其底面領域備有可以收容之複數之元件 之寬度，'同時形成有對上述複數之元件之配線，而在該凹 部搭載複數之半導體元件及受動元件者。 16 .如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其 中 上述配線乃利用全部由金麕所構成之可能抽拉加工之 配線構成體所形成者， 上述可能抽拉加工之配線構成體係至少含有備有構成 上述配線之第1之金屬層，及擔任該載置層之機能之第2 之金屬層之多層構造者。 1 7 . —種半導體元件搭載用基板，主要乃具備有用 於搭載半導體元件之凹部之半辫體元件搭載用基板中，其 特徵爲： 備有沿著該基板表面及上述凹部之基板壁面所配置之 配線* ---------^ — _ - * , I 一-', * {請先閲讀背面之注意事項再樣寫本頁) 訂 本紙乐尺度速用中國國家椹準（CNS ) A4优格（210X297公釐）-37- 41979 (
    經濟部中央標车局貝工消费合作社印装 六、申請專利範園 上述配線乃由：連接於設置於上述凹部所開口側之該 基板表面之外部連接端子之外部連接端子部，及與上述搭 載之半導體元件連接之內連接端子部，及上述外部連接端 子部與上述內連接端子部間之配線部，而構成 上述配線係埋入於上述基板表面及上述凹部之基板壁 面， 上述內連接端子部乃據位於上述凹部內之位置者。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部之深度乃較所搭載之半導體元件之厚度小， 而將上述凹部之底面，對於該半導體元件搭載用基板 之厚度方向，由中央實施該搭載之該半導體元件之厚度之 0.5乃至2.5倍之範圍內之深度地施予削面加工者· 19.如申請專利範圍第17項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部之深度乃較欲搭載之半導體元件之厚度爲小 ，且對該凹部施予削面加工者， 該至少霣出之削面加工之底面爲由不織布所成之預含 浸樹脂之叠層體予以硬化而成之樹脂層者》 2 0 .如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部乃對於被形成之樹脂層之背面接著金屬板而 構成者。 21.—種半導體元件搭載用基板之製造方法， ---------^-- ' · . . * <請先W讀背面之注意事項再填寫本页) 訂 本紙诛尺度適用t國國家#準（CNS ) A4规格（210X297公釐）-38 · 經濟部中央標率局負工消費合作社印策 1 419797 as B8_S六、申請專利範圍 將且有，至少含有第1之金屬層及擔任該載置層之機 能之第2金屬層之多層構造之全部由金屬所構成之可能抽 拉加工之配線構成體，壓接於樹脂基板予以接著，同時在 該樹脂基板上，形成備有預先規定之傾斜角度範圍內之坡 度之壁面之凹部，而藉留存上述第1之金屜層去除其他之 金饜層，以資沿著該基板表面到上述凹部之基板壁面地配 置形成， 由：連接於設置於上述凹部所開口側之該基板表面之 外部連接端子之外部連接端子部，及與上述搭載之半導體 元件連接之內部連接端子部，及上述外部連接端子部與上 述內連接部端子間之配線部而構成*埋入於上述基板表面 及上述凹部之基板壁面之配線，爲其特徵· 2 2 .如申請專利範圍第2 1項所述之半導體搭載用 基板之製造方法，其中 上述可能抽拉加工之配線構成體之破斷延伸率爲2% 以上。 2 3 .如申請專利範圍第2 1項所述之半導體搭載用 基板之製造方法•其中 上述構成可能抽拉加工之配線構成體之上述載置層之 厚度乃在於0 . 010mm〜〇 . 050mm之範圍。 2 4 .如申請專利範圍第2 1項所述之半導體搭載用 基板之製造方法，其中 上述凹部之基板壁面之傾斜角範圍爲5度以上4 0度 以下， 表紙張XJt逍用中國面家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）-39- ^^^1 m tmj J ^^^1 11· 1^1 m- ^^^1 m·· <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 9 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印製 六、申請專利範圍 上述凹部之深度乃其所收容之半導體元件之至少3 0 %以上· 2 5 . —種半導體元件搭載用基板之製造方法， 主要係，具備有用於搭載半導體元件用之凹部及配線 之半導體元件搭載用基板之製造方法，其特徵爲： 令上述凹部之深度小於所搭載之半導體元件之厚度， 且在該底面施予削面加工， 而在於上述削面加工時，切斷上述對搭載之半導體元 件之配線之一部份，使該配線之端部到達由削面加工所形 成之凹部之端緣部者。 2 6 .如申請專利範圍第2 1項所述之半導體元件搭 載用基板之製造方法， 其中形成上述凹部之後，對於該凹部之底面施予削面 加工，在上述削面加工之後，實施上述其他金屬層之去除 者。 2 7 .如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基板•其中上述凹部之基板壁面係具備有延伸於該凹 部之底面方向之預先規定之傾斜角度範圍內之坡度者。 2 8 .如申請專利範園第2 7項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部基板壁面之傾斜角度爲5〜4 0度之範圍內 〇 2 9 .如申請專利範圍第2 7項所述之半導體元件搭 載用基板*其中 ^:1:!~丨,—^II <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 订 本纸張尺度逋用中《«家揉準（CNS > A4规格（21 〇 X 297公釐）-40 - ^19797 經濟部中央標隼局属工消费合作社印31 A8 B8 C8 D8六、申請專利範固 上述凹部之基板壁面之傾斜構造之高度G與其水平距 離之比L/G爲1.5<L/G<10之範圍內。 3 0 ·如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部乃藉由凸形之沖壓成形所構成》 3 1 ·如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部乃複數級階地形成。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述凹部上，設有將該凹部再施予削面加工所形成之 爲收容半導體元件用之半導體元件收容部者· 3 3 .如申請專利範圍第3 2項所述之半導體元件搭 載用基板，其中 上述經削面加工而成之半導體元件收容部之深度乃， 較欲搭載之半導體元件之厚度大者。 3 4 .如申請專利範圍第1 7項所述之半導體元件搭 載用基k *其中 該基板表面部之上述外部連揆..端子部與上述凹部內之 ! .1-； : _ 1 上述內連接端子部之級階高度差. 0 5 m m以上。 ί Ί 3 5 . —種半導體裝置之製_，具備： ? _ · 準備；具有縱*橫均等地配多數之突起部之沖壓 用上模，與上述突起部定位*由規定之配線及置搭金屬箔 所成之配線構成體，包含預浸叠積·沖壓下模之沖壓構成 {請先W讀背面之注意事項再#寫本貰) 本紙張尺度逋用中國两家揉準（CNS ) A4规格（2丨OXM7公釐）-41 - I 419797 A8 B8 C8 D8 經濟部中失標準局貝工消費合作社印装 六、申請專利範園 之製程， 在沖壓上模與沖壓下模之間實施沖製，對於經壓製而 成之預浸叠積體之基板上，一括形成多數之凹部，同時將 上述規定之配線埋入於上述基板表面及上述凹部之基板壁 面之製程， 去除上述載置金屬箔之製程 搭載半導體元件之製程， 實施凹部之樹脂基板之製程， 形成外部連接端子之製程Pij • "!νΐΐ| 斷分離成爲個片之製程者。 \ 3 6 ·如申請專利範圍第項所述之半導體裝置之 製造 >法，其中 » 祌壓上模之周緣形成暫置突起部者。 3 7 · —種半導體元件搭載用基板，主要乃具備有凹 部之半導體元件搭載用基板中，其特徵爲， 備有，沿著該基板表面及上述凹部之基板壁面所配置 之配線， 上述配線乃由：連接於設於上述凹部所開口側之該基 板表面之外部連接端子之外部連接端子部，及與上述搭載 之半導體元件連接之內連接端子部以及上述外部連接端子 部與上述內連接端子間之配線所而構成， 上述配線乃埋入於上述基板表面及上述凹部之基板壁 面， — 上述內連接端子部內據位於上述凹部內者。 n n^i- ί- In (請先閲讀背面之注意事項再填寫本K > 本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X W7公釐）-42 ·
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