TW202043176A

TW202043176A - 燒成夾具

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Publication number: TW202043176A
Application number: TW109104493A
Authority: TW
Inventors: 古宮山常夫; 松葉浩臣
Original assignee: 日商日本碍子股份有限公司; 日商Ｎｇｋ阿德列克股份有限公司
Priority date: 2019-02-14
Filing date: 2020-02-13
Publication date: 2020-12-01
Also published as: WO2020166565A1; KR20200105930A; JP6948466B2; CN113383204B; JPWO2020166565A1; KR102407421B1; CN113383204A; TWI816975B

Abstract

本發明的課題係提供一種燒成夾具，其與電子元件材料、鋰電池的活性物質材料之反應性低。本發明的解決手段係一種燒成夾具，其具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層。覆蓋層具備：第一層，其被設置在基材表面且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出。第二層在電子元件材料用中係將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之至少一種作為主成分，而在鋰電池的活性物質材料用中係將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。

Description

燒成夾具

本說明書揭示關於燒成夾具的技術。尤其，揭示關於在電子元件材料的燒成、或能用於鋰電池的活性物質材料的燒成所使用之燒成夾具的技術。

專利文獻1中揭示一種燒成夾具，其作為電子元件用陶瓷的燒成夾具，在SiC質基板（第一層）的表面形成Al₂ O₃ －SiO₂ 質的第二層，在第二層的表面形成8Y－ZrO₂ （8wt%Y₂ O₃ －ZrO₂ ）的第三層。第三層係被設置用於防止被燒成物（電子元件用陶瓷）與燒成夾具進行反應。又，第二層係被設置用於防止第三層從SiC質基板（第一層）剝離。更具體而言，第二層係防止通過第三層的氧到達SiC質基板，而抑制SiC質基板的表面氧化。此外，若SiC質基板的表面氧化，則第三層會從燒成夾具剝離。又，專利文獻1中，作為第二層所能使用的材料，除了Al₂ O₃ －SiO₂ 質以外，更列舉出Al₂ O₃ 、Al₂ O₃ －SiO₂ －MgO質、MgO－Al₂ O₃ －ZrO₂ 質。又，作為第三層所能使用的材料，除了8Y－ZrO₂ 質以外，更列舉出Al₂ O₃ 、富鋁紅柱石、ZrO₂ 、Y₂ O。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2003－306392號公報

[發明所欲解決的課題]

一般而言，ZrO₂ 已知為反應性低的材料（難反應性材料）。因此，只要將ZrO₂ 形成在燒成夾具的最表層（頂塗層），則可一定程度地抑制電子元件（或電子元件的原料）與燒成夾具的構成材料進行反應。專利文獻1亦以ZrO₂ 為首，使用上述的第三層（頂塗層）的材料，藉此抑制電子元件與燒成夾具的反應，並在此前提之下，針對第三層從燒成夾具剝離一事思考對策。然而，即使將上述的材料使用作為頂塗層，亦無法完全地防止電子元件材料（電子元件及其原料）與燒成夾具進行反應。因此，為了提高電子元件材料的製造產率，而正要求進一步使與電子元件等的反應性降低之燒成夾具。本說明書之目的在於提供一種新穎的燒成夾具，其與電子元件等（電子元件材料、鋰電池的活性物質材料）的反應性更低。 [用於解決課題的手段]

本說明書所開示之燒成夾具的一形態係用於電子元件材料的燒成。此燒成夾具可具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層。又，覆蓋層可具備：第一層，其被設置在基材表面且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出，且將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之至少一種作為主成分。

本說明書所開示之燒成夾具的另一形態係用於鋰電池的活性物質材料的燒成。此燒成夾具可具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層。又，覆蓋層可具備：第一層，其被設置在基材表面且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出，且將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。

（燒成夾具）本說明書中開示一種燒成夾具，其係用於燒成例如將鈦酸鋇（BaTiO₃ ）作為主成分的陶瓷電容器、及該陶瓷電容器的原料等電子元件材料。又，在本說明書中，亦開示一種燒成夾具，其係用於燒成例如將鈷酸鋰（LiCoO₂ ）作為主成分的鋰電池的活性材料、及該活性材料的原料等活性物質材料。兩者的燒成夾具可具有共通特徵，該共通特徵係所謂具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層。作為基材的厚度，可為0.4～5mm。若為此範圍，則控制基材的熱容量，而可效率佳地燒成電子元件材料或鋰電池的活性物質材料。又，在兩者的燒成夾具中，覆蓋層可具有共通特徵，該共通特徵係所謂具備：第一層，其被設置在基材表面，且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出。在電子元件材料中，第二層可將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之至少一種作為主成分。又，在活性物質材料中，第二層可將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。

此外，所謂「電子元件材料」，例如，不僅包含陶瓷電容器等電子元件成形體，亦包含用於形成該成形體的原料（中間體）。同樣地，所謂活性物質材料」，不僅包含鋰電池的活性材料本身，亦包含用於形成活性材料的原料（中間體）。又，所謂第一層係「將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分」，意指Al₂ O₃ －SiO₂ 質佔構成第一層的原料（化合物）的50質量%以上。例如，第一層除了Al₂ O₃ －SiO₂ 質以外，有時包含小於50質量%的Al₂ O₃ 質。此外，第一層可將Al₂ O₃ －SiO₂ 質包含70質量%以上，亦可包含80質量%以上，亦可包含90質量%以上，亦可僅由Al₂ O₃ －SiO₂ 質（有時包含不可避免的不純物）所構成。

同樣地，所謂第二層的「主成分」，意指佔構成第二層的原料（化合物）的50質量%以上的原料（成分）。例如，在第二層係將Y₂ O₃ 作為主成分之情形，Y₂ O₃ 的質量為第二層的全部質量的50%以上。又，在第二層係將Y₂ O₃ 與HfO₂ 作為主成分之情形，Y₂ O₃ 與HfO₂ 的合計質量為第二層的全部質量的50%以上。此外，較佳為，第二層在電子元件材料中係將Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之任一者作為主成分，而在活性物質材料中係將Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之任一者作為主成分。第二層可將上述原料（化合物）單獨或組合地包含60質量%以上，亦可包含70質量%以上，亦可包含80質量%以上，亦可包含90質量%以上，亦可實質上僅由上述原料（有時包含不可避免的不純物）所構成。

上述的燒成夾具，其第二層（頂塗層）的材料係不同於以往所使用者。作為電子元件材料用的第二層而舉出的材料，係對於一般的電子元件材料所使用的鈦酸鋇（BaTiO₃ ），計算在高溫環境中之多成分系統的熱力學平衡狀態（模擬）而獲得反應性低的結果之材料。此外，以往被使用作為頂塗層的Al₂ O₃ ，ZrO₂ 等，對於BaTiO₃ ，在多成分系統的熱力學平衡狀態的計算中，獲得在高溫環境下容易生成反應生成物的結果。又，作為活性物質材料用的第二層而舉出的材料，係在作為電子元件材料用的第二層而舉出的材料（Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo）之中，針對氧化物（Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO）實際地製作樣本並進行實驗，而對於一般的活性物質材料所使用的鈷酸鋰（LiCoO₂ ）獲得良好結果的材料。

作為第二層而舉出的材料，相較於以往被使用作為頂塗層的材料，其材料本身對於BaTiO₃ 及LiCoO₂ 的反應性低。如上述，以往的燒成夾具若使用Al₂ O₃ 、ZrO₂ 等作為頂塗層，則可抑制被燒成物與燒成夾具的反應，並在此前提之下，發展覆蓋層的耐久性的改善。然而，即使改善覆蓋層的耐久性，若被燒成物與覆蓋層（頂塗層）進行反應，則被燒成物的製造產率亦不會提升。在著重於降低頂塗層本身對於被燒成物（電子元件材料）的反應性的點而言，上述的燒成夾具係利用與以往完全不同的技術思想而實現。

在電子元件材料用的燒成夾具中，第二層可將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。此等材料因係氧化物故化學性穩定，且容易處理。又，如上述，此等材料在實驗中確認到對於LiCoO₂ 獲得良好結果（反應性低）。可將電子元件材料用的燒成夾具直接兼用作為電子元件用的燒成夾具。

在上述燒成夾具中，可以第一層的熱膨脹係數為基材的熱膨脹係數以上且第二層的熱膨脹係數成為第一層的熱膨脹係數以上之方式，選擇基材、第一層及第二層的材料。上述燒成夾具所使用的基材（SiC質、Si-SiC質），其熱膨脹係數為約4（ppm／k）。相對於此，上述作為第二層而舉出的材料，其熱膨脹係數皆為4（ppm／k）以上。藉由將第一層的熱膨脹係數設為基材的熱膨脹係數以上且將第二層的熱膨脹係數設為第一層的熱膨脹係數以上，而緩和基材與第二層的熱膨脹係數差，可抑制覆蓋層從基材剝離。

在上述燒成夾具中，在第一層與第二層之間，可設置有將Al₂ O₃ 質作為主成分的第三層。此外，所謂「第三層係將Al₂ O₃ 質作為主成分」，意指第三層包含50質量%以上的Al₂ O₃ 質。藉由設置第三層，可更堅強穩固地接合第一層與第二層，且可抑制第一層與第二層的剝離。又，亦可抑制第一層（或基材）的構成元素與第二層的構成元素互相地擴散。第三層的厚度可為10～200μm，亦可為覆蓋層整體厚度的50%以下。此外，第三層可將Al₂ O₃ 質包含60質量%以上，亦可包含70質量%以上，亦可包含80質量%以上，亦可包含90質量%以上，亦可實質上僅由Al₂ O₃ 質所構成。又，在第一層與第二層直接相接之情形（亦即，未設置有第三層之情形），在第一層與第二層之間亦可設置有兩者的組成逐漸變化的傾斜層。同樣地，在第一層與第二層之間設置有第三層之情形，在第一層與第三層、及／或、第三層與第二層之間亦可設置有傾斜層。又，在第一層與第二層之間亦可設置有複數的層。

在上述燒成夾具中，在第二層內可存在複數個扁平粒，該複數個扁平粒係構成第二層的粒子經熔融凝固而成。扁平粒可為構成第二層的粒子在燒成（燒結）第二層之際經熔融凝固而成者。扁平粒可積層在基材、第一層及第二層積層的方向。亦即，扁平粒可積層在覆蓋層的厚度方向。此外，扁平粒的積層數只要為2以上，則無特別限制。藉由在第二層內存在扁平粒，而緩和基材與第二層的熱膨脹差，可抑制第二層的剝離。如上述，構成第二層的材料的熱膨脹係數有時為基材（SiC質、Si-SiC質）的熱膨脹係數以上。該情形，若加熱燒成夾具，則基材會對第二層施加壓縮力，或者第二層會對基材施加拉伸力。只要在第二層內積層扁平粒，則在加熱之際緩和施加在第二層（第二層所施加）的力，進而抑制起因於熱膨脹係數差之覆蓋層的剝離。

此外，扁平粒的扁平率（（短邊方向長度／長邊方向長度）×100）可為95%以下。又，只要扁平粒的扁平率為95%以下，則確保扁平粒本身的強度，結果確保第二層的強度。此外，扁平粒可為平坦形狀，亦可為彎曲形狀。尤其，在扁平粒為彎曲形狀之情形，容易獲得緩和基材與第二層的熱膨脹差之效果。扁平粒可全面存在於第二層，亦可部分地存在。即使在扁平粒部分地存在於第二層內之情形，亦可獲得上述的熱膨脹差的緩和效果。此外，扁平粒的扁平率可由覆蓋層的剖面的SEM影像（例如1000倍）而測定粒子的縱（長邊方向）橫（短邊方向）的長度，並藉由上述計算式而算出。

在上述燒成夾具中，覆蓋層的厚度可為20～600μm。又，第一層的厚度可比第二層的厚度厚。具體而言，第一層的厚度可為50～500μm，第二層的厚度可為5～500μm。只要第一層的厚度為50μm以上，則可抑制與被燒成物的反應，且同時維持覆蓋層的強度，可更加地抑制覆蓋層的剝離。只要第一層的厚度為500μm以下，則可抑制與被燒成物的反應，且同時覆蓋層的強度更穩定，可進一步抑制覆蓋層的剝離。只要第二層的厚度為5μm以上，則在基板的整面確實地形成第二層，可充分地抑制被燒成物與燒成夾具進行反應。只要第二層的厚度為500μm以下，則抑制第二層本身進行層間剝離，結果可抑制第二層從基材（第一層）剝離。此外，第二層的厚度可為10μm以上，亦可為50μm以上。又，第二層的厚度可為200μm以下，亦可為150μm以下，亦可為100μm以下。此外，第二層係在覆蓋層的表層露出的層，亦可為所謂的頂塗層。

在上述燒成夾具中，覆蓋層（第一層、第二層）的空隙率（氣孔率）可為10～60體積%。只要空隙率為10體積%以上，則可抑制與被燒成物的反應，且同時覆蓋層的強度更穩定，可進一步抑制覆蓋層的剝離。只要空隙率為60體積%以下，則可抑制與被燒成物的反應，且同時維持覆蓋層的強度，可更加地抑制覆蓋層的剝離。又，覆蓋層的導熱率可為2～250W/（m・k）。只要覆蓋層的導熱率為2～250W/（m・k），則在燒成被燒成物之際，可使被燒成物的面內溫度均勻。更佳為，覆蓋層的導熱率為3～30W/（m・k）。此外，空隙率（氣孔率）可將覆蓋層的剖面的SEM影像（例如1000倍）進行修整（trimming）而製作各層（第一層、第二層等）獨自的影像，使用影像處理軟體（ImageNos version 1.04：免費軟體），藉由二值化而區別空隙與其以外的部分，並藉由計算空隙相對於整體的面積比而算出。

（電子元件材料用的燒成夾具）如上述，在用於燒成電子元件材料的燒成夾具中，第二層可將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之至少一種作為主成分。如圖1所示，Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo在利用熱力學平衡計算軟體（FactSage：GTT-Technologies，Thermfact Ltd.製）之對於BaTiO₃ 的熱力學平衡狀態的計算中，確認到不與BaTiO₃ 進行反應（不形成反應生成物）。相對於此，以往被認為作為第二層（頂塗層）是有用的ZrO₂ 、Al₂ O₃ 、TiO₂ ，被確認到會與BaTiO₃ 進行反應而生成反應生成物（Ba化合物）。此外，如圖1所示，HfO₂ 雖不與BaTiO₃ 進行反應，但Hf被確認到會與BaTiO₃ 進行反應並生成反應生成物（BaHfO₃ ）。亦即，確認到並非是包含Y、Hf、Ce、Ni等元素的化合物（或者單體）不與BaTiO₃ 進行反應，而是因係上述的氧化物的形態（HfO₂ 、Y₂ O₃ 、CeO₂ 、NiO）才不會與BaTiO₃ 進行反應。

圖1中，針對為基板材料的一例之SiC、為第一層的材料的一例之Al₂ O₃ ・SiO₂ ，亦一併顯示對於BaTiO₃ 的熱力學平衡狀態的計算結果。SiC、Al₂ O₃ ・SiO₂ 被確認到與BaTiO₃ 進行反應而形成反應生成物。此外，圖1中，亦一併顯示上述的第二層的各材料、SiC、Al₂ O₃ ・SiO₂ 的熱膨脹係數。以依照從基材朝向覆蓋層的表面而各層的熱膨脹係數不會變小之方式，亦即，以第一層的熱膨脹係數為基材的熱膨脹係數以上且第二層的熱膨脹係數成為第一層的熱膨脹係數以上之方式，選擇基材、第一層及第二層的材料，藉此可進一步抑制覆蓋層的剝離。 [實施例]

如上述，在電子元件材料用的燒成夾具中，若使用Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo作為第二層，則可抑制電子元件材料與燒成夾具（第二層）進行反應。以下，製作使用上述材料中之Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO而形成第二層（頂塗層）的樣本，評價各樣本對於BaTiO₃ 及LiCoO₂ 的特性（樣本1～20）。又，用於比較，亦製作使用ZrO₂ 形成第二層的樣本（樣本21～24），並一併評價特性。將評價結果揭示於圖2。

首先，說明樣本的製作方法。準備縱橫150×150mm、厚度2mm的Si-SiC板及SiC燒結體板（基板），使用噴霧法在基板表面形成富鋁紅柱石（Al₂ O₃ －SiO₂ 質）的第一層。在樣本3、6、13、22、24中，使用SiC燒結體板作為基板，其他樣本係使用Si-SiC板作為基板。又，第一層的厚度，樣本2、3、10、21、22係設為50μm，其他樣本係設為100μm。接著，將各樣本在大氣氣體環境下以1350℃燒成2小時。之後，使用熱噴塗法，在第一層的表面以圖2所示之材料及厚度形成第二層。針對所得的樣本1～24，進行反應試驗與剝離試驗。此外，反應試驗與剝離試驗係使用別的樣本。又，針對樣本5，使用SEM（掃描式電子顯微鏡：日本電子（股）製JSM－5600），以300倍觀察覆蓋層。圖3中顯示SEM照片。

（SEM觀察）如圖3所示，第二層係由複數個扁平粒所構成，各扁平粒被確認到積層在厚度方向。各扁平粒亦被確認到並非平板狀，而是不規則的彎曲形狀，且在扁平粒間設有間隙。此間隙被認為是緩和第二層（構成第二層的扁平粒）的熱膨脹者。

（反應試驗）針對各樣本進行反應試驗。反應試驗係針對在樣本表面的中央部分載置10g的被燒成物（BaTiO₃ 、LiCoO₂ ）且載置BaTiO₃ 的樣本，進行35循環的試驗，該試驗係將在大氣氣體環境下以1200℃燒成1小時後冷卻至室溫為止的處理作為1循環。又，針對載置LiCoO₂ 的樣本，進行35循環的試驗，該試驗係將在大氣氣體環境下以1000℃燒成1小時後冷卻至室溫為止的處理作為1循環。此外，在開始各循環時，將被燒成物（BaTiO₃ 、LiCoO₂ ）換新。因此，在反應試驗中，燒成合計350g的被燒成物。

關於反應試驗後的各樣本，針對被燒成物的構成元素（Ba、Ti、Li、Co）對於樣本的浸透性、覆蓋層的附著性進行評價。浸透性係使用安裝於SEM的EDS（能量分散型X射線分光器），將Ba、Ti、Li、Co元素進行映射（mapping），測定被燒成物的構成元素從覆蓋層的表層浸透的深度並進行評價。顯示從表層的浸透深度愈深，被燒成物愈與樣本（相當於燒成夾具）進行反應。將上述構成元素的浸透深度距離表層10μm以下的樣本設為「A」，將浸透深度距離表層大於10μm且20μm以下的樣本設為「B」，將浸透深度距離表層大於20μm且30μm以下的樣本設為「C」，將浸透深度距離表層大於30μm的樣本設為「D」。評價「A」及「B」表示被燒成物與樣本之反應抑制效果高（尤其，「A」為良好），評價「C」表示反應抑制效果稍差，評價「D」表示反應抑制效果低。將評價結果揭示於圖2。

關於附著性，在被燒成物的交換時（1循環結束後），以目視確認覆蓋層有無剝離並進行評價。將在30循環結束後未確認到剝離的樣本設為「A」，將在21～30循環之間確認到剝離的樣本設為「B」，將在11～20循環之間確認到剝離的樣本設為「C」，將在1～10循環之間確認到剝離的樣本設為「D」。將評價結果揭示於圖2。

（剝離試驗）針對各樣本進行剝離試驗。剝離試驗係製作與反應試驗不同的別的樣本而進行。剝離試驗係針對各樣本，進行6循環的試驗，該試驗係將在大氣氣體環境下以1350℃燒成2小時後冷卻至室溫為止的處理作為1循環。各循環結束後，在各樣本的表面貼附10mm×15mm的膠帶(gum tape)（KIKUSUI TAPE（股）製，布膠帶　No.212　50毫米　25M）後，剝離該膠帶，以目視確認覆蓋層有無剝離並進行評價。此外，膠帶係貼附在樣本的中央部分。又，為了使膠帶附著樣本（覆蓋層），而在將膠帶貼附在樣本後，在膠帶上負載2kg的重量10秒鐘。將在6循環結束後未確認到剝離的樣本設為「A」，將在4或5循環結束後確認到剝離的樣本設為「B」，將在2或3循環結束後確認到剝離的樣本設為「C」，將在1循環結束後確認到剝離的樣本設為「D」。將評價結果揭示於圖2。

（有用性的判定）上述反應試驗及剝離試驗的結果，將評價「A」為3個以上的樣本設為判定「A」，將評價「A」為1或2個且無評價「C」及評價「D」的樣本設為判定「B」，將沒有一個評價「A」的樣本設為判定「C」。判定「A」及「B」的樣本（燒成夾具）係與電子元件材料及鋰電池所使用的活性物質材料之反應性低，表示作為燒成夾具是有用的。尤其，判定「A」的樣本（燒成夾具）可稱為具有作為電子元件材料及鋰電池所使用的活性物質材料用之燒成夾具的優異特性。

如圖2所示，相較於使用ZrO₂ 而形成第二層的樣本（樣本21～24），使用Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo而形成第二層的樣本（樣本1～20）被確認到顯示優異的特性（例如，比較樣本5、12、18、19、20、23）。又，在Si-SiC板與SiC燒結體板兩者中，亦被確認到同樣的效果（比較樣本2、3，樣本5、6，樣本12、13，樣本21、22，樣本23、24）。又，在使用Y₂ O₃ 、HfO₂ 而形成第二層的樣本（樣本1～15）中，使第二層的厚度變化至10μm～200μm的結果，確認到皆獲得良好結果。尤其，厚度50～150μm的樣本（樣本2～7、樣本10～14）顯示良好結果。此外，與使用Y₂ O₃ 、HfO₂ 而形成第二層的樣本（樣本5、12）同樣地，使用CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo而形成第二層的樣本（樣本16―21）被確認到顯示優異的特性。

以上，雖詳細地說明本發明的具體例，但此等僅為例示，並非限定申請專利範圍者。在申請專利範圍所記載之技術中，包含將以上所例示之具體例進行各種變形、變更者。又，本發明書或圖式所說明之技術要素係藉由單獨或各種組合而發揮技術的有用性者，並非受限於申請時請求項記載的組合者。又，本發明書或圖式所例示之技術係能同時達成複數目的者，係藉由達成其中之一個目的本身而具有技術的有用性者。

無。

[圖1]顯示在多成分系統對於BaTiO₃ 的熱力學平衡狀態中之反應生成物的計算結果。 [圖2]顯示實驗例的結果。 [圖3]顯示覆蓋層的SEM照片。

Claims

一種燒成夾具，其係用於電子元件材料的燒成之燒成夾具，並具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層，覆蓋層具備：第一層，其被設置在基材表面且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出，且將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO、WC、Ni、Mo之至少一種作為主成分。
一種燒成夾具，其係用於鋰電池的活性物質材料的燒成之燒成夾具，並具備SiC質或Si-SiC質之基材、與被覆基材的表面之覆蓋層，覆蓋層具備：第一層，其被設置在基材表面且將Al₂ O₃ －SiO₂ 質作為主成分；與第二層，其在覆蓋層的表層露出，且將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。
如請求項1之燒成夾具，其中，第二層係將選自Y₂ O₃ 、HfO₂ 、CeO₂ 、NiO之至少一種作為主成分。
如請求項1至3中任一項之燒成夾具，其中，以第一層的熱膨脹係數為基材的熱膨脹係數以上且第二層的熱膨脹係數成為第一層的熱膨脹係數以上之方式，選擇基材、第一層及第二層的材料。
如請求項1至4中任一項之燒成夾具，其中，在第一層與第二層之間，設置有將Al₂ O₃ 質作為主成分之第三層。
如請求項1至5中任一項之燒成夾具，其中，在第二層內存在複數個扁平粒，該複數個扁平粒係構成第二層的粒子經熔融凝固而成，扁平粒積層在基材、第一層及第二層積層的方向。