JPH11314984A - 焼成用道具材 - Google Patents
焼成用道具材Info
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- JPH11314984A JPH11314984A JP10123253A JP12325398A JPH11314984A JP H11314984 A JPH11314984 A JP H11314984A JP 10123253 A JP10123253 A JP 10123253A JP 12325398 A JP12325398 A JP 12325398A JP H11314984 A JPH11314984 A JP H11314984A
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- JP
- Japan
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- intermediate layer
- sic
- thermal spraying
- layer
- film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、ＳｉＣ基材の表面に３Ａｌ2 Ｏ3
・２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０重量％のＡｌを混合した
原料を中間層として溶射することによって、酸化雰囲気
や弱還元性雰囲気で使用してもＡｌ2 Ｏ3 皮膜の耐剥離
性及びＳｉＣ基材の高温での優れた特性を十分に生かし
て耐用性に優れた焼成用道具材を得ようとするものであ
る。 【解決手段】ＳｉＣが９０重量％以上からなる基材の一
部又は全面に、３Ａｌ2Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 に外率で３〜
２０重量％のＡｌを混合した原料を溶射した中間層を形
成し、さらにその表面に純度９８％以上のＡｌ2 Ｏ3 を
溶射して形成した皮膜を有することを特徴とする。
・２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０重量％のＡｌを混合した
原料を中間層として溶射することによって、酸化雰囲気
や弱還元性雰囲気で使用してもＡｌ2 Ｏ3 皮膜の耐剥離
性及びＳｉＣ基材の高温での優れた特性を十分に生かし
て耐用性に優れた焼成用道具材を得ようとするものであ
る。 【解決手段】ＳｉＣが９０重量％以上からなる基材の一
部又は全面に、３Ａｌ2Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 に外率で３〜
２０重量％のＡｌを混合した原料を溶射した中間層を形
成し、さらにその表面に純度９８％以上のＡｌ2 Ｏ3 を
溶射して形成した皮膜を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品などの
機能性セラミックスなどの焼成や粉末の熱処理などに用
いられる焼成用道具材に関する。
機能性セラミックスなどの焼成や粉末の熱処理などに用
いられる焼成用道具材に関する。
【０００２】
【従来の技術】焼成用道具材は、電子部品などの機能性
セラミックスの焼成工程で用いられるもので、これには
各種の材料が使用されているが、ＳｉＣもこれに使用さ
れる材料の中の一つである。
セラミックスの焼成工程で用いられるもので、これには
各種の材料が使用されているが、ＳｉＣもこれに使用さ
れる材料の中の一つである。
【０００３】ＳｉＣは、低熱膨張率、高熱伝導率を有し
て耐熱衝撃性に優れ、また熱間でのベントクリープ性に
も優れており、電子部品用の機能性セラミックスその他
の焼成工程に使用される道具材の材料として適した性質
をもっている。
て耐熱衝撃性に優れ、また熱間でのベントクリープ性に
も優れており、電子部品用の機能性セラミックスその他
の焼成工程に使用される道具材の材料として適した性質
をもっている。
【０００４】しかしながら、ＳｉＣは、反面被焼成物と
反応しやすいという欠点を有しており、そこでＳｉＣの
上に難反応性のＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 の別のセッターを
敷いて使用したり、或いはＳｉＣの表面をＡｌ2 Ｏ3 や
ＺｒＯ2 でコーティングして使用している。特に、この
コーティングしたものは扱いやすく、被焼成物の積み下
ろしや搬送などの工程の自動化にも対応しやすくてその
使用量が増大する傾向にある。
反応しやすいという欠点を有しており、そこでＳｉＣの
上に難反応性のＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 の別のセッターを
敷いて使用したり、或いはＳｉＣの表面をＡｌ2 Ｏ3 や
ＺｒＯ2 でコーティングして使用している。特に、この
コーティングしたものは扱いやすく、被焼成物の積み下
ろしや搬送などの工程の自動化にも対応しやすくてその
使用量が増大する傾向にある。
【０００５】しかしながら、このＳｉＣの表面にＡｌ2
Ｏ3 やＺｒＯ2 をコーティングしたものも問題が無い訳
ではなく、繰り返し使用しているとＳｉＣ基材が損傷す
る以前に皮膜が剥離したり、また皮膜の膨れや亀裂が発
生するなどの不具合が生じて道具材が使用できないこと
があった。かかる場合は再コーティングしたり場合によ
っては破棄したりしていた。
Ｏ3 やＺｒＯ2 をコーティングしたものも問題が無い訳
ではなく、繰り返し使用しているとＳｉＣ基材が損傷す
る以前に皮膜が剥離したり、また皮膜の膨れや亀裂が発
生するなどの不具合が生じて道具材が使用できないこと
があった。かかる場合は再コーティングしたり場合によ
っては破棄したりしていた。
【０００６】こうした皮膜の剥離や膨れの原因として
は、基材ＳｉＣとコーティング材のＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ
2 との熱膨張差、大気中や弱還元雰囲気で使用された場
合の皮膜との界面で生じるＳｉＣの酸化の進行などが考
えられている。
は、基材ＳｉＣとコーティング材のＡｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ
2 との熱膨張差、大気中や弱還元雰囲気で使用された場
合の皮膜との界面で生じるＳｉＣの酸化の進行などが考
えられている。
【０００７】一般に、ＳｉＣの酸化は長年の課題であり
ＳｉＣ皮膜の酸化防止を目的とする提案も数多い。ま
た、ＳｉＣの表面に形成した皮膜の耐用性を改善する方
法としては、（１）皮膜とＳｉＣの中間に、これらの材
料の熱膨張率の中間の熱膨張率をもつ材料で中間層を形
成するなどにより熱膨張率の差による応力を緩和する方
法、（２）コーティング界面への酸素の進入を抑制して
界面でのＳｉＣの酸化を抑制する方法、（３）アンカー
効果などによって皮膜と基材との物理的結合を強化する
方法などである。
ＳｉＣ皮膜の酸化防止を目的とする提案も数多い。ま
た、ＳｉＣの表面に形成した皮膜の耐用性を改善する方
法としては、（１）皮膜とＳｉＣの中間に、これらの材
料の熱膨張率の中間の熱膨張率をもつ材料で中間層を形
成するなどにより熱膨張率の差による応力を緩和する方
法、（２）コーティング界面への酸素の進入を抑制して
界面でのＳｉＣの酸化を抑制する方法、（３）アンカー
効果などによって皮膜と基材との物理的結合を強化する
方法などである。
【０００８】さらに、ＳｉＣのコーティング層を形成す
る先行技術としては各種のものがあるが、その代表的な
ものを列挙すると次の３種となる。即ち、炭化珪素質か
らなる窯道具の外表面にアルミナ、窒化珪素からなる耐
酸化性コーティング膜を形成しこれを２回焼成処理する
もの（特開平５−８５８７０）、炭化珪素の両面にムラ
イトもしくはアルミナの三層構造をした棚板で表面層に
溝を形成するもの（特開平７−１９８２６６）、炭化珪
素質成形体の表面に、酸化物溶射皮膜層と炭化珪素との
中間の熱膨張率の下地被覆層を設けるもの（特開昭５８
−１６７４８２）などである。
る先行技術としては各種のものがあるが、その代表的な
ものを列挙すると次の３種となる。即ち、炭化珪素質か
らなる窯道具の外表面にアルミナ、窒化珪素からなる耐
酸化性コーティング膜を形成しこれを２回焼成処理する
もの（特開平５−８５８７０）、炭化珪素の両面にムラ
イトもしくはアルミナの三層構造をした棚板で表面層に
溝を形成するもの（特開平７−１９８２６６）、炭化珪
素質成形体の表面に、酸化物溶射皮膜層と炭化珪素との
中間の熱膨張率の下地被覆層を設けるもの（特開昭５８
−１６７４８２）などである。
【０００９】これらの中では、溶射により皮膜を形成す
る方法が、耐用性ととともに各種の形状に対応できる点
ですぐれているが、それでも酸化雰囲気や弱還元雰囲気
の用途では皮膜の早期の剥離、膨れといった問題は解消
されず、ＳｉＣが低熱膨張率、高熱伝導率などの優れた
特性を有するにもかかわらずその性能を十分に発揮する
ことが出来なかった。
る方法が、耐用性ととともに各種の形状に対応できる点
ですぐれているが、それでも酸化雰囲気や弱還元雰囲気
の用途では皮膜の早期の剥離、膨れといった問題は解消
されず、ＳｉＣが低熱膨張率、高熱伝導率などの優れた
特性を有するにもかかわらずその性能を十分に発揮する
ことが出来なかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ＳｉＣ基
材の表面に３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０
重量％のＡｌを混合した原料を中間層として溶射するこ
とによって、酸化雰囲気や弱還元性雰囲気で使用しても
Ａｌ2 Ｏ3 皮膜の耐剥離性及びＳｉＣ基材の高温での優
れた特性を十分に生かして耐用性に優れた焼成用道具材
を得ようとするものである。
材の表面に３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０
重量％のＡｌを混合した原料を中間層として溶射するこ
とによって、酸化雰囲気や弱還元性雰囲気で使用しても
Ａｌ2 Ｏ3 皮膜の耐剥離性及びＳｉＣ基材の高温での優
れた特性を十分に生かして耐用性に優れた焼成用道具材
を得ようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＳｉＣが７
５重量％以上からなる基材の一部又は全面に、３Ａｌ2
Ｏ3 や２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０重量％のＡｌを混合
した原料を溶射した中間層を形成し、さらにその表面に
純度９８％以上のＡｌ2 Ｏ3 を溶射して形成した表面層
を有することを特徴とする焼成用道具材である。
５重量％以上からなる基材の一部又は全面に、３Ａｌ2
Ｏ3 や２ＳｉＯ2 に外率で３〜２０重量％のＡｌを混合
した原料を溶射した中間層を形成し、さらにその表面に
純度９８％以上のＡｌ2 Ｏ3 を溶射して形成した表面層
を有することを特徴とする焼成用道具材である。
【００１２】
【発明の実施の態様】この発明は、ＳｉＣの基材表面
に、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 にＡｌを少量添加した原
料で溶射中間層を形成し、さらにその表面にＡｌ2 Ｏ3
を溶射して形成した表面層を有する焼成用道具材であ
る。
に、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 にＡｌを少量添加した原
料で溶射中間層を形成し、さらにその表面にＡｌ2 Ｏ3
を溶射して形成した表面層を有する焼成用道具材であ
る。
【００１３】基材のＳｉＣは、ＳｉＣ純度が７５％以上
が好ましく、さらに好ましくは８５％以上でこれ未満で
は所望の特性が得られない恐れがある。基材の表面が滑
らかな場合はサンドブラストやエッチング処理などを行
って表面を粗くして中間層との界面の面積を大きくして
おくことが好ましい。また、基材を型成形で造る場合な
どは、予め型に凹凸を付けておくと、得られた基材表面
が粗くなってこれをそのまま使用することも可能であ
る。
が好ましく、さらに好ましくは８５％以上でこれ未満で
は所望の特性が得られない恐れがある。基材の表面が滑
らかな場合はサンドブラストやエッチング処理などを行
って表面を粗くして中間層との界面の面積を大きくして
おくことが好ましい。また、基材を型成形で造る場合な
どは、予め型に凹凸を付けておくと、得られた基材表面
が粗くなってこれをそのまま使用することも可能であ
る。
【００１４】基材の上には３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 で
中間層を形成する。３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 は、熱膨
張率（×１０-6／Ｋ）が、ＳｉＣ（４〜５）とＡｌ2 Ｏ
3 （６〜９）の中間の４．５〜６であるので、ここに３
Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 の中間層を設けることによっ
て、高温下での使用による熱膨張差に起因する応力を分
散することが可能である。
中間層を形成する。３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 は、熱膨
張率（×１０-6／Ｋ）が、ＳｉＣ（４〜５）とＡｌ2 Ｏ
3 （６〜９）の中間の４．５〜６であるので、ここに３
Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 の中間層を設けることによっ
て、高温下での使用による熱膨張差に起因する応力を分
散することが可能である。
【００１５】中間層は被焼成物と直接接触しないため
に、使用する原料の純度は表面層の成分ほどの高純度は
必要ないが、道具材を高温で長時間使用していると中間
層の不純物が表面層側に移動することがあるので、使用
条件によっては中間層の原料中の不純物などにも考慮す
ることが必要である。
に、使用する原料の純度は表面層の成分ほどの高純度は
必要ないが、道具材を高温で長時間使用していると中間
層の不純物が表面層側に移動することがあるので、使用
条件によっては中間層の原料中の不純物などにも考慮す
ることが必要である。
【００１６】中間層の原料にはＡｌを外率で３〜２０重
量％添加して用いる。中間層に低融点のＡｌ（融点６６
０℃）を混合した原料を用いこれを基材に溶射すること
で、中間層は緻密な層が形成されて酸素が透過し難くな
ってＳｉＣ基材と表面層界面でのＳｉＣの酸化が抑制さ
れることになる。
量％添加して用いる。中間層に低融点のＡｌ（融点６６
０℃）を混合した原料を用いこれを基材に溶射すること
で、中間層は緻密な層が形成されて酸素が透過し難くな
ってＳｉＣ基材と表面層界面でのＳｉＣの酸化が抑制さ
れることになる。
【００１７】さらに、中間層に点在するＡｌが皮膜を透
過してきた酸素に対しても優先的に酸化して、この酸素
が基材と表面層界面のＳｉＣの酸化を抑制し、これに起
因する皮膜の剥離を防止する役目を果たすことになる。
過してきた酸素に対しても優先的に酸化して、この酸素
が基材と表面層界面のＳｉＣの酸化を抑制し、これに起
因する皮膜の剥離を防止する役目を果たすことになる。
【００１８】Ａｌの添加量は３〜２０重量％とする。こ
れが３重量％未満では上記の作用を期待することができ
ない。また、低融点のＡｌの添加量が多すぎると中間層
の強度劣化を招き、また熱膨張率も増加してＡｌ2 Ｏ3
の熱膨張率に近づき、基材と表面層との熱膨張差による
応力を緩和する効果がなくなってしまう恐れがある。
れが３重量％未満では上記の作用を期待することができ
ない。また、低融点のＡｌの添加量が多すぎると中間層
の強度劣化を招き、また熱膨張率も増加してＡｌ2 Ｏ3
の熱膨張率に近づき、基材と表面層との熱膨張差による
応力を緩和する効果がなくなってしまう恐れがある。
【００１９】中間層は、上記の原料を基材に溶射する
が、そのために所定の粒度に調製される。その場合の粒
度は溶射方法による歩留まりなどによって選択される
が、比較的大粒子でも溶射が可能とされる水プラズマ溶
射法でも、粒径が２００μｍを超えると歩留まりはかな
り低下する。また、粒径が細かすぎると輸送が難しくな
る。このため、通常は１０〜１０μｍのものが使用され
る。これより粒の小さいものに造粒することにより上記
の粒度範囲に調整する。
が、そのために所定の粒度に調製される。その場合の粒
度は溶射方法による歩留まりなどによって選択される
が、比較的大粒子でも溶射が可能とされる水プラズマ溶
射法でも、粒径が２００μｍを超えると歩留まりはかな
り低下する。また、粒径が細かすぎると輸送が難しくな
る。このため、通常は１０〜１０μｍのものが使用され
る。これより粒の小さいものに造粒することにより上記
の粒度範囲に調整する。
【００２０】造粒した原料の調製は、それぞれを別個に
調製したものを、それらの造粒体が潰れないように、例
えばドラムミキサーなどを用いて混合してもよいが、造
粒する前の粉末の各原料を混合してこの混合原料を所定
の粒度にしてもよい。なお、造粒に際して有機バインダ
ーを使用するときは、原料を溶射する前に予め加熱して
有機バインダーを除去しておくことが好ましい。
調製したものを、それらの造粒体が潰れないように、例
えばドラムミキサーなどを用いて混合してもよいが、造
粒する前の粉末の各原料を混合してこの混合原料を所定
の粒度にしてもよい。なお、造粒に際して有機バインダ
ーを使用するときは、原料を溶射する前に予め加熱して
有機バインダーを除去しておくことが好ましい。
【００２１】中間層の上に溶射される皮膜層のＡｌ2 Ｏ
3 は、被焼成物と直接接触するために純度が９８％以上
の高純度であることが好ましい。表面層のＡｌ2 Ｏ3 原
料の純度が９８％未満であると、皮膜と被焼成物との付
着、反応が起こりやすい。特に、Ａｌ2 Ｏ3 原料に含ま
れやすいＮａ2 Ｏ、ＳｉＯ2 は、被焼成物に悪影響を及
ぼすことが多く極力少ない方が好ましい。
3 は、被焼成物と直接接触するために純度が９８％以上
の高純度であることが好ましい。表面層のＡｌ2 Ｏ3 原
料の純度が９８％未満であると、皮膜と被焼成物との付
着、反応が起こりやすい。特に、Ａｌ2 Ｏ3 原料に含ま
れやすいＮａ2 Ｏ、ＳｉＯ2 は、被焼成物に悪影響を及
ぼすことが多く極力少ない方が好ましい。
【００２２】この発明での溶射は、溶射する原料の融点
（Ａｌ2 Ｏ3 は２０５０℃、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2
は１８３０℃）が高いため、高温の得られるプラズマ溶
射法が好ましい。溶射はＡｌの酸化を考慮すると、真空
中または不活性ガス中での溶射が好ましいが、大気中で
の溶射でも酸化される量は少ないので充分に可能であ
る。
（Ａｌ2 Ｏ3 は２０５０℃、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2
は１８３０℃）が高いため、高温の得られるプラズマ溶
射法が好ましい。溶射はＡｌの酸化を考慮すると、真空
中または不活性ガス中での溶射が好ましいが、大気中で
の溶射でも酸化される量は少ないので充分に可能であ
る。
【００２３】中間層を形成した後、続いて同じように表
面層を溶射して形成する。中間層とその上の表面層の厚
さは、用途にもよるがいずれも最低でも５０μｍは必要
である。皮膜は厚いほど酸素の侵入を抑制して、被焼成
物成分との反応による組織変化の影響を軽減するが、反
面で皮膜が厚くなると皮膜の熱膨張差により発生する応
力が大きくなり皮膜が剥離し易くなる。皮膜の合計の厚
さは１０００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは２
００〜５００μｍである。
面層を溶射して形成する。中間層とその上の表面層の厚
さは、用途にもよるがいずれも最低でも５０μｍは必要
である。皮膜は厚いほど酸素の侵入を抑制して、被焼成
物成分との反応による組織変化の影響を軽減するが、反
面で皮膜が厚くなると皮膜の熱膨張差により発生する応
力が大きくなり皮膜が剥離し易くなる。皮膜の合計の厚
さは１０００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは２
００〜５００μｍである。
【００２４】
【実施例】（実施例１）純度９８％のＳｉＣで、サイズ
（２５０mm×２５０mm×５mm）の平板状の棚板基材を準
備した。このＳｉＣ基材と中間層との接触面積を増加さ
せるためにＳｉＣ砥石（ ２２０）を用いて基材表面を
ブラスト処理した。中間層の原料として、粒径１０〜７
５μｍの３Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 に対して、平均粒径３
μｍのＡｌ粉末を外率で１０重量％加えてボールミルを
用いて攪拌混合を行って用意した。この原料をガスプラ
ズマ溶射法で上記の基材の片面に溶射して厚さ１５０μ
ｍの中間層を形成した。さらに、この中間層の上に、粒
径が１０〜７５μｍの純度９９．９％のＡｌ2 Ｏ3 を中
間層と同じ方法で溶射し厚さ１５０μｍの表面層を形成
し焼成用道具材を得た。
（２５０mm×２５０mm×５mm）の平板状の棚板基材を準
備した。このＳｉＣ基材と中間層との接触面積を増加さ
せるためにＳｉＣ砥石（ ２２０）を用いて基材表面を
ブラスト処理した。中間層の原料として、粒径１０〜７
５μｍの３Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 に対して、平均粒径３
μｍのＡｌ粉末を外率で１０重量％加えてボールミルを
用いて攪拌混合を行って用意した。この原料をガスプラ
ズマ溶射法で上記の基材の片面に溶射して厚さ１５０μ
ｍの中間層を形成した。さらに、この中間層の上に、粒
径が１０〜７５μｍの純度９９．９％のＡｌ2 Ｏ3 を中
間層と同じ方法で溶射し厚さ１５０μｍの表面層を形成
し焼成用道具材を得た。
【００２５】この焼成用道具材について電気炉を用いて
大気中で加熱試験を行った。試験は焼成用道具材を大気
中１４００℃で２５時間加熱した後、道具材を炉外に取
出し外観を観察して皮膜のふくれ、剥離などの不具合が
ないかを評価した。その結果、焼成用道具材の皮膜表面
の色は変色していたが皮膜には何ら不具合は認められな
かった。その後、再度同じ加熱を繰り返し、１４００℃
での加熱時間が総計で５０時間、７５時間、１００時
間、１２５時間で炉外に取出したものの評価を行ったと
ころ、いずれも何ら不具合は認められなかった。さらに
同様の加熱を行ったところ、加熱時間が１５０時間を超
えると皮膜が一部剥離することが認められたのでその時
点で試験は中止した。この結果を表１にしめした。 （実施例２〜４）表１に示す基材の上に、表中に示すよ
うな各種の中間層を溶射して、その上に更に表にあるよ
うな表面層で皮膜層を形成した。この焼成用道具材を実
施例１と同様にして加熱試験を行いその結果を表１に示
した。
大気中で加熱試験を行った。試験は焼成用道具材を大気
中１４００℃で２５時間加熱した後、道具材を炉外に取
出し外観を観察して皮膜のふくれ、剥離などの不具合が
ないかを評価した。その結果、焼成用道具材の皮膜表面
の色は変色していたが皮膜には何ら不具合は認められな
かった。その後、再度同じ加熱を繰り返し、１４００℃
での加熱時間が総計で５０時間、７５時間、１００時
間、１２５時間で炉外に取出したものの評価を行ったと
ころ、いずれも何ら不具合は認められなかった。さらに
同様の加熱を行ったところ、加熱時間が１５０時間を超
えると皮膜が一部剥離することが認められたのでその時
点で試験は中止した。この結果を表１にしめした。 （実施例２〜４）表１に示す基材の上に、表中に示すよ
うな各種の中間層を溶射して、その上に更に表にあるよ
うな表面層で皮膜層を形成した。この焼成用道具材を実
施例１と同様にして加熱試験を行いその結果を表１に示
した。
【００２６】
【表１】
【００２７】（比較例１）実施例１と同じ基材に、ガス
プラズマ溶射法で実施例１と同じＡｌ2 Ｏ3 層を３００
μｍの厚さに形成した。この焼成用道具材を実施例１と
同様の加熱試験を実施した。加熱温度が１３００℃で
も、１５００℃でも何れも２５時間加熱した時点で皮膜
は全面にわたり剥離してしまった。この結果を表２に示
した。
プラズマ溶射法で実施例１と同じＡｌ2 Ｏ3 層を３００
μｍの厚さに形成した。この焼成用道具材を実施例１と
同様の加熱試験を実施した。加熱温度が１３００℃で
も、１５００℃でも何れも２５時間加熱した時点で皮膜
は全面にわたり剥離してしまった。この結果を表２に示
した。
【００２８】（比較例２〜４）表２に示すＳｉＣ基材の
上に、表中に示すような各種の中間層を溶射して、その
上に更に欄外あるようなＡｌ2 Ｏ3 で表面層を形成し
た。この焼成用道具材を実施例１と同様にして加熱試験
を行いその結果を表２に示した。
上に、表中に示すような各種の中間層を溶射して、その
上に更に欄外あるようなＡｌ2 Ｏ3 で表面層を形成し
た。この焼成用道具材を実施例１と同様にして加熱試験
を行いその結果を表２に示した。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明による焼成用道
具材は、酸化雰囲気、還元性雰囲気の使用においてもＡ
ｌ2 Ｏ3 皮膜の優れた耐剥離性によって、ＳｉＣ基材の
高温での優れた特性を充分に生かすことができて耐用性
の非常に優れたものとすることが出来る。
具材は、酸化雰囲気、還元性雰囲気の使用においてもＡ
ｌ2 Ｏ3 皮膜の優れた耐剥離性によって、ＳｉＣ基材の
高温での優れた特性を充分に生かすことができて耐用性
の非常に優れたものとすることが出来る。
【００３１】本発明品は、基材にＡｌ2 Ｏ3 に皮膜を形
成して従来から比較的耐用性のあるとされている道具材
の４〜５倍の耐用性、また基材にＡｌを含まない３Ａｌ
2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 の中間層を形成してその上にＡｌ2
Ｏ3 皮膜を形成した道具材の２〜３倍の耐用性を有する
ものである。
成して従来から比較的耐用性のあるとされている道具材
の４〜５倍の耐用性、また基材にＡｌを含まない３Ａｌ
2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 の中間層を形成してその上にＡｌ2
Ｏ3 皮膜を形成した道具材の２〜３倍の耐用性を有する
ものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＣが７５重量％以上からなる基材の
一部又は全面に、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 に外率で３
〜２０重量％のＡｌを混合した原料を溶射した中間層を
形成し、さらにその表面に純度９８％以上のＡｌ2 Ｏ3
を溶射して形成した表面層を有することを特徴とする焼
成用道具材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10123253A JPH11314984A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 焼成用道具材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10123253A JPH11314984A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 焼成用道具材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11314984A true JPH11314984A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14856005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10123253A Pending JPH11314984A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 焼成用道具材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11314984A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001278685A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-10-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素部材およびその製造方法 |
| JP2014172767A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化珪素複合材およびその製造方法 |
| WO2020166565A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 日本碍子株式会社 | 焼成治具 |
-
1998
- 1998-05-06 JP JP10123253A patent/JPH11314984A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001278685A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-10-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素部材およびその製造方法 |
| JP4743973B2 (ja) * | 2000-01-24 | 2011-08-10 | コバレントマテリアル株式会社 | 電子部品焼成用炭化珪素部材 |
| JP2014172767A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化珪素複合材およびその製造方法 |
| WO2020166565A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 日本碍子株式会社 | 焼成治具 |
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