JP2002270476A - 匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2002270476A JP2002270476A JP2001070172A JP2001070172A JP2002270476A JP 2002270476 A JP2002270476 A JP 2002270476A JP 2001070172 A JP2001070172 A JP 2001070172A JP 2001070172 A JP2001070172 A JP 2001070172A JP 2002270476 A JP2002270476 A JP 2002270476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- box
- base metal
- weight
- electronic component
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 卑金属内部電極を有するセラミック電子部品
を焼成する際に、構造欠陥が発生しにくく、かつ良好な
特性を有する電子部品を得ることができる匣を得る。 【解決手段】 誘電体セラミック層１４とＮｉで形成さ
れた内部電極１６とで構成される基体１２と、外部電極
１８，２０とを含む積層セラミックコンデンサ１０を作
製するために、匣が用いられる。誘電体セラミック材料
で形成されたグリーンシートと内部電極材料との積層体
を匣に入れ、焼成することにより基体１２を形成する。
匣として、ＮｉまたはＮｉ酸化物の含有量が０．２重量
％以上、２５重量％以下のものを使用する。このような
匣を得るために、Ａｌ2 Ｏ3 などで形成された匣にＮｉ
の網を被せ、加熱することにより、Ｎｉを匣に拡散させ
る。
を焼成する際に、構造欠陥が発生しにくく、かつ良好な
特性を有する電子部品を得ることができる匣を得る。 【解決手段】 誘電体セラミック層１４とＮｉで形成さ
れた内部電極１６とで構成される基体１２と、外部電極
１８，２０とを含む積層セラミックコンデンサ１０を作
製するために、匣が用いられる。誘電体セラミック材料
で形成されたグリーンシートと内部電極材料との積層体
を匣に入れ、焼成することにより基体１２を形成する。
匣として、ＮｉまたはＮｉ酸化物の含有量が０．２重量
％以上、２５重量％以下のものを使用する。このような
匣を得るために、Ａｌ2 Ｏ3 などで形成された匣にＮｉ
の網を被せ、加熱することにより、Ｎｉを匣に拡散させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、匣およびその製
造方法に関し、特に、たとえば内部電極にＮｉなどを使
用したセラミック電子部品を焼成するときに用いられる
匣と、その製造方法、ならびにセラミック電子部品の製
造方法に関する。
造方法に関し、特に、たとえば内部電極にＮｉなどを使
用したセラミック電子部品を焼成するときに用いられる
匣と、その製造方法、ならびにセラミック電子部品の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】内部電極としてＮｉ，Ｃｕなどの卑金属
材料を用いた積層セラミックコンデンサなどを作製する
際に、誘電体セラミック材料で形成されたグリーンシー
トと電極材料とを積層した積層体が形成される。この積
層体は、たとえばアルミナやジルコニアなどのセラミッ
クまたはＮｉなどの耐熱金属で形成された匣に入れら
れ、焼成されることによって、誘電体セラミック層と内
部電極とが積層した焼結体が得られる。この焼結体に外
部電極を形成し、内部電極の露出部に外部電極を接続す
ることにより、積層セラミックコンデンサが製造され
る。
材料を用いた積層セラミックコンデンサなどを作製する
際に、誘電体セラミック材料で形成されたグリーンシー
トと電極材料とを積層した積層体が形成される。この積
層体は、たとえばアルミナやジルコニアなどのセラミッ
クまたはＮｉなどの耐熱金属で形成された匣に入れら
れ、焼成されることによって、誘電体セラミック層と内
部電極とが積層した焼結体が得られる。この焼結体に外
部電極を形成し、内部電極の露出部に外部電極を接続す
ることにより、積層セラミックコンデンサが製造され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｎｉで
形成された匣を用いたときに、積層体を焼成して焼結体
を形成すると、クラックやデラミネーションやポアなど
の構造欠陥が発生することがある。また、セラミック系
の匣を用いたときに、得られた積層セラミックコンデン
サのＱが低く、所望の特性が得られない場合がある。
形成された匣を用いたときに、積層体を焼成して焼結体
を形成すると、クラックやデラミネーションやポアなど
の構造欠陥が発生することがある。また、セラミック系
の匣を用いたときに、得られた積層セラミックコンデン
サのＱが低く、所望の特性が得られない場合がある。
【０００４】これらの原因として、Ｎｉで形成された匣
から焼成雰囲気中にＮｉが拡散して酸素分圧が低くなる
と、構造欠陥が発生するものと考えられる。また、セラ
ミック系の匣を使用した場合、焼成雰囲気中のＮｉの量
が少なくなり、積層体の内部電極材料であるＮｉが積層
体の端部から焼成雰囲気中に拡散し、得られた焼結体の
端部に露出する内部電極が少なくなって、内部電極と外
部電極との接触不良が発生し、Ｑの低下につながるもの
と考えられる。
から焼成雰囲気中にＮｉが拡散して酸素分圧が低くなる
と、構造欠陥が発生するものと考えられる。また、セラ
ミック系の匣を使用した場合、焼成雰囲気中のＮｉの量
が少なくなり、積層体の内部電極材料であるＮｉが積層
体の端部から焼成雰囲気中に拡散し、得られた焼結体の
端部に露出する内部電極が少なくなって、内部電極と外
部電極との接触不良が発生し、Ｑの低下につながるもの
と考えられる。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、卑
金属内部電極を有するセラミック電子部品を焼成する際
に、構造欠陥が発生しにくく、かつ良好な特性を有する
電子部品を得ることができる匣を提供することである。
また、この発明の目的は、上述のような匣を製造するた
めの匣の製造方法を提供することである。さらに、この
発明の目的は、上述のような匣を用いてセラミック電子
部品を製造するための、セラミック電子部品の製造方法
を提供することである。
金属内部電極を有するセラミック電子部品を焼成する際
に、構造欠陥が発生しにくく、かつ良好な特性を有する
電子部品を得ることができる匣を提供することである。
また、この発明の目的は、上述のような匣を製造するた
めの匣の製造方法を提供することである。さらに、この
発明の目的は、上述のような匣を用いてセラミック電子
部品を製造するための、セラミック電子部品の製造方法
を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、卑金属から
なる電極を有するセラミック電子部品を焼成するための
匣であって、電極と同じ卑金属およびその卑金属の酸化
物の含有量が、０．２重量％以上、２５重量％以下であ
ることを特徴とする、匣である。このような匣におい
て、卑金属としてＮｉを使用することができる。さら
に、卑金属および卑金属の酸化物は、匣の表面付近に分
布させることができる。また、この発明は、匣に卑金属
を拡散させることによって、卑金属およびその卑金属の
酸化物の含有量が０．２重量％以上、２５重量％以下と
なるようにすることを特徴とする、匣の製造方法であ
る。このような匣の製造方法において、卑金属としてＮ
ｉを使用することができる。さらに、卑金属および卑金
属の酸化物は、匣の表面付近に分布させることができ
る。匣にＮｉを拡散させるさせる際に、匣の近傍にＮｉ
で形成されたＮｉ拡散源を配置して加熱することにより
匣の表面付近にＮｉを拡散させることができる。また、
この発明は、セラミック材料で形成されたグリーンシー
トとＮｉを含む電極材料との積層体を準備する工程と、
積層体を上述のような匣に載置する工程と、匣に積層体
が載置された状態で焼成する工程と、積層体に外部電極
を形成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造
方法である。
なる電極を有するセラミック電子部品を焼成するための
匣であって、電極と同じ卑金属およびその卑金属の酸化
物の含有量が、０．２重量％以上、２５重量％以下であ
ることを特徴とする、匣である。このような匣におい
て、卑金属としてＮｉを使用することができる。さら
に、卑金属および卑金属の酸化物は、匣の表面付近に分
布させることができる。また、この発明は、匣に卑金属
を拡散させることによって、卑金属およびその卑金属の
酸化物の含有量が０．２重量％以上、２５重量％以下と
なるようにすることを特徴とする、匣の製造方法であ
る。このような匣の製造方法において、卑金属としてＮ
ｉを使用することができる。さらに、卑金属および卑金
属の酸化物は、匣の表面付近に分布させることができ
る。匣にＮｉを拡散させるさせる際に、匣の近傍にＮｉ
で形成されたＮｉ拡散源を配置して加熱することにより
匣の表面付近にＮｉを拡散させることができる。また、
この発明は、セラミック材料で形成されたグリーンシー
トとＮｉを含む電極材料との積層体を準備する工程と、
積層体を上述のような匣に載置する工程と、匣に積層体
が載置された状態で焼成する工程と、積層体に外部電極
を形成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造
方法である。
【０００７】卑金属からなる電極を有するセラミック電
子部品の焼成にあたって、匣に含まれるＮｉまたはＮｉ
酸化物などのような卑金属または卑金属の酸化物の含有
量が０．２重量％以上、２５重量％以下のときに、構造
欠陥の発生が少なく、かつ良好な特性を有する電子部品
を得ることができることがわかった。このような匣を得
るために、匣の内部にＮｉなどの卑金属を拡散させるこ
とにより、卑金属または卑金属の酸化物の含有量が０．
２重量％以上、２５重量％以下の含有量とすることがで
きる。そして、匣の近傍にＮｉで形成された拡散源を配
置し、加熱することにより、匣の内部にＮｉを拡散させ
ることができる。卑金属からなる電極を有するセラミッ
ク電子部品を製造する際に、このような匣を用いてセラ
ミック材料を焼成することにより、焼成雰囲気中の酸素
分圧が調整され、良好な特性を有するセラミック電子部
品を得ることができる。
子部品の焼成にあたって、匣に含まれるＮｉまたはＮｉ
酸化物などのような卑金属または卑金属の酸化物の含有
量が０．２重量％以上、２５重量％以下のときに、構造
欠陥の発生が少なく、かつ良好な特性を有する電子部品
を得ることができることがわかった。このような匣を得
るために、匣の内部にＮｉなどの卑金属を拡散させるこ
とにより、卑金属または卑金属の酸化物の含有量が０．
２重量％以上、２５重量％以下の含有量とすることがで
きる。そして、匣の近傍にＮｉで形成された拡散源を配
置し、加熱することにより、匣の内部にＮｉを拡散させ
ることができる。卑金属からなる電極を有するセラミッ
ク電子部品を製造する際に、このような匣を用いてセラ
ミック材料を焼成することにより、焼成雰囲気中の酸素
分圧が調整され、良好な特性を有するセラミック電子部
品を得ることができる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の匣を用いて形
成される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図
である。積層セラミックコンデンサ１０は、基体１２を
含む。基体１２は、誘電体セラミック層１４と内部電極
１６とが交互に積層されることによって形成される。基
体１２の対向側面には、内部電極１６の隣接するものが
交互に引き出される。これらの内部電極１６が引き出さ
れた基体１２の対向側面には、それぞれ外部電極１８，
２０が形成される。これらの外部電極１８，２０は内部
電極１６に電気的に接続され、２つの外部電極１８，２
０間に静電容量が形成される。
成される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図
である。積層セラミックコンデンサ１０は、基体１２を
含む。基体１２は、誘電体セラミック層１４と内部電極
１６とが交互に積層されることによって形成される。基
体１２の対向側面には、内部電極１６の隣接するものが
交互に引き出される。これらの内部電極１６が引き出さ
れた基体１２の対向側面には、それぞれ外部電極１８，
２０が形成される。これらの外部電極１８，２０は内部
電極１６に電気的に接続され、２つの外部電極１８，２
０間に静電容量が形成される。
【００１０】このような積層セラミックコンデンサ１０
を作製するには、誘電体セラミック材料で形成されたグ
リーンシートと電極材料とが積層された積層体が準備さ
れる。この積層体が、たとえばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣなど
で形成された匣に入れられる。そして、積層体が焼成さ
れることにより、基体１２が形成される。得られた基体
１２の対向側面に電極材料を焼き付けることにより、外
部電極１８，２０が形成され、積層セラミックコンデン
サ１０が得られる。
を作製するには、誘電体セラミック材料で形成されたグ
リーンシートと電極材料とが積層された積層体が準備さ
れる。この積層体が、たとえばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣなど
で形成された匣に入れられる。そして、積層体が焼成さ
れることにより、基体１２が形成される。得られた基体
１２の対向側面に電極材料を焼き付けることにより、外
部電極１８，２０が形成され、積層セラミックコンデン
サ１０が得られる。
【００１１】積層体を焼成する際に入れる匣としては、
たとえばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣなどで形成された匣が用い
られる。匣には、ＮｉまたはＮｉ酸化物が含まれ、その
含有量は、０．２重量％以上、２５重量％以下となるよ
うに設定される。このような匣を得るために、たとえば
Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＣで形成された匣にＮｉで形成された
網が被せられ、この状態で匣が焼成される。このとき、
焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気の酸素分圧などが調整
される。このような焼成により、網を構成するＮｉが匣
に拡散し、ＮｉまたはＮｉ酸化物を含有する匣が得られ
る。
たとえばＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣなどで形成された匣が用い
られる。匣には、ＮｉまたはＮｉ酸化物が含まれ、その
含有量は、０．２重量％以上、２５重量％以下となるよ
うに設定される。このような匣を得るために、たとえば
Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＣで形成された匣にＮｉで形成された
網が被せられ、この状態で匣が焼成される。このとき、
焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気の酸素分圧などが調整
される。このような焼成により、網を構成するＮｉが匣
に拡散し、ＮｉまたはＮｉ酸化物を含有する匣が得られ
る。
【００１２】このようにして得られた匣に積層体が入れ
られ、積層体が焼成されることにより、匣からＮｉが焼
成雰囲気中に拡散し、焼成雰囲気中のＮｉの量が調整さ
れる。ここで、匣に含まれるＮｉまたはＮｉ酸化物の含
有量が０．２重量％以上、２５重量％以下の範囲にあれ
ば、得られる基体１２に構造欠陥が発生しにくく、内部
電極１６と外部電極１８，２０との接続が良好で、優れ
た特性を有する積層セラミックコンデンサ１０を得るこ
とができる。
られ、積層体が焼成されることにより、匣からＮｉが焼
成雰囲気中に拡散し、焼成雰囲気中のＮｉの量が調整さ
れる。ここで、匣に含まれるＮｉまたはＮｉ酸化物の含
有量が０．２重量％以上、２５重量％以下の範囲にあれ
ば、得られる基体１２に構造欠陥が発生しにくく、内部
電極１６と外部電極１８，２０との接続が良好で、優れ
た特性を有する積層セラミックコンデンサ１０を得るこ
とができる。
【００１３】
【実施例】ＣａＺｒＯ2 を主成分とした誘電体セラミッ
ク材料を使用し、内部電極にＮｉを用いた積層セラミッ
クコンデンサを作製した。そのために、誘電体セラミッ
ク材料で形成されたグリーンシートと電極材料との積層
体を、表１に示すように、Ｎｉ含有量の異なる匣を用い
て焼成した。なお、匣の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 である。
また、焼成炉内は、最高温度１３６０℃で、１．５×１
０-10 〜２．７×１０-10 ＭＰａにコントロールして行
った。そして、匣の内部における１３００℃における酸
素分圧、積層体を焼成することによって得られる基体の
収縮率、得られた積層セラミックコンデンサの構造欠陥
発生率、静電容量、Ｑを示した。
ク材料を使用し、内部電極にＮｉを用いた積層セラミッ
クコンデンサを作製した。そのために、誘電体セラミッ
ク材料で形成されたグリーンシートと電極材料との積層
体を、表１に示すように、Ｎｉ含有量の異なる匣を用い
て焼成した。なお、匣の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 である。
また、焼成炉内は、最高温度１３６０℃で、１．５×１
０-10 〜２．７×１０-10 ＭＰａにコントロールして行
った。そして、匣の内部における１３００℃における酸
素分圧、積層体を焼成することによって得られる基体の
収縮率、得られた積層セラミックコンデンサの構造欠陥
発生率、静電容量、Ｑを示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から、匣に含まれるＮｉ含有量が０．
２重量％以上、２５重量％以下のときに、構造欠陥が発
生せず、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサ
が得られていることがわかる。それに対して、匣に含ま
れるＮｉ含有量が２５重量％を超えると、構造欠陥発生
率が大きくなっている。これは、匣からＮｉが焼成雰囲
気中に拡散し、酸素分圧が低くなっているためであると
考えられる。また、匣に含まれるＮｉ含有量が０．２重
量％未満では、得られた積層セラミックコンデンサのＱ
が低くなっている。これは、焼成雰囲気中のＮｉが少な
いために、積層体の内部電極材料が焼成雰囲気中に拡散
し、焼結されて得られた基体の端部に露出する内部電極
が少なくなったために、外部電極と内部電極との接触が
十分に得られなくなったためであると考えられる。
２重量％以上、２５重量％以下のときに、構造欠陥が発
生せず、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサ
が得られていることがわかる。それに対して、匣に含ま
れるＮｉ含有量が２５重量％を超えると、構造欠陥発生
率が大きくなっている。これは、匣からＮｉが焼成雰囲
気中に拡散し、酸素分圧が低くなっているためであると
考えられる。また、匣に含まれるＮｉ含有量が０．２重
量％未満では、得られた積層セラミックコンデンサのＱ
が低くなっている。これは、焼成雰囲気中のＮｉが少な
いために、積層体の内部電極材料が焼成雰囲気中に拡散
し、焼結されて得られた基体の端部に露出する内部電極
が少なくなったために、外部電極と内部電極との接触が
十分に得られなくなったためであると考えられる。
【００１６】なお、表１に示すようなＮｉ含有量を有す
る匣を得るために、Ａｌ2 Ｏ3 で形成された匣にＮｉで
形成された網を被せ、表２に示す最高焼成温度、酸素分
圧、焼成時間で焼成を行った。
る匣を得るために、Ａｌ2 Ｏ3 で形成された匣にＮｉで
形成された網を被せ、表２に示す最高焼成温度、酸素分
圧、焼成時間で焼成を行った。
【００１７】
【表２】
【００１８】このように、焼成温度、酸素分圧、焼成時
間を調整することにより、網から匣にＮｉが拡散し、匣
の表面付近におけるＮｉ含有量が０．２重量％以上、２
５重量％以下の匣を得ることができる。そして、このよ
うにして得られた匣を用いることにより、構造欠陥が少
なく、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサを
得ることができる。
間を調整することにより、網から匣にＮｉが拡散し、匣
の表面付近におけるＮｉ含有量が０．２重量％以上、２
５重量％以下の匣を得ることができる。そして、このよ
うにして得られた匣を用いることにより、構造欠陥が少
なく、良好な特性を有する積層セラミックコンデンサを
得ることができる。
【００１９】なお、匣を作製するために用いられるＮｉ
の拡散源としては、網に限らず、匣の近傍に配置できる
Ｎｉ製のものであればよい。ただし、局部的に匣にＮｉ
が含まれることを防ぐために、匣の全体を覆うような形
状のものが好ましい。
の拡散源としては、網に限らず、匣の近傍に配置できる
Ｎｉ製のものであればよい。ただし、局部的に匣にＮｉ
が含まれることを防ぐために、匣の全体を覆うような形
状のものが好ましい。
【００２０】また、上述の実施例では、卑金属としてＮ
ｉを例にとって説明したが、これに限るものではなく、
たとえばＣｕを拡散させた匣でＣｕを内部電極とする積
層セラミックコンデンサを焼成しても、同様の効果が得
られる。
ｉを例にとって説明したが、これに限るものではなく、
たとえばＣｕを拡散させた匣でＣｕを内部電極とする積
層セラミックコンデンサを焼成しても、同様の効果が得
られる。
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば、ＮｉまたはＮｉ酸化
物などの卑金属やその酸化物の含有量が０．２重量％以
上、２５重量％以下の匣を用いて積層体を焼成すること
により、構造欠陥発生率を小さくすることができ、かつ
良好な特性を有するセラミック電子部品を得ることがで
きる。また、このような匣を得るために、Ｎｉで形成さ
れた拡散源を匣の近傍に配置し、過熱することによっ
て、匣にＮｉを拡散させることができる。
物などの卑金属やその酸化物の含有量が０．２重量％以
上、２５重量％以下の匣を用いて積層体を焼成すること
により、構造欠陥発生率を小さくすることができ、かつ
良好な特性を有するセラミック電子部品を得ることがで
きる。また、このような匣を得るために、Ｎｉで形成さ
れた拡散源を匣の近傍に配置し、過熱することによっ
て、匣にＮｉを拡散させることができる。
【図１】この発明の匣を用いて作製される電子部品の一
例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図であ
る。
例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図であ
る。
１０ 積層セラミックコンデンサ １２ 基体 １４ 誘電体セラミック層 １６ 内部電極 １８，２０ 外部電極
フロントページの続き (72)発明者 河合 孝明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA04 AA12 AA39 BA09 CA03 CA08 GA08 GA14 5E082 AB03 BC38 FG26 FG54 JJ03 MM24 PP03
Claims (8)
- 【請求項１】 卑金属からなる電極を有するセラミック
電子部品を焼成するための匣であって、 前記電極と同じ卑金属およびその卑金属の酸化物の含有
量が、０．２重量％以上、２５重量％以下であることを
特徴とする、匣。 - 【請求項２】 前記卑金属がＮｉであることを特徴とす
る、請求項１に記載の匣。 - 【請求項３】 前記卑金属および卑金属の酸化物は、匣
の表面付近に分布していることを特徴とする、請求項１
または請求項２に記載の匣。 - 【請求項４】 匣に卑金属を拡散させることによって、
前記卑金属およびその卑金属の酸化物の含有量が０．２
重量％以上、２５重量％以下となるようにすることを特
徴とする、匣の製造方法。 - 【請求項５】 前記卑金属がＮｉであることを特徴とす
る、請求項４に記載の匣の製造方法。 - 【請求項６】 前記卑金属および卑金属の酸化物は、匣
の表面付近に分布するようにしたことを特徴とする、請
求項４または請求項５に記載の匣の製造方法。 - 【請求項７】 前記匣の近傍にＮｉで形成されたＮｉ拡
散源を配置して加熱することにより前記匣の表面付近に
Ｎｉを拡散させることを特徴とする、請求項５に記載の
匣の製造方法。 - 【請求項８】 セラミック材料で形成されたグリーンシ
ートとＮｉを含む電極材料との積層体を準備する工程、 前記積層体を請求項１〜請求項３に記載の匣に載置する
工程、 前記匣に前記積層体が載置された状態で焼成する工程、
および前記積層体に外部電極を形成する工程を備える、
セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001070172A JP2002270476A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001070172A JP2002270476A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270476A true JP2002270476A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18928087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001070172A Pending JP2002270476A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270476A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051276A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
| JPWO2020166565A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2021-03-11 | 日本碍子株式会社 | 焼成治具 |
-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001070172A patent/JP2002270476A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051276A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
| JPWO2020166565A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2021-03-11 | 日本碍子株式会社 | 焼成治具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6849313B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| TWI326093B (ja) | ||
| JP5012899B2 (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH11317322A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| TWI270092B (en) | Stack capacitor and the manufacturing method thereof | |
| JPH08130160A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3785966B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品 | |
| JPWO2007010768A1 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPWO2003036666A1 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP4998222B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH04320017A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法およびそれに用いる外部電極用ペースト | |
| JP6301629B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2015039016A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2003309039A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品 | |
| JP6781065B2 (ja) | コンデンサ | |
| TWI388533B (zh) | Manufacturing method of ceramic molded body | |
| JP2005101317A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2005136260A (ja) | 積層型圧電セラミックス素子及びその製造方法 | |
| JP2002270476A (ja) | 匣およびその製造方法ならびにセラミック電子部品の製造方法 | |
| JP4293615B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2015039014A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2018121025A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2018182107A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP6317119B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2005203723A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051003 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051018 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060228 |