JP7203296B1 - 焼成用セッター - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- ムライト層と、
ムライト層上に設けられており、Zr,Si及びY元素を含む酸化物の第1層と、
第1層上に設けられているイットリア層と、
を有する焼成用セッター。 - 第1層は、Zr元素を含む酸化物を0.3質量%以上2.0質量%以下、Si元素を含む酸化物を5質量%以上30質量%以下、Y元素を含む酸化物を30質量%以上50質量%以下有している、請求項1に記載の焼成用セッター。
- 第1層とイットリア層の間に、Al,Si及びY元素を含む酸化物の第2層が設けられている、請求項1に記載の焼成用セッター。
- 第2層は、Al元素を含む酸化物を3質量%以上20質量%以下、Si元素を含む酸化物を5質量%以上30質量%以下、Y元素を含む酸化物を30質量%以上50質量%以下有している、請求項3に記載の焼成用セッター。
- 第1層、第2層及びイットリア層の厚みの合計を100%としたときに、第1層の厚みが10%以上35%以下、第2層の厚みが15%以上35%以下、イットリア層の厚みが30%以上70%以下である、請求項3または4に記載の焼成用セッター。
- イットリア層、第1層及び第2層の厚みの合計が3~20μmである、請求項5に記載の焼成用セッター。
- SiC質の基材上にコーティング層としてムライト層が設けられている、請求項1に記載の焼成用セッター。
- SiC質、Si-SiC質及びアルミナ質から選択される材料で形成された基材と、
前記基材上に設けられており、Zr及びY元素と、Si又はAl元素と、を含む酸化物の第1層と、
第1層上に設けられているイットリア層と、
を有する焼成用セッター。 - 第1層とイットリア層の間に、Y元素と、Si又はAl元素と、を含む酸化物の第2層が設けられている、請求項8に記載の焼成用セッター。
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