JP2019120467A - 焼成用セッター - Google Patents
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Abstract
Description
T1/T2≦0.4・・・(1)
0.05≦T1/T2・・・(2)
本明細書で開示する焼成用セッターは、電子部品、セラミック部材等の被焼成物を焼成する際、被焼成物を載置するために用いられる。焼成用セッターの表面(載置面)形状は、三角形,四角形等の多角形であってよく、円形,楕円形等の外縁が曲面を有した形状であってもよい。また、焼成用セッターは、端部(被焼成物を載置する載置部の外側)にリブを備えていてもよい。焼成用セッターは、基材と、基材を被覆しているコーティング層を備えている。
基材は、炭化珪素(SiC)と珪素(Si)を主成分としていてよい。すなわち、SiCとSiの質量の合計が、基材の質量の50質量%以上を占めていてよい。SiCとSiは、基材中に、60質量%以上含まれていてよく、70質量%以上含まれていてよく、80質量%以上含まれていてよく、90質量%以上含まれていてよく、95質量%以上含まれていてよい。基材は、SiCとSi以外の微量元素を含んでいてよい。微量元素として、鉄(Fe),カルシウム(Ca),ナトリウム(Na),マグネシウム(Mg),カリウム(K),アルミニウム(Al)等が挙げられる。各々の微量元素は、基材中に0.01〜3質量%含まれていてよく、また、基材中の微量元素の合計が0.01〜3質量%であってよい。なお、基材は、C粉体,SiC粉体及び有機質バインダーを混合・成形した成形体を、金属Si存在下で、減圧した不活性ガス雰囲気又は真空中に配置し、成形体中に金属Siを含浸させて成形することができる。
コーティング層は、基材上に設けられており、焼成用セッターの表面に露出している。コーティング層は、被焼成物と接触する接触面を構成していてよい。コーティング層は、焼成用セッターの全面を被覆していてもよいし、焼成用セッターの表面(被焼成物を載置する面)のみを被覆していてもよい。コーティング層は、基材表面にコーティング材を塗布した後、1100〜1400度で焼成して基材表面に固着させてよい。コーティング材を塗布した後の焼成温度は、1200度以上であってよく、1250度以上であってよく、1300度以上であってよい。
T1/T2≦0.4・・・(1)
0.05≦T1/T2・・・(2)
コーティング層と基材の間に、中間層が設けられていてよい。中間層は、コーティング層及び基材に接合していてよい。すなわち、中間層が、コーティング層と基材を接合していてよい。中間層の主成分は、Al化合物であってよい。Al化合物は、中間層中に、50質量%以上含まれていてよく、60質量%以上含まれていてよく、70質量%以上含まれていてよく、80質量%以上含まれていてよく、90質量%以上含まれていてよく、95質量%以上含まれていてよい。Al化合物として、ムライト(アルミニウムシリケート)が挙げられる。また、中間層は、Al化合物の他に、微量成分として、Fe,Si,Ca,Na,Mg,K等の1つ又は2以上を含んでいてよい。
コーティング層の測定方法、及び、測定する試料の取得位置について説明する。図1は、焼成用セッターを切断して取得した試料1の断面を模式的に示している。試料1の長さ(面方向長さ)L1は400μmである。試料1は、SEM(Scanning Electron Microscope)等を利用して観察することができる。試料1は、基材2と、基材2上に設けられているコーティング層4を備えている。コーティング層4は高低差を有している。SEM等を利用することにより、焼成用セッターの400μm×400μm面内で任意の断面におけるコーティング層4の最小厚み部分4aの厚みT1と最大厚み部分4bの厚みT2を測定することができる。具体的には、厚みT1は、コーティング層4の最小厚み部分4aにおいて、コーティング層4の表面からコーティング層4の裏面(基材2との接触面)までの距離である。同様に、厚みT2は、コーティング層4の最大厚み部分4bにおいて、コーティング層4の表面からコーティング層4の裏面(基材2との接触部分)までの距離である。測定した厚みT1と厚みT2を用いることにより、上記式(1),(2)を満足するか否かを判定することができる。
4:コーティング層
10:焼成用セッター
Claims (4)
- 基材上にコーティング層を備える焼成用セッターであり、
コーティング層は、焼成用セッターの表面に露出しており、
400μm×400μm面内で任意の断面におけるコーティング層の最小厚み部分の厚みT1と最大厚み部分の厚みT2が、下記式(1)を満足する焼成用セッター。
T1/T2≦0.4・・・(1) - さらに、下記式(2)を満足する請求項1に記載の焼成用セッター。
0.05≦T1/T2・・・(2) - コーティング層の厚み方向に直交するとともに最小厚み部分のコーティング層の裏面を含む第1平面と、コーティング層の厚み方向に直交するとともに最大厚み部分のコーティング層の表面を含む第2平面と、を含む矩形範囲内において、コーティング層が占める割合が、70%以下である請求項1又は2に記載の焼成用セッター。
- 前記基材とコーティング層の間に、基板より熱膨張率が大きいとともにコーティング層より熱膨張率が小さい中間層が設けられている請求項1から3のいずれか一項に記載の焼成用セッター。
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