JP2004075421A

JP2004075421A - セラミックス電子部品焼成用セッター

Info

Publication number: JP2004075421A
Application number: JP2002234915A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Mori; 博森; Hiroaki Nihonmatsu; 二本松　浩明; Shinji Morisasa; 森笹　真司
Original assignee: NGK Insulators Ltd; NGK Adrec Co Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd; NGK Adrec Co Ltd
Priority date: 2002-08-12
Filing date: 2002-08-12
Publication date: 2004-03-11
Also published as: CN1225435C; CN1482100A; TWI240715B; KR20040014919A; KR100518905B1; TW200403200A

Abstract

【課題】基材の厚いセッターのみならず、肉薄化した場合であっても、繰り返し使用によるセッターの反りを適確に防止することができ、長期間に至って使用可能なセラミックス電子部品焼成用セッターを提供する。
【解決手段】セラミックスからなる基材上に、ＺｒＯ_２を主成分とするコート層を備えるセラミックス電子部品焼成用セッターにおいて、基材の載置面及びその反対面で、残存膨張量の異なるコート層を設ける。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデンサー、圧電素子、サーミスタ等のセラミックス電子部品を焼成する際に使用するセッターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス電子部品焼成用セッター（以下、単に「セッター」と省略することがある。）は、棚板等に積載されて焼成用治具を構成し、セラミックス質の電子部品を作製する際に、これに被焼成体（焼成後に電子部品となるものである。以下、同様である。）を載置して焼成を行う部材である。そして、当該セッターにあっては、その使用環境及びその使用目的から、被焼成体との反応性が低く、耐熱性、及び耐スポーリング性が大きいことが要求される。このため、従来のセッターとしては、耐熱性、及び耐スポーリング性が大きなＡｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２基材とし、この基材の表面に、ＺｒＯ_２を主成分とするコート層を設けて、被焼成体成分と基材との反応を防止したものが広く用いられている。
【０００３】ところで、このようなコート層を設けたセッターにあっては、使用による加熱と冷却との繰り返しで、セッターに反りを生じることが問題となっており、耐久性向上の観点から、これを改善したセッターが求められている。
【０００４】従来、かかる点を考慮したセッターとしては、基材を高温で焼成して硬度を大きくすることにより、反りに対する抵抗力を高めたものが知られている。
【０００５】しかし、このようなセッターでは、当該高温での焼成に際し、多量の燃料を消費することとなるため、得られるセッターのコストが高くなってしまうという問題があった。また、高温による焼成では、焼成収縮が大きくなるため、得られるセッターについて変形、寸法ばらつき等を生じ易く、歩留まりが低いという問題もあった。
【０００６】これに対して、基材に溶射によりコート層を設け、厚いコートを薄いコート層に対して４倍以内の厚さとするセッターが提案されている（特開２０００−１４６４５６公報）。このセッターは、各コート層の厚さの相違により、セッターに反りが発生することに着目したものであり、各コート層の厚さを略同じにすることにより、反りの発生を防止するものである。
【０００７】しかし、このセッターは、被焼成体を載置する面のコート層が、被焼成体成分によりその残存膨張特性に影響を受けること、並びにコート層を構成するＺｒＯ_２の安定化率、用いる安定化剤の種類、及びコート層の気孔率が、コート層の残存膨張特性に大きく関与することについては、何ら考慮されていなかった。また、基材を肉薄化したセッターでは、用いる基材の材質、及び選択する焼成温度によっては、基材自体が下方に屈曲する場合があるが、このセッターでは、この点についても何ら考慮されていなかった。
【０００８】この結果、この従来のセッターでは、実際に、被焼成体を載置する面とその反対の面で、同一厚さのコート層を設けた場合であっても、セッターに反りを生じて、焼成回数が１０回以内でも使用不可能になるものが多いというのが現状であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題に鑑みなされたものであり、基材を肉薄化した場合であっても、繰り返し使用によるセッターの反りを適確に防止することができ、長期間に至って使用することができるセッターを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の問題に鑑みて鋭意検討したところ、被焼成体成分による影響、及び基材のベンド量等を考慮した上で、コート層を構成するＺｒＯ_２の安定化率、コート層の気孔率、及びＺｒＯ_２安定化剤の種類等を制御して、予め、被焼成体を載置した面と、その反対面とで、残存膨張量の異なるコート層を設けることにより、上述した問題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】即ち、本発明は、セラミックスからなる基材上に、ＺｒＯ_２を主成分とするコート層を備えるセラミックス電子部品焼成用セッターであって、基材の載置面及びその反対面で、残存膨張量の異なるコート層を備えることを特徴とするセッターを提供するものである。
【００１２】本発明においては、当該載置面のコート層が、下記式（１）に示す安定化率３０〜１００％のＺｒＯ_２層からなり、かつ載置面及びその反対面の各コート層を構成するＺｒＯ_２層の安定化率が、１〜６０％の差（絶対値）を有すものが好ましい。
【００１３】
【数２】
安定化率（％）＝（立方晶／（立方晶＋単斜晶））×１００　　…（１）
【００１４】「式（１）中、安定化率は、使用前の状態についての値である。」
【００１５】また、本発明においては、当該載置面及びその反対面の各コート層が、異なる種類の安定化剤を含有するＺｒＯ_２層からなるものも好ましい。
【００１６】また、本発明においては、当該載置面及びその反対面の各コート層が、異なる気孔率を有するものも好ましく、その際、載置面のコート層は、溶射又はスプレーコーティングの何れか一の方法により形成され、載置面の反対面のコート層は、載置面のコート層を形成する方法と異なる、スプレーコーティング又は溶射の何れか一の方法により形成されてなるものが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を具体的に説明する。
本発明のセッターは、セラミックスからなる基材上に、基材の載置面とその反対面で、ＺｒＯ_２を主成分とし、相互に残存膨張量の異なるコート層を備えるものである。
【００１８】これにより、載置面のコート層が、被焼成体成分等の影響で、ＺｒＯ_２結晶の相転移による残存膨張量の増大を生じ、更には、基材が、被焼成体の焼成時において屈曲したりする場合であっても、予め設けた各コート層間の残存膨張量差により、これら反りに関する要因が相殺され、繰り返し使用によっても、セッターに反りを生じることなく長期間に至って使用することができる。
【００１９】ここで、「残存膨張量」とは、焼成後のコート層の長尺方向における長さから焼成前のコート層の長尺方向における長さを引いた値をいい、ここでの、各コート層の長尺方向における長さは、基材の拘束のない状態での長さを意味する。
【００２０】本発明において、載置面及びその反対面のコート層間における残存膨張量の差は、被焼成体との反応及び基材のベンド量の影響等により、セッター全体として、載置面方向への反り（以下、「上反り」という。）又はその反対面方向への反り（以下、「下反り」という。）が生じ得る場合に、相反する方向に反りを生じさせる範囲で設けることが必要であり、被焼成体焼成時におけるセッターの反り量が２．０ｍｍ未満に低減できる範囲とする。
【００２１】具体的には、載置面のコート層では、その残存膨張量が、被焼成体の成分、及び焼成条件によって変化し、また、基材のベンド量は、基材の厚さ及び材質、並びに被焼成体の焼成温度等によって異なるため、これら各要素を総合的に考慮して両コート層間における残存膨張量の差を決定する必要がある。
【００２２】なお、セッターの反り量は、図１に示すように、セッターを水平面に静置した際に、焼成前後のセッター１、２で、厚さ方向に最上位点が移動した長さ（Ｘ）をいう。また、ここでは、１〜ｎ（ｎ＝１０以上の整数）回、焼成に用いた際に、使用前のセッターに対する各回の焼成後のセッターについての各反り量が該当する。従って、本発明のセッターは、少なくとも１０回以上使用した場合、何れの回でも、使用前のセッターに対して２．０ｍｍ以上反っていないものが該当する。
【００２３】次に、本発明において、残存膨張量の異なるコート層としては、各コート層を構成する各ＺｒＯ_２層が、下記式（１）に示す安定化率に差を有するものが好ましい。
【００２４】
【数３】
安定化率（％）＝（立方晶／（立方晶＋単斜晶））×１００　　…（１）
【００２５】「式（１）中、安定化率は、使用前の状態についての値である。」
【００２６】ここで、図２に基づいて、安定化率と、残存膨張量の焼成回数による変化との関係について説明する。
【００２７】図２に示すように、ＺｒＯ_２を主成分とするコート層では、安定化率が１００％又は０％に近いもの程、焼成時にＺｒＯ_２層の結晶相の転移が起き難いため、通窯回数１５回以内では残存膨張量が小さい。一方、安定化率が５０％に近いもの程、焼成時にＺｒＯ_２層の結晶相の転移が起き易く、通窯回数１５回以内でも、残存膨張の発生量が使用回数に略比例して大きくなる。
【００２８】また、載置面に設けたコート層（図中では安定化率１００％のコート層について点線で示す。）では、反対面に設けた同じ安定化率のコート層とは、異なる挙動を示す。即ち、通窯回数１５回以内でも、焼成時における被焼成体との反応により結晶相の転移が高頻度で起り、残存膨張量が大きくなる。このため、仮に、載置面とその反対面に同じ安定化率のコート層を設けた場合には、使用回数の比較的少ない時期で、両者の残存膨張量の差が大きくなり、セッターとして使用不可能な反りを生じ易くなる。
【００２９】これに対し、図１に示すように、例えば、載置面に安定化率１００％のコート層を設けた場合に、その反対面に安定化率９０％のコート層を設けると、両コート層は、残存膨張量の変化が略同じ挙動を示し、仮に基材の屈曲を除外して考えるとセッターの反りが防止されることになる。
【００３０】本発明においては、当該各コート層を構成する各ＺｒＯ_２の安定化率は、１〜６０％の差（絶対値）を有するものが好ましく、２〜５０％の差（絶対値）を有するものがより好ましく、５〜３５％の差（絶対値）を有するものが特に好ましい。
【００３１】各コート層を構成する各ＺｒＯ_２層の安定化率が、６０％より大きな差（絶対値）を有すると、被焼成体焼成時における基材の屈曲及び載置面に設けたコート層の被焼成体による影響を、載置面とその反対面に設けた両コート層間の残存膨張量差により、適確に相殺してセッターの反りを防止することが困難になり易いばかりか、未安定化ＺｒＯ_２粒子を多く含む安定化率の低いコート層が、粉体化による損耗を生じ易くなる。
【００３２】また、本発明においては、セラミックス基材の載置面に設けたコート層が、上記式（１）に示す安定化率が３０〜１００％のＺｒＯ_２層からなるものが好ましい。安定化率が３０％未満のＺｒＯ_２層からなるコート層では、粉体化による損耗を生じ易くなる。
【００３３】但し、図１に示すように、被焼成体成分による残存膨張量の変動量は、安定化率、被焼成体の焼成条件によって異なり、例えば、安定化率が小さいもの程、残存膨張量が大きく変動する。従って、載置面に設ける安定化率等に応じて、反対面のコート層の安定化率等も適切な範囲のものを選択する必要がある。
【００３４】また、載置面、及びその反対面の何れのコート層でも、例えば、安定化率が５０％付近のコート層の如く、焼成により残存膨張量が増大し易いコート層程、精密にセッターの反りを抑制することが困難となる。従って、本発明においては、載置面、及び／又はその反対面のコート層を、上記式（１）に示す安定化率が、６５〜１００％のＺｒＯ_２層とすることがより好ましく、７０〜１００％のＺｒＯ_２層とすることが特に好ましい。
【００３５】本発明において、安定化率に差を有する各コート層は、例えば、ジルコニア原料に異なる量で安定化剤を含有させた原料を用いて形成することができる。
【００３６】また、安定化剤としては、例えば、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）、又はセリア（ＣｅＯ）等を挙げることができる。また、例えば、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）であれば８質量％以上、カルシア（ＣａＯ）であれば５質量％以上含有させることにより、安定化率１００％のコート層を形成することができ、安定化率１００％未満のコート層については、それぞれ所望の安定化率に比例させて、上記含有量を減じればよい。
【００３７】一方、ＺｒＯ_２層の安定化率の低下を抑制して結晶相の転移を小さくする効果は、ＺｒＯ_２に含有させる安定化剤の種類によっても異なる。
【００３８】従って、本発明における残存膨張量の異なるコート層としては、各コート層を、異なる種類の安定化剤を含有するＺｒＯ_２で構成させたものであってもよい。
【００３９】この様なコート層では、簡易に残存膨張量の異なるコート層を設けることができ、安定化率が同じコート層とした場合であっても、各コート層間で、残存膨張量に差を設けることができる。
【００４０】本発明においては、前述した各安定化剤の効果の相違を考慮して、当該安定化剤の一種単独又は二種以上の混合物を選択して、各コート層毎に異なる安定化剤を用いればよい。
【００４１】また、本発明においては、各コート層を、異なる種類の安定化剤を含有し、かつ異なる安定化率を有するＺｒＯ_２層で構成することが、残存膨張量の差を設けられる範囲が広くなり、被焼成体成分による残存膨張量の増大等により適確に対応が可能となる点で好ましい。
【００４２】本発明においては、更に、残存膨張量に差を有する各コート層を、載置面及びその反対面のコート層で、それぞれ異なる気孔率を有するＺｒＯ_２層で構成させることも好ましい。
【００４３】このようなコート層では、気孔率の大きいコート層程、各粒子間の間隔が大きいため、焼成時の膨張量自体が減少し、残存膨張量についても小さくなる。逆に、気孔率の小さいコート層程、焼成時における各粒子の膨張がそのままコート層の膨張量として反映され、残存膨張量についても大きくなる。従って、この特性を利用して、各コート層をそれぞれ異なる特定の気孔率を有するＺｒＯ_２層とすることにより、各コート層間で適確に残存膨張量差を設けることができる。
【００４４】本発明においては、載置面及びその反対面に設けるコート層の気孔率の較差も、各コート層の材質の相違、被焼成体の成分、焼成温度、又は基材の厚さ若しくは材質等に応じて適宜好適な範囲とすることが好ましいことは勿論であるが、使用中において、コート層の強度が高い点で、５〜４０％（絶対値）の範囲とすることが好ましく、１０〜３０％（絶対値）の範囲とすることがより好ましい。
【００４５】また、異なる気孔率を有することに加え、前述した各コート層間で、安定化率が異なるＺｒＯ_２層としてもよく、更に、各コート層を、異なる種類の安定化剤を含有するＺｒＯ_２層とすることもできる。このようなコート層では、残存膨張量の差を設けられる範囲が広くなり、被焼成体成分による残存膨張量の増大等に、より適確に対応することができる。
【００４６】本発明において、相互に異なる気孔率を有するコート層は、例えば、異なる施工方法で各コート層を形成することに得ることができる。
【００４７】施工方法としては、通常用いられている方法でよく、例えば、スプレーコーティング、ディッピング、流し込み、又は溶射等を挙げることができる。また、気孔率を大きくする場合には（気孔率１５〜５０％）、スプレーコーティング、流し込み等が好ましく、気孔率を小さくする場合には（気孔率３〜１５％）、溶射が好ましい。また、コート層の厚さを精密に制御することができるため、載置面のコート層は、溶射又はスプレーコーティングの何れか一の方法により形成し、載置面の反対面のコート層は、スプレーコーティング又は溶射の他の何れか一の方法により形成することが好ましい。
【００４８】また、各コート層の気孔率の制御は、施工方法の選択によることは勿論であるが、スプレーコーティング、溶射等の何れによる場合でも、原料粒度、スラリー濃度、又はコート若しくは溶射の条件等を所望の範囲とすることにより一定範囲で制御することもできる。
【００４９】また、溶射としては、例えば、加熱の方法により燃焼炎を用いるガス溶射、アークを用いるアーク溶射、プラズマジェットを用いるプラズマ溶射等を挙げることができる。但し、平均厚さ２０〜２５０μｍの薄層を均一の厚さで形成できる点で、プラズマ溶射が好ましい。また、プラズマ溶射としては、水安定化プラズマ溶射、ガスプラズマ溶射等を挙げることができ、水安定化プラズマ溶射は、気孔率を大きめにする場合に（気孔率７〜１５％）好ましく、ガスプラズマ溶射は、気孔率を小さめとする場合に（気孔率３〜１０％）好ましい。
【００５０】なお、本発明における各コート層の残存膨張量は、コート層の厚さによっても差を設けることができる。但し、施工方法上の制限、基材の露出、及びコート層の剥離等の点から、コート層の厚さは２０〜４００μｍの範囲とすることが好ましく、５０〜３００μｍの範囲とすることがより好ましく、１００〜２００μｍの範囲とすることが特に好ましい。
【００５１】また、各コート層の厚さの差も、コート層の内部に組織破壊を生じることなく、各コート層の残存膨張量の差を広範囲で設けることができる点で、５０〜５００μｍの範囲とすることが好ましく、１００〜３００μｍの範囲とすることが好ましく、１００〜２００μｍの範囲とすることが好ましい。
【００５２】次に、本発明における基材は、その材質について特に制限はなく、例えば、炭化珪素、アルミナ、アルミナ−シリカ、コーディエライト等で構成することができる。
【００５３】但し、基材の材質は、被焼成体の焼成時において、基材のベンド性に影響を与えるため、使用温度等の使用条件を考慮して材質を選択することが好ましい。また、耐熱性、耐熱衝撃性等に優れる点、及び基材のベンド量が小さい点からは、アルミナ・シリカ質が好ましい。
【００５４】本発明においては、基材の厚さについても特に制限はなく、基材を肉厚化してセッターの反りへの抵抗を大きくすることもできる。また、被焼成体の焼成時にセッターに吸収される熱量が小さい点で、肉薄化した基材とすることも好ましい。なお、この際には、被焼成体の焼成時におけるセッターのベンド量が増大し易いので、この点を考慮して、基材の載置面及びその反対面で、所定の残存膨張量を有するコート層を設ければよい。
【００５５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて、より具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によって、何ら限定されるものではない。
【００５６】
（評価方法）
【００５７】
▲１▼　セッターの反り量
各実施例及び各比較例で得られたセッターを１５０ｍｍ×２０ｍｍ×４ｍｍのサイズに切断して、試料とした。各試料の載置面に相当する面に、セラミックスコンデンサーの主成分であるチタン酸バリウムを１０％含有する溶液を塗布した後、１３００℃、２時間の焼成を１０回繰り返し、各回の焼成後の試料について、図１に示す焼成前の試料に対する反り量Ｘを求めた。
評価は、セッターの各回の反り量が１．０ｍｍ以下のものを◎、２．０ｍｍ未満のものを○、２．０ｍｍ以上のものを×として評価した。
【００５８】
▲２▼　基材の屈曲量
各実施例及び各比較例で作製される基材を１５０ｍｍ×２０ｍｍ×４ｍｍのサイズに切断してそのまま試料とした。各試料を、１３００℃、２時間の焼成を１０回繰り返し、１０回焼成後の試料について、図１に示す基準と同様にして屈曲量を求めた。
【００５９】
▲３▼　残存膨張量較差
各実施例及び各比較例で得られたセッターについて、研磨により基材の部分を除去して、載置面のコート層と、その反対面のコート層を取り出し試料とした。得られた各試料は、載置面のコート層から取り出した試料については、セラミックスコンデンサーの主成分であるチタン酸バリウムを１０％含有する溶液を塗布し、載置面と反対の面のコート層から取り出した試料については、何も塗布せず、それぞれ、１３００℃、２時間の焼成を１０回繰り返した後、それぞれの長尺方向における長さを測定し、両者の較差を求めた。
【００６０】
▲４▼　載置面のコート層における残存膨張量の変動量
各実施例及び各比較例で得られたセッターについて、研磨により基材の部分を除去して、載置面のコート層を取り出した。次いで、得られた各コート層について、セラミックスコンデンサーの主成分であるチタン酸バリウムを１０％含有する溶液を塗布したものと、何も塗布しないものを作製し試料とした。
各試料について、１３００℃、２時間の焼成を１０回繰り返した後、それぞれの長尺方向における長さを測定し、何も塗布しない試料に対する、チタン酸バリウム溶液に塗布した試料の残存膨張量の変動量を求めた。
【００６１】
▲５▼　コート層の強度
評価は、コート層の粉体化が発生しなかったものを◎、粉体化が軽度発生したものを○、粉体化によりコートが損耗したものを×として評価した。
【００６２】
（実施例１）
まず、粒径１．５〜０．５ｍｍのアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）骨材３０質量％、粒径０．５ｍｍ以下のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）粒子２０質量％、粒径０．５ｍｍ以下の仮焼アルミナ１０質量％、粒径１０μｍ以下の粘土１５質量％、粒径０．１５ｍｍ以下のアンダルサイト２５質量％を混合し基材用の混合原料を調製した。次いで、得られた混合原料１００質量部に対してバインダーとしてメチルセルロース０．５質量部、水３質量部を添加後、フレット混練して坏土を得た。次いで、この坏土を油圧プレス機により、１ｔ／ｃｍ^２の圧力でプレス成形して１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×４ｍｍの成形体を得、この成形体を８０℃で８時間乾燥後、１５５０℃で２時間焼成して基材を作製した。なお、得られた基材の屈曲量は０．３ｍｍであった。
【００６３】次に、この基材の載置面に、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子（安定化率１００％）を用いて、水プラズマ溶射し、厚さ１００μｍのコート層を形成した。また、基材の載置面と反対の面に、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子９９質量％と、未安定化ジルコニア粒子１質量％とを混合した混合原料（安定化率９９％）を用いて、水プラズマ溶射し、同じ厚さのコート層を形成して、セラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表１にまとめて示す。
【００６４】
（実施例２〜４及び比較例１〜３）
それぞれ、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子と、未安定化ジルコニア粒子とを表１に示す比率で混合した混合原料を用いて、基材の載置面及びその反対面にコート層を形成したこと以外は実施例１と同様にしてセラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表１にまとめて示す。
【００６５】
【表１】

【００６６】
（評価）
何れの実施例及び比較例も載置面のコート層の安定化率を１００％とした場合である。載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を６５〜９０％（安定化率較差１０〜３５％）とした実施例２、３のセッターで、反り量１．０ｍｍ以下と殆ど反りが発生しなかった。また、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率をそれぞれ９９％（安定化率較差１％）、４０％（安定化率較差６０％）とした実施例１、４のセッターで、反り量２．０ｍｍ未満の小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。
【００６７】これに対して、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を１００％（安定化率較差０％）と、載置面のコート層と同一とした比較例１のセッターでは、反り量２．０ｍｍ以上の大きな反りが発生した。また、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を３９％（安定化率較差６１％）と小さくした比較例２のセッターで、反り量２．０ｍｍ以上の大きな反りが発生した。また、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を２０％（安定化率較差８０％）とした比較例３のセッターでは、反り量が１．０ｍｍ以下と小さかったが、基材の載置面と反対の面に設けたコート層が粉体化により損耗してしまった。評価については、表２にまとめて示す。
【００６８】
【表２】

【００６９】
（実施例５〜８及び比較例４、５）
それぞれ、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニアと、未安定化ジルコニア粒子とを表３に示す比率で混合した混合原料を用いて、基材の載置面及びその反対面にコート層を形成したこと以外は実施例１と同様にしてセラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表３にまとめて示す。
【００７０】
【表３】

【００７１】
（評価）
（実施例５〜７及び比較例４）
実施例５〜７及び比較例４のセッターは、各面のコート層間で、当該各コート層を構成するジルコニアについて、安定化率の較差を１０％とした場合である。
【００７２】載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を４０〜７０％とした実施例５〜７のセッターで、反り量２．０ｍｍ未満の小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。
【００７３】これに対して、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を２０％とした比較例４のセッターでは、反り量は２．０ｍｍ未満であったが、基材の載置面と反対の面に設けたコート層が粉体化により損耗してしまった。評価については、表４にまとめて示す。
【００７４】
（実施例８及び比較例５）
実施例８及び比較例５のセッターは、各面のコート層間で、当該各コート層を構成するジルコニアについて、安定化率の較差を１％とした場合である。
【００７５】載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を３０％とした実施例８のセッターでは、反り量２．０ｍｍ未満の小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。
【００７６】これに対して、載置面と反対の面におけるコート層の安定化率を２９％とした比較例５のセッターでは、反り量が２．０ｍｍ未満であったが、載置面と反対側のコート層が脆性破壊により剥がれてしまった。評価について、表４にまとめて示す。
【００７７】なお、これらの結果は、セッターの表層を構成するＺｒＯ_２層の安定化率は片面を必ずしも安定化率１００％とする必要がないこと、及び残存膨張較差による反り制御が可能であっても、安定化率が３０％未満であるときに使用上で問題を生じることを示すものである。
【００７８】
【表４】

【００７９】
（実施例９〜１２及び比較例６、７）
１４００℃で２時間焼成して基材を作製したこと、並びにそれぞれ、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子と、未安定化ジルコニア粒子とを表５に示す比率で混合した混合原料を用いて、基材の載置面及びその反対面にコート層を形成したこと以外は実施例１と同様にしてセラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表５にまとめて示す。
【００８０】
【表５】

【００８１】
（評価）
これらの実施例及び比較例は、基材の屈曲量が大きな場合に、載置面のコート層の安定化率を変化させた例に関するものである。
【００８２】表６に示すように、載置面のコート層の安定化率を６５％（安定化率較差３５％）とした実施例１１のセッターでは、反り量１．０ｍｍ以下と殆ど反りが発生しなかった。また、載置面のコート層の安定化率を９０〜９９％（安定化率較差１％）とした実施例９、１０のセッターでは、反り量２．０ｍｍ未満の下方向への小さな反りが発生し、載置面のコート層の安定化率を４０％とした実施例１２のセッターでは、反り量２．０ｍｍ未満の上方向への小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。
【００８３】これに対して、載置面のコート層の安定化率を１００％（安定化率較差０％）と、載置面と反対の面のコート層と同一とした比較例６のセッターでは、反り量２．０ｍｍ以上の下方向への反りが発生した。また、載置面のコート層の安定化率を３９％（安定化率較差６１％）とした比較例７のセッターでも、反り量２．０ｍｍ以上の上方向への反りが発生した。評価については、表６にまとめて示す。
【００８４】
【表６】

【００８５】
（実施例１３）
まず、プレス成形して得られた成形体を８０℃で８時間乾燥後、１４００℃で２時間焼成したこと以外は実施例１と同様にして基材を作製した。なお、得られた基材の屈曲量は２．０ｍｍであった。
【００８６】次に、この基材の載置面に、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子８０質量％と、未安定化ジルコニア粒子２０質量％とを混合した混合原料（安定化率８０％）を用いて、水プラズマ溶射し、ジルコニア質で、厚さ１００μｍのコート層を形成した。
【００８７】次に、粒径１０〜４５μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子６０質量％と、粒径１０μｍ以下の８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニアの４０質量％とを混合した混合原料を調製し、この混合原料１００質量部に対して水３０質量部、バインダーとしてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を０．５質量部添加してスラリーを調製した。次いで、このスラリーを、基材の載置面と反対の面に、スプレーガンを用いて、空気圧５ｋｇ／ｃｍ^２でスプレーコーティングした後、１４００℃で２時間焼付け処理を行い、ジルコニア質で、厚さ１００μｍのコート層を形成して、セラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細については、表７にまとめて示す。
【００８８】
（実施例１４）
粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子（安定化率１００％）を用いて、水プラズマ溶射により、基材の載置面にコート層を形成したこと以外は実施例１３と同様にしてセラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表７にまとめて示す。
【００８９】
【表７】

【００９０】
（評価）
これらの実施例は、載置面のコート層を溶射により形成し、載置面と反対の面のコート層をスプレーコーティングにより形成することにより、両コート層間で気孔率に較差を設けた例に関するものである。
【００９１】表８に示すように、異なる施工方法で、各コート層間でジルコニア粒子密度に較差を設けた実施例１３、１４のセッターでは、反り量２．０ｍｍ未満の下方向又は上方向の小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。特に、実施例１４のセッターでは、各コート層間で安定化率を同じにしたにも関わらず、異なる施工方法で、各コート層を形成するのみでセッターの反りを抑制することができた。なお、実施例１３の例は、各コート層の安定化率に較差を設けることに加え、異なる施工方法でコート層を形成することでより精密な制御が可能となることを示唆するものでもある。
【００９２】これに対して、載置面及びその反対面に、何れも溶射により安定化率１００％（安定化率較差０％）のコート層を形成した比較例６のセッターでは、反り量２．０ｍｍ以上の下方向への反りが発生した。評価については、表８にまとめて示す。
【００９３】
【表８】

【００９４】
（実施例１５）
まず、プレス成形して得られた成形体を８０℃で８時間乾燥後、１４００℃で２．０時間焼成したこと以外は実施例１と同様にして基材を作製した。なお、得られた基材の屈曲量は２．０ｍｍであった。
【００９５】次に、この基材の載置面に、粒径１００〜２００μｍの５質量％ＣａＯ安定化ジルコニア粒子８０質量％と、未安定化ジルコニア粒子２０質量％とを混合した混合原料（安定化率８０％）を用いて、水プラズマ溶射し、ジルコニア質で、厚さ１００μｍのコート層を形成した。
【００９６】次に、この基材の載置面と反対の面に、粒径１００〜２００μｍの８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニア粒子（安定化率１００％）を用いて、水プラズマ溶射し、ジルコニア質で、厚さ１００μｍのコート層を形成して、セラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細については、表９にまとめて示す。
【００９７】
（実施例１６）
粒径１００〜２００μｍの５質量％ＣａＯ安定化ジルコニア粒子１００質量％（安定化率１００％）を用いて、基材の載置面にコート層を形成したこと以外は実施例１５と同様にしてセラミックス電子部品焼成用セッターを製造した。詳細は、表９にまとめて示す。
【００９８】
【表９】

【００９９】
（評価）
これらの実施例は、載置面のコート層と、その反対の面のコート層とを、異なる安定化剤を含有させた安定化ジルコニアで形成した例に関するものである。
【０１００】表１０に示すように、異なる安定剤を各コート層に含有させた実施例１５、１６のセッターでは、反り量２．０ｍｍ未満の上方向又は下方向の小さな反りが発生したが、実用上問題のない程度であった。特に、実施例１６のセッターでは、各コート層間で安定化率を同じにしたにも関わらず、セッターの反りを抑制することができた。なお、実施例１５の例は、各コート層の安定化率に較差を設けることに加え、異なる安定剤を各コート層に含有させることで、より精密な制御が可能となることを示唆するものでもある。
【０１０１】これに対して、載置面及びその反対面に何れも８質量％Ｙ_２Ｏ_３安定化ジルコニアの粒子（安定化率１００％）で、コート層を形成した比較例６のセッターでは、反り量２．０ｍｍ以上の下方向への反りが発生した。評価については、表１０にまとめて示す。
【０１０２】
【表１０】

【０１０３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のセラミックス電子部品焼成用セッターによれば、基材の厚いセッターのみならず、肉薄化した場合であっても、繰り返し使用によるセッターの反りを適確に防止することができ、長期間に至って使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】セッターを構成する基材の屈曲量の測定基準を模式的に示す説明図である。
【図２】ジルコニアコート層について、残存膨張量と、通窯回数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…焼成前のセッター、２…焼成後のセッター。

Claims

セラミックスからなる基材上に、ＺｒＯ_２を主成分とするコート層を備えるセラミックス電子部品焼成用セッターであって、
該基材の載置面及びその反対面で、残存膨張量の異なるコート層を備えることを特徴とするセラミックス電子部品焼成用セッター。
前記載置面のコート層が、下記式（１）に示す安定化率３０〜１００％のＺｒＯ_２層からなり、かつ該載置面及びその反対面の各コート層を構成する該ＺｒＯ_２層の安定化率が、１〜６０％の差（絶対値）を有する請求項１に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【数１】
安定化率（％）＝（立方晶／（立方晶＋単斜晶））×１００　　…（１）
「式（１）中、安定化率は、使用前の状態についての値である。」
前記載置面及びその反対面の各コート層が、異なる種類の安定化剤を含有するＺｒＯ_２からなる請求項１又は２に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
前記載置面及びその反対面の各コート層が、異なる気孔率を有する請求項１〜３の何れか一項に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
前記載置面のコート層が、溶射又はスプレーコーティングの何れか一の方法により形成され、前記載置面の反対面のコート層が、前記載置面のコート層を形成する方法と異なる、スプレーコーティング又は溶射の何れか一の方法により形成されてなる請求項４に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。