TWI240715B - Setter for firing ceramic electronic component - Google Patents

Description

1240715 欢、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 壓電元件、熱敏電阻等陶莞電子零件 本發明涉及在燒成陶瓷電容器 時所使用的載置器。 【先前技術】 板等titr燒成用載置11 (以下簡稱爲“載置器”）是被裝載在架 === 盤，在製作_材質電子部件時，其上載置被燒成 餘r後成爲電子部件，以下相同〕以進行燒成的構件。因而，處於這 應的=置器’由其使用環境和其使用目的，要求與被燒成體的反 數、、欧和耐急冷急熱性要強。爲此，廣泛使用的現有的載置器， f性和耐急冷急熱性大的聽.⑽作爲基體材料，在該基體材料的 =上，賴⑽駐魏分的被制，㈣止被燒賴成分和基體材料 =是’設有這樣覆制載置器，因使用引起的反復加熱和冷卻，

置讀生彎曲的問題，從提高耐久性峨點出發迫 旎侍到改善的載置器。 W 體材::更ί=ί:ί:=Ι器’都是通過在高溫下燒成基 疋由於這樣的載置器在該高温下燒成時要消耗大量的燃料，所以 二传到的載置器的成本升高的問題。另外，用高溫燒成時，因燒成收縮 =所以传到的載置器容易發生變形、尺寸波動等，原材料利用率低的 此相反，提出了在基體材料上时鏟設被覆層、製作相對於薄的被 倍:内厚度二厚的被覆層的載置器(例如日本特許細^ :艮、、這種載置著眼點在於，因各被覆層的厚度不賴置器會發生彎 ，通過使各被覆層的厚度大體相同，來防止彎曲的發生。 雜^ 種載置器―點也沒有考慮載置被燒成體的面的被覆層受到由 $、、體成分對其餘留膨脹特性的影冑、和構成被覆層的z池的穩定化 1240715 率、使用的穩定化綱麵及霞層的氣 大地干預。另外，根據所赌體材料的材質+=^的餘留膨脹特性較 薄壁化的載置器有時會發生基體材料本身向下方〜j溫度，基體材料 置器對這-點也絲毫沒有考慮 弓田的f月況， 但是這種載 其結果大多數的現狀是，實際上在這種 置被燒成體的面和其相反面上設相同厚度的被 生彎曲，燒成次數都不可能使用1〇次。 下載置时也發 【發明内容】 人蓉^上述問題，本發明的目的在於，提供即使在基體材料薄壁化 &下’也能·當地防止由反復使㈣起賴置 期使用的載置n。 #於上述問題，本發明人進行了深入之研究發現 造成的影響和基體材料的彎曲量之後，㈣齡Μa〜散70赌成刀 iΓ 制構成被覆層的論的穩定化 率、被覆層軌孔率及純穩定化劑__，在載置被燒成體的面及立 相反面上預綠殘餘膨脹量不同的被覆層，就可以使 了 直至完成本發明。 即’本發明提供-鋪懸，其特徵在於，在由喊構成的基體材料 上，具有以Zr〇2爲主要成分的被覆層的陶究電子零件燒成用載置器，在基 體材料的餘面及其相反社，具有殘餘膨脹量不同的被覆層。 在本發明中，該載置面的被覆層由下述式（1)中表示的穩定化率爲3〇 〜100%的Zr〇2層構成，並且優選構成載置面及其相反面的各被覆層的Zr〇2 層的穩定化率有1〜60%的差（絕對值）。 穩定化率（％)=(立方晶/(立方晶+單斜晶））χ1〇〇 d) [式（1)中穩定化率是在使用前的狀態中的值。] 另外，在本發明中，優選載置面及其相反面的各被覆層由含有不同種 類的穩定化劑的21'〇2層構成。 另外，在本發明中，優選該載置面及其相反面的各被覆層有不同的氣 孔率，此時，載置面的被覆層優選用喷鍍或噴塗的任一種方法形成，且載 1240715 優選用與形成載置面的被覆層的方法不同的喷塗或 【實施方式】 以下，具體地說明本發明的實施方式。 及且=3載=是ΐ由陶变構成的基體材料上、在基體材料的«面 的載置器。〃有以r〇2作駐要成分、殘餘膨脹量相互不同的被覆層 藉此’因被燒成體成分等的影響，載置面的被覆層發生由士 轉移引起的殘餘膨脹量的增大，<日是，、、口阳相 ^ ㈢1 一疋卩卩便在被燒成體燒成時基體材料彎 ^口，根據預先設的各被覆層間的殘餘膨脹量的差，也可 些^曲有_主要a素相抵消，即使反復使用，載置器也得生彎曲二 於能夠長期使用。 ，晨’所謂“殘餘膨脹量”是指燒成後的被覆層在紐方向上的長产 減枝成前的被覆層在長度方向上的長度所得的，這裏，各被覆層在長= 方向上的長度疋指基體材料在不受約束的狀態下的長度。 本發明中，在因與被燒成體反應及基體材料f曲量的影響，載置 體發生向載置面方向的彎曲（以下稱爲“上彎曲”）或者向其相反; =幫曲（以下稱爲“下彎曲”）的場合下，必須將載置面及其相 被

覆層間的殘騎脹量縣設絲向相反方向發生料的範_ Z 體燒成時的載置器的彎曲量才可以降低^以下的範_。滅 具體地說，_在載置面馳覆种，其殘餘膨脹量減被燒成 成分及燒祕件而變化，另外，基體材料的料量根據基體㈣ 材負和被燒成體的燒成溫度等而獨，所以有必要综合雜 定兩被覆層間的殘餘膨脹量的差。 二要素來決 另外，如圖1所示，載置器的彎曲量是指，在將載置器水平地靜置 3前後的載置器1及2中在厚度方向上最上位點移動的長度⑴。另外， =裏’燒成時用1〜η (n=10以上的整數）次時，在相對於使用前 器的各次燒舰賴置H㈣各彎曲量都差衫。因而，本發卿载置器， 1240715 在使用至少ίο次以上的場合，無論哪一次 都差不多都不在2. 〇麵以上。 ㈣於使財喊置器其彎曲 另外，在本發明中，殘餘膨脹量相異的 Zr〇2層有下述式⑴中所示的穩定化率的差纟a㈣構成各被覆層的各 立方晶/(立方晶+單斜晶））_ ⑴ [式⑴中歡化率是在使用前的狀態中的值。] 之間3係根顧2制敎辨與由殘餘膨脹量職成次刻起的變化 ㈣如爲主要成分的被覆層中，穩定化率越接近100% 謝次數 =:=相的轉移越容s，即使二 邊膨脹的發生1隨使用次數大致成比例地變大。 声載置面上設的被覆層（針在穩定化率爲聰的被覆層用虛線 3不上Γ二面上設的相同的穩定化率的被覆層顯示不同的行爲。也就是 中次數爲15次以内時’因與燒成時的被燒成體的反應，高頻 起、、、。晶相轉移，殘餘膨脹量變大。因此，假若在载置面和與其相反面 j同穩定化率的被覆層的場合，在制次數比較少的時_，兩者的殘 餘膨脹量的差變大，容紐生不能作爲載置H而使用的彎曲。 2此相反，如圖i所示，例如，如果載置面設穩定化率100%的被覆層 2合其減面設穩定化率9G%的被覆層，那麼兩被覆細示殘餘膨脹量 在本發明中，優選構成各被覆層的各Zr〇2的穩定化率有1〜60%的差（絕 對值）’更優選有2〜50%的差（絕對值），特優選有5〜35%的差（絕對值）。 構成各被覆層的各Zr〇2層的穩定化率有比60%大的差（絕對值）時， =仁通過载置面及其相反面上所設的兩被覆層間殘餘膨脹量的差準確地抵 ’肖被燒成體燒成時的基體材料的彎曲及載置面上所設的被覆層的由被燒成 體産生的影響，以防止載置器的彎曲容易變得困難，而且含未穩定化Zr〇2 1240715 粒子多的穩定化率低的被覆層因粉末化容易發生損耗。 另外、’在本發日种’優選喊基體材料的載置面上所制被覆層由上 述（1)式中所不的穩定化率爲3〇〜1〇〇%的Zr〇2層構成。在由穩定化率不 足30%的Zr〇2層構成被覆層時，因粉末化容易發生損耗。 可疋，如圖1所不，被燒成體成分引起的殘餘膨脹量的變動量因穩定 化率、被燒成體的燒成條件而異，例如，穩定化率越小，殘餘膨脹量變動 越大。因而，必雜據載置面上所設的穩定化轉選擇相反面的被覆層的 穩定化率等在適當的範圍内。 另外，載置面及其相反面的任一被覆層，例如，若是穩定化率在5〇%左 右的被覆層，燒成引起的殘餘膨脹量越易增大，精密地控制載置器的彎曲 就越困難。因而，在本發财，更優餅面及/或其滅面的被覆層取 爲上述（1)式所示的穩定化率爲65〜100%的21^〇2層，特優選爲7〇〜1〇〇 %的Zr〇2層。 在本發明中’穩定化率有差異的各被覆層，例如，可以使用在氧化錯 原料中含有不同量穩定劑的原料而形成。 ，外，作爲穩定劑，例如有氧化釔（Υ2〇3)、氧化鈣（Ca〇 )、氧化鎂（Mg〇) ，二氧化# (GeG)等。另外，例如，通過含有氧減⑽3) 8 f量％以上， ，化約（CaG) 5質量％以上，就可以形成穩定化率議％的被覆層，對於穩 疋化率不足1_的被覆層，只要按照所希望的穩定化率成比繼減少上述 含有量就行。 另一方面，抑制Zr〇2層穩定化率的降低使結晶相的轉移變小的效果根 據Zr〇2中含有的穩定劑的種類而異。 因而，作爲本發明中的殘餘膨脹量不同的被覆層，也可以用含有不同 種類的穩定劑的Zr〇2構成各被覆層。 這樣的被覆層中，可以簡單地設定殘餘膨脹量不同的被覆層，即使 在穩疋化率相同的被覆層中，在各被覆層間，也可以對殘餘膨脹量設定差 別。 添在本發明中，考慮上述各穩定化劑的效果的差異，可以選擇該穩定化 背1的單獨一種或二種以上的混合物，各被覆層可以分別使用不同的穩定化 1240715

_ j外’在本發明中’各被覆層由含有不同種類的穩定化劑並且具有不 同ίΐ:率的Zr〇2層構成，優選被設定的殘餘膨脹量的差別的範圍寬、可 以fa *地與被燒成體成分引起的殘餘膨脹量的增大等相對應。 s甘f外在本毛明中更優選殘餘膨脹量具有差別的各被覆層由载置面 及”相反面的被覆層且其分別具有不同的氣孔率的抓層構成。 的被覆層巾’由於氣孔率獻的被制，各粒子_隔越大， 時的膨脹量自身減少，殘餘膨脹量也就越小。相反，氣孔率越小 層’燒祕的各粒子_脹可作爲自身被覆層_脹量反應出來， 脹量就越大。因而，_此特性，通過純覆層分別_具有不同 ，孔率的抓層的手段，就可以在各被覆賴恰#地設定殘餘膨服 ΐ的差別。 f本發日种，無需說，優賴置減其減面上财馳覆層的氣孔 ίϋί!1根據各被?層的材f的不同、被燒成_成分、燒成溫度或基體 =、厚度缝質轉取恰當的範圍，但從使财被覆層雜度要高這點 X優選取5〜40% (絕對值）的範圍，更優選取1()〜織（ 的範圍。 > ^外’除具有不同的氣孔率以外，也可以在上述的各被覆層間製作穩 ^化率不同的ΖιΌ#，還可以將各被覆層製成含有不囉類的穩定化劑的 =層。在⑨樣的被覆層中，所設的殘餘膨脹量的差別的範圍廣、可以更恰 虽地與由被燒成體引起的殘餘膨脹量的增大等相對應。 在本發明中，具有相互不同的氣孔率的被覆層，例如，可以用不同的 施工方法形成各被覆層而得到。 、作爲靶工方法，可以用通常被使用的方法，例如可以舉出喷塗、浸潰、 噴，等方法。另外，在氣孔率大的場氣孔率15〜5。％)，優選噴 塗 '洗注等方法，在氣孔率小的場合（氣孔率3〜15% )，優選喷鑛的方法。 另爲了能夠精密地控倾覆層的厚度，優選載置面的被襲用喷鐘或 "Τ塗的任-種方法軸，而載置面的相反面的被覆層时塗或似的另一 種的任一種方法形成。 11 1240715 需說可以由施工方法的選擇來決 的場合，通過使原料的粒度、料襞 的範圍内，也可以在一定的範圍内 —另外，各被覆層的氣孔率的控制無 =，但即使在用喷塗、喷鍍等的任—種 濃度、或者塗或喷鍍的條件等在所希望 進行控制。 電弧的電弧喷鍍生的燃燒焰的氣體噴鍍、用 2〇^5〇,m =:=，水穩定化等離子噴鍍、氣體等離子喷鍍等、，W孔 另外，中的各被覆層的殘餘膨脹量也可以根據被 旦：’從受施工方法的限制、基體材料的露出及被覆層的剝離等 ^ ^ ^mr^2〇^〇〇um^ , ^Γ300 _的範圍内，特優選在綱〜2〇〇_的範圍内。^在50 300 另^從被覆邮㈣生组織破壞，各被麟 可以在較廣的範圍内進行奴這點出發，優選各被覆層 =圍:Γ，麵在⑽〜_㈣細，議在⑽〜聊 另外’本發Β种的基體材料對其材質不作特別的限制，例如，可以用 奴化矽、氧化鋁、氧化鋁—二氧化矽、堇青石等構成。 但是，在被燒成體燒成時，由於基體材料的材f對基體材料的彎曲性 將賦予影響’所以優選考慮制溫使祕件而聰㈣。糾，從财 熱，、耐衝擊性等要優良及基體材料的彎曲量要小這點出發，優選氧化銘· 二氧化石夕質。 、 在本發明中，對基體材料的厚度也不作特別的限制，使基體材料厚壁 化也可以使載置II對彎曲軌抗增A。另外，從概成體燒麟被載置器 吸收的熱量要小這點出發，更優選薄壁化的基體材料。此時，由於被燒成 體燒成時的載置器的弯曲量容易增大，所以從這點考慮，在基體材料的載置面 及其相反面可以設具有規定的殘餘膨脹量的被覆層。 12 1240715 以下，根據實施例，更具體地說明本發明。但是，本發明並不限於這 些實施方式。 ' (評價方法） (1) 载置器的彎曲量 將在各實施例及各比較例中得到的載置器切斷成150mmx20mmx4mm的大 小，製成试樣。在各試樣的相當於載置面的面上塗布含有10%的陶竟電容 器的主要成分的鈦酸鋇的溶液後，反復10次130(rc、2小時的燒成，對各 次燒成後的試樣，求出如圖1所示的相對於燒成前的試樣的彎曲量乂。 按以下進行評價：載置姦各次的彎曲量在1· 0mm以下時評價爲◎，不 足2. 0mm時評價爲〇，2· 0mm以上時評價爲x。 (2) 基體材料的彎曲量 將在各實施概各比糊帽作的基體材料切喊15Gmmx2()mmx4mm的 大小，按照原樣製成試樣。將各試樣反復進行1〇次13〇(rc、2小時的燒成， 對10次燒成後的試樣，與圖1所示的基準相同，求出彎曲量。 (3) 殘餘膨脹量的差別 對於各實施例和各比較例得到的載置器，通過研磨除去基體材料部 分’取出載置面的被覆層和其相反面的被覆層，製成試樣。 得到的各試樣，對於由載置面的被覆層取出的試樣，塗布含有1〇%的 陶曼電容器的主要成分賴酸鋇的溶液，對於由與載置面相反的面取出的 試樣’不作任何塗布’分別反復進行10次·。c、2小時的燒成後測定 各自長度方向的長度，求出兩者的差。 U)載置面的被覆層中的殘餘膨脹量的變動量 對於各實施例和各比較例得到的載置器，通過研磨除去基體材料部 分，取出載置面的被覆層。然後，對於得到的各被覆層，製作塗布含有1〇 %的陶瓷電容器的主要成分的鈦酸鋇的溶液的試樣和什麽也不塗布的試 對於各試樣，進行反復10次戰、2小時的燒成後，分別測定長度 方向的長度，求出塗布鈦酸鋇溶液的試樣相對於什麼也不塗布的試樣的殘 餘膨騰量的變動量。 13 1240715 (5)被覆層的強度 照2下評價：不發生截層咐妹化日◎，城發生粉末化 寸-平彳貝爲〇，因粉末化被覆層損耗時評價爲X。 (實施例1) =先，錄徑L 5〜〇. 5_的氧她（)轉㈣量％、粒徑〇· 5麵 l2〇3)粒子20質量％、粒徑〇.5職以下的假燒氧化铭（祕） 2 、粒徑10㈣以下的枯土15質量％和粒徑〇· 1W乂下的紅柱石 1()H 調製基體材料用混合原料。接著，相對於得到的混合原料 得播貝Λ /σ作爲枯接齊附基纖維素〇.5質量份、水3質量份後，用輪 :、〜，付制&土。紐，則t/an2賴力用雌機使該陶述土麼力 ^ ^寻到。150刪X150mmx4刪的成型體，使該成型體在赃下乾燥8小時 i旦^55G<：下燒成2小時’製作基體材料。另外，得到的基體材料的彎 两厘:疋0. 3mm。 YO H，在該基體材料的載置面上，用粒徑1GQL的8質量％的 ^穩疋絲化絲子（敎化率⑽％)，進行水㈣子倾，形成厚度 _的被覆層。另外，在與基體材料載置面相反的面上，用粒徑⑽〜 子f量％的脇敎化氧化錄子99 f量％和未穩定化氧化錯粒 样厂^ 合的混合補（穩定化率99%)，進行轉離子賴，形成同 铒度的被覆層’製造_電子零件燒成賴置器。詳細結果匯總示 (實施例2〜4及比較例1〜3) 別使用將粒㈣0〜測_的s質量％的抓穩定化氧化錯粒 “署甘匕乳化錯粒子以表1所示的比率混合的混合原料、在基體材料 ，置面及其相反面上形成被覆層以外，與實施例丨同樣地 竟電子零件燒成職置器 表㈤ ------- _ 表1 基體材料 晴 纖麵搬的涵 覆爵 〜---- 的 度rc) 方紅方法 願混 合比*1 穩定僻 (%) 方舡方法 騎斗混合 比*1 JVXiMJW 穩定僻 (ΟΖΛ 1550 嘯 100:0 100 _度 100:0 \/0 J 100 1550 嘯 100:0 100 —麟 99 ： 1 99 14 1240715 mwn 1550 q 實腑!13 1550 實方_4 1550 η 1550 η t酬3 1550 tS _度 100 ： ο 氺1 : 100 100 100 100 100

(穩定化 100 ： ο —100:0 100 :0 率100%)和未穩定化氧化锆粒子的質量比 (評價） 粒徑⑽〜2GG_的8質量％的Y2〇3穩定化氧化錯粒子 任一實施例及比較例都使載置面的被覆層的穩定化率爲100%。使與載 置面減的面的被覆層的穩統率爲65〜9G%(穩聰率的差爲1G〜35⑹ 的實施例2、3的載置n，彎曲量在丨.〇mm以下，大體不發生彎曲。另外， 使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率分別爲99% (穩定化率的差爲i %)、40% (穩定化率的差爲6〇%)的實施例i、4的載置器，發生彎曲量 不足2· 0刪的較小的彎曲，但大體在實用上沒有問題。 與此相反’使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率爲1〇〇% (穩定化 率的差爲0%)、與載置面的被覆層相同的比較例1的載置器，彎曲量在 2· 0讓以上，發生大的彎曲。另外，使與載置面相反的面的被覆層的穩定化 率爲較小的39% (穩定化率的差爲61%)的比較例2的載置器，彎曲量在 2. 0刪以上，發生大的彎曲。另外，使與載置面相反的面的被覆層的穩定化 率爲20% (穩定化率的差爲80%)的比較例3的載置器，彎曲量在較小的 1.0mm以下’但與基體材料的載置面相反的面上設的被覆層因粉末化而損 耗。評價結果匯總示於表2。 表2 基體材料 曲量 (mm) 載嘯覆 層中驗長 (mm) 纖10次中 的纖纖 齣差 (mm) 穩定化 (%) 載置器 0¾¾曲 量 (mm) 彎曲 方向 被麵 搬 t_Jl 0.3 0.84 0.80 0 X 上 ◎ 實滕丨J1 0.3 0.84 0.43 1 〇 上 ◎ 實方_2 0.3 0.84 ---------- 0.07 10 ◎ 上 ◎ 實麵3 0.3 0.84 0.14 30 ◎ 下 ◎ 15 1240715 ^^4 0.3 0.84 0.55 60 ο" --- 下 —0.3 0.84 0.60 61 X 1 下 _ 0.3 0.84 0.13 80 ---— 上 〇 ---— Ο

X (貫施例5〜8及比較例4、5) 除了分別使用將粒徑100〜200//m的8質量％的Y2〇3穩定化氧化錯 未穩定化氧化辦奸錄3麻的比率混合的混合原料、在絲材料= 置面及其相反面上形成被覆層以外，與實施例丨同樣地進行，製造陶窨雷 子零件燒成用載置器。詳細結果匯總示於表3。 、σ &瓷電 表3 基體材料 的願盘 度（。〇 _ 麵纖 1 m Ί 讎匾 --- mx方法 蹴斗混 合比*1 80:20 穩定僻 (%) 80 紅方法 _度 ----- 鞠混合 穩定ί裤 nr\ 實跡!15 1550 嘯 70 3〇 實跡!ί6 1550 麵 50:50 50 麵 40 60 /0 Af\ 1550 嘯 40 ：60 40 嘯 30 70 HU th^!i4 1550 囉 30 ： 70 30 嘯 20 80 J)U on mwu 1550 嘯 31 :69 31 嘯 30 70 ZXJ 比較例5 1550 mEfeArfe _度 30： 70 30 _度 29 71 0\J 29

--------ir-J__哪及 丨 · 71 29 *1 ·粒徑100〜200/zm的8質量％的Υ2〇3穩定化氧化錯粒子（穩定化 率100%)和未穩定化氧化結粒子的質量比 (評價）

(實施例5〜7及比較例4) 實施例5〜7及比較例4的載置器，在各面的被覆層間對於構成該被覆 層的氧化锆，其穩定化率的差是10%。 使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率爲4〇〜7〇%的實施例5〜7 的載置1§毛生考曲里不足2· Οπππ的孝父小的弯曲，但在實用上沒有問題。 與此相反，使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率爲2〇%的比較例 4的載置器，彎曲量不足2. 0mm，但與基體材料的載置面相反的面上設的被 覆層因粉末化而損耗。評價結果匯總示於表4。 (實施例8及比較例5) 實施例8及比較例5的載置器，在各面的被覆層間對於構成該被覆層 16 1240715 的氧化锆，其穩定化率的差是1%。 使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率爲30%的實施例8的載置 器’發生彎曲量不足2 〇刪的較小的彎曲，但在實用上沒有問題。 與此相反，使與載置面相反的面的被覆層的穩定化率爲29%的比較例 5的載置器，彎曲量不足2. 0mm，但與載置面相反側的被覆層因脆性破壞而 剝落。評價結果匯總示於表4。 另外，這些結果表明，構成載置器的表層的Zr〇2層的穩定化率不必一 定將單面的穩定化率取爲100%，並且即使可以控制由殘餘膨脹量的差別引 起的彎曲，在穩定化率不足30%時，在使用上也會發生問題。 表4

-----—. 基體材料 0¾¾曲量 (mm) 載麵纖麵 βΛ (mm) 織10次中 長 肅嗟(mm) 穩定化 mm (%) 載置器 嶋曲 量 (mm) 彎曲 方向 被麵 m 實跡!ί5 0.3 0.64 0.35 10 〇 上 ◎ _®_6 0.3 0.18 0.50 10 〇 上 ◎ 實細7 0.3 0.12 0.38 10 〇 上 〇 職例4 03 0.19 一 0.50 10 〇 上 X *S_8 0.3 0.18 0.16 1 〇 上 〇 0.3 0.19 0.22 -----— 1 〇 上 X I貫施例9〜12及比較例6 w I) 〜2〇Γ 了二下L成2小時而製作基體材料，並且分別使用將粒徑U 示的=、=貝㈣的仙3穩定化氧化錯和未穩定化氧化絲子以表5 ； 以外，盘實施例1 f的缝面及其相反面上形成被覆; 況匯總示於表5。，彳了 ^造喊電子零件燒«器。詳細，丨

層 與載圏 轿面纖麵 穩定健 Mr施 原継合 比*1 穩定{摔 (%) 麵 100:0 100 17 1240715

1 .粒控100〜2〇0//m的8質量％的秘穩定化氧化鍅粒子 率100%)和未穩定化氧化鍅粒子的質量比 (評價） (穩定化 這些實施例及比較例是涉及在基體材料彎曲量大的場合下 被覆層的穩定鱗_子。 ^ 如表6所示，使載置面的被覆層的穩定化率爲65% (穩定化率的差爲 35%)的實施例11的載置器，彎曲量在10刪以下，大體不發生彎曲。另 外，使載置面的被覆層的穩定化率爲90〜99% (穩定化率的差爲1%)的 實施例9、10的載置器，發生向下方彎曲量不足2· Omni的較小的彎曲，使 載置面的被覆層的穩定化率爲40%的實施例12的載置器，發生向上方彎曲 量不足2_0醒的較小的彎曲，但在實用上沒有問題。 與此相反，使載置面的被覆層的穩定化率爲100% (穩定化率的差爲〇 %)’與載置面的相反的面的被覆層相同的比較例6的載置器，發生向下方 彎曲量在2. 0腿以上的彎曲。另外，使載置面的被覆層的穩定化率爲39% (穩定化率的差爲61%)的比較例7的载置器，也發生向上方彎曲量在 2· 0刪以上的彎曲。評價結果匯總示於表6。 表6 基體材米綱曲 量（mm) 雛 (%) 載置曲量 (mm) 彎曲方向 t_ij6 2.0 0 X 下 2.0 1 〇 下 2.0 10 〇 下 2.0 35 ◎ 上 .實綱12 2.0 49 〇 上 t_!]7 2.0 50 X 上 18 1240715 (貫施例13 ) 除了歷力細料的成型體在啊麵8 燒成2小時以外，與實施例！同樣進行 _ C下 體材料的彎曲量是2· Omm。 土 _彳、。卜，仵到的基 YO H在該基體材料的載置面上，用將粒徑100〜200_的8質量Μ :的=定辨_)，進行轉籽賴，崎化料;：^;:: 質*==845;;=二^ 混合原料，相對該混合原料100 23 化錯40質量％混合的 搶將該料漿讀雖A#純m 曼在工祕5Kg/em2下’用喷 時燒成處理== 材==相㈣.戰下進行2小 成用載置器。詳細情被覆層，製造魄電子零件燒 (實施例14) W m%hV^ li*%^ (m 與實施例13 _地進^ ^=在基體材料的面上形毅覆層以外， 示於表7。 、冑電子零件燒成用载置器。詳細情況匯總

19 1240715 穩淑纖 差（％) 載置彎曲量 彎曲方向 mmrn 獅（％) (mm) 載麵 *5_13 20 〇 上 ------- 13 τΟίχΕΙ ΛΓ\ 實麵14 0 〇 下 13 "HU Af) t關6 0 X 下 18 IQ (實施例15) 曰儿^种座刀欣型得到的成型體在8(rc乾燥8小時後，在i4〇 例1同樣進行’製作基體材料。另外，得泰 ，著，在該基體材料的載置面上，用將雜⑽〜2〇〇卵的5 的㈤穩定化氧化錯粒子80質量％和未穩定化氧化錯 ％ _ ’進行水等離子喷鍍，以氧_形成^ 100//m的被覆層。 又 然後，在與該基體材料的載置面相反的面上，用粒 質量％的m穩定化氧化錯粒子（穩定化率職），進行水等離子噴梦的 ===軸厚度__的被覆層製造電子零件燒成 細結果匯總示於表9。 # (實施例16) 除了用粒徑100〜200⑽的5質量％的Ca〇穩定化氧化錯粒子1〇〇質 1240715 ms me ηβ 基f 度rc) 1400 1400 1400 1% (fe疋化率100%)在基體材料的載置面上形成被覆層以外，與實施例 15同樣進行’製造喊電子料燒成職4||。詳細結果隨示於表9。

I定細 CaO CaO 騎斗混 合比*2 80 100 mm Y2Q3 mm 合比*1 100：

100 80： 20 100:0 γη 100： ο Y2〇3 100:0 100 100： ο 100 木1:粒徑100〜200_的8質量％的m穩定化氧化錯粒子（穩定化 率100%)和未穩定化氧化錯粒子的質量比 *2 :粒徑100〜200/zm的5質量％的CaO穩定化氧化錯粒子（穩定化 率100%)和未穩定化氧化藉粒子的質量比 (評價） 這些實施例是涉及用含有不同穩定化劑的穩定化氧化锆形成載置面的 被覆層和其相反面的被覆層的例子。 如表10所示，各被覆層含有不同穩定劑的實施例15、16的載置器， 發生彎曲量不足2. Oram的上方向或下方向的較小的彎曲，但大體在實用上 沒有問題。特別是實施例16的載置器，儘管在各被覆層間穩定化率相同， 但也可以抑制載置器的彎曲。另外，實施例15的例子也顯示出，除了各被 覆層的穩疋化率設差以外，使各被覆層含有不同的穩定劑，就可以實現更 精密的控制。 ' 與此相反，在載置面及其相反面上都用8質量％的γ2〇3穩定化氧化鍅 粒子（穩定化率100%)形成被覆層的比較例6的載置器，發生彎曲量在 2· Omm以上的下方向彎曲。評價的結果匯總示於表。 表10 載置 曲量 (mm) 彎曲方向 實方酬15 20 〇 上 21 1240715 0 〇 下 0 X -- 1 下 體材料厚的苷里叫^ 令丨卞况风用载置器，不僅基

弓丨起的载置X I且即使疋薄化的場合，也能夠恰當地防止反復使用 、町戰置态的彎曲，以至於能夠長期使用。 圖式簡單說明】 圖 明 。圖1是模式地表示構成載置器的基體材料的彎曲量的測定基準的說 線圖圖2是表爾廳謝物㈣蝴巾:姻關係的曲 【元件符號說明】 載置器1 載置器2

22

Claims (1)

1240715 JJI 拾、申請專利範圍： ' * - . < P . \ ·* 一一: 丨· 一種_電子轉燒成用載置器，_M子零件燒成用載置器在 由陶究構成的基體材料上，具有以zrQ2肚要成分的被M，其特徵在於： 在該基體材料的載置面及其相反面上，具有殘餘膨胺量不同的被覆層。 2·依據巾請專利範圍第丨項所述的陶i電子零件燒·載置器，盆曰 =在於，上述載置面的被覆層由下述式⑴巾表示的穩定化率爲加〜⑽ 崩zr〇2層構成，並轉成該龍面及其相反面的各被M_z办 穩疋化率具有1〜60%的差（絕對值）： 曰、 (式1) 穩定化率（％)=[立方晶/(立方晶+單斜晶）]_% ⑴ [式（1)中，穩定化率是在使用前的狀態中的值。] ” 3·依據申請專利範圍第！項或第2項所述的陶曼電子零件燒 器，其特徵在於，上述載置面及其減面的各被覆層由含 ^ 定化劑的ZrO^構成。 购負的穩 口口 4.依據申請專利範圍第i項或第2項所述的陶变電子零件燒 器，其特徵在於，上述載置面及其相反面的各被覆層具有不同的^孔率。 5.依據申請專利範圍第4項所述的陶瓷電子零件燒成用載置器，1 徵在於，上述載置面的被覆層用喷鍍或喷塗的任一種方法形成，而°上、/、特 置面的相反面的被覆層用與形成上述載置面的被覆層的枝 $ 噴鍵的任-種綠軸。 ”塗或 23