JP6811200B2 - 焼成用セッター - Google Patents

Description

本明細書は、焼成用セッターに関する技術を開示する。特に、電子部品の焼成に用いられるセッターに関する技術を開示する。

焼成用セッターでは、基材と被焼成物（電子部品）が付着したり、基材と被焼成物の間で構成成分が互いに移動することを抑制するために、基材上にコーティング層を設けている。特許文献１には、基材上に２層以上のコーティング層を設けた焼成用セッターが開示されている。特許文献１では、コーティング層によって、基材に含まれるＳｉＯ_２が被焼成物に混入することを防止している。また、特許文献１では、コーティング層の表層（被焼成物と接する層）に、被焼成物との反応性が低い材料が選択されている。具体的には、特許文献１では、コーティング層の表層の構成材料として、ＺｒＯ_２質、Ａｌ_２Ｏ_３質、Ａｌ_２Ｏ_３−ＭｇＯ質が用いられている。すなわち、コーティング層の表層は、ＳｉＯ_２を含まない材料で構成されている。

特開２００２−１５４８８４号公報

特許文献１の焼成用セッターは、被焼成物とＳｉＯ_２の接触を極力避けることにより、被焼成物の特性が変動する（設定値からずれる）ことを抑制している。しかしながら、上記焼成用セッターであっても、使用初期（新品の焼成用セッターの使用開始から所定の期間）は、被焼成物の特性が変動する。そのため、従来は、実際の製品（被焼成物）を焼成する前に、ダミーの被焼成物を焼成用セッター上に配置して焼成している。すなわち、従来の焼成用セッターは、実際に使用する前に、空焼きを行うことが必要である。この空焼きの時間を削減、あるいは、短縮することができれば、被焼成物の生産性が向上する。本明細書は、コーティング層の構造を見直し、従来にない新たな焼成用セッターを提供することを目的とする。

本明細書で開示する焼成用セッターは、コーティング層に意図的にＳｉ成分を含有させていることを特徴とする。すなわち、被焼成物に接触する層（コーティング層）に、被焼成物の特性を変動させる成分（Ｓｉ成分）を敢えて含有させる。本発明者は、焼成用セッターの使用初期に被焼成物の特性が変動する原因、換言すると、使用初期に空焼きを行うことによってその後の被焼成物の特性が安定する理由について研究した。その結果、焼成用セッターの使用初期に空焼きを行うことにより、コーティング層の表層にガラス層が形成されていることが確認された。このガラス層によって、基材と被焼成物の構成成分が一方から他方に移動することが抑制され、被焼成物の特性が安定するという知見を得た。本発明者は、ガラスの主成分であるＳｉ成分をコーティング層に適量添加することにより、コーティング層の表面にガラス層を形成することができることを確認した。本明細書で開示する焼成用セッターは、上記知見に基づくものであり、従来とは正反対の技術的思想を有する。

本明細書で開示する焼成用セッターは、電子部品の焼成に用いられる。その焼成用セッターは、基材と、基材表面を被覆しているコーティング層を備えていてよい。また、コーティング層は、Ｓｉ成分を、ＳｉＯ_２換算したときに０．５質量％以上３０質量％以下含んでいてよい。

上記焼成用セッターは、使用前、あるいは、使用初期にコーティング層の表層にガラス層が形成され、そのガラス層によって基材と被焼成物の構成成分が一方から他方に移動することを抑制することができる。なお、コーティング層のＳｉ成分を０．５質量％（ＳｉＯ_２換算）以上とすることにより、コーティング層の表層に確実にガラス層を形成することができる。また、コーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％以上ということは、Ｓｉ成分が不純物としてではなく、コーティング層内に意図的に含有させたことを意味する。コーティング層のＳｉ成分を３０質量％以下とすることにより、被焼成物がコーティング層に付着することを抑制することができる。

上記焼成用セッターでは、コーティング層は、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含んでいてよい。これらの成分は、ガラス層の原料となり得る。

上記焼成用セッターでは、コーティング層に含まれるＳｉ成分が、コーティング層の表面側に偏在していてよい。Ｓｉ成分がコーティング層の表層に移動し易く、コーティング層の表層にガラス層がより早く形成される。

上記焼成用セッターでは、コーティング層はＺｒＯ_２を主成分とし、コーティング層内にＳｉＯ_２が含まれていてよい。ＳｉＯ_２を原料とし、コーティング層の表層にガラス層が形成される。また、上記焼成用セッターでは、コーティング層は、ＺｒＯ_２とＺｒＳｉＯ_４の混合物を主成分としてもよい。この場合、ＺｒＳｉＯ_４を構成しているＳｉを原料とし、コーティング層の表層にガラス層が形成される。

本明細書では、基材表面にコーティング層が被覆されており、電子部品の焼成に用いられる焼成用セッターの製造方法も開示する。その製造方法は、コーティング層を構成する主骨材にＳｉ成分を含む原料を加えてコーティング材を作製する工程と、コーティング材を基材表面に塗布する工程とを備えていてよい。また、コーティング材を作製する工程において、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２換算したときにコーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％以上３０質量％以下となるように上記した原料を添加してよい。この製造方法によって得られた焼成用セッターを加熱（焼成）すると、コーティング層の表層にガラス層が形成され、基材と被焼成物の構成成分が一方から他方に移動することを抑制することができる。

上記製造方法において、上記原料が水ガラスとシリカゾルの少なくとも一方を含む液状であってよい。コーティング材に含まれるＳｉ成分量を容易に調整することができる。また、Ｓｉ成分をコーティング層内に均等に分散させることができる。なお、水ガラス及びシリカゾルは、構成元素としてＳｉを含んでいる。

なお、上記製造方法において、上記原料とともに、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含む原料を加えてよい。これらの成分は、ガラス層の原料となり得る。

本明細書では、基材表面にコーティング層が被覆されており、電子部品の焼成に用いられる焼成用セッターの他の製造方法も開示する。その製造方法は、Ｓｉ成分を構成元素に含まない主骨材とＳｉ成分を構成元素に含む副骨材とを混合してコーティング材を作製する工程と、コーティング材を基材表面に塗布する工程とを備えていてよい。この製造方法によって得られた焼成用セッターを加熱すると、副骨材中のＳｉ成分によってコーティング層の表層にガラス層が形成され、基材と被焼成物の構成成分が一方から他方に移動することを抑制することができる。

実施例のまとめを示す。

本明細書で開示する焼成用セッターは、例えば、チタン酸バリウム（ＴｉＢａＯ_３）を主成分とするセラミックスコンデンサを焼成するためのセッターとして好適に用いることができる。この焼成用セッターは、基材と、基材の表面を被覆するコーティング層を備えていてよい。コーティング層は、焼成用セッターの表面に露出し、被焼成物（セラミックスコンデンサ等）との接触面を構成していてよい。なお、基材とコーティング層の間に中間層が設けられていてもよい。また、特に限定されないが、コーティング層の厚みは３０〜５００μｍであってよく、中間層の厚みは５０〜５００μｍであってよい。

基材は、セラミックス製であってよい。基材の材料の一例として、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３），ムライト（Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２質），アルミナ−ムライト，コーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２質）等の酸化物が挙げられる。また、非酸化物の材料の一例として、焼結ＳｉＣ（ＳＳＣ），シリコン含浸ＳｉＣ（ＳｉＳｉＣ），再結晶ＳｉＣ（Ｒｅ−ＳｉＣ），窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４），サイアロン（ＳＩＡＬＯＮ：ケイ素，アルミニウム，酸素，窒素を含むセラミックス）等が挙げられる。

コーティング層は、セラミックス製であってよい。コーティング層の主成分（主骨材）は、酸化物無添加ＺｒＯ_２，安定化ＺｒＯ_２（Ｙ_２Ｏ_３安定化ＺｒＯ_２，ＣａＯ安定化ＺｒＯ_２），部分安定化ＺｒＯ_２（Ｙ_２Ｏ_３部分安定化ＺｒＯ_２，ＣａＯ部分安定化ＺｒＯ_２）であってよい。これらの材料は、例えば、セラミックスコンデンサ（電子部品）を構成するチタン酸バリウム（ＴｉＢａＯ_３）との反応性が低い。

コーティング層は、主成分に加え、Ｓｉ成分を含んでいてよい。Ｓｉ成分は、Ｓｉ単体の状態でコーティング層内に存在していてもよいし、他の元素と結合した化合物の状態でコーティング層内に存在していてもよい。化合物の状態で存在する場合、Ｓｉ成分は、ケイ酸（ＳｉＯ_２），ケイ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３），ケイ酸アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｈ_２Ｏ），ケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ_４）等を構成していてよい。なお、Ｓｉ成分がケイ酸ジルコニウムを構成している場合、そのケイ酸ジルコニウムは、コーティング層の副骨材として主骨材とともに混合されたものであってよい。

コーティング層に含まれるＳｉ成分は、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２換算したときに、０．５質量％以上３０質量％以下であってよい。Ｓｉ成分（ＳｉＯ_２換算）は、０．７質量％以上であってもよく、１質量％以上であってよい。また、Ｓｉ成分（ＳｉＯ_２換算）は、２０質量％以下であってよく、１０質量％以下であってよい。コーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％未満の場合、コーティング層の表層に安定してガラス層が形成されず、被焼成物の構成成分がコーティング層内に、あるいは、コーティング層の構成成分が被焼成物に移動し易くなる。また、コーティング層に含まれるＳｉ成分が３０質量％を超えると、被焼成物に含まれる成分とＳｉ成分が反応し、被焼成物とセッターが付着し易くなる。

コーティング層に含まれるＳｉ成分は、コーティング層内に均等に分散していてもよいし、コーティング層の厚み方向の特定の位置に偏在していてもよい。特に、Ｓｉ成分は、コーティング層の表面側に偏在していてよい。あるいは、コーティング層の深部（基材側）から表層に向けて、Ｓｉ成分の濃度が傾斜して（表層に向かうに従って濃くなって）いてもよい。なお、上記したように、Ｓｉ成分は、ケイ酸ジルコニウム（副骨材）の形態で存在していてもよい。すなわち、Ｓｉ成分は、骨材の構成元素として存在していてもよい。また、Ｓｉ成分は、コーティング層を構成する骨材の間に存在していてもよい。あるいは、Ｓｉ成分は、骨材（粒子）の周囲を被覆するガラスを構成していてもよい。

コーティング層は、上記した主成分（主骨材）及びＳｉ成分に加え、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含んでいてよい。これらの成分は、Ｓｉ成分とともにガラスを構成する。コーティング層がＳｉ成分に加え、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａ等を含んでいれば、使用前（被焼成物の焼成に用いられる前）にセッターを焼成することにより、コーティング層の表層にガラス層を形成することができる。

なお、上記したように、基材とコーティング層の間に中間層を設けてもよい。中間層を設けることにより、基材とコーティング層の密着性を向上させることができる。また、中間層を設けることにより、基材とコーティング層の熱膨張率の差に起因するコーティング層の剥離を抑制することもできる。なお、中間層は、基材成分（Ｓｉ成分等）が被焼成物に移動することを抑制することもできる。中間層の材料は、例えば、アルミナ、アルミナ−ムライトであってよい。

上記したように、本明細書で開示する焼成用セッターは、基材の表面をコーティング層が被覆しており、コーティング層内にＳｉ成分が含まれている。Ｓｉ成分は、コーティング層の作製方法（焼成用セッターの製造方法）によって、種々の形態でコーティング層内に存在し得る。以下、コーティング層の作製方法（焼成用セッターの製造方法）を幾つか説明する。

（第１製造方法）
コーティング層を構成する主骨材にＳｉ成分を含む原料（Ｓｉ原料）を加えてコーティング材を作製し、そのコーティング材を中間層の表面、あるいは、基材表面に塗布する。なお、Ｓｉ原料は、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２換算したときにコーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％以上３０質量％以下となるように加える。Ｓｉ原料は、固体（粉体）であってもよいし、液体であってもよい。Ｓｉ原料が固体の場合、Ｓｉ原料は、上記したケイ酸，ケイ酸ナトリウム等であってよい。また、Ｓｉ原料が液体の場合、Ｓｉ原料は、水ガラスとシリカゾル等であってよい。

コーティング材は、スプレーコート法を用いて中間層の表面（または、基材表面）に塗布することができる。なお、基材とコーティング層の間に中間層を設ける場合、中間層が形成された基材表面にコーティング材を塗布する。中間層の表面、または、基材表面にコーティング材を塗布した後、１２００〜１４５０℃で焼成し、コーティング材を基材表面に固着させてもよい。なお、主骨材の種類によっては、焼成により、Ｓｉ原料の一部（または全部）が主骨材に固溶する。

（第２製造方法）
コーティング層を構成する主骨材にＳｉ成分を含む原料（Ｓｉ原料）と、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含む原料を加える。その後の工程（塗布、焼成）は、第１製造方法と同一のため、説明を省略する。

（第３製造方法）
Ｓｉ成分を構成元素に含まない主骨材と、Ｓｉ成分を構成元素に含む副骨材とを混合してコーティング材を作製し、そのコーティング材を中間層の表面（または、基材表面）に塗布する。その後の工程（焼成）は、第１製造方法と同一のため、説明を省略する。この方法では、例えば、主骨材としてジルコニア（ＺｒＯ_４）を用い、副骨材としてケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ_４）等を用いることができる。また、この方法では、コーティング材を中間層の表面（または、基材表面）に溶射することにより、コーティング材塗布後の焼成を省略することもできる。

上記第１〜第３製造方法のいずれかを用いて焼成用セッターを作製し、作製した焼成用セッターの特性を評価した。焼成用セッターの作製条件及び評価結果を、図１に示す。

まず、実施例１の試料について、製造条件等を説明する。縦横１５０×１５０ｍｍ，厚さ３ｍｍのアルミナ−ムライト板（基材）の表面に、溶射法を用いてアルミナ（中間層）を溶射した。中間層の厚みは、およそ１００μｍに調整した。次に、中間層の表面に、スプレーコート法を用いて予め作製していたコーティング材をコートした。なお、コーティング材は、Ｙ_２Ｏ_３安定化ＺｒＯ（平均粒径１０μｍ、最大粒径４５μｍ）１００ｇに対し、シリカゾル（ＳｉＯ_２量：２０〜２１ｗｔ％、平均粒子径：１５〜１８ｎｍ）２．５ｇを添加し、１０時間混合したスラリーを用いた。シリカゾルは、コーティング層に含まれるＳｉ成分（ＳｉＯ_２換算）が０．５質量％となるように、濃度及び添加量を調整した。コーティング材をコートした後、試料を１３５０℃で２時間焼成し、コーティング層を中間層（基材）に固着させ、試料を作製した。試料の焼成は大気雰囲気の電気炉で行った。なお、焼成後のコーティング層の厚みは、およそ１５０μｍであった。

実施例１の試料は、Ｙ_２Ｏ_３安定化ＺｒＯ（主成分）とＳｉ成分（シリカゾル）を混合したコーティング材を用いて作製したため、Ｓｉ成分がコーティング層の全体にほぼ均一に存在している。実施例１の試料の製造方法は、上記第１製造方法に相当する。図１には、コーティング層（乾燥質量）に含まれるＳｉ成分（ＳｉＯ_２換算）の割合（Ｓｉ含有率：単位は質量％）と、コーティング層内におけるＳｉ成分の存在位置（Ｓｉ位置）と、対応する製造方法（第１法）を示している。

次に、実施例２〜５の試料について説明する。実施例２〜５の試料は、シリカゾルの添加量（Ｓｉ含有率）が実施例１と異なるだけであり、他の製造条件は実施例１と同一である。図１に示すように、実施例２〜５の試料では、Ｓｉ含有率は、各々０．７質量％，１質量％，５質量％，１０質量％である。なお、比較例として、シリカゾルを添加しないコーティング材（Ｓｉ含有率「０質量％」）を用いた試料も作製した（比較例１）。

次に、実施例６の試料について説明する。実施例６の試料は、上記第２製造方法に相当する製造方法により作製した。アルミナ−ムライト板（基材）の表面に中間層を溶射し、中間層の表面にコーティング材をコートするという点においては、実施例１と同一である。実験例６では、予め作製したコーティング材が実施例１と相違する。実施例６のコーティング材は、実施例１と同一のＹ_２Ｏ_３安定化ＺｒＯ１００ｇに対し、実施例１と同一のシリカゾル２５ｇ，ＢａＯ（和光純薬工業（株）製、純度９０％以上）１ｇ及びＭｎＯ_２（和光純薬工業（株）製、純度７０％以上）１ｇを添加し、１０時間混合して作製した。コーティング層（乾燥質量）に含まれるＳｉ成分（ＳｉＯ_２換算），Ｂａ成分（ＢａＯ換算），Ｍｎ成分（ＭｎＯ_２換算）の割合は、各々５質量％，０．９質量％，０．７質量％である。すなわち、実施例６の試料は、実施例４の試料を作製する際に用いたコーティング材に、さらにＢａ成分とＭｎ成分を加えたものに相当する。なお、コート後の焼成条件は、実施例１と同一である。

次に、実施例７〜９の試料について説明する。実施例７〜９の試料は、シリカゾルの添加量（Ｓｉ含有率）が実施例６と異なるだけであり、他の製造条件は実施例６と同一である。図１に示すように、実施例７〜９の試料では、Ｓｉ含有率は、各々１０質量％，２０質量％，３０質量％である。なお、比較例として、シリカゾルの添加量をさらに増加させたコーティング材（Ｓｉ含有率３５質量％，５０質量％）を用いた試料も作製した（比較例２及び３）。

次に、実施例１０の試料について説明する。実施例１０の試料は、溶射法を用いて、上記第３製造方法に相当する製造方法により作製した。すなわち、アルミナ−ムライト板（基材）の表面に中間層を溶射し、中間層の表面にコーティング材を溶射した。実施例１０のコーティング材は、Ｙ_２Ｏ_３安定化ＺｒＯ（粒子径１００〜２００μｍ、純度９８％）１００ｇとＺｒＳｉＯ_４（粒子径１００〜２００μｍ、純度９７％）３０ｇを混合して作製した。コーティング層（乾燥質量）に含まれるＳｉ成分（ＳｉＯ_２換算）の割合は５質量％である。なお、実施例１０では、コーティング材の溶射後、焼成（焼付）を行っていない。

次に、実施例１１及び１２の試料について説明する。実施例１１及び１２の試料は、実質的に上記第１製造方法に相当する製造方法により作製した。しかしながら、実施例１１及び１２では、Ｓｉ成分の割合が異なるコーティング材を３種作製し、スプレーコートを３回に分けて行った。そのため、実施例１１及び１２の試料は、コーティング層の厚み方向におけるＳｉ含有率が異なる。なお、コーティング層全体に含まれるＳｉ成分の割合は、実施例３と同一（１質量％）になるように調整した。実施例１１の試料は、コーティング層の上部にＳｉ成分が最も多く、中部及び下部のＳｉ成分の量は、上部に対して、各々４０質量％，２０質量％となるように調整した。また、実施例１２の試料は、コーティング層の下部にＳｉ成分が最も多く、上部及び中部のＳｉ成分の量は、下部に対して、各々２０質量％，５０質量％となるように調整した。

上記実施例１〜１２及び比較例１〜３の試料について評価を行った。まず、ペースト状のチタン酸バリウムをシート状に加工し、チタン酸バリウムシートを作製した。なお、チタン酸バリウムは、電子部品（セラミックスコンデンサ）の原料として用いられる。次に、チタン酸バリウムシートを試料上（コーティング層上）に載置し、電気炉を用いて１２５０℃で１時間焼成した。焼成後の試料について、チタン酸バリウムの構成元素（Ｔｉ，Ｂａ）の試料内への移動の有無（成分移動）、及び、チタン酸バリウムシートとの付着の有無について評価した。

成分移動の有無は、試料表面の焼成前後の化学組成をＥＰＭＡを用いて測定し、前後のＢａ組成差０．５％以下を「Ａ」，０．５％以上１％以下を「Ｂ」，１％以上３％以下を「Ｃ」，３％以上を「Ｄ」とした。評価結果を図１に示す。また、チタン酸バリウムシートとの付着の有無については、焼成後のチタン酸バリウムシートのセッターへの付着状態で評価し、固着無（付着跡なし）を「Ａ」，固着無（一部組織に付着跡観察）を「Ｂ」，固着（分離可能）を「Ｃ」，固着（５０％以上固着）を「Ｄ」とした。評価結果を図１に示す。また、図１には、「成分移動」及び「付着性」の結果に基づき、総合評価（評価）も示している。

図１に示すように、コーティング層のＳｉ成分が０．５質量％以上３５質量％以下であれば、チタン酸バリウムの成分が試料内に移動することが抑制されていることが確認された（実施例１−１２，比較例２）。特に、Ｓｉ成分が１質量％以上１０質量％以下の場合に良好な結果であった（実施例３−７，１０−１２）。また、コーティング層のＳｉ成分が３０質量％以下であれば、チタン酸バリウムシートと試料の付着が抑制されることが確認された（実施例１−１２，比較例１）。特に、Ｓｉ成分が２０質量％以下の場合に良好な結果であった（実施例３−７，１０−１２，比較例１）。なお、製造方法による特性の差異はみられなかった（実施例４，６，１０、実施例５，７）。また、Ｓｉ成分の存在位置による特性の差異もみられなかった（実施例３，１１，１２）。以上より、コーティング層のＳｉ成分が０．５質量％以上３０質量％以下含まれていれば、Ｓｉ成分の存在位置及び存在形態に係らず、チタン酸バリウムの成分移動が抑制され、また、チタン酸バリウムシートと試料の付着が抑制されることが確認された。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims (9)

1. 電子部品の焼成に用いられる焼成用セッターであり、
   基材と、基材表面を被覆しているコーティング層と、を備えており、
   コーティング層は、Ｓｉ成分を、ＳｉＯ_２換算したときに０．５質量％以上３０質量％以下含んでいる焼成用セッター。
2. コーティング層は、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含んでいる請求項１に記載の焼成用セッター。
3. Ｓｉ成分が、コーティング層の表面側に偏在している請求項１または２に記載の焼成用セッター。
4. コーティング層は、ＺｒＯ_２を主成分とし、
   コーティング層内に、ＳｉＯ_２が含まれている請求項１から３のいずれか一項に記載の焼成用セッター。
5. コーティング層は、ＺｒＯ_２とＺｒＳｉＯ_４の混合物を主成分とする請求項１から３のいずれか一項に記載の焼成用セッター。
6. 基材表面にコーティング層が被覆されており、電子部品の焼成に用いられる焼成用セッターの製造方法であり、
   コーティング層を構成する主骨材にＳｉ成分を含む原料を加え、コーティング材を作製する工程と、
   コーティング材を基材表面に塗布する工程と、を備え、
   コーティング材を作製する工程において、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２換算したときにコーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％以上３０質量％以下となるように前記原料を添加する、製造方法。
7. 前記原料は、水ガラスとシリカゾルの少なくとも一方を含む液状である請求項６に記載の製造方法。
8. 前記原料とともに、Ｂａ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｎａから選択される少なくとも一種の成分を含む原料を加える、請求項６または７に記載の製造方法。
9. 基材表面にコーティング層が被覆されており、電子部品の焼成に用いられる焼成用セッターの製造方法であり、
   Ｓｉ成分を構成元素に含まない主骨材と、Ｓｉ成分を構成元素に含む副骨材と、を混合し、コーティング材を作製する工程と、
   コーティング材を基材表面に塗布する工程と、を備え、
   コーティング材を作製する工程において、Ｓｉ成分をＳｉＯ _２ 換算したときにコーティング層に含まれるＳｉ成分が０．５質量％以上３０質量％以下となるように主骨材と副骨材を配合する、製造方法。

Images