TW201842235A - 電氣鍍敷方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之電氣鍍敷方法包含：攪拌步驟，其係使沈澱於電氣鍍敷槽(10)內之電解液中之一組基材(51)在沿著電氣鍍敷槽(10)之內壁(19)之圓周方向上流動；及電氣鍍敷步驟，其係對在電氣鍍敷槽(10)內之電解液中沿圓周方向流動之一組基材(51)進行電氣鍍敷。一組基材(51)沿圓周方向之流動係伴隨電氣鍍敷槽(10)內之電解液中之磁性介質(30)沿圓周方向之流動而產生，或者係伴隨設置於電氣鍍敷槽(10)之底側之攪拌部(46)之旋轉而產生。於電氣鍍敷槽(10)內之電解液中沿圓周方向流動之一組基材(51)之至少一部分與設置於電氣鍍敷槽(10)之底側之下部陰極(21)接觸，位於較與下部陰極(21)接觸之基材(51)更靠上方之基材(51)經由至少與下部陰極(21)接觸之基材(51)電性連接於下部陰極(21)。

Description

電氣鍍敷方法及裝置
本發明係關於一種電氣鍍敷方法及裝置。
專利文獻1如根據該文獻之圖1至圖3可理解般，揭示有對應於處理容器1之底部之彈性體4之伸縮變形對彈性體4上之被鍍敷物6進行攪拌，進而藉由設置於彈性體4之第1電極7與第2電極12之間之通電進行電氣鍍敷。該攪拌與電氣鍍敷同時進行。彈性體4之變形係藉由氣缸進行。該文獻之圖2表示氣缸之桿後退之狀態，該文獻之圖3表示桿前進之狀態。藉由使圖2與圖3之狀態反覆而對被鍍敷物6進行攪拌。 專利文獻2於該文獻之段落0052揭示於鍍銅時利用介質7使滾筒2中之配管1平滑化。 專利文獻3揭示一種使用藉由使鍍敷處理室旋轉而產生之離心力來對被鍍敷物進行鍍敷處理之鍍敷裝置。鍍敷處理室4具有設置有陰極10之旋轉體11、筒狀構件3、及於旋轉體11之內部可動嵌合於筒狀構件3之陽極13。旋轉體11由電動馬達18驅動。若旋轉體11旋轉，則旋轉體11內之被鍍敷物1因離心力而被壓抵於陰極10。對應於陰極10與陽極13間之通電而於面向陽極13之被鍍敷物1之外部電極上形成鍍敷層。該文獻於段落0038說明按照正向旋轉、停止、反向旋轉、停止之順序控制旋轉體11。 專利文獻4係關於一種與專利文獻3相同之鍍敷裝置。專利文獻4揭示為了抑制被鍍敷物與導電介質之凝聚而將攪拌介質導入至鍍敷處理室。 於如服飾製品之鈕扣或拉鏈之滑件般的數克左右之小型金屬零件中，例如通常使用如專利文獻5所記載之滾鍍方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-63711號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-119650號公報 [專利文獻3]日本專利第5741944號公報 [專利文獻4]日本專利第4725051號公報 [專利文獻5]日本專利特開平1-139799號公報
[發明所欲解決之問題] 於滾鍍中，存在因鍍敷層與基材之界面而導致鍍敷層與基材之密接性較低之問題。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之電氣鍍敷方法包含： 攪拌步驟，其係使沈澱於電氣鍍敷槽(10)內之電解液中之一組基材(51)在沿著上述電氣鍍敷槽(10)之內壁(19)之圓周方向上流動；及 電氣鍍敷步驟，其係對在上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)進行電氣鍍敷； 上述一組基材(51)沿上述圓周方向之流動係伴隨上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之磁性介質(30)沿上述圓周方向之流動而產生，或者係伴隨設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之攪拌部(46)之旋轉而產生， 於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)之至少一部分與設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之下部陰極(21)接觸，位於較與上述下部陰極(21)接觸之基材(51)更靠上方之基材(51)經由至少與上述下部陰極(21)接觸之上述基材(51)電性連接於上述下部陰極(21)。 於若干實施形態中，上述下部陰極(21)於上述電氣鍍敷槽(10)之筒部(11)之底側之內壁(19)附近沿上述圓周方向延伸。 於若干實施形態中，設置於較上述下部陰極(21)更靠上方之上部陽極(22)沿上述圓周方向延伸。 於若干實施形態中，上述攪拌部(46)可旋轉地設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側，並構成上述電氣鍍敷槽(10)之底部之至少一部分。 於若干實施形態中，上述電氣鍍敷槽(10)包含筒部(11)，且上述筒部(11)為靜止構件。 於若干實施形態中，上述磁性介質(30)為棒或針狀之構件。 於若干實施形態中，上述電氣鍍敷槽(10)內之上述基材(51)之最大rpm未達40 rpm。 於若干實施形態中，上述基材(51)包含1種以上之基材金屬元素， 藉由上述電氣鍍敷步驟於上述基材(51)之正上方形成至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素之鍍敷層(52)， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。 於若干實施形態中，於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為10 nm以上、或20 nm以上、或60 nm以上。 於若干實施形態中，於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為80 nm以下、或60 nm以下、或30 nm以下、或20 nm以下。 於若干實施形態中，於上述鍍敷層(52)之表面，上述第1鍍敷層金屬元素之比率未達100%或未達90%。 於若干實施形態中，上述鍍敷層(52)之厚度為150 nm以下或100 nm以下。 於若干實施形態中，上述鍍敷層(52)具有與上述基材(51)為相反側之相反面(52s)， 上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率之減少於上述鍍敷層(52)之厚度方向上持續至上述相反面(52s)為止或至上述相反面(52s)之附近為止。 於若干實施形態中，上述基材(51)包含複數種上述基材金屬元素， 上述鍍敷層(52)包含複數種上述第2鍍敷層金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之各第2鍍敷層金屬元素之比率減少。 於若干實施形態中，於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著靠近上述基材(51)而上述鍍敷層(52)中之上述第1鍍敷層金屬元素之比率減少。 於若干實施形態中，上述基材(51)係至少包含銅作為上述基材金屬元素之金屬或合金。 於若干實施形態中，上述鍍敷層(52)係至少包含錫作為上述第1鍍敷層金屬元素之金屬或合金。 於若干實施形態中，上述鍍敷層(52)具有與上述基材(51)為相反側之相反面(52s)， 於上述相反面(52s)，粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。 於若干實施形態中，包含上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之鍍敷材(5)係服飾零件(7)之至少一部分。 本發明之若干態樣之電氣鍍敷裝置具備： 電氣鍍敷槽(10)，其製成儲存電解液之電氣鍍敷槽(10)，且具備設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之下部陰極(21)及設置於較上述下部陰極(21)更靠上方之上部陽極(22)；及 攪拌機構(40)，其使沈澱於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之一組基材(51)在沿著上述電氣鍍敷槽(10)之內壁(19)之圓周方向上流動； 上述一組基材(51)沿上述圓周方向之流動係伴隨上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之磁性介質(30)沿上述圓周方向之流動而產生，或者係伴隨設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之攪拌部(46)之旋轉而產生， 於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)之至少一部分與上述下部陰極(21)接觸，位於較與上述下部陰極(21)接觸之基材(51)更靠上方之基材(51)經由至少與上述下部陰極(21)接觸之上述基材(51)電性連接上述下部陰極(21)。 於若干實施形態中，上述攪拌機構(40)磁性作用於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之一組磁性介質(30)而使上述一組磁性介質(30)沿上述圓周方向流動，隨之產生沿上述圓周方向之上述一組基材(51)之流動。 於若干實施形態中，上述攪拌機構(40)具備： 攪拌部(46)，其可旋轉地設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側；及 旋轉力供給機構(47)，其對上述攪拌部(46)供給旋轉力。 於若干實施形態中，上述攪拌部(46)包含向上方突出之翼部(463)之放射狀排列。 於若干實施形態中，上述電氣鍍敷槽(10)包含筒部(11)，該筒部(11)於上部具有容許投入或回收基材(51)之開口(18)， 上述下部陰極(21)於上述筒部(11)之底側之內壁(19)附近沿上述圓周方向延伸。 於若干實施形態中，上述筒部(11)為靜止構件。 於若干實施形態中，上述電氣鍍敷槽(10)內之上述基材(51)之最大rpm未達40 rpm。 本發明之若干態樣之電氣鍍敷裝置係如上述任一項所記載之電氣鍍敷裝置，其中上述基材(51)包含1種以上之基材金屬元素，並且 於上述基材(51)之正上方形成有至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素之鍍敷層(52)， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。 [發明之效果] 根據本發明之一態樣，可提供一種提高了基材與鍍敷層之密接性之鍍敷材。
以下，一面參照圖1至圖29，一面對本發明之非限定之實施形態例進行說明。發明之1種以上之實施形態例及實施形態例中所包含之各特徵並非各自獨立。業者無需過度說明便可將各實施形態例及/或各特徵進行組合。又，業者亦能夠理解該組合所帶來之協同效應。原則上省略實施形態例間之重複說明。參照圖式之主要目的在於記述發明，有時為了便於作圖而被簡化。 於以下之記述中，關於某種鍍敷材及/或鍍敷材之製造方法、及某種電氣鍍敷方法及/或電氣鍍敷裝置而記述之複數個特徵被理解為該等特徵之組合，此外，被理解為獨立於其他特徵之個別特徵。個別特徵無須與其他特徵進行組合，而是被理解為獨立之個別特徵，亦被理解為與1種以上之其他個別特徵之組合。記述所有個別特徵之組合對於業者而言冗長，從而省略。個別特徵係藉由「若干實施形態」、「若干情形」、「若干例」等表現來明示。個別特徵並非僅對例如圖式所揭示之鍍敷材及/或鍍敷材之製造方法、及電氣鍍敷方法及/或電氣鍍敷裝置有效，而是被理解為亦通用於其他各種鍍敷材及/或鍍敷材之製造方法、及其他各種電氣鍍敷方法及/或電氣鍍敷裝置之普遍性特徵。 第1、第2、第3等用語係用以於邏輯上對標註有該等之名詞進行區別而標註。例如，第1之用語不能用於明示標註有第1之名詞僅存在一個(除如此明示之情形以外)。例如，於「複數種第2鍍敷層金屬元素」等記述中，表示存在作為第2鍍敷層金屬元素之複數種金屬元素。第1、第2、第3之用語不能用於明示標註有該等之名詞不同(除如此明示之情形以外)。例如，根據「第3金屬元素係與1種以上之第1金屬元素之至少一種相同之金屬元素」之記述得知，第3金屬元素可與第1金屬元素相同。 圖1係鍍敷材5之蓋之概略性立體圖。圖2係將鍍敷材5之蓋安裝於芯材6之服飾零件7之概略性立體圖。圖3係概略性地表示鍍敷材5之層構造之模式圖，示出基材51及形成於基材51之正上方之鍍敷層52。再者，基材51與鍍敷層52之界面53係藉由實線而圖示，但實際上並不存在明確之界面。基材51包含1種以上之基材金屬元素。鍍敷層52包含1種以上之第1鍍敷層金屬元素。鍍敷層52除第1鍍敷層金屬元素以外亦包含基材金屬元素。圖4係表示鍍敷層52之厚度方向上的鍍敷材5之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層52之厚度方向上，隨著自基材51離開而鍍敷層52中之第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續減少。於鍍敷層52之厚度方向上，隨著靠近基材51而第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率減少。圖5係表示鍍敷材5之剖面中之元素分佈之圖，示出第1鍍敷層金屬元素(Sn)存在於鍍敷層52，基材金屬元素(Cu)存在於基材51及鍍敷層52，基材金屬元素(Zn)存在於基材51及鍍敷層52。示出Cu存在於較Zn更靠鍍敷層之表面附近。圖6係表示本發明之一態樣之鍍敷材5之剖面的TEM照片，示出基材51與鍍敷層52之間並不存在明確之界面。圖7係表示鍍敷層52之表面狀態之SEM照片，示出粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。 於若干實施形態中，鍍敷材5包含基材51及形成於基材51之正上方之鍍敷層52。鍍敷材5可為基材51至少由鍍敷層52被覆之零件。並非限定於此，鍍敷材5可為服飾零件7之至少一部分。於圖1及圖2所例示之若干情形時，鍍敷材5係服飾零件7之一部分，組合於其他零件而製造服飾零件7。於圖1及圖3所例示之若干情形時，鍍敷材5具有作為蓋之杯狀之基材51、及形成於基材51之表面上或被覆基材51之整個表面之鍍敷層52。於圖2所示之情形時，將圖1之鍍敷材5安裝於芯材6而構建服飾零件7。再者，於服飾零件之領域，強烈要求一面抑制材料及/或製造成本，一面確保服飾零件之金屬色或金屬光澤之變動。 於圖3及圖4所例示之若干情形時，基材51包含1種以上之基材金屬元素。鍍敷層52至少包含第1鍍敷層金屬元素及與第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素。於基材51包含純金屬之情形時，基材51包含一種基材金屬元素。於基材51包含合金之情形時，基材51包含2種以上之基材金屬元素。再者，於純金屬或合金等金屬材之製造或精製過程中，存在包含微量之不可避免之雜質或不可避免之金屬之情形。例如，於基材51包含黃銅(CuZn)之情形時，基材51中可能包含其他微量之金屬或合金。例如，電氣鍍敷用之Sn之電極材中可能包含Sn以外之微量之金屬。本說明書中所述之基材金屬元素及鍍敷層金屬元素均理解為並非意指不可避免之金屬。再者，基材金屬元素可為各種任意之金屬元素。第1及第2鍍敷層金屬元素或該等以外之鍍敷層金屬元素可為各種任意之金屬元素。 根據圖3及圖4能夠理解，於若干情形時，鍍敷層52中所包含之第2鍍敷層金屬元素係與1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素。於圖4之例中，第1鍍敷層金屬元素為Sn，第2鍍敷層金屬元素為Cu及/或Zn。第1鍍敷層金屬元素(於圖4之例中為Sn)與至少一種基材金屬元素(於圖4之例中為Cu及Zn之兩者)不同。於若干情形時，鍍敷層52中所包含之第1鍍敷層金屬元素與複數種基材金屬元素中之至少一種不同(該點可根據圖11等之參照而良好地理解)。 根據圖4及圖5之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，於鍍敷層52之厚度方向上，隨著自基材51離開而鍍敷層52中之第2鍍敷層金屬元素(於圖4之例中為Cu及Zn)之比率連續減少。追加或取而代之地，根據圖6之非限定之一例之實際驗證得知，於鍍敷層52與基材51之間不存在明確之界面。於該情形時，基材51與鍍敷層52之密接性提高。由於該密接性提高，例如可減少基材51與鍍敷層52之界面之剝離之產生及/或促進鍍敷層52之薄化。再者，未必限定於此，但第1鍍敷層金屬元素源自於電氣鍍敷時存在於電解液中之金屬離子。第2鍍敷層金屬元素源自基材51之基材金屬元素。 根據本說明書之整個揭示能夠理解，若需要，則鍍敷層可被定義成於其厚度方向上包含藉由電氣鍍敷而析出於基材上之金屬之層。因此，於本說明書中，鍍敷層可包含藉由電氣鍍敷而析出於基材上之金屬以外之金屬。上述鍍敷層金屬元素係構成鍍敷層之金屬元素，換言之，係鍍敷層中所包含之金屬元素。第2鍍敷層金屬元素可源自基材之組成。另一方面，第1鍍敷層金屬元素並非必須源自基材之組成。若無限定之意圖並更具體地進行說明，則第1鍍敷層金屬元素可為作為鍍敷層之至少一部分析出於基材上之金屬元素。例如，第1鍍敷層金屬元素與基材分開地被供給至鍍敷液中，並與朝向基材電泳之金屬離子之析出物之金屬元素一致。第2鍍敷層金屬元素與第1鍍敷層金屬元素不同，並不限定於基材上之析出物。第2鍍敷層金屬元素可為存在或包含於鍍敷對象之基材中之基材金屬元素、及/或自鍍敷對象之基材溶出並析出之基材金屬元素。基材金屬元素係構成基材之金屬元素，換言之，係基材中所包含之金屬元素。 根據圖4及圖5之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，可藉由變更鍍敷層之厚度而簡單地變更鍍敷層之表面之金屬元素之比率。例如，於圖4之厚度T1之鍍敷層之表面與圖4之厚度T2之鍍敷層之表面，金屬元素之比率不同。可藉由變更鍍敷層之厚度而使鍍敷層之構成變化，從而可簡單地獲得鍍敷層之變動。鍍敷層之變動可為與元素之比率對應之化學特性、電特性及/或物理特性之變動。鍍敷層之變動可為鍍敷層之顏色之變動。於若干情形時，可更簡單地確保服飾零件之金屬色或金屬光澤之變動。再者，於圖4中，描繪出鍍敷層與基材之交界L1。於圖4中，第1鍍敷層金屬元素(Sn)於較交界L1更深部之基材區域並非完全變成零。然而，該情況起因於測量與資料輸出過程中所產生之誤差。根據圖5之元素分佈得知，第1鍍敷層金屬元素(Sn)並不存在於基材51之區域。 根據圖4及圖5之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，於鍍敷層52之厚度方向上，隨著靠近基材51而第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率減少。根據圖4之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，表示鍍敷層52之厚度方向上之第1鍍敷層金屬元素之比率之變化的曲線與表示鍍敷層52之厚度方向上之基材金屬元素之比率之變化的曲線交叉。換言之，於與基材51側為相反側之鍍敷層52之相反面52s之附近，第1鍍敷層金屬元素較多地存在，於鍍敷層52中之基材51之附近之區域，第2鍍敷層金屬元素較多地存在。於本說明書中，鍍敷層52之相反面52s亦被稱為鍍敷層52之表面。 根據圖4之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，鍍敷層52中之第2鍍敷層金屬元素之比率之減少於鍍敷層52之厚度方向上持續至相反面52s為止或至相反面52s之附近為止。換言之，於若干實施形態中，鍍敷層52並未形成為厚至基材金屬元素之比率不存在變化之程度。鍍敷層52之薄化有助於減少用於形成鍍敷層之金屬材之量。 根據圖4之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，基材51包含複數種基材金屬元素，鍍敷層52包含複數種基材金屬元素，於鍍敷層52之厚度方向上，隨著自基材51離開而鍍敷層52中之各第2鍍敷層金屬元素之比率減少。亦假定基材51包含3種以上之基材金屬元素之情形。亦假定鍍敷層52包含2種或3種以上之鍍敷層金屬元素之情形。 再者，關於元素之比率依據原子百分比(at%)。即，於某種元素之比率較大時，該元素之原子百分比之值較大。原子百分比之確定係使用日本電子(股)製造之JAMP9500F 歐傑電子分光分析裝置而確定。 基材金屬元素及第1鍍敷層金屬元素可為各種任意之金屬元素，作為一例，基材51包含黃銅(CuZn)，基材金屬元素為銅(Cu)及鋅(Zn)。於若干情形時，基材51係至少包含銅作為基材金屬元素之金屬或合金。於若干情形時，鍍敷層52係至少包含錫(Sn)作為第1鍍敷層金屬元素之金屬或合金。於圖4等所例示之若干情形時，基材51包含複數種基材金屬元素(例如Cu、Sn)，鍍敷層52包含複數種第2鍍敷層金屬元素(例如Cu、Sn)。於鍍敷層52之厚度方向上，隨著自基材51離開而鍍敷層52中之各第2鍍敷層金屬元素(例如Cu、Sn)之比率減少。 根據圖7之非限定之一例之實際驗證得知，於若干情形時，於鍍敷層52之相反面52s，粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。鍍敷層52由於其緻密之表面狀態而可具有得以提高之耐鹼性、耐酸性、耐化學品性。即便使鍍敷層52較薄，亦可確保鍍敷層52之充分之耐化學品性。於若干情形時，鍍敷層52之厚度為150 nm以下或100 nm以下。再者，於若干實施形態之鍍敷材中，即便鍍敷層52之厚度為150 nm以下或100 nm以下，於鍍敷之密接性之方面亦不存在特別之問題。因此，若考慮到鍍敷材之生產性，則只要設為必要最低限之厚度即可。就該觀點而言，較佳為150 nm以下或100 nm以下，但並不限定於此，亦可持續延長鍍敷時間而使膜厚更厚。 如上所述，於若干情形時，於基材51與鍍敷層52之間不存在明確之界面。推定鍍敷層52中之第1及/或第2鍍敷層金屬元素之比率之緩慢之變化導致無界面。為了確定鍍敷層52之厚度，必須決定基材51與鍍敷層52之交界。於本說明書中，基於圖4及/或圖5所示之測定方法確定基材51與鍍敷層52之交界。於圖4之測定方法中，藉由達到基材51中之特定之基材金屬元素之比率之鍍敷層52距表面之深度決定基材51與鍍敷層52之交界。於圖5之測定方法中，根據第1鍍敷層金屬元素之分佈及/或基材金屬元素之分佈決定基材51與鍍敷層52之交界。例如，於使用Cu：Zn＝80：20之元素比之黃銅之基材51之情形時，可於Cu之原子百分比約為80 at%、Zn之原子百分比達到約20 at%之位置決定交界。然而，圖4所示之元素百分比之比率之變化係根據在測定機中藉由蝕刻而釋放之材料之元素分析而觀察，當然包含誤差。基材51與鍍敷層52之交界應亦鑒於此種測定誤差而確定為穩妥之深度。 與本發明之實施品相關之基材51與鍍敷層52之交界應以如下方式確定。相對於基材51中之主要基材金屬元素之最大比率而該基材金屬元素之比率到達98%之位置被確定為基材51與鍍敷層52之交界。於基材51包含單一基材金屬元素之情形時，基材51中之主要基材金屬元素為該單一基材金屬元素。於基材51包含複數種基材金屬元素之情形時，基材51中之主要基材金屬元素係比率、即原子百分比最大之基材金屬元素。例如，於將Cu：Zn＝80：20之元素比之黃銅用作基材51之情形時，比率最大之金屬成分(原子百分比最大之金屬成分)即Cu之原子百分比達到最大比率之80 at%之98%之位置被決定為交界。 再者，關於先前之滾鍍或靜態鍍敷，並非如本發明之實施品之無界面狀態，而是存在明確之界面，因此將該位置定義為基材51與鍍敷層52之交界。但是，由於母材之表面實際上存在微細之凹凸，故而為便於說明，將其表面之凹凸之平均高度(Rc)之位置定義為基材51與鍍敷層52之交界。 如上所述，於若干情形時，鍍敷層52中之第2鍍敷層金屬元素之比率緩慢變化及/或於基材51與鍍敷層52之間不存在明確之界面。參照圖8至圖10對不具有此種鍍敷層52之先前之鍍敷材進行記述。圖8係表示先前之鍍敷材之剖面之TEM照片，示出基材與鍍敷層之間存在界面。圖9係表示先前之鍍敷材之剖面中之元素分佈的圖，示出鍍敷層金屬元素(Sn)存在於鍍敷層，鍍敷層金屬元素及基材金屬元素(Cu)存在於基材及鍍敷層，基材金屬元素(Zn)存在於基材。示出基材金屬元素(Zn)不存在於鍍敷層。如圖8、圖9般，於先前之滾鍍中，存在為了改善鍍層表面之色調或表面狀態而使膜厚厚於200 nm之情形，且由於係以於母材之上單純地積層鍍敷層之方式形成，故而基材51與鍍敷層52之交界可於視覺上明確地特定出。但是，由於母材之表面實際上存在微細之凹凸，故而界面成為該凹凸之表面本身。再者，於以數值表現鍍敷膜厚之情形時，為便於說明，將其表面之凹凸之平均高度(Rc)之位置設為基材51與鍍敷層52之交界。又，圖10係表示先前之鍍敷材之鍍敷層之表面之狀態的SEM照片，示出形成有龜裂或針孔。 於圖8至圖10中，基材包含黃銅(CuZn)，鍍敷層包含CuSn合金。於厚度為250 nm之CuSn層之鍍敷層中，Cu之元素百分比與Sn之元素百分比實質上固定。如圖8所示，根據鍍敷層與基材之金屬組織之差異而理解之明確之界面存在於鍍敷層與基材之間。如圖9所示，鍍敷層不含基材金屬元素之Zn。鍍敷層包含Cu之原因在於Cu為鍍敷層金屬元素。如圖10所示，鍍敷層之表面存在龜裂D1或針孔D2。因鹼、酸、化學品進入龜裂D1或針孔D2而可能導致鍍敷層腐蝕或崩解。為了完全應對該課題及/或其他課題，必需10000 nm左右以上之鍍敷厚度，但於先前之現實性工業生產級別之鍍敷材中，例如形成厚度為250 nm等超過100 nm～200 nm之厚度之鍍敷層，關於鍍層剝落或氧化或變色等問題某種程度上能達到實用級別，故妥協。 圖8至圖10之先前例之鍍敷材之鍍敷層係藉由滾鍍而形成。滾鍍係將被鍍敷材、本說明書中所言之基材投入至浸漬於鍍敷浴中之滾筒(旋轉籠)內，一面使滾筒旋轉一面進行電氣鍍敷之方法。具有可一次性對大量之被鍍敷材進行電氣鍍敷之優點。圖1至圖7之實施形態之鍍敷材之鍍敷層係藉由參照圖19至圖28而記述之下述非限定之一例之方法而形成，但未必應限定於該方法。為了實現本發明之鍍敷層，業者可想到對既有之滾鍍進行改良或完全不同之其他方法。 圖1至圖7所例示之實施形態之鍍敷材可解決圖8至圖10之先前之鍍敷材之1種以上之問題。即，圖1至圖7所例示之實施形態之鍍敷材可對解決因基材與鍍敷層之界面而導致之較低之密接性之先前之課題做貢獻。即便將鍍敷層形成為較厚，若鍍敷層與基材之間存在界面，則亦可引起鍍敷層之剝離。追加或取而代之地，圖1至圖7所例示之實施形態之鍍敷材可對解決鍍敷層較厚之先前之課題做貢獻。追加或取而代之地，圖1至圖7所例示之實施形態之鍍敷材可對解決鍍敷層之表面存在大量龜裂及/或針孔之先前之課題做貢獻。 以下，參照圖11至圖18主要對金屬元素之變動進行記述。圖11係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖11中，基材51包含黃銅(CuZn)，第1鍍敷層金屬元素為銅(Cu)。根據圖11得知，於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。於圖11之情形時，由於第1鍍敷層金屬元素為銅(Cu)，故而未能觀察到鍍敷層中之源自基材51之金屬元素(Cu)之比率之變化。 於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而金屬元素(Cu)之比率減少。圖11之鍍敷層中之金屬元素(Cu)之比率之變化表示作為基材金屬元素之Cu與作為第1鍍敷層金屬元素之Cu之合計之比率之變化。然而，可明確的是在鍍敷層52之表面側大量存在第1鍍敷層金屬元素，故而圖11之鍍敷層中之金屬元素(Cu)之比率之變化印證了於鍍敷層之厚度方向上隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 圖12係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖12中，基材51包含黃銅(CuZn)，第1鍍敷層金屬元素為鋅(Zn)。根據圖12得知，於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu)之比率連續減少。於圖12之情形時，由於第1鍍敷層金屬元素為鋅(Zn)，故而未能觀察到鍍敷層中之源自基材51之金屬元素(Zn)之比率之變化。於鍍敷層之厚度方向上隨著靠近基材而金屬元素(Zn)之比率減少印證了於鍍敷層之厚度方向上隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Zn)之比率減少。 圖13係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖13中，基材51包含黃銅(CuZn)，第1鍍敷層金屬元素為錫(Sn)。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu或Zn)之比率連續地急遽減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率減少。於圖13之情形時，利用與圖4不同之裝置形成鍍敷層，獲得鍍敷層之厚度薄於圖4之鍍敷層之顯著之效果。 再者，鍍敷層之厚度未必應限定於上述各例之厚度。例如，於圖13之情形時，只要使鍍敷之厚度大於20 nm，則可獲得更接近Sn之素材之顏色即銀色之色調之鍍敷材。反之，若使鍍敷之厚度小於20 nm，則可獲得更接近基材51之黃銅之顏色即黃色之色調之鍍敷材。 具體而言，於圖14中記載將圖13之鍍敷之厚度設為10 nm之例。於該情形時，相對於圖13之實施形態之鍍敷材成為較淡之金色，而成為黃色較其略明顯之色調。如此，即便於將厚度設為10 nm之本發明之實施形態之情形時，亦可獲得相較於先前之滾鍍而於密接性之方面更具有優越性之鍍敷材。 圖15係概略性地表示鍍敷材之層構造之模式圖，形成於基材之正上方之鍍敷層包含基底鍍敷層與表面鍍敷層。圖16係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖16中，如圖15般，鍍敷層包含基底鍍敷層與表面鍍敷層。於圖16中，基材51包含黃銅(CuZn)，基底鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素包含錫(Sn)，表面鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素包含銅(Cu)。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而基底鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu或Zn)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而基底鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率連續減少。 於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基底鍍敷層離開而表面鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少，基底鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率亦同樣地連續減少。於圖16之情形時，由於表面鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素為銅(Cu)，故而未能觀察到表面鍍敷層中之源自基材51之金屬元素(Cu)之比率之變化。於表面鍍敷層之厚度方向上隨著靠近基底鍍敷層而表面鍍敷層之金屬元素(Cu)之比率減少印證了於表面鍍敷層之厚度方向上隨著靠近基底鍍敷層而表面鍍敷層之源自基材51之金屬元素(Cu)之比率減少。 對主要使用黃銅作為基材51之例進行了記述，但亦假定使用其他金屬(例如鋅、不鏽鋼)、合金、或純金屬(鋅等)。除單層或2層以外，亦假定將鍍敷層形成為3層以上之情形。於圖4、圖11至圖14、及圖16～圖18中，鍍敷層52之表面之位置係由52s表示。 圖17係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖17中，基材51包含鋅(Zn)，鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素為銅(Cu)。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 圖18係表示鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於圖18中，基材51包含不鏽鋼，且包含基材金屬元素(Fe)。鍍敷層之第1鍍敷層金屬元素為銅(Cu)。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Fe)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 根據上述發明得知，於若干情形時，於鍍敷層52之厚度方向上隨著自基材51離開而第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為10 nm以上或20 nm以上或60 nm以上。圖17表示於60 nm及/或400 nm以上之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。圖18表示於60 nm及/或100 nm以上之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Fe)之比率減少。圖4表示於60 nm以上之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Cu)之比率連續減少。圖4表示於40 nm以上之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。圖11及圖12與圖4相同。圖13表示於10 nm及/或20 nm以上之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續地急遽減少。 根據上述發明得知，於若干情形時，於鍍敷層52之厚度方向上隨著自基材51離開而第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為80 nm以下、或60 nm以下、或30 nm以下、或20 nm以下。圖4表示於80 nm以下或60 nm以下之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續減少。圖11及圖12亦相同。圖13表示於30 nm以下及/或20 nm以下之厚度範圍內第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續地急遽減少。 根據上述發明得知，於若干情形時，於鍍敷層52之表面，第1鍍敷層金屬元素之比率未達100%或未達90%。由於鍍敷層中之第2鍍敷金屬元素，故而於鍍敷層52之最表面，第1鍍敷層金屬元素之比率未成為100%。於鍍敷層52之表面，第1鍍敷層金屬元素之比率理論上未達100%，或即便考慮到異物或測定誤差，亦未達90%。例如，於圖13之實施形態中，於作為第1鍍敷層金屬元素之Sn達到35%之時點結束鍍敷。於先前之滾鍍中，於鍍敷結束後之鍍敷材之表面，鍍敷層金屬元素之比率理論上為100%，或即便考慮到異物或測定誤差，亦成為90%以上。藉由在所需色調之鍍敷狀態下停止電氣鍍敷，可簡單地製造色調有細微差異之鍍敷材。 以下，參照圖19至圖28對非限定之一例之鍍敷材之製造方法(或電氣鍍敷方法)、及可用於其之電氣鍍敷裝置之構成進行記述。再者，圖19至圖28及與之相關之記述並不對上述鍍敷材給予任何限定。圖19係表示鍍敷材之非限定之一例之製造方法的概略性流程圖。圖20係表示可用於製造鍍敷材之非限定之一例之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖。圖21係電氣鍍敷裝置之鍍敷槽之概略性俯視模式圖，示出鍍敷槽中之陰極及陽極之配置例，且示出設置於鍍敷槽之底部之低摩擦材。圖22係沿著圖21之X22-X22之電氣鍍敷裝置之概略性局部剖視圖。圖23係表示隨著攪拌及電氣鍍敷步驟之時間經過而基材之最大rpm增加的概略性曲線圖。圖24係表示可用於製造鍍敷材之非限定之一例之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖。圖25係圖24所示之電氣鍍敷裝置之攪拌部之概略性俯視模式圖，示出攪拌部包含向上方突出之翼部之放射狀排列。圖26係表示電氣鍍敷裝置之概略性構成之模式圖，示出於鍍敷槽之中央部設置有中空或非中空之圓柱部之例。圖27係表示電氣鍍敷裝置之概略性構成之模式圖，示出陰極及陽極之配置不同之例。圖28係表示電氣鍍敷裝置之概略性構成之模式圖，示出平板狀之攪拌部。 如圖19所示，鍍敷材之製造方法可包含如下步驟：將包含基材金屬元素之基材投入至電氣鍍敷槽；及於電氣鍍敷槽中一面使基材沿圓周方向流動，一面進行電氣鍍敷。藉由該電氣鍍敷方法於基材之正上方形成包含與基材金屬元素不同之第1鍍敷層金屬元素之鍍敷層。如上所述，該形成之鍍敷層進而包含基材金屬元素。如上所述，於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素之比率減少及/或於鍍敷層與基材之間不存在明確之界面。關於鍍敷材5而記述之其他特徵亦通用於在該段落中所敍述之鍍敷材。關於上述「於電氣鍍敷槽中一面使基材沿圓周方向流動一面進行電氣鍍敷之步驟」，若基於下述揭示，則可理解為包含：攪拌步驟，其係使沈澱於電氣鍍敷槽內之電解液中之一組基材在沿著電氣鍍敷槽之內壁之圓周方向上流動；及電氣鍍敷步驟，其係對在電氣鍍敷槽內之電解液中沿圓周方向流動之一組基材進行電氣鍍敷。 圖20及圖24所例示之若干實施形態之電氣鍍敷裝置1具備：電氣鍍敷槽10，其儲存電解液；及攪拌機構40，其使沈澱於電氣鍍敷槽10中所儲存之電解液中之一組基材51流動。電解液例如係氰系之電解液。存在將基材51稱為被鍍敷材之情形。對應於攪拌機構40之作動而產生基材51之圓周方向之流動，同時亦進行電氣鍍敷。於若干情形時，攪拌機構40使沈澱於電氣鍍敷槽10中所儲存之電解液中之一組基材51一面實質上維持沈澱狀態，一面在沿著電氣鍍敷槽10之內壁19之圓周方向上流動。 於圖20所例示之若干情形時，攪拌機構40磁性作用於電氣鍍敷槽10之電解液中之一組磁性介質30而使一組磁性介質30流動。於磁性介質30流動時，磁性介質30與基材51碰撞。磁性介質30之運動力傳遞至基材51而基材51開始流動。藉由磁性介質30對基材51之連續或間斷之碰撞而維持或促進基材51之流動。藉由基材51彼此之接觸及碰撞、以及基材51與磁性介質30之接觸及碰撞而基材51及鍍敷層52被研磨。 於圖24所例示之若干情形時，攪拌機構40藉由設置於電氣鍍敷槽10之底側之攪拌部46之旋轉而使一組基材51沿圓周方向流動。攪拌機構40具備：攪拌部46，其可旋轉地設置於電氣鍍敷槽10之底側；及旋轉力供給機構47，其對攪拌部46供給旋轉力。對應於攪拌部46之旋轉而各基材51沿圓周方向流動。藉由形成鍍敷層52之前之基材51彼此之接觸及碰撞、以及鍍敷層52之成長過程中之基材51彼此之接觸及碰撞而基材51及鍍敷層52被研磨。 於若干情形時，攪拌部46可旋轉地設置於電氣鍍敷槽10之底側，並構成電氣鍍敷槽10之底部之至少一部分。藉由攪拌部46之旋轉，而電氣鍍敷槽10之底部之至少一部分相對於電氣鍍敷槽10之筒部11相對地旋轉。 電氣鍍敷槽10於若干情形時包含筒部11及底部12。筒部11係上部具有容許投入或回收基材51之開口18之圓筒狀構件。於筒部11之下端設置有底部12。電氣鍍敷槽10及筒部11為靜止構件。筒部11係以筒部11之中心軸與下述旋轉軸AX5吻合之方式配置。筒部11之中心軸及旋轉軸AX5於若干情形時與鉛垂方向吻合。因此，投入至電氣鍍敷槽10中之一組基材51朝向鉛垂方向下方沈澱於電解液中並沈積於底部12上。 電氣鍍敷裝置1於若干情形時具備設置於電氣鍍敷槽10之底側之下部陰極21及設置於較下部陰極21更靠上方之上部陽極22。所謂底側，與投入至電氣鍍敷槽10之電解液中之基材51之基材51沈澱之方向相等。下部陰極21連接於電源90之負極，上部陽極22連接於電源90之正極。 自上部陽極22釋放或溶出至電解液中之金屬離子或預先加入至電解液中之金屬離子自與下部陰極21直接接觸之基材51獲取電子，又，自經由其他基材51而電性連接於下部陰極21之基材51獲取電子。金屬離子於獲取電子後析出至基材51上而形成鍍敷層。與下部陰極21直接接觸之基材51可將自下部陰極21傳送至該基材51之電子供給至金屬離子。未與下部陰極21直接接觸而是經由其他1種以上之基材51電性連接於下部陰極21之基材51可將經由其他1種以上之基材51而傳遞之源自下部陰極21之電子供給至金屬離子。 於若干實施形態中，一組基材51於電氣鍍敷槽10中所儲存之電解液中，一面實質上維持沈澱狀態一面沿圓周方向流動，一組基材51之至少一部分與下部陰極21接觸，位於較與下部陰極21接觸之基材51更靠上方之基材51經由至少與下部陰極21接觸之基材51電性連接下部陰極21。換言之，一組基材51可包含：屬於第1群之複數個基材51，其等與下部陰極21接觸而電性連接於下部陰極21；及屬於第2群之複數個基材51，其等未與下部陰極21接觸，而是經由至少屬於第1群之至少一種基材51電性連接於下部陰極21。一組基材51可包含屬於第3群之複數個基材51，其等經由屬於第1群之至少一種基材51及屬於第2群之至少一種基材51而電性連接於下部陰極21。一面實質上維持沈澱狀態一面沿圓周方向流動係指大部分基材51未於電解液中浮起之狀態。一面實質上維持沈澱狀態一面沿圓周方向流動並不排除存在因偶然性之電解液之流動之混亂或基材51彼此之碰撞而暫時浮游之基材51，而包含此種情況。於某一特定之情形時，一面實質上維持沈澱狀態一面沿圓周方向流動包含如下狀態：除於鍍敷處理液及/或基材51以最大旋轉速度流動之狀態下，因偶然性之電解液之流動之混亂或基材51彼此之碰撞而導致暫時浮游之極少部分之基材51以外之大部分基材51與電氣鍍敷槽10之底部或其他基材51接觸之狀態。藉此，可更確實地確保基材51與下部陰極21間之電性連接，從而可避免基材51成為無供電狀態。 一般之滾鍍係藉由以滾筒之轉數低至3～8 rpm之速度旋轉而一面對一組基材51進行攪拌一面進行鍍敷，於獲得均勻且不存在色不均之鍍敷之前需要更長之時間。另一方面，根據本發明之方法，亦可促進獲得均勻且不存在色不均之鍍敷之前所需之時間之縮短化。於若干情形時，與滾鍍相比，鍍敷步驟所需之時間減半。 下部陰極21於筒部11之底側之內壁19附近沿圓周方向延伸(例如參照圖21)。下部陰極21可為位於電氣鍍敷槽10之底側之環狀電極。由於一組基材51沿圓周方向流動，故而於下部陰極21包含環狀電極之情形時，可確保基材51與下部陰極21之良好之接觸。再者，所謂圓周方向，係沿電氣鍍敷槽10之內壁19前進之方向，並不限定於切合正圓形狀之方向，亦包含切合楕圓形狀或其他形狀之方向。再者，下部陰極較佳為環狀，此外，亦可為棒狀、板狀、球狀等形狀，還可將電氣鍍敷槽10之底部12之整體或一部分設為陰極。 上部陽極22沿圓周方向延伸。藉此，可避免或抑制於圓周方向上鍍敷層之成長速度產生差異。更直接而言，上部陽極22於筒部11之開口18側沿圓周方向延伸。上部陽極22係位於電氣鍍敷槽10之上部之環狀電極。於若干情形時，上部陽極22未必限定於此，而是金屬線，且設置成可簡單地更換成新的金屬線。於其他例中，上部陽極22可為球狀、板狀、晶片狀。作為上部陽極22，可採用各種金屬或材料。例如為選自碳、不鏽鋼、銅、錫、鋅、黃銅、鈦、金、銀、鎳、鉻、鉛、鈀、鈷、鉑、釕、銠之群中之1種以上之金屬。上部陽極22隨著電氣鍍敷之進行而於電解液中溶出，隨著時間經過而體積及重量減少。再者，陽極或陰極沿圓周方向延伸並非意味著完整之圓，包含局部間斷地沿圓周方向配置有電極之狀態。 藉由適當調整上部陽極22之金屬種類或電解液之組成，可確保所需之精加工顏色。例如，基材51係由金色、黑色、銀色、淡銅色、深銅色、棕色之鍍敷層被覆。 作為下部陰極21，可採用各種金屬。例如為選自不鏽鋼、銅、錫、鋅、不鏽鋼、碳、鈦、金、銀、鎳、鉻、鉛、鈀、鈷、鉑、釕、銠之群中之1種以上之金屬。於下部陰極21亦成長鍍敷層。因此，於若干情形時，於適當之時點將鍍敷層去除或更換下部陰極21。 電氣鍍敷裝置1於若干情形時進而具有蓋15。於蓋15設置有用以供連接於上部陽極22之配線通過之孔。電氣鍍敷槽10之深度方向上之上部陽極22之高度係藉由決定上部陽極22相對於蓋15之間隔而確定。換言之，藉由於電氣鍍敷槽10設置蓋15，而上部陽極22於電氣鍍敷槽10內定位於適當之高度。 於圖20所例示之若干情形時，向電氣鍍敷槽10內除投入一組基材51以外亦投入一組磁性介質30。如上所述，圖20之攪拌機構40並非直接作用於基材51而使基材51流動，而是經由一組磁性介質30作用於基材51。於若干情形時，一個磁性介質30與一個基材51相比充分小。磁性介質30之具體種類可多種多樣。作為一例，磁性介質30可為棒或針狀之構件。作為其他例，磁性介質30可為球、長方體、立方體或稜錐狀。磁性介質30典型而言為不鏽鋼製，但未必限定於此。於磁性介質30為棒或針狀之不鏽鋼材時，於與基材51碰撞時可有效地對基材51之最外表面之鍍敷層進行研磨。再者，亦可不使用蓋15而是利用棒材懸掛上部陽極22。 於圖20所例示之若干情形時，一組基材51沿圓周方向之流動係藉由攪拌機構40磁性作用於電氣鍍敷槽10之電解液中之一組磁性介質30而使一組磁性介質30沿圓周方向流動來確保。一組基材51沿圓周方向之流動係伴隨電氣鍍敷槽10內之電解液中之磁性介質30沿圓周方向之流動而產生。於磁性介質30沿圓周方向流動時，磁性介質30具有大於基材51之運動力。促進成長過程中之鍍敷層之有效之研磨。 攪拌機構40於若干情形時具有電動馬達41、旋轉軸42、旋轉板43、及1種以上之永久磁鐵44。由電動馬達41產生之旋轉力直接或間接地傳遞至旋轉軸42，固定於旋轉軸42之旋轉板43旋轉，旋轉板43上之永久磁鐵44沿圓周方向旋轉。亦假定於電動馬達41與旋轉軸42之間設置旋轉力傳遞系統、例如無端皮帶等。攪拌機構40之具體構成係由業者適當決定。 於若干情形時，攪拌機構40可包含磁性電路。藉由適當設計磁性電路，可不伴隨物理上之構件之旋轉而使磁性介質30沿圓周方向流動。 永久磁鐵44例如係以N極朝向鉛垂方向上方之方式固定於旋轉板43之上表面。磁性介質30被永久磁鐵44吸引。因此，對應於永久磁鐵44之圓周方向移動而磁性介質30與永久磁鐵44一併移動。如此達成磁性介質30之圓周方向之流動，藉此達成基材51之圓周方向之流動。 於圖24所例示之若干情形時，攪拌部46包含構成電氣鍍敷槽10之底部之至少一部分之圓盤部461、及與圓盤部461連結之旋轉軸462。圓盤部461之上表面與電氣鍍敷槽10之底部12之底面一致。於圓盤部461之上表面之中央設置有向鉛垂方向上方突出之突起部464。如圖25所例示，於圓盤部461之上表面設置有向上方、即鉛垂方向上方突出之翼部463之放射狀排列。翼部463關於圓盤部461之中央以放射狀設置。 一組基材51沿圓周方向之流動係伴隨設置於電氣鍍敷槽10之底側之攪拌部46之旋轉而產生。於攪拌部46繞旋轉軸AX5旋轉時，翼部463亦繞旋轉軸AX5旋轉。若著眼於一個翼部463，則翼部463沿圓周方向前進，於該過程中，電解液產生流動，從而產生基材51沿圓周方向之流動。翼部463可與基材51直接接觸及碰撞。於若干情形時，翼部463關於圓盤部461之上表面具有較低之高度。促進攪拌部46之順利之旋轉。如此，促進電氣鍍敷槽10內之基材51之均勻之攪拌。再者，電氣鍍敷槽10之筒部11為靜止構件。 設置於圓盤部461之徑向外側區域之傾斜部配置於設置在電氣鍍敷槽10之筒部11之下端之朝向徑向內側延伸之凸緣部119上。圓盤部461之傾斜部與凸緣部119之間的間隙連接有未圖示之排出管。藉由排出管之開閉而能夠排出電氣鍍敷槽10之電解液。 旋轉力供給機構47包含電動馬達471及動力傳遞傳送帶472。電動馬達471之旋轉力經由動力傳遞傳送帶472傳遞至攪拌部46之旋轉軸462。與之對應而旋轉軸462旋轉，又，與旋轉軸462連結之圓盤部461旋轉，圓盤部461之上表面上之翼部463沿圓周方向移動。藉此，於電氣鍍敷槽10之電解液中沈澱於攪拌部46之圓盤部461上之一組基材51沿圓周方向浮動。 於若干情形時，根據圖21及圖22之例示得知，於較下部陰極21更靠徑向內側之底部12之底面上設置有低摩擦材13。藉此，促進底部12上之基材51之流動。於若干情形時，追加或取而代之地，於電氣鍍敷槽10之內壁19設置有低摩擦材。低摩擦材例如為樹脂製片材，例如為聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯製。 於圖20及圖24所例示之若干實施形態中，於電氣鍍敷裝置1中，攪拌與電氣鍍敷同時進行。於攪拌過程中，基材51之表面被研磨，基材51上之鍍敷層52之表面被研磨。於圖20之裝置中，假定藉由使磁性介質30與基材51碰撞並且使基材51彼此亦碰撞，而可一面對表面狀態賦予影響一面進行鍍敷，藉此，產生先前所圖示之第2鍍敷層金屬元素之比率之連續變化。於圖24之裝置中，亦假定藉由調整轉數而使基材51彼此以固定頻度以上之比率碰撞，可一面對表面狀態賦予影響一面進行鍍敷，藉此，產生先前所圖示之第2鍍敷層金屬元素之比率之連續之變化。再者，圖4、圖11、圖12、及圖16～18之鍍敷層係藉由圖20之電氣鍍敷裝置1形成。圖13及14之鍍敷層係藉由圖24之電氣鍍敷裝置1形成。 於鍍敷層之成長過程中鍍敷層被研磨似乎違反使鍍敷層成長之原始目的。然而，於在鍍敷層之成長過程中鍍敷層被研磨之情形時，自鍍敷層較薄之階段起其平坦度提高，結果可於較薄之鍍敷層獲得所需之精加工、換言之所需之平坦度或光澤度。鍍敷層之薄化使得電氣鍍敷所需之時間及功率降低，可明顯有助於降低鍍敷材5及/或服飾零件7之製品單價。 於若干情形時，於攪拌及電氣鍍敷步驟之初始階段，基材51之表面之平坦度明顯較低。因此，於電氣鍍敷槽10之溶液中沈澱之一組基材51無關於磁性介質30之碰撞，因與周圍之其他基材51之接觸阻力而不流動。於此種情形時，隨著時間經過所帶來之與磁性介質30之碰撞數之增加、基材51彼此之碰撞數之增加、及鍍敷層之成長，基材51之最外面之平坦度提高，促進一組基材51之流動。 參照圖23對上述點補充性地進行說明。於時刻t1時接通電源90之開關，於下部陰極21與上部陽極22之間施加電壓。又，於時刻t1時，電動馬達41成為接通狀態，旋轉軸42旋轉，永久磁鐵44沿圓周方向旋轉。與永久磁鐵44連動地，磁性介質30沿圓周方向流動。基材51被磁性介質30擠壓而受到沿圓周方向流動之力。然而，於時刻t1與時刻t2之間，基材51彼此之接觸阻力較大而不會產生基材51沿圓周方向之流動。即，基材51之最大rpm(revolutions per minute，轉/分鐘)實質上為零。 於時刻t1與時刻t2之期間內，反覆進行基材51彼此之接觸及碰撞，反覆進行基材51與磁性介質30之接觸及碰撞，又，鍍敷層於基材51之最外表面上成長，藉此，基材51之平滑性提高。結果，於經過時刻t2之後，一組基材51沿圓周方向之流動緩緩開始。於經過時刻t3之後，一組基材51沿圓周方向之流動變得顯著。於經過時刻t4之後，一組基材51沿圓周方向之流動穩定化。 於圖23中，藉由實線、單點虛線、兩點虛線表示最大rpm之變化之若干變動。最大rpm之變化可依存於電氣鍍敷槽10之幾何形狀、電氣鍍敷槽10之容積、投入至電氣鍍敷槽10中之基材51之個數及/或重量、磁性介質30之個數及/或重量、電動馬達41之轉數、永久磁鐵44之個數或配置態樣。該攪拌及電氣鍍敷步驟之結束時刻係經過試驗後由業者適當決定。 再者，rpm之算出方法例如如下所述。首先，測定每單位時間之特定基材51之圓周方向移動距離。繼而，換算成每一分鐘之距離。如此，求出rpm。最大rpm之前提例如係將目視下相對快速流動之任意10個基材51設為樣品。即，針對一組基材51之全部求出rpm並不現實。因此，最大rpm意指針對特定10個基材51算出之rpm之最大值。關於在技術方案中特定出之最大rpm之特定及解釋，亦遵循本段落所說明之方法。 於若干情形時，於攪拌過程中，基材51之流動方向被反轉。藉此，可促進電氣鍍敷槽10之底部12上之基材51之凝聚之產生之降低或避免。例如，於攪拌過程中，電動馬達41之旋轉停止，電動馬達41之旋轉方向被反轉。藉此，可促進電氣鍍敷槽10之底部12上之基材51之凝聚之產生之降低或避免。於根據自磁性介質30受到之力而基材51流動之方式中，不易獲得基材51之攪拌力，存在難以均勻地對基材51進行攪拌之情形。藉由使攪拌機構40於攪拌過程中執行攪拌停止及/或攪拌反轉，可避免或抑制此種問題。 假定於基材51之最大rpm較大時，基材51因離心力向徑向外側移動，而與電氣鍍敷槽10之下部陰極21接觸之概率提高。然而，於基材51之最大rpm較大時，存在無供電狀態之基材51之產生概率提高之顧慮。若無供電狀態之基材51之產生概率提高，則會導致一組基材51中之各個基材51之鍍敷厚度之差異。鑒於該點，於本實施形態中，電氣鍍敷槽10內之基材51之最大rpm維持為未達最佳值。藉此，可有效地降低鍍敷厚度差異。再者，所謂無供電狀態之基材51，意指未與下部陰極21直接接觸且未經由其他基材51電性連接於下部陰極21之基材51。業者明白，無供電狀態之基材51會掩蓋雙極型現象。 為了維持實質上之沈澱狀態，以一次性投入之基材之重量越小越成為低旋轉之方式調整攪拌轉數，或者設定基材之旋轉半徑或電氣鍍敷槽10之內徑。 電氣鍍敷槽10內之基材51之最大旋轉速度(rpm)只要為可維持基材51實質上沈澱狀態之程度之轉數即可。基材51之旋轉速度亦根據基材51之投入量而變化，於該情形時，亦較佳為可維持實質上沈澱狀態之程度之投入量與轉數。於若干情形時，相對於鍍敷液20升～30升，基材51之投入量為10克～8000克，將50 cc～400 cc左右之磁性介質添加至電氣鍍敷槽中。 於若干情形時，於圖20所示之類型之電氣鍍敷裝置中，電氣鍍敷槽10內之基材51之最大rpm維持為未達40 rpm。藉此，可有效地減少鍍敷厚度差異。 於若干情形時，於圖20所示之類型之電氣鍍敷裝置中，電氣鍍敷槽10內之基材51之最大rpm維持為未達30 rpm、或未達25 rpm、或未達20 rpm、或未達15 rpm、或未達10 rpm。 於若干情形時，於圖24所示之類型之電氣鍍敷裝置中，電氣鍍敷槽10內之基材51之最大rpm維持為未達120 rpm。藉此，可有效地減少鍍敷厚度差異。 於若干情形時，於圖24所示之類型之電氣鍍敷裝置中，電氣鍍敷槽10內之基材51之最大rpm維持為未達100 rpm、或未達80 rpm、或未達70 rpm、或未達60 rpm、或未達50 rpm。再者，於圖24所示之類型之電氣鍍敷裝置中，亦可如上所述般藉由設定轉數而調整基材51彼此之碰撞頻度，進而，亦可混入研磨用之介質而產生研磨介質與基材51之碰撞。 於圖26所例示之若干情形時，於電氣鍍敷槽10之中央設置有中空或非中空之圓柱部。藉由該圓柱部而基材51之流路被限定於徑向外側、即下部陰極21上。藉此，可降低無供電狀態之基材51之產生概率。再者，圓柱部為非導電性，且為非磁性體。於此種情形時，亦適用與上述說明相同之說明。 圖27表示下部陰極21及上部陽極22之配置不同之例。下部陰極21為環狀之線。同樣地，上部陽極22為環狀之線。下部陰極21於電氣鍍敷槽10之底側被固定於內壁19附近。上部陽極22於電氣鍍敷槽10之開口18側被固定於內壁19附近。於此種情形時，亦適用與上述說明相同之說明。 於圖28所例示之若干情形時，攪拌部46及/或圓盤部461為平板狀。又，下部陰極21配置於上述凸緣部119上。於此種情形時，亦適用與上述說明相同之說明。 圖29係拉鏈之概略性前視模式圖，被參照以表示鍍敷材之變動。鍍敷材5可為拉鏈8中所包含之金屬材零件、例如擋止具81、滑件82、拉片83。 實施例1 實施例1係關於參照圖20所說明般使用磁性介質之例。使用半徑300 mm、深度150 mm、及容積40升之鍍敷槽。鍍敷槽為金屬製。於鍍敷槽之筒部之內周面貼附橡膠片，於鍍敷槽之底部貼附聚乙烯製之低摩擦材。將橡膠片與低摩擦材之間之露出部用作陰極。即，陰極提供鍍敷槽之一部分。陰極於圓周方向上連續地構成為環狀。陽極以懸掛式浸漬於溶液中。使用銅線作為陽極。使用不鏽鋼針作為磁性介質。一個不鏽鋼針之大小為長度5 mm、直徑0.5 mm。將100 cc量之不鏽鋼針添加至鍍敷槽中。使用鈕扣用之外殼作為基材。外殼為黃銅(Cu：Zn＝65：35)製。外殼經過脫脂及洗淨步驟。外殼之投入量為1 kg。電動馬達之旋轉速度設為1800 rpm。溶液之旋轉速度為30 rpm。溶液之旋轉速度可基於觀測浮動之指標而決定。外殼之旋轉速度未達40 rpm。大部分外殼處於供電狀態，而可形成厚度均勻之鍍敷層。 實施例2 投入2 kg外殼，並投入200 cc不鏽鋼針，除該點以外與實施例1相同。大部分外殼處於供電狀態，而可形成厚度均勻之鍍敷層。 實施例3 投入3 kg外殼，並投入250 cc不鏽鋼針，使電動馬達41之旋轉方向以30秒間隔間斷地反轉，除該點以外與實施例1相同。大部分外殼處於供電狀態，而可形成厚度均勻之鍍敷層。然而，一部分外殼未順利地流動，雖未確認，但預想鍍敷層之厚度會產生不均。 取代外殼而亦對拉鏈用之滑件進行相同之試驗，獲得相同之結果。 於上述發明中，揭示有以如下方式特定出之鍍敷材。 -附記1- 一種鍍敷材，其具備： 基材(51)，其包含1種以上之基材金屬元素；及 鍍敷層(52)，其形成於上述基材(51)之正上方； 上述鍍敷層(52)至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。 申請時之本案請求項9至19中特定出之特徵亦通用於上述附記1之鍍敷材。 於上述發明中，記述了基材包含1種以上之基材金屬元素，鍍敷層至少包含第1及第2鍍敷層金屬元素。若希望或根據必要性，則基材金屬元素、第1鍍敷層金屬元素、及第2鍍敷層金屬元素可被代替地稱為第1金屬元素、第2金屬元素、及第3金屬元素。於該情形時，技術方案所記載之發明係如下述附記所示般被特定。 -附記2- 一種鍍敷材，其具備： 基材(51)，其包含1種以上之第1金屬元素；及 鍍敷層(52)，其形成於上述基材(51)之正上方； 上述鍍敷層(52)至少包含第2金屬元素及與上述第2金屬元素不同之第3金屬元素， 上述第3金屬元素係與上述1種以上之第1金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第3金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。 申請時之本案請求項9至19中所特定之特徵以替換必要用語作為必要條件而亦通用於上述附記2之鍍敷材。 於上述發明中，於鍍敷層之厚度方向上隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於基材與鍍敷層之間不存在明確之界面被記述成若干主要特徵之一。然而，該主要特徵之一並不比其他特徵優越或成為其他特徵之前提。例如，下述發明亦被理解。 -附記3- 一種鍍敷材，其具備： 基材(51)；及 鍍敷層(52)，其形成於上述基材(51)之正上方； 上述鍍敷層(52)具有與上述基材(51)為相反側之相反面(52s)， 於上述相反面(52s)，粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。 -附記4- 如附記3之鍍敷材，其中上述相反面(52s)實質上不存在龜裂或針孔。 -附記5- 如附記3或4之鍍敷材，其中上述基材(51)包含1種以上之基材金屬元素， 上述鍍敷層(52)至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。 若鑒於上述教導，則業者可對各實施形態添加各種變更。申請專利範圍中所添加之符號用於參考，而不應以限定解釋申請專利範圍之目的來參照。
1‧‧‧電氣鍍敷裝置
5‧‧‧鍍敷材
6‧‧‧芯材
7‧‧‧服飾零件
8‧‧‧拉鏈
10‧‧‧電氣鍍敷槽
11‧‧‧筒部
12‧‧‧底部
13‧‧‧低摩擦材
15‧‧‧蓋
18‧‧‧開口
19‧‧‧內壁
21‧‧‧下部陰極
22‧‧‧上部陽極
30‧‧‧磁性介質
40‧‧‧攪拌機構
41‧‧‧電動馬達
42‧‧‧旋轉軸
43‧‧‧旋轉板
44‧‧‧永久磁鐵
46‧‧‧攪拌部
47‧‧‧旋轉力供給機構
51‧‧‧基材
52‧‧‧鍍敷層
52s‧‧‧相反面
53‧‧‧界面
81‧‧‧擋止具
82‧‧‧滑件
83‧‧‧拉片
90‧‧‧電源
119‧‧‧凸緣部
461‧‧‧圓盤部
462‧‧‧旋轉軸
463‧‧‧翼部
464‧‧‧突起部
471‧‧‧電動馬達
472‧‧‧動力傳遞傳送帶
AX5‧‧‧旋轉軸
D1‧‧‧龜裂
D2‧‧‧針孔
L1‧‧‧交界
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
t1‧‧‧時刻
t2‧‧‧時刻
t3‧‧‧時刻
t4‧‧‧時刻
圖1係本發明之一態樣之鍍敷材之蓋之概略性立體圖。 圖2係將本發明之一態樣之鍍敷材之蓋安裝於芯材之服飾零件的概略性立體圖。 圖3係概略性地表示本發明之一態樣之鍍敷材之層構造之模式圖，示出基材及形成於基材之正上方之鍍敷層。 圖4係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率減少。 圖5係表示本發明之一態樣之鍍敷材之剖面中之元素分佈的圖，示出第1鍍敷層金屬元素(Sn)存在於鍍敷層，基材金屬元素(Cu)存在於基材及鍍敷層，基材金屬元素(Zn)存在於基材及鍍敷層。示出Cu存在於較Zn更靠鍍敷層之表面附近。 圖6係表示本發明之一態樣之鍍敷材之剖面之TEM(Transmission Electron Microscopy，穿透式電子顯微鏡)照片，示出於基材與鍍敷層之間不存在明確之界面。 圖7係表示本發明之一態樣之鍍敷層之表面狀態的SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)照片，示出粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。 圖8係表示先前之鍍敷材之剖面之TEM照片，示出於基材與鍍敷層之間存在界面。 圖9係表示先前之鍍敷材之剖面中之元素分佈的圖，示出鍍敷層金屬元素(Sn)存在於鍍敷層，鍍敷層金屬元素及基材金屬元素(Cu)存在於基材及鍍敷層，基材金屬元素(Zn)存在於基材。示出基材金屬元素(Zn)不存在於鍍敷層。 圖10係表示先前之鍍敷材之鍍敷層之表面狀態的SEM照片，示出形成有龜裂或針孔。 圖11係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 圖12係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Zn)之比率減少。 圖13係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Cu、Zn)之比率連續地急遽減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Sn)之比率減少。鍍敷層之厚度變得較圖4之情形更薄。 圖14係形成有薄於圖13之鍍敷層之情形時之概略性曲線圖。 圖15係概略性地表示本發明之一態樣之鍍敷材之層構造之模式圖，形成於基材之正上方之鍍敷層包含基底鍍敷層與表面鍍敷層。 圖16係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。基底鍍敷層包含某一第1鍍敷層金屬元素(Sn)。表面鍍敷層包含另一第1鍍敷層金屬元素(Cu)。 圖17係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Zn)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 圖18係表示本發明之一態樣之鍍敷層之厚度方向上的鍍敷材之各金屬元素之比率之變化的概略性曲線圖。於鍍敷層之厚度方向上，隨著自基材離開而鍍敷層中之第2鍍敷層金屬元素(Fe)之比率連續減少。於鍍敷層之厚度方向上，隨著靠近基材而第1鍍敷層金屬元素(Cu)之比率減少。 圖19係表示本發明之一態樣之鍍敷材之非限定之一例之製造方法的概略性流程圖。 圖20係表示可用於製造本發明之一態樣之鍍敷材之非限定之一例之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖。 圖21係本發明之一態樣之電氣鍍敷裝置之鍍敷槽之概略性俯視模式圖，示出鍍敷槽中之陰極及陽極之配置例，且示出設置於鍍敷槽之底部之低摩擦材。 圖22係沿著圖21之X22-X22之電氣鍍敷裝置之概略性部分剖視圖。 圖23係表示隨著攪拌及電氣鍍敷步驟之時間經過而基材之最大rpm增加之概略性曲線圖。 圖24係表示可用於製造本發明之一態樣之鍍敷材之非限定之一例之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖。 圖25係圖24所示之電氣鍍敷裝置之攪拌部之概略性俯視模式圖，示出攪拌部包含向上方突出之翼部之放射狀排列。 圖26係表示本發明之另一形態之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖，示出於鍍敷槽之中央部設置有中空或非中空之圓柱部的例。 圖27係表示本發明之另一形態之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖，示出陰極及陽極之配置不同之例。 圖28係表示本發明之另一形態之電氣鍍敷裝置之概略性構成的模式圖，示出平板狀之攪拌部。 圖29係拉鏈之概略性前視模式圖，被參照以表示鍍敷材之變動。

Claims (27)

  1. 一種電氣鍍敷方法，其包含： 攪拌步驟，其係使沈澱於電氣鍍敷槽(10)內之電解液中之一組基材(51)在沿著上述電氣鍍敷槽(10)之內壁(19)之圓周方向上流動；及 電氣鍍敷步驟，其係對在上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)進行電氣鍍敷； 上述一組基材(51)沿上述圓周方向之流動係伴隨上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之磁性介質(30)沿上述圓周方向之流動而產生，或者係伴隨設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之攪拌部(46)之旋轉而產生， 於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)之至少一部分與設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之下部陰極(21)接觸，位於較與上述下部陰極(21)接觸之基材(51)更靠上方之基材(51)經由至少與上述下部陰極(21)接觸之上述基材(51)電性連接於上述下部陰極(21)。
  2. 如請求項1之電氣鍍敷方法，其中上述下部陰極(21)於上述電氣鍍敷槽(10)之筒部(11)之底側之內壁(19)附近沿上述圓周方向延伸。
  3. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中設置於較上述下部陰極(21)更靠上方之上部陽極(22)沿上述圓周方向延伸。
  4. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中上述攪拌部(46)可旋轉地設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側，並構成上述電氣鍍敷槽(10)之底部之至少一部分。
  5. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中上述電氣鍍敷槽(10)包含筒部(11)，且上述筒部(11)為靜止構件。
  6. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中上述磁性介質(30)為棒或針狀之構件。
  7. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中上述電氣鍍敷槽(10)內之上述基材(51)之最大rpm未達40 rpm。
  8. 如請求項1或2之電氣鍍敷方法，其中上述基材(51)包含1種以上之基材金屬元素， 藉由上述電氣鍍敷步驟於上述基材(51)之正上方形成至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素之鍍敷層(52)， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。
  9. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為10 nm以上或20 nm以上或60 nm以上。
  10. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少之部分之厚度為80 nm以下或60 nm以下或30 nm以下或20 nm以下。
  11. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中於上述鍍敷層(52)之表面，上述第1鍍敷層金屬元素之比率未達100%或未達90%。
  12. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述鍍敷層(52)之厚度為150 nm以下或100 nm以下。
  13. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述鍍敷層(52)具有與上述基材(51)為相反側之相反面(52s)， 上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率之減少於上述鍍敷層(52)之厚度方向上持續至上述相反面(52s)為止或至上述相反面(52s)之附近為止。
  14. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述基材(51)包含複數種上述基材金屬元素， 上述鍍敷層(52)包含複數種上述第2鍍敷層金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之各第2鍍敷層金屬元素之比率減少。
  15. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著靠近上述基材(51)而上述鍍敷層(52)中之上述第1鍍敷層金屬元素之比率減少。
  16. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述基材(51)係至少包含銅作為上述基材金屬元素之金屬或合金。
  17. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述鍍敷層(52)係至少包含錫作為上述第1鍍敷層金屬元素之金屬或合金。
  18. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中上述鍍敷層(52)具有與上述基材(51)為相反側之相反面(52s)， 於上述相反面(52s)，粒子狀部分及/或小塊狀部分呈二維狀密集地形成。
  19. 如請求項8之電氣鍍敷方法，其中包含上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之鍍敷材(5)係服飾零件(7)之至少一部分。
  20. 一種電氣鍍敷裝置，其具備： 電氣鍍敷槽(10)，其製成儲存電解液之電氣鍍敷槽(10)，且具備設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之下部陰極(21)及設置於較上述下部陰極(21)更靠上方之上部陽極(22)；及 攪拌機構(40)，其使沈澱於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之一組基材(51)在沿著上述電氣鍍敷槽(10)之內壁(19)之圓周方向上流動； 上述一組基材(51)沿上述圓周方向之流動係伴隨上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之磁性介質(30)沿上述圓周方向之流動而產生，或者係伴隨設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側之攪拌部(46)之旋轉而產生， 於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中沿上述圓周方向流動之上述一組基材(51)之至少一部分與上述下部陰極(21)接觸，位於較與上述下部陰極(21)接觸之基材(51)更靠上方之基材(51)經由至少與上述下部陰極(21)接觸之上述基材(51)電性連接上述下部陰極(21)。
  21. 如請求項20之電氣鍍敷裝置，其中上述攪拌機構(40)磁性作用於上述電氣鍍敷槽(10)內之上述電解液中之一組磁性介質(30)而使上述一組磁性介質(30)沿上述圓周方向流動，隨之產生沿上述圓周方向之上述一組基材(51)之流動。
  22. 如請求項20之電氣鍍敷裝置，其中上述攪拌機構(40)具備： 攪拌部(46)，其可旋轉地設置於上述電氣鍍敷槽(10)之底側；及 旋轉力供給機構(47)，其對上述攪拌部(46)供給旋轉力。
  23. 如請求項22之電氣鍍敷裝置，其中上述攪拌部(46)包含向上方突出之翼部(463)之放射狀排列。
  24. 如請求項20至23中任一項之電氣鍍敷裝置，其中上述電氣鍍敷槽(10)包含筒部(11)，該筒部(11)於上部具有容許投入或回收基材(51)之開口(18)， 上述下部陰極(21)於上述筒部(11)之底側之內壁(19)附近沿上述圓周方向延伸。
  25. 如請求項24之電氣鍍敷裝置，其中上述筒部(11)為靜止構件。
  26. 如請求項20至23中任一項之電氣鍍敷裝置，其中上述電氣鍍敷槽(10)內之上述基材(51)之最大rpm未達40 rpm。
  27. 如請求項20至23中任一項之電氣鍍敷裝置，其中上述基材(51)包含1種以上之基材金屬元素，並且 於上述基材(51)之正上方形成有至少包含第1鍍敷層金屬元素及與上述第1鍍敷層金屬元素不同之第2鍍敷層金屬元素之鍍敷層(52)， 上述第2鍍敷層金屬元素係與上述1種以上之基材金屬元素之至少一種相同之金屬元素， 於上述鍍敷層(52)之厚度方向上，隨著自上述基材(51)離開而上述鍍敷層(52)中之上述第2鍍敷層金屬元素之比率連續減少及/或於上述基材(51)與上述鍍敷層(52)之間不存在明確之界面。
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