TW201534656A - 液晶配向劑、液晶配向膜、及液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，可提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，可抑制因交流驅動所造成之殘像的液晶配向劑、液晶配向膜。 含有(A)成份及(B)成份之液晶配向劑。 (A)成份：具有由式[1A]及[1B]所成之群所選出之至少1種的結構之聚醯亞胺前驅物，及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物。 □(XA、XC各自獨立表示經由熱而被氫原子所取代之保護基。XB表示單鍵或碳數1~40之有機基，此時，酯基(-COO-基)所鍵結之原子為碳原子)。 (B)成份：含有式(B-1)之四羧酸二酐的四羧酸成 份，與含有式(B-2)之二胺的二胺成份所得之聚醯胺酸。 □ (Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種類的結構之2價之有機基。B1及B2各自獨立表示、氫原子、可具有取代基之碳數1~10之烷基等)。

Description

液晶配向劑、液晶配向膜、及液晶顯示元件
本發明為，有關液晶配向劑、由此液晶配向劑所得之液晶配向膜，及具備此液晶配向膜之液晶顯示元件的發明。
液晶電視、液晶顯示器等所使用的液晶顯示元件，通常，於元件內設置控制液晶配列(亦稱為配向)狀態之液晶配向膜。
現在，工業上最最普及的液晶配向膜，一般為對形成於電極基板上之聚醯亞胺前驅物，例如，聚醯胺酸(亦稱為聚醯胺酸)或聚醯胺酸酯，於該些經醯亞胺化之聚醯亞胺等所形成的樹脂被膜表面，使用綿、尼龍、聚酯等布向一方向摩擦，即進行所謂摩擦處理法之方式而製得。
控制液晶配向膜的配向狀態之步驟(亦稱為液晶配向處理方法)中，對樹脂被膜表面進行摩擦處理之方法，因簡便且具有優良生產性，故為工業上極有用的方法。但是，隨著對於液晶顯示元件之高性能化、高精細化及大型化之要求日益增加，伴隨摩擦處理會產生液晶配向膜表面 之傷痕、塵埃、機械性力或靜電等影響，甚至，配向處理之面內不均勻性等各種問題則日漸明朗化。
取代摩擦處理法之方法，已知例如經由照射偏光紫外線之方式，以控制液晶的配向狀態之光配向處理。利用光配向處理的液晶配向處理法，於作用機制上，已有提出利用光異性化反應者、利用光交聯反應者，甚至利用光分解反應者等提案(非專利文獻1所示)。
又，專利文獻1中，則有提出主鏈具有環丁烷環等脂環結構的聚醯亞胺系樹脂所形成之樹脂被膜，被使用於光配向處理之提案。特別是，聚醯亞胺系樹脂於被使用作為光配向法中之液晶配向膜之情形，與其他樹脂者相比較時，因具有更高耐熱性，故其實用性受到極大之期待。
上述光配向處理中，無需摩擦之液晶配向處理，具有於工業上亦可以簡便的製造製程予以生產之優點。此外，IPS(In-Plane Switching)驅動方式或FFS(Fringe Field Switching)驅動方式的液晶顯示元件中，使用前述光配向處理所得之液晶配向膜，與摩擦處理法所得之液晶配向膜相比較時，就可期待提高液晶顯示元件之反差或提高視角特性等觀點，而可使液晶顯示元件之性能向上提升。因此，光配向處理法，於今後的液晶配向處理方法中，為特別受到注目者。
另一方面，IPS驅動方式或FFS驅動方式的液晶顯示元件所使用的液晶配向膜，除優良的液晶配向性或電氣特性等基本特性以外，尚必須具有可抑制經長時間之 交流驅動，液晶無法回復初期配向之狀態所發生之殘像(以下，亦稱為交流驅動造成之殘像)，且可提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷等特性。
聚醯亞胺系之液晶配向膜中，為配合上述之要求，而有各種的提案。例如，作為可縮短直流電壓所造成之殘像消失為止的時間的液晶配向膜，除聚醯胺酸或含醯亞胺基之聚醯胺酸以外，尚使用含有特定結構的三級胺的液晶配向劑者、使用具有吡啶骨架等的特定原料的含可溶性聚醯亞胺的液晶配向劑者等提案(例如，專利文獻2及3所示)。
又，作為具有高電壓保持率、可縮短直流電壓所造成之殘像消失為止的時間的液晶配向膜者，亦有提出一種除聚醯胺酸或其醯亞胺化聚合物等以外，尚含有極少量之由分子內含有1個羧酸基之化合物、分子內含有1個羧酸酐基之化合物，及分子內含有1個三級胺基之化合物所選出之化合物的液晶配向劑之提案(例如，專利文獻4所示)。
又，具有優良液晶配向性、高電壓保持率、較少之殘像、優良信賴性，且顯示高預傾角的液晶配向膜，已知例如可使用將特定結構之四羧酸二酐與具有環丁烷之四羧酸二酐經特定所製得之聚醯胺酸，或含有該醯亞胺化聚合物的液晶配向劑者(例如，專利文獻5所示)。
此外，橫電場驅動方式的液晶顯示元件中，對於抑制因產生的交流驅動所造成之殘像的方法，已有提 出使用液晶配向性為良好，且液晶分子相互作用更大之特定液晶配向膜的方法之提案(專利文獻6所示)。
又，IPS驅動方式或FFS驅動方式的液晶晶胞，靜電容易蓄積於液晶晶胞內，於施加經由驅動所生成之非對稱電壓時，液晶晶胞內也會蓄積電荷，該些之蓄積之電荷將會擾亂液晶之配向，或會造成殘像或殘影而影響顯示，使得液晶元件之顯示品質顯著降低。於該狀態下再度通電之情形，於初期段階中，液晶分子將無法進行良好的控制，而會生成閃爍(FLICKER)等現象。特別是IPS驅動方式或FFS驅動方式中，相較於縱電場方式，畫素電極與共通電極之距離將更為接近，而配向膜或液晶層受到強力電場之作用，將會更容易顯現出該些不適當狀態等問題點。
解決因上述交流驅動之非對稱化所造成之電荷蓄積之方法，例如，已有提出由電極上所形成的第1配向膜，與該表面上所形成之由苯均四酸二酐與二胺所形成之聚合物，且，具有由電阻低於第1配向膜的第2配向膜所形成之液晶配向膜的液晶顯示裝置，其可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，且，可提早緩和所蓄積之電荷等報告(例如，專利文獻7所示)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-297313號公報
[專利文獻2]日本特開平9-316200號公報
[專利文獻3]日本特開平10-104633號公報
[專利文獻4]日本特開平8-76128號公報
[專利文獻5]日本特開平9-138414號公報
[專利文獻6]日本特開平11-38415號公報
[專利文獻7]日本特開2013-167782號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]「液晶光配向膜」木戸脇、市村 機能材料1997年11月號、Vol.17 No.11 13-22頁
本發明者們，對於製得一種抑制IPS驅動方式或FFS驅動方式的液晶顯示元件中所發生之因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積、提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，甚至抑制因交流驅動所造成之殘像的液晶配向膜之方法，而著眼於一種摻雜具有優良液晶配向性、強大液晶配向規制力之成份(I)，與兼具抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，與提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷之成份(II)所得之液晶配向劑。但是，該液晶配向劑，特別是於光配向處理法中，也並非可解決上述問題者。
即，由含有上述2個成份之液晶配向劑所得之液晶配 向膜，因存在成份(II)，雖兼具可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積與提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，但會連帶造成液晶配向規制力之阻礙，使得液晶配向安定性不足，會產生交流驅動所造成之殘像，因此，並非可滿足該些全部之特性。
本發明為提供一種摻雜有具有優良液晶配向性、液晶配向規制力，高液晶配向安定性成份，兼具有可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積與提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷之成份的液晶配向劑，其可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積、提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，且可抑制因交流驅動所造成之殘像的液晶配向膜為目的。
此外，並提供一種具有上述液晶配向膜的液晶顯示元件及可提供作為上述液晶配向膜之液晶配向劑。
本發明者們，經深入研究結果，發現具有含有特定結構之聚合物的液晶配向劑對於達成上述目的極為有效，因而完成本發明。
即、本發明為具有以下主要內容者。
1.一種液晶配向劑，其特徵為，含有下述(A)成份，及(B)成份，(A)成份：具有由下述式[1A]及[1B]所成之群所選出之至少1種的結構之聚醯亞胺前驅物，及該聚醯亞胺前 驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物。
(XA及XC各自獨立表示經由熱而被氫原子所取代之保護基。XB表示單鍵或碳數1~40之有機基，此時，酯基(-COO-基)所鍵結之原子為碳原子)。
(B)成份：下述含有式(B-1)之四羧酸二酐的四羧酸成份，與由下述含有式(B-2)之二胺的二胺成份經聚縮合反應所得之聚醯胺酸及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物。
(式中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種類的結構之2價之有機基。B1及B2各自獨立表示、氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
2.如上述1之液晶配向劑，其中，由前述式[1A]及[1B]所成之群所選出之至少1種之結構為下述式[1a]、式[1b]或式[1c]之結構。
(式[1a]中，Xa中，m為1之情形，表示氫原子或碳數1~20之有機基。Xb表示經由熱而被氫原子所取代之保護基。m表示1或2之整數。但，m為2之情形中，Xa不具有取代基。式[1b]中，Xc表示經由熱而被氫原子所取代之保護基。式[1c]中，Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基，Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基，Xf表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，n表示1~4之整數)。
3.如上述2記載之液晶配向劑，其中，前述(A)成份為，由含有具有前述式[1a]、式[1b]及式[1c]所示結構所選出之至少1種之結構的二胺之二胺成份與四羧酸成份經聚縮合而得之聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺而得之聚醯亞胺所選出之至少一種的聚合物。
4.如上述3記載之液晶配向劑，其中，前述二胺為下述式[1-1]所示之二胺。
(式中，XD表示具有由前述式[1a]、式[1b]及式[1c]所成之群所選出之至少1種之結構的碳數5~50之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取 代基)。
5.如上述4記載之液晶配向劑，其中，前述二胺為由下述式[1a-1]~式[1c-1]所成之群所選出之至少1種的二胺。
(式[1a-1]中，X1表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基。但，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基。X2表示單鍵或碳數1~10之伸烷基。Xa中，m為1之情形，表示氫原子或碳數1~20之有機基。Xb表示經由熱而被氫原子所取代之保護基。m表示1或2之整數，此時，m為2之情形，Xa不具有取代基。p表示1~4之整數，q表示1~4之整數。
式[1b-1]中，X3及X7各自獨立表示由單鍵、碳數1~ 10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種。又，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基。X4及X6各自獨立表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，X5表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，Xc表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，r表示1~4之整數。
式[1c-1]中，X8表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種。又，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基。X9表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基，Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基，Xf表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，n表示1~4之整數，s表示1~4之整數，t表示1~4之整數，式[1a-1]~式[1c-1]中，A1~A6各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
6.如上述5記載之液晶配向劑，其中，前述二胺為由下述式[1d-1]~式[1d-5]所成之群所選出之至少1種的二胺。
(式[1d-1]~式[1d-5]中，R1~R7各自獨立表示由下述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種之結構，A1~A10各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
(式[a-2]中，R1表示碳數1~5之烷基)。
7.如上述1~6之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述(A)成份之聚合物為，由含有下述式[3-1]所表示之二胺的二胺成份與四羧酸成份經聚縮合而得之聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種。
(式[3-1]中，XE表示由下述式[3a-1]~式[3a-10]所成之群所選出之至少1種之結構，A1及A2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
(式[3a-9]中，n表示1~5之整數)。
8.如上述1~7之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述四羧酸成份為下述式[4]所表示之四羧酸二酐。
(Z表示由下述式[4a]~[4q]所成之群所選出之至少1種之結構)。
(式[4a]中，Z1~Z4各自獨立表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環，式[4g]中，Z5及Z6各自獨立表示氫原子或甲基)。
9.如上述8記載之液晶配向劑，其中，前述四羧酸成份為，前述式[4]中之Z為由前述式[4a]、式[4e]~式[4g]、式[4l]、式[4m]或式[4p]所成之群所選出之至少1種的四羧酸化合物。
10.如上述5~9之任一者所記載的液晶配向劑，其 中，前述(A)成份之聚合物中，前述式[1a-1]、式[1b-1]及式[1c-1]所示之二胺，於全二胺成份100莫耳%中，為5~30莫耳%。
11.如上述1~10之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述(B)成份中，前述式(B-1)所表示之四羧酸二酐，相對於全四羧酸成份1莫耳，為10~100莫耳%。
12.如上述1~11之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述(B)成份中，前述式(B-2)之二胺，相對於全二胺成份1莫耳，為10~100莫耳%。
13.如上述1~12之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述式(B-2)中之Y1為由具有下述式(YD-1)~式(YD-5)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種。
(式(YD-1)中，E1為碳數3~15之含氮原子之雜環，Q1為氫原子，或可具有取代基之素數1~20之烴基。式(YD-2)中，W1為碳數1~10之烴基，E2為具有含氮原子之雜環的碳數3~15之1價之有機基，或被碳數1~6 之脂肪族基所取代的二取代胺基。式(YD-3)中，W2為碳數6~15，且具有1~2個苯環之2價之有機基，W3為碳數2~5之伸烷基或伸聯苯基，Q2為氫原子、碳數1~5之烷基，或苯環。a為0~1之整數。式(YD-4)中，E3為碳數3~15之含氮原子之雜環。式(YD-5)中，E4為碳數3~15之含氮原子之雜環，W5為碳數2~5之伸烷基)。
14.如上述1~13之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述式(YD-1)、式(YD-2)、式(YD-4)，及式(YD-5)記載之E1、E2、E3、及E4之碳數3~15之含氮原子之雜環，為由吡咯、吡咯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、哌啶、哌、吡啶、吡、吲哚、苯併咪唑、喹啉，及異喹啉所成之群所選出之至少1種。
15.如上述1~14之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述式(B-2)之Y1為由具有下述式(YD-6)~式(YD-21)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種。
(式(YD-17)中，h為1~3之整數，式(YD-14)及式(YD-21)中，j為0~3之整數)。
16.如上述15記載之液晶配向劑，其中，前述式(B-2)之Y1為由具有前述式(YD-14)及式(YD-18)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種。
17.如上述1~16之任一者所記載的液晶配向劑，其中，前述(B)成份之聚合物，相對於前述(A)成份之聚合物100質量份，為40~250質量份。
18.如上述1~17之任一者所記載的液晶配向劑，其為含有由N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所成之群所選出之至少1種的溶劑。
19.如上述1~18之任一者所記載的液晶配向劑，其 為含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚及二丙二醇二甲基醚所成之群所選出之至少1種的溶劑。
20.如上述1~19之任一者所記載的液晶配向劑，其為含有由，具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基之交聯性化合物、具有由羥基、羥烷基或低級烷氧基烷基所成之群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，及具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物所成之群所選出之至少1種。
21.一種液晶配向膜，其特徵為，塗佈上述1~20之任一者所記載的液晶配向劑，並經燒結而製得。
22.一種液晶配向膜，其特徵為，使用上述1~20之任一者所記載的液晶配向劑，並依噴墨法而製得。
23.一種整液晶配向膜，其特徵為，於上述21或22記載之液晶配向膜上，照射偏光之輻射線而製得。
24.一種液晶顯示元件，其特徵為，具有上述21~23之任一者所記載的液晶配向膜。
本發明之含有2種類的具有特定結構之聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物之液晶配向劑，可形成一可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積、提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，此外也可抑制因交流驅動所造成之殘像的液晶配向膜。特別 是，適合作為照射偏光輻射線的光配向處理法使用之液晶配向膜。
又，具有由本發明之液晶配向劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件，為具有優良信賴性者，而適合使用於大畫面且高精細度之液晶電視，或中小型之導航系統、智慧型手機等。
[實施發明之形態] <特定結構(1A)及特定結構(1B)>
本發明之(A)成份(以下，亦稱為特定聚合物(A))為，具有由下述式[1A](亦稱為特定結構(1A))，及[1B](亦稱為特定結構(1B))所成之群所選出之至少1種之結構之聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物。
式[1A]中，XA為經由熱而被取代為氫原子之基。該基係指，鍵結於氮原子，經由熱而解離而被取代為氫原子，形成胺基之保護基之意。該保護基經由熱而解離，被取代為氫原子之溫度，為製作液晶配向膜時的燒結溫度，較佳為150~300℃、更佳為200~270。該保護基，只要經由熱而解離，被取代為氫原子者時，並未有特別之限 定，具體而言，可列舉如，由下述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種，其中，又以具有式[a-1]或[a-6]所表示之結構的保護基為佳。
(式[a-2]中，R1表示碳數1~5之烷基。)
式[1A]以下述式[1a]及式[1b]所表示之結構為佳。
式[1a]中，Xa表示氫原子或碳數1~20之有機基。其中，又以氫原子或碳數1~10之有機基為佳。式[1a]中之Xb，及式[1b]中之Xc為經由熱而被取代為氫原子之基，為羧基之保護基。Xb、Xc，與上述XA為相同內容，較佳之例示亦為相同。
式[1a]中，m表示1或2之整數，m為2之情形中，Xa不具有取代基。m以1為佳。
具有式[1a]及/或[1b]之結構的具體例，可列舉如，下述式[XA-1]~式[XA-12]之結構等。
(式[XA-1]~式[XA-6]中，A1~A6各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。式[XA-1]中，n1表示0~10之整數，式[XA-2]~式[XA-6]中，n2~n6表示1~10之整數)。
(式[XA-7]~式[XA-12]中，A7~A18各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。式[XA-7]中，n7表示0~10之整數，式[XA-8]~式[XA-12]中，n8~n12表示1~10之整數)。
式[1B]中，XB表示單鍵或碳數1~40之有機基。碳數1~40之有機基，具體而言，可列舉如，可含有醚鍵結(-O-)、醯胺鍵結(-CONH-或NHCO-)、酯鍵結(-COO-或OCO-)、硫醚鍵結(-S-)或硫酯鍵結(-S(=O)2- )之伸烷基、伸芳基或該些之組合等。此時，式[1B]中之酯基(-COO-)所鍵結之原子為碳原子。
式[1B]中，XC為經由熱而被取代為氫原子之基，為羧基之保護基。Xb、Xc與上述XA為相同內容，較佳之例示亦為相同。
前述式[1B]，以下述式[1c]所表示之結構為佳。
式[1c]中，Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基，此時，Xd，為單鍵之情形，則不具取代基Xe。其中，又以單鍵或碳數1~10之有機基為佳。Xe，於Xd不為單鍵之情形，表示氫原子或碳數1~20之有機基。其中，又以氫原子或碳數1~10之有機基為佳。Xf為經由熱而被取代為氫原子之基，為羧基之保護基。Xf與上述XA為相同內容，較佳之例示亦為相同。n表示1~4之整數。其中，又以1或2為佳。
式[1c]之結構之具體例，可列舉如，下述式[XC-1]~[XC-12]之結構等。
(式[XC-1]~式[XC-6]中，B1~B6各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。式[XC-1]中，n1表示0~10之整數，式[XC-2]~式[XC-6]中，n2~n6表示1~10之整數)。
(式[XC-7]~式[XC-12]中，B7~B18各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。式[XC-7]中，n7表示0~10之整數，式[XC-8]~式[XC-12]中，n8~n12表示1~10之整數)。
<特定聚合物(A)>
本發明之特定聚合物(A)為，由聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化而得之聚醯亞胺(亦統稱為聚醯亞胺系聚合物)所成之群所選出之至少1種的聚合物。其中，本發明之聚醯亞胺系聚合物，又以二胺成份與四羧酸成份反應所得之聚醯亞胺前驅物或該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺為佳。
聚醯亞胺前驅物係為下述式[A]所表示之結構。
(式[A]中，R1為4價之有機基，R2為2價之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。A3及A4各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基。n表示正整數)。
前述二胺成份，可列舉如，分子內具有2個一級或二級胺基之二胺等。
前述四羧酸成份，可列舉如，四羧酸、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷酯，或四羧酸二烷酯二鹵化物等。
欲製得式[A]中之A1及A2為氫原子之聚醯胺酸，可前述分子內具有2個一級或二級胺基之二胺，與四羧酸化合物或四羧酸二酐進行反應而可製得。
欲製得式[A]中之A1及A2為碳數1~5之烷基的聚醯胺酸烷酯，可將前述二胺，與四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷酯或四羧酸二烷酯二鹵化物進行反應而可製得。又，亦可於前述方法所得之聚醯胺酸中，導入式[A]所表示之A1及A2之碳數1~5之烷基亦可。
本發明之特定聚合物(A)為具有由特定結構(1A)及特定結構(1B)所成之群所選出之至少1種的聚合物。
將本發明之特定結構(1A)或特定結構(1B)導入特定聚合物(A)中之方法，並未有特別之限定，又以使用具有特定結構(1A)或特定結構(1B)的二胺作為二胺成份使用者為佳。特佳為使用具有前述式[1a]、式[1b]或式[1c]所表示之結構的二胺。
具體而言，可列舉如，以使用下述式[1-1]所表示之二胺(亦稱為特定二胺(1))為佳。
式[1-1]中，A1及A2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基。
烷基之具體例，可列舉如，甲基、乙基、丙基、丁基、t-丁基、己基、辛基、癸基、環戊基、環己基等。
烯基例如，使上述之烷基所存的1個以上之CH2-CH2結構取代為CH=CH結構者。具體而言，可列舉如，乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、2-己烯基、環丙烯基、環戊烯基、環己烯基等。
炔基例如，使上述之烷基所存的1個以上之CH2-CH2結構取代為C≡C結構者。具體而言，可列舉如，乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基等。
上述之烷基、烯基，及炔基，其全體為碳數1~10者時亦可具有取代基，此外，取代基亦可形成環結 構。又，取代基形成環結構之意，係指取代基相互間或取代基與母骨架之一部份鍵結形成環結構之意。
取代基之例，可列舉如，鹵素基、羥基、硫醇基、硝基、芳基、有機氧基、有機硫基、有機矽烷基、醯基、酯基、硫酯基、磷酸酯基、醯胺基、烷基、烯基、炔基等。
作為取代基之鹵素基，可列舉如，氟原子、氯原子、溴原子，或碘原子等。
作為取代基之芳基，可列舉如，苯基。該芳基上可再被前述其他之取代基所再取代。
作為取代基之有機氧基，可列舉如，如-O-R所表示之結構等例示。R，可例如前述之烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。烷氧基之具體例，可列舉如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。
作為取代基之有機硫基，可列舉如，如-S-R所表示之結構等例示。R，可例如前述之烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。烷硫基之具體例，可列舉如，甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基等。
作為取代基之有機矽烷基，可列舉如，如-Si-(R)3所表示之結構等例示。Si上的3個R可為相同或相異皆可，其可例如前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。烷基矽烷基之具體例，可列舉如，三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽 烷基、三丁基矽烷基、三戊基矽烷基、三己基矽烷基、戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基等。
作為取代基之醯基，可列舉如，如-C(O)-R所表示之結構等例示。R，可例如前述烷基、烯基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。醯基的具體例示，可列舉如，甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、異戊醯基、苯甲醯基等。
作為取代基之酯基，可列舉如，如-C(O)O-R，或-OC(O)-R所表示之結構等例示。R，可例如前述之烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。
作為取代基之硫酯基，可列舉如，如-C(S)O-R，或-OC(S)-R所表示之結構等例示。R，可例如前述之烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。
作為取代基之磷酸酯基，可列舉如，如-OP(O)-(OR)2所表示之結構等例示。2個之R可為相同或相異皆可，其可例如前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。
作為取代基之醯胺基，可列舉如，如-C(O)NH2、-C(O)NHR、-NHC(O)R、-C(O)N(R)2，或-NRC(O)R所表示之結構等例示。該些之R可為相同或相異皆可，其可例如前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述之取代基可再被取代。
作為取代基之芳基，可列舉如，與前述之芳基為相同之內容等。該芳基中，前述其他之取代基可再被取代。
作為取代基之烷基，可列舉如，與前述之烷基為相同之內容等。該烷基中，前述其他之取代基可再被取代。
作為取代基之烯基，可列舉如，與前述之烯基為相同之內容等。該烯基中，前述其他之取代基可再被取代。
作為取代基之炔基，可列舉如，與前述之炔基為相同之內容等。該炔基中，前述其他之取代基可再被取代。
一般而言，導入高體積密度之結構時，因會有降低胺基之反應性或液晶配向性之可能性，故A1及A2以氫原子，或可具有取代基之碳數1~5之烷基為較佳，以氫原子、甲基或乙基為特佳。
式[1-1]中，XD表示具有由前述式[1a]、式[1b]及式[1c]所表示之結構所成之群所選出之至少1種的碳數5~50之有機基。
更具體而言，可列舉如，以下述式[1a-1]~式[1c-1]所表示之二胺為佳。
式[1a-1]中，X1表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種。但，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基。其中，又以單鍵、-O-、-CONH-、-NHCO-、-COO-或-OCO-為佳。
式[1a-1]中，X2表示單鍵或碳數1~10之伸烷基。其中，又以單鍵或碳數1~5之伸烷基為佳。
式[1a-1]中，Xa表示氫原子或碳數1~20之有機基，更佳為氫原子或碳數1~10之有機基。碳數1~10之有機基，以-(CH2)n-COO-tBu(n=1~5之整數，tBu表示tert-丁基)為佳。Xb與前述式[1A]中之XA為相同內容，較佳之例示亦為相同。
式[1a-1]中，m表示1或2之整數，m為2之情形中，Xa不具有取代基。p表示1~4之整數。其中，就原料取得性或合成之容易性等觀點，以1~3為佳，更佳為 1~2。q表示1~4之整數。其中，就原料取得性或合成之容易性等觀點，以1~3為佳，更佳為1~2。
式[1b-1]中，X3及X7與前述式[1a-1]中之X1為相同內容，較佳之例示亦為相同。X4、X5及X6與前述式[1a-1]中之X2為相同內容，較佳之例示亦為相同。Xc與前述式[1A]中之XA為相同內容，較佳之例示亦為相同。r表示1~4之整數。其中，就原料取得性或合成之容易性等觀點，以1~3為佳。更佳者為，1~2。
式[1c-1]中，X8與前述式[1a-1]中之X1為相同之定義，較佳之例示亦為相同之意義。X9與前述式[1a-1]中之X2為相同內容，較佳之例示亦為相同。Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基。其中，又以單鍵或碳數1~10之有機基為佳。更佳為單鍵或碳原子(>CH-)。Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基。Xd為單鍵之情形中，則不具有取代基Xe。其中，又以氫原子或-NH-COO-tBu(tBu表示tert-丁基)為佳。Xf與前述式[1a]中之Xb為相同內容，較佳之例示亦為相同。
n、s及t表示1~4之整數。其中，就原料取得性或合成之容易性等觀點，以分別為1~3為佳，更佳者為，1~2。
式[1a-1]~式[1c-1]中，A1~A6包含較佳之例示，為與式[1-1]之A1及A2為相同之定義。
此外，具體的二胺，可列舉如，下述式[1d-1]~式[1d-9]之二胺。
式[1d-1]~[1d-5]中，R1~R7各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。A1~A10包含較佳之例示，為與式[1-1]之A1及A2為相同之定義。
式[1d-6]~式[1d-9]中，R8~R14各自獨立表示由前述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種。A11~A18包含較佳之例示，為與式[1-1]之A1及A2為相同之定義。
本發明之特定二胺(1)，以使用由前述式[1d-1]~式[1d-5]所表示之二胺所成之群所選出之至少1 種為佳。
特定聚合物(A)中之特定二胺(1)，以於全部之二胺成份100莫耳%中，為5~40莫耳%為佳。其中，又以5~30莫耳%為佳。較佳為，5~20莫耳%。
特定二胺(1)，可配合特定聚合物(A)對於溶劑之溶解性，或液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等之特性等，可使用1種類或將2種類以上混合使用亦可。
製造特定聚合物(A)時之二胺成份中，特定二胺(1)以使用下述式[3-1]所表示之其他之二胺(亦稱為特定第2之二胺)為佳。
式[3-1]中，XE為下述式[3a-1]~式[3a-9]所示結構所選出之至少1個。
(式[3a-9]中，n表示1~5之整數)。
式[3-1]中，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
特定第2之二胺，以式[3a-1]~式[3a-4]、式[3a-6]、式[3a-8]或式[3a-9]之二胺為佳。較佳為，式[3a-1]~式[3a-3]、式[3a-8]或式[3a-9]。特佳為式[3a-1]、式[3a-2]或式[3a-9]。
特定聚合物(A)中之特定第2之二胺，於全部二胺成份100莫耳%中，以50~95莫耳%為佳，更佳為60~95莫耳%，特佳為80~95莫耳%。
特定第2之二胺，可配合特定聚合物(A)對於溶劑之溶解性，或液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等之特性等，使用1種類或將2種類以上混合使用。
特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之二胺成份，於無損本發明效果之範圍內，與特定二胺(1)、特定二胺(2)及特定第2之二胺同時，可使用其他之二胺(亦稱為其他二胺)。
其他二胺，可列舉如，2,4-二甲基-m-伸苯基二胺、2,6-二胺基甲苯、m-伸苯基二胺、p-伸苯基二胺、4,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二羧基-4,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二氟-4,4’-聯苯基、3,3’-三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯基、3,4’-二胺基聯苯基、3,3’-二胺基聯苯基、2,2’-二胺基聯苯基、2,3’-二胺基 聯苯基、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、2,2’-二胺基二苯基甲烷、2,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、2,2’-二胺基二苯基醚、2,3’-二胺基二苯基醚、4,4’-磺醯基二苯胺、3,3’-磺醯基二苯胺、雙(4-胺基苯基)矽烷、雙(3-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(4-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(3-胺基苯基)矽烷、4,4’-硫代二苯胺、3,3’-硫代二苯胺、4,4’-二胺基二苯基胺、3,3’-二胺基二苯基胺、3,4’-二胺基二苯基胺、2,2’-二胺基二苯基胺、2,3’-二胺基二苯基胺、N-甲基(4,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,3’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,2’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,3’-二胺基二苯基)胺、4,4’-二胺基二苯甲酮、3,3’-二胺基二苯甲酮、3,4’-二胺基二苯甲酮、1,4-二胺基萘、2,2’-二胺基二苯甲酮、2,3’-二胺基二苯甲酮、1,5-二胺基萘、1,6-二胺基萘、1,7-二胺基萘、1,8-二胺基萘、2,5-二胺基萘、2,6二胺基萘、2,7-二胺基萘、2,8-二胺基萘、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,2-雙(3-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(4胺基苯基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯基)丁烷、雙(3,5-二乙基-4-胺基苯基)甲烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯基)苯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、 4,4’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、4,4’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,4’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,4’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,3’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,3’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、1,4-伸苯基雙[(4-胺基苯基)甲酮]、1,4-伸苯基雙[(3-胺基苯基)甲酮]、1,3-伸苯基雙[(4-胺基苯基)甲酮]、1,3-伸苯基雙[(3-胺基苯基)甲酮]、1,4-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,4-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(4-胺基苯基)間苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)間苯二甲酸酯、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(4-胺基苯基)異苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)異苯二甲醯胺、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)二苯基碸、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基 苯基)丙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,5-雙(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、1,6-雙(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,7-(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-雙(4-胺基苯氧基)辛烷、1,8-雙(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-雙(4-胺基苯氧基)壬烷、1,9-雙(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-(4-胺基苯氧基)癸烷、1,10-(3-胺基苯氧基)癸烷、1,11-(4-胺基苯氧基)十一烷、1,11-(3-胺基苯氧基)十一烷、1,12-(4-胺基苯氧基)十二烷、1,12-(3-胺基苯氧基)十二烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷，或該些之胺基為二級胺基之二胺等。其他二胺可使用1種類或將2種類以上混合使用。
製造特定聚合物(A)所使用之四羧酸成份，以下述式[4]所表示之四羧酸二酐為佳。此時，不僅式[4]所表示之特定四羧酸二酐，亦可使用其他四羧酸衍生物之四羧酸、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷酯或四羧酸二烷酯二鹵化物(四羧酸二酐及其衍生物亦統稱為特定四羧酸成份)。
(式[4]中，Z表示由下述式[4a]~式[4q]所成之群所選出之至少1種)。
式[4a]中，Z1~Z4各自獨立表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環。
式[4g]中，Z5及Z6各自獨立表示氫原子或甲基。
式[4]中之Z1，就合成之容易度或製造聚合物之際的聚合反應性之容易性等觀點，以式[4a]、式[4c]~[4g]、式 [4k]~式[4m]或式[4p]為佳，更佳為式[4a]、式[4e]~式[4g]、式[4l]、式[4m]或式[4p]。特佳為式[4a]、式[4e]、式[4f]、式[4l]、式[4m]或式[4p]。
更具體而言，可列舉如，以下述式[4a-1]或式[4a-2]為佳。
特定聚合物(A)及(B)中之特定四羧酸成份，於全部之四羧酸成份100莫耳%中，以50~100莫耳%為佳，以70~100莫耳%為較佳，特佳為80~100莫耳%。
特定四羧酸成份，於配合特定聚合物(A)對溶劑之溶解性或液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶之配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性，可使用1種類或將2種類以上混合使用。
特定聚合物(A)之聚醯亞胺系聚合物中，於無損本發明效果之範圍內，可使用特定四羧酸成份以外的其他之四羧酸成份。
該其他之四羧酸成份，可列舉如，下述四羧酸化合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷酯或四羧酸二烷酯二鹵化物等。
該其他之四羧酸成份，具體而言為，1,2,5,6-萘四羧酸、1,4,5,8-萘四羧酸、1,2,5,6-蒽四羧酸、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸、2,3,3’,4-聯苯基四羧酸、雙(3,4-二羧基苯 基)醚、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)碸、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷、2,3,4,5-吡啶四羧酸、2,6-雙(3,4-二羧基苯基)吡啶、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸、3,4,9,10-苝四羧酸、1,3-二苯基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸等。該其他之四羧酸成份可使用1種或將2種以上混合使用。
<特定聚合物(B)>
本發明之液晶配向劑為含有，由含有下述式(B-1)所表示之四羧酸二酐之四羧酸成份與含有下述式(B-2)所表示之二胺的二胺成份經聚縮合反應而製得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸之醯亞胺化聚合物所成之群所選出之至少1種的聚合物與有機溶劑。
式(B-1)所表示之四羧酸二酐之比例，過少時，將無法得到本發明之效果。因此，式(B-1)所表示之四羧酸二酐之比例，相對於全四羧酸二酐1莫耳，以10~100莫耳%為佳，較佳為30~100莫耳%、更佳為50 ~100莫耳%。
液晶配向劑所含有之聚醯胺酸，除上述式(B-1)所表示之四羧酸二酐以外，亦可使用下述式(B-3)所表示之四羧酸二酐。
式(B-3)中，X為4價之有機基，其結構並未有特別之限定。列舉具體例時，可列舉如，下述式(X-1)~式(X-42)。
式(X-1)中，R3~R6各自獨立表示氫原子、碳數1~6之烷基，或苯基，又以氫原子，或甲基為較佳。
就化合物之容易取得性之觀點，四羧酸二酐以由下述 式(B-4)所表示之結構所成之群所選出之至少1種為佳。
(式[B-4]中，X1為由上述式(X-1)~式(X-14)所表示之結構所成之群所選出之至少1種)。
就更提高所得液晶配向膜之信賴性之觀點，X1以僅由上述式(X-1)~式(X-7)及式(X-11)般脂肪族基所構成之結構(亦可含有氧原子)為佳，以式(X-1)之結構為較佳。此外，就顯示出良好液晶配向性之觀點，X1之結構以下述式(X1-1)或式(X1-2)為更佳。
式(B-3)所表示之四羧酸二酐之比例過多時，因會有損害本發明之效果的可能性，故為不佳。因此，式(B-3)所表示之四羧酸二酐之比例，相對於全四羧酸二酐1莫耳，以0~90莫耳%為佳，較佳為0~70莫耳%、更佳為0~50莫耳%。
式(B-2)中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種之結構的2價之有機基，B1 及B2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基。
該些之基，與前述式[1-1]中之A1及A2中之定義為相同，較佳之例示亦為相同之意義。
一般而言，導入高體積密度之結構時，因會有降低胺基之反應性或液晶配向性之可能性，故B1及B2以氫原子，或可具有取代基之碳數1~5之烷基為較佳，以氫原子、甲基或乙基為特佳。
式(B-2)中之Y1，具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種之結構時，該有機基並無需特別之限定。具體例如，具有由下述式(YD-1)~式(YD-5)所表示之胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種之結構的2價之有機基等。
式(YD-1)中，E1為碳數3~15之含氮原子之雜環，Q1為氫原子，或可具有取代基之碳數1~20之 烴基。
式(YD-2)中，W1為碳數1~10之烴基，E2為具有含氮原子之雜環的碳數3~15之1價之有機基，或被碳數1~6之脂肪族基所取代的二取代胺基。
式(YD-3)中，W2為碳數6~15，且具有1~2個苯環之2價之有機基，W3為碳數2~5之伸烷基或伸聯苯基，Q2為氫原子、碳數1~5之烷基，或苯環，a為0~1之整數。
式(YD-4)中，E3為碳數3~15之含氮原子之雜環。
式(YD-5)中，E4為碳數3~15之含氮原子之雜環，W5為碳數2~5之伸烷基。
式(YD-1)、式(YD-2)、式(YD-4)，及式(YD-5)之E1、E2、E3，及E4之碳數3~15之含氮原子之雜環，只要為公知之結構者，則未有特別限定之內容。其中，可列舉如，吡咯、吡咯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、哌啶、哌、吡啶、吡、吲哚、苯併咪唑、喹啉、異喹啉等，又以哌、哌啶、吲哚、苯併咪唑、咪唑、咔唑，或吡啶為較佳。
此外，式(B-2)中之Y1之具體例，可列舉如，具有下述式(YD-6)~式(YD-21)所表示之氮原子的2價之有機基。就可抑制因交流驅動所造成之電荷蓄積之觀點，以式(YD-14)~式(YD-21)為較佳，以式(YD-14)或式(YD-18)為特佳。
式(YD-17)中，h為1~3之整數，式(YD-14)及式(YD-21)中，j為0~3之整數。
本發明之聚醯胺酸及該聚醯胺酸之醯亞胺化聚合物中，式(B-2)所表示之二胺之比例，相對於全二 胺1莫耳，以10~100莫耳%為佳，較佳為30~100莫耳%、更佳為50~100莫耳%。
本發明之液晶配向劑所含有之聚醯胺酸，除上述式(B-2)所表示之二胺以外，亦可使用下述式(B-5)所表示之二胺。
下述式(B-5)中之Y2為2價之有機基，其結構並未有特別之限定，亦可為2種類以上混合者。列舉具體例時，可列舉如，下述式(Y-1)~式(Y-76)所表示之結構之2價之有機基等。下述式(B-5)中之B1及B2，包含較佳之例示，為與式(B-2)之B1及B2為相同之定義。
其中，就得到良好的液晶配向性之觀點，又以高直線性之二胺為佳，Y2，以具有式(Y-7)、式(Y-21)~式(Y-23)、式(Y-25)~式(Y-27)、式(Y-43)~式(Y-46)、式(Y-48)、式(Y-63)、式(Y-71)，或式(Y-73)~式(Y-76)所表示之2價之有機基 之二胺為佳。
式(B-5)所表示之二胺之比例過多時，因會有損及本發明效果之可能性，而為不佳。因此，式(B-5)所表示之二胺之比例，相對於全二胺1莫耳，以0~90莫耳%為佳，較佳為0~70莫耳%、更佳為0~50莫耳%。
<特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之製造方法>
本發明中，製造特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之方法並未有特別之限定。通常可使二胺成份與四羧酸成份反應而得之。一般而言為，使由四羧酸二酐及其四羧酸之衍生物所成之群所選出之至少1種的四羧酸成份，與1種或多數種之二胺所形成之二胺成份進行反應，而製得聚醯胺酸之方法等。具體而言，例如可使用使四羧酸二酐與一級或二級的二胺進行縮合而以製得聚醯胺酸之方法、使四羧酸與一級或二級的二胺經脫水聚縮合反應而製得聚醯胺酸之方法，或使四羧酸二鹵化物與一級或二級的二胺進行聚縮合而製得聚醯胺酸之方法。
欲製得聚醯胺酸烷酯之方法中，可使用羧酸基經二烷酯化之四羧酸與一級或二級的二胺進行聚縮合之方法、使羧酸基經二烷酯化之四羧酸二鹵化物與一級或二級的二胺進行聚縮合之方法，或使聚醯胺酸之羧基變換為酯之方法等。
製得聚醯亞胺之方法中，為使用使前述聚醯胺酸或聚醯胺酸烷酯閉環形成聚醯亞胺之方法。
二胺成份與四羧酸成份之反應，通常為於溶劑中進行。此時所使用之溶劑，只要可溶解所生成之聚醯亞胺前驅物者時，並未有特別之限定。下述為列舉反應所使用的溶劑之具體例，但並非限定於該些之例示中。
例如，N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或1,3-二甲基-四氫咪唑酮等。又，聚醯亞胺前驅物之溶劑溶解性較高之情形，可使用甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮或下述式[D-1]~式[D-3]所表示之溶劑。
(式[D-1]中，D1表示碳數1~3之烷基，式[D-2]中，D2表示碳數1~3之烷基，式[D-3]中，D3表示碳數1~4之烷基)。
該些之溶劑可單獨使用亦可、混合使用亦可。此外，即使為不能溶解聚醯亞胺前驅物之溶劑，只要不會析出所生成之聚醯亞胺前驅物之範圍，亦可與前述溶劑混合使用。又，溶劑中之水份，為阻礙聚合反應，此外，也為造成使所生成之聚醯亞胺前驅物水解之原因，故溶劑以使用脫水乾燥者為佳。
二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行反應之際，可列 舉如，於使二胺成份分散於溶劑中或將溶解所得後之溶液於攪拌中，添加四羧酸成份，或分散或溶解於溶劑中之方法、相反地或使四羧酸成份分散於溶劑中，或於溶解之溶液中添加二胺成份之方法、交互添加二胺成份與四羧酸成份之方法等，而可使用該些任一之方法。又，分別使用多數種二胺成份或四羧酸成份進行反應之情形，可於預先混合之狀態下進行反應亦可、各別地依序反應亦可、或再與各別反應之低分子量體進行混合反應形成聚合物亦可。
此時之聚合溫度可選擇於-20~150℃中之任意溫度，較佳為-5~100℃之範圍。
又，反應可以任意之濃度進行，濃度過低時將無法得到高分子量之聚合物，濃度過高時將會過度增加反應液之黏性，而於無法均勻地攪拌。因此，較佳為1~50質量%、更佳為5~30質量%。反應初期以高濃度進行，其後，再追加溶劑亦可。
聚醯亞胺前驅物之聚合反應中，二胺成份之合計莫耳數與四羧酸成份之合計莫耳數之比以0.8~1.2為佳。與一般之聚縮合反應相同般，該莫耳比越接近1.0時，表示所生成之聚醯亞胺前驅物的分子量越大。
聚醯亞胺為前述聚醯亞胺前驅物經閉環而得之聚醯亞胺，該聚醯亞胺中，醯胺酸基之閉環率(亦稱為醯亞胺化率)並非必須為100%，其可配合用途或目的進行任意之調整。
使聚醯亞胺前驅物醯亞胺化之方法，可列舉如，使聚 醯亞胺前驅物之溶液加熱之熱醯亞胺化之方法，或於聚醯亞胺前驅物之溶液中添加觸媒以進行觸媒醯亞胺化之方法等。
聚醯亞胺前驅物於溶液中進行熱醯亞胺化之情形的溫度為100~400℃、較佳為120~250℃，以將醯亞胺化反應所生成之水排出於反應系外中進行者為佳。
聚醯亞胺前驅物之觸媒醯亞胺化，可於聚醯亞胺前驅物之溶液中，添加鹼性觸媒與酸酐後，於-20~250℃、較佳為0~180℃下，以攪拌之方式進行。
鹼性觸媒之量為，醯胺酸基之0.5~30莫耳倍、較佳為2~20莫耳倍，酸酐之量為，醯胺酸基之1~50莫耳倍、較佳為3~30莫耳倍。
鹼性觸媒可列舉如，吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺、三辛基胺等。其中，又以吡啶於反應進行中可維持適當之鹼性，而為較佳。
酸酐可列舉如，乙酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐等。其中，又以使用乙酸酐時，於反應結束後容易進行精製而為較佳。
觸媒醯亞胺化之醯亞胺化率，可以調節觸媒量與反應溫度、反應時間之方式予以控制。
由聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺之反應溶液中，回收所生成之聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺之情形，只要將反應溶液投入溶劑中，使其沈澱即可。沈澱所使用的溶劑，可列舉如，甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、 庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁酮、甲苯、苯、水等。投入溶劑後沈澱之聚合物，可於過濾、回收之後，於常壓或減壓下，以常溫或加熱進行乾燥。又，沈澱後回收的聚合物，於進行2次~10次重複再溶解於溶劑、再沈澱回收之操作後，即可降低聚合物中之雜質。此時之溶劑，可列舉如，醇類、酮類、烴等。使用3種類以上由該些之中所選出之溶劑時，以其可更提高精製之效率而為較佳。
本發明中，特定聚合物(A)及(B)中，以使用聚醯胺酸烷酯為佳。
製造本發明之聚醯胺酸烷酯時，更具體之方法係如下述(1)~(3)所示。
(1)以聚醯胺酸之酯化反應製造之方法
由二胺成份與四羧酸成份製造聚醯胺酸，使其於該羧基(COOH基)上，進行化學反應，即酯化反應，以製造聚醯胺酸烷酯之方法。
酯化反應為，使聚醯胺酸與酯化劑於溶劑之存在下，於-20~150℃(較佳為0~50℃)中，進行30分~24小時(較佳為1~4小時)反應之方法。
前述酯化劑，以於酯化反應後容易去除者為佳，以N,N-二甲基甲醯胺二甲基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二丙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二新戊基丁基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二-t-丁基縮醛、1-甲基-3-p-甲苯基三氮烯、1-乙基-3-p-甲苯基三氮 烯、1-丙基-3-p-甲苯基三氮烯、4-(4,6-二甲氧基-1,3,5-三-2-基)-4-甲基嗎福啉氯化物等。酯化劑之使用量，相對於聚醯胺酸之重複單位1莫耳，以2~6莫耳當量為佳。其中又以2~4莫耳當量為佳。
前述酯化反應所使用的溶劑，就聚醯胺酸對溶劑之溶解性之觀點，可列舉如，前述二胺成份與四羧酸成份反應時所使用的溶劑等。其中又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑，可使用1種或將2種以上混合使用亦可。
前述酯化反應中之溶劑中之聚醯胺酸的濃度，就不易引起聚醯胺酸之析出之觀點，以1~30質量%為佳。其中又以5~20質量%為佳。
(2)使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物進行反應以製造之方法
具體而言，為使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物於鹼與溶劑之存在下，於-20~150℃(較佳為0~50℃)中，進行30分鐘~24小時(較佳為1~4小時)反應之方法。
鹼，可使用吡啶、三乙基胺、4-二甲基胺基吡啶等。其中，就反應可穩定進行之觀點，以使用吡啶為佳。鹼之使用量，以可於反應後容易去除之量為佳，相對於四羧酸二酯二氯化物，以2~4倍莫耳為佳。其中，又以2~3倍 莫耳為較佳。
溶劑，就所製得之聚合物，即聚醯胺酸烷酯對溶劑之溶解性之觀點，例如可使用前述二胺成份與四羧酸成份反應時所使用的溶劑等。其中，又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些之溶劑，可使用1種或將2種以上混合使用亦可。
反應中之溶劑中之聚醯胺酸烷酯的濃度，就不易析出聚醯胺酸烷酯之觀點，以1~30質量%為佳。其中，又以5~20質量%為佳。又，為防止四羧酸二酯二氯化物之水解，製作聚醯胺酸烷酯時所使用的溶劑，以盡量使用脫水者為佳。此外，反應為於氮氣雰圍中，以避免外氣混入者為佳。
(3)使二胺成份與四羧酸二酯進行反應之製造方法
具體而言，為將二胺成份與四羧酸二酯，於縮合劑、鹼及溶劑之存在下，於0~150℃(較佳為0~100℃)中，進行30分鐘~24小時(較佳為3~15小時)聚縮合反應之方法。
縮合劑，例如可使用三苯基亞磷酸酯、二環己基羰二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)羰二醯亞胺鹽酸鹽、N,N’-羰基二咪唑、二甲氧基-1,3,5-三基甲基嗎福啉、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲四氟硼酯、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲六氟亞磷 酸酯、(2,3-二氫-2-硫氧-3-苯併噁唑基)膦酸二苯基等。縮合劑之使用量，相對於四羧酸二酯，以2~3倍莫耳為佳，特別是以2~2.5倍莫耳為佳。
鹼，可使用吡啶、三乙基胺等三級胺。鹼之使用量，以於聚縮合反應後容易去除之量為佳，相對於二胺成份，以2~4倍莫耳為佳，以2~3倍莫耳為較佳。
聚縮合反應所使用之溶劑，就所得之聚合物，即，聚醯胺酸烷酯對溶劑之溶解性之觀點，可列舉如，前述二胺成份與四羧酸成份反應時所使用的溶劑等。其中，又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑，可使用1種或將2種以上混合使用亦可。
又，聚縮合反應中，將路易士酸作為添加劑添加時，可使反應有效率的進行。路易士酸以氯化鋰、溴化鋰等之鹵化鋰為佳。路易士酸之使用量，相對於二胺成份，以0.1~10倍莫耳為佳。其中，又以2.0~3.0倍莫耳為佳。
由上述(1)~(3)之方法所得之聚醯胺酸烷酯的溶液中，回收聚醯胺酸烷酯之情形，只要將反應溶液投入溶劑中，使其沈澱即可。沈澱所使用的溶劑，可列舉如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、己烷、丁基溶纖劑(cellosolve)、丙酮、甲苯等。投入溶劑後沈澱之聚合物，就去除前述所使用之添加劑、觸媒類等為目的時，以使用上述溶劑進行多數次洗淨操作者為佳。
過濾、回收之後，聚合物可於常壓或減壓下、常溫或 加熱下進行乾燥。又，可使沈澱回收之聚合物，再溶解於溶劑中，進行2次~10次再沈澱回收之操作，即可降低聚合物中之雜質。
聚醯胺酸烷酯，以使用前述(1)或(2)之方法製造者為佳。
<液晶配向劑>
本發明之液晶配向劑為，形成液晶配向膜(亦稱為樹脂被膜)所使用之塗佈溶液，其為含有特定聚合物(A)、特定聚合物(B)及有機溶劑。
液晶配向劑中之特定聚合物(B)之比例，相對於特定聚合物(A)100質量份，以10~900質量份為佳。其中，又以25~400質量份為佳，較佳為40~250質量份。最佳為60~160質量份。
本發明之液晶配向劑中之全部的聚合物成份，可全部為本發明之特定聚合物(A)及(B)，再與該些以外的其他之聚合物混合亦可。該些以外的聚合物，可列舉如，不具有特定結構(1A)、特定結構(1B)及特定結構(2)之聚醯亞胺前驅物及聚醯亞胺等。又如，纖維素系聚合物、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚苯乙烯、聚醯胺或聚矽氧烷等。此時，該些以外的其他之聚合物之含量，相對於特定聚合物(A)及(B)之合計100質量份，為0.5~15質量份。其中，又以1~10質量份為佳。
又，液晶配向劑中之有機溶劑之含量，以70 ~99.9質量%為佳。該含量，可依液晶配向劑之塗佈方法或作為目的之液晶配向膜之膜厚，作適當之變更。
液晶配向劑所使用的有機溶劑，只要含有可溶解特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之溶劑(亦稱為良溶劑)時，並未有特別之限定。其可列舉如，下述良溶劑的具體例示等，但並非僅限定於該些之例示者。
例如，N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-四氫咪唑酮、甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。
其中，又以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮，或γ-丁內酯為佳。
此外，就特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑具有高溶解性之情形，以使用前述式[D-1]~式[D-3]所表示之溶劑為佳。
本發明之液晶配向劑中之良溶劑，以包含於液晶配向劑的溶劑全體之20~99質量%為佳。其中，又以20~90質量%為佳。較佳為30~80質量%。
本發明之液晶配向劑，於無損本發明效果之範圍，可使用於塗佈液晶配向劑之際提高液晶配向膜之塗膜性或表面平滑性之溶劑(亦稱為貧溶劑)。下述為貧溶劑的具體例示，但並非僅限定於該些之例示者。
例如，乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、tert-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁 醇、異戊醇、tert-戊醇、3-甲基-2-丁醇、新戊醇、1-己醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-乙基-1-丁醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、環己醇、1-甲基環己醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丙烷二醇、1,2-丁烷二醇、1,3-丁烷二醇、1,4-丁烷二醇、2,3-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2-乙基-1,3-己烷二醇、二丙基醚、二丁基醚、二己基醚、二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丁基醚、1,2-丁氧基乙烷、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二丁基醚、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、2-庚酮、4-庚酮、3-乙氧基丁基乙酸酯、1-甲基戊基乙酸酯、2-乙基丁基乙酸酯、2-乙基己基乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、丙烯碳酸酯、伸乙基碳酸酯、2-(甲氧基甲氧基)乙醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單異戊醚、乙二醇單己基醚、2-(己基氧基)乙醇、糠醇、二乙二醇、丙二醇、丙二醇單丁基醚、1-(丁氧基乙氧基)丙醇、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇二甲基醚、三丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、伸三乙二醇、伸三乙二醇單甲基醚、三乙二醇 單乙基醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸丙二醇單乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙酯、乳酸n-丁酯、乳酸異戊酯、前述式[D-1]~[D-3]所表示之溶劑等。
其中，又以使用1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚或二丙二醇二甲基醚為佳。
該些貧溶劑，以包含液晶配向劑的溶劑全體之1~80質量%為佳。其中，又以10~80質量%為佳。較佳為20~70質量%。
本發明之液晶配向劑中，以含有 具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基之交聯性化合物、 由具有羥基、羥烷基及低級烷氧基烷基所成之群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，或 具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物為佳。該些取代基或聚合性不飽和鍵結，於交聯性化合物中必須具有2個以上。
具有環氧基或異氰酸酯基之交聯性化合物，可列舉如，雙酚丙酮縮水甘油醚、酚酚醛清漆環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、三縮水甘油異三聚氰酸酯、四縮 水甘油胺基伸二苯基、四縮水甘油-m-二甲苯二胺、四縮水甘油-1,3-雙(胺基乙基)環己烷、四苯基縮水甘油醚乙烷、三苯基縮水甘油醚乙烷、雙酚六氟丙酮二縮水甘油醚、1,3-雙(1-(2,3-環氧丙氧基)-1-三氟甲基-2,2,2-三氟甲基)苯、4,4-雙(2,3-環氧丙氧基)八氟聯苯基、三縮水甘油-p-胺基酚、四縮水甘油甲基二甲苯二胺、2-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-2-(4-(1,1-雙(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)乙基)苯基)丙烷、1,3-雙(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-甲基乙基)苯基)乙基)苯氧基)-2-丙醇等。
具有環氧丙烷基之交聯性化合物，為至少具有2個下述式[4A]所示環氧丙烷基之交聯性化合物。
具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之58~59頁所揭示之式[4a]~[4k]所表示之交聯性化合物等。
具有環碳酸酯基之交聯性化合物，為至少具有2個下述式[5A]所表示之環碳酸酯基之交聯性化合物。
具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2012/014898 (2012.2.2公開)之76~82頁所揭示之式[5-1]~[5-42]所表示之交聯性化合物等。
具有由羥基及烷氧基所成之群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，例如，具有羥基或烷氧基之胺基樹脂例如，三聚氰胺樹脂、脲樹脂、呱樹脂、乙炔脲-甲醛樹脂、琥珀醯胺-甲醛樹脂、乙烯脲-甲醛樹脂等。具體而言為，胺基之氫原子被羥甲基及/或烷氧基甲基所取代的三聚氰胺衍生物、苯併呱衍生物，或可使用乙炔脲等。該三聚氰胺衍生物或苯併呱衍生物，可以二聚物或三聚物方式存在。該些相當於1個三環以具有平均3個以上6個以下之羥甲基或烷氧基甲基者為佳。
該些三聚氰胺衍生物或苯併呱衍生物之例如，市售品之每一個三環平均被3.7個甲氧基甲基所取代之MX-750、每一個三環平均被5.8個甲氧基甲基所取代之MW-30(以上、三和化學公司製)，或SIMEL 300、301、303、350、370、771、325、327、703、712等之甲氧基甲基化三聚氰胺、SIMEL 235、236、238、212、253、254等之甲氧基甲基化丁氧基甲基化三聚氰胺、SIMEL 506、508等之丁氧基甲基化三聚氰胺、SIMEL 1141等羧基含有甲氧基甲基化異丁氧基甲基化三聚氰胺、SIMEL 1123等甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱、SIMEL 1123-10等甲氧基甲基化丁氧基甲基化苯併呱、SIMEL 1128等丁氧基甲基化苯併呱、SIMEL 1125-80等羧基含有甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱 (以上、三井氰胺公司製)等。
又，乙炔脲之例如，SIMEL 1170等丁氧基甲基化乙炔脲、SIMEL 1172等羥甲基化乙炔脲等、POWERLINK 1174等甲氧基羥甲基化乙炔脲等。
具有羥基或烷氧基之苯或酚性化合物，例如，1,3,5-三(甲氧基甲基)苯、1,2,4-三(異丙氧基甲基)苯、1,4-雙(sec-丁氧基甲基)苯、2,6-二羥基甲基-p-tert-丁基酚等。
更具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2011/132751.(2011.10.27公開)之62~66頁所揭示之式[6-1]~[6-48]所表示之交聯性化合物等。
具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物，例如，分子內具有3個之三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯醯氧乙氧基三羥甲基丙烷、丙三醇聚縮水甘油醚聚(甲基)丙烯酸酯等之聚合性不飽和基之交聯性化合物；分子內具有2個乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、伸乙基氧化物雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、伸丙基氧化物雙酚型二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四 醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、苯二甲酸二縮水甘油酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基叔戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等之聚合性不飽和基之交聯性化合物；分子內具有1個之2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、2-苯氧基-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧-2-羥基丙基苯二甲酸酯、3-氯-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、丙三醇單(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧乙基磷酸酯、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等聚合性不飽和基之交聯性化合物等。
此外，亦可使用下述式[7A]所表示之化合物。
(式[7A]中，E1為由環己烷環、雙環己烷環、苯環、聯苯基環、聯三苯基環、萘環、茀環、蒽環及菲環所成之群所選出之至少1個之環，E2表示為下述式[7a]及[7b]所成之群所選出之至少1個之基，n表示1~4之整數)。
上述化合物為交聯性化合物之一例示，但並不僅限定於該些內容。
又，本發明之液晶配向劑所使用之交聯性化合物，可為1種類亦可、2種類以上之組合亦可。
交聯性化合物之含量，相對於全部聚合物成份100質量份，以0.1~150質量份為佳。其中，就可有效進行交聯反應之目的，相對於全部聚合物成份100質量份，以0.1~100質量份為佳。較佳為1~50質量份。
液晶配向劑，於無損本發明效果之範圍，可含有於塗佈液晶配向劑之際可提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物。
可提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物，例如，氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。
更具體而言，可列舉如，例如，F-TOP EF301、EF303、EF352(以上、陶氏化學製品公司製)、美格氟F171、F173、R-30(以上、大日本塗料公司製)、氟拉多FC430、FC431(以上、住友3M公司製)、AsahiGuard AG710、沙氟隆S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(以上、旭硝子公司製)等。
該些之界面活性劑之使用比例，相對於液晶配向劑所含有的全部聚合物成份100質量份，較佳為0.01~2質量份、更佳為0.01~1質量份。
此外，本發明之液晶配向劑中，可促進液晶配向膜中之電荷移動的促進元件之電荷解離的化合物，例如，可添加國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公 開)之69~73頁所揭示之式[M1]~[M156]所表示之含氮雜環胺化合物。該胺化合物可直接添加於液晶配向劑中，但以使用適當之溶劑稀釋至濃度0.1~10質量%、較佳為1~7質量%之溶液方式添加為佳。該些之溶劑，只要可溶解上述特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之溶劑時，並未有特別之限定。
本發明之液晶配向劑中，除上述貧溶劑、交聯性化合物、可提高樹脂被膜或液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物，及促進電荷解離之化合物以外，於無損及本發明之效果的範圍，可添加以改變液晶配向膜之介電係數或導電性等之電氣特性為目的的介電體或導電物質。
<液晶配向膜及液晶顯示元件>
液晶配向膜為，將前述液晶配向劑塗佈於基板，經乾燥、燒結而得之膜。
塗佈液晶配向劑之基板，只要為具有高透明性之基板時，並未有特別之限定，除玻璃基板、氮化矽基板以外，亦可使用丙烯酸基板或聚碳酸酯基板等之塑膠基板等。此時，使用形成有為驅動液晶所使用的ITO電極等之基板時，就製程簡易化之觀點，而為較佳。又，反射型之液晶顯示元件，因僅為單側之基板，亦可使用矽晶圓等之不透明物，該情形之電極，亦可使用可反射鋁等光線之材料。
液晶配向劑之塗佈方法，並未有特別之限定，於工業尚而言，一般為使用網版印刷、平版印刷、凸版 (Flexo)印刷、噴墨法等。該其他之塗佈方法，例如，浸漬法、輥塗佈法、縫狀塗佈法、旋轉塗佈器法、噴霧法等，可配合所需之目的使用該些方法。
液晶配向劑塗佈於基板上之後，可經由加熱板、熱循環型烘箱、IR(紅外線)型烘箱等之加熱手段，使溶劑蒸發而形成液晶配向膜。
塗佈液晶配向劑後之乾燥、燒結步驟，可選擇任意之溫度與時間。通常，為充分去除所含有的溶劑時，例如於50~120℃下進行1~10分鐘之燒結，其後，於150~300℃下進行5~120分鐘燒結之條件。
燒結後之液晶配向膜的厚度，並未有特別之限定，過薄時將會有降低液晶顯示元件信賴性之情形，一般以5~300nm為佳。其中，又以10~200nm為佳。
使所得液晶配向膜進行配向處理之方法，例如，前述摩擦處理法、光配向處理法等，又以光配向處理法為佳。
光配向處理法之具體例，可列舉如，使用特定方向偏向之輻射線照射前述液晶配向膜表面，依各種情況之差異，再於150~250℃之溫度進行加熱處理，以賦予液晶配向性(亦稱為液晶配向能力)之方法等。輻射線，可使用具有波長100~800nm的紫外線或可見光線。其中，又以具有波長100~400nm的紫外線為佳，較佳為具有波長200~400nm的紫外線。
又，就改善液晶配向性之觀點，可將具有液晶配向膜 之基板於50~250℃持續加熱中，照射輻射線亦可。
輻射線之照射量，以1~10,000mJ/cm2為佳。其中，又以100~5,000mJ/cm2為佳。依此方式所製造之液晶配向膜，可以液晶分子向一定方向安定地配向。
此外，照射偏光輻射線之液晶配向膜，可使用水或溶劑，進行接觸處理。所使用的溶劑，只要可溶解經輻射線照射而由液晶配向膜所生成之分解物的溶劑時，則未有特別限定之內容。具體例如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑(cellosolve)、乳酸乙酯、乳酸甲酯、二丙酮醇、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸環己酯等。其中，就廣用性或溶劑安全性之觀點，以水、2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯為佳。較佳為，水、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯。該些之溶劑，可為1種類亦可、2種類以上之組合亦可。
本發明中之接觸處理，例如浸漬處理或噴霧處理(亦稱為SPRAY處理)等。該些之處理中之處理時間，就可有效率地溶解因輻射線而由液晶配向膜生成的分解物之觀點，以10秒~1小時為佳。其中，又以1~30分鐘之浸漬處理為佳。又，前述接觸處理時溶劑之溫度，可為常溫或加溫下亦可，較佳為10~80℃。其中，又以20~50℃為佳。就分解物之溶解性之觀點，必要時可再配合超音波處理等方式進行。
前述接觸處理之後，可使用水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮等之低沸點溶劑進行水洗(亦稱為洗滌)或進行液晶配向膜燒結者為佳。此時，可進行洗滌與燒結中之任一者，或進行二者皆可。燒結之溫度，以150~300℃為佳。其中，又以180~250℃為佳。較佳為，200~230℃。又，燒結之時間以10秒~30分鐘為佳。其中，又以1~10分鐘為佳。
本發明之液晶配向膜，適合作為IPS方式或FFS方式等之橫電場方式的液晶顯示元件之液晶配向膜，特別是適合作為FFS方式的液晶顯示元件之液晶配向膜。
本發明之液晶顯示元件，於製得附有由上述液晶配向劑所得之液晶配向膜之基板後，依已知方法製作液晶晶胞，並使用該液晶晶胞作為元件而得者。
液晶晶胞之製作方法之一例示，將以被動矩陣結構之液晶顯示元件為例進行說明。又，亦可使用於構成影像顯示的各畫素部份上，設有TFT(Thin Film Transistor)等應答元件的主動矩陣結構之液晶顯示元件亦可。
具體而言，為準備透明之玻璃製基板，於一側之基板上設置共用電極，另一側之基板上設置節段電極。該些之電極，例如，可作為ITO電極，而進行可得到所期待之影像顯示的圖型形成(Patterning)。其次，於各基板上，可設置被覆共用電極與節段電極之絶緣膜。絶緣膜，例如，由溶膠-凝膠法所形成之SiO2-TiO2所形成之膜。其次，依前述條件，於各基板上形成液晶配向膜，將 一邊之基板與另一邊之基板，以液晶配向膜面互相為對向之方式重合，周邊使用密封劑接著。密封劑中，就控制基板間隙之觀點，以混入間隔器者為佳。又，於未設置密封劑之面內部份，也以散佈基板間隙控制用之間隔器為佳。密封劑之一部份，以設置有可由外部填充液晶之開口部者為佳。
其後，通過設於密封劑中之開口部，將液晶材料注入由2片基板與密封劑所包圍之空間內。其次，使用接著劑密封此開口部。注入方法，可使用真空注入法亦可，於大氣中利用毛細管現象之方法亦可。
液晶材料，可使用正型液晶材料或負型液晶材料中之任一種。隨後，進行偏光板之設置。具體而言，以於與2片基板之液晶層為相反側之面貼合一對偏光板者為佳。
使用本發明之液晶配向劑時，可製得可抑制因交流驅動所造成之殘像，且，可兼具密封劑及底層基板之密著性的液晶配向膜。特別是，對於照射偏光輻射線之光配向處理法用的液晶配向膜為有用者。
[實施例]
以下將列舉實施例，對本發明作更具體之說明，但本發明並不僅限定於該些內容。又，以下所使用的化合物之簡稱，及各特性之測定方法，係如以下所示。
GBL：γ-丁基內酯
BCS：丁基溶纖劑(cellosolve)
DA-A：下述式(DA-A)所示
DA-1：下述式(DA-1)所示
DA-2：下述式(DA-2)所示
DA-3：下述式(DA-3)所示
DA-4：下述式(DA-4)所示
DE-1：下述式(DE-1)所示
DAH-1：下述式(DAH-1)所示
DAH-2：下述式(DAH-2)所示
添加劑A：N-α-(9-茀基甲氧基羰基)-N-τ-t-丁氧基羰基-L-組胺酸
[1H NMR]
裝置：傅立葉變換型超導核磁共振裝置(FT-NMR)INOVA-400(Varian製)400MHz
溶劑：重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6))
標準物質：四甲基矽烷(TMS)
計算次數：8，或，32
[13C{1H}NMR]
裝置：傅立葉變換型超導核磁共振裝置(FT-NMR)INOVA-400(Varian製)100MHz
溶劑：重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6)
標準物質：四甲基矽烷(TMS)
計算次數：256
[融點測定(DSC)]
裝置：差示型掃瞄熱量測定裝置DSC1STARe系統(Mettler Toledo製)
盤：密閉型Au盤
昇溫速度：10℃/min
融點：分析最低溫時之吸熱波峰溫度
[黏度]
聚醯胺酸酯及聚醯胺酸溶液之黏度，為使用E型黏度計TVE-22H(東機產業公司製)，樣品量1.1mL、錐型旋轉器TE-1(1°34’、R24)、溫度25℃下測定者。
[分子量]
聚醯胺酸酯之分子量為使用GPC(常溫凝膠滲透色層分析儀)裝置予以測定，以聚乙二醇，及聚伸乙基氧化物換算值算出數平均分子量(Mn)與重量平均分子量(Mw)。
GPC裝置：Shodex公司製(GPC-101)
管柱：Shodex公司製(KD803、KD805之直列)
管柱溫度：50℃
溶離液：N,N-二甲基甲醯胺(添加劑為使用溴化鋰-水和物(LiBr．H2O)為30mmol/L(公升)、磷酸．無水結晶(o-磷酸)為30mmol/L、四氫呋喃(THF)為10ml/L
流速：1.0ml/分
製作檢量線用之標準樣品：東曹公司製TSK標準聚伸乙基氧化物(重量平均分子量(Mw)約900,000、150,000、100,000，及30,000)，及，PolymerLaboratory公司製 聚乙二醇(波峰頂端分子量(Mp)約 12,000、4,000，及1,000)。測定中，為避免波峰重疊，則將900,000、100,000、12,000、1,000等4種類混合所得之樣品，及150,000、30,000、4,000等3種類混合所得之樣品等2種樣品分別進行。
[醯亞胺化率之測定]
合成例中之聚醯亞胺的醯亞胺化率為依以下方式測定者。將聚醯亞胺粉末20mg加入NMR樣品管(NMR標準採樣管， 5(草野科學製))中，添加重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6，0.05質量%TMS(四甲基矽烷)混合品)(0.53ml)，施加超音波使其完全溶解。將此溶液於NMR測定機(JNW-ECA500)(日本電子數據製)中測定500MHz之質子NMR。醯亞胺化率，為由醯亞胺化前後未產生變化的結構所產生之質子作為基準質子予以決定，使用此質子之波峰計算值，與9.5ppm~10.0ppm附近出現之由醯胺酸的NH基產生之質子波峰計算值，依以下式所求得者。
醯亞胺化率(%)=(1-α．x/y)×100
上述式中，x為由醯胺酸的NH基產生之質子波峰計算值、y為基準質子之波峰計算值、α為聚醯胺酸(醯亞胺化率為0%)之情形中，相對於1個醯胺酸之NH基質子，基準質子之個數比例。
[噴墨印刷]
實施例中所記載之噴墨印刷，為依下述所示裝置、條件進行。裝置名：噴墨印刷之微細圖型塗佈裝置(日立Plant Technologies公司製、HIS-200-1H)
塗佈基板：100×100mmITO基板
塗佈面積：72×80mm
塗佈條件：分解能力15μm、平台速度40mm/sec、周波數2000Hz、脈幅9.6μsec、液量42pl、間距寬60μm、間距長141μm、施加電壓：15V、噴嘴縫隙0.5mm
[液晶晶胞之製作]
製作具備有FFS(Fringe Field Switching)模式液晶顯示元件之構成的液晶晶胞。首先準備附有電極之基板。基板為大小30mm×50mm、厚度0.7mm之玻璃基板。基板上，第1層為構成對向電極，形成具備有黏稠狀之圖型的ITO電極。第1層之對向電極上，則形成有以CVD法成膜之SiN(氮化矽)膜作為第2層。第2層之SiN膜的膜厚為500nm，具有作為層間絶緣膜之機能。第2層目之SiN膜上，則配置有ITO膜經圖型形成(Patterning)所形成之櫛齒狀之畫素電極作為第3層，而形成第1畫素及第2畫素等2個畫素。各畫素之尺寸為，縱10mm、橫約5mm。此時，第1層之對向電極與第3層之畫素電極之間，則經由第2層之SiN膜的作用而對電形成絶緣。
第3層之畫素電極，具有多數配列之中央部份為彎曲之「ㄑ」字形狀之電極要素之結構的櫛齒狀之形 狀。各電極要素之短邊方向之寬度為3μm，電極要素間之間隔為6μm。形成各畫素的畫素電極，因具有多數配列之中央部份為彎曲之「ㄑ」字形狀之電極要素的結構，故各畫素的形狀並非長方形，而與電極要素相同般，具備中央部份為彎曲的近似粗體「ㄑ」字的形狀。因此，各畫素以該中央的彎曲部份作為界線分割為上下，而具有彎曲部份之上側的第1區域，與下側的第2區域。
各畫素之第1區域與第2區域進行比較時，為構成該些畫素電極的電極要素之形成方向為互相相異。即，於後述液晶配向膜之摩擦方向作為基準之情形，畫素之第1區域中，畫素電極的電極要素為形成+10°之角度(順時鐘方向)，畫素之第2區域中，畫素電極的電極要素則形成-10°之角度(順時鐘方向)。即，具有各畫素之第1區域與第2區域中，經於畫素電極與對向電極之間施加電壓所引起的液晶於基板面內之回轉動作(橫向電場效應(In-Plane．Switching))之方向為互相相反之方向的構成內容。
其次，將所得之液晶配向劑使用1.0μm的過濾器過濾之後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備的附有上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板上。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。對此塗膜面施以摩擦或偏光紫外線照射等配向處理後，製得附有液晶配向膜之基板。將 上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚後供各評估使用。
[長期交流驅動所造成之殘像評估]
準備與上述殘像評估所使用的液晶晶胞具有同樣結構的液晶晶胞。
使用此液晶晶胞，於60℃之恆溫環境下，施加周波數60Hz之±5V交流電壓120小時。其後，使液晶晶胞之畫素電極與對向電極之間形成短路之狀態下，於室溫下放置一日。
放置後，將液晶晶胞與偏光軸為垂直交錯方式設置於所配置的2片偏光板之間，於無施加電壓之狀態下將背光源點燈，將液晶晶胞的配置角度調整至透過光線的亮度達最小程度。隨後，算出液晶晶胞由第1畫素的第2區域的最暗之角度迴轉至第1區域的最暗之角度為止的回轉角度作為△。第2畫素也相同般，使第2區域與第1區域相比較，算出同樣的角度△。隨後，算出第1畫素與第2畫素之角度△值的平均值作為液晶晶胞的角度△，交流驅動殘影△未達0.3則標記為「良好」，其以上則標記為「不良」。
[因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估]
將所製作之液晶晶胞與偏光軸為垂直交錯方式設置於所配置的2片偏光板之間，於無施加電壓之狀態下將LED背光源點燈後放置，調整液晶晶胞的配置角度以使透過光之亮度達最小之程度。
其次，於對此液晶晶胞施加周波數30Hz的交流電壓中，測定其V-T曲線(電壓-透過率曲線)，算出相對透過率達50%時之交流電壓作為驅動電壓。
以使LED光不會照射到液晶晶胞之方式進行遮光。再對液晶晶胞施加30分鐘的周波數1kHz、20mV之矩形波。
其後，與LED點燈同時，進行相對透過率達50%之交流驅動，測定點燈後即時的V-F(電壓-閃爍曲線)曲線，算出可消除因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積的平版電壓值。測定其後每一分鐘的最小平版電壓值變化量，算出點燈後即時至30分鐘為止變化之際的最大電壓值。此時，以將最大平版電壓之變化量超過20mV的情形定義為「不良」之方式進行評估。又最大平版電壓的變化量未超過20mV之情形中，則以定義為「良好」之方式進行評估。
[電荷緩和特性]
將上述液晶晶胞放置於光源上，於45℃之溫度下測 定V-T特性(電壓-透過率特性)後，測定施加±1.5V/60Hz之矩形波狀態下之液晶晶胞的透過率(Ta)。其後，於45℃之溫度下施加±1.5V/60Hz之矩形波10分鐘之後，將直流2V重疊後，驅動120分鐘。切斷直流電壓，再分別測定僅使用±1.5V/60Hz之矩形波驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘時的液晶晶胞之透過率(Tb)，再由各時間之透過率(Tb)與初期透過率(Ta)之差(△T)算出殘留於液晶顯示元件內之電壓所生成的透過率之差。
(合成例1) 芳香族二胺化合物(DA-A)：N-tert-丁氧基羰基-N-(2-(4-胺基苯基)乙基)-N-(4-胺基苄基)胺之合成
依以下所示3步驟之過程合成芳香族二胺化合物(DA-A)。又，芳香族二胺化合物(DA-A)為相當於上述特定二胺化合物(2)。
第1步驟：N-(2-(4-硝基苯基)乙基)-N-(4-硝基苄基)胺(DA-A-1)之合成
使2-(4-硝基苯基)乙基胺鹽酸鹽(50.0g，247mmol)溶解於水(300g)及DMF(50.0g)中，加入碳酸 鈉(78.4g，740mmol)，將4-硝基苄基溴化物(53.3g，247mmol)之DMF溶液(200g)於25℃下以1小時時間滴入。滴入中，追加DMF/水=1/1(w/w、100g)，以消除析出物所造成之攪拌不良狀態。於該狀態下，於室溫下攪拌20小時，此外，於40℃下攪拌4小時，使用HPLC(高速液體色層分析儀)確認原料消失。其後，將反應液放冷至室溫，將析出物過濾，分別使用水(150g)2次、2-丙醇(50.0g)2次洗淨，於50℃下減壓乾燥結果，製得N-2-(4-硝基苯基)乙基-N-(4-硝基苄基)胺(白色固體、產量：73g、產率：99%)。
1H NMR(DMSO-d6)：δ 8.18(d,J=8.8Hz,2H,C6H4),8.15(d,J=8.8Hz,2H,C6H4),7.59,(d,J=8.8Hz,2H,C6H4),7.52(d,J=8.8Hz,2H,C6H4),3.87(s,2H,CH2),2.91(t,J=7.0Hz,2H,CH2),2.80(t,J=7.0Hz,2H,CH2),2.46(s,1H,NH)。13C{1H}NMR(DMSO-d6)：δ 149.8,149.5,146.6,146.3,130.3,129.2,123.7,123.6,52.4,50.0,36.0(each s)。
融點(DSC)：123℃
第2步驟：N-tert-丁氧基羰基-N-(2-(4-硝基苯基)乙基)-N-(4-硝基苄基)胺(DA-A-2)之合成
使N-2-(4-硝基苯基)乙基-N-4-硝基苄基胺(73g，0.24mol)溶解於DMF(371g)中，於2~8℃下以10分鐘滴入二碳酸二tert-丁基(54g，0.24mol)。其後，於20℃下攪拌4小時，使用HPL確認原料消失。隨後，將DMF減壓餾除，反應液中加入乙酸乙酯(371g)，以水(371g)洗淨3次。其後，有機相於減壓下濃縮，得橙色油(粗產量：96g，粗產率：97%)。此粗產物使用矽凝膠管柱色層分析儀(己烷/乙酸乙酯=7/3(v/v，Rf=0.3)精製後得黃色油。(粗產量：82.0g、粗產率：82.8%(2步驟))。於此黃色油中加入甲醇(118g)，於50℃下溶解之後，於攪拌中使其冷卻，於0~5℃下攪拌30分鐘後，經過濾、乾燥後，得N-tert-丁氧基羰基-N-2-(4-硝基苯基)乙基-N-4-硝基苄基胺(白色粉末，產量：74.5g，產率：78%(2步驟))。
1H NMR(DMSO-d6)：δ 8.22(d,J=8.4Hz,2H,C6H4),8.18-8.16(br,2H,C6H4),7.51(d,J=8.4Hz,2H,C6H4),7.48(br,2H,C6H4),4.57-4.54(br,2H,CH2),3.55-3.49(br,2H,CH2),2.97(br,2H,CH2),1.36-1.32(br,9H,tert-Bu)。13C{1H}NMR(DMSO-d6)：δ 155.2,154.8,147.9,147.5,147.1,147.0,146.5,130.6,128.7,128.4,124.0,123.8,79.7,50.3,49.2,48.4,34.3,34.0,28.2(each s)。
融點(DSC)：77℃
第3步驟：N-tert-丁氧基羰基-N-(2-(4-胺基苯基)乙基)-N-(4-胺基苄基)胺(DA-A)之合成
使N-tert-丁氧基羰基-N-2-(4-硝基苯基)乙基-N-4-硝基苄基胺(74g，0.18mol)溶解於四氫呋喃(370g)中，加入3質量%鉑-碳(7.4g)，氫氣雰圍下，於室溫下攪拌72小時。使用HPLC確認原料之消失，以過濾方式去除觸媒，將濾液濃縮、乾燥後，得薄黃色油之DA-A之粗產物(粗產量：66g、粗產率：105%)。使其於80℃下溶解於甲苯(198g)後，於2℃下攪拌1小時，使結晶析出。將析出之固體過濾、乾燥後，得DA-A(白色粉末、產量：56g、產率：90%)。
1H NMR(DMSO-d6)：δ 6.92(d,J=8.0Hz,2H,C6H4),6.84-6.76(br,2H,C6H4),6.54(d,J=8.0Hz,2H,C6H4),6.50(d,J=8.0Hz,2H,C6H4),4.98(s,2H,NH2),4.84(s,2H,NH2),4.16(br,2H,CH2),3.13(br,2H,CH2),2.51(br,2H,CH2),1.41(s,9H,tert-Bu)。13C{1H}NMR(DMSO-d6)：δ 155.4,154.9,148.2,147.2,129.5,129.3,129.1,128.9,126.6,125.7,114.5,114.3,78.9,78.8,50.2,49.2,48.4,33.9,33.3,28.5(each s)。
融點(DSC)：103℃
(合成例2)
於附有攪拌裝置及氮導入管的3000mL四口燒瓶中，量取1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷110.47g(452mmol)、DA-2 18.94g(79.8mmol)，加入NMP 1587g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐111.18g(496mmol)，再加入NMP使固體成份濃度達12質量%，於室溫攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-1)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為183mPa．s。
(合成例3)
於附有攪拌裝置及氮導入管的2000ml四口燒瓶中，量取所得之聚醯胺酸溶液(PAA-1)950g，加入NMP 677.5g後，攪拌30分鐘。於所得之聚醯胺酸溶液中，加入乙酸酐77.10g、吡啶19.92g，於60℃下加熱3小時，進行化學性醯亞胺化。將所得之反應液於攪拌中投入5177g之甲醇中，濾取析出之沈澱物，隨後，使用5177g之甲醇洗淨3次、1726g之甲醇洗淨2次。所得樹脂粉末於60℃下乾燥12小時後，得聚醯亞胺樹脂粉末。
該聚醯亞胺樹脂粉末之醯亞胺化率為74%、分子量為Mn=8755、Mw=19663。
於放置有攪拌子之200ml樣品管中，量取所得之聚醯 亞胺樹脂粉末20.34g，加入NMP149.2g，於40℃下攪拌24小時使其溶解，得聚醯亞胺溶液(SPI-1)。
(合成例4)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取p-伸苯基二胺2.92g(27.0mmol)及DA-2 0.71g(3.0mmol)，加入NMP 81.76g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐6.46g(28.8mmol)，再加入NMP使該固體成份濃度達10重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-2)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為230mPa．s。
(合成例5)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷2.93g(12.00mmol)、DA-A 4.43g(11.99mmol)，加入NMP 81.98g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐5.35g(23.88mmol)，再加入NMP 9.11g使該固體成份濃度達12質量%，於室溫攪拌24小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-3)。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為205mPa．s。
(合成例6)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100ml四口燒瓶中，量取所得聚醯胺酸溶液(PAA-3)20g，加入NMP 14.29g後，攪拌30分鐘。於所得之聚醯胺酸溶液中，加入乙酸酐1.48g、吡啶0.38g，於60℃下加熱3小時，進行化學性醯亞胺化。所得反應液於攪拌中，投入139ml之甲醇中，濾取析出之沈澱物，隨後，使用139ml之甲醇洗淨3次。所得樹脂粉末於60℃下乾燥12小時後，得聚醯亞胺樹脂粉末(SPI-2)。
該聚醯亞胺樹脂粉末之醯亞胺化率為75%、分子量為Mn=8156、Mw=17408。
(合成例7)
於附有攪拌裝置之500mL之四口燒瓶中，使其形成氮雰圍環境，加入p-伸苯基二胺2.80g(25.9mmol)，再加入DA-1 1.45g(6.47mmol)後，加入NMP 111g，及作為鹼之吡啶6.18g(78.1mmol)，攪拌使其溶解。其次，此二胺溶液於持續攪拌中，加入DE-1 9.89g(30.4mmol)，於15℃下反應一晚。攪拌一晚後，加入丙烯醯氯0.38g(4.21mmol)，於15℃下反應4小時。所得聚醯胺酸酯之溶液於攪拌中投入1230g之水中，濾取析出之白色沈澱，隨後，使用1230g之IPA洗淨5次，乾燥後得白色之聚醯胺酸酯樹脂粉末10.2g。產率為83.0%。又，此聚醯胺酸酯之分子量為，Mn=20,786、Mw=40,973。
採取所得之聚醯胺酸酯樹脂粉末7.96g置入100mL三角燒瓶中，加入GBL 72.1g，於室溫下攪拌24小時，使其溶解，得聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)。
(合成例8)
於附有攪拌裝置及氮導入管的1000mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺39.89g(200.2mmol)、3,5-二胺基安息香酸7.60g(49.95mmol)，加入NMP 282g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐14.88g(75.10mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達15質量%，於室溫下攪拌2小時。其次，加入NMP 283g，添加DAH-1 50.3g(171.0mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-4)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為393mPa．s。
(合成例9)
於附有攪拌裝置及氮導入管的2000mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺63.76g(320mmol)、3,5-二胺基安息香酸12.17g(79.99mmol)，加入NMP 1094g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 112.59g(383mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時， 得聚醯胺酸(PAA-5)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為384mPa．s。
(合成例10)
於附有攪拌裝置及氮導入管的1000mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺33.48g(168.0mmol)、DA-3 21.48g(71.99mmol)，加入NMP 803.1g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 66.73g(226.8mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-6)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為380mPa．s。
(合成例11)
於附有攪拌裝置及氮導入管的200mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺4.44g(20.82mmol)、3,5-二胺基安息香酸0.79g(5.19mmol)，加入NMP 15.71g、GBL 73.08g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 7.39g(25.12mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-7)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為530mPa．s。
(比較合成例1)
於附有攪拌裝置及氮導入管的2000mL四口燒瓶中，量取DA-3 119.35g(400mmol)，加入NMP 1536g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 39.43g(386mmol)，再加入NMP使其固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-9)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為372mPa．s。
(合成例12)
於附有攪拌裝置及氮導入管的10L多口燒瓶中，量取1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷488.58g(2mol)、DA-A 184.69g(0.5mol)，加入NMP 7772.47g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐504.38g(2.25mol)，再加入NMP使固體成份濃度達12質量%，於室溫攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-10)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為192.6mPa．s。
(合成例13)
於附有攪拌裝置及氮導入管的3000ml四口燒瓶中，量取所得之聚醯胺酸溶液(PAA-10)2400g，加入NMP 800g，攪拌30分鐘。於所得之聚醯胺酸溶液中，加入乙酸酐186.20g、吡啶48.1g，於60℃下加熱3小時，進行化學性醯亞胺化。所得反應液於攪拌中投入13.21L之甲 醇中，濾取析出之沈澱物，隨後，使用13.21L之甲醇洗淨3次、4.30L之甲醇洗淨2次。所得樹脂粉末於60℃下乾燥12小時後，得聚醯亞胺樹脂粉末。
該聚醯亞胺樹脂粉末之醯亞胺化率為74%、分子量為Mn=6737、Mw=14181。
於放置有攪拌子之200ml樣品管中，量取所得聚醯亞胺樹脂粉末20.34g，加入NMP 149.2g，於40℃下攪拌24小時使其溶解，得聚醯亞胺溶液(SPI-3)。
(合成例14)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取DA-4 0.87g(5.8mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.62g(23.2mmol)，加入NMP 63.24g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 4.27g(14.5mmol)及1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐2.56g(13.05mmol)，再添加NMP使固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-11)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為593mPa．s。
(合成例15)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基甲烷1.11g(14.0mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.46g(22.4mmol)，加入NMP 62.02g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 4.12g(14mmol)及1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐2.38g(12.18mmol)，再添加NMP使固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-12)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為590mPa．s。
(合成例16)
於附有攪拌裝置及氮導入管的5L多口燒瓶中，量取3,5-二胺基安息香酸31.64g(0.2mol)及4,4’-二胺基二苯基胺165.78g(0.83mol)，加入NMP 1270.36g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-2 95.57g(0.31mol)，再添加NMP使其固體成份濃度達15重量%，於室溫下攪拌4小時。其後添加DAH-1 201.95g(0.69mol)，添加NMP使其固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-13)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為435mPa．s。
(合成例17)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基甲烷1.11g(14.0mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.46g(22.4mmol)，加入NMP 64.41g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶 液於持續攪拌中，加入DAH-1 5.77g(19.6mmol)及1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐1.207g(6.16mmol)，再添加NMP使固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-14)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為387mPa．s。
(合成例18)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取DA-4 0.84g(5.6mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.46g(22.4mmol)，加入NMP 63.03g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 5.77g(19.6mmol)及1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐1.207g(6.16mmol)，再添加NMP使固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-15)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為396mPa．s。
(合成例19)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基甲烷1.11g(14.0mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.46g(22.4mmol)，加入NMP 67.90g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 5.77g(19.6mmol)及DAH-2 1.89g(6.16mmol)，再添加NMP使固體成份濃 度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-16)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為386.8mPa．s。
(合成例20)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取DA-4 0.81g(5.4mmol)及4,4’-二胺基二苯基胺4.30g(21.6mmol)，加入NMP 64.14g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-2 1.81g(5.94mmol)及DAH-1 5.56g(18.9mmol)，再添加NMP使固體成份濃度達12重量%，於室溫下攪拌4小時，得聚醯胺酸(PAA-17)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為304.0mPa．s。
(合成例21)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺3.82g(19.2mmol)、3,5-二胺基安息香酸0.73g(4.8mmol)，加入NMP 15.38g、GBL 30.76g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 4.51g(15.3mmol)，於室溫下攪拌4小時。再添加1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐1.41g(7.2mmol)，添加GBL使固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-18)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為308.4mPa．s。
(合成例22)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺3.82g(19.2mmol)、4,4’-二胺基二苯基甲烷0.95g(4.8mmol)，加入NMP 16.74g、GBL 33.48g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 6.63g(22.6mmol)，再添加GBL使固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-19)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為324.4mPa．s。
(合成例23)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺2.86g(14.4mmol)、3,5-二胺基安息香酸0.73g(4.8mmol)，加入NMP 15.78g、GBL 31.55g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 6.63g(22.6mmol)，再添加GBL使固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-20)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為335.5mPa．s。
(合成例24)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取4,4’-二胺基二苯基胺3.99g(20.0mmol)、3,5-二胺 基安息香酸0.76g(5.0mmol)，加入NMP 15.45g、GBL 3.86g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐2.48g(12.5mmol)，於室溫下攪拌4小時。再添加DAH-1 3.31g(11.25mmol)，添加GBL使固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-21)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為285.2mPa．s。
(合成例25)
於附有攪拌裝置及氮導入管的100mL四口燒瓶中，量取1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷2.81g(11.5mmol)、DA-A 4.24g(11.5mmol)，加入NMP 64.03g，於持續送入氮氣中進行攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入DAH-1 1.35g(4.6mmol)，於室溫下攪拌4小時。再加入1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐4.06g(18.1mmol)，加入NMP使固體成份濃度達12質量%，於室溫下攪拌24小時，得聚醯胺酸(PAA-22)之溶液。該聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為132.0mPa．s。
(實施例1)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例3所得之聚醯亞胺溶液(SPI-1)5.49g、合成例8所得之聚醯胺酸溶液(PAA-4)5.14g，0.3質量%之3-環氧丙氧丙基 甲基二乙氧基矽烷的NMP溶液1.24g，加入NMP 4.14g、BCS 4.02g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-1)。
(實施例2)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例4所得之聚醯胺酸溶液(PAA-2)5.50g、合成例9所得之聚醯胺酸溶液(PAA-5)4.64g，加入0.3質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液1.10g、NMP 4.76g、BCS 4.01g，及添加劑A 0.17g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-2)。
(實施例3)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例3所得之聚醯亞胺溶液(SPI-1)5.64g、合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-6)5.14g，加入0.3質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液1.24g、NMP 3.98g、BCS 4.02g，及添加劑A 0.19g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-3)。
(實施例4)
於置有攪拌子之200mL三角燒瓶中，量取合成例6所得之聚醯亞胺溶液(SPI-2)5.50g、合成例9所得之聚醯胺酸溶液(PAA-5)5.21g，加入0.3質量%3-環氧丙氧 丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液1.24g、NMP 4.04g、BCS 4.02g，及添加劑A 0.19g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-4)。
(實施例5)
於置有攪拌子之200mL三角燒瓶中，量取合成例7所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)12.40g、合成例11所得之聚醯胺酸溶液(PAA-7)15.5g，加入NMP 4.96g、GBL 47.14g、PB 20.02g，及添加劑A 0.43g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-5)。
(比較例1)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例3所得之聚醯亞胺溶液(SPI-1)5.44g、比較合成例1所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)5.17g，加入0.3質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液1.24g、NMP 4.15g、BCS 4.02g，及添加劑A 0.19g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(B-1)。
(實施例6)
實施例1所得之液晶配向劑(AL-1)使用1.0μm之過濾器過濾後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備之附有上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後， 使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。介由偏光板將消光比26：1之直線偏光的波長254nm之紫外線以0.2J/cm2照射於此塗膜面。將此基板浸漬於25℃之乙基乳酸酯中5分鐘，其次浸漬於25℃之純水1分鐘，於200℃之加熱板上乾燥5分鐘後，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.9%、2.0%、1.1%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例7)
將實施例2所得之液晶配向劑(AL-2)使用1.0μm之過濾器過濾後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備之附有 上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。介由偏光板將消光比26：1之直線偏光的波長254nm之紫外線以0.5J/cm2照射此塗膜面。將此基板使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.1%、1.9%、0.9%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例8)
除使用實施例3所得之液晶配向劑(AL-3)以外，其 他皆依實施例6相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.7%、0.5%、0.3%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例9)
除使用實施例4所得之液晶配向劑(AL-4)，於照射偏光紫外線後，使用25℃之純水替代乙基乳酸酯進行5分鐘接觸處理以外，其他皆依實施例6相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為4.0%、0.9%、0.5%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例10)
使用實施例5所得之液晶配向劑(AL-5)，除使用噴墨印刷塗佈液晶配向劑以外，其他皆依實施例7相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為8.4%、1.4%、0.9%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(比較例2)
除使用比較例1所得之液晶配向劑(B-1)以外，其他皆依實施例6相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為9.9%、0.5%、0.2%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以上，為不良之結果。
(實施例11)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例14所得之聚醯胺酸溶液(PAA-11)4.47g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.34g、GBL 5.4g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-6)。
(實施例12)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例15所得之聚醯胺酸溶液(PAA-12)4.10g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.46g、GBL 5.4g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-7)。
(實施例13)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例16所得之聚醯胺酸溶液(PAA-13)4.05g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 150g、GBL 5.4g、BCS 3.6g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-8)。
(實施例14)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例17所得之聚醯胺酸溶液(PAA-14)3.99g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.56g、GBL 5.40g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-9)。
(實施例15)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例18所得之聚醯胺酸溶液(PAA-15)3.89g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.66g、GBL 5.40g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-10)。
(實施例16)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例19所得之聚醯胺酸溶液(PAA-16)3.79g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.76g、GBL 5.40g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-11)。
(實施例17)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例13所得之聚醯亞胺溶液(SPI-3)3.18g、合成例20所得之聚醯胺酸溶液(PAA-17)3.96g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.58g、GBL 5.40g、BCS 3.60g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-12)。
(實施例18)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例7所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)4.8g、合成例21所得之聚醯胺酸溶液(PAA-18)6.02g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 2.83g、GBL 9.74g、BCS 6.00g加、使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-13)。
(實施例19)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例7所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)4.8g、合成例22所得之聚醯胺酸溶液(PAA-19)6.17g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.91g、GBL 9.62g、BCS 6.00g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-14)。
(實施例20)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例7所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)4.8g、合成例23所得之聚醯胺酸溶液(PAA-20)5.99g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.95g、GBL 9.77g、BCS 6.00g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-15)。
(實施例21)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例7所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)4.8g、合成例24所得之聚醯胺酸溶液(PAA-21)6.10g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.92g、GBL 9.67g、BCS 6.00g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-16)。
(實施例22)
於置有攪拌子之50mL三角燒瓶中，量取合成例25所得之聚醯胺酸溶液(PAA-22)4.8g、合成例9所得之聚醯胺酸溶液(PAA-5)6.09g，加入1.0質量%3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷之NMP溶液0.9g、NMP 1.96g、GBL 9.77g、BCS 6.00g，使用磁性攪拌子攪拌30分鐘，得液晶配向劑(AL-17)。
(實施例23)
實施例11所得之液晶配向劑(AL-6)使用1.0μm之過濾器過濾後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備之附有上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。介由偏光板將消光比26：1之直線偏光的波長254nm之紫外線以0.2J/cm2照射此塗膜面。將此基板浸漬於25℃之乙基乳酸酯中5分鐘，其次浸漬 於25℃之純水1分鐘，於200℃之加熱板上乾燥5分鐘後，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為4.5%、0.8%、0.4%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例24)
除使用實施例12所得之液晶配向劑(AL-7)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分 鐘之△T，分別為6.8%、1.2%、0.7%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例25)
除使用實施例13所得之液晶配向劑(AL-8)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.9%、1.2%、0.8%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例26)
除使用實施例14所得之液晶配向劑(AL-9)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分 鐘之△T，分別為6.5%、1.2%、0.6%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例27)
除使用實施例15所得之液晶配向劑(AL-10)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。
於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為5.5%、1.1%、0.7%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例28)
除使用實施例16所得之液晶配向劑(AL-11)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分 鐘之△T，分別為7.3%、1.2%、0.6%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例29)
除使用實施例17所得之液晶配向劑(AL-12)以外，其他皆依實施例23相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為7.8%、1.4%、0.7%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例30)
實施例18所得之液晶配向劑(AL-13)使用1.0μm之過濾器過濾後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備之附有上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。介由偏光板將消光比26：1之 直線偏光的波長254nm之紫外線以0.5J/cm2照射此塗膜面。將此基板使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.5%、0.2%、0.2%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例31)
除使用實施例19所得之液晶配向劑(AL-14)以外，其他皆依實施例30相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特 性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為5.9%、0.3%、0.2%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例32)
除使用實施例20所得之液晶配向劑(AL-15)以外，其他皆依實施例30相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為4.9%、0.6%、0.3%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例33)
除使用實施例21所得之液晶配向劑(AL-16)以外，其他皆依實施例30相同之方法製作FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特 性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為6.3%、0.3%、0.2%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
(實施例34)
實施例22所得之液晶配向劑(AL-17)使用1.0μm之過濾器過濾後，使用旋轉塗佈方式塗佈於所準備之附有上述電極之基板與裏面形成ITO膜的具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，形成膜厚100nm的塗膜。此塗膜面於使用人造絲布摩擦(滾筒直徑：120mm、滾筒回轉數：1000rpm、移動速度：20mm/sec、壓入長度：0.3mm)之後，於異丙醇與純水之3/7混合溶劑中照射1分鐘超音波後進行洗淨，使用噴氣流去除水滴後，使用230℃的熱風循環式烘箱進行20分鐘之燒結，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片基板作為一組，於基板上印刷密封劑，將另一片基板，以面向液晶配向膜面之配向方向為0°之方式貼合後，使密封劑硬化而製得空晶胞。使用減壓注入法對此空晶胞注入液晶MLC-2041(莫克股份有限公司製)，將注入口密封，而製得FFS驅動液晶晶胞。其後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚。
對此FFS驅動液晶晶胞，進行長期交流驅動所造成之殘像評估之結果，得知長期交流驅動後之此液晶晶胞之角度△之值為0.3度以下，為良好結果。於評估電荷緩和特性之結果，交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘之△T，分別為4.0%、0.9%、0.5%，及0%。進行因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動下之最大平版電壓變化量為20mV以下，為良好結果。
[產業上之可利用性]
由本發明之液晶配向劑所得之液晶配向膜，可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積、提早緩和因直流電壓所蓄積之殘留電荷，此外，也可抑制抑制因交流驅動所造成之殘像，而具有優良殘像特性，適用作為IPS驅動方式或FFS驅動方式的液晶顯示元件或液晶電視之液晶配向膜。
特別是，本發明之液晶顯示元件，亦適用於大畫面且具有高精細度之液晶電視或中小型之導航系統或智慧型手機等。
又，2013年10月23日申請之日本專利申請2013-219840號之說明書、專利申請專利範圍，及摘要等全內容皆於本說明書中引用，而作為本發明之說明書之揭示內容。

Claims (24)

  1. 一種液晶配向劑，其特徵為，含有下述(A)成份，及(B)成份，(A)成份：具有由下述式[1A]及[1B]所成之群所選出之至少1種的結構之聚醯亞胺前驅物，及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物； (式中，XA及XC各自獨立表示經由熱而被氫原子所取代之保護基；XB表示單鍵或碳數1~40之有機基，此時，酯基(-COO-基)所鍵結之原子為碳原子)(B)成份：由下述含有式(B-1)之四羧酸二酐的四羧酸成份，與下述含有式(B-2)之二胺的二胺成份經聚縮合反應所得之聚醯胺酸及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種的聚合物； (式中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成之群所選出之至少1種類的結構之2價之有機基；B1及B2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之 烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
  2. 如請求項1之液晶配向劑，其中，前述式[1A]及[1B]所成之群所選出之至少1種之結構為，下述式[1a]、式[1b]或式[1c]之結構； (式[1a]中，Xa中，m為1之情形，表示氫原子或碳數1~20之有機基；Xb表示經由熱而被氫原子所取代之保護基；m表示1或2之整數；但，m為2之情形中，Xa不具有取代基；式[1b]中，Xc表示經由熱而被氫原子所取代之保護基；式[1c]中，Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基，Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基，Xf表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，n表示1~4之整數)。
  3. 如請求項2之液晶配向劑，其中，前述(A)成份為，由含有具有前述式[1a]、式[1b]及式[1c]所示結構所選出之至少1種之結構的二胺之二胺成份與四羧酸成份經聚縮合而得之聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺而得之聚醯亞胺所選出之至少一種的聚合物。
  4. 如請求項3之液晶配向劑，其中，前述二胺為下述式[1-1]所示之二胺； (式中，XD表示具有由前述式[1a]、式[1b]及式[1c]所成之群所選出之至少1種之結構的碳數5~50之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
  5. 如請求項4之液晶配向劑，其中，前述二胺為由下述式[1a-1]~式[1c-1]所成之群所選出之至少1種的二胺； (式[1a-1]中，X1表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基；但，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基；X2表示單鍵或碳數1~10之伸烷基；Xa中，m為1之情形，表示氫原子或碳數1~20之有機基；Xb表示經由熱而被氫原子所取代之保護基；m表示1或2之整數，此時，m為2之情形， Xa不具有取代基；p表示1~4之整數，q表示1~4之整數；式[1b-1]中，X3及X7各自獨立表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種；但，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基；X4及X6各自獨立表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，X5表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，Xc表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，r表示1~4之整數；式[1c-1]中，X8表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-、-CON(R2)-、-N(R3)CO-、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種；但，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子或碳數1~3之烷基；X9表示單鍵或碳數1~10之伸烷基，Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基，Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基，Xf表示經由熱而被氫原子所取代之保護基，n表示1~4之整數，s表示1~4之整數，t表示1~4之整數，式[1a-1]~式[1c-1]中，A1~A6各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)。
  6. 如請求項5之液晶配向劑，其中，前述二胺為由下述式[1d-1]~式[1d-5]所成之群所選出之至少1種的二胺； (式[1d-1]~式[1d-5]中，R1~R7各自獨立表示由下述式[a-1]~式[a-6]所成之群所選出之至少1種之結構，A1~A10各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基)； (式[a-2]中，R1表示碳數1~5之烷基)。
  7. 如請求項1~6中任一項之液晶配向劑，其中，前述(A)成份之聚合物為，由含有下述式[3-1]所表示之二胺的二胺成份與四羧酸成份經聚縮合而得之聚醯亞胺前驅物及該聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化所得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種； (式[3-1]中，XE表示由下述式[3a-1]~式[3a-10]所成之群所選出之至少1種之結構，A1及A2各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基) (式[3a-9]中，n表示1~5之整數)。
  8. 如請求項1~7中任一項之液晶配向劑，其中，前述四羧酸成份為下述式[4]所表示之四羧酸二酐； (Z表示由下述式[4a]~[4q]所成之群所選出之至少1種之結構) (式[4a]中，Z1~Z4各自獨立表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環，式[4g]中，Z5及Z6各自獨立表示氫原子或甲基)。
  9. 如請求項8之液晶配向劑，其中，前述四羧酸成份為，前述式[4]中之Z為由前述式[4a]、式[4e]~式[4g]、式[4l]、式[4m]或式[4p]所成之群所選出之至少1種的四羧酸化合物。
  10. 如請求項5~9中任一項之液晶配向劑，其中，前述(A)成份之聚合物中，前述式[1a-1]、式[1b-1]及式[1c-1]所示之二胺，於全二胺成份100莫耳%中，為5~30莫耳%。
  11. 如請求項1~10中任一項之液晶配向劑，其中，前述(B)成份中，前述式(B-1)所表示之四羧酸二酐，相對於全四羧酸成份1莫耳，為10~100莫耳%。
  12. 如請求項1~11中任一項之液晶配向劑，其中，前述(B)成份中，前述式(B-2)之二胺，相對於全二胺成份1莫耳，為10~100莫耳%。
  13. 如請求項1~12中任一項之液晶配向劑，其中，前述式(B-2)中之Y1為由具有下述式(YD-1)~式(YD-5)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種； (式(YD-1)中，E1為碳數3~15之含氮原子之雜環，Q1為氫原子，或可具有取代基之素數1~20之烴基；式(YD-2)中，W1為碳數1~10之烴基，E2為具有含氮原子之雜環的碳數3~15之1價之有機基，或被碳數1~6之脂肪族基所取代的二取代胺基；式(YD-3)中，W2為碳數6~15，且具有1~2個苯環之2價之有機基，W3為 碳數2~5之伸烷基或伸聯苯基，Q2為氫原子、碳數1~5之烷基，或苯環；a為0~1之整數；式(YD-4)中，E3為碳數3~15之含氮原子之雜環；式(YD-5)中，E4為碳數3~15之含氮原子之雜環，W5為碳數2~5之伸烷基)。
  14. 如請求項1~13中任一項之液晶配向劑，其中，前述式(YD-1)、式(YD-2)、式(YD-4)，及式(YD-5)記載之E1、E2、E3，及E4之碳數3~15之含氮原子之雜環，為由吡咯、吡咯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、哌啶、哌、吡啶、吡、吲哚、苯併咪唑、喹啉，及異喹啉所成之群所選出之至少1種。
  15. 如請求項1~14中任一項之液晶配向劑，其中，前述式(B-2)之Y1為由具有下述式(YD-6)~式(YD-21)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種； (式(YD-17)中，h為1~3之整數，式(YD-14)及式(YD-21)中，j為0~3之整數)。
  16. 如請求項15之液晶配向劑，其中，前述式(B-2)之Y1為由具有前述式(YD-14)及式(YD-18)所表示之氮原子的2價之有機基所成之群所選出之至少1種。
  17. 如請求項1~16中任一項之液晶配向劑，其中，前述(B)成份之聚合物，相對於前述(A)成份之聚合物100質量份，為40~250質量份。
  18. 如請求項1~17中任一項之液晶配向劑，其為含有由N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所成之群所選出之至少1種的溶劑。
  19. 如請求項1~18中任一項之液晶配向劑，其為含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁基醚、乙二醇單丁基醚及二丙二醇二甲基醚所成 之群所選出之至少1種的溶劑。
  20. 如請求項1~19中任一項之液晶配向劑，其為含有由，具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基之交聯性化合物、具有由羥基、羥烷基或低級烷氧基烷基所成之群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，及具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物所成之群所選出之至少1種。
  21. 一種液晶配向膜，其特徵為，將請求項1~20中任一項之液晶配向劑經塗佈、燒結而製得。
  22. 一種液晶配向膜，其特徵為，使用請求項1~20中任一項之液晶配向劑，經噴墨法而製得。
  23. 一種液晶配向膜，其特徵為，使用偏光之輻射線照射於請求項21或22之液晶配向膜上而製得。
  24. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具有請求項21~23中任一項之液晶配向膜者。
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