JPH1138415A

JPH1138415A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH1138415A
Application number: JP19570097A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Kobayashi; 節郎小林; Kazuhiko Yanagawa; 和彦柳川; Yasushi Tomioka; 安富岡; Junji Tanno; 淳二丹野; Tetsuya Nishio; 徹也西尾
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-07-22
Filing date: 1997-07-22
Publication date: 1999-02-12

Abstract

(57)【要約】【課題】ＡＣ残像による表示不良を無くして高品質の画
像表示を可能とする。【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持さ
れた液晶層を有し、前記一対の基板のうちの少なくとも
一方の基板には、当該基板にほぼ平行な電界を前記液晶
層に印加するための複数の電極と、前記複数の電極のう
ちの少なくとも一つを保護する保護膜と、前記保護膜あ
るいは前記電極を覆って形成された配向膜を有する液晶
表示素子において、前記配向膜のＡＣ残像が８％以下と
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板平面にほぼ平
行な方向に電界を印加して液晶を駆動する方式の液晶表
示素子に係り、特に純交流駆動による残像がなく、良好
な表示特性を有し、かつ生産性に優れた液晶表示素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示素子は、一対の基板間に
挟持された液晶層を駆動する電極が一対の基板のそれぞ
れに互いに対向する如く形成された透明電極から構成さ
れ、基板面にほぼ垂直な方向に形成した電界を印加して
液晶を駆動するツイステッドネマチック表示方式に代表
される縦電界方式を採用していた。

【０００３】これに対し、液晶に印加する電界の方向を
基板面にほぼ平行に形成する横電界方式が開発された。
この方式の一例として、上記基板面にほぼ平行に電界を
形成する電極を一方の基板に形成した櫛歯電極対を用い
たものが、例えば特公昭６３−２１９０７号公報、米国
特許明細書第４３４５２４９号、欧州特許９１／１０９
３６号、特開平６−２２２３９７号及び特開平６−１６
０８７８号公報等に開示されている。これらの公報等に
開示された電極は透明である必要はなく、導電性が高く
不透明な金属電極が用いられる。

【０００４】上記公報等に開示された液晶に印加する電
界の方向を基板面にほぼ平行な方向とする表示方式にお
いては、今までエッジドメインのような初期から存在す
る表示むらの低減方法が特開平７−１５９７８６号公報
により提案されているが、高温通電試験などのストレス
試験で発生する表示むらを無くし、かつ生産性を向上す
るために必要な構成等に関しては何ら言及されていな
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本願出願人等は、上記
した横電界方式の液晶表示素子について、５５°Ｃ等の
高温で通常のＡＣ駆動を行うことにより残像（これをＡ
Ｃ残像と言う）が発生し、これが表示不良をもたらすこ
とを見出した。

【０００６】この表示むらを解消するために本願出願人
等が鋭意努力した結果、当該ＡＣ残像がある％以下であ
れば観察されないことを確認した。そして、特定の配向
膜を用い、配向膜と液晶分子間の相互作用を大きくする
ことが上記表示むらに起因する表示不良に対して効果が
あることを見出した。

【０００７】また、基板との接着性を向上させるために
通常用いられている配向膜中のシランカップリング剤が
この表示むらに影響を与えていることも見出した。

【０００８】本発明の目的は、上記ＡＣ残像による表示
不良を無くして高品質の画像表示を可能とした液晶表示
素子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は下記（１）〜（６）に記載の構成としたこ
とを特徴とする。

【００１０】（１）一対の基板と、前記一対の基板間に
挟持された液晶層を有し、前記一対の基板のうちの少な
くとも一方の基板には、当該基板にほぼ平行な電界を前
記液晶層に印加するための複数の電極と、前記複数の電
極のうちの少なくとも一つを保護する保護膜と、前記保
護膜あるいは前記電極を覆って形成された配向膜を有す
る液晶表示素子において、前記配向膜のＡＣ残像を８％
以下とした。

【００１１】（２）前記液晶層の比抵抗を１０¹⁰Ω・ｃ
ｍ以上とした。

【００１２】（３）（１）または（２）における前記配
向膜を、少なくとも一方がアミン成分又は酸性文中に付
与された長鎖アルキル基の重量物が総モル数の５％以上
３０％以下のポリマー及びオリゴマのうち少なくとも一
方を含有する有機高分子とした。

【００１３】（４）（３）における前記ポリマー及びオ
リゴマの重量平均分子量を２０００以上３００００以下
とした。

【００１４】（５）（３）または（４）における前記ポ
リマー及びオリゴマに、主鎖型、末端型の少なくとも１
種以上の長鎖アルキレン基を含有させた。

【００１５】（６）（１）〜（５）における前記配向膜
を、長鎖アルキレン基を含むポリマーおよび／またはオ
リゴマーアミック酸イミド系、ポリマーおよび／または
オリゴマーアミドイミド系、ポリマーおよび／またはオ
リゴマーイミドシロキサン系、ポリマーおよび／または
オリゴマーアミドイミド系の有機高分子とした。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本発明は
以下の実施例によって本発明の特許請求の範囲が限定さ
れるものではない。

【００１７】〔実施例１〕図１は本発明による液晶表示
素子の第１実施例を説明する一方の基板の概略構造を示
す模式断面図である。

【００１８】図示した基板は横電界方式液晶表示素子の
電極形成側基板であって、１は共通電極、２はゲート絶
縁膜、３は画素電極、４はパッシベーション膜（絶縁
膜）、５は配向膜、７は電極形成側基板を構成するガラ
ス基板、１１は薄膜トランジスタ、１２は映像信号電極
を示す。

【００１９】また、図２は本発明による液晶表示素子の
第１実施例を説明する単位画素における各種電極の構成
を示す模式平面図であって、９は走査信号電極、１０は
非晶質Ｓｉである。

【００２０】研磨したガラス基板７の上に走査信号電極
９および共通電極１を形成し、走査信号電極９および共
通電極１の表面をアルミニウムＡｌの陽極酸化膜である
アルミナ膜で被覆する。

【００２１】走査信号電極９および共通電極１を覆うよ
うに窒化シリコンＳｉＮ膜からなるゲート絶縁膜２と非
晶質シリコンａ−Ｓｉ膜１０を形成し、このａ−Ｓｉ膜
１０上にｎ型ａ−Ｓｉ膜、画素電極３及び映像信号電極
１２を形成する。

【００２２】画素電極３および映像信号電極１２には下
地層にクロムＣｒ、上層にアルミニウムＡｌを用いた積
層電極を用いる。その膜厚は、併せて０．２μｍであ
る。

【００２３】走査信号電極９、共通電極１、画素電極３
および映像信号電極１２の材料は、特に上記の材料に限
定されるものではなく、電気抵抗の低い金属材料であれ
ば制限はない。例えば、クロム、アルミニウム、銅、ニ
オブ等の金属、ＣｒＭｏやＡｌＴｉＴａ等の合金、ある
いは下地層にアルミニウム、上層にクロムを用いた積層
構造であってよい。

【００２４】画素電極３および映像信号電極１２は、図
２に示したように何れもストライプ状の共通電極１と平
行で走査信号電極９と交差するような構造とし、一方の
基板上にトランジスタ素子（薄膜トランジスタＴＦＴ）
１１および金属電極群が形成される。

【００２５】これらによって一方の基板上の画素電極３
と共通電極１間に形成される電界が基板面にほぼ平行に
なるように形成される。

【００２６】電極配置は図２に示したものに限るもので
はなく、画素内に液晶の駆動方向を２方向とするための
構造、例えば共通電極１と画素電極３とをジグザグ構造
としたもの、あるいは共通電極１と画素電極３が映像信
号電極１２と非平行とした構造でも良い。

【００２７】画素数は１０２４（×３）×７６８で、画
素ピッチは横方向（すなわち、共通電極間）で８８μ
ｍ、縦方向（すなわち、走査信号電極間）で２６４μｍ
である。また、このトランジスタ素子を有する基板に相
対向する基板（図示せず）上にはストライプ状のＲ，
Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタを備える。

【００２８】このカラーフィルタの上には表面を平坦化
する透明樹脂が積層される。この透明樹脂の材料として
はエポキシ樹脂を用いる。更に、この透明樹脂上にポリ
イミド系の配向膜を塗布している。

【００２９】図３は本発明による液晶表示素子の第１実
施例の駆動構造を説明する等価回路図であって、１３は
垂直走査回路、１４は映像信号駆動回路、１５は電源回
路／コントローラ、１７は表示部（液晶パネル）、１８
は共通電極駆動回路である。表示部１７には駆動ＬＳＩ
が接続され、垂直走査回路１３、映像信号駆動回路１４
が接続され、電源回路／コントローラ１５から走査信号
電圧、映像信号電圧、タイミング信号等が供給されて画
像表示が行われる。

【００３０】図４は本発明による液晶表示素子のラビン
グ角度と偏光板の角度の説明図であって、６は電界方
向、１９はラビング方向、２０は偏光板透過軸である。

【００３１】図において、上下基板（カラーフィルタ形
成側基板と電極形成側基板）に設けた配向膜のラビング
方向１９は互いにほぼ平行で、かつ印加される電界方向
６とのなす角度ｆ_LCは７５°である。

【００３２】液晶パネルの上下には２枚の偏光板（例え
ば、日東電工社製の商品名Ｇ１２２０ＤＵ）が設置さ
れ、一方の偏光板の偏光透過軸をラビング方向１９とほ
ぼ平行、すなわち７５°とし、他方の偏光板の偏光透過
軸をラビング方向１９とほぼ直交（−１５°）とする。
これにより、ノーマリークローズ特性を得た。

【００３３】基板間には、その末端に３つのフルオロ基
を有する化合物を主成分とする誘電異方性Δεが正の液
晶を挟持させる。パッシベーション膜４にはＳｉＮを用
い、その膜厚を０．５μｍとする。このパッシベーショ
ン膜４の形成にはプラズマＣＶＤを用いた。その成膜に
は約２５分間を要した。

【００３４】配向膜５には、２、２−ビス［４−（ｐ−
アミノフェノキン）フェニルプロパン］とピロメリット
酸二水物からなるポリイミド配向膜を用いる。その膜厚
は５０ｎｍである。

【００３５】この他の配向膜材料としては、テトラカル
ボン酸二水物と共重合させるアミンとして、フェニレン
ジアミン、ジフェニレンジアミン、トリフェニレンジア
ミン、式

【００３６】

【化１】

【００３７】（式１中、Ｘは直接結合、−Ｏ−，−ＣＨ
₂−，−ＳＯ₂−，−ＣＯ−，−ＣＯ₂−，−ＣＯＮＨ
−を示す）で表される化合物、もしくは、例えば、下記
一般式

【００３８】

【化２】

【００３９】（式１中、Ｘは直接結合）で表される構造
を持つ化合物、例えば、ビス（アミノフェノキン）ジフ
ェニル化合物等が用いられる。

【００４０】具体的には、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ
−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノターフェニ
ル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルベンゾエート、４，４’−ジアミノジフェニル
メタン、２，２’−（４，４’−ジアミノジフェニル）
プロパン、４，４’−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、４，４’−ビス（ｍ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４，４’−ビス（ｐ−アミ
ノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス
（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルケトン、４，４’
−ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルメタン、
２，２’−［４，４’−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）
ジフェニル］プロパンまた、式

【００４１】

【化３】

【００４２】で表される４，４’−ジアミノ−３−カル
バモイルジフェニルエーテル、また下記式のジアミノシ
ロキサン化合物がある。

【００４３】

【化４】

【００４４】また、上記と共重合されることが可能なハ
ロゲン基を含まないジアミンとしては、例えば、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド、３−３’ジアミノジフェニルスルホン、３−３’ジ
メチル−４−４’ジアミノジフェニルエーテル、１，６
−ジアミノヘキサン、２−２’−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）ジフェニル］プロパン、２−２’−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、２
−２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、２−２’−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］ケトン、２−２’−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ビフェニル、２−２’
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］シク
ロヘキサン、２−２’−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］メチルシクロヘキサン、ビス［４−
（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸］プロパン、
ビス［４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸］
シクロヘキサン、ビス［４−（４−アミノベンゾイルオ
キシ）安息香酸］メチルシクロヘキサン、ビス［４−
（４−アミノメチルベンゾイルオキシ）安息香酸］プロ
パン、ビス（４−アミノベンゾイルオキシ）プロパン、
ビス（４−アミノベンゾイルオキシ）メタン、ビス［２
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス
［２−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフ
ェニル］メタン、ビス［２−（４−アミノフェノキシ）
−３，４，５−トリメチルフェニル］メタン、ビス［２
−（４−アミノフェノキシ）−３，５，６−トリメチル
フェニル］メタン、ビス［２−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジエチルフェニル］メタン、ビス［２−
（４−アミノフェノキシ）−５−ｎ−プロピルフェニ
ル］メタン、ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−５
−イソプロピルフェニル］メタン、ビス［２−（４−ア
ミノフェノキシ）−５−メチル−３−イソプロピルフェ
ニル］メタン、ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−
５−ｎ−ブチルフェニル］メタン、ビス［２−（４−ア
ミノフェノキシ）−５−イソブチルフェニル］メタン、
ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−３−メチル−５
−ｔ−ブチルフェニル］メタン、ビス［２−（４−アミ
ノフェノキシ）−５−シクロヘキシルフェニル］メタ
ン、ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−３−メチル
−５−シクロヘキシルフェニル］メタン、ビス［２−
（４−アミノフェノキシ）−５−メチル−３−シクロヘ
キシルフェニル］メタン、ビス［２−（４−アミノフェ
ノキシ）−５−フェニルフェニル］メタン、ビス［２−
（４−アミノフェノキシ）−３−メチル−５−フェニル
フェニル］メタン、１，１−ビス［２−（４−アミノフ
ェノキシ）−５−メチルフェニル］メタン、１，１−ビ
ス［２−（４−アミノフェノキシ）−５−ジメチルフェ
ニル］エタン、１，１−ビス［２−（４−アミノフェノ
キシ）−５−メチルフェニル］プロパン、１，１−ビス
［２−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフ
ェニル］プロパン、２，２−ビス［２−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［２−
（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニ
ル］プロパン、１，１−ビス［２−（４−アミノフェノ
キシ）−５−メチルフェニル］ブタン、２，２−ビス
［２−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフ
ェニル］ブタン、１，１−ビス［２−（４−アミノフェ
ノキシ）−５−メチルフェニル］−３−メチルプロパ
ン、１，１−ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジメチルフェニル］シクロヘキサン、１，１−
ビス［２−（４−アミノフェノキシ）−５−メチルフェ
ニル］−３−３−５−トリメチルシクロヘキサン等のジ
アミン、更に、ジアミノシロキサンなどが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。

【００４５】一方、長鎖アルキレン基を有する酸成分の
化合物およびその他共重合可能な化合物は、例えば、オ
クチルコハク酸二無水物、ドデシルコハク酸二無水物、
オクチルマロン酸二無水物、デカメチレンビストリメリ
テート酸二無水物、デカメチレンビストリメリテート二
無水物、２，２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］オクチルテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシベンゾ
イルオキシ）フェニル］トリデカンテトラカルボン酸二
無水物、２，２−ビス［４−（３、４−ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル］トリデカンテトラカルボン酸二無
水物、ステアリン酸、ステアリン酸クロライド、ピロメ
リット酸二無水物、メチルピロメリット酸二無水物、
３、３’、４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、ジメチレントリメリテート酸二無水物、３、
３’、４、４’−ビスシクロヘキサンテトラカルボン酸
二無水物、３、３’、４、４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、３、３’、４、４’−ジフェニル
メタンテトラカルボン酸二無水物、３、３’、４、４’
−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３、
３’、４、４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、２、３、６、７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、３、３’、４、４’−ジフェニルプロパン
テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス［４−（３、
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパンテト
ラカルボン酸二無水物、２，２−ビス［４−（３、４−
ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプ
ロパンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス［４−
（３、４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］
プロパンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテ
トラカルボン酸二無水物、１、２、３、４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ（２、２、２）
オクタ−７−エン−２、３、５、６−テトラカルボン酸
二無水物、１、２、３、４−シクロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物、１、２、３、４−ブタンテトラカルボ
ン酸二無水物などを挙げることができる。

【００４６】また、配向膜の形成は印刷法だけでなく、
スピン塗布法やバーコート法などの湿式法でも簡便に形
成することができる。但し、通常の配向膜と同様に印刷
法で形成すると膜形成後のパターニング等が不要とな
り、特に生産性を向上することができる。

【００４７】このようにして作成した液晶表示素子の純
交流駆動による残像の有無は、純交流駆動時のＢ−Ｖ特
性（輝度−電圧特性）の変化（通常駆動で輝度が最大表
示になるように白表示をして３０分保持した後、同じよ
うに輝度−電圧特性を測定したときの中間調での初期輝
度Ｂと３０分保持後の輝度Ｂの変化）が生じるか否かを
測定することで直接判断することができる。すなわち、
Ｂ−Ｖ特性に変化が生じた場合、それは異なった表示を
行った二つの領域で表示後のＢ−Ｖ特性がそれぞれ異な
り、同一電圧を入力してもＢ−Ｖ特性に差があるため、
上記二つの領域には輝度差が生じ、これが残像として観
測されることになる。

【００４８】図５はＢ−Ｖ特性の変動を評価するための
測定系の構成図であって、２１は恒温槽、２２は観察窓
（ガラス窓）、２３はディジタルマルチメーター、２４
は計測制御器、２５は試料（液晶表示素子）、２６はバ
ックライト、２７はコモン電圧電源、２８は信号電圧
源、２９はゲート電圧電源である。

【００４９】試料である液晶表示素子２５はバックライ
ト２６と共に４時間以上温度を安定させてから測定す
る。液晶パネル２５は０Ｖのコモン電圧により、直流成
分０の純交流駆動（ＡＣ駆動）される。

【００５０】液晶表示素子２５のゲートはＤＣ駆動を行
いゲートには＋１６Ｖを入力する。コモン電圧は０Ｖの
一定値とした。輝度系からの出力はディジタルマルチメ
ーターにより計測制御器２４に輝度値として入力する。

【００５１】そして、下記（１）〜（３）の手順によ
り、交流駆動前後でのＢ−Ｖカーブの変動を測定する。

【００５２】（１）信号電圧Ｖ_sigを０Ｖから上げなが
ら順次輝度Ｂ_b（Ｖ_sig）を測定する。

【００５３】（２）輝度が最大となる信号電圧Ｖ_maxで
３０分駆動する。

【００５４】（３）信号電圧Ｖ_sigをＶ_maxから０Ｖま
で下げながら順次輝度Ｂ_a（Ｖｓｉｇ）を測定する。

【００５５】これにより、純交流駆動前後での輝度変動
値ΔＢ（Ｖ_sig）が ΔＢ（Ｖ_sig) （％）＝［Ｂ_a（Ｖ_sig) −Ｂ_b（Ｖ_sig) ］／Ｂ_b（Ｖ_sig）・・（１）を得ることができる。

【００５６】なお、測定は５５°Ｃで行った。その結
果、ΔＢ（Ｖ_sig) が８％以下で良好な表示特性が得ら
れた。

【００５７】配向膜の形成時に、ＵＶ／オゾン照射等の
方法により基板の塗れ性を向上させると、配向膜がより
全面均一に形成し易くなり、電極のカバレージはさらに
向上する。また、パッシベーション膜がある程度薄い方
がクラックが大きくなり、クラック内の塗れ性をＵＶ／
オゾン照射等の方法で向上させ易くなるため、配向膜に
よるカバレージが更に向上する。

【００５８】次に、本発明の第２実施例〜第１０実施例
について、表１を参照して説明する。

【００５９】

【表１】

【００６０】〔実施例２〜１０〕下記の事項以外は実施
例１と同様に液晶表示素子を作製し、評価した。すなわ
ち、配向膜の膜厚を０．３μｍとし、パッシベーション
膜の形成に要した時間は約１５分である。

【００６１】このように作製した液晶表示素子を５５°
Ｃで５００時間中間調表示しても表示不良は発生しなか
った。

【００６２】この液晶表示素子について、そのＡＣ残像
を測定したところ「表１」に示したようになった。

【００６３】また、「Ｈ］パターンを３０分表示させた
後、黒表示をした時の残像を０〜４０°Ｃ、５５°Ｃで
目視観察した結果を「表２」に示す。

【００６４】

【表２】

【００６５】「表１」と「表２」から、ＡＣ残像が８〜
１２％のものは使用温度領域で比較的早く残像がなくな
るが、ＡＣ残像が８％以下では残像が高温、使用温度領
域の何れでも発生せず、良好な表示品質を保っているこ
とが分かる。

【００６６】上記本発明の各実施例の効果を比較するた
めの「比較例」を説明する。

【００６７】〔比較例１〕下記の事項以外は「実施例
１」と同様に液晶表示素子を作製し、評価した。

【００６８】すなわち、ｍ−フェニレンジアミン１．０
モル％をＮ−メチル−２−ピロリドン中に溶解させ、こ
れに１、５ビス［４−（３、４−ジカルボキシベンゾイ
ルオキシ）フェニル］デカフルオロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物０．１モルを加え、４０°Ｃで２時間反
応させ、標準ポリスチレン換算重量平均分子量が約４０
００の側鎖型のフルオロ基を含むオリゴマを合成し、さ
らに、１、２、３、４−ブタンテトラカルボン酸二無水
物０．９モルを加えて２０°Ｃで８時間、１３０°Ｃで
１時間反応させ、フルオロ基を含むオリゴマの割合が約
１０％のポリ−オリゴマ−アミック酸イミドワニスを得
た。このワニスを６％濃度に希釈してγ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランを固形分で０．３重量％添加後、
印刷形成して２００°Ｃ、３０分の熱処理を行い、約７
０ｎｍの配向膜を形成した。

【００６９】このようにして作製した得表示素子を上記
と同様に測定したところ、ＡＣ残像は１２％以上で、残
像が残る。

【００７０】〔比較例２〕下記の事項以外は「実施例
１」と同様にして液晶表示素子を作製し、評価した。

【００７１】すなわち、３、４−ジカルボキシ−１、
２、３、４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸二
無水物、ｐ−フェニレンジアミン、１−ヘキサデカノキ
シ２，４−ジアミノベンゼンをＮ−メチル−２−ピロリ
ドン中、室温で１０時間反応させてポリアミック酸中間
体溶液を調整した。

【００７２】このポリアミック酸中間体溶液にイミド化
触媒として無水酢酸、ピリジンを加え、５０°Ｃで３時
間反応させ、ポリイミド樹脂を調整した。このワニスを
６％濃度に希釈して印刷形成し、２００°Ｃ、３０分の
熱処理を行い、約７０ｎｍの配向膜を形成した。

【００７３】これを評価したところ、ＡＣ残像は１０％
で、使用温度領域では若干の残像が残り、５５°Ｃとい
う高温では残像が残った。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
側鎖型に構造を持たないポリイミド配向膜を用いること
によって、一対の基板とこの一対の基板間に挟持された
液晶層を有し、前記一対の基板のうちの少なくとも一方
の基板には当該基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加
するための複数の電極と、この複数の電極のうちの少な
くとも一つを保護するために形成した保護膜、およびこ
の保護膜あるいは前記電極上に形成した配向膜を有する
液晶表示素子におけるＡＣ残像が抑制され、表示むらの
無い高品質の画像表示を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示素子の第１実施例を説明
する一方の基板の概略構造を示す模式断面図である。

【図２】本発明による液晶表示素子の第１実施例を説明
する単位画素における各種電極の構成を示す模式平面図
である。

【図３】本発明による液晶表示素子の第１実施例の駆動
構造を説明する等価回路図である。

【図４】本発明による液晶表示素子のラビング角度と偏
光板の角度の説明図である。

【図５】Ｂ−Ｖ特性の変動を評価するための測定系の構
成図である。

【符号の説明】

１共通電極２ゲート絶縁膜３画素電極４パッシベーション膜（絶縁膜）５配向膜７電極形成側基板を構成するガラス基板１１薄膜トランジスタ１２映像信号電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者丹野淳二千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者西尾徹也千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持さ
れた液晶層を有し、前記一対の基板のうちの少なくとも
一方の基板には、当該基板にほぼ平行な電界を前記液晶
層に印加するための複数の電極と、前記複数の電極のう
ちの少なくとも一つを保護する保護膜と、前記保護膜あ
るいは前記電極を覆って形成された配向膜を有する液晶
表示素子において、前記配向膜のＡＣ残像が８％以下であることを特徴とす
る液晶表示素子。
【請求項２】前記液晶層の比抵抗が１０¹⁰Ω・ｃｍ以上
であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素
子。
【請求項３】前記配向膜が、少なくとも一方がアミン成
分又は酸性文中に付与された長鎖アルキル基の重量物が
総モル数の５％以上３０％以下のポリマー及びオリゴマ
のうち少なくとも一方を含有する有機高分子であること
を特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】前記ポリマー及びオリゴマの重量平均分子
量が２０００以上３００００以下であることを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示素子。
【請求項５】前記ポリマー及びオリゴマが、主鎖型、末
端型の少なくとも１種以上の長鎖アルキレン基を含有す
ることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示
素子。
【請求項６】前記配向膜が、長鎖アルキレン基を含むポ
リマーおよび／またはオリゴマ−アミック酸イミド系、
ポリマーおよび／またはオリゴマ−アミドイミド系、ポ
リマーおよび／またはオリゴマ−イミドシロキサン系、
ポリマーおよび／またはオリゴマ−アミドイミド系の有
機高分子であることを特徴とする請求項１〜５の何れか
に記載の液晶表示素子。