JPH1010535A - 液晶用平坦化兼配向制御膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶表示素子において、基板間ギャップの変
動に伴う表示特性変動を低減させ、製作プロセス余裕度
を増し、表示むらの少ない高画質の液晶表示素子を提供
する。 【構成】 液晶組成物を狹持する配向制御層の配向膜に
単層の膜厚が０．５μｍ以上および重量平均分子量が２
０，０００以下のイミド環含有有機高分子を用いること
により、基板間ギャップの変動に伴う表示特性変動を低
減することができる平坦化兼配向制御膜。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、凹凸形状の基板に
対し配向制御層の膜厚が０．５μｍ以上の配向膜におい
て、表示むらの低減および高コントラスト化が可能な液
晶用平坦化兼配向制御膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、液晶に印加する
電界の方向が基板界面にほぼ垂直な方向に設定されたア
クティブマトリクス型ツイステッドネマチック（ＴＮ）
表示方式およびス−パ−ツイストネマチック（ＳＴＮ）
表示方式を製品化している。これらの表示方式を縦電界
方式と称する。一方、液晶に印加する電界の方向を基板
界面にほぼ平行にする方式（横電界方式）として、櫛歯
電極を用いた例えば特公昭６３−２１９０７、特開平５
−５０５２４７により提案されている。この横電界方式
は従来のＴＮ方式、ＳＴＮ方式に比べて視野角が広いな
どの利点があり注目されつつあるが、未だアクティブマ
トリクス型液晶表示装置としては製品化されていないの
が現状である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の縦電界方式を用
いた液晶表示装置の場合でも、液晶表示素子の高精細、
高速応答性、大画面化を可能にするため、液晶素子の厚
みを５μｍ以下の狭ギャップ化にする方向で進められて
いる。それを達成するには、各々基板の凹凸構造を平坦
化にして液晶素子のギャップを均一にする技術が必要で
ある。更に、例えば広視野角で優れている横電界方式の
場合について説明すると、ＴＮ方式と同等の特性を得る
ためには、光の光路長であるリタ−デ−ション（Δｎ
ｄ、Δｎは液晶の屈折率異方性、ｄは液晶層の厚み）を
４分の１波長程度（例えば０．３２μｍ）にしなければ
ならない。一方、現状で市販されている実用的な液晶の
Δｎの最小値は０．０８程度であることから、ｄの値は
４μｍ付近となる。これらの厚みは、市販されている多
くの液晶素子に比べて非常に小さいギャツプ値である。
この狭ギャップ化を困難にする要素の一つに、基板の凹
凸形状によるギャッププロセスマ−ジンが狭い問題があ
る。即ち、液晶素子の厚みが小さくなるとギャツプの不
均一による輝度むらが顕著となり、歩留まりの低下で量
産性が低減する要因となっている。そこで、平坦性、配
向性、光透過性を同時に満足する配向膜を見出し、液晶
素子に適用する必要がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは前
記課題を解決すべく鋭意検討した結果、凹凸形状の基板
に対し配向制御層の膜厚が０．５μｍ以上の配向膜にお
いて、表示むらの低減および高コントラスト化が可能な
液晶用平坦化兼配向制御膜を完成するに至った。

【０００５】この液晶用平坦化兼配向制御膜は、少なく
とも一方が透明で両者にほぼ一定のギャップを与えるス
ペ−サビ−ズを挟持してなる一対の基板と、該基板間に
配置された液晶組成物層と、該液晶層に主として該基板
面に垂直もしくは平行な電界を印加する電極群と、該液
晶層と該対基板の界面において液晶分子をほぼ同一方向
に配向制御する配向膜の手段と、該液晶層の分子配向状
態に応じて光学特性を変える偏向板等の光学手段と、該
電極群に所定電圧波形を発生させる矩形波等の駆動手段
を具備する液晶素子において用いられるもるである。

【０００６】すなわち、本発明は、少なくとも一方が凹
凸形状を有する一対の基板に塗布したネマチック液晶組
成物を挟持する配向制御層の配向膜が、単層の膜厚０．
５μｍ以上でかつ波長４００〜８００ｎｍの範囲におい
てその光透過率９０％以上であるイミド環含有有機高分
子を含むものであることを特徴とする液晶用平坦化兼配
向制御膜である。そして、前記イミド環含有有機高分子
としては、例えば平均分子量２０，０００以下、樹脂分
濃度が１５重量％以上でワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以
下のものが用いられる。

【０００７】さらに、前記イミド環含有有機高分子とし
ては、一環から成る剛直性のジアミンおよび／またはジ
ヒドラジドを含有化合物と、脂肪族テトラカルボン酸二
無水物および／または脂環式テトラカルボン酸二無水物
を含有する化合物との反応生成物が用いられ、前記アミ
ン含有化合物としては、例えばジアミノジフェニルスル
フィドが挙げられる。

【０００８】また、前記イミド環含有有機高分子として
は、主鎖、側鎖または末端に炭素数８〜２０のアルキレ
ン基含有のポリマおよび／またはオリゴマを反応生成物
の総モル数の３０％以下を含むものが挙げられる。ま
た、前記イミド環含有有機高分子としては、アミック酸
イミド系、イミド系、イミドシロキサン系、アミドイミ
ド系の有機高分子が用いられる。

【０００９】本発明の基板の凹凸の平坦化配向技術の平
坦性、配向性、光透過性が同時に達成される平坦化兼配
向制御膜が開発できたことにより、液晶素子のギャップ
の均一化が少量のスペ−サビ−ズにより図れ、輝度むら
の低減およびコントラストの向上が図れた。従って、本
発明の内容ではプロセスの簡略化も含め横電界方式で特
に効果が顕著なため以下に説明するとおり、縦電界方式
と称するアクティブマトリクス型ツイステッドネマチッ
ク（ＴＮ）表示方式およびス−パ−ツイストネマチック
（ＳＴＮ）表示方式のカラ−フィルタ−部、電極部の両
方もしくは一方にも適用することもできる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、特に有効な横電界方式
の液晶素子について動作原理を図１を用いて説明する。
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の１例となる液晶素子内で
の液晶の動作を示す側断面を、図１（ｃ）、（ｄ）はそ
の正面図をそれぞれ表す。本発明を用いた表示素子は一
般に複数の画素で構成されるが、ここでは一画素部分の
みを示した。電圧無印加時のセル側断面を図１（ａ）
に、その時の正面図を図１（ｃ）に示す。一対の基板の
内側に線状の電極４、１が形成され、その基板表面の平
坦化兼配向制御膜５の両側もしくは片側となっており、
基板間には液晶組成物が挟持されている。棒状の液晶分
子６は、平坦化兼配向制御膜５との結合により両基板界
面において共に電極４、１長手方向（図１（ｃ）正面
図）に若干の角度をもつ方向１０の向きに配向制御され
ており、電界無印加時には液晶層内でほぼ一様にこの方
向に向いた状態となっている。ここで、駆動手段により
画素電極４と共通電極１のそれぞれに異なる電位を与え
それらの間の電位差により液晶組成物層に電界９を印加
すると、液晶組成物が持つ誘電異方性と電界との相互作
用により図１（ｂ）、（ｄ）に示したように液晶分子は
電界方向にその向きを変える。この時液晶組成物層の屈
折率異方性と偏光手段８の作用により液晶素子の光学特
性が変化する。

【００１１】次に、基板間のセルギャップが特に輝度む
らに影響する理由としては、図２に模式的に示すよう
に、液晶素子の電極間に加える電圧を変化させた時に表
示輝度の変化が発生するためである。即ち、液晶素子は
基板上に形成される各種の電極や薄膜トランジスタによ
る凹凸、スペ−サ−ビ−ズの分散不良などにより０．３
〜１．０μｍ程度の基板間ギャツプの変動（±Δｄ）が
生じ、しきい値電圧Ｖｃは基板間ギャップに影響し、更
に、基板間ギャップが中心値ｄから±Δｄ変化した場合
のしきい値電圧の変化ΔＶｃおよび表示輝度が最大輝度
値の半分となる電圧ΔＶ５０にも特に影響し輝度むらが
起こる要因となっている。

【００１２】そこで、本発明者らは輝度変動が低減可能
な平坦化兼配向膜を見出すべく鋭意検討した結果、従来
の膜厚が０．１μｍ以下で且つ重量平均分子量が大きい
配向膜とは異なり、本発明では単層の膜厚が０．５μｍ
以上で且つ重量平均分子量が２０，０００以下のイミド
環含有有機高分子、更には波長４００〜８００ｎｍの範
囲において光透過率が９０％以上および樹脂分濃度が１
５重量％以上でワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下の有機
高分子を配向制御膜とすることにより、平坦性、配向性
および光透過性が同時に達成することができる平坦化兼
配向膜を見出し本発明に至った。ここで、単層の膜厚が
０．５μｍ以下では凸凹形状の平坦性が満足されず、イ
ミド環含有有機高分子の重量平均分子量が２０，０００
以上の場合には平坦性の特性が低下する。更には波長４
００〜８００ｎｍの範囲において光透過率が９０％以下
では液晶表示素子に着色が起こりコントラスト等が低下
することとなり、有機高分子の樹脂分濃度が１５重量％
以下では０．５μｍ以上の膜が形成しにくくまた有機高
分子のワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以上では平坦性の特
性が低下する。

【００１３】また、本発明は基板の凹凸の平坦性が配向
膜により達成されるため、セルギャップをコントロ−ル
するスペ−サ−ビ−ズが図３に示すように少量で制御が
可能となり、液晶素子のコントラストも大幅に向上する
ことが可能となった。本発明に用いるアミン成分の化合
物およびその他共重合可能な化合物は例えば、１、８−
ジアミノオクタン、１、１０−ジアミノデカン、１、１
２−ジアミノドデカン、２、４−ジアミノ−３−メチル
−ステアリルフェニルエ−テル、２、４−ジアミノ−ラ
ウリルフェニルエ−テル、２、４−ジアミノ−パルミチ
ルフェニルエ−テル、２、４−ジアミノ−１−オクチル
オキシベンゼン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕オクタン、２、２−ビス〔４−（ｐ
−アミノフェノキシ）フェニル〕トリデカン、２、２−
ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタ
デカン、ビス〔４−（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）安
息香酸〕オクタン、ビス〔４−（ｐ−アミノベンゾイル
オキシ）安息香酸〕デカン、ビス（ｐ−アミノベンゾイ
ルオキシ）ノナン、ビス（ｐ−アミノベンゾイルオキ
シ）デカン、ビス（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）ドデ
カン、ビス（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）オクタデカ
ン、セバシン酸ジヒドラジド、４−フルオロ−メタフェ
ニレンジアミン、２、２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２、２−
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン、２、２−ビス〔４−（２−アミノフ
ェノキシ）−３、５−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ベンゼン、４、４´−ビス（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、４、４´−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、ｐ−フェニレン
ジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４、４´−ジアミ
ノジフェニルエ−テル、４、４´−ジアミノジフェニル
メタン、３、３´−ジアミノジフェニルメタン、４、４
´−ジアミノジフェニルスルフィド、３、４´−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、３、３´−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、４、４´−ジアミノジフェニルプロパ
ン、４、４´−ジアミノジフェニルスルホン、３、３´
−ジアミノジフェニルスルホン、１、５−ジアミノナフ
タレン、４、４´−ジアミノタ−フェニル、１、１−メ
タキシリレンジアミン、１、４−ジアミノシクロヘキサ
ン、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラ
ジド、アジピン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジ
ド、３、３´−ジメチル−４、４´−ジアミノジフェニ
ルメタン、３、３´−ジブトキシ−４、４´−ジアミノ
ジフェニルメタン、２、４−ジアミノ−１−メトキシメ
チレンベンゼン、３、３´−ジメチル−４、４´−ジア
ミノジフェニルエ−テル、３、３´−ジメチル−２、２
´−ジアミノジフェニルメタン、２、２−ビス〔４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２、２
−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕メタン、ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕ケトン、２、２−ビス〔４−
（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ビフェニル、２、
２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕シ
クロヘキサン、２、２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノ
キシ）フェニル〕メチルシクロヘキサン、ビス〔４−
（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸〕プロパン、
ビス〔４−（ｍ−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸〕
プロパン、ビス〔４−（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）
安息香酸〕シクロヘキサン、ビス〔４−（ｐ−アミノベ
ンゾイルオキシ）安息香酸〕メチルシクロヘキサン、ビ
ス〔４−（ｐ−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸〕メ
タン、ビス〔４−（ｍ−アミノベンゾイルオキシ）安息
香酸〕ブタン、ビス〔４−（ｐ−アミノメチルベンゾイ
ルオキシ）安息香酸〕プロパン、ビス〔４−（ｐ−アミ
ノベンゾイルオキシ）安息香酸〕ヘプタン、ビス（ｐ−
アミノベンゾイルオキシ）プロパン、ビス（ｐ−アミノ
ベンゾイルオキシ）メタン、ビス（ｐ−アミノベンゾイ
ルオキシ）ヘプタン、１、４−ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、ジアミノシロキサン、アミノシロキサ
ンなどが挙げられ、平坦性および配向性を確保するには
一環から成る剛直性のジアミンおよび／またはジヒドラ
ジド、ジアミノジフェニルスルフィドが特に優れ、長鎖
アルキレン基もしくはフルオロ基含有のジアミンを使用
する場合には反応生成物の総モル数の３０％以下とする
ことが好ましい条件である。これらの化合物は、いずれ
も公知の化合物でありそしてこれら化合物は市販品ある
いは公知の方法により合成できるものである。

【００１４】一方、酸成分の化合物およびその他共重合
可能な化合物は例えば、オクチルコハク酸二無水物、ド
デシルコハク酸二無水物、オクチルマロン酸二無水物、
デカメチレンビストリメリテ−ト酸二無水物、ドデカメ
チレンビストリメリテ−ト酸ニ無水物、２、２−ビス
〔４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
オクチルテトラカルボン酸二無水物、２、２−ビス〔４
−（３、４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕トリデカンテトラカルボン酸二無水物、２、２−ビ
ス〔４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル〕トリデカンテトラカルボン酸二無水物、２、２−ビ
ス〔４−（３、４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水
物、２、２−ビス〔４−（３、４−ジカルボキシベンゾ
イルオキシ）−３、５−ジメチルフェニル〕ヘキサフル
オロプロパンテトラカルボン酸二無水物、１、５−ビス
〔４−（３、４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕デカフルオロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、１、３−ビス〔４−（３、４−ジカルボキシベンゾ
イルオキシ）フェニル〕ヘキサフルオロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、メチル
ピロメリット酸二無水物、３、３′、４、４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、ジメチレントリメリテ
−ト酸ニ無水物、３、３′、４、４′−ビスシクロヘキ
サンテトラカルボン酸二無水物、３、３′、４、４′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３、３′、
４、４′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水
物、３、３′、４、４′−ジフェニルエ−テルテトラカ
ルボン酸二無水物、３、３′、４、４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物、２、３、６、７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、３、３′、４、
４′−ジフェニルプロパンテトラカルボン酸二無水物、
２、２−ビス〔４−（３、４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル〕プロパンテトラカルボン酸二無水物、
２、２−ビス〔４−（３、４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕プロパンテトラカルボン酸二無水
物、１、２、３、４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物、ビシクロ（２、２、２）オクタ−７−エン−
２、３、５、６−テトラカルボン酸二無水物、１、２、
３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
１、２、３、４−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無
水物、１、２、３、４−ブタンテトラカルボン酸二無水
物などが挙げられ、平坦性および光透過性を確保するに
は、脂肪族テトラカルボン酸二無水物、脂環式テトラカ
ルボン酸二無水物が特に優れ、長鎖アルキレン基もしく
はフルオロ基含有のテトラカルボン酸二無水物を使用す
る場合には反応生成物の総モル数の３０％以下とするこ
とが好ましい条件である。これらの化合物は、いずれも
公知の化合物でありそしてこれら化合物は市販品あるい
は公知の方法により合成できるものである。

【００１５】本発明で用いられるポリイミドの製造法は
以下の通りである。まず、アミン成分とテトラカルボン
酸二無水物の反応に当たってのアミン成分のモル数と酸
成分の配合モル比は０．８〜１．２、好ましくは０．９
５〜１．０５、さらに好ましくは両者等モルである。ジ
アミンおよび／またはジヒドラジドとテトラカルボン酸
二無水物との反応は不活性溶媒中で行われる。この不活
性溶媒としては、前記ジアミンおよび／またはジヒドラ
ジド、テトラカルボン酸二無水物を全てを溶解する必要
はないが、生成するポリアミック酸を溶解するものが好
ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、１，４−ジオキサン、γ−
ブチルラクトンなどの１種または２種以上が用いられ
る。これらの溶媒以外にガラス基板への濡れ性を良くす
るための溶媒を、反応前または反応終了後に添加するこ
ともできる。これらの溶媒としては例えばブチルセロソ
ルブ、ブチルセロソルブアセテート、キシレン、トルエ
ン、ジイソブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン
などが用いられる。反応温度は−３０℃〜１００℃、好
ましくは０℃〜８０℃、反応温度は３０分〜４８時間が
好ましい。さらに良好な平坦性を得るためには、ワニス
の樹脂分濃度が１５重量％以上で重量平均分子量を２
０、０００以下およびワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以
下、好ましくは３０ｍＰａ・ｓとなるように分子量調整
を行う場合がある。このときの反応温度は６０℃〜２２
０℃、好ましくは１００℃〜２００℃、さらに好ましく
は１２０℃〜１７０℃、反応時間は３０分〜７２時間、
好ましくは３０分〜６時間、さらに好ましくは１時間〜
３時間加熱処理を行う。また、酸二無水物のハーフエス
テルとジアミンを縮合反応させて得られるポリアミド酸
エステルは加熱反応なしに、ワニスの樹脂分濃度が１５
重量％以上で重量平均分子量を２０、０００以下および
／またはワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下を達成するこ
とができる。このようにして得られたワニスをスピン塗
布法、印刷法、浸漬法、吹き付け法などの方法で塗布を
行い、脱水閉環温度は１００℃〜４００℃、好ましくは
１５０℃〜２５０℃の範囲で任意に選択することができ
る。また加熱時間１分〜６時間、好ましくは１分〜３時
間とされる。このようにして膜厚０．５μｍ以上に形成
されたコーティング層は表面をラビングすることによっ
て液晶用平坦化配向膜を製造できる。

【００１６】更には、反応終了後、得られるポリイミド
分子量を調整するために反応温度は６０℃〜２５０℃、
より好ましくは１２０℃〜２００℃、反応時間は３０分
〜７２時間で加熱処理を行う。また、平坦性を向上する
にはイミド環含有の前駆体溶液の重量平均分子量が２
０、０００以下および／または、樹脂分濃度が１５重量
％以上でワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓより好ましくは３
０ｍＰａ・ｓ以下に調整して用いる。

【００１７】また、有機高分子中に例えばγ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、δ−アミノプロピルメチル
ジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノ
プロピルトリメトキシシランなどのアミノ系シランカッ
プリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、チタネ
−トカップリング剤、アルミニウムアルコレ−ト、アル
ミニウムキレ−ト、ジルコニウムキレ−トなどの表面処
理剤、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン樹脂
を少量混合もしくは反応することもできる。配向膜の形
成は一般的なスピン塗布法、印刷法、浸漬法、刷毛塗
り、ロ−ルコ−タ法、スプレ−法などによって行うこと
ができる。

【００１８】液晶組成物としては、例えば４−置換フェ
ニル−４´−置換シクロヘキサン、４−置換シクロヘキ
シル−４´−置換シクロヘキサン、４−置換フェニル−
４´−置換ジシクロヘキサン、４−置換ジシクロヘキシ
ル−４´−置換ジフェニル、４−置換−４´´−置換タ
−フェニル、４−置換ビフェニル−４´−置換シクロヘ
キサン、２−（４−置換フェニル）−５−ピリミジン、
２−（４−置換ジオキサン）−５−フェニル、４−置換
安息香酸−４´−フェニルエステル、４−置換シクロヘ
キサンカルボン酸−４´−置換フェニルエステル、４−
置換シクロヘキサンカルボン酸−４´−置換ビフェニル
エステル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオ
キシ）安息香酸−４´−置換フェニルエステル、４−
（４−置換シクロヘキシル）安息香酸−４´−置換フェ
ニルエステル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香
酸−４´−置換シクロヘキシルエステル、４−置換−４
´−置換ビフェニル、４−置換シクロヘキシル−４´−
置換フェニルジオキサン、４−置換シクロヘキシル−４
´−置換フェニルピリミジンなどを挙げることができ、
これらの化合物の中でも少なくても分子の一方の末端に
アルキル基、アルコキシ基、アルコキシメチレン基、シ
アノ基、フッ素基、ジフッ素基、トリフッ素基を有する
多成分系の混合液晶組成物が用いられる。

【００１９】

【実施例】本発明を実施例により具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２０】

【実施例１】基板として、厚みが１．１ｍｍで表面を研
磨した透明なガラス基板を２枚用い、これらの基板のう
ち一方の基板の上に薄膜トランジスタおよび配線電極を
形成し、更にその上の最表面に窒化シリコンからなる絶
縁保護膜を形成した。薄膜トランジスタおよび各種電極
の構造を図４に、基板面に垂直な方向から見た正面図
と、正面図のＡ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´における側断面図とし
て示す。薄膜トランジスタ素子１４は画素電極（ソ−ス
電極）４、信号電極（ドレイン電極）３、走査電極（ゲ
−ト電極）１２およびアモルファスシリコン１３から構
成される。共通電極１と走査電極１２、および信号電極
３と画素電極４とはそれぞれ同一の金属層をパタ−ン化
して構成した。画素電極は正面図において、３本の共通
電極１の間に配置されている。画素ピッチは横方向（す
なわち信号配線電極間）は１００μｍ、縦方向（すなわ
ち走査配線電極間）は３００μｍである。一方、開口率
向上のために１画素単位で独立に形成した画素電極、お
よび共通電極の信号配線電極の長手方向に延びた部分の
幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ、６μｍとした。信号
電極３と共通電極１は絶縁膜を介して２μｍの間隔を設
けた。画素数は、６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）本の信号配
線電極と、４８０本の配線電極とにより６４０×３×４
８０個とした。

【００２１】用いた平坦化兼配向膜は、温度計、撹拌装
置、乾燥管および窒素導入管を備えた四つ口フラスコに
イソフタル酸ジヒドラジド０．０３モル％、４，４’−
ジアミノジフェニルスルフィド０．０７モル％をＮ−メ
チル−２−ピロリドン中に溶解させ、これに１、２、
３、４−ブタンテトラカルボン酸二無水物０．１モル％
を加えて、室温８時間撹拌して反応させ、ポリアミック
酸を合成し、更に１３０℃で１時間撹拌しワニスを調整
した。得られたワニスは濃度２０重量％で粘度は３７ｍ
Ｐａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポリスチレン換算重量
平均分子量は約５７００であった。このワニスにγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランを樹脂分の２重量％添
加したものをガラス基板に１０００ｒｐｍでスピンコ−
トし、１００℃で１０分間、２２０℃で３０分間熱処理
して厚さ１．３９μｍのポリアミドイミド平坦化兼配向
膜を形成した。このポリアミドイミド平坦化兼配向膜を
分光光度計（ＵＬ−３４１０）で光透過率を測定した結
果、４００〜８００ｎｍで９６％以上と良好な透過性を
示した。

【００２２】更に、アルミ配線の高さ１．６９μｍ、ラ
イン間隔１５μｍのパタ−ンを有する基板上にスピンコ
−トし、１００℃で１０分間、２２０℃で３０分間熱処
理してポリアミドイミド膜を形成した。その後、膜上に
約２０ｎｍ金蒸着し、電子線三次元粗さ解析装置（ＥＲ
Ａ−３０００）で測定した結果、膜厚１．３９μｍに対
し０．２７μｍの凹凸に軽減された。また、基板上に平
坦化兼配向膜をプレッシャ−クッカ−テスト（１２１
℃、２気圧）２４時間を行い、密着性を調べるためにテ
−プ剥離による碁盤目試験（ＪＩＳ−Ｋ−５４００）を
評価したが、剥離は認められなかった。

【００２３】もう一方の基板には、遮光層付きのカラ−
フィルタを形成し、上記と同様にカラ−フィルタ上にポ
リアミドイミド系の平坦化兼配向膜を形成し、上記の基
板と一緒にラビング処理（切り込み量０．４ｍｍ、回転
数１３００ｒｐｍ、送り速度３３．３ｍｍ／ｓ）して液
晶配向能を付与した。その後、これらの２枚の基板をそ
れぞれの液晶配向能を有する表面どうしを相対向させ
て、カラ−フィルタ基板上にビ−ズ分散装置を用いて１
平方ｍｍ当りのビ−ズ分散数が少量の約４０〜６０個と
なるように球形のポリマビ−ズ分散し、この上下のラビ
ング方向が互いに平行になるように組み合わせ、周辺部
をエポキシ系のシ−ル剤を介在させて、１００℃で１時
間加熱硬化し液晶セルを組みたてた。

【００２４】このセルに誘電異方性Δεが正のフッ素系
のネマチック液晶組成物を真空封入で注入し、紫外線硬
化型樹脂からなる封止材で封止した。液晶層の厚み（ギ
ャップ）ｄは４．７μｍをほぼ中心として、±０．３μ
ｍの範囲の液晶素子を作製した。その後、２枚の偏光板
（日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ）で挾み、駆動回路、バ
ックライトなどを接続したモジュ−ル化し、低電圧で暗
表示、高電圧で明表示となるノ−マリクロ−ズ特性とし
た。その結果、該液晶表示素子は輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００２５】

【実施例２】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに４，４’−ジアミノジフェ
ニルスルフィド０．１モル％、１、２、３、４−ブタン
テトラカルボン酸二無水物０．１モル％をＮ−メチル−
２−ピロリドン中に溶解させ、室温８時間撹拌して反応
させ、ポリアミック酸ワニスを合成した。このポリアミ
ック酸ワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、得られ
たワニスは濃度２０重量％で粘度は２０．４ｍＰａ・ｓ
（２５℃）であり、標準ポリスチレン換算重量平均分子
量が約１５０００であった。このワニスをガラス基板に
１０００ｒｐｍでスピンコ−トし、１００℃で１０分
間、２００℃で３０分間熱処理して厚さ１．１４μｍの
ポリアミック酸イミド平坦化兼配向膜を形成した。この
ポリアミック酸イミド膜を実施例１と同様の方法で透過
率を測定した結果、４００〜８００ｎｍで９１％以上と
良好な透過性を示した。

【００２６】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
１．１４μｍに対し０．２１μｍの凹凸に軽減された。
また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥離も見られ
ず、良好な密着性を示した。更に、実施例１と同じ方法
で液晶表示素子を作製した結果、輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００２７】

【実施例３】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコにイソフタル酸ジヒドラジド
０．０２モル％とデカメチレンビストリメリテート酸二
無水物０．０３モル％とをＮ−メチル−２−ピロリドン
中に溶解させ、室温１時間撹拌して、オリゴマ−を調合
し、更に４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド０．
０８モル％と１、２、３、４−シクロブタンテトラカル
ボン酸二無水物０．０７モル％を加え、室温８時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを合成した。このポ
リアミド酸ワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、得
られたワニスは濃度２０重量％で粘度は１９．７ｍＰａ
・ｓ（２５℃）であり、標準ポリスチレン換算重量平均
分子量が約６０００であった。このワニスをガラス基板
に１０００ｒｐｍでスピンコ−トし、１００℃で１０分
間、２２０℃で３０分間熱処理して厚さ１．５６μｍの
ポリアミドイミド平坦化兼配向膜を形成した。このポリ
アミドイミド膜を実施例１と同様の方法で透過率を測定
した結果、４００〜８００ｎｍで９５％以上と良好な透
過性を示した。

【００２８】このワニスを実施例１と同様の方法でカラ
−フィルタ−側の基板のみにスピン塗布し使用した結
果、０．０５μｍの凹凸に軽減され、平坦化兼配向膜は
ラビングによる剥離も見られず、良好な密着性を示し
た。更に、実施例１と同じ方法で液晶表示素子を作製し
た結果、輝度むらが発生せず高コントラストの表示品質
であった。また、目視による画質検査においても、液晶
パネルの液晶層の厚み差による表示むらも一切見られ
ず、均一性の高い表示が得られた。

【００２９】

【実施例４】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに４−フルオロメタフェニレ
ンジアミン０．０３モル％、３、４´−ジアミノジフェ
ニルスルフィド０．０７モル％、１、２、３、４−ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物０．０５モル％、１、２、
３、４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物０．０
５モル％ををＮ−メチル−２−ピロリドン中に溶解さ
せ、室温８時間撹拌して反応させ、ポリアミック酸ワニ
スを合成した。このポリアミック酸ワニスを１３０℃１
時間加熱処理を行い、得られたワニスは濃度２０重量％
で粘度は１０．５ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポ
リスチレン換算重量平均分子量が約３５００であった。
このワニスをガラス基板に８００ｒｐｍでスピンコ−ト
し、１００℃で１０分間、２２０℃で３０分間熱処理し
て厚さ１．１４μｍのポリイミド平坦化兼配向膜を形成
した。このポリイミド膜を実施例１と同様の方法で透過
率を測定した結果、４００〜８００ｎｍで９５％以上と
良好な透過性を示した。 このワニスを実施例１と同様
の方法でアルミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１
５μｍのパタ−ンを有するガラス基板で平坦性を評価し
た結果、膜厚１．１４μｍに対し０．１０μｍの凹凸に
軽減された。また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥
離も見られず、良好な密着性を示した。

【００３０】更に、実施例１と同じ方法で液晶表示素子
を作製した結果、輝度むらが発生せず高コントラストの
表示品質であった。また、目視による画質検査において
も、液晶パネルの液晶層の厚み差による表示むらも一切
見られず、均一性の高い表示が得られた。

【００３１】

【実施例５】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコにｐ−フェニレンジアミン
０．０２モル％、３、３´−ジアミノジフェニルスルフ
ィド０．０８モル％、１、２、３、４−ブタンテトラカ
ルボン酸二無水物０．０８モル％、オクチルコハク酸二
無水物０．０２モル％ををＮ−メチル−２−ピロリドン
中に溶解させ、室温８時間撹拌して反応させ、ポリアミ
ック酸シクロサンワニスを合成した。このポリアミック
酸ワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、得られたワ
ニスは濃度２０重量％で粘度は１５．５ｍＰａ・ｓ（２
５℃）であり、標準ポリスチレン換算重量平均分子量が
約６０００であった。このワニスをガラス基板に８００
ｒｐｍでスピンコ−トし、１００℃で１０分間、２２０
℃で３０分間熱処理して厚さ１．６７μｍのポリイミド
平坦化兼配向膜を形成した。このポリイミド膜を実施例
１と同様の方法で透過率を測定した結果、４００〜８０
０ｎｍで９３％以上と良好な透過性を示した。

【００３２】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
１．１４μｍに対し０．１６μｍの凹凸に軽減された。
また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥離も見られ
ず、良好な密着性を示した。更に、実施例１と同じ方法
で液晶表示素子を作製した結果、輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００３３】

【実施例６】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、４、４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド０．０８モル％、ジアミノシロキサン
０．０２モル％、１、２、３、４−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物０．０９モル％、ピロメリット酸二
無水物０．０１モル％ををＮ−メチル−２−ピロリドン
中に溶解させ、室温８時間撹拌して反応させ、ポリアミ
ック酸シロキサンワニスを合成した。このポリアミック
酸シロキサンワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、
得られたワニスは濃度２０重量％で粘度は１８．５ｍＰ
ａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポリスチレン換算重量平
均分子量が約８０００であった。このワニスをガラス基
板に８００ｒｐｍでスピンコ−トし、１００℃で１０分
間、２２０℃で３０分間熱処理して厚さ１．２４μｍの
ポリイミドシロキサン平坦化兼配向膜を形成した。この
ポリイミドシロキサン膜を実施例１と同様の方法で透過
率を測定した結果、４００〜８００ｎｍで９３％以上と
良好な透過性を示した。

【００３４】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
０．９４μｍに対し０．１２μｍの凹凸に軽減された。
また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥離も見られ
ず、良好な密着性を示した。更に、実施例１と同じ方法
で液晶表示素子を作製した結果、輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００３５】

【実施例７】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、２、２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン０．０３モル％と、１、２、３、４−ブタンテトラカ
ルボン酸二無水物０．１モル％とをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン中に溶解させ、室温１時間撹拌してオリゴマを
調合し、更に４、４´−ジアミノジフェニルスルフィド
０．０７モル％を加え、室温８時間攪拌して反応させ、
ポリアミック酸ワニスを合成した。このポリアミック酸
ワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、得られたワニ
スは濃度２０重量％で粘度は１６．５ｍＰａ・ｓ（２５
℃）であり、標準ポリスチレン換算重量平均分子量が約
５０００であった。このワニスをガラス基板に８００ｒ
ｐｍでスピンコ−トし、１００℃で１０分間、２００℃
で３０分間熱処理して厚さ０．７８μｍのポリイミド平
坦化兼配向膜を形成した。このポリアミック酸イミド膜
を実施例１と同様の方法で透過率を測定した結果、４０
０〜８００ｎｍで９８％以上と良好な透過性を示した。

【００３６】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
０．７８μｍに対し０．１０μｍの凹凸に軽減された。
また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥離も見られ
ず、良好な密着性を示した。更に、実施例１と同じ方法
で液晶表示素子を作製した結果、輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００３７】

【実施例８】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、４、４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド０．０８モル％、２、４−ジアミノ−
ラウリルフェニルエ−テル０．０２モル％、１、２、
３、４−ブタンテトラカルボン酸二無水物０．１モル％
をＮ−メチル−２−ピロリドン中に溶解させ、室温８時
間撹拌して反応させ、ポリアミック酸ワニスを合成し
た。このポリアミック酸ワニスを１３０℃１時間加熱処
理を行い、得られたワニスは濃度２０重量％で粘度は１
８．５ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポリスチレン
換算重量平均分子量が約６５００であった。このワニス
をガラス基板に８００ｒｐｍでスピンコ−トし、１００
℃で１０分間、２２０℃で３０分間熱処理して厚さ１．
２３μｍのポリイミド平坦化兼配向膜を形成した。この
ポリイミドを実施例１と同様の方法で透過率を測定した
結果、４００〜８００ｎｍで９２％以上と良好な透過性
を示した。

【００３８】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
１．２３μｍに対し０．１５μｍの凹凸に軽減された。
また、平坦化兼配向膜はラビングによる剥離も見られ
ず、良好な密着性を示した。更に、実施例１と同じ方法
で液晶表示素子を作製した結果、輝度むらが発生せず高
コントラストの表示品質であった。また、目視による画
質検査においても、液晶パネルの液晶層の厚み差による
表示むらも一切見られず、均一性の高い表示が得られ
た。

【００３９】

【比較例１】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、４、４´−ジアミノジフ
ェニルエ−テル０．１モル％、ピロメリット酸二無水物
０．１モル％をＮ−メチル−２−ピロリドン中に溶解さ
せ、室温８時間撹拌して反応させ、ポリアミック酸ワニ
スを合成した。このポリアミック酸ワニスを１３０℃１
時間加熱処理を行い、得られたワニスは濃度２０重量％
で粘度は１０５ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポリ
スチレン換算重量平均分子量が約２５０００であった。
このワニスをガラス基板に８００ｒｐｍでスピンコ−ト
し、１００℃で１０分間、２００℃で３０分間熱処理し
て厚さ０．７８μｍのポリイミド平坦化兼配向膜を形成
した。このポリイミド膜を実施例１と同様の方法で透過
率を測定した結果、４００〜８００ｎｍで４３％を示
し、良好な光透過性は得られなかった。

【００４０】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
１．２０μｍに対し０．７２μｍの凹凸の軽減に至っ
た。従って、スペ−サビ−ズを１００個以上分散する必
要があり、コントラストも低下した。更に、実施例１と
同じ方法で液晶表示素子を作製した結果、ギャップ不良
による輝度むらが発生した。

【００４１】

【比較例２】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、２、２−ビス〔４−（ｐ
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン０．１モル
％、３、３´、４、４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物０．１モル％をＮ−メチル−２−ピロリド
ン中に溶解させ、室温８時間撹拌して反応させ、ポリア
ミック酸ワニスを合成した。このポリアミック酸ワニス
を１３０℃１時間加熱処理を行い、濃度２０重量％で粘
度は８５ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、標準ポリスチレ
ン換算重量平均分子量が約３１０００であった。このワ
ニスをガラス基板に８００ｒｐｍでスピンコ−トし、１
００℃で１０分間、２２０℃で３０分間熱処理して厚さ
１．５２μｍのポリイミド平坦化兼配向膜を形成した。
このポリイミド膜を実施例１と同様の方法で透過率を測
定した結果、４００〜８００ｎｍで７０％を示し、良好
な光透過性は得られなかった。

【００４２】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
１．５２μｍに対し０．６２μｍの凹凸の軽減に至っ
た。従って、スペ−サビ−ズを１００個以上分散する必
要があり、コントラストも低下した。更に、実施例１と
同じ方法で液晶表示素子を作製した結果、ギャップ不良
による輝度むらおよび一部配向不良が発生した。

【００４３】

【比較例３】温度計、撹拌装置、乾燥管および窒素導入
管を備えた四つ口フラスコに、４、４´−ジアミノジフ
ェニルメタン０．１モル％、３、３´、４、４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物０．１モル％をＮ−メ
チル−２−ピロリドン中に溶解させ、室温８時間撹拌し
て反応させ、ポリアミック酸ワニスを合成した。このポ
リアミック酸ワニスを１３０℃１時間加熱処理を行い、
濃度２０重量％で粘度は６２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であ
り、標準ポリスチレン換算重量平均分子量が約２３００
０であった。このワニスをガラス基板に８００ｒｐｍで
スピンコ−トし、１００℃で１０分間、２００℃で３０
分間熱処理して厚さ２．５２μｍのポリイミド平坦化兼
配向膜を形成した。このポリアミック酸イミド膜を実施
例１と同様の方法で透過率を測定した結果、４００〜８
００ｎｍで６５％を示し、良好な光透過性は得られなか
った。

【００４４】このワニスを実施例１と同様の方法でアル
ミ配線の高さ１．００μｍ、ライン間隔１５μｍのパタ
−ンを有するガラス基板で平坦性を評価した結果、膜厚
２．５２μｍに対し０．４５μｍの凹凸の軽減に至っ
た。更に、実施例１と同じ方法で液晶表示素子を作製し
た結果、ギャップ不良による輝度むらが発生した。

【００４５】

【発明の効果】本発明のように、液晶組成物を狹持する
配向制御層の平坦化兼配向膜に単層の膜厚が０．５μｍ
以上および重量平均分子量が２０，０００以下のイミド
環含有有機高分子を用いることにより、基板間ギャップ
の変動に伴う表示特性変動を低減することができる。従
って、製作プロセスに余裕度が増大し、表示むらの少な
い高画質の液晶素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶表示素子における液晶の動作を示す図。

【図２】電気光学特性を示す模式図。

【図３】液晶表示素子におけるスペ−サビ−ズの従来と
本発明の分散性を示す模式図。

【図４】薄膜トランジスタ、電極、配線の構造を示す
図。

【符号の説明】

１…共通電極（コモン電極）、２…ゲ−ト絶縁膜、３…
信号電極（ドレイン電極）、４…画素電極（ソ−ス電
極）、５…平坦化兼配向膜、６…液晶組成物層中の液晶
分子、７…基板、８…偏光板、９…電界方向、１０…界
面上の分子長軸配向方向（ラビング方向）、１１…偏光
板偏光透過軸方向、１２…走査電極（ゲ−ト電極）、１
３…アモルファスシリコン、１４…薄膜トランジスタ
部、１５…スペ−サビ−ズ

フロントページの続き (72)発明者 荒谷 介和 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 梅田 啓之 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 松山 茂 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 金谷 雄一 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 奥田 直紀 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 勝谷 康夫 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一方が凹凸形状を有する一対
   の基板に塗布したネマチック液晶組成物を挟持する配向
   制御層の配向膜が、単層の膜厚０．５μｍ以上でかつ波
   長４００〜８００ｎｍの範囲においてその光透過率９０
   ％以上であるイミド環含有有機高分子を含むものである
   ことを特徴とする液晶用平坦化兼配向制御膜。
2. 【請求項２】 前記イミド環含有有機高分子が、平均分
   子量２０，０００以下、樹脂分濃度が１５重量％以上で
   ワニス粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とす
   る請求項１項記載の液晶用平坦化兼配向制御膜。
3. 【請求項３】 前記イミド環含有有機高分子が、一環か
   ら成る剛直性のジアミンおよび／またはジヒドラジドを
   含有化合物と、脂肪族テトラカルボン酸二無水物および
   ／または脂環式テトラカルボン酸二無水物を含有する化
   合物との反応生成物であることを特徴とする請求項１項
   又は２項記載の液晶用平坦化兼配向制御膜。
4. 【請求項４】 前記アミン含有化合物がジアミノジフェ
   ニルスルフィドであることを特徴とする請求項３記載の
   液晶用平坦化兼配向制御膜。
5. 【請求項５】前記イミド環含有有機高分子が、主鎖に炭
   素数８〜２０のアルキレン基含有のポリマおよび／また
   はオリゴマを反応生成物の総モル数の３０％以下を含む
   ものであることを特徴とする請求項３又は４記載の液晶
   用平坦化兼配向制御膜。
6. 【請求項６】 前記イミド環含有有機高分子が、側鎖に
   炭素数８〜２０のアルキレン基含有のポリマおよび／ま
   たはオリゴマを反応生成物の総モル数の３０％以下を含
   むものであることを特徴とする請求項３又は４記載の液
   晶用平坦化兼配向制御膜。
7. 【請求項７】 前記イミド環含有有機高分子が、末端に
   炭素数８〜２０のアルキレン基含有のポリマおよび／ま
   たはオリゴマを反応生成物の総モル数の３０％以下を含
   むものであることを特徴とする請求項３又は４記載の液
   晶用平坦化兼配向制御膜。
8. 【請求項８】 前記イミド環含有有機高分子が、フルオ
   ロ基含有のポリマおよび／またはオリゴマを反応生成物
   の総モル数の３０％以下を含むものであることを特徴と
   する請求項３記載の液晶用平坦化兼配向制御膜。
9. 【請求項９】 前記イミド環含有有機高分子が、アミッ
   ク酸イミド系、イミド系、イミドシロキサン系、アミド
   イミド系の有機高分子であることを特徴とする請求項３
   又は４記載の液晶用平坦化兼配向制御膜。