JPH10121049A - 液晶配向膜用組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示むらを低減することができる液晶配向膜
用組成物を提供すること。 【解決手段】 液晶表示素子用の液晶配向膜用組成物と
して脂環型のシクロヘキサン環に炭素数８〜２０のアル
キル基を導入したシクロヘキシルジアミンとテトラカル
ボン酸またはその誘導体の重合物を使用する。 【効果】 充電残留DCと放電時間、閾値電圧の周波数依
存性および電圧保持率特性が両立して向上し、表示むら
の発生が少ない高表示品質の液晶表示素子が達成され、
最終的には製品の歩留まりを大きく向上することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、側鎖に炭素数８〜
２０のアルキル基を有するシクロヘキシルジアミンとテ
トラカルボン酸およびその誘導体より成る重合物の液晶
配向膜用組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示素子としては、ネマチッ
ク液晶を互いに対向する一方の面上にポリイミドからな
る有機配向膜が設けられている２枚の基板の間にサンド
イッチ状に挾み、液晶分子の長軸を基板間で２４０度以
上捩じるス−パ−ツイスト液晶表示素子、アクティブ・
マトリックス型電極基板上で液晶を駆動するアクティブ
・マトリックス液晶表示素子などが開発されている。ス
−パ−ツイスト液晶表示素子およびアクティブ・マトリ
ックス液晶表示素子をポリイミドの有機配向膜を用いて
作製すると、プレチルト角が小さいために発生するスキ
ャツタリング（光散乱）ドメインおよびエッジ・ドメイ
ンなどの問題があった。そこで、プレチルト角が大きい
種々のポリイミド配向膜が提案されている（特開昭６４
−２５１２７号公報、特開昭６２−２６２８２９号公
報、特開昭６３−２６２６２０号公報、特開平２−２１
０３２８、特開平２−２５００３３号公報、特開平４−
２９４３２７号公報、特開平４−２８１４２７号公報、
特開平４−２９１２３４号公報、特開平５−４３６８７
号公報、特開平６−１３６１２２号公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ス−パ
−ツイスト液晶表示素子およびアクティブ・マトリック
ス液晶表示素子においては、表示品質向上や低コスト化
などが要求されているため、表示むらの発生しない液晶
素子を歩留まり良く作製することが必要になっている。
図１は、ス−パ−ツイスト液晶表示素子の模式的断面図
を示す。ガラス基板７の一方の面上にアルカリ防止膜８
を設け、その上に透明電極１を所定のパタ−ンに形成
し、上記透明電極１を覆うように配向膜９を設け、他方
の面上に位相差板６および偏光板５を形成する。他の１
枚のガラス基板７の一方の面上に設けられたアルカリ防
止膜８上には、上記透明電極１に対向する位置にカラ−
フィルタ１１を形成し、その上に保護膜１０、透明電極
１、配向膜９を相ついで設け、他方の面上に位相差板６
および偏光板５を形成する。上記２枚のガラス基板７は
それらの上に設けられた透明電極１が互いに対向するよ
うに配置され、液晶２がスペ−サ４とともにそれらの間
に注入され、シ−ル剤３で封止される。他方、図２はア
クティブ・マトリックス液晶表示素子の模式的断面図を
示す。ガラス基板７の一方の面上に透明電極１およびア
クティブ・マトリックス素子１２を所定のパタ−ンに形
成し、上記透明電極１を覆うように配向膜９を設け、他
方の面上に偏光板５を形成する。他の１枚のガラス基板
７の一方の面上には、上記透明電極１に対向する位置に
カラ−フィルタ１１を形成し、その上に保護膜１０、透
明電極１、配向膜９を相ついで設け、他方の面上に偏光
板５を形成する。上記２枚のガラス基板７は、前記と同
様に、それらの上に設けられた透明電極１が互いに対向
するように配置され、液晶２がスペ−サ４とともにそれ
らの間に注入され、シ−ル剤３で封止される。

【０００４】従来の長鎖アルキルを有する芳香環型のジ
アミン化合物を用いた重合物のポリイミド配向膜では、
液晶セルのプレチルト角が大きくなり、スキャツタリン
グ・ドメインやエッジ・ドメインの発生は低減される
が、画像残りの残像むらや輝度むらが発生する問題があ
る。そのため、これまでの配向膜を改良して表示むらを
低減し、歩留まりを向上させることが緊急な課題となっ
ている。

【０００５】従って、本発明の目的は液晶セルのプレチ
ルト角を大きくしながら、かつ残像むらおよび輝度むら
が発生しにくい液晶配向膜用組成物を提供することであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは鋭意検討した結果、脂環型のシクロヘ
キサン環から成るジアミン化合物とテトラカルボン酸ま
たはその誘導体の重合物の有機配向膜とすることによ
り、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成
するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、側鎖に炭素数８〜２
０のアルキル基を１個以上有するシクロヘキシルジアミ
ンとテトラカルボン酸またはその誘導体との重合物を含
有することを特徴とする液晶配向膜用組成物である。そ
して、前記アルキル基はその少なくとも１個が直鎖状ア
ルキル基または分枝状アルキル基である。上記シクロヘ
キシルジアミンとしては、一般式（Ｉ）

【０００８】

【化２】

【０００９】（式中、Ｘは−ＮＨ₂を示し、Ｙは−Ｏ
−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＯ₂−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｒ
は８〜２０のアルキル基を示す）で表される化合物が挙
げられる。また、上記シクロヘキシルジアミンの重合物
としては、ハロゲン基を含まない他のジアミンを含有す
るものが挙げられる。さらに、この重合物としてはアミ
ック酸、アミック酸−イミド、イミド、イミド−シロキ
サン、アミド−イミド、アミドポリマのおよび／または
オリゴマの中から選ばれた少なくとも一つである。

【００１０】本発明者らは、従来の有機配向膜における
残像むらや輝度むらによる表示むらの要因が未だ明らに
なっていないため、種々のジアミン化合物を用いた重合
物を合成し、それら重合物の化学構造と表示むらおよび
液晶セル特性の関係を検討した。その結果、残像むらや
輝度むらによる表示むらは液晶セル特性の充電残留ＤＣ
と放電時間、閾値電圧の周波数特性および電圧保持率に
関与し、液晶セルの上記特性が向上すれば改良されると
いう知見を得た。特に、芳香環のベンゼン環を脂環型の
シクロヘキサン環に炭素数８〜２０のアルキル基を導入
したシクロヘキシルジアミン化合物を用いた重合物の有
機配向膜とすることにより、充電残留ＤＣと放電時間、
閾値電圧の周波数特性および電圧保持率特性が向上し、
特性の両立化により残像むらや輝度むらの表示むらが発
生しにくい液晶表示素子が得られることが判った。

【００１１】この理由は明確ではないが、本発明の重合
物は従来の芳香環型構造で表される重合物に較べ、脂環
型のシクロヘキサン環の重合物の方がジアミン残基の電
子供与性が弱いこと、分子鎖がベンゼン環に比べより広
がり分子間相互作用も小さいことにより配向膜に電荷移
動錯体が形成されにくくなる。そのため、配向膜の帯電
性も低下し、イオン性不純物の配向膜への吸着度合いも
拘束されることにより、輝度むらに関与する閾値電圧の
周波数特性の電圧変動と透過率変動も小さく、電圧保持
率も高くなることにより電界印加駆動時に表示むらが発
生しにくくなったものと推定される。さらに、プレチル
ト角に関しても、シクロヘキサン環の分子鎖により歪み
が発生し、液晶分子の大きなプレチルト角が得られたも
のと推定される。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の有機配向膜は、各々の前
駆体例えばアミック酸、アミック酸−イミド、イミド、
イミド−シロキサン、アミド−イミド、アミドのポリマ
および／またはオリゴマを基板上に塗布後、主に脱水閉
環して得られる。また、シクロヘキサン型のジアミン化
合物に他のジアミン化合物を共重合もしくは重合物同志
を混合しても有機配向膜として使用可能である。

【００１３】本発明に用いられる側鎖に炭素数８〜２０
のアルキル基を導入したシクロヘキサン環を有するジア
ミン化合物としては、次の一般式（Ｉ）を有する化合物
が挙げられる。

【００１４】

【化３】

【００１５】（式中、Ｘは−ＮＨ₂を示し、Ｙは−Ｏ
−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＯ₂−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｒ
は８〜２０のアルキル基を示す） 特に、本発明によれば、上記一般式（Ｉ）において、Ｒ
は、炭素数８〜２０の直鎖状アルキル基、炭素数８〜２
０の分岐状アルキル基又は炭素数８〜２０のシクロアル
キル基（アルキルシクロアルキル基を含む。）若しくは
シクロアルキルアルキル基であることが好ましい。

【００１６】上記一般式（Ｉ）において、直鎖状アルキ
ル基の具体例として、例えば、ｎ−オクチル基、ｎ−ノ
ニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−
ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基、ｎ−エイコシル基等を挙げることができる。上記
分岐状アルキル基の具体例としては、例えば、１−メチ
ルエチル−４−エチルオクチル基、イソアミル基、イソ
デシル基、イソトリデシル基、２−エチルオクチル基等
を挙げることができる。

【００１７】また、上記シクロアルキル基の具体例とし
て、例えば、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ボ
ルニル基、４−ブチルシクロヘキシル基、５−メチル−
２−イソプロピルシクロヘキシル基等を挙げることがで
きる。シクロアルキルアルキル基の具体例として、例え
ば、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルプロピル
基等を挙げることができる。

【００１８】本発明に用いられるシクロヘキシルジアミ
ン化合物としては、シス体および／またはトランス体の
例えば、４−オクタデシルオキシ−１、３−ジアミノシ
クロヘキサン、４−ヘキサデシルオキシ−１、３−ジア
ミノシクロヘキサン、４−テトラデシルオキシ−１、３
−ジアミノシクロヘキサン、４−ドデシルオキシ−１、
３−ジアミノシクロヘキサン、４−ノニルオキシ−１、
３−ジアミノシクロヘキサン、４−オクチルオキシ−
１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−ノナデシルオキ
シ−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−ヘプタデシ
ルオキシ−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−シク
ロドデシルオキシ−１、３−ジアミノシクロヘキサン、
４−オクチルオキシ−２−メチル−１、３−ジアミノシ
クロヘキサン、４−イソオクチルオキシ−１、３−ジア
ミノシクロヘキサン、４−メチルオキシオクタデシル−
１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−メチルオキシヘ
キサデシル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−メ
チルオキシテトラデシル−１、３−ジアミノシクロヘキ
サン、４−メチルオキシドデシル−１、３−ジアミノシ
クロヘキサン、４−メチルオキシノニル−１、３−ジア
ミノシクロヘキサン、４−メチルオキシオクチル−１、
３−ジアミノシクロヘキサン、４−メチルオキシノナデ
シル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−メチルオ
キシヘプタデシル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、
４−メチルオキシシクロドデシル−１、３−ジアミノシ
クロヘキサン、４−メチルオキシオクチル−２−メチル
−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−メチルオキシ
イソオクチル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−
シクロドデシルオキシ−１、３−ジアミノシクロヘキサ
ン、４−（１−メチルエチル−４−エチルオクチル）オ
キシ−1,３−ジアミノシクロヘキサン、４−オクタデシ
ルエステル−１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボン
酸、４−ヘキサデシルエステル−１、３−ジアミノシク
ロヘキサンカルボン酸、４−テトラデシルエステル−
１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボン酸、４−ドデ
シルエステル−１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボ
ン酸、４−ノニルエステル−１、３−ジアミノシクロヘ
キサンカルボン酸、４−オクチルエステル−１、３−ジ
アミノシクロヘキサンカルボン酸、４−ノナデシルエス
テル−１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボン酸、４
−ヘプタデシルエステル−１、３−ジアミノシクロヘキ
サンカルボン酸、４−シクロドデシルエステル−１、３
−ジアミノシクロヘキサンカルボン酸、４−オクチルエ
ステル−２−メチル−１、３−ジアミノシクロヘキサン
カルボン酸、４−イソオクチルエステル−１、３−ジア
ミノシクロヘキサンカルボン酸、４−オクタデシルオキ
シカルボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−
ヘキサデシルオキシカルボニル−１、３−ジアミノシク
ロヘキサン、４−テトラデシルオキシカルボニル−１、
３−ジアミノシクロヘキサン、４−ドデシルオキシカル
ボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−ノニル
オキシカルボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、
４−オクチルオキシカルボニル−１、３−ジアミノシク
ロヘキサン、４−ノナデシルオキシカルボニル−１、３
−ジアミノシクロヘキサン、４−ヘプタデシルオキシカ
ルボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−シク
ロドデシルオキシカルボニル−１、３−ジアミノシクロ
ヘキサン、４−オクチルオキシカルボニル−２−メチル
−１、３−ジアミノシクロヘキサン、４−イソオクチル
オキシカルボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン、
などが挙げられ、これらを単独でまたは組み合わせて使
用することができる。

【００１９】また、上記ジアミン化合物と共重合される
ことができる、ハロゲン基を含まないジアミンとして
は、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル、
４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル−３−カルボン
アミド、４、４´−ジアミノジフェニルメタン、３、３
´−ジアミノジフェニルメタン、４、４´−ジアミノジ
フェニルプロパン、３、３´−ジアミノジフェニルプロ
パン、４、４´−ジアミノジフェニルスルホン、３、３
´−ジアミノジフェニルスルホン、４、４´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３、３´−ジアミノジフェニル
スルフィド、１、５−ジアミノナフタレン、２、６−ジ
アミノナフタレン、４、４´−ジアミノタ−フェニル、
１、１−メタキシリレンジアミン、１、４−ジアミノシ
クロヘキサン、２−ドデシルオキシ−１、４−ジアミノ
ベンゼン、３、３´−ジメチル−４、４´−ジアミノジ
フェニルメタン、３、３´−ジブチル−４、４´−ジア
ミノジフェニルメタン、３、３´−ジブトキシ−４、４
´−ジアミノジフェニルメタン、２、４−ジアミノラウ
リルフェニルエーテル、２、４−ジアミノ−３−メチル
−ステアリルフェニルエーテル、３、３´−ジメチル−
４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル、１、６−ジア
ミノヘキサン、１、８−ジアミノオクタン、１、１０−
ジアミノデカン、１、１２−ジアミノドデカン、２、２
−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２、２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕オクタン、２、２−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕メタン、２、２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、２、２−ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、
２、２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ビフェニル、２、２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、２、２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メチルシクロヘ
キサン、ビス〔４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安
息香酸〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノベンゾイル
オキシ）安息香酸〕オクタン、ビス〔４−（４−アミノ
ベンゾイルオキシ）安息香酸〕シクロヘキサン、ビス
〔４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸〕メチ
ルシクロヘキサン、ビス〔４−（４−アミノメチルベン
ゾイルオキシ）安息香酸〕プロパン、ビス（４−アミノ
ベンゾイルオキシ）プロパン、ビス（４−アミノベンゾ
イルオキシ）メタン、ビス（４−アミノベンゾイルオキ
シ）オクタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）
−５−メチルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミ
ノフェノキシ）−３、５−ジメチルフェニル〕メタン、
ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３、４、５−ト
リメチルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフ
ェノキシ）−３、５、６−トリメチルフェニル〕メタ
ン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−５−エチル
フェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキ
シ）−３、５−ジエチルフェニル〕メタン、ビス〔２−
（４−アミノフェノキシ）−５−ｎ−プロピルフェニ
ル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−５
−イソプロピルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−ア
ミノフェノキシ）−３−メチル−５−イソプロピルフェ
ニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−
５−ｎ−ブチルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−ア
ミノフェノキシ）−５−イソブチルフェニル〕メタン、
ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３−メチル−５
−ｔ−ブチルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミ
ノフェノキシ）−５−メチル−３−ｔ−ブチルフェニ
ル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３
−メチル−５−ノニルフェニル〕メタン、ビス〔２−
（４−アミノフェノキシ）−５−シクロヘキシルフェニ
ル〕メタン、ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３
−メチル−５−シクロヘキシルフェニル〕メタン、ビス
〔２−（４−アミノフェノキシ）−５−メチル−３−シ
クロヘキシルフェニル〕メタン、ビス〔２−（４−アミ
ノフェノキシ）−５−フェニルフェニル〕メタン、ビス
〔２−（４−アミノフェノキシ）−３−メチル−５−フ
ェニルフェニル〕メタン、１、１−ビス〔２−（４−ア
ミノフェノキシ）−５−メチルフェニル〕エタン、１、
１−ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３、５−ジ
メチルフェニル〕エタン、２、２−ビス〔２−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕オクタン、１、１−ビス
〔２−（４−アミノフェノキシ）−３、５−ジメチルフ
ェニル〕プロパン、２、２−ビス〔２−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕デカン、２、２−ビス〔２−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２、２−ビ
ス〔２−（４−アミノフェノキシ）−３、５−ジメチル
フェニル〕プロパン、１、１−ビス〔２−（４−アミノ
フェノキシ）−５−メチルフェニル〕ブタン、イソフタ
ル酸ジヒドラジド、１、４−シクロヘキサンジヒドラジ
ド、１、１−ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−５
−メチルフェニル〕−３−メチルプロパン、１、１−ビ
ス〔２−（４−アミノフェノキシ）−５−メチルフェニ
ル〕シクロペンタン、１、１−ビス〔２−（４−アミノ
フェノキシ）−３、５−ジメチルフェニル〕シクロヘキ
サン、１、１−ビス〔２−（４−アミノフェノキシ）−
５−メチルフェニル〕−３、３、５−トリメチルシクロ
ヘキサン、などのジアミンさらに

【００２０】

【化４】

【００２１】

【化５】

【００２２】

【化６】

【００２３】のジアミノシロキサンなどが挙げられる
が、これらに限定されるものではなく、また、これらは
単独でまたは組み合わせて使用することができる。本発
明によるこのようなシクロヘキシルジアミン化合物は、
一般式（Ｖ）

【００２４】

【化７】

【００２５】（式中、Ｒは前記と同じである。）で表わ
される４−置換−1,３−ジニトロベンゼンを反応溶媒
中、触媒の存在下に水素化反応を行なうことによって得
ることができる。従って、前記一般式（Ｉ）で表わされ
る本発明によるシクロヘキシルジアミン化合物を得るに
は、このジアミン化合物に対応する上記一般式（Ｖ）で
表わされる４−置換−1,３−ジニトロベンゼンを還元す
ればよく、例えば、４−メトキシ−1,３−ジアミノシク
ロヘキサンを得るには、それに対応する４−メトキシ−
1,３−ジニトロベンゼンを水素化還元すればよい。

【００２６】このような４−置換−1,３−ジニトロベン
ゼンは、例えば、Beilsteins Hand-buch der Organisch
en Chemie, Viertes Ergaenzungswerk, Band 6/3 Syste
m,Nr. 523/H254-255; E-111, 858-859 (1978) に記載さ
れている４−ドデシルオキシ−1,３−ジニトロベンゼ
ン、４−ヘキサドデシルオキシ−1,３−ジニトロベンゼ
ン、４−オクタデシルオキシ−1,３−ジニトロベンゼン
等のように、対応する４−ハロゲン化−1,３−ジニトロ
ベンゼンと相当する飽和アルコールとの対応によって得
ることができる。

【００２７】このような前記一般式（Ｖ）で表わされる
４−置換−1,３−ジニトロベンゼンの水素化反応は、先
ず、適宜の反応溶媒中、触媒の存在下に、ニトロ基を水
素化してアミノ基に還元した後に、更に、反応溶媒中、
触媒の存在下に芳香核の水素化反応を行なってもよい
し、また、反応溶媒中、触媒の存在下に、ニトロ基の水
素化によるアミノ基への還元反応と芳香核の水素化反応
を同時に行なってもよい。

【００２８】前記一般式（Ｖ）で表わされる４−置換−
1,３−ジニトロベンゼンの水素化反応に用いる触媒とし
ては、従来より、ニトロ基の水素化（アミノ基への還
元）及び芳香核の水素化のための触媒として一般に知ら
れているものであれば、いずれも用いることができる。
特に好ましいものはルテニウム触媒である。このルテニ
ウム触媒を含む水素化触媒は、通常、原料である４−置
換−1,３−ジニトロベンゼン１００重量部に対して、0.
１〜１０重量部、好ましくは、0.５〜５重量部の範囲で
用いられる。

【００２９】上記反応のための反応溶媒は、水素化反応
の影響を受けない溶媒であれば何でもよく炭化水素類、
エーテル類、脂肪族アルコール類等の溶媒を挙げること
ができる。これらの反応溶媒は、原料である４−置換−
1,３−ジニトロベンゼン化合物１００重量部に対して、
通常、１０〜２０００重量部、好ましくは、１００〜１
０００重量部の範囲で用いられる。

【００３０】４−置換−1,３−ジニトロベンゼン化合物
の水素化反応は、上記反応溶媒中、前記触媒の存在下
に、通常、５０〜１８０℃、好ましくは、７０〜１５０
℃の範囲の温度にて、0.５〜１００時間、好ましくは、
１〜１０時間、水素圧力１〜２００kg／cm² 、好ましく
は、２〜１００kg／cm² 、特に好ましくは、１０〜１０
０kg／cm² の条件下に行なう。このような方法によっ
て、通常、４−置換−1,３−ジニトロベンゼン化合物の
ニトロ基のアミノ基への還元と芳香核の水素化を共に行
なって、目的とする４−置換−1,３−ジアミノシクロヘ
キサン化合物を得ることができる。

【００３１】参考例１ 攪拌器、温度計、水素吹き込み口を備えた５００mL容量
のステンレス製オートクレーブに４−オクタデシルオキ
シ−1,３−ジニトロベンゼン５０ｇ、ラネーニッケル２
ｇ及びテトラヒドロフラン３００ｇを仕込み、水素置換
後、水素圧力を５kg／cm² にして加熱した。オートクレ
ーブ内の圧力が５kg／cm² に保持されるように水素を補
充しながら、１００℃で３時間反応を続けた。

【００３２】反応終了後、得られた反応混合物を冷却
し、ラネーニッケルを濾別し、濾液をエバポレーターで
濃縮し、残渣として、４−オクタデシルオキシ−1,３−
ジアミノベンゼン４２ｇを得た。次いで、上記と同じオ
ートクレーブに４−オクタデシルオキシ−1,３−ジアミ
ノベンゼン１０ｇ、シクロヘキサン１５０ｇ及び二酸化
ルテニウム１ｇを仕込み、水素置換し、水素で１００kg
／cm² まで加圧した後、昇温し、１４０℃で１時間反応
させた。

【００３３】反応終了後、得られた反応混合物を冷却
し、エバポレーターでシクロヘキサンを濃縮した後、メ
タノールを加えた。このようにして析出した二酸化ルテ
ニウムを濾別し、再度、メタノールをエバポレーターで
濃縮し、ワックス状残渣９ｇを得た。この残渣1.９ｇを
クーゲルロール蒸留器に仕込み、減圧下に加熱し、分解
生成した低沸点分を留去した後、更に、昇温し、留出物
として、４−オクタデシルオキシ−1,３−ジアミノシク
ロヘキサン0.３ｇを淡黄土色のワックス状物として得
た。

【００３４】 純度（ガスクロマトグラフィー）：９1.１％ マススペクトルの分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：３８２ 赤外線吸収スペクトル（cm^-1）： アミノ基：３２７０、３３６０ エーテル基：１１００ プロトン核磁気共鳴スペクトル：４ppm 以上に吸収は認
められなかった。

【００３５】参考例２ ４−シクロドデシルオキシ−1,３−ジニトロベンゼンを
原料として用いた以外は、参考例１と同様にして、４−
シクロドデシルオキシ−1,３−ジアミノシクロヘキサン
1.０ｇを淡黄土色のワックス状物として得た。

【００３６】 純度（ガスクロマトグラフィー）：８9.８％ マススペクトルの分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：２９６ 赤外線吸収スペクトル（cm^-1）： アミノ基：３２７０、３３６０ エーテル基：１１３０ プロトン核磁気共鳴スペクトル：４ppm 以上に吸収は認
められなかった。

【００３７】参考例３ ４−（１−メチルエチル−４−エチルオクチルオキシ）
−1,３−ジニトロベンゼンを原料として用いた以外は、
参考例１と同様にして、４−（１−メチルエチル−４−
エチルオクチルオキシ）−1,３−ジアミノシクロヘキサ
ン4.０ｇを無色液体として得た。

【００３８】 純度（ガスクロマトグラフィー）：８7.９％ マススペクトルの分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：３２６ 赤外線吸収スペクトル（cm^-1）： アミノ基：３２７０、３３６０ エーテル基：１１２０ プロトン核磁気共鳴スペクトル：４ppm 以上に吸収は認
められなかった。

【００３９】参考例４ ４−ノニルオキシ−1,３−ジニトロベンゼンを原料とし
て用いた以外は、参考例１と同様にして、４−ノニルオ
キシ−1,３−ジアミノシクロヘキサン1.３ｇを無色液体
として得た。

【００４０】 純度（ガスクロマトグラフィー）：８1.８％ マススペクトルの分子イオンピーク（ｍ／ｅ）：２５６ 赤外線吸収スペクトル（cm^-1）： アミノ基：３２８０、３３６０ エーテル基：１１００ プロトン核磁気共鳴スペクトル：４ppm 以上に吸収は認
められなかった。

【００４１】前記ジアミン化合物と共重合することがで
きる、ハロゲン基を含まないジアミン化合物は、いづれ
も公知化合物であり、市販品を入手するか、公知の方法
により合成できるものである。また、シクロヘキシルジ
アミン化合物とハロゲン基を含まないジアミン化合物と
の共重合反応は通常の条件で行われる。一方、テトラカ
ルボン酸成分としては、例えばピロメリット酸二無水
物、メチルピロメリット酸二無水物、３、３´、４、４
´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３、３´、
４、４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
デカメチレンビストリメリテ−ト酸二無水物、ドデシル
コハク酸二無水物、３、３´、４、４´−ジフェニルメ
タンテトラカルボン酸二無水物、３、３´、４、４´−
ジフェニルプロパンテトラカルボン酸二無水物、３、３
´、４、４´−ジフェニルエ−テルテトラカルボン酸二
無水物、３、３´、４、４´−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物、２、３、６、７−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、２、２−〔４−（３、４−ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパンテトラカル
ボン酸二無水物、２、２−〔４−（３、４−ジカルボキ
シベンゾイルオキシ）フェニル〕プロパンテトラカルボ
ン酸二無水物、２、２−ビス〔４−（３、４−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル〕トリデカンテトラカルボン
酸二無水物、１、２、３、４−シクロペンタンテトラカ
ルボン酸二無水物、１、２、３、４−シクロブタンテト
ラカルボン酸二無水物、１、２、３、４−ブタンテトラ
カルボン酸二無水物、１、２、３、４−シクロヘキサン
テトラカルボン酸二無水物、１、４−シクロヘキサンジ
カルボン酸クロライド、４、４´−ジフェニルメタンジ
カルボン酸クロライド、イソフタル酸、イソフタル酸ク
ロライド、アジピン酸、アジピン酸クロライド、ステア
リン酸クロライドなどが挙げられ、これらを単独でまた
は組合せて使用することができる。

【００４２】これらのテトラカルボン酸類は、いずれも
公知の化合物であり市販品を入手するか、あるいは公知
の方法により合成して得ることができる。本発明で用い
られるシクロヘキシルジアミンとテトラカルボン酸また
はその誘導体との重合物の製造法は以下の通りである。
まず、シクロヘキシルジアミンとテトラカルボン酸の反
応に当たってのシクロヘキシルジアミン成分のモル数と
テトラカルボン酸成分の配合モル比は０．８〜１．２、
好ましくは０．９５〜１．０５、さらに好ましくは両者
等モルである。

【００４３】シクロヘキシルジアミンとテトラカルボン
酸との反応は不活性溶媒中で行われる。この不活性溶媒
としては、前記シクロヘキシルジアミン又はとテトラカ
ルボン酸の全てを溶解する必要はないが、生成する重合
体を溶解するものが好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、１，
４−ジオキサン、γ−ブチルラクトン、クレゾ−ル、フ
ェノ−ル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブアセテ
−ト、アセトフェノンなどの１種または２種以上が用い
られる。これらの溶媒以外にガラス基板への濡れ性を良
くするための溶媒を、反応前または反応終了後に添加す
ることもできる。これらの溶媒としては例えばブチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、キシレン、ト
ルエン、ジイソブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケ
トンなどが用いられる。重合反応の反応温度は−２０℃
〜２００℃、、反応時間は３０分〜４８時間が好まし
い。

【００４４】また、上記重合反応はシクロヘキシルジア
ミンとテトラカルボン酸またはその誘導体とをγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、δ−アミノプロピルメ
チルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ系シラン
カップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、チ
タネ−トカップリング剤、アルミニウムアルコレ−ト、
アルミニウムキレ−ト、ジルコニウムキレ−ト、等ワニ
ス中で混合するもしくは反応することにより行うことも
できる。

【００４５】上記方法で得られた重合物をそのまま、或
いは有機溶剤で希釈して液晶配向膜用組成物として用い
られる。上記重合物による液晶配向膜の形成は、一般的
なスピン塗布法、印刷法、浸漬法、刷毛塗り、スプレ−
法、ロールコータ法などによって行うことができる。液
晶組成物としては、例えば４−置換フェニル−４´−置
換シクロヘキサン、４−置換シクロヘキシル−４´−置
換シクロヘキサン、４−置換フェニル−４´−置換ジシ
クロヘキサン、４−置換ジシクロヘキシル−４´−置換
ジフェニル、４−置換−４´´−置換タ−フェニル、４
−置換ビフェニル−４´−置換シクロヘキサン、２−
（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４
−置換ジオキサン）−５−フェニル、４−置換安息香酸
−４´−フェニルエステル、４−置換シクロヘキサンカ
ルボン酸−４´−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸−４´−置換ビフェニルエステ
ル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）
安息香酸−４´−置換フェニルエステル、４−（４−置
換シクロヘキシル）安息香酸−４´−置換フェニルエス
テル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸−４´
−置換シクロヘキシルエステル、４−置換−４−置換ビ
フェニル、４−置換シクロヘキシル−４´−置換フェニ
ルジオキサン、４−置換シクロヘキシル−４´−置換フ
ェニルピリジンなどを挙げることができ、これらの化合
物の中でも、少なくても分子の一方の末端にアルキル
基、アルコキシ基、アルコキシメチレン基、シアノ基、
フッ素基、ジフッ素基、トリフッ素基を有する多成分系
の混合液晶組成物が用いられる。

【００４６】上記組成物を用いた配向膜を持った液晶表
示素子を形成し、種々の液晶セル特性を測定し、比較例
と比較した。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によって具
体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。 〔実施例１〕４−オクタデシルオキシ−１、３−ジアミ
ノシクロヘキサン０．０２モル％およびｐ−フェニレン
ジアミン０．０８モル％をＮ−メチル−２−ピロリドン
に溶解後、１、２、３、４−ブタンテトラカルボン酸二
無水物０．０５モル％および１、２、３、４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物０．０５モル％を加え、
５℃で７時間反応させ、淡黄色の粘稠なワニスを得た。
そのワニスをジメチルアセトアミドとブチルセルソルブ
の溶剤を用いて５重量％濃度に希釈後、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシランを固形分で２重量％添加して液
晶配向膜用組成物の調合を行った。その後、ＩＴＯ（in
dium-tin-oxide）透明電極付きガラス基板上にスピンナ
−塗布後、１５０℃で仮焼成、２３０℃で１時間加熱硬
化を行い、約６０ｎｍのポリイミド膜を形成した。さら
に、０．４ｍｍの切り込み、７００ｒｐｍの回転数、１
０００ｍｍ／ｍｉｎの送り速度の条件でラビングを行
い、エポキシ系のシ−ル剤を印刷後、ＺＬＩ−４７９２
（メルク社製商品名）液晶を封入して液晶セルを作製
し、エ−ジング処理後、クリスタルロ−テ−ション法で
プレチルト角を測定したところ５．１゜であった。

【００４８】さらに、上記の条件で作製した液晶ユニッ
ト素子１４を偏光板５で挾み、恒温槽１３の中に設置
し、図３に示す装置を用いて振幅６Ｖ、オフセット１Ｖ
で、周波数３０Ｈｚの矩形波を３０分印加時の充電残留
ＤＣおよびフリッカの放電時間を評価した。図中、１５
はバックライトであり、１６はパルス・ジェネレ−タ、
１７は直流電源、１８はフォトダイオ−ド、１９はオシ
ロスコ−プを示す。充電残留ＤＣは５０ｍＶ、フリッカ
の放電時間は３ｍｉｎであった。閾値電圧の周波数特性
は、図４に示すように、１ｋＨｚにおける閾値電圧に対
する３０Ｈｚにおける閾値電圧の比で評価し、０．９９
２０であった。電圧保持率は、図５に示す装置を用いて
ソ−ス信号が振幅５Ｖ、オフセット０Ｖで１６５ｍｓの
矩形波、ゲ−ト信号のパルス幅３５μｓの条件で、ソ−
ス信号の実効値に対するドレインからの出力信号の実効
値の比で評価し、９２％であった。以上の結果を表１に
纏めた。図５中、２０はバッファアンプを示す。

【００４９】つぎに、上記配向膜ワニスをカラ−フィル
タ−付きの透明電極基板上に印刷塗布後、上記と同様に
して約６０ｎｍのポリイミド膜を形成した。さらに、上
記基板に挾持する液晶分子のツイスト角を２５０度にす
るために上下の基板をそれぞれの角度でラビングして、
上記基板間にシ−ル印刷後、４−置換フェニル−４´−
置換シクロヘキサン、４−置換シクロヘキサンカルボン
酸−４´−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキ
シル−４´−置換シクロヘキサン、４−置換フェニル−
４´−置換ジシクロヘキサン、４−置換ジシクロヘキシ
ル−４´−置換ジフェニルの一方の末端にアルキル基、
シアノ基、フッ素基、ジフッ素基を有する液晶成分に、
さらにカイラル剤Ｓ８１１（メルク社製商品名）を０．
５重量％添加した液晶組成物を封入してス−パ−ツイス
ト液晶表示素子を作製した。その後、エ−ジング処理し
て、画面上にウィンドのパタ−ンを表示した結果、輝度
むらおよび残像むらが低減された液晶表示素子を得た。

【００５０】〔実施例２〕４−テトラデシルオキシカル
ボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサン０．０２モル
％、ｍ−フェニレンジアミン０．０６モル％および式
（IV）に示すジアミノシロキサン０．０２モル％をＮ−
メチル−２−ピロリドンに溶解後、１、２、３、４−シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物０．０８モル％お
よびピロメリット酸二無水物０．０２モル％を加え、１
０℃で８時間反応させ、淡黄色の粘稠なワニスを得た。
そのワニスを用いて実施の形態１と同様にして液晶配向
膜用組成物の調合を行った後、ＩＴＯ透明電極付きガラ
ス基板上にスピンナ−塗布後、１５０℃で仮焼成、２２
０℃で１時間加熱硬化を行い、約５０ｎｍのポリイミド
シロキサン膜を形成した。ついで、実施の形態１と同じ
条件でプレチルト角を測定し、さらに上記の条件で作製
した液晶セルの充電残留ＤＣと放電時間、閾値電圧の周
波数特性および電圧保持率も測定した。それらの結果を
表１に示す。

【００５１】つぎに、上記の配向膜ワニスをカラ−フィ
ルタ−付きのアクティブ・マトリックス用の基板上に上
記と同様にして約５０ｎｍのポリイミドシロキサン膜を
形成した。さらに、上記基板に挾持する液晶分子のツイ
スト角を９０度にするために上下の基板をそれぞれの角
度でラビングして、上記基板間にシ−ル印刷を行ってギ
ャップ６．５μｍの素子にフッ素系、ジフッ素系または
トリフッ素系の混合液晶組成物を封入してアクティブ・
マトリックス液晶表示素子を作製した。その後、エ−ジ
ング処理して、画面上にウィンドのパタ−ンを表示した
結果、輝度むらおよび残像むらが低減された液晶表示素
子を得た。

【００５２】〔実施例３〕４−メチルオキシドデシル−
１、３−ジアミノシクロヘキサン０．０３モル％および
ｐ−フェニレンジアミン０．０７モル％をＮ−メチル−
２−ピロリドンに溶解後、イソフタル酸ジクロライド
０．１モル％を加え、５℃で７時間反応させ、淡黄色の
粘稠なワニスを得た。反応ワニスをアルコ−ルと純水の
混合液に加え、沈殿物を濾過、乾燥してジメチルアセト
アミドとブチルセルソルブの溶剤を用いて５重量％濃度
に希釈後、γ−アミノプロピルトリエトキシシランを固
形分で４重量％添加して、液晶配向膜用組成物の調合を
行った。その後、ＩＴＯ透明電極付きガラス基板上にス
ピンナ−塗布し、１５０℃で仮焼成、２１０℃で１時間
加熱硬化を行い、約６５ｎｍのポリアミド膜を形成し
た。さらに、実施の形態１と同じ条件液晶セルの諸特性
を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００５３】つぎに、上記の配向膜ワニスをカラ−フィ
ルタ−付きの透明電極基板上に印刷塗布後、１５０℃で
仮焼成、２００℃で１時間加熱硬化を行い、約６５ｎｍ
のポリアミド膜を形成した。さらに、上記基板に挾持す
る液晶分子のツイスト角を２４０度にするために上下の
基板をそれぞれの角度でラビングして、上記基板間にシ
−ル印刷を行ってギャップ６μｍの素子に実施の形態１
の混合液晶組成物を封入してス−パ−ツイスト液晶表示
素子を作製した。その後、エ−ジング処理して画面上に
ウィンドのパタ−ンを表示した結果、輝度むらおよび残
像むらが低減された液晶表示素子を得た。

【００５４】〔実施例４〕４−テトラデシルエステル−
１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボン酸０．０５モ
ルおよびイソフタル酸ジヒドラジド０．０５モル％をＮ
−メチル−２−ピロリドンに溶解後、１、２、３、４−
ブタンテトラカルボン酸二無水物０．０５モル％および
１、２、３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物０．０５モル％を加え、５℃で７時間反応させ、淡
黄色の粘稠なワニスを得た。そのワニスを用いて実施の
形態１と同様にして約６０nmのポリアミドイミド膜を形
成した。さらに、実施の形態１と同じ条件で液晶セルの
諸特性を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００５５】つぎに、上記の配向膜ワニスを用いてカラ
−フィルタ−付きの透明電極基板上に実施の形態１と同
様にして約６５nmのポリアミドイミド膜を形成した。さ
らに、基板に挾持する液晶分子のツイスト角を８０度に
するために上下の基板をそれぞれの角度でラビングし
て、上記基板間にシ−ル印刷を行ってギャップ６．０μ
ｍの素子にフッ素系、ジフッ素系またはトリフッ素系の
混合液晶組成物を封入してアクティブ・マトリックス液
晶表示素子を作製した。その後、エ−ジング処理して画
面上にウィンドのパタ−ンを表示した結果、輝度むらお
よび残像むらが低減された液晶表示素子を得た。

【００５６】〔実施例５〕４−イソオクチルオキシカル
ボニル−１、３−ジアミノシクロヘキサンカルボン酸
０．０３モル％およびｍ−フェニレンジアミン０．０７
モル％をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解後、デカメ
チレンビストリメリテ−ト酸二無水物０．０１モル％お
よび１、２、３、４−シクロヘキサンテトラカルボン酸
二無水物０．０９モル％を加え、２０℃で７時間反応さ
せ、淡黄色の粘稠なワニスを得た。そのワニスを用いて
実施の形態２と同様にして約４０nmのポリアミック酸−
イミド膜を形成した。さらに、実施の形態１と同じ条件
で液晶セルの諸特性を測定し、それらの結果を表１に示
す。

【００５７】つぎに、上記の配向膜ワニスを用いてカラ
−フィルタ−付きの透明電極基板上に実施の形態２と同
様にして約４０nmのポリアミック酸−イミド膜を形成し
た。さらに、上記基板のラビング方向は互いにほぼ平行
で、かつ印加電界方向との角度を８５度とした。基板間
のギャップは球形のポリマビ−ズを基板間に分散して挾
持し、４．５μｍとした。なお、上記基板の一方には信
号電極と走査電極を形成し、基板に平行に電界が印加で
きるよう構成した。両基板上の電極には、いずれも従来
のアクティブ・マトリクス型液晶表示素子と同様の手法
で形成した幅１６μｍのクロム電極を用いたが、アルミ
ニウム、銅、等の電気抵抗の低い金属であれば特に制限
はない。構成した液晶セルに、フッ素系、ジフッ素系ま
たはトリフッ素系の混合液晶組成物を封入して平行電界
型のアクティブ・マトリクス液晶表示素子を作製し、エ
−ジング処理後、画面上にウィンドのパタ−ンを表示し
ても輝度むらおよび残像むらが低減された液晶表示素子
を得た。

【００５８】〔実施例６〕４−シクロドデシルオキシ−
１、３−ジアミノシクロヘキサン０．０３モル％および
４、４´−ジアミノジフェニルメタン０．０７モル％を
Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解後、３、３´、４、
４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．０３モ
ル％および１、２、３、４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物０．０７モル％を加え、０℃で３時間反応
させ、淡黄色の粘稠なワニスを得た。反応ワニスを用い
て実施の形態１と同様にして液晶配向膜用組成物の調合
を行った。その後、ＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に
スピンナ−塗布後、１５０℃で仮焼成、２３０℃で１時
間加熱硬化を行い、約４５nmのポリイミド膜を形成し
た。さらに、実施の形態１と同じ条件で液晶セルの諸特
性を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００５９】つぎに、上記の配向膜ワニスをカラ−フィ
ルタ−付きの透明電極基板上に印刷塗布後、１５０℃で
仮焼成、２３０℃で１時間加熱硬化を行い、約４０nmの
ポリイミド膜を形成した。以下実施の形態５と同様にし
て輝度むらおよび残像むらが低減された液晶表示素子を
得た。 〔実施例７〕４−（１−メチルエチル−４−エチルオク
チルオキシ）−１、３−ジアミノシクロヘキサン０．０
２モル％およびｐ−フェニレンジアミン０．０８モル％
をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解後、１、２、３、
４−ブタンテトラカルボン酸二無水物０．０５モル％お
よび１、２、３、４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物０．０５モル％を加え、５℃で７時間反応させ、
淡黄色の粘稠なワニスを得た。そのワニスを用いて実施
の形態１と同様にして約６０nmのポリアミック酸−イミ
ド膜を形成した。さらに、実施の形態１と同じ条件で液
晶セルの諸特性を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００６０】つぎに、上記の配向膜ワニスを用いてカラ
−フィルタ−付きの透明電極基板上に実施の形態１と同
様にして約６０nmのポリイミド膜を形成した。さらに、
上記基板に挾持する液晶分子のツイスト角を２３０度に
するために上下の基板をそれぞれの角度でラビングし
て、上記基板間にシ−ル印刷を行ってギャップ６μｍの
素子に実施の形態１の液晶を封入してス−パ−ツイスト
液晶表示素子を作製した。その後、エ−ジング処理して
画面上にウィンドのパタ−ンを表示した結果、輝度むら
および残像むらが低減された液晶表示素子を得た。

【００６１】〔比較例１〕p−フェニレンジアミン０．
０５モル％および２、４−ジアミノパルミチルフェニル
エ−テル０．０５モル％をN−メチル−２−ピロリドン
に溶解後、ピロメリット酸二無水物０．０５モル％およ
び１、２、３、４−シクロブタンテトラカルボン酸二無
水物０．０５モル％を加え、５℃で７時間反応させ、淡
黄色の粘稠なワニスを得た。そのワニスを用いて実施の
形態１と同様にして約６０nmのポリアミック酸−イミド
膜を形成した。さらに、実施の形態１と同じ条件で液晶
セルの諸特性を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００６２】つぎに、上記の配向膜ワニスを用いてカラ
−フィルタ−付きの透明電極基板上に実施の形態１と同
様にして約６０nmのポリイミド膜を形成した。さらに、
上記基板に挾持する液晶分子のツイスト角を２４０度に
するために上下の基板をそれぞれの角度でラビングし
て、上記基板間にシ−ル印刷を行ってギャップ６μｍの
素子に実施の形態１の液晶を封入してス−パ−ツイスト
液晶表示素子を作製した。その後、エ−ジング処理して
画面上にウィンドのパタ−ンを表示した結果、輝度むら
および画像残りの残像むらが発生する液晶表示素子を得
た。

【００６３】〔比較例２〕４、４´−ジアミノジフェニ
ルメタン０．０５モル％および２、２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン０．０５モル％をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解
後、ピロメリット酸二無水物０．０５モル％および１、
２、３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物
０．０５モル％を加え、０℃で３時間反応させ、淡黄色
の粘稠なワニスを得た。そのワニスを用いて実施の形態
２と同様にして約６０nmのポリアミック酸−イミド膜を
形成した。さらに、実施の形態１と同じ条件で液晶セル
の諸特性を測定し、それらの結果を表１に示す。

【００６４】つぎに、上記の配向膜ワニスを用いて実施
の形態２と同様にして約６０nmのポリアミック酸−イミ
ド膜を形成した。さらに、上記基板に挾持する液晶分子
のツイスト角を９０度にするために上下の基板をそれぞ
れの角度でラビングして、上下基板間にシ−ル印刷を行
ってギャップ６μｍの素子にフッ素系、ジフッ素系また
はトリフッ素系の混合液晶組成物を封入してアクティブ
・マトリックス液晶表示素子を作製した。その後、エ−
ジング処理して画面上にウィンドのパタ−ンを表示した
結果、輝度むらおよび画像残りの残像むらが発生する液
晶表示素子を得た。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【発明の効果】本発明の液晶配向膜用組成物を用いた液
晶配向膜では、高プレチルト角、充電残留DCと放電時
間、閾値電圧の周波数依存性および電圧保持率の特性が
両立して向上する。このことから、特に輝度むらおよび
画像残りの残像むらの発生が少ない高表示品質の液晶表
示素子が達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】ス−パ−ツイスト液晶表示素子の部分断面図。

【図２】アクティブ・マトリックス液晶表示素子の部分
断面図。

【図３】残留直流電圧の測定系を示す図。

【図４】閾値電圧の周波数特性を示すグラフ。

【図５】電圧保持率の測定系を示す図および印加電圧波
形図。

【符号の説明】

１ 透明電極 ２ 液晶 ３ シ−ル剤 ４ スペ−サ ５ 偏光板 ６ 位相差板 ７ ガラス基板 ８ アルカリ防止膜 ９ 配向膜 １０ 保護膜 １１ カラ−フィルタ １２ アクティブ・マトリックス素子 １３ 恒温糟 １４ ユニット素子 １５ バックライト １６ パルスジェネレ−タ １７ 直流電源 １８ フォトダイオ−ド １９ オシロスコ−プ ２０ バッファアンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 舟幡 一行 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 側鎖に炭素数８〜２０のアルキル基を１
   個以上有するシクロヘキシルジアミンとテトラカルボン
   酸またはその誘導体との重合物を含有することを特徴と
   する液晶配向膜用組成物。
2. 【請求項２】 上記アルキル基の少なくとも１個が直鎖
   状アルキル基であることを特徴とする、請求項１記載の
   液晶配向膜用組成物。
3. 【請求項３】 上記アルキル基の少なくとも１個が分枝
   状アルキル基であることを特徴とする、請求項１記載の
   液晶配向膜用組成物。
4. 【請求項４】 上記シクロヘキシルジアミンが一般式
   （Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘは−ＮＨ₂を示し、Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ₂Ｏ
   −、−ＣＯ₂−又は−ＯＣＯ−を示し、Ｒは８〜２０の
   アルキル基を示す）で表される化合物を含有することを
   特徴とする、請求項１記載の液晶配向膜用組成物。
5. 【請求項５】 上記シクロヘキシルジアミンの重合物が
   ハロゲン基を含まない他のジアミンを含有することを特
   徴とする、請求項１記載の液晶配向膜用組成物。
6. 【請求項６】 上記シクロヘキシルジアミンの重合物が
   アミック酸、アミック酸−イミド、イミド、イミド−シ
   ロキサン、アミド−イミド、アミドのポリマおよび／ま
   たはオリゴマの中から選ばれた少なくとも一つであるこ
   とを特徴とする、請求項１記載の液晶配向膜用組成物。