JP7318826B2 - 液晶配向剤、液晶配向膜、及び液晶表示素子 - Google Patents
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Description
近年では、大画面で高精細な液晶テレビが主体となり、またスマートフォン、タブレットPCやカーナビゲーションといった小型の表示端末の普及が進み、液晶表示素子に対する高品質化の要求は従来よりも増してさらに高まっている。スマートフォンなどのモバイル用途及びカーナビゲーションなどの車載用途の液晶表示素子の信頼性試験として、パネルの振動試験を実施することがある。この振動試験では、輝点などの不良が発生しないことが求められる。
また、出来るだけ大きい表示面を確保するため、液晶表示素子の基板間を接着に用いるシール剤の幅をできるだけ狭くする所謂狭額縁化が要求されている。かかる狭額縁化に伴って、液晶表示素子を作製する際に用いるシール剤が、液晶配向膜上に重ねて塗布される。これに伴い、シール剤と液晶配向膜との間の接着性(以下、シール密着性ともいう。)が高い液晶配向膜が要求されている。
更に、ラビング処理により配向特性を発現させる場合、液晶配向膜が削れることに起因するほこりが発生しやすいという問題点がある。ほこりが発生すると、液晶配向膜表面にほこりが付着して表示不良が発生するほか、TFT素子の回路破壊が生じて歩留まりが低下することになる。
このように振動試験やラビング処理に伴う不良が発生しない液晶表示素子やシール密着性が高い液晶配向膜を得るために、例えば液晶配向膜の機械強度を高める方法が考えられる。液晶配向膜の機械強度、特に膜強度を改善する方法として、液晶配向剤に架橋剤を添加する方法が挙げられる。これらの課題を解決する手段として、特定のポリイミド成分と特定のヒドロキシアルキルアミド化合物を含有する液晶配向剤が提案されている(特許文献2参照)。更には、液晶配向膜の基本特性である電気特性に関してもより高い初期特性を示すことが求められている。
異方性が低い液晶配向膜は、液晶表示素子のコントラストが悪化し、長期交流駆動による残像(以下、AC残像ともいう。)が発生する恐れがある。それ故に、液晶配向膜の膜強度を高めつつ、液晶配向膜の異方性が高い液晶配向剤が求められている。
本発明は、下記の(A)成分と(B)成分とを含有することを特徴とする液晶配向剤、該液晶配向剤から得られる液晶配向膜、該液晶配向膜を有する液晶表示素子、更には、該液晶配向剤に用いる新規化合物にある。
(A)成分:液晶を配向させる能力を有する重合体(A)
(B)成分:下記式(1)で表されるヒドロキシアルキルアミド化合物(B)
本発明の上記効果が得られるメカニズムは必ずしも明らかではないが、以下に述べることが一因と考えられる。
すなわち、中央に配置された液晶性を発現する部分構造により、残像特性の補填が行われると考えられる。特に、液晶性を発現する部分構造の両端に鎖状炭化水素が存在することで延伸性阻害の抑制ならびに液晶性発現効果の促進が行われることが大きく寄与していると考えられる。
本発明の液晶配向剤は、既知のものと同様に、液晶を配向させる能力を有する重合体を含有するが、かかる重合体は、液晶を配向させる能力を有するものであれば特に限定されない。本発明の液晶配向剤は、かかる重合体を1種含んでもよく、2種以上含んでもよい。
かかる重合体としては、例えば、ポリイミド前駆体、ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミド、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、アクリルアミドポリマー、メタクリルアミドポリマー、ポリスチレン、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーネート、ポリウレア、ポリフェノール(ノボラック樹脂)、マレイミドポリマー、イソシアヌル酸骨格、トリアジン骨格を有した化合物を導入した重合体が挙げられる。
重合体が、ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル等のポリイミド前駆体やポリイミドの場合は、テトラカルボン酸若しくはその誘導体から選択される少なくとも一種のテトラカルボン酸二無水物とジアミン;
重合体が(メタ)アクリルポリマーの場合は、(メタ)アクリル酸若しくはその誘導体、又は(メタ)アクリル酸エステル若しくはその誘導体;
重合体が(メタ)アクリルアミドポリマーの場合は、(メタ)アクリルアミド若しくはその誘導体;
重合体がポリシロキサンの場合は、メトキシ基若しくはエトキシ基を有するシラン化合物;
重合体がポリアミドの場合は、ジカルボン酸及びその誘導体から選択される少なくとも一種のジカルボン酸成分とジアミン成分;
重合体がポリエステルの場合はジカルボン酸及びその誘導体から選択される少なくとも一種のジカルボン酸成分とジオール成分;
重合体がポリカーネートの場合は、ビスフェノール誘導体とホスゲン若しくはホスゲン等価物(例えば、トリクロロホスゲン)若しくはジフェニルカーボネート;
重合体がポリウレアの場合は、ビスイソシアネート誘導体とジアミン成分;
重合体がマレイミドポリマーの場合は、マレイミド誘導体単独若しくはスチレンとの共重合;
重合体がイソシアヌル酸骨格やトリアジン骨格を有した化合物を導入したポリマーの場合は、イソシアヌル酸骨格やトリアジン骨格を有した化合物。
本発明の液晶配向剤に含有される重合体としては、なかでも、液晶配向剤としての実用性、塗布膜の機械的強度、及び液晶配向性の観点から、ポリイミド前駆体、及びポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドからなる群から選ばれる1つ以上の重合体(以下、ポリイミド系重合体ともいう。)が好ましい。
上記ポリイミド系重合体は、既知の方法で製造できる。例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物若しくはその誘導体からなるテトラカルボン酸成分と、ジアミン成分と、を重(縮)合反応させることにより得られ、このポリイミド前駆体をイミド化することによりポリイミドが得られる。テトラカルボン酸二無水物の誘導体としては、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル、又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドが挙げられる。
ポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、例えば、芳香族、非環式脂肪族若しくは脂環式テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体を含むテトラカルボン酸成分から得られるものが挙げられる。上記テトラカルボン酸二無水物又はその誘導体は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで、芳香族テトラカルボン酸二無水物は、芳香環に結合する少なくとも1つのカルボキシ基を含めて4つのカルボキシ基が分子内脱水することにより得られる酸二無水物である。非環式脂肪族テトラカルボン酸二無水物は、鎖状炭化水素構造に結合する4つのカルボキシ基が分子内脱水することにより得られる酸二無水物である。但し、鎖状炭化水素構造のみで構成されている必要はなく、その一部に脂環式構造や芳香環構造を有していてもよい。
ポリイミド前駆体の製造に用いられるジアミン成分は特に限定されないが、下記式(3)及び下記式(3A)で表されるジアミンから選ばれる少なくとも1種以上のジアミンを含むジアミン成分が好ましい。上記ジアミン成分に含まれるジアミンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
基「-N(D)-(Dはカルバメート系保護基を表す。)」を分子内に有し、Dを除く炭素数が6~30のジアミン;4,4’-ジアミノアゾベンゼン及び下記式(dT-1)~(dT-3)で表されるジアミンなどの光配向性基を有するジアミン;3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、1,4-ビス(4-アミノベンジル)ベンゼン、下記式(3i-1)~(3i-5)で表されるジアミン、2,4-ジアミノフェノール、3,5-ジアミノフェノール、3,5-ジアミノベンジルアルコール、2,4-ジアミノベンジルアルコール、4,6-ジアミノレゾルシノール;2,4-ジアミノ安息香酸、2,5-ジアミノ安息香酸、3,5-ジアミノ安息香酸及び下記式(3b-1)~式(3b-4)で示されるジアミン化合物などのカルボキシ基を有するジアミン;4-(2-(メチルアミノ)エチル)アニリン、4-(2-アミノエチル)アニリン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンズアニリド、4,4’-ジアミノアゾベンゼン、1-(4-アミノフェニル)-1,3,3-トリメチル-1H-インダン-5-アミン、1-(4-アミノフェニル)-2,3-ジヒドロ-1,3,3-トリメチル-1H-インデン-6-アミン;下記式(h-1)~(h-3)で表されるジアミン等のウレア結合を有するジアミン;下記式(h-4)~(h-6)で表されるアミド結合を有するジアミン;メタクリル酸2-(2,4-ジアミノフェノキシ)エチル及び2,4-ジアミノ-N,N-ジアリルアニリン等の光重合性基を末端に有するジアミン;コレスタニルオキシ-3,5-ジアミノベンゼン、コレステニルオキシ-3,5-ジアミノベンゼン、コレスタニルオキシ-2,4-ジアミノベンゼン、3,5-ジアミノ安息香酸コレスタニル、3,5-ジアミノ安息香酸コレステニル、3,5-ジアミノ安息香酸ラノスタニル及び3,6-ビス(4-アミノベンゾイルオキシ)コレスタン等のステロイド骨格を有するジアミン;下記式(V-1)~(V-6)で表されるジアミン;1,3-ビス(3-アミノプロピル)-テトラメチルジシロキサン等のシロキサン結合を有するジアミン;下記式(Ox-1)~(Ox-2)等のオキサゾリン構造を有するジアミン等のジアミン;国際公開第2018/117239号に記載の式(Y-1)~(Y-167)のいずれかで表される基に2つのアミノ基が結合したジアミン等。
本発明の液晶配向剤は、下記式(1)で表されるヒドロキシアルキルアミド化合物(B)を含有することを特徴とする。
Ar1及びAr2の環部分の置換基は、炭素数1~5のアルキル基又はハロゲン原子が好ましく、メチル基又はフッ素原子がより好ましい。
上記式(w)で表される部分構造の好ましい具体例としては、例えば4,4’-ビフェニル基、4,4’-ビシクロへキシレン基、p-ターフェニレン基及び下記式(1-1)~式(1-4)のそれぞれで表される基、並びにこれらの基の環部分にメチル基又はフッ素原子を有する基などが挙げられる。
炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素は、好ましくは炭素数2~30の2価の鎖状炭化水素、より好ましくは炭素数2~16の2価の鎖状炭化水素が好ましい。
本発明に用いられるポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、以下の方法により製造できる。具体的には、上記テトラカルボン酸成分と上記ジアミン成分とを有機溶媒の存在下で例えば-20~150℃、好ましくは0~50℃において、例えば30分~24時間、好ましくは1~12時間(重縮合)反応させることによって合成できる。
上記の反応に用いる有機溶媒の具体例としては、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが挙げられる。また、重合体の溶媒溶解性が高い場合は、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、又は下記の式[D-1]~式[D-3]で示される溶媒を用いることができる。これらは2種以上を混合して用いてもよい。
反応は任意の濃度で行うことができるが、好ましくは1~50質量%、より好ましくは5~30質量%である。反応初期は高濃度で行い、その後、溶媒を追加することもできる。反応においては、ジアミン成分の合計モル数とテトラカルボン酸成分の合計モル数の比は0.8~1.2であることが好ましい。通常の重縮合反応同様、このモル比が1.0に近いほど生成するポリアミック酸の分子量は大きくなる。
末端修飾剤としては、例えば無水酢酸、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水フタル酸、無水イタコン酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3-ヒドロキシフタル酸無水物、トリメット酸無水物等の酸無水物や二炭酸ジ-tert-ブチル;アニリン、2-アミノフェノール、3-アミノフェノール、4-アミノサリチル酸、5-アミノサリチル酸、6-アミノサリチル酸、2-アミノ安息香酸、3-アミノ安息香酸、4-アミノ安息香酸等のモノアミン化合物;エチルイソシアネート、フェニルイソシアネート、ナフチルイソシアネート等のモノイソシアネート化合物等を挙げられる。
末端修飾剤の使用割合は、使用するジアミン成分の計100モル部に対して、40モル部以下とすることが好ましく、30モル部以下とすることがより好ましい。
本発明に用いられるポリイミドは、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸又はポリアミック酸エステルを既知の方法によりイミド化することにより製造できる。
例えば、ポリアミック酸からポリイミドを製造する場合、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応で得られたポリアミック酸の溶液に触媒を添加する(化学的)イミド化が簡便である。イミド化は、例えばイミド化させたい重合体を、有機溶媒中において塩基性触媒と酸無水物の存在下で撹拌することにより行うことができる。
ポリイミドにおいては、ポリアミック酸又はポリアミック酸エステルが有する官能基の閉環率(イミド化率ともいう)は必ずしも100%である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
本発明に用いられるポリアミック酸、ポリアミック酸エステル及びポリイミドは、これを濃度10~15重量%の溶液としたときに、例えば10~1000mPa・sの溶液粘度を持つものが作業性の観点から好ましいが、特に限定されない。なお、上記重合体の溶液粘度(mPa・s)は、当該重合体の良溶媒(例えばγ-ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドンなど)を用いて調製した濃度10~15質量%の重合体溶液につき、E型回転粘度計を用いて25℃において測定した値である。
本発明の液晶配向剤は、上記液晶を配向させる能力を有する重合体(A)と上記式(1)のヒドロキシアルキルアミド化合物(B)とを含有する。本発明の液晶配向剤は、好ましくは液晶を配向させる能力を有する重合体(A)が溶媒中に溶解された溶液中に、上記式(1)のヒドロキシアルキルアミド化合物(B)が添加された形態を有する。
本発明の液晶配向剤に含有される重合体(A)の含有量(濃度)は、形成させようとする塗膜の厚みの設定によっても適宜変更できるが、均一で欠陥のない塗膜を形成させるという点から1質量%以上が好ましく、溶液の保存安定性の点からは10質量%以下が好ましい。
本発明の液晶配向膜は、上記液晶配向剤から得られる。本発明の液晶配向膜は、水平配向型若しくは垂直配向型(VA型)の液晶表示素子の液晶配向膜に用いることができるが、中でもIPS方式又はFFS方式等の水平配向型の液晶表示素子に好適な液晶配向膜である。本発明の液晶表示素子は、上記液晶配向膜を具備するものである。本発明の液晶表示素子は、例えば以下の工程(1)~(4)或いは工程(1)~(2)及び(4)を含む方法により製造することができる。
パターニングされた透明導電膜が設けられている基板の一面に、本発明の液晶配向剤を、例えばロールコーター法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法などの適宜の塗布方法により塗布する。ここで基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、窒化珪素基板とともに、アクリル基板やポリカーボネート基板等のプラスチック基板等を用いることもできる。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならば、シリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極にはアルミニウム等の光を反射する材料も使用できる。また、IPS型又はFFS型の液晶素子を製造する場合には、櫛歯型にパターニングされた透明導電膜又は金属膜からなる電極が設けられている基板と、電極が設けられていない対向基板とを用いる。
工程(2)は、基板上に塗布した液晶配向剤を焼成し、膜を形成する工程である。液晶配向剤を基板上に塗布した後は、ホットプレート、熱循環型オーブン又はIR(赤外線)型オーブンなどの加熱手段により、溶媒を蒸発させたり、重合体中のアミック酸又はアミック酸エステルの熱イミド化を行ったりすることができる。本発明の液晶配向剤を塗布した後の乾燥、焼成工程は、任意の温度と時間を選択することができ、複数回行ってもよい。液晶配向剤の溶媒を除去する温度としては、例えば40~180℃で行うことができる。プロセスを短縮する観点で、40~150℃で行ってもよい。焼成時間としては特に限定されないが、1~10分又は、1~5分が挙げられる。重合体中のアミック酸又はアミック酸エステルの熱イミド化を行う場合には、上記有機溶媒を除去する工程の後、例えば150~300℃、又は150~250℃の温度範囲で焼成する工程ができる。焼成時間としては特に限定されないが、5~40分、又は、5~30分の焼成時間が挙げられる。
焼成後の膜状物の厚さは、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、5~300nmが好ましく、10~200nmがより好ましい。
工程(3)は、場合により、工程(2)で得られた膜に配向処理する工程である。即ち、IPS方式又はFFS方式等の水平配向型の液晶表示素子では該塗膜に対し配向能付与処理を行う。一方、VA方式又はPSAモード等の垂直配向型の液晶表示素子では、形成した塗膜をそのまま液晶配向膜として使用することができるが、該塗膜に対し配向能付与処理を施してもよい。液晶配向膜の配向処理方法としては、ラビング処理法、光配向処理法が好適である。光配向処理法としては、上記膜状物の表面に、一定方向に偏向された放射線を照射し、場合により、好ましくは、150~250℃の温度で加熱処理を行い、液晶配向性(液晶配向能ともいう)を付与する方法が挙げられる。放射線としては、100~800nmの波長を有する紫外線又は可視光線を用いることができる。なかでも、好ましくは100~400nm、より好ましくは、200~400nmの波長を有する紫外線である。
更に、上記の方法で、偏光された放射線を照射した液晶配向膜に、水や溶媒を用いて、接触処理するか、放射線を照射した液晶配向膜を加熱処理することもできる。
上記のようにして液晶配向膜が形成された基板を2枚準備し、対向配置した2枚の基板間に液晶を配置する。具体的には以下の2つの方法が挙げられる。第一の方法は、先ず、それぞれの液晶配向膜が対向するように間隙(セルギャップ)を介して2枚の基板を対向配置する。次いで、2枚の基板の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶組成物を注入充填して膜面に接触した後、注入孔を封止する。
なお、塗膜に対してラビング処理を行った場合には、2枚の基板は、各塗膜におけるラビング方向が互いに所定の角度、例えば直交又は逆平行となるように対向配置される。
シール剤としては、例えば硬化剤及びスペーサーとしての酸化アルミニウム球を含有するエポキシ樹脂等を用いることができる。液晶としては、ネマチック液晶及びスメクチック液晶を挙げることができ、その中でもネマチック液晶が好ましい。
(テトラカルボン酸二無水物)
CA-1:下記式(CA-1)で表される化合物
(ジアミン)
DA-1:下記式(DA-1)で表される化合物
(ヒドロキシアルキルアミド化合物)
Add-1、Add-2:それぞれ、下記式(Add-1)、(Add-2)で表される化合物
(添加剤)
Add-C1、Add-C2:それぞれ、下記式(Add-C1)、(Add-C2)で表される化合物
Add-S1:下記式(Add-S1)で表される化合物
(有機溶媒)
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
BCS:エチレングリコールモノブチルエーテル
DMF:N,N-ジメチルホルムアミド
装置:フーリエ変換型超伝導核磁気共鳴装置(FT-NMR)「AVANCE III」(BRUKER製)500MHz。
溶媒:重水素化ジメチルスルホキシド([D6]-DMSO)。標準物質:テトラメチルシラン。
<粘度の測定>
溶液の粘度は、E型粘度計TVE-22H(東機産業社製)を用い、サンプル量1.1mL、コーンロータTE-1(1°34’、R24)を用いて、温度25℃で測定した。
<分子量の測定>
分子量は常温GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)装置によって測定し、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド換算値として数平均分子量(Mn)と重量平均分子量(Mw)を算出した。
GPC装置:GPC-101(昭和電工社製)、カラム:GPC KD-803、GPC KD-805(昭和電工社製)の直列、カラム温度:50℃、溶離液:N,N-ジメチルホルムアミド(添加剤として、臭化リチウム一水和物(LiBr・H2O)が30mmol/L、リン酸・無水結晶(o-リン酸)が30mmol/L、テトラヒドロフラン(THF)が10mL/L)、流速:1.0mL/分
検量線作成用標準サンプル:TSK 標準ポリエチレンオキサイド(分子量;約900,000、150,000、100,000及び30,000)(東ソー社製)及びポリエチレングリコール(分子量;約12,000、4,000及び1,000)(ポリマーラボラトリー社製)。
<合成例1(Add-1)>
以下に示す経路に従って化合物(Add-1)を合成した。
以下に示す1H-NMRの結果から、この化合物がAdd-1であることを確認した。
1H-NMR(500MHz,[D6]-DMSO):δ=7.52(d,4H,J=8.5Hz),6.99(d,4H,J=8.5Hz),4.70(br,4H),4.00(t,4H,J=6.4Hz),3.52-3.47(m,8H),3.40-3.35(m,8H),2.52(t,4H,J=7.2Hz),1.95(quin,4H,J=6.6Hz)
以下に示す経路に従って化合物(Add-2)を合成した。
以下に示す1H-NMRの結果から、この化合物がAdd-2であることを確認した。
1H-NMR(500MHz,[D6]-DMSO):δ=7.29(t,2H,J=8.2Hz),7.16(d,2H,J=7.9Hz),7.05(d,2H,J=8.2Hz),6.97(t,2H,J=7.3Hz),4.70(br,4H),3.94(t,4H,J=6.5Hz),3.46-3.42(m,8H),3.32-3.27(m,8H),2.31(t,4H,J=8.0Hz),1.77(quin,4H,J=7.1Hz)
<実施例1>
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの100mL四つ口フラスコに、DA-1(14.3g、50.0mmol)及びNMP(145g)を加えて、窒素雰囲気下、室温で撹拌して溶解させた。その後、CA-1(10.5g、48.0mmol)及びNMP(36.4g)を加えて、50℃で16時間撹拌して、濃度12%のポリアミック酸(PAA-1)の溶液(粘度:525mPa・s)を得た。このポリアミック酸(PAA-1)のMnは14,800、Mwは32,500であった。
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.61g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-1(10質量%NMP溶液、0.340g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-1)を得た。
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.28g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-1(10質量%NMP溶液、0.680g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-2)を得た。
<実施例3>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.61g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-2(10質量%NMP溶液、0.340g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-3)を得た。
<実施例4>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.28g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-2(10質量%NMP溶液、0.680g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-4)を得た。
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.61g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-C1(10質量%NMP溶液、0.340g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-5)を得た。
<比較例2>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.28g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-C1(10質量%NMP溶液、0.680g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-6)を得た。
<比較例3>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.95g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-C2(0.0338g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-7)を得た。
<比較例4>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.95g)、BCS(3.75g)、Add-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)、及びAdd-C2(0.0675g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-8)を得た。
<比較例5>
上記ポリアミック酸(PAA-1)の溶液(5.63g)にNMP(4.95g)、BCS(3.75g)、及びAdd-S1(1質量%NMP溶液、0.680g)を加え、室温で3時間撹拌することで、液晶配向剤(AL-9)を得た。
始めに全面にITO電極が付いたガラス基板を準備した。基板は、30mm×40mmの大きさで、厚さが1.1mmのガラス基板であり、基板上の全面には膜厚35nmのITO電極が形成されている。次に、上記実施例及び比較例で得られた液晶配向剤AL-1~AL-9を孔径1.0μmのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板のITO面に、スピンコート法にて塗布した。80℃のホットプレート上で2分間乾燥させた後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚100nmの塗膜を形成させてポリイミド膜を得た。このポリイミド膜を、レーヨン布でラビング処理(ローラー直径:120mm、ローラー回転数:1000rpm、移動速度:20mm/sec、押し込み長:0.4mm)した。本基板を顕微鏡にて観察を行い、膜面にラビング処理によるスジや削れカスが全く見られなかったものを「◎」、わずかにカスが見えたものを「〇」、酷いスジや削れカスがみられたものを「×」と定義して評価を行った。
上記ラビング耐性の評価と同様にしてラビング処理まで行った基板に対し、液晶配向膜評価システム(レイ・スキャン LYS-LH30S-1A)(モリテックス社製)を用いて異方性の評価を行った。異方性が0.15以上であるものを「◎」、0.1以上0.15未満であるものを「〇」、0.1未満であるものを「×」と定義して評価を行った。
始めに全面にITO電極が付いたガラス基板を準備した。基板は、30mm×40mmの大きさで、厚さが1.1mmのガラス基板であり、基板上の全面には膜厚35nmのITO電極が形成されている。次に、上記実施例及び比較例で得られた液晶配向剤AL-1~AL-9を孔径1.0μmのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板のITO面に、スピンコート法にて塗布した。80℃のホットプレート上で2分間乾燥させた後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚100nmの塗膜を形成させてポリイミド膜を得た。このポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理(ローラー直径:120mm、ローラー回転数:500rpm、移動速度:30mm/sec、押し込み長:0.3mm、ラビング方向:3層目IZO櫛歯電極に対して10°傾いた方向)した後、純水中にて1分間超音波照射をして洗浄を行い、エアブローにて水滴を除去し、80℃で10分間乾燥して液晶配向膜付き基板を得た。次に、一方の基板の液晶配向膜面に4μmのスペーサーを散布し、もう一方の基板の液晶配向膜面上には、シール剤(723K1)(協立化学産業社製)を塗布し、これらの基板の液晶配向膜面が向き合うように、かつ基板をラビング方向が逆方向になるように貼り合わせを行った。その際、両基板端が1cm重複するようにし、またシール剤の塗布量は、貼り合わせ後のシール剤の直径が3mmになるように、かつ基板が重複する領域の中心部にくるように調整した。その後、貼り合わせ後の基板に、照度20mW/cm2のメタルハライドランプを用いて、365nmの波長換算で3J/cm2の紫外線を照射し、その後、熱循環型クリーンオーブンにて120℃で60分間加熱処理をして、密着性の評価用のセルを作製した。
シール密着性の評価は、卓上型精密万能試験機(AGS-X 500N)(島津製作所社製)を用いて行った。具体的には、得られたセルの上下基板の端の部分を固定した後、両基板の重複部分を上側から毎秒5mmの速度で押し込みを行い、剥離する際の圧力(N)を測定した。そして、計測したシール剤の直径より見積もった面積(cm2)で圧力(N)を規格化した値を用いてシール密着性を評価した。評価は、破断強度の値が大きいものほど密着性に優れる、即ち、本評価に優れるとした。圧力が1.5N/cm2以上であるものを「〇」、1.5N/cm2未満であるものを「×」と定義して評価を行った。
始めに電極付きの基板を準備した。基板は、30mm×40mmの大きさで、厚さが0.7mmのガラス基板である。基板上には膜厚35nmのITO電極が形成されており、電極は縦40mm、横10mmのストライプパターンである。
次に、上記実施例及び比較例で得られた液晶配向剤AL-1~AL-9を孔径1.0μmのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板に、スピンコート法にて塗布した。80℃のホットプレート上で2分間乾燥させた後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚100nmの塗膜を形成させてポリイミド膜付き基板を得た。このポリイミド膜をレーヨン布でラビング(ローラー直径:120mm、ローラー回転数:1000rpm、移動速度:20mm/sec、押し込み長:0.4mm)した後、純水中にて1分間超音波照射をして洗浄を行い、エアブローにて水滴を除去し、80℃で10分間乾燥して液晶配向膜付き基板を得た。この液晶配向膜付き基板を2枚用意し、その1枚の液晶配向膜面上に4μmのスペーサーを散布した後、その上からシール剤を印刷し、もう1枚の基板をラビング方向が逆方向、かつ膜面が向き合うようにして張り合わせた。その後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ネガ型液晶MLC-7026-100(メルク社製)を注入し、注入口を封止して液晶セルを得た。その後、得られた液晶セルを120℃で1時間加熱し、23℃で一晩放置してから評価に用いた。
上記液晶セルに60℃の温度下で1Vの電圧を60μsec印加し、166.7msec後の電圧を測定して、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として算出した。電圧保持率の値が高いほど良好である。なお、液晶表示素子の電気特性の1つである電圧保持率が上昇すると、液晶表示素子の表示不良の1つである線焼き付きが発生しにくくなることが知られている。電圧保持率が75%以上であるものを「◎」、50%以上75%未満であるものを「〇」、50%未満であるものを「×」と定義して評価を行った。
フリンジフィールドスィッチング(Fringe Field Switching:FFS)モード液晶表示素子の構成を備えた液晶セルを作製した。
始めに、電極付きの基板を準備した。基板は、30mm×35mmの大きさで、厚さが0.7mmのガラス基板である。基板上には第1層目として対向電極を構成する、ベタ状のパターンを備えたITO電極が形成されていた。第1層目の対向電極の上には第2層目として、CVD(化学蒸着)法により成膜されたSiN(窒化珪素)膜が形成されていた。第2層目のSiN膜の膜厚は500nmであり、第2層目のSiN膜の上には、第3層目としてITO膜をパターニングして形成された櫛歯状の画素電極が配置され、第1画素及び第2画素の2つの画素が形成されていた。各画素のサイズは、縦10mmで横約5mmであった。このとき、第1層目の対向電極と第3層目の画素電極とは、第2層目のSiN膜の作用により電気的に絶縁されていた。
第3層目の画素電極は、中央部分が内角160°で屈曲した幅3μmの電極要素が6μmの間隔を開けて平行になるように複数配列された櫛歯形状を有しており、1つの画素は、複数の電極要素の屈曲部を結ぶ線を境に第1領域と第2領域を有していた。
各画素の第1領域と第2領域とを比較すると、それらを構成する画素電極の電極要素の形成方向が異なるものとなっていた。すなわち、後述する液晶配向膜のラビング方向を基準とした場合、画素の第1領域では画素電極の電極要素が+10°の角度(時計回り)をなすように形成され、画素の第2領域では画素電極の電極要素が-10°の角度(時計回り)をなすように形成されていた。すなわち、各画素の第1領域と第2領域とでは、画素電極と対向電極との間の電圧印加によって誘起される液晶の、基板面内での回転動作(インプレーン・スイッチング)の方向が互いに逆方向となるように構成されていた。
次に、上記実施例及び比較例で得られた液晶配向剤AL-1~AL-9を孔径1.0μmのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板と裏面にITO膜が成膜されている高さ4μmの柱状スペーサーを有するガラス基板に、スピンコート法にて塗布した。80℃のホットプレート上で2分間乾燥させた後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚60nmのポリイミド膜を得た。このポリイミド膜をレーヨン布でラビング(ローラー直径:120mm、ローラー回転数:500rpm、移動速度:30mm/sec、押し込み長:0.3mm、ラビング方向:3層目IZO櫛歯電極に対して10°傾いた方向)した後、純水中にて1分間超音波照射をして洗浄を行い、エアブローにて水滴を除去し、80℃で10分間乾燥して液晶配向膜付き基板を得た。これら2枚の液晶配向膜付き基板を1組とし、基板上に液晶注入口を残した形でシール剤を印刷し、もう1枚の基板を、液晶配向膜面が向き合い、ラビング方向が逆平行になるようにして張り合わせた。その後、シール剤を硬化させて、セルギャップが4μmの空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ネガ型液晶MLC-7026-100(メルク社製)を注入し、注入口を封止して、FFS方式の液晶セルを得た。その後、得られた液晶セルを120℃で1時間加熱し、23℃で一晩放置してから評価に使用した。
上記で作製した液晶セルを用い、60℃の恒温環境下、周波数60Hzで±6Vの交流電圧を120時間印加した。その後、液晶セルの画素電極と対向電極との間をショートさせた状態にし、そのまま室温に一日放置した。
放置の後、液晶セルを偏光軸が直交するように配置された2枚の偏光板の間に設置し、電圧無印加の状態でバックライトを点灯させておき、透過光の輝度が最も小さくなるように液晶セルの配置角度を調整した。そして、第1画素の第2領域が最も暗くなる角度から第1画素の第1領域が最も暗くなる角度まで液晶セルを回転させたときの回転角度を角度Δとして算出した。第2画素でも同様に、第2領域と第1領域とを比較し同様の角度Δを算出した。
第1画素の角度Δと第2画素の角度Δの平均値が0.6°未満であるとき、特に残像特性に優れている、即ち「◎」とし、0.6°以上1.0°未満であるものを「〇」、1.0°以上であるものを「×」と定義して評価を行った。
Claims (17)
- Pが、それぞれ独立して、基「*-C(=O)-N(R)2」又は基「*-A-C(=O)-N(R)2」を表し、
但し、Aは、炭素数1~30の2価の有機基であり、前記炭素数1~30の2価の有機基は、2価の炭化水素基、前記2価の炭化水素基の炭素-炭素結合間にヘテロ原子を有する基を含む2価のヘテロ原子含有基、および前記2価の炭化水素基及び2価のヘテロ原子含有基が有する一部又は全部の水素原子を置換基で置換した2価の有機基からなる群から選ばれる2価の有機基であり、Rは、請求項1で定義されたものである、請求項1に記載の液晶配向剤。 - 前記基「*-(CR’2)2-OH」において、R’が水素原子である、請求項1または2に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体(A)が、ポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体である、請求項1~5のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 前記ポリイミド前駆体が、下記式(2)で表されるテトラカルボン酸二無水物またはその誘導体を含有するテトラカルボン酸成分を用いて得られる請求項6に記載の液晶配向剤。
- 前記ポリイミド前駆体が、下記式(3)及び下記式(3A)で表されるジアミンから選ばれる少なくとも1種以上のジアミンを含有するジアミン成分を用いて得られる請求項6~8のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 前記ポリイミド前駆体が、窒素原子含有複素環(但し、ポリイミドが有するイミド環を除く。)、第二級アミノ基及び第三級アミノ基からなる群から選ばれる少なくとも一種の窒素原子含有構造を有するジアミンを含有するジアミン成分を用いて得られる請求項6~10のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 前記ヒドロキシアルキルアミド化合物(B)の含有量が、前記重合体(A)100質量部に対して、0.1~50質量部である、請求項1~11のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 密着助剤、架橋性化合物、および液晶配向膜の誘電率や電気抵抗を調整するための誘電体または導電物質からなる群から選ばれる少なくとも1種の添加剤をさらに含有する、請求項1~12のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 請求項1~13のいずれかに記載の液晶配向剤を基板に塗布し、焼成し、得られる膜に配向処理する液晶配向膜の製造方法。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の液晶配向剤から形成されてなる液晶配向膜。
- 請求項15に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
- IPS駆動方式又はFFS駆動方式である請求項16に記載の液晶表示素子。
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