JP2000302866A - 液晶配向膜用組成物、液晶挟持基板及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 液晶表示装置作製の時間を短縮、また横電界
方式液晶表示装置において、良好な表示特性、高コント
ラスト比を示す、液晶配向膜用組成物、液晶挟持基板及
び液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 脂肪族テトラカルボン酸二無水物及び／
または、脂環式テトラカルボン酸二無水物が、酸二無水
物成分の総モル数の３０モル％以上９０％モル以下含
み、ジアミン成分とを反応させて得られるポリイミド前
駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物、そこから得ら
れるポリイミド前駆体を塗布した後、乾燥、脱水閉環さ
せて、ポリイミド膜が形成されてなる液晶挟持基板、並
びに電極群は前記液晶層に対し前記基板面と概ね平行な
電界を印加するように構成され、液晶配向膜が前記液晶
配向膜用組成物で形成されており、前記電極群が前記液
晶挟持基板であることを特徴とする液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶配向膜用組成
物、液晶挟持基板、及び液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置では、対向するそれ
ぞれの基板にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからな
る透明電極を用いていて、ツイスティドネマチック表示
方式に代表される表示方式を採用している。この透明電
極上には、液晶配向膜が設けられ、ポリイミド系液晶配
向膜（特開昭５５−１０１８０号公報、特開昭６３−２
５９５１５号公報等参照）が使用されている。これら
は、基板上に塗布したものを２３０〜３５０℃の範囲で
乾燥、脱水閉環させてポリイミド膜を形成し、その後ラ
ビング処理を行うことによって得られる。

【０００３】また視野角依存性が小さく、良好な表示特
性を示す横電界方式の液晶表示装置（特開平６−１６０
８７８号公報、特開平７−２６１１８１号公報参照）に
おいて、平坦化機能を有する有機高分子を用いた液晶表
示装置（特開平８−２２０５１８号公報参照）が提案さ
れているが、有機高分子を含む層のみで絶縁膜を形成し
た場合、高いコントラスト比が得られなかったとあり、
この原因は有機高分子層を形成する際に溶液がトランジ
スタ素子（以降ＴＦＴ素子と省略する）に接するためＴ
ＦＴ素子の特性が悪化した、と推定している。そして、
無機絶縁膜の膜厚は０．１μｍ以上でかつ、その上に有
機絶縁膜が、画素電極の膜厚または共通電極の膜厚のう
ち、厚い方の膜厚の半分以上、としている。しかしなが
ら、有機絶縁膜に関してはなんら言及されていない。

【０００４】視野角依存性が小さく、良好な表示特性を
示す横電界方式の液晶表示装置（特開平６−１６０８７
８号公報、特開平７−２６１１８１号公報参照）におい
てＴＦＴ素子に対しては、ＳｉＮなどの無機絶縁膜を使
用していた。液晶パネルの大型化に従い、均一な膜厚の
無機絶縁膜を大面積に対して蒸着するためには、膜厚が
０．１μｍから２μｍ程度必要とされ、その蒸着には時
間がかかり、液晶表示装置作製の隘路となっていた。一
方、エッチングプロセスにおいては均一性・再現性の確
保のために、できるだけ薄膜化された無機絶縁膜が望ま
れていた。また、無機絶縁膜表面には、凹凸が存在し、
加えてＴＦＴ基板表面には、櫛歯電極の凹凸も存在する
ので、ラビングによる配向処理を行ってもその凹凸部分
が充分にラビングできないため、エッジドメインが発生
しやすく、暗状態において光漏れを生じ、コントラスト
比が低下することがあった。この問題を解決するために
段差被覆性の良い、有機絶縁膜を使用することが望まれ
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の欠点を解決し、液晶表示装置作製の時間を短縮、ま
た横電界方式液晶表示装置において、良好な表示特性、
高コントラスト比を示す、液晶配向膜用組成物、液晶挟
持基板及び液晶表示装置を提供するものである。

【０００６】

【発明を解決するための手段】本発明は、次の各項に関
するものである。 （１）テトラカルボン酸二無水物において、脂肪族テト
ラカルボン酸二無水物および／または、脂環式テトラカ
ルボン酸二無水物のうち、少なくとも１種を、酸二無水
物成分の総モル数の３０モル％以上９０モル％以下含
み、ジアミン成分とを反応させて得られるポリイミド前
駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物。 （２）一環の芳香族ジアミン化合物が、ジアミン成分の
総モル数の５０モル％以上含み、酸二無水物成分とを反
応させて得られることを特徴とする（１）記載の樹脂組
成物。

【０００７】（３）テトラカルボン酸二無水物におい
て、一般式（Ｉ）

【化３】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表わされるテト
ラカルボン酸二無水物及び／または一般式（II）

【化４】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表わされるテト
ラカルボン酸二無水物が、酸二無水物の総モル数の１０
モル％以上７０モル％以下であることを特徴とする
（１）又は（２）記載の液晶配向膜用組成物。 （４）膜厚０．１〜３μｍにおいて、４００〜８００nm
の範囲で光透過率が９０％以上であることを特徴とする
（１）〜（３）のいずれかに記載の液晶配向膜用組成
物。

【０００８】（５）少なくともトランジスタ素子が形成
されている基板にトランジスタ素子に接する絶縁層とし
て膜厚０．００１μｍ以上０．１μｍ未満の無機絶縁膜
を形成した後、（１）〜（４）のいずれかに記載の液晶
配向膜用組成物から得られるポリイミド前駆体を塗布し
た後、乾燥、脱水閉環させて、ポリイミド膜が形成され
てなる液晶挟持基板。 （６）表示画素が走査信号電極、映像信号電極、画素電
極、共通電極及びトランジスタ素子により基板上に構成
される電極基板において、電極及びトランジスタ素子に
接する絶縁層として、膜厚０．００１μｍ以上０．１μ
ｍ未満の無機絶縁膜を形成した後、（１）〜（４）のい
ずれかに記載の液晶配向膜用組成物から得られるポリイ
ミド前駆体を塗布した後、乾燥、脱水閉環させて、ポリ
イミド膜を形成されてなる液晶挟持基板。 （７）ポリイミド膜を形成した後、その膜をラビングし
て液晶用液晶配向膜としてなる（５）又は（６）記載の
液晶挟持基板。

【０００９】（８）表示画素が走査信号電極、映像信号
電極、画素電極、共通電極及びトランジスタ素子により
基板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層
を介して形成されており、前記基板は前記液晶配向膜を
形成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶
層が挟持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板
面と概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電
極群は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の
光学特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置に
おいて、前記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形
成されており、前記電極群が（７）記載の液晶挟持基板
であることを特徴とする液晶表示装置。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の樹脂組成物は、ポリイミ
ド前駆体を含むものである。このポリイミド前駆体は、
テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを好まし
くは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下で、反応
させて得られ、主にポリアミド酸からなるが、このポリ
アミド酸は一部イミド化していてもよく、これらの混合
物であってもよく、これらを総称してポリイミド樹脂前
駆体という。従って、場合により反応温度は２５０℃ま
で昇温してもよい。ポリイミド前駆体は液晶配向膜用組
成物の溶剤に可溶性であることが好ましい。

【００１１】本発明における樹脂組成物には、脂肪族テ
トラカルボン酸二無水物または脂環式テトラカルボン酸
二無水物が含まれるため、生成されたポリイミド膜の緻
密性に優れ、電気絶縁性に良好な特性を示す。したがっ
てこれらの使用割合が３０モル％未満である場合には、
電気絶縁性、電圧保持率、耐熱性、光透過性に対して劣
る場合があり、９０モル％を超えると、配向性、耐ラビ
ング性に対して劣る場合がある。

【００１２】本発明に用いられる脂肪族テトラカルボン
酸二無水物としては、例えば、１，２，３，４−ブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ペンタテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ヘキサテト
ラカルボン酸二無水物、１，２，６，７−ヘプタテトラ
カルボン酸二無水物、１，２，７，８−オクタテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４−ジカルボキシ−１，２，
３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸二無水
物などが挙げられ、また脂環式テトラカルボン酸二無水
物としては、１，２，３，４−シクロブタンテトラカル
ボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテト
ラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−シクロヘキサ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビ
スシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ
（２，２，２）オクタ−７−エン−２，３，５，６−テ
トラカルボン酸二無水物などが挙げられ、これらは、単
独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。

【００１３】前記一般式（Ｉ）および一般式（II）にお
いて、それぞれ、ｎは６〜１２が好ましい。

【００１４】また、本発明で用いられる前記一般式
（Ｉ）または一般式（II）で表わされる主鎖上にメチレ
ン基を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることに
より、ポリイミドのガラス転移温度を低下させ、低温硬
化した場合でも高いイミド化率が得られるため、ラビン
グ処理によって得られる配向性の向上に効果があると考
えられる。したがってこれらの使用割合が１０モル％未
満である場合には、配向性、耐ラビング性に対して劣る
場合があり、一方、７０モル％を超えると配向性が低下
する傾向がある。また、耐熱性の点からは、一般式
（Ｉ）または一般式（II）で表わされる主鎖上にメチレ
ン基を有するテトラカルボン酸二無水物が少なすぎても
多すぎても低下する傾向があるためこれらの使用割合
は、テトラカルボン酸二無水物の総量に対して１０〜６
０モル％が好ましく、電化保持率の観点からは２０〜５
０モル％が好ましい。

【００１５】一般式（Ｉ）表わされるテトラカルボン酸
二無水物としては、例えば、ジメチレンビストリメリテ
ート酸二無水物、トリメチレンビストリメリテート酸二
無水物、テトラメチレンビストリメリテート酸二無水
物、ペンタメチレンビストリメリテート酸二無水物、ヘ
キサメチレンビストリメリテート酸二無水物、オクタメ
チレンビストリメリテート酸二無水物、デカメチレンビ
ストリメリテート酸二無水物、ドデカメチレンビストリ
メリテート酸二無水物、ヘキサデカメチレンビストリメ
リテート酸二無水物などが挙げられ、これらは、単独ま
たは２種以上を組み合わせて用いられる。

【００１６】一般式（II）表わされるテトラカルボン酸
二無水物としては、メチレン−１，２−ビス（１，３−
ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニ
ル）ジエーテル、プロピレン−１，３−ビス（１，３−
ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニ
ル）ジエーテル、ブタン−１，４−ビス（１，３−ジヒ
ドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジ
エーテル、ヘキサン−１，６−ビス（１，３−ジヒドロ
−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエー
テル、オクタン−１，８−ビス（１，３−ジヒドロ−
１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテ
ル、デカン−１，１０−ビス（１，３−ジヒドロ−１，
３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、
ドデカン−１，１２−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３
−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、ヘ
キサデカン−１，１６−ビス（１，３−ジヒドロ−１，
３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、
イコサン−１，２０−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３
−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテルなど
が挙げられ、これらは、単独または２種以上を組み合わ
せて用いられる。

【００１７】また、一般式（Ｉ）または（II）で表わさ
れる芳香族テトラカルボン酸二無水物以外の芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット
酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′
−テトラカルボキシフェニルエーテル二無水物、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニル）ヘキサフル
オロプロパン酸二無水物などを用いることができ、これ
らは２種以上を併用してもよい。

【００１８】一方、本発明で用いられる一環の芳香族ジ
アミン化合物としては、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、２，
３，５，６，−テトラメトキシ−１，４−フェニレンジ
アミン、２，３，５，６，−テトラエトキシ−１，４−
フェニレンジアミン、２，３，５，−トリメトキシ−
１，４−フェニレンジアミン、２，３，５，−トリエト
キシ−１，４−フェニレンジアミン、２，６，−ジメト
キシ−１，４−フェニレンジアミン、２，６，−ジエト
キシ−１，４−フェニレンジアミン、２，５，−ジメト
キシ−ｍ−フェニレンジアミン、３−メトキシ−ｍ−フ
ェニレンジアミン、イソフタロジルジヒドラジドなどが
挙げられ、これらは２種以上を併用してもよいが、これ
らの使用割合はジアミン化合物の総量に対して５０モル
％未満である場合には、耐熱性、絶縁性、電圧保持率に
対して劣る場合がある。

【００１９】さらに、本発明で用いられるその他のジア
ミン化合物としては、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、３，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−
ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−
ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２
−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パンなどを挙げることができる。これらは、１種または
２種以上を組み合わせて用いられる。

【００２０】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和と、テトラカルボン酸二無水物のモル数
の総和の比を好ましくは０．８〜１．２の範囲、より好
ましくは１．０にして反応させる。

【００２１】脂肪族テトラカルボン酸二無水物、脂環式
テトラカルボン酸二無水物および必要に応じて使用する
芳香族テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物は、
不活性溶媒に溶解され反応させてポリイミド前駆体とさ
れる。

【００２２】不活性溶媒としては、前記の単量体の全て
を溶解する必要はないが、生成するポリアミド酸を溶解
するものが好ましく、例えば、Ｎ−メチルー２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラク
トン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホキシド、
１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルー
プロピオンアミド、ヘキサメチルホスホルトリアミドな
どの極性溶媒が挙げられる。これらは２種以上を併用し
てもよい。これらの溶媒以外に、被印刷体への濡れ性を
良くするための溶媒を、反応前または反応終了後に添加
することもできる。これらの溶媒としては例えば、エチ
ルセロソロブ、エチルセロソロブアセテート、ブチルセ
ロソロブ、ブチルセロソロブアセテート、キシレン、ト
ルエン、１−エトキシ−２−アセトキシプロパン、ジイ
ソブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトンなどが挙
げられる。

【００２３】上記のジアミン成分と酸二無水物成分との
反応温度は、−３０℃〜１００℃が好ましい。反応時間
は適宜決定されるが、通常３０分〜４８時間が好まし
い。反応終了後分子量調整のために、反応温度を好まし
くは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜２００
℃、特に好ましくは１２０℃〜２００℃にすることが好
ましい。このときの反応時間も適宜決定されるが、通常
は３０分〜７２時間で加熱処理を行うことが好ましい。

【００２４】以上の反応で、合成反応に用いた不活性溶
媒などを含む反応液をそのまま、本発明における樹脂組
成物としてもよく、得られたポリアミド酸を一端分離し
てあらためて前記した溶媒に溶解して樹脂組成物として
もよい。

【００２５】本発明の樹脂組成物は、ガラスとの密着性
を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカ
ップリング剤等のカップリング剤を添加することができ
る。上記カッブリング剤としては例えば、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミ
ノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメ
トキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラ
ン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノ
ブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメト
キシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、
γ−アミノブチルトリブトキシシランなどが挙げられ、
また上記チタンカップリング剤としては、例えば、γ−
アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプロピ
ルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリブロボ
キシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシチタン、
γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−アミノエチ
ルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリプロボキ
シチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタン、γ−
アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノブチルト
リメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロポキシチ
タン、γ−アミノブチルトリブトキシチタンなどが挙げ
られる。これらは２種以上を併用してもよい。これらの
使用量は、樹脂組成物中の樹脂分に対して０．５〜５重
量％が好ましい。

【００２６】本発明の液晶配向膜であるポリイミド膜の
基板上への形成は、前記の樹脂組成物を液晶配向膜用樹
脂組成物として用い、これを、例えば、予めＩＴＯ等の
透明電極や櫛歯電極が必要に応じて形成されたガラス基
板上やプラスチック基板に塗布した後、乾燥、脱水閉環
させてポリイミド層とすることにより行われる。

【００２７】塗布方法としては、スピン塗布法、浸漬
法、吹き付け法などが挙げられるが、フォトリソグラフ
ィー工程がなくパターニング形成が容易な、印刷法によ
るポリイミド膜形成が好ましく、ワニスを保持しやすく
被印刷体への転写量も多いフレキソ印刷機によるポリイ
ミド膜製造がさらに好ましい。このとき用いられる被印
刷体としての液晶基板には、基板としては、上記のガラ
ス基板やプラスチック基板以外に、シリコンウエハなど
も用いられる。

【００２８】本発明の液晶配向膜用組成物からなるポリ
アミド酸及びポリイミド前駆体は、乾燥、脱水閉環して
ポリイミド膜を形成する。その加熱温度としては、好ま
しくは１００〜４００℃、より好ましくは１２０〜２５
０℃、さらに好ましくは１４０〜２００℃の範囲で任意
に選択することができる。また加熱時間は、通常１分か
ら６時間、好ましくは１分〜３時間とされる。

【００２９】本発明の液晶配向膜用組成物によれば、
０．１〜３μｍの膜厚範囲で均一な膜厚を有するポリイ
ミド膜を容易に形成することができる。この時形成され
たポリイミド膜は、電気絶縁性が良好なので無機絶縁膜
を従来よりも薄膜化することが可能である。従来のポリ
イミド膜を絶縁膜として使用するときには、膜厚０．１
μｍ〜２μｍ程度の無機絶縁膜が必要であったが、本発
明の液晶配向膜用組成物を使用により、膜厚０．００１
μｍ以上０．１μｍ未満、好ましくは膜厚０．００５μ
ｍ以上０．１μｍ未満の無機絶縁膜があれば、高い電圧
保持率を維持することができるので良好な表示特性を示
すことが可能である。また本発明による液晶用液晶配向
膜によって、金属電極や薄膜トランジスタ、無機絶縁膜
などによる基板の凹凸を平坦化できるので、基板の凹凸
に起因した光漏れを抑制することができる。したがって
液晶表示装置の特性のひとつであるコントラスト比を向
上することを可能にしたものである。

【００３０】用いられる無機絶縁膜の種類としては、特
に制約はなくＳｉＮ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃な
どでもよい。そして、例えば、半導体用絶縁膜、液晶用
カラーフィルター保護膜としての適用も可能である。本
発明の液晶表示装置は液晶用液晶配向膜を有する基板を
用いて公知の方法により得ることができる。

【００３１】次に、図面を参照して液晶表示装置を詳細
に説明する。図１は、本発明における横電界方式ＴＦＴ
用液晶表示装置の一例のセル断面図である。基板１の一
方の面上に、共通電極２、ゲート絶縁膜３、ドレイン電
極（映像信号電極）４、ソース電極（画素電極）５、ゲ
ート電極（走査信号電極）６、アモルファスシリコン
７、エッチングストッパー８及び無機絶縁膜９が形成さ
れている。なおＴＦＴ素子は、アモルファスシリコン
７、ゲート電極６、ソース電極５、ドレイン電極４から
構成されている。無機絶縁膜９の上に液晶配向膜１０を
設ける。液晶配向膜１０は保護膜を兼ねる。他の一枚の
基板には、ＴＦＴに対向する位置にブラックマトリクス
１１を形成し、、ＴＦＴ基板上の画素電極５に対向する
位置にカラーフィルタ１２が形成されている。最上部に
液晶配向膜１０を形成する。液晶分子は基板の間に注入
され、封止される。最後に２枚の基板の外側に偏光板１
３を形成する。液晶配向膜１０は保護膜を兼ねる。

【００３２】図２は、本発明に用いられるツイスティド
ネマチック方式ＴＦＴ液晶表示装置の一例におけるセル
断面図を示す。基板１４の一方の面上に、ゲート絶縁膜
１５、ドレイン電極（映像信号電極）１６、ソース電極
（画素電極）１７、ゲート電極（走査信号電極）１８、
アモルファスシリコン１９、エッチングストッパー２
０、無機絶縁膜２１及び透明電極２２を形成されてい
る。なおＴＦＴ素子は、アモルファスシリコン１９、ゲ
ート電極１８、ソース電極１７、ドレイン電極１６から
構成され、透明電極２２にはＩＴＯを用いている。ＴＦ
Ｔ素子による段差を平坦化するように液晶配向膜２３を
設ける。他の一枚の基板には、ＴＦＴに対向する位置に
ブラックマトリクス２４を、ＴＦＴ基板上の透明電極に
対向する位置にカラーフィルタ２５が形成されており、
その上にカラーフィルタ保護膜２６及び透明電極２２が
順次形成されている。そして、最上部に液晶配向膜２３
を形成する。液晶分子はスペーサービーズ２７と共に基
板の間に注入され、封止される。最後に２枚の基板の外
側に偏光板２８を形成する。本発明における液晶配向膜
は、表面を平坦化できるので、スペーサービーズ２７に
よるセルギヤップの適切な制御や衝撃に対するギャップ
維持に対して効果がある。液晶配向膜２３は保護膜を兼
ねる。

【００３３】本発明においては、従来の液晶配向膜とは
異なり、良好な電気絶縁特性を有するため、無機絶縁膜
の膜厚を０．００１μｍ以上０．１μｍ未満に薄膜化で
きることにある。さらにこのポリイミド膜をラビングを
すること得られる液晶配向膜を使用すると、ＳｉＮなど
無機絶縁膜表面上に存在する凹凸を平坦化できるので、
基板の凹凸に起因した光漏れを抑制することができる。
したがって液晶表示装置の特性のひとつであるコントラ
スト比を向上することを可能にしたものである。

【００３４】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 合成例１ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン５
４．０７１ｇ（０．５モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド７８７．１ｇ中に溶解させ、これに１，２，３，
４−ブタンテトラカルボン酸二無水物６９．３４６ｇ
（０．３モル）、デカメチレンテトラカルボン酸二無水
物５２．２５１ｇ（０．１モル）、オキシジフタル酸二
無水物３１．０２２ｇ（０．１モル）を加え、室温８時
間攪拌して反応させ、２０重量％のポリアミド酸ワニス
を得た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の０．５
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで１２重量％まで
希釈し、粘度１０５mPa・s（２５℃）のワニスＡを得
た。

【００３５】このワニスＡをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚３μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜を分光光度計ＵＬ−３４１０
（(株)日立製作所製商品名）で光透過率を測定した結
果、４００〜８００nmで９０．０％以上と良好な透過性
を示した。

【００３６】合成例２ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、イソフタロイルヒドラジド５
８．２５８ｇ（０．３モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド９５２．９ｇ中に溶解させ、これに１，２，３，
４−ブタンテトラカルボン酸二無水物５９．４４ｇ
（０．３モル）を加え室温３０分攪拌したのち、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル４０．０４８ｇ
（０．２モル）、オクタメチレンテトラカルボン酸二無
水物４９．４４６ｇ（０．１モル）、オキシジフタル酸
二無水物３１．０２２ｇ（０．１モル）を加え、室温８
時間攪拌して反応させ、２０重量％のポリアミド酸ワニ
スを得た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の０．
５重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添
加した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで１０重量％ま
で希釈し、粘度９０mPa・s（２５℃）のワニスＢを得
た。

【００３７】このワニスＢをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚２μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜の光透過率を測定した結果、４０
０〜８００nmで９２．０％以上と良好な透過性を示し
た。

【００３８】合成例３ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、ｍ−フェニレンジアミン２
７．０３６ｇ（０．２５モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド９６６．５ｇ中に溶解させ、これに１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物５９．４４ｇ
（０．２５モル）を加え室温３０分攪拌したのち、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン４９．５６７ｇ（０．
２５モル）、デカメチレンテトラカルボン酸二無水物６
５．３１３ｇ（０．１２５モル）、３，３′，４，４′
−ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物４０．２７
７ｇ（０．１２５モル）を加え、室温８時間攪拌して反
応させ、２０重量％のポリアミド酸ワニスを得た。得ら
れたポリアミド酸ワニスに樹脂分の０．５重量％のγ−
アミノプロピルトリエトキシシランを添加した後、Ｎ−
メチル−２−ピロリドンで１０重量％まで希釈し、粘度
８０mPa・s（２５℃）のワニスＣを得た。

【００３９】このワニスＣをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚１μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜の光透過率を測定した結果、４０
０〜８００nmで９３．０％以上と良好な透過性を示し
た。

【００４０】合成例４ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、２，３，５，６−テトラメチ
ル−１，４−フェニレンジアミン８２．１２５ｇ（０．
５モル）、をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１０２７．
６ｇ中に溶解させ、これに３，３′，４，４′−ビスシ
クロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１２２．５２
５ｇ（０．４モル）を加えデカメチレンテトラカルボン
酸二無水物５２．２５ｇ（０．１モル）、を加え、室温
８時間攪拌して反応させ、２０重量％のポリアミド酸ワ
ニスを得た。得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の
０．５重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシラン
を添加した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで８重量％
まで希釈し、粘度７０mPa・s（２５℃）のワニスＤを得
た。

【００４１】このワニスＤをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚０．７μｍのポリイミド膜を形成
した。このポリイミド膜の光透過率を測定した結果、４
００〜８００nmで９１．０％以上と良好な透過性を示し
た。

【００４２】合成例５ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５．２５７ｇ
（０．５モル）、をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１８
３７．１ｇ中に溶解させ、これにピロメリット酸二無水
物１２２．５２５ｇ（０．２モル）を加えテトラメチレ
ンテトラカルボン酸二無水物１３１．５０５ｇ（０．３
モル）、を加え、室温８時間攪拌して反応させ、２０重
量％のポリアミド酸ワニスを得た。得られたポリアミド
酸ワニスに樹脂分の０．５重量％のγ−アミノプロピル
トリエトキシシランを添加した後、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンで８重量％まで希釈し、粘度１００mPa・s（２
５℃）のワニスＥを得た。

【００４３】このワニスＥをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚１μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜の光透過率を測定した結果、４０
０nmで光透過性６０．０％を示した。

【００４４】合成例６ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口セパラブルフラスコに、１，１２−ドデカメチレンジ
アミン１００．１８４ｇ（０．５モル）、をＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミドｇ中に溶解させ、これに１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物１９．８１３
ｇ（０．１モル）、を加え３０分攪拌後、オキシジフタ
ル酸二無水物１２４．０８８ｇ（０．４モル）にを加
え、さらに室温８時間攪拌して反応させ、２０重量％の
ポリアミド酸ワニスを得た。得られたポリアミド酸ワニ
スに樹脂分の０．５重量％のγ−アミノプロピルトリエ
トキシシランを添加した後、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンで１０重量％まで希釈し、粘度９８mPa・s（２５℃）
のワニスＦを得た。

【００４５】このワニスＦをガラス基板に１０００rpm
でスピン塗布し、８０℃で５分間、２５０℃で３０分間
加熱処理を行い、膜厚２μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜の光透過率を測定した結果、４０
０〜８００nmで９４．０％以上の良好な透過性を示し
た。

【００４６】実施例１ 図３は本発明の実施例の単位画素における各種電極の構
造を示す平面図で、図４はその底面図、図５はその右側
面図である。研磨したガラス基板上にゲート絶縁膜２９
となるＳｉＮが形成され、さらにそのうえに、共通電極
３０、画素電極３１、映像信号電極３２が形成され、さ
らに本発明に関わる液晶配向膜３３を順次形成して、い
づれもストライプ状の共通電極３０と平行で走査信号電
極３４と交差するような構造とし、トランジスタ素子３
５と金属電極群を形成して、一方の液晶用挟持基板が形
成される。液晶配向膜３３は絶縁膜である。基板上の電
極はいづれもアルミニウムからなるが電気抵抗の少ない
ものであれば、特に材料の制約はなく、クロム、銅など
でもよい。画素数は４０（×３）×３０で、画素ピッチ
は横方向（すなわち共通電極間）は８０μｍ、縦方向
（すなわち走査信号電極間）は２４０μｍである。ここ
で共通電極の幅は１２μｍであり、隣接する共通電極の
間隙の６８μｍよりも狭くし、高い開口率を確保し、電
極の高さは０．５μｍとした。なお無機絶縁膜ＳｉＮ
１７は０．０１μｍ形成した。無機絶縁膜の種類として
は、特に制約はなく、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃な
どでもよい。

【００４７】他方の基板には、図１に示すように、ブラ
ックマトリクス１１としてカーボン微粒子を混合したエ
ポキシ樹脂を用い、ストライプ状のＲ、Ｇ、Ｂ３色のカ
ラーフィルター１２を備えたものである。

【００４８】このようにして作成した横電界方式ＴＦＴ
基板及びにカラーフィルター基板上に合成例１で作成し
たワニスＡを用いてフレキソ印刷により液晶配向膜用組
成物の膜を形成した。形成された組成物膜を８０℃で５
分間、２００℃で１時間加熱硬化を行い、膜厚を３μｍ
とした。このポリイミド膜の表面をラビング処理をし
て、液晶配向膜兼絶縁膜とした。

【００４９】この上下基板を組み合わせ、周りを熱硬化
性接着剤樹脂ストラクボンドＸＮ−２１−Ｓ（三井東圧
化学工業製商品名）で封止し、１６０℃で１時間加熱硬
化した。なお、ラビング方向は互いにほぼ平行でかつ印
加電圧方向とのなす角度を１５度とした。セルギャップ
はポリマービーズを基板間に分散した挟持し、液晶封入
状態で４．５μｍとした。この基板間には、ネマチック
液晶ＭＬＣ−２０２７（メルク社製商品名）を真空含浸
法で注入した。液晶ＭＬＣ−２０２７の相転移温度以上
である１００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形
成した。その後２枚の偏光板Ｇ１２２０ＤＵ（日東電工
製商品名）でパネルを挟み、一方の偏光板の偏光透過軸
をラビング方向にほぼ平行とし、他方をそれに直交とし
て、ノーマリクローズ特性を得た。液晶表示装置には、
駆動ＬＳＩが接続され、アクティブマトリクス駆動とし
た。

【００５０】このように作製した液晶表示装置におい
て、異常ドメインは認められず、液晶配向性は良好であ
った。コントラスト比は、電圧無印加状態（暗状態）で
の光透過率及び光透過率が最大となる電圧下（明状態）
での光透過率を共通電極と画素電極の間の領域について
測定し、その光透過率の比からコントラスト比を求め
た。この液晶表示装置のコントラスト比の平均は３００
だった。

【００５１】また、２５℃での電圧保持率は９８．２％
と高い値を示した。電化保持率は図６に示す測定回路を
有する装置により測定した。ここで、ソース信号は、周
波数３０Hz、振幅６Ｖ、オフセット０Ｖで、１６５msの
矩形波、ゲート信号はパルス幅３５μｓとして評価し
た。表１に液晶配向膜の膜厚及び液晶表示装置の配向
性、コントラスト比を併せて示す。

【００５２】実施例２ 前記実施例１で作製した無機絶縁膜の形成されていない
横電界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上
に、合成例２で作製したワニスＢを用いて、実施例１と
同様な条件で液晶配向膜用組成物の膜を形成した。形成
された組成物膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加
熱硬化を行い、膜厚を２μｍとした。そして実施例１と
同様に液晶表示装置を作製した。表１に液晶用絶縁膜兼
配向膜の膜厚及び液晶表示装置の配向性、コントラスト
比、電圧保持率を併せて示す。

【００５３】実施例３ 前記実施例１で作製した無機絶縁膜の形成されていない
横電界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上
に、合成例３で作製したワニスＣを用いて、実施例１と
同様な条件で液晶配向膜を形成した。形成された膜を８
０℃で５分間、２２０℃で１時間加熱硬化を行い、膜厚
を１μｍとした。そして実施例１と同様に液晶表示装置
を作製した。表１に液晶配向膜の膜厚及び液晶表示装置
の配向性、コントラスト比、電圧保持率を併せて示す。

【００５４】実施例４ 前記実施例１で作製した無機絶縁膜の形成されていない
横電界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上
に、合成例４で作製したワニスＤを用いて、実施例１と
同様な条件で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成さ
れた組成物膜を８０℃で５分間、２２０℃で１時間加熱
硬化を行い、膜厚を０．７μｍとした。そして実施例１
と同様に液晶表示装置を作製した。表１に液晶配向膜の
膜厚及び液晶表示装置の配向性、コントラスト比、電圧
保持率を併せて示す。

【００５５】実施例５ 前記実施例１で作製した電極基板のＴＦＴ素子上に膜厚
０．００５μｍの無機絶縁膜ＳｉＮを形成した。無機絶
縁膜の種類としては、特に制約はなく、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂
Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃などでもよい。このようにして得た横電
界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上に、合
成例１で作製したワニスＡを用いて、実施例１と同様な
条件で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成された組
成物膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加熱硬化を
行い、膜厚を３μｍとした。そして実施例１と同様に液
晶表示装置を作製した。表１に無機絶縁膜の膜厚、液晶
用液晶配向膜の膜厚及び液晶表示装置の配向性、コント
ラスト比、電圧保持率を併せて示す。

【００５６】実施例６ 実施例１で作製した電極基板のＴＦＴ素子上に、膜厚
０．００５μｍの無機絶縁膜ＳｉＮを形成した横電界方
式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上に、合成例
２で作製したワニスＢを用いて、実施例１と同様な条件
で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成された組成物
膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加熱硬化を行
い、膜厚を２μｍとした。そして実施例１と同様に液晶
表示装置を作製した。表１に無機絶縁膜の膜厚、液晶配
向膜の膜厚及び液晶表示装置の配向性、コントラスト
比、電圧保持率を併せて示す。

【００５７】比較例１ 前記実施例１で作製した無機絶縁膜の形成されていない
横電界方式ＴＦＴ素子基板及びにカラーフィルター基板
上に、合成例５で作製したワニスＥを用いて、実施例１
と同様な条件で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成
された組成物膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加
熱硬化を行い、膜厚を１．０μｍとした。得られた硬化
膜は黄色みががっていた。そして実施例１と同様に液晶
表示装置を作製した。配向性は良好であったが、黄色み
ががっていた。電圧保持率が７０％、また測定したコン
トラスト比は１００であった。表１に液晶配向膜の膜厚
及び液晶表示装置の配向性、コントラスト比、電圧保持
率を併せて示す。

【００５８】比較例２ 実施例５で作製した、電極基板のＴＦＴ素子上に膜厚
０．００５μｍの無機絶縁膜ＳｉＮを形成した横電界方
式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上に、合成例
５で作製したワニスＥを用いて、実施例１と同様な条件
で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成された組成物
膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加熱硬化を行
い、膜厚を１．０μｍとした。得られた硬化膜は黄色み
ががっていた。そして実施例１と同様に液晶表示装置を
作製した。配向性は良好であったが、黄色みががってい
た。電圧保持率が７０％、また測定したコントラスト比
は１００であった。表１に液晶配向膜の膜厚及び液晶表
示装置の配向性、コントラスト比、電圧保持率を併せて
示す。

【００５９】比較例３ 前記実施例１で作製した無機絶縁膜の形成されていない
横電界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上
に、合成例６で作製したワニスＦを用いて、実施例１と
同様な条件で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成さ
れた組成物膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加熱
硬化を行い、膜厚を２．０μｍとした。そして実施例１
と同様に液晶表示装置を作製した。配向性はやや配向不
良であり、電圧保持率が８５％、また測定したコントラ
スト比は８０であった。表１に液晶配向膜の膜厚及び液
晶表示装置の配向性、コントラスト比、電圧保持率を併
せて示す。

【００６０】比較例４ 前記実施例６で作製した、電極基板のＴＦＴ素子上に膜
厚０．００５μｍの無機絶縁膜ＳｉＮを形成した横電界
方式ＴＦＴ基板及びにカラーフィルター基板上に、合成
例６で作製したワニスＦを用いて、実施例１と同様な条
件で液晶配向膜用組成物膜を形成した。形成された組成
物膜を８０℃で５分間、２００℃で１時間加熱硬化を行
い、膜厚を２．０μｍとした。そして実施例１と同様に
液晶表示装置を作製した。配向性はやや配向不良であ
り、電圧保持率が８５％、また測定したコントラスト比
は８０であった。表１に液晶配向膜の膜厚及び液晶表示
装置の配向性、コントラスト比、電圧保持率を併せて示
す。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１に示した通り、一環の芳香族ジアミン
化合物と脂肪族テトラカルボン酸二無水物および／また
は脂環式からテトラカルボン酸二無水物から得られる成
分が５０モル％以下である液晶配向膜の場合は、０．１
μｍ未満の無機絶縁膜が形成されていても、高い電圧保
持率及び高いコントラスト比は得られなかった。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、無機絶縁膜を従来より
も薄膜化することが可能であるだけでなく、膜厚を厚く
することによって、液晶用絶縁膜兼配向膜として使用で
きるので、低コスト化で高いコントラスト比を有する液
晶表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の横電界方式液晶表示装置におけるセル
断面図である。

【図２】本発明のツイスティドネマチック方式ＴＦＴ−
液晶表示装置のセル断面図である。

【図３】基板面に垂直な方向からみた横電界方式マトリ
クス素子の正面図である。

【図４】図４のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。

【図６】電圧保持率の測定系を示す回路図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 共通電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 映像信号電極（ドレイン電極） ５ 画素電極（ソース電極） ６ 走査信号電極（ゲート電極） ７ アモルファスシリコン ８ エッチングストッパー ９ 無機絶縁膜 １０ 液晶配向膜 １１ ブラックマトリクス １２ カラーフィルタ １３ 偏光板 １４ 基板 １５ ゲート絶縁膜 １６ ドレイン電極 １７ ソース電極 １８ ゲート電極 １９ アモルファスシリコン ２０ エッチングストッパー ２１ 無機絶縁膜 ２２ 透明電極 ２３ 液晶配向膜 ２４ ブラックマトリクス ２５ カラーフィルタ ２６ カラーフィルタ保護膜 ソース電極（画素電極） ２７ スペーサビーズ ドレイン電極（信号電極） ２８ 偏光板 ゲート電極（走査電極） ２９ ゲート絶縁膜 ３０ 共通電極 ３１ 画素電極 ３２ 映像信号電極 ３３ 無機絶縁膜 ３４ 液晶配向膜 ３５ 走査信号電極 ３６ トランジスタ素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝谷 康夫 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 梅田 啓之 茨城県日立市大みか町７−１−１ 株式会 社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB02X HB03X HB08Y HB10Y HC05 HD03 LA04 MB01 4J043 PA04 QB31 RA35 SA06 SA47 TA22 TB02 TB04 UA121 UA132 UA672 UB012 UB132 UB162 VA102

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テトラカルボン酸二無水物において、脂
   肪族テトラカルボン酸二無水物及び／または、脂環式テ
   トラカルボン酸二無水物が、酸二無水物成分の総モル数
   の３０モル％以上９０％モル以下含み、ジアミン成分と
   を反応させて得られるポリイミド前駆体を含有してなる
   液晶配向膜用組成物。
2. 【請求項２】 一環の芳香族ジアミン化合物が、ジアミ
   ン成分の総モル数の５０モル％以上含み、酸二無水物成
   分とを反応させて得られることを特徴とする請求項１記
   載の液晶配向膜用組成物。
3. 【請求項３】 テトラカルボン酸二無水物において、一
   般式（Ｉ） 【化１】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表わされるテト
   ラカルボン酸二無水物及び／または一般式（II） 【化２】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す）で表わされるテト
   ラカルボン酸二無水物が、テトラカルボン酸二無水物の
   総モル数の１０モル％以上７０モル％以下であることを
   特徴とする請求項１又は２記載の液晶配向膜用組成物。
4. 【請求項４】 膜厚０．１〜３μｍにおいて、４００〜
   ８００nmの範囲で光透過率が９０％以上であることを特
   徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶配向膜用
   組成物。
5. 【請求項５】 少なくともトランジスタ素子が形成され
   ている基板にトランジスタ素子に接する絶縁層として膜
   厚０．００１μｍ以上０．１μｍ未満の無機絶縁膜を形
   成した後、請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向膜
   用組成物から得られるポリイミド前駆体を塗布した後、
   乾燥、脱水閉環させて、ポリイミド膜が形成されてなる
   液晶挟持基板。
6. 【請求項６】 表示画素が走査信号電極、映像信号電
   極、画素電極、共通電極及びトランジスタ素子により基
   板上に構成される電極基板において、電極及びトランジ
   スタ素子に接する絶縁層として、膜厚０．００１μｍ以
   上０．１μｍ未満の無機絶縁膜を形成した後、請求項１
   〜４のいずれかに記載の液晶配向膜用組成物から得られ
   るポリイミド前駆体を塗布した後、乾燥、脱水閉環させ
   て、ポリイミド膜を形成されてなる液晶挟持基板。
7. 【請求項７】 ポリイミド膜を形成した後、その膜をラ
   ビングして液晶用液晶配向膜としてなる請求項５又は６
   記載の液晶挟持基板。
8. 【請求項８】 表示画素が走査信号電極、映像信号電
   極、画素電極、共通電極及びトランジスタ素子により基
   板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層を
   介して形成されており、前記基板は前記液晶配向膜を形
   成した基板と対向して配置され、前記基板により液晶層
   が挟持され、前記電極群は前記液晶層に対し前記基板面
   と概ね平行な電界を印加するように構成され、前記電極
   群は外部の制御手段と接続されており、前記液晶層の光
   学特性を変化させる偏光手段を備えた液晶表示装置にお
   いて、前記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形成
   されており、前記電極群が請求項７記載の液晶挟持基板
   であることを特徴とする液晶表示装置。