JP2000298279A - 樹脂組成物、液晶配向膜用樹脂組成物、液晶配向膜、液晶挟持基板及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ２００℃以下の低温硬化においても、特性に
優れた液晶配向膜、それに有用な樹脂組成物及び液晶配
向膜の厚膜化がＴＦＴ素子、櫛歯電極等の凹凸を緩和
し、配向不良を抑制した液晶挟持基板並びに液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 テトラカルボン酸二無水物において、一
般式（Ｉ） （ただし、式中、ｎは２〜２０の整数をしめす）で表わ
されるテトラカルボン酸二無水物を１０〜７０モル％含
むテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応
させて得られるポリアミド酸を含有してなる樹脂組成物
を含む液晶配向膜用樹脂組成物、電極を形成した基板の
面上にポリイミド層を形成し、ラビングしてなる液晶配
向膜、液晶配向膜を形成してなる液晶挟持基板及びこの
液晶挟持基板を有する液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂組成物、液晶配
向膜用樹脂組成物、液晶配向膜、液晶挟持基板及び液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現行のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液晶
表示装置ではＴＦＴが形成されたガラス基板の上にＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）などからなる無機薄膜（透明
電極）を蒸着し、さらにこのＩＴＯの上に液晶の配向機
能を有する薄膜である液晶配向膜が設けられている。

【０００３】液晶配向膜として、例えば、４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテルとピロメリツト酸二無水物と
を得られる芳香族ポリイミド（特開昭５５−１０１８０
号公報参照）をはじめとし、最近では表示素子の透明性
あるいは液晶の高プレチルト角の要求から、パーフルオ
ロアルキル基を有するジアミンと脂環式構造を有するテ
トラカルボン酸又はその誘導体とを縮合反応させて得ら
れるポリイミド（特開昭６３−２５９５１５号公報参
照）などが提案されている。このポリイミド系液晶配向
膜は、ガラス基板上に塗布されたものを２３０〜３５０
℃の範囲で乾燥、脱水閉環させてポリイミド層を形成
し、その後ラビング処理を行うことで得られていた。

【０００４】最近、小型ゲーム機、携帯電話、手帳サイ
ズパソコンなどの普及にしたがい、それらにプラスチッ
ク基板を用いた液晶表示装置が使用されているが、この
プラスチック基板は耐熱性がないため、２３０〜３５０
℃の範囲での加熱処理を行うことは困難であった。ま
た、高温での加熱処理は設備処理にコストがかかるた
め、２００℃以下の低温硬化においても、耐薬品性、光
透過性、良好な印刷性、電圧保持率、ラビング傷が少な
い、熱的ストレスでも配向不良を生じないなどの特性に
優れた液晶配向膜の開発が望まれている。また視野角依
存性が小さく、良好な表示特性を示す横電界方式の液晶
表示装置（特開平６−１６０８７８号公報、特開平７−
２６１１８１号公報参照）において、平坦化機能を有す
る有機高分子を用いた液晶表示装置（特開平８−２２０
５１８号公報参照）が提案されているが、平坦化機能を
有する保護膜兼配向膜として、必要な材料構成に関して
はなんら言及されていない。そのうえ平坦化機能を有す
るように膜厚０．１μｍ以上の保護膜兼配向膜を形成さ
せるためには、良好な光透過性が必要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、第一に２００℃以下の低温硬化においても、耐
薬品性、光透過性、良好な印刷性、電圧保持率、ラビン
グ傷が少ない、熱的ストレスでも配向不良を生じないな
どの特性に優れた液晶配向膜、それに有用な樹脂組成物
及び液晶配向膜形成用樹脂組成物を提供することにあ
る。第二に、良好な光透過性によって可能となった液晶
配向膜の厚膜化がＴＦＴ素子、櫛歯電極等の凹凸を緩和
し、その凹凸構造に起因した配向不良を抑制した液晶挟
持基板、及び液晶表示装置を提供することにある。

【０００６】

【発明を解決するための手段】本発明は、次の各発明に
関する。 （１）テトラカルボン酸二無水物において、一般式
（Ｉ）

【化２】 （ただし、式中、ｎは２〜２０の整数をしめす）で表わ
されるテトラカルボン酸二無水物を１０〜７０モル％含
むテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応
させて得られるポリアミド酸を含有してなる樹脂組成
物。

【０００７】（２）テトラカルボン酸二無水物が、脂肪
族テトラカルボン酸二無水物および／または脂環式テト
ラカルボン酸二無水物をテトラカルボン酸二無水物の総
モル数の３０モル％以上含むものである項（１）記載の
樹脂組成物。 （３）テトラカルボン酸二無水物が、一般式（Ｉ）で表
わされるテトラカルボン酸二無水物以外の芳香族テトラ
カルボン酸二無水物をテトラカルボン酸二無水物の総モ
ル数の１０〜５０モル％含むものである項（１）記載の
樹脂組成物。 （４）沸点２００℃以下の極性溶媒が全溶媒の３０〜９
５重量％である項（１）〜（３）のいずれかに記載の樹
脂組成物。 （５）膜厚０．１〜３μｍで４００〜８００nmの範囲で
光透過率が９０％以上である項（１）〜（３）のいずれ
かに記載の樹脂組成物。

【０００８】（６）項（１）〜（５）のいずれかに記載
の樹脂組成物を含む液晶配向膜用樹脂組成物。 （７）電極を形成した基板の面上に項（６）記載の液晶
配向膜用樹脂組成物を塗布した後、乾燥、脱水閉環させ
てポリイミド層を形成し、形成されたポリイミド層をラ
ビングしてなる液晶配向膜。 （８）電極を形成した基板の面上に、項（６）記載の液
晶配向膜用樹脂組成物を塗布した後、乾燥、脱水閉環さ
せてポリイミド層を形成し、形成されたポリイミド層を
ラビングして得られた液晶配向膜を形成してなる液晶挟
持基板。 （９）項（８）記載の液晶挟持基板を有する液晶表示装
置。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の樹脂組成物は、前記のよ
うに、ポリアミド酸を主成分として含むものである。こ
のポリアミド酸は、前記一般式（Ｉ）で表わされる主鎖
上にメチレン基を有するテトラカルボン酸二無水物を用
いることにより、ポリアミド酸を閉環させて得られるポ
リイミドのガラス転移点を低下させ、２００℃以下で低
温硬化した場合でもラビング処理によって生じる配向性
の向上に効果がある。したがってこれらの使用割合がテ
トラカルボン酸二無水物の総量に対して１０モル％未満
である場合には、配向性、耐ラビング性に対して劣る場
合あり、一方使用割合が７０モル％を超えると、配向性
が低下する傾向がある。また、耐熱性の点からは、一般
式（Ｉ）で表わされる主鎖上にメチレン基を有するテト
ラカルボン酸二無水物が少なすぎても多すぎても低下す
る傾向があるためこれらの使用割合は、テトラカルボン
酸二無水物の総量に対して１０〜６０モル％が好まし
く、電圧保持率の観点からは２０〜５０モル％が好まし
い。

【００１０】本発明に用いられる前記一般式（Ｉ）で表
わされるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、
エチレン−１，２−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−
ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、プロ
ピレン−１，３−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジ
オキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、ブタン
−１，４−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ
−５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、ヘキサン−
１，６−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−
５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、オクタン−１，
８−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−
イソベンゾフラニル）ジエーテル、デカン−１，１０−
ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソ
ベンゾフラニル）ジエーテル、ドデカン−１，１２−ビ
ス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベ
ンゾフラニル）ジエーテル、ヘキサデカン−１，１６−
ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソ
ベンゾフラニル）ジエーテル、イコサン−１，２０−ビ
ス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベ
ンゾフラニル）ジエーテルなどが挙げられ、これらは、
単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。一般
式（Ｉ）において、ｎは６〜１２であることが好まし
い。

【００１１】本発明で用いてもよい脂肪族テトラカルボ
ン酸二無水物および／または脂環式テトラカルボン酸二
無水物としては、１，２，３，４−ブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、オクチルコハク酸二無水物、ドデシルコ
ハク酸二無水物、オクチルマロン酸二無水物、１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビスシクロヘキサンテ
トラカルボン酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）オク
タ−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無
水物などが挙げられ、これらは２種以上を併用してもよ
いが、良好な光透過性及び高い電圧保持率を確保するた
めには、前記脂肪族テトラカルボン酸二無水物および／
または脂環式テトラカルボン酸二無水物をテトラカルボ
ン酸二無水物の総量に対して３０モル％以上とすること
が好ましい。

【００１２】一般式（Ｉ）で表わされるテトラカルボン
酸二無水物以外の芳香族テトラカルボン酸二無水物とし
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５′−ジメ
チル３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシフェニルエーテルニ無水物、
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニル）ヘキ
サフルオロプロバン酸二無水物などが挙げられ、これら
は２種以上を併用してもよい。これらの使用割合がテト
ラカルボン酸二無水物の総量に対して１０モル％未満で
ある場合には、耐熱性、耐ラビング性に対して劣る場合
ある。一方、その使用割合がテトラカルボン酸二無水物
の総量に対して５０モル％を超える場合は、光透過性、
電圧保持率に対して劣る場合ある。

【００１３】本発明で用いられるジアミン化合物として
は、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ｏ−フェニレンジアミン、イソフタロジルジヒドラ
ジド、テレフタロジルジヒドラジド、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４′−
ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、２，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、２，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニルメタン、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘキサフル
オロプロパン、１，６−ヘキサメチレンジアミン、１，
８−オクタメチレンジアミン、１，１０−デカメチレン
ジァミン、１，１２−ドデカメチレンジアミン、アゼラ
イン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、２，６
−ナフトエ酸ジヒドラジド、２，４′−ジアミノー３−
メチル−ステアリルフェニルエーテル、２，４′−ジア
ミノ−３−メチル−ラウリルフェニルエーテル、２，
４′−ジアミノ−３−メチル−パルミチルフェニルエー
テル、２，４′−ジアミノ−１−オクチルオキシベンゼ
ン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル）オクタン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル）トリデカン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）ペンタデカン、ビ
ス（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸）オ
クタン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安
息香酸）デカン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオ
キシ）安息香酸）ドデカン、ビス（４−（４−アミノベ
ンゾイルオキシ）安息香酸）メチルシクロヘキサン、ビ
ス（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸）メ
タン、ビス（４−（３−アミノベンゾイルオキシ）安息
香酸）ブタン、ジアミノシロキサン、１，３−ジ（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサンなどが挙げられ、これらは２種以上を併用して
もよい。

【００１４】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和と、テトラカルボン酸二無水物のモル数
の比を好ましくは０．８〜１．２の範囲、より好ましく
は１．０にして反応させる。上記の脂肪族テトラカルボ
ン酸二無水物、脂環式テトラカルボン酸二無水物および
必要に応じて使用する芳香族テトラカルボン酸二無水物
と上記ジアミン化合物および／またはジヒドラジド化合
物は、不活性溶媒に溶解され反応させてポリアミド酸を
得る。

【００１５】不活性溶媒としては、前記の単量体の全て
を溶解する必要はないが、生成するポリアミド酸を溶解
するものが好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラク
トン、γ−カプロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメ
チルスルホキシド、１，４−ジオキサン、シクロヘキサ
ノン、Ｎ−メチル−プロピオンアミドなどが挙げられ
る。また、２００℃以下の低温硬化を行うためには、２
００℃以下の沸点を有する極性溶媒の選択が好ましく、
例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチル−プロピオンアミド、シ
クロヘキサノンが挙げられ、これらは２種以上を併用し
てもよい。これらの使用割合が３０重量％未満である場
合には、２００℃以下の低温硬化時に電圧保持率が劣る
場合があり、９５重量％を超える場合には、硬化時に溶
媒が急激に揮発するため、ポリイミド膜表面が荒れる場
合がある。

【００１６】これらの溶媒以外に、被印刷体への濡れ性
を良くするための溶媒を、反応前または反応終了後に添
加することもできる。これらの溶媒としては例えばエチ
ルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、キシレン、ト
ルエン、１−エトキシ−２−アセトキシプロパン、ジイ
ソブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトンなどが用
いられる。

【００１７】上記のジアミン化合物とテトラカルボン酸
二無水物との反応温度は−３０℃〜１００℃が好まし
い。反応時間は、適宜調整されるが、通常、３０分〜４
８時間が好ましい。反応終了後分子量調整のために反応
温度は６０℃〜２５０℃、好ましくは１２０℃〜２００
℃に調整することが好ましい。このときの、反応時間も
適宜調整されるが、通常３０分〜７２時間加熱処理を行
うことが好ましい。

【００１８】以上の反応で、合成反応に用いた不活性溶
媒などを含む反応液をそのまま、本発明における樹脂組
成物としてもよく、得られたポリアミド酸を一端分離し
てあらためて前記した溶媒に溶解して樹脂組成物として
もよい。

【００１９】本発明の樹脂組成物は、ガラスとの密着性
を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカ
ップリング剤等のカップリング剤を添加することができ
る。上記カップリング剤としては例えば、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリブロポキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミ
ノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメ
トキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラ
ン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノ
ブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメト
キシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、
γ−アミノブチルトリブトキシシラン、などが挙げら
れ、また上記チタンカップリング剤としては、例えば、
γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリブ
ロボキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシチタ
ン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−アミノ
エチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリプロ
ボキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタン、
γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノブチ
ルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロポキ
シチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタンなどが
挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。これ
らの使用量は、樹脂組成物中の樹脂分に対して０．５〜
５重量％が好ましい。

【００２０】本発明の液晶配向膜であるポリイミド膜の
基板上への形成は、前記の樹脂組成物を液晶配向膜用樹
脂組成物として用い、これを、例えば、予めＩＴＯ等の
透明電極や櫛歯電極が必要に応じて形成されたガラス基
板上やプラスチック基板に塗布した後、乾燥、脱水閉環
させてポリイミド層とすることにより行われる。

【００２１】塗布方法としては、スピン塗布法、浸漬
法、印刷法、吹き付け法などが挙げられるが、フォトリ
ソグラフィー工程がなくパターニング形成が容易な印刷
法による塗布が好ましく、ワニスを保持しやすく被印刷
体への転写量も多いフレキソ印刷機による樹脂膜製造が
さらに好ましい。基板としては、上記のガラス基板やプ
ラスチック基板以外に、シリコンウエハなども用いられ
る。

【００２２】塗布後、ポリアミド酸を脱水閉環してポリ
イミド樹脂膜を形成する温度としては、好ましくは１０
０〜４００℃、より好ましくは１２０〜２３０℃、さら
に好ましくは１５０〜２００℃の範囲で任意に選択する
ことができる。また加熱時間は通常１分〜６時間、好ま
しくは１分〜３時間とされる。

【００２３】本発明の樹脂組成物によれば、０．１〜３
μｍの膜厚範囲で均−な膜厚を有するポリイミド系樹脂
膜を容易に形成することができる。このようにして形成
されたポリイミド樹脂膜は、例えば、半導体用絶縁膜、
液晶用カラーフィルタ保護膜、表面をラビングすること
によって液晶配向膜もしくは液晶用保護膜兼配向膜とし
て有用である。

【００２４】このようなポリイミド樹脂膜の形成によ
り、基板の凹凸を平坦化できるので、均一なセルギヤッ
プを得るために必要なスペーサービーズの数を減らすこ
とができ、更に基板の凹凸に起因した配向不良抑制する
ことができるので、液晶表示装置のコントラストを大幅
に向上することを可能にしたものである。

【００２５】本発明の液晶表示装置は、本発明の液晶用
保護膜兼配向膜を有する基板を用いて公知の方法により
得ることができる。次に、図面を参照して本発明の液晶
表示装置の一例を示す。

【００２６】図１は、本発明の横電界方式ＴＦＴ液晶表
示装置のセル断面図である。図１において、ガラス基板
１上にブラックマトリクス２が形成され、さらにカラー
フィルタ３が形成されており、さらにその上に液晶配向
膜兼保護膜４を形成して一方の液晶挟持基板が形成され
ている。また、ガラス基板１上に共通電極５、ゲート絶
縁膜６が形成され、さらにそのうえに、画素電極７が形
成され、さらに絶縁保護膜８及び液晶配向膜兼保護膜４
を順次形成して他方の液晶挟持基板が形成されている。
これらの液晶挟持基板に挟まれて液晶が保持され、その
なかにスペーサービーズ９が配分されている。本発明に
おける液晶用保護膜兼配向膜は、カラーフィルタ保護膜
を省略でき、また膜厚を大きくすることができるので、
表面を平坦化することができ、スペーサービーズ９が少
量でも充分にその役目を果たすことができる。すなわ
ち、著しく少量のスペーサービーズ９でセルギャッブを
適切に制御・維持することができる。

【００２７】図２は、本発明に用いられるツイスティド
ネマチック方式ＴＦＴ液晶表示装置の一例におけるセル
断面図を示す。基板１０の一方の面上に、ゲート絶縁膜
１１、ドレイン電極（映像信号電極）１２、ソース電極
（画素電極）１３、ゲート電極（走査信号電極）１４、
アモルファスシリコン１５、エッチングストッパー１
６、無機絶縁膜１７及び透明電極１８を形成されてい
る。なおＴＦＴ素子は、アモルファスシリコン１５、ゲ
ート電極１４、ソース電極１３、ドレイン電極１２から
構成され、透明電極にはＩＴＯを用いている。ＴＦＴ素
子による段差を平坦化するように液晶用保護膜兼配向膜
１９を設ける。他の一枚の基板には、ＴＦＴに対向する
位置にブラックマトリクス２０を、ＴＦＴ基板上の透明
電極に対向する位置にカラーフィルタ２１が形成されて
おり、その上にカラーフィルタ保護膜２２及び透明電極
１８が順次形成されている。そして、最上部に液晶保護
膜兼配向膜１９を形成する。液晶分子はスペーサービー
ズ２３と共に基板の間に注入され、封止される。最後に
２枚の基板の外側に偏光板２４を形成する。本発明にお
ける液晶用保護膜兼配向膜は、表面を平坦化できるの
で、スペーサービーズ２１によるセルギヤップの適切な
制御や衝撃に対するギャップ維持に対して効果がある。

【００２８】本発明においては、従来の２３０℃〜３５
０℃で硬化していた液晶配向膜とは異なり、２００℃以
下の低温硬化でも液晶配向性、化学的安定性、耐ラビン
グ性、印刷性良好、耐熱性、光透過性、電圧保持率、半
導体用絶縁特性などについて良好な特性を示す。

【００２９】

【実施例】合成例１ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルエーテル８
０．０９６ｇ（０．４０モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド７２４．８３ｇ中に溶解させ、これに１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物５１．５１４
ｇ（０．２６モル）、オクタン−１，８−ビス（１，３
−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニ
ル）ジエーテル３０．２６３ｇ（０．０８モル）、３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物１９．３３ｇ（０．０６モル）を加え、室温８時間
攪拌して反応させ、ポリアミド酸ワニスを調製した。得
られたワニスは２０重量％で粘度は２８００mPa.s（２
５℃）であった。

【００３０】次に上記２０重量％ワニスに樹脂分の１％
のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとブチルセロソルブ
の混合溶媒で１２重量％まで希釈し、ワニスＡを得た。
このワニスＡをガラス基板に２０００rpmでスピン塗布
し、８０℃で５分間、２００℃で３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．４μｍのポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜の光透過率を測定した結果、４００〜８００
nmで９５．０％以上と良好な透過性を示した。

【００３１】合成例２ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルエーテル８
０．０９６ｇ（０．４０モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド７７４．２ｇ中に溶解させ、これに１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物３５．６６４
ｇ（０．１８モル）、オクタン−１，８−ビス（１，３
−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニ
ル）ジエーテル５２．９６１ｇ（０．１４モル）、オキ
シジフタル酸二無水物２４．８１７ｇ（０．０８モル）
を加え、室温８時間攪拌して反応させ、ポリアミド酸ワ
ニスを調製した。得られたワニスは２０重量％で粘度は
２０００mPa.s（２５℃）であった。

【００３２】次に上記２０重量％ワニスに樹脂分の１％
のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとブチルセロソルブ
の混合溶媒で１３重量％まで希釈し、ワニスＢを得た。
このワニスＢをガラス基板に２０００rpmでスピン塗布
し、８０℃で５分間、２００℃で３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．４μｍのポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜の光透過率を測定した結果、４００〜８００
nmで９５．０％以上と良好な透過性を示した。

【００３３】合成例３ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口フラスコにｐ−フェニレンジアミン４３．２５７ｇ
（０．４０モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７８
０．７ｇ中に溶解させ、これに１，２，３，４−シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物３３．６２３ｇ
（０．１６モル）、オクタン−１，８−ビス（１，３−
ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニ
ル）ジエーテル８６．０７４ｇ（０．２０モル）、３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物１２．８８９ｇ（０．０４モル）、室温８時間攪拌
して反応させ、ポリアミド酸ワニスを調製した。得られ
たワニスは２０重量％で粘度は１５００mPa.s（２５
℃）であった。

【００３４】次に上記２０重量％ワニスに樹脂分の１％
のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとブチルセロソルブ
の混合溶媒で１５重量％まで希釈し、ワニスＣを得た。
このワニスＣをガラス基板に２０００rpmでスピン塗布
し、８０℃で５分間、２００℃で３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．７μｍのポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜の光透過率を測定した結果、４００〜８００
nmで９３．０％以上と良好な透過性を示した。

【００３５】比較合成例１ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルエーテル１
００．１２ｇ（０．５０モル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン８９６．８ｇ中に溶解させ、これに３，３′，
４，４′−ビスシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水
物３８．２８９ｇ（０．１２５モル）、オクタン−１，
８−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−
イソベンゾフラニル）ジエーテル８６．０７４ｇ（０．
０２５モル）、ピロメリット酸二無水物３２．７１８ｇ
（０．３５モル）、室温８時間攪拌して反応させ、ポリ
アミド酸ワニスを調製した。得られたワニスは２０重量
％で粘度は２６３００mPa.s（２５℃）であった。

【００３６】次に上記２０重量％ワニスに樹脂分の１％
のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとブチルセロソルブ
の混合溶媒で６重量％まで希釈し、ワニスＤを得た。こ
のワニスＣをガラス基板に２０００rpmでスピン塗布
し、８０℃で５分間、２００℃で３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．２μｍのポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜の光透過率を測定した結果、４００ｎｍ地点
で７２％の透過性を示した。

【００３７】比較合成例２ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた四つ
口フラスコに４，４′−ジアミノジフェニルメタン９
９．１３４ｇ（０．５０モル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン８９６．８ｇ中に溶解させ、これに１，２，３，
４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物１５．７
６１ｇ（０．０７５モル）、オクタン−１，８−ビス
（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベン
ゾフラニル）ジエーテル１７２．１４７ｇ（０．４モ
ル）、ピロメリット酸二無水物５．４５３ｇ（０．０２
５モル）、室温８時間攪拌して反応させ、ポリアミド酸
ワニスを調製した。得られたワニスは２０重量％で粘度
は２２００mPa.s（２５℃）であった。

【００３８】次に上記２０重量％ワニスに樹脂分の１％
のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとブチルセロソルブ
の混合溶媒で１３重量％まで希釈し、ワニスＥを得た。
このワニスＥをガラス基板に２０００rpmでスピン塗布
し、８０℃で５分間、２００℃で３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．５μｍのポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜の光透過率を測定した結果、４００nm地点で
８５％の透過性を示した。

【００３９】実施例１ ＩＴＯ付きポリカーボネート基板上にワニスＡをスピン
塗布し８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱処理を
して、膜厚０．４μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。
さらにラビング処理（ロール押込み量０．４mm、ロール
回転速度６００rpm、基板移動速度４２０mm/min、ラビ
ング回数１回）をして、液晶配向膜として液晶挟持基板
を得た。この液晶挟持基板の上下のラビング方向が９０
°になるように組み合わせ、周りを熱硬化性接着剤樹脂
ストラクトボンドＸＮ−２１−Ｓ（三井東圧化学製商品
名）で封止し、１５０℃１時間加熱硬化後、液晶セルを
作製した。この液晶セルに液晶ＭＬＣ−２０２７（メル
ク社商品名）を真空含浸法で注入した。その後液晶ＭＬ
Ｃ−２０２７の相転移温度以上の温度である１００℃で
１時間熱処理をして液晶表示素子を形成した。この際液
晶セルのギャップを一定に保つために直径５．０μｍの
ポリマービーズをスぺーサーとして介在させた。その
後、２枚の偏光板（日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ）でパ
ネルを挟み、直交としてノーマリクローズ特性とした。

【００４０】電圧保持率は図５に示す装置を用いて、ソ
ース信号が振幅６Ｖ、オフセット０Ｖで１６５ｍｓの矩
形波、ゲート信号のパルス幅３５μＳの条件でソース信
号の実効値に対するドレインからの出力信号の実効値の
比で評価したところ９６．５％と良好であった。続い
て、ＩＴＯ付きＴＦＴ基板にワニスＡを用いてフレキソ
印刷機により樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜を８０
℃で５分間、１５０℃で９０分間硬化を行い、膜厚０．
４μｍのポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の
表面は極めて平滑であり、印刷むらは観察されなかっ
た。このように得られたポリイミド膜表面をラビング処
理（ロール押込み量０．４mm、ロール回転速度６００rp
m、基板移動速度４２０mm/min、ラビング回数１回）を
して、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。膜剥離は
みられず、良好な密着性を示した。

【００４１】次にカラーフィルターおよびＩＴＯ付きガ
ラス基板に上記と同様な条件で印刷塗布、硬化を行い膜
厚０．４μｍのポリイミド膜を得、さらに上記と同様の
条件でラビング処理を行った。この液晶挟持基板の上下
のラビング方向が９０°になるように組み合わせ、ギャ
ップが５．０μｍとなるように周りを熱硬化性接着剤樹
脂で封止し、１５０℃１時間加熱硬化後、液晶ＭＬＣ−
２０２７を注入して液晶表示素子を作製した。モジュー
ル化して５００時間試験をして表示特性を評価したとこ
ろ、流動配向、リバースチルトドメインなどの配向の不
均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、全く視認され
ず、均一性の高い表示特性が得られた。評価結果を下記
表１に示す。

【００４２】実施例２ 前記実施例１で作成したポリイミド膜表面のラビング回
数を５回行い、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。
ラビング後の膜には、膜剥離はみられず、良好な密着性
を示した。これらの基板を実施例１と同様に液晶表示素
子を形成し、モジュール化して５００時間試験し、特性
を評価したところ、流動配向、リバースチルトドメイン
などの配向の不均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、
全く視認されず、均一性の高い表示特性が得られた。評
価結果を下記表２に示す。

【００４３】実施例３ よく表面を研磨したガラス基板＃７０５９（コーニング
ジャパン製）を２枚用いる。一方の基板上に公知の方法
（特開平６−１６０８７８号公報、特開平７−２６１１
８１号公報）に従い、横電界が印加できるアモルファス
シリコンーＴＦＴ及び配線電極からなるマトリクス素子
を形成した（以降横電界方式ＴＦＴ基板と省略する）。

【００４４】図４は基板面に垂直な方向から見たマトリ
クス素子の正面図、図５は図４のＡ−Ａ線断面図、図６
は図４のＢ−Ｂ線断面図である。薄膜トランジスタ２５
は、画素電極（ソース電極）２６、信号電極（ドレイン
電極）２７、走査電極（ゲート電極）２８及びアモルフ
ァスシリコン２９から構成される。共通電極３０と走査
電極２８及び信号電極２７と画素電極２６とは、それぞ
れ同一の金属層をパターン化して構成した。画素電極２
６は、図５に示したように、３本の共通電極３０の間に
配置されている。共通電極３０を覆うようにゲート絶縁
膜３１（ＳｉＮで厚さ０．１５μｍ）が形成されてお
り、その上に、画素電極（ソース電極）２６、信号電極
（ドレイン電極）２７が形成され、これらを覆うように
絶縁保護膜３２が形成され、その上に液晶配向膜兼保護
膜３３が形成されている。画素ピッチは、横方向（すな
わち、信号電極間）は１００μｍ、縦方向（すなわち、
走査電極問）は３００μｍとした。

【００４５】一方、開口率向上のために１画素単位で独
立に形成した画素電極及び共通電極の信号配線電極の長
手方向に延びた部分の幅は、若干狭くし、それぞれ５μ
ｍ、６μｍとした。信号電極２７と共通電極３０とは、
絶縁膜を介して２μｍの間隔を設けた。このとき、画素
数は６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）本の信号配線電極と４８
０本の配線電極とにより６４０×３×４８０個とした。
なお、電極の高さは、０．５μｍであった。対向の基板
には、図１に示すように、ブラックマトリクス２として
カーボン微粒子を混合したエポキシ樹脂を用い、ストラ
イプ状のＲ、Ｇ、Ｂ３色のカラーフィルター３を備え
た。

【００４６】このようにして作成した横電界方式ＴＦＴ
基板及びにカラーフィルター基板上に合成例１で作成し
たワニスＡを用いてフレキソ印刷により絶縁膜兼配向膜
用組成物膜を形成した。形成された組成物膜を８０℃で
５分間、１５０℃で９０分間加熱硬化を行い、膜厚を
０．４μｍとした。このポリイミド膜の表面をラビング
処理をして、液晶配向膜とした。

【００４７】この上下基板を組み合わせ、周りを熱硬化
性接着剤樹脂ストラクボンドＸＮ−２１−Ｓ（三井東圧
化学工業製商品名）で封止し、１５０℃で１時間加熱硬
化した。なおラビング方向は互いにほぼ平行でかつ印加
電圧方向とのなす角度を１５度とした。セルギャップは
ポリマービーズを基板間に分散した挟持し、液晶封入状
態で４．５μｍとした。この基板間には、ネマチック液
晶ＭＬＣ−２０２７（メルク社製商品名）を真空含浸法
で注入した。液晶ＭＬＣ−２０２７の相転移温度以上で
ある１００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形成
した。その後２枚の偏光板Ｇ１２２０ＤＵ（日東電工製
商品名）でパネルを挟み、一方の偏光板の偏光透過軸を
ラビング方向にほぼ平行とし、他方をそれに直交とし
て、ノーマリクローズ特性を得た。液晶表示装置には、
駆動ＬＳＩが接続され、アクティブマトリクス駆動とし
た。評価結果を下記表３に示す。

【００４８】実施例４ ＩＴＯ付きポリカーボネート基板上にワニスＢをスピン
塗布し８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱処理を
して、膜厚０．４μｍのポリイミド膜を形成した。さら
に実施例１と同様のラビング条件を行い、この液晶挟持
基板の上下のラビング方向が９０°になるように組み合
わせ、実施例１と同様に液晶セルを作製した。この液晶
セルに実施例１と同様に液晶ＭＬＣ−２０２７注入、１
００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形成した。
この際液晶セルのギャップを一定に保つために直径５．
０μｍのポリマービーズをスぺーサーとして介在させ
た。実施例１と同様に電圧保持率を評価した結果、９
７．１％と良好であった。

【００４９】続いて、実施例１と同様にＩＴＯ付きＴＦ
Ｔ基板にワニスＢを用いてフレキソ印刷機により樹脂膜
を形成した。形成した樹脂膜を８０℃で５分間、１５０
℃で９０分間硬化を行い、膜厚０．５μｍのポリイミド
膜を得た。得られたポリイミド膜の表面は極めて平滑で
あり、印刷むらは観察されなかった。実施例１と同様に
ラビング処理をして、液晶配向膜として液晶挟持基板を
得た。この時、膜剥離はみられず、良好な密着性を示し
た。

【００５０】次に実施例１と同様に、カラーフィルター
付きガラス基板に上記と同様な条件で印刷塗布、硬化を
行い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を得、さらに上記と
同様の条件でラビング処理を行った。これら２枚の液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶表示素子を作製した。
モジュール化して５００時間試験をして表示特性を評価
したところ、流動配向、リバースチルトドメインなどの
配向の不均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、全く視
認されず、均一性の高い表示特性が得られた。評価結果
を下記表１に示す。

【００５１】実施例５ 前記実施例４で作成したポリイミド膜表面のラビング回
数を５回行い、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。
ラビング後の膜には、膜剥離はみられず、良好な密着性
を示した。これらの基板を実施例１と同様に液晶表示素
子を形成し、モジュール化して５００時間試験し、特性
を評価したところ、流動配向、リバースチルトドメイン
などの配向の不均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、
全く視認されず、均一性の高い表示特性が得られた。評
価結果を下記表２に示す。

【００５２】実施例６ 前記実施例３と同様な、横電界方式ＴＦＴ基板に合成例
２で作成したワニスＢを用いてフレキソ印刷により印刷
し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱硬化を行
い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を形成した。実施例３
と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜として液
晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥離はみら
れず、良好な密着性を示した。

【００５３】一方、実施例３にて作成したカラーフィル
ター基板上に対してもワニスＣを用いてフレキソ印刷に
より印刷し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱
硬化を行い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を形成した。
実施例３と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜
として液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥
離はみられず、良好な密着性を示した。この上下基板の
ラビング方向は互いにほぼ平行でかつ印加電圧方向との
なす角度を１５度となるように組み合わせた。なおセル
ギャップは４．５μｍとした。この基板間にＭＬＣ−２
０２７を注入し液晶表示素子を形成した。評価結果を下
記表３に示す。

【００５４】実施例７ ＩＴＯ付きポリカーボネート基板上にワニスＣをスピン
塗布し８０℃で５分間、１７０℃で９０分間加熱処理を
して、膜厚０．７μｍのポリイミド膜を形成した。さら
に実施例１と同様のラビング条件を行い、この液晶挟持
基板の上下のラビング方向が９０°になるように組み合
わせ、実施例１と同様に液晶セルを作製した。この液晶
セルに実施例１と同様に液晶ＭＬＣ−２０２７を注入
し、１００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形成
した。この際液晶セルのギャップを一定に保つために直
径５．０μｍのポリマービーズをスぺーサーとして介在
させた。実施例１と同様に電圧保持率を評価した結果、
９６．２％と良好であった。

【００５５】続いて、実施例１と同様にＩＴＯ付きＴＦ
Ｔ基板にワニスＣを用いてフレキソ印刷機により樹脂膜
を形成した。形成した樹脂膜を８０℃で５分間、１７０
℃で９０分間を行い、膜厚０．５μｍのポリイミド膜を
得た。得られたポリイミド膜の表面は極めて平滑であ
り、印刷むらは観察されなかった。実施例１と同様にラ
ビング処理をして、液晶配向膜として液晶挟持基板を得
た。この時、膜剥離はみられず、良好な密着性を示し
た。

【００５６】次に実施例１と同様に、カラーフィルター
付きガラス基板に上記と同様な条件で印刷塗布、硬化を
行い膜厚０．７μｍのポリイミド膜を得、さらに上記と
同様の条件でラビング処理を行った。これら２枚の液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶表示素子を作製した。
モジュール化して５００時間試験をして表示特性を評価
したところ、流動配向、リバースチルトドメインなどの
配向の不均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、全く視
認されず、均一性の高い表示特性が得られた。評価結果
を下記表１に示す。

【００５７】実施例８ 前記実施例２で作成したポリイミド膜表面のラビング回
数を５回行い、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。
ラビング後の膜には、膜剥離はみられず、良好な密着性
を示した。これらの基板を実施例１と同様に液晶表示素
子を形成し、モジュール化して５００時間試験し、特性
を評価したところ、流動配向、リバースチルトドメイン
などの配向の不均一性や液晶の汚染に伴う表示むらは、
全く視認されず、均一性の高い表示特性が得られた。評
価結果を下記表２に示す。

【００５８】実施例９ 前記実施例３と同様な、横電界方式ＴＦＴ基板に合成例
２で作成したワニスＣを用いてフレキソ印刷により印刷
し、８０℃で５分間、１７０℃で９０分間加熱硬化を行
い膜厚０．７をμｍのポリイミド膜を形成した。実施例
３と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜として
液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥離はみ
られず、良好な密着性を示した。

【００５９】一方、実施例３にて作成したカラーフィル
ター基板上に対してもワニスＣを用いてフレキソ印刷に
より印刷し、８０℃で５分間、１７０℃で９０分間加熱
硬化を行い膜厚０．７μｍのポリイミド膜を形成し
た。、実施例３と同様にラビング回数を１回行い、液晶
配向膜として液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜に
は、膜剥離はみられず、良好な密着性を示した。この上
下基板のラビング方向は互いにほぼ平行でかつ印加電圧
方向とのなす角度を１５度となるように組み合わせた。
なおセルギャップは４．５μｍとした。この基板間にＭ
ＬＣ−２０２７を注入し液晶表示素子を形成した。評価
結果を下記表３に示す。

【００６０】比較例１ ＩＴＯ付きポリカーボネート基板上にワニスＤをスピン
塗布し８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱処理を
して、膜厚０．２μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。
さらに実施例１と同様のラビング条件を行い、この液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶セルを作製した。この
液晶セルに実施例１と同様に液晶ＭＬＣ−２０２７を注
入し、１００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形
成した。この際液晶セルのギャップを一定に保つために
直径５．０μｍのポリマービーズをスぺーサーとして介
在させた。実施例１と同様に電圧保持率を評価した結
果、９０．３％であった。

【００６１】続いて、実施例１と同様にＩＴＯ付きＴＦ
Ｔ基板にワニスＤを用いてフレキソ印刷機により樹脂膜
を形成した。形成した樹脂膜を８０℃で５分間、１５０
℃で９０分間硬化を行い、膜厚０．２μｍのポリイミド
膜を得た。得られたポリイミド膜の表面は極めて平滑で
あり、印刷むらは観察されなかった。実施例１と同様に
ラビング処理をして、液晶配向膜として液晶挟持基板を
得た。この時、膜剥離はみられず、良好な密着性を示し
た。

【００６２】次に実施例１と同様に、カラーフィルター
付きガラス基板に上記と同様な条件で印刷塗布、硬化を
行い膜厚０．２μｍのポリイミド膜を得、さらに上記と
同様の条件でラビング処理を行った。これら２枚の液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶表示素子を作製した。
モジュール化して表示特性を評価したところ、初期にお
いては配向不良や液晶の汚染に伴う表示むらは、全く視
認されなかったが、画面の黄色みが視認された。また５
００時間試験後においては、液晶の汚染に伴う表示むら
が視認された。評価結果を下記表１に示す。

【００６３】比較例２ 前記比較例１で作成したポリイミド膜表面のラビング回
数を５回行い、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。
ラビング後の膜には、膜剥離はみられず、良好な密着性
を示した。これらの基板を実施例１と同様に液晶表示素
子を形成し、モジュール化して５００時間試験し、特性
を評価したところ、初期においては配向不良や液晶の汚
染に伴う表示むらは、全く視認されなかったが、画面の
黄色みが視認された。また５００時間試験後において
は、液晶の汚染に伴う表示むらが視認された。評価結果
を下記表２に示す。

【００６４】比較例３ 前記実施例３と同様な、横電界方式ＴＦＴ基板に合成例
４で作成したワニスＤを用いてフレキソ印刷により印刷
し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱硬化を行
い膜厚０．２をμｍのポリイミド膜を形成した。実施例
３と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜として
液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥離はみ
られず、良好な密着性を示した。

【００６５】一方実施例３にて作成したカラーフィルタ
ー基板上に対してもワニスＤを用いてフレキソ印刷によ
り印刷し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱硬
化を行い膜厚０．２μｍのポリイミド膜を形成した。実
施例３と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜と
して液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥離
はみられず、良好な密着性を示した。この上下基板のラ
ビング方向は互いにほぼ平行でかつ印加電圧方向とのな
す角度を１５度となるように組み合わせた。なおセルギ
ャップは４．５μｍとした。この基板間にＭＬＣ−２０
２７を注入し液晶表示素子を形成した。評価結果を下記
表３に示す。

【００６６】比較例４ ＩＴＯ付きポリカーボネート基板上にワニスＥをスピン
塗布し８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱処理を
して、膜厚０．５μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。
さらに実施例１と同様のラビング条件を行い、この液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶セルを作製した。この
液晶セルに実施例１と同様に液晶ＭＬＣ−２０２７注
入、１００℃で１時間熱処理をして液晶表示素子を形成
した。この際液晶セルのギャップを一定に保つために直
径５．０μｍのポリマービーズをスぺーサーとして介在
させた。しかしながら配向不良が認められたため、電圧
保持率は測定しなかった。

【００６７】続いて、実施例１と同様にＩＴＯ付きＴＦ
Ｔ基板にワニスＥを用いてフレキソ印刷機により樹脂膜
を形成した。形成した樹脂膜を８０℃で５分間、１５０
℃で９０分間硬化を行い、膜厚０．５μｍのポリイミド
膜を得た。得られたポリイミド膜の表面は極めて平滑で
あり、印刷むらは観察されなかった。実施例１と同様に
ラビング処理をして、液晶配向膜として液晶挟持基板を
得た。この時、膜剥離はみられず、良好な密着性を示し
た。

【００６８】次に実施例１と同様に、カラーフィルター
付きガラス基板に上記と同様な条件で印刷塗布、硬化を
行い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を得、さらに上記と
同様の条件でラビング処理を行った。これら２枚の液晶
挟持基板の上下のラビング方向が９０°になるように組
み合わせ、実施例１と同様に液晶表示素子を作製した。
モジュール化して表示特性を評価したところ、配向不良
が認められた。評価結果を下記表１に示す。

【００６９】比較例５ 前記比較例４で作成したポリイミド膜表面のラビング回
数を５回行い、液晶配向膜として液晶挟持基板を得た。
ラビング後の膜には、膜剥離はみられず、良好な密着性
を示した。これらの基板を実施例１と同様に液晶表示素
子を形成し、モジュール化して５００時間試験し、特性
を評価したところ、初期においては配向不良が視認され
た。評価結果を下記表２に示す。

【００７０】比較例６ 前記実施例３と同様な、横電界方式ＴＦＴ基板に合成例
５で作成したワニスＥを用いてフレキソ印刷により印刷
し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱硬化を行
い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を形成した。実施例３
と同様にラビング回数を１回行い、液晶配向膜として液
晶挟持基板を得た。ラビング後の膜には、膜剥離はみら
れず、良好な密着性を示した。

【００７１】一方、実施例３にて作成したカラーフィル
ター基板上に対してもワニスＥを用いてフレキソ印刷に
より印刷し、８０℃で５分間、１５０℃で９０分間加熱
硬化を行い膜厚０．５μｍのポリイミド膜を形成し
た。、実施例３と同様にラビング回数を１回行い、液晶
配向膜として液晶挟持基板を得た。ラビング後の膜に
は、膜剥離はみられず、良好な密着性を示した。この上
下基板のラビング方向は互いにほぼ平行でかつ印加電圧
方向とのなす角度を１５度となるように組み合わせた。
なおセルギャップは４．５μｍとした。この基板間にＭ
ＬＣ−２０２７を注入し液晶表示素子を形成した。評価
結果を下記表３に示す。

【００７２】

【表１】

【００７３】

【表２】

【００７４】

【表３】

【００７５】

【発明の効果】本発明の樹脂組成物によれば、１４０℃
以上２００℃以下の低温効果においても、光透過性、良
好な印刷性、電圧保持率、ラビング傷の少ない、熱的ス
トレスでも配向不良を生じないなどの特性に優れること
にある。またＴＦＴ素子や櫛歯電極の凹凸構造による配
向不良を抑制した液晶挟持基板尾及び液晶表示装置を提
供することにある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の横電界方式液晶表示装置におけるセル
断面図である。

【図２】本発明のツイスティドネマチック方式ＴＦＴ−
液晶表示装置のセル断面図である。

【図３】電圧保持率の測定系を示す回路図である。

【図４】基板面に垂直な方向からみた横電界方式マトリ
クス素子の正面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。

【図６】図４のＢ−Ｂ線断面図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ ブラックマトリクス ３ カラーフィルタ ４ 液晶配向膜兼保護膜 ５ 共通電極 ６ ゲート絶縁膜 ７ 画素電極 ８ 絶縁保護膜 ９ スペーサービーズ １０ 基板 １１ ゲート絶縁膜 １２ ドレイン電極（映像信号電極） １３ ソース電極（画素電極） １４ ゲート電極（走査信号電極） １５ アモルファスシリコン １６ エッチングストッパー １７ 無機絶縁膜 １８ 透明電極 １９ 液晶配向膜兼保護膜 ２０ ブラックマトリクス ２１ カラーフィルタ ２２ カラーフィルタ保護膜 ２３ スペーサビーズ ２４ 偏光板 ２５ 薄膜トランジスタ ２６ ソース電極（画素電極） ２７ ドレイン電極（信号電極） ２８ ゲート電極（走査電極） ２９ アモルファスシリコン ３０ 共通電極 ３１ ゲート絶縁膜 ３２ 絶縁保護膜 ３３ 液晶配向膜兼保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝谷 康夫 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 梅田 啓之 茨城県日立市大みか町７−１−１ 株式会 社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HB10Y HC05 HD03 HD15 HD17 JB03 LA01 LA04 LA15 MA06 MB01 4J043 PA04 PA06 PA19 QB15 QB26 QB31 SA06 SA24 SA62 TA22 TA67 TB02 TB04 UA022 UA032 UA041 UA042 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA632 UA652 UA662 UA672 UA761 UA762 UA771 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB132 UB152 UB171 UB281 UB301 UB351 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA051 VA061 VA062 VA081 VA091 XA15 XA16 XA18 XA19 ZA52 ZB23

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テトラカルボン酸二無水物において、一
   般式（Ｉ） 【化１】 （ただし、式中、ｎは２〜２０の整数をしめす）で表わ
   されるテトラカルボン酸二無水物を１０〜７０モル％含
   むテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを反応
   させて得られるポリアミド酸を含有してなる樹脂組成
   物。
2. 【請求項２】 テトラカルボン酸二無水物が、脂肪族テ
   トラカルボン酸二無水物および／または脂環式テトラカ
   ルボン酸二無水物をテトラカルボン酸二無水物の総モル
   数の３０モル％以上含むものである請求項１記載の樹脂
   組成物。
3. 【請求項３】 テトラカルボン酸二無水物が、一般式
   （Ｉ）で表わされるテトラカルボン酸二無水物以外の芳
   香族テトラカルボン酸二無水物をテトラカルボン酸二無
   水物の総モル数の１０〜５０モル％含むものである請求
   項１記載の樹脂組成物。
4. 【請求項４】 沸点２００℃以下の極性溶媒が全溶媒の
   ３０〜９５重量％である請求項１〜３のいずれかに記載
   の樹脂組成物。
5. 【請求項５】 膜厚０．１〜３μｍで４００〜８００nm
   の範囲で光透過率が９０％以上である請求項１〜３のい
   ずれかに記載の樹脂組成物。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂組
   成物を含む液晶配向膜用樹脂組成物。
7. 【請求項７】 電極を形成した基板の面上に請求項６記
   載の液晶配向膜用樹脂組成物を塗布した後、乾燥、脱水
   閉環させてポリイミド層を形成し、形成されたポリイミ
   ド層をラビングしてなる液晶配向膜。
8. 【請求項８】 電極を形成した基板の面上に、請求項６
   記載の液晶配向膜用樹脂組成物を塗布した後、乾燥、脱
   水閉環させてポリイミド層を形成し、形成されたポリイ
   ミド層をラビングして得られた液晶配向膜を形成してな
   る液晶挟持基板。
9. 【請求項９】 請求項８記載の液晶挟持基板を有する液
   晶表示装置。