TW201609968A - 液晶配向處理劑、液晶配向膜及液晶顯示元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物之產生、提高與密封劑之接著性而提高液晶顯示元件之強度的液晶配向膜。並提供一種具有前述液晶配向膜之液晶顯示元件、可提供前述液晶配向膜之液晶配向處理劑。
〔解決手段〕一種含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理劑。
(A)成份:式〔1〕所示化合物。
□
(式中之記號,係如說明書所記載之內容)。
(B)成份:由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
Description
本發明為有關製造液晶顯示元件所使用之液晶配向處理劑、由該液晶配向處理劑而得之液晶配向膜及使用該液晶配向膜之液晶顯示元件之發明。
液晶顯示元件,於作為實現薄型‧輕量之顯示裝置,目前被廣泛地使用。通常,該液晶顯示元件中,為決定液晶之配向狀態之目的,而使用液晶配向膜。又,除了部份垂直配向型之液晶顯示元件等以外,該液晶配向膜於電極基板上所形成之液晶配向膜的表面,不外乎以數種配向處理進行製作。
液晶配向膜之配向處理方法,目前一般所使用之方法為,於該液晶配向膜表面,使用尼龍等作為原料之布,以施加壓力方式摩擦,即進行所謂摩擦處理之方法。對於伴隨摩擦處理所造成之液晶配向膜的削減,除使用聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺中至少1種的聚合物的同時,並使用含有特定之熱交聯性化合物之液晶配向處理劑的方法(例如專利文獻1),同樣地使用含有含環氧基之
化合物的液晶配向處理劑之方法(例如專利文獻2)等,以使用硬化劑而提高耐摩擦性之方法等提案。
又,近年來,除摩擦處理法以外的方法,例如使用偏光之紫外線進行照射,以控制液晶配向狀態的光配向處理法受到極大之注目。使用光配向處理法之液晶配向處理方法中,已有利用光異構化反應、光交聯反應或光分解反應等技術之提案(例如專利文獻3及非專利文獻1)。
〔專利文獻1〕特開平9-185065號公報
〔專利文獻2〕特開平9-146100號公報
〔專利文獻3〕特開平9-297313號公報
〔非專利文獻1〕「液晶光配向膜」木戸脇、市村機能材料1997年11月號,Vol.17,No.11,13-22頁
近年來,因大型TV或智慧型手機之輕量化,故對於所製得之液晶顯示元件之玻璃面,多進行物理性之研磨步驟。該步驟中,於管柱間隔器上因液晶配向膜與其
對向側之基板上的液晶配向膜產生摩擦,而引起液晶配向膜之剝落。剝落之液晶配向膜將形成異物,而容易造成液晶顯示元件的顯示缺陷。又,液晶顯示元件使用於智慧型手機或終端機之情形,因液晶顯示元件會受到手指壓押等物理性衝撃,故與前述相同般,其所造成之液晶配向膜之剝落或異物之產生等,將容易造成液晶顯示元件的顯示缺陷等問題。
又,液晶顯示元件欲使用於智慧型手機或終
端機用途之情形,為盡可能確保更多之顯示面時,接著液晶顯示元件與基板間所使用的密封劑之寬度,必須比以往者為更狹窄。該情形中,為防止液晶顯示元件之破損,液晶配向膜與密封劑之接著性(亦稱為密著性),亦必須較以往為更高。
此外,今後較摩擦處理法更受到注目之新配
向處理方法的光配向處理法中,其液晶配向處理方法為利用光分解反應之情形,於前述玻璃基板之研磨處理或作為觸控面板用途中,亦容易伴隨手指之壓押(統稱為物理性衝撃)而引起液晶配向膜之剝落或異物之產生。
因此,本發明為以提供一種兼具有上述特性
之液晶配向處理劑為目的。即,本發明之目的為,提供一種可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物產生的液晶配向膜為目的。此外,並以提供一種可提高液晶配向膜與與密封劑之接著性而提高液晶顯示元件之強度的液晶配向膜為目的。其中,又,提
供一種於利用光配向處理法,特別是利用光分解反應之情形中,可改善該些特性的液晶配向膜為目的。此外,又以提供一種具有前述液晶配向膜之液晶顯示元件、可提供前述液晶配向膜之液晶配向處理劑為目的。
本發明者們,進行深入研究結果,發現含有,具有特定結構之化合物,及由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物的液晶配向處理劑時,就達成上述目的極為有效,因而完成本發明。
即,本發明為具有以下技術特徵者。
(1)一種液晶配向處理劑,其特徵為,含有下述(A)成份及(B)成份;(A)成份:式〔1〕所示化合物。
(W1表示碳數1~30之有機基,W2表示由-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-COO-、-OCO-及-S-所選出之至少1種的鍵結基,n表示1~6之整數)。
(B)成份:由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(2)如(1)記載之液晶配向處理劑,其
中,式〔1〕之W1為由下述式〔1a〕及〔1b〕所選出之至少1種之結構。
(W3及W5各自獨立表示苯環或環己烷環,W4
表示由單鍵、-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-COO-、-OCO-及-S-所選出之至少1種的鍵結基,q表示0~4之整數,W6表示碳數1~10之伸烷基、碳數1~10之伸烯基或碳數1~10之伸炔基,鍵結於該些任意之碳原子的氫原子可被含鹵素之烷基、鹵素原子、羥基(OH基)及羧基(COOH基)所取代,*表示與W2之鍵結鍵)。
(3)如(2)記載之液晶配向處理劑,其
中,(A)成份的化合物為,由下述式〔1-1〕~式〔1-8〕所選出之至少1種的化合物。
(4)如(1)~(3)之任一項所記載的液晶
配向處理劑,其中,(B)成份的聚合物為,由使用含有由下述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物所選出之至少1種的二胺化合物之二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(X1、X3及X7,及X8各自獨立表示由單
鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基;X2、X4及X6,及X9各自獨立表示單鍵或碳數1~10之伸烷基;Xa及Xe各自獨立表示氫原子或碳數1~20之有機基;Xb、Xc及Xf各自獨立表示經由熱而取代為氫原子之保護基;m表示1或2之整數,p表示1~4之整數,q表示1~4之整數,X5表示單鍵或碳數1~10之伸烷基,r表示1~4之整數,Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基,n表示1~4之整數,s表示1~4之整數,t表示1~4之整數,A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(5)如(4)記載之液晶配向處理劑,其
中,前述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物中,Xb、Xc及Xf各自獨立表示具有下述式〔a-1〕~式〔a-6〕所示結構之保護基的二胺化合物。
(R1表示碳數1~5之烷基)。
(6)如(4)記載之液晶配向處理劑,其
中,前述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物為,下述式〔2a-4〕~式〔2a-12〕所示之二胺化合物。
(R1~R14各自獨立表示由前述式〔a-1〕~
式〔a-6〕所示結構所選出之至少1種之結構,A1~A18各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(7)如(1)~(6)之任一項所記載的液晶
配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔2b〕所示之二胺化合物的二胺成份而得之聚
醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(Y1及Y7各自獨立表示由單鍵、碳數1~10
之伸烷基、-O-、-S-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基,Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基,Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基,Y4表示氧原子或硫原子,A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(8)如(7)記載之液晶配向處理劑,其
中,前述式〔2b〕所示之二胺化合物為,下述式〔2b-1〕~式〔2b-3〕所示之二胺化合物。
(A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(9)如(1)~(8)之任一項所記載的液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有由下述式〔2c-1〕~式〔2c-3〕所示之二胺化合物所選出之至少1種之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(X1表示苯環或含氮芳香族雜環,X2表示氫原子或被碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基,又,X2為氫原子之情形,X1表示含氮芳香族雜環,X2為被碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基之情形,X1
表示苯環,X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子,且具有1~2個苯環的芳香族基,X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基,X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基,、m表示0或1之整數,X8及X10各自獨立表示由下述式〔c-1〕及式〔c-2〕所選出之至少1種之結構,X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環,A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(10)如(9)記載之液晶配向處理劑,其
中,前述式〔2c-1〕~式〔2c-3〕所示之二胺化合物為,下述式〔2c-4〕~式〔2c-7〕所示之二胺化合物。
(R1表示氫原子或碳數1~5之烷基,式〔
2c-7〕中,n表示1~10之整數,A1~A8各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(11)如(1)~(10)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔2d〕所示之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(X表示由下述式〔d-1〕~式〔d-8〕所選出
之至少1種之結構,A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(n表示1~5之整數)。
(12)如(1)~(11)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔3〕所示四羧酸二酐之四羧酸成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(Z表示由下述式〔3a〕~式〔3q〕所選出之
至少1種之結構)。
(Z1~Z4表示氫原子、甲基、乙基、丙基、
氯原子或苯環,其可分別為相同亦可、相異亦可、式〔3g〕中,Z5及Z6表示氫原子或甲基,其可分別為相同亦可、相異亦可)。
(13)如(12)記載之液晶配向處理劑,其
中,前述四羧酸成份為,前述式〔3〕中之Z為由前述式〔3a〕、式〔3e〕~式〔3g〕、式〔3l〕、式〔3m〕或式〔3p〕所示結構所選出之至少1種之結構的四羧酸成份。
(14)如(1)~(13)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中,前述(A)成份的化合物,相對於前述(B)成份的聚合物100質量份,為1質量份~50質量份。
(15)如(1)~(14)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為聚醯胺酸烷酯。
(16)如(1)~(15)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中,液晶配向處理劑之溶劑為,含有由
N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所選出之至少1種之溶劑。
(17)如(1)~(16)之任一項所記載的液
晶配向處理劑,其中液晶配向處理劑之溶劑為,含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚乙酸酯及二丙二醇二甲醚所選出之至少1種之溶劑。
(18)一種液晶配向膜,其特徵為,由(1)
~(17)之任一項所記載的液晶配向處理劑而得者。
(19)一種液晶配向膜,其特徵為,使用
(1)~(17)之任一項所記載的液晶配向處理劑,經噴墨法而得之液晶配向膜。
(20)一種液晶配向膜,其特徵為,使用偏
光之輻射線照射(18)或(19)記載之液晶配向膜而得者。
(21)一種具有(18)~(20)之任一項所
記載的液晶配向膜的液晶顯示元件。
本發明所使用之含有具有特定結構之化合物,及由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物之液晶配向處理劑,可製得一種抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜剝落或異物產生的液晶配向膜。此外,可製得一種可提高液晶配向膜與密
封劑之接著性而提高液晶顯示元件強度之液晶配向膜。特別是對於照射偏光之輻射線而得之光配向處理法用的液晶配向膜為有用者。因此,具有本發明之液晶配向處理劑所得液晶配向膜的液晶顯示元件,為具有優良信賴性之元件,而適用於大畫面且高精細度之液晶電視、中小型之智慧型手機或終端機等。
〔圖1〕圖1表示依「密封劑與底層基板之密著性評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性評估)」所製作之測試晶胞之結構。
以下,將對本發明作詳細之說明。
本發明為含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理劑、使用該液晶配向處理劑所得之液晶配向膜,及具有該液晶配向膜之液晶顯示元件。
(A)成份:下述式〔1〕所示化合物(亦稱為特定化合物)。
(X1表示碳數1~30之有機基,X2表示由-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-COO-、-OCO-及-S-所選出之至少1種的鍵結基,n表示1~6之整數)。
(B)成份:由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物(亦稱為特定聚醯亞胺系聚合物)。
本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜中,其對於如何解決本發明課題之理由,雖未能充分明瞭,但推想應為以下所示之內容。
式〔1〕所示特定化合物,因具有經由熱而進行交聯反應或與特定聚合物中所含之羰基(-COOH基)進行反應之不飽和雙鍵(-X2-CH=CH2基)。因此,於製作液晶配向膜之際的燒結步驟時,會引起前述反應,而提高液晶配向膜之膜強度。因此,可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物之產生。
又,特定化合物的前述不飽和雙鍵,與一般性之不飽和雙鍵,例如,丙烯(酸)基(-O-C(=O)-CH=CH2基)或甲基丙烯(酸)基(-O-C(=O)-C(-CH3)=CH2基)相比較時,其不飽和雙鍵部位(前述中之-CH=CH2或
-C(-CH3)=CH2)之熱安定性較高。即,特定化合物之不飽和雙鍵部位,與一般化合物相比較時,具有更高之熱安定性。因此,本發明中,使用特定化合物之情形,於製作液晶配向膜之際的燒結步驟後,該不飽和雙鍵部位容易產生殘留。如此,殘留之該部位與密封劑成份,於製作液晶顯示元件之際的密封劑硬化之步驟,即,經由紫外線照射及燒結,而產生化學反應,而可提高液晶配向膜與密封劑之接著性。
此外,本發明中之液晶配向處理劑,對使用
具有環丁烷環等脂環結構的聚醯亞胺系樹脂進行光分解反應的光配向處理法為有用者。具體而言,可列舉如,本光配向處理法中,經由光分解反應而由環丁烷環產生具有不飽和雙鍵之馬來醯亞胺化合物。因此,可促進與特定化合物之化學反應,而更能提升前述之效果。
就以上各點,本發明之液晶配向處理劑,可
製得一種可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物之產生,此外,可提高液晶配向膜與密封劑之接著性而提高液晶顯示元件強度的液晶配向膜。
本發明所使用之特定化合物為,下述式〔1〕所示化合物。
W1表示碳數1~30之有機基。其中,就液晶
配向性之觀點,又以碳數1~18之環狀基或脂肪族一價氫基為佳。
其具體例,可列舉如,苯環、萘環、四氫萘
環、薁環、茚環、茀環、蒽環、碳數1~18之直鏈或支鏈烷基、碳數1~18之不飽和烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環及環十八烷環等。其中,又以苯環、萘環、碳數1~18之不飽和烷基、碳數1~18之直鏈烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環及環己烷環為佳。又,鍵結於該些任意之碳原子的氫原子,可被含鹵素之烷基、鹵素原子、羥基(OH基)及羰基所取代。
W2為由-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、
-NHCO-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-COO-、-OCO-及-S-所選出之至少1種的鍵結基。其中,就製造特定化合物之容易度等觀點,以-O-、-COO-及-CONH-為佳。
n表示1~6之整數。其中,就製造特定化合物之容易度等觀點,以1~4之整數為佳。
更佳之特定化合物為,前述式〔1〕中之W1
為由下述式〔1a〕及式〔1b〕所選出之至少1種之結構的特定化合物。
W3及W5各自獨立表示苯環或環己烷環。
W4表示由單鍵、-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-COO-、-OCO-及-S-所選出之至少1種的鍵結基。其中,就製造特定化合物之容易度等觀點,以單鍵、-O-、-COO-及-CONH-為佳。
q表示0~4之整數。其中,就製造特定化合物之容易度等觀點,以0~2之整數為佳。
W6表示碳數1~10之伸烷基、碳數1~10之伸烯基或碳數1~10之伸炔基。其中,就製造特定化合物之容易度等觀點,以碳數1~6之伸烷基、碳數1~6之伸烯基或碳數1~6之伸炔基為佳。又,鍵結於該些任意之碳原子的氫原子,可被含鹵素之烷基、鹵素原子、羥基(OH基)及羧基(COOH基)所取代。*表示與W2之鍵結鍵。
特定化合物之具體例,可列舉如,下述式〔1-1〕~式〔1-8〕所示化合物等。
其中,就可提高本發明之所可產生之效果等
觀點,以式〔1-3〕的化合物為佳。
本發明所使用之特定化合物,可配合特定化
合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性,將1種類或2種類以上混合使用皆可。
本發明所使用之特定聚醯亞胺系聚合物為,由聚醯亞
胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。其中,又以二胺成份(亦稱為二胺化合物)與四羧酸成份(亦稱為四羧酸化合物)進行反應而得之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺為佳。
聚醯亞胺前驅體係指,下述式〔A〕所示之結
構。
(R1為4價之有機基,R2為2價之有機基,
A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基,A3及A4各自獨立表示氫原子、碳數1~5之烷基或乙醯基,n表示正整數)。
前述二胺成份,可列舉如,分子內具有2個
一級或二級之胺基的二胺化合物。
又,前述四羧酸成份,可列舉如,四羧酸化
合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物等。
欲製得A1及A2為氫原子之聚醯胺酸時,可
將前述分子內具有2個一級或二級胺基的二胺化合物,與四羧酸化合物或四羧酸酐進行反應而製得。
欲製得A1及A2為碳數1~5之烷基之聚醯胺
酸烷酯時,可將前述二胺化合物,與四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物進行反應而可製得。又,前述方法所得之聚醯胺酸中,亦可導入式〔A〕所示A1及A2之碳數1~5之烷基。
製作特定聚醯亞胺系聚合物所使用之二胺成
份及四羧酸成份並未有特別之限制,就改善液晶顯示元件中因交流驅動所造成之殘影特性等觀點,以使用下述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物(亦統稱為特定二胺化合物(1))為佳。
X1表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、
-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基。其中,又以單鍵、-O-
、-CONH-、-NHCO-、-COO-或-OCO-為佳。
X2表示單鍵或碳數1~10之伸烷基。其中,
又以單鍵或碳數1~5之伸烷基為佳。
Xa表示氫原子或碳數1~20之有機基,更佳
為氫原子或碳數1~10之有機基。碳數1~10之有機基,以-(CH2)n-COO-tBu(n=1~5之整數,tBu表示tert-丁基)為佳。
Xb只要為經由熱而取代為氫原子之保護基
時,其結構並未有特別之限定,只要可於製作液晶配向膜之際的燒結溫度150℃~300℃間,有效率地進行解離反應之結構為佳。具體而言,可列舉如,以使用具有下述式〔a-1〕~式〔a-6〕所示結構之保護基為佳。
(R1表示碳數1~5之烷基)。
其中,又以使用具有式〔a-1〕或式〔a-6〕所
示結構之保護基為佳。
m表示1或2之整數,此時,式〔2a-1〕中之
m為2之情形,不具有Xa之取代基。
p表示1~4之整數。其中,就原料之容易取
得與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
q表示1~4之整數。其中,就原料之容易取
得與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
X3及X7各自獨立表示由單鍵、碳數1~10之
伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基。其中,又以單鍵、-O-、-CONH-、-NHCO-、-COO-或-OCO-為佳。
X4及X6各自獨立表示單鍵或碳數1~10之伸
烷基。其中,又以單鍵或碳數1~5之伸烷基為佳。
X5表示單鍵或碳數1~10之伸烷基。其中,
又以單鍵或碳數1~5之伸烷基為佳。
Xc只要為經由熱而取代為氫原子之保護基
時,其結構並未有特別之限定,又以可於製作液晶配向膜之際的燒結溫度150℃~300℃間,有效率地進行解離反應之結構為佳。具體而言,可列舉如,以使用具有前述式〔a-1〕~式〔a-6〕所示結構之保護基為佳。其中,又以使用式〔a-1〕或式〔a-6〕所示結構之保護基為佳。
r表示1~4之整數。其中,就原料之容易取得
與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
X8表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、
-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基。其中,又以單鍵、-O-、-CONH-、-NHCO-、-COO-或-OCO-為佳。
X9表示單鍵、碳數1~10之伸烷基,較佳為
單鍵或碳數1~5之伸烷基。
Xd表示單鍵或碳數1~20之有機基。其中,
又以單鍵或碳數1~10之有機基為佳。更佳為單鍵或碳原子(>CH-)。
Xe表示氫原子或碳數1~20之有機基。此
時,Xd為單鍵之情形,則無Xe。其中,又以氫原子或-NH-COO-tBu(tBu表示tert-丁基)為佳。
Xf為羧基之保護基,只要為經由熱而取代為氫
原子之保護基時,其結構並未有特別之限定。又以製作液晶配向膜之際的燒結溫度150℃~300℃間,可有效率地進行解離反應之結構為佳。具體而言,可列舉如,以使用具有前述式〔a-1〕~式〔a-6〕所示結構之保護基為佳。
其中,又以使用具有式〔a-1〕或式〔a-6〕所示結構之保護基為佳。
n表示1~4之整數。其中,就原料之容易取
得與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
s表示1~4之整數,其中,就原料之容易取
得與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
t表示1~4之整數,其中,就原料之容易取得
與合成之觀點,以1~3為佳。較佳者為1~2。
A1~A6,各自獨立表示氫原子或碳數1~5之
烷基。
更具體的特定二胺化合物(1),可列舉如,
下述式〔2a-4〕~式〔2a-12〕所示之二胺化合物等。
(R1~R7各自獨立表示由前述式〔a-1〕~式
〔a-6〕所示結構所選出之至少1種之結構,A1~A10各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(R8~R14各自獨立表示由前述式〔a-1〕~
式〔a-6〕所示結構所選出之至少1種之結構,A11~A18各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
其中,特定二胺化合物(1),又以提高前述
之效果,即,更提高液晶顯示元件中因交流驅動所造成之殘影特性的效果之觀點,以使用前述式〔2a-4〕~式〔2a-8〕所示之二胺化合物為佳。較佳者為式〔2a-4〕、式〔2a-6〕或式〔2a-8〕。
此外,特定二胺化合物(1),亦可使用下述
式〔2a-13〕及式〔2a-14〕所示之二胺化合物。
(R15~R18各自獨立表示由前述式〔a-1〕~
式〔a-6〕所示結構所選出之至少1種之結構,A19及A20各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
特定聚醯亞胺系聚合物中之特定二胺化合物
(1),以全部二胺成份100莫耳%中,含有5莫耳%~40莫耳%為佳。其中,又以5莫耳%~30莫耳%為佳。較佳者為5莫耳%~20莫耳%。
又,特定二胺化合物(1),就提高特定聚醯
亞胺系聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
特定聚醯亞胺系聚合物中,就改善液晶顯示
元件中電荷緩和特性之觀點,以使用下述式〔2b〕所示之二胺化合物(亦稱為特定二胺化合物(2))為佳。
Y1及Y7各自獨立表示由單鍵、碳數1~10之
伸烷基、-O-、-S-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種之有機基。其中,又以單鍵、-O-、-S-、-OCO-或-COO-為佳。就液晶配向性與膜硬度之觀點,更佳為盡可能柔軟,且具有更小立體障礙的結構之單鍵、-O-或-S-。
Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基。
其中,又以碳數1~3之伸烷基為佳,其結構可為直鏈或支鏈之任一者皆可。具體而言,可列舉如,就液晶配向性與液晶配向膜之膜硬度之觀點,以具有自由迴轉部位,且具有更小立體障礙之結構的伸甲基(-CH2-)、伸乙基(-CH2CH2-)、伸丙基(-(CH2)3-)或異丙基(-C(CH2)2-)為佳。
Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之
烷基。其中,又以氫原子或碳數1~3之烷基為佳。特佳為氫原子。
Y4表示氧原子或硫原子。其中,就液晶配向
膜之膜硬度之觀點,以氧原子為佳。
式〔2b〕中之較佳的Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、
Y6及Y7之組合,例如,下述的表1所示之內容。
其中,又以式〔2-1b〕、式〔2-2b〕、式〔2-
4b〕、式〔2-5b〕、式〔2-7b〕、式〔2-8b〕、式〔2-10b〕及式〔2-11b〕所示之組合為佳。
A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之
伸烷基。
更具體的特定二胺化合物(2),就提高前述
之效果,即,就更提高液晶顯示元件中改善電荷緩和特性之效果的觀點,以使用下述式〔2b-1〕~式〔2b-3〕所示之二胺化合物為佳。
(A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之
烷基)。
特定聚醯亞胺系聚合物中之特定二胺化合物
(2),於全部之二胺成份100莫耳%中,已含有10莫耳%~100莫耳%為佳。其中,又以20莫耳%~100莫耳%為佳。較佳者為,30莫耳%~100莫耳%。
又,特定二胺化合物(2),就提高特定聚醯
亞胺系聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
特定聚醯亞胺系聚合物中,就改善液晶顯示
元件中電荷緩和特性之觀點,以使用下述式〔2c-1〕~式〔2c-3〕所示之二胺化合物(亦稱為特定二胺化合物(3))為佳。
X1表示苯環或含氮芳香族雜環。
X2表示氫原子或碳數1~12之脂肪族基所取代之二取代胺基。
又,X2為氫原子之情形,X1表示含氮芳香族雜環,X2為被碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基之情形,X1表示苯環。
X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子,且具有1~2個苯環的芳香族基。
X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基。
m表示0或1之整數。
X8及X10各自獨立表示由下述式〔c-1〕及式〔c-2〕所示結構所選出之至少1種之結構。
X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環。
A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷
基。
更具體的特定二胺化合物(3),可列舉如,
下述式〔2c-4〕~式〔2c-7〕所示之二胺化合物等。
R1表示氫原子或碳數1~5之烷基。
n表示1~10之整數。
A1~A8各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
其中,特定二胺化合物(3),就更提高前述之效果,即,更提高於液晶顯示元件中改善電荷緩和特性之效果的觀點,以使用前述式〔2c-4〕、式〔2c-6〕及式〔2c-7〕所示之二胺化合物為佳。
特定聚醯亞胺系聚合物中之特定二胺化合物(3),於全部二胺成份100莫耳%中,以含有1莫耳%~95莫耳%為佳。其中,又以5莫耳%~95莫耳%為佳。較
佳者為20莫耳%~80莫耳%。
又,特定二胺化合物(3),就提高特定聚醯
亞胺系聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
特定聚醯亞胺系聚合物中,就改善液晶顯示
元件中因交流驅動所造成之殘影特性等觀點,以使用下述式〔2d〕所示之二胺化合物(亦稱為特定二胺化合物(4))為佳。
(X表示由下述式〔d-1〕~式〔d-8〕所示結構所選出之至少1種之結構,A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(n表示1~5之整數)。
其中,特定二胺化合物(4),就更提高前述
之效果,即,更提高液晶顯示元件中改善因交流驅動所造成之殘影特性之效果的觀點,前述式〔2d〕中之X以使用式〔d-1〕~式〔d-4〕、式〔d-6〕及式〔d-8〕所示之二胺化合物為佳。較佳者為式〔d-1〕~式〔d-3〕及式〔d-8〕。特佳為式〔d-1〕及式〔d-8〕。
特定聚醯亞胺系聚合物中之特定二胺化合物
(4),於全部二胺成份100莫耳%中,以含有50莫耳%~95莫耳%為佳。更佳為60莫耳%~95莫耳%。特佳為80莫耳%~95莫耳%。
又,特定二胺化合物(4),就提高特定聚醯
亞胺系聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
特定聚醯亞胺系聚合物中之二胺成份,於無
損本發明效果之範圍時,於使用前述特定二胺化合物(1)~特定二胺化合物(4)的同時,可使用其他二胺化合物(亦稱為其他之二胺化合物)。
具體而言,可列舉如,2,4-二甲基-m-伸苯基
二胺、2,6-二胺基甲苯、m-伸苯基二胺、p-伸苯基二胺、4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二氟-4,4’-聯苯基、3,3’-三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,4’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基聯苯、2,2’-二胺基聯苯、2,3’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、2,2’-二胺基二苯基甲烷、2,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,3’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、2,2’-二胺基二苯醚、2,3’-二胺基二苯醚、4,4’-磺醯基二苯胺、3,3’-磺醯基二苯胺、雙(4-胺基苯基)矽烷、雙(3-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(4-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(3-胺基苯基)矽烷、4,4’-硫二苯胺、3,3’-硫二苯胺、4,4’-二胺基二苯基胺、3,3’-二胺基二苯基胺、3,4’-二胺基二苯基胺、2,2’-二胺基二苯基胺、2,3’-二胺基二苯基胺、N-甲基(4,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,3’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,2’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,3’-二胺基二苯基)胺、4,4’-二胺基二苯甲酮、3,3’-二胺基二苯甲
酮、3,4’-二胺基二苯甲酮、1,4-二胺基萘、2,2’-二胺基二苯甲酮、2,3’-二胺基二苯甲酮、1,5-二胺基萘、1,6-二胺基萘、1,7-二胺基萘、1,8-二胺基萘、2,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、2,7-二胺基萘、2,8-二胺基萘、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,2-雙(3-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯基)丁烷、雙(3,5-二乙基-4-胺基苯基)甲烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯基)苯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、4,4’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,4’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,4’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,3’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,3’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、1,4-伸苯基雙〔(4-胺基苯基)甲醇〕、1,4-伸苯基雙〔(3-胺基苯基)甲醇〕、1,3-伸苯基雙〔(4-胺基苯基)甲醇〕、1,3-伸苯基雙〔(3-胺基苯基)甲醇〕、1,4-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,4-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(4-胺基苯基)間苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)間苯二甲酸酯、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙
(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(3-胺基苯
甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(4-胺基苯基)異苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)異苯二甲醯胺、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)二苯基碸、2,2’-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2’-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)丙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,5-雙(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、1,6-雙(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,7-(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-雙(4-胺基苯氧基)辛烷、1,8-雙(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-雙(4-胺基苯氧基)壬烷、1,9-雙(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-(4-胺基苯氧基)癸烷、1,10-(3-胺基苯氧基)癸烷、1,11-(4-胺基苯氧基)十一烷、1,11-(3-胺基苯氧基)十一烷、1,12-(4-胺基苯氧基)十二烷、1,12-(3-胺基苯氧基)十二烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁
烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷或1,12-二胺基十二烷,及該些之胺基為二級胺基之二胺化合物等。
其他之二胺化合物,就提高特定聚醯亞胺系
聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
製作特定聚醯亞胺系聚合物所使用之四羧酸
成份,以使用下述式〔3〕所示四羧酸二酐為佳。此時,不僅式〔3〕所示四羧酸二酐,亦可使用其四羧酸衍生物之四羧酸、四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物(亦將式〔3〕所示四羧酸二酐及其衍生物統稱為特定四羧酸成份)。
(Z表示下述式〔3a〕~式〔3q〕所選出之至
少1種之結構)。
Z1~Z4表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原
子或苯環,其其可分別為相同亦可、相異亦可。
Z5及Z6表示氫原子或甲基,其可分別為相同
亦可、相異亦可。
式〔3〕中之Z之中,就合成之容易性或製造
聚合物之際的聚合反應性之容易性之觀點,以式〔3a〕、式〔3c〕~式〔3g〕、式〔3k〕~式〔3m〕或式〔3p〕所示結構之四羧酸二酐及其四羧酸衍生物為佳。較佳者為式
〔3a〕、式〔3e〕~式〔3g〕、式〔3l〕、式〔3m〕或式〔3p〕所示結構者。特佳為〔3a〕、式〔3e〕、式〔3f〕、式〔3l〕、式〔3m〕或式〔3p〕所示結構之四羧酸二酐及其四羧酸衍生物。
更具體而言,例如,以使用下述式〔3a-1〕或式〔3a-2〕為佳。
特定聚醯亞胺系聚合物中之特定四羧酸成份,於全部四羧酸成份100莫耳%中,以含有50莫耳%~100莫耳%為佳。其中,又以70莫耳%~100莫耳%為佳。較佳者為80莫耳%~100莫耳%。
特定四羧酸成份,就提高特定聚醯亞胺系聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
特定聚醯亞胺系聚合物中,於無損本發明效果之範圍時,可使用特定四羧酸成份以外的其他的四羧酸成份。
其他的四羧酸成份,可列舉如,以下所示之四羧酸化合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物化合物、四
羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物等。
即,其他的四羧酸成份,可列舉如,1,2,5,6-
蒽四羧酸、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸、2,3,3’,4-聯苯基四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)醚、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)碸、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷、2,3,4,5-吡啶四羧酸、2,6-雙(3,4-二羧基苯基)吡啶、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸及3,4,9,10-苝四羧酸等。
其他的四羧酸成份,就配合特定聚醯亞胺系
聚合物對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性或電壓保持率等特性之觀點,可將1種類或2種類以上混合使用皆可。
製作特定聚醯亞胺系聚合物之方法並未有特別之限定。通常,為將二胺成份與四羧酸成份進行反應而得。一般而言,為將由四羧酸二酐及其四羧酸衍生物所成之群所選出之至少1種之四羧酸成份,與1種或複數種二胺化合物所形成之二胺成份進行反應,而可製得聚醯胺酸之方法。具體而言,可列舉如,使四羧酸二酐與一級或二級之二胺化合物進行聚縮合而製得聚醯胺酸之方法、使四羧酸與一級或二級之二胺化合物進行脫水聚縮合反應而製得聚
醯胺酸之方法或使四羧酸二鹵化物與一級或二級之二胺化合物進行聚縮合而製得聚醯胺酸之方法等。
製造聚醯胺酸烷酯之方法,可使用使羧酸基
二烷酯化之四羧酸與一級或二級之二胺化合物進行聚縮合之方法、使羧酸基二烷酯化之四羧酸二鹵化物與一級或二級之二胺化合物進行聚縮合之方法或使聚醯胺酸之羧基變換為酯之方法等。
製造聚醯亞胺之方法中,例如,可使前述聚
醯胺酸或聚醯胺酸烷酯閉環使其形成聚醯亞胺之方法。
二胺成份與四羧酸成份進行之反應,通常為
將二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行。此時所使用之溶劑,例如,只要可溶解所生成之聚醯亞胺前驅體之溶劑時,並未有特別之限定。以下,將列舉反應所使用之溶劑的具體例,但並未限定於該些例之中。
例如,N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶
酮或γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或1,3-二甲基-四氫咪唑酮。又,聚醯亞胺前驅體具有高溶劑溶解性之情形,可使用甲基乙酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮或下述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示溶劑。
(D1表示碳數1~3之烷基,D2表示碳數1~
3之烷基,D3表示碳數1~4之烷基)。
該些溶劑可單獨使用亦可、混合使用亦可。
此外,即使為不會溶解聚醯亞胺前驅體之溶劑,於所生成之聚醯亞胺前驅體不會析出之範圍內,亦可與前述溶劑混合使用。又,溶劑中之水分會阻礙聚合反應,且為造成所生成之聚醯亞胺前驅體水解之原因,故溶劑以使用脫水乾燥者為佳。
二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行反應之
際,例如將溶解或分散有二胺成份的溶液於攪拌中,添加四羧酸成份,或分散化溶解於溶劑的四羧酸成份之方法,或相反地,於分散或溶解有四羧酸成份之溶液中添加二胺成份之方法、將二胺成份與四羧酸成份交互添加之方法等,而可使用該些中之任一方法。又,將二胺成份或四羧酸成份,分別使用複數種進行反應之情形中,可以預先混合之狀態下進行反應亦可,各別依序進行反應者亦可,或將各別反應後之低分子量體進行混合反應作為聚合物使用亦可。此時之聚合溫度,可於-20℃~150℃之任意溫度中進行選擇,較佳為-5℃~100℃之範圍。又,反應雖可於任意之濃度下進行,但濃度過低時將不易得到高分子量的
聚合物,濃度過高時,將會使得反應液之黏性過高,而會造成攪拌困難。因此,較佳為1質量%~50質量%,更佳為5質量%~30質量%。反應初期可於高濃度下進行,隨後,再追加溶劑亦可。
聚醯亞胺前驅體之聚合反應中,二胺成份之
合計莫耳數與四羧酸成份之合計莫耳數之比以0.8~1.2為佳。其與通常之聚縮合反應相同般,該莫耳比越趨近於1.0時,所生成之聚醯亞胺前驅體之分子量越大。
聚醯亞胺,可將前述聚醯亞胺前驅體經閉環
而製得。醯胺酸基之閉環率(亦稱為醯亞胺化率)並非必須要100%,其可配合用途或目的作任意之調整。
使聚醯亞胺前驅體醯亞胺化之方法,可列舉
如,將聚醯亞胺前驅體之溶液於無處理下進行加熱之熱醯亞胺化之方法或於聚醯亞胺前驅體之溶液中添加觸媒之觸媒醯亞胺化之方法。
聚醯亞胺前驅體於溶液中進行熱醯亞胺化之
情形的溫度為,100℃~400℃,較佳為120℃~250℃,又以將醯亞胺化反應所生成之水排出於反應系外之方式進行者為佳。
聚醯亞胺前驅體之觸媒醯亞胺化,可於聚醯
亞胺前驅體之溶液中,添加鹼性觸媒與酸酐,於-20℃~250℃,較佳為0℃~180℃下進行攪拌之方式進行。鹼性觸媒之量為醯胺酸基之0.5莫耳倍~30莫耳倍,較佳為2莫耳倍~20莫耳倍,酸酐之量為醯胺酸基之1莫耳倍~
50莫耳倍,較佳為3莫耳倍~30莫耳倍。鹼性觸媒,可列舉如,吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺或三辛基胺等,其中,又以吡啶於反應進行中可維持適當之鹼性,而為較佳。酸酐,可列舉如,乙酸酐、偏苯三甲酸酐或苯均四酸酐等,其又以使用乙酸酐時,於反應結束後容易進行精製而為較佳。觸媒醯亞胺化之醯亞胺化率,可以調節觸媒量與反應溫度、反應時間之方式進行控制。
由聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺之反應溶液
中,回收所生成之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺之情形,只要將反應溶液投入溶劑中,使其沈澱即可。沈澱所使用之溶劑,例如,甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲基乙酮、甲基異丁酮、甲苯、苯、水等。
投入溶劑使其沈澱之聚合物,可於過濾、回收後,於常壓或減壓下,以常溫或加熱方式進行乾燥。又,將沈澱回收之聚合物,再溶解於溶劑中,重複進行2次~10次再沈澱回收之操作時,即可降低聚合物中之雜質。此時之溶劑,例如,醇類、酮類或烴等,使用由該些內所選出之3種類以上之溶劑時,以其具有更進一層之精製效率而為較佳。
製作聚醯胺酸烷酯之方法中,更具體之方法
例如下述(1)~(3)所示。
由二胺成份與四羧酸成份製作聚醯胺酸,於該羧基
(COOH基)上進行化學反應,即,進行酯化反應之方式而製作聚醯胺酸烷酯之方法。
酯化反應,具體而言,可列舉如,聚醯胺酸與酯化劑於溶劑之存在下,於-20℃~150℃(較佳為0℃~50℃)中,進行30分鐘~24小時(較佳為1時間~4小時)反應之方法。
酯化劑,以於酯化反應後容易去除者為佳,可列舉如,N,N-二甲基甲醯胺二甲基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二丙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二新戊基丁基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二-t-丁基縮醛、1-甲基-3-p-甲苯基三氮烯、1-乙基-3-p-甲苯基三氮烯、1-丙基-3-p-甲苯基三氮烯、4-(4,6-二甲氧基-1,3,5-三-2-基)-4-甲基嗎啉鎓氯化物等。酯化劑之使用量,相對於聚醯胺酸之重複單位1莫耳,以2莫耳當量~6莫耳當量為佳。其中,又以2莫耳當量~4莫耳當量為佳。
酯化反應所使用之溶劑,可列舉如,就對聚醯胺酸溶劑之溶解性之觀點,例如前述二胺成份與四羧酸成份進行反應所使用之溶劑。其中,又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑,可將1種或2種以上混合使用皆可。
酯化反應中之溶劑中之聚醯胺酸之濃度,就不易引起聚醯胺酸析出之觀點,以1質量%~30質量%為佳。其中,又以5質量%~20質量%為佳。
使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物進行反應之方式以製作之方法。
該反應方法,具體而言,可列舉如,使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物於鹼與溶劑之存在下,於-20℃~150℃(較佳為0℃~50℃)中,進行30分鐘~24小時(較佳為1時間~4小時)反應之方法。
鹼,可使用吡啶、三乙基胺、4-二甲基胺基吡啶等。其中,就使反應穩定進行之觀點,以吡啶為佳。鹼之使用量,就於前述反應後容易去除之量為佳,相對於四羧酸二酯二氯化物,以2倍莫耳~4倍莫耳為佳。其中,又以2倍莫耳~3倍莫耳為較佳。
反應所使用之溶劑,就所得之聚合物,即聚醯胺酸烷酯對溶劑之溶解性之觀點,可列舉如,前述二胺成份與四羧酸成份進行反應所使用之溶劑等。其中,又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑,可將1種或2種以上混合使用皆可。
反應中的溶劑中之聚醯胺酸烷酯之濃度,就不易析出聚醯胺酸烷酯之觀點,以1質量%~30質量%為佳。其中,又以5質量%~20質量%為佳。又,為防止四羧酸二酯二氯化物之水解,製作聚醯胺酸烷酯所使用之溶
劑,亦盡可能使用脫水者為佳。此外,反應以於氮雰圍中進行,防止外氣混入者為佳。
將二胺成份與四羧酸二酯進行聚縮合反應予以製作之方法。
聚縮合反應,具體而言,可列舉如,將二胺成份與四羧酸二酯,於縮合劑、鹼及溶劑之存在下,於0℃~150℃(較佳為0℃~100℃)中,進行30分鐘~24小時(較佳為3小時~15小時)反應之方法。
縮合劑,可使用三苯基亞磷酸酯、二環己基羰二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)羰二醯亞胺鹽酸鹽、N,N’-羰基二咪唑、二甲氧基-1,3,5-三基甲基嗎啉鎓、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲鎓四氟化硼、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲鎓六氟磷酸鹽、(2,3-二氫-2-硫酮基-3-苯併噁唑基)膦酸二苯基等。縮合劑之使用量,相對於四羧酸二酯,以2倍莫耳~3倍莫耳為佳。其中,又以2倍莫耳~2.5倍莫耳為佳。
鹼,可使用吡啶、三乙基胺等三級胺。鹼之使用量,以聚縮合反應後容易去除之量為佳,一般相對於二胺成份,以2倍莫耳~4倍莫耳為佳。其中,又以2倍莫耳~3倍莫耳為佳。
聚縮合反應所使用之溶劑,就所得之聚合
物,即聚醯胺酸烷酯對溶劑之溶解性之觀點,可列舉如,前述二胺成份與四羧酸成份進行反應所使用之溶劑。其中,又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑,可將1種或2種以上混合使用皆可。
又,聚縮合反應中,將路易士酸作為添加劑
加入時,可使反應有效率地進行。路易士酸,以氯化鋰、溴化鋰等鹵化鋰為佳。路易士酸之使用量,相對於二胺成份,以0.1倍莫耳~10倍莫耳為佳。其中,又以2.0倍莫耳~3.0倍莫耳為較佳。
由前述(1)~(3)之方法所得之聚醯胺酸
烷酯之溶液中,回收聚醯胺酸烷酯之情形,只要將反應溶液投入溶劑中使其沈澱即可。沈澱所使用之溶劑,可列舉如,水、甲醇、乙醇、2-丙醇、己烷、丁基溶纖劑(cellosolve)、丙酮、甲苯等。投入溶劑後沈澱之聚合物,就去除前述已使用之添加劑‧觸媒類等目的,以對上述溶劑進行複數次洗淨操作者為佳。其可於於過濾回收之後,常壓或減壓下,以常溫或加熱進行乾燥即可。又,將沈澱回收之聚合物,再溶解於溶劑中,重複進行2次~10次再沈澱回收操作時,即可降低聚合物中之雜質。此時之溶劑,可列舉如,可溶解聚合物之溶劑。
聚醯胺酸烷酯,於製作前述(1)~(3)所
示聚醯胺酸烷酯之方法中,又以前述(1)或前述(2)之方法製作者為佳。
本發明中之液晶配向處理劑為,形成液晶配向膜(亦稱為樹脂被膜)所使用之塗佈溶液,為形成含有特定化合物、特定聚醯亞胺系聚合物及溶劑之液晶配向膜所使用之塗佈溶液。
液晶配向處理劑中,特定化合物之比例,相
對於特定聚醯亞胺系聚合物100質量份,特定化合物以0.1質量份~70質量份為佳。其中,又以1質量份~50質量份為佳,較佳者為,1質量份~30質量份。最佳為1質量份~20質量份。
液晶配向處理劑中,全部之聚合物成份,可
為全部為特定聚醯亞胺系聚合物亦可,與其以外的其他的聚合物混合者亦可。該其他的聚合物,可列舉如,不使用特定二胺化合物(1)~特定二胺化合物(4)及特定四羧酸成份之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺等。此外,又例如,纖維素系聚合物、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚苯乙烯、聚醯胺或聚矽氧烷等。此時,該其他的聚合物之含量,相對於特定聚醯亞胺系聚合物100質量份,以0.5質量份~15質量份為佳。其中,又以1質量份~10質量份為佳。
本發明中之液晶配向處理劑中溶劑之含量,
以70質量%~99.9質量%為佳。該含量可依液晶配向處理劑之塗佈方法或作為目的之液晶配向膜的膜厚度等,作適
當之變更。
液晶配向處理劑所使用之溶劑,只要為可溶
解本發明之特定化合物及特定聚醯亞胺系聚合物之溶劑(亦稱為良溶劑)時,並未有特別之限定。以下,將列舉良溶劑之具體例,但並未限定於該些例示之中。
例如,N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯
胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-四氫咪唑酮、甲基乙酮、環己酮、環戊酮或4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。
其中,又以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基
-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯等為佳。
此外,特定化合物及特定聚醯亞胺系聚合物
對溶劑具有高溶解性時,以使用前述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示溶劑為佳。
液晶配向處理劑中之良溶劑,以液晶配向處
理劑中所含溶劑全體的20質量%~99質量%為佳。其中,又以20質量%~90質量%為佳。較佳者為,30質量%~80質量%。
本發明中之液晶配向處理劑,於無損本發明
效果之範圍,可使用於塗佈液晶配向處理劑之際,可提高液晶配向膜之塗膜性或表面平滑性之溶劑(亦稱為貧溶劑)。以下為列舉貧溶劑之具體例,但並未限定於該些例之中。
例如,乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁
醇、tert-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁醇、異戊醇、tert-戊醇、3-甲基-2-丁醇、新戊醇、1-己醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-乙基-1-丁醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、環己醇、1-甲基環己醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丙烷二醇、1,2-丁烷二醇、1,3-丁烷二醇、1,4-丁烷二醇、2,3-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2-乙基-1,3-己烷二醇、二丙醚、二丁醚、二己醚、二噁烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、1,2-丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二丁醚、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、2-庚酮、4-庚酮、3-乙氧基丁基乙酸酯、1-甲基戊基乙酸酯、2-乙基丁基乙酸酯、2-乙基己基乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、伸丙基碳酸酯、伸乙基碳酸酯、2-(甲氧基甲氧基)乙醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單異戊醚、乙二醇單己醚、2-(己基氧基)乙醇、糠醇、二乙二醇、丙二醇、丙二醇單丁醚、1-(丁氧基乙氧基)丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇二甲醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、三乙二醇、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單
乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸丙二醇單乙醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙酯、乳酸n-丁酯、乳酸異戊酯或前述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示溶劑等。
其中,又以使用1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二
醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚乙酸酯及二丙二醇二甲醚為佳。
該些貧溶劑,以液晶配向處理劑所含之溶劑
全體的1質量%~90質量%為佳。其中,又以1質量%~80質量%為佳。更佳為5質量%~70質量%。
本發明中之液晶配向處理劑中,環氧基、異
氰酸酯基、環氧丙烷基以導入具有由環碳酸酯基、羥基、羥烷基及低級烷氧烷基所成群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物,或具有聚合性不飽和鍵結的交聯性化合物為佳。該些取代基或聚合性不飽和鍵結,於交聯性化合物中必須具有2個以上。
具有環氧基或異氰酸酯基之交聯性化合物,
例如,雙酚丙酮縮水甘油醚、酚-酚醛清漆環氧樹脂、甲酚-酚醛清漆環氧樹脂、三縮水甘油異三聚氰酸酯、四縮水甘油胺基二伸苯基、四縮水甘油-m-二甲苯二胺、四縮水甘油-1,3-雙(胺基乙基)環己烷、四苯基縮水甘油醚乙
烷、三苯基縮水甘油醚乙烷、雙酚六氟丙酮二縮水甘油醚、1,3-雙(1-(2,3-環氧丙氧基)-1-三氟甲基-2,2,2-三氟甲基)苯、4,4-雙(2,3-環氧丙氧基)八氟聯苯基、三縮水甘油-p-胺基酚、四縮水甘油間二甲苯二胺、2-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-2-(4-(1,1-雙(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)乙基)苯基)丙烷或1,3-雙(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-甲基乙基)苯基)乙基)苯氧基)-2-丙醇等。
具有環氧丙烷基之交聯性化合物為,至少具
有2個下述式〔4A〕所示環氧丙烷基之交聯性化合物。
具體而言,可列舉如,國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之58頁~59頁所揭載之式〔4a〕~式〔4k〕所示交聯性化合物。
具有環碳酸酯基之交聯性化合物為,至少具有2個下述式〔5A〕所示環碳酸酯基之交聯性化合物。
具體而言,可列舉如,國際公開公報WO2012
/014898(2012.2.2公開)之76頁~82頁所揭載之式〔5-1〕~式〔5-42〕所示交聯性化合物等。
具有由羥基及烷氧基所成群所選出之至少1
種的取代基之交聯性化合物,例如,具有羥基或烷氧基之胺基樹脂,例如,三聚氰胺樹脂、脲樹脂、呱樹脂、乙炔脲-甲醛樹脂、琥珀醯基醯胺-甲醛樹脂或乙烯脲-甲醛樹脂等。具體而言,可列舉如,可使用胺基之氫原子被羥甲基或烷氧基甲基或被其兩者所取代之三聚氰胺衍生物、苯呱衍生物,或乙炔脲等。該些三聚氰胺衍生物或苯呱衍生物,亦可以二聚物或三聚物形式存在。該些相對於每一三環,以具有平均3個以上6個以下之羥甲基或烷氧基甲基者為佳。
該些三聚氰胺衍生物或苯呱衍生物之例
如,市售物之每一三環具有平均3.7個取代甲氧基甲基之MX-750、每一三環具有平均5.8個取代甲氧基甲基之MW-30(以上、三和化學公司製)或CYMEL300、301、303、350、370、771、325、327、703、712等甲氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL235、236、238、212、253、254等甲氧基甲基化丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL506、508等丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL1141
等含羧基之甲氧基甲基化異丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL1123等甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯呱、CYMEL1123-10等甲氧基甲基化丁氧基甲基化苯呱、CYMEL1128等丁氧基甲基化苯呱、CYMEL1125-80等含羧基之甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯呱(以上、三井氰胺公司製)等。又,乙炔脲之例如,CYMEL1170等丁氧基甲基化乙炔脲、CYMEL1172等羥甲基化乙炔脲等、粉末力克1174等甲氧基羥甲基化乙炔脲等。
具有羥基或烷氧基之苯或酚性化合物,例
如,1,3,5-參(甲氧基甲基)苯、1,2,4-參(異丙氧基甲基)苯、1,4-雙(sec-丁氧基甲基)苯或2,6-二羥基甲基-p-tert-丁基酚等。
更具體而言,可列舉如,國際公開公報
WO2011/132751(2011.10.27公開)之62頁~66頁所揭載之式〔6-1〕~式〔6-48〕所示交聯性化合物。
具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物,例
如,分子內具有3個三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯醯氧基乙氧基三羥甲基丙烷或丙三醇聚縮水甘油醚聚(甲基)丙烯酸酯等聚合性不飽和基交聯性化合物,此外,又如分子內具有2個乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸
酯、伸丁基甘醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊基甘醇二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷雙酚型二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、苯二甲酸二縮水甘油酯二(甲基)丙烯酸酯或羥基叔戊酸新戊基甘醇二(甲基)丙烯酸酯等聚合性不飽和基之交聯性化合物,此外,又如分子內具有1個2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、2-苯氧基-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基-2-羥基丙基鄰苯二甲酸酯、3-氯-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、丙三醇單(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基磷酸酯或N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等聚合性不飽和基之交聯性化合物等。
此外,亦可使用下述式〔7A〕所示化合物。
(E1表示由環己烷環、二環己烷環、苯環、聯苯基環、聯三苯環、萘環、茀環、蒽環或菲環所成之群所選出之基,E2表示由下述之式〔7a〕或式〔7b〕所選出之基,n表示1~4之整數)。
上述化合物為交聯性化合物之一例,但並未
限定於該些內容。又,液晶配向處理劑所使用之交聯性化合物,可為1種類亦可、2種類以上之組合亦可。
液晶配向處理劑中,交聯性化合物之含量,
相對於全部聚合物成份100質量份,以0.1質量份~150質量份為佳。其中,又就可進行交聯反應而得到目的效果之觀點,相對於全部的聚合物成份100質量份,以0.1質量份~100質量份為佳。較佳者為,1質量份~50質量份。
本發明中之液晶配向處理劑,於無損本發明
效果之範圍,可使用於塗佈液晶配向處理劑之際可提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物。
提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性
之化合物,可列舉如,氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。
更具體而言,可列舉如,例如,F-TOP EF301、
EF303、EF352(以上、陶氏化學製程公司製)、美格氟F171、F173、R-30(以上、大日本塗料公司製)、氟拉多FC430、FC431(以上、住友3M公司製)、AashiGuard AG710、沙氟隆S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(以上、旭硝子公司製)等。
該些之界面活性劑之使用比例,相對於液晶
配向處理劑所含有之全部的聚合物成份100質量份,較佳為0.01質量份~2質量份,更佳為0.01質量份~1質量份。
此外,本發明之液晶配向處理劑中,可添加
作為促進液晶配向膜中之電荷移動的促進元件之電荷解離之化合物,例如,可添加國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之69頁~73頁所揭載之式〔M1〕~式〔M156〕所示含氮雜環胺化合物。該胺化合物可直接添加於液晶配向處理劑中亦可,又以使用適當之溶劑調整為濃度0.1質量%~10質量%,較佳為1質量%~7質量%之溶液方式添加佳。該溶劑,只要可溶解上述特定化合物及特定聚醯亞胺系聚合物之溶劑時,並未有特別之限定。
本發明中之液晶配向處理劑,除上述貧溶
劑、交聯性化合物、樹脂被膜或提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物及促進電荷解離之化合物以外,於無損本發明效果之範圍時,可添加改變液晶配向膜之介電常數或導電性等電特性為目的的介電體或導電物質。
本發明中之液晶配向膜,為將前述液晶配向處理劑塗佈於基板、經乾燥、燒結而得之膜。塗佈液晶配向處理劑之基板,只要為具有高透明性之基板時,並未有特別之限
定,除玻璃基板、氮化矽基板的同時,亦可使用丙烯(酸)基板或聚碳酸酯基板等塑膠基板等。此時,使用形成有驅動液晶所使用的ITO電極等之基板時,就製程簡單化之觀點而為較佳。又,反射型之液晶顯示元件,僅單側基板時,亦可使用矽晶圓等不透明之物質,該情形之電極,亦可使用鋁等可反射光線之材料。
液晶配向處理劑之塗佈方法,並未有特別之
限定,於工業上而言,一般為使用網版印刷、平版印刷、凸版(Flexo)印刷或噴墨法等方式進行之方法。其他之塗佈方法,可列舉如,浸漬法、輥塗佈法、縫狀塗佈法、旋轉塗佈器法或噴霧法等,其可配合目的而使用該些方法。
將液晶配向處理劑塗佈於基板上之後,經由
加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段,使溶劑蒸發而形成液晶配向膜。將本發明之液晶配向處理劑塗佈後之乾燥、燒結步驟,可選擇任意之溫度與時間下進行。通常就充分去除所含有之溶劑之目的,例如,為於50℃~120℃進行1分鐘~10分鐘燒結,隨後,再於150℃~300℃進行5分鐘~120分鐘燒結之條件等。燒結後之液晶配向膜厚度,並未有特別之限定,過薄時將會有降低液晶顯示元件之信賴性的情形,故以5nm~300nm為佳。其中,又以10nm~200nm為佳。
對所得液晶配向膜進行配向處理之方法,可
列舉如,前述摩擦處理法、光配向處理法等。
光配向處理法之具體例,可列舉如,對前述
液晶配向膜的表面,照射向特定方向偏向之輻射線,依情形之不同,而於150℃~250℃之溫度進行加熱處理,以賦予其液晶配向性(亦稱為液晶配向能力)之方法等。輻射線,可使用具有100nm~800nm之波長的紫外線或可見光線。其中,又以具有100nm~400nm之波長的紫外線為佳,較佳為具有200nm~400nm之波長的紫外線。
又,為改善液晶配向性之觀點,亦可於塗佈
有液晶配向膜之基板於50℃~250℃加熱中,照射輻射線。又,前述輻射線之照射量,以1mJ/cm2~10,000mJ/cm2為佳。其中,又以100mJ/cm2~5,000mJ/cm2為佳。依該方式製作之液晶配向膜,可使液晶分子依一定方向安定地配向。
此外,前述之方法中,照射偏光之輻射線的
液晶配向膜,可使用水或溶劑進行接觸處理。接觸處理所使用之溶劑,只要為可溶解因輻射線之照射而生成之液晶配向膜的分解物之溶劑時,則並未有特別之限定。具體例如,水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑(cellosolve)、乳酸乙酯、乳酸甲酯、二丙酮醇、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁基或乙酸環己酯等。其中,就廣用性或溶劑之安全性等觀點,以使用水、2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯為佳。較佳者為,水、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯。該些之溶劑,
可為1種類亦可、2種類以上之組合亦可。
前述接觸處理、即,對於照射偏光之輻射線
的液晶配向膜所進行之水或溶劑之處理,可列舉如,浸漬處理或噴霧處理(亦稱為SPRAY處理)等。該些處理中之處理時間,就有效地溶解經由輻射線而由液晶配向膜所生成之分解物的觀點,以10秒~1小時為佳其中,又以進行1分鐘~30分鐘浸漬處理者為佳。又,前述接觸處理時之溶劑,可為常溫或加溫下皆可,較佳為10℃~80℃。其中,又以20℃~50℃為佳。此外,就分解物之溶解性之觀點,於必要時,亦可進行超音波處理等。
接觸處理後,可使用水、甲醇、乙醇、2-丙
醇、丙酮或甲基乙酮等低沸點溶劑進行洗滌(亦稱為RINSE)或進行液晶配向膜之燒結者為佳。此時,可進行洗滌與燒結中之任一種,或進行兩者皆可。燒結之溫度,以150℃~300℃為佳。其中,又以180℃~250℃為佳。
較佳者為,200℃~230℃。又,燒結之時間,以10秒~30分鐘為佳。其中,又以1分鐘~10分鐘為佳。
本發明中之液晶配向膜,適合作為IPS(In-
Plane Switching)驅動方式或廣視角開閉(亦稱為FFS)方式等橫向電場方式的液晶顯示元件之液晶配向膜,特別是作為FFS方式之液晶顯示元件的液晶配向膜為有用者。
本發明中之液晶顯示元件為,依上述製造方
法製得附有液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的基板之後,使用已知之方法製作液晶晶胞,並使用該液晶晶胞作
為液晶顯示元件者。
液晶晶胞之製作方法之一例示,將以被動矩
陣結構之液晶顯示元件為例進行說明。又,構成畫像顯示之各畫素部份中設有TFT(Thin Film Transistor)等開閉元件之主動矩陣結構的液晶顯示元件亦可。
具體而言,可列舉如,首先準備透明之玻璃
製之基板,於一側基板上設置共用電極,另一側基板上設置節段電極。該些之電極,例如可作為ITO電極,其可配合所期待之畫像顯示進行圖型形成(Patterning)。其次,於各基板上,設置有被覆共用電極與節段電極之絕緣膜。絕緣膜,例如,使用溶膠-凝膠法所形成之SiO2-TiO2所形成之膜。其次,於前述之條件下,於各基板上形成液晶配向膜,以一側基板與另一側基板為液晶配向膜面互為對向之方式重合,其周邊使用密封劑接著。密封劑中,為控制基板間隙之目的,通常為混入間隔器。又,未設置密封劑之面內部份,亦以散佈控制基板間隙用之間隔器者為佳。密封劑之一部份,設置可由外部填充液晶之開口部。
隨後,經由設置於密封劑之開口部,將液晶
材料注入由2片基板與密封劑所包圍之空間內。隨後,將此開口部使用接著劑密封。注入方法,可使用真空注入法亦可、利用大氣中之毛細管現象之方法亦可。液晶材料,可使用正型液晶材料或負型液晶材料中之任意之材料。其次,進行偏光板之設置。具體而言,可列舉如,將與2片之基板的液晶層為相反側之面貼合一對之偏光板。
使用本發明之液晶配向處理劑之情形,可得
到一種可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物的液晶配向膜。此外,可得到可提高液晶配向膜與密封劑之接著性而增強液晶顯示元件之強度的液晶配向膜。特別是,對於照射偏光之輻射線所得之光配向處理法用液晶配向膜為有用者。因此,具有由本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件,為具有優良信賴性者,其可適用於大畫面且高精細度之液晶電視、中小型智慧型手機或終端機等。
以下將列舉實施例,對本發明作更詳細之說明,但本發明並未限定於該些內容。
合成例、實施例及比較例所使用之簡稱,係如以下所示。
A1:下述式〔A1〕之二胺化合物
B1:下述式〔B1〕之二胺化合物
C1:下述式〔C1〕之二胺化合物
D1:p-伸苯基二胺
D2:下述式〔D2〕之二胺化合物
E1:3,5-二胺基安息香酸
E2:下述式〔E2〕之二胺化合物
F1:1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐
F2:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐
F3:3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐
F4:下述式〔F4〕之四羧酸二烷酯二鹵化物化合物
F5:1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐
F6:苯均四酸二酐
所使用之特定化合物的記號及結構式係如以下所示。
Z1:下述式〔Z1〕的化合物
NMP:N-甲基-2-吡咯啶酮
NEP:N-乙基-2-吡咯啶酮
γ-BL:γ-丁內酯
BCS:乙二醇單丁醚
PB:丙二醇單丁醚
聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺之分子量為使用常溫凝膠滲透色層分析儀(GPC)裝置(GPC-101)(昭和電工公司製)、管柱(KD-803,KD-805)(Shodex公司製),依以下方式測定者。
管柱溫度:50℃
溶離液:N,N’-二甲基甲醯胺(添加劑為,溴化鋰-水和物(LiBr‧H2O)為30mmol/L(公升)、磷酸‧無水結晶(o-磷酸)為30mmol/L、四氫呋喃(THF)為10ml/L)
流速:1.0ml/分鐘
製作檢量線用之標準樣品:TSK標準聚氧乙烯(分子量;約900,000、150,000、100,000及30,000)(東曹公司製)及聚乙二醇(分子量;約12,000、4,000及1,000)(聚合物實驗公司製)。
聚醯亞胺之醯亞胺化率係依以下方式測定。將聚醯亞胺粉末20mg置入NMR(核磁共振)樣品管(NMR標準採樣試管, 5(草野科學公司製))中,添加重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6,0.05質量%TMS(四甲基矽烷)混合品)(0.53ml),施加超音波使其完全溶解。該溶液使用NMR測定機(JNW-ECA500)(日本電子數據公司
製)測定500MHz之質子NMR。醯亞胺化率,可依醯亞胺化前後未變化之結構所產生之質子作為基準質子所決定,使用該質子之波峰積算值,與出現於9.5ppm~10.0ppm附近的由醯胺酸之NH基所產生之質子波峰積算值,依下式而求得。
醯亞胺化率(%)=(1-α‧x/y)×100
式中,x表示由醯胺酸之NH基所產生之質子波峰積算值、y表示基準質子之波峰積算值、α表示聚醯胺酸(醯亞胺化率為0%)之情形中,相對於醯胺酸之1個NH基質子,其基準質子之個數比例。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取F2(3.92g,20.0mmol),加入NMP(55.8g),於氮雰圍下、攪拌中,添加D1(2.09g,19.3mmol),再以固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(1)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為300mPa‧s。又,該聚醯胺酸之數平均分子量為11,000,重量平均分子量為23,200。
於附有攪拌裝置及氮導入管的100ml四口燒瓶中,加
入E2(6.15g,31.0mmol)及NMP(70.7g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,使F1(6.94g,31.0mmol),及固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(2)。此聚醯胺酸溶液之25℃下之黏度為300mPa‧s。
又,該聚醯胺酸之數平均分子量為12,000,重量平均分子量為25,200。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取D1(2.92g,27.0mmol)及A1(0.71g,2.99mmol),加入NMP(81.8g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,添加F1(6.46g,28.8mmol),再以固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(3)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為230mPa‧s。又,該聚醯胺酸之數平均分子量為11,100,重量平均分子量為30,000。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取C1(7.68g,36.0mmol)及E1(0.61g,4.01mmol),加入NMP(24.0g)及γ-BL(6.00g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,添加
F5(6.34g,32.0mmol)及γ-BL(12.0g),於25℃下攪拌2小時。隨後,以使F6(1.74g,7.98mmol)及固體成份濃度達10質量%之方式添加γ-BL,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(4)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為460mPa‧s。又,該聚醯胺酸之數平均分子量為12,000,重量平均分子量為24,000。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取B1(5.97g,20.0mmol),加入NMP(75.9g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,添加F3(5.53g,18.8mmol),再以固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(5)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為400mPa‧s。又,該聚醯胺酸之數平均分子量為11,500,重量平均分子量為24,400。
將附有攪拌裝置之500mL的四口燒瓶,設定為氮雰圍中,秤取D1(2.80g,25.9mmol),加入A1(1.45g,6.11mmol),加入NMP(111g)及吡啶(6.18g),進行攪拌使其溶解。其次,此二胺溶液於攪拌中,添加F4(9.89g,30.4mmol),於15℃下反應15小時。隨後,加入丙烯醯氯(0.38g),於15℃下反應4小時。將所得聚
醯胺酸烷酯之溶液,投入攪拌中之水(1230g)中,濾出析出的白色沈澱後,使用IPA(異丙醇)(1230g)洗淨5次,經乾燥後得白色之聚醯胺酸烷酯粉末(10.2g)。該聚醯胺酸烷酯之數平均分子量為20,800,重量平均分子量為41,000。
秤取所得聚醯胺酸烷酯粉末(0.80g)置入
100mL三角燒瓶中,加入γ-BL(7.18g),於25℃下攪拌24小時,使其溶解,得固體成份濃度為10質量%之聚醯胺酸烷酯溶液(6)。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取A1(0.47g,1.98mmol)及D2(4.40g,18.0mmol),加入NMP(59.5g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,添加F1(4.15g,18.5mmol),再以固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液。
於所得之聚醯胺酸溶液(66.0g)中,加入
NEP稀釋至9質量%之後,加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(5.38g)及吡啶(1.39g),於60℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(360ml)中,將所得沈澱物濾出。
此沈澱物以甲醇洗淨,於60℃下減壓乾燥後,得聚醯亞胺粉末(7)。該聚醯亞胺之醯亞胺化率為75%,數平均分子量為10,100,重量平均分子量為20,500。
於附有攪拌裝置及氮導入管之100mL的四口燒瓶中,秤取D1(2.16g,20.0mmol),加入NMP(31.6g),於吹入氮氣中進行攪拌,使其溶解。此二胺溶液於攪拌中,添加F1(4.21g,18.8mmol),再以固體成份濃度達10質量%之方式加入NMP,於25℃下攪拌4小時,得聚醯胺酸溶液(8)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為250mPa‧s。又,該聚醯胺酸之數平均分子量為11,500,重量平均分子量為24,400。
本發明之聚醯亞胺系聚合物係如表2所示。
實施例1~實施例18及比較例1~比較例4中,為記載液晶配向處理劑之製造例。
實施例及比較例所得之液晶配向處理劑係如表3~表5所示。
使用實施例及比較例所得之液晶配向處理劑,進行「耐摩擦處理性之評估(有關伴隨物理性衝撃所產生之液晶配向膜之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接
著性的評估)」、「液晶配向處理劑之噴墨塗佈性的評估」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
將實施例及比較例所得之液晶配向處理劑使用細孔徑1.0μm的膜式過濾器加壓過濾,進行純水及IPA(異丙醇)洗淨後,旋轉塗佈於附有透明ITO(Indium Tin Oxide)電極之玻璃基板(縱40mm×橫30mm,厚度0.7mm)的ITO面後,進行加熱板上80℃、5分鐘、熱循環型無塵烘箱中以250℃、60分鐘之加熱處理,得附有膜厚100nm之液晶配向膜的有透明ITO電極之基板。
隨後,於使用實施例1、實施例7、實施例8、比較例1及比較例2所得之液晶配向處理劑之情形中,為進行摩擦處理。具體而言,例如,將依前述條件所製作之附有透明ITO電極之基板之液晶配向膜面,於滾筒徑120mm之摩擦處理裝置上,使用尼龍布,以滾筒迴轉數:1000rpm、滾筒進行速度:20mm/sec、壓押量:0.3mm之條件進行。
又,使用前述以外之實施例及比較例所得之液晶配向處理劑的情形,則進行光配向處理。具體而言,例如,將依前述條件所製作之附有透明ITO電極之基板之
液晶配向膜面,隔著偏光板,以600mJ/cm2照射條件下照射254nm之紫外線。
對於進行前述摩擦處理及光配向處理之附有液晶配向膜的附有透明ITO電極之基板,進行摩擦處理。具體而言,例如,將進行該些處理之附有透明ITO電極之基板的液晶配向膜面,於滾筒徑為120mm之摩擦處理裝置上,使用尼龍布,以滾筒迴轉數:500rpm、滾筒進行速度:20mm/sec、壓押量:0.6mm之條件進行。
使用共焦點雷射顯微鏡對所得液晶配向膜的表面進行表面狀態之觀察。具體而言,例如,使用倍率設定為100倍之共焦點雷射顯微鏡,對於基板中心附近之液晶配向膜的表面,隨機觀察5處所,並由觀察視野之約6.5mm四方之範圍所確認之摩擦傷痕及摩擦切削屑(附著物)量之平均值,進行耐摩擦處理性之評估。又,評估基準依以下方式訂定。
A:傷痕或切削屑20個以下
B:傷痕或切削屑21~39個
C:傷痕或切削屑40個以上
又,評估基準越接近A時,即,表示摩擦傷痕或摩擦切削屑越少者,即表示耐摩擦處理性越優良(表6~表8中,為表示評估基準)。
表6~表8中,為表示實施例及比較例所得之
結果。
將實施例及比較例所得之液晶配向處理劑使用細孔徑1.0μm之膜式過濾器加壓過濾,以純水及IPA(異丙醇)進行洗淨後,旋轉塗佈於附有透明ITO(Indium Tin Oxide)電極之玻璃基板(縱40mm×橫30mm,厚度0.7mm)的ITO面,於加熱板上進行80℃、5分鐘、熱循環型無塵烘箱中進行250℃、60分鐘之加熱處理,製得膜厚為100nm之附有液晶配向膜的附有透明ITO電極之基板。
隨後,使用實施例1、實施例7、實施例8、比較例1及比較例2所得之液晶配向處理劑之情形中,為進行摩擦處理。具體而言,例如,將依前述條件所製得之附有透明ITO電極之基板之液晶配向膜面,於滾筒徑為120mm之摩擦處理裝置,使用尼龍布,以滾筒迴轉數:1000rpm、滾筒進行速度:20mm/sec、壓押量:0.3mm之條件進行。
又,使用依前述以外的實施例及比較例所得之液晶配向處理劑之情形,則進行光配向處理。具體而言,例如,使前述條件所製得之附有透明ITO電極之基板之液晶配向膜面,隔著偏光板以600mJ/cm2照射條件下照射254nm之紫外線。
對於進行前述摩擦處理及光配向處理所得之
附有液晶配向膜之附有透明ITO電極之基板,準備進行有相同處理之2片基板,於該單側之基板之液晶配向膜面上,塗佈6μm之顆粒間隔器,再於另一側之基板之液晶配向膜面,印刷塗佈密封劑(XN-1500T)(共立化學公司製)。隨後,將該些基板以基板重疊寬度為1cm方式貼合。此時,將密封劑之量調整至貼合後的密封劑區域之直徑為3mm為止。此外,將貼合之2片基板使用固定夾固定之後,於熱循環型無塵烘箱中,以150℃進行1小時加熱處理,製得測試晶胞(圖1為表示測試晶胞之結構)。
將該測試晶胞存放於溫度60℃、濕度90%之高溫高濕槽內72小時,製得本評估用之測試晶胞。
將所得本評估用之測試晶胞使用桌上形精密
萬能試驗機(AGS-X 500N)(島津製作所公司製),固定上下基板之端部份後,由基板中央部之上方進行壓押,測定剝離時之壓力(N),即,剝離壓力(N)。
評估結果,前述剝離應力(N)之數值越大
時,表示密封劑與底層基板之密著性越良好(表6~表8中,為表示剝離應力(N)之值)。
表6~表8中,為表示實施例及比較例所得之
結果。
將實施例3所得之液晶配向處理劑(3)使用細孔徑
1μm之膜式過濾器加壓過濾,於噴墨塗佈機上,對於使用HIS-200(HitachiPlantTechnologies公司製),以純水及IPA洗淨後之ITO(氧化銦錫)蒸鍍基板,以塗佈面積為70×70mm、噴嘴間距為0.423mm、掃瞄間距為0.5mm、塗佈速度為40mm/秒、由塗佈至預乾燥為止之時間為60秒、預乾燥為於加熱板上以80℃進行5分鐘、正式燒結為於熱循環型無塵烘箱以250℃、60分鐘之條件下進行。
將所得之附有液晶配向膜之基板於鈉燈泡下
進行目視觀察,並計算液晶配向膜上之沙孔數目結果,確認沙孔數目未達5個。得知其為具有優良塗膜均勻性之液晶配向膜。
此外,使用所得附有液晶配向膜之基板,進
行前述「耐摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
將實施例2、實施例4~實施例6及實施例10所得之液晶配向處理劑使用1.0μm之過濾器過濾後,對於玻璃基板上,形成有第1層之作為電極之形狀的膜厚50nm之
ITO電極、第2層之作為絕緣膜形狀的膜厚500nm之氮化矽、第3層之作為電極之櫛歯形狀之ITO電極(電極寬度:3μm,電極間隔:6μm,電極高度:50nm)的形成FFS驅動用電極之玻璃基板上,使用旋轉塗佈方式塗佈液晶配向處理劑。隨後,於80℃之加熱板上乾燥5分鐘之後,於250℃之熱風循環式烘箱進行60分鐘之燒結,形成膜厚100nm之塗膜。該塗膜面介由偏光板,以600mJ/cm2照射254nm之紫外線,得附有液晶配向膜之基板。又,作為對向基板之未形成電極的具有高度4μm之柱狀間隔器的玻璃基板,亦同樣地形成塗膜,並施以配向處理。
有關進行前述光配向處理之附有液晶配向膜
之附有透明ITO電極之基板,準備2片進行相同處理之基板,將該些2片基板作為一組,於基板上印刷密封劑,將另1片基板,以液晶配向膜面相對向之配向方向為0°之方式貼合後,使密封劑硬化而製得空晶胞。該空晶胞使用減壓注入法,注入液晶MLC-2041(莫克‧日本公司製)後,將注入口密封,得FFS方式之液晶晶胞。
使用此FFS方式之液晶晶胞,於60℃之恆溫環境下,施加周波數60Hz、±10V之交流電壓120小時。隨後,使液晶晶胞之畫素電極與對向電極之間形成短路之狀態下,於室溫下放置一日。
放置後,將液晶晶胞設置於與偏光軸垂直交錯方式配置之2片偏光板之間,於無施加電壓之狀態下將
背光源點燈放置,並將液晶晶胞之配置角度調整至透過光之亮度為最小之狀態。隨後,算出液晶晶胞由第1畫素的第2區域最暗之角度迴轉至第1區域為最暗之角度時的迴轉角度作為角度Δ(°)。第2畫素亦相同,使第2區域與第1區域比較,算出相同之角度Δ(°)。隨後,算出將第1畫素與第2畫素之角度Δ(°)之平均值,作為液晶晶胞之角度Δ(°)。本評估中,液晶晶胞之角度Δ(°)之值越小時表示越為良好(表6中,為表示液晶晶胞之角度Δ(°)之值)。
表6中,為表示實施例所得之結果。
將實施例1、實施例2、實施例4~實施例8及實施例10所得之液晶配向處理劑使用1.0μm之過濾器過濾後,於玻璃基板上,形成有第1層之作為電極形狀之膜厚50nm之ITO電極、第2層之作為絕緣膜形狀之膜厚500nm之氮化矽、第3層之作為電極之櫛歯形狀的ITO電極(電極寬度:3μm,電極間隔:6μm,電極高度:50nm)的FFS驅動用電極之玻璃基板上,使用旋轉塗佈方式塗佈液晶配向處理劑。隨後,於80℃之加熱板上乾燥5分鐘之後,於250℃之熱風循環式烘箱進行60分鐘之燒結,而形成膜厚100nm之塗膜。
隨後,使用實施例1、實施例7及實施例8所
得之液晶配向處理劑之情形,為進行摩擦處理。具體而言,例如,於前述條件所製得之附有透明ITO電極之基板之液晶配向膜面,於滾筒徑為120mm之摩擦處理裝置上,使用尼龍布,以滾筒迴轉數:1000rpm、滾筒進行速度:20mm/sec、壓押量:0.3mm之條件進行。
又,使用前述以外之實施例及比較例所得之
液晶配向處理劑之情形,為進行光配向處理。具體而言,例如,於前述條件所製得之附有透明ITO電極之基板之液晶配向膜面,介由偏光板,以600mJ/cm2照射條件照射254nm之紫外線。
有關進行前述摩擦處理及光配向處理之附有
液晶配向膜之附有透明ITO電極之基板,準備2片進行相同處理之基板,將該些2片基板作為一組,於基板上印刷密封劑,將另1片基板,以液晶配向膜面相對向之配向方向為0°之方式貼合後,使密封劑硬化而製得空晶胞。該空晶胞使用減壓注入法,注入液晶MLC-2041(莫克‧日本公司製)後,將注入口密封,得FFS方式之液晶晶胞。
將此FFS方式之液晶晶胞置於光源上,測定
25℃溫度下之V-T特性(電壓-透過率特性)後,測定施加±3V/120Hz之矩形波狀態下之液晶晶胞的透過率(Ta)。隨後,於25℃之溫度下施加±3V/120Hz之矩形波10分鐘後,將直流2V重疊,驅動60分鐘。切斷直流電壓,測定60分鐘交流驅動時之液晶晶胞的透過率(Tb),由初期之透過率(Ta)差(ΔT)算出液晶顯示
元件內殘留之電壓所產生之透過率之差。本評估中,透過率之差(ΔT)越小時,表示越為良好(表6中,表示透過率差(ΔT)之值)。
表6中,表示實施例所得之結果。
於合成例1之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(1)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)、BCS(3.44g)及X3(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(1)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(1),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例2之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(2)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)、BCS(3.44g)及X3(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(2)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(2),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)及合成例6之合成方法所得之聚醯胺酸烷酯溶液(6)(3.30g)中,加入NMP(1.20g)、γ-BL(12.7g)、PB(5.34g)及X3(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(3)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(3),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X3(0.083g),於25℃下攪
拌1小時,得液晶配向處理劑(4)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(4),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)及合成例8之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(8)(3.30g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X3(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(5)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(5),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例2之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(2)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X3(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(6)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(6),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(10.0g)中,加入NMP(3.90g)、γ-BL(0.87g)、BCS(3.44g)及X3(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(7)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(7),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝
落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例5之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(5)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)、BCS(3.44g)及X3(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(8)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(8),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例7之合成方法所得之聚醯亞胺粉末(7)(0.80g)中,加入NMP(5.00g)、γ-BL(2.74g)及NEP(5.15g),於70℃下進行24小時攪拌使其溶解。隨後,於該溶液中,加入聚醯胺酸溶液(4)(4.00g)、BCS(4.12g)及X3(0.12g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(9)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(9),進行「耐摩
擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X3(0.16g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(10)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(10),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」、「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」、「交流驅動所造成之殘影的評估(FFS方式之液晶晶胞)」及「電荷緩和特性的評估(FFS方式之液晶晶胞)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液
(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X3(0.029g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(11)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(11),進行「耐摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X1(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(12)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(12),進行「耐摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X2(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(13)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(13),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X4(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(14)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(14),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X5(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(15)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(15),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X6(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(16)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(16),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之
剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X7(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(17)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(17),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例3之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(3)(3.30g)及合成例4之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(4)(4.95g)中,加入NMP(3.35g)、γ-BL(0.56g)、BCS(2.84g)及X8(0.083g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(18)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(18),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例1之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(1)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)及BCS(3.44g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(19)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(19),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例2之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(2)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)及BCS(3.44g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(20)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(20),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之
剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例1之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(1)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)、BCS(3.44g)及Z1(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(21)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(21),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
於合成例2之合成方法所得之聚醯胺酸溶液(2)(10.0g)中,加入NMP(4.75g)、BCS(3.44g)及Z1(0.10g),於25℃下攪拌1小時,得液晶配向處理劑(22)。該液晶配向處理劑中,並未發現混濁或析出等異常現象,而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(22),進行「耐
摩擦處理性的評估(伴隨物理性衝撃液晶配向膜所產生之剝落或異物的評估)」及「密封劑與底層基板之密著性的評估(有關液晶配向膜與密封劑之接著性的評估)」。
由實施例1與比較例1之比較,及實施例2
與比較例2之比較得知,本發明之液晶配向處理劑所製得之液晶配向膜,與由比較例之液晶配向處理劑所製得之液晶配向膜相比較時,顯示出優良之耐摩擦處理性,及密封劑與底層基板之密著性等結果。特別是,有關密封劑與底層基板之密著性,即使存放於高溫高濕條件下之情形,該些亦具有優良密著性之結果。
又,實施例1與比較例3之比較,及、實施
例2與比較例4之比較得知,使用特定化合之本發明之液晶配向處理劑所製得之液晶配向膜,與使用其他化合物之液晶配向處理劑所製得之液晶配向膜相比較時,顯示出優良之耐摩擦處理性及密封劑與底層基板之密著性等結果。
又,由實施例4與實施例12~實施例18之比
較得知,使用前述式〔X3〕所示特定化合物時,顯示出更優良之密封劑與底層基板之密著性結果。
本發明之含有,具有特定結構之特定化合物,及由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物的液晶配向處理劑,可製得一種可抑制伴隨對液晶顯示元件之物理性衝撃所造成之液晶配向膜之剝落或異物之產生的液晶配向膜。此外,可製得一種提高液晶配向膜與密封劑之接著性而增加液晶顯示元件之強度的液晶配向膜。特別是,對於照射偏光之輻射線而得的光配向處理法用之液晶配向膜為有用者。因此,具有本發明之液晶配向
處理劑所製得之液晶配向膜的液晶顯示元件,為具有優良信賴性者,而可適用於大畫面且高精細度之液晶電視、中小型之智慧型手機或終端機等。
Claims (23)
- 一種液晶配向處理劑,其特徵為,含有下述(A)成份及(B)成份;(A)成份:式〔1〕所示化合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,式〔1〕中之W1為由下述式〔1a〕及〔1b〕所選出之至少1種之結構;
- 如請求項2之液晶配向處理劑,其中,(A)成份的化合物為,由下述式〔1-1〕~式〔1-8〕所選出之至少1種的化合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,(B)成份的聚合物為,由使用含有由下述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物所選出之至少1種之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種 的聚合物;
- 如請求項4之液晶配向處理劑,其中,前述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物中,Xb、Xc及Xf各自獨立表示具有下述式〔a-1〕~式〔a-6〕所示結構之保護基的二胺化合物;
- 如請求項4之液晶配向處理劑,其中,前述式〔2a-1〕~式〔2a-3〕所示之二胺化合物為,下述式〔2a-4〕~式〔2a-12〕所示之二胺化合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔2b〕所示之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物;
- 如請求項7之液晶配向處理劑,其中,前述式〔2b〕所示之二胺化合物為,下述式〔2b-1〕~式〔2b-3〕所示之二胺化合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有由下述式〔2c-1〕~式〔2c-3〕所示之二胺化合物所選出之至少1種之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物;
- 如請求項9之液晶配向處理劑,其中,前述式〔2c-1〕~式〔2c-3〕所示之二胺化合物為,下述式〔2c-4〕~式〔2c-7〕所示之二胺化合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔2d〕所示之二胺化合物的二胺成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物;
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,由使用含有下述式〔3〕所示四羧酸二酐之四羧酸成份而得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物;
- 如請求項12之液晶配向處理劑,其中,前述四羧酸成份為,前述式〔3〕中之Z為由前述式〔3a〕、式〔3e〕~式〔3g〕、式〔3l〕、式〔3m〕或式〔3p〕所示結構所選出之至少1種之結構的四羧酸成份。
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述 (A)成份的化合物,相對於前述(B)成份的聚合物100質量份,為1質量份~50質量份。
- 請求項1之液晶配向處理劑,其中,前述(B)成份的聚合物為,聚醯胺酸烷酯。
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,液晶配向處理劑之溶劑為,含有由N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所選出之至少1種之溶劑。
- 如請求項1之液晶配向處理劑,其中,液晶配向處理劑之溶劑為,含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚乙酸酯及二丙二醇二甲醚所選出之至少1種之溶劑。
- 一種液晶配向膜,其特徵為,由請求項1~請求項17中任一項之液晶配向處理劑而製得者。
- 一種液晶配向膜,其特徵為,使用請求項1~請求項17中任一項之液晶配向處理劑,經噴墨法而製得。
- 一種液晶配向膜,其特徵為,使用偏光之輻射線照射請求項18之液晶配向膜而得者。
- 一種液晶配向膜,其特徵為,使用偏光之輻射線照射請求項19之液晶配向膜而得者。
- 一種液晶顯示元件,其特徵為,具有請求項18之液晶配向膜。
- 一種液晶顯示元件,其特徵為,具有請求項19之液晶配向膜。
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