TWI701270B - 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種具有優良之液晶配向安定性、縮短殘像消除時間、不易引起摩擦切削、驅動後即時產生之閃爍變化較小之橫電場驅動元件用的液晶配向劑。

其為含有，由含有式(1)所表示之二胺的二胺成份與四羧酸成份反應而得之聚醯亞胺前驅體，及其經醯亞胺化而得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1個之特定聚合物(A)，與由二胺成份(上述式(1)所表示之二胺除外)與四羧酸成份反應而得之聚醯胺酸的特定聚合物(B)。

(R¹及R²，各自獨立為氫原子、碳數1~4之烷基或下述式(2)所表示之基，其中至少一者為式(2)所表示之基。式(2)中，A為單鍵或碳數1~4之烴基的2價之基)。

Description

液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件

本發明為有關適合使用於橫電場驅動用液晶顯示元件之液晶配向劑、液晶配向膜，及液晶顯示元件。

以往，液晶裝置多被廣泛地使用作為個人電腦或攜帶電話、電視機等之顯示部使用。液晶裝置，例如，具備有挾夾於元件基板與濾色片基板之間的液晶層、對液晶層施加電場之畫素電極及共通電極、控制液晶層之液晶分子的配向性之配向膜、開閉供應畫素電極之電氣訊號的薄膜電晶體(TFT)等。

液晶分子之驅動方式，已知有TN方式中，VA方式等縱電場方式，或IPS方式中，FFS方式等橫電場方式。一般而言，僅於基板之單側形成電極，由與基板為平行之方向施加電場之橫電場方式，已知與以往形成於上下基板之電極，而施加電壓驅動液晶之縱電場方式相比較時，為具有更廣泛之視野角特性，且具有高品質顯示方式的液晶顯示元件。

橫電場方式之液晶晶胞中具有優良視野角特 性者，因其形成於基板內的電極部份較少，故液晶配向膜之電壓保持率較弱時，若對液晶未施加充分之電壓時，將會降低顯示之對比。又，因液晶配向之安定性較低，故液晶於長時間驅動時，液晶將不容易回復至初期之狀態，此點亦為降低對比或形成殘像之原因，故液晶配向之安定性為極重要者。又，靜電容易蓄積於液晶晶胞內，經由驅動所產生之正負非對稱電壓之施加，亦使電荷蓄積於液晶晶胞內，該些蓄積之電荷會造成液晶配向之紊亂，或形成殘像而影響顯示，使液晶元件之顯示品質顯著降低。又，驅動後即時由背光光線照射液晶晶胞時亦會造成電荷蓄積，即使短時間之驅動也會產生殘像、驅動中之閃爍(FLICKER)之大小會產生變化等問題。

另一方面，液晶配向膜，一般為依印刷液晶配向劑、乾燥、燒結之後，再進行摩擦處理而形成之方法，但橫電場方式之液晶晶胞中，因僅基板之單側具有電極構造，故基板之凹凸較大，又，因於基板表面形成有氮化矽等絕緣體，故與以往之配向劑相比較時，將需要具有更優良的印刷性之液晶配向處理劑。此外，就提高液晶配向之安定性之目的，而施以較以往的液晶晶胞為更強之摩擦處理時，將容易因摩擦處理而引起剝離或摩擦切削，該些剝離或傷痕亦造成顯示品質降低之問題點。

使用該些橫電場驅動液晶元件之際，具有優良印刷性或耐摩擦性，且殘像較少之液晶配向劑，目前例如於專利文獻1中，揭示一種含有芳香族四羧酸所產生之 醯胺酸單位，與脂環式四羧酸所產生之醯胺酸單位等二者經共聚或混合的液晶配向劑。又，可製得一種具有優良液晶配向性、配向規制力、摩擦耐性等，且具有高電壓保持率，又可降低電荷蓄積之液晶配向膜的液晶配向劑，例如，於專利文獻2中，揭示一種含有作為膜時的體積電阻率為1×10¹⁰~1×10¹⁴Ωcm之低電阻的聚醯亞胺前驅體，與具有特定構造之高配向之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺為特徵之液晶配向劑，及使用該液晶配向劑之液晶顯示元件。

但是，伴隨液晶顯示元件之高性能化，對於液晶配向膜所要求之特性亦日趨嚴苛，故僅以往的技術將極不容易滿足所要求的全部特性。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開公報WO02/33481號公報

[專利文獻2]國際公開公報WO2004/53583號公報

本發明，為提供一種具有優良之液晶配向安定性、縮短殘像消除時間、即使摩擦處理也不易引起剝離或摩擦削減、驅動後即時產生之閃爍變化較小液晶配向膜，特別是適合於橫電場驅動元件使用的液晶配向劑為目的。

本發明者們，就解決上述問題經過深入研究結果，得知滿足下述特徵時即可完成本發明，即，本發明為具有下述要點者。

1.一種液晶配向劑，其特徵為含有，含有由下述式(1)所表示之二胺的二胺成份與四羧酸成份反應而得之聚醯亞胺前驅體，及其經醯亞胺化而得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1個之特定聚合物(A)，與二胺成份(式(1)所表示之二胺除外)與四羧酸成份反應而得之聚醯胺酸之特定聚合物(B)。

(R¹及R²，各自獨立為氫原子、碳數1~4之烷基或下述式(2)所表示之基，其中至少一者為式(2)所表示之基。式(2)中，A為單鍵或碳數1~4之烴基的2價之基)。

2.如上述(1)所記載之液晶配向劑，其中，前述式(1)所表示之二胺為下述式(3)所表示之二胺。

(R¹及R²，各自獨立為氫原子、碳數1~4之烷基或下述式(2)所表示之基，其中至少一者為式(2)所表示之基。式(2)中，A為單鍵或碳數1~4之烴基的2價之基。X1及X²為各自獨立之2價之基。X¹及X²中可含有上述(1)之結構)。

3.如上述(2)所記載之液晶配向劑，其中，前述式(3)所表示之二胺為下述式(4)所表示之二胺。

(R¹、R²及A，與式(1)及(2)具有相同之意義，m及n，各自獨立為0~3)。

4.一種液晶配向膜，其特徵為，使用上述1~3所記載之任一液晶配向劑而得者。

5.一種液晶顯示元件，其特徵為，具備上述4所記載之液晶配向膜。

具備由本發明之液晶配向劑而得之液晶配向膜，特別是橫電場驅動用液晶顯示元件，其具有優良之液晶配向安定性、縮短殘像消除時間、不易引起因摩擦處理所造成之剝離或摩擦切削現象、驅動後即時產生之閃爍變化較小等優良之特性。

[實施發明之形態]

<二胺>

欲製得本發明之液晶配向劑所使用之二胺成份所含有之二胺，為分子中具有下述式(1)所表示之結構的二胺。

(式(1)及(2)中，R¹、R²及A，係如上述所定義之內容，其中，R¹及R²又以其中至少一者，或兩者皆為式(2)所表示之基者為佳，就摩擦時之配向膜強度之觀點，以僅R¹及R²中之任一者為式(2)所表示之基者為佳。

A，較佳為單鍵。其中，A為單鍵之情形，式(2)之基為t-丁氧基羰基(本發明中，亦稱為Boc基)

分子內具有上述式(1)所表示之結構的二胺，只要為滿足下述要件時，任一種二胺皆可使用。其較佳之例示，可列舉如，下述式(3)所表示之二胺。

(式[1]中，R¹及R²，包含其各自較佳之內容，係與式(1)中之情形為相同。X¹及X²為各自獨立之2價之基，X¹及X²中可含有上述(1)之結構)。

分子內具有上述式(3)所表示之結構之二胺，只要為滿足下述要件時，任一種二胺皆可使用。其較佳之例示，可列舉如，下述式(4)所表示之二胺。

式(4)中，R¹及R²，包含其各自較佳之內容，係與式(1)中之情形為相同。m、n，各自獨立為0~3之整數，就原料取得之容易性而言，較佳為0或1，更佳為1。

又，式(4)中，各自之苯環中之胺基(-NH₂)，相對於伸烷基鍵結位置，可為鄰位、間位，或對位中任一位置皆 可，就合成之容易性，及聚合反應性之觀點，又以間位，或對位之位置為佳，以對位之位置為較佳。

式(4)所表示之二胺之例，較佳可列舉如，以下之化合物。又，於以下所例示之化合物中之式中，Boc為下述所表示之基。

<特定聚合物(A)>

特定聚合物(A)為，由含有具有上述式(1)所表示之結構的二胺之二胺成份與四羧酸成份反應而得之聚醯亞胺前驅體，或該聚醯亞胺前驅體經醯亞胺化而得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種之聚合物。聚醯亞胺前驅體中，為含有聚醯胺酸或聚醯胺酸酯等，其為下述式[A]所表示者。

(式中，R¹為4價之有機基，R²為2價之有機基，A¹ 及A²，各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。A³及A⁴，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基可具有取代基。n表示正整數)。

前述二胺成份，為包含具有式(1)所表示之結構之二胺(亦稱為特定二胺)，可列舉如，分子內具有2個一級或二級之胺基的二胺。

前述四羧酸成份，可列舉如，四羧酸、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷基酯，或四羧酸二烷基酯二鹵化物等，本發明中，該些亦統稱為四羧酸成份。

式[A]中之A¹及A²為氫原子之聚醯胺酸，為由前述分子內具有2個一級或二級之胺基的二胺，與四羧酸化合物、四羧酸二酐或四羧酸二鹵化物進行反應而得者。

式[A]中之A¹及A²為碳數1~5之烷基的聚醯胺酸烷基酯，為由前述二胺，與四羧酸二烷基酯，或四羧酸二烷基酯二鹵化物進行反應而得者。

特定二胺之含量，於製得特定聚合物(A)所使用之全二胺成份的100莫耳%中，為10~100莫耳%為佳，以15~80莫耳%為較佳。上述全二胺成份中，除特定二胺，以同時含有下述式[2-1]所表示之二胺(亦稱為第2之二胺)者為佳。

式[2-1]中，X¹為由下述式[2a-1]~式[2a-9]所示構造所選出之至少1個。

上述式[2a-6]中，n為1~5之整數，式[2a-7]中，n表示1~4之整數。

式[2-1]中，A⁵及A⁶，各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。

式[2-1]中之二胺之X¹，就液晶配向性之觀點，以式[2a-1]、式[2a-3]、式[2a-4]，或式[2a-6]~式[2a-9]為佳。更佳為式[2a-3]、式[2a-6]、式[2a-8]，或式[2a-9]。

第2之二胺之含量，於全二胺成份的100莫耳%中，以10~90莫耳%為佳，更佳為20~85莫耳%。

第2之二胺，可配合對作為特定聚合物(A)之溶劑的溶解性或對液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜時之液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性，可將1種類或2種類以上混合使用。

製得特定聚合物(A)所使用之二胺成份，於無損本發明之效果之範圍，可將特定二胺及第2之二胺同時使用，或使用其他之二胺亦可。

其他之二胺，可列舉如，2,4-二甲基-m-伸苯基二胺、2,6-二胺基甲苯、m-伸苯基二胺、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二氟-4,4’-聯苯、3,3’-三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,4’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基聯苯、2,2’-二胺基聯苯、2,3’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、2,2’-二胺基二苯基甲烷、2,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,3’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、2,2’-二胺基二苯醚、2,3’-二胺基二苯醚、4,4’-磺醯基二苯胺、3,3’-磺醯基二苯胺、雙(4-胺基苯基)矽烷、雙(3-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(4-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(3-胺基苯基)矽烷、4,4’-硫代二苯胺、3,3’-硫代二苯胺、4,4’-二胺基二苯胺、3,3’-二胺基二苯胺、3,4’-二胺基二苯胺、2,2’-二胺基二苯胺、2,3’-二胺基二苯胺、N-甲基(4,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,3’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,2’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,3’-二胺基二苯基)胺、4,4’-二胺基二苯甲酮、3,3’-二胺基二苯甲酮、3,4’-二胺基二苯甲酮、1,4-二胺基萘、2,2’-二胺基二苯甲酮、2,3’-二胺基二苯甲酮、1,5-二胺基萘、1,6-二胺基萘、1,7-二胺基萘、1,8-二胺基萘、 2,5-二胺基萘、2,6二胺基萘、2,7-二胺基萘、2,8-二胺基萘、1,2-雙(3-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(3-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(3-胺基苯基)丁烷、雙(3,5-二乙基-4-胺基苯基)甲烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯基)苯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、4,4’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、4,4’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,4’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,4’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,3’-[1,4-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、3,3’-[1,3-伸苯基雙(伸甲基)]二苯胺、1,4-伸苯基雙[(4-胺基苯基)甲酮]、1,4-伸苯基雙[(3-胺基苯基)甲酮]、1,3-伸苯基雙[(4-胺基苯基)甲酮]、1,3-伸苯基雙[(3-胺基苯基)甲酮]、1,4-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,4-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(4-胺基苯基)間苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)間苯二甲酸酯、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-雙(4-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)對苯二甲醯胺、N,N’-雙(4-胺基苯基)異苯二甲醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)異苯二甲醯胺、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)二苯基碸、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基 苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-雙(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、1,6-雙(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,7-(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-雙(4-胺基苯氧基)辛烷、1,8-雙(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-雙(4-胺基苯氧基)壬烷、1,9-雙(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-(4-胺基苯氧基)癸烷、1,10-(3-胺基苯氧基)癸烷、1,11-(4-胺基苯氧基)十一烷、1,11-(3-胺基苯氧基)十一烷、1,12-(4-胺基苯氧基)十二烷、1,12-(3-胺基苯氧基)十二烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷，或該些之胺基為二級胺基之二胺等。其他二胺亦可將1種類或2種類以上混合使用。

製得特定聚合物(A)之四羧酸成份，以下述式(5)所表示之四羧酸二酐為佳，但並不僅如此，亦可使用其衍生物之四羧酸、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷基酯或四羧酸二烷基酯二鹵化物。本發明中，該些一統稱為第1之四羧酸成份。

(Y¹表示由下述式[5a]~式[5q]所成之群所選出之至少1種)。

式[5a]中，X¹~Z⁴各自獨立表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環。

式[5g]中，Z⁵及Z⁶各自獨立表示、氫原子或甲基。

式[5]中之Z¹，就合成之容易度或製造聚合物時之聚 合反應性的簡易性觀點，以式[5a]、式[5c]~[5g]、式[5k]~式[5m]或式[5p]為佳，更佳為式[5a]、式[5e]、式[5f]、式[5l]、式[5m]或式[5p]。就液晶配向性之觀點，特佳為式[3a]或式[5m]，式[5a]中，Z¹~Z⁴以氫原子為佳。

第1之四羧酸成份，就製得特定聚合物(A)之觀點，於全四羧酸成份的100莫耳%中，以30~100莫耳%為佳，以50~100莫耳%為較佳，特佳為70~100莫耳%。

第1之四羧酸成份，可配合對作為特定聚合物(A)之溶劑的溶解性或對液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜時之情形中之液晶的配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性，而將1種類或2種類以上混合使用。

製得特定聚合物(A)之四羧酸成份，於無損本發明之效果之範圍時，可使用第1之四羧酸成份以外的其他之四羧酸成份。其他之四羧酸成份，可列舉如，下述四羧酸化合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷基酯或四羧酸二烷基酯二鹵化物等。

具體而言，可列舉如，1,2,5,6-萘四羧酸、1,4,5,8-萘四羧酸、1,2,5,6-蒽四羧酸、3,3,4,4’-聯苯四羧酸、2,3,3,4-聯苯四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)醚、3,3,4,4’-二苯甲酮四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)碸、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷、2,3,4,5-吡啶四羧酸、2,6-雙(3,4-二羧基苯基)吡啶、3,3,4,4’-二苯基碸四羧 酸、3,4,9,10-苝四羧酸、1,3-二苯基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸等。其他之四羧酸成份，亦可將1種或2種以上混合使用。

<特定聚合物(B)>

本發明之特定聚合物(B)，為由二胺成份(具有上述式(1)所表示之結構的二胺除外)與四羧酸成份反應而得之聚醯亞胺前驅體，或該聚醯亞胺前驅體經醯亞胺化而得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1種之聚合物。聚醯亞胺前驅體中，可含有聚醯胺酸或聚醯胺酸酯等。

製得特定聚合物(B)之二胺成份，以使用下述式[4-1]所表示之其他之二胺(亦稱為第3之二胺)為佳。

式[4-1]中，X²為由下述式[4a-1]~式[4a-7]所示構造所選出之至少1個。

式[4a-4]中，A⁹表示氫原子或碳數1~5之烷基。式[4a-5]中，n表示1~5之整數。式[4a-6]中，n表示1~4之整數)。

式[4-1]中，A⁷及A⁸各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。

式[4-1]中之二胺的X²，就電壓保持率之觀點，以式[4a-2]~式[4a-4]、式[4a-6]，或式[4a-7]為佳。較佳為式[4a-3]、式[4a-4]，或式[4a-7]。

第3之二胺，就製得特定聚合物(B)時，於全二胺成份的100莫耳%中，以20~100莫耳%為佳，更佳為40~100莫耳%，更較佳為60~100莫耳%。

第3之二胺，可配合對作為特定聚合物(B)之溶劑的溶解性或對液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜時之液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性，將1種類或2種類以上混合使用。

製得特定聚合物(B)之二胺成份，於無損本發明效果之範圍，可與第3之二胺，同時使用其他之二胺(亦稱為其他之二胺)。其具體例，可列舉如，與製得特定聚合物(A)時所列舉之其他之二胺的具體例為相同之內容。

製得特定聚合物(B)之四羧酸成份，以下述式[6]所表示之四羧酸二酐為佳。此時，不僅式[6]所表示之四羧酸二酐，亦可使用該四羧酸衍生物之四羧酸，或四羧酸二鹵化物。本發明中，該些四羧酸二酐或其衍生物一統稱為第2四羧酸成份。

(式[6]中之Z²，包含其較佳之態樣，亦與上述式[5]之定義相同)。

特定聚合物(B)中之第2之四羧酸成份，於全四羧酸成份的100莫耳%中，以30~100莫耳%為佳，以50~100莫耳%為較佳，特佳為70~100莫耳%。

第2之四羧酸成份，可配合對作為特定聚合物(B)之溶劑的溶解性或對液晶配向劑之塗佈性、作為液晶配向膜時之液晶的配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性，將1種類或2種類以上混合使用。

製得特定聚合物(B)之全四羧酸成份中，於無 損本發明效果之範圍，亦可使用第2四羧酸成份以外的其他之四羧酸成份。該其他之四羧酸成份的具體例，與製得特定聚合物(A)之其他之四羧酸成份所例示之其他之二胺的具體例為相同之內容。

就電壓保持率．摩擦耐性之觀點，特定聚合物(A)中之四羧酸成份，及特定聚合物(B)中之四羧酸成份中之至少一者，以含有脂肪族四羧酸衍生物為佳。

脂肪族四羧酸衍生物之含量，相對於全四羧酸成份的100莫耳%，為20~100莫耳%，較佳為50~100莫耳%。

<特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之製造方法>

製造該些之聚合物之方法，通常為使二胺成份與四羧酸成份反應而得。一般而言，為將由四羧酸二酐及其四羧酸衍生物所成之群所選出之至少1種的四羧酸成份，與1種或複數種之二胺所形成之二胺成份進行反應，而製得聚醯胺酸之方法。具體而言，可列舉如，使四羧酸二酐與一級或二級之二胺進行加成聚合而製得聚醯胺酸之方法、使四羧酸與一級或二級之二胺進行聚縮合而製得聚醯胺酸之方法，或使四羧酸二鹵化物與一級或二級之二胺進行聚縮合而製得聚醯胺酸之方法。

製得聚醯胺酸烷基酯時，一般採用將羧酸基予以二烷基酯化而得之四羧酸與一級或二級之二胺進行聚縮合之方法、將羧酸基鹵化而得之四羧酸二鹵化物與一級或二級之二胺進行聚縮合之方法，或將聚醯胺酸之羧基變 換為酯之方法。

製造聚醯亞胺之方法中，一般為使用將前述之聚醯胺酸或聚醯胺酸烷基酯進行閉環而形成聚醯亞胺之方法。

二胺成份與四羧酸成份之反應，通常為於溶劑中進行。此時所使用之溶劑，只要可溶解所生成之聚醯亞胺前驅體時，並未有特別之限定。下述為反應所使用的溶劑之具體例示，但並不僅限定於該些例示。

例如，N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或1,3-二甲基-四氫咪唑酮等。又，聚醯亞胺前驅體之溶劑溶解性較高之情形，可使用甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮或下述式[D-1]~式[D-3]所表示之溶劑。

(式[D-1]中，D¹表示碳數1~3之烷基，式[D-2]中，D²表示碳數1~3之烷基，式[D-3]中，D³表示碳數1~4之烷基)。

該些溶劑可單獨使用亦可、混合使用亦可。此外，即使不會溶解聚醯亞胺前驅體之溶劑，只要不會析出所生成之聚醯亞胺前驅體之範圍，亦可與前述溶劑混合 使用。又，溶劑中之水份，為阻礙聚合反應，甚至為造成所生成之聚醯亞胺前驅體水解之原因，故溶劑以使用經脫水乾燥後者為佳。

二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行反應之際，例如將二胺成份分散或溶解於溶劑所得之溶液，於攪拌中添加四羧酸成份或使其分散或溶解於溶劑後再予添加之方法、相反地於四羧酸成份分散或溶解於溶劑所得之溶液中添加二胺成份之方法、交互添加二胺成份與四羧酸成份之方法等，該些之任一方法皆可使用。又，將二胺成份或四羧酸成份分別使用複數種進行反應之情形，可預先於混合狀態下進行反應亦可、各別依序進行反應亦可，甚至將各別反應之低分子量體進行混合反應作為聚合物亦可。

此時之聚合溫度，可選擇-20~150℃之任意溫度，但較佳為-5~100℃之範圍。

又，反應可於任意之濃度下進行，濃度過低時，將不易製得高分子量之聚合物，濃度過高時，因會使反應液之黏性過高，而不易進行均勻的攪拌。因此，較佳為1~50質量%，更佳為5~30質量%。反應初期可於高濃度下進行，隨後，再追加溶劑亦可。

聚醯亞胺前驅體之聚合反應中，二胺成份之合計莫耳數與四羧酸成份之合計莫耳數之比，以0.8~1.2為佳。其與通常之聚縮合反應相同般，該莫耳比越接近1.0時，所生成之聚醯亞胺前驅體之分子量越大。

聚醯亞胺，為使前述之聚醯亞胺前驅體閉環 而得之聚醯亞胺，該聚醯亞胺中，醯胺酸基之閉環率(亦稱為醯亞胺化率)並非一定要100%，其可配合用途或目的作任意之調整。

使聚醯亞胺前驅體醯亞胺化之方法，可列舉如，將聚醯亞胺前驅體之溶液直接加熱之熱醯亞胺化，或於聚醯亞胺前驅體之溶液中添加觸媒之觸媒醯亞胺化等。

使聚醯亞胺前驅體於溶液中熱醯亞胺化之情形的溫度，為100~400℃，較佳為120~250℃，以持續將醯亞胺化反應所生成之水排除於反應系外過程中進行反應之方法為佳。聚醯亞胺前驅體之觸媒醯亞胺化為，於聚醯亞胺前驅體之溶液中，添加鹼性觸媒與酸酐，於-20~250℃、較佳為0~180℃下進行攪拌而進行反應之方法。

鹼性觸媒之量為，醯胺酸基之0.5~30莫耳倍、較佳為2~20莫耳倍，酸酐之量為，醯胺酸基之1~50莫耳倍、較佳為3~30莫耳倍。

鹼性觸媒，可列舉如，吡啶、三乙胺、三甲胺、三丁胺、三辛胺等。其中，又以吡啶於反應進行中，可維持適當之鹼性而為較佳。

酸酐，可列舉如，乙酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐等。特別是，使用乙酸酐時，於反應結束後容易進行精製，而為較佳。

觸媒醯亞胺化之醯亞胺化率，可經由調節觸媒量與反應溫度、反應時間之方式予以控制。

由聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺之反應溶液， 回收所生成之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺之情形，只要將反應溶液投入溶劑中使其沈澱即可。沈澱所使用之溶劑，可列舉如，甲醇、乙醇、異丙基醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、苯、水等。投入溶劑使其沈澱之聚合物，經過濾、回收後，可於常壓或減壓下，以常溫或加熱下進行乾燥處理。又，使沈澱回收之聚合物，重複2~10次於溶劑中再溶解、再沈澱回收之操作時，即可降低聚合物中之雜質。此時之溶劑，例如，醇類、酮類、烴等。使用由該些之中所選出之3種類以上之溶劑時，以其更能提高精製之效率而為更佳。

製造本發明之聚醯胺酸烷基酯之方法中，更具體之方法例如下述(1)~(3)所示。

(1)使用聚醯胺酸之酯化反應而製得之方法

由二胺成份與四羧酸成份製造聚醯胺酸，於該羧基(COOH基)上，進行化學反應，即，進行酯化反應，而製得聚醯胺酸烷基酯之方法。

酯化反應為，使聚醯胺酸與酯化劑於溶劑之存在下，於-20~150℃(較佳為0~50℃)中，進行30分鐘~24小時(較佳為1~4小時)反應之方法。

前述酯化劑，以於酯化反應後，可容易被去除者為佳，以N,N-二甲基甲醯胺二甲基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二乙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二丙基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺二新戊基丁基縮醛、N,N-二甲基甲醯胺 二-t-丁基縮醛、1-甲基-3-p-甲苯基三氮烯、1-乙基-3-p-甲苯基三氮烯、1-丙基-3-p-甲苯基三氮烯、4-(4,6-二甲氧基-1,3,5-三

-2-基)-4-甲基嗎啉鎓氯化物等。酯化劑之使用量，相對於聚醯胺酸之重複單位1莫耳，以2~6莫耳當量為佳。其中，又以2~4莫耳當量為佳。

前述酯化反應所使用之溶劑，就聚醯胺酸對溶劑之溶解性的觀點，可列舉如，前述二胺成份與四羧酸成份進行反應時所使用之溶劑等。其中，又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑，可將1種或2種以上混合使用。

前述酯化反應中之溶劑中的聚醯胺酸之濃度，就不易析出聚醯胺酸之觀點，以1~30質量%為佳。其中，又以5~20質量%為佳。

(2)使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物進行反應而製造之方法

具體而言，可列舉如，使二胺成份與四羧酸二酯二氯化物，於鹼與溶劑之存在下，於-20~150℃(較佳為0~50℃)中，進行30分鐘~24小時(較佳為1~4小時)反應之方法。

鹼，可使用吡啶、三乙胺、4-二甲胺基吡啶等。其中，就反應可以穩定進行之觀點，以吡啶為佳。鹼之使用量，以於反應後，容易被去除之量為佳，相對於四羧酸二酯二氯化物，以2~4倍莫耳為佳。其中，又以2~3倍莫耳 為較佳。

溶劑中，所得之聚合物，即，聚醯胺酸烷基酯對溶劑之溶解性的觀點，可列舉如，前述二胺成份與四羧酸成份進行反應所使用之溶劑等。其中，又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑，可將1種或2種以上混合使用。

反應中之溶劑中之聚醯胺酸烷基酯之濃度，就不易析出聚醯胺酸烷基酯之觀點，以1~30質量%為佳。其中，又以5~20質量%為佳。又，為防止四羧酸二酯二氯化物之水解，製作聚醯胺酸烷基酯時所使用之溶劑，以盡可能使用脫水者為佳。此外，使反應於氮氛圍中進行，防止外面氣體混入者為佳。

(3)使二胺成份與四羧酸二酯進行反應而製造之方法

具體而言，可列舉如，將二胺成份與四羧酸二酯，於縮合劑、鹼及溶劑之存在下，於0~150℃(較佳為0~100℃)中，進行30分~24小時(較佳為3~15小時)聚縮合反應之方法。

縮合劑，可列舉如，可使用三苯基亞磷酸酯、二環己基碳二醯亞胺、1-乙基-3-(3-二甲胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽、N,N’-羰基二咪唑、二甲氧基-1,3,5-三

基甲基嗎啉鎓、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N,N’-四甲基醣醛鎓四氟硼酸酯、O-(苯併三唑-1-基)-N,N,N,N’-四甲基醣 醛鎓六氟磷酸酯、(2,3-二氫-2-硫氧基-3-苯併噁唑基)膦酸二苯酯等。縮合劑之使用量，相對於四羧酸二酯，以2~3倍莫耳為佳，特別是以2~2.5倍莫耳為佳。

鹼，可使用吡啶、三乙胺等三級胺。鹼之使用量，以於聚縮合反應後容易被去除之量為佳，相對於二胺成份，以2~4倍莫耳為佳，以2~3倍莫耳為較佳。

聚縮合反應所使用之溶劑，就所得之聚合物，即，聚醯胺酸烷基酯對溶劑之溶解性之觀點，可列舉如，前述二胺成份與四羧酸成份進行反應所使用之溶劑等。其中，又以N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯為佳。該些溶劑，可將1種或2種以上混合使用。

又，聚縮合反應中，將路易士酸作為添加劑添加時，可使反應有效率地進行。路易士酸，以氯化鋰、臭化鋰等鹵化鋰為佳。路易士酸之使用量，相對於二胺成份，以0.1~10倍莫耳為佳。其中，又以2.0~3.0倍莫耳為佳。

由依上述(1)~(3)之方法所得之聚醯胺酸烷基酯之溶液，回收聚醯胺酸烷基酯之情形中，只要將反應溶液投入溶劑使其沈澱即可。沈澱所使用之溶劑，可列舉如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、己烷、丁基溶纖劑(cellosolve)、丙酮、甲苯等。投入溶劑進行沈澱之聚合物，就去除前述所使用之添加劑、觸媒類等之目的時，以將上述溶劑進行複數次洗淨操作者為佳。經洗淨、過濾而 回收後，聚合物可於常壓或減壓下，於常溫或加熱下進行乾燥。又，可將沈澱回收之聚合物，重複進行2~10次再溶解於溶劑、再沈澱回收之操作，即可降低聚合物中之雜質。

聚醯胺酸烷基酯，以前述(2)或(3)之製造方法為佳。

<液晶配向劑>

本發明之液晶配向劑為，形成液晶配向膜(亦稱為樹脂被膜)所使用之塗佈溶液，其含有特定聚合物(A)、特定聚合物(B)及有機溶劑。

液晶配向劑中，特定聚合物(B)之比例，相對於特定聚合物(A)100質量份，以10~900質量份為佳。其中，又以25~700質量份為佳，較佳為50~500質量份。最佳為100~400質量份。

本發明之液晶配向劑中之全部聚合物成份，可全部為本發明之特定聚合物(A)及(B)亦可，再混合該些以外之聚合物亦可。該些以外之聚合物，可列舉如，不具有特定構造(1A)、特定構造(1B)及特定構造(2)之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺等。此外，亦例如，纖維素系聚合物、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚苯乙烯、聚醯胺、聚矽氧烷等。此時，該些以外之其他聚合物之含量，相對於特定聚合物(A)及(B)之合計100質量份，為0.5~15質量份。其中，又以1~10質量份為佳。

又，液晶配向劑中之有機溶劑之含量，以 70~99.9質量%為佳。該含量，可應液晶配向劑之塗佈方法或作為目的之液晶配向膜的膜厚，作適當之變更。

液晶配向劑所使用之有機溶劑，只要含有可溶解特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之溶劑(亦稱為良溶劑)者，並未有特別之限定。下述為良溶劑之具體例示，但並非僅限定於該些例示。

例如，N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-四氫咪唑酮、甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。

其中，又以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮，或γ-丁內酯為佳。

此外，特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑具有高溶解性之情形，以使用前述式[D-1]~式[D-3]所表示之溶劑為佳。

本發明之液晶配向劑中之良溶劑，以液晶配向劑所含之溶劑全體之20~99質量%為佳。其中，又以20~90質量%為佳。較佳為30~80質量%。

本發明之液晶配向劑，於無損本發明效果之範圍時，可使用塗佈液晶配向劑之際，可提高液晶配向膜之塗膜性或表面平滑性之溶劑(亦稱為貧溶劑)。下述為貧溶劑之具體例示，但並不僅限定於該些例示。

例如，乙醇、異丙基醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁基醇、tert-丁基醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁 醇、異戊基醇、tert-戊基醇、3-甲基-2-丁醇、新戊基醇、1-己醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-乙基-1-丁醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、環己醇、1-甲基環己醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丙烷二醇、1,2-丁烷二醇、1,3-丁烷二醇、1,4-丁烷二醇、2,3-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2-乙基-1,3-己烷二醇、二丙醚、二丁醚、二己醚、二噁烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、1,2-丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二丁醚、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、2-庚酮、4-庚酮、3-乙氧基丁基乙酸酯、1-甲基戊基乙酸酯、2-乙基丁基乙酸酯、2-乙基己基乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、伸丙基碳酸酯、伸乙基碳酸酯、2-(甲氧基甲氧基)乙醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單異戊醚、乙二醇單己醚、2-(己氧)乙醇、糖糠醇、二乙二醇、丙二醇、丙二醇單丁醚、1-(丁氧基乙氧基)丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇二甲醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、三乙二醇、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n- 丁酯、乙酸丙二醇單乙醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、乳酸甲基酯、乳酸乙基酯、乳酸n-丙基酯、乳酸n-丁基酯、乳酸異戊基酯、前述式[D-1]~[D-3]所表示之溶劑等。

其中，又以使用1-己醇、環己醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙烷二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚或二丙二醇二甲醚為佳。

該些貧溶劑，以液晶配向劑所含溶劑全體之1~80質量%為佳，以10~80質量%為較佳，以20~70質量%為特佳。

本發明之液晶配向劑，以含有由具有環氧基、異氰酸酯基、氧環丁烷基或環碳酸酯基之交聯性化合物、具有羥基、羥烷基及低級烷氧烷基所成群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，或具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物為佳。該些取代基或聚合性不飽和鍵結，於交聯性化合物中必須具有2個以上。

具有環氧基或異氰酸酯基之交聯性化合物，可列舉如，雙酚丙酮縮水甘油醚、酚酚醛清漆環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、三縮水甘油異三聚氰酸酯、四縮水甘油胺基二伸苯基、四縮水甘油-m-二甲苯二胺、四縮水甘油-1,3-雙(胺基乙基)環己烷、四苯基縮水甘油醚乙烷、三苯基縮水甘油醚乙烷、雙酚六氟丙酮二縮水甘油 醚、1,3-雙(1-(2,3-環氧丙氧基)-1-三氟甲基-2,2,2-三氟甲基)苯、4,4-雙(2,3-環氧丙氧基)八氟聯苯、三縮水甘油-p-胺基酚、四縮水甘油甲基二甲苯二胺、2-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-2-(4-(1,1-雙(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)乙基)苯基)丙烷、1,3-雙(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-甲基乙基)苯基)乙基)苯氧基)-2-丙醇等。

具有氧環丁烷基之交聯性化合物，例如，至少具有2個下述式[4A]所示氧環丁烷基之交聯性化合物。

具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之58~59頁所揭示之式[4a]~[4k]所表示之交聯性化合物。

具有環碳酸酯基之交聯性化合物，例如至少具有2個下述式[5A]所表示之環碳酸酯基之交聯性化合物。

具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2012/014898(2012.2.2公開)之76~82頁所揭示之式[5-1]~[5-42]之交聯性化合物等。

具有由羥基及烷氧基所成群所選出之至少1種的取代基的交聯性化合物，例如，具有羥基或烷氧基之胺基樹脂，例如，三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、呱

樹脂、乙炔脲-甲醛樹脂、琥珀醯醯胺-甲醛樹脂、乙烯基尿素-甲醛樹脂等。具體而言，可列舉如，胺基之氫原子被羥甲基及/或烷氧基甲基所取代之三聚氰胺衍生物、苯併呱

衍生物，或可使用乙炔脲。該三聚氰胺衍生物或苯併呱

衍生物，可以二聚物或三聚物方式存在。該些，相當於每一三

環，以平均存在3個以上6個以下之羥甲基或烷氧基甲基者為佳。

該些三聚氰胺衍生物或苯併呱

衍生物之例，可列舉如，每一市售物品之三

環，平均具有3.7個甲氧基甲基取代之MX-750、每一三

環，平均具有5.8個甲氧基甲基取代之MW-30(以上，三和化學公司製)、CYMEL 300、301、303、350、370、771、325、327、703、712等甲氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL 235、236、238、212、253、254等甲氧基甲基化丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL 506、508等丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL 1141等含羧基之甲氧基甲基化異丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL 1123等甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱

、CYMEL 1123-10等甲氧基甲基化丁氧基甲基化苯併呱

、CYMEL 1128等丁氧基甲基化苯併呱

、CYMEL 1125-80等含羧基之甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱

(以上，三井氰胺公司製)等。

又，乙炔脲之例如，CYMEL 1170等丁氧基甲基化乙炔脲、CYMEL 1172等羥甲基化乙炔脲等、POWERLINK 1174等甲氧基羥甲基化乙炔脲等。

具有羥基或烷氧基之苯或酚性化合物，例如，1,3,5-參(甲氧基甲基)苯、1,2,4-參(異丙氧基甲基)苯、1,4-雙(sec-丁氧基甲基)苯、2,6-二羥基甲基-p-tert-丁基酚等。

更具體而言，可列舉如，國際公開公報WO2011/132751.(2011.10.27公開)之62~66頁所揭示之式[6-1]~[6-48]所表示之交聯性化合物。

具有聚合性不飽和鍵結之交聯性化合物，例如，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯醯氧乙氧基三羥甲基丙烷、丙三醇聚縮水甘油醚聚(甲基)丙烯酸酯等分子內具有3個聚合性不飽和基之交聯性化合物；乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷雙酚型二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、苯二甲酸二縮水甘油 酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基叔戊酸新戊基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等分子內具有2個聚合性不飽和基之交聯性化合物；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、2-苯氧基-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧-2-羥基丙基苯二甲酸酯、3-氯-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、丙三醇單(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧乙基磷酸酯、N-羥甲基(甲基)丙烯酸醯胺等分子內具有1個聚合性不飽和基之交聯性化合物；等。

此外，亦可使用下述式[7A]所表示之化合物。

(式[7A]中，E₁表示由環己烷環、二環己烷環、苯環、聯苯環、三聯苯基環、萘環、茀環、蒽環及菲環所成之群所選出之至少1個之環，E₂表示由下述式[7a]及[7b]所成之群所選出之至少1個之基，n表示1~4之整數)。

上述化合物僅為交聯性化合物之一例，並不僅限定於該些之中。又，本發明之液晶配向劑所使用之交聯性化合物，可為1種類亦可，將2種類以上組合亦可。

交聯性化合物之含量，相對於全部聚合物成份100質 量份，以0.1~150質量份為佳。其中，就進行交聯反應所可達成之目的效果時，相對於全部聚合物成份100質量份，以0.1~100質量份為佳。較佳為1~50質量份。

液晶配向劑，於無損本發明效果之範圍時，可含有塗佈液晶配向劑之際，可提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物。

提高液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物，可列舉如，氟系界面活性劑、矽氧烷系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。

較具體而言，可列舉如，例如，F-TOP EF301、EF303、EF352(以上，陶氏化學製備公司製)、美格氟F171、F173、R-30(以上，大日本塗料公司製)、氟拉多FC430、FC431(以上，住友3M公司製)、阿沙席格AG710、沙氟隆S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(以上，旭硝子公司製)等。

界面活性劑之使用比例，相對於液晶配向劑所含有之全部聚合物成份100質量份，較佳為0.01~2質量份，更佳為0.01~1質量份。

此外，於液晶配向劑中，可添加促進液晶配向膜中之電荷移動的元件之促進拔除電荷之化合物。例如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之69~73頁所揭示之式[M1]~[M156]所表示之含氮之雜環胺化合物。該胺化合物，可直接添加於液晶配向劑中亦可，或以使用適當之溶劑，以濃度0.1~10質量%、較佳為1~7 質量%之溶液方式添加為佳。該些溶劑，只要可溶解上述特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之溶劑時，並未有特別之限定。

本發明之液晶配向劑中，除上述貧溶劑、交聯性化合物、提高樹脂被膜或液晶配向膜之膜厚均勻性或表面平滑性之化合物，及促進拔除電荷之化合物以外，於無損本發明效果之範圍，可添加改變液晶配向膜之介電係數或導電性等電氣特性為目的之介電體或導電物質。

<液晶配向膜及液晶顯示元件>

液晶配向膜，為將前述液晶配向劑塗佈於基板，經乾燥、燒結而得之膜。

塗佈液晶配向劑之基板，只要為具有高透明性之基板時，並未有特別之限定，其除玻璃基板、氮化矽基板以外，亦可使用丙烯酸基板或聚碳酸酯基板等塑膠基板等。此時，使用形成有以驅動液晶為目的之ITO(Indium Tin Oxide)電極等之基板時，就製程簡單化之觀點，而為較佳。又，反射型之液晶顯示元件中，不僅單側之基板，亦可使用矽晶圓等不透明物，該情形之電極亦可使用鋁等可反射光線之材料。

液晶配向劑之塗佈方法，並未有特別之限定，於工業上而言，一般為使用網版印刷、平版印刷、凸版(Flexo)印刷、噴墨法等。其他之塗佈方法，例如，浸漬法、輥塗佈法、縫狀塗佈法、旋轉塗佈器法、噴霧法等， 其可配合目的使用該些方法即可。

將液晶配向劑塗佈於基板上後，經使用加熱板、熱循環型烘箱、IR(紅外線)型烘箱等加熱手段，使溶劑蒸發而可形成液晶配向膜。

塗佈液晶配向劑之後的乾燥、燒結步驟，可選擇任意之溫度與時間。通常為充分去除所含有之溶劑，例如可於50~120℃進行1~10分鐘燒結，隨後，再於150~300℃下進行5~120分鐘燒結等條件下進行。

燒結後之液晶配向膜之厚度，並未有特別之限定，過薄時會有降低液晶顯示元件之信賴性之情形，故以5~300nm為佳，以10~200nm為較佳。

對所得液晶配向膜進行配向處理之方法，例如前述摩擦處理法、光配向處理法等，又以摩擦處理法為佳。

光配向處理法之具體例，例如，以偏向特定方向之輻射線照射前述液晶配向膜之表面，依情形之不同，可再於150~250℃之溫度下進行加熱處理，賦予液晶配向性(亦稱為液晶配向能力)等方法。輻射線，可使用具有100~800nm之波長的紫外線或可見光線。其中，又以具有100~400nm之波長的紫外線為佳，更佳為具有200~400nm之波長的紫外線。

又，為改善液晶配向性時，亦可將具有液晶配向膜之基板於50~250℃加熱中，照射輻射線。輻射線之照射量，以1~10,000mJ/cm²為佳。其中，又以100~ 5,000mJ/cm²為佳。依此方式所製得之液晶配向膜，可使液晶分子依特定方向安定地配向。

此外，經照射偏光之輻射線的液晶配向膜，亦可使用水或溶劑進行接觸處理。所使用之溶劑，只要為可溶解經由輻射線照射而由液晶配向膜產生之分解物的溶劑時，並未有特別之限定。具體例如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑(cellosolve)、乳酸乙酯、乳酸甲酯、二丙酮醇、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸環己酯等。其中，就廣用性或溶劑之安全性等觀點，以水、2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯為佳。較佳為水、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯。該些溶劑，可使用1種類亦可、將2種類以上組合使用亦可。

本發明中之接觸處理，可列舉如，浸漬處理或噴霧處理(亦稱為SPRAY處理)。該些處理中之處理時間，就可有效率地溶解受到輻射線而由液晶配向膜所生成之分解物之觀點，以10秒鐘~1小時為佳。其中，又以進行1~30分鐘浸漬處理者為佳。又，前述接觸處理時的溶劑之溫度，可為常溫或加溫皆可，較佳為10~80℃。其中，又以20~50℃為佳。就分解物之溶解性之觀點，可配合必要性再進行超音波處理等亦可。

前述接觸處理之後，以使用水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮等低沸點溶劑進行沖洗 (亦稱為洗滌)或進行液晶配向膜之燒結為佳。此時，可進行洗滌與燒結中之任一者，或進行二者亦可。燒結之溫度，以150~300℃為佳。其中，又以180~250℃為佳。較佳者為200~230℃。又，燒結之時間，以10秒鐘~30分鐘為佳。其中，又以1~10分鐘為佳。

本發明之液晶配向膜，適合作為IPS方式或FFS方式等橫電場方式的液晶顯示元件之液晶配向膜，特別是適合於FFS方式的液晶顯示元件。本發明之液晶顯示元件，可製得付有由上述液晶配向劑所得之液晶配向膜之基板後，使用已知方法製作液晶晶胞，並使用該液晶晶胞作為元件使用者。

液晶晶胞之製作方法之一例示，將以被動元件矩陣構造之液晶顯示元件為例進行說明。又，其可為於構成畫像顯示之各畫素部份上，可設有TFT等開閉元件的主動矩陣構造之液晶顯示元件。

具體而言，可列舉如，準備透明的玻璃製之基板，一側之基板上設置共用電極、另一側之基板上設置節段電極。該些電極，例如，可作為ITO電極，且可以依所期待之畫像顯示方式進行圖型形成(Patterning)。其次，於各基板上，以被覆共用電極與節段電極之方式設置絕緣膜。絕緣膜，例如，可為依溶膠-凝膠法所得之由SiO₂-TiO₂所形成之膜。其次，依前述之條件，於各基板上形成液晶配向膜，將一側之基板與另一側之基板，以液晶配向膜面互相對向之方式重合，周邊則使用密封劑接著。密封 劑中，就控制基板間隙之目的，通常以混入間隔器放置者為佳。又，未設置密封劑之面內部份，亦以散佈控制基板間隙用之間隔器為佳。密封劑之一部份，以設置可由外部填充液晶之開口部者為佳。

隨後，通過設置於密封劑之開口部，將液晶材料注入由2片之基板與密封劑所包圍之空間內。其次，將此開口部使用接著劑密封。注入方法，可使用真空注入法亦可，或於大氣中利用毛細管現象之方法亦可。

液晶材料，可使用正型液晶材料或負型液晶材料中任一者皆可。隨後，進行偏光板之設置。具體而言，可列舉如，於與2片之基板之液晶層為相反面側之面，貼付一對偏光板者為佳。

[實施例]

本發明將以實施例作具體的說明，但本發明並不受該些實施例所限定。實施例、比較例所使用之化合物的簡稱，及特性評估方法係如以下所示。

NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮、GBL：γ-丁基內酯、BCS：丁基溶纖劑(cellosolve)、DBOP：二苯基(2,3-二氫-2-硫氧基-3-苯併噁唑基)膦酸酯、LS-4668：3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷

<黏度測定>

聚醯胺酸溶液，為使用E型黏度計TVE-22H(東機產業公司製)，以樣品量1.1mL、圓錐旋轉器TE-1(1°34’、 R24)下，測定25℃之黏度。

<醯亞胺化率之測定>

將聚醯亞胺粉末20mg置入NMR樣品管(草野科學公司製NMR樣品管狀標準物Φ5)，添加重氫化二甲基亞碸(DMSO-d6、0.05質量%TMS(四甲基矽烷)混合品)0.53ml，施加超音波，使其完全溶解。使用測定裝置(日本電子數據公司製、JNW-ECA500)測定該溶液之500MHz的質子NMR。

醯亞胺化率，為使用醯亞胺化前後未有變化之構造所產生之質子為基準質子所決定者，使用下式求得該質子之波峰積算值，與出現於9.5~10.0ppm附近的醯胺基之NH所產生之質子波峰積算值。

醯亞胺化率(%)=(1-α．x/y)×100

式中，x為由醯胺基之NH所產生之質子波峰積算值、y為基準質子之波峰積算值、α為聚醯胺酸(醯亞胺化率為0%)之情形中，相對於醯胺基之1個NH質子的基準質子之個數比例。

<摩擦耐性評估>

將液晶配向劑使用1.0μm之過濾器過濾之後，旋轉塗佈於附有透明電極之玻璃基板上，於80℃之加熱板上進行5分鐘乾燥後，於230℃燒結20分鐘，得膜厚100nm 之聚醯亞胺膜。將該聚醯亞胺膜使用尼龍布摩擦1次(滾筒徑120mm、迴轉數1000rpm、移動速度20mm/sec、壓入量0.4mm)。使用共焦點雷射顯微鏡觀察該膜表面之表面狀態，以倍率100倍觀察是否有切削屑與傷痕。以幾乎未發現切削屑或傷痕者定義為「良好」，發現多數切削屑或摩擦傷痕者定義為「不良」之方式進行評估。

<液晶顯示元件之製作>

首先準備付有電極之基板。基板為具有30mm×35mm大小、厚度為0.7mm之玻璃基板。基板上之第1層為構成對向電極之形成具備黏稠狀之圖型的IZO(Indium-Zinc-Oxide)電極。第1層之對向電極之上，則形成有作為第2層之依CVD(Chemical Vapor Deposition)法成膜之SiN(氮化矽)膜。第2層之SiN膜的膜厚為500nm，其具有作為層間絕緣膜之機能。第2層之SiN膜之上，配置有作為第3層之將IZO膜進行圖型形成而形成之櫛齒狀之畫素電極，而形成第1畫素及第2畫素等2個畫素。各畫素之尺寸為，縱10mm、橫約5mm。此時，第1層之對向電極與第3層之畫素電極，經由第2層之SiN膜的作用而形成電氣性絕緣。

第3層之畫素電極為具有中央部份為屈曲狀之「ㄑ」字形狀的電極要素以複數配列所構成之櫛齒狀之形狀。各電極要素之短邊方向之寬度為3μm，電極要素間之間隔為6μm。形成各畫素之畫素電極因為由中央部份為 屈曲之「ㄑ」字形狀的電極要素以複數配列所構成，故各畫素之形狀並非長方形狀，其具備與電極要素為相同之中央部份為屈曲之近似粗體的「ㄑ」字形狀。因而，各畫素由其中央屈曲部份為境界分割為上下，而具有屈曲部份上側之第1領域與下側之第2領域。

各畫素之第1領域與第2領域進行比較時，得知構成該些之畫素電極的電極要素之形成方向為互相相異者。即，以後述液晶配向膜之摩擦方向作為基準之情形，畫素之第1領域中，畫素電極之電極要素為以+10°之角度(順時鐘方向)形成，畫素之第2領域中，畫素電極之電極要素為以-10°之角度(順時鐘方向)形成者。即，各畫素之第1領域與第2領域，於受到電壓施加於畫素電極與對向電極之間所引起之液晶於基板面內之迴轉動作(In-Plane Switching)之方向，為形成互相為逆向之構成方式。

其次，將所得液晶配向劑使用1.0μm過濾器過濾之後，分別旋轉塗佈於所準備之上述付有電極之基板，與作為對向基板之裏面形成ITO膜，且具有高度4μm的柱狀間隔器之玻璃基板。其次，於80℃之加熱板上乾燥5分鐘後，於230℃下進行20分鐘燒結，製得具有膜厚60nm之塗膜的各基板上之聚醯亞胺膜。於該聚醯亞胺膜上，使用尼龍布依特定摩擦方向進行摩擦(滾筒徑120mm、迴轉數500rpm、移動速度30mm/sec、壓入量0.3mm)之後，於純水中進行1分鐘之超音波照射，再於80℃下乾燥10分鐘。

隨後，使用付有上述液晶配向膜之2種類的基板，將其分別以與摩擦方向為逆平行方式予以組合，留存液晶注入口，將其周圍密封，而製得晶胞間距為3.8μm之空晶胞。於該空晶胞中，將液晶(MLC-2041、美克公司製)於常溫下真空注入後，將注入口密封，製得反向平行配向之液晶晶胞。使用所得液晶晶胞構成FFS模式液晶顯示元件。隨後，將所得液晶晶胞於120℃下加熱1小時，放置一晚供各評估使用。

<殘像消除時間之評估>

使用以下之光學系統等進行殘像之評估。

將所製得之液晶晶胞設置於偏光軸以垂直交叉方式配置之2片偏光板之間，於無施加電壓之狀態下將LED背光光線點燈放置，調整液晶晶胞之配置角度，使其所透過之光線亮度達最小之狀態。

其次，於使用周波數30Hz之交流電壓施加於該液晶晶胞中，測定其V-T曲線(電壓-透過率曲線)，算出相對透過率達23%時之交流電壓作為驅動電壓。

殘像評估方法為，施加相對透過率達23%之周波數30Hz之交流電壓，於驅動液晶晶胞中，同時施加1V之直流電壓，並驅動60分鐘。隨後，將施加直流電壓值設定為0V，僅停止直流電壓之施加，於該狀態下再驅動30分鐘。

殘像評估為，以開始施加直流電壓之時點起經過60 分鐘為止間，相對透過率降低至30%以下之情形，定義為「良好」之方式進行評估。相對透過率降低至30%以下之時間需要60分鐘以上之情形，則定義為「不良」之方式進行評估。

殘像評估，為於液晶晶胞之溫度為23℃之狀態的溫度條件下進行。

<液晶配向之安定性評估>

使用該液晶晶胞，於60℃之恆溫環境下，施加周波數30Hz、10VPP之交流電壓168小時。隨後，使液晶晶胞之畫素電極與對向電極之間形成短路之狀態，於該狀態下、室溫下放置一日。

放置之後，將液晶晶胞設置於偏光軸以垂直交叉方式配置之2片之偏光板之間，於無施加電壓之狀態將背光光線點燈放置，調整液晶晶胞之配置角度，使透過之光線亮度達最小為止。隨後，算出液晶晶胞由第1畫素之第2領域中最暗之角度回轉至第1領域中最暗之角度為止時的迴轉角度作為角度△。第2畫素亦相同般，使第2領域與第1領域比較，算出相同之角度△。隨後，算出第1畫素與第2畫素之角度△值的平均值作為液晶晶胞之角度△。該液晶晶胞之角度△之值超過0.2度之情形，定義為「不良」之方式進行評估。該液晶晶胞之角度△之值未超過0.2度之情形，則定義為「良好」之方式進行評估。

<驅動後即時的閃爍程度之評估>

使用以下之光學系等進行殘像之評估。

將所製得之液晶晶胞設置於偏光軸以垂直交叉方式配置之2片之偏光板之間，於無施加電壓之狀態將LED背光光線點燈放置，調整液晶晶胞之配置角度，使透過之光線亮度達最小之狀態。其次，於對該液晶晶胞施加周波數30Hz之交流電壓中，測定V-T曲線(電壓-透過率曲線)，算出相對透過率為23%之交流電壓作為驅動電壓。

閃爍程度之測定方法，為將點燈放置之LED背光線予以熄燈，於72小時間遮光放置後，再度點燈，於背光線點燈開始的同時施加相對透過率為23%之周波數30Hz之交流電壓，再對液晶晶胞進行60分鐘之驅動，並追蹤閃爍之振幅。閃爍之振幅，為將通過2片之偏光板及於其中間的液晶晶胞的LED背光光線之透過光線，使用介由光二極體及I-V變換增幅器連接之數據收集/資料登錄開閉單位34970A(Agilent technologies公司製)讀取。閃爍程度為依以下計算式而算出。

閃爍程度(%)={閃爍振幅/(2×z)}×100

上述式中，z為使用數據收集/資料登錄開閉單位34970A，讀取驅動相對透過率為23%之周波數30Hz之交流電壓之際的亮度所得之值。

閃爍程度之評估，為測定LED背光線之點燈及交流電壓開始施加之時點起經過60分鐘為止，其閃爍 程度維持未達3%之情形，定義為「良好」之方式進行評估。經過60分鐘，閃爍程度達3%以上之情形，則定義為「不良」之方式進行評估。依上述方法所進行之閃爍程度之評估，為於液晶晶胞之溫度為23℃之狀態的溫度條件下進行。

<聚合物之合成>

[合成例1]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 0.836g(2.1mmol)及DA-2 1.46g(4.9mmol)之後，加入NMP26.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。該二胺溶液於攪拌中，加入CA-1 1.45g(6.6mmol)，加入NMP 7.7g之後，再於50℃之條件下，進行12小時之攪拌，得濃度(樹脂固形分濃度，以下相同)12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-1、黏度：170mPa．s)。

[合成例2]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 2.59g(6.5mmol)及DA-2 1.04g(3.5mmol)後，加入NMP33.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 2.07g(9.5mmol)，加入NMP 8.4g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-2、黏度：244mPa．s)。

[合成例3]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 3.18g(8.0mmol)及DA-2 0.59g(2.0mmol)後，加入NMP33.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 2.05g(9.5mmol)，加入NMP 9.7g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-3、黏度：347mPa．s)。

[合成例4]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 2.59g(6.5mmol)及DA-2 1.04g(3.5mmol)後，加入NMP33.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 1.41g(6.5mmol)、加入CA-2 0.58g(3.0mmol)、加入NMP 8.4g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-4、黏度：275mPa．s)。

[合成例5]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 2.23g(5.6mmol)及DA-2 0.42g(1.4mmol)後，加入NMP25.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 1.95g(6.6mmol)、加入NMP 6.3g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-5、黏度：196mPa．s)。

[合成例6]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 1.59g(4.0mmol)、DA-2 1.19g(4.0mmol)，及加入DA-3 0.79g(2.0mmol)後，加入NMP33.0g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 2.09g(9.5mmol)、加入NMP 9.6g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-6、黏度：325mPa．s)。

[合成例7]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 1.59g(4.0mmol)、DA-2 1.19g(4.0mmol)及加入DA-4 0.78g(2.0mmol)後，加入NMP33.0g，於送入氮氣中持續攪拌使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1 2.09g(9.5mmol)，加入NMP 9.9g後，再於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-7、黏度：306mPa．s)。

[合成例8]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-1 1.15g(3.0mmol)、DA-5 3.42g(14.0mmol)，及加入DA-4 1.67g(3.0mmol)後，加入NMP22.8g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入 CA-2 0.96g(4.9mmol)及加入CA-4 2.57g(13.0mmol)、加入NMP 17.0g後，再於室溫條件下，攪拌12小時，得濃度20質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-8、黏度：1280mPa．s)。

濾取該聚醯胺酸溶液(PAA-8)40.0g，加入NMP 83.0g後，加入乙酸酐3.90g及吡啶1.81g，於50℃下反應2小時20分鐘。將此反應溶液注入甲醇450g中，濾出所生成之沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於60℃下減壓乾燥，得聚醯亞胺之粉末。該聚醯亞胺之醯亞胺化率為57%。所得之聚醯亞胺粉末5.0g中加入NMP28g，於50℃下攪拌20hr，使其溶解，得聚醯亞胺溶液(SPI-1)。

[合成例9]

於付有攪拌裝置及氮導入管之100ml四口燒瓶中，投入CE-13.41g(12.4mmol)，再加入NMP72g，進行攪拌、使其溶解。其次，加入三乙胺(4.19g、41.4mmol)、DA-1(2.07g、7.8mmol)，及DA-5(1.26g、5.2mmol)，進行攪拌。該溶液於持續攪拌中，添加DBOP(10.3g、26.9mmol)，再加入NMP 10g，於室溫下攪拌12小時，得聚醯胺酸酯之溶液。將該聚醯胺酸酯溶液投入甲醇{630g}中，將所得之沈澱物濾出。該沈澱物使用甲醇洗淨後，於溫度100℃下減壓乾燥，得聚醯胺酸酯之粉末。取3g該聚醯胺酸酯粉末置入三角燒瓶中，加入NMP 11g及GBL 11g，製得聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)。

[合成例10]

於付有攪拌裝置及氮導入管之100ml四口燒瓶中，加入DA-2(4.47g、15mmol)及DA-6(1.50g、10mmol)後，加入NMP50g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-2 4.75g(24.2mmol)，再加入NMP 10.8g後，於室溫下攪拌12小時，得濃度15質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-11、黏度：600mPa．s)。

[合成例11]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-2(2.68g、9.0mmol)、DA-6(0.90g、6.0mmol)後，加入NMP30g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-2 1.76g(9.0mmol)及CA-3 1.54g(5.25mmol)，再加入NMP 9g後，於室溫下攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-10、黏度：375mPa．s)。

[合成例12]

於付有攪拌裝置及氮導入管之100ml四口燒瓶中，加入DA-2(4.65g、15.6mmol)、DA-5(1.27g、5.2mmol)，及DA-6(0.78g、5.2mmol)後，加入NMP74.7g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-2 4.84g(23.4mmol)，再加入NMP 10g後，於室溫下攪拌12小時，得濃度12質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-11、 黏度：300mPa．s)。

[合成例13]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-5(0.48g、2.0mmol)及DA-8(1.59g、8.0mmol)後，加入NMP 17g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1(1.09g、5.0mmol)，及CA-2(0.82g、4.3mmol)，再加入NMP 5.9g後，於室溫下攪拌12小時，得濃度15質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-12、黏度：655mPa．s)。

[合成例14]

於付有攪拌裝置及氮導入管之50ml四口燒瓶中，加入DA-2(2.98g，10.0mmol)後，加入NMP44.7g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-1(2.02g，9.3mmol)，再加入NMP 5.0g後，於50℃之條件下，攪拌12小時，得濃度10質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-13、黏度：140mPa．s)。

[合成例15]

於付有攪拌裝置及氮導入管之100ml四口燒瓶中，加入DA-4(6.68g、12.0mmol)，及DA-5(6.84g、28.0mmol)後，加入NMP57.6g，於送入氮氣中持續攪拌，使其溶解。此二胺溶液於持續攪拌中，加入CA-2(2.26g， 11.5mmol)，及CA-4(5.15g、26.0mmol)，再加入NMP 13.2g後，於室溫條件下，攪拌12小時，得濃度20質量%之聚醯胺酸溶液(PAA-14、黏度：1180mPa．s)。

濾取該聚醯胺酸溶液(PAA-14)40.0g，加入NMP 83.0g後，加入乙酸酐3.90g，及吡啶1.81g，於50℃下反應2小時20分鐘。將此反應溶液注入甲醇450g中，濾出所生成之沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於60℃下減壓乾燥，得聚醯亞胺之粉末。該聚醯亞胺之醯亞胺化率為65%。所得之聚醯亞胺粉末5.0g中加入NMP 28g，於50℃下，攪拌20hr使其溶解，得聚醯亞胺溶液(SPI-2)。

將製造上述合成例1~15所得之聚醯胺酸(PAA)、聚醯胺酸酯(PAE)及聚醯亞胺(SPI)所使用之作為原料的二胺、其使用量(mmol)、四羧酸衍生物，及其使用量(mmol)彙整，如以下表1所示。又，表1中，TEA表示三乙胺。

[實施例1]

濾取合成例1所得之聚醯胺酸溶液(PAA-1)5.0g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12.3g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-1)。

[實施例2]

濾取合成例2所得之聚醯胺酸溶液(PAA-2)5.4g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於 攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-2)。

[實施例3]

濾取合成例3所得之聚醯胺酸溶液(PAA-3)5.7g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於攪拌中，加入NMP 11.7g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-3)。

[實施例4]

濾取合成例4所得之聚醯胺酸溶液(PAA-4)5.4g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-4)。

[實施例5]

濾取合成例5所得之聚醯胺酸溶液(PAA-5)7.2g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)7.3g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g、含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-5)。

[實施例6]

濾取合成例6所得之聚醯胺酸溶液(PAA-6)5.3g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-6)。

[實施例7]

濾取合成例7所得之聚醯胺酸溶液(PAA-7)5.6g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.6g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-7)。

[實施例8]

將合成例13所得之聚醯胺酸溶液(PAA-12)10.5g加入合成例8所得之聚醯亞胺溶液(SPI-1)4.2g中，於攪拌中，加入NMP 11.5g、BCS 10g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-8)。

[實施例9]

將合成例13所得之聚醯胺酸溶液(PAA-12)10.5g加入 合成例9所得之聚醯胺酸酯溶液(PAE-1)4.2g中，於攪拌中，加入NMP 11.5g、BCS 10g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-9)。

[實施例10]

濾取合成例2所得之聚醯胺酸溶液(PAA-2)5.4g，將合成例11所得之聚醯胺酸溶液(PAA-10)10.5g加入其中，於攪拌中，加入NMP10.5g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-10)。

[實施例11]

濾取合成例2所得之聚醯胺酸溶液(PAA-2)5.4g，將合成例12所得之聚醯胺酸溶液(PAA-11)10.3g加入其中，於攪拌中，加入NMP 10.7g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-11)。

[比較例1]

濾取合成例14所得之聚醯胺酸溶液(PAA-13)5.5g，將合成例10所得之聚醯胺酸溶液(PAA-9)8.3g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配配向劑(Q-12)。

[比較例2]

濾取比較合成例2所得之聚醯亞胺溶液(SPI-2)4.2g，將合成例13所得之聚醯胺酸溶液(PAA-12)8.3g加入其中，於攪拌中，加入NMP 12g、BCS 12g，及含有LS-4668 1重量%之NMP溶液1.8g，再於室溫下攪拌2小時，得液晶配向劑(Q-13)。

對實施例1~11及比較例1、2所得之液晶配向劑，進行上述之摩擦耐性評估、殘像消除時間之評估、液晶配向之安定性評估，及驅動後即時的閃爍程度之評估。其結果係如表2所示。

由上述表2得知，實施例之液晶配向膜，無論摩擦耐性評估、殘像消除時間之評估、液晶配向之安定性評估，及驅動後即時的閃爍程度之評估中之任一者，皆顯示出良好的結果，但，比較例1、2所製得之液晶配向膜，於上述評估項目中之其中一項目當中顯示出不良之結果。

[產業上之利用性]

具有由本發明之液晶配向劑所形成之液晶配向膜的液晶顯示元件，特別是對於廣泛採用橫電場驅動方式之個人電腦、行動電話、電視機等為有用者。

又，2014年12月22日申請之日本專利申請案2014- 259248號之說明書、申請專利範圍，及摘要等全內容皆引用於此，作為本發明說明書之揭示內容。

Claims (13)

1. 一種液晶配向劑，其特徵為，含有由含有下述式(1)所表示之二胺的二胺成份與四羧酸成份反應而得之聚醯亞胺前驅體，及其經醯亞胺化而得之聚醯亞胺所成之群所選出之至少1個之特定聚合物(A)，與由二胺成份(式(1)所表示之二胺除外)與四羧酸成份反應而得之聚醯胺酸的特定聚合物(B)，

   

   (R¹及R²，各自獨立為氫原子、碳數1~4之烷基或下述式(2)所表示之基，其中至少一者為式(2)所表示之基；式(2)中，A為單鍵或碳數1~4之烴基的2價之基)

   
2. 如請求項1之液晶配向劑，其中，前述式(1)所表示之二胺為下述式(3)所表示之二胺，

   

   (R¹及R²，各自獨立為氫原子、碳數1~4之烷基或下述式(2)所表示之基，其中至少一者為式(2)所表示之基；式(2)中，A為單鍵或碳數1~4之烴基的2價之基；X¹及X²為各自獨立之2價之基；X¹及X²中可含有上述(1)之結 構)

   
3. 如請求項2之液晶配向劑，其中，前述式(3)所表示之二胺為下述式(4)所表示之二胺，

   

   (R¹、R²及A，與式(1)及(2)具有相同之意義，m及n，各自獨立為0~3)。
4. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，製得前述特定聚合物(A)所使用之全二胺成份的100莫耳%中，式(1)所表示之二胺為含有10~100莫耳%。
5. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，製得前述特定聚合物(A)所使用之全二胺成份的100莫耳%中，下述式[2-1]所表示之二胺為含有10~90莫耳%，

   

   (式[2-1]中，X¹為由下述式[2a-1]~式[2a-9]所示構造所選出之至少1個)

   

   (式[2a-6]中，n為1~5之整數，式[2a-7]中，n表示1~4之整數；式[2-1]中，A⁵及A⁶各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
6. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，製得前述特定聚合物(B)所使用之全二胺成份的100莫耳%中，下述式[4-1]所表示之二胺為含有10~90莫耳%，

   

   (式[4-1]中，X²為由下述式[4a-1]~式[4a-7]所示構造所選出之至少1個)

   

   (式[4a-4]中，A⁹表示氫原子或碳數1~5之烷基，A⁷及A⁸，各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基；式[4a-5]中，n表示1~5之整數；式[4a-6]中，n表示1~4之整數)。
7. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，製得前述特定聚合物(A)或前述特定聚合物(B)所使用之四羧酸成份為，四羧酸、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物、四羧酸二烷基酯，或四羧酸二烷基酯二鹵化物。
8. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，相對於前述特定聚合物(A)之100質量份，前述特定聚合物(B)為含有10~900質量份。
9. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，前述特定聚合物(A)之原料的四羧酸成份，及前述特定聚合物(B)之原料的四羧酸成份中之至少一者，為含有芳香族四羧酸衍生物。
10. 如請求項1~3中任一項之液晶配向劑，其中，溶解前述特定聚合物(A)及前述特定聚合物(B)之有機溶劑為含有70~99.9質量%。
11. 一種將如請求項1~10中任一項之液晶配向劑使用作為橫電場驅動元件用液晶配向劑之用途。
12. 一種液晶配向膜，其特徵為，使用如請求項1~10中任一項之液晶配向劑而製得者。
13. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具備如請求項12之液晶配向膜。