JP6597640B2 - 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、横電界駆動用液晶表示素子に好適な用いられる液晶配向剤、液晶配向膜、及び液晶表示素子に関する。

従来から液晶装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話、テレビジョン受像機等の表示部として幅広く用いられている。液晶装置は、例えば、素子基板とカラーフィルタ基板との間に挟持された液晶層、液晶層に電界を印加する画素電極及び共通電極、液晶層の液晶分子の配向性を制御する配向膜、画素電極に供給される電気信号をスイッチングする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を備えている。

液晶分子の駆動方式としては、ＴＮ方式、ＶＡ方式等の縦電界方式や、ＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式等の横電界方式が知られている。一般に、基板の片側のみに電極を形成させ、基板と平行方向に電界を印加する横電界方式では、従来の上下基板に形成された電極に、電圧を印加して液晶を駆動させる縦電界方式と比べ、広い視野角特性を有し、また高品位な表示が可能な液晶表示素子として知られている。

横電界方式の液晶セルは視野角特性に優れているものの、基板内に形成される電極部分が少ないために、液晶配向膜の電圧保持率が弱いと、液晶に十分な電圧がかからず表示コントラストが低下する。また、液晶配向の安定性が小さいと、液晶を長時間駆動させた際に、液晶が初期の状態に戻らなくなり、コントラストが低下したり残像の原因となるため、液晶配向の安定性が重要である。また、静電気が液晶セル内に蓄積されやすく、駆動によって生じる正負非対称電圧の印加によっても液晶セル内に電荷が蓄積され、これらの蓄積された電荷が液晶の配向を乱したり、或いは、残像として表示に影響を与え、液晶素子の表示品位を著しく低下させる。また、駆動直後にバックライト光が液晶セルに照射されることによっても電荷が蓄積され、短時間の駆動でも残像が発生したり、駆動中にフリッカー（ちらつき）の大きさが変化していく等の問題を生じてしまう。

一方、液晶配向膜は、液晶配向剤を印刷し、乾燥して、焼成を行った後に、ラビング処理を行って形成されるのが一般的であるが、横電界方式液晶セルでは、基板の片側のみに電極構造を有するため基板の凹凸が大きく、また、窒化珪素等の絶縁体が基板表面に形成されていることもあり、従来の配向剤と比較して、より印刷性に優れた液晶配向処理剤が求められている。更には、液晶配向の安定性を向上させるために、従来の液晶セルよりも強くラビング処理を施すことから、ラビング処理による剥離やラビング削れを引き起こしやすく、これらの剥がれや傷が表示品位を低下させる問題点がある。

このような横電界駆動液晶素子に用いた際、印刷性や耐ラビング性に優れ、かつ残像が少ない液晶配向剤として、特許文献１には、芳香族テトラカルボン酸に由来するアミック酸単位と、脂環式テトラカルボン酸に由来するアミック酸単位の両方を共重合又は混合により含有する液晶配向剤が開示されている。また、液晶配向性、配向規制力、ラビング耐性等に優れ、電圧保持率が高く、なおかつ、電荷蓄積を低減した液晶配向膜を得るための液晶配向剤として、特許文献２には、膜とした時の体積抵抗率が１×１０^１０〜１×１０^１４Ωｃｍである低抵抗のポリイミド前駆体と、特定構造を有する高配向のポリイミド前駆体又はポリイミドとを含有することを特徴とする液晶配向剤、及び、この液晶配向剤を用いた液晶表示素子が開示されている。
しかしながら、液晶表示素子の高性能化に伴い、液晶配向膜に要求される特性も厳しくなってきており、従来の技術のみでは全ての要求特性を満足することは難しい。

国際公開公報ＷＯ０２／３３４８１号パンフレット 国際公開公報ＷＯ２００４／５３５８３号パンフレット

本発明は、液晶配向の安定性に優れ、残像消去時間が短く、ラビング処理による剥離やラビング削れを起こしにくく、駆動直後からのフリッカーの変化が小さい液晶配向膜を得ることのできる特に横電界駆動素子用に優れる液晶配向剤を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、かかる課題を満たす本発明に到達したものであり、本発明は、下記を要旨とするものである。
１．下記式（１）で表されるジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリイミド前駆体、及びそれをイミド化して得られるポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである特定重合体（Ａ）と、
ジアミン成分（式（１）で表されるジアミンを除く）とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリアミド酸である特定重合体（Ｂ）と、
を含有することを特徴とする液晶配向剤。

（Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は下記式（２）で表される基であり、その少なくとも一方は、式（２）で表される基である。式（２）中、Ａは単結合又は炭素数１〜４の炭化水素基である２価の基である。）

２．前記式（１）で表されるジアミンが、下記式（３）で表されるジアミンである上記（１）に記載の液晶配向剤。

（Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は下記式（２）で表される基であり、その少なくとも一方は、式（２）で表される基である。式（２）中、Ａは単結合又は炭素数１〜４の炭化水素基である２価の基である。Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立した２価の基である。Ｘ^１及びＸ^２には上記（１）の構造を含んでも良い。）

３．前記式（３）で表されるジアミンが、下記式（４）で表されるジアミンである上記（２）に記載の液晶配向剤。

（Ｒ^１、Ｒ^２及びＡは、式（１）及び(２)と同義であり、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜３である。）
４．上記１〜３に記載されるいずれかの液晶配向剤を用いて得られる液晶配向膜。
５．上記４に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。

本発明の液晶配向剤から得られる液晶配向膜を備える、特に横電界駆動用液晶表示素子は、液晶配向の安定性に優れ、残像消去時間が短く、ラビング処理による剥離やラビング削づれ現象を起こしにくく、駆動直後からのフリッカーの変化が小さい優れた特性を有する。

＜ジアミン＞
本発明の液晶配向剤を得るために使用されるジアミン成分に含有されるジアミンは、下記式（１）で表される構造を分子中に有するジアミンである。

（式（１）及び（２）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＡは、上記で定義したとおりである。なかでも、Ｒ^１及びＲ^２は、その少なくとも一方、又は両方とも、式（２）で表される基が好ましく、ラビング時の配向膜強度の観点から、Ｒ^１及びＲ^２のどちらか一方のみが、式（２）で表される基であるのが好ましい。
Ａは、好ましくは単結合である。ここで、Ａが単結合の場合、式（２）の基は、ｔ−ブトキシカルボニル基（本発明では、Ｂｏｃ基ともいう。）である

上記式（１）で表される構造を分子内に有するジアミンは、かかる要件を満足する限り、いずれのジアミンでもよい。その好ましい例として、下記式（３）で表されるジアミンが挙げられる。

（式[１]中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの好ましいものも含めて、式（１）における場合と同じである。Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立した２価の基であり、Ｘ^１及びＸ^２には上記（１）の構造を含んでも良い。）
上記式（３）で表される構造を分子内に有するジアミンは、かかる要件を満足する限り、いずれのジアミンでもよい。その好ましい例として、下記式（４）で表されるジアミンが挙げられる。

式（４）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの好ましいものも含めて、式（１）における場合と同じである。ｍ、ｎは、それぞれ独立に、０〜３の整数であり、原料入手の容易性から、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。
また、式（４）中、それぞれのベンゼン環におけるアミノ基（−ＮＨ_２）は、アルキレン基の結合位置に対して、オルト、メタ、又はパラのいずれの位置でもよいが、合成の容易性、及び重合反応性の点から、メタ、又はパラの位置が好ましく、パラの位置がより好ましい。

式（４）で表されるジアミンの例としては、好ましくは、以下の化合物が挙げられる。なお、以下に例示される化合物の式において、Ｂｏｃは下記で表される基である。

＜特定重合体（Ａ）＞
特定重合体（Ａ）は、上記した式（１）で表される構造を有するジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリイミド前駆体、又は該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドであるからなる群から選ばれる少なくとも１種の重合体である。ポリイミド前駆体には、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステル等が含まれ、下記式［Ａ］で表される。

（式、Ｒ^１は４価の有機基であり、Ｒ^２は２価の有機基であり、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ａ^３及びＡ^４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、又は炭素数１〜１０のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有してもよい。ｎは正の整数を示す。）

前記ジアミン成分としては、式（１）で表される構造を有するジアミン（特定ジアミンともいう。）を含有する、分子内に１級又は２級のアミノ基を２個有するジアミンが挙げられる。
前記テトラカルボン酸成分としては、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル、又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドが挙げられ、本発明では、これらを総称してテトラカルボン酸成分ともいう。

式［Ａ］中のＡ^１及びＡ^２が水素原子であるポリアミド酸は、前記分子内に１級又は２級のアミノ基を２個有するジアミンと、テトラカルボン酸化合物、テトラカルボン酸二無水物又はテトラカルボン酸ジハライドとを反応させることで得られる。
式［Ａ］中のＡ^１及びＡ^２が炭素数１〜５のアルキル基であるポリアミド酸アルキルエステルは、前記ジアミンと、テトラカルボン酸ジアルキルエステル、又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドとを反応させることで得られる。

特定ジアミンの含有量は、特定重合体（Ａ）を得るために使用される全ジアミン成分１００モル％中、１０〜１００モル％が好ましく、１５〜８０モル％より好ましい。上記全ジアミン成分には、特定ジアミンとともに、下記式［２−１］で表されるジアミン（第２のジアミンともいう）が含有されることが好ましい。

式［２−１］中、Ｘ^１は下記式［２ａ−１］〜式［２ａ−９］で示される構造から選ばれる少なくとも１つである。

上記式[２ａ−６]中、ｎは１〜５の整数、式[２ａ−７]中、ｎは１〜４の整数を示す。
式［２−１］中、Ａ^５及びＡ^６は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。
式［２−１］中のジアミンのＸ^１は、液晶配向性の点から、式［２ａ−１］、式［２ａ−３］、式［２ａ−４］、又は式［２ａ−６］〜式［２ａ−９］が好ましい。より好ましくは、式［２ａ−３］、式［２ａ−６］、式［２ａ−８］、又は式［２ａ−９］である。

第２のジアミンの含有量は、全ジアミン成分１００モル％中、１０〜９０モル％が好ましく、より好ましくは２０〜８５モル％である。
第２のジアミンは、特定重合体（Ａ）の溶媒への溶解性や液晶配向剤の塗布性、液晶配向膜とした場合における液晶配向性、電圧保持率、蓄積電荷等の特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合しても使用できる。

特定重合体（Ａ）を得るためにジアミン成分としては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定ジアミン及び第２のジアミンとともに、その他のジアミンを用いることもできる。
その他のジアミンとして、２，４−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，６−ジアミノトルエン、ｍ−フェニレンジアミン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ビフェニル、３，３’−トリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジアミノビフェニル、２，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２’−ジアミノジフェニルメタン、２，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２’−ジアミノジフェニルエーテル、２，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−スルホニルジアニリン、３，３’−スルホニルジアニリン、ビス（４−アミノフェニル）シラン、ビス（３−アミノフェニル）シラン、ジメチル−ビス（４−アミノフェニル）シラン、ジメチル−ビス（３−アミノフェニル）シラン、４，４’−チオジアニリン、３，３’−チオジアニリン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、３，３’−ジアミノジフェニルアミン、３，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２’−ジアミノジフェニルアミン、２，３’−ジアミノジフェニルアミン、Ｎ−メチル（４，４’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（３，３’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（３，４’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（２，２’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（２，３’−ジアミノジフェニル）アミン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、１，４−ジアミノナフタレン、２，２’−ジアミノベンゾフェノン、２，３’−ジアミノベンゾフェノン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，５−ジアミノナフタレン、２，６ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、２，８−ジアミノナフタレン、１，２−ビス（３−アミノフェニル）エタン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ブタン、ビス（３，５−ジエチル−４−アミノフェニル）メタン、１，４−ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４-アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４-アミノフェニル）ベンゼン、１，４−ビス（４-アミノベンジル）ベンゼン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，４’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，４’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，３’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，３’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、１，４−フェニレンビス［（４−アミノフェニル）メタノン］、１，４−フェニレンビス［（３−アミノフェニル）メタノン］、１，３−フェニレンビス［（４−アミノフェニル）メタノン］、１，３−フェニレンビス［（３−アミノフェニル）メタノン］、１，４−フェニレンビス（４−アミノベンゾエート）、１，４−フェニレンビス（３−アミノベンゾエート）、１，３−フェニレンビス（４−アミノベンゾエート）、１，３−フェニレンビス（３−アミノベンゾエート）、ビス（４−アミノフェニル）テレフタレート、ビス（３−アミノフェニル）テレフタレート、ビス（４−アミノフェニル）イソフタレート、ビス（３−アミノフェニル）イソフタレート、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（４−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビス（４−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（３−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビス（３−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−アミノフェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノフェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−アミノフェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノフェニル）イソフタルアミド、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）プロパン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ブタン、１，５−ビス（３−アミノフェノキシ）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェノキシ）へキサン、１，６−ビス（３−アミノフェノキシ）へキサン、１，７−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，７−（３−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェノキシ）オクタン、１，８−ビス（３−アミノフェノキシ）オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェノキシ）ノナン、１，９−ビス（３−アミノフェノキシ）ノナン、１，１０−（４−アミノフェノキシ）デカン、１，１０−（３−アミノフェノキシ）デカン、１，１１−（４−アミノフェノキシ）ウンデカン、１，１１−（３−アミノフェノキシ）ウンデカン、１，１２−（４−アミノフェノキシ）ドデカン、１，１２−（３−アミノフェノキシ）ドデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノへキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、又はこれらのアミノ基が２級のアミノ基であるジアミンが挙げられる。その他ジアミンは１種類又は２種類以上を混合しても使用できる。

特定重合体（Ａ）を得るためのテトラカルボン酸成分としては、下記式（５）で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましいが、それだけでなく、その誘導体である、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドを用いることもできる。本発明では、これらを総称して第１のテトラカルボン酸成分ともいう。

（Ｙ^１は下記式［５ａ］〜式［５ｑ］からなる群から選ばれる少なくとも１種を示す。）

式［５ａ］中、Ｚ^１〜Ｚ^４は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、塩素原子又はベンゼン環を示す。
式［５ｇ］中、Ｚ^５及びＺ^６は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を示す。
式［５］中のＺ^１は、合成の容易さやポリマーを製造する際の重合反応性のし易さの点から、式［５ａ］、式［５ｃ］〜［５ｇ］、式［５ｋ］〜式［５ｍ］又は式［５ｐ］が好ましく、より好ましくは、式［５ａ］、式［５ｅ］、式［５ｆ］、式［５ｌ］、式［５ｍ］又は式［５ｐ］である。液晶配向性の観点から、特に好ましいのは、式［３ａ］又は式［５ｍ］であり、式［５ａ］中、Ｚ^１〜Ｚ^４は水素原子が好ましい。

第１のテトラカルボン酸成分は、特定重合体（Ａ）を得るための全テトラカルボン酸成分１００モル％中、３０〜１００モル％が好ましく、５０〜１００モル％がより好ましく、特に好ましくは、７０〜１００モル％である。
第１のテトラカルボン酸成分は、特定重合体（Ａ）の溶媒への溶解性や液晶配向剤の塗布性、液晶配向膜とした場合における液晶の配向性、電圧保持率、蓄積電荷等の特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合して使用することもできる。

特定重合体（Ａ）を得るためのテトラカルボン酸成分は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、第１のテトラカルボン酸成分以外のその他のテトラカルボン酸成分を使用できる。その他のテトラカルボン酸成分としては、下記するテトラカルボン酸化合物、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドが挙げられる。
具体的には、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−アントラセンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン、２，３，４，５−ピリジンテトラカルボン酸、２，６−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ピリジン、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸、１，３−ジフェニル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸等が挙げられる。その他のテトラカルボン酸成分は、１種又は２種以上を混合して使用することもできる。

＜特定重合体（Ｂ）＞
本発明の特定重合体（Ｂ）は、ジアミン成分（上記式（１）で表される構造を有するジアミンを除く）とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリイミド前駆体、又は該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドであるからなる群から選ばれる少なくとも１種の重合体である。ポリイミド前駆体には、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステル等が含まれである。

特定重合体（Ｂ）を得るためのジアミン成分は、下記式［４−１］で表されるその他のジアミン（第３のジアミンともいう。）を用いることが好ましい。

式［４−１］中、Ｘ^２は下記式［４ａ−１］〜式［４ａ−７］で示される構造から選ばれる少なくとも１つである。

式[４ａ−４]中、Ａ^９は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。式[４ａ−５]中、ｎは１〜５の整数を示す。式[４ａ−６]中、ｎは１〜４の整数を示す。）
式［４−１］中、Ａ^７及びＡ^８は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。

式［４−１］中のジアミンのＸ^２としては、電圧保持率の観点から、式［４ａ−２］〜式［４ａ−４］、式［４ａ−６］、又は式［４ａ−７］が好ましい。より好ましいのは、式［４ａ−３］、式［４ａ−４］、又は式［４ａ−７］である。
第３のジアミンは、特定重合体（Ｂ）を得るための全ジアミン成分１００モル％中、２０〜１００モル％が好ましく、より好ましくは４０〜１００モル％であり、更に好ましくは６０〜１００モル％である。
第３のジアミンは、特定重合体（Ｂ）の溶媒への溶解性や液晶配向剤の塗布性、液晶配向膜とした場合における液晶配向性、電圧保持率、蓄積電荷等の特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合しても使用できる。

特定重合体（Ｂ）を得るためのジアミン成分としては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、第３のジアミンとともに、その他のジアミン（その他ジアミンともいう）を用いることもできる。その具体例としては、特定重合体（Ａ）を得るための挙げたその他のジアミンの具体例と同じものが挙げられる。

特定重合体（Ｂ）を得るためのテトラカルボン酸成分としては、下記式［６］で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。その際、式［６］で表されるテトラカルボン酸二無水物だけでなく、そのテトラカルボン酸誘導体であるテトラカルボン酸、又はテトラカルボン酸ジハライドを用いることもできる。本発明では、これらのテトラカルボン酸二無水物又はその誘導体を総称して第２テトラカルボン酸成分ともいう。

（式［６］中のＺ^２は、好ましい態様も含めて上記した式［５］の定義と同じである。）

特定重合体（Ｂ）における第２のテトラカルボン酸成分は、全テトラカルボン酸成分１００モル％中、３０〜１００モル％が好ましく、５０〜１００モル％がより好ましく、特に好ましくは、７０〜１００モル％である。
第２のテトラカルボン酸成分は、特定重合体（Ｂ）の溶媒への溶解性や液晶配向剤の塗布性、液晶配向膜とした場合における液晶の配向性、電圧保持率、蓄積電荷等の特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合して使用することもできる。

特定重合体（Ｂ）を得るための全テトラカルボン酸成分には、本発明の効果を損なわない限りにおいて、第２テトラカルボン酸成分以外のその他のテトラカルボン酸成分を用いることもできる。かかるその他のテトラカルボン酸成分の具体例としては、特定重合体（Ａ）を得るためのその他のテトラカルボン酸成分として例示したその他のジアミンの具体例と同じものが挙げられる。

電圧保持率・ラビング耐性の観点から、特定重合体（Ａ）におけるテトラカルボン酸成分、及び特定重合体（Ｂ）におけるテトラカルボン酸成分の少なくとも一方には、脂肪族テトラカルボン酸誘導体が含まれることが好ましい。
脂肪族テトラカルボン酸誘導体の含有量は、全テトラカルボン酸成分１００モル％に対して、２０〜１００モル％、好ましくは５０〜１００モル％である。

＜特定重合体（Ａ）及び特定重合体（Ｂ）の製造方法＞
これらの重合体を製造する方法は、通常、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られる。一般的には、テトラカルボン酸二無水物及びそのテトラカルボン酸の誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種のテトラカルボン酸成分と、１種又は複数種のジアミンからなるジアミン成分とを反応させて、ポリアミド酸を得る方法が挙げられる。具体的には、テトラカルボン酸二無水物と１級又は２級のジアミンとを重付加させてポリアミド酸を得る方法、テトラカルボン酸と１級又は２級のジアミンとを重縮合させてポリアミド酸を得る方法、又はテトラカルボン酸ジハライドと１級又は２級のジアミンとを重縮合させてポリアミド酸を得る方法が用いられる。

ポリアミド酸アルキルエステルを得るためには、カルボン酸基をジアルキルエステル化したテトラカルボン酸と１級又は２級のジアミンとを重縮合させる方法、カルボン酸基をハロゲン化したテトラカルボン酸ジハライドと１級又は２級のジアミンとを重縮合させる方法、又はポリアミド酸のカルボキシ基をエステルに変換する方法が用いられる。
ポリイミドを得るには、前記のポリアミド酸又はポリアミド酸アルキルエステルを閉環させてポリイミドとする方法が用いられる。

ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応は、通常、溶媒中で行う。その際に用いる溶媒としては、生成したポリイミド前駆体が溶解するものであれば特に限定されない。下記に、反応に用いる溶媒の具体例を挙げるが、これらの例に限定されない。
例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン又はγ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド又は１，３−ジメチル−イミダゾリジノンが挙げられる。また、ポリイミド前駆体の溶媒溶解性が高い場合は、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン又は下記式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で表される溶媒を用いることができる。

（式［Ｄ−１］中、Ｄ^１は炭素数１〜３のアルキル基を示し、式［Ｄ−２］中、Ｄ^２は炭素数１〜３のアルキル基を示し、式［Ｄ−３］中、Ｄ^３は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）

これらの溶媒は単独で使用しても、混合して使用してもよい。更に、ポリイミド前駆体を溶解させない溶媒であっても、生成したポリイミド前駆体が析出しない範囲で、前記溶媒に混合して使用してもよい。また、溶媒中の水分は、重合反応を阻害し、更には、生成したポリイミド前駆体を加水分解させる原因となるので、溶媒は脱水乾燥させたものを用いることが好ましい。

ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを溶媒中で反応させる際には、ジアミン成分を溶媒に分散或いは溶解させた溶液を攪拌させ、テトラカルボン酸成分をそのまま、又は溶媒に分散或いは溶解させて添加する方法、逆にテトラカルボン酸成分を溶媒に分散、或いは溶解させた溶液にジアミン成分を添加する方法、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを交互に添加する方法等が挙げられ、これらのいずれの方法を用いてもよい。また、ジアミン成分又はテトラカルボン酸成分を、それぞれ複数種用いて反応させる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させてもよく、個別に順次反応させてもよく、更に個別に反応させた低分子量体を混合反応させ重合体としてもよい。

その際の重合温度は、−２０〜１５０℃の任意の温度を選択することができるが、好ましくは−５〜１００℃の範囲である。
また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な攪拌が困難となる。そのため、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％である。反応初期は高濃度で行い、その後、溶媒を追加できる。
ポリイミド前駆体の重合反応においては、ジアミン成分の合計モル数とテトラカルボン酸成分の合計モル数の比は０．８〜１．２であることが好ましい。通常の重縮合反応と同様に、このモル比が１．０に近いほど生成するポリイミド前駆体の分子量は大きくなる。

ポリイミドは、前記のポリイミド前駆体を閉環させて得られるポリイミドであり、このポリイミドにおいては、アミド酸基の閉環率（イミド化率ともいう）は必ずしも１００％である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整できる。
ポリイミド前駆体をイミド化させる方法としては、ポリイミド前駆体の溶液をそのまま加熱する熱イミド化、又はポリイミド前駆体の溶液に触媒を添加する触媒イミド化が挙げられる。

ポリイミド前駆体を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、１００〜４００℃、好ましくは１２０〜２５０℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方法が好ましい。ポリイミド前駆体の触媒イミド化は、ポリイミド前駆体の溶液に、塩基性触媒と酸無水物とを添加し、−２０〜２５０℃、好ましくは０〜１８０℃で攪拌することにより行うことができる。

塩基性触媒の量は、アミド酸基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍であり、酸無水物の量は、アミド酸基の１〜５０モル倍、好ましくは３〜３０モル倍である。
塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等を挙げることができる。なかでも、ピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。
酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等を挙げることができる。特に、無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。
触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。

ポリイミド前駆体又はポリイミドの反応溶液から、生成したポリイミド前駆体又はポリイミドを回収する場合には、反応溶液を溶媒に投入して沈殿させればよい。沈殿に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、ベンゼン、水等を挙げることができる。溶媒に投入して沈殿させたポリマーは、濾過して回収した後、常圧或いは減圧下で、常温或いは加熱して乾燥することができる。また、沈殿回収した重合体を、溶媒に再溶解させ、再沈殿回収する操作を２〜１０回繰り返すと、重合体中の不純物を少なくすることができる。この際の溶媒として、例えば、アルコール類、ケトン類、炭化水素等が挙げられる。これら中から選ばれる３種類以上の溶媒を用いると、より一層精製の効率が上がるので好ましい。

本発明のポリアミド酸アルキルエステルを製造するための、より具体的な方法を下記（１）〜（３）に示す。
（１）ポリアミド酸のエステル化反応で製造する方法
ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とからポリアミド酸を製造し、そのカルボキシ基（ＣＯＯＨ基）に、化学反応、すなわち、エステル化反応を行い、ポリアミド酸アルキルエステルを製造する方法である。
エステル化反応は、ポリアミド酸とエステル化剤を溶媒の存在下で、−２０〜１５０℃（好ましくは０〜５０℃）において、３０分〜２４時間（好ましくは１〜４時間）反応させる方法である。

前記エステル化剤としては、エステル化反応後に、容易に除去できるものが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジネオペンチルブチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ−ｔ−ブチルアセタール、１−メチル−３−ｐ−トリルトリアゼン、１−エチル−３−ｐ−トリルトリアゼン、１−プロピル−３−ｐ−トリルトリアゼン、４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロリド等が挙げられる。エステル化剤の使用量は、ポリアミド酸の繰り返し単位１モルに対して、２〜６モル当量が好ましい。なかでも、２〜４モル当量が好ましい。

前記エステル化反応に用いる溶媒としては、ポリアミド酸の溶媒への溶解性の点から、前記ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応に用いる溶媒が挙げられる。なかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン又はγ−ブチロラクトンが好ましい。これら溶媒は、１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
前記エステル化反応における溶媒中のポリアミド酸の濃度は、ポリアミド酸の析出が起こりにくい点から、１〜３０質量％が好ましい。なかでも、５〜２０質量％が好ましい。

（２）ジアミン成分とテトラカルボン酸ジエステルジクロリドとの反応で製造する方法
具体的には、ジアミン成分とテトラカルボン酸ジエステルジクロリドとを、塩基と溶媒の存在下で、−２０〜１５０℃（好ましくは０〜５０℃）において、３０分〜２４時間（好ましくは１〜４時間）反応させる方法である。
塩基は、ピリジン、トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン等を用いることができる。なかでも、反応が穏和に進行するため、ピリジンが好ましい。塩基の使用量は、反応後に、容易に除去できる量が好ましく、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドに対して、２〜４倍モルであることが好ましい。なかでも、２〜３倍モルがより好ましい。

溶媒には、得られる重合体、すなわち、ポリアミド酸アルキルエステルの溶媒への溶解性の点から、前記ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応に用いる溶媒が挙げられる。なかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン又はγ−ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は、１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
反応における溶媒中のポリアミド酸アルキルエステルの濃度は、ポリアミド酸アルキルエステルの析出が起こりにくい点から、１〜３０質量％が好ましい。なかでも、５〜２０質量％が好ましい。また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドの加水分解を防ぐため、ポリアミド酸アルキルエステルの作製に用いる溶媒は、できるだけ脱水されていることが好ましい。更に、反応は窒素雰囲気中で行い、外気の混入を防ぐのが好ましい。

（３）ジアミン成分とテトラカルボン酸ジエステルとの反応で製造する方法
具体的には、ジアミン成分とテトラカルボン酸ジエステルとを、縮合剤、塩基及び溶媒の存在下で、０〜１５０℃（好ましくは０〜１００℃）において、３０分〜２４時間（好ましくは３〜１５時間）重縮合反応させる方法である。

縮合剤には、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ−１，３，５−トリアジニルメチルモルホリニウム、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムテトラフルオロボラート、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾリル）ホスホン酸ジフェニル等を用いることができる。縮合剤の使用量は、テトラカルボン酸ジエステルに対して、２〜３倍モルが好ましく、特に、２〜２．５倍モルが好ましい。

塩基には、ピリジン、トリエチルアミン等の３級アミンを用いることができる。塩基の使用量は、重縮合反応後に、容易に除去できる量が好ましく、ジアミン成分に対して、２〜４倍モルが好ましく、２〜３倍モルがより好ましい。
重縮合反応に用いる溶媒は、得られる重合体、すなわち、ポリアミド酸アルキルエステルの溶媒への溶解性の点から、前記ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応に用いる溶媒が挙げられる。なかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン又はγ−ブチロラクトンが好ましい。これら溶媒は、１種又は２種以上を混合して用いてもよい。

また、重縮合反応においては、ルイス酸を添加剤として加えることで、反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウム等のハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の使用量は、ジアミン成分に対して、０．１〜１０倍モルが好ましい。なかでも、２．０〜３．０倍モルが好ましい。

上記（１）〜（３）の手法で得られたポリアミド酸アルキルエステルの溶液から、ポリアミド酸アルキルエステルを回収する場合には、反応溶液を溶媒に投入して沈殿させればよい。沈殿に用いる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等を挙げることができる。溶媒に投入して沈殿させた重合体は、前記で使用した添加剤、触媒類を除去することを目的に、上記溶媒で、複数回洗浄操作を行うことが好ましい。洗浄し、ろ過して回収した後、重合体は常圧或いは減圧下、常温或いは加熱して乾燥することができる。また、沈殿回収した重合体を、溶媒に再溶解させ、再沈殿回収する操作を２〜１０回繰り返すことにより、重合体中の不純物を少なくすることができる。
ポリアミド酸アルキルエステルは、前記（２）又は（３）の製造方法が好ましい。

＜液晶配向剤＞
本発明の液晶配向剤は、液晶配向膜（樹脂被膜ともいう）を形成するための塗布溶液であり、特定重合体（Ａ）、特定重合体（Ｂ）及び有機溶媒を含有する。
液晶配向剤における特定重合体（Ｂ）の割合は、特定重合体（Ａ）１００質量部に対して、１０〜９００質量部が好ましい。中でも、２５〜７００質量部が好ましく、より好ましいのは、５０〜５００質量部である。最も好ましいのは１００〜４００質量部である。

本発明の液晶配向剤における全ての重合体成分は、全てが本発明の特定重合体（Ａ）及び（Ｂ）であってもよく、それ以外の他の重合体が混合されていても良い。それ以外の重合体としては、特定構造（１Ａ）、特定構造（１Ｂ）及び特定構造（２）を持たないポリイミド前駆体及びポリイミドが挙げられる。更には、セルロース系重合体、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリスチレン、ポリアミド、ポリシロキサン等も挙げられる。その際、それ以外の他の重合体の含有量は、特定重合体（Ａ）及び（Ｂ）の合計１００質量部に対して、０．５〜１５質量部である。なかでも、１〜１０質量部が好ましい。

また、液晶配向剤中の有機溶媒の含有量は、７０〜９９．９質量％であることが好ましい。この含有量は、液晶配向剤の塗布方法や目的とする液晶配向膜の膜厚によって、適宜変更することができる。
液晶配向剤に用いる有機溶媒は、特定重合体（Ａ）及び特定重合体（Ｂ）を溶解させる溶媒（良溶媒ともいう）を含有すれば特に限定されない。下記に、良溶媒の具体例を挙げるが、これらの例に限定されない。
例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等を挙げることができる。

なかでも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、又はγ−ブチロラクトンを用いることが好ましい。
更に、特定重合体（Ａ）及び特定重合体（Ｂ）の溶媒への溶解性が高い場合は、前記式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で表される溶媒を用いることが好ましい。
本発明の液晶配向剤における良溶媒は、液晶配向剤に含まれる溶媒全体の２０〜９９質量％であることが好ましい。なかでも、２０〜９０質量％が好ましい。より好ましいのは、３０〜８０質量％である。

本発明の液晶配向剤は、本発明の効果を損なわない限り、液晶配向剤を塗布した際の液晶配向膜の塗膜性や表面平滑性を向上させる溶媒（貧溶媒ともいう）を用いることができる。下記に、貧溶媒の具体例を挙げるが、これらの例に限定されない。
例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、１，２−ブトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、３−エトキシブチルアセタート、１−メチルペンチルアセタート、２−エチルブチルアセタート、２−エチルヘキシルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、２−（メトキシメトキシ）エタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、フルフリルアルコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、１−（ブトキシエトキシ）プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアセタート、ジエチレングリコールアセタート、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステル、前記式［Ｄ−１］〜［Ｄ−３］で表される溶媒等を挙げることができる。

なかでも、１−ヘキサノール、シクロヘキサノール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル又はジプロピレングリコールジメチルエーテルを用いることが好ましい。
これら貧溶媒は、液晶配向剤に含まれる溶媒全体の１〜８０質量％が好ましく、１０〜８０質量％がより好ましく、２０〜７０質量％が特に好ましい。

本発明の液晶配向剤は、エポキシ基、イソシアネート基、オキセタン基又はシクロカーボネート基を有する架橋性化合物、ヒドロキシ基、ヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基を有する架橋性化合物、又は重合性不飽和結合を有する架橋性化合物を含有することが好ましい。これら置換基や重合性不飽和結合は、架橋性化合物中に２個以上有する必要がある。

エポキシ基又はイソシアネート基を有する架橋性化合物としては、ビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。

オキセタン基を有する架橋性化合物は、下記式［４Ａ］で示すオキセタン基を少なくとも２個有する架橋性化合物である。

具体的には、国際公開公報ＷＯ２０１１／１３２７５１（２０１１．１０．２７公開）の５８〜５９頁に掲載の式［４ａ］〜［４ｋ］で表される架橋性化合物が挙げられる。

シクロカーボネート基を有する架橋性化合物としては、下記式［５Ａ］で表されるシクロカーボネート基を少なくとも２個有する架橋性化合物である。

具体的には、国際公開公報ＷＯ２０１２／０１４８９８（２０１２．２．２公開）の７６〜８２頁に掲載される式［５−１］〜［５−４２］の架橋性化合物が挙げられる。

ヒドロキシ基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基を有する架橋性化合物としては、例えば、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するアミノ樹脂、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。具体的には、アミノ基の水素原子が、メチロール基及び／又はアルコキシメチル基で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体、又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体は、２量体又は３量体として存在することも可能である。これらは、トリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以上６個以下有するものが好ましい。

このようなメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販品のトリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均３．７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ−３０（以上、三和ケミカル社製）、サイメル３００、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２５、３２７、７０３、７１２等のメトキシメチル化メラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２５３、２５４等のメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル５０６、５０８等のブトキシメチル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシ基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカルボキシ基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン（以上、三井サイアナミド社製）等が挙げられる。

また、グリコールウリルの例として、サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコールウリル等、パウダーリンク１１７４のようなメトキシメチロール化グリコールウリル等が挙げられる。

ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するベンゼン又はフェノール性化合物としては、例えば、１，３，５−トリス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメチル）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。
より具体的には、国際公開公報ＷＯ２０１１／１３２７５１．（２０１１．１０．２７公開）の６２〜６６頁に掲載される、式［６−１］〜［６−４８］で表される架橋性化合物が挙げられる。

重合性不飽和結合を有する架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリロイルオキシエトキシトリメチロールプロパン、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に３個有する架橋性化合物；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイドビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイドビスフェノール型ジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に２個有する架橋性化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルリン酸エステル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等の重合性不飽和基を分子内に１個有する架橋性化合物；等が挙げられる。

更に、下記式［７Ａ］で表される化合物を用いることもできる。

（式［７Ａ］中、Ｅ_１はシクロヘキサン環、ビシクロヘキサン環、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ナフタレン環、フルオレン環、アントラセン環及びフェナントレン環からなる群から選ばれる少なくとも１つの環を示し、Ｅ_２は下記式［７ａ]及び［７ｂ］からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。）

上記化合物は架橋性化合物の一例であり、これらに限定されない。また、本発明の液晶配向剤に用いる架橋性化合物は、１種類でも、２種類以上組み合わせてもよい。
架橋性化合物の含有量は、すべての重合体成分１００質量部に対して、０．１〜１５０質量部であることが好ましい。なかでも、架橋反応が進行し目的の効果を発現させるためには、全ての重合体成分１００質量部に対して０．１〜１００質量部が好ましい。より好ましいのは、１〜５０質量部である。

液晶配向剤は、本発明の効果を損なわない限り、液晶配向剤を塗布した際の液晶配向膜の膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物を含有することができる。
液晶配向膜の膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノ二オン系界面活性剤等が挙げられる。
より具体的には、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（以上、トーケムプロダクツ社製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（以上、大日本インキ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（以上、旭硝子社製）等が挙げられる。
界面活性剤の使用割合は、液晶配向剤に含有される全ての重合体成分１００質量部に対し、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。

更に、液晶配向剤には、液晶配向膜中の電荷移動を促進して素子の電荷抜けを促進させる化合物として、国際公開公報ＷＯ２０１１／１３２７５１（２０１１．１０．２７公開）の６９〜７３頁に掲載される、式［Ｍ１］〜［Ｍ１５６］で表される窒素含有複素環アミン化合物を添加することもできる。このアミン化合物は、液晶配向剤に直接添加しても構わないが、適当な溶媒で、濃度０．１〜１０質量％、好ましくは１〜７質量％の溶液にしてから添加することが好ましい。これらの溶媒は、上述した特定重合体（Ａ）及び特定重合体（Ｂ）を溶解させる溶媒であれば特に限定されない。

本発明の液晶配向剤には、上記の貧溶媒、架橋性化合物、樹脂被膜又は液晶配向膜の膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物、及び電荷抜けを促進させる化合物の他に、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、液晶配向膜の誘電率や導電性等の電気特性を変化させる目的の誘電体や導電物質を添加してもよい。

＜液晶配向膜及び液晶表示素子＞
液晶配向膜は、前記液晶配向剤を基板に塗布し、乾燥し、焼成して得られる膜である。
液晶配向剤を塗布する基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、窒化珪素基板とともに、アクリル基板やポリカーボネート基板等のプラスチック基板等を用いることもできる。その際、液晶を駆動させるためのＩＴＯ(Indium Tin Oxide)電極等が形成された基板を用いると、プロセスの簡素化の点から好ましい。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならば、シリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極にはアルミニウム等の光を反射する材料も使用できる。

液晶配向剤の塗布方法は、特に限定されないが、工業的には、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット法等が一般的である。その他の塗布方法としては、ディップ法、ロールコータ法、スリットコータ法、スピンナー法、スプレー法等があり、目的に応じてこれらを用いてもよい。
液晶配向剤を基板上に塗布した後は、ホットプレート、熱循環型オーブン、ＩＲ（赤外線）型オーブン等の加熱手段により、溶媒を蒸発させて液晶配向膜とすることができる。

液晶配向剤を塗布した後の乾燥、焼成工程は、任意の温度と時間を選択することができる。通常は、含有される溶媒を十分に除去するために、５０〜１２０℃で１〜１０分焼成し、その後、１５０〜３００℃で、５〜１２０分焼成する条件が挙げられる。
焼成後の液晶配向膜の厚みは、特に限定されないが、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、５〜３００ｎｍであることが好ましく、１０〜２００ｎｍがより好ましい。

得られた液晶配向膜を配向処理する方法としては、前記ラビング処理法、光配向処理法等が挙げられるが、ラビング処理法が好ましい。
光配向処理法の具体例としては、前記液晶配向膜の表面に、一定方向に偏向された放射線を照射し、場合によっては、更に１５０〜２５０℃の温度で加熱処理を行い、液晶配向性（液晶配向能ともいう）を付与する方法が挙げられる。放射線としては、１００〜８００ｎｍの波長を有する紫外線又は可視光線を用いることができる。なかでも、１００〜４００ｎｍの波長を有する紫外線が好ましく、より好ましくは、２００〜４００ｎｍの波長を有する紫外線である。

また、液晶配向性を改善するために、液晶配向膜を有する基板を５０〜２５０℃で加熱しながら、放射線を照射してもよい。放射線の照射量は、１〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましい。なかでも、１００〜５，０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましい。このようにして製造された液晶配向膜は、液晶分子を一定の方向に安定して配向させることができる。

更に、偏光された放射線を照射した液晶配向膜に、水や溶媒を用いて、接触処理をすることもできる。使用する溶媒としては、放射線の照射によって液晶配向膜から生成した分解物を溶解する溶媒であれば、特に限定されない。具体例としては、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸シクロヘキシル等が挙げられる。なかでも、汎用性や溶媒の安全性の点から、水、２−プロパンール、１−メトキシ−２−プロパノール又は乳酸エチルが好ましい。より好ましいのは、水、１−メトキシ−２−プロパノール又は乳酸エチルである。これらの溶媒は、１種類であってもよく、２種類以上組み合わせてもよい。

本発明における接触処理としては、浸漬処理や噴霧処理（スプレー処理ともいう）が挙げられる。これらの処理における処理時間は、放射線によって液晶配向膜から生成した分解物を効率的に溶解させる点から、１０秒〜１時間が好ましい。なかでも、１〜３０分間浸漬処理をすることが好ましい。また、前記接触処理時の溶媒の温度は、常温でも加温してもよいが、好ましくは、１０〜８０℃である。なかでも、２０〜５０℃が好ましい。分解物の溶解性の点から、必要に応じて、超音波処理等を、更に行ってもよい。

前記接触処理の後に、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン等の低沸点溶媒によるすすぎ（リンスともいう）や液晶配向膜の焼成を行うことが好ましい。その際、リンスと焼成のどちらか一方を行っても、両方を行ってもよい。焼成の温度は、１５０〜３００℃であることが好ましい。なかでも、１８０〜２５０℃が好ましい。より好ましいのは、２００〜２３０℃である。また、焼成の時間は、１０秒〜３０分が好ましい。なかでも、１〜１０分が好ましい。

本発明の液晶配向膜は、ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式等の横電界方式の液晶表示素子の液晶配向膜として好適であり、特に、ＦＦＳ方式の液晶表示素子に有用である。本発明の液晶表示素子は、上記液晶配向剤から得られる液晶配向膜付きの基板を得た後、既知の方法で液晶セルを作製し、該液晶セルを使用して素子としたものである。
液晶セルの作製方法の一例として、パッシブマトリクス構造の液晶表示素子を例にとり説明する。なお、画像表示を構成する各画素部分にＴＦＴ等のスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス構造の液晶表示素子であってもよい。

具体的には、透明なガラス製の基板を準備し、一方の基板の上にコモン電極を、他方の基板の上にセグメント電極を設ける。これらの電極は、例えば、ＩＴＯ電極とすることができ、所望の画像表示ができるようパターニングされている。次いで、各基板の上に、コモン電極とセグメント電極を被覆するようにして絶縁膜を設ける。絶縁膜は、例えば、ゾル−ゲル法によって形成されたＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２からなる膜とすることができる。次に、前記のような条件で、各基板の上に液晶配向膜を形成し、一方の基板に他方の基板を、互いの液晶配向膜面が対向するようにして重ね合わせ、周辺をシール剤で接着する。シール剤には、基板間隙を制御するために、通常、スペーサーを混入しておくことが好ましい。また、シール剤を設けない面内部分にも、基板間隙制御用のスペーサーを散布しておくことが好ましい。シール剤の一部には、外部から液晶を充填可能な開口部を設けておくことが好ましい。

その後、シール剤に設けた開口部を通じて、２枚の基板とシール剤で包囲された空間内に液晶材料を注入する。次いで、この開口部を接着剤で封止する。注入には、真空注入法を用いてもよいし、大気中で毛細管現象を利用した方法を用いてもよい。
液晶材料としては、ポジ型液晶材料やネガ型液晶材料のいずれを用いてもよい。次に、偏光板の設置を行う。具体的には、２枚の基板の液晶層とは反対側の面に、一対の偏光板を貼り付けることが好ましい。

本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。実施例、比較例で使用した化合物の略号、及び特性評価の方法は以下のとおりである。

ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ＧＢＬ：γ―ブチルラクトン、ＢＣＳ：ブチルセロソルブ、ＤＢＯＰ：ジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾリル）ホスホナート、ＬＳ−４６６８：３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン

＜粘度測定＞
ポリアミド酸溶液について、Ｅ型粘度計ＴＶＥ−２２Ｈ（東機産業社製）を用い、サンプル量１．１ｍＬ、コーンロータＴＥ−１（１°３４’、Ｒ２４）にて２５℃の粘度を測定した。

＜イミド化率の測定＞
ポリイミド粉末２０ｍｇをＮＭＲサンプル管（草野科学社製 ＮＭＲサンプリングチューブスタンダード φ５）に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６、０．０５質量％ＴＭＳ（テトラメチルシラン）混合品）０.５３ｍｌを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液の５００ＭＨｚのプロトンＮＭＲを、測定装置（日本電子データム社製、ＪＮＷ−ＥＣＡ５００）にて測定した。
イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９.５〜１０.０ｐｐｍ付近に現れるアミド基のＮＨに由来するプロトンピーク積算値とを用い以下の式によって求めた。
イミド化率（％）＝（１−α・ｘ／ｙ）×１００
式中、ｘはアミド基のＮＨ由来のプロトンピーク積算値、ｙは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミド酸（イミド化率が０％）の場合におけるアミド基のＮＨプロトン１個に対する基準プロトンの個数割合である。

＜ラビング耐性評価＞
液晶配向剤を１．０μｍのフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、８０℃のホットプレート上で５分間乾燥させた後、２３０℃で２０分間焼成して、膜厚１００ｎｍのポリイミド膜を得た。このポリイミド膜をレーヨン布で１回ラビング（ロール径１２０ｍｍ、回転数１０００ｒｐｍ、移動速度２０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．４ｍｍ）した。この膜表面を、共焦点レーザー顕微鏡を用いて表面状態を観察し、倍率１００倍で削れカスの有無と傷の有無を観察した。削れカスや傷がほとんど見られないものを「良好」と定義して評価し、多くの削れカスやラビング傷が見られるものは「不良」と定義して評価した。

＜液晶表示素子の作製＞
初めに電極付きの基板を準備した。基板は、３０ｍｍ×３５ｍｍの大きさで、厚さが０．７ｍｍのガラス基板である。基板上には第１層目として対向電極を構成する、ベタ状のパターンを備えたＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）電極が形成されている。第１層目の対向電極の上には第２層目として、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜されたＳｉＮ（窒化珪素）膜が形成されている。第２層目のＳｉＮ膜の膜厚は５００ｎｍであり、層間絶縁膜として機能する。第２層目のＳｉＮ膜の上には、第３層目としてＩＺＯ膜をパターニングして形成された櫛歯状の画素電極が配置され、第１画素及び第２画素の２つの画素を形成している。各画素のサイズは、縦１０ｍｍで横約５ｍｍである。このとき、第１層目の対向電極と第３層目の画素電極とは、第２層目のＳｉＮ膜の作用により電気的に絶縁されている。

第３層目の画素電極は、中央部分が屈曲した、くの字形状の電極要素を複数配列して構成された櫛歯状の形状を有する。各電極要素の短手方向の幅は３μｍであり、電極要素間の間隔は６μｍである。各画素を形成する画素電極が、中央部分の屈曲した、くの字形状の電極要素を複数配列して構成されているため、各画素の形状は長方形状ではなく、電極要素と同様に中央部分で屈曲する、太字のくの字に似た形状を備える。そして、各画素は、その中央の屈曲部分を境にして上下に分割され、屈曲部分の上側の第１領域と下側の第２領域を有する。
各画素の第１領域と第２領域とを比較すると、それらを構成する画素電極の電極要素の形成方向が異なるものとなっている。すなわち、後述する液晶配向膜のラビング方向を基準とした場合、画素の第１領域では、画素電極の電極要素が＋１０°の角度（時計回り）をなすように形成され、画素の第２領域では、画素電極の電極要素が−１０°の角度（時計回り）をなすように形成されている。すなわち、各画素の第１領域と第２領域とでは、画素電極と対向電極との間の電圧印加によって誘起される液晶の、基板面内での回転動作（インプレーン・スイッチング）の方向が互いに逆方向となるように構成されている。

次に、得られた液晶配向剤を１．０μｍのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板と、対向基板として裏面にＩＴＯ膜が成膜されており、かつ高さ４μｍの柱状のスペーサーを有するガラス基板のそれぞれにスピンコートした。次いで、８０℃のホットプレート上で５分間乾燥後、２３０℃で２０分間焼成して、膜厚６０ｎｍの塗膜として、各基板上にポリイミド膜を得た。このポリイミド膜上を、所定のラビング方向で、レーヨン布によりラビング（ロール径１２０ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、移動速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．３ｍｍ）した後、純水中にて１分間超音波照射を行い、８０℃で１０分間乾燥した。

その後、上記液晶配向膜付きの２種類の基板を用いて、それぞれのラビング方向が逆平行になるように組み合わせ、液晶注入口を残して周囲をシールし、セルギャップが３．８μｍの空セルを作製した。この空セルに、液晶（ＭＬＣ−２０４１、メルク社製）を常温で真空注入した後、注入口を封止して、アンチパラレル配向の液晶セルとした。得られた液晶セルは、ＦＦＳモード液晶表示素子を構成する。その後、得られた液晶セルを１２０℃で１時間加熱し、一晩放置してから各評価に使用した。

＜残像消去時間の評価＞
以下の光学系等を用いて残像の評価を行った。
作製した液晶セルを偏光軸が直交するように配置された２枚の偏光板の間に設置し、電圧無印加の状態でＬＥＤバックライトを点灯させておき、透過光の輝度が最も小さくなるように、液晶セルの配置角度を調整した。
次に、この液晶セルに周波数30Hzの交流電圧を印加しながら、Ｖ−Ｔカーブ（電圧−透過率曲線）を測定し、相対透過率が２３％となる交流電圧を駆動電圧として算出した。

残像評価では、相対透過率が２３％となる周波数３０Ｈｚの交流電圧を印加して、液晶セルを駆動させながら、同時に１Ｖの直流電圧を印加し、６０分間駆動させた。その後、印加直流電圧値を０Ｖにして直流電圧の印加のみを停止し、その状態で更に３０分駆動した。
残像評価は、直流電圧の印加を開始した時点から６０分間が経過するまでに、相対透過率が３０％以下に低下した場合に、「良好」と定義して評価を行った。相対透過率が３０％以下に低下するまでに６０分間以上を要した場合には、「不良」と定義して評価した。
残像評価は、液晶セルの温度が２３℃の状態の温度条件下で行った。

＜液晶配向の安定性評価＞
この液晶セルを用い、６０℃の恒温環境下、周波数３０Ｈｚで１０ＶＰＰの交流電圧を１６８時間印加した。その後、液晶セルの画素電極と対向電極との間を短絡させた状態にし、そのまま室温に一日放置した。
放置の後、液晶セルを偏光軸が直交するように配置された２枚の偏光板の間に設置し、電圧無印加の状態でバックライトを点灯させておき、透過光の輝度が最も小さくなるように液晶セルの配置角度を調整した。そして、第１画素の第２領域が最も暗くなる角度から第１領域が最も暗くなる角度まで液晶セルを回転させたときの回転角度を角度Δとして算出した。第２画素でも同様に、第２領域と第１領域とを比較し、同様の角度Δを算出した。そして、第１画素と第２画素の角度Δ値の平均値を液晶セルの角度Δとして算出した。この液晶セルの角度Δの値が０．２度を越える場合には、「不良」と定義し評価した。この液晶セルの角度Δの値が０．２度を越えない場合には、「良好」と定義し評価した。

＜駆動直後のフリッカーレベルの評価＞
以下の光学系等を用いて残像の評価を行った。
作製した液晶セルを、偏光軸が直交するように配置された２枚の偏光板の間に設置し、電圧無印加の状態でＬＥＤバックライトを点灯させておき、透過光の輝度が最も小さくなるように、液晶セルの配置角度を調整した。次に、この液晶セルに周波数３０Ｈｚの交流電圧を印加しながら、Ｖ−Ｔカーブ（電圧−透過率曲線）を測定し、相対透過率が２３％となる交流電圧を駆動電圧として算出した。

フリッカーレベルの測定では、点灯させておいたＬＥＤバックライトを一旦消灯して７２時間遮光放置した後に再度点灯し、バックライト点灯開始と同時に相対透過率が２３％となる周波数３０Ｈｚの交流電圧を印加して、液晶セルを６０分間駆動させてフリッカー振幅を追跡した。フリッカー振幅は、２枚の偏光板及びその間の液晶セルを通過したＬＥＤバックライトの透過光を、フォトダイオード及びＩ−Ｖ変換アンプを介して接続されたデータ収集/データロガースイッチユニット３４９７０Ａ（Agilent technologies社製）で読み取った。フリッカーレベルは以下の数式で算出した。
フリッカーレベル（％）＝｛フリッカー振幅／（２×ｚ）｝×１００
上記式において、ｚは、相対透過率が２３％となる周波数３０Ｈｚの交流電圧で駆動した際の輝度を、データ収集/データロガースイッチユニット３４９７０Ａで読み取った値である。

フリッカーレベルの評価は、ＬＥＤバックライトの点灯及び交流電圧の印加を開始した時点から６０分間が経過するまでに、フリッカーレベルが３％未満を維持した場合に、「良好」と定義して評価を行った。６０分間でフリッカーレベルが３％以上に達した場合には、「不良」と定義して評価した。上述した方法によるフリッカーレベルの評価は、液晶セルの温度が２３℃の状態の温度条件下で行った。

＜重合体の合成＞
［合成例１］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を０．８３６ｇ（２．１ｍｍｏｌ）及びＤＡ−２を１．４６ｇ（４．９ｍｍol）加えた後、ＮＭＰ２６．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を１．４５ｇ（６．６ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを７．７ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度（樹脂固形分濃度であり、以下同じ）１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１、粘度：１７０ｍＰａ・ｓ）得た。

［合成例２］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を２．５９ｇ（６．５ｍｍｏｌ）及びＤＡ−２を１．０４ｇ（３．５ｍｍol）を加えた後、ＮＭＰ３３．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を２．０７ｇ（９．５ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを８．４ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−２、粘度：２４４ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例３］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を３．１８ｇ（８．０ｍｍｏｌ）及びＤＡ−２を０．５９ｇ（２．０ｍｍol）加えた後、ＮＭＰ３３．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を２．０５ｇ（９．５ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを９．７ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−３、粘度：３４７ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例４］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を２．５９ｇ（６．５ｍｍｏｌ）及びＤＡ−２を１．０４ｇ（３．５ｍｍol）加えた後、ＮＭＰ３３．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を１．４１ｇ（６．５ｍｍｏｌ）加え、ＣＡ−２を０．５８ｇ（３．０ｍｍoｌ）加え、ＮＭＰを８．４ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−４、粘度：２７５ｍＰａ・ｓ）を得た。このポリアミド酸溶液のであった。

［合成例５］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を２．２３ｇ(５．６ｍｍｏｌ）及びＤＡ−２を０．４２ｇ（１．４ｍｍol）加えた後、ＮＭＰ２５．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を１．９５ｇ（６．６ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを６．３ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−５、粘度：１９６ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例６］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を１．５９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、ＤＡ−２を１．１９ｇ（４．０ｍｍol）、及びＤＡ−３を０．７９ｇ(２．０ｍｍoｌ）加えた後、ＮＭＰ３３．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を２．０９ｇ（９．５ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを９．６ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−６、粘度：３２５ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例７］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１を１．５９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、ＤＡ−２を１．１９ｇ（４．０ｍｍol）及びＤＡ−４を０．７８ｇ（２．０ｍｍoｌ）加えた後、ＮＭＰ３３．０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１を２．０９ｇ（９．５ｍｍｏｌ）加え、ＮＭＰを９．９ｇ加えた後、更に５０℃条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−７、粘度：３０６ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例８］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−１１．１５ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ＤＡ−５を３．４２ｇ（１４．０ｍｍol）、及びＤＡ−４を１．６７ｇ（３．０ｍｍoｌ）加えた後、ＮＭＰ２２．８ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−２を０．９６ｇ（４．９ｍｍｏｌ）及びＣＡ−４を２．５７ｇ（１３．０ｍｍoｌ）加え、ＮＭＰを１７．０ｇ加えた後、更に室温条件下にて、１２時間攪拌することで、濃度２０質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−８、粘度：１２８０ｍＰａ・ｓ）を得た。
このポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−８）４０．０ｇを分取し、ＮＭＰを８３．０ｇ加えた後、無水酢酸を３．９０ｇ及びピリジンを１．８１ｇ加え、５０℃で２時間２０分反応させた。この反応溶液をメタノール４５０ｇに注ぎ、生成した沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、６０℃で減圧乾燥し、ポリイミドの粉末を得た。このポリイミドのイミド化率は５７％であった。得られたポリイミド粉末５．０ｇにＮＭＰ２８ｇを加えて、５０℃にて２０ｈｒ攪拌して溶解させることで、ポリイミド溶液（ＳＰＩ−１）を得た。

［合成例９］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの１００ｍｌ四つ口フラスコに、ＣＥ−１３．４１ｇ（１２．４ｍｍoｌ）を投入し、更にＮＭＰ７２ｇを加え、攪拌し、溶解させた。次いで、トリエチルアミン（４．１９ｇ、４１．４ｍｍoｌ）、ＤＡ−１（２．０７ｇ、７．８ｍｍol）、及びＤＡ−５（１．２６ｇ、５．２ｍｍoｌ）を加えて攪拌した。この溶液を攪拌しながら、ＤＢＯＰ（１０．３ｇ、２６．９ｍｍoｌ）を添加し、更にＮＭＰを１０ｇ加え、室温で１２時間撹拌して、ポリアミド酸エステルの溶液を得た。このポリアミド酸エステル溶液をメタノール｛６３０ｇ｝中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄した後、温度１００℃で減圧乾燥し、ポリアミド酸エステルの粉末を得た。このポリアアミド酸エステル粉末３ｇを三角フラスコに取り、ＮＭＰ１１ｇ及びＧＢＬ１１ｇを加えて、ポリアミド酸エステル溶液（ＰＡＥ−１）を得た。

［合成例１０］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの１００ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−２（４．４７ｇ、１５ｍｍｏｌ）及びＤＡ−６（１．５０ｇ、１０ｍｍol）を加えた後、ＮＭＰ５０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−２を４．７５ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）加え、更にＮＭＰを１０．８ｇ加えた後、室温にて１２時間攪拌することで、濃度１５質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１１、粘度：６００ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例１１］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−２（２．６８ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、ＤＡ−６（０．９０ｇ、６．０ｍｍol）を加えた後、ＮＭＰ３０ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−２を１．７６ｇ（９．０ｍｍｏｌ）及びＣＡ−３を１．５４ｇ（５．２５ｍｍoｌ）加え、更にＮＭＰを９ｇ加えた後、室温にて１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１０、粘度：３７５ｍＰａ・ｓ）得た。

［合成例１２］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの１００ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−２（４．６５ｇ、１５．６ｍｍｏｌ）、ＤＡ−５（１．２７ｇ、５．２ｍｍoｌ）、及びＤＡ−６（０．７８ｇ、５．２ｍｍol）を加えた後、ＮＭＰ７４．７ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−２を４．８４ｇ（２３．４ｍｍｏｌ）加え、更にＮＭＰを１０ｇ加えた後、室温にて１２時間攪拌することで、濃度１２質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１１、粘度：３００ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例１３］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−５（０．４８ｇ、２．０ｍｍｏｌ）及びＤＡ−８（１．５９ｇ、８．０ｍｍol）を加えた後、ＮＭＰ１７ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１（１．０９ｇ、５．０ｍｍｏｌ）、及びＣＡ−２（０．８２ｇ、４．３ｍｍoｌ）を加え、更にＮＭＰを５．９ｇ加えた後、室温にて１２時間攪拌することで、濃度１５質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１２、粘度：６５５ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例１４］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの５０ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−２（２．９８ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）を加えた後、ＮＭＰ４４．７ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−１（２．０２ｇ，９．３ｍｍｏｌ）を加え、更にＮＭＰを５．０ｇ加えた後、５０℃条件下にて、１２時間攪拌して、濃度１０質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１３、粘度：１４０ｍＰａ・ｓ）を得た。

［合成例１５］
撹拌装置付き及び窒素導入管付きの１００ｍｌ四つ口フラスコに、ＤＡ−４（６．６８ｇ、１２．０ｍｍol）、及びＤＡ−５（６．８４ｇ、２８．０ｍｍｏｌ）を加えた後、ＮＭＰ５７．６ｇを加え、窒素を送りながら撹拌し、溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＣＡ−２（２．２６ｇ，１１．５ｍｍｏｌ）、及びＣＡ−４（５．１５ｇ、２６．０ｍｍoｌ）を加え、更にＮＭＰを１３．２ｇ加えた後、室温条件下にて、１２時間攪拌して、濃度２０質量％のポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１４、粘度：１１８０ｍＰａ・ｓ）を得た。
このポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１４）を４０．０ｇ分取し、ＮＭＰを８３．０ｇ加えた後、無水酢酸を３．９０ｇ、及びピリジンを１．８１ｇ加え、５０℃で２時間２０分反応させた。この反応溶液をメタノール４５０ｇに注ぎ、生成した沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、６０℃で減圧乾燥し、ポリイミドの粉末を得た。このポリイミドのイミド化率は６５％であった。得られたポリイミド粉末５．０ｇにＮＭＰ２８ｇを加えて、５０℃にて、２０ｈｒ攪拌して溶解させることで、ポリイミド溶液（ＳＰＩ−２）を得た。

上記の合成例１〜１５で得られるポリアミド酸（ＰＡＡ）、ポリアミド酸エステル（ＰＡＥ）及びポリイミド（ＳＰＩ）の製造に使用された原料のジアミン、その使用量（ミリモル）、テトラカルボン酸誘導体、及びその使用量（ミリモル）をまとめて示すと、以下の表１のとおりである。なお、表１中、ＴＥＡは、トリエチルアミンを表す。

［実施例１］
合成例１で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１）を５．０ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２．３ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−１）を得た。

［実施例２］
合成例２で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−２）を５．４ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−２）を得た。

［実施例３］
合成例３で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−３）を５．７ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１１．７ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−３）を得た。

［実施例４］
合成例４で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−４）を５．４ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し液晶配配向剤（Ｑ−４）を得た。

［実施例５］
合成例５で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−５）を７．２ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を７．３ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、ＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し液晶配配向剤（Ｑ−５）を得た。

［実施例６］
合成例６で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−６）を５．３ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−６）を得た。

［実施例７］
合成例７で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−７）を５．６ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．６ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−７）を得た。

［実施例８］
合成例８にて得られたポリイミド溶液（ＳＰＩ−１）４．２ｇに合成例１３で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１２）を１０．５ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１１．５ｇ、ＢＣＳを１０ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−８）を得た。

［実施例９］
合成例９にて得られたポリアミド酸エステル溶液（ＰＡＥ−１）４．２ｇに合成例１３で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１２）を１０．５ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１１．５ｇ、ＢＣＳを１０ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−９）を得た。

［実施例１０］
合成例２で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−２）を５．４ｇ分取し、そこに合成例１１で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１０）を１０．５ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１０．５ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−１０）を得た。

［実施例１１］
合成例２で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−２）を５．４ｇ分取し、そこに合成例１２で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１１）を１０．３ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１０．７ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−１１）を得た。

［比較例１］
合成例１４で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１３）を５．５ｇ分取し、そこに合成例１０で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．３ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配配向剤（Ｑ−１２）を得た。

［比較例２］
比較合成例２で得られたポリイミド溶液（ＳＰＩ−２）を４．２ｇ分取し、そこに合成例１３で得られたポリアミド酸溶液（ＰＡＡ−１２）を８．３ｇ加え、攪拌しながら、ＮＭＰを１２ｇ、ＢＣＳを１２ｇ、及びＬＳ−４６６８を１重量％含むＮＭＰ溶液を１．８ｇ加え、更に室温で２時間撹拌し、液晶配向剤（Ｑ−１３）を得た。

実施例１〜１１及び比較例１、２で得られた液晶配向剤について、上記した、ラビング耐性評価、残像消去時間の評価、液晶配向の安定性評価、及び駆動直後のフリッカーレベルの評価を行った。結果を表２に示す。

上記の表２からわかるように、実施例の液晶配向膜は、ラビング耐性評価、残像消去時間の評価、液晶配向の安定性評価、及び駆動直後のフリッカーレベルの評価のいずれにおいても、良好な結果を示したが、比較例１、２で作製した液晶配向膜は、上記評価項目のいずれかにおいて、不良な結果が得られた。

本発明の液晶配向剤から形成される液晶配向膜を有する液晶表示素子は、特に、横電界駆動方式を採用した、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビジョン受像機等に広く有用である。
なお、２０１４年１２月２２日に出願された日本特許出願２０１４−２５９２４８号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (13)

1. 下記式（１）で表されるジアミンを含有するジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリイミド前駆体、及びそれをイミド化して得られるポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである特定重合体（Ａ）と、
   ジアミン成分（式（１）で表されるジアミンを除く）とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリアミド酸である特定重合体（Ｂ）と、
   を含有することを特徴とする液晶配向剤。
   

   

   （Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は下記式（２）で表される基であり、その少なくとも一方は、式（２）で表される基である。式（２）中、Ａは単結合又は炭素数１〜４の炭化水素基である２価の基である。）
   

   
2. 前記式（１）で表されるジアミンが、下記式（３）で表されるジアミンである請求項１に記載の液晶配向剤。
   

   

   （Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は下記式（２）で表される基であり、その少なくとも一方は、式（２）で表される基である。式（２）中、Ａは単結合又は炭素数１〜４の炭化水素基である２価の基である。Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立した２価の基である。Ｘ^１及びＸ^２には上記（１）の構造を含んでも良い。）
   

   
3. 前記式（３）で表されるジアミンが、下記式（４）で表されるジアミンである請求項２に記載の液晶配向剤。
   

   

   （Ｒ^１、Ｒ^２及びＡは、式（１）及び(２)と同義であり、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜３である。）
4. 前記特定重合体（Ａ）を得るための全ジアミン成分の１００モル％中、式（１）で表されるジアミンが、１０〜１００モル％含有される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
5. 前記特定重合体（Ａ））を得るための全ジアミン成分の１００モル％中、下記式［２−１］で表されるジアミンが、１０〜９０モル％含有される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
   

   

   
   （式［２−１］中、Ｘ^１は下記式［２ａ−１］〜式［２ａ−９］で示される構造から選ばれる少なくとも１つである。）
   

   

   
   （式[２ａ−６]中、ｎは１〜５の整数、式[２ａ−７]中、ｎは１〜４の整数を示す。式［２−１］中、Ａ^５及びＡ^６は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。）
6. 前記特定重合体（Ｂ）を得るための全ジアミン成分の１００モル％中、下記式［４−１］で表されるジアミンが１０〜９０モル％含有される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
   

   

   （式［４−１］中、Ｘ^２は下記式［４ａ−１］〜式［４ａ−７］で示される構造から選ばれる少なくとも１つである。）
   

   

   
   （式[４ａ−４]中、Ａ^９は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａ^７及びＡ^８は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。式[４ａ−５]中、ｎは１〜５の整数を示す。式[４ａ−６]中、ｎは１〜４の整数を示す。）
7. 前記特定重合体（Ａ）又は前記特定重合体（Ｂ）を得るためのテトラカルボン酸成分が、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル、又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
8. 前記特定重合体（Ａ）の１００質量部に対して、前記特定重合体（Ｂ）が１０〜９００質量部含有される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
9. 前記特定重合体（Ａ）の原料であるテトラカルボン酸成分、及び前記特定重合体（Ｂ）の原料であるテトラカルボン酸成分のうちの少なくとも一方が、芳香族テトラカルボン酸誘導体を含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
10. 前記特定重合体（Ａ）及び前記特定重合体（Ｂ）を溶解する有機溶媒が７０〜９９．９質量％含有される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶配向剤。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の横電界駆動素子用の液晶配向剤。
12. 請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶配向剤を用いて得られる液晶配向膜。
13. 請求項１２に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。