JP6102752B2 - 液晶配向処理剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - Google Patents
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Description
液晶配向膜は、液晶の配向状態を制御する目的で使用されるものである。しかしながら、液晶表示素子の高精細化に伴い、液晶表示素子のコントラスト低下の抑制や残像現象の低減といった観点から、液晶表示素子に用いられる液晶配向膜においても、電圧保持率が高いこと、直流電圧を印加した際の蓄積電荷が少ないこと、直流電圧により蓄積した電荷の緩和が早いこと等の特性が次第に重要となってきている。
また、電圧保持率が高く、かつ直流電圧によって発生した残像が消えるまでの時間が短いものとして、ポリアミド酸や該ポリアミド酸をイミド化した重合体などに加えて、分子内に1個のカルボン酸基を含有する化合物、分子内に1個のカルボン酸無水物基を含有する化合物及び分子内に1個の3級アミノ基を含有する化合物から選ばれる化合物を、極少量含有する液晶配向処理剤を使用したもの(例えば特許文献3参照)が知られている。
本発明の目的は、上記の事情に鑑みなされたものであって、初期特性に加えて、長時間、光の照射に曝されても、電圧保持率の低下を抑制し、さらに直流電圧により蓄積する電荷の緩和が速い液晶配向膜を得ることができる液晶配向処理剤、及び該液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜を有する、過酷な使用環境での長期使用に耐えうる信頼性の高い液晶表示素子を提供することにある。
すなわち、本発明は以下の要旨を有するものである。
(1)下記の成分(A)及び成分(B)を含有する液晶配向処理剤。
成分(A):分子内に窒素含有芳香族複素環とヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基を有し、かつ前記ヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基が、脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合している化合物。
成分(B):ポリイミド前駆体及びポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体。
(3)前記成分(A)の化合物が、下記式[1a]で示される化合物である上記(1)に記載の液晶配向処理剤。
(5)式[1a]中、X4が単結合、−O−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−COO−、−OCO−又は−O(CH2)m−(mは1〜5の整数である)である上記(3)又は(4)に記載の液晶配向処理剤。
(6)式[1a]中、X5がピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環又はピリミジン環である上記(3)〜(5)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(7)式[1a]中、R2が水素原子又はメチル基である上記(3)〜(6)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(8)(B)成分が、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリアミド酸及び該ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体である上記(1)〜(7)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(12)前記テトラカルボン酸成分が、下記式[3]で表されるテトラカルボン酸二無水物である上記(8)〜(11)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(15)前記(B)成分の100質量部に対し、成分(A)が0.1〜20質量部である上記(1)〜(14)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(16)液晶配向処理剤の全量(100質量%)に対して、5〜60質量%の貧溶媒を含有する上記(1)〜(15)のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
(17)上記(1)〜(16)のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いて得られる液晶配向膜。
(18)上記(17)に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
(20)上記(19)に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
(21)電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性基を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子に用いられる上記(17)に記載の液晶配向膜。
(22)上記(21)に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
本発明は、下記の成分(A)及び成分(B)を含有する液晶配向処理剤、該液晶配向処理剤を用いて得られる液晶配向膜、さらには、該液晶配向膜を有する液晶表示素子である。
成分(A):分子内に窒素含有芳香族複素環とヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基を有し、かつ前記ヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基が、脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合している化合物(特定化合物ともいう)。
成分(B):ポリイミド前駆体及びポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体(重合体ともいう)。
また、液晶配向膜とした際に、窒素含有芳香族複素環と重合体中のカルボキシル基とが塩形成や水素結合といった静電的相互作用で結ばれることで、重合体中のカルボキシル基と特定化合物中の窒素含有芳香族複素環との間で電荷の移動が起こる。
さらに、特定化合物中のヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基は、熱により、重合体中のカルボキシル基やカルボキシエステル基に対して、水又はアルコールの脱離を伴うエステル化反応や、特定化合物中のヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基同士による水又はアルコールの脱離を伴うエーテル化反応が生ずることが知られている。
加えて、本発明では、架橋反応を起こす特定化合物が、重合体に結合していることから、架橋性化合物を添加した場合に起こる未反応成分の残存による液晶表示素子特性の低下などの問題は発生しない。
本発明の液晶配向処理剤に含有される特定化合物は、分子内に窒素含有芳香族複素環とヒドロキシル基(水酸基ともいう)又は炭素数1〜3のアルコキシル基を有し、かつ前記水酸基が脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合している化合物である。
より具体的には、下記式[1]で示される化合物である。
脂肪族炭化水素基の具体例としては、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基又は不飽和結合を有する炭化水素基等を挙げることができる。なかでも、炭素数が1〜20の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜20の分岐状アルキル基が好ましい。より好ましくは炭素数が1〜15の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜15の分岐状アルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が1〜10の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜10の分岐状アルキル基である。
複素環の具体例としては、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環などを挙げることができる。
具体的には、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環などを挙げることができる。
式[1]中、R1は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基であり、好ましくは、水素原子または炭素数1または2であり、特に好ましくは水素原子またはメチルである。
式[1]中、nは1〜4の整数である。
炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基、炭素数1〜20の分岐状アルキル基又は炭素数1〜20の不飽和結合を有する炭化水素基等を挙げることができる。なかでも、炭素数が1〜20の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜20の分岐状アルキル基が好ましい。より好ましくは炭素数が1〜15の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜15の分岐状アルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が1〜10の直鎖状アルキル基又は炭素数が1〜10の分岐状アルキル基である。
式[1a]中、X5は窒素含有芳香族複素環であり、上述した式[1−A]、式[1−B]及び[1−C]からなる群から選ばれる少なくとも1種の構造を含有する芳香族複素環である。
具体的には、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、ピラゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、プリン環、チアジアゾール環、ピリダジン環、ピラゾリン環、トリアジン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、ピラジン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チノリン環、フェナントロリン環、インドール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサジアゾール環、アクリジン環などを挙げることができる。
式[1a]中、R2は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。なかでも、水素原子、炭素数1又は炭素数2のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましく、水素原子が最も好ましい。
式[1a]中、nは1〜4の整数である。なかでも、1又は2の整数が好ましい。
式[1a]におけるX3、X4、X5及びR2の好ましい組み合わせは、表1〜表32に示すとおりである。
上記の特定化合物は1種類又は2種類以上を混合して使用することができる。
本発明の液晶配向処理剤に含有される重合体、すなわち、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応によって得られるポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも1種は、下記式[2]で示される側鎖(特定側鎖構造ともいう)を含有する重合体(特定重合体ともいう)であることが好ましい。この特定側鎖構造は、側鎖部分にベンゼン環、シクロヘキサン環又は複素環から選ばれる2価の環状基、又はステロイド骨格を有する炭素数12〜25の2価の有機基である。これにより、側鎖部位の熱や紫外線照射に対する安定性が向上する。そのため、熱や光に対してもプレチルト角が安定になる。また、熱や紫外線照射による側鎖成分の分解に伴うプレチルト角の低下を抑えることができる。さらに、熱や紫外線照射による側鎖成分の分解に伴う、電圧保持率の低下も抑制することができる。
式[2]中、Y3は単結合、−(CH2)c−(cは1〜15の整数である)、−O−、−NH−、−N(CH3)−、−CONH−、−NHCO−、−CH2O−、−COO−、−OCO−、−CON(CH3)−又は−N(CH3)CO−である。なかでも、単結合、−(CH2)c−(cは1〜15の整数である)、−O−、−CH2O−、−COO−又は−OCO−は、合成しやすいので好ましい。より好ましくは、単結合、−(CH2)c−(cは1〜10の整数である)、−O−、−CH2O−、−COO−又は−OCO−である。
式[2]中、Y5はベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環から選ばれる2価の環状基であって、これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシル基、炭素数1〜3のフッ素含有アルキル基、炭素数1〜3のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。なかでも、ベンゼン環又はシクロヘキサン環が好ましい。
式[2]中、nは0〜4の整数である。好ましくは、0〜2の整数である。
式[2]中、Y6は炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のフッ素含有アルキル基、炭素数1〜18のアルコキシル基又は炭素数1〜18のフッ素含有アルコキシル基である。なかでも、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜10のフッ素含有アルキル基、炭素数1〜18のアルコキシル基又は炭素数1〜10のフッ素含有アルコキシル基が好ましい。より好ましくは、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシル基である。さらに好ましくは、炭素数1〜9のアルキル基又は炭素数1〜9のアルコキシル基である。
本発明の特定重合体、すなわち、上記式[2]で示される特定側鎖構造を有する重合体に特定側鎖構造を導入する方法としては、下記式[2a]で示されるジアミン化合物(特定側鎖型ジアミン化合物ともいわれる)を原料の一部に用いることが好ましい。
さらに、式[2a]におけるY1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6及びnの好ましい組み合わせについても、式[2]の好ましい組み合わせと同様である。
式[2a]中、mは、1〜4の整数である。好ましくは、1の整数である。
本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定側鎖型ジアミン化合物以外のその他のジアミン化合物(その他ジアミン化合物ともいう)を、ジアミン成分として用いることができる。その具体例を以下に挙げる。
p−フェニレンジアミン、2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,4−ジメチル−m−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノフェノール、2,4−ジアミノフェノール、3,5−ジアミノフェノール、3,5−ジアミノベンジルアルコール、2,4−ジアミノベンジルアルコール、4,6−ジアミノレゾルシノール、4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジフルオロ−4,4’−ビフェニル、3,3’−トリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジアミノビフェニル、2,3’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ジアミノジフェニルメタン、2,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2’−ジアミノジフェニルエーテル、2,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−スルホニルジアニリン、3,3’−スルホニルジアニリン、ビス(4−アミノフェニル)シラン、ビス(3−アミノフェニル)シラン、ジメチル−ビス(4−アミノフェニル)シラン、ジメチル−ビス(3−アミノフェニル)シラン、4,4’−チオジアニリン、3,3’−チオジアニリン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、3,3’−ジアミノジフェニルアミン、3,4’−ジアミノジフェニルアミン、2,2’−ジアミノジフェニルアミン、2,3’−ジアミノジフェニルアミン、N−メチル(4,4’−ジアミノジフェニル)アミン、N−メチル(3,3’−ジアミノジフェニル)アミン、N−メチル(3,4’−ジアミノジフェニル)アミン、N−メチル(2,2’−ジアミノジフェニル)アミン、N−メチル(2,3’−ジアミノジフェニル)アミン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、1,4−ジアミノナフタレン、2,2’−ジアミノベンゾフェノン、2,3’−ジアミノベンゾフェノン、1,5−ジアミノナフタレン、1,6−ジアミノナフタレン、1,7−ジアミノナフタレン、1,8−ジアミノナフタレン、2,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、2,7−ジアミノナフタレン、2,8−ジアミノナフタレン、1,2−ビス(4−アミノフェニル)エタン、1,2−ビス(3−アミノフェニル)エタン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,3−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、1,4−ビス(4アミノフェニル)ブタン、1,4−ビス(3−アミノフェニル)ブタン、ビス(3,5−ジエチル−4−アミノフェニル)メタン、1,4−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,4−ビス(4-アミノベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−[1,4−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、4,4’−[1,3−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、3,4’−[1,4−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、3,4’−[1,3−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、3,3’−[1,4−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、3,3’−[1,3−フェニレンビス(メチレン)]ジアニリン、1,4−フェニレンビス[(4−アミノフェニル)メタノン]、1,4−フェニレンビス[(3−アミノフェニル)メタノン]、1,3−フェニレンビス[(4−アミノフェニル)メタノン]、1,3−フェニレンビス[(3−アミノフェニル)メタノン]、1,4−フェニレンビス(4−アミノベンゾエート)、1,4−フェニレンビス(3−アミノベンゾエート)、1,3−フェニレンビス(4−アミノベンゾエート)、1,3−フェニレンビス(3−アミノベンゾエート)、ビス(4−アミノフェニル)テレフタレート、ビス(3−アミノフェニル)テレフタレート、ビス(4−アミノフェニル)イソフタレート、ビス(3−アミノフェニル)イソフタレート、N,N’−(1,4−フェニレン)ビス(4−アミノベンズアミド)、N,N’−(1,3−フェニレン)ビス(4−アミノベンズアミド)、N,N’−(1,4−フェニレン)ビス(3−アミノベンズアミド)、N,N’−(1,3−フェニレン)ビス(3−アミノベンズアミド)、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、N,N’−ビス(3−アミノフェニル)テレフタルアミド、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)イソフタルアミド、N,N’−ビス(3−アミノフェニル)イソフタルアミド、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2’−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)プロパン、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)プロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ブタン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ブタン、1,5−ビス(4−アミノフェノキシ)ペンタン、1,5−ビス(3−アミノフェノキシ)ペンタン、1,6−ビス(4−アミノフェノキシ)へキサン、1,6−ビス(3−アミノフェノキシ)へキサン、1,7−ビス(4−アミノフェノキシ)ヘプタン、1,7−(3−アミノフェノキシ)ヘプタン、1,8−ビス(4−アミノフェノキシ)オクタン、1,8−ビス(3−アミノフェノキシ)オクタン、1,9−ビス(4−アミノフェノキシ)ノナン、1,9−ビス(3−アミノフェノキシ)ノナン、1,10−(4−アミノフェノキシ)デカン、1,10−(3−アミノフェノキシ)デカン、1,11−(4−アミノフェノキシ)ウンデカン、1,11−(3−アミノフェノキシ)ウンデカン、1,12−(4−アミノフェノキシ)ドデカン、1,12−(3−アミノフェノキシ)ドデカンなどの芳香族ジアミン;ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタンなどの脂環式ジアミン;1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノへキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカンなどの脂肪族ジアミン。
本発明の重合体を得るためには、下記の式[3]で示されるテトラカルボン酸二無水物(特定テトラカルボン酸二無水物ともいう)を原料の一部に用いることが好ましい。
式[3g]中、Z6及びZ7は水素原子又はメチル基であり、それぞれ、同じであっても異なっても良い。
式[3]中、Z1の特に好ましい構造は、重合反応性や合成の容易性から、式[3a]、式[3c]、式[3d]、式[3e]、式[3f]又は式[3g]である。なかでも、式[3a]、式[3e]、式[3f]又は式[3g]の構造が好ましい。
本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定テトラカルボン酸二無水物以外のその他のテトラカルボン酸二無水物(その他テトラカルボン酸二無水物ともいわれる)を用いることができる。その具体例は、以下の化合物の二無水物である。
ピロメリット酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸、1,2,5,6−アントラセンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン、2,3,4,5−ピリジンテトラカルボン酸、2,6−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ピリジン、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸、1,3−ジフェニル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸が挙げられる。
上記の特定テトラカルボン酸二無水物及びその他テトラカルボン酸二無水物は、液晶配向膜とした際の液晶配向性、電圧保持率及び蓄積電荷などの特性に応じて、1種類又は2種類以上を混合して使用することもできる。
本発明の液晶配向処理剤に含有される重合体は、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリアミド酸及び該ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体である。
ポリイミド前駆体は、下記式[A]で示される構造である。
式[A]及び式[D]において、R1及びR2はそれぞれ1種類でもあっても、それぞれ異なったR1及びR2を有して繰り返し単位として、異なった複数種を組み合わせたものでもよい。
ポリアミド酸アルキルエステルを得るには、カルボン酸基をジアルキルエステル化したテトラカルボン酸とジアミン成分とを重縮合させる方法、カルボン酸基をジアルキルエステル化したテトラカルボン酸ジハライドとジアミン成分とを重縮合させる方法、又はポリアミド酸のカルボキシル基をエステルに変換する方法が用いられる。
ポリイミドを得るには、前記のポリアミド酸又はポリアミド酸アルキルエステルを閉環させてポリイミドとする方法が用いられる。
また、本発明の重合体を得るためには、テトラカルボン酸成分に上記式[3]で示される特定テトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。特に、式[3]中のZ1が上記式[3a]〜式[3j]で示される構造であるテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。その際、テトラカルボン酸成分の1モル%以上が特定テトラカルボン酸二無水物であることが好ましく、より好ましくは、5モル%以上、さらに好ましくは、10モル%以上である。また、テトラカルボン酸成分の100モル%が特定テトラカルボン酸二無水物であってもよい。
例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメチル−イミダゾリジノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどである。
ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを有機溶媒中で反応させる際には、ジアミン成分を有機溶媒に分散あるいは溶解させた溶液を攪拌させ、テトラカルボン酸成分をそのまま、又は有機溶媒に分散あるいは溶解させて添加する方法、逆にテトラカルボン酸成分を有機溶媒に分散、あるいは溶解させた溶液にジアミン成分を添加する方法、テトラカルボン酸成分とジアミン成分とを交互に添加する方法などが挙げられ、これらのいずれの方法を用いてもよい。
また、ジアミン成分又はテトラカルボン酸成分を、それぞれ複数種用いて反応させる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させてもよく、個別に順次反応させてもよく、さらに個別に反応させた低分子量体を混合反応させて重合体としてもよい。
また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な攪拌が困難となる。そのため、好ましくは1〜50質量%、より好ましくは5〜30質量%である。反応初期は高濃度で行い、その後、有機溶媒を追加することができる。
ポリイミド前駆体の重合反応においては、ジアミン成分の合計モル数とテトラカルボン酸成分の合計モル数の比は、0.8〜1.2であることが好ましい。通常の重縮合反応同様、このモル比が1.0に近いほど生成するポリイミド前駆体の分子量は大きくなる。
本発明の液晶配向処理剤に含有されるポリイミドは、前記ポリイミド前駆体を閉環させて得られるポリイミドであり、液晶配向膜を得るための重合体として有用である。
上記ポリイミドにおいて、アミド酸基の閉環率(イミド化率)は、必ずしも100%である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
ポリイミド前駆体を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、100〜400℃、好ましくは120〜250℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方が好ましい。
ポリイミド前駆体の触媒イミド化は、ポリイミド前駆体の溶液に、塩基性触媒と酸無水物とを添加し、−20〜250℃、好ましくは0〜180℃で攪拌することにより行うことができる。
塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミンなどを挙げることができ、中でもピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。
酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができる。中でも、無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。
本発明の液晶配向処理剤に含有される重合体の分子量は、そこから得られる樹脂被膜の強度、樹脂被膜形成時の作業性、樹脂被膜の均一性を考慮した場合、GPC(Gel Permeation Chromatography)法で測定した重量平均分子量で5,000〜1,000,000とするのが好ましく、より好ましくは、10,000〜150,000である。
本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜を形成するための溶液であり、特定化合物、重合体及び有機溶媒を含有する樹脂被膜を形成するための塗布液である。
本発明の液晶配向処理剤における、特定化合物の含有量は、重合体100質量部に対して、0.1〜150質量部であることが好ましい。なかでも、架橋反応が進行し、所望の樹脂被膜の硬化性を発現し、かつ液晶の配向性を低下させないためには、0.1〜100質量部がより好ましい。さらに好ましくは、1〜50質量部であり、特に好ましいのは、1〜20質量部である。
それ以外の他の重合体としては、特定側鎖構造を含まないポリイミド前駆体又はポリイミドが挙げられる。また、ポリイミド前駆体及びポリイミド以外の重合体としては、具体的には、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリスチレン、ポリアミドなどが挙げられる。
本発明の液晶配向処理剤中の有機溶媒は、塗布により均一な樹脂被膜を形成するという観点から、液晶配向処理剤の全量(100質量%)に対して、有機溶媒の含有量が70〜99質量%であることが好ましく、80〜99質量%がより好ましい。含有量は、目的とする液晶配向膜の膜厚によって適宜変更することができる。
例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメチル−イミダゾリジノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどである。なかでも、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、γ−ブチルラクトンなどを用いることが好ましい。これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。
具体的には、国際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)の58頁〜59頁に掲載される式[4a]〜式[4k]で示される架橋性化合物が挙げられる。
また、グリコールウリルの例として、サイメル1170のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル1172のようなメチロール化グリコールウリル、パウダーリンク1174のようなメトキシメチロール化グリコールウリル等が挙げられる。
より具体的には、国際公開公報WO2011/132751.(2011.10.27公開)の62頁〜66頁に掲載される、式[6−1]〜式[6−48]で示される架橋性化合物が挙げられる。
本発明の液晶配向処理剤は、本発明の効果を損なわない限り、液晶配向処理剤を塗布した際の樹脂被膜の膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる有機溶媒(貧溶媒ともいう)又は化合物を用いることができる。さらに、液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物などを用いることもできる。
例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、2−メチル−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタノール、2−ヘプタノール、3−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、シクロヘキサノール、1−メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、3−メチルシクロヘキサノール、1,2−エタンジオール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、1,2−ブトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、3−エトキシブチルアセタート、1−メチルペンチルアセタート、2−エチルブチルアセタート、2−エチルヘキシルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−(メトキシメトキシ)エタノール、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソアミルエーテル、エチレングリコールものヘキシルエーテル、2−(ヘキシルオキシ)エタノール、フルフリルアルコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、1−(ブトキシエトキシ)プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、2−(2−エトキシエトキシ)エチルアセタート、ジエチレングリコールアセタート、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチルエチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸、3−メトキシプロピオン酸、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸n−プロピルエステル、乳酸n−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステルなどの表面張力が低い有機溶媒である。
これら貧溶媒は、液晶配向処理剤に含まれる有機溶媒全体の1〜80質量%であることが好ましい。なかでも、5〜70質量%が好ましい。より好ましいのは10〜70質量%である。
より具体的には、例えば、エフトップEF301、EF303、EF352(トーケムプロダクツ社製)、メガファックF171、F173、R−30(大日本インキ社製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子社製)などが挙げられる。
これらの界面活性剤の含有割合は、すべての重合体成分100質量部に対して、好ましくは0.01〜2質量部、より好ましくは0.01〜1質量部である。
例えば、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、2,2−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,3,5,6−テトラグリシジル−2,4−ヘキサンジオール、N,N,N’,N’,−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N’,N’,−テトラグリシジル−4、4’−ジアミノジフェニルメタン。
本発明の液晶配向処理剤には、上記の架橋性化合物、貧溶媒、樹脂被膜の均一性や表面平滑性を向上させる化合物及び基板との密着させる化合物の他に、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、液晶配向膜の誘電率や導電性などの電気特性を変化させる目的の、誘電体や導電物質を添加してもよい。
本発明の液晶配向処理剤は、基板上に塗布、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をして、液晶配向膜として用いることができる。また、垂直配向用途などの場合では、配向処理なしでも液晶配向膜として用いることができる。
基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板の他、アクリル基板やポリカーボネート基板などのプラスチック基板なども用いることができる。プロセスの簡素化の観点からは、液晶駆動のためのITO電極などが形成された基板を用いることが好ましい。
また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならばシリコンウェハなどの不透明な基板も使用でき、この場合の電極としては、アルミなどの光を反射する材料も使用できる。
液晶配向処理剤を基板上に塗布した後は、ホットプレート、熱循環型オーブン、IR(赤外線)型オーブンなどの加熱手段により50〜300℃、好ましくは80〜250℃で溶媒を蒸発させて重合体被膜とすることができる。
焼成後の重合体被膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは5〜300nm、より好ましくは10〜100nmである。
液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の重合体被膜をラビング、偏光紫外線照射などで処理する。
液晶セルの作製方法としては、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。
加熱による重合の場合、加熱温度は40〜120℃、好ましくは60〜80℃である。また、紫外線と加熱を同時に行ってもよい。
PSA方式では、液晶材料中に少量の光重合性化合物、例えば光重合性モノマーを混入しておき、液晶セルを組み立てた後、液晶層に所定の電圧を印加した状態で光重合性化合物に紫外線などを照射し、生成した重合体によって液晶分子のプレチルトを制御する。重合体が生成するときの液晶分子の配向状態が電圧を取り去った後においても記憶されるので、液晶層に形成される電界などを制御することにより、液晶分子のプレチルトを調整することができる。
すなわち、本発明の液晶表示素子においては、上記した手法により本発明の液晶配向処理剤から液晶配向膜付き基板を得た後、液晶セルを作製し、紫外線の照射及び加熱の少なくとも一方により重合性化合物を重合することで液晶分子の配向を制御することができる。
PSA方式の液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが挙げられる。
液晶セルを作製した後は、液晶セルに交流又は直流の電圧を印加しながら、熱や紫外線を照射して重合性化合物を重合する。これにより、液晶分子の配向を制御することができる。
加熱による重合の場合、加熱温度は40〜120℃、好ましくは60〜80℃である。また、紫外線と加熱を同時に行ってもよい。
活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を得るためには、この重合性基を含む化合物を液晶配向処理剤中に添加する方法や、重合性基を含む重合体成分を含有する方法が挙げられる。
液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に、基板を貼り合わせて封止を行う方法などが挙げられる。
液晶セルを作製した後は、液晶セルに交流又は直流の電圧を印加しながら、熱や紫外線を照射することで、液晶分子の配向を制御することができる。
以上のようにして、本発明の液晶配向処理剤を用いて作製された液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適である。
実施例で用いた化合物等の略号は、以下のとおりである。
CBDA:1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
BODA:ビシクロ[3,3,0]オクタン−2,4,6,8−テトラカルボン酸二無水物
TCA:下記の式で示されるテトラカルボン酸二無水物
TDA:下記の式で示されるテトラカルボン酸二無水物
PCH7DAB:1,3−ジアミノ−4−〔4−(トランス−4−n−ヘプチルシクロへキシル)フェノキシ〕ベンゼン
PBCH5DAB:1,3−ジアミノ−4−{4−〔トランス−4−(トランス−4−n−ペンチルシクロへキシル)シクロへキシル〕フェノキシ}ベンゼン
m−PBCH5DABz:1,3−ジアミノ−5−{4−〔4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕フェノキシメチル}ベンゼン
ColDAB−1:下記の式で示される特定ジアミン化合物
ColDAB−2:下記の式で示される特定ジアミン化合物
常温ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)装置(GPC−101、昭和電工社製)、カラム(KD−803、KD−805)(Shodex製)を用いて、以下のようにして測定した。
カラム温度:50℃
溶離液:N,N’−ジメチルホルムアミド(添加剤として、臭化リチウム−水和物(LiBr・H2O)が30mmol/L(リットル)、リン酸・無水結晶(o−リン酸)が30mmol/L、テトラヒドロフラン(THF)が10ml/L)
流速:1.0ml/分
検量線作成用標準サンプル:TSK 標準ポリエチレンオキサイド(分子量:約900,000、150,000、100,000、及び30,000)(東ソー社製)及びポリエチレングリコール(分子量 約12,000、4,000、及び1,000)(ポリマーラボラトリー社製)。
ポリイミド粉末20mgをNMRサンプル管(NMRサンプリングチューブスタンダード φ5(草野科学製))に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド(DMSO−d6、0.05%TMS(テトラメチルシラン)混合品)0.53mlを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液をNMR測定機(JNW−ECA500、日本電子データム社製)にて、500MHzのプロトンNMRを測定した。 イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、9.5〜10.0ppm付近に現れるアミド酸のNH基に由来するプロトンピーク積算値とを用いて、以下の式によって求めた。
イミド化率(%)=(1−α・x/y)×100
上記式において、xはアミド酸のNH基由来のプロトンピーク積算値、yは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミド酸(イミド化率が0%)の場合におけるアミド酸のNH基プロトン1個に対する基準プロトンの個数割合である。
CBDA(3.15g,16.1mmol)、PCH7DAB(3.06g,8.0mmol)、及びp−PDA(0.87g,8.0mmol)をNMP(21.2g)中で混合し、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液(1)を得た。このポリアミド酸の数平均分子量は23,600、重量平均分子量は71,200であった。
BODA(1.28g,5.1mmol)、PCH7DAB(1.16g,3.0mmol)、及びDBA(1.09g,7.2mmol)をNMP(7.5g)中で混合し、80℃で4時間反応させた後、CBDA(1.00g,5.1mmol)とNMP(6.1g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(15.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(1.89g)、及びピリジン(1.45g)を加え、80℃で3.5時間反応させた。この反応溶液をメタノール(240ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(2)を得た。このポリイミドのイミド化率は55%であり、数平均分子量は20,200、重量平均分子量は58,200であった。
BODA(5.26g,21.0mmol)、PCH7DAB(5.00g,13.1mmol)、及びDBA(2.00g,13.1mmol)をNMP(21.9g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(1.03g,5.3mmol)とNMP(18.0g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.2g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.47g)、及びピリジン(3.27g)を加え、90℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(420ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(3)を得た。このポリイミドのイミド化率は77%であり、数平均分子量は19,100、重量平均分子量は49,600であった。
BODA(3.27g,13.1mmol)、PBCH5DAB(2.83g,6.5mmol)、及びDBA(1.85g,12.2mmol)をNMP(14.9g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(1.10g,5.6mmol)とNMP(12.2g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.50g)、及びピリジン(3.31g)を加え、90℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(410ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(4)を得た。このポリイミドのイミド化率は80%であり、数平均分子量は18,200、重量平均分子量は48,100であった。
BODA(3.04g,12.2mmol)、m−PBCH5DABz(2.32g,5.2mmol)、及びm−PDA(1.31g,12.1mmol)をNMP(12.7g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(1.02g,5.2mmol)とNMP(10.4g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.5g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.50g)、及びピリジン(3.30g)を加え、90℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(430ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(5)を得た。このポリイミドのイミド化率は81%であり、数平均分子量は19,900、重量平均分子量は49,900であった。
BODA(5.77g,23.1mmol)、ColDAB−1(2.26g,4.3mmol)、及びDBA(3.73g,24.5mmol)をNMP(21.3g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(1.13g,5.8mmol)とNMP(17.4g)を加え、40℃で6.5時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(2.46g)、及びピリジン(1.90g)を加え、80℃で4.5時間反応させた。この反応溶液をメタノール(330ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(6)を得た。このポリイミドのイミド化率は51%であり、数平均分子量は17,600、重量平均分子量は46,200であった。
BODA(5.61g,22.4mmol)、ColDAB−2(1.38g,2.8mmol)、及びp−PDA(2.73g,25.2mmol)をNMP(17.9g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(1.10g,5.6mmol)とNMP(14.6g)を加え、40℃で6.5時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(2.50g)、及びピリジン(1.90g)を加え、90℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(310ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(7)を得た。このポリイミドのイミド化率は52%であり、数平均分子量は16,900、重量平均分子量は46,200であった。
BODA(5.87g,23.5mmol)、AP18(3.31g,8.8mmol)、及びm−PDA(2.22g,20.5mmol)をNMP(20.7g)中で混合し、80℃で4時間反応させた後、CBDA(1.15g,5.9mmol)とNMP(14.6g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.5g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(1.90g)、及びピリジン(1.51g)を加え、80℃で3.5時間反応させた。この反応溶液をメタノール(320ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(8)を得た。このポリイミドのイミド化率は50%であり、数平均分子量は21,200、重量平均分子量は59,200であった。
TCA(3.12g,13.9mmol)、PBCH5DAB(1.81g,4.2mmol)、及びDBA(1.48g,9.7mmol)をNMP(19.2g)中で混合し、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(1.85g)、ピリジン(1.45g)を加え、80℃で4時間反応させた。この反応溶液をメタノール(320ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(9)を得た。このポリイミドのイミド化率は55%であり、数平均分子量は20,800、重量平均分子量は55,900であった。
TDA(2.00g,6.7mmol)、PCH7DAB(4.17g,11.0mmol)、及びDBA(1.67g,11.0mmol)をNMP(17.9g)中で混合し、80℃で5時間反応させた後、CBDA(3.01g,15.3mmol)とNMP(14.7g)を加え、40℃で6時間反応させ、樹脂固形分濃度が25.0質量%のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液(20.0g)にNMPを加え、6質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.52g)、及びピリジン(3.31g)を加え、90℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(480ml)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末(10)を得た。このポリイミドのイミド化率は80%であり、数平均分子量は20,500、重量平均分子量は50,100であった。
合成例で得られたポリアミド酸及びポリイミドを、合成に用いた各成分の組成、及びイミド化率とあわせて表33に示す。
実施例1〜11、及び比較例1〜3は、液晶配向処理剤の調製例である。得られた液晶配向処理剤は、各特性評価にも使用した。
表34及び35には、各液晶配向処理剤の調製に用いた樹脂成分及び特定化合物(A)をまとめて示した。
実施例及び比較例で得られた液晶配向処理剤を用い、「液晶配向膜の作製」、「液晶セルの作製(通常セル)」、「液晶セルの作製(PSAセル)」、「電圧保持率の評価」、「直流電圧により蓄積する電荷の緩和の評価(残留電荷の緩和の評価ともいわれる)」及び「光照射後の評価」を行った。
各評価方法は、下記のとおりである。
液晶配向処理剤を、30mm×40mmITO電極付き基板のITO面にスピンコートし、ホットプレート上にて80℃で5分間、熱循環型クリーンオーブン中にて220℃で30分間加熱処理をして、膜厚100nmのポリイミド液晶配向膜付きの基板を得た。
液晶配向処理剤を、30mm×40mmITO電極付き基板のITO面にスピンコートし、ホットプレート上にて80℃で5分間、熱循環型クリーンオーブン中にて220℃で30分間加熱処理をして、膜厚100nmのポリイミド液晶配向膜付きのITO基板を得た。このITO基板の塗膜面をロール径120mmのラビング装置でレーヨン布を用いて、ロール回転数1000rpm、ロール進行速度50mm/sec、押し込み量0.1mmの条件でラビング処理した。
得られた液晶配向膜付きのITO基板を2枚用意し、液晶配向膜面を内側にして6μmのスペーサーを挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、MLC−6608(メルク・ジャパン社製)を注入し、注入口を封止して液晶セル(通常セル)を得た。
実施例及び比較例で得られた液晶セルについて、偏光顕微鏡による観察により液晶の配向均一性を確認した。いずれの液晶セルとも、ラビング処理に伴う削れや配向不良はなく、液晶は均一に配向していた。
液晶配向処理剤を、中心に10mm×10mmのパターン間隔20μmのITO電極付き基板と中心に10mm×40mmのITO電極付き基板のITO面にスピンコートし、ホットプレート上にて80℃で5分間、熱循環型クリーンオーブン中にて220℃で30分間加熱処理をして、膜厚100nmのポリイミド塗膜を得た。塗膜面を純水にて洗浄し、その後、熱循環型クリーンオーブン中にて100℃で15分間加熱処理をして、液晶配向膜付き基板を得た。
この液晶配向膜付き基板を、液晶配向膜面を内側にして、6μmのスペーサーを挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、MLC−6608(メルク・ジャパン社製)に、下記の式で示される重合性化合物(1)を、MLC−6608の100質量%に対して重合性化合物を0.3質量%混合した液晶を注入し、注入口を封止して、液晶セルを得た。
この液晶セルの紫外線照射前と紫外線照射後の液晶の応答速度を測定した。応答速度は、透過率90%から透過率10%までのT90→T10を測定した。実施例及び比較例で得られたPSAセルは、紫外線照射前の液晶セルの応答速度に比べて、紫外線照射後の液晶セルの応答速度が早くなったことから、液晶の配向方向が制御されたことを確認した。
また、いずれの液晶セルとも、偏光顕微鏡観察により、液晶は均一に配向していることを確認した。
上記の「液晶セルの作製(通常セル)」及び「液晶セルの作製(PSAセル)」で得られた液晶セルに、80℃の温度下で1Vの電圧を60μm印加し、16.67ms後及び50ms後の電圧を測定し、それぞれの時間の後で電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。
測定は、VHR−1電圧保持率測定装置(東陽テクニカ社製)を使用し、Voltage:±1V、Pulse Width:60μs、Flame Period:16.67ms又は50msの設定で行った。本評価においては、値が大きいものほど、電圧保持率の特性が優れていることを示す。
電圧保持率測定後の液晶セルに、直流電圧10Vを30分印加し、1秒間短絡させた後、液晶セル内に発生している電位を1800秒間測定した。そして、50秒後及び1000秒後の残留電荷を測定し、確定した。
測定は、6254型液晶物性評価装置(東陽テクニカ社製)を用いて行った。本評価においては、値が小さいものほど、残留電荷の緩和の特性が優れていることを示す。
残留電荷の緩和の評価が終了した液晶セルに、365nm換算で50J/cm2の紫外線を照射した後、電圧保持率及び残留電荷の測定を、上記と同様の条件にて行った。なお、紫外線照射は、卓上型UV硬化装置(HCT3B28HEX−1、センライト社製(SEN LIGHT CORPORATION))を用いて行った。
表36及び表37には、通常セルを用いた電圧保持率の評価結果を、表38には、PSAセルを用いた電圧保持率の評価結果を示す。また、表39及び表40には、通常セルを用いた残留電荷の緩和の評価結果を、表41には、PSAセルを用いた残留電荷の緩和の評価結果を示す。紫外線照射後の評価結果についても、同様に各表に示す。
合成例1で得られた樹脂固形分濃度25.0質量%のポリアミド酸溶液(1)(10.0g)、NMP(5.7g)、A−1のNMP溶液(1.50g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、BCS(25.8g)を加え、25℃にて2時間攪拌して、液晶配向処理剤(1)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(1)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例2で得られたポリイミド粉末(2)(2.45g)に、NMP(10.9g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(2.45g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(6.0g)、及びBCS(23.6g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(2)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(2)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例3で得られたポリイミド粉末(3)(2.40g)に、NMP(13.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(2.40g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.2g)、及びBCS(18.9g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(3)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(3)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例3で得られたポリイミド粉末(3)(2.45g)に、NMP(12.9g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(4.90g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.0g)、及びBCS(20.2g)を加え、50℃にて14時間攪拌して、液晶配向処理剤(4)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(4)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例4で得られたポリイミド粉末(4)(2.41g)に、NMP(13.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(2.41g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.3g)、及びBCS(19.0g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(5)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(5)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例5で得られたポリイミド粉末(5)(2.40g)に、NMP(13.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−2のNMP溶液(2.40g)(A−2が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.4g)、及びBCS(18.9g)を加え、50℃にて11時間攪拌して、液晶配向処理剤(6)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(6)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例6で得られたポリイミド粉末(6)(2.40g)に、NMP(16.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(1.44g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(9.0g)、及びBCS(14.4g)を加え、50℃にて9時間攪拌して、液晶配向処理剤(7)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(7)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例7で得られたポリイミド粉末(7)(2.41g)に、NMP(16.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−2のNMP溶液(1.45g)(A−2が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(8.9g)、及びBCS(14.5g)を加え、50℃にて9時間攪拌して、液晶配向処理剤(8)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(8)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例8で得られたポリイミド粉末(8)(2.40g)に、NMP(13.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(2.40g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.4g)、及びBCS(18.9g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(9)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(9)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例9で得られたポリイミド粉末(9)(2.40g)に、NMP(14.5g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−2のNMP溶液(3.36g)(A−2が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(8.0g)、及びBCS(17.1g)を加え、50℃にて12時間攪拌して、液晶配向処理剤(10)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(10)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例10で得られたポリイミド粉末(10)(2.40g)に、NMP(14.0g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、A−1のNMP溶液(4.80g)(A−1が5.0質量%のNMP溶液)、NMP(7.6g)、及びBCS(17.6g)を加え、50℃にて14時間攪拌して、液晶配向処理剤(11)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(11)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例1で得られた樹脂固形分濃度25.0質量%のポリアミド酸溶液(1)(10.0g)、NMP(6.7g)、及びBCS(25.1g)を加え、25℃にて2時間攪拌して、液晶配向処理剤(12)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(12)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例2で得られたポリイミド粉末(2)(2.41g)に、NMP(11.8g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、NMP(6.4g)、及びBCS(22.1g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(13)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(13)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
合成例4で得られたポリイミド粉末(4)(2.40g)に、NMP(14.3g)を加え、70℃にて24時間攪拌して溶解させた。この溶液に、NMP(7.7g)、及びBCS(18.1g)を加え、50℃にて10時間攪拌して、液晶配向処理剤(14)を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤(14)を用いて、上記した条件のもとで、セルの作製や各種の評価を行った。
特定アミン化合物を含まない比較例1〜3は、長時間、光(紫外線)に曝された後の電圧保持率の低下が大きく、かつ残留電荷の蓄積が大きくなった。
また、同一のポリイミド前駆体又はポリイミドで、特定アミン化合物を含む実施例と特定アミン化合物を含まない比較例との比較においては、特定アミン化合物を含む実施例では、長時間、光(紫外線)に曝された後であっても、電圧保持率の低下が小さく、かつ残留電荷の緩和が小さかった。
具体的には、通常セルにおける、表36,表37,表39及び表40に示されるように、実施例1と比較例1との比較、実施例2と比較例2との比較、及び実施例5と比較例3との比較である。また、PSAセルにおける、表38及び表41に示されるように、実施例1と比較例1との比較、及び実施例2と比較例2との比較である。
さらに、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜は、液晶表示素子を作製する際に、紫外線を照射する必要がある液晶表示素子の作製においても有用である。
なお、2012年2月3日に出願された日本特許出願2012−021830号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (17)
- 下記の成分(A)及び成分(B)を含有することを特徴とする液晶配向処理剤。
成分(A):分子内にイミダゾール環とヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基を有し、かつ前記ヒドロキシル基又は炭素数1〜3のアルコキシル基が、2価の脂肪族炭化水素基又は非芳香族環式炭化水素基に結合している化合物。
成分(B):ポリイミド前駆体及びポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体。 - 式[1a]中、X3が炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数1〜10の分岐状アルキル基又はシクロヘキサン環である請求項3に記載の液晶配向処理剤。
- 式[1a]中、X4が単結合、−O−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−COO−、−OCO−又は−O(CH2)m−(mは1〜5の整数である)である請求項3又は4に記載の液晶配向処理剤。
- 式[1a]中、R2が水素原子又はメチル基である請求項3〜5のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
- 前記成分(B)が、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリアミド酸及び該ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも1種の重合体である請求項1〜6のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
- 前記ジアミン成分が、下記式[2]で示される側鎖を有するジアミン化合物である請求項7に記載の液晶配向処理剤。
- 式[2]の側鎖を有するジアミン化合物が、下記式[2a]で示されるジアミン化合物である請求項8に記載の液晶配向処理剤。
- 式[2]の側鎖を有するジアミン化合物又は式[2a]で示されるジアミン化合物が、ジアミン成分中の5〜80モル%である請求項8又は9に記載の液晶配向処理剤。
- 前記成分(B)の重合体が、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドである請求項1〜11のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
- 前記成分(B)の100質量部に対し、前記成分(A)が0.1〜20質量部である請求項1〜13のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
- 液晶配向処理剤の全量(100質量%)に対して、5〜60質量%の貧溶媒を含有する請求項1〜14のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
- 請求項1〜15のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤を用いて得られる液晶配向膜。
- 請求項16に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
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