TW201448691A - 具彎折邊緣區域之可撓性顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電子器件，其可具有一可撓性顯示器，該可撓性顯示器具有沿著一彎折軸線而彎折之部分。該顯示器可具有顯示電路，諸如，一作用區中之顯示像素之一陣列。接觸墊可形成於該顯示器之一非作用區中。信號線可將該等顯示像素耦接至該等接觸墊。在該顯示器之該非作用區中該等信號線可與該彎折軸線重疊。在製造期間，可在該顯示器上形成與該彎折軸線重疊之一蝕刻終止件。該蝕刻終止件可防止在一聚合物可撓性顯示器基板上之諸如一緩衝層之介電質的過度蝕刻。充當一中性應力平面調整層之一聚合物層可形成於該顯示器之該非作用區中之該等信號線上方。在彎折時，該中性應力平面調整層幫助防止該等信號線中之應力。

Description

具彎折邊緣區域之可撓性顯示器
本申請案主張2014年3月6日申請之美國專利申請案第14/199,871號及2013年4月9日申請之美國臨時專利申請案第61/810,199號之優先權，該等申請案之全文特此以引用方式併入本文中。
本發明大體而言係關於電子器件，且更特定言之，係關於具有顯示器之電子器件。
電子器件常常包括顯示器。舉例而言，蜂巢式電話及攜帶型電腦常常包括用於將資訊呈現給使用者之顯示器。
形成電子器件之顯示器可為有挑戰性的。顯示器具有由顯示像素之陣列形成之作用區。非作用邊界區域環繞該等作用區域。顯示器中之非作用邊界區域含有支援電路(諸如，信號線及薄膜電晶體電路)，但不含有用於為使用者產生影像之作用像素。為了減小非作用邊界區域之表觀大小，可需要在形成顯示器時使用可撓性基板。此情形允許非作用邊界區域之部分彎折而不被看到，藉此減小可見非作用顯示器邊界之大小且增強顯示器之外觀。當形成具彎折邊緣之顯示器時出現挑戰。若不當心，則在嘗試製造可適應彎折之顯示器時顯示器內之結構可受損且諸如金屬信號線之結構可破裂。對顯示器組件之損害可造成顯示器過早地出故障。
因此，將需要能夠提供用於電子器件之改良型顯示器。
一種電子器件可具備一可撓性顯示器。該顯示器可具有沿著一彎折軸線而彎折之部分。舉例而言，該顯示器之邊緣可彎折以幫助隱藏非作用顯示器組件而不被該電子器件之一使用者檢視到。
該顯示器可具有顯示電路，諸如，該顯示器之一作用區中之顯示像素之一陣列。舉例而言，該作用區可具有一矩形形狀。該顯示器亦可具有在該顯示器之非作用區中的信號線、接觸墊，及其他結構。舉例而言，該非作用區可具有環繞該作用區之一矩形環之形狀。
該顯示電路可形成於諸如一可撓性聚合物基板之一基板上。可在形成其他顯示結構之前將一緩衝層沈積於該聚合物基板上，以幫助防止污染物自該聚合物基板逃逸。
該顯示器可具有沿著一彎折軸線而彎折之部分。信號線可將該顯示器之該作用區中之顯示像素耦接至該顯示器之該非作用區中之接觸墊或其他結構。在該顯示器之該非作用區中該等信號線可與該彎折軸線重疊。在製造期間，可在該顯示器上形成與該彎折軸線重疊之一蝕刻終止件。該蝕刻終止件可在執行乾式蝕刻以移除該非作用區中之層間介電質，從而使該顯示器準備好彎折的同時，防止在該可撓性聚合物基板之表面上之介電質(諸如，該緩衝層)的過度蝕刻。充當一中性應力平面調整層之一聚合物層可形成於該顯示器之該非作用區中之該等信號線上方。在彎折時，該中性應力平面調整層幫助防止應力產生於該等彎折信號線中。
本發明之另外特徵、本發明之性質及各種優點將自隨附圖式及較佳實施例之以下詳細描述而更顯而易見。
10‧‧‧電子器件
12‧‧‧外殼
12A‧‧‧上部外殼
12B‧‧‧下部外殼
14‧‧‧顯示器
14L‧‧‧左側邊緣
14R‧‧‧右側邊緣
16‧‧‧鍵盤
18‧‧‧觸控板
20‧‧‧鉸鏈結構
22‧‧‧方向
24‧‧‧旋轉軸線
26‧‧‧按鈕
27‧‧‧台架
28‧‧‧揚聲器埠
30‧‧‧顯示像素/有機發光二極體顯示像素
32‧‧‧閘極線/控制線
34‧‧‧資料線/控制線
36‧‧‧顯示像素陣列
38‧‧‧薄膜電晶體
40‧‧‧發光有機材料
44‧‧‧彎折軸線
48‧‧‧信號線/金屬跡線
48P‧‧‧接觸墊/接點
50‧‧‧彎折
60‧‧‧可撓性基板
62‧‧‧緩衝層
64D‧‧‧結構
64ES‧‧‧蝕刻終止件/蝕刻終止層
66‧‧‧薄膜電晶體緩衝層
68‧‧‧多晶矽層結構/多晶矽電晶體結構/多晶矽/經圖案化 多晶矽結構
70‧‧‧閘極絕緣體
72‧‧‧金屬結構/金屬閘極/第一金屬層
74‧‧‧層間介電質(ILD)
76‧‧‧光阻
78‧‧‧邊緣介層孔
80‧‧‧第二金屬層/金屬/金屬結構/經圖案化金屬層/底層金屬
82‧‧‧鈍化層/第二金屬層
84‧‧‧平坦化層
86‧‧‧接觸金屬層/第三金屬層
90‧‧‧接觸墊區域/結合墊區域/接觸區域
92‧‧‧額外聚合物層
100‧‧‧顯示層
102‧‧‧張應力
102'‧‧‧張應力
104‧‧‧壓縮應力
106‧‧‧中性應力平面
110‧‧‧步驟
112‧‧‧步驟
114‧‧‧步驟
116‧‧‧步驟
118‧‧‧步驟
120‧‧‧步驟
122‧‧‧步驟
124‧‧‧步驟
126‧‧‧步驟
128‧‧‧步驟
130‧‧‧步驟
132‧‧‧步驟
134‧‧‧步驟
136‧‧‧步驟
138‧‧‧步驟
AA‧‧‧作用區
IA‧‧‧矩形環狀非作用區/非作用區域
圖1為根據本發明之一實施例的具有顯示器之說明性電子器件(諸如，膝上型電腦)的透視圖。
圖2為根據本發明之一實施例的具有顯示器之說明性電子器件(諸如，手持型電子器件)的透視圖。
圖3為根據本發明之一實施例的具有顯示器之說明性電子器件(諸如，平板電腦)的透視圖。
圖4為根據本發明之一實施例的具有顯示器結構之說明性電子器件(諸如，電腦顯示器)的透視圖。
圖5為根據本發明之一實施例的顯示器中之顯示像素之陣列的圖。
圖6為根據本發明之一實施例的顯示器中之說明性顯示像素的電路圖。
圖7為根據本發明之一實施例的具彎折邊緣之說明性顯示器的透視圖。
圖8為根據本發明之一實施例的在層間介電質之沈積之後的說明性顯示器的橫截面側視圖。
圖9為根據本發明之一實施例的在層間介電質之圖案化之後的圖8之說明性顯示器的橫截面側視圖。
圖10為根據本發明之一實施例的在顯示器之金屬層及鈍化層之形成之後的圖9之說明性顯示器的橫截面側視圖。
圖11為根據本發明之一實施例的在接觸墊結構之形成之後的圖10之說明性顯示器的橫截面側視圖。
圖12為根據本發明之一實施例的呈一組態之圖11所展示之類型之說明性顯示器的橫截面側視圖，在該組態中，額外層間介電質及接觸墊結構形成於該顯示器之非作用部分中。
圖13為根據本發明之一實施例的在彎折之前的說明性可撓性顯示器之一部分的橫截面側視圖。
圖14為根據本發明之一實施例的在顯示器之一部分之彎折之後 的圖13之說明性顯示器之一部分的橫截面側視圖。
圖15為根據本發明之一實施例的說明性顯示器之一部分的橫截面側視圖，其中充當中性應力平面調整層之材料層已經添加至顯示器之上部表面以幫助減小顯示器之彎折部分中之金屬結構的應力。
圖16為根據本發明之一實施例的形成具彎折邊緣區域之顯示器的過程中所涉及的說明性步驟之流程圖。
電子器件可包括顯示器。顯示器可用以向使用者顯示影像。圖1、圖2、圖3及圖4中展示可具備顯示器之說明性電子器件。
圖1展示電子器件10可如何具有膝上型電腦之形狀，該膝上型電腦具有上部外殼12A及下部外殼12B，下部外殼12B具有諸如鍵盤16及觸控板18之組件。器件10可具有鉸鏈結構20，鉸鏈結構20允許上部外殼12A在方向22上相對於下部外殼12B圍繞旋轉軸線24而旋轉。顯示器14可安裝於上部外殼12A中。可藉由使上部外殼12A(其有時可被稱作顯示器外殼或蓋罩)圍繞旋轉軸線24朝向下部外殼12B旋轉而將上部外殼12A置於閉合位置中。
圖2展示電子器件10可如何為諸如蜂巢式電話、音樂播放器、遊戲器件、導航單元或其他緊湊型器件之手持型器件。在器件10之此組態類型中，外殼12可具有對置之前表面及後表面。顯示器14可安裝於外殼12之前面上。視需要，顯示器14可具有用於諸如按鈕26之組件之開口。開口亦可形成於顯示器14中以容納揚聲器埠(參見(例如)圖2之揚聲器埠28)。
圖3展示電子器件10可如何為平板電腦。在圖3之電子器件10中，外殼12可具有對置之平面前表面及後表面。顯示器14可安裝於外殼12之前表面上。如圖3所展示，顯示器14可具有用以容納按鈕26(作為一實例)之開口。
圖4展示電子器件10可如何為電腦或電視顯示器或已整合至顯示器中之電腦。在此類型之配置內，用於器件10之外殼12可安裝於諸如台架27之支撐結構上。顯示器14可安裝於外殼12之前面上。
圖1、圖2、圖3及圖4所展示之器件10之說明性組態僅僅係說明性的。一般而言，電子器件10可為：膝上型電腦；含有嵌入式電腦之電腦監視器；平板電腦；蜂巢式電話；媒體播放器；或其他手持型或攜帶型電子器件；諸如腕錶器件、垂飾器件、頭戴式耳機或耳機器件之較小器件；或其他可穿戴或小型器件；電視；不含有嵌入式電腦之電腦顯示器；遊戲器件；導航器件；嵌入式系統，諸如，具有顯示器之電子設備安裝於資訊站或汽車中之系統)；實施此等器件中之兩者或兩者以上之功能性的設備；或其他電子設備。
器件10之外殼12(其有時被稱作殼體)可由諸如塑膠、玻璃、陶瓷、碳纖維複合物及其他以纖維為基礎之複合物、金屬(例如，經加工鋁、不鏽鋼或其他金屬)、其他材料或此等材料之組合的材料形成。器件10可使用其中外殼12之大部分或全部係由單一結構元件(例如，經加工金屬件或經模製塑膠件)形成的單體式構造(unibody construction)予以形成，或可由多個外殼結構(例如，已安裝至內部框架元件之外部外殼結構，或其他內部外殼結構)形成。
顯示器14可為包括觸控感測器之觸敏顯示器，或可對觸碰不敏感。用於顯示器14之觸控感測器可由如下各者形成：電容性觸控感測器電極之陣列；電阻性觸控陣列；基於聲學觸控技術、光學觸控技術或以力為基礎之觸控技術之觸控感測器結構；或其他合適觸控感測器組件。
用於器件10之顯示器14包括由有機發光二極體組件或其他合適顯示像素結構形成之顯示像素。選用的顯示覆蓋層(諸如，平面或彎曲透明玻璃或塑膠薄片或其他透明部件)可覆蓋顯示器14之外部表面 (視需要)。顯示器14之邊緣部分可彎折以隱藏顯示器14之非作用邊界區域而不被檢視到，或顯示器14可以其他方式具備彎折(彎曲)部分。
為了確保彎折操作不損害顯示器14，可使顯示器14具備幫助使顯示器之彎折部分之中性應力平面移動成與金屬線及其他敏感電路對準之材料層(諸如，聚合物層)。此情形幫助避免當顯示器之邊緣或其他部分彎折時對敏感電路之損害。
圖5為顯示器14的俯視圖。如圖5所展示，顯示器14可包括顯示像素陣列36。顯示像素陣列36包括若干列及行之顯示像素30。舉例而言，顯示像素30可為有機發光二極體像素。閘極線32及資料線34可用以將控制信號供應至顯示像素30之陣列。顯示像素陣列36可具有在顯示器14之中心的矩形形狀。顯示像素陣列36可形成向器件10之使用者顯示影像的顯示器14之作用區域(作用區AA)。顯示器14之作用區AA可由非作用邊界區域(諸如，圖5之矩形環狀非作用區IA)環繞。非作用區IA可含有支援電路，諸如，顯示控制電路中之薄膜電晶體及其他薄膜電晶體電路、由金屬跡線形成之信號線、接觸墊，及並不發射光而為使用者產生影像之其他顯示電路。非作用區IA中之支援電路及作用區AA中之顯示像素陣列36之電路可在顯示器14彎折時潛在地經受應力。藉由移除諸如潛在脆性層間介電材料之結構且將諸如聚合物層之可撓性層置放於非作用區域IA中，可最小化在彎折區域中對顯示器14之結構之損害的可能性。
圖6為說明性有機發光二極體顯示像素30之電路圖。如圖6所展示，顯示像素30可具有薄膜電晶體電路，諸如，一或多個薄膜電晶體38。圖6之實例中之薄膜電晶體38耦接於資料線34中之一者與一塊發光有機材料40之間，且具有耦接至閘極線32中之一者之閘極端子。視需要，可將其他類型之顯示像素30用於顯示器14之顯示像素陣列36中(例如，具有兩個或兩個以上、三個或三個以上或四個或四個以上電 晶體的顯示像素)。圖6之實例僅僅係說明性的。
圖7為呈說明性組態之顯示器14的透視圖，其中顯示器14之右側邊緣及左側邊緣已彎折。一般而言，顯示器14之一或多個邊緣可彎折(例如，一個邊緣可彎折；兩個邊緣可彎折；三個邊緣可彎折；或四個邊緣可彎折)。顯示器14中存在兩個對置之彎折邊緣的圖7之配置僅僅係說明性的。
如圖7所展示，左側邊緣14L及右側邊緣14R各自沿著一各別彎折軸線44而彎折。顯示器14可具有由可撓性基板上之薄膜電晶體形成的顯示支援電路。積體電路(諸如，安裝於顯示器14上或經由信號匯流排而耦接至顯示器14之顯示驅動器積體電路)亦可用作顯示支援電路。諸如接觸墊48P之一或多個接點可使用焊料而耦接至積體電路上之各別積體電路墊；可耦接至可撓性印刷電路匯流排上之各別接點；可耦接至連接器接點；或可耦接至其他電路。
在作用區AA中，顯示像素30可經配置以形成陣列36。控制線32及34可將控制信號輸送至顯示像素30。非作用區IA可與彎折軸線44重疊。在此區域中，諸如信號線48之導電線可與彎折軸線44重疊及在顯示器14中彎折50。線48可由金屬跡線形成，且可耦接至陣列36中之控制線(諸如，線32及/或線34)。線(金屬跡線)48可耦接至諸如接點48P之各別接點。接點48P(其有時可被稱作接觸墊)可連接至積體電路、信號匯流排纜線、連接器及其他電路。
可藉由將介電及導電材料層沈積且圖案化於可撓性基板上來形成顯示器14。圖8展示顯示器14之說明性部分形成之版本的橫截面圖。如圖8所展示，顯示器14可具有可撓性基板，諸如，可撓性基板60。基板60可為可撓性介電層，諸如，聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)層，或其他可撓性聚合物薄片。諸如層62之緩衝層(諸如，二氧化矽或其他惰性介電質(例如，無機介電質))可沈積 於基板60之上部表面上，以防止在高溫處理步驟期間可能以其他方式污染形成於顯示器14上的顯示像素結構之溶劑殘餘物及其他污染物之除氣。層62可具有約100奈米(例如，約30奈米至200奈米)之厚度，且因此，可足夠薄而在不具有破裂的情況下彎折(亦即，層62可足夠薄以確保層62係可撓性的且可在不具有損害的情況下沿著彎折軸線44以直角或其他合適角度彎折)。
在緩衝層62之形成之後，可充當非作用區域IA中之蝕刻終止件(亦即，蝕刻終止件64E)的經圖案化材料層(諸如，金屬、氧化銦錫、氧化銦鋅或其他材料)可形成於緩衝層62之頂部上。如圖8所展示，在層64E經沈積且經圖案化於非作用區IA中的同時，用於形成蝕刻終止件64E之同一材料可用於形成諸如結構64D之作用區結構(例如，金屬結構或由含銦之氧化物形成之結構，其充當光洩漏阻擋結構、薄膜電路之部分、電容器結構等等)。
在結構64D及64ES之形成之後，可沈積諸如薄膜電晶體緩衝層66之層。舉例而言，層66可為氧化矽層、氮化矽層、包括氧化矽子層及氮化矽子層之層，或其他無機緩衝層。
可使用半導體沈積製程而使薄膜電晶體器件形成於緩衝層66上。作為一實例，可使用諸如低溫多晶矽沈積製程的製程來沈積諸如多晶矽層結構68或其他半導體電晶體結構之薄膜電晶體多晶矽結構。諸如二氧化矽或其他無機介電質之閘極絕緣體70可沈積於多晶矽結構68上方。
在閘極絕緣體70之形成之後，可形成金屬結構72。舉例而言，金屬結構72可形成與多晶矽層68相關聯的電晶體之電晶體閘極。金屬閘極72可各自與對應多晶矽薄膜電晶體結構(參見(例如)圖8之多晶矽電晶體結構68)重疊。金屬層72有時可被稱作顯示器14中之第一金屬層。
可使用光微影(例如，光阻之沈積及顯影、濕式及乾式蝕刻，等等)來圖案化諸如金屬層72及顯示器14中之其他材料層之層。在已沈積顯示器14之第一金屬層(金屬層72)之後，可沈積層間介電質(ILD)74。層間介電質74可由二氧化矽層、氮化矽層、二氧化矽及氮化矽的多層或其他無機介電材料形成。層間介電質74之厚度可大於諸如緩衝層62之下伏層之厚度。舉例而言，層間介電質74可具有二氧化矽層及氮化矽層，其中每一者具有約300奈米(例如，約200奈米至400奈米)之厚度。層間介電質74可與作用區AA及非作用區IA兩者重疊。
為了防止層間介電質74中之破裂，可需要自顯示器14之部分移除將與顯示器彎折軸線重疊之層間介電質74。舉例而言，可需要自非作用區IA中之一些或全部移除層間介電質74。
如圖9所展示，諸如光阻76之經圖案化光阻層可形成於層間介電質74之上部表面上。可對作用區AA中之層間介電質74之未覆蓋部分中的邊緣介層孔78使用蝕刻(例如，乾式蝕刻)。同時，完全地移除非作用區IA中之層間介電質74(例如，作為同一乾式蝕刻製程之部分)。蝕刻終止層64ES在乾式蝕刻製程期間展現比層間介電質74之蝕刻速率實質上慢的蝕刻速率。歸因於蝕刻終止層64ES之存在，乾式蝕刻製程在層64ES處終止且不穿透緩衝層62。此情形確保在蝕刻層間介電質74以形成介層孔78之製程期間將不移除緩衝層62，甚至在用於介層孔78之乾式蝕刻製程充分完成使得在介層孔78之底部處多晶矽層68之表面曝露時亦如此。
在層間介電質74中形成介層孔78且移除蝕刻終止件64ES之上的非作用區IA中之層間介電質74之後，可移除蝕刻終止件64ES及光阻76。作用區AA中之由與蝕刻終止件64ES相同的層形成的結構(亦即，諸如結構64D之結構)可在蝕刻終止件64ES之移除之後繼續存在。
如圖10所展示，第二金屬層(金屬80)可沈積於介層孔78中以形成 與多晶矽68之電接點(源極接點及汲極接點)。在非作用區域IA中，金屬80可經圖案化以形成圖7之信號線48以將顯示像素陣列36連接至接觸墊48P。鈍化層82可形成於層80上。鈍化層82可由諸如二氧化矽、氮化矽或其他介電材料之無機介電質形成。
視需要，可使用光微影圖案化(例如，光微影及蝕刻)而形成鈍化層82中之開口。開口可被形成為與作用區AA中之介層孔78對準且與非作用區IA中之接觸墊區域90對準。在鈍化層82中形成開口之後，可藉由沈積且圖案化接觸金屬(第三金屬)層86來形成接點(例如，諸如圖7之墊48P之接點)。層86可與介層孔78中及接觸墊區域90中之金屬層80接觸。積體電路可具有使用焊料而耦接至結合墊區域90中之金屬層86的接點，或諸如可撓性印刷電路上之金屬跡線之其他結構可耦接至區域90中之金屬層86。
如圖12所展示，區域90中之接點可形成於層間介電質74之頂部上(例如，呈沿著非作用區IA之最外部邊緣而保留一些層間介電質74之組態)。圖11之在非作用區IA中所有層間介電質74皆被移除的組態僅僅係說明性的。
在區域90中形成接點之後，可使顯示器14圍繞彎折軸線44而彎折(在圖11之實例中)。彎折軸線可處於基板60內或可處於基板60下方(作為實例)。非作用區IA中之與彎折軸線44重疊之顯示器14之部分可不具有層間介電質74，藉此避免歸因於彎折而在層間介電質74中產生破裂。層62、80及82之部分可存在於與彎折軸線44重疊之非作用區中，因此，此等層較佳足夠薄且可撓性的以經受藉由彎折顯示器14引入之應力。
為了進一步減小敏感結構(諸如，由第二金屬層80形成之線48)之應力，可使額外介電層形成於區域IA中之由層80形成之金屬跡線之頂部上。此選用的額外介電層(其被說明為圖12之額外層92)可由諸如聚 合物(例如，環氧樹脂、聚醯亞胺等等)或其他合適材料之介電質形成。
層92藉由將顯示器14之中性應力平面移位成與金屬80(例如，由金屬80形成之金屬跡線48)對準而幫助減小由金屬層80形成的跡線中之應力。作為一實例，考慮圖13之橫截面側視圖中所展示的類型之未彎折(平面)顯示器。如圖13所展示，金屬80可處於基板60上之顯示層100內。層100可包括諸如緩衝層62及鈍化層82之層。在顯示器14圍繞圖14之彎折軸線44向下彎折之後，層100之上部部分可經受張應力(如由箭頭102所指示)，而基板60之下部部分可經受壓縮應力(如由箭頭104所指示)。在圖14之顯示器14中存在中性應力平面106，其中由於彎折所致之張應力及壓縮應力彼此平衡且引起低應力量。如圖14所展示，在不存在額外聚合物層92的情況下，中性應力平面60可處於基板60內且不與金屬80對準。
在額外聚合物層92存在於層100之頂部上時，在圍繞彎折軸線44而彎折顯示器14時張應力將產生於聚合物層92之上部部分內，如圖15所展示。此將造成中性應力平面(亦即，基板60中之壓縮應力104係由層92中之張應力102'補償的平面)移動成與金屬80(亦即，跡線48)垂直對準。藉由選擇層92之厚度及材料性質，中性應力平面106可經組態以最小化金屬結構80中之應力，甚至在顯示器14彎折成直角(90°角)的情形下亦然，如圖15所展示。
圖16為在形成電子器件時所涉及的說明性步驟之流程圖，電子器件諸如，具有顯示器(諸如，具有一或多個彎折邊緣之顯示器14)之電子器件10。
在步驟110處，可將諸如二氧化矽層或其他緩衝層62之緩衝層沈積於基板60上。
在步驟112處，可在緩衝層62上形成諸如蝕刻終止件64ES之結構 及(視需要)作用區AA中之結構64D。可藉由將金屬層或其他材料層沈積於緩衝層62上且藉由使用光微影圖案化(作為一實例)而圖案化該經沈積層而形成諸如結構64ES及64D之結構。
在步驟114處，可在蝕刻終止層64ES之頂部上及諸如結構64D之其他結構之頂部上形成緩衝層66(例如，氧化矽及/或氮化矽或其他無機介電質)。
在步驟116處，可沈積且圖案化多晶矽68或其他薄膜電晶體材料(例如，使用低溫多晶矽沈積製程及光微影圖案化)。
在步驟118處，可在經圖案化多晶矽結構68之頂部上形成閘極絕緣體70。
在步驟120處，可在閘極絕緣體70之頂部上形成第一金屬層72。舉例而言，可藉由濺鍍或其他沈積製程來沈積金屬層，且可使用光微影圖案化技術來圖案化金屬層。
在步驟122處，可將層間介電質74沈積於金屬層72上。層間介電質74可包括一或多個介電材料子層。
在步驟124處，可使用光微影圖案化(例如，光阻圖案化，繼之以使用乾式蝕刻工具或其他半導體處理設備之蝕刻)以形成介層孔78。在形成介層孔78之同一乾式蝕刻製程期間，可自非作用區域IA(亦即，自區域IA之一些或全部，包括區域IA之與彎折軸線44之位置重疊之部分)移除層間介電質74。蝕刻終止件64ES終止該蝕刻製程，使得不過度地蝕刻區域IA中之結構。
在步驟126處，可使用濕式蝕刻或其他移除製程以移除蝕刻終止件64ES。此情形曝露非作用區IA中之緩衝層62，而不會損害緩衝層62。結構64D可繼續存在於作用區AA中。
在步驟128處，可在顯示器14上形成第二金屬層80。舉例而言，可使用光微影圖案化技術而沈積且圖案化金屬層80。經圖案化金屬層 80可形成諸如非作用區IA中之信號線48及接點48P之結構。
在步驟130處，可在金屬層80之頂部上形成諸如鈍化層82之介電鈍化層。
在步驟132處，可使開口形成於鈍化層82中以用於形成接點。舉例而言，可在選定介層孔78(例如，陽極介層孔)之底部處形成開口以曝露下伏金屬80，且可在區域90中形成開口以曝露金屬80。
在步驟132處，可由聚合物(塑膠)或其他材料形成平坦化層84。層84可經光微影圖案化以形成與介層孔78(例如，陽極介層孔)及接觸區域90中之一些對準之開口。
在步驟136處，可在顯示器14上形成另一經圖案化金屬結構層。舉例而言，可使用光微影圖案化來沈積且圖案化第三金屬層86，藉此在作用區AA中形成具有第二金屬層80之陽極接點且在非作用區IA中形成接觸墊48P。
在步驟138處，可沈積聚合物層92(有時被稱作中性應力平面調整層)，如圖12所展示。可接著將顯示器14沿著彎折軸線44或其他合適彎折軸線彎折以形成顯示器14之一或多個彎折邊緣。可將彎折的顯示器安裝於外殼12內以形成成品電子器件，諸如，圖1、圖2、圖3及圖4之器件10。
根據一實施例，提供一種形成一顯示器之方法，其包括：將一緩衝層沈積於一聚合物基板上；將半導體電晶體結構沈積於該緩衝層上；在該緩衝層上形成一蝕刻終止層；將層間介電質沈積於該蝕刻終止層上方；移除在該蝕刻終止層上方之該層間介電質；及沿著一彎折軸線而彎折該顯示器。
根據另一實施例，該顯示器具有一作用區及一非作用區，且沈積該等半導體電晶體結構包括將該等半導體電晶體結構沈積於該作用區中。
根據另一實施例，該彎折軸線與該非作用區重疊，移除在該蝕刻終止層上方之該層間介電質包括移除在該彎折軸線上方之該層間介電質，且彎折該顯示器包括在移除在該彎折軸線上方之該層間介電質之後沿著該彎折軸線而彎折該顯示器。
根據另一實施例，彎折該顯示器包括將該顯示器彎折成一直角。
根據另一實施例，形成該蝕刻終止層包括沈積一材料層，該方法進一步包括圖案化該材料層以形成該蝕刻終止件且在該作用區中形成結構。
根據另一實施例，沈積該材料層包括沈積一金屬層。
根據另一實施例，該方法包括在彎折該顯示器之前移除該蝕刻終止層。
根據另一實施例，移除該蝕刻終止層包括濕式蝕刻。
根據另一實施例，該方法包括在移除該蝕刻終止層之後形成金屬跡線。
根據另一實施例，該方法包括在彎折該顯示器之前將一聚合物中性應力平面調整層沈積於該等金屬跡線上方並與該彎折軸線重疊。
根據一實施例，提供一種形成具有一作用區及一非作用區之一顯示器之方法，其包括：在蝕刻一層間介電質的同時沈積一蝕刻終止件，該蝕刻終止件防止在該非作用區中之一介電層之過度蝕刻；及在蝕刻該層間介電質之後移除在一彎折軸線上方之該蝕刻終止層；及沿著該彎折軸線而彎折該顯示器。
根據另一實施例，該方法包括使用與該彎折軸線重疊之金屬跡線而將該作用區中之顯示像素耦接至該非作用區中之接點。
根據另一實施例，該顯示器包括具有一表面之一可撓性聚合物基板，該介電層為在該可撓性聚合物基板之該表面上之一緩衝層，且 耦接該等顯示像素包括在該緩衝層上形成該等金屬跡線。
根據另一實施例，該方法包括在沿著該彎折軸線而彎折該顯示器之前將一中性應力平面調整層沈積於該等金屬跡線上。
根據另一實施例，沈積該蝕刻終止件包括沈積一金屬層。
根據另一實施例，沈積該蝕刻終止件包括沈積一含銦層。
根據另一實施例，沈積該蝕刻終止件包括沈積一含銦之氧化物層。
根據一實施例，提供一種顯示器，其包括：一顯示器基板；金屬跡線，該等金屬跡線在該顯示器基板上與一彎折軸線重疊，該顯示器基板沿著該彎折軸線而彎折；及一聚合物層，其沿著該彎折軸線與該等金屬跡線重疊。
根據另一實施例，該顯示器具有具顯示像素之一陣列的一作用區以及一非作用區，該顯示器進一步包括：在該顯示器基板上之一第一緩衝層；在該作用區中之在該第一緩衝層上之一金屬結構；與該金屬結構重疊之一第二緩衝層；及在該第二緩衝層上之多晶矽結構。
根據另一實施例，該金屬結構被形成為該非作用區中之含有一蝕刻終止結構的一層之部分，該顯示器包括在該等多晶矽結構及該第二緩衝層上之閘極絕緣體；及在該閘極絕緣體上之層間介電質。
前述內容僅僅說明本發明之原理，且可由熟習此項技術者在不脫離本發明之範疇及精神的情況下作出各種修改。
14‧‧‧顯示器
44‧‧‧彎折軸線
60‧‧‧可撓性基板
62‧‧‧緩衝層
64D‧‧‧結構
66‧‧‧薄膜電晶體緩衝層
68‧‧‧多晶矽層結構/多晶矽電晶體結構/多晶矽/經圖案化多晶矽結構
70‧‧‧閘極絕緣體
72‧‧‧金屬結構/金屬閘極/第一金屬層
74‧‧‧層間介電質(ILD)
78‧‧‧邊緣介層孔
80‧‧‧第二金屬層/金屬/金屬結構/經圖案化金屬層/底層金屬
82‧‧‧鈍化層/第二金屬層
84‧‧‧平坦化層
86‧‧‧接觸金屬層/第三金屬層
90‧‧‧接觸墊區域/結合墊區域/接觸區域
92‧‧‧額外聚合物層
AA‧‧‧作用區
IA‧‧‧矩形環狀非作用區/非作用區域

Claims (20)

  1. 一種形成一顯示器之方法，其包含：將一緩衝層沈積於一聚合物基板上；將半導體電晶體結構沈積於該緩衝層上；在該緩衝層上形成一蝕刻終止層；將層間介電質沈積於該蝕刻終止層上方；移除在該蝕刻終止層上方之該層間介電質；及沿著一彎折軸線而彎折該顯示器。
  2. 如請求項1之方法，其中該顯示器具有一作用區及一非作用區，且其中沈積該等半導體電晶體結構包含將該等半導體電晶體結構沈積於該作用區中。
  3. 如請求項2之方法，其中該彎折軸線與該非作用區重疊，其中移除在該蝕刻終止層上方之該層間介電質包含移除在該彎折軸線上方之該層間介電質，且其中彎折該顯示器包含在移除在該彎折軸線上方之該層間介電質之後沿著該彎折軸線而彎折該顯示器。
  4. 如請求項2之方法，其中彎折該顯示器包含將該顯示器彎折成一直角。
  5. 如請求項2之方法，其中形成該蝕刻終止層包含沈積一材料層，該方法進一步包含圖案化該材料層以形成該蝕刻終止件且在該作用區中形成結構。
  6. 如請求項5之方法，其中沈積該材料層包含沈積一金屬層。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包含在彎折該顯示器之前移除該蝕刻終止層。
  8. 如請求項7之方法，其中移除該蝕刻終止層包含濕式蝕刻。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包含在移除該蝕刻終止層之後形成金屬跡線。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含在彎折該顯示器之前將一聚合物中性應力平面調整層沈積於該等金屬跡線上方並與該彎折軸線重疊。
  11. 一種形成具有一作用區及一非作用區之一顯示器之方法，其包含：沈積一蝕刻終止件，在蝕刻一層間介電質的同時，該蝕刻終止件防止在該非作用區中之一介電層之過度蝕刻；及在蝕刻該層間介電質之後移除在一彎折軸線上方之該蝕刻終止層；及沿著該彎折軸線而彎折該顯示器。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包含使用與該彎折軸線重疊之金屬跡線而將該作用區中之顯示像素耦接至該非作用區中之接點。
  13. 如請求項12之方法，其中該顯示器包括具有一表面之一可撓性聚合物基板，其中該介電層為該可撓性聚合物基板之該表面上之一緩衝層，且其中耦接該等顯示像素包含在該緩衝層上形成該等金屬跡線。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包含在沿著該彎折軸線彎折該顯示器之前將一中性應力平面調整層沈積於該等金屬跡線上。
  15. 如請求項11之方法，其中沈積該蝕刻終止件包含沈積一金屬層。
  16. 如請求項11之方法，其中沈積該蝕刻終止件包含沈積一含銦層。
  17. 如請求項11之方法，其中沈積該蝕刻終止件包含沈積一含銦之氧化物層。
  18. 一種顯示器，其包含：一顯示器基板； 金屬跡線，該等金屬跡線在該顯示器基板上與一彎折軸線重疊，該顯示器基板沿著該彎折軸線而彎折；及一聚合物層，其沿著該彎折軸線與該等金屬跡線重疊。
  19. 如請求項18之顯示器，其中該顯示器具有具顯示像素之一陣列的一作用區以及一非作用區，該顯示器進一步包含：一第一緩衝層，其在該顯示器基板上；一金屬結構，其在該作用區中之該第一緩衝層上；一第二緩衝層，其與該金屬結構重疊；及多晶矽結構，其在該第二緩衝層上。
  20. 如請求項19之顯示器，其中該金屬結構被形成為該非作用區中之含有一蝕刻終止結構的一層之部分，該顯示器進一步包含：在該等多晶矽結構及該第二緩衝層上之閘極絕緣體；及在該閘極絕緣體上之層間介電質。
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