TW201422411A - 脫模用雙軸配向聚酯薄膜 - Google Patents
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Abstract
課題在於改善薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性及生坯片積層特性達良好平衡。解決手段為一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其係包含3層，具有表層(A層)、中間層(B層)、表層(C層)，其中：A層係含有相對於A層之重量為0.05重量%以上1.0重量%以下之體積平均粒徑(dA)為0.1μm以上1.0μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，且厚度3.0μm以上8.0μm以下的層；B層係含有體積平均粒徑(dB)為0.3μm以上1.5μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，含有相對於B層之重量為0.6質量%以上6重量%以下之莫氏硬度為7以下的無機粒子，含有相對於B層之重量為0.05重量%以上5重量%以下的有機粒子，且厚度為10.0μm以上35.0μm以下的層；C層係含有相對於C層之重量為0.03重量%以上小於1.0重量%之體積平均粒徑(dC)0.2μm以上1.0μm以下、在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的有機粒子，且厚度0.5μm以上2.0μm以下的層；該3層係滿足式(1)，且層全體之厚度為20μm以上40μm以下；dA＜dC≦dB…式(1)。
Description
本發明係有關於以雙軸延伸聚酯薄膜為基底的脫模用基底薄膜。
隨著近來智慧型手機的普及，積層陶瓷電容器的小型高容量化亦隨之進化。因此，對積層陶瓷電容器之製造所使用的脫模薄膜而言，平滑性高、薄膜表面及內部無瑕疵的聚酯薄膜之需求遽增。
關於高平滑的脫模用途聚酯薄膜，已有人揭露一種使構成形成陶瓷漿料之表面的層實質上不含粒子，並使其表面之三維中心面粗糙度(SRa)達2~7nm，藉此可減少生坯片上之針孔產生的基底薄膜(專利文獻1)。此外，亦有人揭露一種透過減少薄膜表面之凹坑瑕疵，來抑制陶瓷漿料塗布後所形成之生坯片表面瑕疵，而提升陶瓷漿料之塗敷性的技術(專利文獻2)。又，薄膜之高平滑化會引起「薄膜帶電，因靜電使附著於薄膜的雜質捲入，而發生隆起狀瑕疵」的課題。針對此課題，已有人揭露一種將薄膜之捲攏步驟設成特定條件來加以解決的方法(專利文獻3)。再者，為可達高平滑性、雜質減少、生產成本降低，尚有人揭露一種在不同種類之3層構造的中間層不摻混微粒的方法(專利文獻4)。
近來，由於積層陶瓷電容器要求高精密度，積層陶瓷電容器之製造所使用的脫模薄膜，在將陶瓷生坯片積層於薄膜達多層時亦要求高積層精密度。因此，積層陶瓷電容器之製造所使用的脫模薄膜便要求作為薄膜之支持體的剛性或緩衝性。當脫模薄膜其作為薄膜之支持體的剛性或緩衝性不足時，在生坯片切割步驟中，無法正確進行切割、或切割面不穩定致使生坯片剖面裂開。又在生坯片切割後之積層步驟中，亦未能均勻地精確加熱，而無法均勻地積層。
[專利文獻1]日本特開2007-62179號公報
[專利文獻2]日本特開2007-210226號公報
[專利文獻3]日本特開2004-196873號公報
[專利文獻4]日本特開2004-196856號公報
本發明之目的在於提供一種當製造智慧型手機導向以外之多功能行動終端所裝配的積層陶瓷電容器時，可調整薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性、生坯片衝切性及生坯片積層特性之平衡的脫模用雙軸配向聚酯薄膜。
本發明人等鑑於上述現況致力進行研究的結
果，藉由調整薄膜之積層構造，並將添加之粒子種類及量加以限定，從而發現一種適用於薄膜生坯片成形的脫模聚酯薄膜，本發明即臻完成。
即，本發明係有關於下述第1發明、第2發明。以下，除非特別加以區分，否則本發明係指第1發明、第2發明。
第1發明係一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，其特徵為具有表層(A層)、中間層(B層)、表層(C層)，其中：A層係含有相對於A層之重量為0.05重量%以上1.0重量%以下之體積平均粒徑(dA)為0.1μm以上1.0μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，且厚度為3.0μm以上8.0μm以下的層；B層係厚度為10.0μm以上35.0μm以下的層，其含有體積平均粒徑(dB)為0.3μm以上1.5μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，含有相對於B層之重量為0.6質量%以上6重量%以下之莫氏硬度為7以下的無機粒子，並含有相對於B層之重量為0.05重量%以上5重量%以下之莫氏硬度為7以下的有機粒子；C層係含有相對於C層之重量為0.03重量%以上小於1.0重量%之體積平均粒徑(dC)為0.2μm以上1.0μm以下、在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的有機粒子，且厚度0.5μm以上2.0μm以下的層；A層、B層及C層所含粒子之體積平均粒徑係處於式(1)之關係，且層全體之厚度為20μm以上40μm以下；
dA<dC≦dB…式(1)。
第2發明係一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，其特徵為具有表層(A’層)、中間層(B’層)、表層(C’層)，其中：A’層之表面之中心線粗糙度SRa(A’)為3nm以上10nm以下，C’層之表面之中心線粗糙度SRa(C’)為10nm以上30nm以下；A’層與B’層係含有粒子的層，該A’層與B’層所含的粒子為莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子、及/或交聯度為50~85%的有機粒子。
根據本發明，可改善薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性及生坯片衝切性。
以下，對本發明進一步詳細加以說明。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的「脫模用」，係指採用聚酯薄膜基材將構件成型，並由成型後之構件剝離的用途。構件可列舉多層陶瓷電容器之生坯片、多層電路基板之層間絕緣樹脂(電絕緣樹脂)、光學相關構件之聚碳酸酯(此時係於溶液製膜中使用)等。
在第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，特別係適用於多層陶瓷電容器中的脫模用，其薄膜生坯片
成形時的陶瓷漿料之塗敷性、生坯片衝切性及生坯片積層特性良好。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的「雙軸配向」，係指廣角度X光繞射中顯示雙軸配向之圖形者。又，其意指將未延伸(未配向)薄膜依習知方法朝二維方向延伸之狀態。延伸可採用逐次雙軸延伸或同時雙軸延伸任一種方法。就逐次雙軸延伸而言，可按縱-橫各1次實施朝長度方向(縱)及寬度方向(橫)延伸之步驟，亦可按縱-橫-縱-橫等各2次實施之。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，即包含表層(A層)、中間層(B層)、表層(C層)此3層的積層薄膜(脫模用雙軸配向聚酯薄膜)。聚對酞酸乙二酯其機械強度或尺寸穩定性等物理性質優良，且生產性優異；在用作為積層陶瓷電容器之製造所使用的脫模薄膜時，本其經濟性、切開加工(slit processing；slitting)之進行容易度，且於生坯片衝切時，可賦予作為支持體所需之剛性。上述聚對酞酸乙二酯可採周知方法製造，固有黏度較佳為0.5dl/g以上0.8dl/g以下。更佳為0.55dl/g以上0.70以下。就構成各層之聚對酞酸乙二酯，只要無損其特性，尚可含有共聚合成分。就共聚合成分而言，作為芳香族二元酸，可採用異酞酸、酞酸、萘二羧酸、二苯碸二羧酸、二苯醚二羧酸、二苯酮二羧酸、苯基茚烷二羧酸、異酞酸磺酸鈉、二溴對酞酸等。作為脂環族二元酸，可採用草酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、二聚酸等。就二醇而言，作為
脂肪族二醇，可採用乙二醇、丙二醇、伸丁二醇、六亞甲二醇、新戊二醇、二乙二醇等；作為芳香族二醇，可採用萘二醇、2,2-雙(4-羥基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基乙氧苯基)丙烷、雙(4-羥苯基)碸、對苯二酚等；作為脂環族二醇，可採用環己二甲醇、環己二醇等。
A層係適合在設置脫模層後，構成塗布有陶瓷漿料的面的層；C層係適合構成脫模層之相反面的層，B層則係位於A層與C層中間的層。
此時，藉由控制A層、B層、C層之各層所添加的粒子種類、粒子量，並藉由對內層部在不對薄膜表面特性造成不良影響之範圍內，適當混合使用製膜步驟中所產生之邊緣部分的回收原料、或者其他的製膜步驟的再生原料等，可獲致成本上的優點。
再者，為調整薄膜層表面之突起高度或薄膜層表面之中心線粗糙度、為謀求原料回收時之熱劣化抑制，且為改良陶瓷漿料之塗敷性、生坯片衝切性、生坯片積層特性，「構成A層之聚對酞酸乙二酯中含有莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，且構成C層之聚對酞酸乙二酯中含有在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的有機粒子」，於欲良好地衝切生坯片時係屬必要條件。又，「構成B層之聚對酞酸乙二酯中含有莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子」亦屬必要條件。就A層、B層、C層所含有之有機粒子而言，可為同種物質或不同種物質。此外，就A層、B層所含有之莫氏硬度為7以下的無機粒子而言，亦可為同種物質或不同種物質。
作為莫氏硬度為7以下的無機粒子的種類，較佳為球狀氧化矽、矽酸鋁、二氧化鈦、碳酸鈣。作為有機系高分子粒子，較佳為交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸樹脂粒子、交聯聚酯粒子、聚醯亞胺粒子、三聚氰胺樹脂粒子等。為了對脫模用雙軸配向聚酯薄膜賦予適度的緩衝性(亦稱為緩衝性能)，使用此等粒子為較佳。
陶瓷漿料之塗敷性係表示將陶瓷電容器之介電質塗布於包含脫模用雙軸配向聚酯薄膜的脫模薄膜上後再予以乾燥後所得之成形體，即陶瓷片(所謂生坯片)之針孔的有無、片體表面及端部的表面狀態。
又，生坯片衝切性係表示在為了積層成形於脫模薄膜上的生坯片所進行之生坯片的切割時，是否使生坯片保持目標形狀並無損傷地予以切割。
生坯片積層特性係表示在使上述步驟中經切割的生坯片藉由熱壓壓接於基板上後將脫模薄膜剝離之步驟中，可未卡入雜質地積層，且未損傷生坯片地剝離之特性。關於此等評定手法之說明係敘述於後。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之厚度其下限為20μm以上，較佳為25μm以上，更佳為31μm以上。上限為40μm以下，較佳為38μm以下。厚度薄於20μm時，供保持陶瓷漿料的剛性消失，在陶瓷漿料的塗布中，無法支持陶瓷漿料，且在後續步驟中無法均勻乾燥。厚度超過40μm時，在薄膜製造時之運送步驟中則容易劃傷而不佳。
第1發明之A層之厚度係3.0μm以上8.0μm以下。厚度小於3.0μm時，未能充分展現適當的粒子種類與粒子量所顯現之生坯片衝切時的緩衝性能。另一方面，積層厚度超過8.0μm時，則未由所含粒子形成突起而不佳。
第1發明之B層之厚度係10.0μm以上35.0μm以下。B層係與A層一同有助於生坯片衝切時的緩衝性，與此同時，其亦與C層一併影響生坯片的積層特性。B層小於10.0μm時緩衝性降低，超過35.0μm時則生坯片的積層特性下降。
再者，第1發明之C層之厚度係0.5μm以上2.0μm以下。厚度小於0.5μm時，C層所含有的粒子脫落，另一方面，厚度超過2.0μm時，粒子之突起形成的均勻性受損而不佳。
就第1發明之B層之厚度而言，A層之厚度、C層之厚度係於前述範圍內選定，乃藉由在前述範圍內選定積層薄膜全體之厚度來決定。就B層而言，基於成本觀點，加入包含聚酯薄膜之製造步驟中所產生的碎屑的回收原料係較佳者，而就B層中的粒子之體積平均粒徑而言，調整與A層、C層所添加之粒子的平衡，在兼備生坯片衝切性與生坯片積層特性方面係較佳者。
此外，可加入至B層的回收原料較佳僅採用第1發明之聚酯薄膜製造步驟中所產生的雙軸延伸後之生成碎屑。惟，由於回收原料之形狀或體積密度會導致原料乾燥效率劣化、或擠製步驟中的吐出不穩定，因此
，加入至B層的回收原料之相對於B層全體之原料的摻混率係依所欲的量進行調整，以合乎此等乾燥或擠製步驟之適性，並將後述之霧度控制於較佳值。
又，就回收原料而言，更佳為僅加入中間製品捲攏後之步驟中所產生的碎屑。又，就回收原料而言，較佳為使獲得回收原料前的熱歷程均勻化。舉例言之，若將未配向薄膜與雙軸延伸後之薄膜混合回收，則因結晶性不同導致熔融黏度不穩定，而使生坯片之衝切性發生變動。再者，若於再熔融時產生熔點差異，而致使未熔融雜質或者熱劣化雜質生成，則該雜質會形成粗大突起。當該粗大突起大於A層或者C層之層厚度時，會在A層或者C層表面形成粗大突起。此時，特別是向A層側形成表面突起時，會產生生坯片之針孔。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，A層含有相對於A層之重量為0.05~1.0重量%之體積平均粒徑為0.1μm以上1.0μm、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子係屬必要條件。B層含有體積平均粒徑為0.3μm以上1.5μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子係屬必要條件。B層所含有的粒子若為莫氏硬度為7以下的無機粒子時，相對於B層之重量含有0.6~6重量%；若為有機粒子時，相對於B層之重量含有0.05~5重量%係屬必要條件。又C層係含有相對於C層之重量為0.03~1.0重量%之體積平均粒徑為0.2μm以上1.0μm、在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的有機粒子。
加入至A層、B層及C層的粒子之體積平均粒
徑dA、dB、dC處於dA<dC≦dB之關係係屬必要條件。就第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜而言，藉由將不同種類之3層構造中的粒子種類或大小加以限定，並藉由將粒子本身之彈性變形、因雙軸延伸而在粒子四周所產生的空孔(空隙，void)數控制於適確範圍內，可兼備薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性及生坯片衝切性及生坯片積層特性的平衡。
生坯片衝切性及生坯片積層特性係藉由薄膜內之微小區域的緩衝性發揮。對於生坯片之衝切性，需在A層及B層吸收從A層側接受之衝切刃所產生的衝擊。在生坯片積層時施加熱壓之步驟中，需向C層至B層、B層至A層均勻導熱。又，為使熱壓時之壓力均勻化，則需提高最厚層之B層的緩衝性。空孔係根據粒子之種類、添加量及粒徑來決定其量，特別是考量朝厚度方向之壓力時，粒徑之作用較高。
第1發明使用之A層、B層、C層所含粒子係為了控制薄膜之微細的緩衝性能，以陶瓷生坯片之熱壓積層進行均勻的積層，且隨後進行脫模薄膜的剝離而選擇；較佳使用粒子彈性較高的有機粒子。有機粒子尤佳為前述有機粒子當中選自交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸樹脂粒子、交聯聚酯粒子的有機粒子。在無機粒子中，為了與有機粒子同樣地理想使用，則莫氏硬度為7以下係屬必要條件。
即，前述之莫氏硬度為7以下的無機粒子種類
當中，莫氏硬度為7以下的無機粒子尤佳為球狀氧化矽、矽酸鋁。
較佳為粒子形狀．粒徑分布呈均勻者，尤佳為粒子形狀近似球形者。體積形狀係數較佳為f=0.3~π/6，更佳為f=0.4~π/6。體積形狀係數f係以下式表示：f=V/Dm3
於此，V為粒子體積(μm3)、Dm為粒子之投影面上的最大直徑(μm)。
再者，就體積形狀係數f而言，若粒子為球時，係採用最大之π/6(=0.52)。又，較佳為視需求進行過濾等，藉以去除凝集粒子或粗大粒子等。有機粒子當中，可適當使用依乳化聚合法等所合成的交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子，尤為交聯聚苯乙烯粒子、交聯矽氧樹脂、甚而球狀氧化矽等，基於體積形狀係數近似真球、粒徑分布極均勻，且均勻地形成薄膜表面突起觀點係較佳者。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，C層所含粒子在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰係屬必要條件。第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜在製造積層陶瓷電容器之步驟中用於生坯片成形的支持體時，係使A層表面形成脫模層，並於該脫模層上保持生坯片後進行捲攏。經捲攏後，因捲緊之影響而使C層表面與生坯片壓接。此時，C層表面之突起所產生的表面形狀便轉印至生坯片。此時之轉印痕會影響生坯片之形態，並影響電容器之介電常數。為防此種轉印痕附加至生坯片，則對於C
層之表面，需使壓接於生坯片表面時的壓力均勻分散。為此，C層表面之形成於平坦面的突起之高度需呈均勻。
再者，C層表面之突起在捲出捲攏之生坯片時會勾住生坯片表面而削薄生坯片。此種勾住可藉由使形成於C層表面之平坦面的突起之高度均勻化而加以防止。
又，C層表面之突起亦可防止生坯片與C層表面發生結塊。在可形成薄膜生坯片之類的高平滑的脫模薄膜中，生坯片容易與C層表面之未形成有突起的平坦面接觸。C層所含粒子之粒度分布的波峰為1個時，與生坯片之接觸最為均勻，惟C層表面之平坦面與生坯片容易密接。又C層表面與生坯片之密接性過於均勻，於剝離初期需要過度之剝離力。此時，若形成微觀上剝離力較弱的部位時，該部分便成為剝離之起點，於剝離初期容易進行剝離。本發明人等發現，為了將C層表面作成於剝離初期容易進行剝離的形狀，可藉由將C層所含粒子作成在粒度分布曲線中存在2個波峰的粒子來達成。然而，C層所含粒子其在粒度分布曲線中具有的波峰超過3個時，突起間之高低差不均勻、壓力之分散過於雜亂導致對某部位施加過度之壓力。
更者，藉由對此等粒子使用界面活性劑等實施表面處理，可改善與聚酯之親和性、可形成脫落較少的突起而較佳。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，A層表面之中心線粗糙度SRa(A)較佳為3nm以上10nm以下，C
層表面之中心線粗糙度SRa(C)較佳為10nm以上30nm以下。又A層表面之十點平均粗糙度SRz(A)較佳為300nm以下，C層表面之十點平均粗糙度SRz(C)較佳為600nm以下，如此在成形厚度為2μm以下的生坯片方面可獲得適當的平滑性而較佳。將A層表面之中心線粗糙度SRa(A)設於上述範圍內，可改善在脫模層塗布後之薄膜卷的保存中發生結塊、或陶瓷漿料之塗布不均勻所產生的、在生坯片生成針孔等瑕疵之課題。此外，將A層表面之十點平均粗糙度SRz(A)設於上述範圍內，可改良與A層相接的面的生坯片之表面形態，得以抑制陶瓷電容器之靜電容量的變動。再者，由於C層表面在對第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜進行加工時，於脫模層塗布步驟或陶瓷漿料塗布步驟中係作為加工面之相反面，需有良好之處理性。再者，塗布漿料並乾燥後所得之生坯片係保持於對第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜塗布脫模層而成的脫模薄膜上並經捲攏，因此，諸如前述，C層表面之形狀會影響捲攏後之生坯片的表面形態。換言之，將C層表面之中心線粗糙度SRa(C)設於10nm以上之範圍，可改良脫模層塗布步驟或漿料塗布步驟之處理性，並可抑制塗布不均或塗布後捲攏時卡入之空氣不易脫離所造成之捲偏的發生。又將C層表面之中心線粗糙度SRa(C)設於30nm以下之範圍，可減小表面所形成之凹凸轉印至生坯片表面的影響，得以抑制陶瓷電容器之靜電容量的變動。另外將C層表面之十點平均粗糙度SRz(C)設為600nm以下，可抑制捲攏之生坯片的表面產生凹坑或針孔，得以
抑制陶瓷電容器之耐壓不良的產生。此等可藉由使A層含有特定量之特定的有機粒子及/或無機粒子，並使C層含有特定量之特定的有機粒子來達成。第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜其長度方向及橫向之破裂強度的和較佳為500MPa以上600MPa以下，更佳為520MPa以上590MPa以下。又寬度方向之破裂強度較佳為與長度方向之破裂強度同等或其以上，其差(寬度方向之破裂強度-長度方向之破裂強度)較佳為0MPa以上90MPa以下，更佳為40MPa以上80MPa以下。長度方向及橫向之破裂強度的和為500MPa以上時，容易呈現在延伸步驟中粒子四周之聚合物從粒子剝離而成的空孔(空隙)構造，可將A層及C層表面之中心線粗糙度控制成所要的值，且緩衝性良好地展現。又為了使長度方向及橫向之破裂強度的和達成高於600MPa之狀態，則需朝長度方向或寬度方向實施過度的延伸，如此在延伸中發生破裂而不佳。
再者，長度方向及橫向之破裂伸度較佳為80%以上220%以下，更佳為90%以上210%以下。更且，長度方向之破裂伸度較佳與寬度方向之破裂伸度同等或其以上，其差(長度方向之破裂伸度-寬度方向之破裂伸度)為0%以上100%以下時係更佳。甚而，長度方向之破裂伸度為170%以上190%以下、寬度方向之破裂伸度為90%以上110%以下，且長度方向之破裂伸度較寬度方向之破裂伸度大70%以上90%以下時係更佳。將長度方向及橫向之破裂伸度設為80%以上，在塗布陶瓷漿料時承受步驟內之張力之際，可吸收張力變動，並抑制塗布不均
的產生而較佳。又將長度方向或橫向之破裂伸度設為220%以下，在塗布脫模層後保存時可抑制損及平面性的情況。此外，在塗布陶瓷漿料後保存時，亦可抑制損及生坯片之平面性的情況。藉由將破裂伸度控制於前述範圍內，可控制因加工步驟中所承受的張力導致薄膜伸縮之現象、或於捲攏後殘留應力回復之行為，最終可良好地保有薄膜之生坯片之平面性。又，長度方向之破裂伸度較佳與寬度方向之破裂伸度同等或其以上的理由如下：在塗布脫模層之步驟及捲攏步驟中，係朝薄膜之長度方向施加張力；該張力在捲攏後仍以薄膜內應力之形式殘留。其後，朝長度方向施加張力時，即因帕松變形使寬度方向之薄膜發生尺寸變化。該寬度方向之尺寸變化，在捲出塗布有脫模層的薄膜卷時會發生平面性不良。為抑制該尺寸變化，較佳使長度方向之破裂伸度與寬度方向之破裂伸度同等或其以上，並使長度方向與寬度方向之破裂伸度的差處於上述範圍內。
又，第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜其霧度較佳為7%以下，更佳為6%以下。作為積層陶瓷電容器之脫模用途，可將回收原料加入至3層複合層之中間層，惟霧度超過7%時，由於不易確認生坯片之成型狀態，尤為端部之狀態而不佳。
更且，第1發明之聚酯薄膜之長度方向之厚度不均度較佳為2μm以下。此外，本發明中長度方向之厚度不均度係沿薄膜之長度方向測定15m薄膜之厚度，並由記錄之薄膜厚度圖，以薄膜之最大厚度與最小厚度的
差所求得。較佳為1.4μm以下。向來，減少薄膜之厚度不均度係屬薄膜製造方面之課題，惟為了應用於第1發明之脫模用薄膜，尤為薄膜陶瓷電容器製造所適用之脫模薄膜，使長度方向之厚度不均度處於前述範圍內，當減薄生坯片之厚度時電容器之靜電容量不發生變動而較佳。
第1發明之聚酯薄膜其存在於薄膜表面之高度0.27μm以上的粗大突起較佳為5個/100cm2以下。更且0.54μm以上的粗大突起較佳為1個/100cm2以下。更佳為0.54μm以上的粗大突起係實質上不存在。將粗大突起數設於上述範圍內，塗布脫模劑時可抑制塗布不均、針孔狀之塗布脫落瑕疵。又，可抑制減薄生坯片之厚度時所產生的脫模劑塗布脫落導致生坯片發生剝離不均的情況。此外，尚可抑制起因於粗大突起而導致生坯片產生凹坑或針孔的情況。
為使薄膜表面之粗大突起達成上述較佳形態，可舉出使A層、B層、C層所含之粒子種類及體積平均粒徑處於上述範圍內。此外，可舉出將用於第1發明之聚酯薄膜之原料供給的設備，尤為用於原料儲存設備(儲倉(silo))、原料運送的配管僅使用於含有第1發明中使用之粒子的主丸粒(master pellet)，並依以下方法運送原料等。為運送原料，係利用吹送機(blower)藉由空氣進行運送、或藉自由落下進行運送，惟藉由空氣進行運送之際，較佳的是當吸入空氣時，利用可濾去95%之0.3μm以上的塵埃的濾器將空氣過濾。再者，亦可藉由使第1發明之製造時所使用的濾器採用後述之高精度濾器來達成。
第1發明之聚酯薄膜中，適當地控制尺寸變化率，在良好地保有後加工，尤為塗布脫模層後之平面性方面係較佳者。作為將尺寸變化率設於後述之範圍內的方法，可依製膜條件中的弛緩處理等的周知方法加以適當調整來達成。150℃之尺寸變化率較佳為在長度方向為2%以下、在寬度方向為2.5%以下，更佳為在長度方向為0.5%以上1.7%以下、在寬度方向為1%以上2%以下。又100℃之尺寸變化率較佳為在長度方向、寬度方向均為1%以下，更佳處於0.2%以上0.8%以下之範圍。該尺寸變化率若低於上述範圍之下限時，塗布脫模層時會發生鬆馳所致之平面性不良；高於上限時，塗布脫模層時因收縮發生薄板狀之收縮不均導致平面性不良，於任一情況下，皆產生薄膜生坯片之塗布厚度不均度而不佳。
其次，就第1發明之雙軸配向聚酯薄膜之製造方法加以說明。作為使聚酯含有惰性粒子之方法，係例如使惰性粒子以既定比例、以漿料形態分散於作為二醇成分的乙二醇中，並於聚酯聚合完畢前之任意階段添加此乙二醇漿料。於此，在添加粒子之際，若例如未將合成粒子時所得之水溶膠或醇溶膠暫時乾燥而予以添加，則粒子之分散性良好、可抑制粗大突起的產生而較佳。此外，將粒子之水漿料直接與既定之聚酯丸混合，再供給至通氣式(vented)雙軸混煉擠製機使之摻入至聚酯中的方法對於第1發明之製造亦屬有效。
如此，以既定比例混合用於各層所製備之實質上不含含粒子之主丸粒與粒子等的丸粒並加以乾燥後
，供給至周知之熔融積層用擠製機。第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之製造中的擠製機可採用單軸、雙軸之擠製機。又，為省略丸粒之乾燥步驟，尚可採用在擠製機設有抽真空管線的通氣式擠製機。再者，對於擠製量最多的B層，可使用以各擠製機分擔使丸粒熔融之機能與將熔融之丸粒保持於一定溫度之機能的所謂串聯式擠製機。對於第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之A層及C層，使用雙軸通氣式擠製機由於可良好地保有粒子之分散性而較佳。
擠製機中經熔融、擠出之聚合物係利用濾器過濾。極小之雜質亦混入薄膜中時，會造成粗大突起之瑕疵，因此，濾器使用例如可捕集95%以上之3μm以上的雜質的高精度濾器係屬有效。接著，從狹縫狀之狹縫模具予以擠出成片狀，並於流延輥上使其冷卻固化而作成未延伸薄膜。亦即，利用3台擠製機、3層歧管或合流塊(例如具有矩形合流部之合流塊)予以積層成3層，再從噴嘴擠出片體，並於流延輥冷卻而作成未延伸薄膜。此時，基於背壓之穩定化及抑制厚度變動觀點，在聚合物流道設置靜態混合機、齒輪泵之方法係屬有效。
延伸方法可為同時雙軸延伸或逐次雙軸延伸。特別是在同時雙軸延伸中未伴有使用輥所進行的延伸，因此可抑制薄膜表面之局部的加熱不均、可獲得均勻之品質，同時可抑制延伸時伴隨輥延伸而生之薄膜與輥之接觸處的速度差、輥之微小擦痕的轉印等所致之擦痕的產生而較佳。
在同時雙軸延伸中，係將未延伸薄膜，首先朝長度及寬度方向，設延伸溫度為80℃以上130℃以下，較佳為85℃以上110℃以下同時予以延伸。延伸溫度低於80℃時薄膜容易破裂，延伸溫度高於130℃時則無法獲得充分的強度而不佳。再者，基於防止延伸不均觀點，長度方向．寬度方向之合計延伸倍率為4倍以上20倍以下，較佳為6倍以上15倍以下。合計延伸倍率小於4倍時，不易獲得充分的強度。另一方面，倍率大於20倍時，則薄膜容易發生破裂而不易製造穩定的薄膜。為獲得所需強度，較佳為在溫度140℃以上200℃以下，較佳為160℃以上190℃以下朝長度方向及/或寬度方向以1.02倍以上1.5倍以下，較佳為1.05倍以上1.2倍以下再度進行延伸，合計延伸倍率在長度方向為3倍以上4.5倍以下，較佳為3.5倍以上4.2倍以下，在寬度方向為3.2倍以上5倍以下，較佳為3.6倍以上4.3倍以下。為達目標之薄膜破裂強度，可適當選擇倍率，而為了提高寬度方向之破裂強度，較佳將寬度方向之延伸倍率設為略高於長度方向。其後，在205℃以上240℃以下，較佳為220℃以上240℃以下以0.5秒以上20秒以下，較佳為1秒以上15秒以下進行熱固定。熱固定溫度低於205℃時，薄膜之熱結晶化不進行，以致目標之尺寸變化率等難達穩定而不佳。又，為使薄膜物性呈穩定，薄膜上下之溫度差係為20℃以下，較佳為10℃以下，更佳為5℃以下。薄膜上下之溫度差大於20℃時，於熱處理時容易引起微小的平面性惡化而不佳。其後，朝長度及/或寬度方向實施0.5%以上7.0%以下之弛緩處
理。
同時雙軸延伸有別於後述之逐次雙軸延伸，係藉由高溫空氣將薄膜加熱。因此，不會僅有薄膜表面局部加熱而產生黏著，作為延伸方式更佳為逐次延伸。
另一方面，第1發明之聚酯薄膜亦可利用逐次延伸來製造。最初之長度方向之延伸對於抑制擦痕的產生極為重要，延伸溫度係為90℃以上130℃以下，較佳為100℃以上120℃以下。延伸溫度低於90℃時薄膜容易破裂，延伸溫度高於130℃時，薄膜表面易受熱損傷而不佳。又基於防止延伸不均及密接(kiss)觀點，延伸較佳分作2階段以上來進行，就總倍率而言，在長度方向係為3倍以上4.5倍以下，較佳為3.5倍以上4.2倍以下，在寬度方向則為3.2倍以上5倍以下，較佳為3.6倍以上4.3倍以下。為達目標之薄膜破裂強度，可適當選擇倍率，而為了提高寬度方向之破裂強度，較佳將寬度方向之延伸倍率設為略高於長度方向。若超出所述溫度、倍率範圍時，會引起延伸不均或者薄膜破裂等問題，不易獲得屬第1發明之特徵的薄膜而不佳。再次實施縱或橫延伸後，係在205℃以上240℃以下，較佳為210℃以上230℃以下，以0.5秒以上20秒以下，較佳為1秒以上15秒以下進行熱固定。尤其是熱固定溫度低於205℃時，薄膜之結晶化不進行以致結構不穩定，無法獲得目標之尺寸變化率等特性而不佳。
在逐次延伸中，長度方向之延伸過程較佳為對於薄膜與輥接觸，因輥的周速與薄膜的速度差而容易
產生擦痕之步驟，可按每根輥個別設定輥周速的驅動方式。在長度方向之延伸過程中，運送輥之材質係根據在延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上、或在保持於小於玻璃轉移點之溫度的狀態下運送至延伸區並於延伸時一併加熱而選擇，在延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上時，在防止加熱所產生之黏著方面，可選自非黏著性矽氧樹脂輥、陶瓷、TEFLON(註冊商標)。另外，就延伸輥而言，對於對薄膜施加最多負載，且於該製程中容易產生擦痕或延伸不均之步驟，延伸輥表面之中心線粗糙度Ra係為0.005μm以上1.0μm以下，較佳為0.1μm以上0.6μm以下。Ra大於1.0μm時延伸時輥表面之凸凹會轉印至薄膜表面而不佳；另一方面小於0.005μm時，則輥與薄膜表層黏著，致薄膜易受熱損傷而不佳。為控制延伸輥表面之中心線粗糙度，適當調整研磨劑之粒度、研磨次數等係屬有效。在將未延伸薄膜保持於小於玻璃轉移點之溫度的狀態下運送至延伸區並於延伸時一併加熱之際，預熱區之運送輥較佳使用以硬鉻或碳化鎢進行過表面處理的延伸輥表面之中心線粗糙度Ra為0.2μm以上0.6μm以下的金屬輥。
就第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，係將所述朝長度方向延伸的單軸延伸薄膜，利用橫延伸機加熱至80℃以上小於120℃後，以3倍以上小於6倍朝寬度方向延伸，而作成雙軸延伸(雙軸配向)薄膜。
第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜可進一步對各方向進行再延伸達1次以上，亦可同時於雙軸進行
再延伸。更者，係於雙軸延伸後進行薄膜之熱處理，惟此熱處理可採烘箱中、加熱輥上等以往周知之任意方法來進行。熱處理溫度一般可設於150℃以上小於245℃之任意溫度，熱處理時間一般以1秒以上60秒以下來進行為較佳。熱處理亦可使薄膜朝其長度方向及/或寬度方向弛緩來進行。再者，熱處理後，係在較熱處理溫度低0℃以上150℃以下的溫度朝寬度方向以0%以上10%以下使其弛緩。
熱處理後之薄膜可例如藉由設置中間冷卻區或除冷區來調整尺寸變化率或平面性。又，特別是為了賦予特定的熱收縮性，亦可在熱處理時或者其後之中間冷卻區或除冷區，朝縱向及/或橫向予以弛緩。
雙軸延伸後之薄膜係於運送步驟中經冷卻，其後將邊緣切除後予以捲攏而製得中間製品。在此運送步驟中，係測定薄膜之厚度，回授、使用該數據，並藉由模具厚度等的調整來進行薄膜厚度之調整，再利用瑕疵檢測器進行雜質檢測。
於邊緣之切割時，對於第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，抑制切屑的產生係屬必要條件。邊緣之切割係使用圓刃、剪刃(shear edge)、直刃來進行，若使用直刃時，使刃部接觸薄膜的部位常時非為同一部位，可抑制刃部之磨耗而屬較佳形態。因此，係以具有振盪機制為佳。此外，較佳在薄膜切割部位設置吸取裝置以吸取產生之切屑、或切割後之薄膜端部彼此經切削所產生的切屑。
中間製品係藉由裁切步驟裁切成適當的寬度．長度並經由捲攏，而得到第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的捲狀物(roll)。在裁切步驟之薄膜的切割時，亦可由與前述邊緣之切割同樣的切割方式中選定。
將中間製品進行裁切成所欲之寬度，即得到第1發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜。
接著，就第2發明加以說明。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的「脫模用」，係指採用聚酯薄膜基材將構件成型，並由成型後之構件剝離的用途。構件可列舉多層陶瓷電容器之生坯片、多層電路基板之層間絕緣樹脂(電絕緣樹脂)、光學相關構件之聚碳酸酯(此時係於溶液製膜中使用)等。
在第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，特別係適用於多層陶瓷電容器中的脫模用，其薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性、生坯片衝切性及生坯片積層特性良好。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的「雙軸配向」，係指廣角度X光繞射中顯示雙軸配向之圖形者。又，其意指將未延伸(未配向)薄膜依習知方法朝二維方向延伸之狀態。延伸可採用逐次雙軸延伸或同時雙軸延伸任一種方法。就逐次雙軸延伸而言，可按縱-橫各1次實施朝長度方向(縱)及寬度方向(橫)延伸之步驟，亦可按縱-橫-縱-橫等各2次實施之。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，即包含表層(A層)、中間層(B
層)、表層(C層)此3層的積層薄膜(脫模用雙軸配向聚酯薄膜)。聚對酞酸乙二酯其機械強度或尺寸穩定性等物理性質優良，且生產性優異；在用作為積層陶瓷電容器之製造所使用的脫模薄膜時，本其經濟性、切開加工之進行容易度，且於生坯片衝切時，可賦予作為支持體所需之剛性。上述聚對酞酸乙二酯可採周知方法製造，固有黏度較佳為0.5dl/g以上0.8dl/g以下。在生坯片之製造中，係具有在作為基材的層積層脫模層、生坯片後，對目標之生坯片層以衝切刃加壓，而容易將生坯片從基材層剝離之步驟，若將固有黏度設於蒸氣範圍，則可使最終所得聚酯薄膜之硬度處於適確範圍、可抑制薄膜之翹曲的產生，而得以改良生坯片之平面性、衝切性。又，在對薄膜進行衝切時，可抑制切屑(薄膜之破裂粉末)的產生，得以改良衝切性、生坯片之積層特性。更佳為0.55dl/g以上0.70以下。就構成各層之聚對酞酸乙二酯，只要無損其特性，尚可含有共聚合成分。就共聚合成分而言，作為芳香族二元酸，可採用異酞酸、酞酸、萘二羧酸、二苯碸二羧酸、二苯醚二羧酸、二苯酮二羧酸、苯基茚烷二羧酸、異酞酸磺酸鈉、二溴對酞酸等。作為脂環族二元酸，可採用草酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、二聚酸等。就二醇而言，作為脂肪族二醇，可採用乙二醇、丙二醇、伸丁二醇、六亞甲二醇、新戊二醇、二乙二醇等；作為芳香族二醇，可採用萘二醇、2,2-雙(4-羥基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基乙氧苯基)丙烷、雙(4-羥苯基)碸、對苯二酚等；作為脂環族二醇，可採用環己
二甲醇、環己二醇等。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜為包含聚酯A’層、聚酯B’層及聚酯C‘層此3層的積層薄膜(脫模用雙軸配向聚酯薄膜)係屬必要條件。
A’層係適合在A’層表面設置脫模層後，構成塗布有陶瓷漿料的面的層；又C’層係適合構成A’層之相反面的層，B’層則係位於A’層與C’層中間的層。
A’層表面之中心線粗糙度SRa(A’)為3nm以上10nm以下係屬必要條件。就A’層而言，若考量生坯片之平面性，係要求A層表面之中心線粗糙度SR(A’)較低。A層表面之中心線粗糙度SRa(A’)低於3nm時，在脫模用雙軸配向聚酯薄膜之製造步驟中會使薄膜表面產生因製造步驟之擦過所生成的擦痕，妨害生坯片之表面特性，而使塗敷性劣化。又在脫模層塗布後之薄膜卷的保存中，於A’層與脫模層發生結塊。此外，若超過10nm時，則脫模材料、陶瓷漿料之塗布不均勻，剝離生坯片之際，易於生坯片表面生成針孔等瑕疵，而對生坯片積層特性造成影響。
C’層表面之中心線粗糙度SRa(C’)為10nm以上30nm以下係屬必要條件。C’層係為在對A’層塗布脫模材料之步驟或塗布陶瓷漿料之步驟中，與輥接觸而賦予行進性的層。C’層表面之中心線粗糙度SRa(C’)低於10nm時，處理性惡化，對A’層之塗布不穩定，發生脫模材料或陶瓷漿料之塗布不均。且在塗布後捲攏薄膜時，卡入之空氣不易脫離，以致發生捲偏，而妨害生坯片之平面
性。縱使均勻地塗布脫模材料或陶瓷漿料，仍有因卡入之空氣妨害生坯片之平面性的傾向。另一方面，C’層係為在塗布脫模材料或陶瓷漿料後進行捲攏時，與生坯片表面接觸的層。因此，若C’層表面之中心線粗糙度SRa(C’)超過30nm時，形成於表面的凹凸轉印至生坯片表面的影響變大，而於生坯片產生凹坑瑕疵。生坯片之平面性之瑕疵或凹坑瑕疵結果導致積層生坯片後之陶瓷電容器之靜電容量發生變動。C’層之表面之中心線粗糙度可藉由添加粒子而容易地達成。
A’層與B’層之任一層均為含有粒子的層，該粒子為莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子及/或交聯度為50~85%的有機粒子係屬必要條件。第2發明係以以下所記載之塗敷性、衝切性、生坯片積層特性為目的，惟對A’層添加粒子，為達塗敷性係屬必要者；對B’層添加粒子，為達衝切性係屬必要者。再者，此等層所含粒子為莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子或交聯度為50~85%的有機粒子，如此可改良僅使其含有粒子無法達成的衝切性與生坯片積層特性。
製造積層陶瓷電容器之製程中用以獲得生坯片積層體的過程如下：即，將脫模薄膜上成形有生坯片的積層體載置於吸附臺上並加以固定。接著，將生坯片以刀片切成既定大小(此時未切到脫模薄膜)。其次，將脫模薄膜上成形有生坯片的積層體轉印至其他的生坯片並依序積層。積層時，需從脫模薄膜之未積層有生坯片的面進行加熱與加壓。
在前述步驟中，以刀片劃出切痕時，在切開生坯片後，切刃即到達至脫模薄膜。此時，A’層所含粒子若為莫氏硬度為7以下或交聯度為50~85%的粒子，便不易產生生坯片之切入部的翹曲(以下有單純稱為「反翹」)、A’層因薄膜切入所生成的切屑，其結果，即具有衝切性與生坯片特性良好之效果。再者，於生坯片積層時，薄膜本身亦被加壓；因此，A’層之粒子若為積層之莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子或交聯度為50~85%的有機粒子，則粒子本身在薄膜中呈扁平，由此可減少轉印至生坯片表面的影響。其結果，可改良生坯片之平面性，得以改良生坯片之積層特性。
在B’層中，若亦為莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子或交聯度為50~85%的有機粒子，則與A’層同樣，在生坯片積層之際的加壓時，由於粒子呈扁平，可減少對A’層與生坯片所造成的影響，得以改良生坯片之平面性。又可抑制空孔(空隙)的形成，故可有效進行熱傳導，得以改良生坯片之積層特性。
A’層、B’層、C’層所含粒子可為相同種類或不同種類之物質。
作為莫氏硬度為7以下的無機粒子種類，較佳為球狀氧化矽、矽酸鋁、二氧化鈦、碳酸鈣。作為莫氏硬度為7以下的有機粒子，較佳為交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸樹脂粒子、交聯聚酯粒子、聚醯亞胺粒子、三聚氰胺樹脂粒子等。
較佳為粒子形狀．粒徑分布呈均勻者，尤佳為粒子形狀近似球形者。體積形狀係數較佳為f=0.3~π/6，更佳為f=0.4~π/6。體積形狀係數f係以下式表示：f=V/Dm3
於此，V為粒子體積(μm3)、Dm為粒子之投影面上的最大直徑(μm)。
再者，就體積形狀係數f而言，若粒子為球時，係採用最大之π/6(=0.52)。又，較佳為視需求進行過濾等，藉以去除凝集粒子或粗大粒子等。其中，可適當使用依乳化聚合法等所合成的交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子，尤為交聯聚苯乙烯粒子、交聯矽氧樹脂、甚而球狀氧化矽等，基於體積形狀係數近似真球、粒徑分布極均勻，且均勻地形成薄膜表面突起觀點係較佳者。
此外，此處所稱「交聯度」，係由交聯度(%)=(原料單體中的交聯成分之重量)/原料單體之總重量×100所定義。
本發明中，薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性係藉由將陶瓷電容器之介電質塗布於包含第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的脫模薄膜上後再予以乾燥後所得之成形體，即陶瓷片(所謂生坯片)之針孔的有無、片體表面及端部的表面狀態來評定。
生坯片衝切性係評定在切割成形於脫模薄膜上的生坯片時，是否使生坯片保持目標形狀並無損傷地
予以切割。
生坯片積層特性係評定在使上述步驟中經切割的生坯片藉由熱壓壓接於生坯片之積層體上後將脫模薄膜剝離之步驟中，可未卡入雜質地積層，且未損傷生坯片地剝離。關於此等評定手法之說明係敘述於後。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的全體之厚度較佳為20~40μm。下限較佳為25μm，更佳為31μm。上限較佳為38μm，更佳為36μm。將薄膜全體之厚度設於上述之範圍，可賦予薄膜供保持陶瓷漿料所需之剛性，在陶瓷漿料之塗布中，在後續步驟中可均勻乾燥，得以改良塗敷性。又，可使熱傳導性處於適確範圍，如此當進行生坯片積層之際，得以改良積層特性。
本發明之A’層之厚度較佳為3.0μm以上8.0μm以下。將A’層之厚度設於上述範圍，可改良生坯片衝切時之緩衝性能，得以抑制生坯片卡入脫模薄膜側或在生坯片端部產生翹曲(以下有稱為「反翹」)的情況。此外，可抑制粒子之脫落、可抑制生坯片積層時粒子卡入的發生，得以改良生坯片之積層特性。又可使表面之突起均勻地形成，在脫模薄膜之製造步驟中，可抑制A’層表面因製造步驟之擦過所生成的擦痕的產生，得以改良生坯片之表面之平滑性、塗敷性。較佳為4.0μm以上7.0μm以下。
B’層之厚度較佳為10.0μm以上35.0μm以下。B’層係與A’層一同有助於生坯片衝切時的緩衝性，與此同時，其亦與C’層一併影響生坯片的積層特性。將B’層
之厚度作成上述範圍，緩衝性良好，可減少生坯片向A層側的卡入、可抑制生坯片之翹曲，得以改良衝切性。又將B’層之厚度作成上述範圍，可獲得適度的熱傳導性，因此在生坯片之積層步驟中，生坯片從脫模薄膜之剝離、與其他的生坯片之積層密接良好。
C’層之厚度較佳為0.5μm以上2.0μm以下。將C’層之厚度作成上述範圍，與A’層同樣，可抑制C’層所含粒子之脫落、可抑制生坯片積層時粒子卡入的發生，得以改良生坯片之積層特性。又可使表面之突起均勻地形成，得以改良薄膜成形時的行進性、脫模薄膜之生坯片積層時的行進性等的處理性。此外，將C’層之厚度作成上述範圍，若使後述之C’層所含粒子的粒度分布曲線處於特定範圍時，可使由粒子所形成的突起更加均勻而較佳。
本發明之B’層之厚度係依A’層之厚度、C’層之厚度在前述範圍內選定，可藉由在前述範圍內選定積層薄膜全體之厚度來決定。
在第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，A’層表面之十點平均粗糙度SRz(A’)較佳為300nm以下，C’層表面之十點平均粗糙度SRz(C’)為600nm以下，由於可獲得例如成形厚度為2μm以下的生坯片方面的適確的平滑性而較佳。
將A’層表面之十點平均粗糙度SRz(A’)設於上述範圍，可改良與A層相接的面之生坯片的表面形態，並可抑制陶瓷電容器之靜電容量的變動。
C’層表面在對第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜進行加工時，於脫模層塗布步驟或陶瓷漿料塗布步驟中係作為加工面之相反面，而要求處理性。再者，塗布漿料並乾燥後所得之生坯片係保持於對第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜塗布脫模層而成的脫模薄膜上並經捲攏，因此，諸如前述，C’層表面之形狀會影響捲攏後之生坯片的表面形態。換言之，將C’層表面之十點平均粗糙度SRa(C’)設為600nm，可抑制捲攏之生坯片的表面產生凹坑或針孔，得以抑制陶瓷電容器之耐壓不良的產生。
作為第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之較佳形態，係一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中：A’層係厚度為3.0μm以上8.0μm以下的層，A’層所含粒子其體積平均粒徑(dA’)為0.1μm以上1.0μm以下，且相對於A’層之重量含有0.05重量%以上1.0重量%以下；B’層係厚度為10.0μm以上35.0μm以下的層，前述B’層所含粒子其體積平均粒徑(dB’)為0.2μm以上1.5μm以下，無機粒子係相對於B’層之重量含有0.6~6重量%，有機粒子係相對於B’層之重量含有0.05~5重量%；C’層係厚度0.5μm以上2.0μm以下的層，前述C’層所含粒子其體積平均粒徑(dC’)為0.2μm以上1.0μm以下，且相對於C’層之重量含有0.03重量%以上小於1.0重量%；A’層、B’層及C’層所含粒子之體積平均粒徑係處於式(1’)之關係，且層全體之厚度為20μm以上40μm以下；dA’<dC’≦dB’…式(1’)。
若加入至A’層、B’層及C’層的粒子之體積平均粒徑dA’、dB’、dC’處於dA’<dC’≦dB’之關係，且各A’層、B’層、C’層以上述範圍含有上述粒徑之粒子時，可使生坯片衝切時的衝擊緩和、生坯片積層時的熱分散或壓力分散處於適確的範圍，得以改良生坯片衝切性及生坯片積層特性而較佳。
如滿足(1’)式，則可滿足薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性及生坯片衝切性及生坯片積層特性的平衡而較佳。
對於第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之B’層，透過在不損及第2發明效果的範圍內，將第2發明之薄膜之製膜步驟中所產生的邊緣部分(薄膜寬度方向端部)、或者其他的製膜步驟所產生的瑕疵薄膜作為再生原料(回收原料)予以適當混合使用，可獲致成本上的優點。一般而言，在薄膜之製造步驟中，係具有朝薄膜之寬度方向握持夾具(clip)使其行進之步驟。此時，為將中間製品捲攏，由於前述之夾具握持部具明顯之厚度不均度，故予以修整而去除。經捲攏之中間製品即隨後沿製品寬度進行切開(切割)加工，而得到製品卷。經切開(切割)加工之中間製品的端部尚未成為製品。於此，前述之夾具握持部由於大幅承受熱影響，結晶化持續進行，因此較佳為僅加入結晶化狀態較低之中間製品捲攏後之步驟中所產生的碎屑。由於因回收原料之形狀或體積密度造成原料乾燥之效率惡化、擠製步驟中的吐出不穩定，加入至B層的回收原料之相對於B層全體之原料的摻混
率係合乎此等乾燥或擠製步驟之適性來調整。再者，茲以將後述之霧度控制成較佳值的方式來調整成所要的量。較佳使獲得回收原料前的熱歷程均質化，舉例言之，若將未配向薄膜與雙軸延伸後之薄膜混合回收，則因結晶性不同導致熔融黏度不穩定，而使生坯片之衝切性發生變動。再者，若於再熔融時產生熔點差異，而致使未熔融雜質或者熱劣化雜質生成，則該雜質會形成粗大突起。當該粗大突起大於A’層或者C’層之層厚度時，會在A’層或者C’層表面形成粗大突起。此時，特別是向A’層側形成表面突起時，會產生生坯片之針孔。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜中，C’層所含粒子較佳在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰。第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜在製造積層陶瓷電容器之步驟中用於生坯片成形的支持體時，係使A’層表面形成脫模層，並於該脫模層上保持生坯片後進行捲攏。經捲攏後，因捲緊之影響而使C’層表面與生坯片壓接。此時，C’層表面之突起所產生的表面形狀便轉印至生坯片。此時之轉印痕會影響生坯片之形態，並影響電容器之介電常數。為防此種轉印痕附加至生坯片，對於C’層之表面，較佳使壓接於生坯片表面時的壓力均勻分散。為此，C’層表面之形成於平坦面的突起之高度較佳呈均勻。
再者，C’層表面之突起會引起在捲出捲攏之生坯片時勾住生坯片表面而削薄生坯片的問題。此種勾住可藉由使形成於C’層表面之平坦面的突起之高度均勻
化而加以防止。
又，C’層表面之突起亦可防止生坯片與C’層表面發生結塊。在可形成薄膜生坯片之類的高平滑的脫模薄膜中，生坯片容易與C’層表面之未形成有突起的平坦面接觸。C’層所含粒子之粒度分布的波峰為1個時，與生坯片之接觸最為均勻，惟C’層之平坦面與生坯片容易密接。又C’層表面與生坯片之密接性過於均勻，於剝離初期需要過度之剝離力。此時，若形成微觀上剝離力較弱的部位時，該部分便成為剝離之起點，於剝離初期容易進行剝離。本發明人等發現，為了將C’層表面作成於剝離初期容易進行剝離的形狀，可藉由將C’層所含粒子作成在粒度分布曲線中存在2個波峰的粒子來達成。然而，C’層所含粒子其在粒度分布曲線中具有的波峰超過3個時，突起間之高低差不均勻、壓力之分散過於雜亂導致對某部位施加過度之壓力。
更者，藉由對此等粒子使用界面活性劑等實施表面處理，可改善與聚酯之親和性、可形成脫落較少的突起而較佳。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜其長度方向及橫向之破裂強度的和較佳為500MPa以上600MPa以下，更佳為520MPa以上590MPa以下。又寬度方向之破裂強度較佳為與長度方向之破裂強度同等或其以上，其差(寬度方向之破裂強度-長度方向之破裂強度)較佳為0MPa以上90MPa以下，更佳為40MPa以上80MPa以下。長度方向及橫向之破裂強度的和為500MPa以上時，容易呈
現在延伸步驟中粒子四周之聚合物從粒子剝離而成的空孔(空隙)構造，所欲之表面之中心線粗糙度或緩衝性可良好地展現。又為了使長度方向及橫向之破裂強度的和達成高於600MPa之狀態，則需朝長度方向或寬度方向實施過度的延伸，如此在延伸中發生破裂而不佳。
再者，長度方向及橫向之破裂伸度較佳為80%以上220%以下，更佳為90%以上210%以下。更且，長度方向之破裂伸度較佳與寬度方向之破裂伸度同等或其以上，其差(長度方向之破裂伸度-寬度方向之破裂伸度)為0%以上100%以下時係更佳。甚而，長度方向之破裂伸度為170%以上190%以下、寬度方向之破裂伸度為90%以上110%以下，且長度方向之破裂伸度較寬度方向之破裂伸度大70%以上90%以下時係更佳。將長度方向及橫向之破裂伸度設為80%以上，在塗布陶瓷漿料時承受步驟內之張力之際，可吸收張力變動，並抑制塗布不均的產生而較佳。又將長度方向或橫向之破裂伸度設為220%以下，在塗布脫模層後保存時可抑制損及平面性的情況。此外，在塗布陶瓷漿料後保存時，亦可抑制損及生坯片之平面性的情況。藉由將破裂伸度控制於前述範圍內，可控制因加工步驟中所承受的張力導致薄膜伸縮之現象、或於捲攏後殘留應力回復之行為，最終可良好地保有薄膜之生坯片之平面性。又，較佳使長度方向之破裂伸度與寬度方向之破裂伸度同等或其以上的理由如下：在塗布脫模層之步驟及捲攏步驟中，係朝薄膜之長度方向施加張力；該張力在捲攏後仍以薄膜內應力之形
式殘留。其後，朝長度方向施加張力時，即因帕松變形使寬度方向之薄膜發生尺寸變化。該寬度方向之尺寸變化，在捲出塗布有脫模層的薄膜卷時會發生平面性不良。為抑制該尺寸變化，較佳使長度方向之破裂伸度與寬度方向之破裂伸度同等或其以上，並使長度方向與寬度方向之破裂伸度的差處於上述範圍內。
又，第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜其霧度較佳為7%以下，更佳為6%以下。作為積層陶瓷電容器之脫模用途，可將回收原料加入至3層複合層之中間層，惟霧度超過7%時，由於不易確認生坯片之成型狀態，尤為端部之狀態而不佳。
更且，第2發明之聚酯薄膜之長度方向之厚度不均度較佳為2μm以下。此外，在第2發明中，長度方向之厚度不均度係沿薄膜之長度方向測定15m薄膜之厚度，並由記錄之薄膜厚度圖，以薄膜之最大厚度與最小厚度的差所求得。較佳為1.4μm以下。向來，減少薄膜之厚度不均度係屬薄膜製造方面之課題，惟為了應用於第2發明之脫模用薄膜，尤為薄膜陶瓷電容器製造所適用之脫模薄膜，使長度方向之厚度不均度處於前述範圍內，當減薄生坯片之厚度時電容器之靜電容量不發生變動而較佳。
第2發明之聚酯薄膜其存在於薄膜的A’層表面之高度0.27μm以上的粗大突起較佳為5個/100cm2以下。更且0.54μm以上的粗大突起較佳為1個/100cm2以下。更佳為0.54μm以上的粗大突起係實質上不存在。將粗大
突起數設於上述範圍內，塗布脫模劑時可抑制塗布不均、針孔狀之塗布脫落瑕疵。又，可抑制減薄生坯片之厚度時所產生的脫模劑塗布脫落導致生坯片發生剝離不均的情況。此外，尚可抑制起因於粗大突起而導致生坯片產生凹坑或針孔的情況。
為使薄膜表面之粗大突起達成上述較佳形態，可舉出使A’層、B’層、C’層所含之粒子種類及體積平均粒徑處於上述範圍內。此外，可舉出將用於第2發明之聚酯薄膜之原料供給的設備，尤為用於原料儲存設備(儲倉)、原料運送的配管僅使用於含有第2發明中使用之粒子的主丸粒，並依以下方法運送原料等。為運送原料，係利用吹送機藉由空氣進行運送、或藉自由落下進行運送，惟藉由空氣進行運送之際，較佳的是當吸入空氣時，利用可濾去95%之0.3μm以上的塵埃的濾器將空氣過濾。再者，亦可藉由使第2發明之製造時所使用的濾器採用後述之高精度濾器來達成。
第2發明之聚酯薄膜中，適當地控制尺寸變化率，在良好地保有後加工，尤為塗布脫模層後之平面性方面係較佳者。作為將尺寸變化率設於後述之範圍內的方法，可依製膜條件中的弛緩處理等的周知方法加以適當調整來達成。150℃之尺寸變化率較佳為在長度方向為2%以下、在寬度方向為2.5%以下，更佳為在長度方向為0.5%以上1.7%以下、在寬度方向為1%以上2%以下。又100℃之尺寸變化率較佳為在長度方向、寬度方向均為1%以下，更佳處於0.2%以上0.8%以下之範圍。該尺寸變
化率若低於上述範圍之下限時，塗布脫模層時會發生鬆馳所致之平面性不良；高於上限時，塗布脫模層時因收縮發生薄板狀之收縮不均導致平面性不良，於任一情況下，皆產生薄膜生坯片之塗布厚度不均而不佳。
其次，就第2發明之雙軸配向聚酯薄膜之製造方法加以說明。作為使聚酯含有惰性粒子之方法，係例如使惰性粒子以既定比例、以漿料形態分散於作為二醇成分的乙二醇中，並於聚酯聚合完畢前之任意階段添加此乙二醇漿料。於此，在添加粒子之際，若例如未將合成粒子時所得之水溶膠或醇溶膠暫時乾燥而予以添加，則粒子之分散性良好、可抑制粗大突起的產生而較佳。此外，將粒子之水漿料直接與既定之聚酯丸混合，再供給至通氣式雙軸混煉擠製機使之摻入至聚酯中的方法對於第2發明之製造亦屬有效。
如此，以既定比例混合用於各層所製備之實質上不含含粒子之主丸粒與粒子等的丸粒並加以乾燥後，供給至周知之熔融積層用擠製機。第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之製造中的擠製機可採用單軸、雙軸之擠製機。又，為省略丸粒之乾燥步驟，尚可採用在擠製機設有抽真空管線的通氣式擠製機。再者，對於擠製量最多的B’層，可使用以各擠製機分擔使丸粒熔融之機能與將熔融之丸粒保持於一定溫度之機能的所謂串聯式擠製機。對於第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜之A’層及C’層，使用雙軸通氣式擠製機由於可良好地保有粒子之分散性而較佳。
擠製機中經熔融、擠出之聚合物係利用濾器過濾。極小之雜質亦混入薄膜中時，會造成粗大突起之瑕疵，因此，濾器使用例如可捕集95%以上之3μm以上的雜質的高精度濾器係屬有效。接著，從狹縫狀之狹縫模具予以擠出成片狀，並於流延輥上使其冷卻固化而作成未延伸薄膜。亦即，利用3台擠製機、3層歧管或合流塊(例如具有矩形合流部之合流塊)予以積層成3層，再從噴嘴擠出片體，並於流延輥冷卻而作成未延伸薄膜。此時，基於背壓之穩定化及抑制厚度變動觀點，在聚合物流道設置靜態混合機、齒輪泵之方法係屬有效。
延伸方法可為同時雙軸延伸或逐次雙軸延伸。特別是在同時雙軸延伸中未伴有使用輥所進行的延伸，因此可抑制薄膜表面之局部的加熱不均、可獲得均勻之品質，同時可抑制延伸時伴隨輥延伸而生之薄膜與輥之接觸處的速度差、輥之微小擦痕的轉印等所致之擦痕的產生而較佳。
在同時雙軸延伸中，係將未延伸薄膜，首先朝長度及寬度方向，設延伸溫度為80℃以上130℃以下，較佳為85℃以上110℃以下同時予以延伸。延伸溫度低於80℃時薄膜容易破裂，延伸溫度高於130℃時則無法獲得充分的強度而不佳。再者，基於防止延伸不均觀點，長度方向．寬度方向之合計延伸倍率為4倍以上20倍以下，較佳為6倍以上15倍以下。合計延伸倍率小於4倍時，不易獲得充分的強度。另一方面，倍率大於20倍時，則薄膜容易發生破裂而不易製造穩定的薄膜。為獲得所需強
度，較佳為在溫度140℃以上200℃以下，較佳為160℃以上190℃以下朝長度方向及/或寬度方向以1.02倍以上1.5倍以下，較佳為1.05倍以上1.2倍以下再度進行延伸，合計延伸倍率在長度方向為3倍以上4.5倍以下，較佳為3.5倍以上4.2倍以下，在寬度方向為3.2倍以上5倍以下，較佳為3.6倍以上4.3倍以下。為達目標之薄膜破裂強度，可適當選擇倍率，而為了提高寬度方向之破裂強度，較佳將寬度方向之延伸倍率設為略高於長度方向。其後，在205℃以上240℃以下，較佳為220℃以上240℃以下以0.5秒以上20秒以下，較佳為1秒以上15秒以下進行熱固定。熱固定溫度低於205℃時，薄膜之熱結晶化不進行，以致目標之尺寸變化率等難達穩定而不佳。又，為使薄膜物性呈穩定，薄膜上下之溫度差係為20℃以下，較佳為10℃以下，更佳為5℃以下。薄膜上下之溫度差大於20℃時，於熱處理時容易引起微小的平面性惡化而不佳。其後，朝長度及/或寬度方向實施0.5%以上7.0%以下之弛緩處理。
同時雙軸延伸有別於後述之逐次雙軸延伸，係藉由高溫空氣將薄膜加熱。因此，不會僅有薄膜表面局部加熱而產生黏著，作為延伸方式更佳為逐次延伸。
另一方面，第2發明之聚酯薄膜亦可利用逐次延伸來製造。
最初之長度方向之延伸對於抑制擦痕的產生極為重要，延伸溫度係為90℃以上130℃以下，較佳為100℃以上120℃以下。延伸溫度低於90℃時薄膜容易破裂，延伸
溫度高於130℃時，薄膜表面易受熱損傷而不佳。又基於防止延伸不均及損傷觀點，延伸較佳分作2階段以上來進行，就總倍率而言，在長度方向係為3倍以上4.5倍以下，較佳為3.5倍以上4.2倍以下，在寬度方向則為3.2倍以上5倍以下，較佳為3.6倍以上4.3倍以下。為達目標之薄膜破裂強度，可適當選擇倍率，而為了提高寬度方向之破裂強度，較佳將寬度方向之延伸倍率設為略高於長度方向。若超出所述溫度、倍率範圍時，會引起延伸不均或者薄膜破裂等問題，不易獲得屬第2發明之特徵的薄膜而不佳。再次實施縱或橫延伸後，係在205℃以上240℃以下，較佳為210℃以上230℃以下，以0.5秒以上20秒以下，較佳為1秒以上15秒以下進行熱固定。尤其是熱固定溫度低於205℃時，薄膜之結晶化不進行以致結構不穩定，無法獲得目標之尺寸變化率等特性而不佳。
在逐次延伸中，長度方向之延伸過程較佳為對於薄膜與輥接觸，因輥的周速與薄膜的速度差而容易產生擦痕之步驟，可按每根輥個別設定輥周速的驅動方式。在長度方向之延伸過程中，運送輥之材質係根據在延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上、或在保持於小於玻璃轉移點之溫度的狀態下運送至延伸區並於延伸時一併加熱而選擇，在延伸前將未延伸薄膜加熱至玻璃轉移點以上時，在防止加熱所產生之黏著方面，可選自非黏著性矽氧樹脂輥、陶瓷、TEFLON(註冊商標)。另外，就延伸輥而言，對於對薄膜施加最多負載，且於該製程中容易產生擦痕或延伸不均之步驟，延伸輥表面之
中心線粗糙度Ra係為0.005μm以上1.0μm以下，較佳為0.1μm以上0.6μm以下。Ra大於1.0μm時延伸時輥表面之凸凹會轉印至薄膜表面而不佳；另一方面小於0.005μm時，則輥與薄膜表層黏著，致薄膜易受熱損傷而不佳。為控制延伸輥表面之中心線粗糙度，適當調整研磨劑之粒度、研磨次數等係屬有效。在將未延伸薄膜保持於小於玻璃轉移點之溫度的狀態下運送至延伸區並於延伸時一併加熱之際，預熱區之運送輥較佳使用以硬鉻或碳化鎢進行過表面處理的延伸輥表面之中心線粗糙度Ra為0.2μm以上0.6μm以下的金屬輥。
就第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，係將所述朝長度方向延伸的單軸延伸薄膜，利用橫延伸機加熱至80℃以上小於120℃後，以3倍以上小於6倍朝寬度方向延伸，而作成雙軸延伸(雙軸配向)薄膜。
第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜可進一步對各方向進行再延伸達1次以上，亦可同時於雙軸進行再延伸。更者，係於雙軸延伸後進行薄膜之熱處理，惟此熱處理可採烘箱中、加熱輥上等以往周知之任意方法來進行。熱處理溫度一般可設於150℃以上小於245℃之任意溫度，熱處理時間一般以1秒以上60秒以下來進行為較佳。熱處理亦可使薄膜朝其長度方向及/或寬度方向弛緩來進行。再者，熱處理後，係在較熱處理溫度低0℃以上150℃以下的溫度朝寬度方向以0%以上10%以下使其弛緩。
熱處理後之薄膜可例如藉由設置中間冷卻區
或除冷區來調整尺寸變化率或平面性。又，特別是為了賦予特定的熱收縮性，亦可在熱處理時或者其後之中間冷卻區或除冷區，朝縱向及/或橫向予以弛緩。
雙軸延伸後之薄膜係於運送步驟中經冷卻，其後將邊緣切除後予以捲攏而製得中間製品。在此運送步驟中，係測定薄膜之厚度，回授、使用該數據，並藉由模具厚度等的調整來進行薄膜厚度之調整，再利用瑕疵檢測器進行雜質檢測。
於邊緣之切割時，對於第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，抑制切屑的產生係屬必要條件。邊緣之切割係使用圓刃、剪刃、直刃來進行，若使用直刃時，使刃部接觸薄膜的部位常時非為同一部位，可抑制刃部之磨耗而屬較佳形態。因此，係以具有振盪機制為佳。此外，較佳在薄膜切割部位設置吸取裝置以吸取產生之切屑、或切割後之薄膜端部彼此經切削所產生的切屑。
中間製品係經由裁切步驟裁切成適當的寬度．長度並經由捲攏，而得到第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜的捲狀物。在裁切步驟之薄膜的切割時，亦可由與前述邊緣之切割同樣的切割方式中選定。
將中間製品進行裁切成所欲之寬度，即得到第2發明之脫模用雙軸配向聚酯薄膜。
以下，依實施例對本發明詳細加以說明。此外，實施例中，所謂「A層、B層、C層」，係指第1發明之A層、B層、C層及第2發明之A’層、B’層、C’層。
本發明相關之測定方法、評定方法如下。
(1)粒子之體積平均粒徑及粒度分布的波峰判定
採電漿低溫灰化處理法將聚合物由薄膜去除，使粒子露出。處理條件係選擇聚合物可被灰化但粒子未嚴重受損之條件。以掃描式電子顯微鏡(SEM；日立製作所股份有限公司製S-4000型)觀察該粒子，並將粒子影像擷取至Image Analyzer(NIRECO股份有限公司製LUZEX_AP)，測定等效圓直徑，求取粒子之體積平均粒徑。SEM之倍率係視粒徑而定，由5000~20000倍中適當選擇。任意變換觀察部位，測定至少5000個粒子之粒徑的等效圓直徑，並由其平均值求取體積平均粒徑。
當粒子因電漿低溫灰化處理法而大幅受損時，則利用穿透式電子顯微鏡(TEM；日立製作所股份有限公司製H-600型)，根據粒徑，以3000~20000倍觀察薄膜剖面。TEM之切片厚度係設為約100nm，變換部位測定至少100個以上之粒子的等效圓直徑，並由其平均值求取體積平均粒徑d。
此外，當測定粒子之體積平均粒徑之際，若利用SEM及TEM觀察時以5000倍、10視野進行確認亦無法看出粒子的存在時，即判定為實質上不含粒子。
又，粒子之粒度分布曲線的波峰判定係在由經Image Analyzer處理之影像，將體積平均粒徑以「超過0μm且為0.2μm以下、超過0.2μm且為0.4μm以下、超過0.4μm且為0.6μm以下…」之方式每隔0.2μm予以分類，並
計數粒子之個數時，若有全體的20%以上之個數，則視為1個波峰。計數該波峰來判定。
(2)粒子之體積形狀係數
利用掃描式電子顯微鏡，以例如5000倍、10視野拍攝粒子的照片後，使用影像解析處理裝置算出投影面最大直徑及粒子之平均體積，根據下式獲得體積形狀係數。
f=V/Dm3
於此，V為粒子之平均體積(μm3)、Dm為投影面的最大直徑(μm)。
(3)莫氏硬度及交聯度
<莫氏硬度>
以具有與添加至薄膜的粒子相同之組成、構造的試片或粉碎成粒子前的礦物為試片，並與莫氏硬度測定用之標準礦物相互刮擦，依據刮擦是否可進行來測定。標準礦物如下：莫氏硬度1：滑石、莫氏硬度2：石膏、莫氏硬度3：方解石(Calcite)、莫氏硬度4：螢石(Fluorite)、莫氏硬度5：磷灰石(Apatite)、莫氏硬度6：月長石(Moonstone)、莫氏硬度7：石英(Quartz)、莫氏硬度8：黃晶(Topaz)、莫氏硬度9：金剛砂、莫氏硬度10：鑽石。
<交聯度>
本發明之交聯度係依下式求取。
交聯度(%)=(原料單體中的交聯成分之重量)/(原料單體之總重量)×100
(4)固有黏度
採用基於在鄰氯酚中、25℃測定之溶液黏度，依下式計算所得之值。即，
ηsp/C=[η]+K[η]2．C
於此，ηsp=(溶液黏度/溶媒黏度)-1，C為每100ml溶媒之溶解聚合物重量(g/100ml、通常為1.2)，K為赫金斯常數(採0.343)。且，溶液黏度、溶媒黏度係利用奧氏黏度計來測定。單位係以[dl/g]表示。
(5)薄膜積層厚度
利用穿透式電子顯微鏡(TEM；日立(股)製H-600型)，以加速電壓100kV、取超薄切片(RuO4染色)觀察薄膜之剖面。由其剖面全體求取總厚度，積層厚度係求取其界面所觀察到的粒子之最深處距表面的深度，亦即所積層之厚度。關於倍率，只要根據待測薄膜之總厚度、層厚度適當設定倍率即可，一般而言，總厚度測定時較適當為1000倍、積層厚度測定時較適當為1萬~10萬倍。
當粒子較少時等，為判別積層界面而事先設想應以何種倍率獲得粒子影像，為此，較有效的是藉由剖面之SEM-XMA進行由剖面之元素分布(映射)所假設之積層厚度的概算，來決定TEM之設定倍率。
(6)破裂伸度及破裂強度
依據JIS C2151-1990，利用Instron型拉伸試驗機(ORIENTEC(股)製薄膜強伸度自動測定裝置「TENSILON」萬能試驗機RTC-1210)來測定。對寬10mm之試料薄膜，以試樣長度間100mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件進
行拉伸試驗，求取薄膜破裂時的應力作為破裂強度、求取薄膜破裂時的應變(伸長率)作為破裂伸度。測定係於23℃、濕度65%RH下進行。
(7)尺寸變化率
對薄膜表面，以寬10mm、測定長度約100mm的方式劃出2條線，並於23℃正確測定此2條線間之距離，以其為L0。將此薄膜樣本在100℃或150℃之烘箱中放置30分鐘，並在1.5g之負載下放置後，再度於23℃測定2條線間之距離，以其為L1，根據下式求出各溫度下的尺寸變化率。
尺寸變化率(%)={(L0-L1)/L0}×100。
(8)薄膜表面之中心線粗糙度(SRa值)
由利用三維微細表面形狀測定器(小坂製作所製ET-350K)進行測定所得之表面的輪廓曲線，依據JIS．B0601(1994年)，求出算術平均粗糙度SRa值。測定條件如下：X方向測定長度：0.5mm、X方向傳送速度：0.1mm/秒。
Y方向傳送間距：5μm、Y方向線數：40條。
截取值：0.25mm。
觸針壓：0.02mN。
高度(Z方向)放大倍率：5萬倍。
(9)粗大突起數
對於粗大突起數，係將2片10cm見方大小之薄膜的測定面彼此重疊，施予外加電壓藉靜電力予以密接，再基於薄膜表面之粗大突起所產生的干涉條紋來推定其高度
。茲測定干涉條紋中第1環0.270μm、第2環0.540μm及第3環0.810μm以上的粗大突起個數。作為光源，係採用於鹵素燈附設有564nm之頻帶脈衝濾波器(band pulse filter)者。
(10)長度方向之厚度不均度
沿薄膜之長度方向測定15m薄膜之厚度，並由記錄之薄膜厚度圖，以薄膜之最大厚度與最小厚度的差的形式求得。
利用安立電氣製薄膜厚度連續測定器，沿薄膜之長度方向測定15m薄膜之厚度，並由記錄之薄膜厚度圖，測定最大厚度與最小厚度的差作為厚度不均度(μm)。測定條件如下：構造：K-306C廣範圍電子測微計，K-310C Recorder，薄膜傳送裝置。
薄膜寬度：45mm、測定長度：15m、薄膜傳送速度：3m/分鐘
檢測器：3R紅寶石(ruby)端子、測定力：15±5g。
(11)薄膜之霧度
依據JIS K7105-1981，由薄膜寬度方向之中央部切出長度4.0cm×寬度3.5cm之尺寸後以其為樣本，利用霧度計(Suga試驗機製HGM-2DP(C光源用))測定霧度。
[實施例1]
(1)聚酯丸的作成
(聚酯A的作成)
使86.5重量份對酞酸與37.1重量份乙二醇，在255℃
下，一面將水餾出一面進行酯化反應。酯化反應結束後，添加0.02重量份三甲基磷酸、0.06重量份乙酸鎂、0.01重量份乙酸鋰、0.0085重量份三氧化二銻，接著在真空下加熱至290℃，並升溫進行聚縮合反應，得到固有黏度0.63dl/g之聚酯丸A。
(聚酯B及聚酯C的作成)
與上述同樣地製造聚酯時，係於酯交換後，分別對聚酯B添加體積平均粒徑0.2μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度7之球狀氧化矽、對聚酯C添加體積平均粒徑0.06μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度7之球狀氧化矽，並進行聚縮合反應，得到含有相對於聚酯為1重量%的粒子的含有氧化矽之主丸粒(聚酯B)、(聚酯C)。
再者，聚酯B及聚酯C中所使用的球狀氧化矽係一面攪拌乙醇與矽酸乙酯的混合溶液，一面對該混合溶液添加包含乙醇、純水及作為鹼性觸媒之氨水的混合溶液，並攪拌所得反應液，進行矽酸乙酯之水解反應及該水解生成物之聚縮合反應後，進行反應後攪拌，而得到單分散氧化矽粒子。
(聚酯D、E及聚酯F的作成)
進一步額外將採晶種(seed)法所得之包含80重量%二乙烯苯(交聯成分)、15重量%乙基乙烯苯、5重量%苯乙烯的體積平均粒徑0.3μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3之二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子(交聯度80%)的水漿料，利用通氣式雙軸混煉機摻混於上述之實質上不含粒子的同元聚酯丸中，而得到含有相對於聚酯為1
重量%之體積平均粒徑0.3μm的二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子的主丸粒(聚酯D)。
依同樣方式製得含有相對於聚酯為1重量%之體積平均粒徑0.8μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3的二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子的主丸粒(聚酯E)、含有相對於聚酯為1重量%之體積平均粒徑0.1μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3的二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子的主丸粒(聚酯F)。
(聚酯G的作成)
對10重量份碳酸鈣粒子(莫氏硬度3)與90重量份乙二醇進行濕式粉碎，得到碳酸鈣/乙二醇分散漿料(A)。該碳酸鈣之體積平均粒徑為1.1μm。另外，對100重量份對酞酸二甲酯、64重量份乙二醇添加0.04重量份之作為觸媒的乙酸錳、0.03重量份三氧化二銻進行酯交換反應，其後對反應生成物添加0.04重量份之作為磷化合物的三甲基膦，進而，其後加入1份之先前所調製的漿料(A)進行聚縮合反應，而得到相對於聚酯含有1重量%碳酸鈣的主丸粒(聚酯G)。
另一方面，將製造下述配方之薄膜後的薄膜回收並製成丸粒後，以其為回收原料A。此外，以下所記載之比例係以相對於薄膜全體之重量的重量比(重量%)表示。
聚酯A：93.4
聚酯D：0.6
聚酯G：6.0。
(2)聚酯丸的調合
A層、B層、C層各層之供給至擠製機的聚酯丸係依以下比例調合。此外，以下所記載之比例係相對於構成各層之聚酯丸的重量比(單位：重量%)。
A層
聚酯A：87.5
聚酯B：12.5
B層
聚酯A：60.0
回收原料A：40.0
C層
聚酯A：65.0
聚酯C：30.0
聚酯D：5.0。
(3)雙軸配向聚酯薄膜的製造
將前述針對各層所調合的原料在摻合機內攪拌後，A層及C層之原料係將攪拌後之原料供給至A層及C層用之附氣孔式(通氣式)雙軸擠製機，B層之原料係於160℃進行減壓乾燥8小時，並供給至B層用之單軸擠製機。於275℃進行熔融擠製，並利用可捕集95%以上之3μm以上的雜質之高精度的濾器予以過濾後，在矩形之不同種類的3層用合流塊中合流積層，作成包含層A、層B、層C之3層積層。其後，經由保持於285℃的狹縫模具，於冷卻輥上，採用靜電施加流延法予以捲攏於表面溫度25℃之流延鼓輪並冷卻固化，而得到未延伸積層薄膜。
對該未延伸積層薄膜實施逐次延伸(長度方向、寬度方向)。首先實施長度方向之延伸，再於105℃以TEFLON(註冊商標)運送薄膜卷後，朝長度方向於120℃以4.0倍延伸而作成單軸延伸薄膜。
將該單軸延伸薄膜在拉幅機內朝橫向於115℃以4倍延伸，接著於230℃施予熱固定，此時朝寬度方向弛緩5%並在運送步驟中使其冷卻後，再切割邊緣後予以捲攏，得到厚度38μm之雙軸延伸薄膜的中間製品。以切割器(slitter)切割中間製品，而得到厚度38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。測定該雙軸延伸薄膜之積層厚度的結果為A層：6.5μm、B層：30.5μm、C層：1.0μm。
(4)脫模層的塗布
接著，對該雙軸延伸薄膜的捲狀物塗布將交聯底漆層(Toray Dow Corning Silicone(股)製商品名BY24-846)調整成固體含量1重量%的塗布液並加以乾燥，以凹版塗布機塗布成乾燥後之塗布厚度達0.1μm，並於100℃乾燥硬化20秒。其後在1小時以內，以凹版塗布機塗布將100重量份加成反應型矽氧樹脂(Toray Dow Corning Silicone(股)製商品名LTC750A)、2重量份白金觸媒(Toray Dow Corning Silicone(股)製商品名SRX212)調整成固體含量5重量%的塗布液，使乾燥後之塗布厚度達0.1μm，並於120℃乾燥硬化30秒後予以捲攏，而得到脫模薄膜。
(5)生坯片之塗布狀態的評定(陶瓷漿料之塗布性)
對100重量份鈦酸鋇(富士TITANIUM工業(股)製商品名HPBT-1)、10重量份聚乙烯丁醛(積水化學(股)製商品名BL-1)、5重量份酞酸二丁酯與60重量份甲苯-乙醇(重量比30：30)加入數平均粒徑2mm之玻璃珠，以噴射磨機使其混合．分散20小時後，進行過濾而調製成糊狀之陶瓷漿料。將所得陶瓷漿料以模塗布機塗布於脫模薄膜上，使乾燥後之厚度達2μm並予以捲攏，而得到生坯片。捲出上述中經捲攏之生坯片，在未從脫模薄膜剝離之狀態下以目視觀察，確認針孔之有無、片體表面及端部之塗布狀態。再者，觀察面積為寬300mm、長500mm。
a.針孔、凹坑之有無
對成型於脫模薄膜上的生坯片，從背面以1000勒克司之背光單元進行照射，同時觀察塗布脫落所產生的針孔或者脫模薄膜背面之表面轉印所產生的凹坑狀態。
A：無針孔或凹坑。
B：無針孔，可確認3個以內之凹坑。
C：有針孔，且可確認4個以上之凹坑。
b.片體表面．端部之塗布狀態
對成型於脫模薄膜上的生坯片，以目視觀察片體之表面及端部。
A：片體表面及端部均未確認塗布不均。
B：片體表面無塗布不均，惟端部有塗布不均。
C：片體表面、端部均確認有塗布不均。
實施例1中，就針孔、凹坑之有無評定而言，因無針孔或凹坑，故評為「A」。又，片體表面及端部均
無塗布不均，故評為「A」。
(6)生坯片之衝切性
於下述步驟形成內部電極圖案並對生坯片進行衝切及積層後，實施進行剝離時的特性評定。
a.內部電極之圖案的形成
將44.6重量份Ni粒子、52重量份萜品醇、3重量份乙基纖維素與0.4重量份苯并三唑予以混煉、漿化而得到內部電極層用塗料。將內部電極層用塗料，在生坯片上，利用網版印刷法塗布成既定圖案，而得到具內部電極圖案之陶瓷生坯片。乾燥溫度為90℃、乾燥時間為5分鐘。
b.生坯片之衝切性評定
捲出上述之成形於脫模薄膜上且附有內部電極圖案的陶瓷生坯片，在脫模薄膜上將生坯片切割衝切成100片。切割係使用旋轉式圓刃刀片。此時，用以切割生坯片之旋轉式圓刃刀片的切入深度係設定成生坯片厚度加2μm~3μm。此時，以目視確認在脫模薄膜上衝切後之生坯片的切割面。此外，在評定中，圓刃刀片係於切割1000片後經更換。
首先由生坯片上表面以目視確認切割面之均勻性，確認切割碎渣或缺陷之有無、從脫模薄膜剝離之有無。此時之評定指標如下：
A：生坯片上表面之切割面無切割碎渣或缺陷，且無脫模薄膜與生坯片之局部剝離。
B：生坯片上表面之切割面些微可見波狀之凹凸。無脫模薄膜與生坯片之局部剝離。
C：生坯片上表面之切割面有切割碎渣或缺陷，或有脫模薄膜與生坯片之局部剝離之片體，任1片均發生。在生坯片之積層中有卡入雜質的可能性，而評為「C」。
在實施例1中，實施生坯片之衝切性評定的結果，因生坯片上表面之切割面無切割碎渣或缺陷，且無脫模薄膜與生坯片之局部剝離，故評為「A」。
(7)生坯片積層特性
將上述之在脫模薄膜上衝切後的生坯片積層。積層係以將生坯片保持於脫模薄膜上之狀態運送後，將生坯片熱壓接於積層體，隨後將脫模薄膜剝離。重複此作業達100片，得到陶瓷積層體。以目視確認此時之積層狀態，依以下基準評定坯片積層特性。
A：片體積層時，熱壓接均勻地進行，因而未發生生坯片剝離不良，無空氣卡入或雜質卡入而良好地積層。
B：片體積層時，熱壓接略顯不均勻，無空氣卡入，呈容許範圍之剝離狀態，惟在極少情況下剝離狀態不穩定。
C：片體積層時，有空氣卡入或雜質卡入。甚或發生剝離不良。
在實施例1中評定生坯片積層特性的結果，由於片體積層時未發生生坯片剝離不良，故評為「A」。
[實施例2]
除變更加入至A層、C層的粒子種類以外係以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。就脫模層之塗布、生坯片之成型(陶瓷漿料之塗布)、內部電極之圖案的形成、生坯片之衝切性評定、生坯片積
層特性，亦與實施例1同樣的方法實施．評定(以下，實施例、比較例均以同樣的加工步驟實施．評定)。
漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性皆為A，屬良好。
[實施例3、4]
在實施例1之實施形態中分別變更各層之厚度，與其相應地調整粒子之種類及添加量，並以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。陶瓷漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性皆為A，屬良好。
[實施例5,6]
在實施例1之實施形態中設C層之厚度為0.5μm(實施例7)、2.0μm(實施例8)、A層之組成係採用如表所記載者，A層之厚度均設為6.5μm、B層之厚度設為31.0μm(實施例7)、29.5μm(實施例8)。陶瓷漿料之塗布特性無問題而為A。內部電極圖案後之生坯片衝切性亦無問題。在生坯片積層時的剝離步驟中，對於實施例5、6均未穩定剝離而為B。
[實施例7]
在B層之配方中使用實施例4中所得之薄膜作為用於B層之回收原料(回收原料B)，A層與C層係採用與實施例4相同的配方。以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性均為A，屬良好。
[實施例8、9]
在實施例2中設總厚度為31μm、25μm，A層及C層之
厚度係與實施例2同樣地藉由變更B層之厚度來調節總厚度。漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性均為A，屬良好。
[實施例10、11]
除將實施例1之縱延伸倍率由4.0倍變更為3.3倍以外係以與實施例1同樣的方法，製得雙軸延伸薄膜的捲狀物(實施例10)。此外，除將實施例8之縱延伸倍率由4.0倍變更為3.3倍以外係以與實施例8同樣的方法，製得雙軸延伸薄膜的捲狀物(實施例11)。漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性均為A，屬良好。
[實施例12、13]
除如表所記載變更實施例1中A層、B層、C層之組成以外，係以與實施例1同樣的製法，製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物(實施例12、實施例13)。實施例12其漿料塗布特性、生坯片衝切性、生坯片積層特性皆為A，屬良好，惟在實施例13中，片體表面無塗布不均但端部有塗布不均，因此漿料塗布性之片體表面、端部之評定係評為B。實施例13中，生坯片衝切性、生坯片積層特性皆為A，屬良好。
[實施例14]
欲獲得聚酯D時，係將採晶種法所得之包含40重量%二乙烯苯(交聯成分)、15重量%乙基乙烯苯、45重量%苯乙烯的體積平均粒徑0.3μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3之二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子(交聯度40%)的水漿料，利用通氣式雙軸混煉機摻混於上述之實質上
不含粒子的同元聚酯丸中。又，欲獲得聚酯F時，係將採晶種法所得之包含40重量%二乙烯苯(交聯成分)、15重量%乙基乙烯苯、45重量%苯乙烯的體積平均粒徑0.1μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3之二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子(交聯度40%)的水漿料，利用通氣式雙軸混煉機摻混於上述之實質上不含粒子的同元聚酯丸中。
在實施例13之實施形態中，使用上述聚酯D及聚酯F，得到雙軸延伸薄膜的捲狀物。生坯片衝切性、生坯片積層特性皆為A，屬良好。
[比較例1]
在實施例1之實施形態中，依A層實質上不含粒子的配方，以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
塗布漿料後，在乾燥步驟後於生坯片端部產生波紋。生坯片衝切時，於切割面之界面生坯片發生剝離。有剝離之影響，發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例2]
在實施例1之實施形態中，依B層實質上不含粒子的配方，以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
漿料塗布、內部電極之圖案的形成良好，但在衝切中發生生坯片之切割不均，生坯片發生剝離。發生生坯片無法積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例3]
在實施例1之實施形態中，依C層實質上不含粒子的配方，以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
在塗布脫模層後之捲攏中，捲攏外形差，而調整捲攏張力，並確認脫模薄膜的捲狀物之捲攏硬度，同時作成脫模薄膜卷。
在陶瓷漿料塗布中，塗布端部發生蛇行狀不均勻。內部電極之圖案形成後，在衝切中發生生坯片之切割不均，但無生坯片之剝離。在生坯片積層時的熱壓接時，發生無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例4]
在實施例1之實施形態中，設A層之厚度為12.0μm，且為調整粗糙度而調整粒子量。C層之厚度係設為1.0μm，變更吐出量來調整B層之厚度，並以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
就塗布脫模層後，塗布陶瓷漿料並使其乾燥後的塗布狀態，切割面些微可見波狀之凹凸；無針孔，內部電極之圖案的形成亦良好。在衝切步驟中的衝切時，發生生坯片之切割不均，其結果發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例5]
在實施例1之實施形態中，設C層之厚度為3.0μm，且為調整粗糙度而調整粒子量。A層之厚度係設為6.5μm，變更吐出量來調整B層之厚度，並以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
塗布脫模層後，塗布陶瓷漿料並使其乾燥後的塗布狀態良好，無針孔，內部電極之圖案的形成亦良好。生坯片可良好地切割，惟發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例6]
在實施例1之實施形態中，設C層之厚度為0.3μm，且為調整粗糙度而調整粒子量。A層之厚度係設為6.5μm，變更吐出量來調整B層之厚度，並以與實施例1同樣的製法製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。
塗布脫模層後，塗布陶瓷漿料並使其乾燥後的塗布狀態良好，無針孔，內部電極之圖案的形成亦良好。生坯片可良好地切割，惟發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例7]
在實施例1之實施形態中，以加入至C層的粒子為無機粒子，製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。塗布脫模層後，塗布陶瓷漿料並使其乾燥後的塗布狀態良好，無針孔，內部電極之圖案的形成亦良好。生坯片可良好地切割，惟發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例8]
在實施例1之實施形態中，以加入至A層的粒子主丸粒為聚酯G，製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。在塗布陶瓷漿料時產生針孔且於塗布端部產生凹凸。在衝切生坯片時，生坯片上表面之切割面可見波狀之凹凸。
而且，在積層生坯片時大量發生空氣卡入。
[比較例9]
在實施例1之實施形態中，以加入至C層的粒子主丸粒為聚酯G，製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。確認塗布陶瓷漿料並捲攏後的生坯片之結果，生坯片表面可確認多數凹坑，因此內部電極圖案一部分缺落。在衝切生坯片時，生坯片上表面之切割面可見波狀之凹凸。而且，在積層生坯片時大量發生空氣卡入。
[比較例10]
在實施例1之實施形態中，以加入至C層的粒子主丸粒為聚酯E，並以含量超過本案下限的添加量製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。漿料塗布、內部電極之圖案的形成良好，惟在衝切中發生生坯片之切割不均且生坯片發生剝離。發生生坯片無法均勻積層的情況，屬不佳之結果。
[比較例11]
在實施例1之實施形態中，C層使用回收原料B，製得厚38μm之雙軸延伸薄膜的捲狀物。C層所含粒子之粒度分布曲線中的波峰為3個。捲出漿料塗布後的生坯片，結果微小的凹坑極為醒目，在生坯片衝切時生坯片上表面之切割面可見波狀之凹凸。在積層生坯片時，大量發生氣體卡入，且一部分發生剝離不良。
[比較例12]
欲獲得聚酯E時，係將採晶種法所得之包含40重量%二乙烯苯(交聯成分)、15重量%乙基乙烯苯、45重量%苯
乙烯的體積平均粒徑0.8μm、體積形狀係數f=0.51、莫氏硬度3之二乙烯苯/苯乙烯共聚合交聯粒子(交聯度40%)的水漿料，利用通氣式雙軸混煉機摻混於上述之實質上不含粒子的同元聚酯丸中。
在實施例14之實施形態中，使用上述聚酯D及聚酯F，得到雙軸延伸薄膜的捲狀物。生坯片衝切時，生坯片上面之切割面些微可見波狀之凹凸而評為B。生坯片積層時發生剝離不良而評為C。
本發明係一種以雙軸延伸聚酯薄膜為基底的脫模用基底薄膜，尤其在將構成陶瓷電容器之生坯片製成薄膜時，薄膜生坯片成形時的陶瓷漿料之塗敷性、生坯片衝切性及生坯片積層特性良好。
Claims (12)
- 一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，其特徵為具有表層(A層)、中間層(B層)、表層(C層)，其中：A層係含有相對於A層之重量為0.05重量%以上1.0重量%以下之體積平均粒徑(dA)為0.1μm以上1.0μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，且厚度為3.0μm以上8.0μm以下的層；B層係含有體積平均粒徑(dB)為0.3μm以上1.5μm以下、莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子，含有相對於B層之重量為0.6重量%以上6重量%以下之莫氏硬度為7以下的無機粒子，含有相對於B層之重量為0.05重量%以上5重量%以下之莫氏硬度為7以下的有機粒子，且厚度為10.0μm以上35.0μm以下的層；C層係含有相對於C層之重量為0.03重量%以上小於1.0重量%之體積平均粒徑(dC)為0.2μm以上1.0μm以下、在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的有機粒子，且厚度0.5μm以上2.0μm以下的層；A層、B層及C層所含粒子之體積平均粒徑係處於式(1)之關係，且層全體之厚度為20μm以上40μm以下；dA<dC≦dB…式(1)。
- 如請求項1之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該A層、B層、C層所含的有機粒子係選自交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸樹脂粒子、交聯聚酯粒子的1種；該A層、 B層所含之莫氏硬度為7以下的無機粒子係選自球狀氧化矽、矽酸鋁的1種。
- 如請求項1或2之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中A層表面之中心線粗糙度SRa(A)為3nm以上10nm以下、C層表面之中心線粗糙度SRa(C)為10nm以上30nm以下。
- 如請求項1至3中任一項之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該B層係含有聚酯薄膜製造步驟中所產生的雙軸延伸後之生成碎屑作為回收原料。
- 如請求項1至4中任一項之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其在製造積層陶瓷電容器之步驟中係用於生坯片成形之支持。
- 一種脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其係包含3層之聚對酞酸乙二酯薄膜，其特徵為具有表層(A’層)、中間層(B’層)、表層(C’層)，其中：A’層之表面之中心線粗糙度SRa(A’)為3nm以上10nm以下，C’層之表面之中心線粗糙度SRa(C’)為10nm以上30nm以下；A’層與B’層係含有粒子的層，該A’層與B’層所含的粒子為莫氏硬度為7以下的無機粒子及/或有機粒子、及/或交聯度為50~85%的有機粒子。
- 如請求項6之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該C’層係含有粒子的層。
- 如請求項6或7之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該A’層之厚度為3.0μm以上8.0μm以下，A’層所含的粒子其體積平均粒徑(dA’)為0.1μm以上1.0μm以下，且相對於 A’層之重量含有0.05重量%以上1.0重量%以下；該B’層之厚度為10.0μm以上35.0μm以下，B’層所含的粒子其體積平均粒徑(dB’)為0.2μm以上1.5μm以下，無機粒子係相對於B’層之重量含有0.6~6重量%，有機粒子係相對於B’層之重量含有0.05重量%以上5重量%以下；該C’層之厚度為0.5μm以上2.0μm以下，C’層所含的粒子其體積平均粒徑(dC’)為0.2μm以上1.0μm以下，且相對於C’層之重量含有0.03重量%以上小於1.0重量%；A’層、B’層及C’層所含粒子之體積平均粒徑係處於式(1’)之關係，且層全體之厚度為20μm以上40μm以下；dA<dC≦dB…式(1’)。
- 如請求項7或8之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該C’層所含有的粒子係在粒度分布曲線中存在1個或2個波峰的粒子。
- 如請求項6至9中任一項之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該A’層、B’層所含的有機粒子係選自交聯聚苯乙烯樹脂粒子、交聯矽氧樹脂粒子、交聯丙烯酸樹脂粒子、交聯苯乙烯-丙烯酸樹脂粒子、交聯聚酯粒子的1種有機粒子；該A’層、B’層所含的無機粒子係選自球狀氧化矽、矽酸鋁的1種無機粒子。
- 如請求項6至10中任一項之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其中該B’層係含有聚酯薄膜製造步驟中產生的雙軸 延伸後之生成碎屑作為回收原料。
- 如請求項6至11中任一項之脫模用雙軸配向聚酯薄膜，其在製造積層陶瓷電容器之步驟中係用於生坯片成形之支持。
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