TW201246371A - Substrate processing apparatus and solid raw material replenishing method - Google Patents
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Description
201246371 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關基板處理裝置及固體原料補充方法，特 別是有關用以處理半導體晶圓等的基板之基板處理裝置及 對該基板處理裝置補充固體原料的固體原料補充方法。 【先前技術】 在半導體晶圓的表面形成薄膜時，使用具有內部具備 丰導體晶圓載置部的處理室之基板處理裝置。在處理室連 接供給原料氣體的原料供給系統，從原料供給系統供給原 料氣體至處理室內，在半導體晶圓上形成薄膜。 在使用基板處理裝置的薄膜形成，.使用GaCl3之類在 常溫爲固體的物質作爲原料時，設置收容固體原料的固體 原料槽’在固體原料槽內使固體原料昇華，以昇華後的氣 體原料作爲原料氣體，經由原料供給系統的配管來供給至 處理室內。 以往’ 一旦固體原料槽內的固體原料沒了，則會從原 料供給系統的配管卸下成空的固體原料槽，與被充分地充 塡固體原料的固體原料槽交換。 如此的以往技術，爲了更換固體原料槽，從從原料供 給系統的配管卸下成空的固體原料槽時，原料供給系統的 配管會被大氣開放，會有大氣中的水分等附著於配管內， 用以水分除去的淨化時間變長的問題。 於是’開發一種可不卸下固體原料槽來對固體原料槽 -5- 201246371 補充原料的技術（參照日本國特開2010-40695號公報） 〇 此技術是使用具備：保持固體原料的原料容器、及連 接至原料容器對原料容器補充固體原料的原料補充容器、 及加熱原料補充容器的加熱器、及可調整原料容器與原料 補充容器的內部壓力的壓力調整手段之裝置，重複預定次 數’將原料補充容器的內部壓力減壓，加熱原料補充容器 的內部而使固體原料昇華變態至氣體原料，在將原料容器 的內部壓力減壓下把來自原料補充容器的氣體原料捕集於 原料容器’將原料補充容器的內部降溫，藉此從原料補充 容器來對原料容器補充固體原料。 並且’爲了加熱固體原料來使蒸發取得成膜用的原料 氣體’而提案一具備：積存固體原料的固體原料積存部、 及使從固體原料積存部供給的固體原料溶融而取得液體原 料的固體原料收容室、及與固體原料收容室連通使從固體 原料收容室供給的液體原料氣化的氣化室之裝置（日本'國 特開201 0- 14422 1號公報）。 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 然而，就如此的固體原料補充技術而言，裝置構成會 變複雜，補充方法也會變複雜。 本發明的主要目的是在於提供一種可以簡單的構成來 補充固體原料的基板處理裝置及可簡單地補充固體原料的 -6 - 201246371 固體原料補充方法。 (用以解決課題的手段） 若根據本發明的一形態，則可提供一種基板處理裝置 ，係具有： 處理室，其係可收容基板； 原料供給系統，其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室；及 控制部， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器，其係收容前述固體原料； 第1配管，其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間； 第2配管’其係與前述固體原料容器連接，具備安裝 有保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部； 第3配管，其係被連接於前述第2配管與真空排氣手 段之間； 第4配管，其係被連接至前述第2配管，用以導入淨 化氣體； 第1閥，其係被連接於前述第3配管的途中；及 第2閥，其係被連接於前述第4配管的途中， 前述控制部係爲了從前述原料補充容器補充前述固體 :料至前述固體原料容器，而將前述原料補充容器安裝於 前述安裝部時，以能夠使前述第2配管內抽真空，然後導 201246371 入前述淨化氣體至前述第2配管內的方式，控制前述真空 排氣手段及前述第1閥以及前述第2閥。 若根據本發明的其他形態，則可提供一種固體原料補 充方法，係具備： 在原料供給系統的安裝部安裝原料補充容器的工程， 前述原料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的 處理的氣體原料，供給至處理前述基板的處理室之原料供 給系統’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被 連接於前述固體原料容器與前述處理室之間的第1配管、 及與前述固體原料容器連接的第2配管，其係具備安裝有 保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部、及 被連接於前述第2配管與真空排氣手段之間的第3配管、 及被連接至前述第2配管，用以導入淨化氣體的第4配管 、及被連接於前述第3配管的途中的第1閥、及被連接於 前述第4配管的途中的第2閥； 在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀態下， 關閉前述第2閥，開啓前述第丨閥，以前述真空排氣手段 來將前述第2配管內抽真空的工程；及 然後，關閉前述第1閥，開啓前述第2閥，對前述第 2配管內導入前述淨化氣體的工程；及 然後’從前述原料補充容器經由前述第2配管來補充 前述固體原料至前述固體原料容器的工程。 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種基板處 理裝置，係具有： -8- 201246371 處理室，其係可收容基板；及 原料供給系統，其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器’其係收容前述固體原料； 第1配管’其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間；及 第2配管’其係與前述固體原料容器連接，具備安裝 有保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部。 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種固體原 料補充方法，係具備： 在原料供給系統的安裝部安裝原料補充容器的工程， 前述原料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的 處理的氣體原料，供給至處理前述基板的處理室之原料供 給系統’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被 連接於前述固體原料容器與前述處理室之間的第1配管、 及與前述固體原料容器連接的第2配管，其係具備安裝有 保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部；及 在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀態下， 從前述原料補充容器經由前述第2配管來補充前述固體原 料至前述固體原料容器。 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種基板處 理裝置，係具有： 處理室’其係可收容基板；及 -9- 201246371 原料供給系統’其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器’其係收容前述固體原料； 第1配管’其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間； 安裝部’其係保持補充用的前述固體原料的原料補充 容器會被安裝於前述固體原料容器； 原料補充容器淨化氣體導入部安裝部，其係安裝有對 目U述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料補充容器的淨 化氣體導入部； 原料補充容器淨化氣體排出部安裝部，其係安裝有從 即述原料補充谷器排出淨化氣體的前述原料補充容器的淨 化氣體排出部；及 控制手段’其係爲了從前述原料補充容器補充前述固 體原料至前述固體原料容器，而將前述原料補充容器安裝 於前述安裝部，將前述原料補充容器的淨化氣體導入部安 裝於前述原料補充容器淨化氣體導入部安裝部，將前述原 料補充容器的淨化氣體排出部安裝於前述原料補充容器淨 化氣體排出部安裝部時，以能夠使前述淨化氣體從前述原 料補充容器的淨化氣體導入部導入至前述原料補充容器， 從前述原料補充容器的淨化氣體排出部排出前述淨化氣體 的方式’控制則述淨化氣體導入部及前述淨化氣體排出部 -10- 201246371 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種固體原 料補充方法，係具備： 在原料供給系統的安裝部安裝原料補充容器，在前述 原料供給系統的原料補充容器淨化氣體導入部安裝部安裝 對前述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料補充容器的 淨化氣體導入部’在前述原料供給系統的原料補充容器淨 化氣體排出部安裝部安裝從前述原料補充容器排出淨化氣 體的前述原料補充容器的淨化氣體排出部之工程，前述原 料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的處理的 氣體原料，供給至處理前述基板的處理室之原料供給系統 ’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被連接於 前述固體原料容器與前述處理室之間的第1配管、及保持 補充用的前述固體原料的原料補充容器會被安裝於前述固 體原料容器之安裝部、及安裝有對前述原料補充容器導入 淨化氣體的前述原料補充容器的淨化氣體導入部之原料補 充谷器淨化氣體導入部安裝部、及安裝有從前述原料補充 容器排出淨化氣體的前述原料補充容器的淨化氣體排出部 之原料補充容器淨化氣體排出部安裝部； 然後’從前述原料補充容器的淨化氣體導入部導入前 述淨化氣體至前述原料補充容器，從前述原料補充容器的 淨化氣體排出部排出前述淨化氣體的工程；及 然後’在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀 態下’從前述原料補充容器補充前述固體原料至前述固體 原料容器的工程。 -11 - 201246371 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種固體原 料補充用匣筒，係具備：固體原料收容容器、及被安裝於 前述容器的開口部的蝶形閥。 若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種固體原 料補充用匣筒，係具備： 固體原料收容容器； 安裝部，其係安裝前述固體原料收容容器； 淨化氣體導入部，其係對前述固體原料補充容器導入 淨化氣體：及 淨化氣體排出部，其係從前述固體原料補充容器排出 淨化氣體。 〔發明的效果〕 若根據本發明，則提供一種可以簡單的構成來補充固 體原料的基板處理裝置及可簡單地補充固體原料的固體原 料補充方法。 【實施方式】 以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的理想實施 形態。 首先，說明有關在本發明的理想第1及第2實施形態 所被適用的基板處理裝置。此基板處理裝置是構成爲使用 在半導體裝置的製造的半導體製造裝置的一例。 在下述的說明中，作爲基板處理裝置的一例，是說明 -12- 201246371 有關對基板進行成膜處理等的縱型裝置的情形。但，本 明並非是以縱型裝置的使用爲前提，例如亦可使用單片 置。又，不僅成膜處理，亦可使用於蝕刻處理等》 若參照圖1，則在基板處理裝置1 0 1中有使用收納 板例如晶圓200的卡匣1 10，晶圓200是由半導體矽等 材料所構成。基板處理裝置101是具備框體111，在框 111的內部設置有卡匣台114。卡匣110是在卡匣台1 上藉由工程內搬送裝置（未圖示）來搬入或從卡匣台1 上搬出。 在卡匣台114上，卡匣110是藉由工程內搬送裝置 未圖示）以卡匣1 10內的晶圓200能夠保持垂直姿勢且 匣Π0的晶圓出入口朝上方向的方式載置。卡匣台114 構成可動作成使卡匣110往框體111的後方右轉縱方 90°旋轉，卡匣110內的晶圓200成爲水平姿勢，卡匣1 的晶圓出入口朝框體111的後方。 在框體111內的前後方向的大致中央部設置有卡匣 架105，卡匣棚架105是構成以複數段複數列來保管複 個的卡匣Π0。在卡匣棚架105設有收納成爲晶圓移載 構125的搬送對象的卡匣110之移載棚架123。 在卡匣台114的上方設有預備卡匣棚架107，構成 備性地保管卡匣1 1 〇。 在卡匣台114與卡匣棚架105之間設置有卡匣搬送 置118。卡匣搬送裝置118是具備可在原封不動保持卡 110的狀態下昇降的卡匣昇降機118a、及作爲搬送機構 發 裝 基 的 體 14 14 ( 卡 是 向 10 棚 數 機 預 裝 匣 的 -13- 201246371 卡厘搬送機構118b。卡匣搬送裝置118是構成藉由卡匣昇 降機118a及卡匣搬送機構118b的連動動作，在卡匣台 114與卡匣棚架105及預備卡匣棚架107之間搬送卡厘 110° 在卡匣棚架105的後方設置有晶圓移載機構125。晶 圓移載機構125是具備：可使晶圓200在水平方向旋轉乃 至直動的晶圓移載裝置125a '及用以使晶圓移載裝置 125a昇降的晶圓移載裝置昇降機125b。在晶圓移載裝置 125a設有用以拾取晶圓200的鑷子125c。晶圓移載裝置 125是構成藉由晶圓移載裝置125a及晶圓移載裝置昇降機 125b的連動動作，以鑷子125c作爲晶圓200的載置部， 對晶舟21 7裝塡（裝載）或從晶舟217脫裝（卸載）晶圓 200 » 在框體1 1 1的後部上方設有熱處理晶圓200的處理爐 2 02，處理爐2 02的下端部是構成可藉由爐口擋門147來 開閉。 在處理爐2 02的下方設有使晶舟217對於處理爐202 昇降的晶舟昇降機115。在晶舟昇降機115的昇降台連結 有臂128，在臂128水平地安裝有密封蓋219。密封蓋219 是構成垂直地支撐晶舟217 ’且可閉塞處理爐202的下端 部。 晶舟217是具備複數的保持構件’構成使複數片（例 如50〜150片程度）的晶圓200的中心一致排列於垂直方 向的狀態下分別保持於水平。 -14- 201246371 在卡匣棚架105的上方設置有清浄化後的環境之供給 淨化空氣的淨化單元134a。淨化單元134a是具備供給扇 (未圖示）及防塵過濾器（未圖示），構成使淨化空氣流 動於框體1 1 1的內部。 在框體1 1 1的左側端部設置有供給淨化空氣的淨化單 元134b。淨化單元134b亦具備供給扇（未圖示）及防塵 過濾器（未圖示），構成使淨化空氣流動於晶圓移載裝置 125a或晶舟217等的附近。該淨化空氣是在流通於晶圓移 載裝置125a或晶舟217等的附近之後，會往框體111的 外部排氣。 接著，說明有關基板處理裝置101的主要動作。 一旦藉由工程內搬送裝置（圖示略）來將卡匣110搬 入至卡匣台1 1 4上，則卡匣1 1 0是以晶圓200能夠在卡匣 台114上保持垂直姿勢，且卡匣110的晶圓出入口朝上方 向的方式載置於卡匣台上。然後，卡匣110藉由卡匣 台1 1 4，以卡匣1 1 0內的晶圓2 0 0能夠成爲水平姿勢，且 卡匣110的晶圓出入口朝框體111的後方的方式，使往框 體111的後方右轉縱方向90°旋轉。 然後，卡匣110是藉由卡匣搬送裝置118來往卡匣棚 架105乃至預備卡匣棚架107所指定的棚架位置自動地搬 送交接，暫時性地保管後，從卡匣棚架105乃至預備卡匣 棚架107藉由卡匣搬送裝置118來移載至移載棚架123， 或直接搬送至移載棚架123。 一旦卡匣110被移載至移載棚架123，則晶圓200會 -15- 201246371 從卡匣110藉由晶圓移載裝置125a的鑷子125c經由 110的晶圓出入口來拾取，裝塡（裝載）至晶舟217 晶圓200交接至晶舟217的晶圓移載裝置125a會回 匣1 1 0，把後續的晶圓200裝塡至晶舟2 1 7。 一旦預先被指定的片數的晶圓200裝塡至晶舟2 則關閉處理爐202的下端部的爐口擋門147會開啓， 爐202的下端部會被開放。然後，保持晶圓200群的 217會藉由晶舟昇降機115的上昇動作來搬入（裝載 處理爐202內，處理爐2 02的下部會藉由密封蓋219 塞。 裝載後，在處理爐202對於晶圓200實施任意的 。該處理後，以和上述相反的順序來將晶圓200及 110搬出至框體111的外部。 (第1實施形態） 其次，參照圖2〜圖5來說明有關被使用在前述 處理裝置101的第1實施形態的處理爐202或原料供 統230、排氣系統240等。 參照圖2，在處理爐202設有用以加熱晶圓200 熱裝置（加熱手段）之加熱器207。加熱器207是具 方被閉塞的圓筒形狀的隔熱構件及複數根的加熱器素 具有對隔熱構件設置加熱器素線的單元構成。在加 207的內側設有用以處理晶圓200的石英製的反應管 卡匣 。將 到卡 17， 處理 晶舟 )至 來閉 處理 卡匣 基板 給系. 的加 備上 線， 熱器 -16- 203 201246371 在反應管203的下部設有集合管（manifold) 209»集 合管209是被固定於作爲保持構件的加熱器基底221。在 反應管203的下端部及集合管209的上部開口端部分別設 有環狀的凸緣，在該等的凸緣間配置有氣密構件（以下0 型環）2 20，兩者之間會被氣密地密封。 在集合管209的下方設有可氣密地閉塞集合管209的 下端開口之作爲爐口蓋體的密封蓋2 1 9。密封蓋2 1 9是形 成從垂直方向下側抵接於集合管209的下端。密封蓋219 是例如由不鏽鋼等的金屬所構成’形成圓盤狀。在設於集 合管2 09的下部開口端部的環狀的凸緣與密封蓋219的上 面之間配置有氣密構件（以下〇型環）220，兩者之間是 被氣密地密封。至少藉由反應管203、集合管209、及密 封蓋219來形成處理室201。 在密封蓋2 1 9設有支撐晶舟2 1 7的晶舟支撐台2 1 8。 晶舟217是具有被固定於晶舟支撐台218的底板210及配 置於其上方的頂板211，具有在底板210與頂板211之間 加設有複數根的支柱2 12之構成（參照圖1 )。在晶舟 217保持複數片的晶圓200。複數片的晶圓200是一面彼 此取一定的間隔，一面在保持水平姿勢的狀態下被多段積 載於反應管203的管軸方向，被晶舟217的支柱212所支 撐。 在密封蓋2 1 9之與處理室20 1相反的側設有使晶舟旋 轉的旋轉機構227。旋轉機構227是貫通密封蓋219來連 接至晶舟支撐台218，利用旋轉機構227經由晶舟支擦台 -17- 201246371 2 1 8來使晶舟2 1 7旋轉，藉此使晶圓200旋轉。 密封蓋219是藉由設於反應管203的外部之 機構的晶舟昇降機Π5來昇降於垂直方向，藉此 室201內搬入搬出晶舟217。 以上的處理爐202是在複數片的晶圓200被 舟2 1 7的狀態下，晶舟2 1 7會一邊被支撐於晶 218，一邊插入至處理室201。在被插入至處理室 舟217，被分批處理的複數個晶圓200會以水平 段地積載於反應管203的管軸方向。加熱器207 入至處理室201的晶圓200加熱至預定的溫度。 參照圖2〜圖5，往處理室201是設有作爲 種類，在此是2種類的氣體的供給路徑的2根的 管23 2 a、23 2b。氣體供給管232a、232b的端部 通集合管209的下部，氣體供給管232b是在處 內與氣體供給管232a合流，2根的氣體供給售 23 2b會被連通至一個多孔噴嘴23 3的下端部。在 的上部是如圖5所示般設有放出氣體的複數個氣 23 8卜 噴嘴23 3是幾乎垂直設於處理室201內， 203的下部到上部沿著晶圓200的積載方向配設 203的上部是被配置成延伸於從氣體供給管2 3 2b 料氣體的分解溫度以上的領域。另一方面，氣j 23 2b在處理室201內與氣體供給管2 3 2a合流之 氣體的分解溫度未滿的領域，比晶圓200及晶圓 作爲昇降 可對處理 搭載於晶 舟支撐台 2 0 1的晶 姿勢來多 會將被插 供給複數 氣體供給 是設成貫 理室201 f 232a 、 噴嘴23 3 體供給孔 從反應管 。反應管 供給的原 體供給管 處是原料 附近的溫 -18- 201246371 度更低溫度的領域。 在氣體供給管2 3 2a從上游側依序設有作爲流量控制 手段的質量流控制器241及開閉閥的閥251及2 5 0。而且 ’在氣體供給管232a，在閥250與閥251之間設有被連接 至後述的排氣管247的通氣管257及閥2 5 6。 主要藉由氣體供給管23 2a、質量流控制器241、閥 250、251、噴嘴233、通氣管257及閥256來構成氣體供 給系統2 3 0 a。 並且，在氣體供給管2 3 2a用以供給載氣的載氣供給 管232d會被連接於閥250的下游側。在載氣供給管232d 設有質量流控制器244及閥254。主要藉由載氣供給管 2 3 2d、質量流控制器244、閥254來構成載氣供給系統（ 不活性氣體供給系統）2 3 0 d。從載氣供給系統2 3 0 d例如 供給氮（N2 )氣體或氬（Ar )氣體。 在氣體供給管232a，氣體狀的原料氣體會以質量流控 制器24 1來調整流量而供給。另外，在不將原料氣體供給 至處理室201的期間是關閉閥250，開啓閥256，而經由 閥256來將原料氣體流至通氣管257。 而且，在將原料氣體供給至處理室201時，是關閉閥 2 5 6，開啓閥2 5 0，而將原料氣體供給至閥2 5 0的下游的氣 體供給管23 2a。另一方面’載氣會以質量流控制器244來 流量調整，而經由閥2 54來從載氣供給管23 2d供給，原 料氣體是在閥250的下游側與此載氣合流，經由噴嘴233 來供給至處理室201。 -19- 201246371 本;ET施形態是例如供給氨氣（n Η 3 )作爲原料氣體至 氣體供給管232a，經由噴嘴23 3來供給至處理室2〇1。之 所以供給氨氣是假想爲了形成GaN膜，亦可按照所成膜的 膜種類’取代氨氣，適當供給臭氧氣體、H2〇、H2 + C02氣 體等。 在氣體供給管23 2b的上游側端部連接有收容固體原 料40 0的固體原料槽300。在氣體供給管232b中從固體原 料槽300依序設有開閉閥的閥265及261。而且，在氣體 供給管232b中’在閥265與閥261之間設有被連接至後 述的排氣管231之通氣管258及閥262。在固體原料槽 3 00經由配管375來連接氣體供給管282。在氣體供給管 282從上游側依序設有作爲流量控制手段的質量流控制器 242、開閉閥的閥263及264。在閥265與閥261之間的氣 體供給管23 2b和閥263與閥264之間的氣體供給管282 之間是連接有配管283。在配管283設有開閉閥的閥266 。閥261〜266、氣體供給管282的一部分、氣體供給管 23 2b的一部分及配管2 8 3是如圖7、8所示般構成爲集合 閥 2 6 0。 設有加熱固體原料槽300的加熱器450、451、452。 藉由加熱器450、451、452來分別加熱固體原料槽300的 底面、側面、頂部’將固體原料槽3 00所收容的固體原料 400加熱至預定溫度，且防止再固化造成原料附著於固體 原料槽3 00的內壁。並且，在從閥261到集合管209之間 的氣體供給管232b捲繞有加熱器281，在從固體原料槽 -20- 201246371 3 00到閥261之間的氣體供給管232b捲繞有加熱器28 5 ’ 在通氣管258捲繞有加熱器421，爲了防止再固化造成原 料附著於管內壁，而構成可加熱。而且，在後述的閥267 也安裝有加熱器453，爲了防止再固化造成原料附著於閥 內壁，而構成可加熱。 並且，在閥265與固體原料槽300之間的氣體供給管 23 2 b設有壓力感測器410。壓力感測器410是可對應高溫 加熱。藉由壓力感測器410來對固體原料槽300內監控分 壓，觀察固體原料槽300中原料昇華，是否處於適當的壓 力狀態或原料的餘量減少下壓力是否下降等。 主要藉由氣體供給管282、質量流控制器242、閥263 、2 64 '配管375、固體原料槽3 00、氣體供給管232b、閥 265、261、噴嘴233、通氣管258及閥262來構成氣體供 給系統2 3 0 b。 並且，在氣體供給管23 2b中用以供給載氣的載氣供 給管23 2c是被連接於閥261的下游側。在載氣供給管 232c設有質量流控制器243及閥253。主要是藉由載氣供 給管23 2c、質量流控制器243、閥253來構成載氣供給系 統（不活性氣體供給系統）230c。從載氣供給系統23 0c 例如供給氮（N2 )氣體或氬（Ar )氣體。 若藉由加熱器450' 451、452來將收容固體原料400 的固體原料槽3 00加熱至預定溫度，則固體原料400會昇 華，而成爲氣體，在固體原料槽300內的空間304以對應 於預定溫度的預定分壓存在。在該狀態下，以質量流控制 -21 - 201246371 器2 42來流量調整載氣例如氮（N2 )氣體，而供給至配管 282。氮（N2)氣體是經由閥263、264、配管375來供給 至固體原料槽300內的空間304，成爲氣體的固體原料 400會與氮（N2)氣體一起流入配管23 2b。在不將成爲氣 體的固體原料400供給至處理室201的期間，關閉閥261 ，開啓閥262，經由閥262來將原料氣體流動至通氣管 25 8。 而且，在將成爲氣體的固體原料4 00供給至處理室 201時，關閉閥262，開啓閥261，使成爲氣體的固體原料 400與氮（N2)氣體一起供給至閥261的下游的氣體供給 管23 2b。另一方面，載氣的氮（N2)氣體會在質量流控 制器243被流量調整，而經由閥25 3來從載氣供給管232c 供給，成爲氣體的固體原料400與氮（N2 )氣體會在閥 261的下游側與從載氣供給管23 2c供給的載氣（氮氣）合 流，經由噴嘴2 3 3來供給至處理室201。 本實施形態是例如使用GaCl3作爲固體原料400，昇 華而成爲氣體的GaCl3會被供給至氣體供給管23 2b，經由 噴嘴23 3來供給至處理室201。之所以使用GaCl3作爲固 體原料400是假想爲了形成GaN膜，亦可按照所成膜的膜 種類’取代GaCl3，而適用A1C13等。 主要藉由氣體供給系統2 3 0a、氣體供給系統230b、 載氣供給系統2 3 0c、載氣供給系統23 0d來構成原料供給 系統2 3 0。 另外，配管2 83及閥266是淨化用，通常是關閉，淨 -22- 201246371 化時，關閉閥2 6 4、2 6 5，開啓閥2 6 3、2 6 6，開啓閥2 6 1 或2 62，經由氣體供給管2 82、閥263、配管283、閥266 、氣體供給管232b及閥261，或經由氣體供給管282、閥 263、配管283、閥266、通氣管258及閥262來進行淨化 〇 在集合管209連接用以將處理室201內的環境排氣的 排氣管23 1。排氣管23 1是經由作爲檢測出處理室20 1內 的壓力的壓力檢測器（壓力檢出部）之壓力感測器24 5及 作爲壓力調整器（壓力調整部）的 APC( Auto Pressure Controller )閥255來連接作爲真空排氣裝置的真空泵246 ，構成可將處理室20 1內的壓力予以真空排氣成預定的壓 力（真空度）。真空泵2W的下游側的排氣管247是被連 接至廢氣體處理裝置（未圖示）等。另外，APC閥25 5是 可開閉閥來進行處理室201內的真空排氣•真空排氣停止 ，且可調節閥開度來調整傳導性而進行處理室201內的壓 力調整之開閉閥。主要是藉由排氣管231、APC閥2 5 5、 真空泵246、壓力感測器245來構成排氣系統240。 在反應管203內設置有作爲溫度檢測器的溫度感測器 (未圖示），根據藉由溫度感測器所檢測出的溫度資訊來 調整往加熱器207的供給電力’藉此構成處理室201內的 溫度會形成所望的溫度分布。 在反應管203內的中央部設有晶舟217。晶舟217可 藉由晶舟昇降機Π 5 (參照圖1 )來對反應管203昇降（ 出入）。一旦晶舟217被導入至反應管203內’則集合管 -23- 201246371 2 09的下端部會是經由0型環220來以密封蓋219氣密密 封。晶舟217是被晶舟支撐台218所支撐。爲了提升處理 的均一性，而驅動晶舟旋轉機構227，使被晶舟支撐台 2 1 8所支撐的晶舟2 1 7旋轉。 以上的質量流控制器241、242、243、244、閥250、 251 、 253 、 254 、 256 、 261 、 262 、 263 、 264 、 265 、 266 ' 268、269、APC 閥 255、力口熱器 207、 281、 285、 421、 450、45 1、452、溫度感測器（未圖示）、壓力感測器245 、真空泵246、晶舟旋轉機構227、晶舟昇降機115、及後 述的閥26 8、269等的各構件是被連接至控制器2 80。控制 器280是控制基板處理裝置101的全體的動作的控制部（ 控制手段）之一例，可分別控制質量流控制器24 1、242、 243、244 的流量調整，閥 250、251、253、254、256、 261、 262、 263、 264' 265' 266' 閥 268、 269 的開閉動 作，APC閥2 5 5的開閉及根據壓力感測器245的壓力調整 動作，加熱器281 、 285、 421 、 450、 451 、 452的溫度調 整動作，根據溫度感測器（未圖示）的加熱器207的溫度 調整動作，真空泵246的起動•停止，晶舟旋轉機構227 的旋轉速度調節，晶舟昇降機Π5的昇降動作等。另外， 閥 250、 251、 253、 254 > 256、 261、 262、 263、 264、 265 、266、2 68、269爲空氣閥，分別經由電磁閥來以控制器 2 8 0控制。 其次，說明有關使用上述基板處理裝置1〇1來形成 GaN膜的製程。另外，以下的步驟是藉由控制器2 8 0的控 -24- 201246371 制來進行。 控制加熱器207來將處理室201內保持於預定的溫度 〇 然後，一旦複數片的晶圓200被裝塡於晶舟2 1 7，則 支撐複數片的晶圓200的晶舟217會藉由晶舟昇降機115 來舉起而搬入至處理室201內。在此狀態下，密封蓋219 是形成是經由〇型環220來密封集合管209的下端的狀態 〇 然後，藉由晶舟驅動機構227來使晶舟2 1 7旋轉，使 晶圓200旋轉。然後，開啓APC閥255藉由真空泵246 來將處理室201內抽真空，一旦晶圓200的溫度等安定， 則依序實行其次的步驟。 在本實施形態是利用 ALD( Atomic Layer Deposition )法來進行GaN膜的成膜。所謂ALD法是在某成膜條件 (溫度等）下，將成膜用的至少2種類的原料的原料氣體 予以各1種類交替供給於基扳上，以1原子單位吸附於基 板上，利用表面反應來進行成膜的手法。此時，膜厚的控 制是以供給原料氣體的循環數進行（例如成膜速度爲1 A /循環，則形成20A的膜時，進行20循環）。 以加熱器450、451、452來將收容被粉末加工的 GaCl3作爲固體原料400的固體原料槽3 00加熱至預定的 溫度。並且，藉由加熱器281、285來將氣體供給管232b 加熱至預定的溫度，藉由加熱器421來將通氣管25 8加熱 至預定的溫度。 -25- 201246371 先將排氣管23 1的APC閥25 5打開預定的角度，開 啓閥263、2 64、2 65來從配管282供給作爲載氣的氮（N2 )氣體至固體原料槽3 00，且開啓閥261來將成爲氣體的 GaCl3與氮氣一起供給至氣體供給管232b。另一方面，開 啓閥2 5 3來從載氣供給管23 2c供給載氣的氮（N2)氣體 ，使成爲氣體的GaCl3與氮氣在閥261的下游側與從載氣 供給管232c供給的氮氣合流，經由噴嘴23 3來供給至處 理室201。 其次，關閉閥261及閥253，停止供給成爲氣體的 GaCl3及氮氣至處理室201，在排氣管231的APC閥255 保持開啓的狀態下，藉由真空泵246來將處理室201內排 氣，從處理室201內除去殘留的GaCl3。 在使排氣管231的APC閥25 5保持打開預定角度的 狀態下，開啓閥251、250來將NH3氣體供給至氣體供給 管23 2a。另一方面，開啓閥254來從載氣供給管23 2d供 給載氣的氮氣，使NH3氣體在閥251的下游側與從載氣供 給管232d供給的氮氣合流，經由噴嘴23 3來供給至處理 室 201。 其次，關閉閥25 0及閥2 54，停止供給NH3氣體及氮 氣至處理室201，在排氣管23 1的APC閥25 5保持開啓的 狀態下，藉由真空泵246來將處理室201內排氣，從處理 室201內除去殘留的NH3氣體。 將以上供給成爲氣體的GaCl3至處理室201、從處理 室201除去GaCl3、供給NH3氣體至處理室201、從處理 -26- 201246371 室201除去NH3氣體的4個工程設爲1循環’藉由重複預 定次數，在晶圓200上進行GaN膜的成膜。 一旦進行形成預定膜厚的GaN膜的成膜處理，則會~ 邊將N2等的不活性氣體供給至處理室2〇1內，一邊排氣 ，藉此以不活性氣體來淨化處理室20 1內。然後，以不活 性氣體來置換處理室201內的環境，使處理室201內的壓 力恢復至大氣壓。然後，藉由晶舟昇降機1 1 5來使密封蓋 219下降，以集合管209的下端作爲開口，將處理完成晶 圓200搭載於晶舟217的狀態下從集合管209的下端搬出 至處理室2 Ο 1的外部。然後，從晶舟2 1 7取出處理完成晶 圓 2 0 0。 如以上般，重複對晶圓200進行GaN膜的成膜，一旦 固體原料槽3 00成空，則對固體原料槽3 00進行固體原料 400的補充。 其次，說明有關用以對固體原料槽300進行固體原料 400的補充之構造及補充方法。 參照圖2、6〜8，固體原料槽300是形成被密閉的構 造。在固體原料槽300的底部303設有中央低、周邊部高 的傾斜部3 02。在固體原料槽300的頂板310設有貫通孔 3 14、316。在貫通孔314經由接頭322來連接氣體供給管 232b的閥265。在貫通孔316連接配管375。在配管375 連接閥267’在閥267連接配管380，在配管380安裝有 用以補充固體原料4 00的原料補充匣筒350。在配管375 且經由接頭32 1來連接氣體供給管282的閥264。 -27- 201246371 在配管3 75的凸緣374是經由0型環3 7 3藉由夾緊裝 置384來固定閥267的凸緣372。在閥267的凸緣371是 經由〇型環370藉由夾緊裝置383固定配管380的凸緣 369。在配管380的凸緣368是經由0型環367藉由夾緊 裝置382來固定原料補充匣筒350的閥270的凸緣3 66 * 配管380的凸緣368是位於貫通孔316的正上方。閥267 及閥270是手動的蝶形閥。 在配管3 80連接淨化氣體供給配管2 84及配管259。 在淨化氣體供給配管284設有閥269。作爲供給至淨化氣 體供給配管2 84的淨化氣體是例如使用氮（Ν2 )氣體。配 管259是被連接至真空泵246的下游側的排氣管231 (參 照圖2)。在配管259設有閥268。閥268、269的開閉動 作是以控制器2 8 0控制。 另外’在上述的原料供給系統23 0中，不僅氣體供給 系統2 3 0 a、氣體供給系統2 3 0 b、載氣供給系統2 3 0 c、載 氣供給系統2 3 0d ’還包含被連接至固體原料槽3 00的淨化 氣體供給配管284、配管259及閥268、269。 參照圖9’原料補充匣筒350是具備瓶子351、閥27〇 及轉接器（adapter) 360，瓶子35 1是經由轉接器360來 安裝有閥270。在瓶子351的口部353的外周部設有螺紋 溝355。在轉接器36〇的一端部361的內周部設有螺紋溝 362°在瓶子351的口部353與轉接器36〇之間設有pTFE 製的襯塾357’轉接器36〇是經由襯墊357來安裝於瓶子 351的口部353。在轉接器36〇的另-端部設有凸緣363。 -28- 201246371 在轉接器360的凸緣363是經由〇型環364藉由夾緊裝置 381來固定閥2 70的凸緣3 6 5。 圖7、圖8是表示將原料補充匣筒350安裝於配管 380的狀態，圖10、圖11是表示從配管380卸下原料補 充匣筒350的狀態。若參照圖10，則在從配管380卸下原 料補充匣筒3 50之後，閉止板377會經由0型環3 67利用 夾緊裝置382來固定於配管380的凸緣368。 其次，說明有關使用原料補充匣筒350來對固體原料 槽300補充固體原料400之方法。 —旦固體原料槽3 00成空，則會將原料補充匣筒350 安裝於配管3 80。此時，在配管3 80的凸緣3 68經由〇型 環3 67藉由夾緊裝置3 82來固定原料補充匣筒3 5 0的閥 270的凸緣366。另外，閥267、270是保持關閉。在將原 料補充匣筒3 5 0安裝於配管3 8 0後，開啓閥268，經由配 管259、排氣管231，藉由真空泵246來將配管380內抽 真空。然後，關閉閥268，開啓閥269，以氮氣來淨化配 管3 80內。淨化完了後，關閉閥2 69。 開啓原料補充匣筒3 5 0的閥270及閥267，使原料補 充匣筒350的瓶子351內的固體原料400落下至固體原料 槽300而供給。被供給的固體原料4〇〇是藉由固體原料槽 3〇〇的底部303的傾斜部302來往固體原料槽300的中央 部均等地供給。在將固體原料400供給至固體原料槽3 〇〇 後’也會在固體原料400與頂板3 1 0之間形成空間304。 —旦固體原料400往固體原料槽3 00的供給終了，則 -29- 201246371 關閉閥270及閥267，開啓閥268，經由配管2 5 9、排 231 ’利用真空泵246來將配管3 80內抽真空。然後 閉閥268，開啓閥269，以氮氣淨化配管3 80內。淨 了後，關閉閥269。 然後，卸下夾緊裝置3 8 2，從配管3 8 0卸下原料 匣筒350。從配管380卸下原料補充匣筒350後，在 380的凸緣368是經由0型環367藉由夾緊裝置382 定閉止板3 77 (參照圖10 )。 另一方面，卸下的原料補充匣筒350是被送至原 給製造商’下次的固體原料400會被充塡於原料補充 3 50 〇 (第2實施形態） 其次，參照圖12來說明有關被使用於前述基板 裝置101的第2實施形態的處理爐202或原料供給 23 0、排氣系統240等。本實施形態的處理爐202及 系統統240是與第1實施形態的處理爐202及排氣 2 4 0相同。本實施形態的原料供給系統2 3 0，就第1 形態而言是在氣體供給管2 82及配管2 8 3未設有加熱 相對的，本實施形態是在氣體供給管2 8 2設有加熱器 ，且在配管283設有加熱器423的點與第1實施形態 料供給系統230相異，但其他的點相同。並且，使用 實施形態的基板處理裝置101來形成GaN的製程亦與 實施形態相同。 氣管 ，關 化完 補充 配管 來固 料供 匣筒 處理 系統 排氣 系統 實施 器， 422 的原 第2 第1 -30- 201246371 其次’說明有關用以對固體原料槽3 00進行固體原料 4 00的補充之構造及補充方法。 參照圖1 2〜1 5，本實施形態的固體原料槽3 0 〇是與第 1實施形態的固體原料槽300的構造相同。在固體原料槽 300的貫通孔316連接配管375。在配管375連接閥2 67, 在閥267連接配管380，在配管380安裝有用以補充固體 原料400的原料補充匣筒470。 在配管375的凸緣374是經由Ο型環373藉由夾緊裝 置384來固定閥267的凸緣372。在閥267的凸緣371是 經由〇型環370藉由夾緊裝置383來固定配管380的凸緣 369。在配管380的凸緣368是經由0型環367藉由夾緊 裝置382來固定原料補充匣筒470的閥480的凸緣466。 配管3 80的凸緣368是位於貫通孔316的正上方。閥267 及閥480是手動的蝶形閥。 在配管3 8 0連接淨化氣體供給配管284及配管259。 在淨化氣體供給配管284設有閥269。供給至淨化氣體供 給配管284的淨化氣體是例如使用氮（N2)氣體或氬（Ar )氣體。配管2 5 9是被連接至真空栗246的下游側的排氣 管231(參照圖12)。在配管259設有閥268。閥268、 269的開閉動作是藉由控制器2 80控制。在淨化氣體供給 配管284設有加熱器425’在配管259設有加熱器426。 在閥269的上游側的淨化氣體供給配管2 84連接配管 494的一端。在配管494設有閥48 5。在配管494的另一 端設有接頭512。在閥268的下游側的配管259連接配管 -31 - 201246371 495的一端。在配管495設有閥487。在配管495的另一 端設有接頭51 1。在閥48 5與接頭512之間的配管494和 閥487與接頭511之間的配管495之間連接配管493。在 配管493設有閥486。 另外，在原料供給系統230中，不僅氣體供給系統 23 0a、氣體供給系統230b、載氣供給系統230c、載氣供 給系統2 3 0d，還包含被連接至固體原料槽300的淨化氣體 供給配管2 84、配管25 9及閥269、268。 原料補充匣筒470是具備容器471、閥480、閥483 及閥484。容器471是具備容器本體4 72、及其下的容器 安裝用配管部473。容器安裝用配管部473的上端部是連 通至容器本體4 72。在容器安裝用配管部473的下端部設 有凸緣463。在容器安裝用配管部47 3的凸緣463是經由 〇型環464藉由夾緊裝置481來固定閥480的凸緣465。 在容器安裝用配管部473連接配管491。在配管491 連接閥483。在容器本體472的上部連接配管492。在配 管492連接閥484。 在容器本體472以螺絲476來安裝蓋474。在容器本 體472與蓋474之間設有0型環等的密封構件（未圖示） 。在蓋474設有窗4 75，而使能夠看見固體原料400。 圖13〜圖15是表示將原料補充匣筒470安裝於配管 380的狀態。如上述般，原料補充匣筒470的閥480是藉 由夾緊裝置382來固定於配管380。閥483是被連接至配 管494的接頭512。閥484是被連接至配管495的接頭 -32- 201246371 5 11° 圖16〜圖20是表示將原料補充匣筒470安裝於配管 380之前及卸下之後的狀態。另外，在卸下時，固體原料 400不會留在容器471內。在將原料補充匣筒4 70安裝於 配管380之前及卸下之後，在閥480的凸緣466是經由〇 型環489藉由夾緊裝置482來固定閉止板488。在閥483 是安裝有閉止栓498，在閥484是安裝有閉止栓499。並 且，在配管380的凸緣368是經由Ο型環367藉由夾緊裝 置382來固定閉止板377。在配管494的接頭512是安裝 有閉止栓478，在配管495的接頭511是安裝有閉止栓 479 ° 在本實施形態中，質量流控制器241 ' 242、243、244 、m 250 、 251' 253 、 254 、 256 、 261 、 262 、 263 、 264 、 265 、 266 ' 268 、 269 、 483 、 484 、 485 、 486 、 487 、 APC 閥 255、加熱器 207、 281、 285、 421、 422' 423、 424、 425、426、450、451、452、453、溫度感測器（未圖示） 、壓力感測器245、真空泵246、晶舟旋轉機構227、晶舟 昇降機115等的各構件是被連接至控制器280。控制器 280是控制基板處理裝置1 0 1的全體動作的控制部（控制 手段）的一例，可分別控制質量流控制器24 1、242、243 、244 的流量調整、閥 250、251、253、254、256、261、 262、 263、 264、 265、 266、 268、 269、 483、 484、 485、 4 8 6、4 8 7的開閉動作、APC閥2 5 5的開閉及根據壓力感 測器245的壓力調整動作、加熱器281、285、421、422、 •33- 201246371 423、424、425、426、450、451、452、453 的溫度調整動 作、根據溫度感測器（未圖示）的加熱器207的溫度調整 動作、真空泵246的起動•停止、晶舟旋轉機構227的旋 轉速度調節、晶舟昇降機115的昇降動作等。另外，閥 250 、 251 、 253 、 254 、 256 、 261 、 262 、 263 ' 264 、 265 、 266、 268 > 269、 483、 484、 485、 486、 487 爲空氣閥，分 別經由電磁閥來以控制器280控制。 其次，說明有關使用原料補充匣筒470來對固體原料 槽3 00供給或補充固體原料400的方法。 首先，說明有關啓動基板處理裝置101時的運用。在 啓動基板處理裝置101時，如圖16〜圖20所示般，原料 補充匣筒470未被安裝於配管380。在配管3 80的凸緣 3 68安裝有閉止板3 77。在配管494的接頭512安裝有閉 止栓478，且在配管495的接頭511安裝有閉止栓479。 閥 250 、 251 、 253 、 254 、 256 、 261 、 262 、 263 、 264 、 265 、266、268、269、483、484' 485、486、487 是全部被關 閉，力口熱器 281、285、421、422、423、424' 425、426、 45 0、45 1、45 2、45 3是全部形成關閉的狀態。 首先，開啓閥263、264、265、261，從氣體供給管 2 82供給氮（N2)氣體或氬（Ar)氣體等的淨化氣體，經 由固體原料槽300及氣體供給管232b來淨化固體原料槽 3〇〇上部配管線，且開啓閥268、269、485、486、487, 從淨化氣體供給配管284供給氮（N2)氣體或氬（Ar)氣 體等的淨化氣體，淨化閥2 67上部配管線之後，開啓加熱 •34- 201246371 器 281' 285 ' 421 、 422 、 423 、 424 、 425 、 426 、 450 、 451 、452、453，將全線設定成100 °C以上，實施12小時〜48 小時除去水分。 然後，控制加熱器450、451、452來將固體原料槽 3 00設定於使用溫度（40°C〜150°C )，控制加熱器45 3、 加熱器 281、285、421、422、423、424 來將閥 267 及氣 體供給管282、氣體供給管23 2b、通氣管25 8、配管283 、375、固體原料槽300設定於使用溫度+5 t〜10 °C，加熱 器424、425、426是設爲關閉。關閉閥26 5、261，開啓閥 266、262，從氣體供給管2 82供給氮（N2 )氣體或氬（Ar )氣體等的淨化氣體，經由氣體供給管2 82、配管2 83及 通氣管258來實施旁通線路（bypass line)淨化。並且， 關閉閥268、487 ’將閥267上部配管線設爲加壓狀態。 其次，說明有關安裝原料補充匣筒470時的運用。參 照圖16、17、19、20 ’卸下被安裝於原料補充匣筒470的 閥480的閉止板488，卸下被安裝於閥483的閉止栓498 及被安裝於閥484的閉止栓499。並且，卸下被安裝於配 管380的凸緣368的閉止板377，卸下被安裝於配管494 的接頭512的閉止栓478及被安裝於配管495的接頭511 的閉止栓479。然後，如圖14、16所示般，將原料補充匣 筒470的閥480安裝於配管380的凸緣368,將閥483安 裝於配管494的接頭512，將閥484安裝於配管495的接 頭511，藉此安裝原料補充匣筒470。 其次’參照圖13〜15’在開啓閥269的狀態下，重複 -35- 201246371 將閥268打開5秒，然後關閉25秒，實施1 5次以上的循 環淨化，使被大氣開放之閥267與閥4 80之間的配管380 、閥269與配管3 80之間的淨化氣體供給配管2 84、及閥 269與配管3 80之間的配管2 5 9淨化。 並且，開啓閥48 7，關閉閥48 6，開啓閥48 5、48 3， 從淨化氣體供給配管284供給氮（N2)氣體或氬（Ar)氣 體等的淨化氣體，使原料補充匣筒470內、配管494、閥 483、配管491、配管492、閥484及配管495淨化，而進 行水分除去。此時是經由配管491來從原料補充匣筒470 的下部導入淨化氣體至原料補充匣筒470內，從安裝於原 料補充匣筒470的上部之配管492來將淨化氣體排出，因 此藉由淨化氣體也可除去原料補充匣筒470的固定原料 4 0 0的水分。 關閉閥269、26 8，設爲原料充塡待機狀態。關閉閥 266、262，開啓閥264、261，從氣體供給管282供給氮（ N2)氣體或氬（Ar)氣體等的淨化氣體，實施固體原料槽 3 0 0內的淨化》 然後，關閉閥487，開啓閥267、480，將固體原料 400從原料補充匣筒470供給至固體原料槽300。然後， 關閉閥2 6 7，開啓閥2 6 9、2 6 8 ’進行淨化。 然後，開啓閥487，淨化原料補充匣筒470內。關閉 閥264、265，開啓閥266、261，設爲製程供給待機狀態 〇 將加熱器424、425、426設定於80 °C，使固體原料 -36- 201246371 400從原料補充匣筒470充塡至固體原料槽3 00後經過12 小時後，關閉閥480，且關閉閥483、484，開啓閥486， 停止原料補充匣筒470內的淨化。關閉閥268、487，封入 淨化氣體。 從配管3 80的凸緣368卸下原料補充匣筒470的閥 480，從配管494的接頭512卸下閥483，從配管495的接 頭51 1卸下閥484，而來卸下原料補充匣筒470。在原料 補充匣筒470的閥480安裝閉止板488，在閥483安裝閉 止栓498，在閥484安裝閉止栓499。在配管380的凸緣 368安裝閉止板377，在配管494的接頭512安裝閉止栓 478，在配管495的接頭511安裝閉止栓479。開啓閥469 、48 7來經常管線淨化。 如以上般說明有關啓動基板處理裝置1〇1後，安裝原 料補充匣筒470，將固體原料400供給至固體原料槽300 的方法，但在固體原料槽300的固體原料400成空後，安 裝原料補充匣筒470，將固體原料400供給至固體原料槽 3〇〇時也是進行與上述同樣的操作。 如上述般，藉由從原料補充匣筒470供給固體原料 4〇〇至固體原料槽300 ’可將水分形成〇_5ppm以下來供給 固體原料400至固體原料槽300，因此可充分地抑制氯化 氣體與水分反應，固體原料槽3 00內不會腐蝕，可半永久 性地供給固體原料400。 又，由於可淨化原料補充匣筒470內，所以可除去在 往原料補充匣筒470內之固體原料400的供給時混入的水 -37- 201246371 分。 參照圖21、22，說明爲了比較而卸下固體原料槽來補 充固體原料的技術。在本比較例中是取代上述實施形態的 固體原料槽300而使用固體原料槽3 3 0。在固體原料槽 330經由閥325、接頭323及接頭321來連接氣體供給管 282的閥264。在固體原料槽330且經由閥326、接頭324 及接頭322來連接氣體供給管232b的閥265。 在進行成膜等的晶圓200的處理時，先將作爲固體原 料400收容的固體原料槽3 3 0加熱至預定的溫度，將閥 263、264、325、326、265、261 打開，從配管 282 供給氮 (N2)氣體作爲載氣至固體原料槽3 3 0，與氮氣一起將成 爲氣體的固體原料400供給至氣體供給管232b。 —旦固體原料槽3 3 0成空，則關閉閥264、325、326 、26 5，卸下接頭3 23、3 24，而卸下固體原料槽3 3 0。此 時，閥264與接頭3 23之間的配管282’及閥265與接頭 3 24之間的配管23 2b’會被大氣開放，大氣中的水分等會 附著於配管內282’及配管232b’。因此，在卸下交換後的 固體原料槽330後，爲了除去閥264與閥3 25之間的配管 282’及閥265與閥326之間的配管232b’的水分，而需要 關閉閥264、 265、 261，開啓閥263、 266、 262，從配管 282導入氮（n2)氣體，流動於配管258來進行氮氣淨化 ’會有淨化時間變長的問題。 上述本發明的理想的第1及第2實施形態是在配管 380安裝原料補充匣筒350、470，從原料補充匣筒350、 -38- 201246371 470來供給固體原料400至固體原料槽300的構造，因此 裝置構成簡單，固體原料400也可簡單地補充。並且，可 從原料補充匣筒3 5 0、470直接供給固體原料400至固體 原料槽300。而且，不需要像日本特開2010-40695那樣使 用固體原料槽3 00以外的補充用的固體原料槽。 而且’本發明的第1及第2理想的實施形態是在固體 原料400的補充時不需要卸下固體原料槽3 00。因爲不卸 下固體原料槽3 00，所以在閥264與固體原料槽300之間 及在閥265與固體原料槽3 00之間不會有配管被大氣開放 的情形，在固體原料400的補充時不需要進行該等的配管 的水分除去用的淨化。因此，固體原料400的補充時間相 較於比較例，可大幅度地縮短。 並且，在配管380連接被連接至真空泵246的配管 2 5 9，且連接供給淨化用的淨化氣體的淨化氣體供給配管 284’並且設有閥270(480) 、267，因此在將原料補充匣 筒350、470安裝於配管380後，可將配管380內抽真空 ，然後進行氮氣淨化。因此，可在使配管3 80內形成氮氣 環境的狀態下從原料補充匣筒3 50、470來補充固體原料 400至固體原料槽300。其結果，在固體原料400補充時 ，固體原料槽3 00內不會有暴露於大氣環境的情形。 由於在固體原料槽3 00的底部3 03設置中央低、周邊 部高的傾斜部3 02，因此被補充的固體原料400即使不是 固體原料槽300的中央，而是從端部供給，照樣可藉由傾 斜部302來容易均等地移動至中央部。 -39- 201246371 另外，上述是舉藉由ald法來形成 例進行說明，但藉由ALD法來成膜、形与 例，亦可使用他的方法例如C V D法來成 他的膜例如A1N膜。 又，上述是使用固體原料的 GaCl TMGa (三甲基鎵）或TMA1 (三甲基鋁） GaN、A1N的成膜。 以上，說明本發明的各種典型的實施 並非限於該等的實施形態。因此，本發明 其次的申請專利範圍來限定。 【圖式簡單說明】 圖1是用以說明適用於本發明的理想 板處理裝置的構成的槪略斜透視圖。 圖2是用以說明適用於本發明的理想 的基板處理裝置的處理爐的一例及其附隨 或排氣系統等的槪略構成圖，以槪略縱剖 部分的槪略構成圖。 圖3是用以說明圖2所示的處理爐的 橫剖面圖。
圖4是用以說明圖2所示的處理爐的I 圖5是圖4的A部的槪略部分擴大圖 圖6是用以說明在適用於本發明的理 態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的
GaN膜的方法爲 K GaN膜是其一 膜，亦可形成其 3，但亦可使用 。該等是適用於 形態，但本發明 的範圍是只依據 的實施形態的基 的第1實施形態 的原料供給系統 面來顯示處理爐 內部構造的槪略 貴嘴的槪略圖》 Ο 想的第1實施形 狀態、及原料供 -40- 201246371 給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的圖。 ® 7是用以說明在適用於本發明的理想的第1實施形 態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的狀態、及原料供 給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的部分槪略正面圖。 圖8是用以說明在適用於本發明的理想的第丨實施形 態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的狀態、及原料供 給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等之圖7的AA線槪略 視圖。 圖9是用以說明適用於本發明的理想的第〗實施形態 的原料補充匣筒的槪略部分剖面圖。 圖1 0是用以說明從適用於本發明的理想的第1實施 形態的基板處理裝置卸下原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的部分槪略正面圖 〇 圖Η是用以說明從適用於本發明的理想的第1實施 形態的基板處理裝置卸下原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等之圖1〇的ΑΑ線 槪略視圖。 圖1 2是用以說明適用於本發明的理想的第2實施形 態的基板處理裝置的處理爐的一例及其附隨的原料供給系 統或排氣系統等的槪略構成圖，以槪略縱剖面來顯示處理 爐部分的槪略構成圖。 圖13是用以說明在適用於本發明的理想的第2實施 形態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的狀態、及原料 -41 - 201246371 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的圖。 圖14是用以說明在適用於本發明的理想的第2實施 形態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的部分槪略正面圖 〇 圖15是用以說明在適用於本發明的理想的第2實施 形態的基板處理裝置安裝原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等之圖14的BB線槪 略視圖。 圖16是用以說明適用於本發明的理想的第2實施形 態的原料補充匣筒的槪略部分剖面圖。 圖1 7是用以說明適用於本發明的理想的第2實施开多 態的原料補充匣筒的槪略部分剖面圖。 圖18是用以說明從適用於本發明的理想的第2實施 形態的基板處理裝置卸下原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的圖。 圖19是用以說明從適用於本發明的理想的第2實施 形態的基板處理裝置卸下原料補充匣筒時的狀態、及原料 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等的部分槪略正面H 〇 圖20是用以說明從適用於本發明的理想的第2實方拒 形態的基板處理裝置卸下原料補充匣筒時的狀態、及原料_ 供給槽與原料補充匣筒的周圍的配管等之圖19的BB線$ 略視圖。 -42- 201246371 圖21是用以說明爲了比較而卸下原料供給槽來補充 固體原料的技術的圖，顯示安裝原料供給槽的狀態。 圖22是用以說明爲了比較而卸下原料供給槽來補充 固體原料的技術的圖，顯示卸下原料供給槽的狀態。 【主要元件符號說明】 101 :基板處理裝置 1 1 5 :晶舟昇降機 200 :晶圓 20 1 :處理室 202 :處理爐 20 3 :反應管 207、 281、 425、 426、 450:力口熱器 209 :集合管 2 1 7 :晶舟 2 1 8 :晶舟支撐台 2 1 9 :密封蓋 220、 364、 367、 370、 373: Ο 型環 227 :旋轉機構 23 0 :原料供給系統 23 0a、23 0b :氣體供給系統 23 0c、23 0d :載氣供給系統（不活性氣體供給系統） 231 、 247 :排氣管 23 2a、232b、282 :氣體供給管 -43- 201246371 2 3 2 d :載氣供給管 2 3 3 :噴嘴 2 3 8b :氣體供給孔 240 :排氣系統 24 1、242、24 3、244 :質量流控制器 245 :壓力感測器 246 :真空泵 250 、 251' 253 、 254 、 256 、 261 、 262 、 263 、 264 、 265 、 266 、 267 、 268 、 269 、 270 、 480 、 483 、 484 、 485 、 486 、 487 ：閥 255 ： APC 閥 25 7、2 5 8 :通氣管 259 、 283 、 375 、 380 、 491 、 492 、 493 、 494 、 495 ： 配管 260 :集合閥 2 8 0 :控制器 284 :淨化氣體供給配管 3 00 :固體原料槽 3 02 :傾斜部 3 03 :底部 304 :空間 3 1 〇 :頂板： 3 1 4、3 1 6 :貫通孔 3 2 1、3 2 2 :接頭 -44- 201246371 350、470:原料補充匣筒 3 5 1 :瓶子 353 : □部 3 6 0 :轉接器 355 、 362 :螺紋溝 357 :襯墊 3 6 1: —端部 363 、 365 、 366 、 368 、 369 、 371 、 372 、 374 、 463 465 、 466 :凸緣 3 7 7、4 8 8 :閉止板 381、 382、 383、 384、 481、 482 ：夾緊裝置 400 :固體原料 471 :容器 472 :容器本體 473 :容器安裝用配管部 474 ：蓋 475 :窗 478、479、498、499 ：閉止栓 5 1 1、5 1 2 :接頭 -45-
Claims (1)
- 201246371 七、申請專利範圍： 1·—種基板處理裝置，係具有： 處理室，其係可收容基板； 原料供給系統，其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室；及 控制部， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器，其係收容前述固體原料； 第1配管，其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間； 第2配管，其係與前述固體原料容器連接，具備安裝 有保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部； 第3配管，其係被連接於前述第2配管與真空排氣手 段之間； 第4配管，其係被連接至前述第2配管，用以導入淨 化氣體； 第1閥，其係被連接於前述第3配管的途中；及 第2閥，其係被連接於前述第4配管的途中， 前述控制部係爲了從前述原料補充容器補充前述固體 原料至前述固體原料容器，而將前述原料補充容器安裝於 前述安裝部時，以能夠使前述第2配管內抽真空，然後導 入前述淨化氣體至前述第2配管內的方式，控制前述真空 排氣手段及前述第1閥以及前述第2閥。 2.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更 -46- 201246371 具備： 原料補充容器淨化氣體導入部安裝部，其係安 前述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料補充容 化氣體導入部；及 原料補充容器淨化氣體排出部安裝部，其係安 則述原料補充容器排出淨化氣體的前述原料補充容 化氣體排出部， 前述控制部係爲了從前述原料補充容器補充前 原料至前述固體原料容器，而將前述原料補充容器 則述安裝部’將前述原料補充容器的淨化氣體導入 於前述原料補充容器淨化氣體導入部安裝部，將前 補充谷器的淨化氣體排出部安裝於前述原料補充容 氣體排出部安裝部時，以能夠使前述第2配管內抽 然後對前述第2配管內導入前述淨化氣體的方式， 述真空排氣手段及前述第1閥以及前述第2閥，且 從前述原料補充容器的淨化氣體導入部導入前述淨 至則述原料補充容器’從前述原料補充容器的淨化 出部排出前述淨化氣體的方式，控制前述真空排氣 前述第1閥、前述第2閥、前述淨化氣體導入部、 淨化氣體排出部之控制手段。 3.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其 $原料補充容器的淨化氣體導入部係被連接至前述 %容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容器 ’前述原料補充容器的淨化氣體排出部係被連接至 裝有對 器的淨 裝有從 器的淨 述固體 安裝於 部安裝 述原料 器淨化 真空， 控制前 以能夠 化氣體 氣體排 手段及 及前述 中，前 原料補 的下部 前述原 -47- 201246371 料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料胃#的 上部。 4 ·如申請專利範圍第1〜3項中的任一項所記載之基 板處理裝置’其中，具備設於前述第2配管與前述固體原 料容器之間的第3閥》 5 ·如申請專利範圍第1〜4項中的任一項所記載之基 板處理裝置’其中’前述第2配管係被連接至前述固體原 料容器的頂部。 6 ·如申請專利範圍第1〜5項中的任一項所記載之基 板處理裝置’其中’前述固體原料容器係於容器內部的底 部具備中央低、周邊部高的傾斜部。 7. —種固體原料補充方法，係具備： 在原料供給系統的安裝部安裝原料補充容器的工程， 則述原料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的 處理的氣體原料’供給至處理前述基板的處理室之原料供 給系統’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被 連接於前述固體原料容器與前述處理室之間的第丨配管、 及與前述固體原料容器連接的第2配管，其係具備安裝有 補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部、及 被連接於前述第2配管與真空排氣手段之間的第3配管、 及被連接至前述第2配管，用以導入淨化氣體的第4配管 、及被連接於前述第3配管的途中的第丨閥、及被連接於 前述第4配管的途中的第2閥： 在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀態下， -48- 201246371 關閉前述第2閥’開啓前述第1閥，以前述真空排氣手段 來將前述第2配管內抽真空的工程；及 然後，關閉前述第1閥，開啓前述第2閥，對前述第 2配管內導入前述淨化氣體的工程；及 然後’從前述原料補充容器經由前述第2配管來補充 前述固體原料至前述固體原料容器的工程。 8. 如申請專利範圍第7項之固體原料補充方法，其中 ，更具備： 在前述原料供給系統的原料補充容器淨化氣體導入部 安裝部安裝對前述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料 補充容器的淨化氣體導入部，在前述原料供給系統的原料 補充容器淨化氣體排出部安裝部安裝從前述原料補充容器 排出淨化氣體的前述原料補充容器的淨化氣體排出部之工 程；及 然後’從前述原料補充容器經由前述第2配管來補充 前述固體原料至前述固體原料容器之前，從前述原料補充 容器的淨化氣體導入部導入前述淨化氣體至前述原料補充 容器，從前述原料補充容器的淨化氣體排出部排出前述淨 化氣體之工程。 9. 如申請專利範圍第8項之固體原料補充方法，其中 ，則述原料補充容器的淨化氣體導入部係被連接至前述原 料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容器的 下部，前述原料補充容器的淨化氣體排出部係被連接至前 述原料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容 -49- 201246371 器的上部。 10.如申請專利範圍第8或9項之固體原料補充方法 ’其中’前述原料供給系統係具備設於前述第2配管與前 述固體原料容器之間的第3閥’在安裝前述原料補充容器 的工程、及前述抽真空的工程、及導入前述淨化氣體的工 程係關閉前述第3閥，在補充前述固體原料的工程係開啓 前述第3閥。 1 1 .如申請專利範圍第8〜1 0項中的任—項所記載之 固體原料補充方法’其中’前述原料補充容器具備第4閥 ’前述原料補充容器係經由前述第4閥來安裝前述原料補 充容器於前述安裝部，在安裝前述原料補充容器的工程、 及則述抽真空的工程、及導入前述淨化氣體的工程係關閉 前述第4閥，在補充前述固體原料的工程係開啓前述第4 閥。 1 2.如申請專利範圍第8〜1 1項中的任—項所記載之 固體原料補充方法’其中’前述第2配管係被連接至前述 固體原料容器的頂部，在補充前述固體原料的工程係使前 述固體原料從前述原料補充容器落下至前述固體原料容器 〇 13. 如申請專利範圍第8〜12項中的任—項所記載之 固體原料補充方法’其中’前述固體原料容器係於容器內 部的底部具備中央低、周邊部高的傾斜部。 14. 一種基板處理裝置，係具有： 處理室’其係可收容基板；及 -50- 201246371 原料供給系統，其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器，其係收容前述固體原料； 第1配管’其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間：及 第2配管，其係與前述固體原料容器連接，具備安裝 有保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部。 15.如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中， 前述第2配管係被連接至前述固體原料容器的頂部。 16·如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中， 前述安裝部係位於前述第2配管被連接至前述固體原料容 器的頂部之處的正上方。 1 7 ·如申請專利範圍第1 4〜1 6項中的任一項所記載之 基板處理裝置’其中，具備設於前述第2配管與前述固體 原料容器之間的第1閥。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4〜1 7項中的任—項所記載之 基板處理裝置’其中，前述固體原料容器係於容器內部的 底部具備中央低、周邊部高的傾斜部。 1 9 .如申請專利範圍第1 4〜1 8項中的任一項所記載之 基板處理裝置’其中，更具備：被連接於前述第2配管與 真空排氣手段之間的第3配管、及被連接至前述第2配管 ，用以導入淨化氣體的第4配管。 20.—種固體原料補充方法，係具備： -51 - 201246371 在原料供給系統的安裝部安裝原料補充容器的工程， 前述原料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的 處理的氣體原料，供給至處理前述基板的處理室之原料供 給系統’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被 連接於前述固體原料容器與前述處理室之間的第丨配管、 及與前述固體原料容器連接的第2配管，其係具備安裝有 保持補充用的前述固體原料的原料補充容器的安裝部；及 在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀態下， 從前述原料補充容器經由前述第2配管來補充前述固體原 料至前述固體原料容器。 21. 如申請專利範圍第20項之固體原料補充方法，其 中’前述第2配管係被連接至前述固體原料容器的頂部， 在經由前述第2配管來補充前述固體原料的工程係使前述 固體原料從前述原料補充容器落下至前述固體原料容器而 補充。 22. 如申請專利範圍第2〇或21項之固體原料補充方 法’其中，前述安裝部係位於前述第2配管被連接至前述 固體原料容器的頂部之處的正上方。 23·如申請專利範圍第20〜22項中的任一項所記載之 固體原料補充方法，其中，具備設於前述第2配管與前述 固體原料容器之間的第1閥，在補充前述固體原料的工程 係開啓前述第1閥。 24.如申請專利範圍第20〜23項中的任一項所記載之 固體原料補充方法，其中，前述原料補充容器具備第2閥 -52- 201246371 ’前述原料補充容器係經由前述第2閥來安裝於前述安裝 部’在補充前述固體原料的工程係開啓前述第2閥。 2 5 .如申請專利範圍第2 0〜2 4項中的任一項所記載之 固體原料補充方法，其中，前述固體原料容器係於容器內 部的底部具備中央低、周邊部高的傾斜部。 26.—種基板處理裝置，係具有： 處理室，其係可收容基板；及 原料供給系統，其係使固體原料昇華而生成使用於前 述基板的處理的氣體原料，供給至前述處理室， 前述原料供給系統係具備： 固體原料容器’其係收容前述固體原料； 第1配管’其係被連接於前述固體原料容器與前述處 理室之間： 安裝部’其係保持補充用的前述固體原料的原料補充 容器會被安裝於前述固體原料容器； 原料補充谷器淨化氣體導入部安裝部，其係安裝有對 前述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料補充容器的淨 化氣體導入部； 原料補充谷器淨化氣體排出部安裝部，其係安裝有從 則述原料補充容器排出淨化氣體的前述原料補充容器的淨 化氣體排出部；及 控制手段，其係爲了從前述原料補充容器補充前述固 體原料至則述固體原料容器，而將前述原料補充容器安裝 於則述安裝部，將則述原料補充容器的淨化氣體導入部安 -53- 201246371 裝於前述原料補充容器淨化氣體導入部安裝部，將前述原 料補充容器的淨化氣體排出部安裝於則述原料補充容器淨 化氣體排出部安裝部時，以能夠使前述淨化氣體從前述原 料補充容器的淨化氣體導入部導入至前述原料補充容器， 從前述原料補充容器的淨化氣體排出部排出前述淨化氣體 的方式’控制前述淨化氣體導入部及前述淨化氣體排出部 〇 27. 如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中， 前述原料補充容器的淨化氣體導入部係被連接至前述原料 補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容器的下 部’前述原料補充容器的淨化氣體排出部係被連接至前述 原料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容器 的上部。 28. 如申請專利範圍第27項之基板處理裝置，其中， 前述原料補充容器的淨化氣體導入部係具備： 第2配管’其係被連接至前述原料補充容器被安裝於 前述安裝部時的前述原料補充容器的下部；及 第1閥’其係設於前述第2配管， 前述原料補充容器的淨化氣體排出部係具備： 胃3配管’其係被連接至前述原料補充容器被安裝於 則述安裝部時的前述原料補充容器的上部；及 第2閥’其係設於前述第3配管。 2 9·—種固體原料補充方法，係具備： 供給系統的安裝部安裝原料補充容器，在前述 -54- 201246371 原料供給系統的原料補充容器淨化氣體導入部安裝部安裝 對前述原料補充容器導入淨化氣體的前述原料補充容器的 淨化氣體導入部，在前述原料供給系統的原料補充容器淨 化氣體排出部安裝部安裝從前述原料補充容器排出淨化氣 體的則述原料補充容器的淨化氣體排出部之工程，前述原 料供給系統係使固體原料昇華而生成使用於基板的處理的 氣體原料’供給至處理前述基板的處理室之原料供給系統 ’具備：收容前述固體原料的固體原料容器、及被連接於 則述固體原料容器與前述處理室之間的第1配管、及保持 補充用的前述固體原料的原料補充容器會被安裝於前述固 體原料容器之安裝部'及安裝有對前述原料補充容器導入 淨化氣體的前述原料補充容器的淨化氣體導入部之原料補 充容器淨化氣體導入部安裝部、及安裝有從前述原料補充 容器排出淨化氣體的前述原料補充容器的淨化氣體排出部 之原料補充容器淨化氣體排出部安裝部； 然後’從前述原料補充容器的淨化氣體導入部導入前 述淨化氣體至前述原料補充容器，從前述原料補充容器的 淨化氣體排出部排出前述淨化氣體的工程；及 然後’在前述原料補充容器被安裝於前述安裝部的狀 態下’從前述原料補充容器補充前述固體原料至前述固體 原料容器的工程。 30.如申請專利範圍第29項之固體原料補充方法，其 中’前述原料補充容器的淨化氣體導入部係被連接至前述 原料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充容器 -55- 201246371 的下部，前述原料補充容器的淨化氣體排出部係被連接至 前述原料補充容器被安裝於前述安裝部時的前述原料補充 容器的上部。 31· —種固體原料補充用匣筒，係具備：固體原料補 充容器、及被安裝於前述容器的開口部的蝶形閥。 32. —種固體原料補充用匣筒，係具備： 固體原料補充容器； 安裝部，其係安裝前述固體原料補充容器； 淨化氣體導入部，其係對前述固體原料補充容器導入 淨化氣體；及 淨化氣體排出部，其係從前述固體原料補充容器排出 淨化氣體。 33. 如申請專利範圍第32項之固體原料補充用匣筒， 其中，前述固體原料補充容器的淨化氣體導入部係被連接 至前述固體原料補充容器被安裝時的前述固體原料補充容 器的下部，前述固體原料補充容器的淨化氣體排出部係被 連接前述固體原料補充容器被安裝時的前述固體原料補充 容器的上部。 34. 如申請專利範圍第33項之固體原料補充用匣筒， 其中， 前述淨化氣體導入部係具備： 第1配管，其係被連接至前述固體原料補充容器被安 裝時的前述固體原料補充容器的下部；及 第1閥，其係設於前述第1配管， -56- 201246371 刖 第 裝時的 第 述淨化氣體排出部係具備： 2配管，其係被連接至前述固體原料補充容器被安 前述固體原料補充容器的上部；及 2閥，其係設於前述第2配管。 -57-
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