TW201137820A - Method for driving display device - Google Patents

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201137820 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於驅動顯示裝置之方法。 【先前技術】 已知主動式矩陣顯示裝置’其中複數像素係以矩陣排 列’且每一像素包括顯示元件及電晶體做爲連接顯示元件 之切換元件。 此外’主動式矩陣顯示裝置已引起注意，其中使用金 屬氧化物用於通道形成區而形成之電晶體用做連接每一像 素電極之切換元件（詳專利文獻1及2 )。 有關可應用於主動式矩陣顯示裝置之顯示元件的範例 ’可提供使用電泳方法等的液晶元件及電子墨水。應用液 晶兀件之主動式矩陣液晶顯不裝置已用於廣泛的應用範圍 ’從利用液晶元件之高操作速度的移動影像顯示器，至具 寬範圍灰階之靜態影像顯示器。 [參考文獻] [專利文獻1]日本公開專利申請案No. 2007-123861 [專利文獻2]日本公開專利申請案No. 2007-096055 【發明內容】 習知主動式矩陣顯示裝置中所包括之電晶體具有高關 閉狀態電流，因而寫入像素之信號經由電晶體而洩漏，甚 -5- 201137820 至當電晶體關閉時亦流失。因此，若顯示元件不具有記憶 體特性，甚至對於主動式矩陣顯示裝置中相同影像而言， 信號均需頻繁地重寫，使得其難以降低電力消耗。 鑒於上述，目標爲提供消耗充分小電量之方便的顯示 裝置，及驅動該等顯示裝置之方法。 當電力開始供應時顯示裝置開始操作，及當電力停止 供應時停止操作》在本說明書中，電力供應予顯示裝置之 狀態（電源開啓）稱爲開啓狀態，反之電力供應停止之狀 態（電源關閉）稱爲關閉狀態。用於開啓顯示裝置之控制 信號稱爲起始信號，反之用於關閉顯示裝置之控制信號稱 爲停止信號。 本說明書中所揭露之顯示裝置可處於具以靜態影像顯 示模式顯示之靜態影像的關閉狀態，其中用於施加電壓於 顯示元件之像素電極及共同電極被置於浮動狀態，使得施 加於顯示元件之電壓保持，且未進一步供應電位而顯示靜 態影像。 當顯示裝置處於開啓狀態時’其中電源開啓使得供應 電力，依據連續訊框之影像信號適當地選擇移動影像顯示 模式或靜態影像顯示模式，藉此可降低電力消耗，且顯示 裝置藉由基於以靜態影像顯示模式顯示之所欲影像的停止 設備而被置於關閉狀態，藉此顯示裝置可具有較高安全程 度並可更方便。 在驅動顯示裝置之方法中’依據本說明書中所揭露之 實施例，執行下列步驟。從電源供應電源電位以將影像顯 -6 - 201137820 示於螢幕上。其次，從初始化及停止設備供應初始化及停 止信號。接著，基於初始化及停止信號寫入初始化影像信 號以將初始化影像顯示於螢幕上。之後，基於顯示於螢幕 上之初始化影像，停止從電源供應電源電位。 依據本說明書中所揭露之實施例，在驅動顯示裝置之 方法中，執行下列步驟。從電源供應電源電位以將影像顯 示於螢幕上。其次，基於保持及停止設備而供應保持及停 止信號。接著，基於顯示於螢幕上之影像，停止從電源供 應電源電位。 在上述結構中，藉由經由爲切換元件之電晶體施加電 壓於顯示元件，而顯示影像。當電力供應停止時，電性連 接顯示元件之電晶體關閉，在電力供應停止同時保持電壓 並處於浮動狀態之後，顯示元件持續顯示影像達特定時間 長度。 當顯示裝置處於開啓狀態同時電源開啓使得以供應電 力時，依據連續訊框之影像信號適當地選擇移動影像顯示 模式或靜態影像顯示模式，藉此可降低電力消耗，且顯示 裝置藉由基於以靜態影像顯示模式顯示之所欲影像的停止 設備而被置於關閉狀態，藉此顯示裝置可更方便並可具有 較高安全程度。 因此，可提供具有較高安全程度並可更方便之低電力 消耗顯示裝置，及甩以驅動該等顯示.裝置之方法。 【實施方式】 201137820 以下，將參照圖式詳細說明本發明之實施例。 ，本發明不侷限於下列說明，且熟悉本技藝之人士 理解本發明之模式及細節可以各種方式加以修改。 本發明不應解譯爲侷限於實施例之下列說明。 (實施例1 ) 在本實施例中，將參照圖1、圖2、圖3、圖4、 5B、及圖6說明顯示裝置之一模式及驅動顯示裝置 之一模式。 顯示裝置於其螢幕上顯示移動影像及靜態影像 。移動影像係指以人眼藉由快速切換以時分爲複數 獲得之複數不同影像而識別爲移動影像之影像。具 藉由每秒切換影像至少60次（60訊框），人眼察覺 閃爍之移動影像。相較於移動影像及局部移動影像 影像係指複數連續訊框例如第η訊框及第（n + 1 )訊 像所形成之影像，儘管以高速切換以時間分割爲複 所獲得之複數影像，但這些複數影像是相同的。 在依據本發明之一實施例之顯示裝置中，在顯 影像中及顯示靜態影像中分別採用移動影像顯示模 態影像顯示模式之不同顯示模式。 若爲移動影像顯示’其中連續訊框之影像信號 使用移動影像顯示模式且其中影像信號被寫入每一 間。另一方面’若爲靜態影像顯示，其中連續訊框 信號相同，使用靜態影像顯示模式其中未寫入其他 請注意 將易於 因此， 圖5A及 之方法 之組合 訊框所 體地， 具較少 ，靜態 框之影 數訊框 示移動 式及靜 不同， 訊框期 之影像 影像信 -8- 201137820 號，用於施加電壓於顯示元件之像素電極及共同電極成爲 浮動狀態，使得施加於顯示元件之電壓保持，且無進一步 電位供應而顯示靜態影像。 通常，顯示裝置之開啓狀態表示電壓施加於顯示元件 使得執行顯示之顯示狀態，反之，關閉狀態表示電壓未施 加於顯示元件使得未執行顯示之非顯示狀態。在顯示裝置 中，藉由停止信號而停止從電源供應電力，自動導致非顯 示狀態：因而，使用者無法於關閉狀態選擇所欲影像之顯 示。 依據本實施例之顯示裝置可於關閉狀態已靜態影像顯 示模式顯示靜態影像。這是因爲當使用靜態影像顯示模式 時，其中未進一步供應電位而可顯示靜態影像，甚至在停 止供應電力予顯示裝置之關閉狀態，仍可顯示影像。 當不需藉由供應另一影像信號而顯示另一影像時（當 顯示裝置將停止使用時），或當顯示於螢幕上之影像爲所 欲而暫時保持時，使用者可以螢幕上所顯示之所欲影像基 於依據本實施例之停止設備，而將顯示裝置置於關閉狀態 〇 將參照圖1中流程圖說明依據本實施例之顯示裝置。 如圖1中所描繪，影像A顯示於顯示螢幕上。當不需藉 由供應另一影像信號而顯示另一影像時，初始化及停止設 備便用於起始圖1中螢幕初始化模式（A )，其中顯示螢幕 被初始化。在移動影像顯示模式或靜態影像顯示模式中， 當選擇初始化及停止設備而輸入初始化及停止信號時，寫 -9- 201137820 入初始化影像s之影像信號（初始化影像S信號）’使得初 始化影像S顯示做爲靜態影像顯示模式之靜態影像。接著 ，當顯示初始化影像s時’藉由關閉電源而停止從電源供 應電力，導致關閉狀態。甚至在關閉狀態’保持施加於顯 示元件之電壓·，因而繼續顯示初始化影像s達特定時間長 度。預先設定初始化影像s’藉此當電源關閉達電力供應 關閉之後特定時間長度時’可顯示所欲影像。例如’初始 化影像可爲單色影像’諸如整個螢幕上白色影像或整個螢 幕上黑色影像，或可設定顯示使用者所屬組織等之標誌或 廣告商標。因此’可於無電源之關閉狀態顯示所欲影像’ 此外，可避免電源關閉前不久因於關閉狀態顯示於螢幕上 之殘影等造成之影像資料洩漏。結果，顯示裝置可以低電 力消耗（關閉狀態中無電力消耗）長時間顯示影像’並可 具有高安全程度。 另一方面，當螢幕上所顯示之影像A爲所欲而暫時保 持時，使用用於起始圖1中螢幕保持模式（B)之保持及停 止設備，其中影像A保持。當選擇保持及停止設備以輸入 保持及停止信號時，未寫入另一影像’且顯示於螢幕上之 影像A持續顯示，做爲靜態影像模式之靜態影像。接著’ 當顯示影像A時，藉由關閉電源而停止從電源供應電力’ 導致關閉狀態。甚至在關閉狀態，施加於顯示元件之電壓 保持；因而，影像A持續顯示達特定時間長度。當電源關 閉時可顯示影像，達電源關閉之後特定時間長度’使得可 識別來自影像之資訊。因而，顯示裝置可以低電力消耗（ -10 - 201137820 關閉狀態中無電力消耗）長時間提供影像資訊，並可高度 方便。 請注意，不論係使用初始化及停止設備或係使用保持 及停止設備，若一訊框之影像信號於輸入初始化及停止信 號或保持及停止信號中被寫入，在訊框之影像信號的寫入 結束，及於關閉狀態中顯示之影像顯示之後，便開始靜態 影像顯示模式，其中用於施加電壓於顯示元件之像素電極 及共同電極成爲浮動狀態，使得施加於顯示元件之電壓保 持，並顯示靜態影像。 本實施例亦可用於透射式顯示裝置、反射式顯示裝置 、及半透射式顯示裝置。若透射式顯示裝置及半透射式顯 示裝置各使用諸如背光之光源，與顯示所欲影像之靜態影 像顯示模式同步，在電源關閉之後光源之驅動需達特定時 間長度。在該些狀況下，可藉由控制光源驅動之期間來設 定電源關閉之後影像顯示之期間。 在本實施例中將參照圖2、圖3、圖4、圖5 A及5 B、及 圖6說明顯示裝置之範例及驅動顯示裝置之方法範例，其 中移動影像模式及靜態影像模式切換。請注意，本說明書 中所揭露之顯示裝置及驅動顯示裝置之方法不侷限於圖2 、圖3、圖4'圖5A&5B、及圖6中所描繪。 將參照圖2中方塊圖說明顯示裝置1 00之組件。顯示裝 置1〇〇爲透射式顯示裝置或半透射式顯示裝置之範例，其 藉由利用像素中光之透射或干擾而顯示影像，顯示裝置 1〇〇包括影像處理電路110、顯示面板12〇及背光部13〇。若 201137820 爲反射式顯示裝置，使用環境光做爲光源；因而1背光部 1 30可省略。 控制信號、影像信號及電源電位係從連接顯示裝置 1 00之外部裝置供應予顯示裝置1 00。所供應者爲起始脈衝 SP及時脈信號CK做爲控制信號、影像信號Data做爲影像信 號、及高電源電位Vdd、低電源電位Vss及共同電位Vcom 做爲電源電位。藉由開啓顯示裝置之電源以開始電力之供 應而供應電源電位。 請注意，高電源電位Vdd係指高於參考電位之電位， 及低電源電位Vss係指低於或等於參考電位之電位。想要 的是每一高電源電位Vdd及低電源電位Vss爲電晶體可操作 之電位。高電P電位Vdd及低電源電位Vss有時統稱爲電源 電壓。 共同電位Vcom可爲任何電位，只要其做爲相對於供 應予像素電極之影像信號的電位參考。例如，共同電位 V c 〇 m可爲接地谓位。 影像信號D a t a可依據點反向驅動、源極線反向驅動、 閘極線反向驅動、訊框反向驅動等適當反向而輸入顯示裝 置1 〇0。若影像信號爲類比信號，影像信號可經由A/D轉換 器等轉換爲數位信號而供應予顯示裝置100，藉此可於之 後輕易地檢測影像信號之間差異，何者較佳。 將說明影像處理電路1 1 〇之組態，及影像處理電路11 0 處理信號之步驟。 影像處理電路11 〇包括記憶體電路1 π、比較器電路 -12- 201137820 112、顯示控制電路113及選擇電路115»影像處理電路110 從已輸入之影像信號Data產生顯示面板影像信號及背光信 號。顯示面板影像信號爲控制顯示面板1 2 0之影像信號’ 及背光信號爲控制背光部130之信號。 此外，控制共同電極128之信號輸出至切換兀件1^7° 記憶體電路I11包括用於儲存複數訊框之影像信號的 複數訊框記憶體。記憶體電路1 1 1中所包括之訊框記憶體 的數量未特別限制’且記億體電路1 1 1可爲可儲存複數訊 框之影像信號的元件。請注意，可使用諸如動態隨機存取 記憶體（DRAM )或靜態隨機存取記億體（SRAM )之記憶 體元件形成訊框記憶體。 訊框記憶體的數量未特別限制只要影像信號可儲存於 每一訊框期間即可。訊框記憶體之影像信號藉由比較器電 路112及顯示控制電路1 13而選擇性讀出。圖式中訊框記憶 體1 1 1 b描繪槪念上一訊框之記憶體區域。 比較器電路Π2爲一種電路’選擇性讀出記憶體電路 i i i中所儲存之連續訊框期間影像信號、比較每一像素中 連續訊框之影像信號、及檢測其差異。 依據訊框之影像信號之間是否存在差異’判斷顯示控 制電路113及選擇電路115中作業。當藉由比較器電路11 2 檢測到任一像素中訊框之間差異時（當存在差異時）’比 較器電路1 1 2判斷影像信號並非用於靜態影像’且檢測到 差異之連續訊框期間爲用於顯示移動影像之期間。 另一方面，當藉由比較比較器電路112中影像信號’ -13- 201137820 於所有像素中均未檢測到差異時（當不存在差異時），未 檢測到差異之連續訊框期間判斷爲用於顯示靜態影像之期 間。換言之，比較器電路1 1 2檢測連續訊框期間影像信號 之間差異存在與否，藉此判斷影像信號係用於顯示移動影 像或用於顯示靜態影像。 當差異超過預定位準時，藉由比較可檢測差異之存在 。可設定比較器電路112以便依據差異之絕對値檢測差異 〇 儘管在本實施例中，藉由以顯示裝置1〇〇中所提供之 比較器電路1 1 2檢測連續訊框期間影像信號之間差異而判 斷影像爲靜態影像或移動影像，可外部供應用於判斷係顯 示移動影像或靜態影像之信號。在此狀況下，用於判斷係 顯示移動影像或靜態影像之信號係直接供應予顯示控制電 路1 1 3，且顯示控制電路1 1 3控制將供應予顯示面板1 2 0之 影像信號。因而，顯示裝置1〇〇中不一定提供記憶體電路 111、比較器電路112、及選擇電路115。 選擇電路1 1 5包括例如電晶體形成之複數開關。當比 較器電路Π 2檢測到連續訊框之間差異時’即當影像爲移 動影像時，移動影像之影像信號係選自記憶體電路1 1 1中 訊框記憶體，並輸出至顯示控制電路1 1 3。 當比較器電路1 1 2未檢測到連續訊框之間差異時’即 當影像爲靜態影像，選擇電路1 1 5未輸出來自記億體電路 1 1 1中訊框記憶體之影像信號至顯示控制電路1 1 3。由於未 從訊框記憶體輸出影像信號至顯示控制電路113 ’可降低 -14 - 201137820 顯示裝置之電力消耗。 在依據本實施例之顯示裝置中’當比較器電路112判 斷影像爲靜態影像時，所執行之作業模式爲靜態影像顯示 模式，反之，當比較器電路112判斷影像爲移動影像時’ 所執行之作業模式爲移動影像顯示模式。 顯示控制電路1 1 3爲一種電路’供應藉由選擇電路1 5 所選擇之影像信號及控制信號（具體地，用於控制諸如起 始脈衝SP或時脈信號CK之控制信號之供應的供應及停止 之切換的信號）予顯示面板120’及供應背光控制信號（ 具體地，用於背光控制電路1 3 1控制背光之開啓及關閉的 信號）予背光部1 3 0。 請注意，本實施例中所說明做爲範例之影像處理電路 ，可具有切換顯示模式之功能。基於所提供之切換顯示模 式之功能，顯示裝置之使用者藉由人工選擇顯示裝置之作 業模式或基於外部連接顯示裝置之裝置，而切換移動影像 顯示模式與靜態影像顯示模式之間顯示模式。 選擇電路115可依據從顯示模式切換電路輸入之信號 而輸出影像信號至顯示控制電路1 1 3。 例如，若於靜態影像顯示模式執行作業，當從顯示模 式切換電路輸入模式切換信號至選擇電路115時，選擇電 路U 5可執行一種模式，其中已輸入之影像信號相繼輸出 至顯示控制電路u 3，即移動影像顯示模式，即使比較器 電路1 1 2未檢測到連續訊框期間影像信號之間差異。同時 ，若於移動影像顯示模式執行作業，當從顯示模式切換電 -15- 201137820 路輸入模式切換信號至選擇電路115時，選擇電路115可執 行一種模式，其中僅所選擇之一訊框中影像信號輸出至顯 示控制電路1 1 3，即靜態影像顯示模式，即使比較器電路 1 1 2檢測到連續訊框期間影像信號之間差異。結果，依據 本實施例之顯示裝置顯示移動影像之一訊框，做爲靜態影 像。 顯示裝置可進一步包括光度計電路。經提供而具光度 計電路，顯示裝置可檢測顯示裝置之環境亮度。因而，連 接光度計電路之顯示控制電路113可依據從光度計電路輸 入之信號而控制用於驅動諸如背光之光源的方法。 例如，當藉由來自光度計電路之檢測而判斷顯示裝置 用於微弱光線中時，顯示控制電路113控制從背光132發射 之光的強度，使得增加顯示螢幕之有利可見性。相反地， 當判斷顯示裝置用於極亮外部光線中時（例如在曰光直射 下），顯示控制電路1 13控制從背光132發射之光的強度， 使得減少而降低背光1 32之電力消耗。 背光部1 3 0包括背光控制電路1 3 1及背光1 3 2。背光1 3 2 之組件可經選擇而依據顯示裝置1 00之使用而加以組合， 例如可使用冷陰極管、發光二極體（LED )等。藉由組合 濾色器，可執行彩色顯示。例如，背光1 3 2可經提供而具 白色發光元件（例如LED )。請注意，若RGB等發光二極 體於背光1 32中排列，及使用連續加色混合法（場序制法 )其中藉由時分而執行彩色顯示，不一定提供濾色器。用 於控制背光之電源電位及背光信號係從顯示控制電路11 3 -16- 201137820 供應予背光控制電路1 3 1。 顯示面板120包括像素部122及切換元件127。在本實 施例中，顯示面板12〇包括第一基板及第二基板。第—基 板經提供而具驅動電路部121、像素部122及切換元件127 。第二基板經提供而具共同連接部（亦稱爲共同接點）及 共同電極1 2 8 (亦稱爲相對電極）。請注意，共同連接部 與第一基板及第二基板彼此電性連接，並可提供於第—基 板之上。 複數閘極線124 (掃描線）及複數源極線125 (信號線 )係提供用於像素部1 22，且像素部1 22包括各由閘極線 124及源極線125環繞並以矩陣排列之複數像素。若說明顯 示面板1 20做爲本實施例中範例，閘極線1 24係從閘極線驅 動電路121 A延伸’及源極線125係從源極線驅動電路121B 延伸。 像素1 23包括電晶體、電容器、顯示元件、及連接電 晶體之像素電極。像素電極發送可見光。 像素1 23中所包括之電晶體具有低關閉狀態電流。當 電晶體關閉時，連接具有低關閉狀態電流之電晶體的顯示 元件及電容器中所儲存之電荷不太可能經由電晶體而洩漏 ，使得電晶體關閉之前寫入之資料可長時間維持。 有關顯示元件之範例，可提供液晶元件。例如，藉由 將液晶層夾於像素電極與共同電極之間而形成之液晶元件 面對像素電極。 有關液晶元件之範例爲一元件，其藉由液晶之光學調 -17- 201137820 變動作而控制光之透射或干擾。該元件可包括一對電極及 液晶層。請注意，液晶之光學調變動作係藉由施加於液晶 之電場（即垂直電場）而予控制。 下列爲可應用於液晶元件之液晶範例：向列液晶、膽 固醇液晶、近晶液晶、圓盤液晶、熱致液晶、溶致液晶、 低分子液晶、聚合物分散液晶（PDLC )、鐵電液晶、反 鐵電液晶、主鏈液晶、側鏈高分子液晶、及香蕉形液晶。 此外，驅動液晶之方法包括扭轉向列（TN )模式、超 級扭轉向列（STN )模式、光學補償雙折射（OCB )模式 、電控雙折射（ECB )模式、鐵電液晶（FLC )模式、反 電液晶（AFLC)模式、聚合物分散液晶（PDLC)模式、 聚合物網絡液晶（PNLC )模式、及主客模式。 驅動電路部1 2 1包括閘極線驅動電路1 2 1 A及源極線驅 動電路1 2 1 B。閘極線驅動電路1 2 1 A及源極線驅動電路 121B爲用於驅動包括複數像素之像素部122的驅動電路， 包括移位暫存器電路（亦稱爲移位暫存器）。 請注意，閘極線驅動電路1 2 1 A及源極線驅動電路1 2 1 B ，及像素部122或切換元件127可形成於相同基板或不同基 板之上。 藉由顯示控制電路Π 3控制之高電源電位Vdd、低電源 電位Vss、起始脈衝SP、時脈信號CK及影像信號Data被供 應予驅動電路部1 2 1。 端子部126爲用於供應預定信號（諸如高電源電位Vdd 、低電源電位Vss、起始脈衝SP、時脈信號CK、影像信號 -18- 201137820

Data、或共同電位Vcom)等之輸入端子，其係從影像處理 電路110中所包括之顯示控制電路113輸出至驅動電路部 121 ° 切換元件1 27依據從顯示控制電路1 1 3輸出之控制信號 ，供應共同電位Vcom予共同電極128。對切換元件127而 言，可使用電晶體。電晶體之閘極電極連接顯示控制電路 113，共同電位Vcom經由端子部126而供應予電晶體之源 極電極及汲極電極之一，及源極電極及汲極電極之另一連 接共同電極128。請注意，切換元件127及驅動電路部121 或像素部122可形成於相同基板或不同基板之上。 共同連接部使共同電極128及連接切換元件127之源極 電極或汲極電極的端子彼此電性連接。 有關共同連接部之具體範例，可使用以薄金屬膜包覆 絕緣球之導電粒子，使得以電性連接。請注意，第一基板 及第二基板可經提供而具複數共同連接部。 提供共同電極1 28以便面對像素部1 22中複數像素電極 ，且液晶層插於其間。此外，共同電極128及像素部122中 所包括之像素電極可具有各類開口型樣。 其次，將參照圖3中所描繪之等效電路圖說明像素部 122中所包括之像素123之組態。 像素123包括電晶體214、顯示元件215及電容器210。 在本實施例中，液晶元件用做顯示元件2 1 5。液晶元件係 以下列方式形成，即液晶層係提供於第一基板上之像素電 極與第二基板之上的共同電極128之間。 -19- 201137820 電晶體2 1 4之閘極電極連接像素部中所提供之複數閘 極線124之一，電晶體214之源極電極及汲極電極之一連接 複數源極線125之一，及電晶體214之源極電極及汲極電極 之另一連接電容器21〇之電極之一及顯示元件215之電極之 —— 〇 有關電晶體2 1 4，使用具有較低關閉狀態電流之電晶 體。當電晶體2 1 4關閉時，連接具有較低關閉狀態電流之 電晶體214的顯示元件215及電容器210中所儲存之電荷極 不可能經由關閉之電晶體214洩漏，使得於電晶體214關閉 之前寫入之資料可長時間維持。 基於此等結構，電容器210可保持施加於顯示元件215 之電壓。請注意，不一定提供電容器210。電容器210之電 極可連接分別提供之電容器線。 使用切換元件之一模式之電晶體的切換元件127之源 極電極及汲極電極之一連接電容器210之另一電極及顯示 元件215之另一電極，其未連接電晶體214，且切換元件 127之源極電極及汲極電極之另一經由共同連接部而連接 端子126B。切換元件127之閘極電極連接端子126A。 其次，將參照圖3中等效電路圖及圖4中時序圖說明供 應予像素之信號狀態。 圖4描繪時脈信號GCK及起始脈衝GSP，其藉由顯示控 制電路1 1 3而供應予閘極線驅動電路1 2 1 A。圖4亦描繪時脈 信號SCK及起始脈衝SSK，其藉由顯示控制電路1 13而供應 予源極線驅動電路1 2 1 B。爲說明每一時脈信號之輸出時機 -20- 201137820 ，時脈信號之波形係以簡單的方波描繪。 此外，圖4描繪源極線125之電位、像素電極之電位、 端子126A之電位、端子126B之電位、及共同電極之電位。 在圖4中，期間1401相應於顯示移動影像之影像信號 寫入期間。在期間1 40 1中，執行作業使得影像信號及共同 電位分別供應予像素部1 22及共同電極中像素。 此外，期間1 402相應於顯示靜態影像之期間。在期間 i 402中，至像素部122中像素之影像信號的供應及至共同 電極之共同電位的供應停止。請注意，圖4中期間1 402供 應每一信號使得驅動電路部之作業停止；然而，較佳的是 避免依據期間1 402之長度及刷新率而藉由定期寫入影像信 號之靜態影像的惡化。 首先，將說明期間1401中時序圖。在期間1401中’全 時供應時脈信號GCK ;依據垂直同步頻率而供應起始脈衝 GSP ;全時供應時脈信號SCK ;及依據一閘極選擇期間而 供應起始脈衝SSP。 此外，影像信號Data經由源極線1 25而供應予每一列 之像素，及源極線125之電位依據閘極線124之電位而供應 予像素電極。 此外，顯示控制電路1 13供應切換電晶體127開啓之電 位予切換元件127之端子126A，及經由端子126B而供應共 同電位予共同電極。 另一方面，期間1 402爲顯示靜態影像之期間。將說明 期間1 402中時序圖。在期間1 402中，時脈信號GCK、起始 -21 - 201137820 脈衝GSP、時脈信號SCK及起始脈衝SSP之供應停止；及已 供應予源極線125之影像信號Data之供應亦停止。在期間 1402，時脈信號GCK及起始脈衝GSP之供應停止，電晶體 2 1 4關閉及像素電極處於浮動狀態。 此外，顯示控制電路1 1 3供應切換電晶體1 27關閉之電 位予切換電晶體127之端子12 6A，使得共同電極成爲浮動 狀態。 在期間1 402中，顯示元件21 5之兩電極，即像素電極 及共同電極成爲浮動狀態：因而，可顯示靜態影像而未進 一步供應電位。 此外，至閘極線驅動電路1 2 1 A及源極線驅動電路1 2 1 B 之時脈信號及起始脈衝的供應停止，藉此可達成低電力消 耗。 尤其，藉由使用具有較低關閉狀態電流之電晶體用做 電晶體214及切換元件127之每一者，可抑制施加於顯示元 件2 1 5之二電極的電壓隨時間降低。 其次，將參照圖5 A及5 B說明移動影像切換爲靜態影像 之期間（圖4中期間1 403 )及靜態影像切換爲移動影像之 期間（圖4中期間1404) ’顯不控制電路之作業。圖5A及 5B顯示高電源電位Vdd、時脈信號（此處爲GCK)、起始 脈衝信號（此處爲GSP)及端子126A之電位，其均爲從顯 示控制電路輸出之信號。 圖5A顯示移動影像切換爲靜態影像之期間1403中顯示 控制電路之作業。顯示控制電路停止起始脈衝G S P之供應 -22- 201137820 (圖5A中El，第一步驟）。其次，在脈衝輸出達到移位暫 存器之末級之後，複數時脈信號GCK之供應停止（圖5A中 E2 ’第二步驟）。接著’電源電壓之高電源電位Vdd改變 爲低電源電位Vss (圖5A中E3，第三步驟）。之後，端子 126A之電位改變爲切換電晶體127關閉之電位（圖5A中E4 ，第四步驟）。 經由上述步驟，可停止供應信號予驅動電路部1 2丨而 無驅動電路部1 2 1之故障。當移動影像切換爲靜態影像時 之故障產生雜訊，且雜訊保持做爲靜態影像；因而，顯示 裝置經提供而具不太可能故障之顯示控制電路，可顯示幾 乎不惡化之靜態影像。 其次，圖5B顯示靜態影像切換爲移動影像之期間14〇4 中顯示控制電路之作業。基於顯示控制電路，端子1 26 A之 電位改變爲切換電晶體1 2 7開啓之電位（圖5 B中S 1，第一 步驟）。接著，電源電壓從低電源電位Vss改變爲高電源 電位Vdd (圖5B中S2，第二步驟）。之後，供應高電位做 爲時脈信號GCK，接著供應複數時脈信號GCK (圖5B中S3 ，第三步驟）。其次，供應起始脈衝信號GSP (圖5B中S4 ，第四步驟）。 經由上述步驟，重新起始至驅動電路部121之信號供 應而無驅動電路部1 2 1之故障。佈線之電位相繼改變回顯 示移動影像時之狀況，藉此可驅動驅動電路部而無故障。 圖6示意地顯示顯示移動影像之期間6 0 1及顯示靜態影 像之期間6〇2中’訊框期間中影像信號的寫入頻率。在圖6 -23- 201137820 中，「W」表示影像信號寫入期間，及「Η」表示影像信 號保持期間。此外，期間603爲圖6中一訊框期間；然而’ 期間603可爲不同期間。 因而，在依據本實施例之顯示裝置的結構中，期間 602中所示之靜態影像的影像信號於期間604中寫入，及期 間604中寫入之影像信號係於期間602中另一期間保持。 在本實施例中說明做爲範例之顯示裝置中，可降低顯 示靜態影像期間影像信號的寫入頻率。結果’可降低顯示 靜態影像時之電力消耗。 若藉由重寫相同影像複數次而顯示靜態影像，人眼可 識別影像切換，其導致眼睛疲勞。由於在依據本實施例之 顯示裝置中影像信號之寫入頻率降低，眼睛疲勞可較不嚴 重。 尤其在依據本Κ施例之顯示裝置中，像素中提供各具 有較低關閉狀態電流之電晶體，並用於共同電極之切換元 件，使得電壓可保持於儲存電容器中達較長期間（時間） 。因而，可顯著降低影像信號之寫入頻率，導致顯示靜態 影像時電力消耗大幅降低，且眼睛疲勞相當低。 如上述，當顯示裝置處於開啓狀態時，其中電源開啓 使得以供應電力，適當依據連續訊框之影像信號選擇移動 影像顯示模式或靜態.影像顯示模式’藉此可降低電力消耗 ，且藉由具靜態影像顯示模式中所示之所欲影像的停止設 備，顯示裝置置於關閉狀態’藉此可改進安全程度及方便 程度》 -24- 201137820 因此，顯示裝置可更方便及低電力消耗，並可提供驅 動該等顯示裝置之方法。 (實施例2 ) 在本實施例中，將說明可應用於本說明書中所揭露之 顯示裝置之電晶體的另一範例。可應用於本說明書中所揭 露之顯示裝置之電晶體的結構無特別限制，例如可使用諸 如交錯結構或平面結構之頂閘結構或底閘結構。電晶體可 具有形成一通道形成區之單閘極結構、形成二通道形成區 之雙閘極結構、或形成三通道形成區之三閘極結構。另一 方面，電晶體可具有包括提供於通道區之上及之下之二閘 極電極層的雙重閘極結構，並具閘極絕緣層提供其間。圖 7A至7D描繪電晶體之截面結構的範例。圖7A至7D中所描 繪之電晶體各包括氧化物半導體做爲半導體。使用氧化物 半導體之優點爲可以相對簡單及低溫程序獲得高移動率及 低關閉狀態電流；然而，不用說可使用另一半導體。 圖7A中所描繪之電晶體410爲底閘薄膜電晶體之一， 亦稱爲反向交錯薄膜電晶體。 電晶體410於具有絕緣表面之基板400之上包括閘極電 極層401、閘極絕緣層4〇2、氧化物半導體層403、源極電 極層405a及汲極電極層405b。覆蓋電晶體410之絕緣層40 7 堆疊於氧化物半導體層403之上。保護絕緣層409係形成於 絕緣層4 0 7之上。 圖7B中所描繪之電晶體420爲稱爲通道保護電晶體（ -25- 201137820 通道停止電晶體）亦稱爲反向交錯薄膜電晶體之底閘電晶 體之一。 電晶體420於具有絕緣表面之基板400之上包括閘極電 極層401'閘極絕緣層402、氧化物半導體層4 03、做爲通 道保護層覆蓋氧化物半導體層40 3之通道形成區的絕緣層 427、源極電極層405a、及汲極電極層405b。保護絕緣層 4〇9經形成以覆蓋電晶體420。 圖7C中所描繪之電晶體430爲底閘薄膜電晶體，於具 有絕緣表面之基板的基板400之上包括閘極電極層401、閘 極絕緣層402、源極電極層405a、汲極電極層405b及氧化 物半導體層403。此外，絕緣層407經提供以覆蓋電晶體 430，並接觸氧化物半導體層403。保護絕緣層409係形成 於絕緣層407之上。 在電晶體43 0中，閘極絕緣層402係提供於基板400及 閘極電極層401之上，並與其接觸；且源極電極層405 a及 汲極電極層405b係提供於閘極絕緣層402之上，並與其接 觸。此外，氧化物半導體層403係提供於閘極絕緣層402、 源極電極層405a及汲極電極層405b之上。 圖7D中所描繪之薄膜電晶體440爲頂閘薄膜電晶體之 —。電晶體440於具有絕緣表面之基板400之上包括絕緣層 43 7、氧化物半導體層403、源極電極層405 a、汲極電極層 4 0 5 b、閘極絕緣層4 0 2及閘極電極層4 0 1。佈線層4 3 6 a及佈 線層43 6b經提供而分別接觸及電性連接源極電極層40 5 a及 汲極電極層405b ^ -26- 201137820 在本實施例中，如上述，氧化物半導體層403用做半 導體層。有關用於氧化物半導體層40 3之氧化物半導體， 可使用諸如In-Sn-Ga-Zn-O基氧化物半導體之四金屬元素 氧化物；諸如In-Ga-Ζη-Ο基氧化物半導體、In-Sn-Zn-Ο基 氧化物半導體、In-Al-Zn-O基氧化物半導體、Sn-Ga-Zn-0 基氧化物半導體、Al-Ga-Zn-0基氧化物半導體或Sn-Al-Zn-〇基氧化物半導體之三金屬元素氧化物；或諸如Ιη-Ζπ-0基 氧化物半導體、Sn-Zn-Ο基氧化物半導體、Al-Ζη-Ο基氧化 物半導體、Zn-Mg-Ο基氧化物半導體、Sn-Mg-Ο基氧化物 半導體或In-Mg-Ο基氧化物半導體之二金屬元素氧化物； In-Ο基氧化物半導體；Sn-O基氧化物半導體；或Ζη-0基氧 化物半導體。此外，Si02可包含於上述氧化物半導體中。 此處，例如In-Ga-Zn-O基氧化物半導體爲包含至少In、Ga 及Zn之氧化物，對其組成比例並無特別限制。此外，In-Ga-Ζη-Ο基氧化物半導體可包含In、Ga及Zn以外元素。 對氧化物半導體層403而言，可使用以化學式ΙπΜ03 ( ZnO ) m ( m>0 )表示之薄膜。此處，Μ代表選自Ga、Α1、 Μη及Co之一或多項金屬元素。例如，Μ可爲Ga、Ga及A1 、Ga 及 Μη、Ga 及 Co 等。 在電晶體410、420、430及440中，各包括氧化物半導 體層403，可降低關閉狀態中電流値（關閉狀態電流値） 。因此，諸如影像信號之電氣信號可保持較長時間，使得 寫入間隔可設定較長。因此，可降低刷新作業之頻率，此 導致抑制電力消耗之效果。 -27- 201137820 再者，可顯示靜態影像同時電源關閉之期間可較長， 導致改進不便。 此外，在電晶體410、420、430及440中，各包括氧化 物半導體層403，可獲得相對高場效移動率，藉此可高速 作業。因此，藉由使用顯示裝置之像素部中任一電晶體， 可抑制分色及可提供高品質影像。由於電路部及像素部中 電晶體可分別形成於一基板之上，可降低顯示裝置之組件 數量。 儘管對用於具有絕緣表面之基板400之基板無特別限 制，可使用鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等玻璃基板 〇 在底閘電晶體410、420及430中，做爲基膜之絕緣膜 可提供於基板與閘極電極層之間。基膜具有避免雜質元素 從基板擴散之功能，並可使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、 氮氧化矽膜及氧氮化矽膜的一或多項膜而形成具有單層或 層級結構。 閘極電極層401可使用諸如鉬、鈦、鉻、钽、鎢、錦 、銅、銨或銃之金屬材料，或包含該些材料之任一項做爲 其主要成分之合金材料，而形成具有單層或層級結構。 閘極絕緣層4〇2可使用氧化矽層、氮化矽層、氧氮化 砂層、氮氧化砂層、氧化銘.層、氮化銘層、氧氮化銘層、 氮氧化鋁層及氧化給層之任一項，藉由電漿CVD法、濺鍍 法等而形成具有單層或層級結構。例如，藉由電漿CVD法 ，形成具50 nm至200 nm (含）厚度之氮化矽層（SiNy ( -28- 201137820 y>〇))做爲第一閘極絕緣層，及於第一閘極絕緣層之上 形成具5 nm至300 nm (含）厚度之氧化矽層（SiOx(x>〇 ))做爲第二閘極絕緣層，使得以形成具200 urn總厚度之 閘極絕緣層。 用於源極電極層405a及汲極電極層405b之導電膜可使 用選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo及W之元素、包含該些元 素之任一項之合金膜、包含該些元素之任一項之組合之合 金膜等，予以形成。另一方面，可使用一種結構其中Ti、 Mo、W等高熔點金屬層係提供於Al、Cu等金屬層之上及/ 或之下。此外，藉由使用添加元素（Si、Nd、Sc等）之A1 材料，此可避免A1膜中產生凸起或晶鬚，可增加耐熱性。 可將類似於源極電極層405 a及汲極電極層405b之材料 用於導電膜，諸如分別連接源極電極層40 5 a及汲極電極層 4〇5b之佈線層4 3 6a及佈線層43 6b。 另一方面，可使用導電金屬氧化物形成將成爲源極電 極層405a及汲極電極層405b (包括於與源極及汲極電極層 相同層中形成之佈線層）之導電膜。有關導電金屬氧化物 ，可使用氧化銦（Ιη203 )、氧化錫（Sn02 )、氧化鋅（ ZnO) '氧化姻-氧化錫合金（In2〇3-Sn〇2，縮寫爲ITO) 、氧化銦-氧化鋅合金（Ιη203-Ζη0 )、或包含氧化矽之任 ~項該些金屬氧化物材料。 有關絕緣層407、427及437之每一項，典型地可使用 無機絕緣膜，諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、或 氧氮化鋁膜。 -29 ~ 201137820 有關保護絕緣層409，可使用無機絕緣膜，諸如氮化 矽膜、氮化鋁膜、氮氧化矽膜、或氮氧化鋁膜。 此外，平坦化絕緣膜可形成於保護絕緣層409之上， 以便降低因電晶體之表面不平坦。有關平坦化絕緣膜，可 使用諸如聚醯亞胺、丙烯酸或苯並環丁烯之有機材料。除 了該等有機材料之外，亦可使用低介電常數材料（低k材 料）等。請注意，平坦化絕緣膜可藉由堆疊使用該些材料 之任一項形成之複數絕緣膜而予形成。 因而，本實施例中藉由使用包括具有小關閉狀態電流 値之氧化物半導體層的電晶體，顯示裝置消耗較小電量， 可以關閉狀態顯示所欲影像，因而可高度方便》 (實施例3 ) 在本實施例中，將參照圖8A至8 E詳細說明包括氧化物 半導體層之電晶體的範例，及用於製造包括氧化物半導體 層之電晶體之方法的範例。與上述實施例相同部分，及具 有類似於上述實施例中功能之部分及類似於上述實施例中 步驟，可如同上述實施例中處理，並省略重複說明。此外 ，相同部分之詳細說明未重複。 圖8A至8E描繪電晶體之截面結構範例。圖8A至8£中 所描繪之電晶體5 1 0爲底閘反向家錯薄膜電晶體，其類似 於圖7A中所描繪之電晶體410。 本實施例中用於半導體層之氧化物半導體爲i型（本 質）或實質上i型（本質）氧化物半導體。i型（本質）或 -30- 201137820 實質上i型（本質）氧化物半導體係以下列方式獲得，即 從氧化物半導體移除η型雜質之氫，且氧化物半導體被高 度純化以便包含盡可能少之非氧化物半導體主要成分之雜 質。換言之，高度純化i型（本質）半導體或接近之半導 體並非藉由添加雜質而係藉由盡可能降低諸如氫或水之雜 質，而予獲得。因而，電晶體510中所包括之氧化物半導 體層爲高度純化並成爲電氣i型（本質）之氧化物半導體 層。 此外，純化氧化物半導體包括極少載子（接近零）’ 且其載子濃度爲低於1 X 1 0 1 4/cm3，較佳地爲低於1 X 1 〇 12 /cm3，更佳地爲低於lxl〇"/cm3。 由於氧化物半導體包括極少載子’電晶體中關閉狀態 電流可降低。關閉狀態電流量愈小愈好。 具體地，在包括氧化物半導體層之電晶體中’室溫下 每微米通道寬度之關閉狀態電流密度可爲小於或等於1 0 aA/μιη ( 1χ1(Γ17 Α/μιη )，進一步爲小於或等於 1 aA/μιη ( 1Χ10-18 Α/μηι)，更進一步爲小於或等於 1〇 ζΑ/μηι ( lxl(r2Q Α/ μπι )。 當關閉狀態之電流値（關閉狀態電流値）極小之電晶 體用做實施例1之像素部中電晶體時’可以少的影像資料 寫入次數來執行靜態影像區中刷新作業。 此外，在包括氧化物半導體層之電晶體5 1 0中’幾乎 觀察不到開啓狀態電流之溫度相依性，且關閉狀態電流保 持極低。 -31 - 201137820 以下將參照圖8A至8E說明基板505之上製造電晶體510 之步驟。 首先，於具有絕緣表面之基板5 05之上形成導電膜， 接著經由第一光刻程序而形成閘極電極層5 1 1。請注意， 可藉由噴墨法形成抗蝕罩。藉由噴墨法形成抗蝕罩不需光 罩；因而，可降低製造成本。 有關具有絕緣表面之基板5 05，可使用類似於實施例2 中所說明之基板400的基板》在本實施例中，玻璃基板用 做基板505。 基板505與閘極電極層5 1 1之間可提供做爲基膜之絕緣 膜。基膜具有避免雜質元素從基板5 05擴散之功能，並可 使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜及氧氮化矽膜 之一或多項膜而形成具有單層或層級結構。 閘極電極曆5 1 1可使用諸如鉬、鈦、鉬、鎢、鋁、銅 、鈸或航之金屬材料，或包含該些材料之任一項做爲其主 要成分之合金材料，而形成具有單層或層級結構。 接著，閘極絕緣層5 07係形成於閘極電極層511之上。 閘極絕緣層507可使用氧化砂層、氮化砂層、氧氮化砂層 、氮氧化矽層、氧化鋁層、氮化鋁層、氧氮化鋁層、氮氧 化鋁層、及氧化給層之任一項，藉由電漿CVD法、濺鍍法 等而形成具有單層或層級結構。 有關本實施例中氧化物半導體層，使用藉由移除雜質 而成爲i型或實質上i型之氧化物半導體。該等高度純化氧 化物半導體極易受到介面位準或介面電荷影響；因此，氧 -32- 201137820 化物半導體層與閘極絕緣層之間介面是重要的。爲此原因 ，接觸高度純化氧化物半導體之閘極絕緣層需具有高品質 〇 例如，較佳地使用使用微波（具例如2 · 4 5 G Η Z之頻率 )之高密度電漿CVD法，因爲可形成密集且具有高耐受電 壓及高品質之絕緣膜。當高度純化氧化物半導體及高品質 閘極絕緣層彼此緊密接觸時，可降低介面位準，且介面特 性可爲有利的。 不用說可使用另一膜形成法，諸如濺鍍法或電漿CVD 法，只要可形成高品質絕緣層做爲閘極絕緣層即可。再者 ，可形成絕緣層其品質及與氧化物半導體之介面特性經由 於絕緣層形成之後執行之熱處理而予改進。無論如何，形 成絕緣層其具有有利的品質做爲閘極絕緣層，並可降低與 氧化物半導體之介面狀態密度以形成有利的介面。 此外，爲使閘極絕緣層507及氧化物半導體膜5 3 0盡可 能少包含氫、烴基及濕氣，較佳的是其上形成閘極電極層 511之基板505，或其上形成直至包括閘極絕緣層507之層 的基板5 05，於濺鑛設備之預熱室中執行預熱，做爲氧化 物半導體膜53 0之形成的預處理，使得吸附至基板505之諸 如氫及濕氣之雜質排除及排空。有關預熱室中所提供之排 空設備，低溫泵較佳。請注意，此預熱處理可省略。此預 熱步驟於絕緣層5 1 6形成之前，可類似地於其上形成直至 包括源極電極層515a及汲極電極層515b之層的基板505上 執行。 -33- 201137820 其次，於閘極絕緣層507之上形成具有2 nm至200 nm (含）厚度之氧化物半導體膜5 3 0，較佳地爲5 nm至30 nm (含）（詳圖8A)。 請注意，在藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜530之前 ，較佳地藉由導入氬氣並產生電漿之反向濺鍍移除附著於 閘極絕緣層507表面之粉狀物質（亦稱爲粒子或灰塵）。 反向濺鍍係指一種方法，其中未施加電壓於靶材側，RF電 源用於在氬氣中施加電壓於基板側，而於基板附近產生電 漿以修改表面。請注意，除了氬氣之外，可使用氮氣、氦 氣、氧氣等。 有關用於氧化物半導體膜530之氧化物半導體，可使 用實施例2中所說明之氧化物半導體，諸如四金屬元素氧 化物、三金屬元素氧化物、二金屬元素氧化物、In-Ο基氧 化物半導體、Sn-O基氧化物半導體、或Ζη-0基氧化物半導 體。此外，Si02可包含於上述氧化物半導體中。在本實施 例中’以In-Ga-Zn-Ο基金屬氧化物靶材藉由濺鍍法而形成 氧化物半導體膜53 0。此階段之截面圖相應於圖8A。另一 方面’氧化物半導體膜53 0可藉由濺鍍法於稀有氣體（典 型爲氬）、氧氣、或稀有氣體及氧之混合氣體中予以形成 〇 有關藉由濺鍍法用於形成氧化物半導體膜530之靶材 ’例如可使用具下列組成比例之靶材：ln203 : Ga203 : Ζ η Ο之組成比例爲1 : 1 : 1 [摩爾比](即I n : g a : Z η = 1 : 1 :0.5[原子比])。另一方面，可使用具下列組成比例之靶 -34- 201137820 材：In : Ga : Zn之組成比例爲1 : 1 : 1 [原子比]或1 : 1 : 2[ 原子比]。金屬氧化物靶材之塡充率爲90%至100% (含） ，較佳地爲95%至99.9% (含）。使用具高塡充率之金屬氧 化物靶材，形成密集氧化物半導體膜。 較佳的是諸如氫、水、烴基及氫化物之雜質移除之高 純度氣體用做用於形成氧化物半導體膜53 0之濺鍍氣體》 基板被置於保持減壓之沉積室中，基板溫度設定爲 l〇〇°C至600°C (含），較佳地爲200°C至400°C (含）。執 行沉積同時加熱基板，藉此可降低所形成之氧化物半導體 層中所包含之雜質濃度。此外，可降低因濺鍍之損害。接 著，氫及濕氣移除之濺鏟氣體導入剩餘濕氣移除之沉積室 ，及使用靶材於基板5 05之上形成氧化物半導體膜53 0。爲 移除沉積室中剩餘濕氣，較佳地使用截留型真空泵，諸如 低溫泵、離子泵或鈦昇華泵。此外，排空設備可爲經提供 而具冷阱之渦輪泵。在以低溫泵排空之沉積室中，移除氫 原子、諸如水（H20 )之包含氫原子之化合物（更佳地連 同包含碳原子之化合物）等，藉此可降低沉積室中所形成 之氧化物半導體膜中雜質濃度。 沉積狀況之範例如下：基板與靶材之間距離爲1 〇〇 mm ，壓力爲〇·6 Pa，直流（DC)電力爲0.5 kW，及氣體爲氧 氣（氧之流率爲1 〇〇 % )。請注意，脈衝直流電源較佳， 因爲可降低沉積中所產生之粉狀物質（亦稱爲粒子或灰塵 )，且膜厚度可均勻。 其次，氧化物半導體膜5 3 0經由第二光刻程序而被處 -35- 201137820 理爲島形氧化物半導體層。用於形成島形氧化物半導體層 之抗蝕罩可藉由噴墨法予以形成。藉由噴墨法形成抗蝕罩 不需光罩；因而，可降低製造成本。 若於閘極絕緣層5 07中形成接觸孔，可以與氧化物半 導體膜53 0之處理同時執行形成接觸孔之步驟。 對於氧化物半導體膜530之蝕刻而言，可使用濕式蝕 刻及乾式蝕刻之一或二者。有關用於氧化物半導體膜530 之濕式蝕刻之蝕刻劑，可使用例如磷酸、乙酸及硝酸之混 合溶液，或氫氧化鞍-過氧化氫混合物（3 1重量％過氧化氫 溶液：28重量％氨水：水=5 : 2 : 2 )。此外，亦可使用 ITO07N ( ΚΑΝΤΟ CHEMICAL CO.，INC.製造）。 其次，於氧化物半導體曆上執行第一熱處理。經由第 —熱處理氧化物半導體層可脫水或脫氫。第一熱處理之溫 度爲400°C至75 0 °C (含）或高於或等於400°C，及低於基 板之應變點。此處，基板被置入一種熱處理設備之電熔爐 ，並以450 °C於氮氣中在氧化物半導體層上執行熱處理達 一小時，接著氧化物半導體層未曝露於空氣，使得以避免 水及氫進入氧化物半導體層；因而，獲得氧化物半導體層 53 1 (詳圖 8B )。 請注意，熱處理設備不侷限於電熔爐，而是可包括一 種裝置，用於藉由來自諸如電阻加熱元件等之加熱元件的 熱傳導或熱輻射而加熱將處理之目標。例如，可使用快速 熱退火（RTA )設備，諸如氣體快速熱退火（GRTA )設 備或LRTA (燈快速熱退火）設備。LRTA設備爲一種設備 -36- 201137820 ，用於藉由自諸如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、 燈、高壓鈉燈或高壓水銀燈之燈所發射光的輻射（電 )而加熱將處理之目標。GRTA設備爲用於使用高溫 而熱處理之設備。有關該高溫氣體，係使用未於熱處 與將處理之目標反應之惰性氣體，諸如氮，或氬之稀 體。 例如，有關第一熱處理，可執行GRTA，其中基 移入加熱至65(TC至7 00 °C高溫之惰性氣體，加熱達若 鐘，並移出加熱至高溫之惰性氣體。 請注意，在第一熱處理中，較佳的是氮或諸如氦 或氬之稀有氣體中未包含水、氫等。較佳的是被導入 理設備之氮或諸如氦、氖或氬之稀有氣體之純度可設 6N ( 99.9999%)或更高，較佳地爲 7N ( 99.99999%) 局（即’雜質濃度被設疋爲1 ppm或更低，較佳地. ppm或更低）。 此外，在氧化物半導體層於第一熱處理中加熱之 高純度氧氣、高純度N20氣體、或極乾燥空氣（具有 或更低之露點，較佳地爲-6 0 °C或更低）可導入相同 。較佳的是氧氣或N20氣體中未包含水、氫等。導入 理設備之氧氣或N20氣體的純度較佳地爲6N或更高， 地爲7N或更高（即氧氣或N20氣體中雜質之濃度較佳 1 ppm或更低’更佳地爲0.1 ppm或更低）。藉由氧 N20氣體之作用而供應氧，其係氧化物半導體中所包 主要成分並於藉由脫水或脫氫移除雜質之步驟同時 碳弧 磁波 氣體 理中 有氣 板被 干分 ' % 熱處 定爲 或更 爲0 _ 1 後， -40°C 熔爐 熱處 更佳 地爲 氣或 含之 低， -37- 201137820 使得氧化物半導體層可爲高度純化及電氣i型（本質）氧 化物半導體。 氧化物半導體層之第一熱處理可於未被處理爲島形氧 化物半導體層之氧化物半導體膜53 0上執行。在此狀況下 ，基板於第一熱處理之後被取出加熱設備，接著執行光刻 程序。 請注意，除了上述時機之外，第一熱處理可於任一下 列時機執行，只要係氧化物半導體層沉積之後即可：於源 極電極層及汲極電極層形成於氧化物半導體層上之後：及 絕緣層形成於源極電極層及汲極電極層上之後。 此外，可於第一熱處理於半導體膜53 0之上執行之前 或之後，執行於閘極絕緣層5 07中形成接觸孔之步驟。 此外，有關氧化物半導體層，具有大厚度之結晶區（ 單晶區），即其c軸垂直於膜表面對齊之結晶區之氧化物 半導體層，可藉由執行沉積兩次及執行熱處理兩次而予形 成，無關乎使用之基底成分材料’諸如氧化物、氮化物或 金屬。例如，形成具3 nm至1 5 nm (含）厚度之第一氧化 物半導體膜，於氮、氧、稀有氣體或乾燥空氣中以45 0 °C 至8 50°C (含）之溫度執行第—熱處理，較佳地爲5 50°C至 7 5 0 °C (含），使得於包括表面之區域中形成具有結晶區 (包括片狀晶體）之第—氧化物半導體膜。接著，形成具. 有較第一氧化物半導體膜更大厚度之第二氧化物半導體膜 ，並以450 °C至850 °C (含）之溫度執行第二熱處理’較佳 地爲6 0 0 °C至7 〇 〇 °C (含），使得使用第一氧化物半導體膜 -38- 201137820 做爲晶體生長之晶種，而晶體向上升長，因而整個第二氧 化物半導體膜結晶。以此方式，可形成具有大厚度之結晶 區的氧化物半導體層。 其次，做爲源極及汲極電極層之導電膜（包括與源極 及汲極電極層相同層中所形成之佈線）形成於閘極絕緣層 507及氧化物半導體層531之上。對做爲源極及汲極電極層 之導電膜而言，可使用用於實施例2中所說明之源極電極 層405a及汲極電極層405b的材料。 經由第三光刻程序，於導電膜之上形成抗蝕罩，並執 行選擇性蝕刻，使得以形成源極電極層5 1 5a及汲極電極層 515b。之後，移除抗蝕罩（詳圖8C)。 於第三光刻程序中形成抗蝕罩之曝光，可使用紫外光 、KrF雷射光或ArF雷射光予以執行。之後將完成之電晶體 的通道長度L，係藉由氧化物半導體層531上彼此相鄰的源 極電極層之下緣與汲極電極層之下緣之間之距離而予決定 。若執行短於25 nm之通道長度L的曝光，第三光刻步驟中 抗蝕罩形成時之曝光，可使用具有若干奈米至數十奈米之 極短波長的遠紫外光來執行。使用遠紫外光之曝光，導致 高解析度及大深度聚焦。因而，之後將完成之電晶體之通 道長度L，可爲10 nm至1000 nm (含），並可增加電路之 作業速度。 爲減少用於光刻程序中光罩之數量及減少光刻程序之 數量，可使用多色調遮罩來執行蝕刻步驟，多色調遮罩爲 曝光遮罩，光透射此以便具有複數強度。由於使用多色調 -39- 201137820 遮罩形成之抗蝕罩具有複數厚度，並可藉由執行蝕刻而改 變形狀；因此，抗蝕罩可用於複數蝕刻步驟而處理爲不同 型樣。因此，可以一多色調遮罩而形成相應於至少二或更 多種不同型樣之抗蝕罩。因而，可減少曝光遮罩之數量， 亦可減少相應光刻程序之數量，藉此可體現製造程序之簡 化。 請注意，想望蝕刻狀況最佳化，使得當蝕刻導電膜時 氧化物半導體層53 1不被蝕刻及劃分。然而，難以獲得僅 導電膜蝕刻而氧化物半導體層53 1 —點都未蝕刻之蝕刻狀 況。有時，當導電膜蝕刻時，僅部分氧化物半導體層531 被蝕刻爲具有槽部（凹部）之氧化物半導體層。 在本實施例中，由於Ti膜用做導電膜及In-Ga-Zn-O基 氧化物半導體用做氧化物半導體層531，氫氧化銨-過氧化 氫混合物（31重量％過氧化氫溶液：28重量％氨水：水=5 :2 : 2 )用做蝕刻劑。 其次，經由使用諸如N20、比或Ar之氣體的電漿處理 ，可移除氧化物半導體層之暴露部分表面所吸附之水等。 若執行電漿處理，形成絕緣層5 1 6而未暴露於空氣，做爲 保護絕緣膜並接觸氧化物半導體層之一部分。 絕緣層5 1 6可適當地藉由一種方法，諸如濺鍍法，而 形成爲至少1 nm厚度，藉此諸如水或氫之雜質不進入絕緣 層5 1 6。當絕緣層5 1 6中包含氫時，可發生氫進入氧化物半 導體層，或藉由氫而提取氧化物半導體層中氧，藉此造成 氧化物半導體層之反向通道，而具有較低電阻（成爲η型 -40- 201137820 )，使得以形成寄生通道。因此’重要的是使用其中不使 用氫之沉積方法’以便形成包含盡可能少之氫的絕緣層 516 〇 在本實施例中，藉由濺鍍法形成200 nm厚度之氧化矽 膜，做爲絕緣層516。沉積中基板溫度可爲高於或等於室 溫及低於或等於3〇〇°C，本實施例中爲100°C。可於稀有氣 體（典型爲氬）、氧氣、或包含稀有氣體及氧之混合氣體 中，藉由濺鍍法而形成氧化矽膜。有關靶材，可使用氧化 矽靶材或矽靶材。例如，可使用矽靶材藉由濺鏟法於包含 氧之氣體中形成氧化矽膜。有關經形成而接觸氧化物半導 體層之絕緣層516，使用不包含諸如濕氣、氫離子及OPT之 雜質及阻止其從外部進入之無機絕緣膜。典型地，使用氧 化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、氧氮化鋁膜等。 若形成氧化物半導體膜5 3 0，爲移除絕緣層5 1 6之沉積 室中剩餘濕氣，較佳地使用截留型真空泵（諸如低溫泵） 。當使用低溫泵排空沉積室中所形成之絕緣層5 1 6時，可 降低絕緣層5 1 6之雜質濃度。此外，有關用於移除絕緣層 5 1 6之沉積室中剩餘濕氣的排空設備，可使用經提供而具 冷阱之渦輪泵。 較佳的是諸如氫、水、烴基及氫化物之雜質移除之高 純度氣體，用做用於形成絕緣層516之濺鍍氣體。 其次，第二熱處理係於惰性氣體或氧氣中（較佳地爲 200 °C至400 °C (含）之溫度，例如25 0°C至3 5 0°C (含）） 執行。例如，第二熱處理係於氮氣中以2 5 0 °C執行達一小 -41 - 201137820 時。在第二熱處理中，加熱氧化物半導體層之一部分（通 道形成區）並接觸絕緣層516。 經由上述步驟，於氧化物半導體膜上執行第一熱處理 ，使得諸如氫、濕氣、烴基、及氫化物（亦稱爲氫化合物 )之雜質從氧化物半導體層刻意移除。此外，可供應氧， 其爲氧化物半導體之主要成分之一，並於移除雜質之步驟 中同步降低。因此，可使氧化物半導體層成爲高度純化及 電氣i型（本質）氧化物半導體。 經由上述程序，形成電晶體5 1 0 (圖8 D )。 當具有大fi缺陷之氧化矽層用做氧化物絕緣層5 1 6時 ，於氧化矽層形成之後執行之熱處理，具有氧化物半導體 層中所包含之諸如氫、濕氣、烴基或氫化物之雜質擴散進 入氧化物絕緣層之效果，使得氧化物半導體層中所包含之 雜質可進一步降低。 保護絕緣層5 06可形成於絕緣層516之上。例如，藉由 RF濺鍍法形成氮化矽膜。由於以RF濺鍍法可達成高生產 力，較佳地使用RF濺鍍法做爲保護絕緣層之形成方法。有 關保護絕緣層，使用不包含諸如濕氣之雜質及避免雜質從 外部進入之無機絕緣膜，諸如氮化矽膜或氮化鋁膜。在本 實施例中，使用氮化矽膜形成保護絕緣層做爲保護絕緣層 5 0 6 (詳圖 8 E )。 在本實施例中，有關保護絕緣層506，使用矽半導體 之靶材，藉由加熱其上形成包括直至絕緣層5 1 6之層的基 板505至100 °C至400 °C溫度，導入包含氫及濕氣移除之高 -42- 201137820 純度氮的濺鍍氣體，而形成氮化矽膜。在此狀況下，類似 於絕緣層516，較佳地形成保護絕緣層506同時移除沉積室 中剩餘濕氣。 在保護絕緣層形成之後，可進一步於空氣中以1 〇〇 £c 至200°C (含）溫度執行熱處理達1小時至30小時（含）。 此熱處理可以固定加熱溫度執行。另一方面，下列加熱溫 度改變可重複實施複數次：加熱溫度從室溫增加至1 〇〇 °C 至2 00 °C (含）之溫度，接著降至室溫。 以此方式，使用包括依據本實施例形成之高度純化氧 化物半導體層的電晶體，可進一步降低關閉狀態之電流値 (關閉狀態電流値）。因此，諸如影像信號之電氣信號可 保持較長時間，及寫入間隔可設定較長。因此，可降低刷 新作業之頻率，此導致抑制電力消耗之卓越效果。 再者，可顯示靜態影像同時電源關閉之期間可較長， 導致改進不便。 此外，在包括高度純化氧化物半導體層之電晶體中， 可獲得高場效移動率，藉此可高速作業。因此，藉由使用 顯示裝置之像素部中電晶體，可抑制分色，及可提供高品 質影像。由於電路部及像素部中電晶體可個別形成於一基 板之上，可降低顯示裝置之組件數量。 本實施例可適當與其他實施例中所說明之任一結構組 合而予實施。 (實施例4 ) -43- 201137820 本說明書中所揭露之顯示裝置可應用於各種電子設備 (包括遊戲機）。電子設備之範例爲電視裝置（亦稱爲電 視或電視機）、電腦等螢幕、諸如數位相機或數位攝影機 之相機、數位相框、行動電話（亦稱爲行動電話手機或行 動電話裝置）、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端機、視訊 再生裝置、諸如彈珠台之大型遊戲機等。將說明各包括上 述實施例之任一者中所說明之顯示裝置的電子設備之範例 圖9A描繪電子書（亦稱爲電子書閱讀器），可包括外 殻9630、顯示部9631、操作鍵9632、太陽能電池9633、及 充電及放電控制電路9634。圖9A中電子書可具有於顯示部 上顯示各類資料（例如靜態影像、移動影像及正文影像） 之功能；於顯示部上顯示日曆、日期、時間等之功能；於 顯示部上操作或編輯所顯示資料之功能；使用各類軟體（ 程式）控制處理之功能等。圖9A描繪充電及放電控制電路 963 4做爲範例，包括電池963 5、及DC-DC轉換器（以下縮 寫爲轉換器）963 6。藉由將依據實施例1至3之任一項的顯 示裝置應用於顯示部963 1，電子書可具有較高程度之便利 性及較高程度之安全，及消耗較小電量。 若使用圖9A中所描繪之結構，及使用半透射式或反射 式液晶顯示裝置做爲顯示部963 1，當環境光相對亮時預期 使用半透射式或反射式液晶顯示裝置，並藉由太陽能電池 963 3及電池963 5之電荷而有效率地執行發電，此係有利的 。可適當地於外殼963 0之未佔據空間（正面及背面）提供 -44- 201137820 太陽能電池9633，及有效率地執行電池963 5之電荷，此係 有利的。請注意，有利的是例如使用鋰離子電池做爲電池 963 5，因爲可達成尺寸降低。 將參照圖9B中方塊圖說明圖9A中所描繪之充電及放電 控制電路963 4的結構及作業。圖9B描繪太陽能電池963 3、 電池9635、轉換器9636、轉換器9637、開關SW1至SW3、 及顯示部9631。電池9635、轉換器9636、轉換器9637、及 開關SW1至SW3相應於充電及放電控制電路9634。 首先，將說明藉由使用外部光之太陽能電池963 3產生 電力之作業範例。藉由轉換器96 3 6提高或降低太陽能電池 所產生之電力的電壓，以便成爲充電電池9635之電壓。接 著，當來自太陽能電池963 3之電力用於顯示部9631之作業 時，開關SW1被開啓且藉由轉換器963 7而提高或降低電力 的電壓，以便成爲顯示部963 1所需電壓。此外，當未執行 顯示部9631上顯示時，開關SW1被關閉及開關SW2被開啓 ，使得電池9635可充電。 其次，將說明並非藉由使用外部光之太陽能電池963 3 產生電力之作業。藉由轉換器9637開啓開關SW3而提高或 降低累積於電池9635中電力之電壓。接著，來自電池963 5 之電力用於顯示部963 1之作業。 請注意，儘管說明太陽能電池9 6 3 3做爲充電設備之範 例，電池963 5可以另一設備充電。此外，可使用太陽能電 池9633與另一充電設備之組合。 圖10A爲筆記型個人電腦，包括外殼3001、外殼3002 -45- 201137820 、顯示部3003、鍵盤3004等。藉由將依據實施例1至3之任 一項的顯示裝置應用於顯示部3003，筆記型個人電腦可具 有較高程度之便利性及較高程度之安全，及消耗較小電量 〇 圖10B爲個人數位助理（PDA )，其經提供而具外殼 3021、顯示部3023、外部介面3025、操作按鈕3024等。此 外，存在觸控筆3 022做爲作業配件。藉由將依據實施例1 至3之任一項的顯示裝置應用於顯示部3 023，個人數位助 理（PDA )可具有較高程度之便利性及較高程度之安全， 及消耗較小電量。 圖10C描繪電子書閱讀器2700。例如，電子書閱讀器 2700包括二外殼，外殼2701及外殼2703。外殻2701及2703 藉由鉸鏈271 1而附著，使得電子書閱讀器2700可沿鉸鏈 271 1而開啓及關閉。基此結構，電子書閱讀器2700可如紙 本書般掌控。 顯示部270 5倂入外殻2701，顯示部2707倂入外殻2703 。顯示部2705及顯示部27 07可顯示一影像或不同影像。若 顯示部2705及顯示部2707顯示不同影像，例如右側顯示部 (圖10C中顯示部2705 )可顯示正文，及左側顯示部（圖 10C中顯示部2707 )可顯示圖表。藉由將依據實施例1至3 之任一項的顯示裝置應用於顯示部2 7 05，電子書閱讀器 27 00可具有較高程度之便利性及較高程度之安全，及消耗 較小電量。 圖10C描繪範例其中外殼270 1經提供而具作業部等。 -46- 201137820 例如，外殼2701包括電源2721、操作鍵2723、揚聲器27 2 5 等。以操作鍵2723可翻頁。請注意，鍵盤、指向裝置等亦 可提供於其上提供顯示部之外殼的表面。此外，外部連接 端子（耳機端子、USB端子等）、記錄媒體嵌入部等可提 供於外殼的背面或側面。此外，電子書閱讀器2700可具有 電子字典之功能。 此外，電子書閱讀器2700可無線發送及接收資料經由 無線通訊，可從電子書伺服器購買及下載所欲書籍資料等 〇 圖10D爲行動電話包括二外殻，外殼2800及外殼2801 。外殻2801包括顯示面板2802、揚聲器2803、麥克風28 04 、指向裝置28 06、相機鏡頭2 8 07、外部連接端子2808等。 此外，外殼2800包括充電行動電話之太陽能電池2810、外 部記憶體槽281 1等。此外，天線倂入外殼280 1。藉由將依 據實施例1至3之任一項的顯示裝置應用於顯示面板2802, 行動電話可具有較高程度之便利性及較高程度之安全，及 消耗較小電量。 此外，如圖10D中虛線所描繪，顯示面板2 8 02經提供 而具觸控面板，且複數操作鍵28 05係以影像顯示。請注意 ’行動電話安裝升壓電路用於將太陽能電池28 10之輸出電 壓升壓爲每一電路所需電壓。 在顯示面板2802中’依據使用模式可適當改變顯示方 向。此外，由於相機鏡頭2 8 0 7係提供於與顯示面板2 8 0 2之 相同表面，行動電話可用做視訊電話。揚聲器2803及麥克 -47- 201137820 風28〇4不僅用於語音呼叫，亦用於視訊電話、記錄、播放 聲音等。再者，外殻2800及2801如圖10D中所描繪之開發 ，可滑動而使得其一置於另一之上；因此，可降低行動電 話尺寸，使行動電話適於攜帶。 外部連接端子2 8 08可連接任一電纜，諸如AC轉接器及 USB電纜，藉此行動電話可充電或可與個人電腦等執行資 料通訊。再者，藉由將記錄媒體插入外部記憶體槽2811， 行動電話可掌握大量資料之儲存及轉移。 此外，除了上述功能，可提供紅外線通訊功能、電視 接收功能等》 圖10E爲數位攝影機，包括主體3051、顯示部A 3057 、目鏡部3053、操作開關3054、顯示部B 3055、電池3056 等。藉由將依據實施例1至3之任一項的顯示裝置應用於顯 示部A 3 05 7及顯示部B 3 05 5，數位攝影機可具有較高程度 之便利性及較高程度之安全，及消耗較小電量。 圖1 〇 F描繪電視機9 6 0 0。電視機9 6 0 0具有倂入外殼 960 1之顯示部9603。影像可顯示於顯示部960 3上。請注意 ，此處外殼9601係藉由支架9605支撐。藉由將依據實施例 1至3之任一項的顯示裝置應用於顯示部9603，電視機9600 可具有較高程度之便利性及較高程度之安全，及消耗較小 電量。 電視機9600可藉由外殼9601之操作開關或個別遙控器 操作。再者，遙控器可具有顯示部，顯示從遙控器輸出之 資訊。 -48- 201137820 請注意，電視機9600經提供而具接收器、數據機等。 使用接收器可接收一般電視廣播。此外，當顯示裝置經由 數據機而有線或無線連接通訊網路時，亦可執行單向（從 發送端至接收端）或雙向（發送端與接收端之間或接收端 之間）資料通訊。 本實施例可適當與其他實施例中所說明之任一結構組 合而予實施。 本申請案係依據2010年1月2〇日向日本專利局提出申 請之序號2010-01 〇321日本專利申請案，其整個內容係以 提及方式倂入本文。 【圖式簡單說明】 圖1描繪驅動顯示裝置之方法之一模式。 圖2描繪顯示裝置之一模式。 圖3描繪顯示裝置之一模式。 圖4爲時序圖，描繪驅動顯示裝置之方法之一模式。 圖5A及5B爲時序圖，各描繪驅動顯示裝置之方法之一 模式。 圖6描繪驅動顯示裝置之方法之一模式。 圖7A至7D各描繪可應用於顯示裝置之電晶體之—楔 式。 圖8 A至8 E描繪製造可應用於顯示裝置之電晶體之方法 之一模式。 圖9A及9B描繪電子設備。 -49- 201137820 圖10A至10F各描繪電子設備。 【主要元件符號說明】 100 :顯示裝置 I 1 0 :影像處理電路 II 1 :記憶體電路 1 1 2 :比較器電路 1 1 3 :顯示控制電路 1 1 5 :選擇電路 120、2802:顯示面板 1 2 1 :驅動電路部 122 :像素部 1 2 3 :像素 1 2 4 :鬧極線 1 2 5 :源極線 126 :端子部 1 2 7 :切換電晶體 1 28 :共同電極 1 3 0 :背光部 1 3 1 :背光控制電路 1 3 2 :背光 1 3 3 :發光元件 2 0 3 :像素電路部 2 1 0 :電容器 -50- 201137820 214、 410、 420、 430' 440' 510：電晶體 2 1 5 :顯示元件 400、 505 ：基板 4 0 1、5 1 1 :閘極電極層 4 0 2、5 0 7 :閘極絕緣層 403、531 :氧化物半導體層 4 0 7 :絕緣層 4 0 9、5 0 6 :保護絕緣層 427 、 437 、 516 :絕緣層 53 0 :氧化物半導體膜 601 、 602 、 603 、 604 、 1401 、 1402 、 1403 、 1404 ：期 間 1 1 1 b :訊框記憶體 1 2 1 A _·閘極線驅動電路 1 2 1 B :源極線驅動電路 126A、 126B:端子 2700 :電子書閱讀器 2701 、 2703 、 2800' 2801 、 3001 、 3002、 3021 、 9601 、9 6 3 0 :外殼 2705 ' 2707、 3003、 3023、 9603、 9631 :顯示部 2711：鉸鏈 2 7 2 1 :電源 2723 ' 2805' 9632 ：操作鍵 2725、 2803 ：揚聲器 201137820 2804 :麥克風 2806:指向裝置 2 8 0 7 :相機鏡頭 2808 :外部連接端子 2810、9633:太陽能電池 2 8 1 1 :外部記憶體槽 3004 :鍵盤 3 022 ：觸控筆 3 0 2 4 :操作按鈕 3 0 2 5 :外部介面 3051 :主體 3 0 5 3 :目鏡部 3 0 5 4 :操作開關 3 05 5 :顯示部B 3056、 9635 ：電池

3 0 5 7 :顯示部A 405a、515a:源極電極層 405b ' 515b:汲極電極層 4 3 6 a、4 3 6 b :佈線層 9 6 0 0 :電視機 9605 :支架 9 6 3 4 :充電及放電控制電路 9636、9637:轉換器 -52

Claims (1)

1. 201137820 七、申請專利範圍： 1. 一種驅動顯示裝置之方法’包含： 藉由供應來自電源之電源電位而將影像顯示於螢幕上 i 將初始化影像信號寫入該顯示裝置； 將初始化影像顯示於該蜜幕上·•及 基於顯示於該螢幕上之該初始化影像而停止供應該電 源電位。 2. 如申請專利範圍第1項之驅動顯示裝置之方法，其 中藉由包含氧化物半導體之電晶體來控制供應該電源電位 〇 3 .如申請專利範圍第1項之驅動顯示裝置之方法，其 中藉由控制光源驅動之期間來設定該電源電位之供應停止 之後顯示該初始化影像之期間。 4.一種驅動顯示裝置之方法，包含： 藉由供應來自電源之電源電位而將影像顯示於螢幕上 » 供應保持及停止信號予該顯示裝置；及 基於顯示於該螢幕上之該影像而停止供應該電源電位 〇 5 .如申請專利範圍第4項之驅動顯示裝置之方法，其 中藉由包含氧化物半導體之電晶體來控制供應該電源電位 〇 6 .如申請專利範圍第4項之驅動顯示裝置之方法，其 -53- 201137820 中藉由控制光源驅動之期間來設定該電源電位之供應停止 之後顯示該影像之期間。 7 .如申請專利範圍第4項之驅動顯示裝置之方法，其 中於寫入一訊框之影像信號結束之後，該電源電位之供應 停止。 8. —種驅動顯示裝置之方法，包含： 藉由供應來自電源之電源電位及施加電壓於顯示元件 而將影像顯示於螢幕上； 將初始化影像信號寫入該顯示裝置； 將初始化影像顯示於該螢幕上；及 停止該電源電位之供應，同時藉由施加該電壓於該顯 示元件而將該初始化影像顯示於該螢幕上。 9. 如申請專利範圍第8項之驅動顯示裝置之方法，其 中藉由包含氧化物半導體之電晶體來控制供應該電源電位 〇 1 〇 ·如申請專利範圍第8項之驅動顯示裝置之方法，其 中藉由控制光源驅動之期間來設定該電源電位之供應停止 之後顯示該初始化影像之期間。 11.一種驅動顯示裝置之方法，包含： 藉由供應來自電源之電源電位及施加電壓於顯示元件 p將影像顯示於螢幕上： 供應保持及停止信號予該顯示裝置；及 停止該電源電位之供應，同時藉由施加該電壓於該顯 示元件而將該影像顯示於該螢幕上。 -54- 201137820 12. 如申請專利範圍第11項之驅動顯示裝置之方法’ 其中藉由包含氧化物半導體之電晶體來控制供應該電源電 位。 13. 如申請專利範圍第11項之驅動顯示裝置之方法’ 其中藉由控制光源驅動之期間來設定該電源電位之供應停 止之後顯示該影像之期間。 14. 如申請專利範圍第Η項之驅動顯示裝置之方法’ 其中於寫入一訊框之影像信號結束之後，該電源電位之供 應停止。 15. —種驅動顯示裝置之方法’包含： 藉由供應來自電源之電源電位通過電晶體及施加電壓 於顯示元件而將影像顯示於螢幕上； 將初始化影像信號寫入該顯示裝置； 將初始化影像顯示於該螢幕上；及 關閉該電晶體以使該顯示元件成爲浮動狀態，同時藉 由保持施加於該顯示元件之該電壓而將該初始化影像顯示 於該螢幕上。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之驅動顯示裝置之方法， 其中該電晶體包含氧化物半導體。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之驅動顯示裝置之方法， 其中藉由控制光源驅動之期間來設定該電晶體關閉之後顯 示該初始化影像之期間。 18.—種驅動顯示裝置之方法，包含： 藉由供應來自電源之電源電位通過電晶體及施加電壓 -55- 201137820 於顯示元件而將影像顯示於螢幕上； 供應保持及停止信號予該顯示裝 關閉該電晶體以使該顯示元件成 由保持施加於該顯示元件之該電壓而 幕上。 19.如申請專利範圍第18項之驅 其中該電晶體包含氧化物半導體。 2 0.如申請專利範圍第1S項之驅 其中藉由控制光源驅動之期間來設定 示該影像之期間。 2 1 .如申請專利範圍第1 8項之驅 其中於寫入一訊框之影像信號結#之 應停止。 置；及 爲浮動狀態，同時藉 將該影像顯示於該螢 動顯示裝置之方法， 動顯示裝置之方法， 該電晶體關閉之後顯 動顯示裝置之方法， 後，該電源電位之供