TW201026866A - Linear deposition source - Google Patents

Description

201026866 六、發明說明： 在此使用的標題僅作為組織上的目的且不應以任何方 式被建構為限制本申請案的標的。 相關申請案 本申請案主張申請於2009年2月27曰之美國臨時專 利申請案第61/156，348號題為「用於共沉積銅、銦、鎵之 沉積源、系統及相關方法」以及申請於2008年12月18日 之美國臨時專利申請案第61/156，932號題為「用於共沉積 銅、銦、鎵之沉積源、系統及相關方法」。在此美國臨時 申請案第61/156 ’ 348號及第61/156，932號的說明書全文 内容併入本文作為參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明關於用於產生一流束的源材料蒸氣以沉積在一 基板上的器械及方法。本發明亦關於線性沉積源，其合適 於產生一流束的源材料蒸氣以沉積材料在一基板上。 【先前技術】 多年來已使用大面積基板沉積系統用於加工數種類型 的基板材料之撓性網格基板（web substrate)及固定後板基 板。已設計許多習知系統以加工塑膠網格基板及固定嵌板 玻璃基板。該網格基板或是固定嵌板是直接通過一線性沉 積源上方。習知的線性沉積源是適於蒸發材料於一網格基 201026866 -板之上或是一固定喪板基板之上，其包含一船形㈣，該 ^典型地由一耐熱材料形成用於容納沉積源材料。該掛 瑪是放置-蒸氣出口管的内側中。該蒸氣出口管同時作用

為"一蒸發空間及一分備基翁的办pq Lb IJ. I 刀师瘵虱的工間。線性地沿著該源配置 一或是更多的蒸氣出口開口。 【發明内容】

在說明書中參考「一實施例」意指與該實施例連結而 描述的-特定的特徵，結構，或是特性等，其是包含在本 教不的至少-實施例中。在說明書中的各處之術語「在一 實施例中」非必須均指向相同的實施例。 應了解的是本教示方法的個別步驟只要本發明保持可 則可以任何次序及/或同時執行。此外，應了解的 本教不的ϋ械及方法只要本發明保持可操作的，則可包 3任何數量或是所有所敘述實施例。 較詳"不現在將參考顯示在隨附圖式之示範性實施例而 :寺：：描述。當本發明結合各種實施例及範例而描述 、非意欲限财發㈣料實施例。相反的，本發明 有：’改良及均等物I同由所屬技術領域中具 領域中具Si所能察知的。在此’了解本發明之所屬技術 之其他的實：Γ:者能夠識別如同在其他領域中所使用 的是涵蓋在本揭示内容之料内。“在此所敛述 本教示-般地關於用於產生一流束的源材料蒸氣之用 5 201026866 於沉積在-基板上的器械及方法。本發明的某些態樣關於 線性沉積源，其等是適於產生一流束的源材料蒸氣用於沉 積材料在一網格基板上，一固定嵌板基板，或是另—類型 的一伸長工作件。本發明的其他態樣關於線性沉積源，其 是合適於產生一流束的源材料蒸氣用於在一基板支架上沉 積材料，該支架支撐複數個傳統基板，諸如半導體基板。 在本教示許多實施例中，該等方法及器械關於藉由蒸 發而沉積。在此使用之術語「蒸發」意指轉換源材料為一 蒸氣以及包含所屬技術領域中常見的數個術語，諸如蒸發 (evaporation)，汽化（vaporization)，及昇華。被轉換為一蒸 氣的該源材料可處於任何狀態。在許多實施例中，使用本 教示的器械及方法以共-蒸發兩或是更多不同的材料至_ 基板上，諸如一網格基板或是一固定嵌板基板。在一些實 施例中，使用本教示的器械及方法以蒸發一單一材料至_ 基板上’諸如一網格基板或是一固定嵌板基板。

本教示的一項應用關於用於共-沉積銅、銦、鎵至_網 格基板或是一固定嵌板基板上的方法及器械。以鎵置換碼 化銅銦化合物（CIS化合物）之所有或部分銦是習知為銅銦 鎵硒化合物（CIGS化合物）。通常使用CIGS化合物以製造 光電伏打電池。特定的是，通常使用CIGS化合物為在薄媒 太陽能電池内的吸收層。這些CIGS化合物具有一直接能帶 間隙，其允許在電磁光譜的可見光區域中太陽輻射的強烈 吸收。與常見地所使用之具有其他類型吸收層化合物，諸 如碲化鎘（CdTe)及非晶矽（a-Si)之光電伏打電池相比CIGS 201026866 - 光電伏打電池已經被證實具有高的轉化效率以及良好的穩 定性。 CIGS吸收層為典型地p-類型化合物半導體層，具有良 好的結晶度。爲了高效率之光電操作一般須要良好的結晶 度以達到想要的電荷轉移特性。實際上，該CIGS吸收層必 須為至少部分地結晶以達成高效率之光電操作。結晶之 CIGS化合物具有一晶體結構，根據形成CIGS化合物所使 用之沉積溫度其可被定性為黃銅礦（chalcopyrite)和閃鋅礦 〇 (sphalerite)中任一者。 CIGS化合物可藉由各種技術形成。用於形成CIGS化 合物之一方法使用化學前驅物。該等化學前驅物被沉積在 薄膜中及後續地是被退火以形成想要的CIGS層。當CIGS 前驅物材料在一低溫下被沉積，該產生之CIGS薄膜是非結 晶形或是僅只微弱的結晶。CIGS薄膜是接著在升高的溫度 中退火以改善CIGS化合物的結晶而提供想要的電荷轉移 特性。 Θ 然而，必須在升高的溫度以造成CIGS薄膜部分結晶， 硒在沉積的薄膜中是較其他元素更容易揮發（volatile)的。 因此，硒經常在退火前驅物層時加入，以改善結晶及提供 CIGS化合物具有想要的組成及化學計量。形成CIGS薄膜 化合物的此方法是相對地耗時及需要大量的硒呈蒸汽狀 態，其增加製造的成本。 用於形成CIGS化合物的另一方法使用真空蒸發。與以 前驅物材料所製造的CIGS光電伏打電池相比藉由共-蒸發 7 201026866 製造之CIGS光電伏打電池可具有高光電轉換效率。在此方 法中，銅，銦，鎵，及硒是被共-蒸發至一基板上。共-蒸發 允許薄膜化學計量的精確控制及允許在薄膜光-吸收層中 的成分分級（compositional grading)。因此，可使用共蒸發 以精確地修改能帶間隙而達成最佳化的光電效能。然而， 銅，銦，鎵，及硒的共-蒸發是在一工業尺度上難以使用的 一製程技術，由於在一大的表面面積上均勻地蒸發材料是 困難的。 本教示的一態樣是提供沉積源，系統，及操作此源及 系統的方法以有效地及可控制地提供用於多種類型裝置的 製造’諸如CIGS光電伏打電池之多種蒸發源材料。本教示 的另-態樣是提供沉積源，系統，及操作此源及系統的方 法以有效地及可控制地提供用於多種類型裝置的製造諸 如有機發光二極體（〇LED)裝置之單—蒸發源材料。所屬技 術領域具有通常知識者將了解雖然本教示的一些態樣是結 合CIGS光電伏打電池及0LED裝置的製造而描述，在本揭 示内容之教示可應用於任何其他類型的裝置該裝置是可 使用蒸發材料而被製造。 【實施方式】 圖i描述根據本發明—線性沉積源刚的—截面立】 視圖’其包含複數個㈣102輕接至複數個傳導通道ι〇 及接著至複數個喷嘴106而呈 線性構形。複數個坩堝10 的每一者包含一蒸發源材料，其 丹了為相同或是不同的源木 201026866 ' 料。複數個的傳導通道1〇4的每一者之一輸入端是耗接至 複數個坩堝102的個別之一的一輸出端。在許多實施例中， 設計複數個傳導通道1〇4以至於蒸發材料在傳輸於複數個 傳導通道1 04中時，不會互相混合。 一外罩108包含複數個坩堝102。外罩1〇8由不鏞鋼或 是一相似材料形成。在一些實施例中，沿著該外罩〗〇8定 位流體冷卻通道。該外罩108亦包含一密封凸緣11〇，其附 接該外罩1 08至一真空腔室（未顯示）。線性沉積源ι〇〇的一 © 項特徵是該等坩堝是於該真空腔室外側及，因此，其等是 谷易地被填充及被使用’藉此增加可利用性。包含複數個 傳導通道104及複數個喷嘴1〇2的一本體112延伸超過該 外罩108的密封凸緣11 〇 ^在一些實施例中，沿著該本體 112定位該等流體冷卻通道。 顯示在圖1之實施例中，該源1 〇〇包含三個掛禍1 〇2 呈一線性構形，具有三個傳導通道1〇4的個別之一的輸入 &被麵接至二個堆瑪102的個別之一的輸出端^沿著複數 ® 個傳導通道104的每一者定位該等喷嘴106在複數個位置 中。然而，因為圖1為一截面視圖，在圖i中僅只顯示中 間的傳導通道104，及一半的喷嘴1〇6。 所屬技術領域具有通常之知識者將了解可使用數種類 型的坩堝。例如，複數個坩堝的至少一些可包含至少一坩 堝形成於另一坩堝的内侧，如結合圖4所描述。複數個坩 堝1〇2包含適於特定製造程序之蒸發材料。在許多實施例 中複數個坩堝1 的每一者包含一不同的蒸發材料。例 9 201026866 如，二個甜禍的每一者可包含銅，銦，及鎵中之一以便用 於有效地共-蒸發一CIGS基底光電裝置的一功能性的吸收 層。然而’在一些實施例中，複數個掛禍的至少兩個包含 相同沉積材料。例如，三個坩堝的每一者可包含單一材料 系統用於沉種用於OLED裝置之觸點。 疋位一或疋更多掛禍加熱器與複數個堆禍1〇2熱 連通。a又4及疋位該專掛禍加熱器114以增加複數個掛蜗 102的溫度以至於複數個坩堝1〇2的每一者蒸發其個別的 沉積源材料進入複數個傳導通道1〇4的個別之一。需要一 些坩堝加熱器114以加熱蒸發源材料至非常高的溫度。此 種坩堝加熱器可由石墨，碳化矽，耐熱材料，或是其他非 常高熔點材料形成。該等坩堝加熱器114可為一單一加熱 器或疋可為複數個加熱器。例如，在一實施例中，複數個 的坩堝加熱器的每一者可個別地控制以至於複數個坩堝加 熱器的個別之一是與複數個坩堝1〇2的每一者的個別之一 熱連通。 該等坩堝加熱器114可為任一類型的加熱器。例如， 該等掛禍加熱器114可為如圖1顯示之電阻加熱器在。一 電阻加熱器的一實施例是結合圖6A及6B而更詳細描述。 該等坩堝加熱器114亦可為數種類型的RF感應加熱器及/ 或是紅外線加熱器之一。在許多實施例中’所有坩堝加熱 器114是相同類型的加熱器。然而，在一些實施例中，兩 或是更多坩堝加熱器114是不同類型的加熱器，其具有不 同的熱特性用於蒸發不同的沉積源材料。 10 201026866 定位該等坩堝加熱器114或是分離傳導通道加熱器與 複數個傳導通道1〇4的至少一者熱連通，以至於複數個傳 導通道104㈣一者的溫度是提高於通過特定的傳導通道 之沉積源材料的凝結點之上。結合圖7A，7B及7C描述該 等傳導通道加&器。戶斤屬技術領域具有通常知識者應了解 可使用數種類型之加熱器以加熱複數個傳導通道1〇4，諸如 電阻加熱器，RF感應加熱器，及/或是紅外線加熱器。該傳 導通道加熱器可為一單一加熱器或是可為複數個加熱器。 © 可使用超過-種類型的加熱器。在一實施例中，該傳導通 道加熱器具有控制複數個傳導通道1〇4之一相對於複數個 傳導通道104的另一者溫度之能力。 圖2A描述根據本發明線性沉積源1〇〇的一截面視圖， 其具有複數個喷嘴106被定位以至於其等在一向上方向蒸 發沉積材料。本教示線性沉積源的一特徵在於複數個喷嘴 1〇6可被定位在相對於複數個坩堝1〇2的任一定向。用於複 數個傳導通道104的加熱器是被設計以避免該等蒸發源材 料獨立於複數個喷嘴106的定向而凝結。 圖2B描述根據本發明一線性沉積源15〇的一截面視 圖，具有複數個喷嘴100被定位以至於其等在一向下方向 蒸發沉積材料。圖2B的線性沉積源15〇是類似於結合圖 、所描述的線性沉積源100。然而，定位複數個喷嘴i 〇6 以他們的出口孔面向下在複數個坩堝102的方向中。 圖2C描述根據本發明一線性沉積源152的一截面視 圖，具有包含複數個喷嘴106之本體112，被定位在一垂直 11 201026866 方向中。該線性沉積源152是類似於結合圖2A描述之該線 性沉積源1〇〇，除了該線性沉積源152包含一角聯結器 154 ’該角連結器改變本體112’相對於自密封凸緣u〇的 法線方向之定向。所述技術領具具有通常知識者將了解的 是該角聯結器154可定位該本體112，在相對於密封凸緣 110法線方向的任一角度。因此，本教示線性沉積源的一特 徵在於包含複數個喷嘴106之本體112’可相對於包含複 數個坩堝102之外罩的任何定向中被定位。設計用於複數

個傳導通道1〇4(圖1)之加熱器以避免蒸發源材料獨立於本 體112 的定向沉積。 圖2D描述根據本發明另一線性沉積源丨56的一截面補 圖，具有包含複數個喷嘴106之本體112，，被定位在一 # 直方向中。該線性沉積源156是類似於結合圖2C所描述之 線性沉積源152，除了該線性沉積源156包含一 τ形聯Μ 器158,其改變本體112’ ，相對於自密封凸緣u〇的法鱗

方向之定向。在顯示於圖2D的實施例中，該本體112，， 在T形聯結器丨58兩側的垂直方向上延伸。 、圖3描述根據本發明一線性沉積200源的一截面立韻 視圖纟包3單一堆禍2〇2耦接至複數個傳導通道 及接著至複數個喷嘴2〇6而！一怂W· re 〇而至線性構形。該線性沉積源 200是類似於結合圖i及2所拋 汉2所描述之線性沉積源100。然而， 該源200僅只包含一掛识 咁堝202°該早一坩堝202被定位在如 結合圖1所描述之一外罩208中。 該單一掛瑪202可具有一罝 胺―^ 吴有早一隔至，其被設計用於〆 12 201026866 類型的沉積源材料。耦接至複數個傳導通道204之此一坩 堝將具有相對高地沉積流束生產量。擇一地，該單一坩堝 202可具有複數個隔板21〇，其部分地隔離坩堝2〇2的區 域在此°卩分地隔離之區域的每一者是經尺寸設定用於定 位複數個沉積源材料之一。複數個沉積源材料可為相同材 料或是可為不同的材料。在實施例中，在此單一坩堝2〇2 包含複數個部分地隔離之區域，複數個傳導通道2〇4的每 者之輸入端被定位接近於複數個部分地隔離之區域之 一。 定位一加熱器212與單一坩堝202熱連通。該加熱器 212增加坩堝202的溫度以至於該坩堝蒸發至少一沉積材 料進入複數個傳導通道204。定位該加熱器212或是一第二 加熱器與複數個傳導通道204的至少之一者熱連通，爲了 提高複數個傳導通道204的溫度以至於蒸發之沉積源材料 不會凝結。一些加熱器212可提高複數個傳導通道2〇4的 至少一者相對於複數個傳導通道2〇4的另一者之溫度。 ❹ 定位一熱遮罩214接近於坩堝202及複數個傳導通道 204以提供坩堝202及複數個傳導通道2〇4至少部分的熱隔 離。在一些實施例中，設計及定位熱遮罩214以控制坩堝 202的一區域相對於坩堝202的另一區域之溫度。亦，在— 些實施例中，設計及定位熱遮罩214為了提供複數個傳導 通道204的至少一者相對於傳導通道2〇4至少另一者至少 部分的熱隔離以至於可在複數個傳導通道2〇4的至少兩者 中維持不同的溫度。在此實施例中，至少複數個傳導通道 13 201026866 204的兩者可以具有不同的熱特性之熱遮蔽材料而遮蔽。 複數個噴嘴206被耦接至複數個傳導通道2〇4。蒸發之 沉積材料從單一坩堝202通過複數個傳導通道2〇4傳輸至 複數個喷嘴206，在此蒸發之沉積材料從複數個噴嘴2〇6 喷出以形成一沉積流束。 本教示的線性源是極適於蒸發一或是更多不同的沉積 源材料於大面積的工作件上，諸如網格基板及固定嵌板基 板。該源的線性幾何形狀使其等極適於用於加工寬且大面 積工作件，諸如用於光電伏打電池之網格基板及固定嵌板 ❿ 基板，因為該源可提供有效的及高度可控制的蒸發材料於 一相對大地面積上。 本教示的線性沉積源的一特徵在於其等是非常緊密 =。本發明的線性沉積源的另一特徵在於其等對於複數個 沉積源的每一者及對複數個傳導通道的每一者使用普通的 加熱器及普通的熱遮蔽材料，其改善許多設備效能指標， 諸如尺寸，設備成本，及操作成本。 圖4描述用於本教示線性沉積源的一掛禍扇的一截 ◎ 面立體視圖’其是由兩類型的材料形成。該㈣遍包含 至少一掛螞被定位於另，内側。在圖2顯示的實施例 中，該掛禍则包含—内部_ 302套疊在-外部掛堝3〇4 内側。在此㈣設計中’為了改善該掛禍的效能’可使用 兩類型的材料以包含該沉積材料。在其他的實施例中，至 少一坩堝套疊在至少兩其他的坩堝内側。 J如在f施例中，建構一或是更多複數個坩堝 14 201026866 1〇2(圖1)或是坩堝202(圖3)具有該

I冲峒j 02由埶觫H 化硼（pyrolytic b〇ron nitride)形成及該外部坩堝3〇4由、石 形成。在此實施例中，由熱解氮化硼形成之該内部坩堝 包含該沉積源材料◎熱解氮化硼為一非多 。 U丨王，1¾度惰性，

及一異常地純之材料。此外，熱解氮化硼具有一非常高之 熔點，良好的導熱性，及極佳的熱震特性。這些特性 解氮化硼非常合適於直接地容納大部分的蒸發源材料。然' 而’熱解氮化删是特定地脆的及，因此，是容易受損的'。、、 該外部坩堝304由一材料形成，諸如石墨，其是較耐用的， 但仍能夠承受高溫操作。為避免熱解氮化硼損壞之較耐用 的材料。在另一實施例中，該内部坩堝由石英形成及該外 部坩堝由鋁形成。一石英内部坩堝及一鋁外部坩堝的結合 是相對便宜的。 圖5描述根據本發明線性沉積源丨〇〇的一部分的俯視 立體圓’其顯示在外罩108中耦接至三個坩堝1〇2的三個 傳導通道104。三個傳導通道1〇4的每一者的一輸入端U8 是輕接至三個坩堝102的個別一者的一輸出端。設計三個 傳導通道104以至於當蒸發之材料通過複數個傳導通道 104傳輸時’在此沒有自三個坩堝102中的任一者之蒸發材 料的顯著互相混合。在許多沉積製程中，實質上地避免沉 積材料的互相混合’為了避免沉積材料在到達將被加工之 基板的表面之前，兩或是更多沉積材料的相互反應。 圖6A是用於本發明線性沉積源的一電阻坩堝加熱器 4〇〇的一部分立體視圖，其顯示坩堝加熱器400的内側及三 15 201026866 側，在此定位坩堝102(圖1)。在各種實施例中’該坩堝加 熱器400可被固定在外罩1〇8(圖丨）中或是可移動地附接至 外罩108。該坩堝加熱器4〇〇在圍繞坩堝1〇2的底部及側邊 上包含複數個電阻加熱元件4〇2。在圖6A顯示的實施例 中，電阻加熱70件402為複數個件隔開的石墨導電條4〇2， 其為石墨材料的線性條帶。支撐桿4〇4結構上地將該等石 墨導電條402連接在一起及亦電氣地絕緣該等導電條 402 ^電阻加熱元件4〇2可包含蜿蜒的石墨彈簧被定位在加 熱元件402的相反端部之間。電氣導線通過源1〇〇的外罩 108供給以連接石墨導電條4〇2至一電源供應器（未顯示卜 該等石墨導電條402包含螺釘406用於牢固地附接該等電 氣導線。 圖6B為用於加熱複數個坩堝1〇2(圖u的每一者之複 數個坩堝加熱器400之一的一外側立體視圖。顯示在圖6b 之立體視圖是類似於顯示在圖6A的立體視圖，但其顯示坩 渦加熱器400的所有四個側邊。 圖7A為根據本發明一線性沉積源1〇〇的一側視圖，其❹ 顯示用於加熱複數個傳導通道104(圖1}的傳導通道加熱 器。圖7B顯示包含該等傳導通道加熱器的桿13〇的一立體 視圖。圖7C描述根據本發明一線性沉積源1〇〇的本體ιΐ2 的一立體視圖，其顯示一聯結器132接合桿13〇的端部至 該本髏112。 參考圖1 ’ 7A’ 7B，及7C’該等桿13〇在本體m的 縱向方向内沿著傳導通道104的長度被定位接近於該傳導 16 201026866 通道104。該等桿13()可由任—類型的高 墨，碳化矽，耐熱材 θ /皿電阻材料諸如石 該等桿130電氣地連接’ 5疋、他非常高炼點材料形成。 產生-電流流=電源供應器(未顯示)的-輸出端 桿二使椁13°的溫度。該等 允：=:出：，該彈簧或是導線電棉束提供足夠運動以

應考的電二期間用於桿130的熱膨脹。藉由自電源供 ^的電流在#⑽中產生之熱轄射進入該傳導通道刚 導2 傳導通道1〇4的溫度’ ^至於通過複數個傳 導通、04傳輸之蒸發源材料不會凝結。 圖7Α亦顯示複數個聯結_ 152,其將桿13〇的片㈣ 接在-起。在-些實施例中，本冑112的長度太長以致於 將桿130的多個片段聯結在—起是較具經濟效益，可靠， 及較容易製造。所屬技術領域具有通常知識者應了解可使 用各種類型的聯結器以將桿13〇的多個片段耦接在一起。 例如，可使用一螺紋聯結器以將兩桿片段耦接在一起。該 聯結器132提供一連續的電氣連接，其具有一相對恆定的 接觸電阻通過桿13 0的整個長度。 圖8描述本體112(圖1)的框架5〇〇，其包含一膨脹連 桿（link)502。參考圖1’7入，及8，為了看見該膨脹連桿5〇2, 複數個傳導通道104是從本體112的框架500内側之空間 移除。有時候使用該膨脹連桿502，因為本體112在正常操 作期間經歷顯著熱膨脹及收縮。捍丨3 〇及複數個傳導通道 104的熱膨脹係數可顯著地不同於在本體112内框架5〇〇 17 201026866 及其他零件的熱膨脹係數。此外’在本體ιΐ2内的框架_ 及其他零件，諸如桿130及複數個傳導通道104之間可有 顯著的溫度差異。結果是，對於框架5〇〇相對於在本體 内之其他零件，諸如複數個傳導通道1〇4及桿13〇,可自由 地膨脹與收縮是理想的。 圖8所顯示之膨脹連桿500為數種類型的膨脹連桿令 之―，其等可使用在框架500中。在顯示於圖8之實施例 中，該膨脹連桿500是以銷504或是其他類型的緊扣件附 接至框架500的兩區域。當該膨脹連桿5〇2膨脹時，連接 區域506膨脹’從而在框架500中建立空間用於在本體° 内較框架500更快膨脹的零件。擇一地，當在本體ιΐ2内 的零件是較框架500更快收縮時’連結區域5〇6摺疊，從 而減小在框架500内的空間以配合收縮之本體112的空間。 圖9A是一熱遮罩600的截面立體視圖，該熱遮罩用於 根據本教示一線性沉積源的複數個坩堝1〇2(圖1)及複數個 傳導通道104。圖9B是顯示在圖9八的熱遮罩6〇〇的一完 整視圖。所屬技術領域具有通常知識者應了解該熱遮罩6〇〇 ❹ 可由數種類型的熱遮蔽材料中之一種製成。例如，在—實 施例中，該熱遮罩600由一碳纖維複合材料形成。 參考圖1，9A及9B，定位熱遮罩6〇〇的—第一區域 6〇2接近於複數個坩堝102的每—者，為了提供複數個坩堝 102的每一者至少部分的熱隔離。熱遮罩6〇0的第一區域 602隔離個別的掛瑪102以至於若需要時在製程期間可維 持顯著地不同的掛堝溫度。維持顯著地不同的坩禍溫度對 18 201026866 於一些沉積製程是重要的，因為對於特定的源材料，複數 個坩堝102 @每一者可接著被加熱至其理想溫《。對於特 定源材料加熱該等坩堝102至其之理想溫度減少負面的熱 效應，諸如沉積材料的分散（spitting)。此外，對於特定^ 材料加熱該等坩堝102至其之理想溫度可顯著地減少錄 源的操作成本。 積 ❹

在各種其他實施例中，熱遮罩6〇〇的第一區域6〇2可 包含複數個分離的熱遮罩’在此複數個的分離的熱遮罩_ 的個別之一圍、繞複數個㈣1〇2㈣別之一。複數個分離 的熱遮罩的每-者可為相同或是可為一不同的熱遮罩。例 如，被使用以加熱較高溫度沉積源材料之坩堝可由具有不 同的熱特性之不同或是較厚的熱遮蔽材料形成。 定位熱遮罩600的第二區域6〇4接近於複數個傳導通 道1〇4為了提供複數個傳導通道1G4自複數個㈣ι〇2至 少部分的熱隔離。複數個的傳導通道1〇4的每一者可藉由 一分離的熱遮罩或是可使用—單—熱遮罩而被遮蔽。在一 些實施例中’熱遮罩600的第二區域6〇4被定位為了提供 複數個傳導料HM的至少—者相對於其他料通道的至 )一者至少部分的熱隔離。換言之，可選擇熱遮罩罐的 第二區域604的設計及定位以允許複數個傳導通道刚的 至夕者相對於複數個傳導通道104的至少另一者一不同 ’操作恤度。在逆些實施例中，至少複數個傳導通道刚 的兩者可以具有不同的熱特性之熱遮蔽材料而遮蔽。例 如’至少複數個傳導通道1G4的兩者可藉由不同的熱遮蔽 19 201026866 材料，不同的熱遮蔽厚度’及/或是熱遮蔽材料至特定傳導 通道不同的接近度而遮蔽。 熱遮罩600在正常操作期間是暴露於非常高的溫度。 建構根據本教示的一些熱遮罩具有至少一表面由—低發射 率材料形成或是具有一低發射率塗層，其減少熱輻射的發 射。例如，熱遮罩600的一内部或是外部表面可以一低發 射率塗層或是任何其他類型的塗層塗覆，其減少熱傳。通 常設計任何此種塗層以保持源的操作使用壽命期間恆定的 發射率。 該熱遮罩600相較於外罩108和本體U2以及在外罩 1〇8及本體U2内的零件亦可在不同的比率膨脹及收縮。在 實施例中，熱遮罩600是可移動地附接至本體i 12的外 罩1〇8及框架500(圖8)的至少一者，以至於在正常操作 間熱遮罩可相對於外罩1〇8及框架5〇〇的至少一者移動。 在二實施例中，可使用一膨脹連桿以允許該熱遮罩6〇〇 相對於其他源零件膨脹及收縮°此外，在-些實施例中， 該熱遮罩6GG包含複數層熱遮蔽材料’該等熱遮蔽材料容 許熱膨脹及收縮。例如，可使用複數個熱遮蔽碑（tile)以增 加熱膨脹及收縮的容許程度。 一圖10描述根據本教示一沉積源100的一俯視圖，其顯 T在本體112中的複數個喷嘴1G6用於發射蒸發材料至基 板或是其他工作件上。複數個㈣106的每-者的-輸入 端是耦接至複數個的傳導通冑1〇4的個別之一的一輸出 圖5所描述。自複數個坩堝1〇2通過複數個傳 201026866 導通道104傳輸該蒸發沉積材料至複數個噴嘴i〇6而沒有 互相混合，在此從複數個喷嘴106喷出蒸發沉積材料以形 成一沉積流束。 顯示於圖10之源1 〇〇描述七組喷嘴1 〇6，在此每一組 包含三個喷嘴。所屬技術領域具有通常知識者將了解根據 本發明的一沉積源可包含任何數量之噴嘴組及每一組中任 何數量的喷嘴。在各種實施例中，複數個喷嘴106的間隔 可為一致或是不一致。本教示的一態樣中，複數個喷嘴106 ❹ 的可 不一致間隔爲了達成某些製程目的。例如，在一實施 例中’可選擇複數個喷嘴106的間隔以改善沉積流束的不 一致性。在此實施例中，為了補償靠近本體i 12的邊緣減 少的沉積流束，喷嘴106靠近本體112的邊緣之間隔可較 喷嘴106靠近本體112的中央之間隔緊密，如顯示在圖1〇。 可選擇精確間隔以至於該源100接近於基板或是工件產生 一實質上地一致的沉積材料流束。 在一些實施例中，為了降低沉積源1〇〇的操作成本及 ® 增加保養間隔之間的加工時間及可利用性，可選擇複數個 喷嘴106的間隔以獲得向材料利用率。亦在一些實施例中， 可選擇複數個喷嘴106的間隔以提供自複數個喷嘴106的 沉積流束一想要的重疊以達成蒸發材料一預定的混合。 在一實施例中’複數個喷嘴106的至少一些被定位在 一相對於自傳導通道104的頂部表面160之法線角的一角 度，為了達成某些製程目的。例如，在一實施例中，複數 個嘴嘴106的至少一者被定位在一相對於自傳導通道ι〇4 21 201026866 的頂P表φ 160之法線角的一角度上，選擇該角度以提供 -致的沉積流束跨過基板或是工作件的表面。亦在—些實 施例中、，複數個喷_ 1G6的至少―者被^位在—相對於自 傳導通道1G4的頂部表自16()之法線角的_角度選擇該 角度以提供自複數個噴冑⑽的沉㈣束4# 以達成蒸發材料一預定的混合。 圖11A描述根據本教示沉積源1〇〇的本體112的一截 面視圖，其顯示一行喷嘴1〇6耦接至一具有管17〇之傳導

通道1 04，該管控制沉積材料流至該等喷嘴104。在一些實 施例中，在管170的頂部的發射率是低於在管170的底部 的發射率。管170的尺度，諸如管17〇的長度及直徑，決 定從傳導通道104供應至對應喷冑1〇6之沉積材料的量。、 此外，管170的定位，諸如管17〇定位在傳導通道1〇4中 的距離亦決定從傳導通道104供應至對應喷嘴1〇6之沉 積材料的量。

例如，改變管170的直徑改變從喷嘴1〇6散發之沉積 流束圖樣的分佈。通常選擇管17〇的長度以配合管17〇的 總流阻及設計。在一些實施例中，進一步穿透進入傳導通 道1〇4之較長的管170將供應較少的沉積材料至對應的噴 嘴1〇6。在各種實施例中，特定管17〇的幾何尺寸及位置可 為相同或是.可為不同的。在一實施例中，複數個管17〇的 至少兩者可具有不同的長度及/或不同的幾何尺寸為了獲得 通過複數個管170的每一者的一特定傳導，其達成某些製 程目的。例如’可使用具有不同的尺度之管17〇以補償在 22 201026866 源100中自該本體112靠近密封凸緣110至本體112的端 部之壓力差。 因此，本發明 >儿積源1 〇〇的一特徵在於可選擇管1 的幾何尺寸及定位以精確地控制蒸發材料供應至複數個喷 嘴106之每一者的量而無需改變蒸發材料自複數個喷嘴 1〇6散發之分佈。例如，可選擇特定管17〇的一幾何尺寸及 位置以達成某些製程目的，諸如從特定喷嘴或是從複數個 喷嘴1 0 6的一預定沉積流束。 〇 在一些實施例中’複數個噴嘴1〇6的至少一者延伸於 複數個傳導通道104的頂部表面16〇上方，為了避免蒸氣 凝結及材料積聚隨時間累積。亦可定位喷嘴以達成一想要 的沉積流束分佈圖樣》可定位個別的噴嘴加熱器接近於一 或是更多的複數個喷嘴106以控制蒸發之材料從喷嘴1〇6 散發的溫度以避免凝結及材料積聚。在其他實施例中，定 位複數個喷嘴106的至少一者在複數個傳導通道1〇4的頂 部表面16〇下方，為了從加熱器及複數個傳導通道104傳 導想要的熱之量及/或是達成一想要的沉積流束分佈圖樣。 圖11B描述根據本教示沉積源1〇〇的複數個傳導通道 104的一截面視圖，其顯示一行喷嘴1〇6耦接至具有管夏 之複數個傳導通道104，該管控制沉積材料流至該噴嘴 104。圖11B顯示具有管之三個傳導通道。本發明的一態樣 中’該等喷嘴106藉由該等傳導通道加熱器（圖7a_c的桿 130)加熱及藉由該傳導通道丨〇4連通。 圖12描述用於根據本教示線性源1〇〇之包含複數個嘴 23 201026866 嘴106之一的一喷嘴106的一立體視圖。設計該喷嘴_ 以至於其提供所需之熱傳導以避免蒸發源材料凝結。該喷 嘴106可由一具有一熱傳導性之材料形成，其導致一致的 操作溫度從而減少沉積材料的分散。例如，該喷嘴可由石 墨，碳化矽，一耐熱材料，或是其他非常高熔點材料形成。 在一些實施例中，設計該喷嘴丨〇6以減少通過喷嘴1〇6之 熱梯度。此外，可設計該喷嘴1〇6以最小化熱輻射損失。 在一些實施例中，喷嘴106可包含一漸細的外側表面。 亦在一些實施例中’該喷嘴106在内側變細。在一些實施 例中，孔180的表面具有一低發射率塗層，其減少熱散發， 從而減少在喷嘴1〇6内的任何凝結。在其他實施例中該 喷嘴106由具有一低發射率的一材料形成。 該喷嘴106包含一孔18〇用於從連通的傳導通道1〇4 通過該蒸發源材料。設計該孔180以喷出想要的煙流。通 圓孔108是顯示在圖12的喷嘴1〇6。然而，應了解的 是可在喷嘴106中使用數種孔形狀之任一種以達成想要的 製程目的。例如，該孔180可為圓形，卵形，矩形，正方 ❹ 形或是一狹縫。此外，顯示孔180的出口具有一輻射形。 然而，應了解的是可使用數種孔出口形狀之任一種以達成 想要的製程目的。例如，該出口形狀可為凹槽形輻射形 或是相撲類型（sumo style)(亦即反向設置（reverse draft)或 是其他類型的受限喷嘴形狀）。 在一些實施例中，複數個喷嘴1〇6的至少一者具有一 孔180是被設計以通過一不一致的沉積流束。在這些實施 24 201026866 例中’可設計複數個孔1 80的至少一些以通過不一致的沉 積流束’該等沉積流束結合以形成一想要的沉積流束圖 樣。例如’該想要的結合之沉積流束圖樣可為在一預定面 積上一致的沉積流束圖樣。 在操作中，自多個沉積源產生沉積流束的方法包含加 熱複數個坩堝102,每一個坩堝包含一沉積源材料以至於複 數個坩堝102的每一者蒸發沉積材料。該方法包含可獨立 地控制分離的坩堝加熱器以對於每一沉積源材料達成不同 ® 的掛禍溫度。該方法亦可包含遮蔽複數個坩堝1〇2的每一 者以至於在特定的掛塌中維持不同的溫度。 在該本體112中從複數個的坩堝1〇2的每一者傳輸沉 積材料通過個別的傳導通道1〇4而沒有從複數個坩堝1〇2 的任一者蒸發之沉積材料的互相混合。加熱該等傳導通道 104以至於該蒸發之沉積材料不會在從噴嘴1〇6散發前凝 結。可分別地加熱該等傳導通道丨〇4以便對於複數個傳導 通道104的至少兩者達成不同的溫度。可遮蔽複數個傳導 通道104的每一者以至於可在不同的傳導通道1〇4中維持 不同的溫度。許多方法，包含對於加熱器的熱膨脹及接近 於複數個堆禍102及接近於複數個傳導通道ι〇4之熱遮蔽 材料提供可移動零件及空間。 從複數個傳導通道1〇4的每一者的蒸發沉積材料是傳 輸至複數個喷嘴106的個別之-。在各種實施例中，從複 f個傳導通道1G4的每—者的蒸發沉積材料是通過複數個 b 1 70的個別之一或是其他控制沉積材料流之結構傳輸至 25 201026866 複數個噴嘴106的個別之_。. 任本發明方法的各種實施例 中，通過複數個噴嘴1〇6的沉穑妯姓a 刃/儿槓材料流是藉由使用管入口 相對於傳導通道1〇4具有可變長度、可變幾何尺寸及/或是 可變位置之管而控制。可選擇相對於傳導通道刚管入口 的長度、幾何尺寸及/或是位置以達成某些製程目的諸如 一致的沉積流束及/或是高沉積材料利用率。 複數個噴嘴106接著通過蒸發沉積材料，從而形成一 儿積流束It方法可包含選擇複數個喷嘴刚的間隔以達

成某些製程目的’諸如從複數個喷嘴iG6 —致的沉積流束 及/或是高沉積材料利用率。 均等 當申請人的教示是結合各種實施例而描述，其非意欲 將申請人之㈣限料料實❹卜相反的，申請人的教 示包含如所屬技術領域具有通常知識者將了解的各種選 擇、改良、以及均等，在此其等可被完成而不悖離本教示 精神及範。 【圓式簡單說明】 本教不根據較佳及示範性實施例連同其進一步之優 點，是更具體地敘述於以下結合所附圖式之詳細描述中。 所屬技術領域具有通常知識者應了解以下圖式之敘述，僅 用於描述之目的。該等圖式非必要以比例繪製反而通常 為強調本教示之原。該等圖式非意欲以任何方式限制本 教示的範嘴。 26 201026866 圖1描述根據本發明一線性沉積源的—截面立體視 圖，其包含複數個坩堝被耦接至複數個傳導通道及接著至 複數個噴嘴呈一線性構形。 圖2A描述根據本發明線性沉積源的一截面視圖，其具 有複數個喷嘴被定位以至於其等在一向上方向蒸發沉積材 料。 圖2B描述根據本發明一線性沉積源的一截面視圖，具 有複數個喷嘴被定位以至於其等在一向下方向蒸發沉積材 ❹ 料。 圖2C描述根據本發明一線性沉積源的—截面視圖，具 有包含複數個喷嘴之本體被定位在一垂直方向中。 圖20描述根據本發明另一線性沉積源的—截面視 圖，具有包含複數個噴嘴之本體被定位在一垂直方向中。 圖3描述根據本發明一線性沉積源的一截面立體視 圖，其包含一單一坩堝耦接至複數個傳導通道及接著至複 數個噴嘴呈一線性構形。 ❷ 圖4描述用於本教示線性沉積源的一坩堝的一截面立 體視圖，其是由兩類型的材料形成。 圖5描述根據本發明線性沉積源的一部分的俯視立體 圖，其顯示在外罩中耦接至三個坩堝的三個傳導通道。 圖6A是用於本發明線性沉積源的一電阻坩蟵加熱器 的一部分立體視圖，其顯示加熱器的内側及三側，在Z 位坩堝。 圖6B為用於加熱複數個坩堝的每一者之複數個坩堝 27 201026866 加熱器之一的一外側立體視圖。 圖7A為根據本發明一線性沉積源的一側視圖，其顯示 用於加熱複數個傳導通道的傳導通道加熱器。 圖7B顯示包含傳導通道加熱器的桿的一立體視圖。 圖7C描述根據本發明一線性沉積源的本體的一立體 視圖，顯示一聯結器，其接合桿的端部至該本體。 圖8描述本體的框架，其包含一膨服連桿。 圖9A是一熱遮罩的截面立體視圖，該熱遮罩用於根據

本教示一線性沉積源的複數個坩堝及複數個傳導通道。 圖9B是顯示在圖9A的熱遮罩的一完整視圖。 圖10描述根據本教示一沉積源的一俯視圖，其顯示在 本體中的複數個喷嘴1〇6用於發射蒸發材料至基板或是其 他工作件上。 圖11A描述根據本教示沉積源的本體的一截面視圖， 其顯示一行喷嘴耦接至一具有管之傳導通道，該等管控制 沉積材料流至該等噴嘴。

圖UB描述根據本教示沉積源的複數個傳導通道的 載面視圖，其顯示一行噴嘴耦接至具有管之複數個傳導 道，該等管控制沉積材料流至該等喷嘴。 圖12描述用於根據本教示線性沉積源之包含複數個 嘴之—的一喷嘴的一立體視圖。 【主要元件符號說明】 100 線性沉積源 28 201026866 坩堝 傳導通道 噴嘴 外罩 密封凸緣 本體 本體 本體 ❹ 坩堝加熱器 桿 聯結器 線性沉積源 線性沉積源 角聯結器 線性沉積源 τ形聯結器 頂部表面 管 孔 源 單一坩堝 傳導通道 喷嘴 外罩 29 201026866 210 隔板 212 加熱器 214 熱遮罩 300 坩堝 302 内部坩堝 304 外部坩堝 400 坩堝加熱器 402 電阻加熱元件/導電條

404 支撐桿 406 螺釘 500 框架 502 膨脹連桿 504 銷 506 連結區域 600 加熱器遮罩 602 第一區域

604 第二區域 30

Claims (1)

1. 201026866 七、申請專利範圍： 1. 一種沉積源，包含： a) 用於容納沉積材料之複數個坩堝； b) 包含複數個傳導通道之一本體，複數個傳導通道的 每一者的一輸入端被耦接至複數個坩堝的個別之一的一輸 出端； c) 加熱器，其被定位與複數個坩堝及複數個傳導通 I…、連通該加熱器增加複數個坩禍的溫度以至於複數個 © 坩堝的每一者蒸發該等沉積材料進入複數個傳導通道； d) —熱遮罩，其提供用於複數個坩堝的至少一者之至 少部分的熱隔離；及 em數個喷嘴’ _时嘴的每一者之一輸入端被耦 接至複數個的傳導通道之一者的一輸出端，蒸發的沉積材 料從複數個坩堝通過複數個傳導通道而傳輸至複數個喷 嘴，在此蒸發的沉積材料從複數個喷嘴喷出以形成一沉積 流束。 ❿ 2.如申請專利範圍帛i項所述之沉積源，其中複數個 坩禍中的至少-些包含一内部掛禍被定位在一外部掛禍的 内側。 3. 如申凊專利範圍帛丨項所述之沉積源，纟中複數個 坩堝包含一容納Cu之第一坩堝，一容納In之第二坩堝， 及一容納Ga之第三坩堝。 4. 如申凊專利範圍帛！項所述之沉積源，其中複數個 掛禍的每一者容納相同的沉積材料。 31 201026866 5.如申請專利範圍帛1項所述之沉積源，其中該加熱 器包含一 RF感應加熱器，-電阻加熱器，及-紅外線加熱 器中的至少一者。 所述之沉積源，其中該加熱 熱器，其中複數個加熱器的 —者的個別之一熱連通。 6.如申請專利範圍第1項 器包含複數個個別地可控制加 個別之一與複數個的坩堝的每 7·如申請專利範圍帛i項所述之沉積源，其中該加熱

   器提升複數個#導通道的每—者之溫度於該沉積材料的凝 結點之上。 8.如申請專利範圍帛i項所述之沉積源，其中該加熱 器控制複數個傳導通道的每—者之溫度相對於複數個傳導 通道的另一者之溫度。 9·如申請專利範圍帛i項所述之沉積源，1中該執髮 罩射於複數個傳導通道的至少一者提供至少部分的熱R 離。

   10.如申請專利範圍第i項所述之沉積源，4中該熱遮 罩包含複數個的熱遮蔽碑（tiiq。 U·如申請專利範圍第丨項所述之沉積源， 遮 罩包含複數層的熱遮蔽H 其中t 12.如申請專利範圍第i項所述之沉積源，其中該熱遮 罩是附接至具有一膨脹連桿之本體。 13·如申請專利範圍第丨項所述之沉積源其中該熱遮 罩包3至少一表面具有一低發射率。 14·如申請專利範圍第丨項所述之沉積源其中該熱遞 32 201026866 罩包含複數個熱遮罩’其中複數個熱遮罩的個別之一圍繞 複數個坩堝的個別之一。 15. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中該熱遮 罩圍繞複數個傳導通道。 16. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中該熱遮 罩疋被定位’以至於複數個傳導通道的至少一者是在一不 同於複數個傳導通道的至少另一者的操作溫度。 17. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其争複數個 〇 喷嘴的間隔是不一致的》 1 8.如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中接近本 體的邊緣之複數個喷嘴的間隔是較接近本體的中央之複數 個噴嘴的間隔緊密。 19. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中選擇複 數個喷嘴的間隔以達成實質上地一致的沉積材料流束。 20. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中選擇複 數個喷嘴的間隔以增加沉積材料的使用。 ® 21.如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中選擇複 數個喷嘴的間隔以提供從複數個喷嘴的沉積流束的一想要 的重疊。 22_如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中選擇複 數個喷嘴的至少一者被定位在一角度，該角度相對於複數 個傳導通道的一頂部表面之法線角以提供從複數個噴嘴的 沉積流束的一想要的重疊。 23.如申請專利範圍第1項所述之沉積源，其中複數個 33 201026866 該孔經設計以通過一不一致的 喷嘴的至少一者包含一孔 沉積流束。 24. 如申請專利範圍第！項所述之沉積源，纟中複數個 喷嘴的至少一者包含一低發射率之塗層β 25. 如申請專利範圍第μ所述之沉積源，複數個 喷嘴的至少一者由具有熱傳導性的材料形成#導致—致 的操作皿度，藉此減少從複數個喷嘴之沉積材料的分散 (spitting) 〇

   26·如申請專利範圍第i項所述之沉積源，丨中複數個 喷嘴的至少—者包含—管’該管被定位靠近該傳導通道， 該管限制供應至對應喷嘴之沉積材料的量。 =27.如申凊專利範圍第26項所述之沉積源，其中選擇 該管的長度以達成通過複數個嘴嘴之一對應喷嘴的 沉積流束。

   28.如申請專利範圍第i項所述之沉積源纟中複數個 :嘴的至夕一者包含一管，該管是被定位至少部分地進入 該傳導通道，該管限制供應至對應喷嘴之沉積材料的量。 9.如申睛專利範圍第i項所述之沉積源，彡中複數個 =的至少兩者包含-管，其限制供應至對應喷嘴之沉積 材枓的量’該管的長度對應複數個喷嘴中之一纟，上述管 =長度不同於對應至複數個噴嘴的至少另—者之管的長 30.如申請專利範圍第 喷嘴的至少兩者包含一管 1項所述之沉積源’其中複數個 ’其限制供應至對應喷嘴之沉積 34 201026866 材料的量’該管的幾何尺寸對應複數個噴嘴中之一者上 述管的幾何尺寸不同於對應至複數個喷嘴的至少另一者之 管的幾何尺吋。 31. 如申請專利範圍第丨項所述之沉積源，其中複數個 噴嘴的至少一者的一頂部在複數個傳導通道的上方延伸。 32. 如申請專利範圍第w所述之沉積源，其中複數個 喷嘴的至少一者的一頂部在複數個傳導通道的下方延伸。 ❹ ❹ 33. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源，進—步包含 流體冷卻通道被定位接近於該本體的至少一邊緣。 3 34. —種產生沉積流束的方法，該方法包含： a) 加熱複數個掛禍，其每_者容納_沉積材料以至於 複數個㈣㈣-者蒸發沉積材料通過在— 個傳導通道傳輪；& τ々複數 b) 傳輸該蒸發之沉積材料從複數個傳導通道的每 至複數個喷嘴之一，递盔徊崦趣、^ , 複數個喷嘴通過蒸發之沉積材料，藉 此形成一沉積流束。 A如申請專利範„ 34項所述之方法 ^複數個的料通道的每—者傳㈣發之 數個管的個別之-至複數個喷嘴的個別之—。過複 36. 如巾請專利範圍第^項所述之方法，進人 選擇複數個管的至少—者 步匕β 積流束。 尺度以達成從複數個喷嘴的沉 37. 如申請專利範圍第35項所 選擇複數個管的至少 &進一步包含 度以達成一高沉積材料使 35 201026866 用。 38.如申請專利範圍第34項所述之方法，進—步包含 獨立地控制複數個坩堝及複數個傳導通道的至少一些之溪 度。 39.如申請專利範圍第34項所述之方法，進一步包含 遮蔽藉由複數個坩堝的至少一者產生之熱以控制至少〆坩 禍相對於至少另一掛禍的溫度。 40·如申請專利範圍第34項所述之方法，進一步払含 遮蔽藉由複數個傳導通道的至少一者產生之熱以控制炙少 ❿ 一傳導通道相對於至少另一傳導通道的溫度。 41.如申請專利範圍第34項所述之方法，進一步包含 對於接近複數個坩禍及複數個傳導通道的至少一者之熱遮 蔽材料的熱膨脹提供空間。 42· —種沉積源，包含： a) —掛堝，其容納至少一沉積材料； b) —本體，其包含被耦接至坩堝之複數個傳導通道； c) 一加熱器’其被定位與坩堝熱連通，該加熱器增加 ❹ 坩堝的溫度以至於坩堝蒸發至少一沉積材料進入複數個傳 導通道； d) —熱遮罩，其對於坩堝提供至少部分的熱隔離；及 e) 複數個喷嘴，其被耦接至複數個傳導通道，從坩堝 蒸發之/儿積材料被傳輸通過複數個傳導通道至複數個喷 嘴，在此蒸發之沉積材料從複數個喷嘴噴出以形成一沉積 流束。 36 201026866 43·如申請專利範圍第42項所述之沉積源，其令坩堝 包含複數個部分地隔離之區域，部分地隔離之區域的每一 者被設定尺寸用於定位複數個沉積材料之一。 44.如申請專利範圍第43 個的部分地隔離之區域的至少 45·如申請專利範圍第 個傳導通道的每一者的一 分地隔離之區域中之一。 項所述之沉積源，其中複數 兩者容納不同的沉積材料。 43項所述之沉積源，其中複數 輸入端是被定位接近於複數個部

   46·如申請專利範圍第43 遮罩提供熱隔離，其控制进心 谓U該熱 區域之溫度。 _瑪的-區域相對於掛禍的另- 47.如申請專利範圍第42 該加熱器與複數個傳導通道的 提高複數個傳導通道的至少一 另一者之溫度。 項所述之彡儿積源，其中定位 至少一者熱連通，該加熱器 者相對於複數個傳導通道的

   48.如申請專利範圍第 遮罩對於複數個傳導通道 42項所述之沉積源， 的至少一者提供熱隔離 其中該熱 〇 八、圖式： (如次頁） 37