DE102012224500A1 - Hochtemperatur-Diffusionskammer - Google Patents

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Abstract

Durch die Erfindung wird eine Diffusionskammer zur thermischen Behandlung eines Substrats mit einem Prozessgas bereitgestellt. Insbesondere kann die Diffusionskammer für die Wärmebehandlung zur Schwefel-/Selendotierung von CICS-Dünnschichtsolarzellen verwendet werden. Die Diffusionskammer weist eine Vakuumkammer auf. Durch zwei innerhalb der Vakuumkammer angeordnete Halbschalen wird ein Prozessraum gebildet. In zumindest einer der Halbschalen ist eine Heizvorrichtung vorgesehen. Eine der beiden Halbschalen weist einen Einlass für das Prozessgas und die andere der beiden Halbschalen einen Gasauslass auf.

Description

  • Die Erfindung betrifft die thermische Behandlung von Halbleitersubstraten, insbesondere die Wärmebehandlung zur Schwefel-/Selendotierung für Dünnschichtsolarzellen.
  • Zur Herstellung sogenannter CIGS-Dünnschichtsolarzellen werden auf großflächige Glasscheiben Kupfer-Indium-Galliumschichten aufgebracht. Hierbei handelt es sich um einen Schichtstapel, wobei für den Auftrag der jeweiligen Materialen unterschiedliche Methoden verwendet werden können, darunter der Materialauftrag durch Aufsputtern, Verdampfen oder die Verwendung von Drucktechniken. Der aufgebrachte Schichtstapel weist direkt nach dem Aufbringen zunächst eine amorphe Struktur auf; zum Überführen in eine Polykristallinstruktur wird der Schichtstapel in einem nachfolgenden Heizschritt auf Temperaturen von etwa 450–700°C aufgeheizt. Während dieses Heizschrittes ist eine Zugabe von Selen und/oder Schwefel nötig, um die richtige elektronische Struktur und Legierung zu erzeugen. Durch diese Dotierung können Solarzellen mit einem hohen Wirkungsgrad erzeugt werden.
  • Der Verfahrensschritt, in dem die Erhitzung und gleichzeitig die Dotierung mit Schwefel und/oder Selen erfolgt, wird in der Regel in speziell ausgeführten Heizkammern durchgeführt, an die besondere Anforderungen zu stellen sind. Insbesondere ist in diesem Schritt eine besonders homogene Substratheizung notwendig und gleichzeitig ist die Versorgung und Entsorgung von selen/schwefelhaltigen Gasen zu berücksichtigen. Weiterhin führen die hohen Temperaturen in Anwesenheit von Schwefel und/oder Selen zur Korrosion vieler üblicherweise eingesetzter Bauteile, wie Eisen, Nickel, Kupfer oder Aluminium. Für den Prozessraum in diesem speziellen Heizschritt können daher nur speziell ausgesuchte korrosionsfeste Materialien verwendet werden.
  • Verschiedene Ofensysteme sind hier bekannt. So wird beispielsweise in der WO 2009/135685 A2 eine Vorrichtung zum Tempern von Gegenständen offenbart, bei der eine temporäre Prozessbox verwendet wird. Die Prozessbox bildet einen geschlossenen Prozessraum der gegenüber dem Kammerraum der Behandlungskammer minimiert ist und erst innerhalb der Temperierungskammer selbst hergestellt wird. Es wird also eine temporäre Einhausung zumindest des zu tempernden Teils des Gegenstands während des Temperprozesses bereitgestellt. In einer dort beschriebenen Ausführungsform ist der Einlass von Gasen mit einer Überlagerung eines Inertgases in einem Ringkanal vorgesehen. Hierfür ist allerdings ein aufwendiger Mechanismus für das Schließen des Prozessraums erforderlich.
  • Es besteht somit weiterhin der Bedarf, eine verbesserte Diffusionskammer für die Hochtemperaturbehandlung von Substraten bereitzustellen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Diffusionskammer zur thermischen Behandlung eines Substrats bereitgestellt, wobei in einer Vakuumkammer ein separater Prozessraum gebildet ist, in dem die Hochtemperaturbehandlung vorgenommen wird. In diesem Prozessraums ist eine Heizvorrichtung vorgesehen. Zu- und Abfuhr des verwendeten Prozessgases ist derart vorgesehen, dass das zu behandelnde Substrat vom Prozessgas bei der Hochtemperaturbehandlung umspült wird.
  • Die Diffusionskammer zur thermischen Behandlung eines Substrats mit einem Prozessgas weist erfindungsgemäß eine Vakuumkammer auf, in der zwei Halbschalen derart angeordnet sind, dass durch diese ein Prozessraum gebildet wird. In zumindest einer der Halbschalen und vorzugsweise in beiden Halbschalen ist jeweils eine Heizvorrichtung vorgesehen. Die Vakuumkammer sollte geeignet sein, einen Druck zwischen 0,1 und 1100 mbar innerhalb des Prozessraums zu erzeugen.
  • Das Prozessgas wird durch einen Einlass in einer der beiden Halbschalen in den Prozessraum geführt, in der anderen Halbschale ist ein Gasauslass vorgesehen. Vorzugsweise wird das Prozessgas über eine Öffnung in der oberen Halbschale eingelassen, der Prozessgasauslass befindet sich in der unteren Halbschale. Durch die beiden Schalen wird also innerhalb der Vakuumkammer ein separater Prozessraum gebildet.
  • Vorzugsweise ist dieser Prozessraum aus einem Material gefertigt, das gegen Selen bzw. Schwefel korrosionsfest ist, beispielsweise aus Glas oder glasähnlichen Werkstoffen bzw. Materialien auf Kohlenstoffbasis. In diesem Prozessraum ist eine Heizung integriert, wobei es sich vorzugsweise um eine elektrische Heizung handelt, die korrosionsfeste Heizleiter verwendet. Der Prozessraum ist vorzugsweise gegenüber mindestens einer der Wände der Vakuumkammer thermisch isoliert, beispielsweise durch Strahlungsschirme oder einer Wärmeisolation zwischen dem Prozessraum und den Kammerwänden zur Verringerung von Wärmeverlusten. So kann der Prozessraum weitgehend thermisch isoliert an den Kammerwänden der Vakuumkammer befestigt werden. Der Prozessraum wird während der Hochtemperaturbehandlung durch die integrierte Heizung auf eine hohe Temperatur von etwa 450–700°C gebracht. Durch die thermische Isolierung kann eine Kondensation des Prozessgases an den Prozessraumwänden vermieden werden. Weiterhin können die Wände der Vakuumkammer mit einer Temperiereinrichtung versehen sein, um überschüssige Heizenergie abführen zu können.
  • Vorzugsweise sind auch die Leitungen zur Zufuhr und/oder Abfuhr des Prozessgases geheizt. Bei Verwendung von Selen oder Schwefel kann weiterhin durch die gezielte Einleitung des Selen- oder Schwefeldampfes über eine geheizte Vorrichtung erreicht werden, dass die ringförmigen Moleküle thermisch gespalten werden.
  • Die beiden Halbschalen, die den Prozessraum bilden, sind durch einen umlaufenden Spalt getrennt. Mittels einer Transportvorrichtung wird das Substrat in den Prozessraum eingefahren. Dies geschieht vorzugsweise auf einem Substratträger, auf dem das Substrat angeordnet ist. Die Dicke des Substratträgers ist vorzugsweise so bemessen, dass sich zwischen der oberen bzw. unteren Halbschale und dem Substratträger nur noch ein geringer umlaufender Ringspalt einstellt. So kann der Austausch der Prozessgasatmosphäre im Inneren des Prozessraums mit der Atmosphäre im übrigen Teil der Vakuumkammer minimiert werden. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist das Substrat auf dem Substratträger mittig positioniert und der Substratträger ist so dimensioniert, dass sich umlaufend um das Substrat Öffnungen im Substratträger einbringen lassen. Diese Öffnungen gewähren einen Gasübertritt aus der oberen Halbschale in die untere Halbschale.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Zufuhr von Inertgas vorgesehen. Durch diese Zufuhr kann beispielsweise Stickstoff in die umgebende Vakuumkammer eingelassen werden. Das Inertgas kann über den Ringspalt in den Prozessraum einströmen und verhindert durch das Gegenstromprinzip ein Ausströmen von Prozessgas aus dem Prozessraum in die umgebende Vakuumkammer. So kann eine Verschmutzung der Kammer durch Kondensation des Prozessgases an den kalten Kammerwänden vermieden werden. Durch die Anordnung der Heizvorrichtung innerhalb der Halbschalen strömt das Prozessgas in der Regel so in den Prozessraum ein, dass es zunächst direkt über die Substratheizung strömt, die so gleichzeitig als Gasverteiler und Gasheizung dienen kann. Das Überströmen des Prozessgases über die heiße Oberfläche kann zu einer Fragmentierung des Prozessgases führen. Insbesondere gilt dieses bei der Verwendung von Selen- oder Schwefeldämpfen als Prozessgas mit einer Fragmentierung der ringförmigen Moleküle. Durch diese Fragmentierung kann eine bessere chemische Reaktion des Selens/Schwefels mit der Kupfer-Indium-Gallium-Schicht eines CIGS Substrats erzielt werden.
  • Zum Steuern der Hochtemperaturbehandlung mit dem Prozessgas können ferner Ventile zum Schalten der Prozessgase vorgesehen sein. Mit Hilfe der Ventile kann beispielsweise der Wärmebehandlungsschritt derart gesteuert werden, dass für einen bestimmten Zeitraum ein erstes Prozessgas, beispielsweise selenhaltiges Gas eingelassen wird, wobei nach einer vorbestimmten Zeit eine Spülung des Prozessraums mit Inertgas erfolgt. In einem nachfolgenden Schritt kann dann nochmals ein zweites Prozessgas, beispielsweise ein schwefelhaltiges Gas in den gereinigten Prozessraum eingelassen werden.
  • Als Quelle für das Prozessgas kann ein thermischer Verdampfer verwendet werden. Insbesondere für den Fall, in dem als Prozessgas Selen oder Schwefel verwendet wird, wird das Selen bzw. der Schwefel aufgeschmolzen, wodurch sich gemäß der Dampfdruckkurve des Selens/Schwefels ein Partialdruck für den Dampf einstellt. Der Transport des Dampfes kann dann durch Einströmen von Inertgas in den Verdampferraum erfolgen, die Weiterleitung und das Einströmen in den Prozessraum erfolgt dann über (geheizte) Zuleitungen.
  • Durch die erfindungsgemäße Ausbildung des Prozessraumes aus zwei Halbschalen mit spezieller Zuführungs-/Entsorgungsleitung verringert sich der Materialeinsatz für die Fertigung der Diffusionskammer und es wird ein gezieltes Auffangen und Wiederaufbereiten des nichtverwendeten Materials erreicht. Weiterhin kann durch das Anordnen der Heizeinrichtung innerhalb der Prozesskammer gegenüber dem Stand der Technik der Vorteil erzielt werden, dass lediglich das Innere des Prozessraums auf die Substrattemperatur aufgeheizt werden muss. Durch die Ausbildung der inneren heißen Prozesszelle kann eine Kondensation des Prozessgases an den Prozessraumwänden vermieden werden. Eine Belegung der Kammerwände der umgebenden Vakuumkammer mit Prozessgas kann durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung der Prozesszelle, die bevorzugte Ausbildung schmaler Ringspalte und die Spülung mit Inertgas im Gegenstromprinzip weitgehend vermieden werden.
  • Die Heizvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann nicht nur für die Erwärmung des Substrats, sondern gleichzeitig auch als Vorrichtung zur thermischen Fragmentierung der Prozessgasmoleküle, insbesondere von Selen- und/oder Schwefeldämpfen verwendet werden. Hierzu ist es bevorzugt, als Heizvorrichtung mindestens eine plattenförmige Heizvorrichtung aus faserverstärktem Kunststoff zu verwenden. Um eine Zonenheizung auszubilden, können mehrere plattenförmige Heizvorrichtungen vorgesehen sein. Die Heizleistung der Heizvorrichtung kann in einem geschlossenen Regelkreis gesteuert werden. Somit kann einerseits eine möglichst homogene Temperatureinstellung, und gleichzeitig auch eine gute Prozessgasverteilung im Reaktionsraum und auf der Substratoberfläche erreicht werden. Ferner kann in die Diffusionskammer eine Einrichtung zur Überwachung der Substrattemperatur angeordnet werden. Hierzu können beispielsweise Infrarotstrahlungsmessgeräte, insbesondere Pyrometer verwendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden unter Bezug auf die beigefügten Figuren näher erläutert, wobei
  • 1 schematisch ein Beispiel einer CIGS-Selenisierungs/Schwefelkammer bestehend aus einer Vakuumschleuse, einer Vorheizkammer und der Selenisierungskammer,
  • 2 schematisch einen Querschnitt durch die Selenisierungskammer gemäß einer Ausführungsform der vorliegende Erfindung, und
  • 3 schematisch in Draufsicht und
  • 4 eine Schnittansicht eines in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendeten Substratträger mit Substrat und Gasdurchtrittsöffnungen zeigt.
  • In der 1 ist eine Prozessstrecke gezeigt, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von CIGS-Dünnschichtsolarzellen verwendet werden kann. Die hier dargestellte Prozessstrecke umfasst eine Vakuumschleuse (100), eine Vorheizkammer (200) und die Diffusionskammer (300) gemäß den vorliegenden Erfindungen. Die Vakuumschleuse (100) dient zur Konditionierung der Prozessgasatmosphäre. Durch wiederholtes Abpumpen und Fluten der Schleuse (100) mit Inertgas wird eine sauerstofffreie Inertgasatmosphäre erzeugt. Als Inertgas kann z. B. Stickstoff oder Argon verwendet werden. Die sich der Schleuse optional anschließende Vorheizkammer (200) wird für eine Vorheizung des Substrats verwendet. In einer in der Diffusionskammer (300) angeordneten Vakuumkammer soll eine sauerstoffarme Inertgasatmosphäre mit vorzugsweise weniger als 5 ppm Sauerstoff herrschen, mit einem Druck zwischen 0,1 und 1100 mbar. Dies kann durch eine Inertgaszuführung (6) in die Vakuumkammer zur Kammerspülung erreicht werden. Im Prozessraum können Pyrometer zur Messung und Regelung der Substrattemperatur integriert sein.
  • In 1 sind beispielhaft Verdampfer (400, 410) eingezeichnet, die zur Zuführung des Prozessgases zur Diffusionskammer dienen. In der in 1 gezeigten Ausführungsform handelt es sich hierbei um einen Schwefelverdampfer (400) und einen Selen-Verdampfer (410), wie sie bei der Verwendung von Schwefel und Selen zur Dotierung insbesondere von CIGS-Dünnschichtsolarzellen zur Anwendung kommen.
  • Die 2 zeigt eine Querschnittansicht durch die Diffusionskammer (300) aus 1, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entspricht. Die Diffusionskammer (300) weist eine Vakuumkammer (2) auf. In der gezeigten Ausführungsform sind die Wände der Vakuumkammer mit Bohrungen (21) versehen, die ein Durchströmen der Kammerwände mit einem Kühlmittel, z. B. Wasser oder Öl erlauben. Hierdurch kann die überschüssige Wärme durch eine Kühlung der Kammerwände abgeführt werden. Weiterhin ist aber auch eine Temperierung der Kammerwände möglich, die bis zu Temperaturen von 180°C erfolgen kann, wenn ein Wärmeträgeröl eingesetzt wird. Mit Hilfe der Bohrungen (21) kann eine konstante Wandtemperatur sichergestellt werden.
  • Im Inneren der Vakuumkammer (2) sind zwei schalenförmige Elemente (11, 12) vorgesehen, die derart angeordnet sind, dass sie den Prozessraum (1) bilden. Die Schalenelemente bzw. Halbschalen (11, 12) sind vorzugsweise aus korrosionsfesten Materialien gefertigt. Zur Verringerung von Wärmeverlusten sind die beiden Halbschalen (11, 12) thermisch isoliert an den Kammerwänden der Vakuumkammer (2) befestigt. Dies kann beispielsweise durch Strahlungsschirme oder eine Wärmeisolation zwischen den Prozessraum und den Kammerwänden zur Verringerung von Wärmeverlusten geschehen.
  • In den Halbschalen (11, 12) sind Heizeinrichtungen (31, 32) integriert. Als Heizeinrichtungen können kohlenstoffbasierte Elemente verwendet werden, die elektrisch betrieben werden. Diese Heizeinrichtungen (31, 32) bestehen bevorzugt ebenfalls aus einem korrosionsfesten Material. Mit den Heizeinrichtungen kann in dem Prozessraum (1) eine Temperatur der Heizelemente von 400–1100°C erreicht werden.
  • Für den Einsatz innerhalb des Prozessraums (1) sollten die Heizeinrichtungen (31, 32) aus korrosionsfesten Materialien, beispielsweise faserverstärktem Kohlenstoff (CFC) bestehen. Zur Optimierung der Temperaturverteilung auf dem Substrat kann eine segmentierte Heizung mit separater elektrischer Ansteuerung der Elemente verwendet werden.
  • Prozessgas, also insbesondere Selen- und Schwefeldampf, oder ein Inertgas wird über eine Zuführung (4) in der oberen Halbschale (11) eingelassen. Die Prozessgase werden aus den jeweiligen Verdampfungseinrichtungen (400, 410) über Zuleitungen (45, 46) zum Gaseinlass geführt. Für die Zufuhr von Inertgas kann eine weitere Zuführung (47) vorgesehen sein.
  • Durch den Gasauslass (5) wird das Prozessgas aus der Prozesskammer (1) entfernt. Dies kann beispielsweise mittels einer Absaugpumpe geschehen, wobei der Prozessgasdruck in der Prozesskammer (1) über eine Ventilsteuerung zu der Absaugpumpe im Abgassystem geregelt wird. Zur Vermeidung von Ablagerungen sind die Gas-, Zu- und Abluftleitungen geheizt. In der Abgasleitung können weiterhin Kaltflächenabscheider vorgesehen sein, die zur Ausfällung kondensierbarer Gasbestandteile dienen.
  • Die Vakuumkammer weist weiterhin einen zusätzlichen Einlas (6) für Inertgas auf. Da die Vakuumkammer auf beiden Seiten mit einem Ventil verschlossen ist, entsteht ein leichter Überdruck in der Vakuumkammer, so dass das Inertgas über den umlaufenden Ringspalt, der zwischen den beiden Prozessraumhalbschalen (11, 12) gebildet ist, eindringen kann. Der Inertgaseinlass (6) in die Vakuumkammer (2) dient weiterhin zur Verhinderung von Gasaustritt aus dem Prozessraum im Gegenstromprinzip.
  • An den Seitenwänden der Vakuumkammer ist beidseitig ein Rollenantriebssystem angebracht. Die Rollen sind über vakuumgedichtete Drehdurchführungen mit einem Antrieb (50) außerhalb der Vakuumkammer verbunden. Mit Hilfe des Rollenantriebssystem kann der Substratträger durch den durch die beiden Halbschalen (11, 12) gebildeten Ringspalt (61) eingefahren werden.
  • Zur Wärmebehandlung des in dem Prozessraum (1) angeordneten Substrat (40) wird Prozessgas durch die Prozessgaszufuhr (4) in den Prozessraum eingeleitet. Das Prozessgas strömt zunächst über die Heizvorrichtung (31) in der oberen Halbschale (11), was einerseits zur Gasverteilung des einströmenden Dampfes dient; weiterhin werden insbesondere bei der Verwendung von Selen oder Schwefel durch das Überleiten des Selen-/Schwefeldampfes über den Heizer (31) die ringförmige Selen-/Schwefelmoleküle thermisch in atomare oder niedrigmolekulare Fragmente aufgespalten. Dadurch kann die Reaktion mit dem Substrat aktiviert werden.
  • Das so aktivierte Prozessgas trifft nun auf das auf einem Substratträger (41) angeordnete Substrat (40). Am Umfang des Substratträgers (41) sind vorzugsweise Öffnungen (42) vorgesehen, wie es in den 3 und 4 gezeigt wird. Das Prozessgas kann durch diese Öffnungen aus dem durch die obere Halbschale gebildeten Abschnitt des Prozessraums (1) in den unteren Abschnitts des Prozessraums (1) strömen, der durch die untere Halbschale (12) gebildet wird. Auch der Substratträger (41) sollte aus einem korrosionsfesten Material wie Glas, Keramik oder Kohlenstoff gebildet sein. Zur Erzielung höherer Aufheizraten des Substrats können innerhalb des Substratträgers im Bereich des Substrats (40) Materialien mit geringer Wärmekapazität, wie faserverstärktem Kohlenstoff eingesetzt werden.
  • Zur Unterbrechung des Prozessgaseinlasses am Ende der Behandlung können am Anschluss der Prozessgasquellen Absperrventile (70, 71) vorgesehen sein. Zur anschließenden Reinigung der Prozesskammer kann zusätzlich zu den Prozessgaszuführungen (45, 46) ein Spülgasanschluss (47) vorgesehen sein.
  • Unter Bezugnahme auf die Figuren wurde eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, insbesondere im Bezug auf die Verwendung der erfindungsgemäßen Diffusionskammer zur Schwefel- und Selendotierung für Dünnschichtsolarzellen. Die erfindungsgemäße Diffusionskammer kann vorteilhafterweise aber auch für andere Anwendungen zur Hochtemperaturbehandlung von Substraten außerhalb der Photovoltaik eingesetzt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2009/135685 A2 [0004]

Claims (17)

  1. Diffusionskammer zur thermischen Behandlung eines Substrats (40) mit einem Prozessgas, wobei die Diffusionskammer aufweist: eine Vakuumkammer (2); und zwei Halbschalen (11, 12), die innerhalb der Vakuumkammer (2) derart angeordnet sind, dass ein Prozessraum (1) gebildet wird, wobei zumindest in einer der Halbschalen (11, 12) eine Heizvorrichtung (31) vorgesehen ist und eine (11) der beiden Halbschalen einen Einlass (4) für das Prozessgas und die andere (12) der beiden Halbschalen einen Gasauslass (5) aufweist.
  2. Diffusionskammer nach Anspruch 1, wobei in beiden Halbschalen jeweils eine Heizvorrichtung vorgesehen ist.
  3. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Einlass (4) und/oder der Auslass (5) beheizte Leitungen aufweist.
  4. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Prozessraum (1) gegenüber mindestens einer der Wände der Vakuumkammer (2) thermisch isoliert ist.
  5. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Halbschalen (11, 12) ein korrosionsbeständiges Material aufweisen, beispielsweise Glaskeramik oder Kohlenstoff.
  6. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner mit einer Transporteinrichtung (50) mit einem Substratträger (41) zum Transportieren des Substrats (40) in bzw. aus dem Prozessraum (1).
  7. Diffusionskammer nach Anspruch 6, wobei der Substratträger (41) ein korrosionsbeständiges Material aufweist, beispielsweise Glaskeramik oder Kohlenstoff.
  8. Diffusionskammer nach Anspruch 6 oder 7, wobei der Substratträger (41) Gasdurchlasslöcher (42) vorzugsweise an dessen Umfang aufweist.
  9. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner mit einem thermischen Verdampfer als Prozessgasquelle.
  10. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner mit einer Zufuhr (6) für Inertgas in die Vakuumkammer (2).
  11. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Prozessgas Selen oder Schwefel zur Dotierung einer CIGS Dünnschichtsolarzelle ist.
  12. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Heizvorrichtung für die Erwärmung des Substrates unter gleichzeitiger Verwendung als Vorrichtung zur thermischen Fragmentierung der Prozessgasmoleküle, insbesondere von Selen- und/oder Schwefeldämpfen, eingerichtet ist.
  13. Diffusionskammer nach Anspruch 12, wobei die Heizvorrichtung mindestens eine plattenförmige Heizvorrichtung aus faserverstärktem Kohlenstoff aufweist.
  14. Diffusionskammer nach Anspruch 12 oder 13, wobei mehrere plattenförmige Heizvorrichtungen vorgesehen sind, um damit eine Zonenheizung auszubilden.
  15. Diffusionskammer nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner mit einer Einrichtung zur Überwachung der Substrattemperatur.
  16. Diffusionskammer nach Anspruch 15, wobei die Einrichtung zur Überwachung ein Infrarotstrahlungsmessgerät, insbesondere ein Pyrometer aufweist.
  17. Diffusionskammer nach einer der vorstehenden Ansprüche, wobei die Heizleistung der Heizvorrichtung in einem geschlossenen Regelkreis zum Erreichen einer möglichst homogenen Temperatureinstellung gesteuert wird.
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