TW200920829A

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Info

Publication number: TW200920829A
Application number: TW97127818A
Authority: TW
Inventors: Mark James Pellerite; Gregory Francis King; Mahfuza Begum Ali; James Edward Lockridge; Eileen M Haus; Hang K Loi; Jeffrey Alan Peterson
Original assignee: 3M Innovative Properties Co
Priority date: 2007-07-23
Filing date: 2008-07-22
Publication date: 2009-05-16
Also published as: WO2009014897A3; CN101809110A; US20130236702A1; JP2010534272A; WO2009014897A2; KR101494033B1; US9260612B2; US20090029129A1; JP5426546B2; KR20100046016A; EP2178998B1; CN101809110B; EP2178998A2; US8449970B2; EP2178998A4

Description

200920829 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於具有包含陽離子聚合物之抗靜電層的抗靜電物件。【先前技術】用於顯示裝置中之物件(諸如光學物件)必須滿足嚴格效能標準’包括高透光率、透明度及超淨外觀。諸如顆粒、不平坦表面特徵及不相稱接觸度（有日夺稱為"渗濕㈣- —”)之缺陷對光學效能有害。此等缺陷可部分歸因於藉由製造、轉換或裝配過程引入之靜電荷。舉例而言，靜電荷可由在加卫期間自目標基以膜迅速拉離或剝離之膠帶(例如，遮蔽膠帶)或其他膜引起。此等靜電荷隨後會吸引可能在膜表面附近之灰塵或其他碎片之顆粒。視膜之原始目的而定’最終附於膜上或錨定於膜上

之顆粒會導致不期望之光阻隔、折射或吸收。不平挺表面特徵可歸因於膜之不均勾收縮、撓曲或膨脹，尤其當將膜之某-區♦夾持或機械式固持⑥適當&置同時膜之另一部分發生運動或螺變時m原因可為靜電荷，其; 產生夾持或固定區域’從而引起臈層之間結合且因此導致不均勻或不同步之膜變化。當在兩個區域之間存在光學透射差異時，或當觀察到諸如"牛頓環（Newton，s ring)"之干擾圖案時，彳發生稱為"滲『現象之光學缺陷。（當在整個膜產品中滲濕均㈣，可最低限度地傾測到該缺陷。）靜電荷可促成兩個層狀膜之間特定區域之不均勻吸引，從而 133068.doc 200920829 引起滲濕。 /此，存在對可用以在多種基板上形成抗靜電層使得所得抗靜電物件適用於光學應用之抗靜電組合物的需要。【發明内容】 @ 本文揭示包含安置於基板上之抗靜電層的物件。在一態樣中，該物件包含：基板及安置於該基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含陽離子共聚物、非陽離子（？基）丙稀酸聚〇物及交聯劑。陽離子共聚物基本上由以下各物組成：D 約20重量％至小於7〇重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR'COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為0、s或NH; R1為Η或CH3; R2獨立地包含具有1至 4個碳原子之烷基；X為選自由齒素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且η=2至 6 ;及ii)約10重量％至約75重量％之疏水性單體其包含具有1至12個奴原子之煙基的（甲基）丙烯酸脂族烧醋單體；及 iii)約2重量％至約25重量％之具有下式之可交聯單體： ch2=cr3y 其中R3為Η或CH3 ;且Y係選自由c〇2M、L-C02M、L-〇h 及CONH2組成之群’其中Μ為Η或平衡離子，且l為二價鍵聯基團’其包含伸烧基、伸芳基、雜伸院基、趟基、幾基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合；b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-曱搭、尿素-曱酸、甘腺-曱链、氣丙 133068.doc 200920829 °定、碳化二亞胺、異氱酸酯及環氧樹脂交聯劑β 在另一態樣中’陽離子共聚物基本上由以下各物組成： 1)約20重量。/〇至約50重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為〇、S或NH ·，Ri為Η或CH3 ，R2獨立地包含具有工至 4個碳原子之烷基；X為選自由齒素、硝酸根、烷基硫酸 . 根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且n=2至 ( 6 ;及U)約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體；出）約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含\乙烯基吡咯啶酮、（曱基）丙烯酸N，N•二甲胺基乙酯或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約7〇重量％ ;及 iv)約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y

ϋ 其中 R、H4CH3 ;且 Υ係選自由 co2m、l-co2m ' L.OH 及CONH2組成之群，其中M為H或平衡離子，且[為二價鍵聯基團，其包含伸烧基、伸芳基、雜伸烧基、喊基、载基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合；b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素-甲醛、甘脲_甲醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑。本文中所揭示之物件可用於多種構造中，尤其適用於光 133068.doc _ 〇 200920829 學應用之彼等構造。在一些實施例中，基板包含反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、增売膜、轉向臈、鏡膜或其組合。抗靜電層亦可併入作為此等光學膜中一者之内層或外層。在一實施例中，物件包含安置於抗靜電層上之微結構化層，其中該微結構化層包含具有複數個微結構之結構化表面’且結構化表面構成物件之外表面。在另一實施例中，物件包含A)偏光膜；B)安置於該偏光膜上之抗靜電層；C)光學膜；及D)使光學膜黏著於抗靜電層之黏著層。在另一實施例中，物件包含A)偏光膜；B)安置於該偏光膜上之抗靜電層；c)光學膜；及〇)使光學膜黏著於偏光膜之黏著層。在另一態樣中，本文中揭示製造該物件之方法。該方法包含將本文所揭示之抗靜電組合物塗佈於基板上藉此形成經塗佈基板，視情況接著在至少一個方向上拉伸該經塗佈基板。在又一態樣中’本文揭示包含該物件之顯示裝置。該顯示裝置包含顯示面板、一或多個光源及該物件。在又一態樣中，本文揭示陽離子共聚物且其基本上由以下各物組成.i)約20重量％至約50重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2 = CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為Ο、S或NH ; R1為Η或CH3 ; R2獨立地包含具有J至 4個碳原子之烧基；X為選自由自素、硝酸根、烧基硫酸根、烧續酸根及鹵烧確酸根組成之群的陰離子；且n=2至 133068.doc 200920829 6 ;及ii)約1〇重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體； iii) 約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含…乙烯基吡咯啶酮、（甲基）丙烯酸N，N-二曱胺基乙酯或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約70重量。/。；及 iv) 約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含（曱基）丙烯酸或具有下式之單體的： ch2=cr3y 其中R3為Η或CH3 ;且γ係選自由C〇2M、l_c〇2M、l 〇h 及CONH2組成之群，其中1^為11或平衡離子，且[為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、醋基、醯胺基或績醯胺基官能基或其組合。在下文實施方式中描述本發明之此等及其他態樣。決不應將以上發明内容視為對所主張之僅由如本文中闡述之申請專利範圍定義之標的物的限制。【實施方式】本發明提供大量優勢。其―，抗靜電層可用以賦予物件以抗靜電特性以使得該物件在不需要電路（例如，電線）與其一或多個表面連接的情況下可抗靜電。此等抗靜電物件顯示足夠抗靜電特性以使灰塵、污垢及其他顆粒對物件表面之黏㈣至最⑯。抗#電層甚至可用以賦予液晶背光中所用之光學膜収夠抗靜電特性，其中自光學膜移除保護膜可產生大靜電荷及高達20 kv之電位。—般而言，抗靜 133068.doc •10- 200920829 電物件可顯示高電阻率值，例如大人於約1χ108歐姆/平方或大於約IX10丨0，仍保持有效抗靜雷，又机静電特性。當在約40¼之相對濕度下量測時，本文所猖千夕h拉& 所揭不之抗静電物件可具有小於約 1x10歐姆/平方，或1><1〇12歐姆界十方，較佳小於1x10丨0歐姆/平方之表面電阻率。即使小一 Ρ便小於1 之層厚度仍可達成此抗靜電效能。另一優勢在於抗靜電層可用裎用以钕供顯不較短電荷衰減時

間之抗靜電物件，電荷衰、、赤主M 电仃衣減時間為静電荷在特定電壓範圍 (例如，5_V至小於_v)内衰減至其初始值之㈣所需之時間量。當在約40%之相對濕度下量測時，本文所揭示之抗靜電物件可顯示小於岣、幻20心、小於約10秒、小於約5 秒、小於約2秒、小於的π , &二、β 、約〇.1秒或甚至小於0·01秒之電荷衰減時間。在—歧樁二，下，虽在約20%之相對濕度下量測時可嬈察到此等電荷衰減時間。扣^ ^見’ 4〉主意儘管術語"導電”在工業中經常用以 ί. /電耗纟，亦即抗靜電，如本文中所用之術語導電斑抗靜電並不意欲為同義丄、我特疋吕之，將導電材料塗層視 A具有達ΙχίΟ5歐姆/平方夕主工+^方 a；十万之表面電阻率，而抗靜電材料塗 B通常具有達1x10丨2之矣；+ ,A 表面電阻率。一般將此等術語用以

々田述在材料之曝I 材上具有導電或抗靜電組份或試劑之 y (比較而5，藉由具有，,掩埋"於不具有抗靜電特性的 θ之間的抗靜電a，你^1 厂、 ^ θ物件可具抗靜電性，儘管該物件將顯阻：Ν水準之表面電阻率。）另夕卜即使在此等高表面電 μ值下，物件仍可保持靜電衰減時間。 133068.doc 200920829 另一優勢在於抗靜電層可用作促進典型聚合基板與另一聚合層之間黏著之底塗層。尤其有利的在於抗靜電層良好黏著於諸如透光基板甚至如下所述之多層光學膜的光學基板。亦尤其有利的在於抗靜電層良好黏著於由如下所述且適用於光學應用之輻射固化材料形成之層。亦尤其有利的在於抗靜電層所黏著於黏著層。又一優勢在於在合適基板上形成抗靜電層以提供抗靜電物件之後，可接著在一或兩個維度上將物件拉幅或拉伸以使基板定向。自加工觀點來看，此預拉抗靜電處理為所需的，因為其不需要獨立塗佈步驟。相比之下，許多用以賦予抗靜電特性之已知材料，包括聚合物及顆粒，不可進行可包括高溫及2:1、4.5:1或甚至6:1或6:1以上任何值之拉伸比的拉幅。至少，❹已知材料在拉伸後喪失表面電阻率特性。本文所揭示之抗靜電層可經拉伸而仍保留表面電阻率特性。又一優勢在於抗靜電層可設計為顯示所需之光學特性，諸如濁度及透光率。舉例而言，當於合適基板上形成抗靜電層時，抗靜電物件可顯示諸如小於約2〇%之最小濁度。此以已知抗靜電組合物一般難以達成，因為在一些情況下僅用職予不合需要水準之濁度的厚層才能達成^夠抗靜電效能。不合需要濁度之另一來源為表面粗糙度，其可起因於諸如斑點及去濕之乾燥相關現象。當使用水基塗料調配物時’由於在乾燥過程中出現之表面張力梯度，此問題尤其嚴重。必要時’當於合適基板上形成抗靜電層時，抗靜 133068.doc •12- 200920829 電物件可顯示諸如大於90%之最大透光率。一般而言，抗靜電層理想地為無色的。藉由具有此等特性，抗靜電物件適用於光學應用中’其中光可得以管理、增強、操作、控制、保持、傳輸、反射、折射、吸收等。下文更詳細描述光學應用。又一優勢在於在低至20%之相對濕度下本發明之塗料的抗靜電效此可仍為適當的，且材料可經受甚至高達約 260°C之溫度的熱處理。另外，即使在抗靜電層經輻射可固化組合物（隨後固化）外塗佈之後仍可保持抗靜電特性。因為輻射可固化組合物經常為1 〇〇〇/〇單體且因此可對於抗靜電塗層分解具有侵襲性’所以此通常為難以解決的問題。又一優勢在於用以形成抗靜電層之組份在待塗佈之調配物中及在經乾燥之層中均為相容的。此並非微不足道之優勢，因為在陽離子共聚物與黏合劑材料（經常具有陰離子刀政包）之間不易出現相容性。此等組合經常出現沈澱或膠凝化。出乎意料地，已發現用陽離子聚合物、黏合劑及交聯劑之特定組合，可獲得上述優勢。抗靜電層包含陽離子共聚物。一般而言，適用之陽離子共聚物為可藉由（甲基）丙烯基或乙烯基單體之自由基聚合製備的彼等共聚物。如本文中所用，，，（甲基）丙烯基"用以才曰丙稀基及甲基丙稀基且包括諸如（甲基）丙稀酸酯及（甲基）丙烯醯胺之化合物。適用之陽離子共聚物具有大於約 10,000之數量平均分子量，較之較高分子量，更需要較低 133068.doc -13· 200920829 分子量。在US 2007/0082196 A1 (Ali等人）中描述適用之陽離子共聚物。在一實施例中，陽離子共聚物基本上由陽離子單體、疏水性單體及可交聯單體組成。陽離子單體具有下式：

CH2=CR,COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為Ο、S或NH ’ R1為Η或CH3 ; R2獨立地包含具有1至 4個碳原子之烷基；X為選自由函素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且η==2至 6。舉例而言，陽離子單體可包含2_丙烯基氧基乙基三烷基銨陽離子及陰離子，且較佳氣化2_丙烯基氧基乙基三甲基銨或溴化2-丙烯基氧基乙基丁基二甲基銨。相對於用以形成陽離子共聚物之單體的總重量，陽離子單體佔約2〇重量％至小於70重量％，或約30重量％至約65重量％。可將陽離子單體併入陽離子共聚物中以賦予抗靜電特性。因此，所用陽離子單體之特定量可視共聚物之所需抗靜電特性以及多種其他因素而定’包括與用以形成抗靜電層之組合物以及形成後之抗靜電層中之其他單體及其他組份的相容性。疏水性單體包含具有丨至12個碳原子之烴基的（甲基）丙稀酸脂族㈣旨單體。疏水性單體可為直鏈、分支鏈或環狀單體’且可視情況經諸如芳族基團之基團、諸如〇之雜原子及，如孤之含雜原子基團取代。疏水性單體亦可不含活性氫，諸如OH、ΝΗ及SH氫。例示性疏水性單體包括丙 133068.doc -14- 200920829 烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、两丙稀酸丁酯、（甲基）丙烯酸

他組份的相容性。可交聯單體包含（甲基）丙烯酸或具有下式之單體：

CH2=CR3Y

由 C02M、L-C02M、L-OH 其中R3為Η或CH3 ;且Y係選自由, 及CONH2組成之群，其中河為11或平衡離子。平衡離子可選自由以下各物組成之群：鹼金屬；銨；及帶有具有丨至4 個碳原子之烷基或經雜原子取代之具有丨至4個碳原子之烷基的經取代單烷基銨、二烷基銨及三烷基銨。^為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、醋基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合。適用作L 之一價鍵聯基團包括具有2至6個碳原子之伸烧基。例示性可交聯單體包括（甲基）丙烯酸羥乙酯、N-(羥曱基）（曱基）丙烯醯胺、（曱基）丙烯酸及（曱基）丙烯酸2_羧乙酯。據信可交聯單體可與亦存在於抗靜電組合物中之交聯劑反應。因此’所用特定可交聯單體可視交聯劑之反應性而定。相對於構成陽離子共聚物之單體的總重量，可交聯單體係以約 2重量％至約25重量％，或約5重量％至約10重量％之量存 133068.doc -15- 200920829 在。所用可交聯單體之特定量可視共聚物之所需特性而定’諸如與用以形成抗靜電層之组合物以及形成後之抗靜電層中之其他單體及其他組份的相容性。陽離子共聚物可基本上由陽離子單體、疏水性單體及可父聯單體之特定組合組成。陽離子共聚物之適用實例包括列於下表1中之彼等共聚物。在一實施例中，陽離子共聚物基本上由以下各物之共聚物組成：丙烯酸二曱胺基乙酯之烧基鹽；疏水性單體’其包含丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲S曰、丙烯酸異冰片酯或其組合；及（曱基）丙烯酸羥乙西曰。在另一實施例中，陽離子共聚物基本上由以下各物之共聚物組成：丙烯酸二甲胺基乙酯之烷基鹽；疏水性單體，其包含（曱基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸曱酯、（曱基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯或其組合；及可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸羥乙 S旨。在另一實施例中，陽離子共聚物基本上由陽離子單體、疏水性單體、含氮單體及可交聯單體之共聚物組成。在此情況下，陽離子單體可包含上述彼等陽離子單體中之任一者，但當與含氮單體-起使用時，相對於用以形成陽離子共聚物之單體的總重量，其佔約20重量％至約50重量％。疏水性單體可包含上述彼等疏水性單體中之任一者且相對於用以形成陽離子共聚物之單體的總重量可為約10重量0/0 至小於75重量％，或約2〇重量％至約35重量％。可交聯單體可包含上述彼等可交聯單體令之任一者且相對於用以形 133068.doc -16- 200920829

成陽離子共聚物之單體的總重量可為約2重量％至約25重量％，或約5重量％至約10重量〇/〇D 含氮單體包含N-乙烯基吡哈啶酮、（甲基）丙稀酸n，n•二甲胺基乙S旨或其組合。相對於用以形成陽離子共聚物之單體的總重量，含氮單體佔約〇.5重量％至約55重量％，或約 5重里％至約35重量％ ,限制條件為相對於用以形成陽離子共聚物之單體的總重量，陽離子單體及含氮單體之量小於約7〇重量％。所用含氮單體之特定量可視共聚物之所需特 ί1 生而疋，諸如與用以形成抗靜電層之組合物以及形成後之抗靜電層中之其他單體及其他組份的相容性。陽離子共聚物可基本上由陽離子單體、疏水性單體、含氮單體及可交聯單體之特定組合組成。此等陽離子共聚物之適用實例包括列於下表2中之彼等共聚物。在一實施例中，陽離子共聚物基本上由以下各物之共聚物組成：丙烯酸二甲胺基乙酯之烷基鹽；疏水性單體，其包含丙烯酸乙酉曰、曱基丙烯酸甲酯、曱基丙烯酸丁酯、丙烯酸異辛酯、 (曱基）丙烯酸異冰片酯或其組合；Ν_乙稀基π比略咬_、丙稀酸一甲胺基乙酯或其組合；及（曱基）丙烯酸羥乙酯。在另一實施例中’陽離子共聚物基本上由以下各物之共聚物組成：丙烯酸二甲胺基乙酯之烷基鹽；疏水性單體，其包含丙稀酸苯氧基乙酯、曱基丙烯酸甲酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異冰片酯或其組合；Ν_乙烯基D比洛啶酮、丙烯酸二甲胺基乙酯或其組合；及（曱基）丙烯酸羥乙酯。在另一實施例中’陽離子聚合物基本上由以下各物之共聚物組成： 133068.doc 200920829 陽離子單體，其包含丙烯酸二曱胺基乙酯之烷基鹽；疏水性單體，其包含（曱基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸曱酯、 (甲基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（曱基）丙烯酸苯氧基乙酯或其組合；N-乙烯基"比洛咬酿I、丙烯酸二甲胺基乙酯或其組合；及可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸羥乙酯。

在製備陽離子共聚物過程中，典型方法將包括將該等單體中之每一者連同引發劑及溶劑一起饋入反應容器中。合適引發劑包括2,2’-偶氮雙（2-曱基丁腈）或作為DuP〇nt

Chemicals之VAZO產品或作為Ciba Specialty Chemicals之 IRGACURE產品出售之彼等物質中之任一者。通常使用每 100份單體混合物約0.1至1份之引發劑。適用溶劑將包括各種醇，包括（但不限於）甲醇、乙醇、異丙醇、乙酸乙酯、曱基乙基酮、水及其組合。將該系統混合一段時間以進行反應。陽離子共聚物佔抗靜電層之約25重量％至約70重量％，或約重量％至約60重量％。在大多數情況下，需要化陽離子共聚物之量以最小化成本及對物件效能之任何不良作用。舉例而言，若物件為需要為無色的之光學物件且陽離子共聚物能夠賦予光學物件以顏色，則應將陽離子丘聚物之量最小化至光學物件保持無色之程度。對於另一膏 :，若將抗靜電層安置於基板與另一層之間，則所用陽離子共聚物之量不應干擾基板與另一層之間的黏著1頂 D 3359為用以量測兩層之間的黏著之熟知方法。 133068.doc 18 200920829 特定陽離子共聚物及所用量將視多種因素而定，包括存於抗靜電層中之其他組份、特定基板'所需抗靜電效能。選擇陽離子共聚物之-種方式為將其溶液或分散液塗布於基板上且接著置測表面電阻率。理想地，當在約卿❶ 之相對濕度下量測時，單獨陽離子聚合物所賦予之表面電阻率小於約1 X 1 〇 1 G歐姆/平方。

抗靜電層亦包含非陽離子（甲基）丙婦酸聚合物，其主要肖㈣合劑及/或底塗劑。可將此材料稱為乳膠、分散液或乳液聚合物。非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物包含（甲基）丙烯酸烷酯共聚物或丙烯酸核/殼共聚物。適用之（甲基）丙烯酸烷酯共聚物包括用於RH0PLEX 3208及RHOPLEX 3208ER⑽喊Haas c。）中之彼等共聚物。適用之丙稀酸核/殼共聚物包括核/殼乳膠，其係基於丙烯酸異冰片醋/ 甲基丙稀酸甲醋/丙婦酸乙醋共聚合且使用在w〇 96/i6i2〇 (Rao等人）之實例！中所述之方法來製備。其他適用之黏合劑聚合物系統為諸如在US 6 891^ (Kausch)之實例Μ中所述之彼等黏合劑聚合物系統。黏合劑聚合物亦可包含具有諸如-OH及-C〇2H之可交聯官能基的單體。特定黏合劑及所用量可視多種因素^，包括與用以形成抗靜電層之抗靜電組合物以及形成後之抗靜電層中之其他組份的相容性。一般而言，抗靜電層包含約1〇重量％至約5〇重量％之非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物。抗靜電層亦包含選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素-曱醛、甘脲_甲醛、氮丙啶、碳化二亞 133068.doc -19- 200920829 胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑。此等交聯劑可與黏合劑及/或陽離子共聚物中由交聯單體賦予之側位交聯基團反應。交聯劑選擇為可賦予抗靜電層以完整性及任何其他所需特性。適用之交聯劑包括CYMEL 323、325、及373 (Ciba Specialty Chemicals) ; CX-100 (DSM Neoresins); 及XAMA-7 (Hoechst Celanese)。交聯劑及所用量之特定選擇視多種因素而定，諸如與在經塗佈及/或固化之前或之後的層中之其他組份的相容性’層之所需厚度、聚合條件、成本等。因此，交聯劑可佔抗靜電層之約5重量％至約3 5重量％。抗靜電層中所用材料之相對量將視所用之特定材料以及層厚度及物件之預定用途而定。在一實施例中’抗靜電層包含：約25重量％至約70重量％之陽離子共聚物；約1〇重量％至約50重量％之非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及約$ 重量％至約3 5重量％之交聯劑。抗靜電層可另外包含至少一種催化劑或熱活化及/或光活化之潛伏性催化劑以促進固化及交聯。視塗層中採用之交聯化學的類型而定，催化物質可為酸性或鹼性物質。適用酸及潛伏性酸性催化劑（尤其適用於基於三聚氰胺_甲醛之可交聯系統）的實例包括對甲苯磺酸及其衍生物，諸如 CYCAT 4040及 4045 (Ciba Specialty Chemicals)。適用催化劑之其他實例包括諸如鹽酸、磷酸及硝酸之無機酸、其胺鹽，及羧酸及其胺鹽。催化劑亦可為聚合物質，諸如聚 (伸乙亞胺）及其鹽或聚（丙烯酸）及其銨鹽。適用之光活化 133068.doc -20- 200920829 = 之實例包括諸如三氟甲續酸之強酸的錤鹽及疏二體催化劑或催化劑前驅體_ 抗靜電層及/或用以涂_ # 右覆抗靜電層之塗料調配物亦可含有其他類型之添加劑。 .^ ± 此等材料較佳應與塗層及塗料調配 ,Γ=:份相容且不應不利地影響光學物件之效能屬料包括塗佈助劑，諸如界面活性劑及聚結溶劑，4泡劑；例如用作助

則之微粒，抗氧化劑；及ρΡί值控制诏’諸如緩衝劑戋= 3 —坑基胺。對於包含三聚氰胺-甲醛交聯劑之塗料調配物而古， ° 將諸如二乙胺及二甲基乙醇胺之相對較易揮發之= —坑基胺用作pH值穩定劑尤其較佳，因為婦浮動至酸範圍内可導致不合需要之適用期縮短及膠凝化過早。抗靜電層可具有任何合適厚度，限制條件為其可賦予物件以所需抗靜電特性…般而言，約25nm至約彻⑽，較佳約50 nm至約250 nm之厚度為適用的。抗靜電層應足夠厚以賦予所需特性但不能厚至將減損物件效能之程度。本文亦揭不製造抗靜電物件之方法。該方法包含將上述抗靜電組合物塗佈於基板上，藉此形成經塗佈基板。通常將抗靜電組合物中之組份溶解、分散或懸浮於塗佈步驟之合適溶劑中。所用特定溶劑係視特定組份、組份之所需濃度、層之所需厚度及性質、所用塗佈方法等而定。合適溶劑包括水。一般而言，相對於總組合物之重量，用以形成抗靜電層之組合物包含至多約5 〇重量％固體。 133068.doc •21 · 200920829 可使用多種塗佈技術來塗佈抗靜電組合物，該等塗佈技術諸如浸潰塗佈、卷筒塗佈、模具塗佈、刮刀塗佈、氣刀塗佈、狹縫塗佈、斜板塗佈、線繞棒塗佈及簾幕式塗佈。塗佈技術之廣泛討論可見於Cohen，E.及Gutoff，E. Modern Coating and Drying Technology; VCH Publishers: New York，1992 ’ 第 122頁；及Tric〇t，Y-M. Surfactants: Static and Dynamic Surface Tension. In Liquid Film Coating; Kistler，S· F.及 Schweizer，P. M.編；Chapman & Hall: London, 1997 ;第 99頁中。可使用熱或UV輻射或任何其他合適固化技術將抗靜電組合物固化。關於自由基固化技術之更多細節可見於（例如）U.S. 4,654,233 ; 4,855，184 ;及 6,224,949 中。一種較佳之固化方法為使用膜拉幅過程之潛熱來使抗靜電塗層熱活化且交聯。基板可包含包括以下各物之多種材料中之任一者：聚酯’諸如聚對苯二曱酸乙二酯、聚萘二曱酸乙二酯、基於萘二甲酸之共聚酯或聚酯；聚碳酸酯；聚苯乙烯；苯乙烯-丙烯腈；乙酸纖維素；聚醚砜；聚（甲基）丙烯酸酯，諸如聚甲基丙烯酸甲酯；聚胺基甲酸酯；聚氣乙烯；聚環烯烴；聚醯亞胺；玻璃；紙；或其組合或摻合物。特定實例包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯及三乙酸纖維素。較佳實例包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚秦一曱酸乙·一 Sa、二乙酸纖維素、聚丙稀、聚醋、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚醯胺或其摻合物。 133068.doc •22- 200920829 土板較佳八有足夠耐尚溫性及耐老化性以使得抗靜電物件之效能不會隨時間而受損。基板厚度通常小於約2.5麵。土板亦可為可又向膜，諸如在拉幅操作中定向之前經塗佈之續造幅式基板。基板可包含透^基板使得抗靜電物件適用於光學應用。適用之透光基板為光學透明的且經設計以控制光流量且可具有大於約90%之透射率。基板可顯示最小濁度，其具有

小於約5。/。’例如小於2%或小於1%之濁度值。選擇合適基板時所考慮之特性包括機械特性，諸如可撓性、空間穩定性自身可支撐性及抗衝擊性。舉例而言，基板可需要具有足夠、、’σ構強度以使得抗靜電物件可經裝配為顯示部分。〈基板可包含用於多種應用（諸如製圖藝術及光學應用）中 ^ 、可將適用之光學膜描述為反射膜、偏光膜、反臈偏：二射撸合反射偏光膜、漫射膜、增亮膜、轉向或組合。光學膜可包含具有十層或小於十層、心二5甚至數千層之多層光學臈，料層係由所有雙折此2層、—些雙折射光學層或所有各向同 :組：組成。在-實施例中，基板可為具有第一光學層斑第先學層之交替層的多層光學膜，#中第一光學〜，光學層具有沿至少-轴撼至少㈣之折射率。在= "考文獻中描述具有折射率失配之多層光學膜、施例中，基板可包含一或多層以上光學膜中之任〜 ’以便將抗靜電層掩埋於該等光學膜層之任—者 Τ ’使 133068.doc -23- 200920829 得物件本身為反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、增亮膜、轉向膜、鏡膜或其組合。適用之基板包括作為以下各物銷售之市售光學膜： Vikuiti™ 雙重增亮膜（DBEF)、Vikuiti™ 增亮膜（BEF)、 Vikuiti™漫射反射偏光膜（DRPF)、Vikuiti™增強型鏡面反射器（Enhanced Specular Reflector，ESR)及 Vikuiti™ 高級偏光膜（APF)，所有各者均可獲自3M公司。適用之光學膜亦描述於 U.S. 5,825,543; 5,828,488 (Ouderkirk 等人）； 5,867,316; 5,882,774; 6,179,948 B1 (Merrill 等人）； 6,352,761 Bl; 6,368,699 Bl; 6,927,900 B2; 6,827,886 (Neavin 等人）；6,972,813 B1 (Toyooka); 6,991,695; 2006/0084780 A1 (Hebrink 等人）；2006/0216524 A1; 2006/0226561 A1 (Merrill 等人）；2007/0047080 A1 (Stover 等人）；WO 95/17303; WO 95/17691; W095/17692; WO 95/17699; WO 96/19347; WO 97/01440; WO 99/36248 ;及 W099/36262中；所有文獻均以引用的方式併入本文中。此等光學膜僅具說明性而不意欲為可使用之合適光學膜的詳盡清單。在此等實施例之一些實施例中，本發明之抗靜電底塗層可為多層膜構造中之内層。在合適基板上形成抗靜電層之後，可接著在一或兩個維度上將經塗佈基板拉幅或拉伸以將基板定向。在Πϊβ Encyclopedia of Polymer Science and Engineering 5 第 2版之第12卷，第193至216頁中描述膜（尤其為聚酯膜）的定向方法。製造雙軸定向聚酯膜之典型方法包含四個主要步 133068.doc -24- 200920829 驟：（i)熔融擠出聚酯樹脂且使其驟冷以形成幅板，（2)在縱向或加工方向上拉伸幅板，（3)隨後或同時在橫向上拉伸幅板以產生膜’及（4)使膜熱定型。若需要雙軸取向，則可在已於加工方向上拉伸基板之後但在隨後於橫向上拉伸基板之前，將抗靜電組合物塗佈於該基板上。關於聚合臈定向之進一步討論可見於wo 2006/130142及先前引用之關於光學膜之參考文獻中。上述物件可用以製造多種適用於諸如顯示裝置之光學應用中的其他物件。在一實施例中，抗靜電層係安置於為偏光膜之基板上。在另一實施例中，適用於光學應用之物件包含：A)偏光膜；B)安置於偏光膜上之抗靜電層，該抗靜電層包含：a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物：i) 約20重量％至小於7〇重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為〇、s或NH; R1為Η或CH3; R2獨立地包含具有1至 4個碳原子之烷基；X為選自由鹵素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且η=2至 6 ;及ii)約1〇重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體；及 iii)約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y

其中R3為Η或CH3 ;且丫係選自由C〇2m、L-C02M、L-OH 133068.doc -25- 200920829 及CONH2組成之群’其中Μ為Η或平衡離子，且L為二價鍵聯基團，其包含伸烷基' 伸芳基、雜伸烷基、_基、辦基、酯基、醯胺基或績醯胺基官能基或其組合；b)非陽離子（甲基）丙稀酸聚合物；及c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲搭、尿素-甲盤·、甘脲-甲駿、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑；c)光學膜；及D)將光學膜黏著於抗靜電層之黏著層。亦即，在此實施例中’物件包含四層，其中抗靜電層安置於偏光膜上、黏著層安置於抗靜電層上與偏光膜相對，且光學膜安置於黏著層上與抗靜電層相對。在另一實施例中，適用於光學應用之物件包含：A)偏光膜；B)安置於偏光膜上之抗靜電層，該抗靜電層包含：a) 基本上由以下各物組成之陽離子共聚物：〇約2〇重量％至小於70重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為Ο、S或NH ; R1為Η或CH3 ; R2獨立地包含具有1至 4個石反原子之烧基，X為選自由鹵素、硝酸根、烧基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且η=2至 6 ;及ii)約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體；及 iii)約2重量°/。至約25重量❶/〇之可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y 133068.doc -26· 200920829 其中R3為Η或CH3 ;且Y係選自由c〇2M、l c〇2m、[·〇Η 及CONH2組成之群，其中M為H或平衡離子，且[為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合；b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素_甲醛、甘脲-甲醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑；c)光學膜’及D)將光學膜黏著於偏光膜之黏著層。亦即，在此實施例中，物件包含四層，其中抗靜電層安置於偏光膜上、黏著層安置於偏光膜上與抗靜電層相對，且光學膜安置於黏著層上與偏光膜相對。在又_實施例中，適用於光學應用之物件包含：A)偏光膜；B)安置於基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含；〇基本上由以下各物組成之陽離子共聚物：丨）約2〇重量％至約 50重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR,COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為〇、s或NH; R1為Η或CH3 ; R2獨立地包含具有1至 4個碳原子之烷基；X為選自由鹵素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且n=2至 6 ;及ii)約1〇重量％至約75重量❶/〇之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（曱基）丙烯酸脂族烷酯單體； iii)約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含N-乙烯基 °比咯啶酮、（甲基）丙烯酸N，N-二甲胺基乙酯或其組合；限 133068.doc • 27- 200920829 制條件為陽離子單體及含』於約70重量％ β iv)約2重量％至約25重里/。，及更篁/〇之可父聯早體，其包含（甲其烯酸或具有下式之單體：土）丙

^xl2 = v^K Y

L 其中R為Η或ch3 ;且丫係選自由c〇2M、L c〇2M、L⑽ 及CONHj成之群’其中或平衡離子且[為二價鍵聯基團’其包含㈣基、伸芳基、雜伸燒基、喊基、数基、醋基、醯胺基或續酿胺基官能基或其組合；b)非陽離子(甲基)丙烯酸聚合物；c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-曱搭、屎素-曱醛、甘脲_甲醛、氮丙啶、石厌化一亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑；C)光學膜；及 D)將光學膜黏著於抗靜電層之黏著層。亦即，在此實施例中，物件包含四層’其中抗靜電層安置於偏光膜上、黏著層安置於抗靜電層上與偏光膜相對，且光學膜安置於黏著層上與抗靜電層相對。在又一實施例中’適用於光學應用之物件包含：A)偏光膜；B)安置於基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含：3)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物：i)約20重量。/。至約 50重量％之具有下式之陽離子單體：

CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中Z為0、S或NH; R1為Η或CH3 ; R2獨立地包含具有1至 4個碳原子之烷基；X為選自由鹵素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及鹵烷磺酸根組成之群的陰離子；且n=2至 133068.doc -28 - 200920829 0 ;及ii)約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體； iii) 約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含沁乙晞基 °比洛啶酮、（甲基）丙烯酸N，N_二甲胺基乙酯或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約7〇重量％ ;及 iv) 約2重量。/。至約25重量％之可交聯單體，其包含（甲基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=crjy 其中R3為Η或CH3 ;且Y係選自由c〇2M、l_c〇2M、及CONH2組成之群，其中M為H或平衡離子，且匕為二價鍵聯基團’其包含伸烧基、伸芳基、雜伸燒基、鱗基、叛基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合；b)非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物；c)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素-甲醛、甘脲_甲醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑；c)光學膜；及 D)將光學膜黏著於偏光膜之黏著層。亦即，在此實施例中’物件包含四層’其中抗靜電層安置於偏光膜上、黏著層安置於偏光膜上與抗靜電層相對，且且九學膜安置於黏著層上與偏光膜相對。任何類型之偏光膜可用以製造適 π义九學應用之物件，限制條件為對於通過膜之光觀察到—此 J些偏光。實例包括單層及多層光學膜，諸如反射偏光膜哎潘史射摻合反射偏光膜以及3M公司之上述Vikuiti™膜中之任一者 133068.doc -29- 200920829 光學膜可包含透光聚合膜；實例包括聚酯，諸如聚對笨一甲酸乙二醋或聚秦一甲酸乙二醋；乙酸纖維素，包括乙酸丁酸纖維素、乙酸丙酸纖維素或三乙酸纖維素；聚碳酸醋；聚丙烯酸酯’諸如聚甲基丙烯酸酯；聚烯烴，諸如聚乙烯、聚丙烯及環狀烯烴：聚氣乙烯；聚醚碾；聚胺基甲酸酯，間規聚苯乙烯，聚醯亞胺、聚醯胺或其共聚物及掺合物。實例亦包括單層及多層膜以及3M公司之上述 Vikuiti™膜中之任一者。光學膜可包含上文對於基板所描述之彼等光學膜中之任一者；舉例而言，光學膜可包含稜鏡膜、漫射膜、光導或其組合。黏著層黏合偏光膜與光學膜。用以形成黏著層之較佳黏著劑包括光學等級黏著齊J，其對最終物件最初或老化階段之後的光學效能具有極小影響或無影響。舉例而言，可能需要黏著劑足夠穩定使得其不隨時間或曝露於惡劣操作條件下而發黃。視特定應用而選擇黏著劑以在偏光膜與光學膜之間提供最小黏合強度或一定範圍内之黏合強度。一種評估黏合強度之合適方法描述於ASTM D 3359中且使用以3M公司之3MTM 61〇玻璃紙膠帶進行之交叉劃線膠帶牵拉測試（Cr〇sshatch tape pull test)。—般而言，需要黏著改良且不需要層分層。在-實施例中’黏著層包含uv可固化黏著劑，該黏著劑包含至少一種含氮聚合物及至少一種可聚合烯系不飽和稀釋劑如US 2006/0029784 A1 (Doan等人）中所述，該案係以引用的方式併人本文中^在…獅12936 ^中描述 J33068.doc •30- 200920829 其他例示性黏著劑。亦可使用市售黏著劑，諸如可以商桿㈣'浦及8161自说公司獲得之黏著劑及可以商標 1^-2884及uvx_1962自T〇ag〇sei獲得之黏㈣。黏著層亦可包含氫化後段共聚物，諸如可自Krat〇n p〇lymers獲得 :KRATON共聚4勿，例如KRAT〇N g“657。其他例示性黏著劑包括基於丙烯酸、基於胺基曱酸酯、基於聚矽氧及基於環氧樹脂之黏著劑。可使用諸如轉移塗佈、刮刀塗佈、

旋轉塗佈、模具塗佈及其類似塗佈的多種已知塗佈技術來塗覆黏著劑。適用於光學應用之其他物件包括增亮膜。在—實施例中，微結構化層係安置於抗靜電層上與基板相對，其中該微結構化層包含具有複數個微結構之結構化表面，且結構化表面構成物件之外表面。微結構化層可在其外表面上包含複數個微結構使得增亮膜能夠引導光。增亮膜之實例包括可自3M公司獲得之棱鏡膜的Vikuiti™ BEF家族。該複數個微結構可包含稜鏡陣列；一系列形狀，包括脊狀柱狀、角錐狀、半球狀及圓錐狀；且/或其可為具有平面、尖角、截平或圓形部分之突出或凹陷；其中任一者可具有相對於表面之平面成角度或垂直之側面。任何雙凸微結構可為適用的，舉例而言，微結構化表面可包含立方角7L件’其各自具有三個相互大體上垂直之光學面，該等光學面通常在單一參考點或頂點相交。微結構化表面可具有規則重複圖案，無規，或其組合。一般而言，各微結構具有至少兩個小於2 mm之側向尺寸（亦即，膜平面中之尺 133068.doc -31 · 200920829 寸）。微結構化層之厚度可為約10 μιη至約2〇〇 μιη。可使用可聚合組合物、具有陰性微結構化成形表面之母體物（master)及抗靜電物件來製備微結構化層。可將可聚合組合物沈積於母體物與抗靜電物件之抗靜電層之間，且組合物珠粒移動以使組合物填充母體物 < 微結才鼻。使可聚合組合物聚合以形成層且接著與母體物分離。母體物可為金屬’諸如鎳、鑛錄銅或黃銅，或可為熱塑性材料，其在聚合條件下穩定且較佳具有允許自母體物潔淨移除聚^層之表面能。纟 US 4,542,449，· U.S. 5,771，328 ;及仍 6,354,7〇9中進—步描述母體物。或者，可製備預成形之微結構化層且層壓為抗靜電物件使得抗靜電層安置於微結構化層與基板之間。該物件可用於製圖藝術應用中，例如用於廣告牌及其類似物中。該物件亦可用於至少包含個光源及顯示面板之顯示褒置中。顯示面板可為能夠產生影像、圖形、文本等之任何類型，且可具單色性或多色性，或透射性或反射性。實例包括液晶顯示面板、電襞顯示面板或觸碰螢幕。光源可包含螢光燈、填光燈、發光二極體或其組合。顯示裝置之實例包括電視、監視器、膝上型電腦及掌上型裝置，諸如蜂巢式電話、pDA，s、計算器及其類似物。 ' 考慮以下實例可更完全理解本發明。實例材料 J33068.doc 32- 200920829 除非另作說明，否則所有化學品均自商業來源獲得且按原樣使用。氣化2-丙烯醯基氧基乙基三甲銨係自 Specialty Chemicals以80重量。/。水溶液之形式獲得。所有其他丙烯酸單體及硝酸鋰均自Aldrich chemical Co.獲得。 TOMADOL 25-9係自 Tomah Reserve，Inc.獲得。CYCAT 4040及 4045、CYMEL 327及 373及 CYASTAT 609係自 Cytec

Industries Inc.獲得。5密耳厚之單側底塗pET膜係自 DuPont Co.作為MEUNIX 618獲得。對曱苯磺酸三乙銨係藉由均來自Aldrich Chemical Co.之對甲苯磺酸水溶液與三乙胺之中和來製備。雙（三氟甲磺醯基）醯亞胺鋰係作為31^ FLUORAD Lithium HQ-115 自 3M Co.獲得。甲磺酸鋰、對曱本％ S欠链及本乙稀續酸g旨）經係藉由使自Aidrich Chemical Co.獲得之相應磺酸與氫氧化鋰在水溶液中中和來製備。黏合劑1包含自Rohm及Haas Co獲得之RHOPLEX 3208咬 3208ER丙烯酸水性分散液。此等分散液包含約34_35重量 %之丙烯酸黏合劑及約8-9重量％之甲醛-三聚氰胺交聯劑。對於下表中所述之層組成而言，對黏合劑1給出之量係僅對於丙烯酸黏合劑而言；交聯劑量中包括甲酸_三聚氰胺交聯劑。黏合劑2為核/殼乳膠，其係基於丙稀酸異冰片酯/曱基丙烯酸甲酯/丙烯酸乙酯共聚合且使用在w〇 96/16120 (Rao等人）之實例1中所述之方法來製備。根據以下通用程序來製備表1及表2中所示之陽離子聚合物。在一潔淨反應容器中放入1 00份所需單體混合物、 133068.doc -33- 200920829

DuPont公司之VAZO-67引發劑（基於單體濃度，為0.5份）及異丙醇（200份）。以氮淨化溶液歷時2分鐘。將容器密封且於恆溫旋轉裝置中在65°C下保持18小時，在此期間，形成黏性聚合物溶液。將聚合物容器自浴中移除且冷卻至室溫。對反應完成進行固體百分比分析且其揭示向聚合物之定量轉化。對於許多共聚物而言，藉由旋轉蒸發移除溶劑，且添加去離子水以將固體含量調節至約33重量％。使用以下縮寫： AA 丙烯酸 AETMAC 氣化2·丙烯醯基氧基乙基三甲銨 AEBDMAB 溴化2-丙烯醯基氧基乙基丁基二曱銨 AEHDMAB 溴化2-丙烯醯基氧基乙基己基二曱銨 BA 丙烯酸丁酯 DMAEA 丙烯酸二曱胺基乙酯 EA 丙烯酸乙酯 HEA 丙烯酸2-羥乙酯 HEMA 甲基丙烯酸2-羥乙酯 IBOA 丙烯酸異冰片酯 IBOMA 甲基丙烯酸異冰片酯 IOA 丙烯酸異辛酯 MMA 甲基丙烯酸甲酯 NVP N-乙烯基吡咯啶酮 PEA 丙烯酸苯氧基乙酯 133068.doc -34- 200920829

表1 陽離子共聚物 AETMAC 疏水性單體 HEMA P7 10 30 IBOA 50 EA 10 P8 10 50 IBOA 30 EA 10 P6 20 30 IBOA 30 EA 20 P9 20 30 IBOA 40 EA 10 P1 40 30 IBOA 25 EA 5 P19 40 40 EA 20 P63 40 25 IBOA 20 EA 151 P39 55 40 EA 5 P53 55 40 MMA 5 P12 60 35 EA 5 P21 60 20 EA 20 P62 60 35 MMA 5 P42 62.5 32.5 EA 5 P56 62.5 32.5 MMA 5 P38 70 25 EA 5 P52 70 25 MMA 5 P64 40 30 IBOA 25 EA 52 P65 403 30 IBOA 25 EA 52 P66 404 30 IBOA 25 EA 52 1. 以HEA替代HEMA 2. 以AA替代HEMA 3. 以AEBDMAB替代AETMAC 4. 以 AEHDMAB 替代AETMAC 133068.doc -35- 200920829 表2 陽離子共聚物 AETMAC 疏水性單體 NVP HEMA P24 20 40 EA 20 20 P20 20 40 EA 35 5 P15 20 20 EA 40 20 P17 20 27.5 EA 47.5 5 P27 20 15 EA 60 5 P23 34.2 14.2 EA 43.2 8.4 P16 37.5 40 EA 17.5 5 P35 40 40 EA 15 5 P45 40 40 EA 15 5 P48 40 40MMA 15 5 P59 40 40MMA 15 5 P25 40 20 EA 20 20 P40 40 32.5 EA 22.5 5 P54 40 32.5 MMA 22.5 5 P3 40 25 EA 30 5 P29 40 25 BA 30 5 P30 40 25 IBOA 30 5 P31 40 25 IBOMA 30 5 P32 40 25 IOA 30 5 P33 40 25MMA 30 5 P34 40 25 EA 30 51 P50 40 25MMA 30 5 P37 45 20 EA 30 5 P51 45 20MMA 30 5 P43 47.5 40 EA 7.5 5 P57 47.5 40MMA 7.5 5 P44 53.3 28.3 EA 13.3 5 P47 53.3 28.3 EA 13.3 5 P58 53.3 28.3 MMA 13.3 5 P61 53.3 28.3 MMA 13.3 5 P41 57.5 20 EA 17.5 5 P55 57.5 20MMA 17.5 5 P18 60 17.5 EA 17.5 5 P36 70 20 EA 5 5 P46 70 20 EA 5 5 P49 70 20MMA 5 5 P60 70 20MMA 5 5 133068.doc -36- 200920829

陽離子共聚物 AETMAC 疏水性單體 NVP HEMA P2 40 30IOA 15 PEA 102 5 P4 30 40MMA 15 PEA 102 5 P5 30 40 IBOA 15 PEA 102 5 P10 10 40IOA 20 PEA 202 10 P11 18.2 36.3 IOA 18.2 PEA 18.22 9.1 P13 60 0 20 20 P14 60 0 35 5 P22 20 0 60 20 P26 40 0 40 20 P28 35 0 60 5 1. 以HEA替代HEMA 2. 以DMAEA替代NVP

塗佈方法A 使用6號繞線棒以41.3 cm/sec (81.3 ft/min)將下述調配物塗佈於新近擠壓之長度定向後之PET膜上。將聚對苯二甲酸乙二酯樹脂（Invista)擠壓於澆鑄輪上，接著以3.34:1之拉伸比進行長度定向。塗佈之後，使膜進入設為54°C之乾燥箱中。乾燥箱中之停留時間為22 sec。使膜自乾燥箱進入拉幅機中，該拉幅機分為三個區-預熱區、拉伸區及熱定型區。三個區之溫度及停留時間分別如下：預熱區93°C， 12 sec ;拉伸區 104°C，18 sec ;熱定型區 232°C，15 sec。拉伸區中之橫向拉伸比為4.37:1，從而產生51 μιη (2密耳）之最終PET膜厚度。

塗佈方法B 使用6號繞線棒以60 cm/sec (11 8 ft/min)將下述調配物塗 133068.doc -37- 200920829 佈於新近擠壓之PET膜上。將聚對苯二甲酴欠G —酯樹脂 (Invista)擠壓於洗鎮輪上，接著以3.33:1之拉伸比進+产定向。塗佈之後’使膜直接進入拉幅機中’該拉幅三個區-預熱區、拉伸區及熱定型區。三個F夕、w Α < >皿度及停留時間分別如下：預熱區96°C，8 see ;拉伸區96t>c，i3 sec;熱定型區232°C，11 sec。拉伸區中之橫向拉伸比為 3.62:1，從而產生51 μπι (2密耳）之最終pet膜厚度。

塗佈方法C 使用6號繞線棒以20 cm/sec (38.8 ft/min)將下述調配物塗佈於包含新近擠壓之多層光學膜的基板上。多層光學膜係根據在美國 6，179,948 B1 (Merrill 等人）；6,827 886 (Neavin等人）；2006/0〇8478〇 A1旧咖地等人广 2006/0226561 A1 (Merrill 等人）；及 2〇〇7/〇〇47〇8〇 Ai (st〇ver等人）中所述之方法製備。多層光學膜包含由sau5 聚碳酸酯樹酯與PETg 6763樹脂（兩者均可得自

Chemical)之85:15 (w/w)摻合物組成之表層。光學堆疊含有由PEN.PET树月曰之9〇:i〇 (w/w)換合物製得之雙折射層及由PETg 6763樹脂與PEN:PET樹脂之7〇:3〇 (w/w)摻合物製得之各向同性層的交替層。緊接著在塗佈之後，膜進入拉巾田機:，該拉幅機分為三個區·預熱區、拉伸區及熱定型區。三個區之溫度及停留時間分別如下：預熱區13代，拉伸區 139 C，49 sec ;熱定型區 17〇。〇，21 sec。拉伸區中之橫向拉伸比為7.24:1，從而產生43叫〇7密耳）之最終基板厚度。 133068.doc •38· 200920829 輻射固化層之形成在如方法A、B及C中所述熱定型之後，以如us 2006/0004166 A1 (Olsen等人）中所述且含有包含以下各物之第一單體之輻射可固化組合物來外塗佈試樣：主要部分之2-丙烯酸；（1-曱基亞乙基）雙[(2,6-二溴-4，！-伸苯基）氧基（2-羥基-3，1-丙二基）]酯；異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯；及（甲基）丙稀酸苯氧基乙酯。樹脂亦含有035重量％ DAROCUR 1173及0.1重量％ TP0作為感光引發劑。接著使用以下程序來塗佈且固化此組合物： 1) 在60 C下將樹脂加熱1 hr直至液化。 2) 在熱板上在100 °C下加熱未圖案化之平面不鏽鋼工具。在一些實例中（如所示），使用如US 5,771，328中所述製備之微結構化工具來替代未圖案化工具。 3) 將 PL1200 層壓機（professi〇nai Laminating Systems, Inc.)加熱至約且將速度設為5.1 mm/sec (12 in/min)(設定 2)。 4) 將輕射可固化樹脂之珠粒線（bead Une)塗覆於工具。 5) 使用手動卷筒’輕輕地置放pet膜之經塗佈側面使其與工具及卷筒相抵以在適當位置拼合。 6) 將工具+膜試樣夾入兩個較大片之未經底塗PET膜之間以保護層壓機卷筒。乃使試樣穿過層壓機。由此得到25 μιη (1密耳）之總樹脂膜厚度。 8)使武樣兩次穿過UV處理器（配備有D燈泡且在1〇〇。/0功 133068.doc 39· 200920829 率及1〇 cm/sec (20 ft/min)線速度下在氮淨化下操作之uv融合光鎚）。 9)自工具輕輕移除臈試樣。測試方法使用兩種不同裝置量測表面電阻率。一裝置為 c〇rP.之Prost_ PRS_8〇1 Resistance System Set，其配備有PRF-911同心環夾具。根據隨儀器提供之文件，藉由將量測值乘以U)來將以歐姆為單位之表面電阻率轉換為歐姆/ 平方。另一裝置為以十進位輸出值之Electr〇_Tech 邮，

Inc·之型號880自動測距電阻指示器。在所有情況下，在塗覆及輻射T固化樹脂固化之前對試樣量測表面電阻率量 ;、J若非另有說明，否則在30-40°/。相對濕度（RH)之環境實驗室濕度下進行表面電阻率量測。使用Electro-Tech Systems，Inc.之型號406C靜電衰減計 I測靜電荷衰減時間。此儀器將試樣充電至5 kv且量測靜電何衰減至其初始值之10%所需之時間。一些絕緣試樣將不π全充電至5 kV，且此在數據表中以標誌” WNC "標記。在塗覆及輻射可固化樹脂固化之後對試樣量測靜電荷衰減里測。若非另有說明，否則在30_40%相對濕度（RH)之環境實驗室濕度下進行靜電荷衰減量測。使用BYK-Gardner USA之Hazegard® Plus濁度計進行濁度量測。在塗覆及輻射可固化樹脂固化之前量測濁度。根據ASTM D 3359，使用3M公司之3Mtm 610玻璃紙膠帶進行交又劃線膠帶牵拉測試來量測黏著。等級係以〇_5之 133068.doc •40- 200920829 標度表示’其中5為理想黏著且〇為完全分層。有時，在試圖移除金屬工具時試樣分層，從而使得固化樹脂層保留於工具上替代塗膜。顯示此行為之試樣等級評定為〇 *。實例1-4及比較實例i-3(Cl-C3) 使用3號繞線棒將含有於去離子水中之4重量％陽離子聚合物之塗料調配物塗佈於未經底塗之5密耳PET膜上。接著在強制通風型烘箱中在1 〇〇它下將塗膜乾燥3 min。對所得塗層量測表面電阻率；結果展示於表3中。表3 實例陽離子聚合物 AETMAC (重量％) 疏水性單體 (重量％) DMAEA (重量％) AETMAC + DMAEA (重量％) HEMA (重量％) SR(歐姆/ 平方） 1 1 40 55 0 一 5 6 7χ1〇9 2 6 20 60 0 20 5.〇χ1〇η 3 9 20 70 0 — 10 8.5χ1〇π 4 ry λ 11 18.2 54.5 18.2 36.4 9.1 1.1x10" LI 8 10 80 0 10 1 8xl〇12 C2 7 10 80 0 10 1.3χ1〇14 C3 10 10 60 20 30 10 6.〇xl012 實例5及6及比較實例4-6(C4-C6) 製備一系列塗料調配物，其含有4重量％黏合劑丨（由44重量/〇含固量原料稀釋）、〇」重量％ TERGITOL TMN-6及0-4 重1 %之P1。塗料調配物中所用之ρι之量為4 〇重量％(實例5)、2.0重量％(實例6)、丨〇重量％ (C4)，及〇 4重量％ (C5) °接著使用6號繞線棒將塗料調配物塗佈於未經底塗之5雄、耳PET膜上。接著在強制通風型烘箱中在1 5〇它下將塗膜乾燥15 min。對所得塗層量測表面電阻率；層組成及 133068.doc -41 · 200920829 結果展示於表4中。表4 實例 P1 (重量％) 黏合劑1 (重量％) XL (重量％) 界面活性劑 (重量％) 表面電阻率 (歐姆/平方） 5 50 39 10 1 2.1xl〇『 6 33 53 13 1 ί3χ1〇β C4 20 63 16 1 3:8x10^ C5 9 71 18 2 i7xl〇13 C6 0 73 24 3 L2xl〇14 實例7-15及比較實例7及8(C7及C8) 使用陽離子聚合物製備含有5.0重量％陽離子聚合物、 5.0重置％ RHOPLEX 3208 固體、2.5 重量％ CYMEL 327、〇_1 重量％ TOMADOL 25-9及0.03重量％ CYCAT 4〇45固體之水性塗料調配物。根據塗佈方法A來塗佈且乾燥實例7、 1 0及1 2之調配物以得到含有40重量❶/。陽離子共聚物、32重量°/〇丙烯酸黏合劑及28重量％交聯樹脂之塗層。根據塗佈方法B來塗佈且乾燥實例8、9、u、u_15、C7&C8之調配物以得到含有40重量％陽離子共聚物、32重量％丙烯酸黏合劑及28重量％交聯樹脂之塗層。在量測濁度及表面電阻率後，以輻射可固化組合物外塗佈試樣，接著使用以上程序，但使用如1；.8.5,771，328中所述製備之微結構化工具來 :吏該輻射可固化組合物固化。接著量測電荷衰減及樹脂黏著；結果展示於表5中。 133068.doc -42- 200920829 表5 實例陽離子共聚物 AETMAC (重量％) 疏水性單體 (重量％) HEMA (重量％) 濁度 (%) 表面 (歐姆/平方、電荷衰減 (ser) 樹月 it戈 7 P19 40 40 EA 20 1.7 1.3^Π— 0 04 8 P39 55 40 EA 5 0.5 — 〜 ΝΜ1 0.01 0.232 1 9 P53 55 40MMA 5 2.9 ΝΜ 0.01 0.622 ~ — 4 10 P12 60 35 EA 5 2.6 2.0x1 〇9 0 015 11 P12 60 35 EA 5 1.0 ΝΜ 0.01 0.102 3 12 P21 60 20 EA 20 12 5.8χ1〇9 0.03 4 13 P62 60 35MMA 5 5.2 ΝΜ 0.01 0.212 3 14 P42 62.5 32.5 EA 5 3.5 ΝΜ 0.01 0.072 5 15 P56 62.5 32.5 MMA 5 15.1 ΝΜ 0.01 0.132 4 C7 P38 70 25 EA 5 24.3 ΝΜ 0.01 0.042 5 C8 P52 70 25MMA 5 39.9 ΝΜ 0.01 0.052 4 1. 未測得 2. 在20% RH下量測實例16-29及比較實例9-11 (C9-C11) 使用陽離子聚合物P3、黏合劑1及黏合劑2製備表6中所述之水性塗料調配物。在一些實例中，將額外交聯劑〇.4 重量％ CYMEL 327及0.4重量％ CYMEL 373(總共〇.8重量 °/〇)添加至調配物中。各實例亦含有〇. 1重量。/。TERGITOL TMN-6及0.04重量％對曱苯磺酸三乙銨。使用6號繞線棒將調配物塗佈於未經底塗之5密耳PET膜上。接著在強制通風型烘箱中在1 50°C下將塗膜乾燥1 5 min。在量測表面電阻率之後，以輻射可固化組合物外塗佈試樣，接著使該輻射可固化組合物固化。接著量測電荷衰減及樹脂黏著；層組成及結果展不於表7中。 133068.doc • 43 · 200920829 表6 實例 P3 (重量％) 黏合劑1 (重量％) 黏合劑2 (重量％) XL (重量％) LiN03 (重量％) 16 2 1.6 0 0.4 + 0.8 0 17 2 1.6 0 0.4 0 18 4 1.6 0 0.4+ 0.8 0 19 4 1.6 0 0.4 0 20 3 2.4 0 0.6 十 0.8 0 21 3 2.4 0 0.6 0 22 4.5 1.2 0 0.3+ 0.8 0 23 4.5 0 1.5 0.8 0 24 3 0 3 0.8 0 25 4 0 2 0.8 0 26* 3 2.4 0 0.6 + 0.8 0.4 272 3 2.4 0 0.6 + 0.8 0.8 28 2 3.2 0 0.8 + 0.8 0 29* 2 3.2 0 0.8 + 0.8 0.4 C91 0 4.8 0 2.0 0.4 C10 0 4.8 0 2.0 0 C11 0 0 6 0.8 0 表7 實例 P3 (重量％) 黏合劑1 (重量％) 黏合劑2 (重量％) XL (重量％) SR(歐姆/ 平方） CD (sec) 樹脂黏著 16 40 32 0 24 1.1χ101ζ 1.00 3-4 17 48 39 0 10 7.5χ10ιυ 0.85 5 18 58 23 0 17 5.3χ10ιυ 0.06 5 19 65 26 0 7 5.9xlOy 0.05 4-5 20 43 35 0 20 1.5X1017 0.54 3-4 21 49 39 0 10 3.7χ10ιυ 0.16 5 22 65 17 0 16 9.0xl0y 0.02 5 23 65 0 22 12 6.5xlOy 0.82 5 24 43 0 43 12 6.9xlOy 0.04 4 25 58 0 29 12 1.9xlOy 0.02 4 26' 41 33 0 19 5.9χ10ιυ 0.08 3-4 211 39 31 0 18 2.5xlOy 0.02 1 28 29 46 0 23 3.2xl0,2 6.94 5 291 27 44 0 22 1.5xlOu 0.02 4 C91 01 65 0 27 1.3xlOu >30 0 C10 0 69 0 29 4.7xl014 >30 5 C11 0 0 86 12 4.8xl01J >30 5

1. 亦含有5重量％1^>103 2. 亦含有10重量％LiN03 133068.doc • 44 - 200920829 實例30-41及比較實例12-15 (C12-C15) 使用陽離子聚合物P4及P5 '黏合劑1及黏合劑2製備表8 中所述之水性塗料調配物。在一些實例中，將額外交聯劑〇_4重量％ CYMEL 327 及 0.4 重量。/〇 CYMEL 373(總共 0·8重量％)添加至調配物中。各實例亦含有Ο」重量％ TERGITOL ΤΜΝ-6及0.04重量％對曱苯磺酸三乙銨。使用6號繞線棒將調配物塗佈於未經底塗之5密耳PET膜上。接著在強制通風型烘箱中在150C下將塗膜乾燥15 min。在量測表面電阻率之後，以輻射可固化組合物外塗佈試樣，接著使該輻射可固化組合物固化。接著量測電荷衰減及樹脂黏著；層組成及結果展不於表9中。表8 實例 30 %離子聚合物 P4 P4 陽離子聚合物 —__1^量％) __ 黏合劑1 (重量％) 2.4 黏合 (重量％) 〇， XL- (重量％) 0.6 J 1 32 33 34 P4 P4 P4 ___3 __ 3 2.4 0 0 3 0.6 + 0.8 _______ 4 1.6 1.6 0 0 0.4 ~~ 0 4 + Or ^ 35 36 P4 P5 _____ 4 ___3 0 2.4 2 0 0.8 〇 37 38 P5 P5 Λ 2.4 0 0.6+ U^ 39 40 P5 P5 0 1.6 3 — ^ , 0.4'~~~~ 41 P5 4 4 1.6 0 0 0.4 + 61 08~~~~~~ C12 P4 "~—-—— 0 3 0 C13 P4 4 0 η 2 3 0 C14 P5 "——飞 3 C15 P5 ____4 υ 0 2 0 '^ Ο''"' 133068.doc •45- 200920829 表9 實例陽離子聚合物陽離子聚合物 (重量％) 黏合劑1 (重量％) 黏合劑2 (重量％) XL (重量％) SR(歐姆 /平方） CD (sec) 樹脂黏著 30 P4 49 39 0 10 2.8xlOy 1.60 5 31 P4 43 35 0 20 4.5x10^ 0.03 4-5 32 P4 43 0 43 12 9.2χ108 0.04 4-Γ~ 33 P4 65 26 0 7 9.3χ108 0.19 * · 2-3 34 P4 58 23 0 17 6.7χ10δ 0.03 4-5 35 P4 58 0 1 29 12 1.0xl0y 0.35 · — — 5 36 P5 49 39 0 10 2.3xlOy 1.22 4-Γ~ 37 P5 43 35 0 20 7.1xlOy 0.05 0-2 38 P5 43 0 43 12 8.3χ108 0.05 5 39 P5 65 26 0 7 5·6χ108 6.03 5 40 P5 58 23 0 17 2.5xlOy 0.86 0 41 P5 58 0 29 12 l.lxlOy 0.76 5 C12 P4 49 0 49 0 8.2x10s 11.69 5 C13 P4 65 0 33 0 4.5xl08 0.24 5 C14 P5 49 0 49 0 5.3x10** NM1 0* C15 P5 65 0 33 0 2.8x10s NM 0* 1.未測得

實例42-66及比較實例16-32 (C16-C32) 使用陽離子聚合物製備含有5.0重量％陽離子聚合物、 5.0重量〇/。尺11〇?1^\ 3208固體、2.5重量％。丫]\4丑[327、 0.1重量％ TOMADOL 25-9及0.03重量％ CYCAT 4045固體之水性塗料調配物。根據塗佈方法A來塗佈且乾燥實例42_ 53、C16-C20及C28之調配物以得到含有4〇重量％陽離子丘聚物、32重量％丙稀酸黏合劑及28重量％交聯樹脂之塗層。根據塗佈方法B來塗佈且乾燥實例54_66、C21-C27、 C29-C32之調配物以得到含有40重量％陽離子共聚物、％重量％丙烯酸黏合劑及28重量％交聯樹脂之塗層。在量測濁度及表面電阻率|，以輻射可固^匕組合物外塗佈試樣，接著使用以上程序，但使用如^⑺如中所述製備之 133068.doc •46· 200920829 微結構化工具來使該輻射可固化組合物固化。量測電荷衰減及樹脂黏著；結果展示於表1 〇中。表10 實例陽離子聚合物 AETMAC (重量％) 疏水性單體 (重量％) NVP (重量 %) AETMAC + NVP (重量％) HEMA (重量％) 濁度 (%) SR (歐姆/ 平方） CD (sec) 樹脂黏著 42 P15 20 20 40 60 20 1.8 1.9xlOu 8.64 5 43 P17 20 27.5 47.5 67.5 5 1.7 2.3xl01J 5.82 5 44 P24 20 40 20 40 20 1.6 Ι.ΙχΙΟ13 12.58 1 45 P23 34.2 14.2 43.2 77.4 8.4 5.8 9.5χ10ιυ 0.06 5 46 P16 37.5 40 17.5 55 5 1.7 1.8x10'" 0.04 5 47 P25 40 20 20 60 20 3.5 1.0x10" 0.11 5 48 P29 40 25 30 70 5 3.4 2.1χ10'υ 0.01 5 49 P30 40 25 30 70 5 4.0 2.1χ10ιυ 0.01 5 50 P31 40 25 30 70 5 5.3 3.9χ10,υ 0.02 5 51 P32 40 25 30 70 5 2.6 1.3χ10ιυ 0.03 5 52 P33 40 25 30 70 5 1.8 8.1χ10ιυ 0.08 4 53 P34 40 25 30 70 5' 2.6 2.3χ10ιυ 0.02 5 54 P3 40 25 30 70 5 5.1 ΝΜ2 0.10 WNC3,4 3.7 55 P40 40 32.5 22.5 62.5 5 0.9 ΝΜ 0.11 >304 5 56 P35 40 40 15 55 5 0.7 ΝΜ 0.04 WNC4 3 57 P45 40 40 15 55 5 0.5 ΝΜ 0.13 WNC4 4 58 P48 40 40 15 55 5 2.4 ΝΜ 0.21 WNC4 3 59 P59 40 40 15 55 5 1.0 ΝΜ 1.64 304 5 60 P54 40 32.5 22.5 62.5 5 10.2 ΝΜ 0.74 WNC4 5 61 P50 40 25 30 70 5 9.9 ΝΜ 0.05 8.954 4 62 P43 47.5 40 7.5 55 5 0.4 ΝΜ 0.02 2.444 3 63 P57 47.5 40 1,5 55 5 4.5 ΝΜ 0.07 13.84 5 64 P20 20 40 35 55 5 1.5 1.2xlOu WNC 5 65 P44 53.3 28.3 13.3 66.6 5 1.0 ΝΜ 0.01 0.494 4 66 P47 53.3 28.3 13.3 66.6 5 1.3 ΝΜ 0.02 0.874 4 C16 P22 20 0 60 80 20 17.5 1.5χ1012 0.96 4.5 C17 P27 20 15 60 80 5 24 1.4xlOu 3.42 5 C18 P28 35 0 60 95 5 48 3.5x10" WNC 5 C19 P26 40 0 40 80 20 77 1.9x10" 0.11 4 C20 P37 45 20 30 75 5 21.2 ΝΜ 0.04 7.864 4 C21 P51 45 20 30 75 5 34.5 ΝΜ 0.02 1.264 4 C22 P46 70 20 5 75 5 18.4 ΝΜ 0.01 0.054 4 133068.doc -47- 200920829 實例陽離子聚合物 AETMAC (重量％) 疏水性單體 (重量％) NVP (重量 %) AETMAC + NVP (重量％) HEMA (重量％) 濁度 (%) SR (歐姆/ 平方） CD (sec) 樹脂黏著 C23 P58 53.3 28.3 13.3 66,6 5 31.4 NM 0.02 0.584 4 C24 P61 53.3 28.3 13.3 66.6 5 26.8 NM 0.01 0.394 3 C25 P41 57.5 20 17.5 75 5 24.5 NM 0.01 0.284 2 C26 P55 57.5 20 17.5 75 5 71.8 NM 0.01 0.134 2 C27 P13 60 0 20 80 20 79 6.〇xlOu 0,02 3 C28 P14 60 0 35 95 5 83 2.6xlOu 0.01 5 C29 P18 60 17.5 17.5 77.5 5 46 9.1χ10" 0.03 5 C30 P36 70 20 5 75 5 24.1 NM 0.01 3 C31 P49 70 20 5 75 5 63.2 NM 0.01 0.064 3 C32 P60 70 20 5 Ί5 5 58.5 NM 0.01 0.064 1

1. 以HEA替代HEMA 2. 未測得 3. 將不充電 4. 在20% RH下量測實例67-72 使用陽離子聚合物製備含有5.0重量％陽離子聚合物、 5.0重量％ RHOPLEX 3208 固體、2.5 重量％ CYMEL 327、 0.1重量％ TOMADOL 25-9及0.03重量％ CYCAT 4045 固體之水性塗料調配物。根據塗佈方法C來塗佈且乾燥調配物以得到含有40重量％陽離子共聚物、32重量％丙烯酸黏合劑及28重量％交聯樹脂之塗層。在量測濁度之後，以輻射可固化組合物外塗佈試樣，該輻射可固化組合物除了含有 1.0重量％ DAROCUR 1173及0.5重量％ TPO外，與上述輻射可固化組合物相同。接著使用以上程序但使用如U.S. 5,771，3 28中所述製備之微結構化工具來使該輻射可固化組合物固化。量測電荷衰減及樹脂黏著；結果展示於表11 中。 -48- 133068.doc 200920829 表11 實例陽離子聚合物濁度 (%) CD (sec) 樹脂黏著 67 P1 0.9 0.59 5 68 P2 0.8 0.2 5 69 P3 2.3 0.21 5 70 P12 2.3 0.01 5 71 P62 1.3 0.02 5 72 P63 1.2 3.28 5 比較實例 33-38(C33-C38)

評估以下鋰化合物：

Lil=雙（三氟曱磺醯基）醯亞胺鋰 Li2=聚（苯乙烯磺酸酯）鋰 Li3=對曱苯磺酸鋰 Li4=甲磺酸鋰 [ι5=甲基硫酸n^-雙（2_羥乙基）_N_(3，_十二基氧基· 2'-經丙基）甲基銨（CYASTAT 6〇9) 使用鋰化合物及黏合劑丨製備表丨2中所示之水性塗料調配物。使用6號繞線棒將調配物塗佈於未經底塗之5密耳 PETH著在強制通風型烘箱中在⑽。贼下將塗膜乾燥3 min。對所得塗層量測表面電阻率，且結果展不於表12中。在量測矣；φ 表面電阻率之後，以輻射可固化組合物外塗佈C33，接著俤访缸^ t 〜&射可固化組合物固化。測定樹脂黏著。 J33068.doc -49· 200920829 表12 實例鹽鹽 (重量％) 黏合劑1 (重量％) SR(歐姆/ 平方）樹脂黏者 C33 Lil 0.8 41 > 1012 ΝΜ2 C34 Li2 0.8 41 > ΙΟ12 ΝΜ C35 Li3 0.8 41 > ΙΟ12 ΝΜ C36 Li4 0.6 41 > ΙΟ12 ΝΜ C37 Li5 0.24 6j > ΙΟ12 0* C38 Li5 0.96 > \οιζ ΝΜ 1. 亦含有0.1重量％TERGITOLTMN6 ;在100°C下乾燥 2. 未測得

3. 亦含有0.1 重量％ TOMADOL T25-9及 0.06重量％ CYCAT 4040 ;在150°C下乾燥實例73及74及比較實例39(C39) 使用3號繞線棒將含有於去離子水中之4重量％陽離子聚合物之塗料調配物塗佈於未經底塗之5密耳PET膜上。接著在強制通風型烘箱中在l〇〇°C下將塗膜乾燥3 min。對所得塗層量測表面電阻率；結果展示於表13中。表13 實例陽離子聚合物 SR(歐姆/平方） 73 Ρ64 l.lxlO10 74 Ρ65 3.0x10 丨2 C39 Ρ66 7.2xl0lj 13306B.doc -50-

Claims

200920829 十、申請專利範圍： 1 · 一種物件，其包含： A) —基板；及 B) —安置於該基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： i) 約20重量％至小於70重量％之具有下式之陽離 . 子單體： CH2=CRICOZ(CH2)nN(R2)3X Γ- 其中 Z為 Ο、s 或 NH ; R1 為 Η 或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由_素、硝酸根、烷基硫酸根、烷績酸根及i烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 ii) 約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包 1' 含具有1至12個碳原子之烴基的（曱基）丙烯酸脂族烷酯單體；及 iii) 約2重量％至約25重量％之具有下式之可交聯單體： ch2=cr3y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 Y 係選自由 C02M、L-CO2M、L-OH及 CONH2 組 133068.doc 200920829 成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且l為二價鍵聯基團’其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及 e)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素-曱醛、甘脲·甲醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑。 2. 如請求項1之物件，該陽離子單體包含丙稀酸二f胺基乙自旨之院基鹽；該疏水性單體包含（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸甲醋、（甲基）丙烯酸丁酯 '(甲基）丙烯酸異辛醋、（曱基）丙稀酸異冰片酯或其組合；且 u可父聯單體包含（曱基）丙稀酸經乙酯。 3. 如明求項1之物件，該非陽離子（甲基）丙稀酸聚合物包含 (甲基）丙烯酸烷酯共聚物或丙烯酸核/殼共聚物。 4·如請求項1之物件，該抗靜電層包含·· 約25重量％至約7〇重量％之陽離子共聚物；約10重量。/。至約50重量％之非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物；及約5重量。/。至約3 5重量％之交聯劑。 5 .如請求 Jg Ί 物件’該抗靜電層具有約5〇 nm至約400 nm 之厚度。 6 _ 如請求項1 $ 土斑_ ^ 先子物件’其在40%相對濕度下具有小於約 133068.doc 200920829 10 sec之電荷衰減時間。月求項1之光學物件，其在20%相對濕度下具有小於約 10 sec之電荷衰減時間。 8·如5青求項1之光學物件，其具有小於約20%之濁度值。 9，如明求項1之物件，該基板包含聚對苯二曱酸乙二酯、聚不一甲自文乙—酯、三乙酸纖維素、聚丙締、聚酯、聚碳敁§曰、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚醯胺或其摻合物。 10.如吻求項1之物件，該基板包含反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、增亮膜、轉向膜、鏡膜或其組合。 11·如叫求項1之物件，該基板包含具有第一光學層與第二光學層之交替層的多層光學膜，其中該第一光學層與該第二光學層具有沿至少一軸相差至少0 04之折射率。 12. 如吻求項1之物件，其另外包含一安置於該抗靜電層上之微結構化層，其中該微結構化層包含一具有複數個微結構之結構化表面，且該結構化表面構成該物件之一外表面。 13. 如請求項丨之物件，其中該物件為反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、増亮膜、轉向膜、鏡臈或其組合。 14· 一種物件，其包含： Α) ~偏光膜； ) 女置於該偏光膜上之抗靜電層，該抗靜電層包 133068.doc 200920829 含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： 1)約20重量％至小於70重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CR,COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 Z 為 0、s 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由_素、硝酸根、烷基硫酸根、院續酸根及||烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 ii) 約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之煙基的（曱基）丙稀酸脂族烷酯單體；及 iii) 約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含 (甲基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 Y係選自由 C02M、L-C02M、L-OH及 CONH2 組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且l為二價鍵聯基團，其包含伸烧基、伸芳基、雜伸烧基、謎基、幾基、酯基、醢胺基或績醯胺基官能基 133068.doc 200920829 或其組合； b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及 )l自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺·曱酸、尿素·甲醛、甘脲_甲駿、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰_及環氧樹脂交聯劑； c) 一光學膜；及 ' D)厂將該光學膜黏著於該抗靜電層之黏著層。 1 5.如^求項14之物件’該光學膜包含稜鏡膜、漫射膜、光 ( 導或其組合。 16. —種物件，其包含： A) 一偏光膜； B) —安置於該偏光膜上之抗靜電層，該抗靜電層包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： i)約20重量％至小於70重量％之具有下式之陽離子單體： L/ CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 z 為 Ο、s 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由齒素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及函烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 133068.doc 200920829 ii)、’、勺10重里％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的(甲基)丙烯酸脂族院酯單體；及 ill)、力2重里％至約25重量％之可交聯單體其包含 (甲基）丙烯酸或具有下式之單體： CH2=CR3Y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 γ係選自由 C02M、L-C〇2M、L-OH及 CONH2 組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且Ε為二價鍵聯基團’其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b) 非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及 c) 選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲醛、尿素-曱醛、甘脲_甲醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑； C) 一光學膜；及 D) —將該光學膜黏著於該偏光膜之黏著層。 17. 18. 如請求項16之物件，該光學膜包含稜鏡膜、漫射膜、光導或其組合。一種製造一物件之方法，其包含： A)將抗靜電組合物塗佈於一基板上，藉此形成一經塗佈基板’該抗靜電組合物包含： 133068.doc 200920829 a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： i)約20重量％至小於約7〇重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CR,COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 Z 為 Ο、S 或 NH ; R1 為 Η 或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由_素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及_烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至 6 ; Π)約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（曱基）丙烯酸脂族烷酯單體；及 iii)約2重量。/。至約25重量％之可交聯單體，其包含 (曱基）丙烯酸或具有下式之單體： CH2=CR3Y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 Y係選自由 C02M、L-C02M、L-OH及 CONH2 組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且L為二價鍵聯基團’其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或續醯胺基官能基或其組合； 200920829 b)非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及 C)選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲搭、尿素-甲醛、甘脲-曱醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑； B)視情況在至少一個方向上拉伸該經塗佈基板。 19. 一種顯示裝置，其包含： —顯示面板、一或多個光源，及如請求項1之物件。 20· —種物件，其包含： A) —基板；及 B) —安置於該基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： 0約20重量％至約5〇重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 Z 為 Ο、S 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由齒素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及齒烧續酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 ii)約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包 133068.doc 200920829 含具有1至12個碳；a ^ 项'于之基的（曱基）丙烯酸脂族烧酯單體； in)約0.5重置/〇至約55重量％之含氮單體，其包含 N-乙烯基吡咯啶_、（甲基）丙烯酸n，n_二曱胺基乙知或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約7〇重量❶/{> ;及 iv)約2重罝％至約25重量％之可交聯單體，其包含 (甲基）丙烯酸或具有下式之單體： CH2=CR3Y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 γ係選自由 C02M、L-C02M、L-OH及 CONH2 組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且l為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b)非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物；及 <0選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲搭、尿素-曱醛、甘脲-曱醛、氮丙啶、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑。 21.如睛求項2 〇之物件，該陽離子單體包含丙烯酸二曱胺基乙酯之烷基鹽；該疏水性單體包含（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸甲酿、（甲基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基） 133068.doc 200920829 丙烯齩異冰片酯、（甲基）丙烯酸笨氧基乙酯或其組合；且該可交聯單體包含（甲基）丙烯酸羥乙酯。 22. 如請求項20之物件，該非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物包含（甲基）丙烯酸烷酯共聚物或丙烯酸核/殼共聚物。 23. 如請求項20之物件’該抗靜電層包含：約25重篁y❶至約70重量％之陽離子共聚物；約10重量％至約50重量％之非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物；及約5重量％至約3 5重量％之交聯劑。 24. 如叫求項20之物件，該抗靜電層具有約5〇至約4〇〇 nm之厚度。 25. 如請求項20之光學物件，其在4〇%相對濕度下具有小於約10 sec之電荷衰減時間。 26. 如請求項20之光學物件，其在2〇%相對濕度下具有小於約10 sec之電荷衰減時間。 27·如請求項20之光學物件，其具有小於約2〇%之濁度值。 28. 如請求項20之物件，該基板包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙酸纖維素、聚丙烯、聚酯、聚碳IS曰1甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚醯胺或其摻合物。 29. 如請求項20之物件，該基板包含反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、增亮膜、轉向膜、鏡膜或其纟且合D 133068.doc -10- 200920829 30.如請求項20之物件，該基板包含具有第一光學層與第二光學層之交替層的多層光學膜，其中該第I”與該第二光學層具有沿至少-軸相差至少0.04之折射率。 3】.如請求項20之物件，其另外包含一安置於該抗靜電層上之微結構化層’其中該微結構化層包含一具有複數個微結構之結構化表面，且該結構化表面構成該物件之一外表面。 32·如％求項2G之物件’其中該物件為反射膜、偏光膜、反射偏光膜、漫射摻合反射偏光膜、漫射膜、增亮膜、轉向膜、鏡膜或其組合。 33.—種物件，其包含： Α)—偏光膜； Β)—安置於該基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物：

i)約20重量％至約50重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CRICOZ(CH2)nN(R2)3X 其中 Z 為 Ο、S 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由齒素、硝酸根、烷基硫酸根、烷確酸根及齒烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 133068.doc -11 - 200920829 Π)約10重量％至約7S重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（甲基）丙稀酸脂族烷酯單體；出）約0.5重量。/。至約55重量％之含氮單體，其包含 N-乙烯基吡咯啶酮、（甲基）丙烯酸N，N_二曱胺基乙醋或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約7 〇重量。/。；及 iv)約2重量。/。至約25重量％之可交聯單體，其包含 (甲基）丙烯酸或具有下式之單體： CH2=CR3Y 其中其中R3為Η或CH3;且 Y 係選自由 C02M、L-C〇2M、L-OH及 CONH2 組成之群’其中Μ為Η或平衡離子，且l為二價鍵聯基團，其包含伸燒基' 伸芳基、雜伸烧基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b) 非陽離子（甲基）丙烯酸聚合物； c) 選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺_甲搭、尿素-甲酸、讀H氮^定、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑； c) 一光學膜；及〇) -將該光學膜黏著於該抗靜電層之黏著層。 34.如請求項33之物件，該光學膜包含稜鏡膜、漫射膜、光 133068.doc 200920829 導或其組合。 35. —種物件，其包含： A) —偏光膜； B) —安置於該基板上之抗靜電層，該抗靜電層包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： 0約20重量％至約50重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 z 為 Ο、S 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由i素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及_烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 π)約1 〇重量。/❶至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（曱基）丙稀酸脂族烷酯單體；出）約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含 N-乙烯基吡咯啶酮、（曱基）丙烯酸N，N_二曱胺基乙酯或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約7〇重量％ ;及〜）約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含 (曱基）丙烯酸或具有下式之單體： 133068.doc •13· 200920829 ch2=cr3y 其中其中R3為H或CH3 ;且 Y係選自由 C02M、L-C02M、L-OH及 CONH2 組成之群’其中M為H或平衡離子，且L為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b) 非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物； c) 選自由以下各物組成之群的交聯劑：三聚氰胺-甲酸·尿素-甲醒·、甘脲-曱搭、氮丙。定、碳化二亞胺、異氰酸酯及環氧樹脂交聯劑； C) 一光學膜；及 D) —將該光學膜黏著於該偏光膜之黏著層。 36·如清求項35之物件，該光學膜包含稜鏡膜、漫射骐光導或其組合。 3 7. —種製造一物件之方法，其包含： A)將抗靜電組合物塗佈於一基板上，藉此形成—經塗佈基板，該抗靜電組合物包含： a)基本上由以下各物組成之陽離子共聚物： 1)約20重量％至約5〇重量％之具有下式之陽離子單體： CH2=CR1C〇Z(CH2)nN(R2)3X 其中 133068.doc 200920829 Z 為 Ο、S 或 NH ; R1 為 Η 或 CH3 ; R2獨立地包含具有1至4個碳原子之烷基； X為選自由_素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及齒烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至6 ;及 ii) 約10重量％至約75重量％之疏水性單體，其包含具有1至12個碳原子之烴基的（曱基）丙烯酸脂族烷酯單體； iii) 約0.5重量％至約55重量％之含氮單體，其包含 N-乙烯基吡咯啶酮、（曱基）丙烯酸N，N_二甲胺基乙酯或其組合；限制條件為陽離子單體及含氮單體之量小於約70重量。/〇;及 iv) 約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含 (曱基）丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 Y 係選自由 C02M、L-C02M、L-OH及 CONH2 組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且L為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、趟基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合； b)非陽離子（曱基）丙烯酸聚合物；及 133068.doc -15· 200920829 Ο選自由以下各物組成取*之群的交聯劑：三聚氰胺-甲路尿素曱醛、甘脲-甲醛、氮丙啶、碳化二亞，胺、異氰_及環氣樹脂交聯劑； B)視情況在至少一個方向上拉伸该經塗佈基板。 38. 39. 一種顯示裝置，其包含：一顯示面板、一或多個光源，及如請求項20之物件。 -種陽離子共聚物，其基本上由以下各物組成： i)約20重量%至約50重量%之具有下式之陽離子單體: CH2=CR1COZ(CH2)nN(R2)3X 其中 Z 為〇、S 或 NH ; R1 為 Η或 CH3 ; R2獨立地包含具有丨至4個碳原子之烷基； X為選自由鹵素、硝酸根、烷基硫酸根、烷磺酸根及 _烷磺酸根組成之群的陰離子；且 n=2至 6 ; Π)約10重量。/。至約75重量D/。之疏水性單體，其包含具有i 至12個碳原子之烴基的（甲基）丙烯酸脂族烷酯單體； ui)約0.5重量％至約55重量％之N_乙烯基吡咯啶酮，限制條件為陽離子單體及N-乙烯基》比洛咬酮之量小於約重量％ ;及 iv)約2重量％至約25重量％之可交聯單體，其包含（曱基） 133068.doc -16- 200920829 丙烯酸或具有下式之單體： ch2=cr3y 其中其中R3為Η或CH3 ;且 γ係選自由C02M、L-C02M、L-OH及CONH2組成之群，其中Μ為Η或平衡離子，且L為二價鍵聯基團，其包含伸烷基、伸芳基、雜伸烷基、醚基、羰基、酯基、醯胺基或磺醯胺基官能基或其組合。 133068.doc 17- 200920829 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）

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