TW200812931A - Dielectric ceramic, ceramic electronic component, and laminated ceramic capacitor - Google Patents

Dielectric ceramic, ceramic electronic component, and laminated ceramic capacitor Download PDF

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Hideaki Niimi
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Description

200812931 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種介電陶瓷、及由積層陶瓷電容所代表 之陶兗電子零件，進而詳細而言係關於一種居里溫度較高 且即便於15(TC左右之高溫亦可穩定地使用之介電陶瓷。 【先前技術】 作為本發明之主要用途之積層陶£電容，通常係以 方式製造。
百先，準備含有介電陶瓷原料之陶瓷生胚片，於其表面 上’以所期望之圖案賦予成為内部電極之導電材料 介電陶兗，例如可使用以咖〇3系為主成分者。 馬 其次，使包含賦予有上述導電材料 個陶瓷生胚片積層，並經過熱壓接， 粗積層體。 之陶兗生胚片之複數 藉此製作出一體化之 ’藉此獲得燒結後之積層 上述導電材料所構成之内 其次’對該粗積層體進行燒製 體。於該積層體之内部形成有由 部電極。 、、攄而’於積層體之外表面 電性逯桩夕十丄 ^ 口丨电徑心特疋部分 Μ生連接之方式，形成有外 如下方式而W丄、 外4電極係糟由例如 電膏賦予積展辦L 至屬私末及玻璃熔塊之導 月颸卞積層體之外表面上，且 成積層陶瓷電容。 丁 I、、、口。以上述方式完 作為#父佳地適用於積層陶 # (BaTi〇3)系。 、 谷"電陶瓷有鈦酸鋇 ’、 例如，於專利文獻1中揣+古1 . 甲揭不有如下介電陶瓷， 121314.doc 200812931 其以鈦酸鋇為主成分，且含mBi2〇3、Mg〇、 以〇2、La^3、ΜΑ、观2〇3作為副成分。 然而，專利文獻！中之介電陶£存在如下問題：由於居 里溫度為較低之魏〜饥，故因溫度上升而導致介電常 . W速減小’難以於高溫範圍中使用。尤其最近將積層陶 2電容用於汽車用途，由此人們期望即使於15代左右之 回溫亦可穩定地使用。因此較理想的是該介電陶瓷之居里 溫度為130°C以上。 (由此’於專利文獻2中，揭示有如下介電陶£組合物， 其以組成式：（Ba，Sn)Ti〇w表示之約鈦礦型化合物為主 成分，且居里溫度為13〇°c以上。 於專利文獻2之介電體曼器組合物中，使％作為2價陽離 子位於Ba部位，藉此使瓷器之居里溫度上升至13〇〇c以 上。 再者，-般而言，因Sn當作為4價陽離子時狀態較穩 ( 定，故於鈦酸㈣中’通常位於Ti部位1由如來取代鈦 V T鋇之Ti，則如非專利文獻1中所揭示般，於未由Sn取代 守為12 0 C之居里溫度，大幅降低至室溫以下。可認為專 利文獻1中所揭示之介電陶瓷之居里溫度較低之原因亦在 於Sn作為4價陽離子且位於Ti部位。 [專利文獻1]曰本專利特開平3_04〇962號公報（全文） [專利文獻2]W〇2005/075377號公報（全文） [非專利文獻1]岗崎清、「陶瓷介電體工學·第3版」（第 281 〜283 頁） 121314.doc 200812931 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 專利文獻2中，使Sn作為2價陽離子而位於以部位，藉此 獲得較高之居里溫度。然而，因必須使通常4價時較穩定 之Sn，以2價位於Ba部位，故必須將燒製時之氧分壓設為 非常低之10·12〜10·16 MPa。自此’有時因燒製溫度等條件 之變動，而導致產生介電陶瓷之絕緣性下降等問題。又， 當為了薄層化而使内部電極變薄時，内部電極球狀化，易 於產生電極斷路之不良情形。由此，存在燒製條件之自由 度下降，且難以調整陶瓷電子零件之特性之缺點。 本發明係鑒於如上所述之問題點而完成者，其提供一種 具有較高居里溫度，即使於15〇。。左右之高溫亦顯示出穩 疋之特性’且特性調整之自由度較高之介電陶瓷、及使用 其之陶Ή子零件，尤其係積層Μ電容。 [解決問題之技術手段] 即，本發明之介電陶£之特徵在於··其以組成式：(Β〜· ^yCaxSnyWTi^zyO3所表示之鈣鈦礦型化合物為主成 分，且上述X、y、z、m為.· 、（K〇Bd2Q、 0.02^y^〇.2〇 . O^z^o.05 o 又’較理想的是’本發明之介電陶瓷之居里溫 130°C以上。 較好的疋，本發明之介電陶瓷，以相對於100莫耳份之 上述主成分而含有0.02〜2莫耳份之偷或¥作為副成分。 又奴好的疋，本發明之介電陶瓷，以相對於100莫耳 121314.doc 200812931 2上述主成分而含有0.02〜5莫耳份之si作為副成分。 本發明亦面向如下μ電子零件，該㈣ =在於具備含有本發明之介電陶莞之元件本體、= 置於4元件本體上之導體。 =而’本發明亦面向將本發明之介電陶£用 積層陶瓷電容。 尤層之 [發明之效果] 根據本發明，於將鈦酸鎖系設為主成分之介電陶竟中 :其Ba部位之一部分由2價陽離子Sn取代，故居 ^代以上。藉此，即使於15代左右 出穩定之介電特性。 ,47f 進而應引起關注的是，於本發明中，因其Ba部位之—部 分進而由⑽代’故即使將燒製氣體環境之還原度抑制1 氧分壓為1〇-10〜1〇-12 MPa左六，Q \ h左右，Sn亦充分地作為2價陽離子 而位於Ba部位。由此’燒製條件之自由度増大，故易於藉
U 由調整燒製條件而改變介電特性。又，即使使陶究電切 件之内部電極之厚度變薄，亦可抑制因内部電極之球狀^ 而導致之電極斷路之不良情形。 根據如上所述，藉由使用本發明之介電陶竟，而可稃定 且易於獲得能於、汽車用it等高溫下使用之陶变電子零^， 尤其係積層陶瓷電容。 【實施方式】 首先，對作為本發明之介電陶兗之主要用途之積層陶究 電容加以說明。圖1係表示通常之積層陶瓷電容丨之剖面 121314.doc 200812931 圖。 積層陶瓷電容1具備長方體狀之陶瓷積層體2。陶瓷積層 體2具備所積層之複數個介電陶瓷層3、及沿著複數個介電 陶瓷層3間之界面而形成之複數個内部電極4及5。内部電 極4及5以到達陶瓷積層體2之外表面為止之方式形成，弓| 出至陶瓷積層體2之一方端面6之内部電極4、與引出至他 方端面7之内部電極5，於陶兗積層體2之内部以可經由介 電陶瓷層3獲得電容之方式交錯配置。 内部電極4及5之導電材料，較好的是低成本之鎳或者錄 合金、銅或者銅合金、以及銀或者銀合金。 為了取出上述電容，於陶竟積層體2之外表面上即端面6 及7上，以與内部電極4及5之任一特定部分電性連接之方 式’分別形成有外部電極8及9。作為外部電極8及9所含有 之導電材料，可使用與内部電極4及5之情形相同之導電材 料朴進而亦可使用銀、！巴、銀，合金等。外部電極8及9 (J #猎由如下方式而形成，即，將玻璃粉添加於如上所述之 ’金屬粉末中以此獲得導電膏，且將該導電膏賦予陶:光靜 體2之外表面上並進行燒結。 、9 又，於外部電極8及9上，可根據需要，分別形成有含有 鎳銅等之第i電鍍層1〇Au，進而於該第^電鍛層1〇及U 上刀別形成有含有焊錫、錫等之第2電鍍層12及13。 其次，對本發明之介電陶瓷之詳情加以說明。 本發明之介電陶究之組成之特徵在於··以組成式： (Bai^yCaxSr^mdzZrOO3所表示之鈣鈦礦型化合物^主 121314.doc 200812931 成分，且上述 χ、y、z、m為：〇 a、〇 〇2gx $0.20、0.02gy$0.20、〇$z$〇.〇5。 此處，Sn主要疋作為2價陽離子而位於Ba部位，且幾乎 不位於Ti部位。鈦酸鋇之居里溫度為約12〇。〇，且向該
Ba部位之取代量愈增加則居里溫度愈上升，當取代量y為 0.02以上時，居里溫度達到13〇〇c以上。 又Ca亦主要疋作為2價陽離子而位於Ba部位。然而，
Ca之位置幾乎無助於居里溫度之增減，故若處於不損害本 發明之目的之範圍内，則該Ca可存在於若干量之晶粒界面 上或位於Ti部位。本發明中之Ca，具有促進§11向以部位固 溶之作用，且取代量X為0 02以上時呈現出該作用。 進而，亦可由Zr取代Ti之一部分。但是，若取代量冗超 過〇·〇5，則居里溫度顯著下降，從而違背本發明之目的。 若作為Ba部位相對於Ti部位之莫耳比之㈤，為理想配比i 之前後，即處於0.9〜1.1之範圍，則可保持穩定之燒結性及 絕緣性。 再者’於本發明中較好的是居里溫度為13 0。〇以上。於 本發明之介電陶瓷中，因其主成分中含有Sn，故可確認的 疋居里溫度為130°C，藉此，旁證了 Sn位於Ba部位。亦如 上述非專利文獻1所示般，當Sn位於Ti部位時，居里溫度 自12 0 C大幅度降低。 又，本發明之介電陶瓷中，由Sn取代以部位之一部分， 故有利於獲得較高之居里溫度，但不理想的是含有較多之 使居里溫度降低之成分。若於添加有使居里溫度降低之成 121314.doc -11 - 200812931 刀之情形時’較理想的是，藉由增加Sn向Ba部位之取代量 荨方法來進行補償。 相反’除Sn以外作為使鈦酸鋇之居里溫度上升之元素， 可列舉Pb及Bi。然而，因Pb&Bi係環境負荷物質且耐還原 性非常弱，故很難用於積層陶瓷電容。根據如上所述，於 本發明之介電陶瓷中，藉由確認居里溫度為135。〇以上， 而實質上證明Sn作為2價陽離子而位KBa部位。 又，較理想的是，本發明之介電陶瓷含有]^11或si作為副 成分。相對於100莫耳份之主成分，分別含有〇〇2〜2莫耳 份、0.02〜5莫耳份之Μη*ν'或者Si，藉此提高燒結性。 其次，對本發明之介電陶冑之製造方法，纟其係使如作 為2價陽離子而位於以部位之方法加以說明。 首先，用以製造介電陶瓷之陶瓷原料之製法可用自先前 以來就存在之方法。例如，可藉由如下之固相法而獲得陶 瓷原料，即，混合氧化物粉末或碳水化合物等起始原料， 且對所獲得m粉末進行熱處理合成。X，亦存在草酸 法、水熱合成法、水解法等濕式合成法。 然而，本發明之介電陶瓷最終是Sn作為2價陽離子而位 於Ba部位’故必須將通常為4價而穩定之sn還原成2價。較 理想1是，例如於合成（Ba，Ca，Sn)(Ti，ζ〇〇3粉末時之熱 處理日守，冑氣體環境設為還原氣體環境。具體而言，較理 想的是將氧分壓設為1(rl〇MPa以下。 又，為了可切實地使％固溶於主成分中，較好的是使以 之I始原料與Ba或Τι之起始原料一併進行混合。對於用以 121314.doc -12- 200812931 促進Sn固溶之Ca而言，亦與上述相同，與Ba或Ti之起始原 料一併進行混合。 根據需要，將Mn0、V2〇3、si〇2等副成分混合於以上述 方式獲得之（Ba, Ca，Sn)(Ti，Zr)〇3粉末中，藉此可獲得陶 瓷原料粉末。亦並未特別限定該等副成分之原料形態及化 合物種類。 使用以如上述方式獲得之陶:是原料，且利用肖先前之積
層陶竟電容之製造方法相同之方法，獲得粗積層體。當燒 製粗積層料，必須將燒製時之氣體環境設為還原氣體環 境’氧分壓可為10·1()〜1〇·12Μρα左右。 再者，於調製Ba成分及Ti成分之起始原料時，可不必滿 部位總量相對KTi部位總量之莫耳比m。例如，於進 ^上述調製時，亦可預先將_製成較期望之喊少若干 量’於（Ba，Ca，Sn)(Ti，Zr)〇3合成後，添加不足量之^成 分之起始原料。此時，作為不足量而添加之Ba成分，藉由 燒製而主要固溶於主成分中，從而滿足所期望之m值。 而且’於進行燒製而獲得陶竟積層體之後，利用與先前 相同之方法，獲得積層陶瓷電容。 人 檟層闹冤電容之介電常數等介電特 前相同之方法進行評估。對於居里 用”先 居里，皿度而吕，較理想的是 根據積層陶瓷電容之介雷當金 罨吊數之^度變化，將介電常數變 為極大之溫度設為居里點。如L 士人人 ^ 假如於介電常數相對於溫度變 化之極大點不明石雀之借再彡Π主 …… 障形時’亦可參考由X射線繞射而產 生之日日秸之c/a軸比之温度變化 又爻化糟此將正方晶與立方晶之 121314.doc 200812931 邊界溫度設為居里溫度。 [實施例] 以下，對本發明之介電陶瓷、及使用其之積層陶瓷電容 之實施例加以說明。 [實驗例1]本實驗例係如下者，即，利用將州設為内部 電極之積層陶瓷電容，來說明取代作為主成分之（Ba, Ca， Sn)(Ti，Zr)03中之Ca之效果。 首先，準備BaC〇3、Ti〇2、CaC〇3、Sn〇2作為起始原 料。以組成式··（Bai-x_yCaxSny)Ti〇3成為表示表j中之χ、^ 之值之組成之方式，調製該等起始原料。藉由球磨機而混 合並粉碎該調製粉末，進行乾燥，獲得混合粉末。 於含有Ν2·Η2混合氣體且氧分壓為丨0·1(> MPa之氣體環境 中於1000 c溫度，對該混合粉末進行兩小時之熱處理， 獲得以（Bai-x-yCaxSny)Ti〇3為主成分之粉末。對該粉末進行 乾式粉碎且作為陶瓷原料粉末。 以乙醇為溶劑並添加有聚乙烯醇縮丁醛系黏合劑，混合 並粉碎該冑竟原料粉纟，獲得漿料。#由刮刀法而使㈣ 料成幵> 為薄片，獲得陶瓷生胚片。 於上述陶瓷生胚片之表面，網版印刷以Ni為主成分之導 電貧，形成用以構成内部電極之導電膏層。以引出導電膏 層之側相異之方式，對形成有該導電膏層之陶瓷生胚片進 行積層’獲得粗積層體。 於氮氣氣體環境中以350°C對該粗積層體進行加熱，使 黏合劑燃燒，此後，於含有H2-N2-H2〇氣體且為表丨所示之 121314.doc -14- 200812931 氧刀壓之遇原性氣體環境中，以12〇〇°C保持兩小時，獲得 經燒製之陶瓷積層體。 於"亥陶竟積層體之兩端面，塗佈含有B-Li-Si-Ba-Ο系玻 璃粉且以Cu為主成分之導電f，且於氮氣氣體環境中以 6〇〇C進行燒結，獲得與内部電極電性連接之外部電極。 進而，為使焊接性良好，於外部電極上形成有沁電鍍層及 Sn電鑛層。 以如上所述之方式獲得之積層陶瓷電容1之外形尺寸為 長度2.0 mm、寬度1〇 mm、厚度〇 5職，介在於内部電極 間之陶瓷層之厚度為5 μηι，内部電極之金屬厚度為〇. $ μηι，對電容有用之陶瓷層數為5，陶瓷層之每一層之相對 電極面積為1.3 mm2。以如上所述之方式，可獲得樣品編 號1〜8之評估樣品。 其次，以25°C、且於i kHz、〇.2 kVrms之交流電場下， 對樣品編號1〜8之樣品的介電常數ε及介電損失tan§進行評 q 估。進而，於_55 C〜200°C之範圍測定電容之溫度變化，將 電容達到極大之溫度設為居里溫度。該等結果表示於表夏 中。 [表1] 樣品 編號 y X 燒製時之氧分壓 (MPa) ε tan5 (%) 居里溫度 (°C) 内部電極 之球狀化 1 0.05 0 lx 10·漏 1000 3 90 2 0.05 0 1χ1〇·13υ 1800 5 145 有 3 0.05 0.02 1x10·猶 1700 3 145 4if 4 0.05 0.02 r ixio·1】5 1700 '2 卜145 5 0.05 0.04 1χ1〇·1ϋϋ 1600 2 145 6 0.05 0.04 lx ΙΟ·115 1600 2 145 無 121314.doc -15- 200812931 樣品編號1之樣品係以Sn取代量y為〇·〇5之方式調製而成 者，但並未含有Ca，居里溫度為較低之9(rc。可認為其原 因在於·氧分壓較高且Sn難以取代並固溶於Ba部位。 樣品編號2之樣品，居里溫度為較高之ι45π，但氧分壓 為較低之10·13 MPa，故内部電極之Ni呈現球狀化，難以作 為積層陶瓷電容而進行實用。 樣品編號3、4、5及6之樣品，若氧分壓為1〇-ig Mpa、 10 115 MPa，則即使還原度較弱，居里溫度亦為較高之 14〇C 145C。可逐為其原因在於：藉由Ca之效果，而使 Sn易於向Ba部位取代並固溶。 [實驗例2]本實施例係如下者，即，說明單片電容中Sn 之含有量及固溶狀態、與居里溫度之關係。 首先，與實驗例1相同，以組成式：（Bai|ycaxSny)Ti〇3 成為表示表2中之X、y之值之組成之方式，調製起始原 料。利用球磨機混合並粉碎該混合粉末，且進行乾燥，押 得混合粉末。 於大氣中或者含有N^H2混合氣體且為表2所示之氧分壓 之氣體環境中，以1〇〇〇。(：對該混合粉末進行兩小時之熱處 里獲侍以（Bai_x-yCaxSny)Ti〇3為主成分之粉末。對該粉末 進行乾式粉碎且作為陶瓷原料粉末。 將該陶瓷原料粉末與丙烯酸系有機黏合劑一併進行濕式 混合’其後以196 MPa壓力對經乾燥、粒化之粉末進行擠 壓成形’獲得直徑為12 ηπηφ厚度為1 mm之圓板成形體。 於氮氣氣體環境中以350°C對該成形體進行加熱，使黏 121314.doc -16- 200812931 合劑燃燒，此後，於大氣中或者含有η，％。氣體且為 表2所不之氧分壓之還原性氣體環境中，以謂。〇保持兩 小時’獲得圓板狀燒結體。 於該燒結體之兩主面上’形成岣蒸鍍臈，且將該Α§蒸 鍍膜設為外部電極。以如上所述之方式獲得之單片陶究電 容之外形尺寸為：直徑1() mm、厚度G8 _。藉由如上所 述之方式，獲得樣品編號11〜19之評估樣品。 Γ 八人以25 C、且於1 kHz、0.5 Vrms之交流電場下對樣 品編號11〜19之介電常數ε及介電損失“以進行評估。進 而於_55 C〜200 C之範圍測定電容之溫度變化，將電容達 到極大之溫度設為居里溫度。又，作為參考，於燒結體之 表面進行X射線繞射，且求出鈣鈦礦構造之室溫下之軸 比。該等結果表示於表2中。 [表2] 樣品 編號 y X 熱處理合成 時之氧分壓 (MPa) 燒製時之 氧分壓 (MPa) ε tan5 (%) 居里溫度 CC) c/a 軸比 11 0 0.13 μ大氣中 大氣中 2000 2.0 120 1.008 12 0.02 0.13 大氣中 大氣中 1800 2.0 105 1.004 13 0.02 0.13 大氣中 ΙχΙΟ·11·5 1800 2.0 105 1.004 14 0.02 0.13 lxl〇'100 lxlO-115 1300 3.0 130 1.011 15 0.05 0.13 lxl〇·100 lx ΙΟ·115 1200 3.0 150 1.011 16 0.10 0.13 1χ ΙΟ'100 ΙχΙΟ·11·5 1100 3.0 165 1.012 —17 0.15 0.13 lxl〇·100 ΙχΙΟ·11.5 1100 5.0 175 1.013 18 0.20 0.13 lx 1〇·10.0 ΙχΙΟ·11·5 1000 8.0 185 1.015 19 0.30 0.13 1χ 1〇·100 ΙχΙΟ·11·5 700 15.0 200 1.018 Ο 樣品編號11之樣品，因並未含有Sn，故居里溫度仍為 120〇c 〇 121314.doc -17- 200812931 樣品編號12之樣品，儘管係以y = 〇 · 02之方式調製sn， 但居里溫度為較低之11 〇°C。此表示Sn主要位於Ti部位。 可認為上述情形之原因在於主成分粉末之熱處理合成時之 氧分壓較高。 樣品編號13之樣品，儘管以y = 〇_〇2之方式調製Sn且燒 製時之氧分壓十分低，但結果與樣品編號2之樣品之結果 大致相同。可認為其原因在於主成分粉末之熱處理合成時 之氧分壓較高。 Ο
樣品編號14之樣品，居里溫度上升至n(rc，獲得良好 之結果。此表示Sn主要位於Ba部位。 樣品編號15〜19之樣品係在與樣品編號14相同之製造條 件下，使Sn之取代量y產生變化之樣品。可觀察到隨著y增 加，居里溫度上升。但是，如樣品編號19般，y超過 時taM變大，故於實際使用上不理想。 [實驗例3]本實驗例係如下者，即，於相同製造條件下 之Ni内部電極之積層陶瓷電容中，可觀察到組成對介電特 性之影響。 首先’準備BaC〇3、Ti〇2、Ca⑶3、Sn〇2作為起始原 枓。以組成f(Bai_x_yCaxSny)Ti〇3成為表示表3中之X、 X、就值之組成之方式，對該等起始原料進行調製。利用 球磨機來混合並粉碎該混合粉末，乾燥後，獲得混合粉 末。 ^ ^ ^ 壓為10 1G MPa之氣體環境 兩小時之熱處理，獲得以 於含有N^H2混合氣體且氧分 中，以1000°c對該混合粉末進行 121314.doc •18- 200812931 〇Bai_x_yCaxSny)Ti〇3 為主 边日#盔略 取刀I卞刀冬对4叔末進行乾式粉 碎且。又為陶瓷原料粉末。 使用該陶曼原料粉末，經過與實驗 件，獲得粗積層體。 』之“條 於鼠氣氣體環境中，以35(rc對該粗積層體進行加熱， 使黏合劑燃燒後’於含有Η2_Ν2·Η20氣體且氧分壓為1〇.10 MPa之還原性氣體環境中，以12⑼。c保持兩小時，獲得經 燒製之陶瓷積層體。 又
，於該陶竟積層體上，經過與實驗m相同之製造條件而 形成外部電極，從而獲得樣品編號31〜39之積層陶竟電容 之樣品。 其次’利帛與實驗例1相@之方法，對樣品編號31〜39之 介電常數ε及介電損失taM、居里溫度進行評估。該等結果 表示於表3中。 [表3]
樣品編號3 1〜3 4之樣品係使c a ：fe说旦女 , 尺La取代里x產生較大變化之樣 品，但對居里溫度之影響較小。彳日Η , 权】、。但疋，如樣品編號35之樣 121314.doc -19. 200812931 二，x超過0.20時，燒結性變差’難以進行實際使用。 j品36〜39之樣品係可觀察到知部位總量相對於η部位 之莫耳比之容許範圍者。如樣品編號％、Μ般，〜 之範圍偏離。.9〜Η之範圍時，燒結性變差，難以進行； 【圖式簡單說明】 圖1是本發明之-實施形態之積層陶:光電容丨之概略剖面
【主要元件符號說明】 2 3 4、5 8 - 9 積層陶瓷電容 陶瓷積層體 介電陶瓷層 内部電極 外部電極
121314.doc -20 -

Claims (1)

  1. 200812931 十、申請專利範圍： -種介電陶究，其以組成 叫〇3所表示之鈣鈦礦型化合物、-yCaxSny)m(Tll-y、z、m滿足 〜、成分，且上述x、 i i °·〇2^χ^〇.2〇 〇.〇2^y^〇.2〇
    〇$ζ$〇·〇5 〇 2·如請求項1之介電陶瓷，其中 居里溫度為130°C以上。 3 ·如凊求項1或2之介電陶瓷，其中 相對於100莫耳份之上述主成分 Μη或V作為副成分。 含有0.02〜2莫耳份之
    4·如凊求項1或2之介電陶瓷，其中 相對於100莫耳份之上述主成分 Si作為副成分。 5 ·如請求項3之介電陶瓷，其中 含有0.02〜5莫耳份之 對於⑽莫耳份之上述主成分，含有〇〇 份 ^ 1、 、 Λ Si作為副成分 6· —種陶瓷電子零件，其特徵在於包括·· :兀件本體，其含有如請求項丨〜5中* 一項之介電陶 竟；及導體，設置於該元件本體上。 7· 一種積層陶瓷電容， 才目對於含有積層之複數個陶竟層、 及沿其界面形成之 121314.doc 200812931 複數個層狀内部電極的陶瓷積層體，形成有複數個外部 電極，該複數個外部電極與露出於上述陶瓷積層體之表 面之内部電極電性連接，該積層陶瓷電容之特徵在於： 上述陶瓷層含有如請求項1〜5中任一項之介電陶瓷。 η 121314.doc
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