JP6841479B2 - 誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシター - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物において、母材主成分は、ABO3(Aは、Ba、Ca及びSrのうち少なくとも一つであり、Bは、Ti、Zr及びHfのうち少なくとも一つである)で表される。
本発明の一実施形態によると、第1副成分として、Dy及びTbのうち少なくとも一つ以上を含む酸化物を含むことができる。
上記第2副成分は、Mnを含む酸化物を含むことができる。
上記第3副成分は、Siを含む酸化物又はSiを含むガラス(Glass)化合物を含むことができる。
上記誘電体組成物は、バナジウム(V)を含む酸化物を含むことができる。
110 セラミック本体
111 誘電体層
121 第1内部電極
122 第2内部電極
131 第1外部電極
132 第2外部電極
Claims (14)
- 母材主成分と、副成分と、を含み、
前記母材主成分は、ABO3(Aは、Ca及びSrのうち少なくとも一つであり、Bは、Ti、及びZrのうち少なくとも一つである)で表され、
前記副成分は、前記母材主成分100モルに対して、
Tbを含む酸化物である0.5〜2.0モルの第1副成分を含み、
前記母材主成分は、(Ca x Sr (1−x) )(Zr y Ti (1−y) )O 3 (0≦x≦1、0≦y≦1)系である、
誘電体組成物。 - Mnを含む酸化物である第2副成分と、
Siを含む酸化物又はSiを含むガラス(Glass)化合物である第3副成分と、を含む、請求項1に記載の誘電体組成物。 - 前記Tbを含む酸化物は、Tb3+及びTb4+のうち少なくとも一つのイオン状に前記母材主成分に置換される、請求項1または2に記載の誘電体組成物。
- 前記ABO3で表される母材主成分において、
前記Tb3+はAサイトに置換され、前記Tb4+はBサイトに置換される、請求項3に記載の誘電体組成物。 - 前記Tbを含む酸化物の含有量は、0.5〜1.0モルである、請求項1から4のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
- 前記誘電体組成物は、バナジウム(V)を含む酸化物をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
- 前記誘電体組成物は、アルミニウム(Al)を含む酸化物をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
- 誘電体層と第1及び第2内部電極が交互に積層された構造を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の両端部に形成され、前記第1及び第2内部電極と電気的に連結される第1及び第2外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、母材主成分と、副成分と、を含み、前記母材主成分は、ABO3(Aは、Ca及びSrのうち少なくとも一つであり、Bは、Ti、及びZrのうち少なくとも一つである)で表され、前記副成分は、前記母材主成分100モルに対してTbを含む酸化物である0.5〜2.0モルの第1副成分を含み、
前記母材主成分は(Ca x Sr (1−x) )(Zr y Ti (1−y) )O 3 (0≦x≦1、0≦y≦1)系である、
積層セラミックキャパシター。 - 前記副成分は、Mnを含む酸化物である第2副成分と、Siを含む酸化物又はSiを含むガラス(Glass)化合物である第3副成分と、を含む、請求項8に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記Tbを含む酸化物は、Tb3+及びTb4+のうち少なくとも一つのイオン状に前記母材主成分に置換される、請求項8または9に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記ABO3で表される母材主成分において、
前記Tb3+はAサイトに置換され、前記Tb4+はBサイトに置換される、請求項10に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記Tbを含む酸化物の含有量は、0.5〜1.0モルである、請求項8から11のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記誘電体層は、バナジウム(V)を含む酸化物をさらに含む、請求項8から12のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記誘電体層は、アルミニウム(Al)を含む酸化物をさらに含む、請求項8から12のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
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