JP2013227196A - 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】静電容量の温度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC=±15%以内)を満足しつつ、150℃付近の高温でも絶縁抵抗が高く、加速寿命等の信頼性に優れた誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に関わる誘電体磁器組成物は、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種であることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に関わる誘電体磁器組成物は、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層に有する積層セラミックコンデンサに係り、さらに詳しくは、静電容量の温度特性に優れ、高温でも高い信頼性を維持できる誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサに関する。
近年、電子回路の高密度化に伴う電子部品の小型化に対する要求は高く、積層セラミックコンデンサの小型・大容量化が急速に進むとともに、用途も拡大し、要求される特性は様々である。積層セラミックコンデンサなどの電子部品に要求される性能の一つとして、静電容量の温度特性が良好であることが挙げられる。
電子部品の高性能化や高温対応化への要求はますます高まっており、例えば、静電容量の温度特性が、EIA規格のX7R特性(−55〜125℃、ΔC/C=±15%以内)を満足するだけでは足りず、EIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC/C=±15%以内)を満足する誘電体磁器組成物が必要とされている。
これに対して、特許文献1及び特許文献2に開示されているような誘電体磁器組成物を使用することが提案されている。しかしながら、特許文献1、2に記載された誘電体磁器組成物では、EIA規格のX8R特性を満足する記載はあるものの、Euを含む3種類以上のイオン半径の異なる希土類を誘電体磁器組成物に添加する記載は無く、誘電体厚み5μm以下に薄層化した場合の信頼性や静電容量の温度特性についての記載も無い。
また、特許文献3,4,5には3種の希土類を用いることは記載されているが、Euを必須元素として用いる記載は無く、また、EIA規格のX8R特性を満たす記載も無い。このため、本特許で必要とされる信頼性や静電容量の温度特性を得られるものではない。
本発明はこれらの問題を鑑みて、誘電体厚みが薄層化した場合でも静電容量の温度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC=±15%以内)を満足しつつ、150℃付近の高温でも絶縁抵抗が高く、加速寿命等の信頼性に優れた誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサを提供することも目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に関わる誘電体磁器組成物は、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする。
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする。
また、好ましくは主成分であるチタン酸バリウム100モルに対する、前記希土類元素の比率が、Eu:0.05〜2.00モル、R1:0.5〜7.0モル、R2:0.5〜9.0モル、含むことを特徴とする。
また、好ましくは、本発明に関わる誘電体磁器組成物を酸化物換算した場合、さらにMgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2O3から選択される少なくとも1種を含む第2副成分と、SiO2である第3副成分と、V2O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第4副成分と、さらに第5副成分としてMnOを少なくとも有し、主成分であるチタン酸バリウム100モルに対する各副成分の比率が、第2副成分:0.1〜5.0モル、第3副成分:2〜10モル、第4副成分:0.01〜0.50モル、第5副成分:0.05〜0.19モル、含むことを特徴とする。
また、さらに好ましくは前記主成分粒子チタン酸バリウム中における前記副成分の固溶領域が、断面積比で平均10%〜45%であることを特徴とする。
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、前記誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、内部電極層との積層体から構成されていることを特徴とする。
本発明は、チタン酸バリウムにEuを含む少なくとも3種類の希土類元素を添加することにより、−55〜150℃の広範囲の温度領域において、静電容量変化が少なく、150℃近傍の高温でも絶縁抵抗が高く、高温負荷寿命に優れた誘電体磁器組成物を提供できる。このため、誘電体層を薄層化してもEIA規格のX8R特性を満たすことができるので、小型で高静電容量の積層セラミックコンデンサを提供することが可能となる。
また、この誘電体磁器組成物で構成された誘電体層を有する積層セラミックコンデンサは、自動車の電子装置のように厳しい環境下で使用される各種機器内において安定した動作が可能となり、適用された機器の信頼性を著しく向上させることができる。
本発明を実施するための形態につき、図1を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
積層セラミックコンデンサ1
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、(0.4〜5.6mm)×(0.2〜5.0mm)×(0.2〜1.9mm)程度である。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、(0.4〜5.6mm)×(0.2〜5.0mm)×(0.2〜1.9mm)程度である。
内部電極層3は、各端面がコンデンサ素子本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
誘電体層2
誘電体層2は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。すなわち本発明の誘電体磁器組成物は、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、
前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種で構成してある。
誘電体層2は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。すなわち本発明の誘電体磁器組成物は、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、
前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種で構成してある。
主成分であるチタン酸バリウム100モルに対する前記3種の希土類成分の比率は、
Eu:0.05〜2モル、R1:0.5〜7モル、R2:0.5〜9モル、であることが好ましい。なお、上記希土類成分の比率は、酸化物のモル比ではなく、元素単独のモル比である。すなわち、例えばR1副成分としてYbの酸化物を用いた場合、第4副成分の比率が1モルであることは、Yb2O3の比率が1モルなのではなく、Ybの比率が1モルであることを意味する。
Eu:0.05〜2モル、R1:0.5〜7モル、R2:0.5〜9モル、であることが好ましい。なお、上記希土類成分の比率は、酸化物のモル比ではなく、元素単独のモル比である。すなわち、例えばR1副成分としてYbの酸化物を用いた場合、第4副成分の比率が1モルであることは、Yb2O3の比率が1モルなのではなく、Ybの比率が1モルであることを意味する。
さらに主成分であるチタン酸バリウムに対し、MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2O3から選択される少なくとも1種を含む第2副成分と、SiO2である第3副成分と、V2O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第4副成分と、さらに第5副成分としてMnOを有することが望ましく、主成分であるチタン酸バリウム100モルに対する各副成分の比率が、第2副成分:0.1〜5モル、第3副成分:2〜10モル、第4副成分:0.01〜0.50モル、第5副成分:0.05〜0.19モルであることが好ましい。
また、さらに前記主成分粒子中における前記副成分の固溶領域を断面積比で平均10%〜44%とすることが好ましい。
本明細書では、主成分および各副成分を構成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成の酸化物に換算して求める。
主成分チタン酸バリウムに対する希土類副成分としてのEuは、IR高温負荷寿命を大幅に向上させる効果を示す。含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となり、含有量が多すぎると、静電容量の温度特性が悪化する傾向にある。このため、Euの量は0.05〜2.00モルの範囲が好ましく、さらに好ましくは0.1〜1.5モルの範囲である。
希土類副成分としてのR1は、キュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、静電容量の温度特性を平坦化する効果とを示す。R1の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となり、静電容量の温度特性が悪くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化し、IR高温負荷寿命が低下する傾向がある。このため、R1の量は0.5〜7.0モルの範囲が好ましく、さらに好ましくは1.0〜6.0モルの範囲である。R1のうちでは、特性改善効果が高いことから、Ybか、Scを添加することが特に好ましい。
希土類副成分としてのR2は、静電容量の温度特性、IR高温負荷寿命を改善する効果を示す。その効果はそれぞれEuのIR高温負荷寿命改善効果、R1の静電容量の温度特性改善効果に比べ小さいが、EuとR1を組み合わせるのみでは高い効果を得ることができず、R2をさらに、同時に添加することではじめて静電容量の温度特性X8Rを保ちつつ高いIR高温負荷寿命改善効果を得ることができる。ただしR2についても含有量が多すぎると焼結性が悪化し、IR高温負荷寿命が低下する傾向がある。このため、R2の量は0.5〜9.0モルの範囲が好ましく、さらに好ましくは1.0〜7.0モルの範囲である。
本発明においてはEuと、R1、R2それぞれより選ばれる少なくとも1種類ずつ計3種類以上の希土類を含有させることが重要である。Euのイオン半径は106.6pmであるが、R2のイオン半径は101.5〜105.3pmとそれより小さく、R1のイオン半径は87〜100.4pmとさらにそれより小さい(イオン半径はいずれも3価イオン8配位での値)。チタン酸バリウムに対し、イオン半径から予想すると、Euは主にBaと置換されやすいためIR高温負荷寿命改善の効果が現れやすいのに対し、R1は主にTiと置換されやすいために静電容量の温度特性改善効果が生じると考えられる。EuとR1の組み合わせだけでは双方の効果に限界があるが、Ba、Ti両方に対し置換され得るR2をさらに添加することでIR高温負荷寿命、静電容量の温度特性の両方をさらに向上させることができると考えられる。
このようにイオン半径の異なるこれら3種類の希土類を組み合わせることで静電容量の温度特性X8Rを保ちつつ高いIR高温負荷寿命改善効果を得ることができる。
また、Euよりもイオン半径の大きい希土類(Sm:107.9pm、La:116pmなど)は、よりBaと置換されやすくIR高温負荷寿命は改善されるが、静電容量の温度特性が極端に悪くなってしまう。
第2副成分(MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2O3から選択される少なくとも1種)の含有量が少なすぎると、静電容量の温度変化率が大きくなってしまう。一方、含有量が多すぎると焼結性が悪化する。このため、第2副成分の量は0.1〜5.0モルの範囲が好ましい。
第3副成分SiO2の含有量が少なすぎると、焼結性が悪化し、緻密な焼結体を得ることができず、含有量が多すぎると主成分のチタン酸バリウムと反応して誘電体特性を悪化させてしまい、好ましくない。このため、第3副成分の量は2〜10モルの範囲が好ましい。
第4副成分(V2O5 ,MoO3 およびWO3 )は、キュリー温度以上での静電容量の温度特性を平坦化する効果と、IR高温負荷寿命を向上させる効果とを示す。第4副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となる。一方、含有量が多すぎると、IRが著しく低下する。このため、第4副成分の量は0.01〜0.50モルの範囲が好ましい。
第5副成分(MnO)は、焼結を促進する効果と、IRを高くする効果と、IR高温負荷寿命を向上させる効果とを示す。ただし、第5副成分の含有量が多すぎると静電容量の温度特性に悪影響を与え、少なすぎるとIR高温負荷寿命が劣化してしまう。このため、第5副成分の量は0.05〜0.19モルの範囲が好ましい。
また、本発明の誘電体磁器組成物については主成分粒子中における副成分の固溶領域を、断面積比で平均10%〜45%に制御することが好ましい。このような固溶領域割合の構造に制御することで、静電容量の温度特性をX8Rに保ちつつ、さらに高いIR高温負荷寿命改善効果を得ることができる。
本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例えば0.1〜3.0μmの範囲から適宜決定すればよい。静電容量の温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。このため、本発明の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径が0.1〜0.5μmである場合に特に有効である。また、平均結晶粒径を小さくすれば、IR高温負荷寿命が長くなり、また、直流電界下での静電容量の経時変化が少なくなるため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さいことが好ましい。
本発明の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の厚さは、一層あたり、通常7μm以下、特に5μm以下とした場合でもX8R特性を満足し、高信頼性を達成できる。本発明の誘電体磁器組成物は、このような薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの静電容量の温度特性の改善に有効である。なお、本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサの誘電体層の積層数は、通常、2〜300程度となる。
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、80℃以上、特に125〜150℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適である。そして、このような温度範囲において、静電容量の温度特性がEIA規格のR特性を満足し、さらに、X8R特性も満足する。また、EIAJ規格のB特性(−25〜85℃で容量変化率±10%以内)、EIA規格のX7R特性(−55〜125℃、ΔC=±15%以内)も同時に満足することが可能である。
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層に、通常、0.1V/μm以上、特に0.5V/μm以上、一般に5V/μm程度以下の交流電界と、これに重畳して5V/μm以上30V/μm程度以下の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わっても、本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、静電容量の温度特性は極めて安定である。
内部電極層3
内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.1重量%程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.5〜5.0μm、特に0.5〜2.0μm程度であることが好ましい。
内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.1重量%程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.5〜5.0μm、特に0.5〜2.0μm程度であることが好ましい。
外部電極4
外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。
外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、10〜50μm程度であることが好ましい。
外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。
外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、10〜50μm程度であることが好ましい。
積層セラミックコンデンサ1の製造方法
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
誘電体原料には、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。
誘電体原料は、通常、平均粒径0.1〜3.0μm程度の粉末として用いられる。
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。
内部電極層用ペーストは、上記した各種誘電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、PET等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層の導電材にNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、空気中180〜400℃で行うことが好ましい。
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、10−3〜10−10Pa、焼成保持温度は1000〜1400℃とすることが望ましい。
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニール雰囲気中の酸素分圧は、10−4Pa以上、特に10−1〜10−4Pa、保持温度は500〜1100℃とすることが好ましい。
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極4を形成する。このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
実施例1
以下に示す手順で、積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。まず、下記の各ペーストを調製した。
以下に示す手順で、積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。まず、下記の各ペーストを調製した。
誘電体層用ペースト
それぞれ粒径0.1〜1.0μmの主成分原料としてのチタン酸バリウムおよび副成分原料(Eu2O3、Yb2O3、Y2O3、MgCO3、(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3、V2O5、MnCO3)を用意した。MgOおよびMnOの原料には炭酸塩を用い、他の原料には酸化物を用いた。なお、(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3 は、BaCO3 ,CaCO3およびSiO2 をボールミルにより16時間湿式混合し、乾燥後、1150℃にて空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより100時間湿式粉砕することにより製造した。
それぞれ粒径0.1〜1.0μmの主成分原料としてのチタン酸バリウムおよび副成分原料(Eu2O3、Yb2O3、Y2O3、MgCO3、(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3、V2O5、MnCO3)を用意した。MgOおよびMnOの原料には炭酸塩を用い、他の原料には酸化物を用いた。なお、(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3 は、BaCO3 ,CaCO3およびSiO2 をボールミルにより16時間湿式混合し、乾燥後、1150℃にて空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより100時間湿式粉砕することにより製造した。
これらの原料をチタン酸バリウム100モルに対して、Eu2O3 をEu換算で1.2モル、Yb2O3 をYb換算で4.0モル、Y2O3 をY換算で3.0モル、MgCO3 2.0モル、BaCO3とCaCO3とSiO2をモル比で3:2:5の割合で混合した後、焼成して得られた(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3 を4.0モル、V2O5 を0.01モル、MnCO3 を0.1モルの比率となるように配合し、ボールミルにより16時間湿式混合し、乾燥した。このように第3副成分は(Ba0.6 ,Ca0.4 )SiO3 の形態で添加した。乾燥後の誘電体原料100重量部と、アクリル樹脂4.8重量部と、塩化メチレン40重量部と、酢酸エチル20重量部と、ミネラルスピリット6重量部と、アセトン4重量部とをボールミルで混合し、ペースト化した。
内部電極層用ペースト
平均粒径0.2〜0.8μmのNi粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)40重量部と、ブチルカルビトール10重量部とを3本ロールにより混練し、ペースト化した。
平均粒径0.2〜0.8μmのNi粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)40重量部と、ブチルカルビトール10重量部とを3本ロールにより混練し、ペースト化した。
外部電極用ペースト
平均粒径0.5μmのCu粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース樹脂8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)35重量部およびブチルカルビトール7重量部とを混練し、ペースト化した。
平均粒径0.5μmのCu粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース樹脂8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)35重量部およびブチルカルビトール7重量部とを混練し、ペースト化した。
グリーンチップの作製
上記誘電体層用ペーストを用いてPETフィルム上にグリーンシートを形成した。この上に内部電極用ペーストを印刷した後、PETフィルムからシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート(内部電極層用ペーストを印刷しないもの)とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。
上記誘電体層用ペーストを用いてPETフィルム上にグリーンシートを形成した。この上に内部電極用ペーストを印刷した後、PETフィルムからシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート(内部電極層用ペーストを印刷しないもの)とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。
焼成
まず、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行った後、外部電極を形成して、図1に示す構成の積層セラミックコンデンササンプルを得た。
まず、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行った後、外部電極を形成して、図1に示す構成の積層セラミックコンデンササンプルを得た。
脱バインダ処理条件
昇温速度:15℃/時間、保持温度:280℃、温度保持時間:8時間、雰囲気:空気中にて脱バインダ処理を行った。
昇温速度:15℃/時間、保持温度:280℃、温度保持時間:8時間、雰囲気:空気中にて脱バインダ処理を行った。
焼成条件
昇温速度:200℃/時間、保持温度:1250℃、温度保持時間:2時間、冷却速度:200℃/時間、酸素分圧:10−6 Paの条件にて焼成を行った。
昇温速度:200℃/時間、保持温度:1250℃、温度保持時間:2時間、冷却速度:200℃/時間、酸素分圧:10−6 Paの条件にて焼成を行った。
アニール条件
保持温度:900℃、温度保持時間:9時間、冷却速度:300℃/時間、酸素分圧:10−2Paの条件にてアニール処理を行った。
保持温度:900℃、温度保持時間:9時間、冷却速度:300℃/時間、酸素分圧:10−2Paの条件にてアニール処理を行った。
外部電極
外部電極は、焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、800℃にて10分間焼成することにより形成した。
外部電極は、焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、800℃にて10分間焼成することにより形成した。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの各サンプルのサイズは、3.2mm×1.6mm×0.6mmであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は4、その厚さはそれぞれの厚みが、7μm、5μmおよび3μmの各種サンプルを作成し、内部電極層の厚さは1.5μmとした。
静電容量の温度特性
誘電体層の厚さが7μm、5μmおよび3μmである積層セラミックコンデンサの各サンプルに対し、基準温度(25℃)に対して、それぞれ−55〜150℃の温度範囲で容量を測定し、EIA規格のX8R特性を満足するかどうかを調べた。各サンプルについて、X8R特性を満足するものをX8R特性欄に○、満足しないものを×とし、表1〜5に示した。なお、測定には、LCRメータを用い、測定電圧は1Vとした。
誘電体層の厚さが7μm、5μmおよび3μmである積層セラミックコンデンサの各サンプルに対し、基準温度(25℃)に対して、それぞれ−55〜150℃の温度範囲で容量を測定し、EIA規格のX8R特性を満足するかどうかを調べた。各サンプルについて、X8R特性を満足するものをX8R特性欄に○、満足しないものを×とし、表1〜5に示した。なお、測定には、LCRメータを用い、測定電圧は1Vとした。
直流電界下でのIR高温負荷寿命
誘電体層の厚さが7μm、5μmおよび3μmである積層セラミックコンデンサの各サンプルに対し、それぞれ200℃にて120Vの電圧下で加速試験を行い、IR(絶縁抵抗)が1MΩ以下になるまでの時間が10時間以上である場合を○、それ以下の場合を×とし表1〜5のIR寿命欄に示した。
誘電体層の厚さが7μm、5μmおよび3μmである積層セラミックコンデンサの各サンプルに対し、それぞれ200℃にて120Vの電圧下で加速試験を行い、IR(絶縁抵抗)が1MΩ以下になるまでの時間が10時間以上である場合を○、それ以下の場合を×とし表1〜5のIR寿命欄に示した。
実施例2
実施例1の組成に、チタン酸バリウム100モルに対して、Tbを1.2モル追加した組成の実施例2を表1に示す。焼成保持温度を表1に示した以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
実施例1の組成に、チタン酸バリウム100モルに対して、Tbを1.2モル追加した組成の実施例2を表1に示す。焼成保持温度を表1に示した以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
比較例1〜11
また、比較のために実施例1の組成に対して、表1のように添加希土類元素成分の種類と量および、焼成保持温度を変えた以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
また、比較のために実施例1の組成に対して、表1のように添加希土類元素成分の種類と量および、焼成保持温度を変えた以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
表1に示される結果から、実施例1、2のように、Euを含有し、かつR1、R2よりそれぞれ選ばれた希土類を1種類以上含有し、すなわち計3種類以上の希土類をするサンプルについては、誘電体厚み5μm以下であっても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
また、比較例1のように、実施例1に対しEuを添加しない場合には誘電体厚み5μm以下においてIR高温負荷寿命は満足しないことが判明した。
また、比較例1のように、実施例1に対しEuを添加しない場合には誘電体厚み5μm以下においてIR高温負荷寿命は満足しないことが判明した。
また、Eu酸化物を含有していても比較例7〜11のように添加希土類種が計2種類の場合や、比較例2〜6のように添加希土類種が計3種類以上であってもEuを含有していない場合は、誘電体厚み5μm以下において静電容量の温度特性X8R特性やIR高温負荷寿命を満足しないことが判明した。なお、本実施例のサンプルは、EIA規格のX8R特性のほか、EIAJ規格のB特性およびEIA規格のX7R特性も満足していた。
実施例3〜22
表2に示す3種の希土類成分量の組成を有するサンプルを作成し実施例3〜22とした。表2に示す3種の希土類成分量と焼成保持温度以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。なお表2における実施例1は表1における実施例1と同じである。
表2に示す3種の希土類成分量の組成を有するサンプルを作成し実施例3〜22とした。表2に示す3種の希土類成分量と焼成保持温度以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。なお表2における実施例1は表1における実施例1と同じである。
表2に示される結果から、実施例1、実施例3〜22のようにEuを含有し、かつR1、R2よりそれぞれ選ばれた希土類を1種類以上含有し、すなわち計3種類以上の希土類をするサンプルについては、誘電体厚みを5μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
さらに実施例3、5よりEuの含有量を所定の範囲内とすることにより、誘電体厚みを3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
さらに実施例7、9よりR1の含有量を所定の範囲内とすることにより、誘電体厚みを3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
さらに実施例11、13よりR2の含有量を所定の範囲内とすることにより、誘電体厚みを3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
また、実施例1に対し、実施例15〜18のようにR1の元素種を変更した場合にも同様に誘電体厚み3μmで静電容量の温度特性X8R特性、IR高温負荷寿命を満足することが判明した。
また、実施例1に対し、実施例19〜22のようにR2の元素種を変更した場合にも同様に誘電体厚み3μmで静電容量の温度特性X8R特性、IR高温負荷寿命を満足することが判明した。
実施例23〜38
実施例1のサンプルに対して、第2副成分、第3副成分、第4副成分と焼成保持温度を表3に示す以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。なお表3における実施例1は表1における実施例1と同じである。
実施例1のサンプルに対して、第2副成分、第3副成分、第4副成分と焼成保持温度を表3に示す以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。なお表3における実施例1は表1における実施例1と同じである。
表3の実施例23,24に示されるように、第2副成分量を所定の範囲内とした場合には、誘電体厚み3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また、実施例1に対し実施例25〜28のように第2副成分種を変更した場合でも、誘電体厚み3μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また実施例29,30のように第2副成分を所定の範囲内の量で複数種含有させた場合でも、誘電体厚み3μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
また、実施例31〜35に示すように第3副成分量を所定の範囲内とすることにより、誘電体厚み3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また実施例32、33のように第3副成分をSiO2単体で所定の範囲内の量で添加した場合でも、誘電体厚み3μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また実施例34にように第2副成分を所定の範囲内の量で複数種含有させ、第3副成分をSiO2単体で所定の範囲内の量で添加した場合でも、誘電体厚み3μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
また、実施例1、36より第4副成分量を所定の範囲内とすることにより、誘電体厚み3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また、実施例1に対し実施例37、38のように第4副成分種を変更した場合でも、誘電体厚み3μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
実施例39〜42
実施例1のサンプルに対して、第5副成分と焼成保持温度を表4に示す以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表4に示す。なお表4における実施例1は表1における実施例1と同じである。
実施例1のサンプルに対して、第5副成分と焼成保持温度を表4に示す以外は実施例1と同様にして作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表4に示す。なお表4における実施例1は表1における実施例1と同じである。
表4に示される結果から、第5副成分MnOを含有させることにより、誘電体厚みを5μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。さらに実施例1、39、41のように第5副成分量を所定の範囲内とすることにより誘電体厚み3μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
実施例43〜47
表5に示す3種の希土類成分量の組成を有するサンプルを作製し実施例43〜47とした。表5に示す3種の希土類成分量と焼成条件以外は実施例1と同様にして作製した。また、誘電体厚み7μm、5μm、3μm以外に2μmの積層セラミックコンデンササンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。
表5に示す3種の希土類成分量の組成を有するサンプルを作製し実施例43〜47とした。表5に示す3種の希土類成分量と焼成条件以外は実施例1と同様にして作製した。また、誘電体厚み7μm、5μm、3μm以外に2μmの積層セラミックコンデンササンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。
ここで、第一焼成と第二焼成からなる2回の焼成条件は、比較的短時間の第一焼成を行った後、より低い温度で100時間と長時間の第二焼成を行う条件となっている。さらに以下に示す方法で主成分粒子中における副成分の固溶領域の断面積比を調査した。結果を表5に示す。なお実施例43は誘電体厚み2μmのサンプルを同時に作製し、同様に評価した以外は実施例1と同じである。
副成分の固溶面積領域測定
シェル部の希土類元素およびMgの濃度は、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)を付設した透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて調べた。試料は積層コンデンサを誘電体層に対して平行な面で切り出し、FIB加工により作製した薄片をTEM試料とした。また、TEM観察直前には低加速Arイオン研磨装置を用いてTEM試料表面のアモルファス層を除去した。そのようなTEM試料について、誘電体粒子のみを含む1.5μm四方の範囲でEDS元素マッピングを行い、添加した希土類元素の濃度が全体の2.0原子%以上となる領域とそれ未満となる領域で分割し、その面積比を算出した。その際、主成分粒子以外の箇所、すなわちSiを中心とする偏析部やポア部などは除外して算出した。
さらに同様の方法で20視野について面積比を算出し、平均値を求めた。
シェル部の希土類元素およびMgの濃度は、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)を付設した透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて調べた。試料は積層コンデンサを誘電体層に対して平行な面で切り出し、FIB加工により作製した薄片をTEM試料とした。また、TEM観察直前には低加速Arイオン研磨装置を用いてTEM試料表面のアモルファス層を除去した。そのようなTEM試料について、誘電体粒子のみを含む1.5μm四方の範囲でEDS元素マッピングを行い、添加した希土類元素の濃度が全体の2.0原子%以上となる領域とそれ未満となる領域で分割し、その面積比を算出した。その際、主成分粒子以外の箇所、すなわちSiを中心とする偏析部やポア部などは除外して算出した。
さらに同様の方法で20視野について面積比を算出し、平均値を求めた。
表5の実施例43と44、45と46の結果から、同じ誘電体組成であっても焼成を第一焼成、第二焼成と2回にすることで副成分の固溶領域面積を10〜45%とすることができ、結果として誘電体厚み3μmのみならず誘電体厚み2μmまで薄層化しても静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。また、実施例43に対し実施例47のように所定の範囲内で希土類添加成分量を変え、焼成を2回にしたものについても誘電体厚み2μmにおいて静電容量の温度特性X8R特性を満足し、しかもIR高温負荷寿命も満足することが判明した。
以上説明してきたように、本発明によれば、比誘電率が高く、静電容量の温度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC=±15%以内)を満足し、かつ、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、さらに、絶縁抵抗の寿命が長い誘電体磁器組成物を実現することができる。この誘電体磁器組成物で構成された誘電体層を有する積層セラミックコンデンサなどの電子部品は、自動車の電子装置のように厳しい環境下で使用される各種機器内において安定した動作が可能であるため、適用される機器の信頼性を著しく向上させる。
以上のように、本発明に係る誘電体磁器組成物、および積層セラミックコンデンサは、EIA規格のX8R特性を満足することができ、高温度対応かつ高信頼性を要求される電子部品に有用である。
1 積層セラミックコンデンサ
2 誘電体層
3 内部電極層
4 外部電極
10 コンデンサ素子本体
2 誘電体層
3 内部電極層
4 外部電極
10 コンデンサ素子本体
Claims (5)
- 主成分であるチタン酸バリウムと、
Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、
前記第1の希土類元素R1は、Sc、Er、
Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、
前記第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 前記チタン酸バリウム、100モルに対する、前記希土類元素の比率が、
Eu:0.05〜2.00モル、
R1:0.5〜7.0モル、
R2:0.5〜9.0モル、
であることを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器組成物。 - 前記チタン酸バリウムと、
MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2O3から選択される少なくとも1種を含む第2副成分と、
SiO2からなる第3副成分と、
V2O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第4副成分と、
さらに第5副成分としてMnOを有する誘電体磁器組成物であって、
前記チタン酸バリウム100モルに対する各副成分の比率が、
第2副成分:0.1〜5.0モル、
第3副成分:2〜10モル、
第4副成分:0.01〜0.50モル、
第5副成分:0.05〜0.19モルであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘電体磁器組成物。 - 前記主成分粒子中における前記副成分の固溶領域が、断面積比で平均10%〜45%であることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、内部電極層との積層体から構成されていることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
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