KR20140118557A - 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 캐패시터 - Google Patents

유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 캐패시터 Download PDF

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KR20140118557A
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dielectric
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dielectric ceramic
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최두원
송민성
박재성
강성형
김창훈
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Abstract

본 발명은 (Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010이고, x는 0.001<x<0.010이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임), 또는 Bam(Ti+REx)O(3-x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010 이고, x는 0.001<x<0.010 이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임)로 표시되는 모재를 주성분으로 포함하는 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층 세라믹 캐패시터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 모재에 RE 원소를 도핑/고용하여 사용하고, 부성분인 산화물을 첨가하여 유전상수 값이 1800 이상의 고유전율 및 고온신뢰성을 확보할 수 있다.

Description

유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 캐패시터{Dielectric composition and multi layer ceramic capacitor comprising the same}
본 발명은 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 캐패시터에 관한 것이다.
최근 LCD, PDP등의 영상 기기의 대형화, 컴퓨터의 CPU 속도 상승 등으로 인해 전자 기기의 발열이 심각해지고 있어, IC의 안정한 동작을 위해서 높은 온도에서 안정된 용량과 신뢰성을 확보할 수 있는 X5R 혹은 X7R급 기종에 대한 시장의 요구가 커지고 있다.
이와 더불어 일반적인 전자 제품 시장의 추세인 소형경량화, 다기능화에 부합하기 위해서 MLCC 칩 제품의 소형화, 고용량화, 승압화가 계속적으로 요구되고 있으므로, 유전체 층의 박층화와 더불어 우수한 내전압 및 DC-bias 특성이 X5R 혹은 X7R급 기종 개발에서 중요하게 고려되고 있다.
박층화, 승압화는 유전체 층에 걸리는 전계 세기를 높여 DC-bias 특성과 내전압 특성을 악화시키고, 특히 박층화에 따른 미세 구조상의 결함이 BDV, 고온 IR 등의 내전압 특성에 미치는 영향을 더욱 심각하게 한다.
이를 방지하기 위해서 모재 분말의 미립화가 필수적이나, 모재의 입자 크기가 작아지면 용량 온도 특성의 구현이 더욱 어려워지고 유전율이 감소한다는 점이 유전체 재료 개발을 어렵게 하는 문제점들이다.
이를 해결하기 위해서는 모재의 선정에서부터 첨가제 조성의 개발, 또한 분산 등의 재료 프로세스, 내부 전극, 소성 공정 제어에 이르기까지 종합적이고 다각적인 접근이 이루어져야 한다. 특히, 재료 물성에 결정적 역할을 하는 자기 조성물 선정이 매우 중요하다.
종래 X5R 혹은 X7R(EIA규격) 등의 고용량 유전체 자기 조성물은 BaTiO3주성분에 희토류 원소(Rare earth atoms, 이하 RE 원소라 함) 및 전이원소, 그리고 소결 조제를 첨가하여 구성된 것이 있다.
하지만, 종래 방식의 유전체 조성물은 RE 원소에 따라 변화하는 반응 및 소결성을 제어하기 어렵기 때문에 RE원소 변경시 제품 스펙을 만족하는 신뢰성 구현이 쉽지 않다. 이것은 BaTiO3가 박막화됨에 따라 신뢰성에 열화를 일으키는 산소 공공(Oxygen vacancy)의 이동을 제어하기 어려워지기에 고유전율을 구현하기 어려운 문제점이 있다.
미국 특허 2012-0098386
이에 본 발명의 목적은 종래 유전체 자기 조성물보다 높은 유전율과 높은 신뢰성 구현이 가능한 유전체 자기 조성물을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 유전체 자기 조성물을 유전체층으로 포함하는 적층 세라믹 캐패시터를 제공하는 데도 있다.
본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 (Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010이고, x는 0.001<x<0.010이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임), 또는 Bam(Ti+REx)O(3-x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010 이고, x는 0.001<x<0.010 이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임)로 표시되는 모재를 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 유전체 자기 조성물은 Mg, Ba 및 Ca 산화물 중에서 선택되는 1종 이상의 제1부성분, Si 산화물을 포함하는 제2부성분, 및 Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, 및 V로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속 산화물을 포함하는 제3부성분을 포함하는 부성분들을 추가적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 부성분은 추가적으로 Al 산화물을 포함하는 제4부성분을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 부성분들은 상기 주성분 100 몰(mole)당 제1부성분 0.5~3.3 몰(mole), 상기 제1부성분 함량 대비 50~125%의 제2부성분, 및 제3부성분 1종 혹은 2종 이상의 합이 0.05~1.00 몰(mole)로 포함될 수 있다.
상기 제4부성분은 주성분 100 몰(mole)당 0.5 몰(mole) 이내로 포함되는 것일 수 있다.
상기 부성분들은 주성분과 혼합되는 시점의 비표면적이 각각 5.0㎡/g 이상을 만족하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 상기 유전체 자기 조성물은 X5R 혹은 X7R 특성을 만족하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유전체 자기 조성물을 이용한 유전체층과 내부전극층이 교대로 적층되어진 적층 세라믹 캐패시터를 제공할 수 있다.
상기 유전체 자기 조성물을 소성시킨 후, 유전체층에 포함되는 그레인의 평균 크기는 0.75㎛ 이하인 것이 바람직하다.
상기 유전체층은 소성 후 두께가 0.2㎛ 이상인 것이 바람직하다.
상기 내부전극층은 니켈 또는 니켈 합금이 바람직하다.
상기 유전체 자기 조성물은 1230℃ 이하의 환원 분위기에서 소결가능한 것일 수 있다.
본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 모재에 RE 원소를 도핑/고용하여 사용하고, 부성분인 산화물을 첨가하여 유전상수 값이 1800 이상의 고유전율 및 고온신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 상기 유전체 자기 조성물을 적층 세라믹 캐패시터(MLCC) 등에 적용하여 Ni 및 이의 합금을 내부전극으로 사용할 수 있고, 1230℃ 이하에서 환원분위기 소성이 가능한 효과를 가진다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 발명은 X5R 혹은 X7R 특성을 만족하는 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층 세라믹 캐패시터에 관한 것이다.
본 발명의 유전체 자기 조성물은, (Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010이고, x는 0.001<x<0.010이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임), 또는 Bam(Ti+REx)O(3-x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010 이고, x는 0.001<x<0.010 이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임)로 표시되는 모재를 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 한다.
특별히 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 모재에 RE 원소를 고용하여 사용하는 데 특징이 있다. 이는 종래 방식의 유전체 자기 조성물이 희토류(RE) 원소에 따라 변화하는 반응 및 소결성을 제어하기 어렵기 때문에 RE 원소 변경시 제품 스펙을 만족하는 신뢰성 구현이 쉽지 않고, BaTiO3가 박막화됨에 따라 신뢰성에 열화를 일으키는 산소 공공(Oxygen vacancy)의 이동을 제어하기 어려워지기에 고유전율을 구현하기 어려운 문제점을 해결하기 위한 것이다.
따라서, 본 발명에서는 유전체 모재에 희토류 원소(RE)를 고용시켜 사용함으로써, 희토류 원소의 변화로 인한 물성 저하를 방지하고자 하였다.
본 발명에서 "유전체 모재에 희토류 원소를 고용시킨다" 라는 것은 유전체 모재 내 희토류금속(RE)의 고용 정도가 균일하다 라는 것을 의미한다.
이에 따라, 상기 주성분 모재에서 m값과 x값이 매우 중요하다. m값이 0.995 미만이면 환원성분위기 소성에서 쉽게 환원되어 반도성 물질로 변하기 쉽고, m값이 1.010을 초과하면 소성 온도가 너무 올라가는 문제가 발생하게 된다.
또한, x값에 따라 유전율 및 신뢰성을 제어할 수 있기 때문에 상기 x값의 범위 내에서 원하는 특성의 제품을 생산할 수 있다. 따라서,　x값이 0.001 미만일 경우, 소성온도가 올라가고 유전율 저하되는 특성을 보이고, 0.010을 초과할 경우는 소결 온도가 매우 크게 상승하고 원하는 유전상수 감소 및 파우더 합성이 어려운 문제를 유발할 수 있어 바람직하지 못하다.
또한, 본 발명의 유전체 자기 조성물에 포함되는 각 부성분들은 예시한 부성분의 atomic mole(보다 상세하게, 첨가제 함량은 atomic mole은 본 발명의 성분들이 산화물 형태 혹은 이온 상태로 투입되더라도 각 원소의 mol%를 의미한다. 예를 들어, Y산화물, Y2O3이라 하더라도 상기 함량은 Y+3의 함량 몰(mole)라 보고 계산한 것을 의미한다.)를 기준으로, 주성분 100 몰(mole)당 제1부성분은 3종의 합이 0.5 ~ 3.3 몰(mole)이고, 제2부성분은 제1분성분 함량 대비 50~125%, 제3부성분들 중, 1종 혹은 2종 이상의 합이 0.05 ~ 1.00 몰(mole)이다. Al 산화물은 꼭 필요하지는 않지만 0 ~ 0.5 몰(mole) 첨가함에 따라 소성온도가 낮아지는 효과가 있다.
본 발명에 따른 제1부성분은 Mg, Ba, 및 Ca의 산화물이 사용될 수 있으며, 구체 예로는 MgO, MgCO3, BaO, CaO, BaCO3, CaCO3　등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1부성분은 상기 주성분 100 몰(mole)에 대하여 0.5 ~ 3.3 몰(mole)로 포함되며, 그 함량이 0.5 몰(mole)보다 낮아지면 신뢰성이 열화되는 문제점이 발생하고, 3.3 몰(mole)보다 많아지면 소성온도가 높아지고 유전율이 저하되는 문제점이 발생할 수 있어 바람직하지 못하다.
또한, 본 발명에 따른 제2부성분은 Si 산화물(예를 들어, SiO2)이 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 제2부성분은 제1분성분 함량 대비 50~125%로 첨가되는 것이 바람직하며, 제2부성분이 제1부성분 함량 대비 50% 미만인 경우, 유전율이 저하되고 적정 소성온도를 찾기 어려워지고, 125% 이상에서는 신뢰성 수준의 멸화 및 TCC 특성이 불안정한 문제점이 발생된다.
또한, 본 발명에 따른 제3부성분은 Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, 및 V로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속 산화물이 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 제3부성분은 1종 혹은 2종 이상의 합이 0.05 ~ 1.00 몰(mole)로 포함되는 것이 바람직하며, 첨가되는 제3부성분들의 합이 0.05 몰(mole) 미만이 되면 고온 가속 수명이 저하는 문제가 발생하고, TCC(온도에 따른 유전상수 변화율)이 불안정하며, 1.0 몰(mole) 초과하면 소결 온도는 저하되나 원하는 유전상수 값을 얻을 수 없고 에이징 특성이 나빠지게 된다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 선택적으로 Al 산화물(ex. Al2O3)을 제4부성분으로 포함할 수 있다. 상기 제4부성분은 첨가함에 따라 소성온도 저하 및 소성윈도우를 넓혀주는 이점이 있으나, 0.5 몰(mole)을 초과하면 입성장을 제어하기가 어렵고 원하는 유전상수 값을 얻을 수 없게 되어 바람직하지 못하다.
또한, 상기 각 부성분들의 초기 비표면적은 중요하지 않지만, 최종적으로 주성분과 혼합되는 시점의 비표면적은 각각 5.0㎡/g 이상인 것이 바람직하다. 부성분의 비표면적을 높임으로써 분산성을 향상할 수 있으며 이는 제품의 특성 및 신뢰성 향상으로 이어지기 때문이다.
　
또한, 본 발명은 상기 유전체 자기 조성물을 사용하여 소성한 시료의 미세구조를 관찰할 때 그레인(grain)의 평균 크기는 0.75㎛ 이하인 것이 바람직하다. 소성한 시료의 평균 그레인 크기가 0.75㎛ 를 초과한 경우 입성장으로 인한 DF spec. out, 신뢰성 저하와 같은 문제가 발생하여 바람직하지 못하다.
본 발명에 따른 유전체 자기 조성물을 적층형 세라믹 캐패시터(MLCC)에 이용하는 경우, 희토류 원소가 고용된 모재와 부성분인 산화물을 첨가하여 고유전율 및 고온신뢰성을 확보하고, Ni 및 Ni 합금으로 된 내부전극을 사용할 수 있다.
특히 본 발명의 유전체 자기 조성물은 적층형 유전체 제품, 내부 전극층, 예를 들면, Ni 또는 Ni합금 내부 전극층과 유전체층을 교대로 적층되어진 제품에 사용이 가능하다. 이 때 유전체층의 두께는 소성 후, 0.2㎛ 이상에서 사용이 가능하다. 너무 얇은 두께의 액티브 층은 한층 내에 존재하는 결정립 수가 작아 신뢰성에 나쁜 영향을 미치기 때문에 0.2 ㎛ 이상에서 사용하는 것을 권장한다.
상기 MLCC는 1230℃ 이하에서 환원분위기 소성이 가능하며 특히, 유전상수 값이 1800 이상의 고유전율을 가지는 적층형 세라믹 캐패시터의 제조가 가능하다.
그러나, 본 발명의 유전체 자기 조성물은 상기 MLCC에만 한정되지 않고, 요구되는 모든 유전체 제품에 사용이 가능한데, 예를 들어, 압전 소자, 칩 인덕터, 칩 배리스터, 칩 저항 등에 사용될 수도 있다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 또한, 이하의 실시예에서는 특정 화합물을 이용하여 예시하였으나, 이들의 균등물을 사용한 경우에 있어서도 동등 유사한 정도의 효과를 발휘할 수 있음은 당업자에게 자명하다.
실시예
다음 표 1에 명시된 조성으로 에탄올과 톨루엔을 용매로 하여 분산제와 함께 혼합한 후, 바인더를 혼합하여 세라믹 시트를 제작하였다. 성형된 세라믹 시트에 Ni 전극을 인쇄하여 적층하고 압착, 절단한 칩을 탈 바인더를 위해 가소한 후 1100 ~ 1300 ℃ 사이에서 소성을 진행하여 125 ℃ TCC 값과 유전상수 값, 고온 가속 수명 등을 측정하였으며, 그 결과를 다음 표 1에 정리하였다.
보다 자세히 설명하면,　원료분말을　지르코니아 볼을 혼합/분산 메디아로 사용하고 에탄올/톨루엔과　분산제 및 바인더를 혼합 후, 24　시간　동안 볼밀링　하였다. 다음 표 1의 부성분들의 경우 주성분 모재와 혼합되는 시점의 비표면적이 각각 5.0㎡/g 이상을 만족하는 것이다.
제조된 슬러리는 소형 블레이드(blade) 방식의 코터(coater)를 이용하여 성형시트는 2.0~10㎛의 두께로 성형하였다. 그 다음, 상기 유전체 시트에 Ni 내부전극을 인쇄하였다. 상하 커버는 커버용 시트(~10㎛ 의 두께)를 35 층으로 적층하여 제작하였고, 20 층의 인쇄된 액티브 시트(active sheet)를 가압하며 적층하여 바(bar)를 제작하였다. 압착 바는 절단기를 이용하여 3216 크기의 칩으로 절단하였다.　제작이 완료된 3216 칩은 가소한 뒤에 환원 분위기, 1100 ~ 1300 ℃　의 온도에서 90분간 소성 뒤, 1060℃ 에서 2hr 동안 재산화 열처리하였다. 소성된 칩은 터미네이션 공정을 거친 후, 2hr 방치 후, 측정하였다.
칩의 상온 정전용량 및 유전손실은 LCR meter 이용하여 1 kHz, 1 V 에서 측정하였고, 온도에 따른 정전용량의 변화는 -55 ℃ 에서 125 ℃ 의 온도 범위에서 측정되었다. 고온 IR 승압 실험은 150 ℃에서 1 Vr = 10 V/㎛ 조건에서 수행하여 고온신뢰성 평가를 하였다.
고온가속수명은 소성 후 2.5~4.0㎛ 두께의 20L의 액티브층를 가지는 3216 칩을 제작하여 150℃에서 10Vdc/㎛를 인가하여 IR이 105Ω 이상을 견디는 전압을 의미한다.(1Vr=10V)
125℃ TCC 값은 고온가속수명과 같이 3216 칩을 이용하여 측정한 결과이다.
시료
번호　		 Grain
size
(nm)　		 Bam(Ti+REx)O(3-x) 모재 모재 100 몰당 몰수 유전
상수　		 125℃ TCC[%] 고온
가속
수명(Vr)　		 소결
온도
[℃]　
m 값 　모재중 RE 완전고용량(x값) 제1
부성분		 제2
부성분		 제3
부성분		 제4
부성분
(Al2O3)
spec. Min 0.995 0.001 0.5 50% 0.05 0 1500　 -15 4　 1240
Max 1.010 0.01 3.3 150% 1 0.5 15
1 300 1.002 Ho 0.002 Mg 0.4
Ba 1.0
Ca 0.96		 Si 95% Mn 0.25
V 0.1
　		 0 4500 -27 4 1220
2 320 1.000 Y 0.002 Mg 0.65
Ba 1.0
Ca 0.96		 Si 86% Mn 0.25
V 0.1
　		 0 4100 -24 4 1230
3 280 0.995 Dy 0.004
Y 0.005
Ho 0.005
　		 Mg 0.8
Ba 1.5
Ca 1.0		 Si 110% Mn 0.25
V 0.1
　		 0 3400 -20 4 1220
4 340 0.997 Mg 0.4
Ba 0.95
Ca 0.96		 Si 50% Mn 0.1
Cr 0.1
V 0.1		 0 3300 -15 5 1220
5* 310 1.000 Y 0.004 Mg 0.85
Ba 2.35
Ca 0.35		 Si 70% Mn 0.2
V 0.1
　		 0.22 2600 -15 3 1240
7 250 1.000 Ho 0.005 Mg 0.4
Ba 0.8
Ca 1.15		 Si 78% Mn 0.3
V 0.1
　		 0.22 2800 -19 4 1190
8 430 1.003 Dy 0.007 Mg 0.3
Ba 1.0
Ca 0.90		 Si 100% Mn 0.2
Cr 0.1
　		 0.22 3400 -27 4 1230
9 180 1.006 Y 0.007 Mg 0.2
Ba 0.7
Ca 0.84		 Si 125% Mn 0.25
V 0.1
　		 0.22 2800 -20 4 1180
10* 300 1.000 Y 0.012
Dy 0.010		 Mg 1.0
Ba 1.4
Ca 0.0		 Si 45% Mn 0.1
V 0.1
　		 0.12 2300 -10 3 1250
11 150 1.010 Y 0.007
Dy 0.007
　		 Mg 0.1
Ba 0.8
Ca 0.2		 Si 83% Mn 0.2
V 0.1
　		 0.5 3000 -12 4 1170
12* 150 0.990 　
Dy 0.005
　		 Mg 0.3
Ba 0.4
Ca 0.1		 Si 150% Mn 0.2
V 0.1
　		 0.5 3500 -28 1 1170
13* 150 1.014 Dy 0.005　 Mg 0.4
Ba 0.3
Ca 1.5		 Si 83% Mn 0.2
V 0.1		 0.5 2200 -10 3 1280
※유전상수는 10의 자리에서 반올림한 값이다.
* 표시는 본 발명의 범위를 벗어나는 예임.
상기 표 1의 결과에서와 같이, 본 발명과 같이 희토류 금속이 일정 함량으로 고용시킨 유전체 모재를 사용한 유전체 자기 조성물을 유전체층으로 포함하는 경우 유전상수가 높고, 고온 가속 수명과 고온신뢰성이 우수하며, 소결 온도를 효과적으로 낮출 수 있는 것으로 확인되었다.

Claims (12)

  1. (Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010이고, x는 0.001<x<0.010이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임), 또는
    Bam(Ti+REx)O(3-x)(여기서, m은 0.995≤m≤1.010 이고, x는 0.001<x<0.010 이며, RE는 Dy, Y, Ho, Sm, 및 Gd로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 희토류 원소임)
    로 표시되는 모재를 주성분으로 포함하는 유전체 자기 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은
    Mg, Ba 및 Ca 산화물 중에서 선택되는 1종 이상의 제1부성분,
    Si 산화물을 포함하는 제2부성분, 및
    Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, 및 V로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속 산화물을 포함하는 제3부성분을 포함하는 부성분들을 추가적으로 포함하는 유전체 자기 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 부성분은 추가적으로 Al 산화물을 포함하는 제4부성분을 포함하는 것인 유전체 자기 조성물.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 부성분들은 상기 주성분 100 몰(mole)당 제1부성분 0.5~3.3 몰(mole), 상기 제1부성분 함량 대비 50~125%의 제2부성분, 및 제3부성분 1종 혹은 2종 이상의 합이 0.05~1.00 몰(mole)로 포함되는 것인 유전체 자기 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제4부성분은 주성분 100 몰(mole)당 0.5 몰(mole) 이내로 포함되는 유전체 자기 조성물.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 부성분들은 주성분과 혼합되는 시점의 비표면적이 각각 5.0㎡/g 이상을 만족하는 것인 유전체 자기 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 X5R 혹은 X7R 특성을 만족하는 것인 유전체 자기 조성물.
  8. 제1항에 따른 유전체 자기 조성물을 이용한 유전체층과 내부전극층이 교대로 적층되어진 적층 세라믹 캐패시터.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물을 소성시킨 후, 유전체층에 포함되는 그레인의 평균 크기는 0.75㎛ 이하인 적층 세라믹 캐패시터.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 유전체층은 소성 후 두께가 0.2㎛ 이상인 것인 적층 세라믹 캐패시터.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 내부전극층은 니켈 또는 니켈 합금인 적층 세라믹 캐패시터.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 유전체 자기 조성물은 1230℃ 이하의 환원 분위기에서 소결가능한 것인 적층 세라믹 캐패시터.

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