KR20070085205A - 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 및 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents

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토모유키 나카무라
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Abstract

본 발명은 유전율이 5500 이상으로 높고, 또한 유전율 온도특성이 양호한 유전체 세라믹을 제공하며, 소형 대용량이고 정전용량 온도특성이 X5R특성을 만족하는 적층 세라믹 커패시터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, BaTiO3계 또는 (Ba,Ca)TiO3계의 주성분과, 희토류 원소와 Cu를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성을 가지며, 또한 결정입자(21)와 결정입자(21)간을 차지하는 입계(粒界; 22)로 이루어지는 구조를 갖는 유전체 세라믹에 있어서, 입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 결정입자의 내부에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 미만이고, 유전체 세라믹 단면에 있어서, 결정입자(21) 중의 55∼85%의 개수의 제1의 결정입자(21A)에 대해서는 희토류 원소가 존재하는 영역이 90% 이상이며, 결정입자(21) 중의 15%∼45%의 개수의 제2의 결정입자(21B)에 대해서는 희토류 원소가 존재하는 영역이 10% 미만이다.
적층 세라믹 커패시터, 세라믹 적층체, 결정입자, 입계, 희토류 원소

Description

유전체 세라믹 및 그 제조방법, 및 적층 세라믹 커패시터{DIELECTRIC CERAMIC, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND LAMINATED CERAMIC CAPACITOR}
본 발명은 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 및 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 높은 유전율 및 양호한 유전율 온도특성을 만족하는 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 및 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
본 발명의 유전체 세라믹의 주용도인 적층 세라믹 커패시터는, 이하와 같이 해서 제조되는 것이 일반적이다.
우선, 유전체 세라믹 원료를 포함하는 세라믹 그린시트가 준비된다. 유전체 세라믹 원료로서는, 예를 들면, BaTiO3나 (Ba,Ca)TiO3를 주성분으로 하는 것이 사용된다. 이 세라믹 그린시트의 표면에 원하는 패턴을 가지고 도전재료를 부여해서 내부전극을 형성한다.
다음으로, 내부전극을 형성한 세라믹 그린시트를 포함하는 복수의 세라믹 그린시트가 적층되고, 열압착되어, 그것에 의해 일체화된 그린 세라믹 적층체가 제작된다.
다음으로, 이 그린 세라믹 적층체는 소성되며, 그것에 의해, 소결 후의 세라 믹 적층체가 얻어진다. 이 세라믹 적층체의 내부에는 상술한 도전재료를 가지고 구성된 내부전극이 형성되어 있다.
이어서, 세라믹 적층체의 외표면상에, 내부전극의 특정의 것에 전기적으로 접속되도록, 외부전극이 형성된다. 외부전극은, 예를 들면, 도전성 금속분말 및 유리 프릿을 포함하는 도전성 페이스트를 세라믹 적층체의 외표면상에 부여하고, 베이킹함으로써 형성된다. 이렇게 해서, 적층 세라믹 커패시터가 완성된다.
최근, 적층 세라믹 커패시터에서는 소형화의 요구가 점점 높아지고 있으며, 사용하는 유전체 재료에는 높은 유전율이 요구되고 있다. 동시에, 유전체 재료에는, 유전율의 온도특성이 양호할 것, 및 박층의 적층 세라믹 커패시터에 있어서의 신뢰성이 양호할 것도 만족할 필요가 있다. 이러한 유전체 재료가 특허문헌 1에 개시되어 있다.
특허문헌 1에 있어서의 유전체 세라믹은, 일반식 ABO3로 나타나는 주성분과 희토류 원소를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성을 가지며, 또한 ABO3를 주성분으로 하는 결정입자와 결정입자간을 차지하는 입계(粒界)로 이루어지는 세라믹 구조를 갖는 것에 있어서, 희토류 원소의 농도분포에 관하여, 입(粒) 내의 희토류 원소 농도/입계의 희토류 원소 농도가 1/2 이하라고 하는 조건을 만족함과 아울러, 희토류 원소가 내부까지 고용(固溶)한 결정입자의 비율이 20∼70%라고 하는 조건을 만족하는 것을 특징으로 한다.
이 때문에, 유전율이 높으며, 유전율의 온도변화 및 직류전압 인가하에서의 경시변화가 작고, 절연저항과 정전용량의 곱(CR곱)이 높으며, 고온 고전압에 있어서의 절연저항의 가속수명이 긴 것으로 할 수 있다.
특허문헌 1: 일본국 특허공개 2002-274936호 공보
그러나, 특허문헌 1에 있어서의 유전체 세라믹에서는, 유전율이 약 3000 정도로 낮다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 유전율이 충분히 크며, 또한 유전율의 온도특성이 평탄한 유전체 세라믹 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 유전체 세라믹을 사용하고, 소형 대용량이며, 용량 온도특성이 양호한 적층 세라믹 커패시터를 아울러 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 1에 기재된 유전체 세라믹은 일반식 ABO3(A는 Ba 및 Ca 중의 Ba를 포함하는 적어도 1종이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중의 Ti를 포함하는 적어도 1종이다.)로 나타나는 주성분과, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성을 가지며, 또한 상기 ABO3를 주성분으로 하는 결정입자와 결정입자간을 차지하는 입계로 이루어지는 구조를 갖는 유전체 세라믹으로서, 상기 유전체 세라믹의 단면을 관찰했을 때, 상기 결정입자 중의 55∼85%의 개수의 결정입자에 대해서는 상기 희토류 원소가 존재하는 영역이 90% 이상이고, 또한 상기 결정입자 중의 15%∼45%의 개수의 결정입자에 대해서는 상기 희토류 원소가 존재하는 영역이 10% 미만이라고 하는 조건을 만족함과 아울러, 상기 입계에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 상기 결정입자 내부의 희토류 원소가 존재하는 영역에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 미만인 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 2에 기재된 유전체 세라믹은 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 입계에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 상기 결정입자 내부의 희토류 원소가 존재하는 영역에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 1 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 3에 기재된 유전체 세라믹은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 ABO3가 (Ba1 - xCax)mTiO3(단, 0≤x≤0.03, 1.001≤m≤1.012)로 나타나며, 또한 상기 첨가성분이 희토류 원소, Mg, Mn, Cu 및 Si를 포함하고, 상기 첨가성분의 함유량은 상기 ABO3 100몰부에 대하여, 희토류 원소가 0.1몰부 이상 1몰부 이하이며, Mg가 0.1몰부 이상 2몰부 이하이고, Mn이 0.05몰부 이상 0.5몰부 이하이며, Cu가 0.1몰부 이상 3몰부 이하이고, Si가 0.2몰부 이상 2몰부 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법은, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 유전체 세라믹을 제조하는 방법으로서, ABO3분말을 준비하는 공정과, 상기 ABO3분말과, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분을 혼합해서 열처리하여, 상기 희토류 원소가 부분적으로 고용한 변성 ABO3분말을 얻는 공정과, 상기 변성 ABO3분말을 분쇄하여, 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 90% 이상인 분말입자와, 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 10% 미만인 분말입자를 포함하는 세라믹 원료분말을 얻는 공정과, 상기 세라믹 원료분말을 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 적층 세라믹 커패시터는 복수의 유전체 세라믹층이 적층된 적층체와, 복수의 상기 유전체 세라믹층간의 계면을 따라 형성된 내부전극을 구비하는 적층 세라믹 커패시터로서, 상기 유전체 세라믹층이, 청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 기재된 유전체 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
<발명의 효과>
본 발명의 청구항 1 내지 청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 유전체 세라믹은 ABO3계 페로브스카이트 화합물을 주성분으로 하는 결정입자가, 토류 원소가 충분히 고용한 결정입자와 거의 고용하지 않은 결정입자와의 혼정(混晶)으로 구성되며, 또한 희토류 원소가 결정입자 내에 일정량 이상 존재하기 때문에, 유전율이 충분히 크고, 또한 유전율의 온도특성이 평탄한 유전체 세라믹 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 본 발명의 유전체 세라믹을 사용함으로써, 소형 대용량이면서, 정전용량 온도특성이 EIA 규격의 X5R특성을 만족하는 적층 세라믹 커패시터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 유전체 세라믹의 단면을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 있어서의 유전체 세라믹의 단면을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법의 한 실시형태에 있어서의 모식도이며, ABO3분말입자에 첨가성분 입자가 부착된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법의 한 실시형태에 있어서의 모식도이며, ABO3분말입자에 희토류 원소가 고용한 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법의 한 실시형태에 있어서의 모식도이며, 도 5에 나타내는 변성 ABO3분말입자를 분쇄한 상태를 나타내는 도면이다.
<부호의 설명>
1: 적층 세라믹 커패시터 2: 세라믹 적층체
3: 유전체 세라믹층 4, 5: 내부전극
8, 9: 외부전극 21: 결정입자
21A: 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 90% 이상인 결정입자
21B: 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 10% 미만인 결정입자
21C: 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 10% 이상 90% 미만인 결정입자
22: 입계 30: 혼합분말
31: ABO3분말입자 32: 첨가성분 분말입자
40: 변성 ABO3분말입자
51: 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 90% 이상인 분말입자
52: 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 10% 미만인 분말입자
D1: 희토류 원소의 고용영역 D2: 희토류 원소의 비(非)고용영역
우선, 본 발명의 유전체 세라믹의 주요한 용도인, 적층 세라믹 커패시터의 한 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 일반적인 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 단면도이다.
적층 세라믹 커패시터(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이 직육면체 형상의 세라믹 적층체(2)를 구비하고 있다. 세라믹 적층체(2)는 복수의 적층된 유전체 세라믹층(3)과, 복수의 유전체 세라믹층(3)간의 계면을 따라 형성된 복수의 내부전극(4, 5)을 구비하고 있다. 내부전극(4, 5)은 각각 세라믹 적층체(2) 내에서 정전용량을 취득하도록 유전체 세라믹층(3)을 사이에 두고 서로 대향해서 배치되어 있다. 한쪽의 내부전극(4)은 세라믹 적층체(2)의 좌측의 단면(6)으로부터 우측의 단면(7) 근방까지 형성되고, 다른쪽의 내부전극(5)은 우측의 단면(7)으로부터 좌측의 단면(6) 근방까지 형성되어 있다.
내부전극(4, 5)의 도전재료는, 저비용인 니켈 혹은 니켈합금, 동 혹은 동합금, 또는 은 또는 은합금인 것이 바람직하다.
세라믹 적층체(2)의 좌우의 양 단면(6, 7)에는 외부전극(8, 9)이 각각 형성되어 있다. 좌측의 단면(6)의 외부전극(8)에는 한쪽의 내부전극(4)이 접속되고, 우측의 단면(7)의 외부전극(9)에는 다른쪽의 내부전극이 접속되어, 상하의 내부전극(4, 5) 사이에서 정전용량을 취득하도록 하고 있다. 외부전극(8, 9)에 포함되는 도전재료로서는, 내부전극(4, 5)의 경우와 동일한 금속재료를 사용할 수 있으며, 또한, 은, 팔라듐, 은-팔라듐합금 등의 금속재료도 사용할 수 있다. 외부전극(8, 9)은 이러한 금속재료의 분말에 유리 프릿을 첨가해서 얻어진 도전성 페이스트를 베이킹함으로써 형성되어 있다.
또한, 필요에 따라, 외부전극(8, 9)의 표면에는 니켈, 동 등으로 이루어지는 제1의 도금층(10, 11)이 각각 형성되고, 또한 그 상면에는 솔더, 주석 등으로 이루어지는 제2의 도금층(12, 13)이 각각 형성되어 있다.
다음으로, 본 실시형태의 유전체 세라믹의 조성 및 결정구조에 대해서 도 2, 도 3도 참조하면서 설명한다.
본 발명의 유전체 세라믹은 일반식 ABO3(A는 Ba 및 Ca 중의 Ba를 포함하는 적어도 1종이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중의 Ti를 포함하는 적어도 1종이다.)로 나타나는 페로브스카이트 화합물로 이루어지는 주성분과, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성물로서 구성되어 있다. 주성분으로서는, 예를 들면 BaTiO3나 (Ba,Ca)TiO3가 바람직하다. 또한, 첨가성분의 희토류 원소로서는, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 Y에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
이리하여, 본 발명의 유전체 세라믹의 구조(20)는, 도 2의 모식도에 나타내는 바와 같이, ABO3를 주성분으로 하는 결정입자(21)와, 결정입자(21)간을 차지하는 입계(22)에 의해 구성되어 있다. 여기에서 말하는 입계란, 3중점도 포함하는 것으로 한다. 또한, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 한, 주성분 이외의 석출물 등으로 이루어지는 입자가 약간 존재하고 있어도 좋다.
결정입자(21)에는 희토류 원소가 고용한 영역과 희토류 원소가 고용하고 있지 않은 영역이 있다. 그래서, 도 2에 나타내는 바와 같이, 결정입자(21) 내에 희토류 원소가 고용한 영역을 "희토류 고용영역(D1)"이라고 정의하고, 희토류 원소가 고용하고 있지 않은 영역을 "희토류 비고용영역(D2)"이라고 정의한다. 결정입자(21)의 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용의 유무는, FE-TEM-EDX(투과형 전자현미경-에너지 분산형 X선 분석법)를 사용해서 판별한다. EDX의 조건은, 프로브 직경 1㎚이고, 가속전압은 200㎸이다. 이 조건에서 희토류 원소가 검출된 경우에는, 그 값을 불문하며, 희토류 원소가 고용하고 있다고 간주한다.
상기 희토류 원소는 결정입자(21) 내에 고용하고 있는 것 외에, 입계(22)에 존재하고 있어도 좋다(입계(22)에 존재하는 희토류 원소는 도시하지 않는다). 이 경우, 입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 희토류 고용영역(D1)의 평균 농도에 대한 몰비가 2 미만이고, 1 이하인 것이 바람직하다. 즉, 희토류 원소는 결정입자 내에 일정량 고용할 필요가 있다.
상기 유전체 세라믹의 결정구조(20)의 단면을 관찰했을 때, 결정입자(21) 중의 55∼85%의 개수의 결정입자는, 희토류 고용영역(D1)이 90% 이상이고(이하, 이 결정입자를 "제1의 결정입자(21A)"라고 정의한다), 또한, 결정입자(21) 중의 15%∼45%의 개수의 결정입자는 희토류 고용영역(D1)이 10% 미만이다(이하, 이 결정입자를 "제2의 결정입자(21B)"라고 정의한다). 또한, 도 2에는 나타내고 있지 않으나, 희토류 고용영역(D1)이 10% 이상 90% 미만인 결정입자를 "제3의 결정입자"라고 정의한다. 제3의 결정입자는 제1의 결정입자(21A) 및 제2의 결정입자(21B)가 상술한 개수 비율을 만족하는 범위 내에 있어서 존재해도 좋다.
개수로 해서 55∼85%를 차지하는 제1의 결정입자(21A)는 주성분인 ABO3, 예를 들면 BaTiO3의 퀴리점을 실온 부근으로 저하시키고, 이것에 의해 실온 부근에 있어서의 유전율을 증가시키도록 작용한다. 이 경우, X5R특성의 상한온도인 85℃ 부근에 있어서의 유전율이 저하하여, 유전율의 온도변화율이 음측으로 커지는 것이 염려된다. 그러나, 개수로 해서 15%∼45%를 차지하는 제2의 결정입자(21B)는 85℃ 부근에 있어서의 유전율의 저하를 억제하도록 작용한다. 결과로서, 결정입자(21) 및 입계(22)를 포함하는 유전체 세라믹 전체의 결정구조(20)에 있어서, 실온에 있어서의 유전율을 높게 하면서, 또한 유전체 세라믹 전체에 있어서의 유전율 온도특 성을 평탄화할 수 있다.
가령, 입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 희토류 고용영역(D1)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 이상인 경우, 결정입자(21) 내에의 희토류 원소의 고용이 진행되지 않아, 제1의 결정입자(21A)가 충분히 얻어지지 않기 때문에, 유전율이 5500 미만이 되어 바람직하지 않다.
또한, 희토류 원소가 충분히 결정입자(21) 내에 고용하고 있더라도, 다음과 같이 제1의 결정입자(21A)와 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 본 발명의 범위 외가 되는 경우에는, 상술한 작용효과를 기대할 수 없다.
즉, 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 85%를 넘고, 또한 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 15% 미만인 경우에는, 제1의 결정입자(21)에 의해 85℃ 부근에 있어서의 유전율이 저하하고, 게다가 제2의 결정입자(21B)의 85℃ 부근에 있어서의 유전율의 저하를 억제하는 작용이 저하하여, 유전체 세라믹의 정전용량 온도특성이 X5R특성을 만족할 수 없다. 또한, 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55∼85%를 만족하는 경우라도, 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 15% 미만인 경우에는, 마찬가지로, 85℃ 부근에 있어서의 제2의 결정입자(21B)에 의한 유전율의 저하를 억제하는 작용이 저하하여, X5R특성을 만족할 수 없다.
또한, 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55% 미만이고, 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 45%를 넘는 경우에는, 제1의 결정입자(21A)에 의한 유전율 향상의 효과가 감소하여, 유전율이 5500 미만이 된다. 마찬가지로, 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55% 미만인 경우에는 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 15∼45%를 만족하는 경우라도 유전율이 5500 미만이 된다.
또한, 도 3의 단면도에 나타내는 바와 같이, 결정구조(20')를 구성하는 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55% 미만이고, 또한 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율도 15% 미만인 경우에는, 희토류 고용영역(D1)이 10%를 넘고 90% 미만인 제3의 결정입자(21C)의 개수 비율이 증가한다. 이 경우에도 유전율이 5500 미만이 된다.
또한, 첨가성분의 Cu는 희토류 원소가 ABO3분말입자에 고용하는 것을 촉진하며, 희토류 원소가 상술과 같은 존재형태로 안정화시키는 작용이 있다. 그러나, 가령 첨가성분으로서 Cu를 포함하지 않는 경우에는, 결정입자(21) 내에의 희토류 원소의 고용이 진행되지 않아, 입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 결정입자(21) 내에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 이상이 되고, 유전율이 5500 미만이 된다. 한편, 본 발명의 유전체 세라믹에 있어서의 Cu의 존재위치는, 결정입자(21) 내, 입계(22) 내의 어느 쪽에 있어도 좋으며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 본 발명의 유전체 세라믹의 조성의 더욱 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다. 더욱 바람직한 유전체 세라믹은, 주성분 ABO3가 (Ba1 - xCax)mTiO3(단, 0≤x≤0.03, 1.001≤m≤1.012)이며, 또한, 상기 주성분에 대한 첨가성분이 희토류 원소, Mg, Mn, Cu 및 Si를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 그리고, 첨가성분의 함유량은, 주성분 100몰부에 대하여, 희토류 원소가 0.1몰부 이상 1몰부 이하이고, Mg가 0.1몰부 이상 2몰부 이하이며, Mn이 0.05몰부 이상 0.5몰부 이하이고, Cu가 0.1몰부 이상 3몰부 이하이며, Si가 0.2몰부 이상 2몰부 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 유전체 세라믹은, 상기 조성을 만족시킴으로써, 5500 이상의 유전율과 X5R특성을 만족하는 것에 더해서, 신뢰성이 향상한다. 즉, 125℃에서 4㎸/㎜ 직류 전계 인가시에 있어서의 CR곱이 2500ΩF 이상이 되고, 125℃에서 8㎸/㎜의 직류 전계 인가시의 고온부하 수명시험에 있어서의, 2000시간 경과 후의 불량률이 0/100이 된다.
상기의 x 및 m의 값, 및, 희토류 원소, Mg, Mn, Cu 및 Si의 함유량이 상기의 바람직한 범위를 벗어나는 경우에는, 고온부하 수명시험에 있어서의 2000시간 경과 후의 불량률이 1/100 이상이 되어 바람직하지 않다. 그러나, 1000시간 경과 후의 불량률은 0/100이어서, 실사용상 큰 문제가 되는 것은 아니다.
또한, 본 실시형태의 유전체 세라믹은, Si를 포함하는 소결조제에 의해 소성온도를 저하시킬 수 있다. 소결조제로서는, Si를 포함하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 소결조제를 적용할 수 있다. 예를 들면, 소결조제로서는, Si에 더하여, Li, B, Al, Zr, Ti, 알칼리 금속 원소, 또는 알칼리토류 금속 원소를 함유시킬 수 있다. 이 소결조제는 유리의 형태로 첨가해도 상관없다.
또한, 본 실시형태의 유전체 세라믹은 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 여러 가지 불순물을 포함해도 상관없다. 이러한 불순물로서는, 예를 들면, Al, Sr, Zr, Fe, Hf, Na, Co, W, Mo, V, Ni, Zn, Na, Ag, Pd 및 Cr 등이 있다. 그러나, Hf, Zr이 주성분 ABO3에 포함되어 있는 경우에는, 불순물로서는 취급하지 않는다.
이어서, 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법의 한 실시형태에 대하여 도 4∼도 6에 나타내는 모식도를 참조하면서 설명한다.
우선, 주성분인 ABO3분말과 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분 분말을 준비한다. 한편, 이하에서는 설명의 편의상 필요에 따라, 분말을 분말입자로서 설명한다. 도 4에 모식적으로 나타내는 바와 같이, ABO3분말입자(31)와, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분의 분말입자(32)를 혼합해서, 첨가성분의 분말입자(32)가 ABO3분말입자(31)에 충분히 분산한 혼합분말(30)을 얻는다. 주성분인 ABO3분말(31)로서 예를 들면 BaTiO3나 (Ba,Ca)TiO3의 분말을 사용할 수 있다. BaTiO3 및 (Ba,Ca)TiO3의 분말은, BaCO3, CaCO3, TiO3의 소원료(素原料) 분말을 습식 분쇄, 혼합하고, 하소 합성하는 방법, 즉 종래의 고상법(固相法)에 의해 얻을 수 있다. 또한, 이들의 ABO3분말은 수열합성법, 가수분해법, 수산법(蓚酸法) 등의 습식 합성법을 사용해서도 얻을 수 있다.
이어서, 혼합분말(30)을 소정의 온도에서 열처리하면, 도 5에 모식적으로 나타내는 바와 같이, ABO3분말입자(31)에 희토류 원소가 부분적으로 고용한 변성 ABO3분말입자(40)를 얻을 수 있다. 여기에서 부분적이란, 희토류 원소가 고용한 영역(D1)이 변성 ABO3분말(40)의 체적 비율로 해서 0%도 100%도 아니라고 하는 의미이며, 대략 10∼80% 정도의 체적 비율을 의미한다. 희토류 원소의 고용영역(D1)의 체 적 비율은 예를 들면, 하소 온도를 조정함으로써 제어할 수 있다. 또한, 희토류 원소는 ABO3분말입자(31)의 표면으로부터 내부를 향해서 진행되기 때문에, 변성 ABO3분말(40)에 있어서의 희토류 원소의 고용영역(D1)은 입자 표면을 포함하는 영역이 되고, 그 내측이 희토류 원소의 비고용영역(D2)이 된다.
희토류 원소의 고용 촉진에는, 특히, 희토류 원소와 함께 첨가한 Cu가 크게 기여하고 있다. 가령 Cu를 첨가성분에 포함시키지 않고, 열처리 조건 등의 방법에 의해 희토류 원소를 ABO3분말(31)에 고용시킨 경우에는, 희토류 원소의 고용영역(D1)을 적절한 체적 비율을 안정적으로 유지하는 것이 곤란해진다. 그 결과, 다음에 설명하는 변성 ABO3분말(40)의 분쇄에 의해 제1의 분말입자와 제2의 분말입자를 적절한 비율로 유지할 수 없게 되어, 소성 후의 유전체 세라믹에 있어서도 원하는 희토류의 고용형태를 얻을 수 없다.
또한, 변성 ABO3분말(40)을 얻기 위한 첨가성분에는, 필수 원소인 희토류 원소와 Cu 외에, 다른 첨가성분, 즉 Mg, Mn 및 Si 등이 포함되어 있어도 상관없다. Si도 Cu와 마찬가지로 희토류 원소의 ABO3분말(40)에의 고용을 조장하는 작용이 있어, Si를 Cu와 함께 첨가하는 것이 바람직하다. 단, 본 실시형태에서는, 첨가성분 중, 희토류 원소 이외의 성분의 ABO3분말(40)에의 고용의 유무는 특별히 한정되지 않는다.
상술과 같이 해서 얻어진 변성 ABO3분말입자(40)를, 밀 등을 사용해서 분쇄 함으로써, 도 6에 모식적으로 나타내는 세라믹 원료분말(50)을 얻을 수 있다. 변성 ABO3분말입자(40)의 분쇄에서는, 우선 변성 ABO3분말입자(40)의 표층부(表層部)에 있는 희토류 원소의 고용영역(D1)이 분쇄되어서 분리되어, 입자 단면에 있어서의 희토류 고용영역(D1)이 90% 이상인 제1의 분말입자(51)가 다수 얻어진다. 남은 희토류 원소의 비고용영역(D2)의 부분이 분쇄되어서 분리되어, 주로, 입자 단면에 있어서의 희토류 고용영역(D1)이 10% 미만인 제2의 분말입자(52)가 얻어진다.
이때, 변성 ABO3분말입자(40)의 분쇄가 불충분하면, 희토류 원소의 고용영역(D1)이 충분히 분쇄 분리되지 않아, 제2의 분말입자(52)가 생성되기 어려워진다. 한편, 변성 ABO3분말입자(40)의 분쇄가 너무 강하면, 희토류 원소의 비고용영역(D2)까지 미세하게 분쇄되어, 제2의 분말입자(52)는 입경(粒徑)이 작고 개수가 많은 형태가 되어, 소성시에 제1의 분말입자(51)와 고용, 입성장(粒成長)을 일으키기 때문에, 결과로서 희토류 원소의 고용영역이 10% 미만인 제2의 결정입자(21B)가 거의 형성되지 않게 된다. 따라서, 변성 ABO3분말입자(40)의 분쇄는 그 강도를 적절히 조정할 필요가 있다.
이들 제1, 제2의 분말입자(51, 52)를 포함하며, 또한 필요에 따라 적절한 첨가성분을 함유시켜서 세라믹 원료분말(50)로 할 수 있다. 이 세라믹 원료분말(50)은 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역(D1)이 90% 이상인 제1의 분말입자(51)와, 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역(D1)이 10% 미만인 제2의 분말입자(52)를 포함하는 혼합분말이다. 이 세라믹 원료분말(50)을, 종래부터 알려 져 있는 방법에 의해 소성함으로써, 본 실시형태의 유전체 세라믹의 결정구조(20)(도 2 참조)를 얻을 수 있다. 이때, 제1의 분말입자(51) 중 복수가 서로 고용, 입성장하여, 도 2에 있어서의 제1의 결정입자(21A)를 형성한다. 한편, 제2의 분말입자(52)는 소성에 의해 도 2에 있어서의 제2의 결정입자(21B)를 형성하지만, 그때의 입성장의 정도는 제1의 분말입자(51)의 입성장에 비하면 작은 것이 된다.
한편, 희토류 원소의 고용형태는, 소성공정에 있어서도 약간 변동할 가능성도 있으나, 적절한 소성 조건을 선정하면, 그 변동을 작게 유지할 수 있다.
이상, 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법의 한 실시형태를 나타내었으나, 본 발명의 유전체 세라믹의 제조방법은 이 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
다음으로, 본 발명을 실시예에 기초해서 보다 구체적으로 설명한다. 이 실시예는 본 발명의 범위의 한정의 근거를 주기 위해서, 및 이들에 의한 효과를 확인하기 위해서 실시된 것이다.
실시예 1
본 실시예는 어느 특정의 조성을 나타내는 세라믹에 있어서, 희토류 원소의 존재형태를 여러 가지로 변화시킨 적층 세라믹 커패시터를 제작하고, 그에 따른 특성의 변화를 평가한 것이다.
우선, 고상법에 의해 합성된 (Ba0 .975Ca0 .025)1.004TiO3분말을 주성분 분말(ABO3분말)(31)로서 준비하였다. 이 주성분 100몰부에 대하여, Dy가 0.6몰부, Cu가 1.0몰 부, Si가 1.5몰부가 되도록, ABO3분말(31)에 Dy2O3분말, CuO분말, SiO2분말을 첨가하고, 직경 2㎜φ의 부분 안정화 지르코니아제의 미디어를 사용해서 수중에서 24시간 혼합하며, 그 후 건조하여 혼합분말(30)을 얻었다.
이 혼합분말(30)을, 표 1에 나타내는 온도에서 열처리하여, Dy를 ABO3분말(31)에 고용시킨 변성 ABO3분말(40)을 얻었다.
이 변성 ABO3분말(40)에, 주성분 100몰부에 대하여 Mg가 1.0몰부, Mn이 0.15몰부가 되도록, MgO 및 MnO를 첨가하고, 유기용매 중에서, 표 1에 나타내는 시간의 혼합, 분쇄를 행하여, 슬러리를 얻었다. 이 혼합 분쇄의 조건은, 용적 1L의 원통형 폴리포트(poly pot)를 사용한 볼밀이며, 미디어의 투입량은 직경 2㎜φ의 부분 안정화 지르코니아제 볼을 500g, 변성 ABO3분말(40)의 투입량은 100g, 유기용매는 에탄올이었다.
이 슬러리에, 폴리비닐부티랄계 바인더를 첨가해서 혼합한 후, 이 슬러리를 닥터블레이드법에 의해 시트 성형하여, 세라믹 그린시트를 얻었다.
상기 세라믹 그린시트의 표면에 Ni를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하여, 내부전극을 구성하기 위한 도전 페이스트층을 형성하고, 건조시켰다. 이 도전 페이스트층을 형성한 세라믹 그린시트를, 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 측이 서로 다르게 되도록 적층하여, 그린 세라믹 적층체를 얻었다.
이 그린 세라믹 적층체를, 질소 분위기 중에서 350℃에서 가열하여, 바인더 를 소결시킨 후, H2-N2-H2O 가스로 이루어지는 산소 분압 10-10MPa의 환원성 분위기 중에서, 1200℃의 온도를 2시간 유지해서 그린 세라믹 적층체를 소성하여, 세라믹 적층체(2)를 얻었다.
이 세라믹 적층체(2)의 양단면에, B-Li-Si-Ba-O계 유리 프릿을 함유하며, Cu를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 도포하고, 질소 분위기 중에서 800℃에서 베이킹하여, 내부전극(4, 5)과 전기적으로 접속된 외부전극(8, 9)을 형성하였다. 또한, 솔더링성을 양호하게 하기 위해서, 외부전극(8, 9) 위에 Ni도금층(10, 11) 및 Sn도금층(12, 13)을 형성하였다.
이렇게 해서 얻어진 적층 세라믹 커패시터(1)의 외형 치수는 길이 3.2㎜, 폭 1.6㎜, 두께 1.0㎜이며, 내부전극(4, 5) 사이에 개재하는 세라믹층(3)의 두께는 1.4㎛이고, 정전용량에 유효한 세라믹층수는 50이며, 세라믹층 1층당의 대향전극 면적은 3.2㎟였다. 이상과 같이 해서, 시료번호 1∼42의 평가시료를 얻었다.
시료를 평가하기 위해서는 우선, 평가시료를 커트하여, 유전체 세라믹의 단면 관찰을 행하였다. 단면으로부터 20개의 결정입자(21)를 추출하고, 또한 각각의 결정입자(21) 내의 20점에 있어서, FE-TEM-EDX로, 희토류 원소의 존재의 유무를 측정하였다. EDX의 조건에 있어서, 프로브 직경은 1㎚, 가속전압은 200㎸였다. 이 분석에 의해, 희토류 고용영역(D1)과 희토류 비고용영역(D2)을 특정하였다. 그리고, 각각 20개의 결정입자(21)를, 희토류 고용영역(D1)이 10% 미만인 제2의 결정입자(21B), 10% 이상 90% 미만인 제3의 결정입자(21C), 및 90% 이상인 제1의 결정입 자(21A)로 분류하고, 그 개수 비율의 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 입계(22)에 있어서의 임의의 10점에 있어서의 희토류 원소의 농도를 측정하고, 그 평균값을 구하였다. 이 평균값과, 상기 20개의 결정입자(20) 내의 희토류 고용영역(D1)에 있어서의 희토류 원소의 농도의 평균값과의 비의 결과를 표 1에 나타내었다.
다음으로, 시료번호 1∼42의 유전율 ε 및 유전손실 tanδ를, 25℃에서, 1kHz, 1Vrms의 교류 전계하에 있어서 평가하였다. 또한 유전율 온도특성의 지표로서, 25℃에 있어서의 정전용량을 기준으로 한 -55∼85℃의 온도범위에 있어서의 정전용량의 변화율을 측정하고, 이 온도범위에 있어서의 변화율의 최대값을 구하였다. 또한 125℃에 있어서 5.6V의 직류 전압을 60초간 인가했을 때의 절연저항을 측정하고, CR곱을 구하였다. 또한, 고온부하 수명시험(125℃, 직류 전압 11.2V, 시료수 100)을 행하고, 1000시간, 및 2000시간 경과 시점에 있어서 절연 저항값이 200㏀ 이하가 된 시료 개수를 불량수로서 계수하였다. 이들의 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, *표를 붙인 시료는 본 발명의 범위 외의 것이다.
Figure 112007010585156-PCT00001
Figure 112007010585156-PCT00002
시료번호 1, 2, 3, 4, 5, 8, 9 및 15의 시료는, 결정입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도가 결정입자(20) 내의 희토류 고용영역(D1)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의 2배 이상이기 때문에, 유전율이 5500 미만으로 낮았다.
마찬가지로, 시료번호 10 및 16의 시료는 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55% 미만이기 때문에, 유전율이 5500 미만으로 낮았다.
시료번호 6, 7, 12, 13, 14, 20, 21, 27, 28, 30, 34, 35, 40, 41 및 42의 시료는 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 15% 미만이기 때문에, 정전용량 온도특성이 X5R특성을 만족하지 않았다.
시료번호 22, 29, 36, 37, 38 및 39의 시료는, 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 55% 미만이고, 또한 제2의 결정입자(21B)의 개수 비율이 15% 미만이기 때문에, 유전율이 5500 미만으로 낮았다.
본 발명의 범위 내에 있어서의 시료는 유전율이 5500 이상이고, X5R특성의 정전용량 온도특성을 만족하며, 2500 이상의 CR곱을 나타내고, 2000시간의 고온부하 특성이 양호하였다.
여기에서, 첨가성분에 Cu를 포함하지 않는 조성에 있어서도 평가시료를 제작, 평가하였다. Cu를 포함하지 않는 것 이외는 동일한 조성, 프로세스 조건에 있어서, 혼합분말(30)의 열처리 온도를 800℃, 900℃, 1000℃로 하고, 슬러리의 분쇄시간을 30시간으로 한 것을, 각각 시료번호 43, 44, 45로 하였다. 이들의 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.
Figure 112007010585156-PCT00003
Figure 112007010585156-PCT00004
시료번호 43, 44의 시료는, Cu가 존재하지 않기 때문에, 혼합분말(30)의 열처리시에 Dy가 주성분 분말에 충분히 고용하지 않고, 소성 후의 세라믹에 있어서도, 결정입계에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도가, 결정입자 내에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의 2배 이상이었다. 따라서, 유전율이 5500 미만이었다.
시료번호 45의 시료는, 혼합분말의 열처리 온도를 1000℃로 높게 설정함으로써, Dy를 주성분 분말에 고용시킬 수 있었으나, Dy의 고용이 너무 진행되었기 때문에, 희토류 고용영역이 90% 이상인 제1의 결정입자(21A)의 개수 비율이 85%를 넘었다. 따라서, 정전용량 온도특성이 X5R특성을 만족하지 않았다.
실시예 2
본 실시예는, 유전체 세라믹의 조성을 여러 가지로 변화시키고, 그 여러 가지 특성에의 영향을 보는 것이다.
일반식: 100(Ba1 - xCax)mTiO3+bReOn+cMgO+dMnO+eCuO+fSiO2(n은 전기적 중성을 유지하기 위한 양의 수)에 있어서, 유전체 세라믹이 표 5에 나타내는 조성이 되도록, 적층 세라믹 커패시터를 제작하였다. 제조조건은 실시예 1과 동일하며, 혼합분말(30)의 열처리 온도 및 슬러리의 분쇄조건은 실시예 1에 있어서의 시료번호 18과 동일하였다. 또한, 평가항목 및 평가조건도 실시예 1과 동일하게 하였다. 단면 관찰에 있어서의, 희토류 원소의 고용형태는 실시예 1의 시료번호 18과 동일한 결과가 되었다. 표 6에 제특성의 결과를 나타낸다.
Figure 112007010585156-PCT00005
Figure 112007010585156-PCT00006
시료번호 112와 같이 x가 0.03을 넘는 것, 시료번호 113 및 116과 같이 m이 1.001≤m≤1.012의 범위 외인 것, 시료번호 117 및 120과 같이 b가 0.1≤b≤1.0의 범위 외인 것, 시료번호 121 및 124와 같이 c가 0.1≤c≤2.0의 범위 외인 것, 시료번호 125 및 128과 같이, d가 0.05≤d≤0.5의 범위 외인 것, 시료번호 132와 같이, e가 0.1≤e≤3.0의 범위 외인 것(e가 0인 경우는 제외한다), 시료번호 133 및 136과 같이, f가 0.2≤f≤2.0의 범위 외에 있는 것은 2000시간의 고온부하 수명시험에 있어서의 불량률이 1/100 이상이었다. 그러나, 1000시간에 있어서의 불량률은 0/100이었다.
상기 x, m, b, c, d, e 및 f가 상기의 바람직한 범위 내에 있는 경우, 2000시간의 고온부하 수명시험에 있어서의 불량률도 0/100이 되기 때문에, 보다 바람직하다. 또한, x가 0.01 이상 0.03 이하인 경우, CR곱이 3000 이상이 되기 때문에, 보다 바람직하다.
실시예 3
본 실시예는 어느 특정의 유전체 세라믹 조성에 있어서, 여러 가지 소결조제를 사용한 유전체 세라믹으로 이루어지는 적층 세라믹 커패시터를 제작하고, 그 영향을 본 것이다.
실시예 2의 시료번호 102와 동일한 유전체 세라믹 조성이 되도록, 실시예 2와 동일한 제조조건으로, 적층 세라믹 커패시터를 제작하였다. 단, SiO2를 포함하는 소결조제 성분은 표 7에 나타내는 바와 같이 변경하였다. 소결조제 중, 주성분 100몰부에 대한 Si의 부분의 몰부를 f로 하고, 그 외의 부분의 몰부를 g로 하였다. 첨가물은 산화물의 분말을 사용하였다. 또한, 소성온도도 표 7에 나타내는 바와 같이 변경하였다. 또한, 평가항목 및 평가조건도 실시예 2와 동일하게 하였다. 단면 관찰에 있어서의, 희토류 원소의 고용형태는 실시예 2의 시료번호 102와 동일한 결과가 되었다. 표 8에 제특성의 결과를 나타낸다.
Figure 112007010585156-PCT00007
Figure 112007010585156-PCT00008
시료번호 201∼212에 나타나는 바와 같이, Si에 더해서 여러 가지 성분을 함유한 여러 가지 소결조제를 사용함으로써, 소성온도를 저하시킬 수 있었다. 유전율, 정전용량 온도특성, CR곱, 고온부하 특성에 거의 영향은 없었다.
실시예 4
본 실시예는, 어느 특정의 유전체 세라믹 조성에 있어서, 여러 가지 불순물을 포함한 유전체 세라믹으로 이루어지는 적층 세라믹 커패시터를 제작하고, 그 영향을 본 것이다.
실시예 2의 시료번호 105와 동일한 유전체 세라믹 조성이 되도록, 실시예 2와 동일한 제조조건으로, 적층 세라믹 커패시터를 제작하였다. 단, 표 9에 나타내는 종류와 양의 불순물을, MgO와 MnO를 첨가할 때와 동시에 첨가하는 점에서, 변경을 행하였다. 불순물은 산화물 분말의 형태로 첨가를 행하고, 양은 주성분 100몰부에 대한 몰부이다. 또한, 평가항목 및 평가조건도 실시예 2와 동일하게 하였다. 단면 관찰에 있어서의, 희토류 원소의 고용형태는 실시예 2의 시료번호 105와 동일한 결과가 되었다. 표 10에 제특성의 결과를 나타낸다.
Figure 112007010585156-PCT00009
Figure 112007010585156-PCT00010
시료번호 201∼212에 나타나는 바와 같이, Si에 더하여 여러 가지 성분을 함유한 여러 가지 소결조제를 사용함으로써, 소성온도를 저하시킬 수 있었다. 유전율, 정전용량 온도특성, CR곱, 고온부하 특성에 거의 영향은 없었다.

Claims (5)

  1. 일반식 ABO3(A는 Ba 및 Ca 중의 Ba를 포함하는 적어도 1종이고, B는 Ti, Zr 및 Hf 중의 Ti를 포함하는 적어도 1종이다.)로 나타나는 주성분과, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성을 가지며, 또한 상기 ABO3를 주성분으로 하는 결정입자와 결정입자간을 차지하는 입계(粒界)로 이루어지는 구조를 갖는 유전체 세라믹으로서,
    상기 유전체 세라믹의 단면을 관찰했을 때, 상기 결정입자 중의 55∼85%의 개수의 결정입자에 대해서는 상기 희토류 원소가 존재하는 영역이 90% 이상이고, 또한 상기 결정입자 중의 15%∼45%의 개수의 결정입자에 대해서는 상기 희토류 원소가 존재하는 영역이 10% 미만이라고 하는 조건을 만족함과 아울러,
    상기 입계에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 상기 결정입자 내부의 희토류 원소가 존재하는 영역에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 미만인 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.
  2. 제1항에 있어서, 상기 입계에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 상기 결정입자 내부의 희토류 원소가 존재하는 영역에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 1 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 ABO3가 (Ba1 - xCax)mTiO3(단, 0≤x≤0.03, 1.001≤m≤1.012)로 나타나며, 또한 상기 첨가성분이 희토류 원소, Mg, Mn, Cu 및 Si를 포함하고,
    상기 첨가성분의 함유량은 상기 ABO3 100몰부에 대하여,
    희토류 원소가 0.1몰부 이상 1몰부 이하이며,
    Mg가 0.1몰부 이상 2몰부 이하이고,
    Mn이 0.05몰부 이상 0.5몰부 이하이며,
    Cu가 0.1몰부 이상 3몰부 이하이고,
    Si가 0.2몰부 이상 2몰부 이하인 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 유전체 세라믹을 제조하는 방법으로서,
    ABO3분말을 준비하는 공정과,
    상기 ABO3분말과, 희토류 원소 및 Cu를 포함하는 첨가성분을 혼합해서 열처리하여, 상기 희토류 원소가 부분적으로 고용(固溶)한 변성 ABO3분말을 얻는 공정과,
    상기 변성 ABO3분말을 분쇄하여, 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 90% 이상인 분말입자와, 입자 단면에 있어서의 희토류 원소의 고용영역이 10% 미만인 분말입자를 포함하는 세라믹 원료분말을 얻는 공정과,
    상기 세라믹 원료분말을 소성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 유전체 세라믹의 제조방법.
  5. 복수의 유전체 세라믹층이 적층된 적층체와, 복수의 상기 유전체 세라믹층간의 계면을 따라 형성된 내부전극을 구비하는 적층 세라믹 커패시터로서,
    상기 유전체 세라믹층이, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 유전체 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
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