JPWO2011125543A1 - 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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朋美 古賀
伴野 晃一
晃一 伴野
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Abstract

積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性(寿命特性)に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。BaTiO3系のセラミック粒子の焼結体からなり、セラミック粒子は、表層部であるシェル部と、シェル部の内側のコア部とを備え、副成分として、R(Rは、希土類元素であって、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYからなる群より選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mは、Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVからなる群より選ばれる少なくとも1種以上)を含み、RおよびMは、セラミック粒子20のシェル部21に存在するとともに、シェル部21に含まれるRおよびMの濃度が、粒界25からコア部22に向かって高くなるように構成する。

Description

本発明は誘電体セラミックおよびそれを用いたコンデンサに関し、詳しくは、BaTiO3系の誘電体セラミックおよびそれを誘電体層の構成材料として用いた積層セラミックコンデンサに関する。
近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。この積層セラミックコンデンサは、例えば、図1に示すように、セラミック積層体(積層セラミック素子)10の内部に配設された内部電極12が、誘電体層であるセラミック層(誘電体セラミック層)11を介して積層され、かつ、セラミック積層体10の両端面には、交互に逆側の端面に露出した内部電極12と導通するように一対の外部電極13a,13bが配設された構造を有している。
そして、このような積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体層として、 高い誘電率を有するBaTiO3系セラミック材料が一般的に用いられている。
さらに、BaTiO3系セラミック材料として、温度特性や絶縁性、信頼性(寿命特性)などの特性を向上させる目的で、種々の副成分、例えば、希土類元素やMgなどを添加したものが用いられている。
また、温度特性や信頼性(寿命特性)を制御可能に保ちつつ、両立させるために、セラミック粒子(結晶粒子)の表層部に副成分の大部分が固溶し、結晶粒子の内部には殆ど副成分が固溶していない、いわゆるコア・シェル構造とよばれる結晶構造とすることも行われている。
たとえば、特許文献1には、誘電体層が、コア部とコア部を囲繞するシェル部とからなるセラミック粒子の焼結体から構成されているとともに、セラミック粒子のシェル部にはMn,V,Cr,Co,Fe,Ni,CuおよびMoから選択された1種又は2種以上のアクセプタ型元素、Mgおよび希土類元素(Ho,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm,Lu)が含まれており、シェル部に含まれている上記アクセプタ型元素の濃度がコア・シェル境界から粒界側に向かって高くなるようにした積層セラミックコンデンサが提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、誘電体層に特許文献1に示されているようなセラミック誘電体を用いた積層セラミックコンデンサの場合、例えば、高温や高電界強度の環境下で使用すると、信頼性(寿命特性)が低下するという問題点がある。そのため、さらに寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを構成することが可能な誘電体材料の開発が望まれているのが実情である。
特開2001−230149号公報
本発明は、上記課題を解決するものであり、積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性(寿命特性)に優れた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の誘電体セラミックは、
BaTiO3系のセラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、
前記セラミック粒子は、表層部であるシェル部と、シェル部の内側のコア部とを備え、
副成分として、R(Rは、希土類元素であって、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYからなる群より選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mは、Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVからなる群より選ばれる少なくとも1種以上)を含み、
前記Rおよび前記Mは、前記セラミック粒子の前記シェル部に存在し、
前記シェル部に含まれる前記Rおよび前記Mの濃度が、粒界から前記コア部に向かって高くなっていること
を特徴としている。
本発明の誘電体セラミックにおいては、ペロブスカイト型化合物としてのBaTiO3を構成するBaの一部が、Ca,Srで置換されていてもよく、また、Tiの一部がZrで置換されていてもよい。すなわち、Baの一部がCa,Srで置換され、かつ、Tiの一部がZrで置換されていてもよく、また、BaとTiのいずれか一方だけが上述の成分で置換されていてもよい。
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが一体的に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、請求項1または2記載の誘電体セラミックから形成されていることを
を特徴としている。
本発明の誘電体セラミックは、BaTiO3系のセラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、セラミック粒子は、表層部であるシェル部と、シェル部の内側のコア部とを備え、副成分として、R(Rは、希土類元素であって、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYからなる群より選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mは、Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVからなる群より選ばれる少なくとも1種以上)を含む誘電体セラミックであって、RおよびMが、セラミック粒子の表層部に存在し、シェル部に含まれるRおよびMの濃度が、粒界からコア部に向かって高くなるようにしているので、本発明の誘電体セラミックを用いて誘電体層を形成することにより、高温や高電界強度の環境下でも、良好な信頼性(寿命特性)を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。
なお、本発明において、「シェル部に含まれるRおよびMの濃度が、粒界からコア部に向かって高くなる」とは、RおよびMのシェル部における濃度が全体として上昇傾向にあることを意味するものであって、粒界からコア部に向かう過程において、部分的にRおよびMの濃度が低下する部分がある場合を排除するものではない。
また、本発明においては、シェル部に含まれるRとMの両方において、粒界から5nm内部に入った位置の濃度に対して20%以上濃度の高い点(高濃度点)が、コア部とシェル部との境界付近に存在することが好ましい。
また、本発明においては、Baの一部をCa,Srで置換したり、Tiの一部をZrで置換したりすることにより、特性を制御して、所望の特性を備えた誘電体セラミックを実現することが可能になる。
なお、Baの一部のCa,Srによる置換と、Tiの一部のZrによる置換は、いずれか一方について行ってもよく、また、BaのとTiの両方について行ってもよい。
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層が、本発明の誘電体セラミックから形成されているので、高温や高電界強度の環境のもとでも、良好な信頼性(寿命特性)を実現することができる。
本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す断面図である。 本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデンサの誘電体層を形成するセラミック粒子中の副成分の濃度分布を説明する図である。 表1の試料番号9の試料(本発明の要件を備えた試料)の誘電体セラミック層の顕微鏡写真である。 図3に示したポイント1〜15の各ポイントにおけるR成分であるGdと、M成分であるMgの濃度を示す図である。 本発明の要件を備えていない比較例にかかる積層セラミックコンデンサの誘電体層を形成するセラミック粒子中の副成分の濃度分布を説明する図である。
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
(A)誘電体セラミック原料の作製
まず、主成分原料として、平均粒径200nmのBaTiO3粉末(BaTiO3粉末A)を準備した。このBaTiO3粉末Aに対し、表1に記載のM成分の酸化物粉末、および表1に記載のR成分の酸化物粉末を添加し、純水中でボールミルにより12時間混合し、乾燥した。
なお、表1中のM成分の量は、M成分およびR成分の添加後のBaTiO3(全体)100モル部に対して1.5モル部(好ましい範囲は0.5〜5モル部)であり、また、R成分の量は、M成分およびR成分の添加後のBaTiO3(全体)100モル部に対して、10モル部(好ましい範囲は1〜15モル部)である。
それから、この混合粉末を1000℃で仮焼した後、得られた仮焼体を1次粒子にまで解砕することにより、仮焼済みの原料粉末を得た。なお、この仮焼済みの原料粉末の1次粒子の粒径は、上記主成分原料として用いた平均粒径200nmのBaTiO3粉末の平均粒径(200nm)に近似するものである。
次に、上述のようにして得た仮焼済みの原料粉末に、純水を媒体として平均粒径50nmのBaTiO3粉末(BaTiO3粉末B)およびSiO2粉末を添加し、ボールミルにより12時間混合した。その後、蒸発乾燥することにより、表の試料番号1〜19にかかる誘電体セラミック原料を得た。
なお、上述の平均粒径200nmのBaTiO3粉末Aに対する、平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bの配合比率(モル比)は、BaTiO3粉末A:BaTiO3粉末B=8:2である。
また、比較のため、平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bを添加していない誘電体セラミック原料(すなわち、BaTiO3粉末A:BaTiO3粉末B=10:0(モル比)で、本発明の要件を備えていない比較用の誘電体セラミック原料)として、表1の試料番号20の誘電体セラミック原料を作製した。
なお、主成分原料であるBaTiO3粉末Aおよび添加用のBaTiO3粉末Bは、その製造方法に特別の制約はなく、固相合成法、水熱合成法、加水分解法などいずれの方法で作製されたものも使用することが可能である。
また、BaTiO3粉末A,Bの作製に用いられる原料および副成分の化合物形態についても特別の制約はなく、酸化物、炭酸物をはじめ、塩化物、金属有機化合物など種々のものを使用することが可能である。
(B)積層セラミックコンデンサの作製
上記(A)で作製した誘電体セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダーおよび有機溶媒(この実施例1ではエタノール)を加えて、ボールミルにより所定の時間、湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
このセラミックスラリーをLip方式によりシート成形し、焼成後の誘電体素子厚が10μmになるようなセラミックグリーンシートを得た。
次に、上記セラミックグリーンシート上に、ニッケル粉末を導電成分とする導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成後に内部電極となる導電ペースト層(内部電極パターン)を形成した。
その後、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを、内部電極パターンが交互に逆側に引き出されるような態様で有効誘電体層(コンデンサ形成層)の層数が10層となるように積層し、さらに、上下両面側に、導電ペーストパターンが形成されていないセラミックグリーンシートを外層として積層することにより、積層ブロックを作製した。
それから、この積層ブロックを所定の寸法となるようにカットすることにより得た未焼成の積層体を、大気中で300℃に加熱してバインダーを燃焼させた後、酸素分圧10-10MPaのH2−N2−H2Oガス雰囲気(還元性雰囲気)中で、1200℃、2時間の条件で焼成し、焼成済みの積層体(セラミック積層体)を得た。
それから焼成済みの積層体の、内部電極が引き出された両端面に、B23−Li2O−SiO2−BaO系のガラスフリットを含有する、銅粉末を導電成分とする導電ペーストを塗布して、800℃で焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
これにより、図1に模式的に示すように、積層セラミック素子(セラミック焼結体)10の内部に配設された内部電極12が、誘電体層(誘電体セラミック層)11を介して積層され、かつ、積層セラミック素子10の両端面には、交互に逆側の端面に露出した内部電極12と導通するように一対の外部電極13a,13bが配設された構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
なお、得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ:2.0mm、幅:1.2mm、厚さ:1.0mmであり、内部電極12間に介在する誘電体層(誘電体セラミック層)11の厚みは10μmであった。
また、有効誘電体層(コンデンサ形成層)の総数は10であり、一層当たりの対向電極面積は1.4mm2であった。
(C)特性の測定、誘電体セラミック層の構造分析、および評価
(1)特性の測定
(イ)比誘電率
上述のようにして作製した試料(積層セラミックコンデンサ)について、静電容量を1kHz、1Vrmsの条件で測定し、得られた静電容量の値から比誘電率を算出した。その結果を表1に示す。
(ロ)信頼性(寿命特性)
上述のようにして作製した各試料(積層セラミックコンデンサ)をそれぞれ10個用意し、各10個の試料について、温度170℃で、電圧DC400Vを印加する高温加速寿命試験(HALT)を行い、絶縁抵抗値が100kΩ以下になるまでの時間を故障時間として測定し、その値から平均故障時間(MTTF)を求めた。その結果を表1に示す。
Figure 2011125543
(2)誘電体セラミック層の構造分析
上述のようにして作製した試料(積層セラミックコンデンサ)について、エネルギー分散型X線分光法(TEM−EDX)により、2nmのプローブを用いて、誘電体セラミック層のR成分およびM成分を定量し、それぞれの濃度分布を観察した。
(3)評価
表1に示すように、本発明の要件を備えた実施例にかかる試料である試料番号1〜19の各試料においては、170℃、400VでのMTTF(平均故障時間)が250時間以上の高水準であることが確認された。これにより、高温や高電界強度の環境のもとでも、良好な信頼性(寿命特性)が得られることがわかる。
また、試料番号1〜19の各試料における比誘電率の値は、平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bの添加(後添加)を行っていない試料番号20の試料(比較用の試料)の場合と同等で、比誘電率の低下などが生じていないことが確認された。
また、上記のTEM−EDXによる構造分析の結果、試料番号1〜19の各試料は、図2に模式的に示すように、セラミック粒子20のシェル部21においてR成分とM成分が検出され、粒界25からコア部22に向かって、R成分およびM成分の濃度が高くなるという、本発明の要件を満たしていることが確認された。
これは、試料番号1〜19の試料の場合、シェル部に副成分であるR成分とM成分が拡散した仮焼済みの主成分原料粉末(BaTiO3)に対して、R成分およびM成分(副成分)を含まない平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bを添加する(BaTiO3粉末Bの後添加する)ようにしていることから、シェル部に副成分であるR成分とM成分が拡散した仮焼済みの主成分原料粉末(BaTiO3)に、後添加したBaTiO3粉末Bに由来するBaTiO3が拡散して、シェル部の粒界に近い部分のR成分およびM成分の濃度が低下させるため、相対的に、シェル部に含まれるRおよびMの濃度が、粒界からコア部に向かって高くなったものと考えられる。
なお、図3は本発明の要件を備えた試料番号9の試料の顕微鏡写真であり、図4は図3に示されたポイント1〜15の各ポイントにおけるR成分であるGdと、M成分であるMgの濃度を示す図である。
図3,4に示すように、本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデンサ(試料番号9の試料)の誘電体セラミック層を構成するセラミック粒子のR成分であるGdとM成分であるMgの、ポイント1〜15の濃度からも、粒界25からコア部22に向かって、R成分(Gd)およびM成分(Mg)の濃度が高くなっていることがわかる。
一方、平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bの添加(後添加)を行っていない試料番号20の試料の場合、MTTF(平均故障時間)が110時間と、本発明の要件を満たす試料に比べて大幅に短くなることが確認された。なお、比誘電率の値は3500と、本発明の要件を満たす試料番号1〜19の試料と同等であった。
また、試料番号20の試料について、TEM−EDXによる構造分析を行った結果、図5に示すように、セラミック粒子20のシェル部21においてR成分とM成分が検出されたが、粒界25からコア部22付近に向かってそれぞれ濃度が低くなる傾向が認められた。
これは、試料番号20の試料の場合、平均粒径50nmのBaTiO3粉末Bの添加(後添加)を行っていないことから、上述の試料番号1〜19の試料において得られるような、BaTiO3粉末Bが後添加されることによる効果が得られないことによるものである。
(A)誘電体セラミック原料の作製
この実施例2では、主成分原料(出発原料)としてTiの一部がZrに置換されたBaTiO3粉末A’、すなわち、Ba(Ti1-xZrx)O3粉末を準備した。なお、Ba(Ti1-xZrx)O3におけるxの値(すなわち、Ti:Zrの比)は表2に示すように、Ti:Zr=100:0〜70:30の範囲で変化させた。
また、後添加するBaTiO3粉末B’としても、それぞれ、主成分原料であるTiの一部がZrに置換されたBaTiO3粉末A’と同じBaTiO3粉末B’を用意した。
なお、この実施例2では、R成分はGdに固定し、M成分はMgに固定した。
そして、上述のようなBaTiO3粉末A’およびB’を用いたことを除いて、上記実施例1の場合と同じ方法および条件で、表2の試料番号21〜25の誘電体セラミック原料を作製した。
また、比較のため、平均粒径50nmのBaTiO3粉末B’の後添加を行っていない誘電体セラミック原料(すなわち、BaTiO3粉末A’:BaTiO3粉末B’=10:0(モル比)で、本発明の要件を備えていない比較用の誘電体セラミック原料)として、表2の試料番号26の誘電体セラミック原料を作製した。
(B)積層セラミックコンデンサの作製
上記(A)で作製した、各誘電体セラミック原料を用いたことを除いて、上記実施例1の場合と同じ方法および条件で、表2の試料番号21〜26の各試料(誘電体セラミックコンデンサ)を作製した。
(C)特性の測定、誘電体セラミック層の構造分析、および評価
上記実施例1の場合と同じ方法および条件で、表2の試料番号21〜26の試料について、特性を測定するとともに、誘電体セラミック層の構造分析を行った。
その結果を表2に示す。
Figure 2011125543
表2に示すように、本発明の要件を備えた試料番号21〜25の各試料(本発明の実施例にかかる積層セラミックコンデンサ)においては、170℃、400VでのMTTF(平均故障時間)が250時間以上の高水準であることが確認された。これにより、高温や高電界強度の環境のもとでも、良好な信頼性(寿命特性)が得られることがわかる。
なお、比誘電率は、例えば、試料番号23〜25の試料において低い値となっているが、これは、Tiの一部がZrに置換されたBaTiO3粉末を用いていることによるものである。なお、比誘電率が低くても、他の特性、例えば、耐圧特性や寿命特性などの特性次第では、それに適した用途に用いることが可能で、必ずしも欠点となるものではない。
また、上記のTEM−EDXによる構造分析の結果、特に図示しないが、試料番号21〜25の各試料においては、セラミック粒子のシェル部においてR成分とM成分が検出され、粒界からコア部に向かって、R成分およびM成分の濃度が高くなる、本発明の要件を満たす構造を有するものが得られることが確認された。
これは、上記実施例1の、表1における試料番号1〜19の試料の場合と同様に、試料番号21〜25の試料においては、上述の、平均粒径50nmのBaTiO3粉末B’の後添加を行っていることから、シェル部に副成分であるR成分とM成分が拡散した仮焼済みの主成分原料粉末(BaTiO3粉末A’)に、後添加したBaTiO3粉末B’に由来するBaTiO3が拡散して、シェル部の粒界に近い部分のR成分およびM成分の濃度が低下したため、相対的に、シェル部に含まれるRおよびMの濃度が、粒界からコア部に向かって高くなったことによるものと考えられる。
一方、試料番号26の試料の場合、Tiの5%をZrに置換(Ti:Zr=95:5)しているだけであることから、比誘電率の値は2800と、Tiの5%をZrに置換した本発明の要件を満たす試料番号22の試料(Ti:Zr=95:5)の比誘電率とほぼ同等であったが、MTTF(平均故障時間)が100時間と、本発明の要件を満たす試料に比べて、大幅に短くなることが確認された。
また、試料番号26の試料について、TEM−EDXによる構造分析を行った結果、シェル部においてR成分とM成分が検出されたが、粒界からコア部付近に向かってそれぞれ濃度が低くなる傾向が認められた。
これは、試料番号26の試料の場合、上述のように平均粒径50nmのBaTiO3粉末B’の後添加を行っていないことから、試料番号21〜25の試料の場合のような、BaTiO3が後添加されることによる効果が得られないことによるものである。
なお、この実施例2では、BaTiO3系セラミックを構成するTiの一部がZrに置換されている場合を例にとって説明したが、Baの一部がCaおよび/またはSrで置換された構成とすることも可能であり、また、Baの一部がCaおよび/またはSrで置換され、かつ、Tiの一部がZrで置換された構成とすることも可能である。
また、上記実施例1では、R成分およびM成分(副成分)を含まない平均粒径の小さいBaTiO3粉末Bを後添加し、実施例2ではBaTiO3粉末B’を後添加することにより、セラミック粒子のシェル部において粒界からコア部に向かって、R成分およびM成分の濃度が高くなるような構成を実現するようにしたが、粒界からコア部に向かってR成分およびM成分の濃度が高くなるような構成を実現する手段に特別の制約はなく、後添加するBaTiO3粉末の組成や焼成の条件などを調製する方法などによっても、粒界からコア部に向かってR成分およびM成分の濃度が高くなるような構成を実現することは可能である。
なお、本発明にかかる誘電体セラミックは、積層セラミックコンデンサに限らず、LC複合部品などにも適用することが可能である。
本発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、本発明の誘電体セラミックを製造する場合の各原料の種類、仮焼工程における条件、副成分の割合などに関し、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
10 積層セラミック素子
11 セラミック層
12 内部電極層
13a,13b 外部電極
20 セラミック粒子
21 シェル部
22 コア部
25 粒界

Claims (3)

  1. BaTiO3系のセラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、
    前記セラミック粒子は、表層部であるシェル部と、シェル部の内側のコア部とを備え、
    副成分として、R(Rは、希土類元素であって、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYからなる群より選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mは、Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVからなる群より選ばれる少なくとも1種以上)を含み、
    前記Rおよび前記Mは、前記セラミック粒子の前記シェル部に存在し、
    前記シェル部に含まれる前記Rおよび前記Mの濃度が、粒界から前記コア部に向かって高くなっていること
    を特徴とする誘電体セラミック。
  2. Baの一部がCa,Srで置換されていること、および/または、Tiの一部がZrで置換されていること
    を特徴とする請求項1記載の誘電体セラミック。
  3. 複数の誘電体層と複数の内部電極とが一体的に積層された構造を有する積層セラミックコンデンサであって、
    前記誘電体層が、請求項1または2記載の誘電体セラミックから形成されていること
    を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
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