JP2017109904A - ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017109904A JP2017109904A JP2015246400A JP2015246400A JP2017109904A JP 2017109904 A JP2017109904 A JP 2017109904A JP 2015246400 A JP2015246400 A JP 2015246400A JP 2015246400 A JP2015246400 A JP 2015246400A JP 2017109904 A JP2017109904 A JP 2017109904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- perovskite
- mol
- compound
- porcelain composition
- type porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title abstract description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 64
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/308—Stacked capacitors made by transfer techniques
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
- C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
- C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
- C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/81—Materials characterised by the absence of phases other than the main phase, i.e. single phase materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【課題】例えば、積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用いた場合に、高温負荷寿命に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能なペロブスカイト型磁器組成物、それを含む配合組成物を提供する。
【解決手段】Sn、Ba、および、Tiを含有し、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物とする。
また、上記ペロブスカイト型磁器組成物と、希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物とを含み、Ti:100モル部に対するR、Mn、Siの割合が、R:0<R≦10モル部、Mn:0<Mn≦5モル部、Si:0<Si≦5モル部となる配合組成物とする。
R、Mn、Siに加え、さらにMg化合物を含み、Ti:100モル部に対するMgの割合が0<Mg≦5モル部となる配合組成物とする。
【選択図】なし
【解決手段】Sn、Ba、および、Tiを含有し、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物とする。
また、上記ペロブスカイト型磁器組成物と、希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物とを含み、Ti:100モル部に対するR、Mn、Siの割合が、R:0<R≦10モル部、Mn:0<Mn≦5モル部、Si:0<Si≦5モル部となる配合組成物とする。
R、Mn、Siに加え、さらにMg化合物を含み、Ti:100モル部に対するMgの割合が0<Mg≦5モル部となる配合組成物とする。
【選択図】なし
Description
本発明はペロブスカイト型磁器組成物、前記ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、前記ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
近年、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。
この積層セラミックコンデンサは、例えば、誘電体層であるセラミック層を介して内部電極層が積層されてなる積層体、すなわちコンデンサ素子の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極層と導通するように一対の外部電極が配設された構造を有している。
この積層セラミックコンデンサは、例えば、誘電体層であるセラミック層を介して内部電極層が積層されてなる積層体、すなわちコンデンサ素子の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極層と導通するように一対の外部電極が配設された構造を有している。
このような積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体であるセラミック層を構成する材料として、高い誘電率を有する種々の誘電体磁器組成物、例えば、チタン酸バリウム系のペロブスカイト型磁器組成物が広く用いられている。
そして、このような誘電体磁器組成物として、例えば特許文献1には、主成分であるチタン酸バリウムと、Euを含む希土類元素を、少なくとも3種含み、第1の希土類元素R1は、Sc、Er、Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種であり、第2の希土類元素R2はY、Dy、Ho、TbおよびGdから選択される少なくとも1種であるペロブスカイト型の誘電体磁器組成物が提案されている。
特許文献1によれば、この誘電体磁器組成物は、−55〜150℃の広範囲の温度領域において、静電容量変化が少なく、150℃近傍の高温でも絶縁抵抗が高く、高温負荷寿命に優れているとされている。
しかしながら、上記従来の誘電体磁器組成物を用いて作製した積層セラミックコンデンサは、近年厳しさが増している信頼性に対する要求を必ずしも十分に満足することができず、さらに高い信頼性を備えた積層セラミックコンデンサが求められており、そのような積層セラミックコンデンサを製造することが可能な、特性の良好な誘電体材料が必要とされているのが実情である。
本発明は、上記課題を解決するものであり、例えば、積層セラミックコンデンサの誘電体層形成用の材料として用いた場合に、高温負荷寿命に優れ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることが可能なペロブスカイト型磁器組成物、それを含む配合組成物、前記ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のペロブスカイト型磁器組成物は、
Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、
Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあること
を特徴としている。
Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、
Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあること
を特徴としている。
また、本発明の配合組成物は、
(a)上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、およびSiを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
の割合で含むことを特徴としている。
(a)上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、およびSiを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
の割合で含むことを特徴としている。
また、本発明の他の配合組成物は、
(a)上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、Si化合物、およびMg化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、Si、およびMgを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
Mg :0<Mg≦5モル部
の割合で含むことを特徴としている。
(a)上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、Si化合物、およびMg化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、Si、およびMgを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
Mg :0<Mg≦5モル部
の割合で含むことを特徴としている。
また、本発明のペロブスカイト型磁器組成物の製造方法は、
Sn化合物、Ba化合物、および、Ti化合物を混合し、焼成することにより、Sn、Ba、および、Tiを含有し、かつ、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物を合成すること
を特徴としている。
Sn化合物、Ba化合物、および、Ti化合物を混合し、焼成することにより、Sn、Ba、および、Tiを含有し、かつ、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物を合成すること
を特徴としている。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
また、本発明の他の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
上記本発明の配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
上記本発明の配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
また、本発明のさらに他の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
上記本発明の他の配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
上記本発明の他の配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴としている。
上述のように、本発明のペロブスカイト型磁器組成物は、Sn、Ba、および、Tiを含有し、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲となるようにしているので、例えば、誘電体材料として、積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品に用いた場合に、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することが可能になる。
また、本発明の配合組成物は、上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、添加成分である希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物とを配合し、かつ、希土類元素R、Mn、およびSiを、Tiに対して上記所定の割合で含有させるようにしているので、誘電体材料として用いる場合に、添加成分によって特性を制御することが可能な有用性の高い配合組成物を提供することができる。
また、本発明の他の配合組成物のように、上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物と、添加成分である希土類元素R化合物、Mn化合物、Si化合物、およびMg化合物とを配合し、かつ、希土類元素R、Mn、Si、およびMgを上記所定の割合で含有させるようにしているので、誘電体材料として用いる場合に、添加成分によって特性を制御することが可能な有用性の高い配合組成物を提供することができる。
また、本発明のペロブスカイト型磁器組成物の製造方法は、Sn化合物、Ba化合物、および、Ti化合物を混合し、焼成することにより、Sn、Ba、および、Tiを含有し、かつ、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物を合成するようにしているので、Snが均一に分散して存在するペロブスカイト型磁器組成物を得ることができる。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、上記本発明のペロブスカイト型磁器組成物を用いてセラミックスラリーを調製したセラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成し、セラミックグリーンシートと内部電極層とを積み重ねて未焼成積層体を形成した後、未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得るようにしているので、高温負荷試験における不良発生率の低い、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
また、本発明の他の積層セラミックコンデンサの製造方法は、上記本発明の配合組成物を用いて調製したセラミックスラリーを用いて形成したセラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて未焼成積層体を形成し、この未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得るようにしているので、高温負荷試験における不良発生率の低い、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
[実施形態]
[実施形態]
<A>磁器組成物(ベース材)の作製
まず、出発原料としてBaCO3、TiO2、SnO2を準備して、BaCO3100モル部に対しTiO2を100モル部、SnO2を0〜1.000モル部(表1参照)の比率で秤量した。
まず、出発原料としてBaCO3、TiO2、SnO2を準備して、BaCO3100モル部に対しTiO2を100モル部、SnO2を0〜1.000モル部(表1参照)の比率で秤量した。
そして、秤量した出発原料を、攪拌メディアとしてYSZボールを用いたボールミルにより混合し、得られた混合材料を1100℃で熱処理することにより、表1の実施例1〜3、比較例1および2の磁器組成物(ベース材)、すなわち、Sn含有チタン酸バリウムを得た。ただし、比較例1のベース材はSnO2が添加されていないベース材である。
また比較例3については、SnO2の添加方法が他の実施例および比較例と異なっており、焼成後に、後述の他の添加成分とともにSnO2を添加、すなわち後添加した。
また、実施例1〜3および比較例1〜3では、Ti:100モル部に対して、BaCO3:100モル部としているが、比較例4については、ペロブスカイト型複合酸化物:ABO3におけるAサイトを構成する原料を、BaCO3:99.5モル部、CaCO3:0.5モル部とし、さらにSnO2を0.500モル部前添加して、実施例1〜3の場合と同様の製造方法で作製した。なお、比較例4では、Aサイトを構成するCaも、いわゆる前添加としている。
得られた表1の実施例1〜3、比較例1〜4のベース材は、XRDによる分析で、単相ペロブスカイト構造を有していることを確認した。
また、上述のようにして作製したベース材をICP発光分光分析したところ、表1に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
それから、上述のようにして作製した実施例1〜3および比較例1〜4のベース材に、所望の添加成分を、所望の配合割合となるように秤量した後、攪拌メディアとしてYSZボールを用いたボールミルにより混合・乾燥し、誘電体原料配合物である配合組成物を作製した。
ここでは添加成分として、Dy2O3、MnCO3、SiO2、MgOを所定量配合した配合組成物を作製した。
ここでは添加成分として、Dy2O3、MnCO3、SiO2、MgOを所定量配合した配合組成物を作製した。
セラミック原料となるこの配合組成物について、ICP分析を行ったところ、Ti:100モル部に対するDy、Mn、Si、およびMgの量は、それぞれ、Dy:2.5モル部、Mn:0.4モル部、Si:1.5モル部、Mg:1.0モル部であることが確認された。
また、比較例3については、添加成分を添加する工程でSnO2を、表1に示すように、0.500モル部添加、すなわち後添加して、所望の組成とした。
なお、この実施形態では、ベース材を固相合成法により作製し、平均粒径250nmとするために1100℃で熱処理を行うようにしたが、ベース材であるSn含有チタン酸バリウムは、適切なSn原料、Ba原料、Ti原料を用いて、水熱合成法や加水分解法などの方法で作製することも可能である。
また、Sn含有チタン酸バリウム作製用の素材、添加成分の化合物形態は酸化物,炭酸物に限らず、塩化物、金属有機化合物などであってもよい。
また、主成分であるチタン酸バリウムは、化学量論組成であってもよく、また、化学量論組成からある程度ずれていてもよい。通常は、Aサイト成分とBサイト成分のモル比が0.980〜1.020の範囲であることが好ましい。
また、Ti100モル部に対して、ZrとHfが、合計量で1モル部まで含有されていても、特性上問題ないことが確認されている。
また、希土類元素R、Mn、およびSiを含有させ、Mgを含有させない場合、含有量の好ましい範囲は、Ti:100モル部に対し、0<R≦10モル部、0<Mn≦5モル部、0<Si≦5モル部である。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.1≦R≦3モル部、0.1≦Mn≦1モル部、0.1≦Si≦3モル部であると、より好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.5≦R≦1.5モル部、0.3≦Mn≦0.5モル部、1≦Si≦2モル部であると、さらに好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.1≦R≦3モル部、0.1≦Mn≦1モル部、0.1≦Si≦3モル部であると、より好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.5≦R≦1.5モル部、0.3≦Mn≦0.5モル部、1≦Si≦2モル部であると、さらに好ましい。
また、希土類元素R、Mn、Si、およびMgを含有させる場合、含有量の好ましい範囲は、Ti:100モル部に対し、0<R≦10モル部、0<Mn≦5モル部、0<Si≦5モル部、0<Mg≦5モル部である。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.1≦R≦3モル部、0.1≦Mn≦1モル部、0.1≦Si≦3モル部、0.05≦Mg≦2モル部であると、より好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.5≦R≦1.5モル部、0.3≦Mn≦0.5モル部、1≦Si≦2モル部、0.1≦Mg≦1モル部であると、さらに好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.1≦R≦3モル部、0.1≦Mn≦1モル部、0.1≦Si≦3モル部、0.05≦Mg≦2モル部であると、より好ましい。
また、含有量が、Ti:100モル部に対し、0.5≦R≦1.5モル部、0.3≦Mn≦0.5モル部、1≦Si≦2モル部、0.1≦Mg≦1モル部であると、さらに好ましい。
なお、内部電極層の主成分がNiである積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用いられる場合、Mgの含有量は、Ti:100モル部に対し、0≦Mg≦0.4モル部であると、好ましい。Mg含有量が多いと、内部電極層中のNiが誘電体層中に拡散し易くなり、内部電極層の欠陥やカバレッジの低下が発生する危険性が増加する。
<B>積層セラミックコンデンサの作製
次に、上述のベース材に、添加成分として、Dy2O3、MnCO3、SiO2、およびMgOを配合して配合組成物とし、その配合組成物に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらを攪拌メディアとしてYSZボールを用いたボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。ただし、上述のように、比較例1はSnを含まず、また、比較例3はSnを後添加したものである。
次に、上述のベース材に、添加成分として、Dy2O3、MnCO3、SiO2、およびMgOを配合して配合組成物とし、その配合組成物に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらを攪拌メディアとしてYSZボールを用いたボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。ただし、上述のように、比較例1はSnを含まず、また、比較例3はSnを後添加したものである。
次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、厚み3.0μmの矩形のセラミックグリーンシートを得た。
それから、上記セラミックグリーンシート上に、Niを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極層となるべき導電性ペースト膜を形成した。
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、焼成後にコンデンサ本体となるべき未焼成の積層体を得た。
次に、この未焼成の積層体を、N2雰囲気中にて、350℃の温度で3時間加熱し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧10-11MPaのH2−N2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において、1200℃で2時間焼成し、焼結した積層体を得た。
この積層体を溶解し、ICP分析をしたところ、内部電極層成分のNiを除いては、Ti:100モル部に対してDy:2.5モル部、Mn:0.4モル部、Si:1.5モル部、Mg:1.0モル部であることが確認された。
なお、添加成分である希土類元素(Dy)、Mn、Si、Mgの含有量は、この例に限られるものではなく、本発明の範囲内において、適宜調整することが可能である。
なお、添加成分である希土類元素(Dy)、Mn、Si、Mgの含有量は、この例に限られるものではなく、本発明の範囲内において、適宜調整することが可能である。
なお、混合時に用いたYSZボールから、ZrがTi:100モル部に対して0.02モル部程度混入していることが確認された。
次に、積層体を構成する誘電体セラミック層のXRD構造解析を行ったところ、主成分がチタン酸バリウム系のぺロブスカイト型構造を有していることが確認された。
次に、積層体であるコンデンサ素子の両端面に、ガラスフリットを含有するCuペーストを塗布し、N2雰囲気中において、800℃の温度で焼き付け、内部電極層と電気的に接続された外部電極を形成することにより、図1に示すような積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、誘電体層であるセラミック層(誘電体セラミック層)11を介して内部電極層12が積層されてなる積層体(コンデンサ素子)10の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極層12と導通するように一対の外部電極13a,13bが配設された構造を有するものである。
得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅;1.25mm、長さ;2.0mm、厚さ;1.0mmで、内部電極層12間に介在する誘電体セラミック層11の平均厚みは2.0μmであった。
また、有効誘電体セラミック層の総数は10で、一層当たりの対向電極面積は1.6mm2であり、内部電極層平均厚みは1.0μmであった。
また、有効誘電体セラミック層の総数は10で、一層当たりの対向電極面積は1.6mm2であり、内部電極層平均厚みは1.0μmであった。
<C>特性評価
次に、実施例1〜3および比較例1〜4のベース材と、それに所定の添加成分を配合した配合組成物を誘電体材料として用いて作製した積層セラミックコンデンサについて、評価を行った。
次に、実施例1〜3および比較例1〜4のベース材と、それに所定の添加成分を配合した配合組成物を誘電体材料として用いて作製した積層セラミックコンデンサについて、評価を行った。
(1)粒子内部組成分析
ベース材およびそれを用いた作製した積層セラミックコンデンサの完成品を試料とし、それら包囲するように配置した樹脂を硬化させ、ミクロトームによる前処理によって、上記ベース材粒子断面と積層セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層中の結晶粒子断面を露出させた。
ベース材およびそれを用いた作製した積層セラミックコンデンサの完成品を試料とし、それら包囲するように配置した樹脂を硬化させ、ミクロトームによる前処理によって、上記ベース材粒子断面と積層セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層中の結晶粒子断面を露出させた。
そして、STEM−EDSを用いた点分析により、ベース材粒子および積層セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層中の結晶粒子について、その中央部の組成分析を行った。
この分析結果から、実施例1〜3、比較例2,4のベース材粒子および積層セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層中の結晶粒子の中央部にはSnが存在していることが確認された。
この分析結果から、実施例1〜3、比較例2,4のベース材粒子および積層セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層中の結晶粒子の中央部にはSnが存在していることが確認された。
また、比較例1,3のベース材粒子と、それらを用いて作製した積層セラミックコンデンサのセラミック誘電体層中の結晶粒子の中央部には、Snが検出されなかった。
また、比較例4においては、ベース材粒子およびそれを用いて作製した積層セラミックコンデンサのセラミック誘電体層中の結晶粒子の中央部には、Caが存在していることが確認された。
なお、粒子内部の組成を分析するための分析手段はSTEM−EDSに限られるものではなく、例えばレーザアブレーション式ICPなどの方法によっても分析を行うことが可能である。
(2)高温負荷試験による寿命特性の測定
次に、実施例1〜3および比較例1〜4にかかる積層セラミックコンデンサについて、以下に説明する方法で高温負荷試験を行い、特性を評価した。
次に、実施例1〜3および比較例1〜4にかかる積層セラミックコンデンサについて、以下に説明する方法で高温負荷試験を行い、特性を評価した。
それぞれ100個の積層セラミックコンデンサ(試料)に対し、125℃において16Vの直流電圧を印加し、絶縁抵抗の経時変化を観察した。そして、各積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値が0.1MΩ以下になった時点を故障が発生した時点とした。
試験開始から2000時間後の、不良数すなわち故障が発生した試料数を確認し、高温負荷寿命の指標とした。表1に高温負荷試験における不良発生個数を示す。不良発生個数が0の場合を「良」、不良発生個数が1以上のものを「不良」と判定した。
表1に示すように、実施例1〜3は、いずれも高温負荷寿命不良発生個数が0となっている。これは、ベース材がSnを、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲で含有していることから、添加成分をベース材に均質に固溶させることが可能になり、積層セラミックコンデンサを構成する積層体、すなわちコンデンサ素子内における絶縁劣化を抑制することができたことによるものと推測される。
なお、Snの含有量は、Ti:100モル部に対し、0.100≦Sn≦0.998モル部であることが好ましく、0.200≦Sn≦0.800モル部であることがより好ましく、0.300≦Sn≦0.700モル部であることがさらに好ましい。
なお、Snの含有量は、Ti:100モル部に対し、0.100≦Sn≦0.998モル部であることが好ましく、0.200≦Sn≦0.800モル部であることがより好ましく、0.300≦Sn≦0.700モル部であることがさらに好ましい。
これに対し、比較例1は、高温負荷寿命不良発生個数が5個で、「不良」と判定されているが、これは、比較例1がSnを含有していないことから、添加成分の固溶状態にばらつきが発生し、コンデンサ素子内における絶縁劣化を十分に抑制することができなかったことによるものと推測される。
また、比較例2も、高温負荷寿命不良発生個数が6個で、「不良」と判定されているが、これは、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して1.000モルと、本発明の範囲を超えているため、酸素空孔移動抑制効果が低下し、コンデンサ素子内での絶縁劣化が発生したものと推測される。
また、比較例3も、高温負荷寿命不良発生個数が5個で、「不良」と判定されているが、これは、比較例3の場合Snが後添加で分散性が乏しいため、その後の添加成分の固溶状態にばらつきが発生し、コンデンサ素子内での絶縁劣化が発生したことによるものと推測される。
また、比較例4も、高温負荷寿命不良発生個数が5個で、「不良」と判定されているが、これは、ペロブスカイト型複合酸化物:ABO3におけるAサイトがBaのみではなく、Caを含んでいることから、格子定数が小さくなり、Snを前添加しても、添加したSnがペロブスカイト構造格子中に十分に入らなくなり、所望の効果が得られなかったものと推測される。
なお、比較例4では、Ba:Caのモルを99:1としているが、他の条件は同じとして、Ba:Caのモル比を99.6:0.4とした場合、高温負荷寿命不良発生個数が0になることが確認されており、条件によってはBaとCaのモル比Ba/Caを99.6/0.4=249以上として用いることも可能であると考えられる。
ただし、ペロブスカイト型複合酸化物:ABO3におけるAサイトにCaやSrが存在すると、バイアス印加時の積層セラミックコンデンサの静電容量が低下する傾向があるので、通常は、ベース材粒子および積層セラミックコンデンサの結晶粒子の中央部にCaやSrを存在させないようにすることが好ましい。
この実施形態では、本発明のベース材であるSn含有チタン酸バリウムに添加成分を配合した配合組成物を、積層セラミックコンデンサの誘電体層形成用の材料として用いたが、添加成分である希土類元素R、Mn、Si、Mgなどを含まないベース部材であるSn含有チタン酸バリウムを誘電体層の形成用材料として用いることも可能である。
また、この実施形態では、添加成分として、希土類元素R、Mn、Si、Mgを配合するようにしたが、Mgは配合せず、希土類元素R、Mn、Siの3成分を配合するように構成することも可能である。
また、この実施形態では、本発明のペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物を、積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いる場合を例にとって説明したが、本発明にかかるペロブスカイト型磁器組成物、それに添加成分を配合した配合組成物は、積層セラミックコンデンサに限らず、LC複合部品などの他の電子部品を製造する場合の誘電体材料として適用することも可能である。
本発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
10 積層体(コンデンサ素子)
11 セラミック層(誘電体セラミック層)
12 内部電極層
13a,13b 外部電極
11 セラミック層(誘電体セラミック層)
12 内部電極層
13a,13b 外部電極
Claims (7)
- Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、
Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあること
を特徴とするペロブスカイト型磁器組成物。 - (a)請求項1記載のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、およびSiを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
の割合で含むことを特徴とする配合組成物。 - (a)請求項1記載のペロブスカイト型磁器組成物と、
(b)希土類元素R化合物、Mn化合物、Si化合物、およびMg化合物と
を含み、かつ、
希土類元素R、Mn、Si、およびMgを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
Mg :0<Mg≦5モル部
の割合で含むことを特徴とする配合組成物。 - Sn化合物、Ba化合物、および、Ti化合物を混合し、焼成することにより、Sn、Ba、および、Tiを含有し、かつ、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物を合成すること
を特徴とするペロブスカイト型磁器組成物の製造方法。 - Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物と、
希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物とを含み、かつ、
希土類元素R、Mn、およびSiを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
の割合で含む配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - Sn、Ba、および、Tiを含有するペロブスカイト型磁器組成物であって、Snの含有量が、Ti:100モル部に対して、0.001モル部≦Sn≦0.999モル部の範囲にあるペロブスカイト型磁器組成物と、
希土類元素R化合物、Mn化合物、およびSi化合物とを含み、かつ、
希土類元素R、Mn、およびSiを、Ti:100モル部に対して、
R :0<R≦10モル部
Mn :0<Mn≦5モル部
Si :0<Si≦5モル部
Mg :0<Mg≦5モル部
の割合で含む配合組成物を用いてセラミックスラリーを調製する工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねて、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極層が積層された未焼成積層体を形成する工程と、
前記未焼成積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極層が配置された積層体を得る工程と
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015246400A JP2017109904A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
US15/372,905 US10062509B2 (en) | 2015-12-17 | 2016-12-08 | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method therefor |
KR1020160169415A KR20170072799A (ko) | 2015-12-17 | 2016-12-13 | 페로브스카이트형 자기 조성물, 페로브스카이트형 자기 조성물을 포함하는 배합 조성물, 페로브스카이트형 자기 조성물의 제조 방법, 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법 |
US15/378,321 US10468186B2 (en) | 2015-12-17 | 2016-12-14 | Perovskite ceramic composition, combined composition containing perovskite ceramic composition, method for manufacturing perovskite ceramic composition, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
CN201611175613.4A CN106977194B (zh) | 2015-12-17 | 2016-12-16 | 混合组合物及层叠陶瓷电容器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015246400A JP2017109904A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017109904A true JP2017109904A (ja) | 2017-06-22 |
Family
ID=59064576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015246400A Pending JP2017109904A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10062509B2 (ja) |
JP (1) | JP2017109904A (ja) |
KR (1) | KR20170072799A (ja) |
CN (1) | CN106977194B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11270844B2 (en) | 2019-09-10 | 2022-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
JP2022143403A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017073621A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
KR102004243B1 (ko) | 2017-12-14 | 2019-07-26 | 삼성전자주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
KR102222944B1 (ko) * | 2019-02-01 | 2021-03-05 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
JP7172897B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2022-11-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
JP7279615B2 (ja) * | 2019-11-05 | 2023-05-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR20210055987A (ko) * | 2019-11-08 | 2021-05-18 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
US11508524B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-11-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
US11600446B2 (en) * | 2019-12-27 | 2023-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
KR20220083170A (ko) * | 2020-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
KR20230043530A (ko) * | 2021-09-24 | 2023-03-31 | 삼성전기주식회사 | 도전성 페이스트의 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 제조방법 |
KR20230057174A (ko) * | 2021-10-21 | 2023-04-28 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2871135B2 (ja) | 1991-02-16 | 1999-03-17 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
TW242191B (ja) | 1991-06-05 | 1995-03-01 | Taiyo Yuden Kk | |
JP3185333B2 (ja) | 1992-02-25 | 2001-07-09 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JPH09206305A (ja) | 1996-02-02 | 1997-08-12 | Olympus Optical Co Ltd | 超音波プローブ |
JP2002029835A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
WO2005075377A1 (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品 |
TWI290539B (en) * | 2004-08-31 | 2007-12-01 | Showa Denko Kk | Barium titanate and capacitor |
KR100631995B1 (ko) | 2005-07-28 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 저온 소성용 유전체 자기조성물 및 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 |
JP2007169088A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
KR101083553B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2011-11-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹, 및 세라믹 전자부품, 및 적층 세라믹 콘덴서 |
JP2008078593A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
KR101106881B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2012-01-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
KR100997379B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-11-30 | 한국과학기술연구원 | 선형적 유전특성을 나타내는 유전체 박막 조성물 |
JP4992955B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
JP5246185B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2013-07-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
KR20130042578A (ko) * | 2010-09-17 | 2013-04-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹, 적층 세라믹 콘덴서, 및 이들의 제조방법 |
JP5321848B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ |
JP5811103B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-11-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
KR101942718B1 (ko) | 2011-11-21 | 2019-01-29 | 삼성전기 주식회사 | 페롭스카이트 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
JP2013227196A (ja) | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
US9240542B2 (en) * | 2012-04-24 | 2016-01-19 | Canon Kabushiki Kiasha | Piezoelectric ceramic, piezoelectric element, ultrasonic motor, and dust removing device |
KR101650745B1 (ko) * | 2012-07-10 | 2016-08-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 |
TWI545814B (zh) * | 2012-11-02 | 2016-08-11 | 佳能股份有限公司 | 壓電式材料、壓電式元件及電子設備 |
KR101718259B1 (ko) * | 2012-11-02 | 2017-03-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 압전 재료, 압전 소자, 적층 압전 소자, 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치, 초음파 모터, 광학 장치, 진동 장치, 먼지 제거 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기 |
KR20140112883A (ko) * | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 바륨칼슘틴티타네이트 분말, 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
JP6362087B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、および電子機器 |
EP2824091B1 (en) * | 2013-07-12 | 2020-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic equipment |
JP6137147B2 (ja) | 2014-11-28 | 2017-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
2015
- 2015-12-17 JP JP2015246400A patent/JP2017109904A/ja active Pending
-
2016
- 2016-12-08 US US15/372,905 patent/US10062509B2/en active Active
- 2016-12-13 KR KR1020160169415A patent/KR20170072799A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-12-14 US US15/378,321 patent/US10468186B2/en active Active
- 2016-12-16 CN CN201611175613.4A patent/CN106977194B/zh active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11270844B2 (en) | 2019-09-10 | 2022-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
US11670454B2 (en) | 2019-09-10 | 2023-06-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
US11923146B2 (en) | 2019-09-10 | 2024-03-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
JP2022143403A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
US11842852B2 (en) | 2021-03-17 | 2023-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
JP7528830B2 (ja) | 2021-03-17 | 2024-08-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106977194A (zh) | 2017-07-25 |
US20170178812A1 (en) | 2017-06-22 |
US10468186B2 (en) | 2019-11-05 |
KR20170072799A (ko) | 2017-06-27 |
US20170178808A1 (en) | 2017-06-22 |
CN106977194B (zh) | 2021-06-22 |
US10062509B2 (en) | 2018-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017109904A (ja) | ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
KR101494851B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 | |
JP4831142B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP5224147B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
JP5120255B2 (ja) | 誘電体セラミック及びその製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
JP5370212B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP2004262717A (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
JP4497162B2 (ja) | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ | |
JP6707850B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP5409443B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5070841B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物、その製造方法及び積層セラミックコンデンサ | |
JP4697582B2 (ja) | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
JP5240199B2 (ja) | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ | |
JP4548423B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
WO2014010273A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
WO2010098033A1 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
US9570235B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
WO2014167754A1 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
WO2014010376A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2005187296A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ | |
JP5500368B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
JP6372569B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP6519726B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5516763B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP2013227219A (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |