TW200536884A - Resin composition and semiconductor device produced by using the same - Google Patents
Resin composition and semiconductor device produced by using the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW200536884A TW200536884A TW094108033A TW94108033A TW200536884A TW 200536884 A TW200536884 A TW 200536884A TW 094108033 A TW094108033 A TW 094108033A TW 94108033 A TW94108033 A TW 94108033A TW 200536884 A TW200536884 A TW 200536884A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- compound
- resin composition
- scope
- patent application
- item
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 216
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 37
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 31
- -1 butylene diimine compound Chemical class 0.000 claims description 155
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims description 61
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 52
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 33
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 32
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 32
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 28
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 20
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 20
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 14
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 8
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910014033 C-OH Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910014570 C—OH Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 claims description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 claims 1
- LDJNYVFOXUBIIF-UHFFFAOYSA-N 1-prop-1-enyl-9H-fluorene Chemical group C(=CC)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 LDJNYVFOXUBIIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JQUCWIWWWKZNCS-LESHARBVSA-N C(C1=CC=CC=C1)(=O)NC=1SC[C@H]2[C@@](N1)(CO[C@H](C2)C)C=2SC=C(N2)NC(=O)C2=NC=C(C=C2)OC(F)F Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)(=O)NC=1SC[C@H]2[C@@](N1)(CO[C@H](C2)C)C=2SC=C(N2)NC(=O)C2=NC=C(C=C2)OC(F)F JQUCWIWWWKZNCS-LESHARBVSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 67
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000047 product Substances 0.000 description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 21
- IBPADELTPKRSCQ-UHFFFAOYSA-N 9h-fluoren-1-yl prop-2-enoate Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(OC(=O)C=C)=CC=C2 IBPADELTPKRSCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 18
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 14
- PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 1-butylperoxybutane Chemical compound CCCCOOCCCC PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 10
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 7
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 7
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 7
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241001526284 Percus <genus> Species 0.000 description 6
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 5
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 5
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- CFGGNXFNDNQZKD-UHFFFAOYSA-N 2-(9H-fluoren-1-yl)prop-2-enoic acid Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C(=C)C(=O)O)=CC=C2 CFGGNXFNDNQZKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 4
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 3
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 3
- IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N cis-but-2-ene Chemical compound C\C=C/C IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOBYOEQUFMGXBP-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylcyclohexyl) (4-tert-butylcyclohexyl)oxycarbonyloxy carbonate Chemical compound C1CC(C(C)(C)C)CCC1OC(=O)OOC(=O)OC1CCC(C(C)(C)C)CC1 NOBYOEQUFMGXBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BEQKKZICTDFVMG-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,6-pentaoxepane-5,7-dione Chemical compound O=C1OOOOC(=O)O1 BEQKKZICTDFVMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2-methylidenebutanamide Chemical compound NC(=O)C(=C)CCO SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 6-aminohexanoic acid Chemical compound NCCCCCC(O)=O SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- HGTUJZTUQFXBIH-UHFFFAOYSA-N (2,3-dimethyl-3-phenylbutan-2-yl)benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C)(C)C(C)(C)C1=CC=CC=C1 HGTUJZTUQFXBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIUKXJAPPMFGSW-DNGZLQJQSA-N (2S,3S,4S,5R,6R)-6-[(2S,3R,4R,5S,6R)-3-Acetamido-2-[(2S,3S,4R,5R,6R)-6-[(2R,3R,4R,5S,6R)-3-acetamido-2,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-4-yl]oxy-2-carboxy-4,5-dihydroxyoxan-3-yl]oxy-5-hydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-4-yl]oxy-3,4,5-trihydroxyoxane-2-carboxylic acid Chemical compound CC(=O)N[C@H]1[C@H](O)O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](O[C@H]3[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O3)C(O)=O)O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)NC(C)=O)[C@@H](C(O)=O)O1 KIUKXJAPPMFGSW-DNGZLQJQSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYZCALPXKGUGJI-DDVDASKDSA-M (e,3r,5s)-7-[3-(4-fluorophenyl)-2-phenyl-5-propan-2-ylimidazol-4-yl]-3,5-dihydroxyhept-6-enoate Chemical compound C=1C=C(F)C=CC=1N1C(\C=C\[C@@H](O)C[C@@H](O)CC([O-])=O)=C(C(C)C)N=C1C1=CC=CC=C1 ZYZCALPXKGUGJI-DDVDASKDSA-M 0.000 description 1
- JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N (z)-but-2-enedioic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)\C=C/C(O)=O JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N 0.000 description 1
- PYOLJOJPIPCRDP-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CCCC(C)(C)C1 PYOLJOJPIPCRDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXCVRJMSLWDHNJ-UHFFFAOYSA-N 1-(9H-fluoren-1-yl)pyrrolidin-2-one Chemical compound C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)N1C(CCC1)=O KXCVRJMSLWDHNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMBSSXSNDSJXCG-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-hydroxyundecylamino)ethylamino]undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(O)CNCCNCC(O)CCCCCCCCC KMBSSXSNDSJXCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEUZJPHUNWZRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-2-propan-2-ylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1C(C)C AEUZJPHUNWZRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXHBDVTZNMBEW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-hydroxyethoxy)ethanol Chemical compound CCOC(O)COCCO SDXHBDVTZNMBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHKBLALOBMBJLL-UHFFFAOYSA-N 1-hexylperoxyhexane Chemical compound CCCCCCOOCCCCCC ZHKBLALOBMBJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZICEOJUAFHYFO-UHFFFAOYSA-N 1-hydroperoxyhexane Chemical group CCCCCCOO RZICEOJUAFHYFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSFNTCCEZRAFQS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentan-2-yl 2-ethylhexanoate Chemical compound C(C)(C)(CCC)OC(C(CCCC)CC)=O DSFNTCCEZRAFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXDJDZIIPSOZAH-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentan-2-yl benzenecarboperoxoate Chemical compound CCCC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 WXDJDZIIPSOZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound O1CCN=C1C1=CC=CC=C1 ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YASBMYKWWGRXHP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxy-2-methylpropane;3,5,5-trimethylhexanoic acid Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C.OC(=O)CC(C)CC(C)(C)C YASBMYKWWGRXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYLALDOHAAJNFY-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxy-2-methylpropane;propan-2-yl hydrogen carbonate Chemical compound CC(C)OC(O)=O.CC(C)(C)OOC(C)(C)C FYLALDOHAAJNFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPIRYFWCAHUZTB-UHFFFAOYSA-N 3,5,5-trimethyl-1-(3,5,5-trimethylhexylperoxy)hexane Chemical compound CC(C)(C)CC(C)CCOOCCC(C)CC(C)(C)C QPIRYFWCAHUZTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTBPWOVBWKJVPF-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexylperoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COOCC(CC)CCCC WTBPWOVBWKJVPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLWGDCZQSWUXRV-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1h-triazine-2,4-diamine Chemical compound NN1NC(C=C)=CC(N)=N1 ZLWGDCZQSWUXRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C=C LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJADYKTJJGKDX-UHFFFAOYSA-N Butyl pentanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCC OKJADYKTJJGKDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUSVSSFBAYVWCP-UHFFFAOYSA-N C(CO)O.C(C=C)(=O)OC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound C(CO)O.C(C=C)(=O)OC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 GUSVSSFBAYVWCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHTZGYQHYPIQQQ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)OOC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)OOC1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 SHTZGYQHYPIQQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIPVYUFINWTFII-UHFFFAOYSA-N C1C(O1)CC=C(C2=CC=CC3=C2CC4=CC=CC=C43)C(=O)O Chemical compound C1C(O1)CC=C(C2=CC=CC3=C2CC4=CC=CC=C43)C(=O)O HIPVYUFINWTFII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAGOIAYGCAYTRT-UHFFFAOYSA-N CC(CC(C1=CC=CC2=C1CC3=CC=CC=C32)(C4=CC=CC5=C4CC6=CC=CC=C65)OO)(C7=CC=CC8=C7CC9=CC=CC=C98)C1=CC=CC2=C1CC1=CC=CC=C12 Chemical compound CC(CC(C1=CC=CC2=C1CC3=CC=CC=C32)(C4=CC=CC5=C4CC6=CC=CC=C65)OO)(C7=CC=CC8=C7CC9=CC=CC=C98)C1=CC=CC2=C1CC1=CC=CC=C12 DAGOIAYGCAYTRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOCBASBOOFNAJA-UHFFFAOYSA-N N-tris(hydroxymethyl)methyl-2-aminoethanesulfonic acid Chemical compound OCC(CO)(CO)NCCS(O)(=O)=O JOCBASBOOFNAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEFZSDQIHOJQEZ-UHFFFAOYSA-N OCCN(C(C=C)=O)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound OCCN(C(C=C)=O)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 PEFZSDQIHOJQEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Chemical class CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000028354 Vulto-van Silfout-de Vries syndrome Diseases 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N [(1s,3r,4ar,7s,8s,8as)-3-hydroxy-8-[2-[(4r)-4-hydroxy-6-oxooxan-2-yl]ethyl]-7-methyl-1,2,3,4,4a,7,8,8a-octahydronaphthalen-1-yl] (2s)-2-methylbutanoate Chemical compound C([C@H]1[C@@H](C)C=C[C@H]2C[C@@H](O)C[C@@H]([C@H]12)OC(=O)[C@@H](C)CC)CC1C[C@@H](O)CC(=O)O1 LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHGFXGSMYLFWEC-UHFFFAOYSA-N [SiH4].CC(=C)C(O)=O Chemical compound [SiH4].CC(=C)C(O)=O AHGFXGSMYLFWEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDPHAWREMXVRAC-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-aminoacetic acid Chemical compound CC([O-])=O.[NH3+]CC(O)=O YDPHAWREMXVRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 244000245420 ail Species 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.OCCCCO DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQKBKHFGCGFBAF-UHFFFAOYSA-N butyl carboxyoxy carbonate Chemical compound CCCCOC(=O)OOC(O)=O LQKBKHFGCGFBAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006251 butylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- IGBSAAYMSMEDQY-UHFFFAOYSA-N carboxy hydrogen carbonate;2-propan-2-ylperoxypropane Chemical compound OC(=O)OC(O)=O.CC(C)OOC(C)C IGBSAAYMSMEDQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229940127204 compound 29 Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N cyclododecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCC1 DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-M decanoate Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDTLQXYDIRORGP-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethyl-[3-[3-(dimethoxymethylsilyl)propyldisulfanyl]propyl]silane Chemical compound COC(OC)[SiH2]CCCSSCCC[SiH2]C(OC)OC KDTLQXYDIRORGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- WXIXHCWLYVANJA-UHFFFAOYSA-N dioxocane Chemical compound C1CCCOOCC1 WXIXHCWLYVANJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 235000004611 garlic Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- ZNAOFAIBVOMLPV-UHFFFAOYSA-N hexadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C ZNAOFAIBVOMLPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002674 hyaluronan Polymers 0.000 description 1
- 229960003160 hyaluronic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L isophthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC(C([O-])=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N mono-n-propyl amine Natural products CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- JDTXSWGCYBOHDZ-UHFFFAOYSA-N n-(9h-fluoren-1-yl)prop-2-enamide Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(NC(=O)C=C)=CC=C2 JDTXSWGCYBOHDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N pentyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C=C ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002587 poly(1,3-butadiene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005651 polypropylene glycol dimethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LBUSGXDHOHEPQQ-UHFFFAOYSA-N propane-1,1,1-triol Chemical compound CCC(O)(O)O LBUSGXDHOHEPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- DKTKWMAFBNGURD-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-ethylhexyl carbonate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)OC(C)(C)C DKTKWMAFBNGURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKEWCYHGACEYTR-UHFFFAOYSA-N tert-butyl decaneperoxoate Chemical compound CCCCCCCCCC(=O)OOC(C)(C)C WKEWCYHGACEYTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJXKWIFHRZWPET-UHFFFAOYSA-N tert-butyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC(C)(C)C WJXKWIFHRZWPET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- VVKKLYJRUIYBJT-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[3-(3-tributoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCSSSSCCC[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC VVKKLYJRUIYBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyldisulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQRACKNXKKOCJY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(3-trimethoxysilylpropyldisulfanyl)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCSSCCC[Si](OC)(OC)OC NQRACKNXKKOCJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTTSZDBCLAKKAY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(3-trimethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCSSSSCCC[Si](OC)(OC)OC JTTSZDBCLAKKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
- C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/52—Amides or imides
- C08F220/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
- C08F220/58—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-(meth)acryloylmorpholine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
- C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
- C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/12—Unsaturated polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/085—Unsaturated polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
- C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
- C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
- C09J201/025—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing nitrogen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F234/00—Copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a heterocyclic ring
- C08F234/02—Copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a heterocyclic ring in a ring containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/24—Acids; Salts thereof
- C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/14—Peroxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01009—Fluorine [F]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
200536884 九、發明 【發明所屬 本發明係 半導體裝置 【先前技術 半導體製 「黏晶步驟 配置著黏晶 #後將有越形 的晶片黏結 例如,習知 6 0〜9 0分鐘 時,則要求d (例如參照E 再者,隨 械強度較弱
便要求將因 生之半導體 架氧化之低 雖均關聯 另外尚要求 隨半導體製 體製品動作 使熱散逸之 說明: 之技術領域】 關於樹脂組成物及使用該樹脂組成物製作之 造步驟中,在以提升半導體元件黏著,即所謂 生產性」之目的下,便採取有在同一生產線上 機、焊線機等的線内(i η 1 i n e )硬化方式,且今 增加的趨勢。因而相較於習知所採行批次方式 塗劑之硬化條件下,硬化所需時間明顯受限, 烤箱硬化方式之情況下,在1 5 0〜2 0 0 °C中施行 的硬化,但是相對的為線内硬化方式的情況 良1 5 0〜2 0 0 °C中施行1 5〜9 0秒鐘的短時間硬化。 3本專利特開2 0 0 0 - 6 3 4 5 2號公報) 半導體裝置處理速度的高速化,一般係使用機 的晶片表面層,但為降低對晶片表面的應力, 半導體元件與銅框架間的熱膨服係數差之所產 元件翹曲量的最小限化,及要求用於防止銅框 溫硬化。 於上述硬化時間縮短與低温硬化之要求,但是 散熱管理(Thermal Management)。換句話說, 品的大容量、高速處理化及細微配線化,半導 中所發生的熱問題將趨於明顯,從半導體製品 所謂「散熱管理」便越形重要課題。因此,一 6 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 200536884 般雖採行在半導體製品上安裝散熱片、散熱座等散熱構件 的方法等,但是仍期待黏著散熱構件之材料本身熱導率能 更高。
另一方面,隨半導體製品的形態,而有:將半導體元件 本身黏著於金屬製散熱片上、將散熱片黏著於已黏著半導 體元件的引線框架晶粒座部上、及使晶粒座部露出至封裝 表面並疊上散熱板的情況,此外尚有將半導體元件黏著於 具有散熱通道(t h e r m a 1 v i a )等散熱機構的有機基板等的 情況。此情況下,均同樣地對將黏著半導體元件的材料要 求高熱導率。依此對晶片黏結材料或散熱構件黏著用材料 均要求高熱導率,同時亦必須能承受半導體製品搭載於基 板時的迴流處理,且多數情況亦將要求大面積黏著,因而 為了抑制因構成構件間之熱膨脹係數不同所衍生之翹曲等 情況,亦需要兼有低應力性。 但是,在高熱導性黏著劑方面將存在有下述數個問題點 (例如參照曰本專利特開平1 1 - 4 3 5 8 7號公報)。通常,高熱 導性黏著劑係將銀粉、銅粉之類的金屬填料、或氮化鋁、 氮化硼等陶瓷系填料等熱導性微粒子,依高含有率添加於 有機系黏結劑中,但是因為可含有的量將有極限,因而將 有無法獲得高熱導率的情況。此外,含大量溶劑的高熱導 性黏著劑雖硬化物單體的熱導率良好,但是當使用於半導 體製品的狀態時,硬化物中將殘留溶劑、或經溶劑揮發後, 將形成孔洞而有熱導率不穩定的情況。此外,即便在黏著 劑中含有大量的熱導性微粒子,但是因為熱導性微粒子含 7 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 200536884 有率偏高,因而將有低應力性不足的情況。 另一方面,由於因應環保便使用無鉛銲錫作為基板構裝 時的銲錫,故發生需要較使用錫-鉛銲錫時更高迴流溫度的 狀況。隨此種無鉛銲錫的使用,將因為迴流溫度之高溫化 而導致壓力增加,因而於迴流步驟中便容易在半導體製品 中發生剝離甚至龜裂,半導體製品的構成材料便較習知更 加強烈要求更高的迴流对性(高迴流信賴性)。
再者,時下因應環保,半導體製品正朝廢除鉛的方向發 展,在自半導體製品外裝鍍敷的脱鉛化之目的下,將引線 框架的鍍敷改為N i - P d鍍敷的情況已有增加的趨勢。在此 Ni-Pd鍍敷在提升表面Pd層安定性之目的下,便有更於Pd 層上施行薄薄的鍍金(金閃鍍),但是因為N i - P d電鍍本身 的平滑性及表面存在金的關係,相較於通常的鍍銀銅框架 等之下,表面黏著力將降低。因此在提升黏著力之目的下, 雖有採行對N i - P d鍍敷框架表面施行化學性、物理性粗化 方法的情況,但是此種粗化表面經常發生晶片黏結塗劑樹 脂滲出,形成封裝信賴性降低之嚴重問題的肇因。 在與上述諸項問題之關係中,時下主流的環氧樹脂系晶 片黏結塗劑便有使用例如胺系硬化劑等,藉此雖可在6 0 秒程度内便硬化,但是卻無法應付1 5〜3 0秒的超短時間硬 化。 另一方面,若使用順丁烯二醯亞胺等具醯亞胺鍵結的化 合物,在與金屬間的密接性將特別獲得改善者,係在諸如 下述文獻等之中便有揭示。該等文獻即如:日本專利特表平 8 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 1 0 - 5 0 5 5 9 9號公報、特表2 0 0 0 - 5 1 4 4 9 6號公報、特表 2 Ο Ο 1 - 5 Ο 1 2 3 Ο號公報、特開平Η - 1 Ο 6 4 5 5號公報、特開 2 Ο Ο 1 - 2 6 1 9 3 9號公報及特開2 Ο Ο 2 - 2 Ο 7 2 1號公報。但是,醯 亞胺化合物的極性較高,當單獨使用的情況時,將存在硬 化物吸水率提高,導致吸濕後的硬化物特性惡化等缺點。 此外,即使合併使用其他成分時,為能均勻的混合,仍需 要添加高極性成分,該等添加成分亦如同上述將導致吸濕 後的硬化物特性惡化,特別係就從對N i - P d鍍敷框架等難 黏著性表面的密接性、與可承受因改變為無船銲錫而迴流 溫度上升所衍生應力增加的低應力性及耐濕性等觀點而言 將無法滿足。
再者,雖期盼較習知所使用之晶片黏結塗劑(例如參照 日本專利特開2 0 0 0 - 2 7 3 3 2 6號公報),對N i - P d鍍敷框架的 黏著性更優越、對彈性率低之低應力性優越、且不致發生 樹脂滲出的材料,可是截至目前尚未出現能滿足的化合物。 【發明内容】 (發明所欲解決之問題) 本發明係經考慮上述實情之後而完成者,其第1目的在 於提供一種速硬化優越,且亦可應付習知所採取的烤箱硬 化之樹脂組成物,及將該樹脂組成物使用作為半導體用晶 片黏結材料時,耐焊接龜裂性等的信賴性均優越之半導體 裝置。 再者,本發明第2目的在於提供一種具充分的低應力性 且顯示良好黏著性,尤其是更顯示出優越滲出性的樹脂組 9 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 200536884 成物,及當將該樹脂組成物使用為半導體用晶片黏結材 料、或散熱構件黏著用材料時,信賴性優越的半導體裝置。 (解決問題之手段) 上述本發明目的係藉由至少含有填充材(A )、下述化合 物(B )及熱自由基起始劑(C ),且實質未含有光聚合起始劑 的樹脂組成物而達成,而藉由使用該樹脂組成物便可獲得 高信賴性的半導體裝置。 化合物(B ):
主鏈骨架含有下述一般式(1)所示構造,且至少具有1 個下述一般式(2 )所示之官能基的化合物 —(-X1—R1-)— ⑴ (上述式中,X 1係指-0 -、- C 0 0 -或一 0 C 0 0 -; R 1係指碳數 1〜6碳氫基;m係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示 之部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) C0 • R\ /N—R3—C0°——(2}
CO (上述式中,R2係指-C 2 H 2 -或-C 3 H 4 - ; R 3係指碳數1〜1 1 碳氫基。相同符號所示之部分係當式中含有2個以上時, 該等可為相同亦可為互異。) 上述化合物(B )中,特別以下述一般式(3 )所示之雙順丁 稀二醢亞胺(m a 1 e i m i d e )化合物(B ’)為特佳的化合物。 雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’): 10 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 CH-II4 CR4
歲 -C(T R5—COO-R6-( X2-R6*)^—〇CO-R5—N: ,C0 、C0 CHII4 CR4 (3) (上述式中,X 2係指-0 _、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R4係指氫原 子或曱基;R 5係指碳數1〜1 1之碳氫基;R 6係指碳數3〜6 之碳氫基;η係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互異。)
上述本發明的樹脂組成物係含有上述填充材(A )、上述 化合物(B )及上述熱自由基起始劑(C )作為必要成分,同時 可更附加其他任意成分。此種必要成分與任意成分的組合 中,特別以第1至第6之組成物系為佳。 (1 )第1組成物系 第1組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )及下述化合物(D ),且實質 未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物(D ): 化合物(D )係指主鏈骨架含有一般式(4 )所示構造,且至 少含有1個具可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合 物。 —(-X3—R7-)— ⑷ (上述式中,X 3係指-0 -、- C 0 0 -或_ 0 C 0 0 - ; R 7係指碳數 3〜6之碳氫基。p係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) 11 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 (2 )第2組成物系 第2組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C)、上述第1組成物系所使 用的化合物(D )、及下述化合物(L )與下述化合物(Μ )的組 合,且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物(L ): 化合物(L )係主鏈骨架含有一般式(1 1 )所示之構造,且 至少具有1個縮水甘油基的化合物。
—(-Χ7—R15}^ (11) (上述式中,X7係指一ο- 、 一C00 -或一0C00—; R 15係指碳數 3〜6之碳氫基。u係2以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) 化合物(Μ ): 化合物(Μ )係具有能與上述化合物(L )之縮水甘油基反 應之官能基的化合物。 (3 )第3組成物系 第3組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、及下述丙烯酸酯化合物 (E ),且實質未含光聚合起始劑的組成物系。 丙稀酸酯化合物(E ): 丙烤酸酯化合物(E )係指下述一般式(5 )所示之化合物。 12 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 (5) 200536884 (Η),
CH2—*C-C-0-CH?7— C-OH
II h I 0 (R9)7 (上述式中,R 8係指氫原子或曱基;R9係指碳數1〜3之 碳氫基。X、y、z 係符合(x + y + z) = 3、1SxS3、0SyS2、 0 $ z $ 2。相同符號所示部分係當式中含有2個以上時,該 等可為相同亦可為互異。) (4 )第4組成物系
第4組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C)、及下述丙烯醯胺化合物 (F ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 丙烯醯胺化合物(F ): 丙烯醯胺化合物(F )係指主鏈骨架含有一般式(6 )所示 之構造,且至少具有1個一般式(7 )所示之官能基的化合 物。
—(X4—R10}^ (6) CH2=CR11—CONH—— ⑺ (上述2個式中,X4係指_0-、-C00-或- 0C00- ; RIQ係指 碳數3〜6之碳氫基;R11係指氫原子或曱基。r係1以上且 5 0以下的整數。相同符號所示部分係當式中含有2個以上 時,該等可為相同亦可為互異。) (5 )第5組成物系 第5組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B)、上述熱自由基起始劑(C)、及下述稀丙酯化合物 13 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 200536884 (G ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 稀丙酯化合物(G ) 烯丙酯化合物(G )係指至少具有1個一般式(8 )所示之官 能基的化合物。 CH2=CH——CH2——0C0——R12— ⑻ (上述式中,R 12係指碳數2〜8之碳氫基。) (6 )第6組成物系 第6組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 Φ 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、下述化合物(Η )、及反應 性稀釋劑(I ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 化合物(Η ): 化合物(Η )係指數平均分子量5 0 0〜5 0 0 0,且1分子内至 少具有1個碳-碳不飽和鍵之碳氫化合物衍生物,並在改質 處含有一般式(10)所示之構造,且至少具有1個可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物。
fx6—Ru)^- (10) (上述式中,X6係指-0 —、 - C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 14係指碳數 3〜6之碳氫基。t係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) (發明效果) 本發明的樹脂組成物,特別係指屬於上述第1至第6組 成物系者,當使用作為半導體元件的黏著劑時,黏著強度、 速硬化性、耐濕性及低應力性均優越,且亦可因應烤箱硬 14 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 化,特別係銅引線框架與半導體元件的黏著性優越。此外, 所獲得之半導體裝置的耐焊接龜裂性亦優越。結果便可獲 得高信賴性的半導體裝置。 再者,本發明樹脂組成物中之第3組成物系,顯示出良 好低應力性、良好黏著性,同時具優越滲出性,因此藉由 將該樹脂組成物使用作為半導體用晶片黏結材料、散熱構 件黏著用材料、或散熱座構件用黏結材料,便可獲得信賴 性優越的半導體裝置。
【實施方式】 以下,針對本發明進行詳細説明。另外,本發明中,所 謂「(甲基)丙烯基」係指丙烯基及/或曱基丙烯基,所謂「(曱 基)丙烯醯基」係指丙烯醯基及/或曱基丙烯醯基。 依照本發明,將提供非常適用作為半導體元件或散熱構 件用之黏著劑的樹脂組成物,該樹脂組成物的特徵在於至 少包含有填充材(A )、下述化合物(B )、及熱自由基起始劑 (C ),且實質未含有光聚合起始劑。 化合物(B ): 主鏈骨架含有下述一般式(1)所示之構造,且至少具有1 個下述一般式(2 )所示之官能基的化合物 —fx1—R1-)— ⑴ x f nt (上述式中,X1係指-ο-、- C00 -或-0C00- ; R1係指碳數 1〜6之碳氫基;Π1係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異 15 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884
CO f〈—R3—COO——(2)
CO (上述式中,R2係指-C 2 H 2 -或-C 3 H 4 ; R 3係指碳數1〜1 1 之碳氫基。相同符號所示部分係當式中含有2個以上時, 該等可為相同亦可為互異。) 本發明所使用的填充材(A )大多使用銀粉,其含有量通 常在樹脂組成物中佔7 0〜9 5重量%。填充材(A )係除此之 外,尚可使用如金粉、銅粉、鎳粉、鈀粉、氮化鋁、氮化 Φ 硼、碳酸鈣、二氧化矽、氧化鋁等。 當使用銀粉時,通常可使用市售電子材料用之銀粉 (A )。此種銀粉可取得還原粉、喷霧粉等,較佳粒徑為平均 粒徑1〜3 0 # πι。其係因為若平均粒徑小於此範圍,樹脂組 成物黏度將過高,反之,若大於此範圍,在配料時將成為 導致噴嘴阻塞之肇因。因為電子材料用以外的銀粉中,將 有離子性不純物量較多的情況,因此在材料的採用方面必 須注意。銀粉最好為銀之含有率在9 0重量%以上。若銀含
有率達9 0重量%以上,即便與其他金屬的合金仍可使用, 但是若銀含有率低於此數值時,因為熱導率將降低而不 佳。形狀可為薄片狀、球狀等,並無特別限制,但是最好 使用薄片狀,通常在樹脂組成物中含有7 0〜9 5重量%。理由 係當銀粉比率低於此數值時,熱導性將惡化,視情況所需 要之電導性亦將惡化,反之,若高於此數值時樹脂組成物 黏度將過高。 在本發明所使用的主鏈骨架含有一般式(1 )所示構造, 16 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 且至少具有1個一般式(2 )所示之官能基的化合物(B )中, 主鏈骨架中的重複單元所含碳氫基R1最好未含芳香族 環。此外,此碳氫基R1的碳數若為1〜6的話便可,最好限 定於3〜6範圍内。藉由將碳氫基R1的碳數設定在3以上, 便可阻止硬化物的吸水特性惡化,且在P C T (高壓蒸煮測試) 等嚴苛的吸水條件下,黏著力等特性不易發生惡化。另一 方面,之所以將此碳數設定在6以下的理由是當大於此數 目時,樹脂的疏水性將過強,造成對銅等容易遭受氧化之 金屬表面等的黏著力惡化。尤以碳數3或4的碳氫基為較 佳。 再者,此重複單元中符號X1所示部分係含有-o-'-coo-或-0 C 0 0 -,該等係為發揮硬化物的柔軟性而所需要的,且 為提升對原材料的液狀或其他成分的溶解性而所需要的。 符號X1所示部分最好為-0 -(醚鍵)。 再者,重複次數m係若為1〜5 0的話便可。但是,當此 重複次數m為1的情況時,因為將可能有無法發揮標的硬 化物柔軟性的情況,因而最好在2以上。反之,若此重複 次數m大於5 0,黏度將過高而不利於實用。在此,若重複 單位滿足上述條件,亦可使用此種重複單元2種以上、或 使用與其他成分的共聚物。 再者,一般式(2 )所示官能基係屬於特別對鍍銀、鎳/鍍 鈀之類金屬鍍敷表面,發揮良好黏著力而所必要的,最好 1分子内含有2個。 此官能基中所含之碳氫基R2最好為-C 2 Η 2 _。此外,此官 17 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/9410803 3 200536884 能基中所含之碳氫基R3最好未含芳香族環,其碳數為 1〜5,特別以-C Η 2 -為佳。 上述化合物(Β )中,特別以下述一般式(3 )所示之雙順丁 烤二St亞胺化合物(Β ’)為較佳的化合物。 雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’): CH l CH——CO、 / n /C0
II —R5——COO——R6—[X2——R6^0C0——R5——NCT CR4—C0X ^C〇 C3)
(上述式中,X2係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R4係指氫原 子或曱基;R5係指碳數1〜1 1之碳氫基;R 6係指碳數3〜6 之碳氫基;η係1以上且5 0以下的整數。相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互異。) 此雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)係即便調配填充材 (A ),其中特別係銀粉,仍可顯示良好流動性,且可獲得良 好黏著性。雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’)中含有作為官能 基之順丁烯二醯亞胺基或其衍生物,此藉由與後述熱自由 基起始劑(C ) 一起使用,在加熱下將可顯示出良好反應性, 且利用醯亞胺環所具有的極性,即便對如鍍銀、N i - P d鍍 敷般之難黏著性金屬表面,仍可顯示出良好的黏著性。 再者,雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’)係在1分子内具有 2個官能基,此係經考量當為1官能的情況時,所期待的 黏著力提升效果將嫌不足,反之,當為3官能以上的情況 時,因為分子量將增加,而提高黏度並導致樹脂組成物高 黏度化的理由後才決定的。 18 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884
習知2官能之順丁烯二醯亞胺化合物已知有以芳香族胺 為原料者,但是一般因為芳香族系之順丁烯二醯亞胺的結 晶性偏高,因而在室溫下頗難獲得液狀。況且,此種順丁 烯二醯亞胺化合物可溶於二曱基曱醯胺、N -曱基吡咯烷酮 之類的高沸點極性溶劑中,當使用此種溶劑的情況下,於 樹脂組成物加熱硬化之際將發生孔洞,導致熱導性惡化, 因而並無法使用。因為上述雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’) 在室溫下呈液狀,因而不需要使用溶劑,即便需要稀釋的 情況時,仍與一般所使用之液狀乙烯基化合物呈現良好親 和性,因而可利用液狀乙烯基化合物進行稀釋。其中,具(甲 基)丙烯醯基的乙烯基化合物,因為可與雙順丁烯二醯亞胺 化合物(B ’)共聚合,因而頗適合使用為稀釋劑。 上述雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’)中,一般式(3 )的R5 若為碳數1〜1 1之碳氫基的話便可,最好為未含芳香接環 者。此外,最好為碳數1〜5的碳氫基。若碳數在6以上, 因為結晶性變高,因而將有無法使用的情況。最好R5的碳 數為1或5,特別以碳數1為佳。 一般式(3 )的R 6係碳數3〜6的碳氫基,最好未含芳香族 環。若碳數少於此數值,吸水特性將惡化,在PCT等嚴苛 的吸水條件下將發生黏著力等特性惡化的情況,反之,當 大於此數值的情況時,樹脂組成物的疏水性將過強,對銅 等較容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力將惡化,且結晶 性變高,因而均無法使用。尤以碳數3或4為佳。 再者,一般式(3)的X2係含有-0-、-C00 -或-0C00 -基, 19 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
200536884 此乃為發揮硬化物之柔軟性而所需要的,且作為原材 形成液狀、或提升對其他成分的溶解性而所必備的。 之中最好X2為-0 -的情況。 再者,一般式(3 )中所含之重複單元的重複次數η ' 定在5 0以下。若此重複次數η多於5 0,黏度將過高 利於實用。在此,若重複單位滿足上述條件的話,則 重複單元亦可使用2種以上、或使用與其他成分的共$ 此種化合物可藉由將具有胺基與羧基的化合物,且 基與羧基間具有碳數1〜5之碳氫基的化合物(即,乙胺 丙胺酸、胺基己酸等胺基酸),與順丁烯二酸酐或其衍 進行反應,而合成順丁烯二醯亞胺化胺基酸,再將其 氧化伸烷二醇、聚伸烷酯二醇等進行反應便可獲得。 本發明中供上述化合物(Β)與後述其他聚合性成分, 反應起始劑,係使用熱自由基起始劑(C)。通常僅要屬 使用為熱自由基聚合起始劑的便可,其餘並無特別的 制,最好為急速加熱試驗(將試料1 g放置於電熱板上 依4 °C /分昇溫時的開始分解溫度)的分解溫度為4 0〜1 °C。若分解溫度未滿4 0 °C,樹脂組成物在常溫中的保 將變差劣,反之若超過1 4 0 °C,硬化時間則變為極端i也 因而不佳。 滿足此種要求之熱自由基聚合起始劑的具體例,可 如:過氧化曱乙酮、曱基過氧化環己酮、過氧化乙醯乙 酯、乙醯基過氧化丙酮、1,1-雙(過氧化第三丁基3, 三曱基環己烷、1,1_雙(過氧化第三己基)環己烷、1, 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 料而 該等 糸設 將不 此種 ί物。 在胺 酸、 生物 與聚 月的 於可 限 ,並 40 存性 長, 舉例 酸甲 3,5-1 -雙 20 200536884
(過氧化第三己基)3,3, 5 -三甲基環己烷、1,1-雙(過氧化第 三丁基)環己烷、2, 2-雙(4, 4-二過氧化第三丁基環己基) 丙烷、1,1_雙(過氧化第三丁基)環十二烷、4, 4 -雙(過氧化 第三丁基)戊酸正丁酯' 2, 2-雙(過氧化第三丁基)丁烷、 1,1-雙(過氧化第三丁基)-2-曱基環己烷、第三丁基過氧化 氫、P -曱烷過氧化氫、1,1,3,3-四曱基丁基過氧化氫、第 三己基過氧化氫、過氧化二異丙苯、2, 5-二曱基_2, 5-雙(過 氧化第三丁基)己烷、α,α’-雙(過氧化第三丁基)二異丙 基苯、第三丁基過氧化異丙苯、二第三丁基過氧化物、2,5-二曱基-2 ,5 -雙(過氧化第三丁基)己炔-3、過氧化異丁醯、 3,5,5 -三曱基過氧化己醯、過氧化己醯、過氧化月桂醯、 過氧化肉桂酸、過氧化間甲苯醯、過氧化苯甲醯、二碳酸 過氧化二異丙酯、雙(4 -第三丁基環己基)過氧化二碳酸 酯、二碳酸二-3 -曱氧基過氧化丁酯、二碳酸二-2-乙基過 氧化己酯、二碳酸二第二過氧化丁酯、過氧化二碳酸二(3 -曱基-3-曱氧基丁基)酯、二碳酸過氧化二(4 -第三丁基環己 基)酯、α,α’-雙(過氧化新癸醯基)二異丙基苯、新癸酸 過氧化異丙苯酯、新癸酸1,1,3,3 -四曱基過氧化丁酯、新 癸酸1 -環己基-1 -曱基過氧化乙酯、新癸酸過氧化第三己 酯、新癸酸過氧化第三丁酯、三曱基乙酸過氧化第三己酯、 三曱基乙酸過氧化第三丁酯、2, 5 -二曱基_2, 5 -雙(2 -乙基 過氧化己醯基)己烷、2 -乙基己酸1,1,3. 3 -四曱基過氧化 丁酯、2-乙基己酸1-環己基-1-甲基過氧化乙酯、2 -乙基 己酸過氧化第三己酯、2 -乙基己酸過氧化第三丁酯、異丁 21 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/9410803 3 200536884 酸過氧化第三丁酯、順丁烯二酸過氧化第三丁酯、月桂酸 過氧化第三丁酯、3, 5, 5 -三曱基己酸過氧化第三丁酯、異 丙基單碳酸過氧化第三丁酯、2 -乙基己基單碳酸過氧化第 三丁酯、2, 5 -二曱基-2, 5 -雙(過氧化苯曱醯基)己烷、醋酸 過氧化第三丁酯、苯曱酸過氧化第三己酯、鄰曱苯醯基苯 曱酸過氧化第三丁酯、苯甲酸過氧化第三丁酯、間苯二甲 酸雙(過氧化第三丁基)酯、烯丙基單碳酸過氧化第三丁 酯、3, 3’,4, 4’-四(過氧化第三丁基羰基)二苯甲酮等。
該等可單獨使用,或為控制硬化性而混合使用2種以上。 雖無特別的限制,但是最好熱自由基起始劑(C )在樹脂 組成物中含有0.001〜2重量%。 本發明的樹脂組成物因為通常在日光燈等照明下使 用,因而若含光聚合起始劑的話,在使用中將因反應而觀 察到黏度上昇情況,因而實質上不可含有光聚合起始劑。 所謂「實質上」係指在未觀察到黏度上昇之程度下可存在 微量光聚合起始劑,且最好為未含有。 本發明的樹脂組成物係藉由含有上述填充材(A )、上述 化合物(B )及熱自由基起始劑(C ),且含有從下述化合物 (D )、下述丙烯酸酯化合物(E)、下述丙烯醯胺化合物(F )、 下述烯丙酯化合物(G)、下述化合物(H)中至少選擇其中1 種,便可獲得更良好的黏著性能與硬化後物性,例如提升 速硬化性、密接性、迴流而ί性、低應力性、滲出性、或其 他特性中之1種特性或2種以上特性。 該等化合物(D )〜(Η )係如同上述化合物(Β ),利用熱自由 22 312ΧΡ/發明說明補件)/94-07/94108033 200536884 基起始劑便可開始進行自由基聚合反應,且屬於能與上述 化合物(B )共聚合的成分。 本發明所使用的化合物(D )係指主鏈骨架含有一般式(4 ) 所示構造,且為至少含有1個具可聚合之碳-碳不飽和鍵結 之官能基的化合物。 —f-x3—R7^- ⑷ (上述式中,X3係指-0-、-C00 -或-0C00- ; R7係指碳數 3〜6之碳氫基。p係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 Φ 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) 上述化合物(D)係主鏈骨架中之重複單元(X3-R7)所含碳 氫基R7之碳數為限定於3〜6,理由是當碳數少於此數值 時,硬化物的吸水特性將惡化,在PCT等嚴苛的吸水條件 下將發生黏著力等特性惡化的情況,反之若碳數大於此數 值時,樹脂的疏水性將過強,造成對銅等容易遭受氧化之 金屬表面等的黏著力惡化。
再者,重複單元(X3 - R7)中符號X3所示部分係含有-0 -、 一 C 0 0 -或一 0 C 0 0 -中任一種鍵結,此係為發揮硬化之物柔軟性 及足夠黏著力而所必備的。 再者,若重複次數P大於50,黏度將過高而不符實用。 在此若重複單位滿足上述條件的話,此種重複單元亦可使 用2種以上、或使用與其他成分的共聚物。 具有可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基可舉例如:(曱 基)丙烯醯基或乙烯基等,但是並不僅限於該等,亦可合併 23 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 使用複數種。此外,化合物(D)最好在1分子内具有2個以 上的碳-碳不飽和鍵結。 上述丙烯酸酯化合物(E )係指下述一般式(5 )所示化合 物〇 f (H)y (5) ,_! ·\ i
CH2=C-C-0-CH2)C-OH 、丨I 1 0 (r9)z
(上述式中,R8係指氫原子或甲基;R9係指碳數1〜3之 碳氫基(最好為烧基)。X、y、z係符合(x + y + z) = 3、 3、0 S y S 2、0 S z S 2。相同符號所示部分係當式中含有2 個以上時,該等可為相同亦可為互異。) 一般單(曱基)丙烯酸酯、二(曱基)丙烯酸酯等低黏度丙 烤酸酯化合物,係使用作為反應性稀釋劑,但是藉由使用 一般式(5 )所示之丙稀酸酯化合物(E ),便可顯示出良好的 黏著性與優越的滲出性。 所謂「滲出」係指當將樹脂組成物塗布於引線框架等受 黏物時、或在加熱硬化中時,樹脂組成物的樹脂成分拓散 於受黏物表面的現象,而通常滲出將形成接地連續性 (g r 〇 u n d b ο n d )(由半導體元件對晶粒座的線焊)不良的肇 因,且亦將使密封材料對晶粒座的黏著力降低而導致剝離 的原因,或者形成龜裂的肇因,因而屬不佳現象。在此所 謂「滲出性優越」係指未發生滲出現象,亦即係指不易引 發如上述問題。特別佳的化合物係指一般式(5 )所示之化合 物(E)中,R8為曱基、R9為曱基、且x = l、y二1、z = l的化 24 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
200536884 合物,或者R8為曱基、且x = 2、y = l、z = 0白勺化合物。 本發明所使用的丙烯醯胺化合物(F )係指主鏈骨架 一般式(6 )所示構造,且至少具有1個一般式(7 )所示 能基的化合物。 —(X4—R]0}j- (6) CH2=CRn—CONH- (7) (上述2個式中,X4係指-0-、-C00 -或- 0C00-; R10 碳數3〜6之碳氫基;R11係指氫原子或曱基。r係1以 Φ 5 0以下的整數。相同符號所示部分係當式中含有2個 時,該等可為相同亦可為互異。) 上述丙烯醯胺化合物(F )係主鏈骨架中之重複單元 (X 4 - R 1 °)所含之碳氫基R 1 °碳數限定於3〜6,最好限定 或4,理由是當碳數少於此數值時,硬化物的吸水特 惡化,在PCT等嚴苛的吸水條件下將發生黏著力等特 化的情況,反之若碳數大於此數值時,樹脂的疏水性 強,造成對銅等容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力^ 再者,重複單元(X4 - R 1 °)中符號X4所示部分係含有 - C00 -或- 0C00 -中任一種鍵結,最好含有-〇-,理由是 發揮硬化物的柔軟性而所必要的,且為提升作為原材 液狀或其他成分的溶解性而所必要的。 再者,若重複次數r大於5 0,黏度將過高而頗不利 用。在此若重複單位滿足上述條件的話,此種重複單 可使用2種以上,或使用與其他成分的共聚物。 再者,一般式(7 )所示官能基係特別為對如鍵銀、d 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 含有 之官 係指 上且 以上 為3 性將 性惡 將過 !化。 一 〇 一、 其為 料的 於實 元亦 I /鈀 25 200536884 鍍敷之類金屬鍍敷表面,發揮良好黏著力而所必要的,最 好1分子内含有2個。 上述丙烯醯胺化合物(F )可舉例如:使二末端具有羥 基、且重複單位為從環氧丙烷、四曱醛、環氧丁烷中至少 選擇1種、分子量為3 0 0〜2 5 0 0的化合物,與琥珀酸酐等二 鹼酸酐進行反應後,再與2 -羥基乙基(曱基)丙烯醯胺等具 經基,的(甲基)丙稀醯胺進行反應,而所獲得的化合物。 本發明所使用的烯丙酯化合物(G )係指至少具有1個一 ^ 般式(8 )所示官能基的化合物。 CH2=CH—CH2——OCO——R12— ⑻ (上述式中,R 12係指碳數2〜8之碳氫基。) 具有此一般式(8 )所示官能基的烯丙酯化合物(G ),係能 與具有上述一般式(2)所示之官能基的化合物(B)共聚合, 且硬化物的黏著性與低應力性的均衡優越。
一般式(8 )所示官能基的數量,就從硬化性觀點而言, 必須1分子内至少有1個,尤以1分子内含有2個以上為 佳。此官能基中所含的符號R 12係指碳數2〜8的碳氫基, 可為脂肪鏈、脂環式、芳香族環中任一者,就從黏著性觀 點而言,最好未含芳香族環。 特別係當硬化物要求低應力性的情況時,最好分子骨架 中含有下述一般式(9)所示構造。 —f-X5—R13)S- (9) (上述式中,X5係指-0-、-C00-或-0C00- ; R13係指碳數 3〜6之碳氫基。s係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 26 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互
一般式(9 )所示骨架中所含的符號R 13係碳數3〜6之碳氫 基,若碳數少於此數值,將變為易吸水,反之較多的情況 時,疏水性將過強而導致黏著力惡化,因而不佳。 再者,重複次數s係1以上、5 0以下的整數,若多於 5 0的情況時,分子量將過大將成為黏度上昇的肇因,就作 業性觀點而言為不佳。而以碳數3〜4且重複次數2〜2 0為佳。
本發明所使用的上述化合物(Η )係指數平均分子量5 0 0〜 5 0 0 0,且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化 合物衍生物,並在改質處含有一般式(1 0 )所示構造,且至 少具有1個可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物。
(10) (上述式中,X 6係指- 0 -、- C 0 0 -或- 0 C 0 0 -; R 14係指碳數 3〜6之碳氫基。t係1以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) 上述化合物(Η )中,最好上述一般式(1 0 )所示構造的X 6 為- 0 _ 〇 再者,由上述化合物(Η)所衍生,且1分子内至少具有1 個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物,最好為丁二烯聚合物。 由上述化合物(Η )所衍生,且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物,最好為異戊二烯聚合物。 上述化合物(Η )之可聚合碳-碳不飽和鍵結,最好為(曱 27 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 基)丙烯醯基。
上述化合物(Η )係下述第1成分與第2成分的反應物; 該第1成分係例如具有羥基、羧基、縮水甘油基等的聚異 戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合物之單聚物或二烯系化合 物,與苯乙烯等的共聚物等;該第2成分係具有能與上述 聚合物之經基、敌基、縮水甘油基等產生反應的官能基, 及具有可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基,以及具有與上述 化合物(Β )所含重複單位(X 1 - R 1 )相同的重複單位的化合 物。其中,第2成分所含之具有可聚合碳-碳不飽和鍵結的 官能基,可例示如:(甲基)丙烯醯基、乙烯基或上述式(2 ) 所示官能基。因為化合物(Η )的數平均分子量小於5 0 0時, 將無法發揮所期待的柔軟性因而不佳,反之當大於5 0 0 0 時,黏度將過高而不利於實用。 再者,聚異戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合物的單聚物 或二烯系化合物,與苯乙烯等的共聚物等,係為發揮硬化 物之柔軟性而所必備的,若在未使該等化合物產生改質的 情況下使用時,在與化合物(Β )或稀釋劑等之間的相溶性將 不良,在硬化中將發生相分離。所以,在本發明中,便藉 由使第1成分(係例如具有羥基、羧基、縮水甘油基等的聚 異戊二烯、聚丁二烯等二烯系化合物之單聚物或二烯系化 合物,與苯乙烯等的共聚物等)、與第2成分(係具有能與 上述聚合物之羥基、羧基、縮水甘油基等產生反應的官能 基,且具有可聚合碳-碳不飽和鍵結之官能基,以及具有與 上述化合物(Β )所含重複單位為相同重複單位的化合物), 28 3 12ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 進行反應而改質,便可提升整體系統的均句性,且將隨反 應而被取入於硬化物中,不管施行急速反應或利用烤箱等 花費時間施行反應,均可提供具類似形態的硬化物。 具體而言可使用如下述的改質物。該等改質物可單獨使 用亦可合併使用。 (1 )使具有羥基的聚丁二烯、與和羥基等莫耳的環己烷 四魏酸二酐進行反應後,再與末端具經基的聚四亞曱基乙 二醇曱基丙烯酸酯進行半酯化的化合物
(2 )使順丁烯二酸化聚丁二烯、與和順丁烯二酸殘基等 莫耳的六亞曱基二胺進行反應後,再與順丁烯二酸酐進行 反應而脱水環化的化合物 (3 )順丁烯二酸化聚丁二烯、與具有和順丁烯二酸殘基 等莫耳羥基之聚四亞曱基乙二醇曱基丙烯酸酯的半酯化化 合物 (4)末端具有羧基的聚丁二烯、與聚四亞甲基乙二醇曱 基丙稀酸S旨的酉旨化化合物 本發明亦可在樹脂組成物中添加反應性稀釋劑(I )。化 合物(B )的稀釋劑可使用液狀之乙烯基化合物。就從與化合 物(B )之一般式(2 )所示官能基的共聚合性觀點而言,液狀 之乙烯基化合物最好為具有(曱基)丙烯醯基的化合物。 此種化合物可從例如:脂環式(曱基)丙烯酸酯、脂肪族 (曱基)丙烯酸酯、芳香族(曱基)丙烯酸酯、脂肪族二羧酸 (曱基)丙烯酸酯、芳香族二羧酸(曱基)丙烯酸酯等之中, 選擇使用1種或複數種,而當樹脂組成物含有上述化合物 29 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 (E )的情況時,最好與該等化合物(E )的調配量為相同程度 或較少。 此種一般的反應性稀釋劑可例示如下述的化合物。例 如:(曱基)丙烯酸曱酷、(曱基)丙烯酸乙S旨、(曱基)丙烯酸 正丁酯、(曱基)丙烯酸異丁酯、(曱基)丙烯酸第三丁酯、(曱 基)丙烯酸異癸酯、(曱基)丙烯酸月桂酯、(曱基)丙烯酸十 三(烷)酯、(曱基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(曱 基)丙烯酸異戊酯、(曱基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸 Φ 廿二烷酯、(曱基)丙烯酸2 -乙基己酯、其他的(曱基)丙烯 酸烷酯、(曱基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸第三丁基環 己S旨、(曱基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(曱基) 丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(曱基)丙烯 酸縮水甘油酯、三羥曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、單(曱基) 丙烯酸鋅、二(曱基)丙烯酸鋅、(甲基)丙烯酸二曱胺基乙 S旨、(曱基)丙烯酸二乙胺基乙酯、新戊二醇(曱基)丙烯酸 • S旨、三氟(曱基)丙烯酸乙酯、(曱基)丙烯酸2, 2, 3, 3 -四氟 丙酯、(曱基)丙烯酸2, 2, 3, 3, 4, 4_六氟丁酯、(甲基)丙烯 酸全氟辛酯、(曱基)丙烯酸全氟辛基乙酯、乙二醇二(曱基) 丙烯酸酯、丙二醇二(曱基)丙烯酸酯、1,4 -丁二醇二(曱基) 丙烯酸酯、1,6 -己二醇二(曱基)丙烯酸酯、1,9 -壬二醇二 (曱基)丙烯酸酯、1,3 -丁二醇二(曱基)丙烯酸酯、1,10 -癸二醇二(曱基)丙烯酸酯、四亞曱基乙二醇單(甲基)丙烯 酸酯、四亞曱基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(曱基)丙烯酸 甲氧基乙酯、(曱基)丙烯酸丁氧基乙酯、乙氧基二乙二醇 30 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 (曱基)丙烯酸酯、曱氧基聚伸烷二醇單(曱基)丙烯酸酯、 辛氧基聚伸烷二醇單(曱基)丙烯酸酯、月桂醯氧基聚伸烷 二醇單(曱基)丙烯酸酯、硬脂醯氧基聚伸烷二醇單(曱基) 丙烯酸酯、烯丙氧基聚伸烷二醇單(曱基)丙烯酸酯、壬基 苯氧基聚伸烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、Ν,Ν’ -亞甲基雙(曱 基)丙烯醯胺、Ν,Ν’ -亞乙基雙(甲基)丙烯醯胺、1,2-二(曱 基)丙烯醯胺乙二醇、二(甲基)丙烯醯氧基曱基三環癸烷、 2 -(甲基)丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-(曱基)丙烯醯氧基乙 Φ 基六氫鄰苯二曱酸、2-(曱基)丙烯醯氧基乙基、Ν-(曱基) 丙烯醯氧基乙基順丁烯二醯亞胺、Ν-(甲基)丙烯醯氧基乙 基六氫鄰苯二曱醯亞胺、Ν-(曱基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二 甲醯亞胺。
本發明在以獲得良好黏著性之目的下,亦可使用矽烷系 偶合劑(J )。其中,具S - S鍵的矽烷偶合劑若與銀粉(A ) — 起使用的話,不僅將提升與受黏物間的黏著力,且因為將 與銀粉進行反應,因而亦將提升樹脂組成物硬化物的凝聚 力,將可獲得特別優越的黏著性,所以屬較佳狀況。 此種具S - S鍵的矽烷偶合劑可舉例如.·雙(三甲氧基矽烷 基丙基)四硫、雙(三乙氧基石夕烧基丙基)四硫&$、雙(三 丁氧基矽烷基丙基)四硫醚、雙(二曱氧基曱基矽烷基丙基) 四硫醚、雙(二乙氧基曱基矽烷基丙基)四硫醚、雙(二丁氧 基曱基矽烷基丙基)四硫醚、雙(三曱氧基矽烷基丙基)二硫 醚、雙(三乙氧基矽烷基丙基)二硫醚、雙(三丁氧基矽烷基 丙基)二硫醚、雙(二曱氧基甲基矽烷基丙基)二硫醚、雙(二 31 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94] 08033 200536884 乙氧基甲基矽烷基丙基)二硫醚、雙(二丁氧基曱基矽烷基 丙基)二硫醚等。 再者,最好具s - s鍵的矽烷偶合劑與含縮水甘油基之矽 烧偶合劑一起使用。含縮水甘油基碎烧偶合劑可舉例 如:2 - ( 3 , 4 -環氧環己基)乙基三曱氧基矽烷、3 -環氧丙氧基 丙基三曱氧基矽烷、3 -環氧丙氧基丙基曱基二乙氧基矽 烷、3 -環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等。
本發明亦可除上述含縮水甘油基矽烷偶合劑以外,更將 含縮水甘油基化合物(K )添加於樹脂組成物中。特別係當與 銅表面間需要良好黏著力的情況時,含縮水甘油基化合物 的添加將具效果。含縮水甘油基化合物係可使用對雙酚 A、雙酚F之類的雙酚類施行縮水甘油醚化者,或對苯酚酚 醛、曱酚酚醛之類的苯酚類施行縮水甘油醚化者,或胺基 苯驗的環氧化物。此外,在低黏度化目的下,可使用如: 脂肪族縮水甘油醚類、經氫化而形成脂肪族環的縮水甘油 醚類、脂環式環氧化合物等,配合需要亦可添加與咪唑基 等縮水甘油基進行反應的化合物。特別係在兼顧保存性與 反應性之目的下,最好使用2 _曱基咪唑與2,4 -二胺基-6 -乙烯基三嗪的加成物、或2 -苯基-4-曱基-5-羥基甲基咪 本發明亦可更將下述化合物(L )與下述化合物(Μ )的組 合,添加於樹脂組成物中。 化合物(L ): 化合物(L )係指主鏈骨架含有一般式(1 1 )所示構造,且 32 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 至少具有1個縮水甘油基的化合物。 ~(-X7—^R15}^— (11) (上述式中,X 7係指-0 -、- C 0〇-或-0 C 0 0 - ; R 15係指碳數 3〜6之碳氫基。u係2以上且5 0以下的整數。相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異。) 化合物(Μ ): 化合物(Μ )係指具有能與上述化合物(L )的縮水甘油 0 基,產生反應之官能基的化合物。 含縮水甘油基之上述化合物(L )係主鏈骨架中之重複單 元所含碳氫基R 15之碳數限定於3〜6,理由是當R 15碳數少 於此數值的情況時,硬化物的吸水特性將惡化,在P C Τ等 嚴苛的吸水條件下將發生黏著力等特性惡化的情況,反之
若R 15碳數大於此數值的情況時,樹脂的疏水性將過強, 造成對銅等容易遭受氧化之金屬表面等的黏著力惡化。 再者,重複單元中符號X7所示部分係含有-〇 -、- C 00- 或-0 C 0 0 -中任一種鍵結,此乃為發揮硬化物之柔軟性及足 夠黏著力而所必備的。 再者,需要縮水甘油基的理由係特別當考慮對銅黏著的 情況時,縮水甘油基的導入將具有效果,藉由導入縮水甘 油基便可提升對各種受黏物表面的適應性。 再者,重複單元最好與上述化合物(Β)的重複單元(X1-W) 相同或類似。理由是將提升樹脂組成物的均勻性,特別係 硬化後的均勻性,當重複單元並未類似的情況時,特別係 33 3 ] 2ΧΡ/發明說明_ 補件)/94_07/94108033 200536884 在烤箱等長時間施行硬化時,將進行分離,而有無法獲得 足夠硬化物特性的情況。 重複次數U若大於5 0,黏度將過高而頗不利於實用。在 此若重複單位滿足上述條件,亦可使用此種重複單元2種 以上、或與其他成分的共聚物。
具有可與化合物(L )之縮水甘油基進行反應之官能基的 化合物(Μ ),一般可使用已知的環氧樹脂硬化劑。其中一例 有如:苯酚化合物、胺化合物、咪唑類等,惟並不僅限於該 等。 本發明樹脂組成物中,配合需要,亦可使用消泡劑、界 面活性劑、各種聚合終止劑、抗氧化劑等添加劑。 本發明樹脂組成物例如在將各成分預備混合之後,採用 三輥研磨機施行混練,然後再施行真空下脱泡便可製得。 使用本發明樹脂組成物製作半導體裝置的方法,可採取 週知方法。例如使用市售黏晶機,對引線框架之既定部位 均勻塗布樹脂組成物之後,再黏上晶片並施行加熱硬化。 然後,施行焊線,並使用環氧樹脂密封材施行轉移成形便 可製得半導體裝置。 以下就必要成分的填充材(A )、化合物(Β )及熱自由基起 始劑(C )、及其他任意成分所組合的各種組成物系中,例示 特佳之組合的第1至第6組成物系。 (1 )第1組成物系 第1組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )及上述化合物(D ),且實質 34 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第1組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (2 )第2組成物系 第2組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、上述化合物(D )、及上述 化合物(L)與上述化合物(M)的組合,且實質未含有光聚合 起始劑的組成物系。
在第2組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (3 )第3組成物系 第3組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B)、上述熱自由基起始劑(C)、及上述丙稀酸酯化合物 (E ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第3組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (4 )第4組成物系 第4組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、及上述丙烤醯胺化合物 (F ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第4組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (5 )第5組成物系 第5組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 35 312XP/發明說明補件)/94-07/94108033 200536884 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、及上述烯丙酯化合物 (G ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 第5組成物系中,最好相對於化合物(B )與烤丙酯化合 物(G)之合計量,稀丙酯化合物(G)之量為20〜60重量%。若 稀丙酯化合物(G )的比率過多,將有硬化性惡化的情況。 在第5組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (6 )第6組成物系
第6組成物系係至少包含有上述填充材(A )、上述化合 物(B )、上述熱自由基起始劑(C )、上述化合物(Η )、及反應 性稀釋劑(I ),且實質未含有光聚合起始劑的組成物系。 在第6組成物系中,最好為更含有1個以上矽烷系偶合 劑(J )的組成物。 (實施例) 以下例示相關上述第1〜第6組成物系的實驗例。 首先,第1組成物系的實驗例(實驗例系列A )係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例A 1〜A 4、比較例A 1〜A 3 ) 化合物(B )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯(大 日本油墨工業(股)製、LUMICUREMIA-200,一般式(2)中, R2 為- C2H2-、R3 為- CH2-,一般式(1)的 X1 為-0 - 'R1 為-C4H8-, 以下稱「化合物1」)。化合物(D )係使用聚丙二醇二曱基 丙婦酸酯(日本油月旨(股)製、BLEMMER-PDP-400,以下稱「化 合物2」)、聚四亞曱基乙二醇二曱基丙烯酸酯(曰本油脂 36 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 (股)製、BLEMMER-PDT-800,以下稱「化合物3」)。熱自 由基起始劑(C )係使用過氧化二異丙苯(急速加熱試驗中的 分解濕度:1 2 6 °C ,日本油脂(股)製、P E R C U Μ Y L D,以下稱 「起始劑」)。填充材(A )係使用平均粒徑3 // in、最大粒徑 2 0 # m的薄片狀銀粉(以下稱「銀粉」)。此外,丙烯酸月 桂酯(共榮社化學(股)製、1 ight ester LA,以下稱「稀釋 劑」)、及含曱基丙烯酸基矽烷偶合劑(信越化學工業(股) 製、K B Μ - 5 0 3,以下稱「甲基丙烯酸矽烷」)。
將該等化合物依表1所示組合進行調配,並使用三輥研 磨機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。 另外,在比較例A 1中使用聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(曰 本油脂(股)製、B L Ε Μ Μ E R - P D E - 4 0 0,以下稱「化合物4」); 在比較例A 3中使用由雙酚Α與表氯醇的反應所獲得之二縮 水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為液體,以下稱「雙 A環氧」)、曱苯基縮水甘油醚(環氧當量1 8 5,以下稱 「C G E」)、苯酚酚醛樹脂(羥基當量1 0 4、軟化點8 5 °C,以 下稱「PN」)、2 -苯基_4,5-二羥基曱基咪唑(四國化成工業 (股)製、商品名C U R Ε Z 0 L,以下稱「2 Ρ Η Z」)、含縮水甘油 基之矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製、Κ Β Μ - 4 0 3 Ε,以下稱 「環氧矽烷」)。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表1所示。 37 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 oo m
比較例 3 〇 Ln τ_ Η cd σο cd r"H τ—1 卜 CD 03 CD CJD T ( CNI oo 1—H oo OD CO CO CO V 〇 LO X 19.4 寸 CD CD g <NI C3 寸 LO 7 1 Η CNI LO r—H ! τ H 1 CNI οα 〇〇 LO V 〇 LO X oo … 卜 r—Η ι 1 < 寸 ◦· 〇> ◦· oo οα CD oo cd ◦ 卜· Csl 〇〇 寸 V X 實施例 oo 卜· 卜 Τ' i 1 1 Η 寸 CZ5 80.0 οα cd oo 卜· CSI 卜· l i CO 1 寸 LO 寸 寸 寸 〇〇 〇 r—ί V 〇 OO 卜· 卜 cji 05 r-Ή 寸 «〇 80.0 CSI cz? CO oo cd 1—1 次 (NJ r-H 寸 CN1 CO 〇〇 寸 CO CO ◦ τ—Η V 〇 卜 σί 卜 cji 〇’ 80.0 CNJ ◦· 20.4 | 20.8 次 οα LO 寸 导 〇〇 CO CD r-H V 〇 r-H oo 卜· 卜 r 1 r~l 寸 cz> 1 80.0 CN1 cz? 寸 oo CO oo LO LO CO S 寸 CO ◦ r—ί V 〇 化合物1 化合物2 1化合物3 1化合物4 I稀釋劑 1起始劑 1銀粉 雙Α環氧 W Ο g 2PHZ 甲基丙烯酸石夕烷 環氧矽烷 初始值(Pa · s) 48小時後(Pa · s) 黏度增加率 |硬化後1 PCT後 硬化後 PCT後 剝離面積00 綜合評估 30秒硬化 (加熱板) 160分硬化 (烤箱)—_ 黏度 撕$ 蒜5 耐焊接龜裂性 eeosolz.o46/ffsi)_s^^微/dx(NI e 200536884 <實驗例系列A的評估方法〉 (1 )黏度 使用E型黏度計(3 °錐形)測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 T:中放置4 8小時後的2 5 °C、2 . 5 r p m之値。當剛製 作後的黏度在1 5〜2 5 P a · s範圍内,且經4 8小時後的黏度 增加率為未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a · s」, 黏度增加率的單位為「%」。 (2 )黏著強度
使用樹脂組成物,將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於經鐘銀過的銅 框架上,在2 0 0 °C加熱板上放置3 0秒,以及在1 5 0 °C烤箱 中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及P C T ( 1 2 1 °C、1 0 0 °/〇、7 2 小時)處理後,便採用自動黏著力測定裝置,測定2 6 0 °C下 的加熱時晶片抗切強度(Die Shear Strength)。當260 °C 加熱時晶片抗切強度在3 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著 強度的早位為「N /晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表1所示之樹脂組成物,對下述引線框架與矽晶 片,依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後,採用S U Μ I K 0 N ΕΜΕ- 7 0 2 6 (住友BAKELITE(股)製)密封材料,對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中,施行1 9 2小時的吸濕處理後, 再施行I R迴流處理(2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次),對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置(穿透型),測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「%」。 39 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 封裝:QFP(14x2〇x2. Omm) 引線框架:經銀點鍍過的銅框架 晶片尺寸:6x6mm 樹脂組成物的硬化條件:加熱板上2 0 (TC 、6 0秒 其次,第2組成物系的實驗例(實驗例系列B )係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例B 1〜4、比較例B 1〜4 )
化合物(B )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯(大 • 日本油墨工業(股)製、LUMICUREMIA-200,一般式(2)中, R2 為-C2H2-、R3 為-CH2-,一般式(1)的 X1 為-0—R1 為-C4H8-, 以下稱「化合物1」)。化合物(D )係使用聚丙二醇二曱基 丙烯酸酯(日本油脂(股)製、B L Ε Μ Μ E R - P D P - 4 0 0,以下稱「化 合物2」)、及聚四亞曱基乙二醇二曱基丙烯酸酯(日本油 脂(股)製、BLEMMER-PDT - 800,以下稱「化合物3」)。含 縮水甘油基化合物(L )係使用聚四亞曱基乙二醇二縮水甘 油醚(旭電化工業(股)製、E D - 6 1 2,以下稱「化合物4」)、 及聚丙二醇二縮水甘油醚(旭電化工業(股)製、E D - 5 0 6,以 下稱「化合物5」)。與縮水甘油基進行反應的化合物(Μ) 係使用2 -苯基-4,5 -二羥基甲基咪唑(四國化成工業(股) 製、商品名C U R Ε Ζ 0 L,以下稱「2 Ρ Η Ζ」)。熱自由基起始劑 (C )係使用過氧化二異丙苯(急速加熱試驗中的分解濕 度:1 2 6 °C ,日本油脂(股)製、P E R C U Μ I L D,以下稱「起始 劑」)。填充材(A )係使用平均粒徑3 // m、最大粒徑2 0 // m 的薄片狀銀粉(以下稱「銀粉」)。此外,丙烯酸月桂酯(共 40 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94〗08033 200536884 榮社化學(股)製、1 i g h t e s ΐ e r L A,以下稱「稀釋劑」)、 及含曱基丙烯酸基之矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製、 K B Μ - 5 0 3,以下稱「曱基丙烯酸矽烷」)、及含縮水甘油基 石夕烧偶合劑(信越化學工業(股)製、Κ Β Μ - 4 0 3 Ε,以下稱「環 氧矽烷」)。 將該等化合物依表2所示組合進行調配,並使用三輥研 磨機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。
另外,比較例Bl、Β2中將使用聚乙二醇二甲基丙烯酸 酯(日本油月旨(股)製、B L Ε Μ Μ E R - P D Ε - 4 0 0,以下稱「化合物 6」),在比較例Β 4中則使用由雙酚Α與表氯醇進行反應而 所獲得的二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為液 體,以下稱「雙A環氧」)、曱苯基縮水甘油醚(環氧當量 1 8 5,以下稱「C G E」)、苯酚酚醛樹脂(羥基當量1 0 4、軟 化點85°C ,以下稱「PN」)。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表2所示。 41 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884
比較例 寸 CO CD LO r—H CO r—H CD cd t—^ t—( 卜 CD OO oo C3· 21. 6 oo r—H C<1 OO CNI I LO | CO j LO V CD LO X CO CQ 卜· CJ^ r i 寸 CD 80. 0 r—H czi CXI 0. 06 15.8 CD CD r—H OO τ Ή ◦ CNJ V CD LO X oa PQ 卜 卜· CO Ί H r—H 寸 〇· CD CZJ OO i 'i ◦· CN] c? CO CD CZ5 18. 6 m r—H 1 oa 〇〇 OO r—H V 〇 LO X S oo LO CD r—H CD r—H r 1 H 寸 Ο) CO CD OO τ H ci> 03 CD· CO CD 2 1 < oo LO τ—^ r-H 1 s 〇〇 CN3 CNI LO LO CNI V 〇> LO X 實施例 寸 OQ oo LO CO σί CJD r Ή r—H 寸 CZ) ◦ ◦· OO r—H CD C<I CZ5 0.06 15.4 15. 6 寸 LO j 〇〇 寸 LO 寸 寸 C3 r—1 V 〇 CO PO oo LO oo LO oo LO CD | i Ή 寸 ◦· CD CD OO v H 03 (3> 0.06 00 卜· 1 i oo 卜· r—^ CO OO 寸 寸 寸 s CNI CD r—H V 〇 CO PQ oo iri oo LO CO LO cn> r—( 寸 CD ◦ CD OO T '< ] CD CN1 C3 CO o CD 18.0 18.4 次 CNI LO LO 寸 寸 LO Q r-H V 〇 s oo LO CD 1 < l ,m i f—H 寸 CD ◦ CD OO r—H CD OO CD CO 〇 ◦· 19.6 CD 次 CNI s CD 寸 to LO CNI 寸 Q r—H V 〇 化合物1 t化合物2 彳匕合物3 化合物4 f化合物5 化合物6 I稀釋劑 起始劑 |銀粉 雙A環氧 〇 |2PHZ 甲基丙烯酸矽烷 環氧矽烷 初始值(Pa · s) 48小時後(Pa · s) 黏度增加率 硬化後 PCT後 硬化後 PCT後 剝離面積(%) 綜合評估 30秒硬化 (加熱板) 60分硬化 (烤箱) 黏度 靶a ^ mtO 1耐焊接龜裂性 rns801 寸 6/z.046/ff4ss&^i^餾/dx(NI e 200536884 <實驗例系列B的評估方法〉 (1 )黏度 使用E型黏度計(3 °錐形)測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 °C中放置4 8小時後的2 5 °C、2 . 5 r p m之値。當剛製 作後的黏度在1 5〜2 5 P a · s範圍内,且經4 8小時後的黏度 增加率未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a · s」,黏 度增加率的單位為「%」。 (2)黏著強度
使用樹脂組成物,將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於經鍵銀過的銅 框架(僅在内部引線部鍍銀)上,在2 0 0 °C加熱板上放置3 0 秒,以及在1 5 0 °C烤箱中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及 P C T ( 1 2 1 °C 、1 0 0 °/〇、7 2小時)處理後,便採用自動黏著力測 定裝置,測定2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加 熱時晶片抗切強度在3 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著強 度的單位為「N /晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表2所示之樹脂組成物,對下述引線框架與矽晶 片,依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後,採用S U Μ I K 0 N Ε Μ Ε - 7 0 2 6 (住友B A K E L I Τ Ε (股)製)密封材料,對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中,施行1 9 2小時的吸濕處理後, 再施行I R迴流處理(2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次),對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置(穿透型),測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「%」。 43 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 封裝:QFP(14x20x2. Omm) 引線框架:經環狀電鍍銅框架(只有内引線部施行鍍銀) 晶片尺寸:6x6mm 樹脂組成物的硬化條件:加熱板上、2 0 0 °C 、6 0秒 其次,第3組成物系的實驗例(實驗例系列C )係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。 (實施例C hC4) (1 )順丁烯二醯亞胺化胺基酸之合成
(1 - 1 )順丁烯二醯亞胺醋酸 將順丁烯二酸酐1 2 0 g與甲苯5 0 0 g裝填於四口燒瓶中, 在攪拌下經1小時迴流之後,再利用丁史塔克分離器 (D e a η - S t a r k t r a p )將系統内的水分去除,然後冷卻至室 溫,一邊導入乾燥氮,一邊將使7 5 g乙胺酸(胺基醋酸)溶 解於2 0 0 g乙腈中的溶液,在冰浴中於6 0分鐘内施行滴下, 然後再於室溫中施行攪拌2 3小時。 然後,一邊利用丁史塔克分離器將所產生的水分去除, 一邊在迴流下施行攪拌8小時。將所獲得之溶液相,使用 純水施行約5次的分液洗淨,之後再採用蒸發器與真空乾 燥機施行去溶劑處理,便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色結晶,產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到順丁烯二醯 亞胺環的生成。 (1 - 2 )順丁烯二醯亞胺己酸 將順丁烯二酸酐1 2 0 g與曱苯5 0 0 g裝填於四口燒瓶中, 在攪拌下經1小時迴流之後,再利用丁史塔克分離器將系 44 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 統内的水分去除,然後冷卻至室溫,一邊導入乾燥氮,一 邊將使1 3 1 g的6 -胺基己酸溶解於2 0 0 g乙腈中的溶液,在 冰浴中於6 0分鐘内施行點滴,然後再於室溫中施行攪拌 23小時。
然後,一邊利用丁史塔克分離器將所產生的水分去除, 一邊在迴流下施行攪拌8小時。將所獲得之溶液相,使用 純水施行約5次的分液洗淨,之後再採用蒸發器與真空乾 燥機施行去溶劑處理,便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色結晶,產量約1 9 5 g。經N M R與I R確認到順丁烯二醯 亞胺環的生成。 (2 )順丁烯二醯亞胺化胺基酸與二醇的反應 (2 - 1 )順丁烯二醯亞胺醋酸與聚亞丙基乙二醇的反應 將(1 - 1 )所合成的順丁烯二醯亞胺醋酸6 2 g、聚亞丙基乙 二醇(日本油脂(股)製、U N I 0 L D - 4 0 0、重複次數約7 ) 9 0 g、 曱苯500g、及對曱苯磺酸3. 4g裝填於四口燒瓶中,並於 迴流下施行攪拌1 6小時。將此時所產生的水分利用丁史塔 克分離器去除至系統外。經反應後,使用7 0 °C蒸餾水施行 3次,並使用室溫蒸餾水施行2次的分液洗淨,將經洗淨 過的溶劑層採用蒸發器及真空乾燥機施行乾燥,便獲得生 成物。所獲得之生成物為褐色液體,產量約1 3 0 g。經N M R 與I R確認到酯鍵結生成及羧基消失。此屬於一般式(3 )所 示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)中,X2為-0 -、R4為-Η、 R5的碳數為1、R6的碳數為3、η為約6 (以下稱「化合物 Β1」 45 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884
(2 - 2 )順丁烯二醯亞胺醋酸與聚亞丁基乙二醇的反應 將上述(1 - 1 )所合成的順丁烯二醯亞胺醋酸6 2 g、與聚亞 丁基乙二醇(日本油脂(股)製、U N I 0 L P B - 5 0 0、重複次數約 7 ) 1 1 0 g、曱苯5 0 0 g、及對曱苯磺酸3 . 4 g,裝填於四口燒瓶 中,並如同(2 - 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體,產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及羧 基消失。此屬於一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (Β ’)中,X2為_ 0 -、R4為- Η、R5的碳數為1、R6的碳數為4、 η為約6 (以下稱「化合物Β 2」)。 (2 - 3 )順丁烯二醯亞胺己酸與聚亞丙基乙二醇的反應 將上述(1 - 2 )所合成的順丁烯二醯亞胺己酸8 4 g、聚亞丙 基乙二醇(日本油月旨(股)製、U N I 0 L D - 4 0 0、重複次數約 7)90g、曱苯500g、及對曱苯磺酸3.4g,裝填於四口燒瓶 中,並如同(2 - 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體,產量約1 5 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及羧 基消失。此屬於一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (Β ’)中,X2為-〇-、R4為-Η、R5的碳數為5、R6的碳數為3、 η為約6 (以下稱「化合物Β 3」)。 (2 - 4 )順丁烯二醯亞胺己酸與聚亞丁基乙二醇的反應 將上述(1 - 2 )所合成的順丁烯二醯亞胺己酸8 4 g、聚亞丁 基乙二醇(日本油脂(股)製、U N I 0 L P B - 5 0 0、重複次數約 7 ) 1 1 0 g、曱苯5 0 0 g、及對曱苯磺酸3 . 4 g,裝填於四口燒瓶 中,並如同(2 _ 1 )般地獲得生成物。所獲得之生成物為褐色 液體,產量約1 6 7 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成及叛 46 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 基消失。此屬於一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (B ’)中,X2為-0 -、R4為-Η、R5的碳數為5、R6的碳數為4、 η為約6 (以下稱「化合物Β 4」)。 (3 )丙烯酸與聚亞丁基乙二醇的反應
將丙烯酸35g、聚亞丁基乙二醇(日本油脂(股)製、UNI0L P B - 5 0 0、重複次數約7 ) 1 0 4 g、甲苯5 0 0 g、及對曱苯磺酸 3 . 4 g,裝填於四口燒瓶中,並於迴流下施行攪拌1 6小時。 將此時所產生的水分利用丁史塔克分離器取出於系統外。 經反應後,使用7 0 °C蒸餾水施行3次、並使用室溫蒸餾水 施行2次的分液洗淨,將經洗淨過的溶劑層採用蒸發器及 真空乾燥機施行乾燥,便獲得生成物。所獲得之生成物為 褐色液體,產量約1 2 0 g。經N M R與I R確認到酯鍵結生成 及羧基消失。以下稱「化合物X」。 填充材(A )的銀粉係使用平均粒徑8 // m、最大粒徑3 0 // m 的薄片狀銀粉(以下稱「銀粉」)。化合物(B )係使用上述化 合物Β 1〜B 4。丙婦酸S旨化合物(E )係使用甲基丙婦酸2 -經基 丙酯(共榮社化學(股)製、light ester HOP,一般式(5) 的R8為曱基、R9為曱基,xM、y = l、z = l,以下稱「化合 物E 1」)、丙三醇二曱基丙烯酸酯(共榮社化學(股)製、 light ester G-101P j 一般式(5)的 R8 為甲基,x = 2、y = l、 z = 0,以下稱「化合物E 2」)。熱自由基起始劑(C )係使用 過氧化二異丙苯(日本油脂(股)製、P E R C U Μ I L D,急速加熱 試驗中的分解溫度:1 2 6 °C ,以下稱「起始劑」)。 再者,使用化合物X,而矽烷偶合劑則使用具四硫醚鍵 47 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 結的化合物(日本U n i c a r製、A - 1 2 8 9,以下稱「偶合劑1」)、 含縮水甘油基的化合物(信越化學工業(股)製、K B Μ - 4 0 3 E, 以下稱「偶合劑2」)。 將該等化合物依表3所示組合進行調配,並使用三輥研 磨機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係 重量份。 (實施例C 5 ) 液狀乙烯基化合物係使用上述化合物X。
(實施例C 6 ) 含縮水甘油基化合物係使用由雙酚A與表氯醇的反應, 而所獲得之二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為 液體,以下稱「化合物Y 1」),以及2 -甲基咪唑與2, 4 -二 胺基-6 -乙稀基三嗪的反應物(商品名「CUREZOL 2MZ-A」: 四國化成工業(股)製,以下稱「化合物Y 2」)。 (比較例C 1、C 2 ) 將各化合物依表3所示比率進行調配,並如同實施例C 1 般地獲得樹脂組成物。 (比較例C 3 ) 使用1,6 -己二醇二曱基丙烯酸酯(共榮社化學(股)製、 light ester 1、 6HX,以下稱「化合物Z1」)。 (比較例C 4 ) 使用以芳香族二胺為起始原料的2,2 -雙[4 - ( 4 -順丁烯 二醯亞胺笨氧基)苯基]丙烷(Κ· I化成(股)製、BMI-80)。 另外,因為Β Μ I - 8 0屬於固態,因而便與二曱基甲醯胺(D M F ) 48 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 依重量比1 : 1進行混合成溶液後再使用(以下稱「化合物 Z2」)。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表 3所示。
49 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884
¥ Jj o Q ◦· 〇〇 CD 寸· r—1 cJ oi 寸 OO CD oo T—"< CD g CD CNI CO (XI 〇〇 CNI 〇〇 LO CO C0 OJ CD V 〇> V ! CD !, < V U ;C0 ί 1 ν ο L〇 ο LO |v ί〇> LO X CO CD CD 〇 〇〇 寸 LO i—H t_H CD CO 卜· OO OO CD CD CNI 〇· 〇 CD OO LO CO 寸 0〇| CO CO CD LO CD| CD; ν··Η CD CD V ο V s V 〇> V X s o CD 〇> oo D-* co D-- co cn» r-H CD CNI CO r-H r丨丨H ci OO CNI CD g 〇· s C<1 •CO OO 03 〇〇 s 〇> οα 〇 CD r-H CD V V S V ◦ LO X 11 o CD CD CO CO CSD ai CN] CO ai OO CO CD CNI CZ5 CD ◦· 〇> (Nl LO CO m τ—Η CNI C3 V ο CN1 V S V S s V V o LO X s o ◦ CD oo o CD ai s CO s CO OO CO CD S CO c〇 C3 寸 (N1 CD g d CD CO 寸 写 CD V CD V 〇> V O V s V ◦ V 〇 ΰ CD ◦ d ΌΟ <NI CD ai oa CD r—1 oa t—H 卜 LO CO CO CD CJ3 C<J CD CD cz> s 〇〇 CO oo 寸 CNI o r—H V ◦ ο CO C3 V C3 V s V CD V 〇 ¥ s o CD CD OO L〇 r-H i1 LO OO CO LO oo CO OO CO CD 05 Cvl C5 cz> C5 CNI LO CO 丨寸 LO CO CO CD τ—H V ο CNI ο CO c^> V CD V s V ◦ IV 〇 CO ◦ o CD OO L〇 r-H r—· LO oo CO LO 00 CO oo CO CD CTD CNI CD· o CD OO 寸 LO 寸 〇〇 CO CO 〇> τ—H V ◦ οα CD V CD V s V 〇 IV 〇 CO o 〇» 寸 in r-H r-H LO oo CO LTD 00 CO OO CO d OD CO CZ? CD CD s LO (N1 LO CO S 03 CD r—H V S CD V Q V s V o r-H V 〇 r-H C3 CP ◦ oo iO C<3 PQ 蓉 JD ----- c〇 CQ 态 —1 P〇 M jj CNI CS3 荽 A3 LO oo CO L〇 00 CO 〇〇 CO CD t—1 X) <NJ •JLD c^> (Nl Q· CD 。’ s 寸 〇〇 CD r_ H V S V d> V s V CD V 〇 ι> π < < < < < B B 乂 B ¥ tttlV ttul W 喊 Λ3 Jhj ffw· Sv Λ3 \XclJ W ftnl W mil <8 十 • rH Jj w ftniJ 喊 Φ1 y0 4ttL w 拿 mvt C<j 蕃 4〇 tsi 蓉 Jj -—— -itr —-〆 篆 S被 ^- τ晒H w Fv- (Nl fhfT* PV^ A0 % niv! 娥 Π3Ι Oh • rH Ή t V0 綠 ±i eeosoI 寸 6/L046/(#:1i)_s:l'i^®/dx(Nl e 200536884 <實驗例系列C的評估方法〉 (1 )黏著強度 使用樹脂組成物,將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於銅框架上,並 在1 5 0 °C烤箱中施行3 0分鐘硬化。所使用之銅框架係銀點 鍍(晶粒座部有鍍銀)、銀環狀電鍍(晶粒座部為銅)、及 N i - P d / A u電鍍等3種。經硬化後及吸濕處理(8 5 °C 、8 5 °/〇、 7 2小時)後,便採用自動黏著力測定裝置,測定2 6 0 °C下的 加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強度在 Φ 3 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N /晶 片 (2)滲出 在施行上述黏著強度測定前,便利用光學顯微鏡觀察硬 化物滲出情況,將各試驗片中滲出長度最長者視為滲出。 將滲出長度在5 0 /z m以下者視為合格。渗出單位為「// m」。 (3 )耐溫度循環性 使用樹脂組成物,將1 5 X 1 5 X 0 . 5 m οι矽晶片黏晶於經N i 電鍍過的銅散熱片(25x25x2mm)上,並在150°C烤箱中施行 3 0分鐘硬化。利用超音波探傷裝置(反射型)測定經硬化後 及溫度循環處理(-6 5 °C β 1 5 0 °C、1 0 0循環)後的剝離狀態。 將剝離面積在1 0 %以下者視為合格。剝離面積的單位為 「°/〇」° (4 )勉曲量及对迴流性 使用表3所示之樹脂組成物,將下述基板(引線框架)與 矽晶片在1 5 0 °C中施行3 0分鐘的硬化而黏著。利用表面粗 51 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 糙度計依對角線上1 0 m m長度,測定硬化後的晶片表面翹曲 量。翹曲量的單位為「//m」,將20" m以下者視為合格。 另夕卜,針對同樣施行黏晶的引線框架,使用S U Μ I Κ Ο N ΕΜΕ- 7 0 2 6 (住友BAKELITE(股)製)密封材料進行密封,在85 °C 、相對濕度6 0 %中,施行1 9 2小時的吸濕處理後,再施 行I R迴流處理(2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次),對經處理後的 封裝利用超音波探傷裝置(穿透型),測定剝離程度。當晶 片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面積的 Φ單位為「%」。 封裝:QFP(14x20x2· Omm) 引線框架:經鍍銀的銅框架 晶片尺寸:9 X 9 m m 樹脂組成物的硬化條件:烤箱中1 5 0 °C 、3 0分 其次,第4組成物系的實驗例(實驗例系列D)例示如 下。配合比率係依「重量份」表示。
(實施例 D 1、D 2、D 3 ) (1 )化合物(1 )之調整 將聚四亞曱基乙二醇(三菱化學(股)製PTMG650,經NMR 測定所求得重複單位數約9 ) 6 7 g、與琥珀酸酐(試劑)2 4 g, 在乙腈/曱苯(重量比1 : 3 )混合溶劑中施行4小時迴流下進 行攪拌,然後使用離子交換水施行約5次的分液洗淨。經 回收乙腈/曱苯層之後,再利用丁史塔克分離器施行脱水, 並冷卻至室溫,添加2 -羥基乙基丙烯醯胺(興人(股)製、 Η E A A,以下稱「Η E A A」)2 5 g,一邊攪拌一邊滴入二環碳化 52 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 二醯亞胺/二曱胺基吡啶的醋酸乙酯溶液,經滴下後,於室 溫中進行反應1 6小時。 經反應後,使用離子交換水施行約5次的分液洗淨,然 後過濾有機溶劑層而去除固形份,經利用蒸發器及真室乾 燥機去除溶劑之後,便獲得化合物,並施行下述試驗。以 下將此化合物稱為「化合物(1 )」。產率約8 5 %,經N M R、I R 確認到酯鍵結的生成,依GPC所施行的苯乙烯換算分子量 約1 0 0 0。此化合物(1 )係相當於一般式(6 )中,X 4為-0 -、 • R"的碳數為4、重複次數r約9,且一般式(7 )中的R11為 -Η的化合物。 (2 )化合物(2 )之調整
聚四亞丁基乙二醇(日本油脂(股)製、UNIOL ΡΒ-700、 平均分子量700)70g、與琥珀酸酐(試劑)24g,在乙腈/曱 苯(重量比1 : 3 )混合溶劑中施行4小時迴流下,進行揽拌, 然後使用離子交換水施行約5次的分液洗淨。經回收乙腈/ 甲苯層之後,再利用丁史塔克分離器施行脱水,並冷卻至 室溫,添加2 -羥基乙基丙烯醯胺(興人(股)製、HE A A,以 下稱「Η E A A」)2 5 g,一邊授拌一邊滴入二環碳化二醯亞胺/ 二曱胺基吡啶的醋酸乙酯溶液,經滴下後,於室温中進行 反應1 6小時。 經反應後,使用離子交換水施行約5次的分液洗淨,然 後過濾有機溶劑層而去除固形份,經利用蒸發器及真室乾 燥機去除溶劑之後,便獲得化合物,並使施行於下述試驗。 以下將此化合物稱為「化合物(2 )」。產率約8 7 %,經N M R、 53 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 I R確認到酯鍵結的生成,依G P C所施行的苯乙烯換算分子 量約1 0 0 0。此化合物(2 )係相當於一般式(6 )中,X 4為-0 -、 R u的碳數為4、重複次數r約9,且一般式(7 )中的R11為 -Η的化合物。
丙烯醯胺化合物(F )係使用上述化合物(1 )與化合物 (2 )。化合物(Β )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯(大 日本油墨工業(股)製、LUMICUREMIA-200,一般式(2)中, R2 為-C2H2-、R3 為-CH2-、一般式(1)的 X1 為-O-'R1 為-C4H8-’ 以下稱「化合物(3 )」)。反應性稀釋劑(I )係使用丙烯酸月 桂酯(共榮社化學(股)製、lightesterLA,以下稱「LA」)。 熱自由基起始劑(C )係使用過氧化二異丙苯(日本油脂(股) 製、P E R C U Μ I L D,急速加熱試驗中的分解溫度:1 2 6 °C ,以 下稱「起始劑」)。矽烷偶合劑係使用具四硫醚鍵結的偶合 劑(日本U n i c a r製、A - 1 2 8 9,以下稱「偶合劑1」),及含 縮水甘油基的偶合劑(信越化學工業(股)製、K Β Μ - 4 0 3 E,以 下稱「偶合劑2」)。填充材(A )係使用平均粒徑5 # m、最 大粒徑3 0 // m的薄片狀銀粉(以下稱「銀粉」)。 將該等化合物依表4所示組合進行調配,並使用三輥研 磨機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係 依「重量份」表示。 (比較例D 1、D 2 ) 將各成分依表4所示比率進行調配,並如同實施例D1 般地獲得樹脂組成物。另外,實施例D 1係使用重複單位為 四曱醛的二丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製、N K酯 54 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 A - P T M G 6 5,以下稱「化合物(4 )」)。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表4所示。 表4
實施例 比j &例 D1 | D2 D3 D1 D2 銀粉 85· 00 丨85. 00 85. 00 85. 00 85. 00 化合物(1) 5. 74 | 5. 74 化合物(2 ) 5. 74 5. 74 化合物(3) 4. 31 ! 4. 31 4. 31 化合物(4) | 5. 74 11. 48 LA 4. 31 4. 31 2. 87 4. 31 2. 87 起始劑 0. 29 0. 29 0.29 0. 29 j 0. 29 偶合劑1 0. 29 ! 0. 29 0.29 0. 29 0. 29 偶合劑2 0. 07 | 0. 07 0. 07 0. 07 0. 07 黏著強度 硬化後 N/晶片 64 ! 62 58 48 35 吸濕處理後 N/晶片 56 ! 58 42 35 20 輕曲量 μ, m <20 ! < 20 <20 <20 <20 耐迴流性 剝離面積 °/〇 <10 <10 <10 20 100 综合評估 〇 ! 〇 〇 X X <實驗例系列D的評估方法〉 (1 )黏著強度
將6 X 6 m m矽晶片黏晶於經鍍銀的銅框架上,於1 5 0 °C烤 箱中施行1 5分鐘硬化。經硬化後及吸濕處理(8 5 °C、8 5 %、 7 2小時)後,便採用自動黏著力測定裝置,測定2 6 0 °C下的 加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強度在 3 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N /晶 片」。 (2 )麵曲量及而ί迴流性 使用表4所示之樹脂組成物,將下述基板(引線框架)與 矽晶片在1 5 0 °C中施行1 5分鐘的硬化而黏著。利用表面粗 55 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 糙度計依對角線上1 0 m m長度,測定硬化後的晶片表面翹曲 量。麵曲量的單位為「//m」,將20//IT1以下者視為合格。 另外,針對同樣施行黏晶的引線框架,使用SUM I K ON Ε Μ E - 7 0 2 6 (住友B A K E L I T E (股)製)密封材料進行密封,在8 5 °C 、相對濕度6 0 %中,施行1 9 2小時的吸濕處理後,再施 行I R迴流處理(2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次),對經處理後的 封裝利用超音波探傷裝置(穿透型),測定剝離程度。當晶 片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面積的 _單位為「%」。 封裝:QFP(14x20x2. Omm) 引線框架:經鍍銀的銅框架 晶片尺寸:9x9mm 樹脂組成物的硬化條件:烤箱中1 5 0 °C 、1 5分 其次,第5組成物系的實驗例(實驗例系列E )係表示如 下。配合比率係依「重量份」表示。
(實施例 Ε 1、E 2、E 3 ) 化合物(B )係使用聚醚系雙順丁烯二醯亞胺醋酸酯(大 日本油墨工業(股)製、LUMICUREMIA - 200,一般式(2)中, R2 為-C2H2-、R3 為-CH2-,一般式(1)的 X1 為-O-'R1 為- C4H8-, 以下稱「化合物1」)。烯丙酯化合物(G )係使用烯丙酯樹 脂(昭和電工(股)製、稀丙酯樹脂D A 1 0 1,一般式(9 )中, R 13為環己烷環的化合物,以下稱「化合物2」)。填充材 (A )係使用平均粒徑5 μ m、最大粒徑3 0 // m的薄片狀銀粉 (以下稱「銀粉」)。熱自由基起始劑(C )係使用過氧化二異 56 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 丙苯(日本油月旨(股)製、P E R C U Μ I L D,急速加熱試驗中的分 解溫度:1 2 6 r ,以下稱「起始劑」)。此外,亦使用含曱基 丙烯酸基矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製、K B Μ - 5 0 3,以 下稱「甲基丙烯酸矽烷」)。 將該等成分依表5所示組合進行調配,並使用三輥研磨 機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。配合比率係依 「重量份」表示。 (比較例Ε 1 )
將各成分依表5所示比率進行調配,並如同實施例Ε 1 般地獲得樹脂組成物。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表 5所示。 表
實施例 比較例 E1 E2 E3 E1 銀粉 80.00 80.00 80. 00 80. 00 化合物1 14.56 11.65 8. 74 化合物2 4. 85 7.77 10. 68 19.42 起始劑 0. 39 ! 0. 39 0.39 0. 39 曱基丙烯酸矽烷 0.19 ! 0. 19 0. 19 0.19 黏著強度1 硬化後 N /晶片 55 55 50 20 黏著強度2 硬化後 N /晶片 60 62 60 18 麵曲量 [1 m <20 <20 <20 <20 耐迴流性 剝離面積 % <10 <10 <10 100 綜合評估 〇 〇 〇 X <實驗例系列Ε的評估方法> (1 )黏著強度1 將6 X 6 m m矽晶片黏晶於經鍍銀的銅框架上,並於1 5 0 °C 烤箱中施行3 0分鐘硬化。採用自動黏著力測定裝置,測定 2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切 57 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
200536884 強度在4 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著 「N /晶片」。 (2 )黏著強度2 將6 X 6 m m石夕晶片黏晶於經黑化處理的銅 於1 5 0 °C烤箱中施行3 0分鐘硬化。採用自 置,測定2 6 Ot下的加熱時晶片抗切強度。 晶片抗切強度在4 Ο N /晶片以上時便視為合 單位為「N /晶片」。 (3 )想曲量及耐迴流性 使用表5所示之樹脂組成物,將下述基 矽晶片在1 5 0 °C中施行1 5分鐘的硬化而黏 糙度計測定硬化後的晶片表面翹曲量。翹 「in」,將2 0 // m以下者視為合格。另外 黏晶的引線框架,使用密封材料(S U Μ I Κ Ο N B A K E L I Τ Ε (股)製)實施密封,並在3 0 °C、相 行1 9 6小時的吸濕處理後,再施行I R迴流 秒、迴流3次)。對經處理後的封裝利用超, 透型),測定剝離程度。當晶片黏結部的剝 時便視為合格。剝離面積的單位為「%」。 封裝:QFP(14x20x2. Omm) 引線框架:經鍍銀的銅框架 晶片尺寸:9x9mm 樹脂組成物的硬化條件:烤箱中1 5 0 °C 、 最後,第6組成物系的實驗例(實驗例; 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 08033 強度的單位為 製散熱片上,並 動黏著力測定裝 當2 6 0 °C加熱時 格。黏著強度的 板(引線框架)與 著。利用表面粗 曲量的單位為 ,針對同樣施行 Ε Μ E - 7 0 2 6、住友 對濕度6 0 %中施 處理(2 6 (ΓC、1 0 •波探傷裝置(穿 離面積未滿1 0 % 30分 列F )例示如 58 200536884 下。S己合比率係依「重量份」表示。 (實施例F 1〜F 4、比較例F 1〜F 3 )
使用聚丙二醇二甲基丙烯酸酯(日本油脂(股)製、 BLEMMER-PDP-400,以下稱「化合物1」)、聚四亞曱基乙 二醇二甲基丙烯酸酯(日本油脂(股)製、BLEMMER-PDT-8 0 0,以下稱「化合物2」),且化合物(B )係使用聚醚系雙 順丁烯二醯亞胺醋酸S旨(大日本油墨工業(股)製、L U Μ I C Μ E MIA-200,一般式(2)中,R2 為 -C2H2-、R3 為-CH2-,一般式 (1)的X1為_0-、R1為-0ίΗ8-,以下稱「化合物3」)。 化合物(Η )係使用將順丁烯二酸化聚丁二烯(數平均分 子量:約1 0 0 0、日本石油化學(股)製、Μ - 1 0 0 0 - 8 0 )、與聚(丙 二醇-四亞曱基乙二醇)單曱基丙烯酸酯(日本油脂(股) 製、BLEMMER - 50ΡΡΤ-800),在曱苯中於三乙胺存在下,在 3 0 °C中進行反應4小時,然後再於5 0 °C中施行減壓去溶劑 的化合物(室溫中為黏稠液體,以下稱「化合物4」)。 反應性稀釋劑(I )係使用丙烯酸月桂酯(共榮社化學(股) 製、1 i g h t e s t e r L A,以下稱「反應性稀釋劑」)。熱自由 基起始劑(C )係使用過氧化二異丙苯(急速加熱試驗中的分 解溫度:1 2 6 °C,日本油脂(股)製、P E R C U Μ I L D,以下稱「起 始劑」)。填充材(A )係使用平均粒徑3 // m、最大粒徑2 0 // m 的薄片狀銀粉(以下稱「銀粉」)。此外,亦使用含曱基丙 烯酸基之矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製、K B Μ - 5 0 3,以 下稱「曱基丙烯酸矽烷」)。 將該等化合物依表6所示組合進行調配,並使用三輥研 59 3 ] 2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 磨機施行混練,經脱泡後便獲得樹脂組成物。
另夕卜,在比較例F 1中使用聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(曰 本油脂(股)製、B L Ε Μ Μ E R - P D E - 4 0 0,以下稱「化合物5」); 比較例F 2係使用丙烯酸改質聚丁二烯(順丁烯二酸化聚丁 二烤與乙二醇曱基丙稀酸酯的半酯化化合物)(數平均分子 量:約1 0 0 0、日本石油化學(股)製、Μ Μ - 1 0 0 0 - 8 0,以下稱 「化合物6」);比較例F 3係使用由雙紛Α與表氯醇的反 應所獲得之二縮水甘油基雙酚A (環氧當量1 8 0、室溫下為 液體以下稱「雙A環氧」)、甲苯基縮水甘油醚(環氧當量 1 8 5,以下稱「C G E」)、苯酚酚醛樹脂(羥基當量1 0 4、軟 化點8 5 °C ,以下稱「P N」)、2 -苯基-4,5 -二羥基曱基咪唑 (四國化成工業(股)製、商品名CUREZ0L,以下稱「2PHZ」)、 含縮水甘油基之矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製、 KBM-403E,以下稱「環氧矽烷」)。 所獲得之樹脂組成物,依下述方法進行評估。評估結果 如表6所示。 60 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 19
^§^ii§0$s§or 200536884 <實驗例系列F的評估方法> (1 )黏度 使用E型黏度計(3 °錐形)測量樹脂組成物剛製作後、與 經在2 5 °C中放置4 8小時後的2 5 °C 、2 . 5 r p m値。當剛製作 後的黏度在1 5〜2 5 P a · s範圍内,且經4 8小時後的黏度增 加率未滿2 0 %時便視為合格。黏度單位為「P a · s」,黏度 增加率的單位為「%」。 (2)黏著強度
使用樹脂組成物,將6 X 6 m in矽晶片黏晶於經銀點鍍過的 銅框架上,在2 0 0 °C加熱板上放置3 0秒,以及在1 5 0 °C烤 箱中放置6 0分鐘而硬化。經硬化後及P C T ( 1 2 1 °C 、1 0 0 %、 7 2小時)處理後,便採用自動黏著力測定裝置,測定2 6 0 °C下的加熱時晶片抗切強度。當2 6 0 °C加熱時晶片抗切強 度在5 0 N /晶片以上時便視為合格。黏著強度的單位為「N / 晶片」。 (3 )耐焊接龜裂性 採用表6所示之樹脂組成物,對下述引線框架與矽晶 片,依下述硬化條件施行硬化而黏著。然後,採用S U Μ I K 0 N Ε Μ Ε - 7 0 2 6 (住友B A K E L I Τ Ε (股)製)密封材料,對已密封的封 裝在6 0 °C、相對濕度6 0 %中,施行1 9 2小時的吸濕處理後, 再施行I R迴流處理(2 6 0 °C、1 0秒、迴流3次),對經處理 後的封裝利用超音波探傷裝置(穿透型),測定剝離程度。 當晶片黏結部的剝離面積未滿1 0 %時便視為合格。剝離面 積的單位為「%」。 62 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 戋寸裝:QFP(14x20x2. Omm) 引線框架:經銀點鍍過的銅框架 晶片尺寸:6x6mm 樹脂組成物的硬化條件:加熱板上 (產業上之可利用性) 本發明的樹脂組成物,特別係上述 的組成物,因為黏著強度、速硬化性 均優越,特別係銅引線框架與半導體 Φ 因而頗適用為半導體用晶片黏結塗劑 再者,本發明的樹脂組成物中,第 因為具良好低應力性、及良好黏著性 出性,因而頗適用於同時要求具備該 或散熱構件之黏著用組成物。 、2 0 0 〇C、60 秒 第1至第6組成物系 、对濕性及低應力性 元件的黏著性優越, 材料。 3組成物系的組成物 ,且顯示出優越的滲 等性能的半導體元件
312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 63
Claims (1)
- 200536884 十、申請專利範圍: 1 . 一種樹脂組成物,係使用作為將半導體元件或散熱構 件黏著用之黏著劑者,其特徵為,至少含有填充材(A )、下 述化合物(B )及熱自由基起始劑(C ),且實質未含有光聚合 起始劑; 化合物(B ):主鏈骨架含有下述一般式(1)所示之構造,且至少具有1 個下述一般式(2 )所示之官能基的化合物 —f-X1—R1-)— ⑴ (上述式中,X 1係指-0 -、 - C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 1係指碳數1〜6 之碳氫基;m係1以上且5 0以下的整數;相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互異); C0 R、-R3—C00- (2) CO (上述式中,R 2係指-C 2 Η 2 -或-C 3 Η 4 ; R 3係指碳數1〜1 1 之碳氫基;相同符號所示部分係當式中含有2個以上時, 該等可為相同亦可為互異)。 2 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述填 充材(A )係銀粉。 3 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述化 合物(B )中,X 1係-0 -。 4 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述化 合物(B )中,R 1係碳數3〜6的碳氫基。 5 .如申請專利範圍第4項之樹脂組成物,其中,上述化 64 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 合物(B)中,R1係從-C3H6 -或- C4H8-中至少選擇其中1種。 6 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述化 合物(B )中,R 2 係-C 2 Η 2 -,且 R 3 係-C Η 2 -。 7 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述化 合物(Β )中,一般式(2 )所示之官能基的數量係2個。 8 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述化 合物(Β)係下述一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物 (Β,);CH—-C0. ] ——R5—C00 CR4—C〇/ R6—(x2—R6V0C0 R5——N /CO——CHC 14 \〇0——CR4 ⑶ (上述式中,X2係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R4係指氫原 子或曱基;R5係指碳數1〜1 1之碳氫基;R6係指碳數3〜6 之碳氫基;η係1以上且5 0以下的整數;相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互異)。9 .如申請專利範圍第8項之樹脂組成物,其中,上述一 般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)中,X 2係-0 -。 1 0 .如申請專利範圍第8項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)中,R5係 未含有芳香族環的碳氫基。 1 1 .如申請專利範圍第8項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)中,R5的 碳數係1〜5。 1 2.如申請專利範圍第8項之樹脂組成物,其中,上述 65 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(B ’)中,R 5係 - CH2 -或-C 5 Η 1 〇 -。 1 3 .如申請專利範圍第8項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(3 )所示之雙順丁烯二醯亞胺化合物(Β ’)中,R6係 從- C3H6_或-C4H8-中至少選擇其中1種。 1 4 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述化合物(D); 化合物(D ):主鏈骨架含有一般式(4)所示之構造,且至少含有1個 具可聚合之碳-碳不飽和鍵結之官能基的化合物 -fx3—r7V ⑷ (上述式中,X3係指-0-、-C00-或- 0C00- ; R7係指碳數 3〜6之碳氫基;p係1以上且5 0以下的整數;相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異)。 1 5.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述一般式(5)所示之丙稀酸S旨化合物(E); 丙烤酸酯化合物(E ):(h)> 0-CH2^~"C-OH ⑸ (上述式中,R8係指氫原子或曱基;R9係指碳數1〜3之 碳氫基;X、y、z 係符合(x + y + z) = 3、l$x$3、0SyS2、 0 S z $ 2 ;相同符號所示部分係當式中含有2個以上時,該 66 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 等可為相同亦可為互異)。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(5 )所示之丙婦酸酯化合物(E )中,R 8係曱基。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(5 )所示之丙炼酸酯化合物(E )中,R 9係曱基。 1 8.如申請專利範圍第1 6項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(5 )所示之丙炼酸酯化合物(E )中,R8係曱基,R 9係 曱基,且 x=l、y=l、z=l。1 9.如申請專利範圍第1 6項之樹脂組成物,其中,上述 一般式(5 )所示之丙稀酸酯化合物(E )中,R 8係甲基,且 x = 2、y =1 ' ζ = 0ο 2 0 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述丙烯醯胺化合物(F ); 丙烤醯胺化合物(F ): 主鏈骨架含有一般式(6)所示之構造,且至少具有1個 (最好1分子内具有2個以上)一般式(7 )所示之官能基的化 合物; —(χ4—Ri〇}— ⑹ CH2=CRn—C0NH—— (7) (上述2個式中,X4係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 1 °係指 碳數3〜6之碳氫基;R11係指氫原子或曱基;r·係1以上且 5 0以下的整數;相同符號所示部分係當式中含有2個以上 時,該等可為相同亦可為互異)。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物,其中,上述 67 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 丙烯醯胺化合物(F )中,上述一般式(6 )所示之構造的R " 係從-C 3 Η 6 -或-C 4 Η 8 -中,至少選擇其中1種。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項之樹脂組成物,其中,上述 丙稀臨胺化合物(F )中,上述一般式(6 )所示之構造的X4 係-〇-。 2 3.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述烯丙酯化合物(G ); 烤丙醋化合物(G ):至少具有1個(最好1分子内具有2個以上)一般式(8 ) 所示之官能基的化合物; CH2=CH——CH2—OCO——R12—— ⑻ (上述式中,R 12係指碳數2〜8之碳氫基)。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之樹脂組成物,其中,上述 稀丙酯化合物(G )中,上述一般式(8 )所示之構造的R 12係 未含有芳香族環。 2 5 .如申請專利範圍第2 3項之樹脂組成物,其中,上述 烯丙酯化合物(G )係具有下述一般式(9 )所示之骨架; —(~X5—R13}.-- (9) 5 (上述式中,X5係指-0 -、- C 0 0 -或一 0 C 0 0 - ; R 13係指碳數 3〜6之碳氫基;s係1以上且5 0以下的整數;相同符號所 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異 2 6.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述化合物(H); 68 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 化合物(Η ): 數平均分子量5 0 0〜5 0 0 0,且1分子内至少具有1個碳-碳不飽和鍵結之碳氫化合物衍生物,並在改質處含有一般 式(1 0 )所示之構造,且至少具有1個可聚合之碳-碳不飽和 鍵結之官能基的化合物; —(~X6—Η]Α)γ- (10) (上述式中,X 6係指-0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 14係指碳數 3〜6之碳氫基;t係1以上且5 0以下的整數;相同符號所 ® 示部分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互 異)。 2 7.如申請專利範圍第2 6項之樹脂組成物,其中,上述 化合物(Η )中,上述一般式(1 0 )所示之構造的X 6係-0 -,且 R 14 係-C 4 Η 8 _。2 8.如申請專利範圍第2 6項之樹脂組成物,其中,由上 述化合物(Η )所衍生、且在1分子内至少具有1個碳-碳不 飽和鍵結的碳氫化合物,係丁二烯聚合物。 2 9.如申請專利範圍第2 6項之樹脂組成物,其中,由上 述化合物(Η )所衍生,且在1分子内至少具有1個碳-碳不 飽和鍵結的碳氫化合物,係異戊二烯聚合物。 3 0 .如申請專利範圍第2 6項之樹脂組成物,其中,上述 化合物(Η )之可聚合的碳-碳不飽和鍵結係(曱基)丙烯醯 基。 3 1 .如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有反應性豨釋劑(I )。 69 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 3 2.如申請專利範圍第3 1項之樹脂組成物,其中,上述 反應性稀釋劑(I )係非為上述化合物(D )〜(Η )之在室溫中為 液狀的乙稀基化合物。 3 3.如申請專利範圍第3 2項之樹脂組成物,其中,上述 乙烯基化合物係至少含有1個(曱基)丙烯醯基的化合物。 3 4.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有矽烷系偶合劑(J )。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項之樹脂組成物,其中,上述 ® 偶合劑(J )係具S - S鍵結的矽烷偶合劑。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項之樹脂組成物,其中,上述 偶合劑(J )係更含有具縮水甘油基的矽烷偶合劑。 3 7.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有除含縮水甘油基之矽烷偶合劑以外的含縮水甘油基化合 物(Κ)。3 8.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,更含 有下述化合物(L )與下述化合物(Μ ); 化合物(L ): 主鏈骨架含有一般式(11)所示之構造,且至少具有1個 縮水甘油基的化合物 (上述式中,X 7係指- 0 -、- C 0 0 -或-0 C 0 0 - ; R 15係指碳數3〜6 之碳氫基;u係2以上且5 0以下的整數;相同符號所示部 分係當式中含有2個以上時,該等可為相同亦可為互異); 化合物(Μ ): 70 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108033 200536884 具有能與上述化合物(L )之縮水甘油基產生反應之官能 基的化合物。 3 9 .如申請專利範圍第3 8項之樹脂組成物,其中,上述 化合物(L )的重複單元(X 7 - R 15),係如同上述化合物(B )的 重複單元(X1-!?1)。 4 0 . —種半導體裝置,其特徵為,係將申請專利範圍第1 項之樹脂組成物’使用為晶片黏結材料而製成。 4 1 . 一種半導體裝置,其特徵為,係將申請專利範圍第1 項之樹脂組成物,使用為散熱構件黏著用材料而製成。 71 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108033
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004080921 | 2004-03-19 | ||
JP2004083936 | 2004-03-23 | ||
JP2004085885 | 2004-03-24 | ||
JP2004371083 | 2004-12-22 | ||
JP2004377430 | 2004-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200536884A true TW200536884A (en) | 2005-11-16 |
TWI359835B TWI359835B (en) | 2012-03-11 |
Family
ID=34993677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094108033A TWI359835B (en) | 2004-03-19 | 2005-03-16 | Resin composition and semiconductor device produce |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8088308B2 (zh) |
EP (2) | EP2647686A3 (zh) |
JP (1) | JP4967655B2 (zh) |
KR (1) | KR101223948B1 (zh) |
CN (6) | CN102604592A (zh) |
MY (2) | MY151958A (zh) |
SG (1) | SG151269A1 (zh) |
TW (1) | TWI359835B (zh) |
WO (1) | WO2005090510A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI411655B (zh) * | 2008-08-27 | 2013-10-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | A photosensitive adhesive composition, a film-like adhesive using the same, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102604592A (zh) * | 2004-03-19 | 2012-07-25 | 住友电木株式会社 | 树脂组合物及采用该树脂组合物制作的半导体装置 |
JP4830387B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-12-07 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP5034218B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2012-09-26 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP5055764B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2012-10-24 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP5098175B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-12-12 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP5419318B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2014-02-19 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP4835229B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-14 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
US7422707B2 (en) * | 2007-01-10 | 2008-09-09 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Highly conductive composition for wafer coating |
CN101601122B (zh) * | 2007-01-31 | 2012-03-21 | 汉高股份两合公司 | 涂有填充的、可旋涂的材料的半导体晶片 |
JP5428134B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2014-02-26 | 住友ベークライト株式会社 | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP4967761B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-07-04 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2009164500A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤および半導体パッケージ |
DE102008026765A1 (de) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Mikrowellen-Baugruppe |
JP5625431B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102428138B (zh) * | 2009-05-19 | 2014-03-26 | 法国阿科玛 | 封装剂组合物、其制造方法和用途 |
CN102224577B (zh) * | 2009-05-29 | 2013-12-04 | 三井化学株式会社 | 半导体用密封组合物、半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP2011077459A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製された半導体装置 |
WO2011065310A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ワイヤーハーネスの製造方法、及びワイヤーハーネス |
FR2955654B1 (fr) | 2010-01-25 | 2012-03-30 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Systeme et procede d'evaluation de deformations inhomogenes dans des plaques multicouches |
JP2011199097A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20130102046A (ko) * | 2010-09-07 | 2013-09-16 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 수지 조성물 및 수지 조성물을 사용해 제작한 반도체 장치 |
JP2012182184A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kyocera Chemical Corp | 半導体接着用熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 |
TWI540590B (zh) * | 2011-05-31 | 2016-07-01 | 住友電木股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2013035204A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 電子装置用組成物 |
WO2013035205A1 (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-14 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | アンダーフィル用組成物 |
JP6303345B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-04-04 | Dic株式会社 | 熱伝導シート、物品及び電子部材 |
WO2015115553A1 (ja) | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び固体撮像素子 |
CN105934488A (zh) | 2014-01-29 | 2016-09-07 | 日立化成株式会社 | 粘接剂组合物、由粘接剂组合物得到的树脂固化物、使用了粘接剂组合物的半导体装置的制造方法、以及固体摄像元件 |
JP6610263B2 (ja) | 2014-01-29 | 2019-11-27 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法及び固体撮像素子 |
KR101813432B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2017-12-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 반도체 나노 입자 함유 경화성 조성물, 경화물, 광학 재료 및 전자 재료 |
KR20170023719A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물 |
JP2017103303A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着剤、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP6609337B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-11-20 | 住友化学株式会社 | 重合体及び組成物 |
JP2018172565A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | コニシ株式会社 | アクリル系硬化性樹脂組成物 |
CN110709487B (zh) * | 2017-06-07 | 2022-01-14 | 田中贵金属工业株式会社 | 导热性导电性粘接剂组合物 |
JP7115445B2 (ja) * | 2019-09-03 | 2022-08-09 | 信越化学工業株式会社 | マレイミド樹脂フィルム及びマレイミド樹脂フィルム用組成物 |
JP2023537612A (ja) * | 2020-08-14 | 2023-09-04 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 持続的接合及びパターニングの材料 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2031573A1 (de) * | 1969-07-01 | 1971-01-07 | General Electric Co., Schenectady, N Y (V.St.A.) | Imidosubstituierte Polyester und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4675414A (en) * | 1985-03-08 | 1987-06-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Maleimidomethyl-carbonate polyethers |
CN1021054C (zh) * | 1989-08-23 | 1993-06-02 | 东方绝缘材料厂 | 双组分环氧无溶剂滴浸树脂组合物 |
US5006575A (en) * | 1989-10-20 | 1991-04-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Die attach adhesive composition |
JPH04159315A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-02 | Showa Denko Kk | 耐熱性熱硬化性樹脂組成物 |
US6034194A (en) * | 1994-09-02 | 2000-03-07 | Quantum Materials/Dexter Corporation | Bismaleimide-divinyl adhesive compositions and uses therefor |
US5789757A (en) | 1996-09-10 | 1998-08-04 | The Dexter Corporation | Malemide containing formulations and uses therefor |
DE69533287T2 (de) | 1994-09-02 | 2005-08-25 | Henkel Corp., Rocky Hill | Wärmehärtbare harze aus maleinimiden und/oder vinylderivaten |
US5717034A (en) | 1996-07-29 | 1998-02-10 | Quantum Materials, Inc. | Perfluorinated hydrocarbon polymer-filled adhesive formulations and uses therefor |
US6034150A (en) * | 1996-08-23 | 2000-03-07 | University Of Southern Mississippi | Polymerization processes using aliphatic maleimides |
JP3283455B2 (ja) | 1996-11-29 | 2002-05-20 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性ペースト |
FR2757147B1 (fr) * | 1996-12-12 | 1999-01-29 | Inst Francais Du Petrole | Procede et dispositif d'epuration d'un gaz contenant de l'hydrogene sulfure et du dioxyde de soufre |
JPH10168413A (ja) | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
JP3599160B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2004-12-08 | 大日本インキ化学工業株式会社 | マレイミド誘導体を含有する活性エネルギー線硬化性組成物及び該活性エネルギー線硬化性組成物の硬化方法 |
JPH11106455A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
MXPA01004775A (es) * | 1998-03-26 | 2005-06-13 | Sun Chemical Corp | Composiciones curables con energia compatibles con agua que contienen derivados de maleimida.. |
US6355750B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-03-12 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dye attach adhesives for use in microelectronic devices |
US6265530B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-07-24 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Die attach adhesives for use in microelectronic devices |
JP3705529B2 (ja) | 1998-08-24 | 2005-10-12 | 住友ベークライト株式会社 | 絶縁性ダイアタッチペースト |
JP2000144041A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | マレイミド誘導体を含有する木質材表面被覆用活性エネルギー線硬化性組成物及び該組成物の硬化方法 |
JP2000273326A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
FR2804121A1 (fr) * | 2000-01-24 | 2001-07-27 | Michelin Soc Tech | Composition de caoutchouc pour pneumatique comportant une charge blanche renforcante et un systeme de couplage ( charge blanche/elastomere) |
JP2001261939A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。 |
TWI282811B (en) * | 2000-04-10 | 2007-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Die-attaching paste and semiconductor device |
EP1167483A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-01-02 | Saehan Industries, Inc. | Adhesive tape for electronic parts |
JP2003040939A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物 |
JP2003040093A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nissin Kogyo Co Ltd | ストロークシミュレータ |
JP4587631B2 (ja) | 2002-01-30 | 2010-11-24 | Dic株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
JP2003277699A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Dainippon Ink & Chem Inc | 半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ |
US6803406B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-10-12 | National Starch And Chemical Investmnet Holding Corporation | Electron donors, electron acceptors and adhesion promoters containing disulfide |
JP4284922B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-06-24 | 日立化成工業株式会社 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP4134606B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2008-08-20 | 東亞合成株式会社 | 活性エネルギー線硬化型粘着剤及び粘着シート |
JP4333100B2 (ja) | 2002-08-20 | 2009-09-16 | 東亞合成株式会社 | 活性エネルギー線硬化型粘着剤及び粘着シート |
US7176044B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-02-13 | Henkel Corporation | B-stageable die attach adhesives |
KR100570952B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2006-04-13 | 시즈오까 다이가꾸쵸가 다이효스루 니혼고꾸 | 중합체의 제조 방법 |
JP4799177B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-10-26 | 関西ペイント株式会社 | 塗料組成物及び塗膜形成方法 |
CN102604592A (zh) * | 2004-03-19 | 2012-07-25 | 住友电木株式会社 | 树脂组合物及采用该树脂组合物制作的半导体装置 |
US7160946B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-09 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Method to improve high temperature cohesive strength with adhesive having multi-phase system |
JP4857574B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-01-18 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
-
2005
- 2005-03-16 CN CN2012100184580A patent/CN102604592A/zh active Pending
- 2005-03-16 SG SG200901751-8A patent/SG151269A1/en unknown
- 2005-03-16 CN CN2005800081991A patent/CN1930263B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-16 WO PCT/JP2005/004700 patent/WO2005090510A1/ja active Application Filing
- 2005-03-16 EP EP13165702.5A patent/EP2647686A3/en not_active Withdrawn
- 2005-03-16 CN CN200910253142.8A patent/CN101724354B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-16 CN CN2012100184561A patent/CN102585760A/zh active Pending
- 2005-03-16 EP EP05720935.5A patent/EP1736520B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-16 CN CN201210018460.8A patent/CN102618213B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-16 KR KR1020067020623A patent/KR101223948B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-16 CN CN2012100184453A patent/CN102604591A/zh active Pending
- 2005-03-16 JP JP2006511210A patent/JP4967655B2/ja active Active
- 2005-03-16 US US10/593,137 patent/US8088308B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-16 TW TW094108033A patent/TWI359835B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-18 MY MYPI20051173 patent/MY151958A/en unknown
- 2005-03-18 MY MYPI20090836A patent/MY158898A/en unknown
-
2011
- 2011-11-30 US US13/307,289 patent/US8614270B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-17 US US13/717,009 patent/US8853312B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI411655B (zh) * | 2008-08-27 | 2013-10-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | A photosensitive adhesive composition, a film-like adhesive using the same, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070005661A (ko) | 2007-01-10 |
EP1736520B1 (en) | 2014-04-30 |
US20130109798A1 (en) | 2013-05-02 |
EP2647686A3 (en) | 2013-10-30 |
CN1930263B (zh) | 2012-02-29 |
EP2647686A2 (en) | 2013-10-09 |
EP1736520A4 (en) | 2011-02-16 |
CN101724354B (zh) | 2014-07-09 |
US8614270B2 (en) | 2013-12-24 |
US8088308B2 (en) | 2012-01-03 |
US20070213467A1 (en) | 2007-09-13 |
TWI359835B (en) | 2012-03-11 |
CN1930263A (zh) | 2007-03-14 |
CN102618213A (zh) | 2012-08-01 |
CN101724354A (zh) | 2010-06-09 |
CN102585760A (zh) | 2012-07-18 |
MY158898A (en) | 2016-11-30 |
JP4967655B2 (ja) | 2012-07-04 |
KR101223948B1 (ko) | 2013-01-18 |
US8853312B2 (en) | 2014-10-07 |
SG151269A1 (en) | 2009-04-30 |
JPWO2005090510A1 (ja) | 2008-01-31 |
MY151958A (en) | 2014-07-31 |
WO2005090510A1 (ja) | 2005-09-29 |
US20120068106A1 (en) | 2012-03-22 |
CN102604592A (zh) | 2012-07-25 |
CN102618213B (zh) | 2015-05-20 |
CN102604591A (zh) | 2012-07-25 |
EP1736520A1 (en) | 2006-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200536884A (en) | Resin composition and semiconductor device produced by using the same | |
TWI322821B (zh) | ||
JP5055764B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
WO2012105550A1 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5034219B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4857574B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4835229B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5482077B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5356763B2 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5589337B2 (ja) | 積層構造体の製造方法 | |
JP4894395B2 (ja) | 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5034218B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4830386B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4929688B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4830387B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4929710B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |