JP2023537612A - 持続的接合及びパターニングの材料 - Google Patents

持続的接合及びパターニングの材料 Download PDF

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バロン フアン，
レイハネ セジュブサリ，
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Abstract

マイクロ電子基板を被覆し得るか、又は他の構造的用途又は光学的用途に使用され得る持続性材料を調製するための方法が開示される。当該持続性材料は、少なくとも３００℃まで熱的に安定であり、光プロセス又は熱プロセスを用いることで硬化し、（例えば金属不動態化において）良好な耐薬品性を示し、最終デバイスにおいて、少なくとも５年、好ましくは少なくとも１０年の寿命を有する。有利には、この材料は、室温で接合することもできる。当該材料は、接合後の移動又ははみ出しがなく、様々な種類の基板に接着する。この材料を利用するチップ・トゥ・チップ、チップ・トゥ・ウェハ、及び／又はウェハ・トゥ・ウェハの接合方法についても記載する。【選択図】図１

Description

関連出願
本出願は、２０２０年８月１４日に出願され、「ＰＥＲＭＡＮＥＮＴ ＢＯＮＤＩＮＧ ＡＮＤ ＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬ」という名称の米国仮特許出願第６３／０６５，７２７号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
分野
本発明は、半導体基板の接合又は被覆に有用な持続性材料に関する。
持続的に接合する接着材料は、ＣＭＯＳイメージセンサ、３Ｄ ＩＣ用途、ＭＥＭＳ、並びにウェハレベル及びパネルレベルのパッケージング（それぞれ、ＷＬＰ及びＰＬＰ）を含め、複数の技術分野に使用することができる。
これらの用途に現在利用可能な持続的接合材料には、長期安定性及び（ガラス転移温度より下での）温度安定性が限定的であり、かつ接合強度が低いといった限界がある。ビスフェノールＡ又はクレゾールから誘導されるエポキシ樹脂に関する懸念がある。多くの顧客は、アンチモン又は他の重金属を含有する材料を使用することが認められていないため、アンチモン含有の光酸発生剤を使用することができない。加えて、健康上及び環境上の懸念のため、ビスフェノールＡの使用が制限される可能性がある。同様に、いくつかの用途では、シリコーン含有の材料の使用が認められていない。これらの用途で広く使用されている接合接着剤であるベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：「ＢＣＢ」）には、接合後の高い位置合せ精度と同時にボイドのない接着剤接合を達成するという点で課題がある。
異種集積化のための高密度金属相互接続を容易にするために、ハイブリッド接合技術に適した持続的接合材料が必要である。ＳｉＯｘ又はＳｉＮｘのような無機誘電材料には、通常、所望の接合性能及び収率を得るために、超平坦及び／又は超清浄な表面が必要とされる。ハイブリッド接合のための代替の誘電材料としてＢＣＢ又はポリイミドを使用するいくつかの他の方法ではまた、超平坦な接合表面を得るために、化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：「ＣＭＰ」）又は他の平坦化工程が必要とされる。さらに、ＢＣＢ又はポリイミドの接合には、より高い温度処理（＞２５０℃）が必要であり、これはパッケージングの技術開発にとって望ましいことではない。
本開示は、概して、マイクロ電子構造体を形成する方法に関する。その方法は、裏面及び表面を有する基板を提供することを含み、その基板は、任意選択で、１つ又は複数の中間層を表面上に備える。前記表面に、又は存在する場合には１つ又は複数の中間層に組成物を塗布して、接合層を形成する。組成物は、溶媒系に分散又は溶解したビスマレイミドを含む。接合層を形成した後、以下の（Ａ）、（Ｂ）、又は（Ｃ）の少なくとも１つが実施される。
（Ａ）ダイ、又は少なくとも１つのダイを備えるウェハを接合層に取り付けること、
（Ｂ）接合層上にフォトレジスト層を形成し、
フォトレジスト層にパターンを形成し、
そのパターンを接合層に転写して、パターン化接合層を形成すること、又は
（Ｃ）接合層の少なくとも一部を除去するように接合層をレーザエネルギーに曝露すること。
別の実施形態では、マイクロ電子構造体が提供される。その構造体は、面を有するマイクロ電子基板と、任意選択で、その基板の面上に１つ又は複数の中間層とを備える。１つ又は複数の中間層が存在する場合、前記基板の面の上に最上部の中間層がある。中間層が存在する場合、接合層が最上部の中間層上にあり、又は中間層が存在しない場合、接合層は基板の面上にある。接合層は、ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの少なくとも１つと、
（Ａ）その接合層の上又は中のダイ、
（Ｂ）その接合層上に少なくとも１つのダイを備えるウェハ、
（Ｃ）その接合層上のパターン化フォトレジスト層、又は
（Ｄ）その接合層上のキャリアウェハ
の少なくとも１つとを備える。
本発明のさらなる実施形態では、仮接合方法が提供される。この方法は、裏面及び表面を有する第１の基板を備えるスタックを提供することを含む。前記第１の基板は、任意選択で、１つ又は複数の中間層をその表面上に備える。前記表面上に、又は１つ又は複数の中間層が存在する場合は、その中間層上に接合層がある。接合層は、ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの一方又は両方を含む。接合層は、第２の基板の第１の面上にある。接合層は、第１の基板と第２の基板との分離を容易にするために、レーザ又は他のエネルギーに曝露される。
またさらなる実施形態では、本開示は、上面を有する第１の基板を提供することを含む接合方法を提供する。前記上面の中又は上に形成されたパッド、ピラー、マイクロバンプ、又はそれらの組合せから選ばれる第１組の特徴部がある。第１組の特徴部の少なくとも一部を覆い、接合層を形成するように、感光性組成物が前記上面に塗布される。その組成物は、溶媒系に分散又は溶解した化合物を含む。第１組の特徴部の少なくとも一部を露出させるように、接合層の一部を除去することで、パターン化された接合層が得られる。パターン化接合層はエネルギーに曝露され、第１の基板に第２の基板が接合される。第２の基板は、パターン化接合層内に受容されるように構成されたパターンを有する第２組の特徴部を備え、その結果、第１組の特徴部の少なくとも一部が、第２組の特徴部の少なくとも一部と接触する。エネルギー曝露は基板接合の前に行うことができ、又は、エネルギーに曝露する前に基板接合を行うことができる。
別の実施形態では、マイクロ電子構造体が提供され、その構造体は、上面を有する第１の基板を備える。前記上面は、その上面の中又は上に形成されたパッド、ピラー、マイクロバンプ、又はそれらの組合せから選ばれる第１組の特徴部を備える。第１組の特徴部と特徴部との間には間隙があり、その間隙内に接合層がある。接合層は、ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの少なくとも１つを含む。第１の基板には、第２の基板が接合される。第２の基板は、第２の基板（ｓｕｂｓｔａｔｅ）の上面の中又は上に形成されたパッド、ピラー、マイクロバンプ、又はそれらの組合せから選ばれる第２組の特徴部を備える上面を有する。第２組の特徴部の少なくとも一部は、第１組の特徴部の少なくとも一部と接触している。
本発明の一実施形態によるダイ・アタッチ・プロセスの（縮尺通りではない）概略図である。 パターン化フォトレジストをエッチングマスクとして使用し、ドライエッチングによって接合層をパターン化する、本発明の別の実施形態によるプロセスの（縮尺通りではない）概略図である。 本発明の別の実施形態による仮接合プロセスの概略図の断面図である。 本発明のさらなる実施形態によるチップ・トゥ・ウェハ（ｃｈｉｐ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ）接合プロセスの概略図の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態によるウェハ・トゥ・ウェハ（ｗａｆｅｒ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ）接合プロセスの概略図の断面図である。 研削されたウェハ全体の写真画像（中央の写真）並びに研削されたウェハのエッジのいくつかの顕微鏡画像（５０倍）を示しており、実施例４に記載されているように、エッジ欠陥がないことを示している。 研削されたウェハ全体の写真画像（中央の写真）並びにウェハのエッジのいくつかの顕微鏡画像を示しており、実施例６に記載されているように、ウェハは３０μｍまで研削され、エッジ欠陥がなくなっている。 （実施例８の組成物を使用した）実施例１０に記載のパターン化及び接合されたウェハ対の顕微鏡画像（２００倍）であり、画像はガラスウェハを通して撮影されている。 （実施例１１の組成物を使用した）実施例１２に記載のパターン化及び接合されたウェハ対の顕微鏡画像であり、画像はガラスウェハを通して撮影されている。 （実施例９の組成物を使用した）実施例１３に記載のパターン化及び接合されたウェハ対の顕微鏡画像（２００倍）であり、画像はガラスウェハを通して撮影されている。 実施例１５で形成したパターン化ウェハの走査型電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：「ＳＥＭ」）画像（２，５００倍）である。 は、実施例１６に記載のダイ接合を実施したときの写真画像である。
本発明は、ダイ・アタッチ・プロセス及び他の持続的接合プロセス、パターン化層の形成、並びに／又はウェハ仮接合のための組成物及びその組成物を使用する方法に関する。
組成物
本発明の組成物は、溶媒系において、化合物と何らかの任意選択の成分とを混合することによって形成される。得られた組成物は室温で安定であり、マイクロ電子基板を容易に被覆することができる。
１．好ましい化合物
好ましい化合物は、ポリマー、オリゴマー、モノマー、又はさらにそれらの混合物とすることができ、好ましくはマレイミドの繰り返し単位又は部分を含む。
ビスマレイミドが特に好ましい。一実施形態において、ビスマレイミドは、以下の
（Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は、（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む。
一実施形態において、ビスマレイミドは、１個～約１５個の上記部分、好ましくは１個～約１０個の上記部分を含む。
別の実施形態では、ビスマレイミドは、以下の
を含み、
式中、各Ｒは、個々に、以下の
から選ばれ、
各Ｒ２は、様々な連結基から個々に選ばれ、
各ｎは、個々に１～約１５、好ましくは１～約１０である。
好ましい連結基としては、アルキル（好ましくはＣ１～約Ｃ３６、より好ましくは約Ｃ６～約Ｃ１８、さらに好ましくは約Ｃ１２～約Ｃ１８）、アリール（好ましくはＣ６～Ｃ１８、最も好ましくはＣ６）、環式（好ましくは約Ｃ５～Ｃ１８、より好ましくは約Ｃ６～約Ｃ１２、さらに好ましくはＣ６）、及びそれらの組合せなどの、任意の数の炭化水素部分が挙げられる。特に好ましい実施形態では、連結基は上記の環状部分及び／又は芳香族部分を含み、それらは、同じく上記の１、２、３、４、５、又は６個のアルキル鎖を有する。好ましくは、アルキル鎖の１つ又は２つが、ビスマレイミドの残り部分への連結基の結合を担う。
好ましいビスマレイミドは、Ｄｅｓｉｇｎｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（サンディエゴ、カリフォルニア州）によってＢＭＩ－１４００、ＢＭＩ－１５００、ＢＭＩ－１７００、ＢＭＩ－３０００、及びＢＭＩ－５０００の名称で販売されている。これらの構造は以下の通りである。
ＢＭＩ－１４００及びＢＭＩ－１７００
ＢＭＩ－３０００及びＢＭＩ－５０００
ＢＭＩ－１５００
なお、連結基Ｃ３６Ｈ７０又はＣ３６Ｈ７２は、必ずしもアルキル鎖である必要はなく、上記のように、異なる種類の炭化水素部分のブレンドとすることができる。例えば、以下は、全体が描かれたＢＭＩ－３０００及びＢＭＩ－５０００についての連結基Ｒ２である。
式中、ｎ＝１～１０
好ましいビスマレイミドは、重量平均分子量が約５００ダルトン～約８，０００ダルトン、好ましくは約１，０００ダルトン～約５，０００ダルトン、より好ましくは約１，０００ダルトン～約３，０００ダルトン、さらに好ましくは約１，０００ダルトン～約２，０００ダルトンである。
選ばれる化合物にかかわらず、その（１つ又は複数の）化合物は、組成物の総重量を１００重量％として、好ましくは約１０重量％～約９０重量％、より好ましくは約２０重量％～約７０重量％、さらに好ましくは約５０重量％～約６０重量％の濃度で組成物中に存在する。
２．溶媒
適切な溶媒系としては、単一溶媒又は溶媒混合物が挙げられる。例示的な溶媒としては、以下に限定されるものではないが、エチルラクテート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、イソアミルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メシチレン、アニソール、ｄ－リモネン、及びそれらの混合物が挙げられる。溶媒系は、組成物の総重量を１００重量％として、約２０重量％～約８０重量％、好ましくは約３０重量％～約７０重量％で材料中に存在し、これらの割合の残りの部分は組成物中の固形分によって占められる。組成物に添加される１つ又は複数の溶媒の量は、利用される被着方法に応じて異なってもよいことが理解されよう。
３．コモノマー
感光性及び／又は重合効率を改善するために、コモノマーを材料に添加してもよい。適切なコモノマー系としては、以下に限定されるものではないが、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．によってＬＩＶＥＬｉｎｋ（商標）という名称で販売されているものなど）、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物が挙げられる。コモノマー（１つ又は複数）は、組成物の総重量を１００重量％として、約１重量％～約５０重量％、好ましくは約２重量％～約３０重量％、より好ましくは約５重量％～約２０重量％で、材料中に存在する。これらのコモノマーは、最終組成物の所望の特性及びその使用に応じて選択される。
４．添加剤
任意選択で、添加剤が組成物に含まれてもよい。可能性がある添加剤の例としては、以下に限定されるものではないが、架橋剤、開始剤、界面活性剤、湿潤剤、接着促進剤、色素、着色剤及び顔料、並びに／又は他のポリマー及び樹脂が挙げられる。これらの添加剤は、最終組成物の所望の特性及びその使用に応じて選択され得る。
レーザアブレーションなどの処理に適した光学特性とするために、材料に色素を添加してもよい。色素が使用される場合、適切な色素としては、以下に限定されるものではないが、ビス（ベンジリデンマロノニトリル）、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル－４－メトキシベンジリデンピルビン酸、及びそれらの混合物が挙げられる。色素が含まれる場合、色素は、組成物の総重量を１００重量％として、約０．１重量％～約３０重量％、好ましくは約１重量％～約２０重量％、より好ましくは約５重量％～約１０重量％で材料中に存在する。色素は、組成物に混合することができ、又は化合物に付着させることができる。
適切な開始剤としては、以下に限定されるものではないが、９，１０－フェナントレンキノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン（ＣｉｂａのＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３など）、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ビス－アシルホスフィンオキシド（ＩＧＭ ＲｅｓｉｎｓのＯｍｎｉｒａｄ ８１９など）、エチル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニル－ホスフィネート（ＩＧＭ ＲｅｓｉｎｓのＯｍｎｉｒａｄ ＴＰＯ－Ｌなど）、オキシムエステル光開始剤（ＢＡＳＦのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ ０１又はＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ ０２など）、及びそれらの混合物が挙げられる。光開始剤が使用される場合、光開始剤は、組成物の総重量を１００重量％として、約０．１重量％～約１０重量％、好ましくは約０．３重量％～約７重量％、より好ましくは約０．５重量％～約５重量％の濃度で材料中に存在する。
適切な界面活性剤としては、以下に限定されるものではないが、ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｒ－３０Ｎ（ＤＩＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）、Ｆ－５５６（ＤＩＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）などの非イオン性フッ素化界面活性剤、及びそれらの混合物が挙げられる。界面活性剤は、使用される場合、組成物の総重量を１００重量％として、約０．０１重量％～約０．５重量％、好ましくは約０．０１重量％～約０．２重量％で材料中に存在する。
適切な接着促進剤としては、以下に限定されるものではないが、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、ピロメリット酸ジメタクリレート、ピロメリット酸二無水物グリセロールジメタクリレート、４－メタクリロキシエチルトリメリット酸、及びそれらの混合物が挙げられる。接着促進剤は、使用される場合、組成物の総重量を１００重量％として、約０．０５重量％～約５重量％、好ましくは約０．１重量％～約３重量％で組成物中に存在する。
一実施形態において、組成物は、溶媒系に分散又は溶解した当該化合物から本質的になるか、又はそれからまさになる。さらなる実施形態では、組成物は、当該化合物（及び好ましくはビスマレイミド）と、開始剤、コモノマー、及び／又は接着促進剤の少なくとも１つと、溶媒系とから本質的になるか、又はそれらからまさになる。
実施形態にかかわらず、得られた組成物は室温で安定であり、マイクロ電子基板を容易に被覆することができる。本明細書で使用される場合、「安定である」とは、組成物が、少なくとも約１８０日、好ましくは約３６０日～約７２０日の間、溶液からの固形分の沈殿又は分離が約０．１％未満で保存できることを意味する。
使用方法
有利には、開示される組成物は、特定の構造体又はデバイスにおける持続的な層又は構成要素などとして、マイクロ電子構造体、光学用途、及び構造用途での使用に適している。
組成物を使用する方法には、組成物を基板に塗布して、基板上に組成物の層を形成することが含まれる。基板は、任意のマイクロ電子基板とすることができる。基板がデバイス基板である実施形態では、利用される基板は、好ましくはトポグラフィ部（例えば、コンタクトホール、ビアホール、隆起特徴部、及び／又はトレンチ）を備える。このトポグラフィ部は、基板表面上に直接備えることができ、又は基板の面上に形成された他の材料の１つ又は複数の層に備えることができる。好ましい基板としては、フロントエンド用途及びバックエンド用途で一般的に使用されるものが挙げられる。基板がキャリア基板である場合、利用される基板は、一般に、トポグラフィ部を備えない。特に好ましい基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステンシリサイド、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、亜硝酸タンタル、シリコンゲルマニウム、ガラス、銅、クロム、亜鉛、酸化シリコン、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及びそれらの組合せから選ばれる。
組成物は、スピンコーティング、スロット・ダイ・コーティング、インクジェット印刷、及び溶媒ベースの被覆配合物の塗布に対応する他の方法によって、基板上を被覆することができる。これらの技術では、欠陥のない所望の被膜厚さ及び均一性を得るために、例えば、溶液を主溶媒で希釈し、かつ／又はポリマー沈殿を引き起こさない共溶媒を添加することによって、溶液中のポリマー固形分濃度の調整が必要とされる場合がある。好ましい塗布方法は、速度が約８００ｒｐｍ～約２，５００ｒｐｍ、より好ましくは約１，０００ｒｐｍ～約１，５００ｒｐｍ、時間が約２０秒～約６０秒、好ましくは約３０秒～約４０秒のスピンコーティングである。
基板への塗布後、組成物を溶媒ベークして、いかなる残留溶媒も蒸発させる。溶媒ベーク温度は、約６０℃～約１５０℃、好ましくは約６０℃～約１２０℃とする。この加熱工程は、好ましくは約１秒～約６分、より好ましくは約６０秒～約４分の時間で行われる。溶媒ベークは、２つ以上の工程で行われてもよく、すなわち、最初により低い温度でベークし、続いてより高い温度で２回目のベークが実施されてもよいことが理解されよう。
いくつかの実施形態では、組成物は、溶媒ベーク及び任意の中間工程の後に硬化される。他の実施形態では、硬化前に接合が行われる。いずれの場合も、開始剤が含まれていたかどうか、含まれていた場合には、それが熱開始剤であったか光開始剤であったかどうかに応じて、熱プロセス又は光プロセスによって硬化が行われることが好ましい。熱硬化（すなわち、熱開始剤が組成物中に含まれる）の場合、組成物は、その架橋温度より高い、好ましくは約１８０℃～約２５０℃、より好ましくは約２００℃～約２５０℃に、約１０分～約６０分、好ましくは約１０分～約３０分の時間で加熱されるべきである。光硬化（すなわち光開始剤が組成物中に含まれる）の場合、組成物は、ＵＶ放射線又は可視放射線などの放射線への曝露によって硬化され得る。露光波長は化学的性質に基づいて変わるが、約６０秒～約１５分、好ましくは約６０秒～約５分の時間で、好ましくは約２００ｎｍ～約５００ｎｍ、より好ましくは約３００ｎｍ～約４００ｎｍである。露光量は化学的性質に基づいて変わるが、好ましくは約３ｍＪ／ｃｍ２～約５０ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは約１０ｍＪ／ｃｍ２～約３０ｍＪ／ｃｍ２である。
被膜は、厚さ（エリプソメータによって５箇所にわたって測定された平均測定値）が、好ましくは約１μｍと約２０μｍの間、より好ましくは約３μｍ～約１０μｍである。有利には、被膜厚が約５μｍで硬化応力が比較的低く、これにより基板の湾曲が防がれるため、後被覆プロセスでのウェハ／基板処理が可能になる。
加えて、材料はＵＶ放射線に反応して架橋する特性を有しており、これにより、材料を熱可塑性処理によって形状などに成形、形成し、次いでＵＶ曝露によって硬化させることにより、使用時に基板に接着することができる自立型のフィルム又は積層体を形成することが可能である。あるいは、フィルム内の領域は、パターン化された曝露によって選択的に硬化し、例えば、より硬く、又はより熱的に安定した領域を生成することができる。架橋が経時的に起こり得るか、又は熱硬化又は光硬化によって起こるかにかかわらず、上記の化合物の間で架橋が形成され、材料は本来の熱可塑性から熱硬化性になる。
有利には、これらの材料は、様々な半導体パッケージングプロセスに使用され得る。プロセスに応じて、硬化前に、材料の初期被覆と溶媒ベークとの間に中間工程を実施してもよい。上記の条件と併せて（特に明記しない限り）これらの材料を利用する、例示的なプロセスフローを以下に記載する。
１．ダイ・アタッチ・プロセス
図１を参照すると、基板１０が提供されており、基板１０は表面１２及び裏面１４を有する。基板１０は、上記の基板のいずれかとすることができる。上記の組成物の層１６を、上記のように表面１２に塗布し溶媒ベークする。層１６は上面１８及び下面２０を有し、その下面２０は基板１０の表面１２と接触している。次に、層１６の上面１８にダイ２２を取り付け、組成物を硬化させる。硬化は、経時的に生じるか、又は、開始剤が利用されるか否か、利用される場合には開始剤の種類に応じて、熱硬化若しくは光硬化によって行うことができる。いずれにせよ、ここでダイ２２は持続的接合層１６に取り付けられる。次に、裏面１４の方向から基板１０を通して、（例えばレーザ穿孔によって）ビア２４を穿孔することができる。次いで、従来のメタライゼーションプロセスに従って、金属層２６をビア２４内及び裏面１４に被着し、特定の用途及びエンドユーザの目的に応じて、次いでさらなる処理工程（例えば、不動態化、パターニング、再配線層（ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：「ＲＤＬ」）形成、シンギュレーション、電気めっき、プラズマエッチング、洗浄、化学気相成長、物理気相成長、及びこれらの組合せ）を行うことができる。
図１は、持続的接合層１６に取り付けられているダイ２２を示しているが、同じプロセスを使用して、１つ又は複数のダイを備えるウェハを持続的接合層１６に取り付けることもできることが理解されよう。
２．光パターニングプロセス
図２を参照すると、基板２８が提供されており、基板２８は表面３０及び裏面３２を有する。基板２８は、上記の基板のいずれかとすることができる。上記の組成物の層３４を、上記のように表面３０に塗布し溶媒ベークする。層３４は上面３６及び下面３８を有し、その下面３８は基板２８の表面３０と接触している。溶媒ベーク後、上記のように層３４は硬化されるか、又は硬化し得る。
次に、下面４２及び上面４４を有する感光層４０を形成するように、下面４２が層３４の（すなわち、本明細書に記載の本発明の実施形態による組成物から形成された層の）上面３６と接触する状態で、従来のフォトレジスト組成物を層３４の上面３６に、（従来のプロセスに従って）塗布する。製造業者の使用説明書に従って、フォトレジスト層４０を乾燥又はベークする。次いで、所望のパターンを有する（図示されていない）マスクを介して、フォトレジスト層４０をＵＶ光に曝露する。当業者は、例えばフォトレジストがポジ型作用であるかネガ型作用であるかを考慮して、パターン形成の方法を判断するであろう。加えて、露光波長、線量などは、フォトレジストの化学的性質及び／又は製造業者の推奨に基づいて、当業者によって決定することができる。曝露及び任意の曝露後ベークの後、パターン化フォトレジスト層４０’を形成するために、水性現像剤を使用してフォトレジスト層４０を現像する。パターン化フォトレジスト層４０’は、現像後に残存する部分４６、並びに現像中に除去された「空隙」４８を有する。部分４６及び空隙４８は協働してパターン化フォトレジスト層４０’を形成する。パターン化フォトレジスト層４０’は、次に、本発明の層３４を（例えばＣＦ４エッチャントを使用して）ドライエッチングするためのエッチングマスクとして使用することができ、パターン化フォトレジスト層４０’から本発明の層３４にパターンを転写することによって、パターン化フォトレジスト層３４’の残存部分及び空隙に対応する残存部分３６’及び「空隙」４８’を有するパターン化層３４’を形成する。パターン化された持続的接合材料を使用して、次に、後続の処理工程を実施することができる。例えば、１つ若しくは複数のダイ、又は少なくとも１つの（図示されていない）ダイを備えるウェハを、パターン化層３４’に取り付けることができる。この場合、残存部分３６’又は空隙４８’は、１つ若しくは複数のダイ又は他の構造体を固定する箇所のテンプレートとして使用することができる。この段階で行うことができる他の処理としては、ダイカプセル化、気密封止、及び／又はハイブリッド接合が挙げられる。
３．接合プロセス
（縮尺通りではない）図３（Ａ）を参照すると、前駆構造体５０が概略断面図で表されている。構造体５０は、第１の基板５２を備える。基板５２は、表面又はデバイス面５４及び裏面５６を有する。好ましい第１の基板５２としてはデバイスウェハが挙げられ、例えばそのデバイス面が、集積回路、ＭＥＭＳ、マイクロセンサ、パワー半導体、発光ダイオード、フォトニック回路、インターポーザ、埋め込み受動デバイス、並びにシリコン、並びにシリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム、及びリン化インジウムガリウムなどの他の半導体材料上で又はそれらから製造される他のマイクロデバイスからなる群から選択されるデバイスの（図示されていない）アレイを備えるデバイスウェハである。これらのデバイスの面は、一般的に、以下の材料、すなわちシリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属（例えば、銅、アルミニウム、金、タングステン、タンタル）、ｌｏｗ－ｋ誘電体、ポリマー誘電体、並びに様々な金属の窒化物及びシリサイドのうちの１つ又は複数から形成された（この場合も図示されていない）構造体を備える。デバイス面５４はまた、以下からなる群から選択される少なくとも１つの構造体を備えることもでき、その群とは、はんだバンプ；金属ポスト；金属ピラー；並びにシリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、ｌｏｗ－ｋ誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、及び金属シリサイドからなる群から選択される材料から形成された構造体である。
本発明による組成物は、図３（ａ）に示すように、（先に記載した工程に続き）第１の基板５２に塗布されて、デバイス面５４に接合層５８を形成する。接合層５８は、第１の基板５２から離れた上面６０を有する。接合層５０は、デバイス面５４に直接形成することができ（すなわち、接合層５８と基板５２との間にいかなる中間層もない）、又は、最初にデバイス面５４に１つ又は複数の中間層（図示していないが、例えば、ハードマスク層、スピンオンカーボン層、誘電体層、剥離層など）を形成し、次いで、接合層５８を最上部の中間層上に直接形成することができる。いずれにせよ、先に記載の工程に従って、接合層５８が塗布され溶媒ベークされる。
第２の前駆構造体６２もまた、図３（ａ）に概略断面図で表されている。第２の前駆構造体６２は、第２の基板６４を有する。この実施形態では、第２の基板６４はキャリアウェハであり、表面又はキャリア面６６及び裏面６８を有する。第２の基板６４は任意の形状とすることができるが、通常、第１の基板５２と同様の形状及び寸法とされる。好ましい第２の基板６４としては、クリアウェハ、又はレーザエネルギーがキャリア基板を通過することが可能な任意の他の（レーザエネルギーに対して）透過性の基板、例えば、以下に限定されるものではないが、ガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｇｏｒｉｌｌａガラス、及びサファイアが挙げられる。特に好ましい１つのガラスのキャリアウェハとしては、Ｃｏｒｎｉｎｇ ＥＡＧＬＥ ＸＧガラスウェハがある。
上記の溶媒ベークの後、接合スタック７０（図３（Ｂ））を形成するように、２つの基板５２及び基板６４を、追加的な任意の中間層と共に２つの基板間の持続的接合材料（すなわち本明細書に記載の組成物）で、圧力下において対面構成で互いに接合する。好ましい接合圧力は、約１００Ｎ～約５，０００Ｎ、より好ましくは約１，０００Ｎ～約３，０００Ｎである。好ましい接合時間は、約３０秒～約５分、より好ましくは約３０秒～約２分である。好ましい接合温度は、約２０℃～約１２０℃、より好ましくは約３０℃～約７０℃である。一実施形態において、接合は、好ましくは室温で行われる。
接合層５８は、様々な種類の基板に接着し、接合後の移動又は「はみ出し」がない。これにより、第１の基板５２を安全に取り扱うことができ、第１の基板５２に対して、第２の基板６４に接合されていなければ第１の基板５２を損傷させる可能性があるさらなる処理を行うことができる。例えば、構造体に対して、基板５２及び基板６４の分離を生じることなく、かつこれらの後続の処理工程中に遭遇するいかなる化学物質の浸透もなく、裏面研削、化学機械研磨（「ＣＭＰ」）、エッチング、金属被着（すなわちメタライゼーション）、誘電体被着、パターニング（例えば、フォトリソグラフィ、ビアエッチング）、不動態化、アニーリング、及びそれらの組合せなどの裏面処理を行うことができる。一実施形態では、接合スタック７０は、後続の処理工程の間及び後に、持続的に接合された状態を保ち得る。
別の実施形態では、処理が完了すると、レーザを使用することによって基板５２及び基板６４を分離して、接合層５８の全て又は一部を分解又は切除することができる。これは、接合層５８を形成するために使用される組成物が色素を含んだ実施形態において特に有用である。適切なレーザ波長としては、約２００ｎｍ～約４００ｎｍ、好ましくは約３００ｎｍ～約３６０ｎｍが挙げられる。接合層５８を剥離するために、ウェハ全体を曝露するためのスタンドアンドリピート方式又はライン走査方式で、基板６４の面全体をレーザで走査する。例示的なレーザ剥離ツールとしては、ＳＵＳＳ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌａｍｂｄａ ＳＴＥＥＬ ２０００レーザ剥離機及びＫｉｎｇｙｏｕｐレーザ剥離機が挙げられる。基板６４は、好ましくは、約４０×４０μｍ～約１２．５×４ｍｍの照射野面積を有するレーザスポットによって走査される。基板５２、基板６４を剥離するのに適したフルエンスは、約１００ｍＪ／ｃｍ２～約４００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは約１５０ｍＪ／ｃｍ２～約３５０ｍＪ／ｃｍ２である。基板５２、基板６４を剥離するのに適した電力は、約０．５Ｗ～約６Ｗ、好ましくは約１Ｗ～約２Ｗである。レーザ曝露後、基板５２及び基板６４は容易に分離する。分離後、プラズマエッチング又は接合層５８を溶解することができる溶媒で、残存するいかなる接合層５８も除去することができる。
あるいは、接合層５８を機械的に破壊、切断、及び／又は溶解することによって剥離することができる。
上記の実施形態では、接合層５８は、デバイスウェハである第１の基板５２に接して示されている。この基板／層の構成は逆にすることができることが理解されよう。すなわち、第２の基板６４（キャリアウェハ）に接して接合層５８を形成することができる。この実施形態には、上に記載したものと同じ組成物及び処理条件が適用される。
４．位置合せ及び接合プロセス
（縮尺通りではない）図４（Ａ）を参照すると、前駆構造体７０が提供されている。前駆構造体７０は、第１の基板７２を備える。第１の基板７２は、表面７４及び裏面７６を有する。表面７４は、複数の特徴部７８を備える。複数の特徴部７８は同じであっても異なっていてもよく、それらは、バンプ又はダイパッド、ピラー、マイクロバンプ、及びそれらの組合せなどの金属接触部から選ばれる。マイクロバンプの形状は一般に球形であり、ピラーの形状は一般に円筒形である。それぞれは、通常、ピッチが約４０μｍ以下、好ましくは約３０μｍ以下、及び最小でサブミクロンの寸法（例えば約１μｍ）である。バンプ又はダイパッドは、ワイヤ、はんだボール、ピラー、又はマイクロバンプなどの電気接続部を取り付けることができる平坦な導電性領域である。バンプ又はダイパッド、マイクロバンプ、及びピラーは、任意の従来の材料、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、ＣｕＳｎ、ＳｎＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、ＡｌＯｘ、Ｔｉ、Ｔａ、導電性エポキシ、及びそれらの組合せから選ばれるもので形成することができる。いくつかの実施形態では、酸化又は他の損傷を防止するために、原子層被着によって特徴部７８上に非常に薄い材料の層が被着される。
複数の特徴部７８は、それぞれに上面８０を有し、それらの間には間隙又は空間８２がある。特徴部７８どうしの間の間隙８２の寸法は、従来のように、ユーザの特定のニーズ及び設計に応じて選択されることが理解されよう。感光性接合組成物、例えば先に記載した感光性接合組成物を、先に記載のプロセスに従って表面７４及び上面８０に塗布して、感光層８４を形成する。次いで、所望のパターンを有する（図示されていない）マスクを介して、感光層８４を放射線に曝露する。好ましくは、マスクは、特徴部７８どうしの間にある感光層８４の上記の部分に光が接触し、それにより、放射線に曝露された部分が現像剤又は溶媒（例えばシクロペンタノン）に不溶になり得るように設計される。この文脈において、「不溶」とは、曝露された部分が約１８０秒間現像剤と接触した場合に、その重量減少が約１％未満、好ましくは約０％となることを意味する。
曝露後、感光層８４は、好ましくは、約５０℃～約８０℃で約３分間～約１０分間ソフトベークされ、続いて約１００℃～約１５０℃で約５分間～約２０分間、２回目のベークが行われる。次いで、感光層８４に対して溶媒現像工程を行って、感光層８４の放射線に曝露されなかった部分（すなわち、未硬化の状態であるため現像剤に可溶である部分）を溶解除去する。図４（Ｂ）に示すように、この結果、隆起部８６と、隆起部８６どうしの間の開口部８８とを有するパターン化層８４’が形成され、開口部８８により特徴部７８が露出されている。好ましくは、次いで、感光層８４を形成するために使用した感光性接合組成物中の化合物の完全重合を確実にするために、熱又はＵＶの硬化工程を行う。
図４（Ｃ）を参照すると、第２の前駆構造体９０が提供されている。構造体９０は、第２の基板９２を備える。第２の基板９２は、表面９４及び裏面９６を有する。表面９４は、複数の特徴部９８を備える。複数の特徴部９８は同じであっても異なっていてもよく、それらは、バンプパッド、ピラー、マイクロバンプ、及びそれらの組合せから選ばれる。特徴部９８によって形成されたパターンは、上記のように、パターン化感光層８４’を調製するためのガイドとして使用されることが理解されよう。すなわち、パターン化感光層８４’のパターンは、特徴部９８によって形成されたパターンのネガ型である。加えて、パターン化感光層８４’の厚さは、特徴部９８のそれぞれの高さに対応するように選ばれる。したがって、開口部８８は特徴部９８を受容するように構成されているため、スタック１００が示されている図４（Ｄ）に示すように、前駆構造体７０及び９０の位置合せが簡易化される。スタック１００に対し、次に、例えば、約２００℃未満の温度の接合チャンバ内で、又は先に記載の他の接合パラメータに従って、所望に応じて接合を行うことができる。加えて、特徴部７８、９８とパターン化感光層８４’の隆起部８６との間のいかなる間隙も、真空下で約１秒～約６０秒間、高温（例えば、約８０℃～約２００℃、好ましくは約１２０℃）で封止することができる。
上記のプロセスは、様々な基板構成を可能にすることが理解されよう。図４に、「チップ・トゥ・ウェハ」接合プロセスの概略図を示す。すなわち、図４において、第１の前駆構造体７０の第１の基板７２はウェハであり、一方、第２の前駆構造体９０はチップである。図５では、第１の基板７２は同じくウェハであるが、第２の前駆構造体９０もウェハ（すなわち「ウェハ・トゥ・ウェハ」接合プロセス）である。（わかりやすくするために、図５は図４と同様に番号付しており、１０２は曝露中に使用するマスクを表す。）加えて、図５は、感光性接合組成物のコンフォーマルな塗布を示しているのに対し、図４は、感光性接合組成物の平坦化塗布を表している。ウェハ・トゥ・ウェハ接合プロセスの場合、ウェハは、約１０分～約３０分間、真空下で高温（例えば、約１００℃～約２５０℃、好ましくは約１５０℃）で接合及び封止される。
最後に、さらなる実施形態では、（図示されていない）「チップ・トゥ・チップ」接合プロセスも行うことができる。本実施形態では、第１の前駆構造体７０及び第２の前駆構造体９０はいずれもチップである。
記載した「位置合せ及び接合」の複数プロセスのそれぞれは、低温接合（通常約２００℃未満）、低温硬化（約２００℃未満）、粒子又は基板の表面／厚さ変動に対する高い許容性、及びＣＭＰ又は他の平坦化技術が不必要であるなど、同様の利点を示すことが理解されよう。
５．レーザ・パターニング・プロセス
さらなる実施形態では、本明細書に記載の組成物は、レーザ・パターニング・プロセスで利用することができる。レーザ・パターニング・プロセスは、先に記載したように、組成物が色素を含む実施形態において特に有用である。先に記載したマイクロ電子基板を含め、任意のマイクロ電子基板を本発明で使用することができる。組成物を塗布する方法は、先に記載の一般的な方法による。形成された層を、好ましくはエキシマレーザを使用し、レーザエネルギーにその層を曝露するレーザアブレーションによってパターン化する。レーザは、切除する領域においてのみ小さなレーザ光がラスター化される「直接書き込み」方式で使用されてもよく、又はレーザは、金属マスクを介して、レーザがそのマスクを通過することができる領域のみを切除するように照射されてもよい。レーザエネルギーは層の材料によって吸収され、様々な光化学的効果及び熱的効果の結果、層の一部が除去されて、その層にパターンが形成される。
エキシマレーザ波長は、好ましくは約２００ｎｍ～４５０ｎｍ、より好ましくは約２５０ｎｍ～４００ｎｍ、さらに好ましくは約３００ｎｍ～４００ｎｍである。パルス周波数は、約４，０００Ｈｚ未満、好ましくは約１００Ｈｚ～約３，５００Ｈｚ、より好ましくは約１，０００Ｈｚ～約３，０００Ｈｚ、さらに好ましくは約２，０００Ｈｚ～約３，０００Ｈｚである。パルス長は、使用されるパルスレーザの種類によって、約１μｓ～約１００ｐｓとすることができる。除去される材料の量は、材料、レーザ波長、パルス周波数、及びパルス長による。
この選択的な除去により、材料が除去されたラインとラインの間にスペースがある前記層のライン、又は前記層内のビア（穴）内などの特徴部を生成することができ、レーザアブレーションによって任意のパターンを形成することができることが理解されよう。レーザアブレーションを用いてライン及びスペースを形成する場合、ライン及びスペースの幅は、好ましくは約２００ミクロン未満、より好ましくは約１ミクロン～約７０ミクロン、さらに好ましくは約２０ミクロン～約６０ミクロンである。レーザアブレーションを用いてビアを形成する場合、形成されるビアの直径は、好ましくは約７００ミクロン未満、より好ましくは約１ミクロン～約５００ミクロン、さらに好ましくは約１０ミクロン～約３００ミクロンである。有利には、特徴部の側壁は、基板の面に対して実質的に垂直であってもよく、すなわち、特徴部の側壁は、基板の面（又は存在する任意の中間層の最上部の面）に対して好ましくは約７０°～約１１０°の角度、より好ましくは基板の面に対して約９０°の角度を成す。
層特性
実施形態にかかわらず、本明細書に記載の組成物によって形成された硬化層は、優れた熱特性及び接着特性を有する。材料は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは約３０℃～約２００℃、より好ましくは約１５０℃～約２００℃である。当該層はまた、好ましくは、分解温度（Ｔｄ）が少なくとも約３００℃、より好ましくは少なくとも約３３０℃、さらに好ましくは少なくとも約３９０℃である高い熱安定性を有する。さらに、これらの材料は、好ましくは、膨張係数（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ）が約４５ｐｐｍ／℃～約２００ｐｐｍ／℃である。
硬化層は、引張伸びが好ましくは少なくとも約４％、より好ましくは約１２０％であり、また低い吸湿性を示す。当該層は、銅、クロム、亜鉛、アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの材料に良好に接着することができ、ＡＳＴＭ Ｄ４５４１－１７によって測定した場合の接着性が、少なくとも約１０ｐｓｉ、好ましくは少なくとも約３０ｐｓｉ、さらに好ましくは少なくとも約４０ｐｓｉである。
一実施形態では、当該層は好ましくは感光性である。すなわち、少なくとも約１ｍＪ／ｃｍ２の放射線に曝露すると、当該層をパターン化することができる。１ｍＪ／ｃｍ２の放射線に曝露してパターン化することができない層は、非感光性であると考えられる。
当該硬化材料はまた、誘電材料として機能することもできる。そのような場合、硬化層は、誘電率が少なくとも約２．０、好ましくは少なくとも約２．７になり、誘電損失が約０．００１～約０．０１、好ましくは約０．００２～約０．００８になる。上記のようにレーザアブレーション処理で使用される場合、硬化層は、ｋ値が好ましくは少なくとも約０．１、より好ましくは少なくとも約０．１５である。
当該硬化材料はまた、（金属不動態化の間においても）良好な耐薬品性を示す。良好な耐薬品性については、目的の化学物質（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、乳酸エチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン）中に、材料を約室温～約９０℃の温度で約１０分～約３０分の時間浸漬することによって試験する。硬化材料が目視検査で化学腐食の兆候を示さず、厚さの損失がほとんど又は全くない、すなわち、好ましくは厚さの損失が１０％未満、より好ましくは厚さの損失が約５％未満である場合、耐薬品性が良好であることが示される。当該硬化材料は、最終デバイスにおいて、寿命が好ましくは少なくとも５年、より好ましくは少なくとも１０年になる。
様々な実施形態のさらなる利点は、本明細書の開示及び下記の実施例を検討すれば、当業者には明らかであろう。本明細書に記載の様々な実施形態は、本明細書で特に明記されない限り、必ずしも相互に排他的ではないことが理解されよう。例えば、一実施形態で記載又は図示された特徴部は、他の実施形態においても含まれてもよいが、必ずしも含まれなくてもよい。このように、本開示は、本明細書に記載の特定の実施形態の様々な組合せ及び／又は統合を包含する。
本明細書で使用される場合、２つ以上の項目の列挙で使用される場合の「及び／又は」という語句は、列挙された項目のいずれか１つを単独で用いることができるか、又は列挙された項目の２つ以上の任意の組合せを用いることができることを意味する。例えば、組成物が成分Ａ、Ｂ、及び／又はＣを含有又は除外すると記載されている場合、組成物は、Ａ単独、Ｂ単独、Ｃ単独、ＡとＢとの組合せ、ＡとＣとの組合せ、ＢとＣとの組合せ、又はＡとＢとＣとの組合せを含有又は除外することができる。
本明細書ではまた、数値範囲を使用して、様々な実施形態に関する特定のパラメータを定量化する。数値範囲が提供される場合、そのような範囲によって、前記範囲の下限値を記載しているだけの特許請求の範囲の限定、並びに前記範囲の上限値を記載しているだけの特許請求の範囲の限定が、文字通り裏付けされると解釈するべきであることを理解されたい。例えば、開示された数値範囲、約１０～約１００によって、（上限なしに）「約１０より大きい」と記載している請求項及び（下限なしに）「約１００未満」と記載している請求項が、文字通り裏付けされる。
以下の実施例により、本開示による方法について述べる。しかし、これらの実施例は例示として提供されており、その中のいかなるものも全体的な範囲に対する限定としてとらえられるべきではないことを理解されたい。
実施例１
接合組成物１
この実施例では、４５グラムのＢＭＩ １７００（Ｄｅｓｉｇｎｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、カリフォルニア州サンディエゴ）を５５グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を、混合物が均一になるまで撹拌ホイールで混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例２
接合組成物２
この手法においては、４５グラムのＢＭＩ １７００及び２グラムのジクミルパーオキサイド（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ、ミズーリ州セントルイス）を５３グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を、混合物が均一になるまで撹拌ホイールで混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例３
接合組成物３（比較例）
この実施例では、４５グラムのＥｂｅｃｒｙｌ ３７２０（Ａｌｌｎｅｘ、イリノイ州イーストセントルイス）、３グラムのメタクリルかご型オリゴマーシルセスキオキサン（「ＰＯＳＳ」、Ｈｙｂｒｉｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ、ミシシッピ州ハッティズバーグ）、及び１．５グラムのジクミルパーオキサイド（Ｓｉｇｍａ）を５０．５グラムのシクロペンタノンに溶解した。その溶液を撹拌ホイールで一晩混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例４
実施例２の組成物の処理
１，５００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，５００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例２の材料の５μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。次いで、そのウェハを６０℃で２分間、続いて１２０℃で２分間ベークした。そのシリコンウェハにガラスウェハを位置合わせし、ＥＶＧボンダを使用して、２，０００Ｎの圧力、６０℃で３分間かけて接合した。次いで、その材料をＵＶランプ（ＩｎｔｅｌｌｉＲａｙ Ｆｌｏｏｄ Ｃｕｒｉｎｇシステム、ｉ線波長、ランプから３インチでの強度１１５ｍＷ／ｃｍ２）の下で２分間かけて硬化させ、続いて、２２０℃で５分間、続いて２５０℃で５分間かけて熱硬化させ、ボイドのない接合ウェハ対を得た。接合ウェハ対に対して、ＤＩＳＣＯによる研削試験を実施した。試験した全てのウェハは、図６に示すように、ボイド、欠陥、又はエッジチッピングなしに２０μｍ又は３０μｍまでの研削に合格した。
実施例５
実施例２の組成物の接着試験
実施例２の材料を、携帯型引き抜き接着試験機を使用し、ＡＳＴＭ Ｄ４５４１－１７に従って試験した。各試験セットから３つの破損値を平均することによって接着データを収集した。表１は、様々な基板に対する接着結果を示す。
表１ 実施例２の組成物の接着特性
Figure 2023537612000009
実施例６
実施例３の組成物の処理
１，５００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，３００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例３の材料の５μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。その被覆したウェハを６０℃で２分間、続いて１２０℃で２分間ベークした。次いで、そのシリコンウェハにガラスウェハを位置合わせし、ＥＶＧボンダを使用して、３０００Ｎの圧力、６０℃で３分間かけて接合した。その材料を２３０℃で３０分間かけて硬化させ、ボイドのない接合ウェハ対を得た。接合ウェハ対に対して研削試験を行った。試験した全てのウェハは、図７に示すように、ボイド、欠陥、又はエッジチッピングなしに２０μｍ又は３０μｍまで研削に合格した。
実施例７
実施例３の組成物の接着試験
実施例３の組成物を、携帯型引き抜き接着試験機を使用し、ＡＳＴＭ Ｄ４５４１－１７に従って試験した。各試験セットから３つの破損値を平均することによって接着データを収集した。表２は、異なる硬化条件下でのＳｉウェハ上の接着結果を示す。
表２ 実施例３の組成物の接着特性
Figure 2023537612000010
実施例８
接合組成物４
この実施例では、５８グラムのＢＭＩ ３０００（Ｄｅｓｉｇｎｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ Ｉｎｃ，カリフォルニア州サンディエゴ）、１．２グラムのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ ０２（光開始剤、ＢＡＳＦ、ドイツ）、及び０．３グラムの３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（東京化成工業株式会社、日本）を１００グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を撹拌ホイールで６時間混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例９
接合組成物５
この手法においては、５８グラムのＢＭＩ １７００、１．２グラムのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ ０２、及び０．３グラムの３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランを６０グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を撹拌ホイールで６時間混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例１０
実施例８の組成物の２００℃での処理
３，０００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，０００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例８の材料の５μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。次いで、そのウェハを６０℃で５分間、続いて１２０℃で５分間ベークした。ＥＶＧ６１０マスクアライナを使用して、１００ｍＪ／ｃｍ２の露光量でその被覆ウェハをパターン化し、続いて、シクロヘキサノンで３分間現像した。次いで、そのシリコンウェハにガラスウェハを位置合わせし、ＣＥＥ（登録商標）Ａｐｏｇｅｅ（登録商標）ボンダを使用して、２０００Ｎの圧力、２００℃で５分間かけて接合し、ボイドのない接合ウェハ対を得た。接合ウェハ対を、図８に示すように、１８０℃で６０分間かけて硬化させた。
実施例１１
接合組成物６
この実施例では、５８グラムのＢＭＩ ３０００、１．２グラムのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ ０２、及び０．３グラムの３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランを６０グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を撹拌ホイールで６時間混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例１２
実施例１１の材料の１５０℃での処理
３，０００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，０００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例１１の材料の５μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。次いで、そのウェハを６０℃で５分間、次いで１２０℃で５分間ベークした。次いで、ＥＶＧ６１０マスクアライナを使用して、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量でその被覆ウェハをパターン化し、続いて、シクロヘキサノンで１分間現像した。次いで、そのシリコンウェハにガラスウェハを位置合わせし、ＣＥＥ（登録商標）Ａｐｏｇｅｅ（登録商標）ボンダを使用して、８０００Ｎの圧力、１５０℃で１５分間かけて接合し、ボイドのない接合ウェハ対を得た。接合ウェハ対を、図９に示すように、２００℃で６０分間かけて硬化させた。
実施例１３
実施例９の材料の処理
３，０００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，０００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例９の材料の１０μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。次いで、そのウェハを６０℃で５分間、次いで１２０℃で５分間ベークした。次いで、ＥＶＧ６１０マスクアライナを使用して、３００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で被覆ウェハをパターン化し、続いて、シクロヘキサノンで５分間現像した。次いで、そのシリコンウェハにガラスウェハを位置合わせし、ＣＥＥ（登録商標）Ａｐｏｇｅｅ（登録商標）ボンダを使用して、２０００Ｎの圧力、６０℃で５分間かけて接合し、ボイドのない接合ウェハ対を得た。次いで、接合ウェハ対を、図１０に示すように、１８０℃で６０分間かけて硬化させた。
実施例１４
接合組成物７
この実施例では、３０グラムのＢＭＩ ３０００及び２．５３グラムのトリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル（Ｓｉｇｍａ、セントルイス）を、３０グラムのシクロペンタノン及び７．５グラムのメシチレンに溶解した。その溶液を撹拌ホイールで２４時間混合し、０．２μｍフィルタで濾過してプラスチックボトルに入れた。
実施例１５
実施例１４の組成物の処理
３，０００ｒｐｍ／秒のランプを用いた１，５００ｒｐｍで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例１４の組成物の５μｍ被膜をシリコンウェハに塗布した。そのウェハを６０℃で５分間、続いて１２０℃で５分間ベークした。次に、ＵＶランプ（ＩｎｔｅｌｌｉＲａｙ Ｆｌｏｏｄ Ｃｕｒｉｎｇシステム、ｉ線波長、ランプから３インチでの強度１１５ｍＷ／ｃｍ２）を使用して、被覆したウェハを１０秒間でパターン化し、続いてシクロペンタノン／イソプロパノール（３／１）で１分間現像した。現像したウェハに、２００℃で１分間、曝露後ベークを行った。図１１に、パターン化されたウェハの画像を示す。
実施例１６
実施例１１の組成物の処理
３，０００ｒｐｍ／秒のランプを用いた７００ｒｐｍ／ｓで３０秒間のスピンコーティングにより、実施例１１の材料の５μｍ被膜を２００ｍｍシリコンウェハに塗布した。次いで、そのウェハを６０℃で５分間、続いて１２０℃で１５分間ベークした。次いで、ＳＵＳＳ ＭＡ３００マスクアライナを使用して、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量でその被覆ウェハをパターン化し、続いて、シクロヘキサノンで２分間現像した。次いで、そのウェハを２００℃で６０分間ベークして、接合材料を完全に硬化させた。被覆したウェハに対し、ダミーの１０ｍｍｘ１０ｍｍダイを使用して、１０Ｎ～５０Ｎの範囲の接合力で、１００℃で１０秒間のダイ接合を行った。２０Ｎを超える接合力を使用した結果、１００％の収率となった（すなわち、失敗ゼロ）。接合したダイを図１２に示しているが、ここで「Ｃ２Ｗ」は「チップ・トゥ・ウェハ（ｃｈｉｐ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ）」の略であり、「わずかに引っ張った後」は、接合されている間は静止した状態を保ち、軽い指の圧力では動かず、又は取り外されないというダイの性能を指す。
実施例１７
実施例１１の組成物の接合強度
実施例１２の接合ウェハ対のエッジにカミソリ刃を挿入し、次いで、得られたクラック長さを測定した。カミソリ刃の厚さ（ｈ）、シリコンウェハのヤング率（Ｅ）、シリコンウェハの厚さ（ｔ）、及び測定したクラック長さ（Ｌ）に基づいて、実施例１１の組成物の接合エネルギー（ｂｏｎｄ ｅｎｅｒｇｙ：ＢＥ、表３参照）をＭａｓｚａｒａモデルに基づき計算した。
Figure 2023537612000011
表３ 実施例１１の接合層の接合強度
Figure 2023537612000012

Claims (47)

  1. マイクロ電子構造体を形成する方法であって、
    裏面及び表面を有し、前記表面上に１つ又は複数の中間層を任意選択で備える基板を提供することと、
    前記表面、又は存在する場合には前記１つ又は複数の中間層に、溶媒系に分散又は溶解したビスマレイミドを含む組成物を塗布して接合層を形成することと、
    下記の（Ａ）、（Ｂ）、又は（Ｃ）：
    （Ａ）前記接合層に、ダイ又は少なくとも１つのダイを備えるウェハを取り付けること、
    （Ｂ）前記接合層の上にフォトレジスト層を形成すること、
    前記フォトレジスト層にパターンを形成すること、及び
    前記パターンを前記接合層に転写して、パターン化接合層を形成すること、又は
    （Ｃ）前記接合層の少なくとも一部を除去するように、前記接合層をレーザエネルギーに曝露すること
    の少なくとも１つを実施することと
    を含む、方法。
  2. 前記ビスマレイミドが、以下の
    （Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は、（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ビスマレイミドが、１個～約１５個の前記部分を含む、請求項２に記載の方法。
  4. 前記組成物が、コモノマー、架橋剤、開始剤、界面活性剤、湿潤剤、接着促進剤、色素、顔料、コポリマー、及びそれらの混合物から選ばれる化合物をさらに含む、請求項１又は３のいずれかに記載の方法。
  5. 前記組成物が、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物から選ばれるコモノマーを含む、請求項４に記載の方法。
  6. 前記組成物が、
    前記ビスマレイミドと、
    開始剤、コモノマー、及び／又は接着促進剤の少なくとも１つと、
    前記溶媒系と
    から本質的になる、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
  7. 前記実施が、（Ｂ）を実施することであり、
    前記パターン化接合層の上又は中にダイを、又は
    前記パターン化接合層の上に少なくとも１つのダイを備えるウェハを
    配置することをさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
  8. マイクロ電子構造体であって、
    面を有するマイクロ電子基板と、
    任意選択で、１つ又は複数の中間層が存在する場合、前記基板の面の上に最上部の中間層がある、前記基板の面の上の１つ又は複数の中間層と、
    存在する場合には前記最上部の中間層上に、又は前記中間層が存在しない場合には前記基板の面の上にある接合層であって、ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの少なくとも１つを含む、接合層と、
    （Ａ）前記接合層の上又は中のダイ、
    （Ｂ）前記接合層の上に少なくとも１つのダイを備えるウェハ、
    （Ｃ）前記接合層の上のパターン化フォトレジスト層、又は
    （Ｄ）前記接合層の上のキャリアウェハ
    の少なくとも１つと
    を備えるマイクロ電子構造体。
  9. 前記ビスマレイミドが、以下の
    （Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は、（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む、請求項８に記載の構造体。
  10. 前記ビスマレイミドが、１個～約１５個の前記部分を含む、請求項９に記載の構造体。
  11. 前記接合層が、コモノマー、架橋剤、又はコポリマーの少なくとも１つをさらに含む、請求項８から１０のいずれかに記載の構造体。
  12. 前記接合層が、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物から選ばれるコモノマーを含む、請求項１１に記載の構造体。
  13. 前記コモノマーが前記ビスマレイミドと反応している、請求項１１又は１２に記載の構造体。
  14. 前記接合層が、
    前記ビスマレイミド又は前記架橋ビスマレイミドの一方又は両方と、
    コモノマー及び／又はコポリマーの少なくとも１つと
    から本質的になる、請求項８から１３のいずれかに記載の構造体。
  15. 前記マイクロ電子基板が、シリコン基板、アルミニウム基板、タングステン基板、タングステンシリサイド基板、ヒ化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、タンタル基板、亜硝酸タンタル基板、シリコンゲルマニウム基板、ガラス基板、銅基板、クロム基板、亜鉛基板、酸化シリコン基板、窒化シリコン基板、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項８から１４のいずれかに記載の構造体。
  16. 前記構造体が（Ｄ）を備え、前記キャリアウェハがガラス基板を備える、請求項８から１５のいずれかに記載の構造体。
  17. 仮接合方法であって、
    裏面及び表面を有し、前記表面の上に１つ又は複数の中間層を任意選択で備える第１の基板、
    前記表面の上、又は前記１つ又は複数の中間層が存在する場合には前記１つ又は複数の中間層の上にあり、ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの一方又は両方を含む接合層、並びに
    第１の面を有する第２の基板であって、前記第１の面の上に前記接合層がある、第２の基板
    を備えるスタックを提供することと、
    前記第１の基板と前記第２の基板との分離を容易にするために、前記接合層をレーザエネルギー又は他のエネルギーに曝露することと
    を含む、仮接合方法。
  18. 前記ビスマレイミドが、以下の
    （Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は、（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記ビスマレイミドが、１個～約１５個の前記部分を含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 前記接合層が、コモノマー、架橋剤、又はコポリマーの少なくとも１つをさらに含む、請求項１７から１９のいずれかに記載の方法。
  21. 前記接合層が、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物から選ばれるコモノマーを含む、請求項２０に記載の方法。
  22. 前記コモノマーが前記ビスマレイミドと反応している、請求項２０又は２１に記載の方法。
  23. 前記組成物が、
    前記ビスマレイミド又は前記架橋ビスマレイミドの一方又は両方と、
    コモノマー及び／又はコポリマーの少なくとも１つと
    から本質的になる、請求項１７から２２のいずれかに記載の方法。
  24. 前記第１及び第２の基板の少なくとも１つが、シリコン基板、アルミニウム基板、タングステン基板、タングステンシリサイド基板、ヒ化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、タンタル基板、亜硝酸タンタル基板、シリコンゲルマニウム基板、ガラス基板、銅基板、クロム基板、亜鉛基板、酸化シリコン基板、窒化シリコン基板、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１７から２３のいずれかに記載の方法。
  25. 前記第１及び第２の基板の一方がデバイスウェハであり、前記第１及び第２の基板の他方がキャリアウェハである、請求項１７から２４のいずれかに記載の方法。
  26. 接合方法であって、
    ａ）上面を有する第１の基板であって、パッド、ピラー、マイクロバンプ、又はそれらの組合せから選ばれる第１組の特徴部が前記上面の中又は上に形成された第１の基板を提供することと、
    ｂ）溶媒系に分散又は溶解した化合物を含む感光性組成物を、前記第１組の特徴部の少なくとも一部を覆い、接合層を形成するように、前記上面に塗布することと、
    ｃ）前記第１組の特徴部の少なくとも一部を露出させるように前記接合層の一部を除去して、パターン化接合層を得ることと、
    ｄ）前記パターン化接合層をエネルギーに曝露することと、
    ｅ）前記パターン化接合層内に受容されるように構成されたパターンを有する第２組の特徴部を備える第２の基板を、前記第１組の特徴部の少なくとも一部が前記第２組の特徴部の少なくとも一部と接触するように、前記第１の基板に接合することと
    を含み、曝露すること（ｄ）は接合すること（ｅ）の前に行うことができ、又は接合すること（ｅ）は、曝露すること（ｄ）の前に行うことができる、接合方法。
  27. 前記除去すること（ｃ）が、
    前記接合層の部分を放射線に選択的に曝露して、曝露部分を現像剤に不溶にすることと、
    前記特徴部の少なくとも一部を露出させるように、現像剤で前記曝露部分を除去することと
    を含む、請求項２６に記載の方法。
  28. 前記曝露すること（ｄ）が、前記パターン化接合層を熱又はＵＶ光の一方又は両方に曝露することを含む、請求項２６又は２７に記載の方法。
  29. 前記第１組の特徴部が約４０μｍ未満のピッチを有する、請求項２６から２８のいずれかに記載の方法。
  30. 前記塗布すること（ｂ）の結果、前記接合層が前記第１組の特徴部の全てを覆う、請求項２６から２９のいずれかに記載の方法。
  31. 前記第１の基板及び前記第２の基板がチップを備え、
    前記第１の基板及び前記第２の基板がウェハを備え、又は
    前記第１の基板がウェハを備え、かつ前記第２の基板がチップを備える、
    請求項２６から３０のいずれかに記載の方法。
  32. 前記除去すること（ｃ）の前に追加的な層が前記接合層に塗布されない、請求項２６から３１のいずれかに記載の方法。
  33. 前記化合物がビスマレイミドを含む、請求項２６から３２のいずれかに記載の方法。
  34. 前記ビスマレイミドが、以下の
    （Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は、（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む、請求項３３に記載の方法。
  35. 前記ビスマレイミドが、１個～約１５個の前記部分を含む、請求項３４に記載の方法。
  36. 前記組成物が、コモノマー、架橋剤、開始剤、界面活性剤、湿潤剤、接着促進剤、色素、顔料、コポリマー、及びそれらの混合物から選ばれる化合物をさらに含む、請求項２６から３５のいずれかに記載の方法。
  37. 前記組成物が、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物から選ばれるコモノマーを含む、請求項３６に記載の方法。
  38. 前記組成物が、
    前記ビスマレイミドと、
    開始剤、コモノマー、及び／又は接着促進剤の少なくとも１つと、
    前記溶媒系と
    から本質的になる、請求項３３から３５のいずれかに記載の方法。
  39. マイクロ電子構造体であって、
    上面を有し、
    ピラー、マイクロバンプ、又はピラー及びマイクロバンプの両方から選ばれる第１組の特徴部が前記上面の中又は上に形成されており、かつ
    前記第１組の特徴部同士の間に間隙がある
    第１の基板と、
    ビスマレイミド又は架橋ビスマレイミドの少なくとも１つを含み、前記間隙内にある接合層と、
    上面を有し、前記第１の基板に接合された第２の基板であって、前記上面は、前記第２の基板の前記上面の中又は上に形成されたピラー、マイクロバンプ、又はピラー及びマイクロバンプの両方から選ばれる第２組の特徴部を備え、前記第２組の特徴部の少なくとも一部が前記第１組の特徴部の少なくとも一部に接触している、第２の基板と
    を備える、マイクロ電子構造体。
  40. 前記第１組の特徴部が約４０μｍ未満のピッチを有する、請求項３９に記載の構造体。
  41. 前記第１の基板及び前記第２の基板がチップを備え、
    前記第１の基板及び前記第２の基板がウェハを備え、又は
    前記第１の基板がウェハを備え、かつ前記第２の基板がチップを備える、
    請求項３９又は４０に記載の構造体。
  42. 前記ビスマレイミドが、以下の
    （Ｉ）及び（ＩＩ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、又は（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）から選ばれる部分を含む、請求項３８から４１のいずれかに記載の構造体。
  43. 前記ビスマレイミドが、１個～約１５個の前記部分を含む、請求項４２に記載の構造体。
  44. 前記接合層が、コモノマー、架橋剤、又はコポリマーの少なくとも１つをさらに含む、請求項３９から４３のいずれかに記載の構造体。
  45. 前記接合層が、トリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジビニルエーテル、ジビニルアジペート、ビニルエーテル架橋剤、１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン、１，１’－Ｃ３６－アルキレンビス－、及びそれらの混合物から選ばれるコモノマーを含む、請求項４４に記載の構造体。
  46. 前記コモノマーが前記ビスマレイミドと反応している、請求項４４又は４５に記載の構造体。
  47. 前記接合層が、
    前記ビスマレイミド又は前記架橋ビスマレイミドの一方又は両方と、
    コモノマー及び／又はコポリマーの少なくとも１つと
    から本質的になる、請求項３９から４６のいずれかに記載の構造体。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN117706869B (zh) * 2024-02-04 2024-05-14 微纳动力(北京)科技有限责任公司 基于两步原位光刻实现微流控芯片键合的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005090510A1 (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. 樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4684293B2 (ja) * 2005-06-20 2011-05-18 凸版印刷株式会社 着色アルカリ現像型感光性樹脂組成物、及び該着色アルカリ現像型感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルタ
JP4652197B2 (ja) * 2005-09-29 2011-03-16 富士フイルム株式会社 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
US20070248913A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Rahman M Dalil Process for producing film forming resins for photoresist compositions
EP2477215A3 (en) * 2007-06-12 2013-08-14 Sumitomo Bakelite Company Limited Resin composition, embedding material, insulating layer and semiconductor device
CN101779268B (zh) * 2007-06-25 2013-11-06 布鲁尔科技公司 高温旋涂暂时性粘合组合物
CN101821352B (zh) * 2007-09-05 2013-06-19 日立化成株式会社 粘接剂以及使用该粘接剂的连接结构体
KR101332306B1 (ko) * 2012-03-30 2013-11-22 한국기계연구원 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
US9127126B2 (en) * 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
US9324601B1 (en) * 2014-11-07 2016-04-26 International Business Machines Corporation Low temperature adhesive resins for wafer bonding
US10319701B2 (en) * 2015-01-07 2019-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonded 3D integrated circuit (3DIC) structure
KR102480063B1 (ko) * 2015-03-31 2022-12-21 나믹스 가부시끼가이샤 수지 조성물, 도전성 수지 조성물, 접착제, 도전성 접착제, 전극 형성용 페이스트, 반도체 장치
TW201739887A (zh) * 2016-02-04 2017-11-16 漢高智慧財產控股公司 可脫黏之黏著劑及其高溫用途
EP3727838B1 (en) * 2017-12-22 2023-08-09 Brewer Science, Inc. Laser-releasable bonding materials for 3-d ic applications

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