JP2011199097A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011199097A JP2011199097A JP2010065592A JP2010065592A JP2011199097A JP 2011199097 A JP2011199097 A JP 2011199097A JP 2010065592 A JP2010065592 A JP 2010065592A JP 2010065592 A JP2010065592 A JP 2010065592A JP 2011199097 A JP2011199097 A JP 2011199097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- compound
- manufacturing
- adhesive composition
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
鉛フリー半田に用いられるような260℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の硬化温度プロファイルAにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを165℃以上185℃以下である所定の温度Xにて封止用樹脂組成物により封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化性接着剤組成物を前記硬化温度プロファイルAにてレオメーター測定した際に最大粘度に到達する温度Yと、前記温度Xとが、所定の条件式1を満たす半導体装置の製造方法。
【選択図】なし
Description
[1] 繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の硬化温度プロファイルAにて接着する工程と、
前記工程により接着された支持体と半導体素子とを165℃以上185℃以下である所定の温度Xにて封止用樹脂組成物により封止する工程とを有する
半導体装置の製造方法であって
前記熱硬化性接着剤組成物を前記硬化温度プロファイルAにてレオメーター測定した際に最大粘度に到達する温度Yと、
前記温度Xとが、下記条件式1を満たす半導体装置の製造方法。
条件1:0.14≦(X−Y)/X≦0.26
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて接着する工程(工程1)と、前記工程(工程1)により接着された支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程(工程2)とを有する半導体装置の製造方法であって、支持体と半導体素子との接着に用いる熱硬化性接着剤組成物が所定のレオメーター測定において得られる最大粘度の到達温度が所定の条件式を満たすものであることを特徴とする。
前記の工程を経て製造された半導体装置は、更にマザーボードへ搭載するためにIRリフローという熱処理(加熱)を行う工程により半田付けが行われる。上述のように熱硬化性接着剤組成物の硬化接着工程(工程1)以降、すべての工程は半導体装置を加熱する工程であり、また各工程により加熱温度が異なるため、各部材間の線膨張係数の差による各部材の変形にも差が生じ、その結果半導体装置内に応力が発生することとなる。
前記のような各熱処理工程における半導体装置全体の変形(反り)により、半導体装置内にある支持体と半導体素子を接着している熱硬化性接着剤組成物の硬化層に応力が生じることになる。特に、封止工程(工程2)の段階における半導体素子が接着された支持体の反りが重要であり、通常封止工程は175℃付近の温度で行われるが、175℃の反りが大きい場合には封止時の封止樹脂の圧力によって支持体に接着された半導体素子の反りが抑えられ半導体装置に著しい応力が蓄積されることとなる。さらに、その状態でポストモールドキュア、IRリフローなどの熱処理工程を経ると、封止時に蓄積された応力に加え、各熱処理工程時の半導体装置各部材の熱膨張に伴う応力の発生により半導体装置の内部応力はより一層高くなる。
条件1:0.14≦(X−Y)/X≦0.26
(ただし165≦X≦185とする)
ここで封止温度Xの条件としては、165℃以上185℃以下が好ましい。その理由は、165℃より低い場合、封止樹脂の流動性が悪化し封止樹脂の未充填が起こりやすく、また185℃より高い場合、封止樹脂にボイドが発生しやすく信頼性低下などの原因となるためである。また、条件式1の値も0.14より小さい場合には、熱硬化性接着剤組成物の硬化温度が高すぎ、接着剤層のボイドが発生しやすく密着性の低下を引き起こすため好ましくない。さらに、条件式1の値が0.26より大きい場合には、硬化温度が低すぎ、硬化後封止温度Xにおける半導体素子の反りが大きくなるため、より一層応力がたまりやすく信頼性低下につながるため好ましくない。
半導体装置の製造に用いられる熱硬化性接着剤組成物に要求される接着強度の評価方法について詳細に説明する。熱硬化性接着剤組成物を介して接着された支持体とシリコンチップとの接着強度は、支持体に熱硬化性接着剤組成物を介して4×4mm□のシリコンチップ(厚み:525μm)を接着し、250℃におけるシェア強度を測定することで評価することができる。通常25N以上の接着強度が出れば、ワイヤーボンディング時や封止時に剥がれてしまうことはないため、25Nを超えるかどうかを判断基準とする。
反り評価を行うための試験用半導体装置1として、図1に例示するような熱硬化性接着剤組成物2を介して支持体3とシリコンチップ4とを硬化接着したものを用いる。
温度可変レーザー三次元測定機(日立エンジニアリングアンドサービス社製、LSI−150)を用いてシリコンチップ表面中央部の高さおよびシリコンチップ表面四隅の高さを測定し、シリコンチップ表面中央部の高さとシリコンチップ表面四隅との差を反り量1とした。より具体的には、シリコンチップの対角を結ぶ対角線をスキャニングすることにより対角線の形状を求め、対角の高さの平均と中央部の高さの差を求めることにより反り量1を算出した。
本発明に係る半導体装置の製造方法において用いられる熱硬化性接着剤組成物の使用方法について具体的な例を用いてに説明する。
本発明に係る半導体装置の製造方法において用いられる熱硬化性接着剤組成物が液状接着剤の場合、上述したような各種成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練を行い、更に真空脱泡することにより、液状接着剤を得ることができる。得られた液状接着剤は市販のダイボンダーを用いて、例えば支持体の所定の部位にディスペンス塗布された後、半導体素子をマウントして加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂等を主成分とする封止樹脂を用いてトランスファー成形することにより半導体装置を得ることができる。
(熱硬化性接着剤組成物の調製)
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−6)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、プロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTMP)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填剤として平均粒径0.5μmの球状シリカを、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1記載の混合比率にて配合し、3本ロールにて混合し、更に真空脱泡して熱硬化性接着剤組成物を得た。
実施例1の熱硬化性接着剤組成物について、175℃15分(25℃から175℃まで昇温速度5℃/分)の温度プロファイルにてレオメーター測定(測定条件:周波数 1Hz、歪制御 ±5%、サンプルサイズ 25mmφ×厚み0.05mm、測定装置 HAAKE社製 MARS)を行った。最大粘度到達温度は131℃であった。
実施例1の熱硬化性接着剤組成物を用いて、4×4mmシリコンチップ(厚み525μm)を支持体ガラス−エポキシ積層板(FR−4、ガラスクロス2層、表面太陽インキ PSR−4000AUS308、ガラス転移温度120−140℃)上にマウントし、オーブンを用いて175℃15分(25℃から175℃まで昇温速度5℃/分)の硬化温度プロファイルにて硬化した後、250℃環境下における熱時ダイシェア強度を測定した(単位:N/チップ)。結果は30Nであった。
実施例1の熱硬化性接着剤組成物を用いて、10×10mmシリコンチップ(厚み200μm)を支持体ガラス−エポキシ積層板(FR−4、ガラスクロス2層、表面太陽インキ PSR−4000AUS308、ガラス転移温度(120−140℃)、サイズ:15x15mm、厚み:0.44mm)上にマウントし、オーブンを用いて175℃15分(25℃から175℃まで昇温速度5℃/分)の硬化温度プロファイルにて硬化した後、、温度可変レーザー三次元測定機(日立エンジニアリングアンドサービス社製、LSI−150)を用いて175℃の反り量1を測定した。反り量1は−9μmであった。
実施例1の熱硬化性接着剤組成物について、オーブンを用いて175℃15分(25℃から175℃まで昇温速度5℃/分)の硬化温度プロファイルにて硬化した後、弾性率(測定条件:JIS K7244、引張モード、昇温速度 5℃/min、周波数 10Hz、サンプルサイズ 4×15mm×厚み200μm、測定装置 セイコーインスツルメンツ社製 DMS6100)を測定した。250℃における弾性率は420MPaであった。
厚み0.3mmのBT基板を支持体とし、シリコンチップ(7x7mm、厚み0.35mm)を配置する。その後半導体封止用エポキシ樹脂組成物(住友ベークライト社製、EME−G760)を用いて、175℃にて5.5×6.6×1.0mmのパネル状に封止し、その後175℃、4時間ポストモールドキュアを行い、吸水しない状態でIRリフローを1度通す。その後ボディサイズ:10×12mmにダイシングソーを用いて個片化することにより半導体装置(MAPBGA)を得た。以下実施例2乃至5、並びに比較例についても同様に半導体装置を作製した。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−6)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、プロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTMP)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填剤として平均粒径0.5μmの球状シリカを、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1のように配合した。
実施例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は134℃であった。
実施例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は40Nであった。
実施例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−7μmであった。
実施例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は410MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−6)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、プロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTMP)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤としてジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD)を、充填剤として平均粒径0.5μmの球状シリカを、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1のように配合した。
実施例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は141℃であった。
実施例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は43Nであった。
実施例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−5μmであった。
実施例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は450MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−6)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、プロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTMP)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填剤として平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉を、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1のように配合した。
実施例4の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は131℃であった。
実施例4の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は68Nであった。
実施例4の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−9μmであった。
実施例4の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は430MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてテトラヒドロフルフリルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTHF)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、マレイミド環を有する化合物としてポリアルキレンマレイミド酢酸エステル(DIC(株)製、ルミキュアMIA−200)を、アリルエステル系化合物としてポリアルキレンエステル含有アリルエステル(昭和電工(株)製、アリルエステル樹脂DA101)を、ラジカル開始剤としてジラウロイルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パーロイルL)およびジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD)を、充填剤として平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉を、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1のように配合した。
実施例5の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は149℃であった。
実施例5の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は65Nであった。
実施例5の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−3μmであった。
実施例5の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は515MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてプロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)を、マレイミド環を有する化合物としてポリアルキレンマレイミド酢酸エステル(DIC(株)製、ルミキュアMIA−200)を、ラジカル開始剤としてジラウロイルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パーロイルL)を、ラジカル重合可能な官能基を有しない化合物としてジグリシジルビスフェノールF(日本化薬(社)製、RE−303S)を、上記熱硬化性樹脂の硬化剤として2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(キュアゾール2P4MHZ:四国化成工業(株)製)を、充填剤として平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)を表1のように配合した。
比較例1の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は95℃であった。
比較例1の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は71Nであった。
比較例1の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−30μmであった。
比較例1の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は480MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてプロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)およびUM−90(1/1)DA(宇部興産株式会社製、1,6−ヘキサンジオール/1,4−ジメタノールシクロヘキサン(=1/1)と炭酸ジメチルから合成したポリカーボネートジオール(分子量約900)にアクロイル基を導入したポリカーボネートジアクリレート)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填剤として平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉を、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)および3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)を表1のように配合した。
比較例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は124℃であった。
比較例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は47Nであった。
比較例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は−18μmであった。
比較例2の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は330MPaであった。
接着剤を構成する樹脂組成物の配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−6)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、プロピルジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル3PG)、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTMP)および水酸基価20mgKOH/gで分子量11000のアクリルオリゴマー(東亞合成(株)製、Arufon(アルフォン)UH−2000)とメタクリル酸との反応により得られたメタクリル化アクリルオリゴマー(分子量12000、熱硬化性樹脂A)を、ブタジエン化合物の重合体または共重合体として1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)を、ラジカル開始剤としてジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルP)を、充填剤として平均粒径0.5μmの球状シリカを、添加剤としてγ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−503P)およびテトラスルフィドジトリエトキシシラン(ダイソー(株)製、CABRUS4)を表1のように配合した。
比較例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法でレオメーター測定を行った。最大粘度到達温度は180℃であった。
比較例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で接着強度を測定した。結果は9Nであった。
比較例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で反りを測定した。反り量1は2μmであった。
比較例3の熱硬化性接着剤組成物について、実施例1と同様の方法で弾性率を測定した。250℃における弾性率は180MPaであった。
各実施例及び比較例について、上記にて製造された半導体装置を85℃、相対湿度60%の条件下で168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行い、処理後のパッケージを超音波深傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。各符号は、以下の通りである。
○:半導体装置内部の半導体素子の剥離が発生しなかった。
×:半導体装置内部の半導体装置の剥離が発生した。
2・・・支持体
3・・・シリコンチップ
11・・・試験用半導体装置
Claims (11)
- 繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の硬化温度プロファイルAにて接着する工程と、
前記工程により接着された支持体と半導体素子とを165℃以上185℃以下である所定の温度Xにて封止用樹脂組成物により封止する工程とを有する
半導体装置の製造方法であって、
前記熱硬化性接着剤組成物を前記硬化温度プロファイルAにてレオメーター測定した際に最大粘度に到達する温度Yと、
前記温度Xとが、下記条件式1を満たす半導体装置の製造方法。
条件式1:0.14≦(X−Y)/X≦0.26 - 前記熱硬化性接着剤組成物が、ラジカル重合可能な官能基を有する化合物を含むものである請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物のラジカル重合可能な官能基が不飽和炭素−炭素結合である請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物のラジカル重合可能な官能基が、(メタ)アクリロイル基である請求項2または3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ラジカル重合可能な官能基を有する化合物が、マレイミド環を有する化合物である請求項2乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マレイミド環を有する化合物が、芳香族環を有さないビスマレイミド化合物である請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ラジカル重合可能な官能基を有する化合物が、ブタジエン化合物の重合体または共重合体である請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブタジエン化合物の重合体または共重合体の分子内に少なくとも1つの官能基を有する請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブタジエン化合物の重合体または共重合体が有する官能基が、ビニル基、エポキシ基、カルボキシ基、水酸基またはマレイン酸基からなる群より選ばれる少なくとも1つの官能基である請求項8記載の半導体装置の製造方法。
- (メタ)アクリロイル基を有する化合物、マレイミド環を有する化合物、ブタジエン化合物およびアリルエステル系化合物からなる群より選ばれる少なくとも2種以上の化合物を含むものである請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アリルエステル系化合物が、芳香族環を有さないアリルエステル系化合物である請
求項10に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065592A JP2011199097A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065592A JP2011199097A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199097A true JP2011199097A (ja) | 2011-10-06 |
Family
ID=44876921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010065592A Pending JP2011199097A (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011199097A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015052035A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤および半導体装置 |
KR20180079370A (ko) * | 2015-11-04 | 2018-07-10 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접착제 조성물 및 구조체 |
JP2018184605A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-11-22 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121538A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体チップ搭載用接着テープおよびそれを用いたbga型半導体装置の製造方法 |
WO2005090510A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | 樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2007238680A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2008222809A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2009164500A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤および半導体パッケージ |
JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010065592A patent/JP2011199097A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121538A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体チップ搭載用接着テープおよびそれを用いたbga型半導体装置の製造方法 |
WO2005090510A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | 樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2007238680A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2008222809A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2009164500A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤および半導体パッケージ |
JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015052035A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤および半導体装置 |
KR20180079370A (ko) * | 2015-11-04 | 2018-07-10 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접착제 조성물 및 구조체 |
CN108350320A (zh) * | 2015-11-04 | 2018-07-31 | 日立化成株式会社 | 粘接剂组合物和结构体 |
JPWO2017078087A1 (ja) * | 2015-11-04 | 2018-09-06 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及び構造体 |
JP2021165397A (ja) * | 2015-11-04 | 2021-10-14 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤組成物及び構造体 |
JP7124936B2 (ja) | 2015-11-04 | 2022-08-24 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤組成物及び構造体 |
TWI786036B (zh) * | 2015-11-04 | 2022-12-11 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 用於電路連接的接著劑組成物及結構體 |
KR102608218B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2023-11-30 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 접착제 조성물 및 구조체 |
JP2018184605A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-11-22 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5419318B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5207595B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5055764B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5589388B2 (ja) | 熱硬化性接着剤組成物および半導体装置 | |
JP2009164500A (ja) | 接着剤および半導体パッケージ | |
JP4967761B2 (ja) | 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2011199097A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5589285B2 (ja) | 熱硬化性接着剤組成物および半導体装置 | |
JP5444738B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5573166B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5423262B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5577845B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
TWI534232B (zh) | 液狀樹脂組成物及半導體裝置 | |
JP5356763B2 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5604828B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5597935B2 (ja) | 熱硬化性接着剤組成物および半導体装置 | |
JP5589337B2 (ja) | 積層構造体の製造方法 | |
JP2014145030A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2011187476A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5857410B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011077459A (ja) | 熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製された半導体装置 | |
JP5625431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010251728A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5626291B2 (ja) | 接着剤および半導体パッケージ | |
JP5597945B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150414 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150825 |