TW200535259A - Treated copper foil and circuit board - Google Patents

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TW200535259A TW094102629A TW94102629A TW200535259A TW 200535259 A TW200535259 A TW 200535259A TW 094102629 A TW094102629 A TW 094102629A TW 94102629 A TW94102629 A TW 94102629A TW 200535259 A TW200535259 A TW 200535259A
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Description

200535259 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種改良和以環氧樹脂.聚酿亞胺㈣ 及熱塑性液晶聚合物作為主體之薄膜（以下、也稱為液晶聚 合物薄膜）間之密合性之表面處理鋼蠕 μ k 〜冶，此外，關於一種層 積於前述薄膜而使用於可撓性基板•古 ^ 局始、度構裝用多層基 板·高頻電路用基板的表面處理鋼蠕 ⑷咱以及使用該表面處理 銅箔所形成之電路基板。 【先前技術】 隨著電子機器之小型化、輕量化& Μ ^总匕 平里化而使得最近之各種電 子零件呈南度地進行積體化。 製作這些所使用之可撓性基板·古 一 ^ 阿社度構裝用多層基 板·南頻電路基板等（以下、也她德 也〜％每些而稱為印刷電路板） 之基板用複合材係由導體（鋼箔）和支 又猗該導體之絕緣基板 所構成，絕緣基板係發揮確保導體H緣Μ成 件之強度等之功能。 + 此外，隨著傳送於電路基板之 U跳t迷度變快而使犋 構成電路基板之絕緣材料之特拇 # 叶特14阻抗或訊號傳送速度等變 得重要，關係到絕緣材料之介電係數、介電 ^ 此，要求其特性之提升。 、、 ’因 成為提供作為滿足這虺條件 ^ 一1束什之絕緣材料之基板用 係大多為苯酚樹脂材，在電鍍通孔， + ’、 ,» U ^ ^ ^ Jh 丄 〇夕衣氣树脂材。 此外’在近年來’由於訊號之高速傳送，因此’要求介電 2197-6812-PF/Ahddub 5 2J00535259 係數小、介電質損失也變小之絕緣材料，也開發相對於此 之材料。 此外’作為需要耐熱性之基板係使用耐熱性環氧樹 月曰、聚醯亞胺等之絕緣基板。此外，開發尺寸穩定性良好 之材料、彎曲和扭曲變少之材料、熱收縮少的材料等。 此外在由於可撓性基板用複合材而需要耐熱性之狀 態或者是需要銲錫鉛之狀態等，使用聚醯亞胺薄膜。另一 方面，在使用碳油墨等之印刷，在不使用錫鉛之用途，使 用聚s曰薄膜。在近年來，可撓性基板等係也變得複雜，在 許多之狀態下，使用聚醯亞胺薄膜。 但疋’聚醯亞胺係由於吸水而大幅度地改變介電特 性，在吸水環境下，會有所謂高頻特性大幅度地降低之問 題發生在匕外，具有高度之耐熱性之反面係不具有熱溶融 因此在和成為導體之銅箔間之複合，必須得到在銅 箔上澆鑄成為前驅物之聚醯胺基酸後而進行醯亞胺化及生 •成或者是在聚醯亞胺薄膜上設置接著劑層後而層壓於銅箔 等之方法，有製程變得複雜之問題發生。 因此作為由於比起聚醯亞胺還使得吸濕性顯著地變 低而使得介電特性之變化少並且具有可忍耐於銲錫鉛之耐 熱性的熱塑性材料择、 何针係主目到液晶聚合物。但是，由該液晶 聚合物所構成之薄膜係和銅猪間之接著性變低，在和銅辖 間之剝離強度比較於聚醯亞胺時，會有變弱之傾向發生。 η貼合於攻些絕緣基板而使用作為導電層之銅箔係主要 電解銅冶t解鋼箔係通常藉由圖J所示之電解銅箔裝 2197-6812-PF；Ahddub 6 200535259 置而進行製箔，藉由圖2所+十主I# V不之表面處理裝置而施行密合 性提高用之粗化處理或防銹處理等。 圖1所示之電解銅箔裝詈在 衣置係由叙轉之滾筒狀陰極2 (表 面係SUS或鈦製）和相對於該险 、邊陰極呈同心圓狀地配置之陽極 1 (鉛或貴金屬氧化物被覆鈦電描、 电極）所構成，流通電解液3， 並且’在兩電極間，流動電流， L 在該陰極表面，析出既定 厚度之銅，然後，由該陰極砉而 ^ ^ r ^ 位表面，呈箔狀地剝離銅。該階 段之銅猪4係未處理銅箱。此外，接合於該未處理銅箱之 電解液之面係f面，接合於旋轉之滚筒狀陰極2之面係光 澤面（亮光面）。 製箔之未處理銅箔4係必須提高用以製造層積於絕緣 基板之銅箔基板之接著強度（剝離強度）。因此，藉由圖2 所示之表面處理裝置而連續地進行電化學或化學之表面處 理。圖2係顯示呈電化學地連續進行表面處理之裝置，使 得未處理銅箱4連續地通過填充電解液5之電解槽及填充 #電解液6之電解槽，以電極7作為陽極，以銅猪本身作為 陰極，施行表面處理，為了提高和絕緣（樹脂）基板間之密 合性’因此，使得粒狀銅析出於未處理銅箔4之表面。該 製程係粗化處理製程，粗化處理係通常施行在未處理銅萡4 之薦面或党光面。在施行這些表面處理後之銅箔係表面處 理銅箱8，層積於絕緣基板而成為電路基板。 但是，知道在環氧樹脂·聚醯亞胺·液晶聚合物中， 特別是液晶聚合物成為不容易出現和銅箔間之接著強度 (剝離強度）。一般而言，這些樹脂等和銅箔之剝離強度係 2197-6812-PF；Ahddub 7 200535259 大幅度地影響到銅箔表面粗糙度Rz(在此、表面粗糙度Rz 係指JISB 060 1 — 1 994「表面粗糙度之定義和表示」之5·工 之十點平均粗糙度之定義所規定之Rz。）。在考慮銅箔之表 面粗糙度之狀態下，列舉未處理銅羯之表面粗糙度Rz和對 於銅箔表面來進行粗化處理之表面粗化銅箔之Rz。向來在 平滑之未處理銅箔，特別是在提高相對於不容易出現剝離 強度之樹脂之剝離強度之狀態下，進行使得流動在粗化處 理時之電流變大、粗化處理時之粒狀銅之附著量變多而增 春加表面粗糙度Rz所對應之方法。確實該方法係適合於用以 提高剝離強度之目的’但是，在高頻特性，最好是不要使 得表皮效果之關係上之表面粗糙度Rz變大或粗化粒子量變 多。 此外，由於液晶聚合物樹脂之種類，而即使是提高表 面處理銅箔之表面粗糙度。值，也有在剝離強度無法得到 相關性之狀態發生。得知就此種薄膜而言，在粗化粒子所 _形成之突起物之形狀，有深度之關係存在。 此外，印刷電路板之電路圖案係也要求高密度化，要 求藉著由微細之線幅寬和配線間距所構成之電路圖案而形 成之所謂微細圖案之印刷電路板。在最近，要求由配線間 距50# m〜1〇〇/zm程度並且線幅寬3〇// m前後之高密度極 細配線所構成之印刷電路板。為了提高剝離強度而使得藉 由粗化粒子所形成之表面粗糙度Rz變大或者是附著量變多 係也不適合於這些微細圖案化之狀態。也可以藉由使得未 處理鋼箔之表面變粗並且減少粗化粒子之附著量而提高剝 8 2197-68l2-PF；Ahddub 200535259 離強度，但是’不適合於製作高頻特性.微細圖素 現在，作為改良和液晶聚合物間之接著。 如在日本㈣_3 - 〇64431號公報，提議 ^係例 而設置特定厚度之表面氧化層.防錄層之鋼合金1〜素 在液晶聚合物進行薄膜化時，為了使得棒狀八子自。龟是， 方向…，厚度方向之強度係極端地降低：在'向於命 種粗化之銅猪，因為液晶聚合物薄膜係在和鋼1Z進行此 極端附近，容易發生破壞，結果，無法得到充心西間之 度。 刀之剝離強 此外，為了改善液晶聚合物之接著性，因此，侈 日本特開200 1 - 049002號公報及日本特開2〇〇〇〜/3二= 號公報，也提議施行電漿處理、1^處理等之 法，但是，即使是使用這些方法，也無法在低表面 1 = 之銅箔得到充分之接著性。 因此，要求能夠高頻特性良好、可以製作微細圖案及 _提高剝離強度之銅箔之開發。 【發明内容】 本發明係為了解決此種先前技術之問題點而完成的； 本發明之目的係提供一種對於一般使用之環氧樹脂·聚醯 亞胺薄膜及由於吸濕性顯著地變低來使得介電特性之變化 少、具有可忍耐銲錫鉛之耐熱性、能夠藉由加熱來層壓於 銅箔並且不容易得到剝離強度之液晶聚合物薄膜而使得剝 離強度變大並且可以進行微細圖案化的表面處理銅箱、以 2197-6812-PF;Ahddub 9 200535259 及使用該表面處理銅结而且古肖 j，白而具有良好之高頻特性的電路基 板。 為了達成前述目的，肉士，太义 ^ 因此本發明之表面處理銅箔係 至少在銅箔之單面附菩 者粗化粒子而成為粗化處理面，前述 粗化處理面之表面粗趟度r成為 庋KZ成马]·5〜4·0/ζπι，亮度值成 為30以下。 ⑴述本發明之表面處理銅箔係適合至少在未處理銅箔 之：面附著粗化粒子而成為粗化處理面之表面處理銅箱， 附著之銅或銅合全之蕃4、A 〇 C , - 0 里成為2.5mg/dm以上、400mg/dm2以 下。 ,、前述本發明之表面處理銅㈣、適合前述由粗化粒子所 形成之犬起物之间度成為〜，該突起物在⑽"出 X l〇〇em之面積來分布2〇〇〜25〇〇〇個。 前述本發明之表面處理銅箱係適合前述由粗化粒子所 形成之突起物之高度成為1㈣吻m，該突起物在觀察剖 •面25“之範圍，以β〜35個之個數，呈概略均等地進行 分布。 月’J述本發明之表面處理銅簿係適合前述各個突起物之 最大幅寬成為〇.〇1“以上，成為以25”來除以存在於 25#^範圍之突起物個數之長度之2倍以下。 月|J述本發明之表面處理銅箱係適合前述表面處理銅箱 之粗化處理前之去 月J I禾慝理銅箔成為電解銅箔。 此外，更加理想是前述未處理銅羯之施行粗化處理者 之表面係表面粗縫度Rz^ 2.〇^以下之薦面。 2197-6812-PF；Ahddub 200535259 或者更加理想是前述未處理銅箱之電解銅箱係由粒狀 結晶所構成，此外，更加理想是前述未處理銅箔之施行粗 化處理者之表面係表面粗糙度Rz成為2.0/zm以下之鹿面。 或者是前述表面處理銅箱之粗化處理前之未處理銅箔 之至少施行粗化處理者之表面之表面粗糙度Rz係適合成為 2. 0 // m 以下。 此外，本發明之表面處理銅箱係適合前述由粗化粒子 所形成之突起物藉著由Cu所構成之粒子或Cu和Mo之合金 粒子或者是由Cu和Ni、Co、Fe、Cr、V、W之群組之所選 出之至少1種元素所構成之合金粒子而形成。 或者是適合在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之 面，形成由Ni或Ni合金所構成之皮膜。 或者是適合在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之 面，設置由鋅層或鋅合金層及/或Cr金屬層或鉻酸鹽層所 構成之防銹層。 或者是適合在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之 面及/或防銹層上，形成矽烷偶合劑層。 此外，為了達成前述目的，因此，本發明之電路基板 係使用前述記載之表面處理銅箔而作成之電路基板。 【實施方式】 在本發明，表面處理前之銅箔（未處理銅箱）係藉由電 解或壓延而進行製造。該銅箔係最好是厚度〗 又 1 “ m〜200 /z m 並且至少單面之表面粗縫度成為Rz:〇.〇l#m〜 z # m之銅 2197-6812-PF；Ahddub 11 2-00535259 或銅合金。料銅係在厚度成為以下時，在其表面 上進行粗化處理者變得非常困難，並且，作為使用於高頻 印刷電路板用之銅箱係200 “以上之箱變得非現實。 # /就未處理銅箱之表面粗糙度而言，Rz·· 〇〇i#m以下之 V白係也在現實上’使得製造變得困難，如果即使是可以製 ^也化費相當之製造成本，因此，不適合於現實上，此 外可以使用Rz · 2 · 0 // m以上之未處理銅箔，但是，在考 慮高頻特性及微細圖案化時，更加理想是未處理銅箱之表 面粗糖度成為2.0/zm以下。 在本發明’就前述未處理銅箔而言，進行表面處理。 未處理銅箔之表面係藉由表面粗化處理而附著粗化粒子， 成為其表面粗糙度成為Rz: 15〜4〇/zm之粗化面。 對於未處理銅箔之表面進行粗化處理而附著表面粗化 粒子來形成突起物之粗化面係表面粗糙度Rz: 1.5〜4()# m。由於在未滿Rz : 1 · 5 # m，剝離強度變低，因此，無法滿 籲足作為發揮其目的之表面處理銅箔，並且，在更加大於Rz.· 4· 0 // m時，高頻特性降低，並且，不適合於微細圖案化之 緣故。 此外’在進行於本發明之未處理銅箔上之表面處理， 附著之銅或銅合金量係最好是2mg/dm2〜4〇〇mg/dm2。由於 在附著量未滿2mg/dm2，剝離強度變低，因此，無法滿足作 為發揮其目的之表面處理銅箔，此外，在更加大於 4 0Omg/dm時’高頻特性降低，並且，不適合於微細圖案化 之緣故。 2197-6812-PF;Ahddub 12 200535259 此外，在本發明，；隹；主 t 進订表面粗化處理之粗化處理銅箔
係必須使得亮度值虚兔q ^ T 成為3 0以下。本發明之亮度係通常被使 用作為看見表面粗糙度之指標，在測定樣本之表面，照射 光，測定光之反射量而表示成為亮度值。在藉由該方法而 測疋表面處理銅泊之處理面之亮度時，在表面粗糙度h變 大或者疋粗化粒子間之溝槽深度變深時，光之反射量變 乂 ’因此’冗度值變低，在平滑之狀態下，會有光之反射 里變大而tc度變南之傾向發生。為了提高和絕緣基板(液晶 •聚合物薄膜）間之音j# 利離強度因此，可以使得亮度成為3 0 以下。此外，由於在亮度31以上，即使是粗化面成為大 也使付凹凸變传和緩’因此’表面處理銅箱和絕緣基板（液 晶聚合物薄膜）間之咬合性變差，無法提高剝離強度之緣 故。 此外’免度之測定係在被測定銅箔施行N i : 〇. 〇丨〜 〇.5mg/dm2、Zn: 〇·〇!〜〇· 5mg/dm2、以：〇 〇1〜〇 3mg/dm2 籲之範圍内之防銹處理後，使用亮度計（須贺試驗機股份有限 公司、機種名稱·· SM彩色電腦、型號：SM_ 4)而進行測定。 兼具以上之表面粗链度（Rz)及亮度值之本發明之粗化 處理銅泊係層積·複合化於液晶聚合物薄膜，彌補在接著 性發生困難之液晶聚合物薄膜之缺點，由後面記載之實施 例·比較例而明白地顯示：可以提供一種具有良好之剝離 強度及微細圖案特性之銅箔基板。 在本發明，正如前面敘述，對於未處理銅箱之表面， 來進打粗化處理，但是，為了得到更加良好之剝離強度及 2197-6812-PF；Ahddub 13 200535259 微細圖案特性，因此，最好是呈概略均等地存在（分布）由 下列e載之粗化粒子所形成之突起物。突起物之高度係可 以疋1.0//Π1至5.0/zm。由於在形成於該未處理銅箔表面之 突起物高度成為1 · 〇 # m以下，高度變低，因此，無法得到 提高剝離強度之效果，在5· 〇 # m以上，突起物之分布變得 不均勻’表面處理箔之表面粗糙度係在每個範圍，使得 不均變大，因此，無法保持具有穩定性之剝離強度，並且， _降低高頻特性，而且，不適合於微細圖案化之緣故。此外， 在此提到之所謂高度係指未處理銅箔之表面和突起物之頂 點間之距離。 此外’如果突起物之個數、其數目變少的話，則不出 現剝離強度，並且，在個數變多時，銅箔表面和突起物間 之密合性變弱，因此，即使是數目變多，也相反地減少其 效果。在本發明，正如前面敘述，對於未處理銅箔之表面 進行粗化處理並且為了得到其表面之均勻之剝離強度而由 _粗化粒子所形成之突起物係最好是在1〇〇/zmx 1〇〇#m之面 内’存在200〜25000個。在突起物之個數更加少於2〇〇個 時，突起物間之間隙變寬，無法切斷微細圖案，在成為2500 0 個以上時，突起物和突起物之間隔變窄，降低剝離強度， 因此，變得不理想。 此外’在本發明，突起物之個數係適合在觀察剖面2 5 # m内，存在6個〜35個，特別最適合成為1Q個〜2〇個。 在此，就在本發明所提到之突起物之概念而進行說 明。在形成於1個突起物和鄰接於該突起物之突起物間之 2197-6812-PF;Ahddub 14 200535259 溝槽部之底部及突起物之 深度。）未、$ n q 之間之距離（以下，稱為溝槽 )禾滿〇. 3 /z m之狀能τ 你 人於鄱垃々★ 心’像這樣鄰接之突起物係配 «於4接之突起物而保握作 ^ ^ ^ ^ ^ Π 〇 1 1LI大起物，並且，在溝槽 冰展成為0_ 3/z m之狀態下 七&雄士 此種大起物係鄰接之突起物也 成為獨立之突起物而保握作 在相對於前述突起物……大起物。該溝槽深度係 物之頂點間之距籬而#聪+ ^ 犬雙 之㈣和… 行表面粗化處理後之溝槽部 p和火起物之頂點間之距離之方面呈不同。 作為計算突起物數目 ^ S ^ iH Η- ^ 法係列舉··將表面處理銅箔 掩埋於树知，在進行研磨一 觀察相片而以之^ 面湖之觀察，藉由 目是否… 來計算前述定義之突起物數 曰定古成為多少初夕士、+ 法。本發明係將使用該方法所測定 之數目’記載於實施例之矣。仏从 記載於圖3、4、5。 卜，將觀察剖面之概略圖， 内，：：6:度成為〜5·°…突起物係在25” m 35個’在該突起物間，存在〇·3…上之 /冓槽而呈概略均等址 邱八分布。結果’可以避免突起物呈 部分地集中# 9 、# m以内，在銅箔之幅寬方向·長邊方向， 達到剝離強度之穩定化。 =本發明s己載之所謂「呈概略均等地進行 「在突起物之頂點和鋼 π割泊表面間之尚度成為 /zm之突起物之個齡 固數成為n(個）並且用以對於突起物進行剖 面觀察之觀察幅寬成兔 成為25Um)時而在25/n(/zm)幅寬之區 $子至少1個之該突起物之一部分」。 2197-6812-PF；Ahddub 15 200535259 ，、此外’為了達到剝離強度之穩定化， β 形成之突起物之幅寬，具有均—性 ，最好是在 最大幅寬係成為0.01“以上，成為子是各個突起物之 2一範圍内之突起物個數之長度之2二除以存在於 外，在此提到之所謂最大 °下之幅寬。此 成為突起物之高度方向和垂寬直 此外，突起物間之平均 '、冓样 距離之最大值。 以上。 千均溝槽深度係更加理想是0.5"m 突起物間之平均溝样、、黎_ #、a| ^ m
、 卞頂槽冰度係測定溝槽深度成為G 以上之突起物n個之兩側 A1, , D1,、 屏價/衣度，在此時之值成為
Al(/zin)、...... N λ / \ Αη( /ζ m)、Βη( # m)時，成為藉 由下列公式所求出之值。 藉由（（Α1 + Β1)+· · · · · · • · + (Αη+ Βη))/2/η 而求 出。 圖3係適合於本發明之實施形態之表面處理銅箔之觀 察剖面之圖；突起之數目係纟25//ffl以内，存在“固以上， 其高度係進入至1〜5 V m之範圍，溝槽深度係〇· 3 # m以 上，犬起物之最大幅寬係〇〇1#m以上，成為以25#^除 以存在於25 # m範圍内之突起物個數之長度之2倍以下之 幅寬。 圖4係顯示存在一部分之突起物之最大幅寬成為〇 · 以上而以25#m除以存在於25/ζπι範圍内之突起物個數 之長度之2倍以下之幅寬以上之幅寬之突起物之剖面，圖5 係顯示並無呈均等地分布突起物之剖面。 2197-6812-PF;Ahddub 16 200535259 像這樣，圖3所示之剖面形狀之表面處理鋼箔係和液 晶聚合物薄膜間之密合性變得良好，能夠成為微細圖案之 電路構造。圖4所示之剖面形狀之表面處理銅箔係存在一 部分之幅寬變寬之突起物，存在和液晶聚合物薄膜間之密 合性變得不佳之部分，因此，在高度圖案電路，也出現妨 礙，但是，在其他之一般用途，成為並無妨礙之程度。正 如圖5所示，在並無呈均等地分布突起物之狀態下，恐怕 在和液晶聚合物薄膜間之密合性，產生阻礙，無法形成微 細圖案之電路構造。 形成本發明之表面處理箔之突起物之粗化粒子係包含 由Cu或Cu和Mo之合金粒子、或者是Cu和Ni、c〇、以^ Cr、V及之群組而選出之至少1種元素。 藉由Cu粒子或Cu和M〇之合金粒子而得到要求之突起 物，但是，可以藉由利用在Cu粒子或。和M〇之合金粒子 匕3由？^、（：〇16、（：1'、7及界之群組所選出之至少1種 元素之2#以上之合金粗化粒子來形纟，而形成更加具有 均-性之突起物，目此，變得更加有效。認為形成這些办 起物之粗化粒子係和樹脂進行化學結合，目此，增大制： 強度。也由於樹脂種類，但{，作為藉由化學結合而増大 剝離強度之粒子係可以列舉c u — M 〇合金、c u _ N i合金、。u —Co合金、Cu— Fe合金、Cu_ ^合金、cu— M〇— Ni合金u Cu— Mo- Cr 合金、Cu— M〇— c〇 合金、cu— m〇—以合金等。 由包含於形成前述突起物之合金粒子之Mo、NT、C〇 卜卜…之群組所選出之至少i種元素係最好是相， 2197-6812-PF;Ahddub 17 200535259 在量而佔有0.01ppm〜2，在存在量超過2〇%之合 “後製程而蝕刻電路圖案之際，不容易進行溶解， 因此、’還為了得到均勾之突起物，所卩，最好是藉由各種 電解液，而使得電流密度、液溫'處理時間，成為最適當。
此外，可以在設置突起物之表面，以提高落粉性耐 鹽酸性·耐熱性·導電性，作為目的，設置由Η、"合金、 Zn、Zn合金、Ag之群組所選出之至少i種金屬電錢層。此 外，也可以在並無設置突起物之方面之表面，以提高财鹽 酸性·耐熱性·導電性，作為目的，設置Ni、以合金、如、 Zn合金、Ag之至少】種金屬電鍍層。為了達到這些目的， 因此，作為附著金屬量係最好是〇· 〇5mg/dm2以上、i〇M/dm2 以下。 特別疋液晶聚合物樹脂等係具有藉由N丨金屬或N丨合 金而提高剝離強度之效果。 在由前述構造所構成之粗化面之箔上，形成及/或 #鉻酸鹽被覆膜，進行防銹處理，或者是配合於需要而施行 矽烧偶合處理或防銹處理+矽烷偶合。 作為絕緣基板係使用由包含環氧樹脂·聚醯亞胺薄 膜·液晶聚合物50%以上之組成物所構成之薄膜等。也可以 在液晶聚合物之組成物，由於熱膨脹係數之控制、接著性 之改善、物性之改善等之目的，混合無機填充物或聚醚楓、 聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、熱塑性聚醯亞胺 荨之熱塑性樹腊。但是，在液晶聚合物之含有量低於5〇% 時，由於低吸水性、耐熱性、介電特性等之方面，喪失液 2197-6812-PF;Ahddub 18 200535259 曰曰 聚合物之特性，因此，變得不理想。 包含在此使用之液晶聚合物50%以上之組成物（以下、 僅稱為液晶聚合物）係指在加熱熔融狀態來顯示液S性之 熱塑性液晶聚合物，在溶液中，顯示液晶性，但是，曰並叙 使用例如不進行加熱熔融之芳香族聚醯亞胺2 Raiotorobikku型液晶聚合物。作為此種液晶聚合物之代 例係列舉單獨成為單體之芳香族經基缓酸、芳香族二幾 酸、芳香族二元醇等、或者是共聚之全芳香族聚醋。 成為貼合作為該絕緣基板之液晶聚合物薄膜和表面粗 化銅箱之方法係使用熱沖壓方式、連續輥軋層壓方式、連 續帶沖Μ方式等，不透過接著劑等而進行熱塵合。 【實施例1】 但是 以下，根據實施形態而更加詳細地說明本發明 本發明係並非限定於這些。 絕緣基 在本實施例，作為㈣、粗化處㈣電鑛液、 _板用薄膜係使用以下記载者。 (甲）銅箔 (i)原箔1 準備厚度·· 1 2 /z in、筮；i α — 席面粗糙度·· RZ= ；[· 26 面粗糙度：RZ=]L82/Zln 先澤 箔。 未處理電解銅箱及未處理壓延銅 (i i )原箔2 準備厚度·· 1 2 // m、蓆面舶鉍择‘ · ρ 面粗趟度士=1 4 “ 度.RZ==1·52㈣、光澤 • AlD之未處理電解銅箔。 2197-6812-Pp;Ahddub 19 200535259 (i i i)原箔3 準備厚度：12//m、蓆面粗链度：Rz=1.86/zm、光澤 面粗糙度：Rz = 1. 2 // m之未處理電解銅箔。 (乙）表面粗化處理用電鍍液及電鍍條件 (i)電氣電鍍A •電鍍浴1 硫酸銅（作為Cu金屬）5〜10g/dm3 硫酸 3 0 〜1 2Og/dm3
顧酸錄（作為Mo金屬）0_1〜5.0g/dm3 電流密度 1 0〜60A/dm2 通電時間 1秒鐘〜2分鐘
浴溫度 2 0〜6 0 °C •電鍍浴2 硫酸銅（作為Cu金屬）20〜70g/dm3 硫酸 30 〜1 20g/dm3 電流密度 5〜60A/dm2 通電時間 1秒鐘〜2分鐘
浴溫度 2 0〜6 5 °C (i i)電氣電鍍B •電鍍浴1 硫酸銅（作為Cu金屬）1〜50g/dm3 硫酸鎳（作為Ni金屬）2〜25g/dm3 偏釩酸銨（作為V金屬）0· 1〜15g/dm3 pH 值 1· 0 〜4. 5 2197-6812-PF;Ahddub 20 200535259 電流密度 1〜60A/dm2 通電時間 1秒鐘〜2分鐘
浴溫度 2 0〜6 0 °C •電鐘浴2 硫酸銅（作為Cu金屬）10〜70g/dm3 硫酸 電流密度 通電時間 浴溫度 (iii)電氣電鍍C •電鍍浴1 硫酸銅（作為Cu金屬 硫酸銘（作為C 〇金屬 鉬酸銨（作為Mo金屬 pH值 電流密度 通電時間 浴溫度 •電鍍浴2 硫酸銅（作為Cu金屬 硫酸 電流密度 通電時間 浴溫度
30〜120g/dm3 5〜60A/dm2 1秒鐘〜2分鐘 20 〜65〇C )1〜50g/dm3 )1〜5Og/dm3 )0·1〜10g/dm3 0 · 5 〜4 · 0 1 〜60A/dm2 1秒鐘〜2分鐘
20 〜60〇C )1 0 〜70g/dm3 30〜12Gg/dm3 5 〜6 0A/dm2 1秒鐘〜2分鐘
2 0 〜6 5 〇C 2197-6812-PF/Ahddub 21 200535259 (i)電氣電鍍A， 、：B’ （比較例） •電鍍浴3 硫酸銅（作為Cu金屬） 硫酸 電流密度 通電時間 改變時間） 20〜70g/dm3 30〜120g/dm3 3A/dm2 2分鐘以上（在表面粗糖度
浴溫度 1 5 〇C (丙）絕緣基板用薄膜： (1 )液晶聚合物薄膜（絕緣基板）丨（以下成為「薄膜1」） 使用日本科阿代克斯（股）公司製之I型液晶聚合物薄 膜、BIAC BA050F—NT。 (ii)液晶聚合物薄膜（絕緣基板）2(以下成為「薄膜2」） 使用日本科阿代克斯（股）公司製之^型液晶聚合物薄 膜、BIAC BCO50F — NT。 使用則述原箔1〜原箔3，來作為銅箔，在圖2所示之 表面處理裝置，使用前述電氣電鍍A〜c所示之電鍍液組 成.浴溫度.電流條件範圍之任何一種，以電鍍浴i—電鍍 浴2之順序，來進行至少丨次之電鍍。此外，在這些粗化 處理面，施行Ni電鍍（〇3mg/dm2)及鋅電鍍（〇img/dm2)， 在其上面，施行鉻酸鹽處理。此外，在電氣電鍍a， 、b， 之狀態下，為了取代電鍍浴2而使用電鍍浴3之液組成及 條件，製作比較例之箔。 將像這樣得到之表面粗化處理之鋼箱之表面粗糙度等 2197-6812-Pp;Ahddub 22 200535259 之測定結果和表面處理之選擇條件，一起顯示在表1。 接著，在像這樣得到之表面處理銅箔，正如以下而進 行液晶聚合物薄膜（絕緣基板）之層壓。 也就是說，層積表面處理銅箔和前述薄膜1或2之任 何一種，對於整體，使用多段式真空沖壓機（北川製作所製 之熱冷沖壓機VH3 — 1 377)，在前述薄膜1之狀態下，以335 °C、4MPa之條件，在前述薄膜2之狀態下，以31(rc、4MPa 之條件’在保持5分鐘後，進行冷卻，進行層壓處理，成 為基板用複合材。由室溫開始之升溫係以7^ /分鐘之速度 來進行。 此外’正如以下，使用聚醯亞胺薄膜或環氧樹脂薄片， 來取代液晶聚合物，進行表面處理銅箔之層壓，得到基板 用複合材。 也就是說，在切斷表面處理銅箔成為縱長25〇mm、橫寬 25 Omm後’在表面處理銅箔（粗化面側之面）上，放置厚度 _ 50/z m之聚醯亞胺薄片（宇部興產公司製upILEX—ντ)，藉 由2片之平滑之不銹鋼板而夾住整體，藉由2〇t〇rr之真空 沖壓，而以溫度33(TC、壓力2kg/cm2,來進行1〇分鐘之熱 壓合，然後，以溫度330°C、壓力50kg/cm2，來進行5分鐘 之熱壓合’作成表面處理鋼猪。 在環氧樹脂薄片之狀態下，在將正如前面敘述所作成 之表面處理銅箔來切斷成為縱長25〇龍、橫寬25〇随後，將 其粗化面狀面，放置在熱壓合後之厚度成》lmm之片數 目之玻璃纖維環氧膠片薄片（FR—4)上，藉由2片之平滑之 2197-6812-PF;Ahddub 23 200535259 不錄鋼板而夹住整體， 行60分鐘之熱遷合， 單面銅箔基板。 ，以溫度170°C、壓力50kg/cm2，來逢 ’製造附有載體箔之FR — 4載體剝離用 測疋像k樣得到之使用表面處理銅箔之液晶聚合物薄 膜、聚醯亞胺薄膜或環氧樹脂薄片間之基板複合材(銅簿基 板）之剝離強度。剝離強度之測定係按照JIS C6471，沿著 1 80度方向來剝離而進行剝離強度之測定。 此外，藉由以下之方法而評價作成之基板複合材之微 也就是說，將作成之鋼箔貼附在FR4樹脂，正如在圖 顯示剖面概略圖， 來形成阻劑之銅箱 時間而使得線幅寬 對於在銅箔以線幅寬：L、空間幅寬：j ’藉由氣化鐵浴而進行餘刻，決定钱刻 [之頂蓋幅寬相同於阻劑幅寬，將藉由 各個線幅寬L及各個空間幅寬s(使得形成於丨片基板之線 成為10條）來形成阻劑之基板，作成各個n=1〇，藉由氣化
線間並無發生橋接、或者是沒有根殘留、或者是線頂蓋之 幅寬相同於阻劑，在作成n= 1 0之各個基板並無觀察到這 些之當中，求出最小之L和s之值。 將藉由以上之各個實施例及各個比較例之條件來進行 之剝離強度和微細圖案特性評價之結果，顯示在表丄。 2197-6812-PF；Ahddub 24 200535259
實施例 比較例 比較8電解M A 1 比較6 電解 比較7 比較5電解S B 3 比較4電解M A 1 比較2 電解 比較3 壓延 比較1電解M A 1 實施15電解S B 3 實施11電解S A 1 實施10 實施9 電解 電解 實施7 電解 實施8 實施6壓延一 C 1 實施5電解Μ A 3 實施4電解Μ B 2 實施3壓延一 Β 1 實施2電解S Β 3 實施1電解M A 1 表1 原箔 電氣電鑛 處理面 銅箔之種類
比較9 電解
比較11丨電解M A 1
由表1明白地顯示而得知：實施例之表面處理銅箔矛 比較例之表面處理銅箱係即使其表面粗糙度成為同等，^ 因為由粗化粒子所形成之突起物之數目以及依附於該突走 物數目之亮度而使得剝離強度呈明確地不同，提高實施合 之^表面處理銅、治之亲丨j . 卞J離強度。在比較例7，粗糙度變大之立丨 分之剝離強度係上升，但{，出現無法切斷微細圖案之: 陷0 、稽由粗化粒子所形成之特定之 分布之突起物來形成於細々戶士 ^ 取於鋼、冶表面之表面處理銅箔， 2197-6812-PF；Ahddub 25 200535259 為絕緣基板之環氧樹脂·聚醯亞胺薄膜 著地變低來使得介電特性之變化少、具 耐熱性之液晶聚合物，而使得剝離強度 細圖案化。此外，提供一種使用該表面 為微細圖案並且具有良好之高頻特性的 、 ’、以提供一種將顯示藉由粗化粒子所形成之 某特定之形狀之办士 t
處理銅箱係對於成 以及由於吸濕性顯 有可忍耐銲錫鉛之 變大，可以進行微 處理銅箱而特別成 電路基板。 价 犬起物來形成於銅箔表面之表面處理銅 箔，可以藉由在 μ表面處理銅箔使用環氧樹脂·聚醯亞胺 溥膜·液晶平人^ a Α 口物來作為絕緣基板而具有良好之剝離強 度、具有良好I、 、“、、性、能夠作成微細之配線圖案並且具 有良好之高頻特性 ^ ^ ^ 的基板用複合材以及使用該基板用複合 材的電路基板；能夠 勺利用在各種電子電路零件產業之領域。 【圖式簡單說明】 月J述本發明之 目的及特徵係籍由附件圖式所相關之以 下之圮載而更加明冑，在此， 圖1係顯示電解銅箱裝置之構造之剖面圖； 圖2係顯示表面處理裝置之構造之剖面圖； 觀察二3:本發明之表面處理銅之某-實施形態之剖面 觀察L4:本發明之表面處理銅之其他實施形態之剖面 回r、員不在表面處理銅箔並#呈均等地分布突起物 2197-68l2-pp;Ahddub 26 200535259 之狀態之剖面觀察概略圖；以及 圖6係顯示蝕刻後之剖面之說明圖。 【主要元件符號說明】 1〜陽極； 2〜 滾筒狀陰極； 3〜電解液； 未處理銅箔； 5〜電解液； 6〜 電解液； 7〜電極； 8〜 表面處理銅箔。 2197-6812-PF;Ahddub

Claims (1)

  1. 200535259 十、申請專利範圍： 1. 一種表面處理銅箔，其特徵在於：成為至少在銅猪 之單面附著粗化粒子之粗化處理面，前述粗化處理面之表 面粗糙度Rz成為1.5〜4.0/zm，亮度值成為30以下。 2·如申凊專利範圍第1項之表面處理銅箱，其中，成 為至少在未處理銅箔之單面附著粗化粒子並且成為粗化處 理面之表面處理銅箔，附著之銅或銅合金之量係2 /如2 以上、400mg/dm2以下。 3·如申請專利範圍第1或2項之表面處理銅箔，其中， 前述由粗化粒子所形成之突起物之高度係1 # 5 “ m，該 突起物係在lOO/zmxIOOAm之面積，來分布2〇〇〜25〇〇〇 個0 4. 如申請專利範圍帛！至3項中任一項之表面處理銅 箔，其中，前述由粗化粒子所形成之突起物之高度係^ 〜5vm，該突起物係在觀察剖面25"m之範圍，以6〜^ 個之個數，呈概略均等地進行分布。 5. 如申請專利範圍第！至4項中任一瑁夕本品占 ^ τ ^ 項之表面處理鋼 箔，其中，前述各個突起物之最大幅寬係〇. 〇i# m以上， 成為以25/zm來除以存在於25#m範圍之突起物個數之 度之2倍以下。 箔，其中，前述表面處理銅箔之粗化處理 項之表面處理 前之未處理銅_ 係電解銅箔。 如申請專利範圍第6項之表面處理鋼箔，其中， 前 2197-6812-PF;Ahddub 200535259 述未處理銅#之電解銅箔係由粒狀結晶所構成。 8 ·如申清專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅 居’其中’前述表面處理銅箔之粗化處理前之未處理銅箔 之至J施行粗化處理者之表面之表面粗糙度係2 · 〇 # m 以下。 9.如申喷專利範圍第6或7項之表面處理銅箔，其中， 前述未處理銅箔之施行粗化處理者之表面係表面粗糙度Rz 成為2· 〇#m以下之蓆面。 10·如申明專利範圍第丨至9項中任一項之表面處理銅 4 ’其中’則述由粗化粒子所形成之突起物係藉著由Cll所 構成之粒子或Cu和Mo之合金粒子或者是由Cu和Ni、c〇、 Fe、Cr、V、之群組之所選出之至少i種元素所構成之合 金粒子而形成。 11·如申請專利範圍第丨至10項中任一項之表面處理 銅泊，其中，在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之面， 籲形成由Ni或Ni合金所構成之皮膜。 一 1 2·如申請專利範圍第1至11項中任一項之表面處理 銅 >自，其中，在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之面， 认置由辞層或鋅合金層及/或Cr金屬層或鉻酸鹽層所構成 之防銹層。 #13·如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理 銅、泊，其中，在具有前述由粗化粒子所形成之突起物之面 及/或防銹層上，形成矽烷偶合劑層。 14. 一種電路基板，其特徵在於：使用如申請專利範園 29 2197-6812-PF；Ahddub 200535259 第1至1 3項中任一項所述之表面處理銅箔而作成。
    2197-6812-PF;Ahddub 30
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