RU2015116536A - Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства, и электронное устройство, в котором применяется указанное - Google Patents

Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства, и электронное устройство, в котором применяется указанное Download PDF

Info

Publication number
RU2015116536A
RU2015116536A RU2015116536A RU2015116536A RU2015116536A RU 2015116536 A RU2015116536 A RU 2015116536A RU 2015116536 A RU2015116536 A RU 2015116536A RU 2015116536 A RU2015116536 A RU 2015116536A RU 2015116536 A RU2015116536 A RU 2015116536A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
organic
processing solution
forming
based solvent
solution
Prior art date
Application number
RU2015116536A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2615158C2 (ru
Inventor
Цукаса ЯМАНАКА
Такаси КАВАМОТО
Original Assignee
Фуджифилм Корпорэйшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фуджифилм Корпорэйшн filed Critical Фуджифилм Корпорэйшн
Publication of RU2015116536A publication Critical patent/RU2015116536A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2615158C2 publication Critical patent/RU2615158C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D25/00—Details of other kinds or types of rigid or semi-rigid containers
    • B65D25/14—Linings or internal coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/70—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления,при этом органический обрабатывающий раствор содержит 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn.2. Органический обрабатывающий раствор по п. 1,при этом органический обрабатывающий раствор представляет собой органический проявитель.3. Органический обрабатывающий раствор по п. 2,в котором органический проявитель содержит по меньшей мере один проявитель, выбираемый из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя.4. Органический обрабатывающий раствор по п. 2,при этом органический проявитель представляет собой бутилацетат.5. Органический обрабатывающий раствор по п. 1,при этом органический обрабатывающий раствор представляет собой органический смывочный раствор.6. Органический обрабатывающий раствор по п. 5,в котором органический смывочный раствор выбирается из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя и основанного на амиде растворителя.7. Органический обрабатывающий раствор по п. 5,при этом органический смывочный раствор представляет собой 4-метил-2-пентанол или бутилацетат.8. Контейнер с органическим обрабатывающим раствором для формирования структуры резистной пленки химического усиления, при этом контейнер включает в себя блок корпуса, в

Claims (15)

1. Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления,
при этом органический обрабатывающий раствор содержит 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn.
2. Органический обрабатывающий раствор по п. 1,
при этом органический обрабатывающий раствор представляет собой органический проявитель.
3. Органический обрабатывающий раствор по п. 2,
в котором органический проявитель содержит по меньшей мере один проявитель, выбираемый из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя.
4. Органический обрабатывающий раствор по п. 2,
при этом органический проявитель представляет собой бутилацетат.
5. Органический обрабатывающий раствор по п. 1,
при этом органический обрабатывающий раствор представляет собой органический смывочный раствор.
6. Органический обрабатывающий раствор по п. 5,
в котором органический смывочный раствор выбирается из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя и основанного на амиде растворителя.
7. Органический обрабатывающий раствор по п. 5,
при этом органический смывочный раствор представляет собой 4-метил-2-пентанол или бутилацетат.
8. Контейнер с органическим обрабатывающим раствором для формирования структуры резистной пленки химического усиления, при этом контейнер включает в себя блок корпуса, в котором содержится органический обрабатывающий раствор по любому из пп. 1-7,
при этом блок корпуса имеет внутреннюю стенку, приходящую в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, при этом внутренняя стенка сделана из:
смолы, отличной от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полиэтилена-полипропилена; или
металла, подвергнутого обработке против коррозии/элюирования металла.
9. Контейнер по п. 8,
при этом смола, отличная от по меньшей мере одного вида смолы, выбранного из группы, состоящей из смолы полиэтилена, смолы полипропилена, и смолы полиэтилена-полипропилена, представляет собой перфторсмолу.
10. Способ формирования структуры, включающий в себя:
(A) формирование пленки с помощью резистного состава химического усиления;
(B) экспонирование пленки; и
(C) проявку экспонированной пленки с применением органического проявителя,
при этом органический проявитель представляет собой органический обрабатывающий раствор по п. 2.
11. Способ формирования структуры по п. 10, дополнительно включающий в себя:
выполнение смывания с применением органического смывочного раствора после проявления экспонированной пленки с применением органического проявителя,
при этом органический смывочный раствор представляет собой органический обрабатывающий раствор, содержащий 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn.
12. Способ формирования структуры по п. 11,
при этом органический проявитель и органический смывочный раствор представляют собой органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, содержащий 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn, и
органический проявитель представляет собой бутилацетат, и органический смывочный раствор представляет собой 4-метил-2-пентанол или бутилацетат.
13. Способ формирования структуры по п. 10,
в котором проявление экспонированной пленки с применением органического проявителя выполняется посредством применения проявочного устройства, оборудованного фильтром для обрабатывающего раствора, и
при этом органический проявитель проходит через фильтр для обрабатывающего раствора.
14. Способ производства электронного устройства, при этом способ включает в себя способ формирования структуры, описанный в любом из пп. 10-13.
15. Электронное устройство, произведенное посредством способа по п. 14.
RU2015116536A 2012-10-31 2013-10-17 Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства RU2615158C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012240752 2012-10-31
JP2012-240752 2012-10-31
JP2013031277A JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2013-02-20 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP2013-031277 2013-02-20
PCT/JP2013/078211 WO2014069245A1 (ja) 2012-10-31 2013-10-17 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015116536A true RU2015116536A (ru) 2016-12-20
RU2615158C2 RU2615158C2 (ru) 2017-04-04

Family

ID=50627158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015116536A RU2615158C2 (ru) 2012-10-31 2013-10-17 Контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10705428B2 (ru)
EP (1) EP2927749B1 (ru)
JP (1) JP5764589B2 (ru)
KR (3) KR101707879B1 (ru)
CN (3) CN105005181A (ru)
IL (1) IL238445B (ru)
RU (1) RU2615158C2 (ru)
SG (2) SG11201503388RA (ru)
TW (2) TWI591077B (ru)
WO (1) WO2014069245A1 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP5982442B2 (ja) * 2012-10-31 2016-08-31 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、並びに、これを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP6601041B2 (ja) * 2014-07-31 2019-11-06 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6601039B2 (ja) * 2014-07-31 2019-11-06 住友化学株式会社 レジスト組成物
JPWO2016017346A1 (ja) * 2014-08-01 2017-04-27 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法
CN106796405B (zh) * 2014-09-30 2020-10-09 富士胶片株式会社 抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法
JPWO2016104565A1 (ja) * 2014-12-26 2017-09-21 富士フイルム株式会社 有機系処理液およびパターン形成方法
US9659824B2 (en) 2015-04-28 2017-05-23 International Business Machines Corporation Graphoepitaxy directed self-assembly process for semiconductor fin formation
US9563122B2 (en) 2015-04-28 2017-02-07 International Business Machines Corporation Method to harden photoresist for directed self-assembly processes
JPWO2016208299A1 (ja) * 2015-06-24 2018-04-05 富士フイルム株式会社 処理液及びパターン形成方法
JPWO2017169833A1 (ja) * 2016-03-31 2019-01-31 富士フイルム株式会社 半導体製造用処理液、その製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2017169832A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 富士フイルム株式会社 半導体製造用処理液、半導体製造用処理液が収容された収容容器、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
CN108885410A (zh) 2016-03-31 2018-11-23 富士胶片株式会社 电子材料制造用药液的制造方法、图案形成方法、半导体装置的制造方法、电子材料制造用药液、容器及品质检查方法
CN114706271A (zh) * 2016-03-31 2022-07-05 富士胶片株式会社 半导体制造用处理液及图案形成方法
WO2017175856A1 (ja) 2016-04-08 2017-10-12 富士フイルム株式会社 処理液、その製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
KR102088653B1 (ko) * 2016-04-28 2020-03-13 후지필름 가부시키가이샤 처리액 및 처리액 수용체
JP6757412B2 (ja) * 2016-09-02 2020-09-16 富士フイルム株式会社 溶液、溶液収容体、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
KR102263278B1 (ko) 2016-09-27 2021-06-10 후지필름 가부시키가이샤 약액, 약액 수용체, 약액의 충전 방법, 및 약액의 보관 방법
JP6794462B2 (ja) 2016-09-28 2020-12-02 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体、薬液の製造方法、及び、薬液収容体の製造方法
JP6703124B2 (ja) * 2016-09-30 2020-06-03 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、キット
JP6858689B2 (ja) * 2016-11-07 2021-04-14 富士フイルム株式会社 処理液及びパターン形成方法
WO2018092763A1 (ja) 2016-11-18 2018-05-24 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体、パターン形成方法、及び、キット
KR102560458B1 (ko) 2017-02-03 2023-07-26 엘지전자 주식회사 공기조화기 시스템 및 그 제어방법
EP3605226A4 (en) 2017-03-31 2020-04-22 FUJIFILM Corporation ACTINIC OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
WO2018180735A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 富士フイルム株式会社 薬液の精製方法、薬液の製造方法、及び、薬液
CN111788525B (zh) 2018-02-28 2023-08-08 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、树脂
KR20200122354A (ko) 2018-03-26 2020-10-27 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물과 그 제조 방법, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN112639620B (zh) 2018-09-07 2024-09-10 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
CN113767333B (zh) 2019-06-25 2024-05-24 富士胶片株式会社 感放射线性树脂组合物的制造方法
KR20220041153A (ko) * 2019-08-29 2022-03-31 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
WO2023054004A1 (ja) 2021-09-29 2023-04-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5921021A (ja) * 1982-07-27 1984-02-02 Nippon Zeon Co Ltd 半導体製造用薬液収納容器
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JPS59182444A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フオトレジストの改良現像液
JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JPS61226746A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JPS62123444A (ja) 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0616174B2 (ja) 1985-08-12 1994-03-02 三菱化成株式会社 ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
JPH083630B2 (ja) 1986-01-23 1996-01-17 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPS6334540A (ja) 1986-07-30 1988-02-15 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
CA1340347C (en) * 1988-02-16 1999-01-26 Michael L. Osgar Container and dispensing system for liquid chemicals
US5102010A (en) * 1988-02-16 1992-04-07 Now Technologies, Inc. Container and dispensing system for liquid chemicals
JP2717602B2 (ja) 1990-01-16 1998-02-18 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US5296330A (en) 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive
US5576143A (en) 1991-12-03 1996-11-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
JP2753921B2 (ja) 1992-06-04 1998-05-20 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP3158710B2 (ja) 1992-09-16 2001-04-23 日本ゼオン株式会社 化学増幅レジストパターンの形成方法
JPH0699000A (ja) 1992-09-21 1994-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd アイロン装置
JP3112229B2 (ja) 1993-06-30 2000-11-27 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JP3224115B2 (ja) 1994-03-17 2001-10-29 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP3577743B2 (ja) 1994-06-08 2004-10-13 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
US5824451A (en) 1994-07-04 1998-10-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JPH0862834A (ja) 1994-08-22 1996-03-08 Mitsubishi Chem Corp フォトレジスト組成物
US5625433A (en) 1994-09-29 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for developing resist coated on a substrate
JP3180209B2 (ja) 1994-09-29 2001-06-25 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
US5554664A (en) 1995-03-06 1996-09-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-activatable salts with fluorocarbon anions
JPH095988A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Mitsubishi Chem Corp 感放射線性塗布組成物
JP3562599B2 (ja) 1995-08-18 2004-09-08 大日本インキ化学工業株式会社 フォトレジスト組成物
JPH1190198A (ja) * 1997-09-26 1999-04-06 Hitachi Ltd 調合タンク
JPH11181584A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 基板処理装置
WO1999046309A1 (fr) * 1998-03-10 1999-09-16 Daikin Industries, Ltd. Materiau de moulage perfluorochimique et contenant souffle-moule
JP3929000B2 (ja) 1998-05-08 2007-06-13 アイセロ化学株式会社 高純度薬品液用容器
WO2000017057A1 (fr) * 1998-09-24 2000-03-30 Daikin Industries, Ltd. Contenant moule par soufflage
WO2000058252A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-05 Daicel Chemical Industries, Ltd. Solvant derive de 1,3-propanediol tres pur, son procede de production et son utilisation
JP2001130632A (ja) * 1999-11-01 2001-05-15 Fuji Acetylene Kogyo Kk 合成樹脂製内缶を備えた缶体及び内缶の形成方法及び合成樹脂板の突合溶接方法
US6517665B1 (en) * 2000-01-25 2003-02-11 Sandia National Laboratories Liga developer apparatus system
JP2002062667A (ja) 2000-08-23 2002-02-28 Sumitomo Chem Co Ltd 微粒子量の低減されたフォトレジスト組成物の製造方法
JP2002090991A (ja) 2000-09-13 2002-03-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4351440B2 (ja) 2001-12-18 2009-10-28 東洋化成工業株式会社 新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途
JP4185710B2 (ja) 2002-06-07 2008-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100959740B1 (ko) 2002-06-07 2010-05-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치
WO2004016526A1 (ja) * 2002-08-14 2004-02-26 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 液体化学薬品保管および運搬容器
JP4045180B2 (ja) 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4637476B2 (ja) * 2002-12-19 2011-02-23 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物の製造方法
US7449573B2 (en) 2004-02-16 2008-11-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition
JP4491335B2 (ja) 2004-02-16 2010-06-30 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7304175B2 (en) 2005-02-16 2007-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP5070814B2 (ja) 2005-11-21 2012-11-14 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
JP4857138B2 (ja) 2006-03-23 2012-01-18 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5047674B2 (ja) 2006-05-12 2012-10-10 ユニ・チャーム株式会社 使い捨ておむつ
JP4926563B2 (ja) 2006-06-28 2012-05-09 東京応化工業株式会社 流体用容器及びそれを用いた流体入り容器
JP4784760B2 (ja) 2006-10-20 2011-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2008153110A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 点灯装置および照明器具
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8637229B2 (en) 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8530148B2 (en) 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US7998654B2 (en) 2007-03-28 2011-08-16 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method
EP2157477B1 (en) 2007-06-12 2014-08-06 FUJIFILM Corporation Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition
JP5002360B2 (ja) * 2007-07-23 2012-08-15 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
TWI391781B (zh) 2007-11-19 2013-04-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物及酸產生劑
JP5175579B2 (ja) 2008-02-25 2013-04-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5297714B2 (ja) 2008-08-04 2013-09-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5540625B2 (ja) 2008-09-29 2014-07-02 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
TW201017722A (en) 2008-10-30 2010-05-01 Big Gene Envirotech Co Ltd Reusable photoresist agent barrel for environmental protection
JP5572375B2 (ja) 2008-12-15 2014-08-13 富士フイルム株式会社 ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン
JP5750267B2 (ja) * 2010-01-15 2015-07-15 住友化学株式会社 有機半導体素子用の液状組成物の保管方法
JP5708500B2 (ja) 2010-01-29 2015-04-30 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2011227463A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP5618625B2 (ja) 2010-05-25 2014-11-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
JP5719698B2 (ja) * 2010-06-30 2015-05-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び該パターン形成方法に用いられる現像液
JP5629520B2 (ja) 2010-07-28 2014-11-19 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液
TWI499581B (zh) 2010-07-28 2015-09-11 Sumitomo Chemical Co 光阻組成物
JP5848869B2 (ja) 2010-08-25 2016-01-27 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2013006827A (ja) 2011-05-24 2013-01-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2013008020A (ja) 2011-05-25 2013-01-10 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物
JP5056974B1 (ja) 2011-06-01 2012-10-24 Ｊｓｒ株式会社 パターン形成方法及び現像液
JP2012252124A (ja) 2011-06-02 2012-12-20 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物
JP6075124B2 (ja) 2012-03-15 2017-02-08 Jsr株式会社 現像液の精製方法
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110673447A (zh) 2020-01-10
IL238445A0 (en) 2015-06-30
EP2927749A1 (en) 2015-10-07
KR20170127067A (ko) 2017-11-20
EP2927749A4 (en) 2016-06-22
CN104756014A (zh) 2015-07-01
US10705428B2 (en) 2020-07-07
KR20170015569A (ko) 2017-02-08
WO2014069245A1 (ja) 2014-05-08
SG11201503388RA (en) 2015-06-29
US20150227049A1 (en) 2015-08-13
JP5764589B2 (ja) 2015-08-19
TW201423289A (zh) 2014-06-16
IL238445B (en) 2020-06-30
TW201708266A (zh) 2017-03-01
CN105005181A (zh) 2015-10-28
KR101888887B1 (ko) 2018-08-16
JP2014112176A (ja) 2014-06-19
TWI591077B (zh) 2017-07-11
KR20150063128A (ko) 2015-06-08
EP2927749B1 (en) 2019-12-11
TWI570524B (zh) 2017-02-11
SG10201908623UA (en) 2019-11-28
RU2615158C2 (ru) 2017-04-04
KR101707879B1 (ko) 2017-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015116536A (ru) Органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, контейнер для органического обрабатывающего раствора для формирования структуры резистной пленки химического усиления, и способ формирования структуры, способ производства электронного устройства, и электронное устройство, в котором применяется указанное
JP2014112176A5 (ru)
Wang et al. Adsorption characteristics of cadmium onto microplastics from aqueous solutions
McCleaf et al. Removal efficiency of multiple poly-and perfluoroalkyl substances (PFASs) in drinking water using granular activated carbon (GAC) and anion exchange (AE) column tests
Coggan et al. An investigation into per-and polyfluoroalkyl substances (PFAS) in nineteen Australian wastewater treatment plants (WWTPs)
Das et al. Review on the use of heavy metal deposits from water treatment waste towards catalytic chemical syntheses
He et al. Exploring the origin of efficient adsorption of poly-and perfluoroalkyl substances in household point-of-use water purifiers: Deep insights from a joint experimental and computational study
Huang et al. Weathered microplastics induce silver nanoparticle formation
Shan et al. Efficient removal of free and nitrilotriacetic acid complexed Cd (II) from water by poly (1-vinylimidazole)-grafted Fe3O4@ SiO2 magnetic nanoparticles
Deng et al. Adsorption of Cr (VI) onto hybrid membrane of carboxymethyl chitosan and silicon dioxide
Yadav et al. Modeling and analysis of adsorptive removal of arsenite by Mg–Fe–(CO3) layer double hydroxide with its application in real-life groundwater
Sun et al. Speciation and ecological risk assessment of trace metals in surface sediments of the Masan Bay
Xu et al. Treatment of aqueous diethyl phthalate by adsorption using a functional polymer resin
CN103543113A (zh) 一种海水中重金属的检测方法
Bhakte et al. Removal of heavy metal lead (pb) from electrochemical industry waste water using low cost adsorbent
Wang et al. Iron oxide-coated on glass fibers for arsenic removal
Krishna Comparative studies of isotherm and kinetics on the adsorption of Cr (VI) and Ni (II) from aqueous solutions by powder of Mosambi fruit peelings
Hanigan et al. MIEX® and PAC for removal of hydrophilic DBP precursors
Singare et al. Study of toxic heavy metals in Mahim Creek of Mumbai
Booran et al. Recovery of Zn (II) and Ni (II) Binary from Wastewater Using Integrated Biosorption and Electrodeposition
Kalyak et al. Adsorption of TNT and RDX Contaminants by Ambrosia trifida L. var trifida Derived Biochar
Hussein Assessment of the effectiveness of orange (Citrus Reticulata) peel in the recovery of nickel from electroplating wastewater
Faudzi et al. Distributions of dissolved toxic elements during seasonal variation in Kuantan River, Pahang, Malaysia
Bharti Ahirwar et al. Removal of copper from aqueous solution using low cost biosorbent (Potato Peel)
KR20160026356A (ko) 전기전도도와 앙금 착물 형성을 이용한 중금속이온 측정방법