KR20220041153A - 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 과제는, 주쇄 절단형 레지스트를 이용하여 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체를 포함하는 레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과, 상기 노광된 레지스트막을, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 갖는, 패턴 형성 방법으로서, 상기 현상액이, 분기쇄상의 탄화 수소기를 포함하는 알코올계 용제를 주성분으로서 포함한다.

Description

패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
본 발명은, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 초LSI(Large-scale Integrated Circuit) 및 고용량 마이크로칩의 제조 등의 초마이크로리소그래피 프로세스, 임프린트용 몰드 구조체 제작 프로세스, 및, 그 외의 포토패브리케이션 프로세스에 적합하게 사용될 수 있는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
종래, IC(Integrated Circuit) 및 LSI 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 포토레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세 가공이 행해지고 있다. 최근, 집적 회로의 고집적화에 따라, 나노미터 영역의 초미세 패턴 형성이 요구되게 되고 있다. 그에 따라, 노광 파장도 KrF광으로부터, ArF광으로와 같이 단파장화의 경향이 보이고, 현재는, 전자선 및 EUV(Extreme Ultraviolet)광을 이용한 리소그래피도 개발이 진행되고 있다. 또한, 리소그래피에 의한 미세 가공은, 반도체 디바이스의 제조에 그치지 않고, 이른바 나노 임프린트 기술에 있어서의 몰드 구조체(스탬퍼)의 제작으로의 응용 등도 검토되고 있다.
이들 전자선 및 EUV광을 이용한 리소그래피는, 차세대 패턴 형성 기술로서 자리매김되고, 고감도 및 고해상성의 레지스트 패턴 형성 방법이 요망되고 있다.
상기 포토레지스트 조성물로서는, 산의 작용에 의하여 분해되어 극성기를 발생시키는 기를 갖는 폴리머와, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 산을 발생하는 화합물(이른바 광산발생제)을 포함하는, 화학 증폭형 레지스트가 널리 이용되고 있다. 이 외에도, 예를 들면, 가교 가능한 폴리머와, 가교제와, 광산발생제를 포함하고, 또한 산의 작용에 의하여 폴리머와 가교제의 반응이 진행되어 가교 구조를 형성하는 화학 증폭형 네거티브형 레지스트, 노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 폴리머를 포함하는 주쇄 절단형 레지스트, 및 축합 가능한 저분자 화합물을 포함하며, 또한 노광에 의하여 저분자 화합물이 축합하는 네거티브형 레지스트 등도 이용되고 있다.
이 중, 높은 해상성이 얻어지기 쉬운 주쇄 절단형 레지스트로서, 예를 들면 α-클로로아크릴산 에스터계 화합물과 α-메틸스타이렌계 화합물의 공중합체를 주성분으로 하는 레지스트(예를 들면, 닛폰 제온 주식회사제의 ZEP520A) 등도 사용되고 있다.
주쇄 절단형 레지스트는, 전자선이나 EUV광 등의 노광에 의하여 폴리머 주쇄가 절단되어, 노광된 부분만이 저분자화하는 성질을 갖는다. 따라서, 이 레지스트를 사용하는 경우, 노광부 및 미노광부 각각의 용제에 대한 용해 속도의 차에 의하여 패턴이 형성된다.
상기와 같은 주쇄 절단형 레지스트에 대한 현상액으로서는, 예를 들면, 알킬기를 갖는 카복실산 에스터 용제인 아세트산 n-아밀(예를 들면, 닛폰 제온 주식회사제의 ZED-N50)이 널리 이용되고 있다. 또, 알콕시기를 갖는 카복실산 에스터 용제인 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(PGMEA)(특허문헌 1), 및, 아세트산기, 케톤기, 에터기 및 페닐기 중 적어도 2종의 화학 구조를 갖는 용제(특허문헌 2)가 알려져 있다.
또, 분기쇄상의 알킬기를 갖는 카복실산 에스터이며 총 탄소수가 8 이상인 카복실산계 화합물을 주성분으로 하는 현상액을 이용하는 패턴 형성 방법(특허문헌 3)도 알려져 있다.
특허문헌 1: 일본 특허공보 제3779882호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2006-227174호 특허문헌 3: 일본 특허공보 제5952613호
본 발명자는, 특허문헌 1~3을 참조하여 주쇄 절단형 레지스트에 대한 현상액을 검토한 결과, 형성되는 패턴의 해상성을 더 개선할 여지가 있는 것을 밝혔다.
그래서, 본 발명은, 주쇄 절단형 레지스트를 이용하여 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
또, 본 발명은, 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것도 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 이하의 구성에 의하여 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
〔1〕 노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체를 포함하는 레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정과,
상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
상기 노광된 레지스트막을, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 갖는, 패턴 형성 방법으로서,
상기 현상액이, 분기쇄상의 탄화 수소기를 포함하는 알코올계 용제를 주성분으로서 포함하는, 패턴 형성 방법.
〔2〕 상기 알코올계 용제의 CLogP가, 1.000~2.200인, 〔1〕에 기재된 패턴 형성 방법.
〔3〕 상기 알코올계 용제의 총 탄소수가, 5~7인, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 패턴 형성 방법.
〔4〕 상기 알코올계 용제 중에 포함되는 산소 원자가 1개인, 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔5〕 상기 알코올계 용제가, 3-메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-뷰탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 2-메틸-1-뷰탄올, 3-메틸-1-뷰탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 3,3-다이메틸-1-뷰탄올, 2-에틸-1-뷰탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 3-에틸-3-펜탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 2,2-다이메틸-3-펜탄올, 2,3-다이메틸-3-펜탄올, 4,4-다이메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-헥산올, 2-메틸-3-헥산올, 5-메틸-2-헥산올, 및 5-메틸-1-헥산올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 또한, 상기 알코올계 용제의 함유량이, 현상액의 전체 질량에 대하여 90질량% 이상인, 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔6〕 상기 알코올계 용제는, 2급 탄소 또는 3급 탄소로 수산기가 치환되어 있는 알코올계 용제인, 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔7〕 상기 알코올계 용제의 총 탄소수가 6 또는 7인, 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔8〕 상기 중합체가, α-메틸스타이렌계 구조 단위와, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위를 포함하는, 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔9〕 상기 현상하는 공정이, 현상 장치를 이용하여 현상하는 공정이며,
상기 현상 장치 내의 상기 현상액에 접촉하는 영역의 일부 또는 전부가 불소 함유 수지로 형성되어 있는, 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔10〕 포지티브형의 패턴이 형성되는, 〔1〕 내지 〔9〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
〔11〕 〔1〕 내지 〔10〕 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 주쇄 절단형 레지스트를 이용하여 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수도 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 제한되지 않는다.
본 명세서 중에 있어서의 기(원자단)의 표기에 대하여, 본 발명의 취지에 반하지 않는 한, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기와 함께 치환기를 갖는 기도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다. 또, 본 명세서 중에 있어서의 "유기기"란, 적어도 1개의 탄소 원자를 포함하는 기를 말한다.
치환기는, 특별히 설명하지 않는 한, 1가의 치환기가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.
본 명세서에 있어서 표기되는 2가의 기의 결합 방향은, 특별히 설명하지 않는 한 제한되지 않는다. 예를 들면, "X-Y-Z"라는 일반식으로 나타나는 화합물 중의, Y가 -COO-인 경우, Y는, -CO-O-여도 되고, -O-CO-여도 된다. 즉, 상기 화합물은 "X-CO-O-Z"여도 되고 "X-O-CO-Z"여도 된다.
본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, (메트)아크릴은 아크릴 및 메타크릴을 나타낸다.
본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 포함한다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 일반적으로, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV(Extreme Ultraviolet)광), X선, 및 전자선 등의 활성광선(활성 에너지선)을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, 수지의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명이 없는 한, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 분석법에 의하여, 용매 THF(테트라하이드로퓨란), 표준 물질로서 폴리스타이렌을 이용하여 환산한 분자량이다.
본 명세서에 있어서 "공정"이라는 용어는, 독립적인 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 공정의 소기의 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다.
본 명세서에 있어서, 할로젠 원자로서는, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자를 들 수 있다.
[패턴 형성 방법]
본 발명의 패턴 형성 방법은,
노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체(이하 "특정 중합체"라고도 한다.)를 포함하는 레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정(이하 "레지스트막 형성 공정"이라고도 한다.)과,
상기 레지스트막을 노광하는 공정(이하 "노광 공정"이라고도 한다.)과,
상기 노광된 레지스트막을, 현상액을 이용하여 현상하는 공정(이하 "현상 공정"이라고도 한다.)을 갖는, 패턴 형성 방법으로서,
상기 현상액이, 분기쇄상의 탄화 수소기를 포함하는 알코올계 용제(이하 "특정 알코올계 용제"라고도 한다.)를 주성분으로서 포함한다.
상기 구성의 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 형성되는 패턴은, 해상성이 우수하다. 이것은, 상세하게는 명확하지 않지만, 현상액의 주성분이 특정 알코올계 용제인 경우, 노광된 레지스트막에 있어서 현상액의 미노광부로의 침투가 억제되어, 미노광부에 있어서의 연화(軟化)를 기인으로 한 패턴 붕괴(패턴 찌그러짐을 포함한다)를 억제할 수 있다고 추측된다. 이 결과로서, 형성되는 패턴은 해상성이 우수하다고 생각하고 있다.
이하, 본 발명의 패턴 형성 방법의 각 수순에 대하여 설명한다.
또한, 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하면, 통상, 현상 공정에 의하여 노광부가 제거된 패턴, 즉 포지티브형의 패턴이 형성될 수 있다.
〔레지스트막 형성 공정(공정 1)〕
이하에 있어서, 먼저, 공정 1에서 사용할 수 있는 레지스트 조성물 및 지지체에 대하여 설명한다.
<레지스트 조성물>
레지스트 조성물은, 노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체(특정 중합체)를 포함한다.
(특정 중합체)
특정 중합체는, 전자선 등의 전리 방사선 및 자외선 등의 단파장의 광(예를 들면, 전자선, KrF 레이저, ArF 레이저, 및 EUV 레이저 등)의 조사에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체이다.
특정 중합체로서는, α-클로로아크릴산 에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위(이하 "α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위"라고도 한다.)와, α-메틸스타이렌계 화합물에서 유래하는 구조 단위(이하 "α-메틸스타이렌계 구조 단위"라고도 한다.)를 포함하는 공중합체가 바람직하다. 즉, 특정 중합체는, 구조 단위(반복 단위)로서, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위와, α-메틸스타이렌계 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다.
또, 상기 공중합체는, EVU 노광에 있어서의 흡수 효율을 보다 향상시키는 관점에서, 불소 원자를 포함하는 것도 바람직하다. 불소 원자는 EUV광을 흡수하기 쉬운 성질을 갖기 때문에, EVU 노광에 있어서 흡수 효율을 높이는 효과가 있다. 상기 공중합체가 불소 원자를 포함하는 경우, 공중합체 내에 불소 원자를 포함하는 구조 단위가 별도 포함되는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 상기 공중합체가 불소 원자를 포함하는 경우, 상기 공중합체는, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위와, α-메틸스타이렌계 구조 단위와, 불소 원자를 포함하는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 불소 원자를 포함하는 α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위, 및 불소 원자를 포함하는 α-메틸스타이렌계 구조 단위는, 불소 원자를 포함하는 구조 단위에 해당한다.
상기 공중합체 중, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위의 함유량(α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위가 복수 종 포함되는 경우는 그 합계 함유량)은 특별히 제한되지 않지만, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 10~90mol%가 바람직하고, 30~70mol%가 보다 바람직하다.
또, 상기 공중합체 중, α-메틸스타이렌계 구조 단위의 함유량(α-메틸스타이렌계 구조 단위가 복수 종 포함되는 경우는 그 합계 함유량)은 특별히 제한되지 않지만, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 10~90mol%가 바람직하고, 30~70mol%가 보다 바람직하다.
상기 공중합체는, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위 이외의 임의의 다른 구조 단위를 포함하고 있어도 된다.
상기 공중합체 내의 α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위의 합계 함유량으로서는, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 90mol% 이상이 바람직하고, 98mol% 이상이 보다 바람직하며, 100mol%가 바람직하다(즉, 공중합체가, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위만으로 구성되는 것이 바람직하다).
또, 공중합체는, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위를 갖는 한, 예를 들면, 랜덤 중합체, 블록 중합체, 교호 중합체(ABAB…), 등 중 어느 것이어도 되지만, 교호 중합체를 90질량% 이상(상한은 100질량%) 포함하는 것이 바람직하다.
상기 공중합체는, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위를 포함하기 때문에, 전자선 등의 전리 방사선 및 자외선 등의 단파장의 광(예를 들면, 전자선, KrF 레이저, ArF 레이저, 및 EUV 레이저 등)이 조사되면, 주쇄가 절단되어 저분자량화한다.
이하에 있어서, 상기 공중합체를 구성하는 각종 구조 단위에 대하여 설명한다.
《α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위》
α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위는, α-클로로아크릴산 에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위이다.
α-클로로아크릴산 에스터계 화합물로서는, α-클로로아크릴산 무치환 알킬에스터 및 α-클로로아크릴산 에스터 유도체를 들 수 있다.
α-클로로아크릴산 무치환 알킬에스터 중의 무치환 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 무치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다(또한, 예를 들면, α-클로로아크릴산 무치환 알킬에스터 중의 무치환 알킬기가 메틸기인 경우란, α-클로로아크릴산 메틸을 의도한다).
α-클로로아크릴산 에스터 유도체로서는, 예를 들면, α-클로로아크릴산 할로젠 치환 알킬에스터를 들 수 있고, 구체적으로는, α-클로로아크릴산 2,2,2-트라이클로로에틸에스터, α-클로로아크릴산 2,2,3,3,3-펜타클로로프로필에스터, 및 α-클로로아크릴산 펜타클로로페닐에스터 등을 들 수 있다.
α-클로로아크릴산 에스터계 화합물로서는, 그중에서도, α-클로로아크릴산 무치환 알킬에스터가 바람직하고, α-클로로아크릴산 메틸 또는 α-클로로아크릴산 에틸이 보다 바람직하다.
《α-메틸스타이렌계 화합물》
α-메틸스타이렌계 구조 단위는, α-메틸스타이렌계 화합물에서 유래하는 구조 단위이다. α-메틸스타이렌계 화합물로서는, α-메틸스타이렌 및 그 유도체를 들 수 있다.
α-메틸스타이렌 유도체로서는, 예를 들면, 4-클로로-α-메틸스타이렌, 및 3,4-다이클로로-α-메틸스타이렌 등을 들 수 있다.
α-메틸스타이렌계 화합물로서는, α-메틸스타이렌이 바람직하다.
《불소 원자를 포함하는 구조 단위》
상기 공중합체는, 상술한 α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위 및 α-메틸스타이렌계 구조 단위 이외에, 불소 원자를 포함하는 구조 단위를 더 포함하고 있어도 된다.
불소 원자를 포함하는 구조 단위로서는, 예를 들면, 상술한 α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위의 일부에 불소 원자가 도입된 구조 단위(이하 "구조 단위 F-1"이라고도 한다.), 상술한 α-메틸스타이렌계 구조 단위의 일부에 불소 원자가 도입된 구조 단위(이하 "구조 단위 F-2"라고도 한다.), 및, 상기 구조 단위 이외의 다른 불소 원자를 갖는 구조 단위(이하 "구조 단위 F-3"이라고도 한다.)를 들 수 있다.
·구조 단위 F-1
α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위의 일부에 불소 원자가 도입된 구조 단위(구조 단위 F-1)로서는, α-클로로아크릴산 불소 치환 알킬에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위가 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면, 이하에 나타내는 α-클로로아크릴산 퍼플루오로알킬에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure pct00001
·구조 단위 F-2
α-메틸스타이렌계 구조 단위의 일부에 불소 원자가 도입된 구조 단위(구조 단위 F-2)로서는, 예를 들면, 이하에 나타내는 불소 원자를 포함하는 α-메틸스타이렌계 화합물에서 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
·구조 단위 F-3
상기 구조 단위 이외의 다른 불소 원자를 갖는 구조 단위(구조 단위 F-3)로서는, α-플루오로아크릴산 알킬에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위가 바람직하고, α-플루오로아크릴산 불소 치환 알킬에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위가 보다 바람직하다. 구조 단위 F-3으로서는, 구체적으로는, 이하에 나타내는 α-플루오로아크릴산 퍼플루오로에스터계 화합물에서 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
《그 외 구조 단위》
상기 공중합체는, 상술한 구조 단위 이외에, 기판 밀착성, 레지스트 프로파일, 내열성, 및 감도 등을 조절할 목적으로 다양한 구조 단위를 갖고 있어도 된다.
상기 그 외의 구조 단위에서 유래하는 모노머로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산, (메트)아크릴레이트, 락톤 구조를 포함하는 (메트)아크릴레이트, 바이닐나프탈렌, 바이닐안트라센, 염화 바이닐, 및 아세트산 바이닐 등을 들 수 있다.
상기 공중합체의 중량 평균 분자량으로서는, 10,000~1,000,000이 바람직하고, 30,000~120,000이 보다 바람직하며, 50,000~70,000이 더 바람직하다. 상기 공중합체의 중량 평균 분자량이 10,000 이상이면, 현상액에 대한 용해성이 지나치게 높지 않고, 이 결과로서, 형성되는 패턴의 노광부와 미노광부의 콘트라스트가 보다 우수하다.
상기 공중합체는, 공지의 방법에 준하여 합성할 수 있다.
상기 공중합체로서는 특별히 제한되지 않지만, 구체적으로는, α-클로로아크릴산 무치환 알킬에스터와 α-메틸스타이렌의 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 공중합체는, 해상성 및 에칭 내성이 우수하다.
상기 공중합체를 포함하는 레지스트 조성물로서는, 예를 들면, 닛폰 제온 주식회사제의 ZEP520A를 들 수 있다.
(용제)
레지스트 조성물은, 공정 1에 있어서 기판으로의 도포성을 향상시키는 점에서, 용제를 더 포함하고 있어도 된다.
용제로서는, 상술한 특정 중합체를 용해 가능한 용제이면 이미 알려진 용제를 사용할 수 있다. 사용할 수 있는 용제로서는, 예를 들면 아니솔 등을 들 수 있다.
(레지스트 조성물)
공정 1에 있어서 이용되는 레지스트 조성물은, 특정 중합체를 주성분으로서 포함한다.
여기에서 "특정 중합체를 주성분으로서 포함한다"란, 특정 중합체의 함유량이, 레지스트 조성물의 전고형분에 대하여 90질량% 이상인 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 레지스트 조성물에 있어서의 "고형분"이란, 레지스트막을 형성하는 성분을 의도하며, 용제는 포함되지 않는다. 또, 레지스트막을 형성하는 성분이면, 그 성상(性狀)이 액상이더라도, 고형분으로 간주한다.
또, 레지스트 조성물은, 상술한 특정 중합체 및 용제 외에, 예를 들면, 계면활성제 등의 임의 성분을 포함하고 있어도 된다.
상기 특정 중합체(특히, 상술한 공중합체)를 주성분으로서 포함하는 레지스트 조성물로 형성되는 레지스트막은, 이른바 주쇄 절단형 레지스트막에 해당한다. 즉, 상기 레지스트막은, 노광되면, 레지스트막 중의 상기 특정 중합체의 주쇄의 결합이 절단되어 분자량이 변화함으로써, 현상액에 대한 용해성이 향상되는 반응계를 구성한다. 이 결과로서, 노광부 및 미노광부 각각에서의 용해성의 차가 패턴의 콘트라스트가 되어, 패턴이 형성된다. 또한, 상기 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 패턴은, 통상, 포지티브형의 패턴이다.
<지지체>
공정 1에서 사용되는 지지체의 재료로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 및 석영 등을 사용할 수 있다. 지지체로서는, 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 및, 크로뮴 등의 메탈 하드 마스크가 적층된 메탈 하드 마스크 부착 석영 기판을 들 수 있다.
<레지스트막 형성 공정>
공정 1은, 레지스트 조성물을 이용하여, 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정이다.
레지스트 조성물 및 지지체에 대해서는, 앞서 설명한 바와 같다.
레지스트 조성물 중에 있어서는, 금속 원자의 함유량이 저감되어 있는 것이 바람직하다.
이하에 있어서는, 먼저, 레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키는 방법의 구체적인 일례를 설명한 후, 레지스트 조성물의 조제 방법의 구체적인 일례를 설명한다.
레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키는 방법으로서는, 예를 들면, 필터를 이용한 여과에 의한 조정 방법을 들 수 있다. 필터 구멍 직경으로서는, 포어 사이즈 100nm 미만이 바람직하고, 10nm 이하가 보다 바람직하며, 5nm 이하가 더 바람직하다. 필터로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌제, 폴리에틸렌제, 또는 나일론제의 필터가 바람직하다. 필터는, 상기 필터 소재와 이온 교환 미디어를 조합한 복합 재료로 구성되어 있어도 된다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종류의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종류의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 및/또는 재질이 상이한 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 되고, 복수 회 여과하는 공정이 순환 여과 공정이어도 된다.
또, 레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키는 방법으로서는, 레지스트 조성물 중의 각종 재료를 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하는 방법, 레지스트 조성물 중의 각종 재료를 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하는 방법, 및 장치 내를 테프론(등록 상표)으로 라이닝하는 등 하여 컨태미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 방법 등을 들 수 있다.
또, 레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키는 방법으로서는, 상술한 필터 여과 외에, 흡착재에 의한 제거를 행해도 되고, 필터 여과와 흡착재를 조합하여 사용해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있고, 예를 들면, 실리카젤 및 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 및 활성탄 등의 유기계 흡착재를 사용할 수 있다.
또, 레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키기 위해서는, 제조 공정에 있어서의 금속 불순물의 혼입을 방지하는 것이 필요하다. 제조 장치로부터 금속 불순물이 충분히 제거되었는지 아닌지는, 제조 장치의 세정에 사용된 세정액 중에 포함되는 금속 성분의 함유량을 측정함으로써 확인할 수 있다.
다음으로, 레지스트 조성물의 조제 방법의 구체적인 일례에 대하여 설명한다.
레지스트 조성물의 제조에 있어서는, 예를 들면, 상술한 수지 및 계면활성제 등의 각종 성분을 용제에 용해시킨 후, 소재가 상이한 복수의 필터를 이용하여 여과(순환 여과여도 된다)를 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구멍 직경 50nm의 폴리에틸렌제 필터, 구멍 직경 10nm의 나일론제 필터, 구멍 직경 3~5nm의 폴리에틸렌제 필터를 순열로 접속하여, 여과를 행하는 것이 바람직하다. 여과는, 2회 이상의 순환 여과를 행하는 방법도 바람직하다. 또한, 상기 여과 공정은, 레지스트 조성물 중의 금속 원자의 함유량을 저감시키는 효과도 있다. 필터 간의 압력차는 작을수록 바람직하고, 일반적으로는 0.1MPa 이하이며, 0.05MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.01MPa 이하인 것이 보다 바람직하다. 필터와 충전 노즐의 사이의 압력차도 작을수록 바람직하고, 일반적으로는 0.5MPa 이하이며, 0.2MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.1MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 레지스트 조성물의 제조에 있어서 필터를 이용하여 순환 여과를 행하는 방법으로서는, 예를 들면, 구멍 직경 50nm의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 2회 이상 순환 여과를 행하는 방법도 바람직하다.
레지스트 조성물의 제조 장치의 내부는, 질소 등의 불활성 가스에 의하여 가스 치환을 행하는 것이 바람직하다. 이로써, 산소 등의 활성 가스가 레지스트 조성물 중에 용해되는 것을 억제할 수 있다.
레지스트 조성물은 필터에 의하여 여과된 후, 청정한 용기에 충전된다. 용기에 충전된 레지스트 조성물은, 냉장 보존되는 것이 바람직하다. 이로써, 경시에 따른 성능 열화가 억제된다. 레지스트 조성물의 용기로의 충전이 완료된 후, 냉장 보존을 개시할 때까지의 시간은 짧을수록 바람직하고, 일반적으로는 24시간 이내이며, 16시간 이내가 바람직하고, 12시간 이내가 보다 바람직하며, 10시간 이내가 더 바람직하다. 보존 온도는 0~15℃가 바람직하고, 0~10℃가 보다 바람직하며, 0~5℃가 더 바람직하다.
다음으로, 레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 방법을 설명한다.
레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 방법으로서는, 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하는 방법을 들 수 있다.
레지스트 조성물은, 집적 회로 소자의 제조에 사용되는 것 같은 지지체(예: 실리콘, 이산화 실리콘 피복) 상에, 스피너 또는 코터 등의 적절한 도포 방법에 의하여 도포할 수 있다. 도포 방법으로서는, 스피너를 이용한 스핀 도포가 바람직하다. 스피너를 이용한 스핀 도포를 할 때의 회전수는, 1000~3000rpm이 바람직하다.
레지스트 조성물의 도포 후, 지지체를 건조하여, 레지스트막을 형성해도 된다. 또한, 필요에 따라, 레지스트막의 하층에, 각종 하지막(下地膜)(무기막, 유기막, 반사 방지막)을 형성해도 된다.
건조 방법으로서는, 가열하여 건조하는 방법을 들 수 있다. 가열은 통상의 노광기, 및/또는 현상기에 구비되어 있는 수단으로 행할 수 있고, 핫플레이트 등을 이용하여 행해도 된다. 가열 온도는 80~200℃가 바람직하다. 가열 시간은 30~1000초가 바람직하고, 30~500초가 보다 바람직하며, 30~300초가 더 바람직하다.
레지스트막의 막두께는 특별히 제한되지 않지만, 보다 고정밀도인 미세 패턴을 형성할 수 있는 점에서, 예를 들면, 15~100nm의 범위에서 적절히 조정하는 것이 바람직하고, 20~40nm가 보다 바람직하다.
〔노광 공정(공정 2)〕
노광의 방법으로서는, 형성한 레지스트막에 소정의 마스크를 통하여 활성광선 또는 방사선을 조사하는 방법을 들 수 있다.
활성광선 또는 방사선으로서는, 자외광, 원자외광, 극자외광, X선, 및 전자선을 들 수 있고, 바람직하게는 250nm 이하, 보다 바람직하게는 220nm 이하, 특히 바람직하게는 1~200nm의 파장의 원자외광, 구체적으로는, KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), F2 엑시머 레이저(157nm), EUV(13nm), X선, 및 전자빔을 들 수 있다.
노광은, 자외선 조사 장치(얼라이너, 스테퍼, 또는 엑시머 레이저를 광원으로 하는 노광 장치), 전자선 노광 장치, 및 EUV 노광 장치를 이용하여 실시되는 것이 바람직하다. 노광 장치로서는, 그중에서도, 스폿형 빔 또는 가변 정형형 빔을 조사 가능한 전자선 노광 장치 및 EUV 노광 장치가 바람직하다.
노광 후, 현상을 행하기 전에 베이크(가열)를 행해도 된다. 베이크에 의하여 노광부의 반응이 촉진되고, 감도 및 패턴 형상이 보다 양호해진다.
가열 온도는 80~150℃가 바람직하고, 80~140℃가 보다 바람직하며, 80~130℃가 더 바람직하다.
가열 시간은 10~1000초가 바람직하고, 10~180초가 보다 바람직하며, 30~120초가 더 바람직하다.
가열은 통상의 노광기, 및/또는 현상기에 구비되어 있는 수단으로 행할 수 있고, 핫플레이트 등을 이용하여 행해도 된다.
〔현상 공정(공정 3)〕
공정 3은, 현상액을 이용하여, 노광된 레지스트막을 현상하고, 패턴을 형성하는 공정이다.
이하에 있어서, 먼저, 공정 3에서 사용되는 현상액에 대하여 설명한다.
<현상액>
공정 3에서 사용되는 현상액은, 분기쇄상의 탄화 수소기를 포함하는 알코올계 용제(특정 알코올계 용제)를 주성분으로서 포함한다.
여기에서 "특정 알코올계 용제를 주성분으로서 포함한다"란, 특정 알코올계 용제의 함유량이, 현상액의 전체 질량에 대하여 80질량% 이상인 것을 의도한다.
또한, 현상액에 있어서, 특정 알코올계 용제는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 현상액이 특정 알코올계 용제를 복수 종 포함하는 경우, 그 합계 함유량이, 현상액의 전체 질량에 대하여 80질량% 이상이면 된다(바꾸어 말하면, 현상액의 주성분을 구성하면 된다).
또, 현상액은, 주성분 이외의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면, 계면활성제 등을 들 수 있다.
특정 알코올계 용제의 함유량은, 현상액의 전체 질량에 대하여 90질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 특정 알코올계 용제의 함유량의 상한값으로서는, 100질량% 이하가 바람직하다.
이하에 있어서, 특정 알코올계 용제에 대하여 설명한다.
특정 알코올계 용제로서는, 제1급 알코올계 용제(1급 탄소로 수산기가 치환된 알코올계 용제), 제2급 알코올계 용제(2급 탄소로 수산기가 치환된 알코올계 용제), 및 제3급 알코올계 용제(3급 탄소로 수산기가 치환된 알코올계 용제) 중 어느 것이어도 된다.
특정 알코올계 용제로서는, 그중에서도, 제2급 알코올 또는 제3급 알코올이 바람직하다. 제2급 알코올 또는 제3급 알코올계 용제를 사용함으로써, 수산기에 기인하는 수소 결합에 의한 상호 작용이 작용하기 어려워진다. 그 결과, 상기 알코올계 용제와 패턴 간의 상호 작용이 억제되어 패턴 붕괴가 발생하기 어려워진다. 즉, 패턴의 해상성이 보다 우수하다.
특정 알코올계 용제의 총 탄소수로서는, 4~8이 바람직하고, 5~7이 보다 바람직하다. 특정 알코올계 용제의 총 탄소수가 5 이상인 경우, 비점이 지나치게 낮아지지 않기 때문에 휘발되기 어려워, 현상 시의 현상 불균일이 보다 억제될 수 있다. 총 탄소수가 7 이하인 경우, 비점이 지나치게 높아지지 않기 때문에, 현상 후의 건조 시간이 보다 짧은 이점을 갖는다. 특정 알코올계 용제의 총 탄소수로서는, 형성되는 패턴의 해상성이 보다 우수한 점에서, 그중에서도, 6 또는 7이 더 바람직하다.
분기쇄상의 탄화 수소기로서는 특별히 제한되지 않으며, 분기쇄상의 포화 탄화 수소기여도 되고, 분기쇄상의 불포화 탄화 수소기여도 되지만, 안정성의 관점에서, 포화 탄화 수소기가 바람직하다.
분기쇄상의 탄화 수소기로서는, 그중에서도, 분기쇄상의 알킬기가 바람직하다.
특정 알코올계 용제 중의 수산기가 수로서는, 1개가 바람직하다.
또, 특정 알코올계 용제 중에 포함되는 산소 원자는 1개가 바람직하다. 즉, 특정 알코올계 용제는, 1개의 수산기에 포함되는 산소 원자 이외의 다른 산소 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
특정 알코올계 용제가 수산기에 포함되는 산소 원자 이외의 다른 산소 원자를 포함하는 경우, 상기 그 외의 산소 원자(보다 상세하게는, 그 외의 산소 원자를 포함하는 에터기 또는 에스터기)와 수산기의 사이에 수소 결합에 기인하는 상호 작용이 발생하기 쉬워진다. 특정 알코올계 용제 중에 포함되는 산소 원자를 1개로 함으로써, 상기 상호 작용을 억제할 수 있다. 상기 상호 작용이 억제되면, 형성되는 패턴은 해상성이 보다 우수하고, 또한, 노광부에서 발생하는 저분자량화한 중합체 성분의 용해성이 보다 우수하다. 또한, 현상 후의 패턴의 건조 공정 시에 있어서의 휘발성이 보다 우수하다.
또, 특정 알코올계 용제는, 산소 원자 이외의 다른 헤테로 원자(예를 들면, 질소 원자 및 황 원자 등)도 포함하지 않는 것이 바람직하다.
특정 알코올계 용제로서는, 예를 들면, 3-메틸-2-뷰탄올(ClogP: 1.002, bp: 131℃), 2-메틸-2-뷰탄올(ClogP: 1.002, bp: 102℃), 2,2-다이메틸-1-프로판올(ClogP: 1.092, bp: 113℃), 2-메틸-1-뷰탄올(ClogP: 1.222, bp: 130℃), 3-메틸-1-뷰탄올(ClogP: 1.222, bp: 130℃), 4-메틸-2-펜탄올(ClogP: 1.531, bp: 132℃), 3,3-다이메틸-2-뷰탄올(ClogP: 1.401, bp: 120℃), 2,3-다이메틸-2-뷰탄올(ClogP: 1.401, bp: 120℃), 2-메틸-2-펜탄올(ClogP: 1.531, bp: 121℃), 2-메틸-3-펜탄올(ClogP: 1.531, bp: 128℃), 3-메틸-2-펜탄올(ClogP: 1.531, bp: 134℃), 3-메틸-3-펜탄올(ClogP: 1.531, bp: 122℃), 3,3-다이메틸-1-뷰탄올(ClogP: 1.621, bp: 143℃), 2-에틸-1-뷰탄올(ClogP: 1.751, bp: 146℃), 2-메틸-1-펜탄올(ClogP: 1.751, bp: 148℃), 3-메틸-1-펜탄올(ClogP: 1.751, bp: 151℃), 4-메틸-1-펜탄올(ClogP: 1.751, bp: 163℃), 3-에틸-3-펜탄올(ClogP: 2.06, bp: 122℃), 2,4-다이메틸-3-펜탄올(ClogP: 1.93, bp: 139℃), 2,2-다이메틸-3-펜탄올(ClogP: 1.93, bp: 132℃), 2,3-다이메틸-3-펜탄올(ClogP: 1.93, bp: 140℃), 4,4-다이메틸-2-펜탄올(ClogP: 1.93, bp: 137℃), 2-메틸-2-헥산올(ClogP: 2.06, bp: 141℃), 2-메틸-3-헥산올(ClogP: 2.06, bp: 142℃), 5-메틸-2-헥산올(ClogP: 2.06, bp: 149℃), 5-메틸-1-헥산올(ClogP: 2.28, bp: 167℃), 및 3-메틸-1-펜탄올(ClogP: 1.751, bp: 151℃) 등을 들 수 있다.
또한, 괄호 내에 있어서의 "ClogP"는, 후술하는 방법에 의하여 산출되는 수치이다. 또, "bp"란, 상압에 있어서의 비점(℃)을 나타낸다.
특정 알코올계 용제로서는, 그중에서도, 3-메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-뷰탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 2-메틸-1-뷰탄올, 3-메틸-1-뷰탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 3,3-다이메틸-1-뷰탄올, 2-에틸-1-뷰탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 3-에틸-3-펜탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 2,2-다이메틸-3-펜탄올, 2,3-다이메틸-3-펜탄올, 4,4-다이메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-헥산올, 2-메틸-3-헥산올, 5-메틸-2-헥산올, 및 5-메틸-1-헥산올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
특정 알코올계 용제로서는, 상기 중에서도 2급 또는 3급 알코올이 바람직하고, 구체적으로는, 3-메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-뷰탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 3-에틸-3-펜탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 2,2-다이메틸-3-펜탄올, 2,3-다이메틸-3-펜탄올, 4,4-다이메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-헥산올, 2-메틸-3-헥산올, 및 5-메틸-2-헥산올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 보다 바람직하다.
또, 특정 알코올계 용제로서는, 형성되는 해상성이 보다 우수한 점에서, CLogP가 1.000 이상인 것도 바람직하다.
특정 알코올계 용제의 CLogP가 1.000 이상인 경우란, 친수성이 비교적 낮고, 저극성인 것을 의미한다. 특정 알코올계 용제의 극성이 낮아질수록(CLogP가 1.000 이상인 경우), 특정 알코올계 용제 간의 상호 작용, 및, 패턴과 특정 알코올계 용제의 사이의 상호 작용이 약해지는 경향이 있다. 이 결과, 현상 후의 건조 시에 패턴 간에 모세관력이 발생하기 어려워져, 패턴 붕괴가 일어나기 어려워진다.
이 때문에, CLogP의 하한값은 1.000 이상이 바람직하고, 1.100 이상이 보다 바람직하며, 1.200 이상이 더 바람직하다.
특정 알코올계 용제의 CLogP의 상한값으로서는, 2.200 이하가 바람직하다.
특정 알코올계 용제의 CLogP가 2.200 이하인 경우, 현상 장치 내에서 사용되는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌-폴리프로필렌 수지, 및 불소 함유 수지 등의 절연성의 높은 재료로 제조된 배관 튜브, 밸브, 및 필터 등의 부재와 특정 알코올계 용제가 접촉했을 때, 정전기의 발생이 억제되고, 또한 발생한 정전기가 특정 알코올계 용제에 체류하기 어렵다. 정전기를 억제할 수 있는 결과로서, 배관 내에서의 방전에 의한 접액 부재의 손상 및/또는 액의 오염 등의 리스크를 방지할 수 있다.
또한, 배관 내에서의 방전에 의한 접액 부재의 손상 및/또는 액의 오염 등의 리스크를 보다 방지하는 관점에서, CLogP의 상한값으로서는, 2.000 이하가 보다 바람직하며, 1.800 이하가 더 바람직하다.
또한, "CLogP"는, ChemDraw(version. 16, PerkinElmer사제)에 의하여 계산할 수 있다.
현상 방식으로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 딥 방식, 스프레이 방식, 퍼들 방식, 및, 웨이퍼를 회전하면서 현상 약액을 웨이퍼 상에 공급하는 동적 현상 방식 등을 사용할 수 있다.
<현상 장치>
현상 공정은, 상기 현상 방식에 준거한 현상 장치를 이용하여 실시되는 것이 바람직하다.
현상 장치로서는, 현상액의 금속 오염 등을 발생하지 않도록 하기 위하여, 현상 장치 내의 현상액에 접촉하는 영역(예를 들면, 각종 배관 튜브, 밸브, 및 현상액 수용 용기 등)의 일부 또는 전부가 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌-폴리프로필렌 수지, 및 불소 함유 수지 등의 수지로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 현상 장치 내의 현상액에 접촉하는 영역에 해당하는 부재가, 상술한 수지로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 수지로서는, 그중에서도, 불소 함유 수지가 바람직하다. 불소 함유 수지로서는, 예를 들면, 사불화 에틸렌 수지(PTFE), 사불화 에틸렌, 퍼플루오로알킬바이닐에터 공중합체(PFA), 사불화 에틸렌-육불화 프로필렌 공중합 수지(FEP), 사불화 에틸렌-에틸렌 공중합체 수지(ETFE), 삼불화 염화 에틸렌-에틸렌 공중합 수지(ECTFE), 불화 바이닐리덴 수지(PVDF), 삼불화 염화 에틸렌 공중합 수지(PCTFE), 및 불화 바이닐수지(PVF) 등을 들 수 있다.
<현상 조건>
현상 시간으로서는, 예를 들면, 5~200초의 범위에서 적절히 조정하는 것이 바람직하고, 5~60초가 보다 바람직하다.
현상 온도로서는, 예를 들면, 18~30℃의 범위에서 적절히 조정하는 것이 바람직하고, 23℃ 전후가 보다 바람직하다.
〔다른 공정〕
상기 패턴 형성 방법은, 공정 3 후에, 린스액을 이용하여 세정하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
현상액을 이용하여 현상하는 공정 후의 린스 공정에 이용하는 린스액으로서는, 결함 억제와 해상 성능의 양립할 수 있는 점에서, 현상액보다 저비점 또한 저용해성의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 용제로서는, 물, 유기 용제, 및 그 혼합액을 사용할 수 있다. 또, 린스액은, 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 린스액으로서는, 구체적으로는, 아이소프로필알코올, 아이소프로필알코올과 물의 혼합액 등, 및, 계면활성제를 포함하는 수용액 등을 사용할 수 있다.
린스 공정의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 회전 도포법, 딥법, 및 스프레이법 등을 들 수 있다.
또, 본 발명의 패턴 형성 방법은, 린스 공정 후에 가열 공정을 포함하고 있어도 된다. 본 공정에 의하여, 베이크에 의하여 패턴 간 및 패턴 내부에 잔류한 현상액 및 린스액이 제거된다. 또, 본 공정에 의하여, 레지스트 패턴이 어닐링되어, 패턴의 표면 거칠기가 개선되는 효과도 있다. 린스 공정 후의 가열 공정은, 통상 40~250℃(바람직하게는 90~200℃)에서, 통상 10초간~3분간(바람직하게는 30~120초간) 행한다.
또, 형성된 패턴을 마스크로 하여, 기판의 에칭 처리를 실시해도 된다. 즉, 공정 3에서 형성된 패턴을 마스크로 하여, 기판(또는 하층막 및 기판)을 가공하고, 기판에 패턴을 형성해도 된다.
기판(또는 하층막 및 기판)의 가공 방법은 특별히 제한되지 않지만, 공정 3에서 형성된 패턴을 마스크로 하여, 기판(또는 하층막 및 기판)에 대하여 드라이 에칭을 행함으로써, 기판에 패턴을 형성하는 방법이 바람직하다.
드라이 에칭은, 1단의 에칭이어도 되고, 복수 단으로 이루어지는 에칭이어도 된다. 에칭이 복수 단으로 이루어지는 에칭인 경우, 각 단의 에칭은 동일한 처리여도 되고 상이한 처리여도 된다.
에칭은, 공지의 방법을 모두 이용할 수 있고, 각종 조건 등은, 기판의 종류 또는 용도 등에 따라, 적절히, 결정된다. 예를 들면, 국제 광공학회 기요(Proc. of SPIE) Vol. 6924, 692420(2008), 일본 공개특허공보 2009-267112호 등에 준하여, 에칭을 실시할 수 있다. 또, "반도체 프로세스 교본 제4판 2007년 간행 발행인: SEMI 재팬"의 "제4장 에칭"에 기재된 방법에 준할 수도 있다.
본 발명의 방법에 의하여 형성되는 패턴에 대하여, 패턴의 표면 거칠기를 개선하는 방법을 적용해도 된다. 패턴의 표면 거칠기를 개선하는 방법으로서는, 예를 들면, 국제 공개공보 제2014/002808호에 개시된 수소를 함유하는 가스의 플라즈마에 의하여 패턴을 처리하는 방법을 들 수 있다. 그 외에도, 일본 공개특허공보 2004-235468호, 미국 특허출원 공개공보 제2010/0020297호, 일본 공개특허공보 2008-083384호, 및 Proc. of SPIE Vol. 8328 83280N-1 "EUV Resist Curing Technique for LWR Reduction and Etch Selectivity Enhancement"에 기재되어 있는 바와 같은 공지의 방법을 들 수 있다.
형성되는 패턴이 라인상인 경우, 패턴 높이를 라인폭으로 나눈 값으로 구해지는 애스펙트비가, 2.5 이하가 바람직하고, 2.1 이하가 보다 바람직하며, 1.7 이하가 더 바람직하다.
형성되는 패턴이 트렌치(홈) 패턴상 또는 콘택트 홀 패턴상인 경우, 패턴 높이를 트렌치폭 또는 홀 직경으로 나눈 값으로 구해지는 애스펙트비가, 4.0 이하가 바람직하고, 3.5 이하가 보다 바람직하며, 3.0 이하가 더 바람직하다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, DSA(Directed Self-Assembly)에 있어서의 가이드 패턴 형성(예를 들면, ACS Nano Vol. 4 No. 8 Page 4815-4823 참조)에도 이용할 수 있다.
또, 상기 방법에 의하여 형성된 패턴은, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평3-270227호, 및 일본 공개특허공보 2013-164509호에 개시된 스페이서 프로세스의 심재(코어)로서 사용할 수 있다.
[전자 디바이스의 제조 방법]
또, 본 발명은, 상기한 패턴 형성 방법을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법에도 관한 것이다. 상기 전자 디바이스로서는, 전기 전자 기기(가전, OA(Office Automation), 미디어 관련 기기, 광학용 기기, 및 통신 기기 등)에, 적합하게 탑재되는 것이다.
실시예
이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 및 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 의하여 한정적으로 해석되어서는 안 된다
[패턴 형성 및 평가]
〔레지스트막 형성 공정〕
먼저, 6인치 실리콘 웨이퍼 기판에, 유기 하지(下地)막 형성용 조성물(AL412, 브루어 사이언스사제)을 20nm의 두께로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 상기 도막을 205℃에서 60초간 베이크하여, 유기 하지막 부착 실리콘 기판을 준비했다.
이어서, ZEP520A(닛폰 제온 주식회사제 주사 절단형 레지스트)를 아니솔로 희석한 레지스트 조성물을 준비했다. 이 레지스트 조성물을 상술한 유기 하지막 부착 실리콘 기판 상에 스핀 코트에 의하여 도포하여 도막을 형성했다. 이 도막을 180℃에서 60초간 베이크 함으로써, 두께 30nm의 레지스트막을 실리콘 웨이퍼 상에 형성했다.
〔노광 공정〕
제작한 레지스트막 부착 실리콘 웨이퍼에 대하여 노광 공정을 실시했다. 구체적으로는, EB 노광 장치(ELS-G100, 가속 전압 100kV, 엘리오닉스제)를 사용하여, 하프 피치(라인폭)가 15~50nm까지의 복수의 라인 앤드 스페이스 패턴(라인/스페이스=1/1)을 동일한 레지스트막 상에 묘화했다.
〔현상 공정〕
이어서, 노광 후의 레지스트막의 현상을 실시했다. 현상액으로서는, 표 1의 용제 1~14를 각각 사용했다. 현상 조건은 이하와 같다.
현상액 토출 시간: 10초
현상액 토출 시의 웨이퍼 회전수: 500회전
현상액 토출 후, 즉시 스핀 드라이를 개시.
스핀 드라이 회전수: 2000회전
스핀 드라이 시간: 30초
상기 현상 공정에 의하여, 노광부가 제거된 패턴, 즉 포지티브형 패턴이 형성되었다.
이하에 표 1을 나타낸다.
또한, 표 중의 "CLogP"는, ChemDraw(version. 16, PerkinElmer사제)에 의하여 계산한 수치이다.
또, 표 중의 "bp"는, 상압에 있어서의 비점(℃)을 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00004
〔해상 성능 평가〕
제작한 하프 피치(라인폭)가 15~50nm까지의 복수의 라인 앤드 스페이스 패턴을, 측장 주사형 전자 현미경(SEM((주)히타치 세이사쿠쇼 S-9380II))을 사용하여 패턴 상부로부터 관찰하여 해상성의 평가를 실시했다. 구체적으로는, 패턴 붕괴에 기인하는 결함이 발생하지 않는 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성할 수 있는 최소의 라인폭(nm)에 의하여 해상성을 평가했다. 값이 작을수록 양호한 성능인 것을 나타낸다.
〔정전기 억제성 평가〕
하기 평가 기준에 근거하여, 현상액의 정전기 억제성을 평가했다.
용제의 CLogP값이 2.200 이하인 경우: 문제 없음(판정 A)
용제의 CLogP값이 2.200을 초과하는 경우: 우려 있음(판정 B)
이하에 표 2를 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00005
표 2의 결과로부터, 실시예의 패턴 형성 방법에 의하여 형성된 패턴은, 해상성이 우수한 것이 명확하다.
또, 실시예 1~5의 대비로부터, 알코올계 용제의 총 탄소수가 6 또는 7인 경우, 패턴의 해상성이 보다 우수한 것이 명확하다.
또, 실시예 2~6의 대비로부터, 알코올계 용제가 2급 알코올 또는 3급 알코올인 경우, 패턴의 해상성이 보다 우수한 것이 명확하다.
한편, 분기쇄 구조를 포함하는 탄화 수소를 갖지 않는 알코올계 용제인 용제 7, 8, 11, 12, 13, 14를 현상액으로 하는 비교예 1, 2, 5, 6, 7과 8, 및, 비알코올계 용제인 용제 9, 10을 현상액으로 하는 비교예 3 및 4에서는, 형성되는 패턴의 해상성이 원하는 요구를 충족시키지 않는 것을 알 수 있다.

Claims (11)

  1. 노광에 의하여 주쇄의 결합이 절단되어 저분자량화하는 중합체를 포함하는 레지스트 조성물을 이용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
    상기 노광된 레지스트막을, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 갖는, 패턴 형성 방법으로서,
    상기 현상액이, 분기쇄상의 탄화 수소기를 포함하는 알코올계 용제를 주성분으로서 포함하는, 패턴 형성 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 알코올계 용제의 CLogP가, 1.000~2.200인, 패턴 형성 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 알코올계 용제의 총 탄소수가, 5~7인, 패턴 형성 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알코올계 용제 중에 포함되는 산소 원자가 1개인, 패턴 형성 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알코올계 용제가, 3-메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-뷰탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 2-메틸-1-뷰탄올, 3-메틸-1-뷰탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 3,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2,3-다이메틸-2-뷰탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 3,3-다이메틸-1-뷰탄올, 2-에틸-1-뷰탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 3-에틸-3-펜탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 2,2-다이메틸-3-펜탄올, 2,3-다이메틸-3-펜탄올, 4,4-다이메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-헥산올, 2-메틸-3-헥산올, 5-메틸-2-헥산올, 및 5-메틸-1-헥산올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 또한, 상기 알코올계 용제의 함유량이, 현상액의 전체 질량에 대하여 90질량% 이상인, 패턴 형성 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알코올계 용제는, 2급 탄소 또는 3급 탄소로 수산기가 치환되어 있는 알코올계 용제인, 패턴 형성 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알코올계 용제의 총 탄소수가 6 또는 7인, 패턴 형성 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체가, α-메틸스타이렌계 구조 단위와, α-클로로아크릴산 에스터계 구조 단위를 포함하는, 패턴 형성 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 현상하는 공정이, 현상 장치를 이용하여 현상하는 공정이며,
    상기 현상 장치 내의 상기 현상액에 접촉하는 영역의 일부 또는 전부가 불소 함유 수지로 형성되어 있는, 패턴 형성 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    포지티브형의 패턴이 형성되는, 패턴 형성 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 방법을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952613A (ja) 1982-09-20 1984-03-27 Nippon Gakki Seizo Kk 象牙状鍵盤物質の製法
JP3779882B2 (ja) 2000-02-28 2006-05-31 三菱電機株式会社 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
JP2006227174A (ja) 2005-02-16 2006-08-31 Ricoh Co Ltd レジスト現像液及びパターン形成方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4547486B2 (ja) * 2005-04-19 2010-09-22 国立大学法人横浜国立大学 反応現像画像形成法
KR20130034778A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 주식회사 동진쎄미켐 유도된 자가정렬 공정을 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법
FR3000235B1 (fr) * 2012-12-21 2016-06-24 Arkema France Procede de fabrication de masques nanolithographiques
JP6958362B2 (ja) 2016-01-29 2021-11-02 日本ゼオン株式会社 レジストパターン形成方法
EP3409700B1 (en) * 2016-01-29 2022-02-02 Zeon Corporation Copolymer, positive resist composition, and resist pattern forming method
WO2018062470A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 富士フイルム株式会社 半導体チップの製造方法、キット
JP6759174B2 (ja) * 2016-11-07 2020-09-23 富士フイルム株式会社 処理液及びパターン形成方法
EP3751346A4 (en) * 2018-02-05 2021-10-27 Zeon Corporation PROCESS FOR FORMING A RESERVE REASON

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952613A (ja) 1982-09-20 1984-03-27 Nippon Gakki Seizo Kk 象牙状鍵盤物質の製法
JP3779882B2 (ja) 2000-02-28 2006-05-31 三菱電機株式会社 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
JP2006227174A (ja) 2005-02-16 2006-08-31 Ricoh Co Ltd レジスト現像液及びパターン形成方法

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